CN104347530A - 带半导体密封用基体材料的密封材料、半导体装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents

带半导体密封用基体材料的密封材料、半导体装置及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的制造的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。所述带半导体密封用基体材料的密封材料用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。

Description

带半导体密封用基体材料的密封材料、半导体装置及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种可将装载有半导体元件的基板的元件装载面、或形成有半导体元件的晶片的元件形成面以晶片水平一起密封的密封材料，特别是涉及一种带半导体密封用基体材料的密封材料、使用该带半导体密封用基体材料制造的半导体装置、及其制造方法。
背景技术
目前，作为装载有半导体元件的基板的元件装载面、或形成有半导体元件的晶片的元件形成面以晶片水平进行的密封，公开、开发了各种方式，可例示利用旋涂的密封、利用丝网印刷的密封(专利文献1)、使用在膜支承体上涂敷热熔融性环氧树脂而成的复合片材的方法(专利文献2及专利文献3)。
其中，作为装载有半导体元件的基板的元件装载面的晶片水平的密封方法，如下方法最近得以投入批量生产：在金属、硅晶片、或玻璃基板等的上部贴附具有两面粘接层的膜或通过旋涂等涂布粘接剂后，使半导体元件排列、粘接并装载在该基板上，作为元件装载面，然后，利用液态环氧树脂或环氧模塑料等在加热下进行加压成形来密封，由此密封该元件装载面(专利文献4)。另外，同样，作为形成有半导体元件的晶片的元件形成面的晶片水平的密封方法，如下方法最近得以投入批量生产：利用液态环氧树脂或环氧模塑料等在加热下进行加压成形来密封，由此密封该元件形成面。
然而，在如上所述的方法中，在使用200mm(8英寸)左右的小径晶片或金属等小径基板的情况下，目前可以密封而无重大问题，但在密封装载了300mm(12英寸)以上的半导体元件的大径基板或形成有半导体元件的大径晶片的情况下，由于密封固化时的环氧树脂等的收缩应力，导致基板或晶片产生翘曲，成为重大的问题。另外，在以晶片水平密封装载有半导体元件的大径基板的元件装载面的情况下，由于密封固化时的环氧树脂等的收缩应力，产生半导体元件从金属等基板上剥离这样的问题，因此，无法投入批量生产，成为重大的问题。
作为解决这样的问题的方法，可以举出如下方法：为了将装载有半导体元件的基板的元件装载面、或形成有半导体元件的晶片的元件形成面一起密封，使用具有使热固性树脂含浸于纤维基体材料而将该热固性树脂半固化或固化的树脂含浸纤维基体材料和由形成于该树脂含浸纤维基体材料的一面上的未固化的热固性树脂构成的未固化树脂层的带半导体密封用基体材料的密封材料(专利文献5)。
如果为这样的带半导体密封用基体材料的密封材料，则膨胀系数非常小的树脂含浸纤维基体材料可抑制密封固化时未固化树脂层的收缩应力。因此，即使在密封大径晶片或金属等大径基板的情况下，也可抑制基板的翘曲、半导体元件自基板的剥离，并且以晶片水平将装载有半导体元件的基板的元件装载面一起密封。另外，在密封后，耐热性或耐湿性等密封性能优异，成为通用性非常高的带半导体密封用基体材料的密封材料。
但是，使用如上所述的带半导体密封用基体材料的密封材料的半导体装置的基体材料的面在表面露出，因此，与用现有的热固性环氧树脂等进行密封的情况相比，外观变差。进而，由于表面为基体材料，因此，存在激光标记性差这样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1日本特开2002-179885号公报
专利文献2日本特开2009-60146号公报
专利文献3日本特开2007-001266号公报
专利文献4日本特表2004-504723号公报
专利文献5日本特开2012-151451号公报
发明内容
本发明是为了解决使用带半导体密封用基体材料的密封材料的半导体装置中的上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。
用于解决课题的技术方案
为了实现上述目的，根据本发明，可提供一种带半导体密封用基体材料的密封材料，其用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
如果为这样的带半导体密封用基体材料的密封材料，则通过具有表面树脂层，可制造外观及激光标记性良好的半导体装置。
所述表面树脂层由固化性环氧树脂、固化性有机硅树脂、固化性环氧-有机硅复合树脂、固化性环氧(甲基)丙烯酸酯、固化性(甲基)丙烯酸树脂、固化性聚酰亚胺树脂中的任一种形成，另外，优选为黑色。
如果为这样的表面树脂层，则可以可靠地使外观及激光标记性良好。
另外，所述表面树脂层可使用液态树脂并通过印刷方式、喷雾方式、涂敷方式、或者膜热压合方式形成，通过热或光进行固化。
如果是这样，则可容易地形成表面树脂层。
另外，所述表面树脂层的厚度优选为0.5微米以上。
如果为这样的厚度，可制造一种在激光标记时基体材料不会因表面露出而损伤外观，且翘曲得到抑制的半导体装置。
另外，根据本发明，可提供一种半导体装置，其特征在于，利用所述本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层将所述半导体元件装载基板的元件装载面、或所述半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封后，进行切割来划片。
如果为这样的半导体装置，则外观及激光标记性良好。
所述半导体装置可以在所述带半导体密封用基体材料的密封材料的表面树脂层的表面进行标记。
如果为这样的半导体装置，则成为具有期望的标记且外观良好的半导体装置。
另外，根据本发明，可提供一种半导体装置的制造方法，其本包括：
包覆工序，利用所述本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层包覆所述半导体元件装载基板的元件装载面、或所述半导体元件形成晶片的元件形成面；密封工序，通过对所述密封树脂层进行加热使其固化来一起密封所述元件装载面或所述元件形成面；切割工序：通过对密封后的所述半导体元件装载基板或所述半导体元件形成晶片进行切割来制造单片的半导体装置。
如果为这样的制造方法，可制造外观及激光标记性良好的半导体装置。
发明的效果
本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层，因此，可制造一种在制造半导体装置时可抑制基板的翘曲、半导体元件自基板的剥离，并且可以将元件装载面或元件形成面一起密封，制造外观及激光标记性良好的半导体装置。
附图说明
图1是本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的一个例子的剖面图；
图2是表示使用本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料将半导体元件装载基板一起密封而得到的密封后的半导体元件装载基板的一个例子的图；
图3是表示使用本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料制造的半导体装置的一个例子的图。
符号说明
1…带半导体密封用基体材料的密封材料、2…表面树脂层、3…基体材料、
4…密封树脂层、4’…固化后的密封树脂层、5…密封后的半导体元件装载基板、
6…半导体元件、7…半导体元件装载基板、8…半导体装置
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行说明，但本发明并不限定于此。
为了解决如上使用带半导体密封用基体材料的密封材料的半导体装置的外观或激光标记性差这样的问题，本发明人等进行了潜心研究。其结果想到，如果在带半导体密封用基体材料的密封材料的外部露出侧的面形成表面树脂层，可以使外观及标记性良好，完成了本发明。
以下，对本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料、半导体装置、及半导体装置的制造方法详细地进行说明，但本发明并不限定于这些。
[带半导体密封用基体材料的密封材料]
如图1所示，本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料1主要由基体材料3、形成于基体材料3的一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层4和形成于基体材料3的另一侧表面的表面树脂层2构成。
(表面树脂层)
构成本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的表面树脂层2可以由固化性环氧树脂、固化性有机硅树脂、固化性环氧-有机硅复合树脂、固化性环氧(甲基)丙烯酸酯、固化性(甲基)丙烯酸树脂、固化性聚酰亚胺树脂中的任一种形成，但并不限定于此。
<环氧树脂>
本发明的表面树脂层2中所使用的环氧树脂没有特别限制，例如可以举出：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-联苯酚型环氧树脂或4,4’-联苯酚型环氧树脂这样的联苯酚型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、萘二醇型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四羟苯基乙烷型环氧树脂、及苯酚二环戊二烯酚醛清漆型环氧树脂的芳香环被氢化了的环氧树脂、脂环式环氧树脂等在室温下为液态或固体的公知的环氧树脂。另外，根据需要，可以根据目的组合使用一定量的上述以外的环氧树脂。
由环氧树脂制成的表面树脂层2中可以含有环氧树脂的固化剂。作为该固化剂，可以使用苯酚酚醛清漆树脂、各种胺衍生物、酸酐或使酸酐基部分开环而生成羧酸的物质。其中，为了确保使用本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料而制造的半导体装置的可靠性，优选苯酚酚醛清漆树脂。特别优选以环氧基和酚性羟基的比率为1：0.8～1.3的方式混合所述环氧树脂和该苯酚酚醛清漆树脂。
进而，为了促进上述环氧树脂和上述固化剂的反应，也可以使用咪唑衍生物、膦衍生物、胺衍生物、有机铝化合物等金属化合物等作为反应促进剂(催化剂)。
由环氧树脂制成的表面树脂层2中可以进一步根据需要配合各种添加剂。例如，出于改善树脂的性质的目的，可以根据目的适宜添加配合各种热塑性树脂、热塑性弹性体、有机合成橡胶、有机硅系等低应力剂、蜡类、卤素捕集剂等添加剂。
<有机硅树脂>
作为本发明的表面树脂层2中所使用的有机硅树脂，没有特别限制，可使用热固性、UV固化性有机硅树脂等。特别是由有机硅树脂制成的树脂层优选含有加成固化型有机硅树脂组合物。作为该加成固化型有机硅树脂组合物，特别优选(A)具有非共轭双键的有机硅化合物(例如含烯基二有机聚硅氧烷)、(B)有机氢聚硅氧烷、及(C)铂系催化剂作为必需成分。以下，对这些(A)～(C)成分进行说明。
作为上述(A)具有非共轭双键的有机硅化合物，可例示：
通式(1)：R1R2R3SiO-(R4R5SiO)a-(R6R7SiO)b-SiR1R2R3(式中，R1表示含有非共轭双键的一价烃基，R2～R7分别表示相同或不同种类的一价烃基，a及b为满足0≤a≤500、0≤b≤250、且0≤a+b≤500的整数。)所示的分子链两末端用含有不饱和基团的三有机硅氧烷基封端的直链状二有机聚硅氧烷等有机聚硅氧烷。
上述通式(1)中，R1为含有非共轭双键的一价烃基，为具有优选碳原子数2～8、特别优选碳原子数2～6的烯基所代表的脂肪族不饱和键且含有非共轭双键的一价烃基。
上述通式(1)中，R2～R7分别为相同或不同种类的一价烃基，可以举出：优选碳原子数1～20、特别优选碳原子数1～10的烷基、烯基、芳基、芳烷基等。另外，其中，R4～R7可优选举出：除脂肪族不饱和键以外的一价烃基，可特别优选举出：不具有烯基等脂肪族不饱和键的烷基、芳基、芳烷基等。进而，其中，R6、R7优选为芳香族一价烃基，特别优选为苯基或甲苯基等碳原子数6～12的芳基等。
上述通式(1)中，a及b为满足0≤a≤500、0≤b≤250、且0≤a+b≤500的整数，a优选为10≤a≤500，b优选为0≤b≤150，另外，a+b优选满足10≤a+b≤500。
上述通式(1)所示的有机聚硅氧烷例如可通过环状二苯基聚硅氧烷、环状甲基苯基聚硅氧烷等环状二有机聚硅氧烷和构成末端基团的二苯基四乙烯基二硅氧烷、二乙烯基四苯基二硅氧烷等二硅氧烷的碱平衡化反应来得到，此时，在利用碱催化剂(特别是KOH等强碱)的平衡化反应中，利用少量的催化剂以不可逆反应进行聚合，因此，仅定量地进行开环聚合，末端封端率也较高，因此，通常不含有硅烷醇基及氯成分。
作为上述通式(1)所示的有机聚硅氧烷，具体而言，可例示下述的有机聚硅氧烷。
[化学式1]
(上述式中，k、m为满足0≦k≦500、0≦m≦250、且0≦k+m≦500的整数，优选为满足5≦k+m≦250、且0≦m/(k+m)≦0.5的整数。)
作为(A)成分，除上述通式(1)所示的具有直链结构的有机聚硅氧烷之外，还可以根据需要组合使用包含3官能性硅氧烷单元、4官能性硅氧烷单元等具有三维网状结构的有机聚硅氧烷。(A)具有非共轭双键的有机硅化合物可以单独使用1种或混合使用2种以上。
(A)具有非共轭双键的有机硅化合物中的具有非共轭双键的基团(例如键合于烯基等的Si原子的具有双键的一价烃基)的量优选为全部一价烃基(键合于Si原子的全部一价烃基)中的0.1～20摩尔％，更优选为0.2～10摩尔％，特别优选为0.2～5摩尔％。如果具有非共轭双键的基团的量为0.1摩尔％以上，则固化时可得到良好的固化物，如果为20摩尔％以下，则固化时的机械特性良好，故优选。
另外，(A)具有非共轭双键的有机硅化合物优选具有芳香族一价烃基(键合于Si原子的芳香族一价烃基)，芳香族一价烃基的含量优选为全部一价烃基(键合于Si原子的全部一价烃基)的0～95摩尔％，更优选为10～90摩尔％，特别优选为20～80摩尔％。芳香族一价烃基适量包含在树脂中存在固化时的机械特性良好且易于制造这样的优点。
作为上述(B)成分，优选为在一分子中具有2个以上键合于硅原子的氢原子(SiH基)的有机氢聚硅氧烷。如果为在一分子中具有2个以上键合于硅原子的氢原子(SiH基)的有机氢聚硅氧烷，则交联剂发挥作用，(B)成分中的SiH基、(A)成分的乙烯基、其它的烯基等含有非共轭双键的基团通过加成反应，可以形成固化物。
另外，(B)有机氢聚硅氧烷优选具有芳香族一价烃基。这样，如果为具有芳香族一价烃基的(B)有机氢聚硅氧烷，则可以提高与上述(A)成分的相溶性。(B)有机氢聚硅氧烷可以单独使用1种，也可以混合使用2种以上，例如可以含有具有芳香族烃基的(B)有机氢聚硅氧烷作为(B)成分的一部分或全部。
作为(B)有机氢聚硅氧烷，并不限定于此，可以举出：1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、三(二甲基氢硅氧基)甲基硅烷、三(二甲基氢硅氧基)苯基硅烷、1-环氧丙氧基丙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,5-环氧丙氧基丙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-环氧丙氧基丙基-5-三甲氧基硅烷基乙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、两末端由三甲基硅氧基封端的甲基氢聚硅氧烷、两末端由三甲基硅氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、两末端由二甲基氢硅氧基封端的二甲基聚硅氧烷、两末端由二甲基氢硅氧基封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物、两末端由三甲基硅氧基封端的甲基氢硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物、两末端由三甲基硅氧基封端的甲基氢硅氧烷-二苯基硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物、三甲氧基硅烷聚合物、由(CH3)2HSiO1/2单元与SiO4/2单元构成的共聚物、及由(CH3)2HSiO1/2单元、SiO4/2单元和(C6H5)SiO3/2单元构成的共聚物等。
另外，也可以利用使用下述结构所示的单元得到的有机氢聚硅氧烷。
[化学式2]
另外，作为(B)有机氢聚硅氧烷，可以举出下述有机氢聚硅氧烷。
[化学式3]
(B)有机氢聚硅氧烷的分子结构可以为直链状、环状、支链状、三维网状结构中的任一个，可以使用一分子中的硅原子数(或在聚合物的情况下为聚合度)优选2以上，更优选为3～500，特别优选4～300左右的有机氢聚硅氧烷。
(B)有机氢聚硅氧烷的配合量优选为对应于每一个(A)成分的烯基等具有非共轭双键的基团，(B)成分中的键合于硅原子的氢原子(SiH基)为0.7～3.0个的量。
上述(C)成分中可优选使用铂系催化剂。作为(C)铂系催化剂，可以举出例如氯铂酸、醇改性氯铂酸、具有螯合结构的铂络合物等。这些可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
(C)铂系催化剂的配合量为固化有效量，即所谓的催化剂量，通常，对应于上述(A)成分及(B)成分的总质量每100质量份，以铂族金属的质量换算计优选为0.1～500ppm，特别优选为0.5～100ppm的范围。
<环氧-有机硅复合树脂>
表面树脂层2中所使用的环氧树脂和有机硅树脂的复合树脂没有特别限制，可以举出上述的环氧树脂和上述的有机硅树脂。
<环氧(甲基)丙烯酸酯>
用作表面树脂层2的环氧(甲基)丙烯酸酯为例如使现有公知的芳香族环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族环氧树脂等和(甲基)丙烯酸反应而得到的丙烯酸酯。这些环氧丙烯酸酯中没有特别限制，特别优选为芳香族环氧树脂的丙烯酸酯，为使具有至少1个芳香核的多元酚或其环氧烷烃加成物的聚缩水甘油醚与(甲基)丙烯酸反应而得到的(甲基)丙烯酸酯。例如可以举出：使通过双酚A、或其环氧烷烃加成物和表氯醇的反应而得到的缩水甘油醚与(甲基)丙烯酸反应而得到的(甲基)丙烯酸酯、使环氧酚醛清漆树脂和(甲基)丙烯酸反应而得到的(甲基)丙烯酸酯等。
<(甲基)丙烯酸树脂>
作为用作表面树脂层2的(甲基)丙烯酸树脂没有特别限制，包含(甲基)丙烯酸及/或其各种衍生物的聚合物及共聚物。作为(甲基)丙烯酸衍生物，可以举出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯等含有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯、二甲基(甲基)丙烯酸酰胺等(甲基)丙烯酸酰胺、丙烯酸酰亚胺酯TO-1492(东亚合成工业制)等含有酰亚胺基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含有环氧基的(甲基)丙烯酸酯。另外，上述共聚物也包含上述(甲基)丙烯酸及/或其各种衍生物和丙烯腈、苯乙烯、丁二烯或烯丙基衍生物等的共聚物。
<聚酰亚胺树脂>
表面树脂层2中所使用的聚酰亚胺树脂没有特别限制，作为可优选使用的例子，可以举出：通过由酸二酐和二胺化合物合成聚酰胺酸，然后进行加热脱水而得到的聚酰亚胺树脂。
作为上述聚酰胺酸的合成中所使用的酸二酐，例如可以举出：3,3’,4,4’-二苯基砜四羧酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐、2,3’,3,4’-联苯四羧酸二酐、5-(2,5-二氧代四氢-3-呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1,2-二羧酸酐、4-(2,5-二氧代四氢呋喃-3-基)-1,2,3,4-四氢萘-1,2-二羧酸酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4’-六氟亚丙基双邻苯二甲酸二酐、1,3-四甲基二硅氧烷双邻苯二甲酸二酐、4,4’-氧基二邻苯二甲酸二酐。
作为上述聚酰胺酸的合成中所使用的二胺化合物，例如可以举出：3,3’-二氨基-4,4’-二羟基联苯、2,2’-二氨基-4,4’-二羟基联苯、2,2-双(4-氨基-3-羟基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)丙烷、9,9-双(3-氨基-4-羟基苯基)芴、2,2’-亚甲基双[6-(4-氨基-3,5-二甲基苄基)-4-甲基]苯酚、3,3’-二氨基-4,4’-二羟基二苯基醚、2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷等具有酚基的二胺、4,4’-二氨基苯酰替苯胺、4,4’-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、4,4’-(对亚苯基二异亚丙基)二苯胺、4,4’-(间亚苯基二异亚丙基)二苯胺、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、4,4’-双(4-氨基苯氧基)联苯、9,9-双(4-氨基苯基)芴等。
<无机填充剂>
表面树脂层2中可以配合无机填充剂。作为所配合的无机填充剂，可以举出：烟雾质二氧化硅(气相二氧化硅)、沉积二氧化硅、熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等二氧化硅类、氧化铝、氮化硅、氮化铝、硅酸铝盐、氮化硼、玻璃纤维、三氧化锑等。这些无机填充剂的平均粒径及形状没有特别限定。
作为上述无机填充剂，也可以配合用硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂等偶联剂预先进行了表面处理的无机填充剂。
作为这样的偶联剂，例如优选使用γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等环氧官能性烷氧基硅烷、N-β(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性烷氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性烷氧基硅烷等。另外，用于表面处理的偶联剂的配合量及表面处理方法没有特别限制。
<颜料>
表面树脂层2中可以含有用于制成黑色的颜料。作为在此所使用的颜料，可以举出例如现有的密封树脂组合物中所使用的炭黑、炉黑、乙炔黑等，但并不受这些限制。
通过如上将表面树脂层2制成黑色，使用本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料制造的半导体装置可得到与用现有的环氧树脂等密封的半导体装置同样良好的外观及激光标记性。
表面树脂层2的厚度优选0.5微米以上。更优选为0.5微米～500微米。如果为0.5微米以上，则在激光标记时可进行清晰的印字，并且可以避免基体材料表面露出或损伤外观。另外，可容易地形成表面树脂层2。如果为500微米以下，则能够可靠地抑制半导体装置产生翘曲。
(基体材料)
可以作为本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的基体材料3使用的基体材料没有特别限定，可以根据成为进行密封的对象的半导体元件装载基板或半导体元件形成晶片使用无机基板、金属基板、或有机树脂基板。也可以使用含有纤维的有机树脂基板。
作为无机基板，代表性的是陶瓷基板、玻璃基板、硅晶片等，作为金属基板，代表性的是将表面进行了绝缘处理的铜或铝基板等。作为有机树脂基板，可以举出：使热固性树脂或填料等含浸于纤维基体材料而成的树脂含浸纤维基体材料、以及将该热固性树脂半固化或固化而成的树脂含浸纤维基体材料及将热固性树脂等成形为基板状的树脂基板。作为代表性的基板，可以举出：BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂基板、玻璃环氧基板、FRP(纤维强化塑料)基板等。
作为可用作上述纤维基体材料的基体材料，可例示例如碳纤维、玻璃纤维、石英玻璃纤维、金属纤维等无机纤维、芳香族聚酰胺纤维、聚酰亚胺纤维、聚酰胺酰亚胺纤维等有机纤维、以及碳化硅纤维、碳化钛纤维、硼纤维、氧化铝纤维等，可根据制品特性使用任何基体材料。另外，作为最优选的纤维基体材料，可例示：玻璃纤维、石英纤维、碳纤维等。其中，优选绝缘性高的玻璃纤维及石英玻璃纤维作为纤维基体材料。
作为上述热固性树脂没有特别限制，可以举出：BT树脂、环氧树脂等、或通常半导体元件的密封中所使用的下述例示的那样的环氧树脂、有机硅树脂、由环氧树脂和有机硅树脂构成的复合树脂、以及氰酸酯树脂等。
在使用利用热固性环氧树脂作为含浸于上述纤维基体材料的热固性树脂含浸纤维基体材料、或在含浸该环氧树脂后半固化而成的基体材料作为基体材料来制作本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的情况下，该基体材料的一面上所形成的密封层中使用的热固性树脂也优选为环氧树脂。这样，如果含浸于基体材料的热固性树脂和密封树脂层的热固性树脂为相同种类的热固性树脂，则在将半导体元件装载基板的元件装载面或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封时可同时使其固化，由此可实现更进一步牢固的密封功能，故优选。
基体材料3的厚度优选将含浸于纤维基体材料的热固性树脂半固化及固化的任一情况均优选为20微米～1mm，更优选为30微米～500微米的厚度。如果为20微米以上，则可以抑制过薄而容易发生变形，故优选，另外，如果为1mm以下，则可以抑制半导体装置本身变厚，故优选。
对于减少将半导体元件装载基板的元件装载面一起密封后的翘曲、且增强排列、粘接有一个以上半导体元件的基板而言，基体材料3是很重要的。优选为硬且刚直的基体材料。
(密封树脂层)
构成本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层4由基体材料3的一面上所形成的未固化乃至半固化的热固性树脂构成。该密封树脂层4为用于密封的树脂层。需要说明的是，在本说明书中，半固化是指从固化反应开始至结束的过程中中间阶段的状态。
密封树脂层4的厚度优选为20微米以上且2000微米以下。如果为20微米以上，则足以密封半导体元件装载基板的元件装载面、或半导体元件形成晶片的元件形成面，可以抑制过薄而产生填充性的不良，故优选，如果为2000微米以下，则可以抑制所密封的半导体装置变得过厚，故优选。
密封树脂层4没有特别限制，优选由通常用于半导体元件的密封的液态环氧树脂或固体的环氧树脂、有机硅树脂、或由环氧树脂和有机硅树脂构成的复合树脂、氰酸酯树脂构成的热固性树脂层。上述热固性树脂层特别优选含有在低于50℃下为固体，且在50℃以上且150℃以下熔融的环氧树脂、有机硅树脂、及环氧有机硅复合树脂、氰酸酯树脂中的任一种。
<环氧树脂>
密封树脂层4中所使用的环氧树脂没有特别限制，可以使用与上述表面树脂层2中所使用的环氧树脂同样的树脂。
由上述环氧树脂构成的密封树脂层4由于为用于半导体元件的树脂层，因此，优选尽可能减少氯等卤素离子、以及钠等碱离子。在离子交换水50ml中添加试样10g，进行密封并在120℃的烘箱中静置20小时后进行加热提取的120℃下的提取中，任一离子均优选为10ppm以下。
<有机硅树脂>
密封树脂层4中所使用的有机硅树脂没有特别限制，可以使用与上述表面树脂层2中所使用的有机硅树脂同样的树脂。
由上述有机硅树脂构成的密封树脂层4由于为用于密封半导体元件的树脂层，因此，优选尽可能减少氯等卤素离子、以及钠等碱离子。通常，在120℃下提取时任一离子均优选为10ppm以下。
<由环氧树脂和有机硅树脂构成的复合树脂>
密封树脂层4中所使用的环氧树脂和有机硅树脂的复合树脂没有特别限制，可以举出：上述环氧树脂和上述有机硅树脂。
由上述复合树脂构成的密封树脂层4由于为用于密封半导体元件的树脂层，因此，优选尽可能减少氯等卤素离子、以及钠等碱离子。通常，在120℃下提取时任一离子均优选为10ppm以下。
<氰酸酯树脂>
作为密封树脂层4使用的氰酸酯树脂没有特别限定，例如为配合了氰酸酯化合物、酚化合物、及/或二羟基萘的树脂组合物。
《氰酸酯化合物》
作为上述氰酸酯化合物或其低聚物使用的成分可例示下述通式(2)所示的化合物。
[化学式4]
(式中，R1及R2分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，R3表示
[化学式5]
中的任一种。R4为氢原子或甲基，n＝0～30的整数。)
在此，作为氰酸酯化合物，在1分子中具有2个以上氰酸酯基，具体而言，可以举出：多芳香环的二元酚的氰酸酯、例如双(3,5-二甲基-4-氰酸酯苯基)甲烷、双(4-氰酸酯苯基)甲烷、双(3-甲基-4-氰酸酯苯基)甲烷、双(3-乙基-4-氰酸酯苯基)甲烷、双(4-氰酸酯苯基)-1,1-乙烷、双(4-氰酸酯苯基)-2,2-丙烷、二(4-氰酸酯苯基)醚、二(4-氰酸酯苯基)硫醚、多元酚的聚氰酸酯、例如苯酚酚醛清漆型氰酸酯、甲酚酚醛清漆型氰酸酯、苯基芳烷基型氰酸酯、联苯芳烷基型氰酸酯、萘芳烷基型氰酸酯等。上述的氰酸酯化合物可通过使酚类和氯氰化物在碱性条件下进行反应来得到。上述氰酸酯化合物可以从根据其结构具有从软化点为106℃的固体性质到在常温下为液态的性质这样的宽泛的特性的化合物中根据用途适宜选择。
氰酸酯基的当量小的化合物，即官能团间分子量小的化合物可得到固化收缩小、低热膨胀、高Tg的固化物。氰酸酯基当量大的化合物的Tg些许降低，但三嗪交联间隔变为柔性，可期待低弹性化、高坚韧化、低吸水化。在氰酸酯化合物中键合或者残留的氯优选为50ppm以下，更优选为20ppm以下。如果为50ppm以下，则长期高温保管时因热分解而游离的氯或者氯离子腐蚀被氧化的Cu框及Cu线、镀Ag或引起剥离或电气不良的可能性少。另外，树脂的绝缘性也良好。
《酚化合物》
作为本发明中所使用的酚化合物没有特别限制，作为例子为下述通式(3)所示的化合物。
[化学式6]
(式中，R5及R6分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，R7为
[化学式7]
中的任一种。R4为氢原子或甲基，m＝0～30的整数。)
在此，作为酚化合物，可以举出：在1分子中具有至少2个以上酚性羟基的苯酚树脂、双酚F型树脂、双酚A型树脂、苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基型树脂、联苯芳烷基型树脂、萘芳烷基型树脂，其中，可使用1种或并用2种以上。
《固化催化剂》
通常，作为氰酸酯化合物的固化催化剂为金属盐、金属络合物或具有活性氢的酚性羟基或伯胺类等，可优选使用酚化合物或二羟基萘化合物。
酚化合物的酚羟基当量小的化合物，例如羟基当量120以下的化合物与氰酸酯基的反应性高，即使在120℃以下的低温下也进行固化反应。此时，减小羟基相对于氰酸酯基的摩尔比即可。
酚羟基当量的优选范围相对于氰酸酯基1摩尔为0.05～0.11摩尔。此时，可得到固化收缩少、低热膨胀且高Tg的固化物。
另一方面，酚羟基当量大的化合物，例如羟基当量175以上的化合物可抑制与氰酸酯基的反应，可得到保存性良好、流动性良好的组合物。酚羟基当量的优选范围相对于氰酸酯基1摩尔为0.1～0.4摩尔。此时，可得到Tg些许降低，但吸水率低的固化物。为了得到期望的固化物特性和固化性，也可以并用2种以上这些酚化合物。
二羟基萘化合物由下述通式(4)表示。
[化学式8]
在此，作为二羟基萘，可以举出：1,2-二羟基萘、1,3-二羟基萘、1,4-二羟基萘、1,5-二羟基萘、1,6-二羟基萘、1,7-二羟基萘、2,6-二羟基萘、2,7-二羟基萘等。熔点为130℃的1,2-二羟基萘、1,3-二羟基萘、1,6-二羟基萘的反应性非常高，少量即可促进氰酸酯基的环化反应。熔点为200℃以上的1,5-二羟基萘、2,6-二羟基萘可抑制反应。在单独使用这些二羟基萘的情况下，由于为官能团间分子量小、且刚直的结构，因此，可得到固化收缩小、高Tg的固化物。
另外，也可以通过与羟基当量大且在1分子中具有2个以上羟基的酚化合物并用来调整固化性。
上述酚化合物及二羟基萘中的卤元素或碱金属等在120℃、2个大气压下的提取中，优选为10ppm以下，特别优选为5ppm以下。
《无机填充剂》
密封树脂层4中可以配合无机填充剂。作为所配合的无机填充剂，例如可以举出：熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等二氧化硅类、氧化铝、氮化硅、氮化铝、硅酸铝盐、氮化硼、玻璃纤维、三氧化锑等。这些无机填充剂的平均粒径或形状没有特别限定。
特别是作为添加在由环氧树脂构成的密封树脂层4的上述无机填充剂，为了增强环氧树脂和无机填充剂的结合强度，也可以配合用硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂等偶联剂预先进行了表面处理的无机填充剂。
作为这样的偶联剂，例如优选使用γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷等环氧官能性烷氧基硅烷、N-β(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性烷氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性烷氧基硅烷等。另外，用于表面处理的偶联剂的配合量及表面处理方法没有特别限制。
上述无机填充剂的配合量优选相对于环氧树脂组合物或有机硅树脂组合物中的树脂的总质量100质量份为100～1300质量份，特别优选为200～1000质量份。如果为100质量份以上，则可得到充分的强度，如果为1300质量份以下，则可抑制流动性降低引起的填充性的不良，作为结果，可将基板上所装载的半导体元件良好地进行密封。另外，该无机填充剂优选以构成密封树脂层4的组合物整体的50～95质量％、特别是60～90质量％的范围含有。
[带半导体密封用基体材料的密封材料的制造方法]
本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料如图1所示，可通过在基体材料3的一侧表面形成由未固化乃至半固化的热固性树脂构成的密封树脂层4，在另一侧表面形成表面树脂层2来制造。
表面树脂层2可通过如下操作形成：使用液态树脂并通过印刷方式、喷雾方式、涂敷方式、膜的热压合方式、或者使用现有的环氧固化性树脂或有机硅固化性树脂等通过加压成形方式在基体材料上形成树脂层并利用热或光使该树脂层固化。
密封树脂层4可通过如下方法形成：通过在基体材料3的未形成表面树脂层2侧的表面以片状或者膜状层叠未固化的热固性树脂，并使用真空层压机或高温真空加压机、热辊等来形成的方法；在减压或真空下，通过印刷或分配等涂布液态环氧树脂或有机硅树脂等热固性树脂并进行加热的方法；以及对未固化的热固性树脂进行加压成形的方法等各种方法。
[半导体元件装载基板及半导体元件形成晶片]
作为用本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料进行密封的对象的半导体元件装载基板没有特别限制，可以在有机基板、无机基板、或金属基板的元件装载面装载半导体元件。半导体元件装载基板包含装载并排列半导体元件而成的半导体元件阵列。作为半导体元件形成晶片，为在晶片上形成有半导体元件的晶片。作为在此使用的晶片，例如可以举出：硅(Si)晶片、SiC晶片等。
[密封后的半导体元件装载基板]
将由本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料密封的半导体元件装载基板的一个例子的剖面图示于图2。如图2所示，密封后的半导体元件装载基板5利用图1所示的带半导体密封用基体材料的密封材料1的密封树脂层4包覆装载了半导体元件6的半导体元件装载基板7的元件装载面，并对密封树脂层4进行加热使其固化，由此形成固化后的密封树脂层4’。
[半导体装置]
将本发明的半导体装置的一个例子示于图3。如图3所示，半导体装置8是对利用密封树脂层4’将半导体元件装载基板的元件装载面、或半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封而得到的密封后的半导体元件装载基板或密封后的半导体元件形成晶片进行切割，而制造的单片的半导体装置。
如果为这样的半导体装置，则由于可覆盖表面树脂层2而不使基体材料的面露出，因此，可得到与仅用未使用现有基体材料的密封树脂进行密封时同样良好的外观，并且不需要直接标记于基体材料而可以标记于表面树脂层2，因此，可以提高标记性。标记例如可利用激光来进行。
[半导体装置的制造方法]
(包覆工序)
首先，利用如图1所示那样的上述本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料1的密封树脂层4包覆半导体元件装载基板的元件装载面、或半导体元件形成晶片的元件形成面。
(密封工序)
接着，如图2所示，对密封树脂层4进行加热使其固化，形成固化后的密封树脂层4’，由此将元件装载面或元件形成面一起密封。
(切割工序)
进而，通过对密封后的半导体元件装载基板或半导体元件形成晶片进行切割，制造如图3所示那样的单片的半导体装置。
[实施例]
下面，示出本发明的实施例及比较例对本发明更具体地进行说明，但本发明并不受这些比较例及实施例限定。
(实施例1)
[用于形成表面树脂层的树脂组合物的制作]
在由甲酚酚醛清漆型环氧树脂60质量份、苯酚酚醛清漆树脂30质量份、平均粒径7微米的球状二氧化硅400质量份、催化剂TPP(三苯基膦)0.4质量份、黑色颜料3质量份、硅烷偶联剂(KBM403信越化学工业制)0.5质量份构成的成分中加入环己酮1700质量份并搅拌混合，得到用于形成表面树脂层的树脂蜡。
[基体材料的准备]
准备厚度100微米、66mm×232mm的BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂基板(玻璃化转变温度185℃)作为基体材料。
[成为密封树脂层的树脂组合物的制作]
将甲酚酚醛清漆型环氧树脂60质量份、苯酚酚醛清漆树脂30质量份、平均粒径7微米的球状二氧化硅400质量份、催化剂TPP0.2质量份、硅烷偶联剂(KBM403信越化学工业制)0.5质量份用高速混合装置充分混合后，用连续混炼装置加热混炼进行片材化并冷却。将片材粉碎形成颗粒状的粉末，得到环氧树脂组合物。
[带半导体密封用基体材料的密封材料的制作]
在上述基体材料上印刷涂布上述得到的树脂蜡，在120℃下干燥20分钟后，在180℃下进行4小时后固化，由此形成固化的表面树脂层。表面树脂层的厚度为0.7微米。接着，在形成了表面树脂层的基体材料的另一侧表面均匀分散上述环氧树脂组合物的颗粒粉末。使上下的模具温度为80℃，上模具中设置进行了氟树脂涂层的PET膜(剥离膜)并将模具内减压至真空水平，进行3分钟压缩成形使得树脂厚度为600微米，形成密封树脂层。如上制作带半导体密封用基体材料的密封材料。
[半导体元件装载基板的准备]
准备在厚度100微米、74×240mm的BT基板上装载了64个厚度200微米、10×10mm的Si芯片的基板。
[半导体元件装载基板的密封]
通过使用上述制作的带半导体密封用基体材料的密封材料并利用将料板温度设定为175℃的真空层压装置(日合莫顿公司制)，将上述半导体元件装载基板进行5分钟真空压缩成形来固化密封。固化密封后，在180℃下进行4小时后固化，得到密封后的半导体元件装载基板。
(实施例2)
[用于形成表面树脂层的树脂组合物的制作]
相对于加入了作为具有非共轭双键的有机硅化合物的分子链两末端由烯基封端的二有机聚硅氧烷50质量份、有机氢聚硅氧烷50质量份、作为反应抑制剂的乙炔醇系的乙炔基环己醇0.2质量份、氯铂酸的辛醇改性溶液0.1质量份的组合物进一步添加平均粒径5μm的球状二氧化硅350质量份、黑色颜料3质量份，在得到的成分中加入甲苯1600质量份并搅拌混合，得到用于形成表面树脂层的树脂蜡。
[基体材料的准备]
准备厚度200微米、直径300mm(12英寸)的硅晶片。
[成为密封树脂层的树脂组合物的制作]
与实施例1同样地制作树脂组合物。
[带半导体密封用基体材料的密封材料的制作]
通过与实施例1同样的方法制作带半导体密封用基体材料的密封材料。表面树脂层的厚度为10微米。
[半导体元件装载基板的准备]
准备排列、装载了作为单片的半导体元件的400个硅芯片(形状：5mm×7mm厚度100微米)的厚度200微米、300mm(12英寸)的硅晶片。
[半导体元件装载基板的密封]
在与实施例1同条件下密封半导体元件装载基板，得到密封后的半导体元件装载基板。
(实施例3)
[用于形成表面树脂层的树脂组合物的制作]
加入70质量份丙烯酸改性双酚A、30质量份双酚A、双氰胺15质量份、光聚合引发剂、低聚物(2-羟基-2-甲基-1-(4-(1-甲基乙烯基)苯基)丙酮2质量份、平均粒径7微米的球状二氧化硅400质量份、作为硅烷偶联剂的KBM403(γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)(信越化学工业制)0.5质量份、黑色颜料3质量份并搅拌混合，得到用于形成表面树脂层的环氧丙烯酸酯树脂组合物。
[基体材料的准备]
准备厚度200微米、直径300mm(12英寸)的金属基板。
[成为密封树脂层的树脂组合物的制作]
与实施例1同样地制作树脂组合物。
[带半导体密封用基体材料的密封材料的制作]
在上述基体材料上印刷涂布上述环氧丙烯酸酯树脂组合物，用紫外线照射装置在照度80～120mW/cm2、光量2.0～3.0J/cm2的条件下进行光固化后，在140℃下进行2小时加热固化，由此形成表面树脂层，除此以外，与实施例1同样地制作带半导体密封用基体材料的密封材料。表面树脂层的厚度为70微米。
[半导体元件装载基板的准备]
准备在厚度200微米、直径300mm(12英寸)的金属基板上通过高温下粘接力降低的粘接剂排列并装载有作为单个的半导体元件的400个硅芯片(形状：5mm×7mm厚度125微米)的基板。
[半导体元件装载基板的密封]
与实施例1同样地密封半导体元件装载基板，得到密封后的半导体元件装载基板。
(实施例4)
[用于形成表面树脂层的树脂组合物的制作]
准备聚酰亚胺有机硅膜X-45-5024B2(信越化学工业制)作为用于形成表面树脂层的膜。
[基体材料的准备]
准备与实施例1同样的BT树脂基板。
[成为密封树脂层的树脂组合物的制作]
与实施例1同样地制作树脂组合物。
[带半导体密封用基体材料的密封材料的制作]
在上述基体材料上于70℃下真空层压聚酰亚胺有机硅膜X-45-5024B2，在175℃下进行4小时后固化，制作带半导体密封用基体材料的密封材料。表面树脂层的厚度为200微米。
[半导体元件装载基板]
准备与实施例1同样的基板。
[半导体元件装载基板的密封]
与实施例1同样地密封半导体元件装载基板，得到密封后的半导体元件装载基板。
(比较例1)
除未形成表面树脂层以外，在与实施例1同样的条件得到密封后的半导体元件装载基板。
如下评价实施例1～4及比较例1中得到的密封后的半导体元件装载基板、即切割前的半导体装置的特性。将评价结果示于表1。
[外观]
目视确认密封后的半导体元件装载基板的表面，若没有表面不均、粗糙等，则良好。
[激光标记性]
利用日本电气(株)制的Mask type的YAG激光标记机(施加电压2.4kV、脉冲宽度120us的条件)在密封后的半导体元件装载基板的表面树脂层上标记，评价印字的可见性(标记性)。
[翘曲]
使用激光-三维测定机测定在密封后的半导体元件装载基板的对角线方向高度的位移，将位移差设为翘曲量(mm)。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1
外观 良好 良好 良好 良好 不良
激光标记性 良好 良好 良好 良好 非常差
翘曲(mm) 0.1 0.1 0.1 0.2 0.1
由表1的结果显示，使用了本发明的带半导体密封用基体材料的密封材料的半导体装置的外观及激光标记性均良好。另外，显示比较例1的半导体装置由于不具有本发明的表面树脂层，密封材料的基体材料面露出，因此，外观不良，进而，激光标记性也非常差。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有与本发明的权利要求书所述的技术思想实质相同的构成，并发挥同样的作用效果的技术方案均包含在本发明的技术范围内。
本申请基于2013年7月29日申请的日本专利申请2013-156470，其内容在此作为参照被引用。

Claims (8)

1.一种带半导体密封用基体材料的密封材料，其用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面进行一起密封，其中，
所述密封材料具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
2.根据权利要求1所述的带半导体密封用基体材料的密封材料，其中，
所述表面树脂层由固化性环氧树脂、固化性有机硅树脂、固化性环氧-有机硅复合树脂、固化性环氧(甲基)丙烯酸酯、固化性(甲基)丙烯酸树脂、固化性聚酰亚胺树脂中的任一种形成。
3.根据权利要求1所述的带半导体密封用基体材料的密封材料，其中，所述表面树脂层为黑色。
4.根据权利要求1所述的带半导体密封用基体材料的密封材料，其中，
所述表面树脂层使用液态树脂并通过印刷方式、喷雾方式、涂敷方式、或者膜热压合方式形成，通过热或光进行固化。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的带半导体密封用基体材料的密封材料，其中，所述表面树脂层的厚度为0.5微米以上。
6.一种半导体装置，其通过权利要求1～5中任一项所述的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层将所述半导体元件装载基板的元件装载面、或所述半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封后，进行切割而形成为单片的半导体装置。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在所述带半导体密封用基体材料的密封材料的表面树脂层的表面进行了标记。
8.一种半导体装置的制造方法，该方法具有以下工序：
包覆工序，利用权利要求1～5中任一项所述的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层对所述半导体元件装载基板的元件装载面、或所述半导体元件形成晶片的元件形成面进行包覆；
密封工序，通过对所述密封树脂层进行加热并使其固化，将所述元件装载面或所述元件形成面进行一起密封；
切割工序，通过对密封后的所述半导体元件装载基板或所述半导体元件形成晶片进行切割，而制造单片的半导体装置。
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