JPH05230170A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH05230170A JPH05230170A JP15316491A JP15316491A JPH05230170A JP H05230170 A JPH05230170 A JP H05230170A JP 15316491 A JP15316491 A JP 15316491A JP 15316491 A JP15316491 A JP 15316491A JP H05230170 A JPH05230170 A JP H05230170A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin composition
- curing agent
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸湿後、半田浸漬された際にパッケ−ジクラ
ックが発生しない耐吸湿半田クラック性に優れた半導体
封止用のエポキシ樹脂組成物を得る。 【構成】 エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有する
フェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つ下記の一般式〔１〕
のクレゾール化合物の硬化剤、無機充填材を含有して
なるエポキシ樹脂組成物。なお、前記クレゾール化合物
の硬化剤が硬化剤中３０重量％以上、前記エポキシ樹脂
がビフェニルノボラック型エポキシ樹脂を５０重量％以
上含むのが好ましい。
ックが発生しない耐吸湿半田クラック性に優れた半導体
封止用のエポキシ樹脂組成物を得る。 【構成】 エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有する
フェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つ下記の一般式〔１〕
のクレゾール化合物の硬化剤、無機充填材を含有して
なるエポキシ樹脂組成物。なお、前記クレゾール化合物
の硬化剤が硬化剤中３０重量％以上、前記エポキシ樹脂
がビフェニルノボラック型エポキシ樹脂を５０重量％以
上含むのが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、封止用エポキシ樹脂組
成物に関するものである。特に耐吸湿半田クラック性に
優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである。
成物に関するものである。特に耐吸湿半田クラック性に
優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来技術】近年、ダイオ−ド、トランジスタ−、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩなどの半導体や電子部品の封止方法として、
たとえばエポキシ樹脂やシリコン樹脂などの低圧トラン
スファ−成形による樹脂封止法が信頼性の向上とともに
大量生産や価格面で有利性から主流を占めている。中で
もエポキシ樹脂を用いた樹脂封止法においては、オルソ
クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を樹脂成分とし、
フェノ−ルノボラック樹脂を硬化剤成分とするエポキシ
樹脂組成物からなる成形材料が最も多く使用されてい
る。しかしながら、最近ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩなどの
半導体や電子部品の集積度が高密度化されるとともに、
半導体装置の成形品の薄肉化のために、前記のエポキシ
樹脂組成物では必ずしも十分に対応することができなく
なっている。
Ｃ，ＬＳＩなどの半導体や電子部品の封止方法として、
たとえばエポキシ樹脂やシリコン樹脂などの低圧トラン
スファ−成形による樹脂封止法が信頼性の向上とともに
大量生産や価格面で有利性から主流を占めている。中で
もエポキシ樹脂を用いた樹脂封止法においては、オルソ
クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂を樹脂成分とし、
フェノ−ルノボラック樹脂を硬化剤成分とするエポキシ
樹脂組成物からなる成形材料が最も多く使用されてい
る。しかしながら、最近ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩなどの
半導体や電子部品の集積度が高密度化されるとともに、
半導体装置の成形品の薄肉化のために、前記のエポキシ
樹脂組成物では必ずしも十分に対応することができなく
なっている。
【０００３】たとえば、表面実装用半導体装置において
は、実装時に、半導体装置自身が、半田に直接浸漬され
るなど、急激に高温の環境下にさらされるため、成形品
の半導体装置にパッケ−ジクラックが発生するという問
題が生じている。この現象は、成形品になった後、半導
体装置が保管中に吸湿した水分が、高温の半田に浸漬さ
れた際に、急激に気化膨張し、封止樹脂がそれに耐えき
れず、パッケ−ジクラックを生じると考えらる。この対
応としてエポキシ樹脂組成物について耐熱性、吸湿性の
向上などの検討からこれら特性の改良が特開平3-39323
号公報に開示され、なされてきているが、上記の耐吸湿
半田クラック性の向上については今だ十分に満足できる
状況にはない。
は、実装時に、半導体装置自身が、半田に直接浸漬され
るなど、急激に高温の環境下にさらされるため、成形品
の半導体装置にパッケ−ジクラックが発生するという問
題が生じている。この現象は、成形品になった後、半導
体装置が保管中に吸湿した水分が、高温の半田に浸漬さ
れた際に、急激に気化膨張し、封止樹脂がそれに耐えき
れず、パッケ−ジクラックを生じると考えらる。この対
応としてエポキシ樹脂組成物について耐熱性、吸湿性の
向上などの検討からこれら特性の改良が特開平3-39323
号公報に開示され、なされてきているが、上記の耐吸湿
半田クラック性の向上については今だ十分に満足できる
状況にはない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吸湿後、半
田浸漬された際に、パッケ−ジクラックが発生すること
のない耐吸湿半田クラック性に優れた半導体封止用のエ
ポキシ樹脂組成物を提供することにある。
田浸漬された際に、パッケ−ジクラックが発生すること
のない耐吸湿半田クラック性に優れた半導体封止用のエ
ポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、エポキシ樹脂、ナフ
タレン骨格を有し、フェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つ
下記の一般式〔１〕のクレゾール化合物の硬化剤、無
機充填材を含有してなるエポキシ樹脂組成物を提供する
ことにある。
決するためになされたもので、エポキシ樹脂、ナフ
タレン骨格を有し、フェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つ
下記の一般式〔１〕のクレゾール化合物の硬化剤、無
機充填材を含有してなるエポキシ樹脂組成物を提供する
ことにある。
【０００６】
【化３】
【０００７】以下、この発明を詳しく説明する。エポキ
シ樹脂としては、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂
（以下ビフェニル型エポキシ樹脂と記載する）、フェノ
−ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック
型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂または、これらのハロゲ
ン化エポキシ樹脂などがあげられ例えば、その中でも１
分子中に２個以上のエポキシ基をもつエポキシ樹脂であ
り、エポキシ当量１８０〜２２０、軟化点６０〜１００
℃のものを単独、もしくは組み合わせ、その配合量がエ
ポキシ樹脂組成物の５〜３５重量％の範囲で用いると成
形材料として混合、加熱、溶融、混練するのに均一性が
確保でき、良好に取扱うことができる。
シ樹脂としては、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂
（以下ビフェニル型エポキシ樹脂と記載する）、フェノ
−ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック
型エポキシ樹脂、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂または、これらのハロゲ
ン化エポキシ樹脂などがあげられ例えば、その中でも１
分子中に２個以上のエポキシ基をもつエポキシ樹脂であ
り、エポキシ当量１８０〜２２０、軟化点６０〜１００
℃のものを単独、もしくは組み合わせ、その配合量がエ
ポキシ樹脂組成物の５〜３５重量％の範囲で用いると成
形材料として混合、加熱、溶融、混練するのに均一性が
確保でき、良好に取扱うことができる。
【０００８】特に、エポキシ樹脂中５０重量％以上を次
の一般式〔２〕（式〔２〕中のＲは水素原子又はメチル
基を示し、ｎは０〜６の整数を示す）のビフェニル型エ
ポキシ樹脂の配合量にあてるのが好ましい。５０重量％
以上の使用では吸湿率が小さく、吸湿した後の半田浸漬
での耐クラック性に優れるが、５０重量％未満の使用で
は、吸湿率が大きく、半導体チップとの密着性も低下す
る。
の一般式〔２〕（式〔２〕中のＲは水素原子又はメチル
基を示し、ｎは０〜６の整数を示す）のビフェニル型エ
ポキシ樹脂の配合量にあてるのが好ましい。５０重量％
以上の使用では吸湿率が小さく、吸湿した後の半田浸漬
での耐クラック性に優れるが、５０重量％未満の使用で
は、吸湿率が大きく、半導体チップとの密着性も低下す
る。
【０００９】
【化４】
【００１０】ナフタレン骨格を有し、フェノ−ル性ＯＨ
基を官能基に持つ前記の一般式〔１〕のクレゾール化合
物の硬化剤を用いる必要があり、硬化剤としてその配合
量は硬化剤中に占める割合で３０重量％以上で用いるの
が好ましい。３０重量％未満では低吸湿化が進まず、耐
吸湿半田クラック性の改善が認められない。なお、他に
硬化剤としてフェノ−ルノボラック樹脂、クレゾ−ルノ
ボラック樹脂、レゾ−ル樹脂などを併用することができ
る。その中でも１分子中に２個以上の水酸基をもつフェ
ノ−ル樹脂であり、水酸基当量８０〜１２０、軟化点６
０〜１２０℃のものを単独、もしくは組み合わせ、これ
ら硬化剤の配合量がエポキシ樹脂組成物の２〜２５重量
％の範囲で用いると成形材料として混合、加熱、溶融、
混練するのに均一性が確保でき、良好に取扱うことがで
きる。
基を官能基に持つ前記の一般式〔１〕のクレゾール化合
物の硬化剤を用いる必要があり、硬化剤としてその配合
量は硬化剤中に占める割合で３０重量％以上で用いるの
が好ましい。３０重量％未満では低吸湿化が進まず、耐
吸湿半田クラック性の改善が認められない。なお、他に
硬化剤としてフェノ−ルノボラック樹脂、クレゾ−ルノ
ボラック樹脂、レゾ−ル樹脂などを併用することができ
る。その中でも１分子中に２個以上の水酸基をもつフェ
ノ−ル樹脂であり、水酸基当量８０〜１２０、軟化点６
０〜１２０℃のものを単独、もしくは組み合わせ、これ
ら硬化剤の配合量がエポキシ樹脂組成物の２〜２５重量
％の範囲で用いると成形材料として混合、加熱、溶融、
混練するのに均一性が確保でき、良好に取扱うことがで
きる。
【００１１】無機充填材としては、例えば、溶融シリ
カ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、珪酸カルシュウ
ム、炭酸カルシュウム、窒化硅素などの粉末があげら
れ、単独、もしくは組み合わせて用いることができる。
しかし、半導体、電子部品の封止に供するものであるた
め、無機質充填材５ｇを純水４５ｇで９５℃、２０時間
抽出したときの抽出水の電気伝導度が１００μs ／cm以
下の高純度な無機質充填材が好ましい。特にシリカが好
適である。無機充填材の配合量はエポキシ樹脂組成物の
６５〜９５重量％の範囲で用いると成形材料として混
合、加熱、溶融、混練するのに均一性が確保でき、良好
に取扱うことができる。
カ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、珪酸カルシュウ
ム、炭酸カルシュウム、窒化硅素などの粉末があげら
れ、単独、もしくは組み合わせて用いることができる。
しかし、半導体、電子部品の封止に供するものであるた
め、無機質充填材５ｇを純水４５ｇで９５℃、２０時間
抽出したときの抽出水の電気伝導度が１００μs ／cm以
下の高純度な無機質充填材が好ましい。特にシリカが好
適である。無機充填材の配合量はエポキシ樹脂組成物の
６５〜９５重量％の範囲で用いると成形材料として混
合、加熱、溶融、混練するのに均一性が確保でき、良好
に取扱うことができる。
【００１２】なお、本発明の半導体封止用のエポキシ樹
脂組成物の配合成分としては、以上の他に、適当な添加
剤、硬化促進剤、難燃剤、離型剤、着色剤などを適用す
ることができる。
脂組成物の配合成分としては、以上の他に、適当な添加
剤、硬化促進剤、難燃剤、離型剤、着色剤などを適用す
ることができる。
【００１３】また、以上の配合成分からなる半導体封止
用のエポキシ樹脂組成物を成形材料とするには、配合成
分を均一に混合し、加熱溶融、冷却、粉砕の通常のプロ
セスで製造することができ、この際に使用される装置た
とえば、ミキサー、ブレンダー、ニーダー、ロールなど
通常使用されるものをそのまま適用することができる。
用のエポキシ樹脂組成物を成形材料とするには、配合成
分を均一に混合し、加熱溶融、冷却、粉砕の通常のプロ
セスで製造することができ、この際に使用される装置た
とえば、ミキサー、ブレンダー、ニーダー、ロールなど
通常使用されるものをそのまま適用することができる。
【００１４】次に本発明を実施例と比較例によって具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１５】
実施例 １〜３と比較例１ のエポキシ樹脂としては、エポキシ当量１９５、軟化
点６５℃のオルソ−クレゾ−ルノボラックエポキシ樹脂
（表には、Ｏ・Ｃ・Ｎエポキシ樹脂と記載する）を用い
た。の硬化剤としては、一般式〔１〕のＯＨ基当量１
４０のクレゾール化合物（日本化薬社製 OCN-7000)又
は、及び、水酸基当量１０４、軟化点８０℃のノボラッ
ク型フェノ−ル樹脂を用いた。との各配合量は表１
の上段の示した。単位は重量部である。これ以外の配合
材料とその配合量は共通で次のものを用いた。単位はい
ずれも重量部であり、以下「部」と省記する。
点６５℃のオルソ−クレゾ−ルノボラックエポキシ樹脂
（表には、Ｏ・Ｃ・Ｎエポキシ樹脂と記載する）を用い
た。の硬化剤としては、一般式〔１〕のＯＨ基当量１
４０のクレゾール化合物（日本化薬社製 OCN-7000)又
は、及び、水酸基当量１０４、軟化点８０℃のノボラッ
ク型フェノ−ル樹脂を用いた。との各配合量は表１
の上段の示した。単位は重量部である。これ以外の配合
材料とその配合量は共通で次のものを用いた。単位はい
ずれも重量部であり、以下「部」と省記する。
【００１６】の無機充填材としては、平均粒子径１４
μm 、抽出水の電気伝導度３μs ／cmの溶融シリカを７
５４部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを５部、硬化促進剤として２−フ
ェニルイミダゾールを１．５部、難燃剤として三酸化ア
ンチモンを２１部、エポキシ当量４００、軟化点６５℃
のブロム化エポキシ樹脂、着色剤としてカ−ボンブラッ
クを２．５部、離型剤としてカルナバワックスを３部そ
れぞれ用いた。
μm 、抽出水の電気伝導度３μs ／cmの溶融シリカを７
５４部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを５部、硬化促進剤として２−フ
ェニルイミダゾールを１．５部、難燃剤として三酸化ア
ンチモンを２１部、エポキシ当量４００、軟化点６５℃
のブロム化エポキシ樹脂、着色剤としてカ−ボンブラッ
クを２．５部、離型剤としてカルナバワックスを３部そ
れぞれ用いた。
【００１７】以上の配合成分の配合量を各例ごとに均一
に混合し、ロ−ル温度100 ℃のミキシングロ−ルで加
熱、溶融、混練した後、冷却し、粉砕して各半導体封止
用のエポキシ樹脂組成物の成形材料を得た。
に混合し、ロ−ル温度100 ℃のミキシングロ−ルで加
熱、溶融、混練した後、冷却し、粉砕して各半導体封止
用のエポキシ樹脂組成物の成形材料を得た。
【００１８】以上で得た各半導体封止用のエポキシ樹脂
組成物の成形材料を用いて７５トントランスファー成形
機に所定の金型を取付け、それぞれ金型温度１８０℃、
成形時間６０秒で成形した。
組成物の成形材料を用いて７５トントランスファー成形
機に所定の金型を取付け、それぞれ金型温度１８０℃、
成形時間６０秒で成形した。
【００１９】吸湿率は、径50mm、厚み３mmの試験片を、
８５℃、８５％相対湿度で７２時間処理する前後の試験
片の重量変化率で求めた。結果は表１下段に示した。
８５℃、８５％相対湿度で７２時間処理する前後の試験
片の重量変化率で求めた。結果は表１下段に示した。
【００２０】吸湿半田クラックは、櫛形状のアルミニウ
ム配線回路をシリコンチップ表面に配設した評価用素子
を４２アロイ製の 60QFPリードフレームに搭載したもの
を使って封止成形した60QFP 成形品１２個を試験片と
し、吸湿半田クラック（Ａ）は、８５℃、８５％相対湿
度で７２時間処理後、２５０℃の半田槽に１０秒間浸漬
し、外観クラック発生の有無で検査した。吸湿半田クラ
ック（Ｂ）は、８５℃、８５％相対湿度で４８時間処理
後、２５０℃の半田槽に１０秒間浸漬し、外観クラック
発生の有無で検査した。これらの結果は、クラック発生
個数／全試料数で表１下段に示した。
ム配線回路をシリコンチップ表面に配設した評価用素子
を４２アロイ製の 60QFPリードフレームに搭載したもの
を使って封止成形した60QFP 成形品１２個を試験片と
し、吸湿半田クラック（Ａ）は、８５℃、８５％相対湿
度で７２時間処理後、２５０℃の半田槽に１０秒間浸漬
し、外観クラック発生の有無で検査した。吸湿半田クラ
ック（Ｂ）は、８５℃、８５％相対湿度で４８時間処理
後、２５０℃の半田槽に１０秒間浸漬し、外観クラック
発生の有無で検査した。これらの結果は、クラック発生
個数／全試料数で表１下段に示した。
【００２１】表１下段の結果から、ナフタレン骨格を有
するフェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つクレゾール化合
物の硬化剤を用いた実施例では、これを用いない比較例
１に比べ、吸湿率が小さく、吸湿半田クラックの発生が
著しく少ないことが確認できた。
するフェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つクレゾール化合
物の硬化剤を用いた実施例では、これを用いない比較例
１に比べ、吸湿率が小さく、吸湿半田クラックの発生が
著しく少ないことが確認できた。
【００２２】実施例 ４〜８と比較例２〜３ のエポキシ樹脂としては、ビフェニル型エポキシ樹脂
（油化シェル社製YX-4000H、エポキシ当量１８５、一般
式〔２〕でＲがメチル基、ｎ＝０のもの）の単独また
は、および、エポキシ当量１９５、軟化点６５℃のオル
ソ−クレゾ−ルノボラックエポキシ樹脂（表には、Ｏ・
Ｃ・Ｎエポキシ樹脂と記載する）の硬化剤として、一
般式〔１〕のＯＨ基当量１４０のクレゾール化合物（日
本化薬社製OCN-7000)又は、及び、水酸基当量１０４、
軟化点８０℃のノボラック型フェノ−ル樹脂を用いた。
との各配合量は表２の上段の示した。単位は重量部
である。これ以外の配合材料とその配合量は共通で次の
ものを用いた。単位はいずれも重量部であり、以下
「部」と省記する。
（油化シェル社製YX-4000H、エポキシ当量１８５、一般
式〔２〕でＲがメチル基、ｎ＝０のもの）の単独また
は、および、エポキシ当量１９５、軟化点６５℃のオル
ソ−クレゾ−ルノボラックエポキシ樹脂（表には、Ｏ・
Ｃ・Ｎエポキシ樹脂と記載する）の硬化剤として、一
般式〔１〕のＯＨ基当量１４０のクレゾール化合物（日
本化薬社製OCN-7000)又は、及び、水酸基当量１０４、
軟化点８０℃のノボラック型フェノ−ル樹脂を用いた。
との各配合量は表２の上段の示した。単位は重量部
である。これ以外の配合材料とその配合量は共通で次の
ものを用いた。単位はいずれも重量部であり、以下
「部」と省記する。
【００２３】の無機充填材としては、平均粒子径１４
μm 、抽出水の電気伝導度３μs ／cmの溶融シリカを７
５４部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを５部、硬化促進剤として２−フ
ェニルイミダゾールを１．５部、難燃剤として三酸化ア
ンチモンを２１部、エポキシ当量４００、軟化点６５℃
のブロム化エポキシ樹脂を１４部、着色剤としてカ−ボ
ンブラックを２．５部、離型剤としてカルナバワックス
を３部それぞれ用いた。
μm 、抽出水の電気伝導度３μs ／cmの溶融シリカを７
５４部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを５部、硬化促進剤として２−フ
ェニルイミダゾールを１．５部、難燃剤として三酸化ア
ンチモンを２１部、エポキシ当量４００、軟化点６５℃
のブロム化エポキシ樹脂を１４部、着色剤としてカ−ボ
ンブラックを２．５部、離型剤としてカルナバワックス
を３部それぞれ用いた。
【００２４】以上の配合成分の配合量を各例ごとに実施
例１と同様にして各半導体封止用のエポキシ樹脂組成物
の成形材料を得た。
例１と同様にして各半導体封止用のエポキシ樹脂組成物
の成形材料を得た。
【００２５】以上で得た各成形材料を用いて実施例１と
同様に各試験片を得、同様の試験をおこなった。これら
の結果を表２下段に示した。
同様に各試験片を得、同様の試験をおこなった。これら
の結果を表２下段に示した。
【００２６】なお、成形材料と半導体チップとの密着性
は、吸湿半田クラックの試験片の60QFP 成形品を１２個
用い、吸湿半田クラック（Ａ）試験と同じ８５℃、８５
％相対湿度で７２時間処理後、２５０℃の半田槽に１０
秒間浸漬して処理した後、半導体チップ面を超音波画像
処理にて判定し、剥離の発生したものを不良とし、その
不良個数／全試料数で結果を表２下段に示した。
は、吸湿半田クラックの試験片の60QFP 成形品を１２個
用い、吸湿半田クラック（Ａ）試験と同じ８５℃、８５
％相対湿度で７２時間処理後、２５０℃の半田槽に１０
秒間浸漬して処理した後、半導体チップ面を超音波画像
処理にて判定し、剥離の発生したものを不良とし、その
不良個数／全試料数で結果を表２下段に示した。
【００２７】表２下段の結果から、硬化剤としてナフタ
レン骨格を有するフェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つク
レゾール化合物の硬化剤を用い、かつエポキシ樹脂成分
としてビフェニル型エポキシ樹脂を５０重量％以上用い
たものは特に半導体チップの密着性に優れていることが
確認できた。
レン骨格を有するフェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つク
レゾール化合物の硬化剤を用い、かつエポキシ樹脂成分
としてビフェニル型エポキシ樹脂を５０重量％以上用い
たものは特に半導体チップの密着性に優れていることが
確認できた。
【００２８】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物によって耐
吸湿半田クラック性に優れた半導体装置、電子部品を得
ることができる。
吸湿半田クラック性に優れた半導体装置、電子部品を得
ることができる。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 鳥井 宗朝 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有
し、フェノ−ル性ＯＨ基を官能基に持つ下記の一般式
〔１〕のクレゾール化合物の硬化剤、無機充填材を含
有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 【化１】 - 【請求項２】 前記エポキシ樹脂がビフェニル骨格を有
する下記の一般式〔２〕（式〔２〕中のＲは水素原子又
はメチル基を示し、ｎは０〜６の整数を示す）のエポキ
シ樹脂でエポキシ樹脂中５０重量％以上含まれることを
特徴とする請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。 【化２】 - 【請求項３】 前記クレゾール化合物の硬化剤が硬化剤
中３０重量％以上含まれることを特徴とする請求項１記
載のエポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15316491A JPH05230170A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15316491A JPH05230170A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230170A true JPH05230170A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=15556447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15316491A Pending JPH05230170A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05230170A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450223A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH04173829A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH04236215A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-25 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
| JPH04300914A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH04342719A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP15316491A patent/JPH05230170A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450223A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH04173829A (ja) * | 1990-11-07 | 1992-06-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH04236215A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-25 | Toshiba Chem Corp | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
| JPH04300914A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JPH04342719A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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