JPH06239970A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH06239970A JPH06239970A JP5007093A JP5007093A JPH06239970A JP H06239970 A JPH06239970 A JP H06239970A JP 5007093 A JP5007093 A JP 5007093A JP 5007093 A JP5007093 A JP 5007093A JP H06239970 A JPH06239970 A JP H06239970A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin composition
- resin
- inorganic filler
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、(A)ビス(グリシジルオキシ)
テトラメチルビフェニルであるビフェニル型エポキシ樹
脂、(B) 1,1′−メチレンビス(ジグリシジルオキシ
ナフタレン)であるナフタレン型四官能エポキシ樹脂、
(C)フェノール樹脂および(D)無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)の無機質充填
剤を25〜90重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組
成物であり、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物に
よって、半導体チップを封止した半導体封止装置であ
る。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置によれば、耐湿性、半田耐熱性に優れる。
テトラメチルビフェニルであるビフェニル型エポキシ樹
脂、(B) 1,1′−メチレンビス(ジグリシジルオキシ
ナフタレン)であるナフタレン型四官能エポキシ樹脂、
(C)フェノール樹脂および(D)無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)の無機質充填
剤を25〜90重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組
成物であり、また、このエポキシ樹脂組成物の硬化物に
よって、半導体チップを封止した半導体封止装置であ
る。 【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置によれば、耐湿性、半田耐熱性に優れる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐湿性、半田耐熱性に
優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関す
る。
優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されている。例えばフラットパ
ッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合
に、従来、リードピン毎に半田付けを行っていたが、最
近では半田浸漬方式や半田リフロー方式が採用されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂およびシリカ粉末からなる樹脂組成物によって封止
した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐湿
性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導体
装置を浸漬すると、封止樹脂と半導体チップ、あるいは
封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれや、内部樹脂
クラックが生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐
蝕による断線や水分によるリーク電流を生じ、その結
果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証することがで
きないという欠点があった。
【0004】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップ
あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれや、内
部樹脂クラックの発生がなく、また電極の腐蝕による断
線や水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を
保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を
提供しようとするものである。
されたもので、吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後
の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップ
あるいは封止樹脂とリードフレームの間の剥がれや、内
部樹脂クラックの発生がなく、また電極の腐蝕による断
線や水分によるリーク電流の発生もなく、長期信頼性を
保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を
提供しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、2 種類の特定
のエポキシ樹脂を併用し、さらにフェノール樹脂を用い
ることによって、耐湿性、半田耐熱性等に優れた樹脂組
成物が得られることを見いだし、本発明を完成したもの
である。
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、2 種類の特定
のエポキシ樹脂を併用し、さらにフェノール樹脂を用い
ることによって、耐湿性、半田耐熱性等に優れた樹脂組
成物が得られることを見いだし、本発明を完成したもの
である。
【0006】即ち、本発明は、(A)次の式で示される
ビフェニル型エポキシ樹脂、
ビフェニル型エポキシ樹脂、
【0007】
【化5】 (B)次の式で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹
脂、
脂、
【0008】
【化6】 (C)フェノール樹脂および(D)無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)の無機質充填
剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹脂
組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されてな
ることを特徴とする半導体封止装置である。
成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)の無機質充填
剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物である。また、このエポキシ樹脂
組成物の硬化物によって、半導体チップが封止されてな
ることを特徴とする半導体封止装置である。
【0009】以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂には、
次の式で示されるものが使用される。
次の式で示されるものが使用される。
【0011】
【化7】
【0012】本発明に用いる(B)ナフタレン型四官能
エポキシ樹脂は、次の式で示されるものが使用される。
エポキシ樹脂は、次の式で示されるものが使用される。
【0013】
【化8】
【0014】本発明に用いる(C)フェノール樹脂とし
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂およ
びこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチル
化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これらは
単独又は2 種以上混合して使用することができる。フェ
ノール樹脂の配合割合は、前記(A)および(B)のエ
ポキシ樹脂のエポキシ基(a )+(b )と(C)のフェ
ノール樹脂のフェノール性水酸基(c )とのモル比(c
)/[(a )+(b )]が0.1 〜10の範囲内であるこ
とが望ましい。モル比が0.1 未満もしくは10を超えると
耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が
悪くなり、いずれも好ましくない。
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはパラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂およ
びこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチル
化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これらは
単独又は2 種以上混合して使用することができる。フェ
ノール樹脂の配合割合は、前記(A)および(B)のエ
ポキシ樹脂のエポキシ基(a )+(b )と(C)のフェ
ノール樹脂のフェノール性水酸基(c )とのモル比(c
)/[(a )+(b )]が0.1 〜10の範囲内であるこ
とが望ましい。モル比が0.1 未満もしくは10を超えると
耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬化物の電気特性が
悪くなり、いずれも好ましくない。
【0015】本発明に用いる(C)無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm 以下の
シリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径30μm を超
えると耐湿性および成形性が劣り好ましくない。無機質
充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90
重量%含有するように配合することか好ましい。その割
合が25重量%未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田
浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μm 以下の
シリカ粉末が好ましく使用される。平均粒径30μm を超
えると耐湿性および成形性が劣り好ましくない。無機質
充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90
重量%含有するように配合することか好ましい。その割
合が25重量%未満では樹脂組成物の吸湿性が高く、半田
浸漬後の耐湿性に劣り、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。
【0016】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂および無機質充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等
の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シランカップ
リング剤、種々の硬化促進剤、ゴム系やシリコーン系の
低応力付与剤等を適宜添加配合することができる。
特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂および無機質充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類等の離型剤、三酸化アンチモン等
の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シランカップ
リング剤、種々の硬化促進剤、ゴム系やシリコーン系の
低応力付与剤等を適宜添加配合することができる。
【0017】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、前述した特定のエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、無機質充填剤およびその他
成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に混合した
後、さらに熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ等
による混合処理を行い、次いで冷却固化させ適当な大き
さに粉砕して成形材料とすることができる。こうして得
られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電子部品
或いは電気部品の封止・被覆・絶縁等に適用すれば優れ
た特性と信頼性を付与させることができる。
して調製する場合の一般的方法は、前述した特定のエポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、無機質充填剤およびその他
成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に混合した
後、さらに熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ等
による混合処理を行い、次いで冷却固化させ適当な大き
さに粉砕して成形材料とすることができる。こうして得
られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電子部品
或いは電気部品の封止・被覆・絶縁等に適用すれば優れ
た特性と信頼性を付与させることができる。
【0018】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等
による封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬
化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導
体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上
に加熱して硬化させることが望ましい。
【0019】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、2 種類の特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂
を用いることによって、樹脂組成物のガラス転移温度が
上昇し、熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、
半田リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿
性劣化が少なくなるものである。
装置は、2 種類の特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂
を用いることによって、樹脂組成物のガラス転移温度が
上昇し、熱機械的特性と低応力性が向上し、半田浸漬、
半田リフロー後の樹脂クラックの発生がなくなり、耐湿
性劣化が少なくなるものである。
【0020】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「%」とは「重
量%」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例および比較例において「%」とは「重
量%」を意味する。
【0021】実施例1 前記した化7のビフェニル型エポキシ樹脂1 %、前記し
たの化8のナフタレン型四官能エポキシ樹脂9 %、フェ
ノール樹脂4 %、シリカ粉末85%、硬化促進剤0.3%、
エステルワックス類 0.3%およびシランカップリング剤
0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料(A)を製造した。
たの化8のナフタレン型四官能エポキシ樹脂9 %、フェ
ノール樹脂4 %、シリカ粉末85%、硬化促進剤0.3%、
エステルワックス類 0.3%およびシランカップリング剤
0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練冷却した
後、粉砕して成形材料(A)を製造した。
【0022】実施例2 実施例1で用いたと同じ化7のビフェニル型エポキシ樹
脂 9%、化8で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹
脂1 %、フェノール樹脂4 %、シリカ粉末85%、硬化促
進剤 0.3%、エステルワックス類 0.3%およびシランカ
ップリング剤 0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で
混練冷却した後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
脂 9%、化8で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹
脂1 %、フェノール樹脂4 %、シリカ粉末85%、硬化促
進剤 0.3%、エステルワックス類 0.3%およびシランカ
ップリング剤 0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で
混練冷却した後、粉砕して成形材料(B)を製造した。
【0023】比較例1 o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂17%、ノボラッ
ク型フェノール樹脂 8%、シリカ粉末74%、硬化促進剤
0.3%、エステルワックス類 0.3%およびシランカップ
リング剤 0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料(C)を製造した。
ク型フェノール樹脂 8%、シリカ粉末74%、硬化促進剤
0.3%、エステルワックス類 0.3%およびシランカップ
リング剤 0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
冷却した後、粉砕して成形材料(C)を製造した。
【0024】比較例2 エピビス型エポキシ樹脂(エポキシ当量 450)20%、ノ
ボラック型フェノール樹脂 5%、シリカ粉末74%、硬化
促進剤 0.3%、エステルワックス類 0.3%およびシラン
カップリング剤 0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃
で混練冷却した後、粉砕して成形材料(D)を製造し
た。
ボラック型フェノール樹脂 5%、シリカ粉末74%、硬化
促進剤 0.3%、エステルワックス類 0.3%およびシラン
カップリング剤 0.4%を常温で混合し、さらに90〜95℃
で混練冷却した後、粉砕して成形材料(D)を製造し
た。
【0025】こうして製造した成形材料(A)〜(D)
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表1に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐
熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認すること
ができた。
を用いて 170℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表1に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐
熱性に優れており、本発明の顕著な効果を確認すること
ができた。
【0026】
【表1】 *1 :トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3mm
の成形品を作り、これを127 ℃, 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 *2 :吸水率の場合と同様な成形品を作り、175 ℃,8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 *3 :JIS−K−6911に準じて試験した。 *4 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、175 ℃,2 分間トランスファー成形した後、
175 ℃,8 時間の後硬化を行った。こうして得た成形品
を、予め40℃,95%RH,100 時間の吸湿処理した後、
250 ℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃,
2.5気圧の飽和水蒸気中でPCTを行い、アルミニウム
の腐蝕による50%断線を不良として評価した。 *5 :8 ×8mm ダミーチップをQFP(14×14× 1.4m
m)パッケージに納め、成形材料を用いて175 ℃,2 分
間トランスファー成形した後、175 ℃,8 時間の後硬化
を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃,85%,
24時間の吸湿処理した後、240 ℃の半田浴に 1分間浸漬
した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察し、
外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。
の成形品を作り、これを127 ℃, 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 *2 :吸水率の場合と同様な成形品を作り、175 ℃,8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 *3 :JIS−K−6911に準じて試験した。 *4 :成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップを、通常の42アロイフレーム
に接着し、175 ℃,2 分間トランスファー成形した後、
175 ℃,8 時間の後硬化を行った。こうして得た成形品
を、予め40℃,95%RH,100 時間の吸湿処理した後、
250 ℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃,
2.5気圧の飽和水蒸気中でPCTを行い、アルミニウム
の腐蝕による50%断線を不良として評価した。 *5 :8 ×8mm ダミーチップをQFP(14×14× 1.4m
m)パッケージに納め、成形材料を用いて175 ℃,2 分
間トランスファー成形した後、175 ℃,8 時間の後硬化
を行った。こうして得た半導体封止装置を85℃,85%,
24時間の吸湿処理した後、240 ℃の半田浴に 1分間浸漬
した。その後、実体顕微鏡でパッケージ表面を観察し、
外部樹脂クラックの発生の有無を評価した。
【0027】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少な
く、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発
生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわた
って信頼性を保証することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)次の式で示されるビフェニル型エ
ポキシ樹脂、 【化1】 (B)次の式で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹
脂、 【化2】 (C)フェノール樹脂および(D)無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)の無機質充填
剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とす
るエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項2】 (A)次の式で示されるビフェニル型エ
ポキシ樹脂、 【化3】 (B)次の式で示されるナフタレン型四官能エポキシ樹
脂、 【化4】 (C)フェノール樹脂および(D)無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記(D)の無機質充填
剤を25〜90重量%の割合で含有したエポキシ樹脂組成物
の硬化物によって、半導体チップが封止されてなること
を特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5007093A JPH06239970A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5007093A JPH06239970A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06239970A true JPH06239970A (ja) | 1994-08-30 |
Family
ID=12848746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5007093A Pending JPH06239970A (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06239970A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008059612A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5007093A patent/JPH06239970A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008059612A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
US8008410B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-08-30 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device |
JP5564793B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2014-08-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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