JP2526747B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
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- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
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- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/38—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups together with di-epoxy compounds
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、流動性が良好であると
共に、膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しな
がら低吸湿性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及び
該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置
に関する。
共に、膨張係数が小さく、高いガラス転移温度を有しな
がら低吸湿性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及び
該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジス
タ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流となっており、なか
でも硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤
を配合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性
樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐
湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体
装置を封止することが多く行なわれているが、最近にお
いてこれらの半導体装置は集積度が益々大きくなり、そ
れに応じてチップ寸法も大きくなりつつある。一方、こ
れに対してパッケージ外形寸法は電子機器の小型化、軽
量化の要求に伴い、小型化、薄型化が進んでいる。さら
に、半導体部品を回路基板へ取付ける方法も、基板上の
部品の高密度化や基板の薄型化のため、半導体部品の表
面実装がよく行なわれるようになってきた。
半導体産業の中で樹脂封止型のダイオード、トランジス
タ、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流となっており、なか
でも硬化性エポキシ樹脂、硬化剤及びこれに各種添加剤
を配合したエポキシ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性
樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械的特性、耐
湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体
装置を封止することが多く行なわれているが、最近にお
いてこれらの半導体装置は集積度が益々大きくなり、そ
れに応じてチップ寸法も大きくなりつつある。一方、こ
れに対してパッケージ外形寸法は電子機器の小型化、軽
量化の要求に伴い、小型化、薄型化が進んでいる。さら
に、半導体部品を回路基板へ取付ける方法も、基板上の
部品の高密度化や基板の薄型化のため、半導体部品の表
面実装がよく行なわれるようになってきた。
【０００３】しかしながら、半導体装置を表面実装する
場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が
溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的である
が、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生
したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に
剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、表
面実装時の熱衝撃以前に半導体装置の封止樹脂層が吸湿
していると更に顕著なものとなるが、実際の作業工程に
おいては、封止樹脂層の吸湿は避けられず、このため実
装後のエポキシ樹脂で封止した半導体装置の信頼性が大
きく損なわれる場合がある。
場合、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか又は半田が
溶融する高温ゾーンを通過させる方法が一般的である
が、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生
したり、リードフレームやチップと封止樹脂との界面に
剥離が生じたりする。このようなクラックや剥離は、表
面実装時の熱衝撃以前に半導体装置の封止樹脂層が吸湿
していると更に顕著なものとなるが、実際の作業工程に
おいては、封止樹脂層の吸湿は避けられず、このため実
装後のエポキシ樹脂で封止した半導体装置の信頼性が大
きく損なわれる場合がある。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、流動性が良好であると共に、低膨張係数、低応力、
高いガラス転移温度を有し、しかも低吸湿性の硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物の
硬化物で封止された表面実装時の熱衝撃後においても高
い信頼性を有する半導体装置を提供することを目的とす
る。
で、流動性が良好であると共に、低膨張係数、低応力、
高いガラス転移温度を有し、しかも低吸湿性の硬化物を
与えるエポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物の
硬化物で封止された表面実装時の熱衝撃後においても高
い信頼性を有する半導体装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、エポキシ
樹脂として下記一般式（１）で示されるナフタレン環含
有エポキシ樹脂と下記一般式（２）で示されるビフェニ
ル基含有エポキシ樹脂とを併用すると共に、下記一般式
（３）で示されるフェノール樹脂及び無機質充填剤を必
須成分として組み合わせて配合した場合、得られるエポ
キシ樹脂組成物は、流動性が良好であると共に、膨張係
数が小さく、ガラス転移温度以上の温度領域で弾性率が
低下するなどの特徴を有する低応力性に優れた硬化物を
与えること、しかも従来の低弾性率化の手法で得られる
エポキシ樹脂組成物はガラス転移温度の低下や樹脂強度
不足などの欠点を合わせ持っているものであったが、上
記エポキシ樹脂組成物は低弾性率でありながらガラス転
移温度の低下がない上、低吸湿性であるなど、従来のエ
ポキシ樹脂組成物では得られなかった優れた特性を有す
る硬化物を与えることを知見した。また、かかる硬化物
で封止された半導体装置は表面実装時の熱衝撃後におい
ても高い信頼性を有し、このため上記エポキシ樹脂組成
物はＳＯＰ型，ＳＯＪ型，ＴＳＯＰ型，ＴＱＦＰ型等の
いずれの型の半導体装置の封止にも使用でき、特に表面
実装用半導体装置の封止材として非常に優れた特性を有
していることを知見し、本発明をなすに至った。
記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、エポキシ
樹脂として下記一般式（１）で示されるナフタレン環含
有エポキシ樹脂と下記一般式（２）で示されるビフェニ
ル基含有エポキシ樹脂とを併用すると共に、下記一般式
（３）で示されるフェノール樹脂及び無機質充填剤を必
須成分として組み合わせて配合した場合、得られるエポ
キシ樹脂組成物は、流動性が良好であると共に、膨張係
数が小さく、ガラス転移温度以上の温度領域で弾性率が
低下するなどの特徴を有する低応力性に優れた硬化物を
与えること、しかも従来の低弾性率化の手法で得られる
エポキシ樹脂組成物はガラス転移温度の低下や樹脂強度
不足などの欠点を合わせ持っているものであったが、上
記エポキシ樹脂組成物は低弾性率でありながらガラス転
移温度の低下がない上、低吸湿性であるなど、従来のエ
ポキシ樹脂組成物では得られなかった優れた特性を有す
る硬化物を与えることを知見した。また、かかる硬化物
で封止された半導体装置は表面実装時の熱衝撃後におい
ても高い信頼性を有し、このため上記エポキシ樹脂組成
物はＳＯＰ型，ＳＯＪ型，ＴＳＯＰ型，ＴＱＦＰ型等の
いずれの型の半導体装置の封止にも使用でき、特に表面
実装用半導体装置の封止材として非常に優れた特性を有
していることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００６】
【化４】
【０００７】
【化５】
【０００８】
【化６】
【０００９】従って、本発明は、（Ａ）上記一般式
（１）で示されるナフタレン環含有エポキシ樹脂、
（Ｂ）上記一般式（２）で示されるビフェニル基含有エ
ポキシ樹脂、（Ｃ）上記一般式（３）で示されるフェノ
ール樹脂、（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とするエポキ
シ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止
した半導体装置を提供する。
（１）で示されるナフタレン環含有エポキシ樹脂、
（Ｂ）上記一般式（２）で示されるビフェニル基含有エ
ポキシ樹脂、（Ｃ）上記一般式（３）で示されるフェノ
ール樹脂、（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とするエポキ
シ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止
した半導体装置を提供する。
【００１０】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上述したように
（Ａ）ナフタレン環含有エポキシ樹脂、（Ｂ）ビフェニ
ル基含有エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂及び
（Ｄ）無機質充填剤を配合してなるものである。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、上述したように
（Ａ）ナフタレン環含有エポキシ樹脂、（Ｂ）ビフェニ
ル基含有エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂及び
（Ｄ）無機質充填剤を配合してなるものである。
【００１１】ここで、（Ａ）成分のナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂として、下記一般式（１）で示されるものを
使用する。
ポキシ樹脂として、下記一般式（１）で示されるものを
使用する。
【００１２】
【化７】
【００１３】かかるナフタレン環を含有するエポキシ樹
脂の具体例としては下記の化合物を挙げることができ
る。
脂の具体例としては下記の化合物を挙げることができ
る。
【００１４】
【化８】
【００１５】
【化９】
【００１６】また、（Ｂ）成分のビフェニル基含有エポ
キシ樹脂は下記一般式（２）で示されるものを使用する
もので、上述したナフタレン環含有エポキシ樹脂と併用
することにより、硬化物の接着性を大幅に改善すること
ができる。
キシ樹脂は下記一般式（２）で示されるものを使用する
もので、上述したナフタレン環含有エポキシ樹脂と併用
することにより、硬化物の接着性を大幅に改善すること
ができる。
【００１７】
【化１０】
【００１８】かかるビフェニル基含有エポキシ樹脂とし
て、具体的には、下記化合物を挙げることができる。
て、具体的には、下記化合物を挙げることができる。
【００１９】
【化１１】
【００２０】これらのビフェニル基含有エポキシ樹脂の
中でエポキシ樹脂組成物を低粘度にし、かつエポキシ樹
脂組成物中の全塩素量を５００ｐｐｍ以下と少なくする
上で上記式（４）で示される化合物が好ましい。
中でエポキシ樹脂組成物を低粘度にし、かつエポキシ樹
脂組成物中の全塩素量を５００ｐｐｍ以下と少なくする
上で上記式（４）で示される化合物が好ましい。
【００２１】本発明では、このようにエポキシ樹脂とし
て上述したナフタレン環含有エポキシ樹脂とビフェニル
基含有エポキシ樹脂を併用して使用するものである。こ
れらの割合は特に制限されないが、ナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂／ビフェニル基含有エポキシ樹脂の重量比を
１〜９、特に５〜８の割合とすることが好ましい。重量
比が１未満であると低吸湿化効果がなくなり、ガラス転
移温度が低下し、耐熱性に不利となる場合があり、重量
比が９を超えると接着性が発現し難くなると共に、エポ
キシ樹脂の溶融粘度が高くなりすぎて製造時エポキシ樹
脂が完全に分散しなくなり、成形性や硬化物性等に不利
になる場合がある。
て上述したナフタレン環含有エポキシ樹脂とビフェニル
基含有エポキシ樹脂を併用して使用するものである。こ
れらの割合は特に制限されないが、ナフタレン環含有エ
ポキシ樹脂／ビフェニル基含有エポキシ樹脂の重量比を
１〜９、特に５〜８の割合とすることが好ましい。重量
比が１未満であると低吸湿化効果がなくなり、ガラス転
移温度が低下し、耐熱性に不利となる場合があり、重量
比が９を超えると接着性が発現し難くなると共に、エポ
キシ樹脂の溶融粘度が高くなりすぎて製造時エポキシ樹
脂が完全に分散しなくなり、成形性や硬化物性等に不利
になる場合がある。
【００２２】本発明のエポキシ樹脂組成物においては、
エポキシ樹脂として上述したナフタレン環含有エポキシ
樹脂及びビフェニル基含有エポキシ樹脂を必須成分とす
るものであるが、そのほか通常のエポキシ樹脂を併用し
て用いることができる。このようなエポキシ樹脂の中で
代表的なものとしては、１分子中にエポキシ基を少なく
とも２個以上有するエポキシ樹脂であり、具体的にはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂，フェノールノボラック
型エポキシ樹脂，アリルフェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂及びそ
の重合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェ
ノールアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル
型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙
げられる。
エポキシ樹脂として上述したナフタレン環含有エポキシ
樹脂及びビフェニル基含有エポキシ樹脂を必須成分とす
るものであるが、そのほか通常のエポキシ樹脂を併用し
て用いることができる。このようなエポキシ樹脂の中で
代表的なものとしては、１分子中にエポキシ基を少なく
とも２個以上有するエポキシ樹脂であり、具体的にはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂，フェノールノボラック
型エポキシ樹脂，アリルフェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂及びそ
の重合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェ
ノールアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル
型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環型エポキ
シ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙
げられる。
【００２３】なお、これらのエポキシ樹脂中におけるナ
フタレン環の含有量は５〜８０重量％、特に１０〜６０
重量％の範囲とすることが好ましい。
フタレン環の含有量は５〜８０重量％、特に１０〜６０
重量％の範囲とすることが好ましい。
【００２４】次に、（Ｃ）成分のフェノール樹脂は
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のエポキシ樹脂の硬化剤とし
て作用するものであり、本発明においては下記一般式
（３）で示されるフェノール樹脂を使用する。
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分のエポキシ樹脂の硬化剤とし
て作用するものであり、本発明においては下記一般式
（３）で示されるフェノール樹脂を使用する。
【００２５】
【化１２】
【００２６】一般式（３）で示されるフェノール樹脂と
して具体的には次の化合物を挙げることができる。
して具体的には次の化合物を挙げることができる。
【００２７】
【化１３】
【００２８】上記一般式（３）で示されるフェノール樹
脂は吸湿後の半田浸漬の際の耐クラック性、低吸湿化に
効果があるが、これを硬化剤として単独で使用した場
合、ガラス転移温度が若干低下する場合がある。そのた
め、一般式（３）のフェノール樹脂はそれ単独で用いる
よりもノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノ
ール樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂及びその重合
体等のフェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹
脂、更にアミン系硬化剤や酸無水物系硬化剤と併用する
のがよく、特に下記ナフタレン環含有フェノール樹脂と
の併用はガラス転移温度を低下させずにより一層の低吸
湿化を達成するため最適である。この場合、一般式
（３）のフェノール樹脂の使用量は、フェノール樹脂全
体の１０重量％以上、特に３０〜８０重量％の範囲とす
ることが好ましい。
脂は吸湿後の半田浸漬の際の耐クラック性、低吸湿化に
効果があるが、これを硬化剤として単独で使用した場
合、ガラス転移温度が若干低下する場合がある。そのた
め、一般式（３）のフェノール樹脂はそれ単独で用いる
よりもノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノ
ール樹脂、トリフェノールアルカン型樹脂及びその重合
体等のフェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹
脂、更にアミン系硬化剤や酸無水物系硬化剤と併用する
のがよく、特に下記ナフタレン環含有フェノール樹脂と
の併用はガラス転移温度を低下させずにより一層の低吸
湿化を達成するため最適である。この場合、一般式
（３）のフェノール樹脂の使用量は、フェノール樹脂全
体の１０重量％以上、特に３０〜８０重量％の範囲とす
ることが好ましい。
【００２９】
【化１４】
【００３０】本発明においては、上記（Ａ）成分のナフ
タレン環含有エポキシ樹脂、（Ｂ）成分のビフェニル基
含有エポキシ樹脂、（Ｃ）成分のフェノール樹脂に加え
て、本発明の効果を更に増強させるためにシリコーン変
性共重合体を併用することが好ましい。
タレン環含有エポキシ樹脂、（Ｂ）成分のビフェニル基
含有エポキシ樹脂、（Ｃ）成分のフェノール樹脂に加え
て、本発明の効果を更に増強させるためにシリコーン変
性共重合体を併用することが好ましい。
【００３１】このシリコーン変性共重合体としては、ア
ルケニル基含有エポキシ化ノボラック樹脂及び／又はア
ルケニル基含有ナフタレン樹脂中のアルケニル基とオル
ガノハイドロジェンポリシロキサン中のＳｉＨ基との付
加反応により得られるものが好適である。
ルケニル基含有エポキシ化ノボラック樹脂及び／又はア
ルケニル基含有ナフタレン樹脂中のアルケニル基とオル
ガノハイドロジェンポリシロキサン中のＳｉＨ基との付
加反応により得られるものが好適である。
【００３２】ここで、アルケニル基含有エポキシ化ノボ
ラック樹脂は、アルケニル基含有フェノール樹脂をエピ
クロルヒドリンによりエポキシ化したり、従来公知のエ
ポキシ樹脂に２−アリルフェノール等を部分的に反応さ
せたりするなどの方法によって得ることができるが、特
にアルケニル基を含有したエポキシ化フェノールノボラ
ック樹脂、エポキシ化クレゾールノボラック樹脂が好ま
しい。アルケニル基含有エポキシ化ノボラック樹脂とし
て、具体的には下記化合物などが挙げられる。
ラック樹脂は、アルケニル基含有フェノール樹脂をエピ
クロルヒドリンによりエポキシ化したり、従来公知のエ
ポキシ樹脂に２−アリルフェノール等を部分的に反応さ
せたりするなどの方法によって得ることができるが、特
にアルケニル基を含有したエポキシ化フェノールノボラ
ック樹脂、エポキシ化クレゾールノボラック樹脂が好ま
しい。アルケニル基含有エポキシ化ノボラック樹脂とし
て、具体的には下記化合物などが挙げられる。
【００３３】
【化１５】
【００３４】また、アルケニル基含有ナフタレン樹脂と
しては下記式（１０）で示されるものが好ましい。
しては下記式（１０）で示されるものが好ましい。
【００３５】
【化１６】
【００３６】この式中アルケニル基を含有する炭素数１
〜１０の有機基としては、ビニル基、アリル基、あるい
はこれらの基を含有する下記式（１１）で示される基な
どが挙げられるが、オルガノハイドロジェンポリシロキ
サンの≡ＳｉＨ基と付加反応が可能なものであればいず
れのものでもよい。
〜１０の有機基としては、ビニル基、アリル基、あるい
はこれらの基を含有する下記式（１１）で示される基な
どが挙げられるが、オルガノハイドロジェンポリシロキ
サンの≡ＳｉＨ基と付加反応が可能なものであればいず
れのものでもよい。
【００３７】
【化１７】
【００３８】式（１０）で示されるアルケニル基含有ナ
フタレン樹脂として具体的には次の化合物を例示するこ
とができる。
フタレン樹脂として具体的には次の化合物を例示するこ
とができる。
【００３９】
【化１８】
【００４０】上述したアルケニル基含有エポキシ化ノボ
ラック樹脂、アルケニル基含有ナフタレン樹脂と付加反
応させるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして
は下記一般式（１２）で示されるものが好ましい。
ラック樹脂、アルケニル基含有ナフタレン樹脂と付加反
応させるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして
は下記一般式（１２）で示されるものが好ましい。
【００４１】
【化１９】
【００４２】この式（１２）で示されるオルガノハイド
ロジェンポリシロキサンとしては、１分子中に少なくと
も１個の≡ＳｉＨ基を有すればよく、特に制限されない
が、１分子中のけい素原子の数が２０〜４００であり、
≡ＳｉＨ基の数が１〜５であるものが好ましい。また、
式（１２）において、Ｒ4の置換又は非置換の１価炭化
水素基としては、例えばメチル基，エチル基等のアルキ
ル基、フェニル基等のアリール基、ハロアルキル基、シ
クロアルキル基などが挙げられる。特に好ましいものと
しては、両末端ハイドロジェンメチルポリシロキサン、
両末端ハイドロジェンメチルフェニルポリシロキサン、
両末端ハイドロジェンメチル（２−トリメトキシシリル
エチル）ポリシロキサンなどが挙げられる。具体的には
下記化合物などが挙げられる。
ロジェンポリシロキサンとしては、１分子中に少なくと
も１個の≡ＳｉＨ基を有すればよく、特に制限されない
が、１分子中のけい素原子の数が２０〜４００であり、
≡ＳｉＨ基の数が１〜５であるものが好ましい。また、
式（１２）において、Ｒ4の置換又は非置換の１価炭化
水素基としては、例えばメチル基，エチル基等のアルキ
ル基、フェニル基等のアリール基、ハロアルキル基、シ
クロアルキル基などが挙げられる。特に好ましいものと
しては、両末端ハイドロジェンメチルポリシロキサン、
両末端ハイドロジェンメチルフェニルポリシロキサン、
両末端ハイドロジェンメチル（２−トリメトキシシリル
エチル）ポリシロキサンなどが挙げられる。具体的には
下記化合物などが挙げられる。
【００４３】
【化２０】
【００４４】上記式（１２）で表わされるオルガノポリ
シロキサンの重合度は２０〜５００、特に３０〜２００
の範囲にあることが好ましく、重合度が２０未満では十
分な可撓性を付与することも高いガラス転移点を得るこ
ともできない場合があり、また、重合度が５００を越え
る場合には共重合体を得ることが合成技術上極めて困難
であり、仮に共重合体が得られたとしても容易に分散さ
せることができない場合がある。一般に、オルガノポリ
シロキサンは、同一シリコーン含有量の場合、重合度が
大きくなるに従って耐クラック性、高ガラス転移点化に
は好結果を与えることができるが、反面、分散性、素子
との密着性が低下する傾向がある。この分散性、素子と
の密着性を改良するために、例えば上記式（１７）で示
されるような側鎖に下記の基を導入することが有効であ
り、望ましい。
シロキサンの重合度は２０〜５００、特に３０〜２００
の範囲にあることが好ましく、重合度が２０未満では十
分な可撓性を付与することも高いガラス転移点を得るこ
ともできない場合があり、また、重合度が５００を越え
る場合には共重合体を得ることが合成技術上極めて困難
であり、仮に共重合体が得られたとしても容易に分散さ
せることができない場合がある。一般に、オルガノポリ
シロキサンは、同一シリコーン含有量の場合、重合度が
大きくなるに従って耐クラック性、高ガラス転移点化に
は好結果を与えることができるが、反面、分散性、素子
との密着性が低下する傾向がある。この分散性、素子と
の密着性を改良するために、例えば上記式（１７）で示
されるような側鎖に下記の基を導入することが有効であ
り、望ましい。
【００４５】
【化２１】
【００４６】本発明のエポキシ樹脂組成物に配合するシ
リコーン変性共重合体は、上記アルケニル基含有エポキ
シ化ノボラック樹脂及び／又はアルケニル基含有ナフタ
レン樹脂と式（１２）の≡ＳｉＨ基を持つオルガノハイ
ドロジェンポリシロキサンと従来公知の付加触媒、例え
ば塩化白金酸のような白金系触媒の存在下で加熱反応さ
せることによって得ることができる。
リコーン変性共重合体は、上記アルケニル基含有エポキ
シ化ノボラック樹脂及び／又はアルケニル基含有ナフタ
レン樹脂と式（１２）の≡ＳｉＨ基を持つオルガノハイ
ドロジェンポリシロキサンと従来公知の付加触媒、例え
ば塩化白金酸のような白金系触媒の存在下で加熱反応さ
せることによって得ることができる。
【００４７】上記シリコーン変性共重合体は、エポキシ
樹脂組成物中のエポキシ樹脂（硬化性エポキシ樹脂）に
相溶することなく、かつ微細な海島構造をとることが高
ガラス転移点、低膨張係数でしかも耐クラック性に優れ
たエポキシ樹脂組成物を得ることにとって望ましく、こ
のために共重合体の溶解度パラメーターを７．３〜８．
５、特に７．６〜８．２とすることが好ましい。上記溶
解度パラメーターの共重合体を得るためには、オルガノ
ポリシロキサンの≡ＳｉＨ当量をＡ、アルケニル基含有
エポキシ化ノボラック樹脂及び／又はアルケニル基含有
ナフタレン樹脂の分子量をＢとした場合、０．７＜Ａ／
Ｂ＜７の範囲で反応させることが好ましい。
樹脂組成物中のエポキシ樹脂（硬化性エポキシ樹脂）に
相溶することなく、かつ微細な海島構造をとることが高
ガラス転移点、低膨張係数でしかも耐クラック性に優れ
たエポキシ樹脂組成物を得ることにとって望ましく、こ
のために共重合体の溶解度パラメーターを７．３〜８．
５、特に７．６〜８．２とすることが好ましい。上記溶
解度パラメーターの共重合体を得るためには、オルガノ
ポリシロキサンの≡ＳｉＨ当量をＡ、アルケニル基含有
エポキシ化ノボラック樹脂及び／又はアルケニル基含有
ナフタレン樹脂の分子量をＢとした場合、０．７＜Ａ／
Ｂ＜７の範囲で反応させることが好ましい。
【００４８】上述したシリコーン変性共重合体の配合量
は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含むエポキシ樹脂１０
０部（重量部、以下同様）に対して０〜５０部、特に５
〜４０部の範囲とすることが好ましく、５０部を超える
と十分な接着性向上効果が得られない場合がある。
は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含むエポキシ樹脂１０
０部（重量部、以下同様）に対して０〜５０部、特に５
〜４０部の範囲とすることが好ましく、５０部を超える
と十分な接着性向上効果が得られない場合がある。
【００４９】なお、本発明では、組成物中に含まれるエ
ポキシ基の量（ｘモル）とフェノール性水酸基の量（ｙ
モル）との割合が、ｘ／ｙが０．５〜１．５の範囲にあ
ることが好ましく、ｘ／ｙが上記範囲外となると硬化
性、低応力性において不利になる場合がある。従って、
上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含むエポキシ樹脂、
（Ｃ）成分のフェノール樹脂及び上記シリコーン変性共
重合体はこの範囲内で配合することが好ましい。
ポキシ基の量（ｘモル）とフェノール性水酸基の量（ｙ
モル）との割合が、ｘ／ｙが０．５〜１．５の範囲にあ
ることが好ましく、ｘ／ｙが上記範囲外となると硬化
性、低応力性において不利になる場合がある。従って、
上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含むエポキシ樹脂、
（Ｃ）成分のフェノール樹脂及び上記シリコーン変性共
重合体はこの範囲内で配合することが好ましい。
【００５０】次に、本発明で使用する（Ｄ）成分の無機
質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合され
るものを使用することができる。具体的には、例えば溶
融シリカ，結晶シリカ等のシリカ類，アルミナ，窒化珪
素，窒化アルミニウム，ボロンナイトライド，酸化チタ
ン，ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも溶融シ
リカが望ましく、その平均粒径は３〜１５μｍのものが
成形性の面から望ましい。また、溶融シリカの形状は、
高充填化やチップ表面に対する応力を小さくするため球
状のものが望ましい。なお、無機質充填剤は、樹脂と無
機質充填剤表面の強度を強くするため、予めシランカッ
プリング剤などで表面処理したものを配合することが好
ましい。
質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合され
るものを使用することができる。具体的には、例えば溶
融シリカ，結晶シリカ等のシリカ類，アルミナ，窒化珪
素，窒化アルミニウム，ボロンナイトライド，酸化チタ
ン，ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも溶融シ
リカが望ましく、その平均粒径は３〜１５μｍのものが
成形性の面から望ましい。また、溶融シリカの形状は、
高充填化やチップ表面に対する応力を小さくするため球
状のものが望ましい。なお、無機質充填剤は、樹脂と無
機質充填剤表面の強度を強くするため、予めシランカッ
プリング剤などで表面処理したものを配合することが好
ましい。
【００５１】これら無機質充填剤はその１種を単独で使
用でき、また２種以上を併用するようにしてもよく、そ
の配合量は特に制限されないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成
分を含有するエポキシ樹脂及び（Ｃ）成分を含有するフ
ェノール樹脂との合計量１００部に対して１００〜１０
００部、特に２００〜７００部の範囲とすることが好ま
しい。
用でき、また２種以上を併用するようにしてもよく、そ
の配合量は特に制限されないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成
分を含有するエポキシ樹脂及び（Ｃ）成分を含有するフ
ェノール樹脂との合計量１００部に対して１００〜１０
００部、特に２００〜７００部の範囲とすることが好ま
しい。
【００５２】更に、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
硬化触媒を配合することができ、この硬化触媒としては
イミダゾール化合物、三級アミン化合物、リン系化合物
等が例示されるが、１，８−ジアザビシクロ（５．４．
０）ウンデセン−７とトリフェニルホスフィンとを重量
比で０：１〜１：１、好ましくは０．０１：１〜０．
５：１の範囲で使用する併用触媒とすることが好まし
い。１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン
−７の比率が上記範囲より高くなるとガラス転移温度が
低くなる場合がある。上記併用触媒の添加量は特に制限
されないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を含有するエポキ
シ樹脂及び（Ｃ）成分を含有するフェノール樹脂の合計
量１００部に対して０．２〜２部、特に０．４〜１．２
部とすることが望ましい。
硬化触媒を配合することができ、この硬化触媒としては
イミダゾール化合物、三級アミン化合物、リン系化合物
等が例示されるが、１，８−ジアザビシクロ（５．４．
０）ウンデセン−７とトリフェニルホスフィンとを重量
比で０：１〜１：１、好ましくは０．０１：１〜０．
５：１の範囲で使用する併用触媒とすることが好まし
い。１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン
−７の比率が上記範囲より高くなるとガラス転移温度が
低くなる場合がある。上記併用触媒の添加量は特に制限
されないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成分を含有するエポキ
シ樹脂及び（Ｃ）成分を含有するフェノール樹脂の合計
量１００部に対して０．２〜２部、特に０．４〜１．２
部とすることが望ましい。
【００５３】本発明の組成物には、更に必要に応じて各
種の添加剤を配合することができる。例えば熱可塑性樹
脂，熱可塑性エラストマー，有機合成ゴム，シリコーン
系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、ス
テアリン酸などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カ
ーボンブラック，コバルトブルー，ベンガラ等の顔料、
酸化アンチモン，ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシランその他のシラン類、
アルキルチタネート類等の表面処理剤、老化防止剤、ハ
ロゲントラップ剤等の添加剤を配合することができる。
種の添加剤を配合することができる。例えば熱可塑性樹
脂，熱可塑性エラストマー，有機合成ゴム，シリコーン
系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、ス
テアリン酸などの脂肪酸及びその金属塩等の離型剤、カ
ーボンブラック，コバルトブルー，ベンガラ等の顔料、
酸化アンチモン，ハロゲン化合物等の難燃化剤、グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシランその他のシラン類、
アルキルチタネート類等の表面処理剤、老化防止剤、ハ
ロゲントラップ剤等の添加剤を配合することができる。
【００５４】本発明のエポキシ樹脂組成物は、その製造
に際し上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予
め７０〜９５℃に加熱してあるニーダ、ロール、エクス
トルーダーなどにより混練、冷却し、粉砕するなどの方
法で得ることができる。ここで、成分の配合順序に特に
制限はない。
に際し上述した成分の所定量を均一に撹拌、混合し、予
め７０〜９５℃に加熱してあるニーダ、ロール、エクス
トルーダーなどにより混練、冷却し、粉砕するなどの方
法で得ることができる。ここで、成分の配合順序に特に
制限はない。
【００５５】かくして得られる本発明のエポキシ樹脂組
成物はＳＯＰ型，ＳＯＪ型，ＴＳＯＰ型，ＴＱＦＰ型等
の半導体装置の封止用に有効に使用でき、この場合、成
形は従来より採用されている成形法、例えばトランスフ
ァ成形、インジェクション成形、注型法などを採用して
行なうことができる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成
物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、ポ
ストキュアーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行なう
ことが望ましい。
成物はＳＯＰ型，ＳＯＪ型，ＴＳＯＰ型，ＴＱＦＰ型等
の半導体装置の封止用に有効に使用でき、この場合、成
形は従来より採用されている成形法、例えばトランスフ
ァ成形、インジェクション成形、注型法などを採用して
行なうことができる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成
物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、ポ
ストキュアーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行なう
ことが望ましい。
【００５６】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、以下の例において部はいずれも重量
部である。
【００５７】〔実施例１〜８、比較例１〜４〕下記に示
すエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びシリコーン変性共
重合体を表１に示す割合で使用し、下記に示す硬化触媒
０．６部、トリフェニルホスフィン０．５部、比表面積
１．４ｍ2／ｇ，平均粒径１５μｍの溶融球状シリカ２
５０部、比表面積２．５ｍ2／ｇ，平均粒径１０μｍの
溶融球状シリカ２５０部、比表面積１０ｍ2／ｇ，平均
粒径１．０μｍの溶融球状シリカ７０部、三酸化アンチ
モン８部、カーボンブラック１．５部、カルナバワック
ス１部及びγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン３部を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉
砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
すエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びシリコーン変性共
重合体を表１に示す割合で使用し、下記に示す硬化触媒
０．６部、トリフェニルホスフィン０．５部、比表面積
１．４ｍ2／ｇ，平均粒径１５μｍの溶融球状シリカ２
５０部、比表面積２．５ｍ2／ｇ，平均粒径１０μｍの
溶融球状シリカ２５０部、比表面積１０ｍ2／ｇ，平均
粒径１．０μｍの溶融球状シリカ７０部、三酸化アンチ
モン８部、カーボンブラック１．５部、カルナバワック
ス１部及びγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン３部を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉
砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５８】
【化２２】
【００５９】
【化２３】
【００６０】
【化２４】
【００６１】
【化２５】
【００６２】硬化触媒 １，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７
とフェノールノボラック樹脂（ＴＤ２１３１大日本イン
キ製）とを２０／８０重量比の割合で１３０℃で３０分
加熱溶融混合したのち、５０μｍ以下に粉砕したもの。
とフェノールノボラック樹脂（ＴＤ２１３１大日本イン
キ製）とを２０／８０重量比の割合で１３０℃で３０分
加熱溶融混合したのち、５０μｍ以下に粉砕したもの。
【００６３】次に、これらの組成物につき、次の（イ）
〜（ト）の諸試験を行なった。結果を表１に併記する。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１８０℃、７０ｋ
ｇ／ｃｍ2の条件で測定した。 （ロ）曲げ強さ及び曲げ弾性率 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ
2、成形時間２分の条件で１０×４×１００ｍｍの曲げ
試験片を成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした
ものについて２１５℃で測定した。 （ハ）膨張係数、ガラス転移温度 直径４ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片を用いて、ＴＭＡ法
により毎分５℃の速さで昇温した時の値を測定した。 （ニ）吸湿半田後の耐クラック性 ２×４×０．４ｍｍの大きさのシリコンチップを４×１
２×１．８ｍｍの大きさのＳＯパッケージ用リードフレ
ーム（４２アロイ）に接着し、これにエポキシ樹脂組成
物を成形条件１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２
分で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。こ
れを８５℃／８５％ＲＨの雰囲気に２４時間及び４８時
間放置したのち、２５０℃の半田浴に１０秒間浸漬し、
パッケージクラック数／総数を測定した。 （ホ）耐湿性 １ＭＤＲＡＭチップを２０ピンのＳＯＪフレームに接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１８０℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分で成形し、１８０℃で４
時間ポストキュアーした。これを１２１℃／１００％Ｒ
Ｈ雰囲気中に２４時間放置して吸湿させたのち、２６０
℃の半田浴に１０秒間浸漬し、更に１２１℃／１００％
ＲＨ雰囲気中に３００時間放置したときのＡｌ配線断線
数／総数を測定した。 （ヘ）吸水率 成型条件１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした直経５０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板を１２１℃／１００％ＲＨ雰囲
気中に２４時間放置し、吸水率を測定した。 （ト）接着性 ４２アロイ板に直径１５ｍｍ，高さ５ｍｍの円筒成形品
を１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分の条件で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした後、プッ
シュプルゲージで成形物と４２アロイ板との剥離力を測
定した。
〜（ト）の諸試験を行なった。結果を表１に併記する。 （イ）スパイラルフロー ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して１８０℃、７０ｋ
ｇ／ｃｍ2の条件で測定した。 （ロ）曲げ強さ及び曲げ弾性率 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ
2、成形時間２分の条件で１０×４×１００ｍｍの曲げ
試験片を成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした
ものについて２１５℃で測定した。 （ハ）膨張係数、ガラス転移温度 直径４ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片を用いて、ＴＭＡ法
により毎分５℃の速さで昇温した時の値を測定した。 （ニ）吸湿半田後の耐クラック性 ２×４×０．４ｍｍの大きさのシリコンチップを４×１
２×１．８ｍｍの大きさのＳＯパッケージ用リードフレ
ーム（４２アロイ）に接着し、これにエポキシ樹脂組成
物を成形条件１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２
分で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。こ
れを８５℃／８５％ＲＨの雰囲気に２４時間及び４８時
間放置したのち、２５０℃の半田浴に１０秒間浸漬し、
パッケージクラック数／総数を測定した。 （ホ）耐湿性 １ＭＤＲＡＭチップを２０ピンのＳＯＪフレームに接着
し、これにエポキシ樹脂組成物を成形条件１８０℃、７
０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分で成形し、１８０℃で４
時間ポストキュアーした。これを１２１℃／１００％Ｒ
Ｈ雰囲気中に２４時間放置して吸湿させたのち、２６０
℃の半田浴に１０秒間浸漬し、更に１２１℃／１００％
ＲＨ雰囲気中に３００時間放置したときのＡｌ配線断線
数／総数を測定した。 （ヘ）吸水率 成型条件１８０℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした直経５０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの円板を１２１℃／１００％ＲＨ雰囲
気中に２４時間放置し、吸水率を測定した。 （ト）接着性 ４２アロイ板に直径１５ｍｍ，高さ５ｍｍの円筒成形品
を１７５℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、成形時間２分の条件で
成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした後、プッ
シュプルゲージで成形物と４２アロイ板との剥離力を測
定した。
【００６４】
【表１】
【００６５】
【表２】
【００６６】表１及び表２の結果より、上記一般式
（１）で示されるナフタレン環含有エポキシ樹脂と一般
式（２）で示されるビフェニル基含有エポキシ樹脂の両
方を使用しないもの（比較例１）、一方だけを使用した
もの（比較例２，３）、両方を使用していても一般式
（３）で示されるフェノール樹脂を使用しないもの（比
較例４）は、いずれも耐湿性が悪く、しかもガラス転移
温度、耐クラック性、接着性などのいずれか１つ以上が
劣るものであることが認められる。
（１）で示されるナフタレン環含有エポキシ樹脂と一般
式（２）で示されるビフェニル基含有エポキシ樹脂の両
方を使用しないもの（比較例１）、一方だけを使用した
もの（比較例２，３）、両方を使用していても一般式
（３）で示されるフェノール樹脂を使用しないもの（比
較例４）は、いずれも耐湿性が悪く、しかもガラス転移
温度、耐クラック性、接着性などのいずれか１つ以上が
劣るものであることが認められる。
【００６７】これに対し、上記エポキシ樹脂を併用し、
かつ上記フェノール樹脂を使用した本発明のエポキシ樹
脂組成物は、ガラス転移温度が高く、かつ良好な耐クラ
ック性、耐湿性、接着性を有する硬化物を与えることが
認められる。
かつ上記フェノール樹脂を使用した本発明のエポキシ樹
脂組成物は、ガラス転移温度が高く、かつ良好な耐クラ
ック性、耐湿性、接着性を有する硬化物を与えることが
認められる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエポキシ
樹脂組成物は、上述した成分の組合わせとしたことによ
り、流動性が良好であるとともに、低弾性率であり、特
にガラス転移以上の温度で著しく弾性率が低下し、線膨
張係数が小さく、低応力でありながらガラス転移温度が
高く、しかも低吸湿性の硬化物が得られるものであり、
このため本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止さ
れた半導体装置は表面実装時の熱衝撃においても高い信
頼性を有するものである。
樹脂組成物は、上述した成分の組合わせとしたことによ
り、流動性が良好であるとともに、低弾性率であり、特
にガラス転移以上の温度で著しく弾性率が低下し、線膨
張係数が小さく、低応力でありながらガラス転移温度が
高く、しかも低吸湿性の硬化物が得られるものであり、
このため本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止さ
れた半導体装置は表面実装時の熱衝撃においても高い信
頼性を有するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 富吉 和俊 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 清水 久司 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 土屋 貴史 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 シリコーン電子材料 技術研究所内 (56)参考文献 特開 平２−189326（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−717（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−21627（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−91118（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−47725（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−199857（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−155940（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で示されるナフ
タレン環含有エポキシ樹脂、 【化１】 （Ｂ）下記一般式（２）で示されるビフェニル基含有エ
ポキシ樹脂、 【化２】 （Ｃ）下記一般式（３）で示されるフェノール樹脂、 【化３】 （Ｄ）無機質充填剤 を必須成分とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載のエポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145502A JP2526747B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US07/885,965 US5298548A (en) | 1991-05-21 | 1992-05-20 | Epoxy resin composition and semiconductor devices encapsulated therewith |
| DE4216680A DE4216680C2 (de) | 1991-05-21 | 1992-05-20 | Epoxidharzmasse und deren Verwendung zur Einkapselung von Halbleiter-Bauteilen |
| KR1019920008523A KR100197044B1 (ko) | 1991-05-21 | 1992-05-20 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145502A JP2526747B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342719A JPH04342719A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2526747B2 true JP2526747B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=15386746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145502A Expired - Fee Related JP2526747B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5298548A (ja) |
| JP (1) | JP2526747B2 (ja) |
| KR (1) | KR100197044B1 (ja) |
| DE (1) | DE4216680C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04300914A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH05230187A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH05230170A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPH065742A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、その封止に用いられる樹脂および半導体装置の製造方法 |
| JP2658755B2 (ja) * | 1992-07-08 | 1997-09-30 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US5780571A (en) * | 1993-03-22 | 1998-07-14 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Naphthalene ring-containing resins, resin compositions and cured products thereof |
| US5827908A (en) * | 1994-01-26 | 1998-10-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene and or biphenyl skeleton containing epoxy resin composition |
| JP2625654B2 (ja) * | 1995-04-28 | 1997-07-02 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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