JPH04236215A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH04236215A JPH04236215A JP1584691A JP1584691A JPH04236215A JP H04236215 A JPH04236215 A JP H04236215A JP 1584691 A JP1584691 A JP 1584691A JP 1584691 A JP1584691 A JP 1584691A JP H04236215 A JPH04236215 A JP H04236215A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical group C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 7
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 abstract description 6
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract description 6
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Chemical class 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 125000005480 straight-chain fatty acid group Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性に
優れた封止用樹脂組成物および半導体封止装置に関する
。
優れた封止用樹脂組成物および半導体封止装置に関する
。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合に
、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最近
では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されている
。
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合に
、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最近
では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されている
。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ノボラック型フェノー
ル樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封
止した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐
湿性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導
体装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップおよび封
止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂ク
ラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐食
による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、
半導体装置は、長期間の信頼性を保証することができな
いという欠点があった。
ポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ノボラック型フェノー
ル樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封
止した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐
湿性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導
体装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップおよび封
止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂ク
ラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐食
による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、
半導体装置は、長期間の信頼性を保証することができな
いという欠点があった。
【0004】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップ
あるいは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや内部樹
脂クラックの発生がなく、また電極の腐食による断線や
水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を保証
できる封止用樹脂組成物および半導体装置を提供しよう
とするものである。
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップ
あるいは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや内部樹
脂クラックの発生がなく、また電極の腐食による断線や
水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を保証
できる封止用樹脂組成物および半導体装置を提供しよう
とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂、ナフトール骨格を有するフェノール樹脂を用い
ることによって、耐湿性、半田耐熱性に優れた樹脂組成
物が得られることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキ
シ樹脂、ナフトール骨格を有するフェノール樹脂を用い
ることによって、耐湿性、半田耐熱性に優れた樹脂組成
物が得られることを見いだし、本発明を完成したもので
ある。
【0006】すなわち、本発明は、
(A)次の式で示されるエポキシ樹脂
【0007】
【化3】
(但し、式中nは 0又は 1以上の整数を表す)、(
B)ナフトール骨格を有するフェノール樹脂及び(C)
無機質充填剤 を必須成分とし、前記(C)無機質充填剤を樹脂組成物
に対して25〜90重量%の割合で含有してなることを
特徴とする封止用樹脂組成物である。また、この封止用
樹脂組成物の硬化物によって、半導体素子が封止されて
なることを特徴とする半導体封止装置である。
B)ナフトール骨格を有するフェノール樹脂及び(C)
無機質充填剤 を必須成分とし、前記(C)無機質充填剤を樹脂組成物
に対して25〜90重量%の割合で含有してなることを
特徴とする封止用樹脂組成物である。また、この封止用
樹脂組成物の硬化物によって、半導体素子が封止されて
なることを特徴とする半導体封止装置である。
【0008】以下、本発明を詳細に説明する。
【0009】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、前記の式で示されるものが使用され、分子量等に制
限されることなく、広く使用することができる。例えば
は、前記の式で示されるものが使用され、分子量等に制
限されることなく、広く使用することができる。例えば
【0010】
【化4】
が挙げられる。また、このエポキシ樹脂にノボラック系
エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂を併用すること
ができる。
エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂を併用すること
ができる。
【0011】本発明に用いる(B)ナフトール骨格を有
するフェノール樹脂としては、分子構造、分子量などに
特に制限されることはなく広く包含することができる。 具体的な樹脂としては、例えば
するフェノール樹脂としては、分子構造、分子量などに
特に制限されることはなく広く包含することができる。 具体的な樹脂としては、例えば
【0012】
【化5】
(但し、式中、nは1 以上の整数を表す)等が挙げら
れる。また、フェノール、アルキルフェノール等のフェ
ノール類とホルムアルデヒド或いはパラホルムアルデヒ
ドとを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂
およびこれらの変性樹脂を混合して使用することができ
る。
れる。また、フェノール、アルキルフェノール等のフェ
ノール類とホルムアルデヒド或いはパラホルムアルデヒ
ドとを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂
およびこれらの変性樹脂を混合して使用することができ
る。
【0013】本発明に用いる(C)無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm以下
のシリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径が30μ
mを超えると耐湿性および成形性が劣り好ましくない。 無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して
50〜90重量%含有することが好ましい。その割合が
50重量%未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸
漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり成形性に劣り好ましくない。
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm以下
のシリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径が30μ
mを超えると耐湿性および成形性が劣り好ましくない。 無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して
50〜90重量%含有することが好ましい。その割合が
50重量%未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田浸
漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり成形性に劣り好ましくない。
【0014】本発明の封止用樹脂組成物は、前述した特
定のエポキシ樹脂、ナフトール骨格を有するフェノール
樹脂および無機質充填剤を必須成分とするが、本発明の
目的に反しない限度において、また必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド、エステル類、パラフィンなどの離型剤、
三酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラックなど
の着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促進剤、
ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適宜添加・配
合することができる。
定のエポキシ樹脂、ナフトール骨格を有するフェノール
樹脂および無機質充填剤を必須成分とするが、本発明の
目的に反しない限度において、また必要に応じて、例え
ば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド、エステル類、パラフィンなどの離型剤、
三酸化アンチモンなどの難燃剤、カーボンブラックなど
の着色剤、シランカップリング剤、種々の硬化促進剤、
ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適宜添加・配
合することができる。
【0015】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的方法は、前述のエポキシ樹脂、
ナフトール骨格を有するフェノール樹脂および無機質充
填剤その他を配合し、ミキサー等によって十分均一に混
合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニー
ダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ適当な
大きさに粉砕して成形材料とすることができる。この成
形材料を用いて半導体素子をセットした金型内にトラン
スファー注入して硬化させて本発明の半導体装置を製造
することができる。成形材料は半導体素子の封止の他に
電子部品、あるいは電気部品の封止また被覆・絶縁等に
も使用することができ、それらに優れた特性を付与する
ことができる。
て調製する場合の一般的方法は、前述のエポキシ樹脂、
ナフトール骨格を有するフェノール樹脂および無機質充
填剤その他を配合し、ミキサー等によって十分均一に混
合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニー
ダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ適当な
大きさに粉砕して成形材料とすることができる。この成
形材料を用いて半導体素子をセットした金型内にトラン
スファー注入して硬化させて本発明の半導体装置を製造
することができる。成形材料は半導体素子の封止の他に
電子部品、あるいは電気部品の封止また被覆・絶縁等に
も使用することができ、それらに優れた特性を付与する
ことができる。
【0016】
【作用】本発明の封止用樹脂組成物は、特定のエポキシ
樹脂とナフトール骨格を有するフェノール樹脂を用いる
ことによって、樹脂組成物のガラス転移温度が上昇し、
熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、半田リフ
ロー後の樹脂クラックの発生がなくなり耐湿性劣化が少
なくなるものである。
樹脂とナフトール骨格を有するフェノール樹脂を用いる
ことによって、樹脂組成物のガラス転移温度が上昇し、
熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、半田リフ
ロー後の樹脂クラックの発生がなくなり耐湿性劣化が少
なくなるものである。
【0017】
【実施例】次に本発明の実施例について説明するが、本
発明は以下の実施例に限定されるものではない。以下の
実施例および比較例において「%」とは「重量%」を意
味する。
発明は以下の実施例に限定されるものではない。以下の
実施例および比較例において「%」とは「重量%」を意
味する。
【0018】実施例1
前述した化4で示される特定のエポキシ樹脂17%、次
式に示したナフトール骨格を有するフェノール樹脂10
%
式に示したナフトール骨格を有するフェノール樹脂10
%
【0019】
【化6】
シリカ粉末72%、硬化促進剤 0.3%、エステルワ
ックス 0.3%およびシランカップリング剤 0.4
%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練し、冷却
した後、粉砕して成形材料(A)を製造した。
ックス 0.3%およびシランカップリング剤 0.4
%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練し、冷却
した後、粉砕して成形材料(A)を製造した。
【0020】実施例2
実施例1で用いたエポキシ樹脂17%および次式で示し
たナフトール骨格を有するフェノール樹脂10%、
たナフトール骨格を有するフェノール樹脂10%、
【0
021】
021】
【化7】
シリカ粉末72%、硬化促進剤 0.3%、エステルワ
ックス 0.3%およびシランカップリング剤 0.4
%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
ックス 0.3%およびシランカップリング剤 0.4
%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
【0022】比較例1
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂17%、ノ
ボラック型フェノール樹脂 8%、シリカ粉末74%、
硬化促進剤 0.3%、エステル系ワックス 0.3%
およびシランカップリング剤 0.4%を混合し、実施
例1と同様にして成形材料(C)を製造した。
ボラック型フェノール樹脂 8%、シリカ粉末74%、
硬化促進剤 0.3%、エステル系ワックス 0.3%
およびシランカップリング剤 0.4%を混合し、実施
例1と同様にして成形材料(C)を製造した。
【0023】比較例2
エピビス型エポキシ樹脂(エポキシ当量450 )20
%、ノボラック型フェノール樹脂 5%、シリカ粉末7
4%、硬化促進剤 0.3%、エステル系ワックス 0
.3%およびシランカップリング剤 0.4%を混合し
、実施例1と同様にして成形材料(D)を製造した。
%、ノボラック型フェノール樹脂 5%、シリカ粉末7
4%、硬化促進剤 0.3%、エステル系ワックス 0
.3%およびシランカップリング剤 0.4%を混合し
、実施例1と同様にして成形材料(D)を製造した。
【0024】こうして製造した成形材料(A)〜(D)
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー
注入し、硬化させて半導体素子を封止した半導体装置を
製造した。これらの半導体装置の諸特性を試験したので
その結果を表1に示したが、本発明の封止用樹脂組成物
および半導体装置は耐湿性、半田耐熱性に優れており、
本発明の顕著な効果を確認することができた。
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー
注入し、硬化させて半導体素子を封止した半導体装置を
製造した。これらの半導体装置の諸特性を試験したので
その結果を表1に示したが、本発明の封止用樹脂組成物
および半導体装置は耐湿性、半田耐熱性に優れており、
本発明の顕著な効果を確認することができた。
【0025】
【表1】(単位)
*1 :トランスファー成形によって直径50mm、厚
さ 3mmの成形品を作り、これを 127℃, 2.
5気圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増加した重量
によって測定した*2 :吸水率の場合と同様な成形品
を作り、 175℃で 8時間の後硬化を行い、適当な
大きさの試験片とし、熱機械分析装置を用いて測定した *3 :JIS−K−6911に準じて試験した*4
:成形材料を用いて、 2本以上のアルミニウム配線を
有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、 175℃で 2分間トランスファー成形し
た後、 175℃, 8時間後硬化を行った。こうして
得た成形品を予め、40℃,90%RH, 100時間
の吸湿処理した後、 250℃の半田浴に10秒間浸漬
した。その後、 127℃, 2.5気圧の飽和水蒸気
中でプレッシャークッカーテストを行い、アルミニウム
の腐食による断線を不良として評価した *5 : 8×8 mmダミーチップをQFP(14×
14×1.4 mm)パッケージに納め、成形材料を用
いて 175℃で 2分間トランスファー成形した後、
175℃, 8時間後硬化を行った。こうして製造し
た半導体装置を85℃,85%,24時間の吸湿処理を
した後 240℃の半田浴に 1分間浸漬した。その後
、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察し、外部樹脂クラ
ックの発生の有無を評価した。
さ 3mmの成形品を作り、これを 127℃, 2.
5気圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増加した重量
によって測定した*2 :吸水率の場合と同様な成形品
を作り、 175℃で 8時間の後硬化を行い、適当な
大きさの試験片とし、熱機械分析装置を用いて測定した *3 :JIS−K−6911に準じて試験した*4
:成形材料を用いて、 2本以上のアルミニウム配線を
有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、 175℃で 2分間トランスファー成形し
た後、 175℃, 8時間後硬化を行った。こうして
得た成形品を予め、40℃,90%RH, 100時間
の吸湿処理した後、 250℃の半田浴に10秒間浸漬
した。その後、 127℃, 2.5気圧の飽和水蒸気
中でプレッシャークッカーテストを行い、アルミニウム
の腐食による断線を不良として評価した *5 : 8×8 mmダミーチップをQFP(14×
14×1.4 mm)パッケージに納め、成形材料を用
いて 175℃で 2分間トランスファー成形した後、
175℃, 8時間後硬化を行った。こうして製造し
た半導体装置を85℃,85%,24時間の吸湿処理を
した後 240℃の半田浴に 1分間浸漬した。その後
、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察し、外部樹脂クラ
ックの発生の有無を評価した。
【0026】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明封止用樹脂組成物および半導体装置は、耐湿
性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極
の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生などを
著しく低減することができ、しかも長期間にわたって信
頼性を保証することができる。
に、本発明封止用樹脂組成物および半導体装置は、耐湿
性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極
の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生などを
著しく低減することができ、しかも長期間にわたって信
頼性を保証することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)次の式で示されるエポキシ樹脂
【化1】 (但し、式中nは 0又は 1以上の整数を表す)、(
B)ナフトール骨格を有するフェノール樹脂及び(C)
無機質充填剤 を必須成分とし、前記(C)無機質充填剤を樹脂組成物
に対して25〜90重量%の割合で含有してなることを
特徴とする封止用樹脂組成物。 - 【請求項2】 (A)次の式で示されるエポキシ樹脂
【化2】 (但し、式中nは 0又は 1以上の整数を表す)、(
B)ナフトール骨格を有するフェノール樹脂及び(C)
無機質充填剤 を必須成分とし、前記(C)無機質充填剤を樹脂組成物
に対して25〜90重量%の割合で含有した封止用樹脂
組成物の硬化物によって、半導体素子が封止されてなる
ことを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1584691A JPH04236215A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1584691A JPH04236215A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04236215A true JPH04236215A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11900189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1584691A Pending JPH04236215A (ja) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04236215A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230187A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH05230170A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
US7332557B2 (en) * | 2001-06-27 | 2008-02-19 | Tohto Kasei Co., Ltd. | Epoxy resin, epoxy resin composition thereof and cured product thereof |
-
1991
- 1991-01-16 JP JP1584691A patent/JPH04236215A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230187A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH05230170A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-09-07 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
US7332557B2 (en) * | 2001-06-27 | 2008-02-19 | Tohto Kasei Co., Ltd. | Epoxy resin, epoxy resin composition thereof and cured product thereof |
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