JPH09118739A - 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
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- JPH09118739A JPH09118739A JP27748195A JP27748195A JPH09118739A JP H09118739 A JPH09118739 A JP H09118739A JP 27748195 A JP27748195 A JP 27748195A JP 27748195 A JP27748195 A JP 27748195A JP H09118739 A JPH09118739 A JP H09118739A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸湿率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び
耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる封止用エポキ
シ樹脂組成物及びその組成物を用いた耐吸湿半田クラッ
ク性及び耐湿信頼性が改善された半導体装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂に、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を添加し
てなる封止用エポキシ樹脂組成物において、前記の一般
式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重
量％含有し、下記の一般式で示されるフェノール系樹
脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含
有し、かつ、無機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以
下の無機充填材を１０〜５０重量％含有し、球状の無機
充填材を２０〜１００重量％含有することを特徴とす
る。
耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる封止用エポキ
シ樹脂組成物及びその組成物を用いた耐吸湿半田クラッ
ク性及び耐湿信頼性が改善された半導体装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂に、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を添加し
てなる封止用エポキシ樹脂組成物において、前記の一般
式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重
量％含有し、下記の一般式で示されるフェノール系樹
脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含
有し、かつ、無機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以
下の無機充填材を１０〜５０重量％含有し、球状の無機
充填材を２０〜１００重量％含有することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品、電子部
品、半導体素子等を封止するための封止用エポキシ樹脂
組成物及びその組成物を用いた半導体装置に関するもの
である。
品、半導体素子等を封止するための封止用エポキシ樹脂
組成物及びその組成物を用いた半導体装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスター、集
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による樹
脂封止方法や、ガラス、金属、セラミックス等を用いた
ハーメチックシール法が採用されてきている。
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による樹
脂封止方法や、ガラス、金属、セラミックス等を用いた
ハーメチックシール法が採用されてきている。
【０００３】近年、信頼性の向上とともに大量生産やコ
ストの面でメリットのあるエポキシ樹脂を用いる封止法
においては、クレゾールノボラック型樹脂を樹脂成分と
し、かつ、フェノールノボラック型樹脂を硬化剤成分と
する組成物からなる成形材料が最も一般的に使用されて
いる。
ストの面でメリットのあるエポキシ樹脂を用いる封止法
においては、クレゾールノボラック型樹脂を樹脂成分と
し、かつ、フェノールノボラック型樹脂を硬化剤成分と
する組成物からなる成形材料が最も一般的に使用されて
いる。
【０００４】しかしながら、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化にともな
って、モールド樹脂の薄肉化が進んでおり、これまでの
エポキシ樹脂組成物では、必ずしも満足に対応すること
ができなくなっている。例えば、表面実装用デバイスに
おいては、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬され
る等、急激に高温苛酷環境下にさらされるため、パッケ
−ジクラックの発生が避けられない事情となっている。
すなわち、成形後の保管中に吸湿した水分が、高温にさ
らされる際に急激に気化膨張し封止樹脂がこれに耐えき
れずに半導体装置のパッケージにクラックが生じる。
の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化にともな
って、モールド樹脂の薄肉化が進んでおり、これまでの
エポキシ樹脂組成物では、必ずしも満足に対応すること
ができなくなっている。例えば、表面実装用デバイスに
おいては、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬され
る等、急激に高温苛酷環境下にさらされるため、パッケ
−ジクラックの発生が避けられない事情となっている。
すなわち、成形後の保管中に吸湿した水分が、高温にさ
らされる際に急激に気化膨張し封止樹脂がこれに耐えき
れずに半導体装置のパッケージにクラックが生じる。
【０００５】封止用樹脂組成物については、耐熱性、密
着性の向上等の検討がなされているが、これら特性、殊
に吸湿性の低減、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性
の改善については、いまだ満足できる状況にはない。
着性の向上等の検討がなされているが、これら特性、殊
に吸湿性の低減、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性
の改善については、いまだ満足できる状況にはない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の事情に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、吸湿
率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の良
好な半導体装置が得られる封止用エポキシ樹脂組成物及
びその組成物を用いた耐吸湿半田クラック性及び耐湿信
頼性が改善された半導体装置を提供することにある。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、吸湿
率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の良
好な半導体装置が得られる封止用エポキシ樹脂組成物及
びその組成物を用いた耐吸湿半田クラック性及び耐湿信
頼性が改善された半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、硬化剤、無機
充填材及び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹
脂組成物において、前記の一般式で示されるジシクロ
ペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂
の全量に対して２０〜１００重量％含有し、下記の一般
式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量
に対して２０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材
の全量に対して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜
５０重量％含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重
量％含有することを特徴とする。
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、硬化剤、無機
充填材及び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹
脂組成物において、前記の一般式で示されるジシクロ
ペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂
の全量に対して２０〜１００重量％含有し、下記の一般
式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量
に対して２０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材
の全量に対して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜
５０重量％含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重
量％含有することを特徴とする。
【０００８】
【化４】
【０００９】
【化５】
【００１０】本発明の請求項２に係るエポキシ樹脂組成
物は、前記の一般式で示されるイオン捕捉剤を含有す
ることを特徴とする。
物は、前記の一般式で示されるイオン捕捉剤を含有す
ることを特徴とする。
【００１１】
【化６】
【００１２】本発明の請求項３に係る半導体装置は、請
求項１又は請求項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物を
使用して半導体素子を封止してなる。
求項１又は請求項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物を
使用して半導体素子を封止してなる。
【００１３】以下、本発明を詳述する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に用いるエポキシ樹脂は、
前記一般式で示されるエポキシ樹脂を必須成分とす
る。この一般式の中の繰り返し単位数ｎは、０〜５の
整数である。この理由は、前記繰り返し単位数ｎが５を
越えると粘度が高くなり過ぎるためである。また、一般
式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重
量％含有する必要がある。この理由は、前記の一般式
で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ
樹脂がエポキシ樹脂の全量に対して２０重量％未満のと
きには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性が低下するためである。
前記一般式で示されるエポキシ樹脂を必須成分とす
る。この一般式の中の繰り返し単位数ｎは、０〜５の
整数である。この理由は、前記繰り返し単位数ｎが５を
越えると粘度が高くなり過ぎるためである。また、一般
式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重
量％含有する必要がある。この理由は、前記の一般式
で示されるジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ
樹脂がエポキシ樹脂の全量に対して２０重量％未満のと
きには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性が低下するためである。
【００１５】この一般式で示されるジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で、
本発明に用いることができるエポキシ樹脂としては、１
分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹
脂であれば、いずれのエポキシ樹脂でも用いることがで
き、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂及
びブロム含有エポキシ樹脂等がある。
エン骨格を有するエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で、
本発明に用いることができるエポキシ樹脂としては、１
分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹
脂であれば、いずれのエポキシ樹脂でも用いることがで
き、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂及
びブロム含有エポキシ樹脂等がある。
【００１６】また、本発明に用いる硬化剤は前記の一般
式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を必須成分とす
る硬化剤が使用され、この一般式の中の繰り返し単位
数ｍは０〜５の整数である。この理由は、前記繰り返し
単位数ｍが５を越えると粘度が高くなり過ぎるためであ
る。また、前記の一般式で示されるフェノール系樹脂
硬化剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含有
する必要がある。この理由は、前記の一般式で示され
るフェノール系樹脂硬化剤が硬化剤の全量に対して２０
重量％未満のときには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田ク
ラック性及び耐湿信頼性が低くなってしまうためであ
る。
式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を必須成分とす
る硬化剤が使用され、この一般式の中の繰り返し単位
数ｍは０〜５の整数である。この理由は、前記繰り返し
単位数ｍが５を越えると粘度が高くなり過ぎるためであ
る。また、前記の一般式で示されるフェノール系樹脂
硬化剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含有
する必要がある。この理由は、前記の一般式で示され
るフェノール系樹脂硬化剤が硬化剤の全量に対して２０
重量％未満のときには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田ク
ラック性及び耐湿信頼性が低くなってしまうためであ
る。
【００１７】前記の一般式で示されるフェノール系樹
脂硬化剤以外の硬化剤で本発明に用いることができる硬
化剤としては、１分子中にフェノール性水酸基を少なく
とも２個有するフェノール樹脂等の硬化剤であれば、い
ずれの硬化剤でも用いることができ、例えば、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及び多官
能フェノール樹脂等がある。
脂硬化剤以外の硬化剤で本発明に用いることができる硬
化剤としては、１分子中にフェノール性水酸基を少なく
とも２個有するフェノール樹脂等の硬化剤であれば、い
ずれの硬化剤でも用いることができ、例えば、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及び多官
能フェノール樹脂等がある。
【００１８】また、無機充填材として、溶融シリカ、結
晶シリカ、アルミナ及び窒化ケイ素等を用いることがで
き、この無機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以下の
無機充填材を１０〜５０重量％含有し、球状の無機充填
材を２０〜１００重量％含有する必要がある。すなわ
ち、粒径５μｍ以下の無機充填材の含有量が無機充填材
の全量に対して、１０重量％未満の場合には、耐吸湿半
田クラック性及び耐湿信頼性が低下し、５０重量％を越
える場合には、流動性が悪くなり、成形品に未充填が発
生し、球状の無機充填材の含有量が無機充填材の全量に
対して、２０重量％未満の場合には、吸湿率が大きく、
耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が低下する。
晶シリカ、アルミナ及び窒化ケイ素等を用いることがで
き、この無機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以下の
無機充填材を１０〜５０重量％含有し、球状の無機充填
材を２０〜１００重量％含有する必要がある。すなわ
ち、粒径５μｍ以下の無機充填材の含有量が無機充填材
の全量に対して、１０重量％未満の場合には、耐吸湿半
田クラック性及び耐湿信頼性が低下し、５０重量％を越
える場合には、流動性が悪くなり、成形品に未充填が発
生し、球状の無機充填材の含有量が無機充填材の全量に
対して、２０重量％未満の場合には、吸湿率が大きく、
耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が低下する。
【００１９】前記の一般式で示されるイオン捕捉剤を
含有するのが好ましく、封止用エポキシ樹脂組成物にイ
オン捕捉剤を含有することにより、耐湿信頼性が向上す
る。このイオン捕捉剤の含有量は、封止用エポキシ樹脂
組成物の全量に対して、１０重量％以下であることが、
より好ましい。すなわち、イオン捕捉剤の含有量は、封
止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、１０重量％を
越える場合には、成形時の流動性が悪くなる傾向にあ
る。
含有するのが好ましく、封止用エポキシ樹脂組成物にイ
オン捕捉剤を含有することにより、耐湿信頼性が向上す
る。このイオン捕捉剤の含有量は、封止用エポキシ樹脂
組成物の全量に対して、１０重量％以下であることが、
より好ましい。すなわち、イオン捕捉剤の含有量は、封
止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、１０重量％を
越える場合には、成形時の流動性が悪くなる傾向にあ
る。
【００２０】硬化促進剤として、ジアザビシクロウンデ
セン、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホ
ニウム、テトラフェニルボレート、イミダゾール及び３
級アミン等を用いることができる。また、必要に応じて
エポキシシラン等のカップリング剤、ブロム化エポキシ
樹脂及び三酸化アンチモン等の難燃剤、ブタジエン、ア
クリルニトリル、シリコーン等の可撓剤、ワックス等の
離型剤並びにカーボンブラック等の顔料等を用いること
ができる。
セン、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホ
ニウム、テトラフェニルボレート、イミダゾール及び３
級アミン等を用いることができる。また、必要に応じて
エポキシシラン等のカップリング剤、ブロム化エポキシ
樹脂及び三酸化アンチモン等の難燃剤、ブタジエン、ア
クリルニトリル、シリコーン等の可撓剤、ワックス等の
離型剤並びにカーボンブラック等の顔料等を用いること
ができる。
【００２１】このようにして、前記材料を配合、混合、
混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して封止用エポキシ
樹脂組成物を得る。さらに、この封止用エポキシ樹脂組
成物を使用して、圧縮成形、トランスファー成形、射出
成形等で半導体素子を封止して半導体装置を得るもので
ある。
混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して封止用エポキシ
樹脂組成物を得る。さらに、この封止用エポキシ樹脂組
成物を使用して、圧縮成形、トランスファー成形、射出
成形等で半導体素子を封止して半導体装置を得るもので
ある。
【００２２】以上の組成を用いることにより、吸湿率が
小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が改善さ
れた封止用エポキシ樹脂組成物及びその組成物を用いた
半導体装置を得ることができる。
小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が改善さ
れた封止用エポキシ樹脂組成物及びその組成物を用いた
半導体装置を得ることができる。
【００２３】以下、本発明の実施形態を実施例によって
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００２４】
【実施例】実施例１〜実施例８及び比較例１〜比較例８
の配合成分については、封止用エポキシ樹脂組成物の全
量に対して、充填材としてγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランでカップリング処理した溶融シリカを
７７．２重量％、硬化促進剤としてトリフェニルホスフ
ィンを０．１５重量％、難燃剤としてエポキシ当量４０
０のブロム化エポキシ樹脂１．４重量％及び三酸化アン
チモン２．１重量％、離型剤としてカルナバワックス
０．３重量％並びに顔料としてカーボンブラックを０．
２５重量％を含有したものを用いた。
の配合成分については、封止用エポキシ樹脂組成物の全
量に対して、充填材としてγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランでカップリング処理した溶融シリカを
７７．２重量％、硬化促進剤としてトリフェニルホスフ
ィンを０．１５重量％、難燃剤としてエポキシ当量４０
０のブロム化エポキシ樹脂１．４重量％及び三酸化アン
チモン２．１重量％、離型剤としてカルナバワックス
０．３重量％並びに顔料としてカーボンブラックを０．
２５重量％を含有したものを用いた。
【００２５】その他の配合成分は、下記の物質を実施例
１〜実施例８については表１に、比較例１〜比較例８に
ついては、表２に示したそれぞれの配合量で用いた。表
１及び表２に示した数値は、封止用エポキシ樹脂組成物
の全量に対するそれぞれの配合成分の含有量を重量％で
示したものである。
１〜実施例８については表１に、比較例１〜比較例８に
ついては、表２に示したそれぞれの配合量で用いた。表
１及び表２に示した数値は、封止用エポキシ樹脂組成物
の全量に対するそれぞれの配合成分の含有量を重量％で
示したものである。
【００２６】エポキシ樹脂（Ｅ１）として、エポキシ当
量２５７の前記の一般式で示されるジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂（大日本インキ化学工業
株式会社製：商品名ＥＸＡ７２００）を用いた。
量２５７の前記の一般式で示されるジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂（大日本インキ化学工業
株式会社製：商品名ＥＸＡ７２００）を用いた。
【００２７】エポキシ樹脂（Ｅ２）として、エポキシ当
量１９５のオルソ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（住友化学工業株式会社製：商品名ＥＳＣＮ１９５Ｘ
Ｌ）を用いた。
量１９５のオルソ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（住友化学工業株式会社製：商品名ＥＳＣＮ１９５Ｘ
Ｌ）を用いた。
【００２８】硬化剤（Ｈ１）として、水酸基当量１５５
で前記の一般式で示され、フェノール系樹脂硬化剤
（大日本インキ化学工業株式会社製：商品名ＥＸＢ６０
９５）を用いた。
で前記の一般式で示され、フェノール系樹脂硬化剤
（大日本インキ化学工業株式会社製：商品名ＥＸＢ６０
９５）を用いた。
【００２９】硬化剤（Ｈ２）として、水酸基当量１０４
のフェノールノボラック樹脂硬化剤（荒川化学工業株式
会社製：商品名タマノール７５４）を用いた。
のフェノールノボラック樹脂硬化剤（荒川化学工業株式
会社製：商品名タマノール７５４）を用いた。
【００３０】実施例８については、イオン捕捉剤として
前記の一般式で示されるイオン捕捉剤（東亜合成化学
工業株式会社製：商品名ＩＥＸ６００）を、イオン捕捉
剤を除いた封止用エポキシ樹脂組成物１００重量部に対
して０．５重量部を添加して用いた。
前記の一般式で示されるイオン捕捉剤（東亜合成化学
工業株式会社製：商品名ＩＥＸ６００）を、イオン捕捉
剤を除いた封止用エポキシ樹脂組成物１００重量部に対
して０．５重量部を添加して用いた。
【００３１】また、無機充填材の全量に対する、粒径５
μｍ以下の無機充填材の含有量をＲ／Ｍと称し、球状の
無機充填材の含有量をＱ／Ｍと称して表１及び表２に重
量％で示した。
μｍ以下の無機充填材の含有量をＲ／Ｍと称し、球状の
無機充填材の含有量をＱ／Ｍと称して表１及び表２に重
量％で示した。
【００３２】前記の各実施例及び、比較例において、前
記配合成分をミキサーで３分間均一に混合分散した後、
ロール温度１００〜１２０℃のミキシングロールで加
熱、溶融、混練した。この混０物を、冷却し、粉砕して
各封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
記配合成分をミキサーで３分間均一に混合分散した後、
ロール温度１００〜１２０℃のミキシングロールで加
熱、溶融、混練した。この混０物を、冷却し、粉砕して
各封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００３３】以上で得た各エポキシ樹脂組成物をトラン
スファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形圧力５
０ｋｇ／ｃｍ2 で半導体素子を封止成形して６０ＱＦＰ
ＴＥＧ（外形：１５ｍｍ×１９ｍｍ×ｔ２．４ｍｍ）
を得た。また、同じ成形条件で吸湿率測定用円板を得
た。
スファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形圧力５
０ｋｇ／ｃｍ2 で半導体素子を封止成形して６０ＱＦＰ
ＴＥＧ（外形：１５ｍｍ×１９ｍｍ×ｔ２．４ｍｍ）
を得た。また、同じ成形条件で吸湿率測定用円板を得
た。
【００３４】吸湿率、耐吸湿半田クラック及び耐湿信頼
性を測定した結果、表１及び表２に示す如く、実施例１
〜実施例８、比較例１〜比較例８より優れていることが
確認できた
性を測定した結果、表１及び表２に示す如く、実施例１
〜実施例８、比較例１〜比較例８より優れていることが
確認できた
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】表１及び表２において記載した測定値は、
次の方法により測定した。 （１）吸湿率 ＪＩＳ Ｋ ６９１１準じて作製した直径５０ｍｍ、厚
み３ｍｍの円板を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置し、７２時間後の重量変化を測定した。 （２）耐吸湿半田クラック ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、実体顕微鏡でクラックの有無を観察し、６
０ＱＦＰ１０個中でクラックが発生したパッケージの個
数を求めた。 （３）耐湿信頼性 ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）１
３３℃、相対湿度１００％の雰囲気に放置し、２００時
間及び５００時間後のアルミ回路のオープン不良（回路
断線）の有無を観察し、６０ＱＦＰ１０個中でオープン
不良が発生したパッケージの個数を求めた。
次の方法により測定した。 （１）吸湿率 ＪＩＳ Ｋ ６９１１準じて作製した直径５０ｍｍ、厚
み３ｍｍの円板を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置し、７２時間後の重量変化を測定した。 （２）耐吸湿半田クラック ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、実体顕微鏡でクラックの有無を観察し、６
０ＱＦＰ１０個中でクラックが発生したパッケージの個
数を求めた。 （３）耐湿信頼性 ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）１
３３℃、相対湿度１００％の雰囲気に放置し、２００時
間及び５００時間後のアルミ回路のオープン不良（回路
断線）の有無を観察し、６０ＱＦＰ１０個中でオープン
不良が発生したパッケージの個数を求めた。
【００３８】
【発明の効果】本発明の請求項１に係るエポキシ樹脂組
成物によると、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重
量％含有し、フェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に
対して２０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の
全量に対して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５
０重量％含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量
％含有するので、吸湿率が小さく、耐吸湿半田クラック
性及び耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
成物によると、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポ
キシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重
量％含有し、フェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に
対して２０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の
全量に対して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５
０重量％含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量
％含有するので、吸湿率が小さく、耐吸湿半田クラック
性及び耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
【００３９】本発明の請求項２に係るエポキシ樹脂組成
物によると、イオン捕捉剤を含有するので、さらに、耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
物によると、イオン捕捉剤を含有するので、さらに、耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
【００４０】また、本発明の請求項３に係る半導体装置
は、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が良好であ
り、有用である。
は、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が良好であ
り、有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 辻 隆行 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂に、硬化剤、無機充填材及
び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組成物
において、下記の一般式で示されるジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に
対して２０〜１００重量％含有し、下記の一般式で示
されるフェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して
２０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の全量に
対して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５０重量
％含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量％含有
することを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 下記の一般式で示されるイオン捕捉剤
を含有することを特徴とする請求項１記載の封止用エポ
キシ樹脂組成物。 【化３】 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の封止用エポ
キシ樹脂組成物を使用して半導体素子を封止してなる半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27748195A JPH09118739A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27748195A JPH09118739A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09118739A true JPH09118739A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17584201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27748195A Pending JPH09118739A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09118739A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002249546A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP27748195A patent/JPH09118739A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002249546A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
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