TWI619209B - Packaging material with semiconductor package substrate, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種可製造外觀及雷射刻印性良好之半導體裝置之附有半導體封裝用基材的封裝材料、半導體裝置、及半導體裝置的製造方法。
本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料，係用以將裝載有半導體元件之半導體元件裝載基板之元件裝載面、或將形成有半導體元件之半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其特徵係具有：基材、形成於該基材之一表面之由未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層、與形成於前述基材之另一表面之表面樹脂層。

Description

附有半導體封裝用基材的封裝材料、半導體裝置、及半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種可將裝載有半導體元件之基板之元件裝載面、或形成有半導體元件之晶圓之元件形成面以晶圓等級一併封裝之封裝材料，特別是關於附有半導體封裝用基材的封裝材料、使用該附有半導體封裝用基材的封裝材料所製造之半導體裝置、及其之製造方法。
自以往，裝載有半導體元件之基板之元件裝載面、或形成有半導體元件之晶圓之元件形成面之晶圓等級的封裝，可各種方式被提出、探討，可例示如藉旋塗法之封裝、藉網版印刷之封裝(專利文獻1)、使用於薄膜支持體以熱熔融性環氧樹脂塗布之複合薄片的方法(專利文獻2及專利文獻3)。
其中，作為裝載有半導體元件之基板之元件裝載面之晶圓等級的封裝方法，將於金屬、矽晶圓、或玻璃基板等之上部具有雙面接著層的薄膜貼合，或以旋塗法等塗布接著劑後，於該基板上將半導體元件排列接著、裝載作成元 件裝載面，之後，以液狀環氧樹脂或環氧模塑化合物等於加熱下、加壓成形封裝，藉此封裝該元件裝載面的方法，於最近正量產化(專利文獻4)。又，同樣的，作為形成有半導體元件之晶圓之元件形成面之晶圓等級的封裝方法，以液狀環氧樹脂或環氧模塑化合物等於加熱下、加壓成形封裝，藉此封裝該元件形成面的方法，於最近正量產化。
然而，如以上之方法，當使用200mm(8英吋)左右之小徑晶圓或金屬等之小徑基板時，於現狀上可無大問題地封裝，但當欲將裝載有300mm(12英吋)以上之半導體元件的大徑基板或形成有半導體元件的大徑晶圓封裝時，由於封裝硬化時之環氧樹脂等之收縮應力會使基板或晶圓產生反翹，是很大的問題。又，當欲將裝載有半導體元件之大徑基板的元件裝載面以晶圓等級封裝時，由於封裝硬化時之環氧樹脂等之收縮應力，會產生半導體元件由金屬等基板剝離的問題，故無法量產而為很大的問題。
作為解決如此之問題的方法，可舉例如一種使用附有半導體封裝用基材之封裝材料的方法(專利文獻5)，其係用以將裝載有半導體元件之基板之元件裝載面、或將形成有半導體元件之晶圓之元件形成面一併封裝，該附有半導體封裝用基材之封裝材料係具有：使纖維基材含浸於熱硬化性樹脂而使該熱硬化性樹脂半硬化或硬化之樹脂含浸纖維基材、於該樹脂含浸纖維基材之單面上所形成之未硬化之熱硬化性樹脂所構成的未硬化樹脂層。
若為如此之附有半導體封裝用基材之封裝材料，膨脹係數非常小的樹脂含浸纖維基材，可抑制封裝硬化時之未硬化樹脂層的收縮應力。因此，當封裝大徑晶圓或金屬等之大徑基板時，亦可抑制基板之反翹、半導體元件由基板之剝離，而能將裝載有半導體元件之基板之元件裝載面以晶圓等級一併封裝。又，封裝後之耐熱性或耐濕性等之封裝性能優異，成為泛用性非常高的附有半導體封裝用基材之封裝材料。
然而，使用上述之附有半導體封裝用基材之封裝材料的半導體裝置，由於表面可見基材之面，故與以往之以熱硬化性環氧樹脂等封裝的情形相比，外觀變差。再者，由於表面為基材故雷射刻印性差，是其問題。
專利文獻1：日本特開2002-179885號公報
專利文獻2：日本特開2009-60146號公報
專利文獻3：日本特開2007-001266號公報
專利文獻4：日本特表2004-504723號公報
專利文獻5：日本特開2012-151451號公報
本發明係於使用有附有半導體封裝用基材之封裝材料的半導體裝置中，用以解決上述問題點所完成者，其目的在於提供一種可製造外觀及雷射刻印性良好之半導體裝置之附有半導體封裝用基材的封裝材料、及其之半導體裝置 與半導體裝置的製造方法。
為了達成上述目的，藉由本發明，可提供一種附有半導體封裝用基材的封裝材料，其係用以將裝載有半導體元件之半導體元件裝載基板之元件裝載面、或將形成有半導體元件之半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其特徵係具有：基材、形成於該基材之一表面之由未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層、與形成於前述基材之另一表面之表面樹脂層。
若為如此之附有半導體封裝用基材的封裝材料，由於具有表面樹脂層，故可製造外觀及雷射刻印性良好的半導體裝置。
前述表面樹脂層，係由硬化性環氧樹脂、硬化性聚矽氧樹脂、硬化性環氧一聚矽氧混成樹脂、硬化性環氧(甲基)丙烯酸酯、硬化性(甲基)丙烯酸樹脂、硬化性聚醯亞胺樹脂之任一者所形成，又，以黑色為佳。
若為如此者，可確實使外觀及雷射刻印性為良好。
又，前述表面樹脂層，係可作為使用液狀樹脂以印刷方式、噴霧方式、塗敷方式、或薄膜熱壓接方式所形成，以熱或光使其硬化者。
若為如此者，可容易地形成表面樹脂層。
又，前述表面樹脂層之厚度以0.5微米以上為佳。
若為如此者，於雷射刻印時基材表面不會露出而不會損及外觀，而可製造反翹被抑制的半導體裝置。
又，藉由本發明，可提供一種半導體裝置，其係半導體裝置，其特徵係，以前述本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之封裝樹脂層將前述半導體元件裝載基板之元件裝載面、或前述半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝後，進行切粒以單片化者。
若為如此之半導體裝置，外觀及雷射刻印性可為良好。
前述半導體裝置，可於前述附有半導體封裝用基材的封裝材料之表面樹脂層的表面進行刻印。
若為如此者，可為具有所欲刻印之外觀良好的半導體裝置。
又，藉由本發明，可供一種半導體裝置之製造方法，其係製造半導體裝置之方法，其特徵係具有下述步驟：以前述本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之封裝樹脂層被覆前述半導體元件裝載基板之元件裝載面、或前述半導體元件形成晶圓之元件形成面之被覆步驟；藉由將前述封裝樹脂層加熱使其硬化，而將前述元件裝載面或前述元件形成面一併封裝之封裝步驟；與藉由將封裝後之前述半導體元件裝載基板或前述半導體元件形成晶圓切粒，而製造單片化之半導體裝置之切粒步驟。
若為如此之製造方法，可製造外觀及雷射刻印性良好之半導體裝置。
本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料，係具有基材、形成於該基材之一表面之由未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層、與形成於前述基材之另一表面之表面樹脂層者，故於半導體裝置之製造時，可抑制基板之反翹、基板由半導體元件之剝離，而一併封裝元件裝載面或元件形成面，此外，可製造外觀及雷射刻印性良好之半導體裝置。
1‧‧‧附有半導體封裝用基材的封裝材料
2‧‧‧表面樹脂層
3‧‧‧基材
4‧‧‧封裝樹脂層
4’‧‧‧硬化後之封裝樹脂層
5‧‧‧封裝後之半導體元件裝載基板
6‧‧‧半導體元件
7‧‧‧半導體元件裝載基板
8‧‧‧半導體裝置
圖1，係本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之一例之截面圖。
圖2，係顯示將使用本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之半導體元件裝載基板一併封裝所得之封裝後之半導體元件裝載基板之一例之圖。
圖3，係顯示使用本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之半導體裝置之一例之圖。
以下，針對本發明說明實施之形態，但本發明並不限定於其。
如上述，為了解決使用附有半導體封裝用基材的封裝材料之半導體裝置的外觀及雷射刻印性差的問題，本發明 人等努力地探討。其之結果發現，若於附有半導體封裝用基材的封裝材料之露出於外部側之面，形成表面樹脂層，則可使外觀及雷射刻印性為良好，而完成本發明。
以下，詳細地說明本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法，但本發明並不限於該等。
〔附有半導體封裝用基材的封裝材料〕
如圖1所示本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料1，主要係由基材3、形成於基材3之一表面之由未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層4、與形成於基材3之另一表面之表面樹脂層2所構成。
(表面樹脂層)
構成本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料的表面樹脂層2，可由硬化性環氧樹脂、硬化性聚矽氧樹脂、硬化性環氧一聚矽氧混成樹脂、硬化性環氧(甲基)丙烯酸酯、硬化性(甲基)丙烯酸樹脂、硬化性聚醯亞胺樹脂之任一者所形成，但並不限定於此。
<環氧樹脂>
本發明之表面樹脂層2所使用之環氧樹脂，並無特別限制，可舉例如將雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-聯苯型環氧樹脂或4,4’-聯苯型環氧樹脂之聯苯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、 甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A清漆型環氧樹脂、萘二酚型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂、四羥苯基乙烷型環氧樹脂、及苯酚二環戊二烯清漆型環氧樹脂之芳香環氫化之環氧樹脂、脂環式環氧樹脂等於室溫下為液狀或固體之周知之環氧樹脂。又，視需要，可依目的併用一定量之上述以外的環氧樹脂。
於環氧樹脂所構成之表面樹脂層2亦可含有環氧樹脂之硬化劑。硬化劑可使用苯酚酚醛清漆樹脂、各種胺衍生物、酸酐或使酸酐基一部分開環以生成羧酸者。其中，為了確保使用本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料所製造之半導體裝置之可靠性，以苯酚酚醛清漆樹脂為佳。特別是，以使前述環氧樹脂與該苯酚酚醛清漆樹脂之混合比為使環氧基與酚性羥基的比率成為1：0.8~1.3的方式混合為佳。
再者，為了促進前述環氧樹脂與前述硬化劑的反應，亦可使用咪唑衍生物、膦衍生物、胺衍生物、有機鋁化合物等之金屬化合物等作為反應促進劑(觸媒)。
於環氧樹脂所構成之表面樹脂層2，可視需要進一步配合各種添加劑。例如，可依目的適當地添加調配用以改善樹脂性質的各種熱可塑性樹脂、熱可塑性彈性體、有機合成橡膠、聚矽氧系等之低應力劑、蠟類、鹵素捕捉劑等之添加劑。
<聚矽氧樹脂>
本發明之表面樹脂層2所使用之聚矽氧樹脂並無特別限制，可使用熱硬化性、UV硬化性聚矽氧樹脂等。特別是，聚矽氧樹脂所構成之樹脂層，以含有加成硬化型聚矽氧樹脂組成物為佳。該加成硬化型聚矽氧樹脂組成物，特佳為，以(A)具有非共軛雙鍵之有機矽化合物(例如，含有烯基之二有機聚矽氧烷)、(B)有機氫聚矽氧烷、及(C)鉑系觸媒為必須成分者。以下，說明該等(A)~(C)成分。
前述(A)具有非共軛雙鍵之有機矽化合物，可例示如
通式(1)：R1R2R3SiO-(R4R5SiO)a-(R6R7SiO)b-SiR1R2R3(式中，R1表示含有非共軛雙鍵之一價烴基，R2~R7分別表示相同或相異之一價烴基，a及b為滿足0≦a≦500、0≦b≦250、且0≦a+b≦500的整數。)
所表示之分子鏈兩末端以含有脂肪族不飽和基之三有機矽氧基封鎖之直鏈狀二有機聚矽氧烷等之有機聚矽氧烷。
上述通式(1)中，R1為含有非共軛雙鍵之一價烴基，較佳為具有碳數2~8、特佳為碳數2~6之以烯基為代表之脂肪族不飽和鍵的含有非共軛雙鍵之一價烴基。
上述通式(1)中，R2~R7分別表示相同或相異之一價烴基，較佳可舉例如碳數1~20、特佳為碳數1~10之烷基、烯基、芳基、芳烷基等。又，其中R4~R7，更佳可舉例如除去脂肪族不飽和鍵之一價烴基、特佳為不具烯基等 脂肪族不飽和鍵烷基、芳基、芳烷基等。再者，其中R6、R7，較佳為芳香族一價烴基、特佳為苯基或甲苯基等之碳數6~12之芳基等。
上述通式(1)中，a及b為滿足0≦a≦500、0≦b≦250、且0≦a+b≦500的整數，a以10≦a≦500為佳，b以0≦b≦150為佳，又，a+b以滿足10≦a+b≦500為佳。
上述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷，例如，可藉環狀二苯基聚矽氧烷、環狀甲基苯基聚矽氧烷等環狀二有機聚矽氧烷、與構成末端基之二苯基四乙烯基二矽氧烷、二乙烯基四苯基二矽氧烷等二矽氧烷的鹼平衡化反應而製得，於該場合，於鹼觸媒(特別是KOH等之強鹼)所致之平衡化反應，藉少量之觸媒以不可逆反應進行聚合，故可定量地僅進行開環聚合，末端封鎖率亦高，故通常不具有矽醇及氯成分。
上述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷，具體而言可例示如下述者。
(上述式中，k、m為滿足0≦k≦500、0≦m≦250、且0≦k+m≦500的整數，較佳為滿足5≦k+m≦250、且0 ≦m/k+m≦0.5的整數。)
(A)成分，除上述通式(1)所示之具有直鏈構造之有機聚矽氧烷之外，亦可視需要併用具有含3官能性矽氧烷單位、4官能性矽氧烷單位等之三維網狀構造的有機聚矽氧烷。(A)具有非共軛雙鍵之有機矽化合物可單獨使用1種、亦可混合2種以上使用。
(A)具有非共軛雙鍵之有機矽化合物中之具有非共軛雙鍵之基(例如，具有鍵結於烯基等之Si原子之雙鍵之一價烴基)的量，較佳為總一價烴基(鍵結於Si原子之全部之一價烴基)中之0.1~20莫耳%、更佳為0.2~10莫耳%、特佳為0.1~5莫耳%。若具有非共軛雙鍵之基的量為0.1莫耳%以上，則於硬化時可得良好之硬化物，若為20莫耳%以下，則硬化時之機械特性良好故較佳。
又，(A)具有非共軛雙鍵之有機矽化合物，較佳為具有芳香族一價烴基(鍵結於Si原子之芳香族一價烴基)，芳香族一價烴基的含量，較佳為總一價烴基(鍵結於Si原子之全部之一價烴基)中之0~95莫耳%、更佳為10~90莫耳%、特佳為20~80莫耳%。芳香族一價烴基若於樹脂中含有適量，於硬化時之機械特性良好、亦容易製造，是其優點。
前述(B)成分，較佳為於一分子中具有2個以上之鍵結於矽原子之氫原子(SiH基)的有機氫聚矽氧烷。若為於一分子中具有2個以上之鍵結於矽原子之氫原子(SiH基)的有機氫聚矽氧烷，作為交聯劑之作用，藉由 (B)成分中之SiH基與(A)成分之乙烯基、其他烯基等之含有非共軛雙鍵之基的加成反應，可形成硬化物。
又，(B)有機氫聚矽氧烷，較佳為具有芳香族一價烴基。如此，若為具有芳香族一價烴基之(B)有機氫聚矽氧烷，可提高與前述(A)成分的相容性。(B)有機氫聚矽氧烷可單獨使用1種、亦可混合2種以上使用，例如，可含有具有芳香族烴基之(B)有機氫聚矽氧烷作為(B)成分的一部分或全部。
(B)有機氫聚矽氧烷，並不限於該等，可舉例如1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、三(二甲基氫矽氧基)甲矽烷、三(二甲基氫矽氧基)苯矽烷、1-環氧丙氧基丙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1,5-環氧丙氧基丙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、1-環氧丙氧基丙基-5-三甲氧基矽基乙基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、兩末端三甲基矽氧基封鎖甲基氫聚矽氧烷、兩末端三甲基矽氧基封鎖二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端二甲基氫矽氧基封鎖二甲機聚矽氧烷、兩末端二甲基氫矽氧基封鎖二甲基矽氧烷‧甲基氫矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽氧基封鎖甲基氫矽氧烷‧二苯基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽氧基封鎖甲基氫矽氧烷‧二苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、三甲氧矽烷共聚物、(CH3)2HSiO1/2單位與SiO4/2單位所構成之共聚物、(CH3)2HSiO1/2單位與SiO4/2單位與(C6H5)SiO3/2所構成之共聚物等。
又，亦可用使用下述構造所示之單位所得之有機氫聚 矽氧烷。
又，(B)有機氫聚矽氧烷可舉例如下述者。
(B)有機氫聚矽氧烷之分子構造，可為直鏈狀、環狀、分支狀、三維網狀構造之任一者，可使用一分子中之矽原子之數(或為聚合物時為聚合度)以2以上為佳、更佳為3~500、特佳為4~300左右者。
(B)有機氫聚矽氧烷之配合量，每1個(A)成分之烯基等之具有非共軛雙鍵之基，(B)成分中之矽原子鍵結氫原子(SiH基)以成為0.7~3.0個之量為佳。
前述(C)成分，係使用鉑系觸媒。(C)鉑系觸 媒，可舉例如氯化鉑酸、醇變性氯化鉑酸、具有螯合物構造之鉑錯合物等。該等可單獨使用1種、亦可混合2種以上使用。
(C)鉑系觸媒之配合量，可為硬化有效量之所謂觸媒量，通常，每前述(A)成分及(B)成分之總質量100質量份，以鉑族金屬之質量換算計，較佳為0.1~500ppm、特佳為0.5~100ppm之範圍。
<環氧‧聚矽氧混成樹脂>
表面樹脂層2所使用之環氧樹脂與聚矽氧樹脂之混成樹脂，並無特別限制，可舉例如前述之環氧樹脂與前述之聚矽氧樹脂。
<環氧(甲基)丙烯酸酯>
作為表面樹脂層2所使用之環氧(甲基)丙烯酸酯，例如，有習知之芳香族環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等、與(甲基)丙烯酸反應所得之丙烯酸酯。該等之環氧丙烯酸酯中並無特別限制，特佳為，芳香族環氧樹之丙烯酸酯，將至少具有1個芳香核之多價酚或其之環氧烷加成物之聚環氧丙醚，與(甲基)丙烯酸反應所得之(甲基)丙烯酸酯。可舉例如，將雙酚A、或其之環氧烷加成物與表氯醇之反應所得之環氧丙醚，與(甲基)丙烯酸反應所得之(甲基)丙烯酸酯、環氧清漆樹脂與(甲基)丙烯酸反應所得之(甲基)丙烯酸酯等。
<(甲基)丙烯酸樹脂>
作為表面樹脂層2所使用之(甲基)丙烯酸樹脂，並無特別限制，包含(甲基)丙烯酸及/或各種衍生物之聚合物及共聚物。(甲基)丙烯酸衍生物，可舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等之(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯等之含有芳香族基之(甲基)丙烯酸酯、二甲基(甲基)丙烯酸醯胺等之(甲基)丙烯酸醯胺、醯亞胺丙烯酸酯TO-1492(東亞合成工業製)等之含有醯亞胺基之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯等之含有環氧基之(甲基)丙烯酸酯。又，上述共聚物，亦包含上述(甲基)丙烯酸及/或各種衍生物與丙烯腈、苯乙烯、丁二烯或丙烯酸衍生物等之共聚物。
<聚醯亞胺樹脂>
於表面樹脂層2所使用之聚醯亞胺樹脂並無特別限制，較佳可使用之例，可舉例如由酸二酐與二胺化合物合成聚醯胺酸，之後加熱脫水所得之聚醯亞胺樹脂。
於前述聚醯胺酸之合成所使用之酸二酐，可舉例如3,3’,4,4’-二苯碸四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、 2,3’,3,4’-聯苯四羧酸二酐、5-(2,5-二側氧四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烷-1,2-二羧酸二酐、4-(2,5-二側氧四氫呋喃-3-基)-1,2,3,4-四羥基萘-1,2-二羧酸酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯基酮四羧酸二酐、4,4’-六氟亞丙基雙苯二甲酸二酐、1,3-四甲基二矽氧烷雙苯二甲酸二酐、4,4’-氧二苯二甲酸二酐。
前述聚醯胺酸之合成所使用之二胺化合物，可舉例如3,3’-二胺基-4,4’-二羥基聯苯、2,2’-二胺基-4,4’-二羥基聯苯、2,2’-雙(4-胺基-3-羥基苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、9,9-雙(3-胺基-4-羥基苯基)茀、2,2’-亞甲基雙〔6-(4-胺基-3,5-二甲基苄基)-4-甲基〕酚、3,3’-二胺基-4,4’-二羥基二苯基醚、2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷等之具有酚基之二胺、4,4’-二胺基苯甲醯苯胺、4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯碸、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、4,4’-(對伸苯基二異亞丙基)二苯胺、4,4’-(間伸苯基二異亞丙基)二苯胺、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、2,2-雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕丙烷、2,2-雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕六氟丙烷、雙〔4-(4-胺基苯氧基)苯基〕碸、雙〔4-(3-胺基苯氧基)苯基〕碸、4,4’-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、9,9-雙(4-胺基苯基)茀等。
<無機充填劑>
於表面樹脂層2，可配合無機填充劑。所配合之無機填充劑，可舉例如燻製氧化矽(Fumed silica)、沉澱氧化矽、熔融氧化矽、結晶性氧化矽等之氧化矽類、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、鋁矽酸鹽、氮化硼、玻璃纖維、三氧化銻等。該等無機填充劑之平均粒徑及形狀並無特別限定。
前述無機填充劑，亦可配合事先以矽烷耦合劑、碳酸酯耦合劑等之耦合劑進行表面處理者。
如此之耦合劑，例如，較佳為使用γ-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧矽烷、β-(3,4-乙氧基環己基)乙基三甲氧矽烷等之乙氧基官能性烷氧矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧矽烷、γ-胺基丙基三乙氧矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧矽烷等之胺基官能性烷氧矽烷、γ-巰基丙基三甲氧矽烷等之巰基官能性烷氧矽烷。又，表面處理劑所使用之耦合劑之配合量及表面處理方法，並無特別限制。
<顏料>
於表面樹脂層2，為了作成黑色可含有顏料。此處所使用之顏料，可舉例如以往之封裝樹脂組成物所使用之碳黑、爐黑、乙炔黑等，但並不限於該等。
如此藉由使表面樹脂層2為黑色，使用本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之半導體裝置，可得到與以往之以環氧樹脂等封裝之半導體裝置同樣的良好外觀及雷 射刻印性。
表面樹脂層2之厚度以0.5微米以上為佳。更佳為，0.5微米~500微米。若為0.5微米以上，於雷射刻印時可作成鮮明的印字，並可避免基材表面露出、及損及外觀。又，可容易地形成表面樹脂層2。若為500微米以下，可確實地抑制半導體裝置產生反翹。
(基材)
可作為構成本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之基材3使用者，並無特別限制，視封裝對象之半導體原件裝載基板或半導體元件形成晶圓，可使用無機基板、金屬基板、或有機樹脂基板。亦可使用含有纖維之有機樹脂基板。
無機基板，代表者有陶瓷基板、玻璃基板、矽晶圓等，金屬基板，代表者有表面經絕緣處理之銅或鋁基板等。有機樹脂基板，可舉例如使纖維基材含浸熱硬化性樹脂或填料等所成之樹脂含浸纖維基材、及再使該熱硬化性樹脂半硬化或硬化之樹脂含浸纖維基材、或將熱硬化性樹脂等成形為基板狀之樹脂基板。代表者，可舉例如ET(雙馬來醯亞胺三嗪)樹脂基板、玻璃環氧基板、FRP(纖維強化塑膠)基板等。
可作為前述纖維基材使用者，可例示如碳纖維、玻璃纖維、石英玻璃纖維、金屬纖維等之無機纖維、芳香族聚醯胺纖維、聚醯亞胺纖維、聚醯胺亞胺纖維等之有機纖 維、以及碳化矽纖維、碳化鈦纖維、硼纖維、氧化鋁纖維等，也可依製品特性使用任何者。又，最佳之纖維基材，例示如玻璃纖維、石英纖維、碳纖維等。其中，較佳為將絕緣性高的玻璃纖維或石英纖維作為纖維基材。
前述熱硬化性樹脂並無特別限制，可舉例如BT樹脂、環氧樹脂等、或一般之半導體元件之封裝時所使用之如下述所例示之環氧樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂與聚矽氧樹脂所構成之混成樹脂、以及氰酸酯樹脂等。
當使用以熱硬化性環氧樹脂作為前述纖維基材所含浸之熱硬化性樹脂的樹脂含浸纖維基材、或於該環氧樹脂含浸後之半硬化者作為基材使用，以製作本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料時，形成於該基材之單面上之封裝層所使用之熱硬化性樹脂亦以環氧樹脂為佳。如此，含浸於基材之熱硬化性樹脂、與封裝樹脂層之熱硬化性樹脂若為同種的熱硬化性樹脂，於將半導體元件裝載基板之元件裝載面一併封裝時可同時使其硬化，藉此可達成更堅固之封裝功能故較佳。
基材3之厚度，無論使含浸於纖維基材之熱硬化性樹脂半硬化及硬化時，皆以20微米~1mm為佳、更佳為30微米~500微米。若為20微米以上可抑制過薄所致之易變形故較佳，又若為1mm以下則可抑制半導體裝置本身變厚故較佳。
基材3，於半導體元件裝載基板之元件裝載面一併封裝後之反翹的減低、與排列、接著有一個以上之半導體元 件之基板的補強為重要。因此，以硬且剛直的基材為佳。
(封裝樹脂層)
構成本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之封裝樹脂層4，係於基材3之單面上所形成之未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成者。該封裝樹脂層4，係用以封裝的樹脂層。
封裝樹脂層4之厚度以20微米以上2000微米以下為佳。若為20微米以上，則可充分地封裝半導體元件裝載基板之元件裝載面、或半導體元件形成晶圓之元件形成面，可抑制過薄所致之填充性不良故較佳，若為2000微米以下，則可抑制封裝後之半導體裝置變得過厚故較佳。
封裝樹脂層4，並無特別限制，較佳為一般半導體元件之封裝所使用之液狀環氧樹脂或固態環氧樹脂、聚矽氧樹脂、或環氧樹脂與聚矽氧樹脂所構成之混成樹脂、氰酸酯樹脂所構成之熱硬化性樹脂層。特別是，前述熱硬化性樹脂層，較佳為，含有於未滿50℃固態化、且50℃以上150℃以下熔融之環氧樹脂、聚矽氧樹脂、環氧聚矽氧混成樹脂、異氰酸酯樹脂之任一者。
<環氧樹脂>
封裝樹脂層4所使用之環氧樹脂並無特別限制，可使用與上述之表面樹脂層2所使用之環氧樹脂相同者。
前述環氧樹脂所構成之封裝樹脂層4，由於係用以封 裝半導體元件之樹脂層，故以極力減低氯等鹵素離子、或鈉等鹼離子為佳。於離子交換水50ml添加試樣10g，密封靜置於120℃之烘箱中20小時後，加熱萃取以120℃萃取之任一離子皆以10ppm以下為佳。
<聚矽氧樹脂>
封裝樹脂層4所使用之聚矽氧樹脂並無特別限制，可使用與上述之表面樹脂層2所使用之聚矽氧樹脂相同者。
前述聚矽氧樹脂所構成之封裝樹脂層4，由於係用以封裝半導體元件之樹脂層，故以極力減低氯等鹵素離子、或鈉等鹼離子為佳。一般，以120℃萃取之任一離子皆以10ppm以下為佳。
<環氧樹脂與聚矽氧樹脂所構成之混成樹脂>
封裝樹脂層4所使用之環氧樹脂與聚矽氧樹脂所構成之混成樹脂無特別限制，可舉例如前述之環氧樹脂與前述之聚矽氧樹脂。
前述混成樹脂所構成之封裝樹脂層4，由於係為用以封裝半導體元件之樹脂層，故以極力減低氯等鹵素離子、或鈉等鹼離子為佳。一般，以120℃萃取之任一離子皆以10ppm以下為佳。
<氰酸酯樹脂>
作為封裝樹脂層4所使用之氰酸酯樹脂並無特別限 制，例如，配合有氰酸酯化合物、酚化合物、及/或羥基萘之樹脂組成物。
《氰酸酯化合物》
作為前述氰酸酯化合物或其之寡聚物所使用之成分，係下述通式(2)所示者。
(式中，R1及R2表示氫原子或碳數1~4之烷基，R3表示 。R4表示氫原子或甲基，n=0~30之整數。)
此處，氰酸酯化合物，係於1分子中具有2個以上之氰酸酯基者，具體而言，可舉例如多芳香環之2價酚之氰酸酯，例如，雙(3,5-二甲基-4-氰酸酯苯基)甲烷、雙(4-氰酸酯苯基)甲烷、雙(3-甲基-4-氰酸酯苯基)甲烷、雙(3-乙基-4-氰酸酯苯基)甲烷、雙(4-氰酸酯苯 基)-1,1-乙烷、雙(4-氰酸酯苯基)-2,2-丙烷、二(4-氰酸酯苯基)醚、二(4-氰酸酯苯基)硫醚、多價酚之聚氰酸酯、例如苯酚酚醛清漆型氰酸酯、甲酚酚醛清漆型氰酸酯、苯基芳烷基型氰酸酯、聯苯基芳烷基型氰酸酯、萘芳烷基型氰酸酯等。前述氰酸酯化合物，可藉由將酚類與氯化氰於鹼性下反應所得。上述氰酸酯化合物，可依構造由軟化點為106℃之固態者、至常溫下為液狀者之具有廣範圍之特性者之中，依用途適當地選擇。
氰酸酯基之當量小者、亦即官能基間分子量小者，可得硬化收縮小、低熱膨脹、高Tg之硬化物。氰酸酯基之當量大者，雖Tg會些微降低，但三嗪交聯間隔會變得彈性，而能期待低彈性化、高強韌化、低吸水化。鍵結、或殘存於氰酸酯化合物中之氯，較佳為50ppm以下、更佳為20ppm以下。若為50ppm以下，則由於長期高溫保存時之熱分解所游離之氯或氯離子，腐蝕氧化後之Cu框架或Cu導線、鍍Ag、或引起剝離及導電不良的可能性少。且樹脂之絕緣性亦良好。
《酚化合物》
本發明所使用之酚化合物並無特別限制，作為一例，係下述通式(3)所示者。
(式中，R5及R6表示氫原子或碳數1~4之烷基，R7表示 。R4表示氫原子或甲基，m=0~30之整數。)
此處，酚化合物，可舉例如於1分子中至少具有2個以上之酚性羥基的酚樹脂、雙酚F型樹脂、雙酚A型樹脂、苯酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基型樹脂、聯苯芳烷基型樹脂、萘芳烷基型樹脂，該等之中可使用1種或併用2種以上。
《硬化觸媒》
一般作為氰酸酯化合物之硬化觸媒，有金屬鹽、金屬錯合物或具有活性氫之酚性羥基或一級胺類等，較佳為使用酚化合物或二氫萘化合物。
酚化合物，酚性羥基當量小者，例如，羥基當量120以下者，與氰酸酯基之反應性高，即使於120℃以下之低溫亦可進行硬化反應。於該場合，相對於氰酸酯基之羥基之莫耳比以小為佳。
較佳之範圍係相對於氰酸酯基1莫耳為0.05~0.11莫耳。於該場合，可得硬化收縮少、低熱膨脹而高Tg的硬化物。
另一方面，酚性羥基當量大者，例如，羥基當量175以上者，可抑制與氰酸酯基之反應而可得保存性佳、流動性佳的組成物。較佳之範圍係相對於氰酸酯基1莫耳為0.1~0.4莫耳。於該場合，可得Tg雖些微降低、但吸水率低之硬化物。為了得到希望的硬化物特性與硬化性，亦可併用2種以上之該等酚化合物。
二羥基萘化合物，係以下述通式(4)所表示。
此處，二羥基萘，可舉例如1,2-二羥基萘、1,3-二羥基萘、1,4-二羥基萘、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、1,7-二羥基萘、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘等。熔點為130℃之1,2-二羥基萘、1,3-二羥基萘、1,6-二羥基萘反應性非常高，以少量即可促進氰酸酯基的環化反應。熔點200℃以上之1,5-二羥基萘、2,6-二羥基萘比較可抑制反應。當單獨使用該等二羥基萘時，官能基間分子量小、且由於為剛直之構造故硬化收縮小，可得高Tg之硬化物。
又，藉由併用羥基當量大之1分子中具有2個以上之羥基的酚化合物，亦可調整硬化性。
上述酚化合物及二羥基萘中之鹵素元素或鹼金屬等，於120℃、2氣壓下萃取之量，較佳為10ppm、特佳為5ppm以下。
《無機填充劑》
於封裝樹脂層4可配合無機填充劑。所配合之無機填充劑，可舉例如熔融氧化矽、結晶性氧化矽等氧化矽類、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、鋁矽酸鹽、氮化硼、玻璃纖維、三氧化銻等。該等無機填充劑之平均粒徑及形狀並無特別限定。
特別是，添加於環氧樹脂所構成之封裝樹脂層4之前述無機填充劑，為了增強環氧樹脂與無機填充劑的結合強度，亦可配合以矽烷耦合劑、鈦酸酯耦合劑等耦合劑事先進行表面處理者。
如此之矽烷耦合劑，例如，較佳可使用γ-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧矽烷、β-(3,4-乙氧基環己基)乙基三甲氧矽烷等之環氧官能性烷氧矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧矽烷、γ-胺基丙基三乙氧矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧矽烷等之胺基官能性烷氧矽烷、γ-巰基丙基三甲氧矽烷等之巰基官能性烷氧矽烷等。又，表面處理所使用之耦合劑之配合量及表面處理方法，並無特別限制。
前述無機填充劑之配合量，相對於環氧樹脂組成物或聚矽氧樹脂組成物中之樹脂之總質量100質量份，以 100~1300質量份為佳、特佳為200~1000質量份。若為100質量份以上則可得充分的強度，若為1300質量份以下，則因流動性降低而抑制了充填性的不佳，結果可良好地封裝基板所裝載的半導體元件。又，該無機填充劑，較佳為以構成封裝樹脂層4之組成物整體的50~95質量%、特佳為60~90質量%的範圍含有。
〔附有半導體封裝用基材的封裝材料之製造方法〕
本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料，如圖1所示，可藉由於基材3之一表面形成未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層4，於另一表面形成表面樹脂層2來製造。
表面樹脂層2，可藉印刷方式、噴霧方式、塗布方式、薄膜之熱壓接方式、或以往之環氧硬化性樹脂或聚矽氧硬化性樹脂所使用之加壓成形方式以於基材形成樹脂層，以熱或光使該樹脂層硬化，藉此來形成。
封裝樹脂層4，可藉下述各種方法形成：於基材3之未形成表面樹脂層2側之表面，將未硬化之熱硬化性樹脂以片狀或薄膜狀層合，以使用真空層合或高溫真空加壓、熱輥以形成的方法；或於減壓或真空下，以印刷或浸漬等塗布液狀環氧樹脂或聚矽氧樹脂等之熱硬化性樹脂，並加熱之方法；以及，將未硬化之熱硬化性樹脂加壓成形的方法等。
〔半導體元件裝載基板及半導體元件形成晶圓〕
以本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料封裝之對象的半導體元件裝載基板，並無特別限制，可於有機基板、無機基板、或金屬基板之元件裝載面裝載半導體元件。半導體元件裝載基板，亦包含裝載半導體元件而排列的半導體元件陣列。半導體元件形成晶圓，係於晶圓上形成半導體元件之晶圓。此處所使用之晶圓，可舉例如矽(Si)晶圓、SiC晶圓等。
〔封裝後之半導體元件裝載基板〕
以本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料封裝之半導體元件裝載基板之一例的截面圖示於圖2。如圖2所示，封裝後之半導體元件裝載基板5，如圖1所示，以附有半導體封裝用基材的封裝材料1的封裝樹脂層4，被覆裝載有半導體元件6之半導體元件裝載基板7的元件裝載面，藉由加熱封裝樹脂層4使其硬化，作成硬化後之封裝樹脂層4。
〔半導體裝置〕
將本發明之半導體裝置之一例示於圖3。如圖3所示，半導體裝置8，係將以封裝樹脂層4’將半導體元件裝載基板之元件裝載面、或半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝所得之封裝後之半導體元件裝載基板或封裝後之半導體元件形成晶圓切粒以單片化者。
若為如此之半導體裝置，由於於表面以表面樹脂層2被覆不使基材之面露出，故可得與以往之不使用基材而僅以封裝樹脂封裝時同樣的良好外觀，不須要直接刻印於基材，可刻印於表面樹脂層2，故可提升刻印性。刻印，例如可藉雷射進行。
〔半導體裝置之製造方法〕 (被覆步驟)
首先，如圖1所示，以上述本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料1的封裝樹脂層4，被覆半導體元件裝載基板之元件裝載面、或半導體元件形成晶圓之元件形成面。
(封裝步驟)
接著，如圖2所示，將封裝樹脂層4加熱使其硬化作成硬化後之封裝樹脂層4將元件裝載面或元件形成面一併封裝。
(切粒步驟)
再者，藉由將封裝後之半導體元件裝載基板或半導體元件形成晶圓切粒，製造成圖3所示之單片化之半導體裝置。
〔實施例〕
以下，揭示本發明之實施例及比較例以具體說明本發明，但本發明並不限於該等。
(實施例1)
〔用以形成表面樹脂層之樹脂組成物之製作〕
於甲酚酚醛清漆型環氧樹脂60質量份、苯酚酚醛清漆樹脂30質量份、平均粒徑7微米之球狀氧化矽400質量份、觸媒TPP(三苯基磷)0.4質量份、黑色顏料3質量份、矽烷耦合劑(KBM403信越化學工業製)0.5質量份所構成之成分，加入環己酮1700質量份攪拌混合，製得用以形成表面樹脂層之樹脂漆。
〔基材之準備〕
準備厚度100微米、66mm×232mm之BT(雙馬來醯亞胺三嗪)樹脂(玻璃轉移溫度185℃)作為基材。
〔成為封裝樹脂層之樹脂組成物之製作〕
將甲酚酚醛清漆型環氧樹脂60質量份、苯酚酚醛清漆樹脂30質量份、平均粒徑7微米之球狀氧化矽400質量份、觸媒TPP0.2質量份、矽烷耦合劑KBM403(信越化學工業製)0.5質量份，以高速混合裝置充分混合後，以連續混練裝置加熱混練以薄片化並冷卻。將片粉碎作成顆粒狀之粉末以製得環氧樹脂組成物。
〔附有半導體封裝用基材的封裝材料之製作〕
將上述所得之樹脂漆印刷塗布於上述基材，以120℃乾燥20分鐘後，以180℃後固化4小時，藉此形成硬化 的表面樹脂層。表面樹脂層之厚度為0.7微米。接著，於形成有表面樹脂層之基材之另一表面，使上述環氧樹脂組成物之顆粒粉末均勻地分散。使上下之模具溫度為80℃，於上述模具設置塗布有氟樹脂之PET薄膜(剝離膜)，使模具內減壓至真空等級，以使樹脂厚度為600微米的方式進行壓縮成形3分鐘，形成封裝樹脂層。如以上之方式製作附有半導體封裝用基材的封裝材料。
〔半導體元件裝載基板之準備〕
準備於厚度100微米、74×240mm之BT基板裝載有64個厚度200微米、10×10mm之Si晶片的基板。
〔半導體元件裝載基板之封裝〕
使用上述所製作之附有半導體封裝用基材的封裝材料，將上述半導體元件裝載基板，使用板溫度設定為175℃之真空層合裝置(Nichigo Morton公司製)進行真空壓縮成形5分鐘，藉此硬化封裝。硬化封裝後，以180℃後固化4小時，製得封裝後之半導體元件裝載基板。
(實施例2)
〔用以形成表面樹脂層之樹脂組成物之製作〕
對加入作為具有非共軛雙鍵之有機矽化合物的分子鏈兩末端烯基封鎖二有機聚矽氧烷50質量份、有機氫聚矽氧烷50質量份、作為反應抑制劑之乙炔醇系之乙炔基環己醇0.2質量份、氯化鉑酸之辛醇變性溶液0.1質量份的組成物，再加入於平均粒徑5μm之球狀氧化矽350質量 份、黑色顏料3質量份所構成之成分，加入甲苯1600質量份以攪拌混合，製得用以形成表面樹脂層之樹脂漆。
〔基材之準備〕
準備厚度200微米、直徑300mm(12英吋)之矽晶圓。
〔成為封裝樹脂層之樹脂組成物之製作〕
與實施例1同樣地製作樹脂組成物。
〔附有半導體封裝用基材的封裝材料之製作〕
與實施例1以同樣方法製作附有半導體封裝用基材的封裝材料。表面樹脂層之厚度為10微米。
〔半導體元件裝載基板之準備〕
準備排列、裝載有單片化之半導體元件之400個矽晶片(形狀：5mm×7mm厚度100微米)之厚度200微米、300mm(12英吋)之矽晶圓。
〔半導體元件裝載基板之封裝〕
與實施例1以相同條件封裝半導體元件裝載基板，製得封裝後之半導體元件裝載基板。
(實施例3)
〔用以形成表面樹脂層之樹脂組成物之製作〕
加入丙烯基變性雙酚A70質量份、雙酚A30質量份、二氰二胺15質量份、光聚合起始劑、寡(2-羥基-2-甲基-1-(4-(1-甲基乙烯基)苯基)丙酮2質量份、平均粒徑7微米之球狀氧化矽400質量份、作為矽烷耦合劑之 KBM403(γ-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷)(信越化學工業製)0.5質量份、黑色顏料3質量份，混合攪拌，製得用以形成表面樹脂層之環氧丙烯酸酯樹脂組成物。
〔基材之準備〕
準備厚度200微米、直徑300mm(12英吋)之金屬基板。
〔成為封裝樹脂層之樹脂組成物之製作〕
與實施例1同樣地製作樹脂組成物。
〔附有半導體封裝用基材的封裝材料之製作〕
於前述基材印刷塗布上述環氧丙烯酸酯樹脂組成物，以紫外線照射裝置以照度8o~120mW/cm2、光量2.0~3.0J/cm2之條件進行光硬化後，以140℃進行加熱硬化2小時，藉此形成表面樹脂層，除此之外，與實施例1以同樣方法製作附有半導體封裝用基材的封裝材料。表面樹脂層之厚度為70微米。
〔半導體元件裝載基板之準備〕
準備於厚度200微米、300mm(12英吋)之金屬基板上，透過高溫下接著力降低的接著劑，排列、裝載有單片化之半導體元件之400個矽晶片(形狀：5mm×7mm厚度125微米)之基板。
〔半導體元件裝載基板之封裝〕
與實施例1以相同條件封裝半導體元件裝載基板，製得封裝後之半導體元件裝載基板。
(實施例4)
〔用以形成表面樹脂層之樹脂組成物之製作〕
準備聚醯亞胺聚矽氧薄膜X-45-5024B2(信越化學工業製)作為用以形成表面樹脂層之薄膜。
〔基材之準備〕
準備與實施例1同樣的BT樹脂基板。
〔成為封裝樹脂層之樹脂組成物之製作〕
與實施例1同樣地製作樹脂組成物。
〔附有半導體封裝用基材的封裝材料之製作〕
於上述基材上，將聚醯亞胺聚矽氧薄膜X-45-5024B2以70℃真空層合，以175℃後固化4小時，藉此製作附有半導體封裝用基材的封裝材料。表面樹脂層之厚度為200微米。
〔半導體元件裝載基板〕
準備與實施例1同樣的基板。
〔半導體元件裝載基板之封裝〕
與實施例1同樣地封裝半導體元件裝載基板，製得封裝後之半導體元件裝載基板。
(比較例1)
除未形成表面樹脂層以外，與實施例1以同樣條件製得封裝後之半導體元件裝載基板。
以如下方式評價實施例1~4及比較例1所得之封裝後之半導體元件裝載基板、亦即切粒前之半導體裝置的特 性。將評價結果示於表1。
〔外觀〕
以目視確認封裝後之半導體元件裝載基板之表面，若無表面汙點、粗糙等即為良好。
〔雷射刻印性〕
於封裝後之半導體元件裝載基板之表面樹脂層，以日本電氣(股)製之光罩型之YAG雷射刻印機(施加電壓2.4kV、脈衝寬度120us的條件)刻印，評價印字的視覺辨認性(刻印性)。
〔反翹〕
使用雷射三維測定機，於封裝後之半導體元件裝載基板之對角線方向測定高度的變位，將變位差作為反翹量(mm)。
由表1之結果可知，使用本發明之附有半導體封裝用基材的封裝材料之半導體裝置，顯示外觀及雷射刻印性皆良好。另一方面，比較例1之半導體裝置，不具有本發明之表面樹脂層，由於封裝材之基材面露出故外觀成為不佳，並且顯示雷射刻印性亦顯著惡化。
又，本發明並不限於上述實施型態。上述實施型態僅 為例示，具有與本發明之專利申請範圍所記載之技術思想實質上相同的構成、可達相同之作用效果者，亦包含於本發明之技術範圍內。

Claims (8)

  1. 一種附有半導體封裝用基材的封裝材料，其係用以將裝載有半導體元件之半導體元件裝載基板之元件裝載面、或將形成有半導體元件之半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其特徵係具有：基材、形成於該基材之一表面之由未硬化或半硬化之熱硬化性樹脂所構成的封裝樹脂層、與形成於前述基材之另一表面之表面樹脂層。
  2. 如申請專利範圍第1項之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其中，前述表面樹脂層係由硬化性環氧樹脂、硬化性聚矽氧樹脂、硬化性環氧一聚矽氧混成樹脂、硬化性環氧(甲基)丙烯酸酯、硬化性(甲基)丙烯酸樹脂、硬化性聚醯亞胺樹脂之任一者所形成。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其中，前述表面樹脂層為黑色。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其中，前述表面樹脂層係使用液狀樹脂以印刷方式、噴霧方式、塗敷方式、或薄膜熱壓接方式所形成，以熱或光使其硬化者。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之附有半導體封裝用基材的封裝材料，其中，前述表面樹脂層之厚度為0.5微米以上。
  6. 一種半導體裝置，其係半導體裝置，其特徵係，以申請專利範圍第1至5項中任一項之附 有半導體封裝用基材的封裝材料之封裝樹脂層將前述半導體元件裝載基板之元件裝載面、或前述半導體元件形成晶圓之元件形成面一併封裝後，進行切粒以單片化者。
  7. 如申請專利範圍第6項之半導體裝置，其係於前述附有半導體封裝用基材的封裝材料之表面樹脂層的表面進行刻印者。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，其係製造半導體裝置之方法，其特徵係具有下述步驟：以申請專利範圍第1至5項中任一項之附有半導體封裝用基材的封裝材料之封裝樹脂層被覆前述半導體元件裝載基板之元件裝載面、或前述半導體元件形成晶圓之元件形成面之被覆步驟；藉由將前述封裝樹脂層加熱使其硬化，而將前述元件裝載面或前述元件形成面一併封裝之封裝步驟；與藉由將封裝後之前述半導體元件裝載基板或前述半導體元件形成晶圓切粒，而製造單片化之半導體裝置之切粒步驟。
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