JPH09118740A - 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
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- JPH09118740A JPH09118740A JP27748295A JP27748295A JPH09118740A JP H09118740 A JPH09118740 A JP H09118740A JP 27748295 A JP27748295 A JP 27748295A JP 27748295 A JP27748295 A JP 27748295A JP H09118740 A JPH09118740 A JP H09118740A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸湿率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び
耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる封止用エポキ
シ樹脂組成物及びその組成物を用いた耐吸湿半田クラッ
ク性及び耐湿信頼性が改善された半導体装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂に、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を添加し
てなる封止用エポキシ樹脂組成物において、下記の一般
式で示されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を
エポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重量％含有
し、下記の一般式で示されるフェノール系樹脂硬化剤
を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含有し、か
つ、無機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以下の無機
充填材を１０〜５０重量％含有し、球状の無機充填材を
２０〜１００重量％含有することを特徴とする。
耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる封止用エポキ
シ樹脂組成物及びその組成物を用いた耐吸湿半田クラッ
ク性及び耐湿信頼性が改善された半導体装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂に、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を添加し
てなる封止用エポキシ樹脂組成物において、下記の一般
式で示されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を
エポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重量％含有
し、下記の一般式で示されるフェノール系樹脂硬化剤
を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含有し、か
つ、無機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以下の無機
充填材を１０〜５０重量％含有し、球状の無機充填材を
２０〜１００重量％含有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気部品、電子部品、
半導体素子等を封止するための封止用エポキシ樹脂組成
物及びその組成物を用いた半導体装置に関するものであ
る。
半導体素子等を封止するための封止用エポキシ樹脂組成
物及びその組成物を用いた半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスター、集
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による樹
脂封止方法や、ガラス、金属、セラミックス等を用いた
ハーメチックシール法が採用されてきているが、近年で
は、信頼性の向上とともに大量生産やコストの面でメリ
ットのあるエポキシ樹脂を用いる封止法においては、ク
レゾールノボラック型樹脂を樹脂成分とし、かつ、フェ
ノールノボラック型樹脂を硬化剤成分とする組成物から
なる成形材料が最も一般的に使用されている。
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による樹
脂封止方法や、ガラス、金属、セラミックス等を用いた
ハーメチックシール法が採用されてきているが、近年で
は、信頼性の向上とともに大量生産やコストの面でメリ
ットのあるエポキシ樹脂を用いる封止法においては、ク
レゾールノボラック型樹脂を樹脂成分とし、かつ、フェ
ノールノボラック型樹脂を硬化剤成分とする組成物から
なる成形材料が最も一般的に使用されている。
【０００３】しかしながら、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化にともな
って、モールド樹脂の薄肉化が進んでおり、これまでの
エポキシ樹脂組成物では、必ずしも満足に対応すること
ができなくなっている。例えば、表面実装用デバイスに
おいては、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬され
る等、急激に高温苛酷環境下にさらされるため、パッケ
−ジクラックの発生が避けられない事情となっている。
すなわち、成形後の保管中に吸湿した水分が、高温にさ
らされる際に急激に気化膨張し封止樹脂がこれに耐えき
れずに半導体装置のパッケージにクラックが生じる。
の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化にともな
って、モールド樹脂の薄肉化が進んでおり、これまでの
エポキシ樹脂組成物では、必ずしも満足に対応すること
ができなくなっている。例えば、表面実装用デバイスに
おいては、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬され
る等、急激に高温苛酷環境下にさらされるため、パッケ
−ジクラックの発生が避けられない事情となっている。
すなわち、成形後の保管中に吸湿した水分が、高温にさ
らされる際に急激に気化膨張し封止樹脂がこれに耐えき
れずに半導体装置のパッケージにクラックが生じる。
【０００４】封止用樹脂組成物については、耐熱性、密
着性の向上等の検討がなされているが、これら特性、殊
に吸湿性の低減、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性
の改善については、いまだ満足できる状況にはない。
着性の向上等の検討がなされているが、これら特性、殊
に吸湿性の低減、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性
の改善については、いまだ満足できる状況にはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の事情に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、吸湿
率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の良
好な半導体装置が得られる封止用エポキシ樹脂組成物及
びその組成物を用いた耐吸湿半田クラック性及び耐湿信
頼性が改善された半導体装置を提供することにある。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、吸湿
率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の良
好な半導体装置が得られる封止用エポキシ樹脂組成物及
びその組成物を用いた耐吸湿半田クラック性及び耐湿信
頼性が改善された半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、硬化剤、無機
充填材及び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹
脂組成物において、下記の一般式で示されるビフェニ
ル骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対
して２０〜１００重量％含有し、下記の一般式で示さ
れるフェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２
０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の全量に対
して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５０重量％
含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量％含有す
ることを特徴とする。
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、硬化剤、無機
充填材及び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹
脂組成物において、下記の一般式で示されるビフェニ
ル骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対
して２０〜１００重量％含有し、下記の一般式で示さ
れるフェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２
０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の全量に対
して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５０重量％
含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量％含有す
ることを特徴とする。
【０００７】
【化４】
【０００８】
【化５】
【０００９】本発明の請求項２に係るエポキシ樹脂組成
物は、下記の一般式で示されるイオン捕捉剤を含有す
ることを特徴とする。
物は、下記の一般式で示されるイオン捕捉剤を含有す
ることを特徴とする。
【００１０】
【化６】
【００１１】本発明の請求項３に係る半導体装置は、請
求項１又は請求項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物を
使用して半導体素子を封止してなる。
求項１又は請求項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物を
使用して半導体素子を封止してなる。
【００１２】以下、本発明を詳述する。本発明に用いる
エポキシ樹脂は、前記一般式で示されるエポキシ樹脂
を必須成分とする。前記一般式の中の繰り返し単位数
ｍは、０〜５の整数である。この理由は、前記繰り返し
単位数ｍが５を越えると粘度が高くなり過ぎるためであ
る。また、前記の一般式で示されるビフェニル骨格を
有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０
〜１００重量％含有する必要がある。この理由は、前記
の一般式で示されるビフェニル骨格を有するエポキシ
樹脂がエポキシ樹脂の全量に対して２０重量％未満のと
きには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性が低下するためである。
エポキシ樹脂は、前記一般式で示されるエポキシ樹脂
を必須成分とする。前記一般式の中の繰り返し単位数
ｍは、０〜５の整数である。この理由は、前記繰り返し
単位数ｍが５を越えると粘度が高くなり過ぎるためであ
る。また、前記の一般式で示されるビフェニル骨格を
有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０
〜１００重量％含有する必要がある。この理由は、前記
の一般式で示されるビフェニル骨格を有するエポキシ
樹脂がエポキシ樹脂の全量に対して２０重量％未満のと
きには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性が低下するためである。
【００１３】前記の一般式で示されるビフェニル骨格
を有するエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で本発明に用
いることができるエポキシ樹脂としては、１分子中にエ
ポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹脂であれ
ば、いずれのエポキシ樹脂でも用いることができ、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂及びブロム含
有エポキシ樹脂等がある。
を有するエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で本発明に用
いることができるエポキシ樹脂としては、１分子中にエ
ポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹脂であれ
ば、いずれのエポキシ樹脂でも用いることができ、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂及びブロム含
有エポキシ樹脂等がある。
【００１４】また、本発明に用いる硬化剤は、前記の一
般式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を必須成分と
する。前記一般式の中の繰り返し単位数ｎは、０〜５
の整数である。この理由は、前記繰り返し単位数ｎが５
を越えると粘度が高くなり過ぎるためである。また、前
記の一般式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を硬化
剤の全量に対して２０〜１００重量％含有する必要があ
る。この理由は、前記の一般式で示されるフェノール
系樹脂硬化剤が硬化剤の全量に対して２０重量％未満の
ときには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田クラック性及び
耐湿信頼性が低くなってしまうためである。
般式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を必須成分と
する。前記一般式の中の繰り返し単位数ｎは、０〜５
の整数である。この理由は、前記繰り返し単位数ｎが５
を越えると粘度が高くなり過ぎるためである。また、前
記の一般式で示されるフェノール系樹脂硬化剤を硬化
剤の全量に対して２０〜１００重量％含有する必要があ
る。この理由は、前記の一般式で示されるフェノール
系樹脂硬化剤が硬化剤の全量に対して２０重量％未満の
ときには、吸湿率が大きく、耐吸湿半田クラック性及び
耐湿信頼性が低くなってしまうためである。
【００１５】前記の一般式で示されるフェノール系樹
脂硬化剤以外の硬化剤で本発明に用いることができる硬
化剤としては、１分子中にフェノール性水酸基を少なく
とも２個有するフェノール樹脂等の硬化剤であれば、い
ずれの硬化剤でも用いることができ、例えば、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及び多官
能フェノール樹脂等がある。
脂硬化剤以外の硬化剤で本発明に用いることができる硬
化剤としては、１分子中にフェノール性水酸基を少なく
とも２個有するフェノール樹脂等の硬化剤であれば、い
ずれの硬化剤でも用いることができ、例えば、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及び多官
能フェノール樹脂等がある。
【００１６】無機充填材として、溶融シリカ、結晶シリ
カ、アルミナ及び窒化ケイ素等を用いることができ、無
機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以下の無機充填材
を１０〜５０重量％含有し、球状の無機充填材を２０〜
１００重量％含有する必要がある。すなわち、粒径５μ
ｍ以下の無機充填材の含有量が無機充填材の全量に対し
て、１０重量％未満の場合には、耐吸湿半田クラック性
及び耐湿信頼性が低下し、５０重量％を越える場合に
は、流動性が悪くなり、成形品に未充填が発生し、球状
の無機充填材の含有量が無機充填材の全量に対して、２
０重量％未満の場合には、吸湿率が大きく、耐吸湿半田
クラック性及び耐湿信頼性が低下する。
カ、アルミナ及び窒化ケイ素等を用いることができ、無
機充填材の全量に対して、粒径５μｍ以下の無機充填材
を１０〜５０重量％含有し、球状の無機充填材を２０〜
１００重量％含有する必要がある。すなわち、粒径５μ
ｍ以下の無機充填材の含有量が無機充填材の全量に対し
て、１０重量％未満の場合には、耐吸湿半田クラック性
及び耐湿信頼性が低下し、５０重量％を越える場合に
は、流動性が悪くなり、成形品に未充填が発生し、球状
の無機充填材の含有量が無機充填材の全量に対して、２
０重量％未満の場合には、吸湿率が大きく、耐吸湿半田
クラック性及び耐湿信頼性が低下する。
【００１７】前記の一般式で示されるイオン捕捉剤を
も含有するのが好ましく、封止用エポキシ樹脂組成物に
イオン捕捉剤を含有することにより、耐湿信頼性が向上
する。このイオン捕捉剤の含有量は、封止用エポキシ樹
脂組成物の全量に対して、１０重量％以下であること
が、より好ましい。すなわち、イオン捕捉剤の含有量
は、封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、１０重
量％を越える場合には、成形時の流動性が悪くなる傾向
にある。
も含有するのが好ましく、封止用エポキシ樹脂組成物に
イオン捕捉剤を含有することにより、耐湿信頼性が向上
する。このイオン捕捉剤の含有量は、封止用エポキシ樹
脂組成物の全量に対して、１０重量％以下であること
が、より好ましい。すなわち、イオン捕捉剤の含有量
は、封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対して、１０重
量％を越える場合には、成形時の流動性が悪くなる傾向
にある。
【００１８】硬化促進剤として、ジアザビシクロウンデ
セン、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホ
ニウム、テトラフェニルボレート、イミダゾール及び３
級アミン等を用いることができる。また、必要に応じて
エポキシシラン等のカップリング剤、ブロム化エポキシ
樹脂及び三酸化アンチモン等の難燃剤、シリコーン可撓
剤、ワックス等の離型剤並びにカーボンブラック等の顔
料等を用いることができる。
セン、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホ
ニウム、テトラフェニルボレート、イミダゾール及び３
級アミン等を用いることができる。また、必要に応じて
エポキシシラン等のカップリング剤、ブロム化エポキシ
樹脂及び三酸化アンチモン等の難燃剤、シリコーン可撓
剤、ワックス等の離型剤並びにカーボンブラック等の顔
料等を用いることができる。
【００１９】このようにして、前記材料を配合、混合、
混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して封止用エポキシ
樹脂組成物を得る。さらに、この封止用エポキシ樹脂組
成物を使用して、圧縮成形、トランスファー成形、射出
成形等で半導体素子を封止して半導体装置を得るもので
ある。
混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して封止用エポキシ
樹脂組成物を得る。さらに、この封止用エポキシ樹脂組
成物を使用して、圧縮成形、トランスファー成形、射出
成形等で半導体素子を封止して半導体装置を得るもので
ある。
【００２０】以上の組成により、吸湿率が小さく、耐吸
湿半田クラック性及び耐湿信頼性が改善された封止用エ
ポキシ樹脂組成物及びその組成物を用いた半導体装置を
得ることができる。
湿半田クラック性及び耐湿信頼性が改善された封止用エ
ポキシ樹脂組成物及びその組成物を用いた半導体装置を
得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【００２２】実施例１〜実施例８及び比較例１〜比較例
８の配合成分については、封止用エポキシ樹脂組成物の
全量に対して、充填材としてγ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシランでカップリング処理した溶融シリカ
を７７．２重量％、硬化促進剤としてトリフェニルホス
フィンを０．１５重量％、難燃剤としてエポキシ当量４
００のブロム化エポキシ樹脂１．４重量％及び三酸化ア
ンチモン２．１重量％、離型剤としてカルナバワックス
０．３重量％並びに顔料としてカーボンブラックを０．
２５重量％を含有したものを用いた。
８の配合成分については、封止用エポキシ樹脂組成物の
全量に対して、充填材としてγ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシランでカップリング処理した溶融シリカ
を７７．２重量％、硬化促進剤としてトリフェニルホス
フィンを０．１５重量％、難燃剤としてエポキシ当量４
００のブロム化エポキシ樹脂１．４重量％及び三酸化ア
ンチモン２．１重量％、離型剤としてカルナバワックス
０．３重量％並びに顔料としてカーボンブラックを０．
２５重量％を含有したものを用いた。
【００２３】その他の配合成分は、下記の物質を実施例
１〜実施例８については表１に、比較例１〜比較例８に
ついては、表２に示したそれぞれの配合量で用いた。表
１及び表２に示した数値は、それぞれの配合成分の重量
部を示したものである。
１〜実施例８については表１に、比較例１〜比較例８に
ついては、表２に示したそれぞれの配合量で用いた。表
１及び表２に示した数値は、それぞれの配合成分の重量
部を示したものである。
【００２４】エポキシ樹脂（Ｅ１）として、エポキシ当
量１９５の前記の一般式で示されるビフェニル骨格を
有するエポキシ樹脂（油化シェル株式会社製：商品名Ｙ
Ｘ４０００Ｈ）を用いた。
量１９５の前記の一般式で示されるビフェニル骨格を
有するエポキシ樹脂（油化シェル株式会社製：商品名Ｙ
Ｘ４０００Ｈ）を用いた。
【００２５】エポキシ樹脂（Ｅ２）として、エポキシ当
量１９５のオルソ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（住友化学工業株式会社製：商品名ＥＳＣＮ１９５Ｘ
Ｌ）を用いた。
量１９５のオルソ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（住友化学工業株式会社製：商品名ＥＳＣＮ１９５Ｘ
Ｌ）を用いた。
【００２６】硬化剤（Ｈ１）として、水酸基当量１８０
で前記の一般式で示され、一般式中のＲがＨである
シンクロペンタジェン系樹脂硬化剤（三井東圧化学株式
会社製：商品名ＤＥＲ５０００）を用いた。
で前記の一般式で示され、一般式中のＲがＨである
シンクロペンタジェン系樹脂硬化剤（三井東圧化学株式
会社製：商品名ＤＥＲ５０００）を用いた。
【００２７】硬化剤（Ｈ２）として、水酸基当量１０４
のフェノールノボラック樹脂硬化剤（荒川化学工業株式
会社製：商品名タマノール７５４）を用いた。
のフェノールノボラック樹脂硬化剤（荒川化学工業株式
会社製：商品名タマノール７５４）を用いた。
【００２８】実施例８については、イオン捕捉剤として
前記の一般式で示されるイオン捕捉剤（東亜合成化学
工業株式会社製：商品名ＩＥＸ６００）を、イオン捕捉
剤を除いた封止用エポキシ樹脂組成物１００重量部に対
して０．５重量部を添加して用いた。
前記の一般式で示されるイオン捕捉剤（東亜合成化学
工業株式会社製：商品名ＩＥＸ６００）を、イオン捕捉
剤を除いた封止用エポキシ樹脂組成物１００重量部に対
して０．５重量部を添加して用いた。
【００２９】また、無機充填材の全量に対する、粒径５
μｍ以下の無機充填材の含有量をＲ／Ｍと称し、球状の
無機充填材の含有量をＱ／Ｍと称して表１及び表２に重
量％で示した。
μｍ以下の無機充填材の含有量をＲ／Ｍと称し、球状の
無機充填材の含有量をＱ／Ｍと称して表１及び表２に重
量％で示した。
【００３０】前記の各実施例及び、比較例において、前
記配合成分をミキサーで３分間均一に混合分散した後、
ロール温度１００〜１２０℃のミキシングロールで加
熱、溶融、混練した。この混練物を、冷却し、粉砕して
各封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
記配合成分をミキサーで３分間均一に混合分散した後、
ロール温度１００〜１２０℃のミキシングロールで加
熱、溶融、混練した。この混練物を、冷却し、粉砕して
各封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００３１】以上で得た各エポキシ樹脂組成物をトラン
スファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形圧力５
０ｋｇ／ｃｍ2 で半導体素子を封止成形して６０ＱＦＰ
ＴＥＧ（外形：１５ｍｍ×１９ｍｍ×ｔ２．４ｍｍ）
を得た。また、同じ成形条件で吸湿率測定用円板を得
た。
スファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形圧力５
０ｋｇ／ｃｍ2 で半導体素子を封止成形して６０ＱＦＰ
ＴＥＧ（外形：１５ｍｍ×１９ｍｍ×ｔ２．４ｍｍ）
を得た。また、同じ成形条件で吸湿率測定用円板を得
た。
【００３２】吸湿率、耐吸湿半田クラック及び耐湿信頼
性を測定した結果、表１及び表２に示したように実施例
１〜実施例８は、比較例１〜比較例８より優れているこ
とが確認できた
性を測定した結果、表１及び表２に示したように実施例
１〜実施例８は、比較例１〜比較例８より優れているこ
とが確認できた
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】表１及び表２において記載した測定値は、
次の方法によった。 （１）吸湿率 ＪＩＳ Ｋ ６９１１準じて作製した直径５０ｍｍ、厚
み３ｍｍの円板を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置し、７２時間後の重量変化を測定した。 （２）耐吸湿半田クラック ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、実体顕微鏡でクラックの有無を観察し、６
０ＱＦＰ１０個中でクラックが発生したパッケージの個
数を求めた。 （３）耐湿信頼性 ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）１
３３℃、相対湿度１００％の雰囲気に放置し、２００時
間及び５００時間後のアルミ回路のオープン不良（回路
断線）の有無を観察し、６０ＱＦＰ１０個中でオープン
不良が発生したパッケージの個数を求めた。
次の方法によった。 （１）吸湿率 ＪＩＳ Ｋ ６９１１準じて作製した直径５０ｍｍ、厚
み３ｍｍの円板を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置し、７２時間後の重量変化を測定した。 （２）耐吸湿半田クラック ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、実体顕微鏡でクラックの有無を観察し、６
０ＱＦＰ１０個中でクラックが発生したパッケージの個
数を求めた。 （３）耐湿信頼性 ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）１
３３℃、相対湿度１００％の雰囲気に放置し、２００時
間及び５００時間後のアルミ回路のオープン不良（回路
断線）の有無を観察し、６０ＱＦＰ１０個中でオープン
不良が発生したパッケージの個数を求めた。
【００３６】
【発明の効果】本発明の請求項１に係るエポキシ樹脂組
成物によると、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を
エポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重量％含有
し、フェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２
０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の全量に対
して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５０重量％
含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量％含有す
るので、吸湿率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
成物によると、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂を
エポキシ樹脂の全量に対して２０〜１００重量％含有
し、フェノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２
０〜１００重量％含有し、かつ、無機充填材の全量に対
して、粒径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５０重量％
含有し、球状の無機充填材を２０〜１００重量％含有す
るので、吸湿率が小さく、耐吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
【００３７】本発明の請求項２に係るエポキシ樹脂組成
物によると、イオン捕捉剤を含有するので、さらに、耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
物によると、イオン捕捉剤を含有するので、さらに、耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
【００３８】また、本発明の請求項３に係る半導体装置
は、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が良好であ
り、有用である。
は、耐吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性が良好であ
り、有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 辻 隆行 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂に、硬化剤、無機充填材及
び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組成物
において、下記の一般式で示されるビフェニル骨格を
有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して２０
〜１００重量％含有し、下記の一般式で示されるフェ
ノール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２０〜１０
０重量％含有し、かつ、無機充填材の全量に対して、粒
径５μｍ以下の無機充填材を１０〜５０重量％含有し、
球状の無機充填材を２０〜１００重量％含有することを
特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 下記の一般式で示されるイオン捕捉剤
を含有することを特徴とする請求項１記載の封止用エポ
キシ樹脂組成物。 【化３】 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の封止用エポ
キシ樹脂組成物を使用して半導体素子を封止してなる半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27748295A JPH09118740A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27748295A JPH09118740A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09118740A true JPH09118740A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17584216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27748295A Pending JPH09118740A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09118740A (ja) |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP27748295A patent/JPH09118740A/ja active Pending
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