JPH07258386A - 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置Info
- Publication number
- JPH07258386A JPH07258386A JP4896594A JP4896594A JPH07258386A JP H07258386 A JPH07258386 A JP H07258386A JP 4896594 A JP4896594 A JP 4896594A JP 4896594 A JP4896594 A JP 4896594A JP H07258386 A JPH07258386 A JP H07258386A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- curing agent
- semiconductor device
- resin composition
- composition
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸湿率が小さく、吸湿半田クラック性及び耐
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる封止用エポキシ
樹脂組成物及びその組成物を使用した吸湿半田クラック
性及び耐湿信頼性が改善された半導体装置を提供する。 【構成】 エポキシ樹脂に、硬化剤、充填剤及び硬化促
進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂と
ナフトール系樹脂硬化剤とを含む。また、半導体装置
が、上記封止用エポキシ樹脂組成物を使用して半導体素
子を封止してなる。
湿信頼性の良好な半導体装置が得られる封止用エポキシ
樹脂組成物及びその組成物を使用した吸湿半田クラック
性及び耐湿信頼性が改善された半導体装置を提供する。 【構成】 エポキシ樹脂に、硬化剤、充填剤及び硬化促
進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂と
ナフトール系樹脂硬化剤とを含む。また、半導体装置
が、上記封止用エポキシ樹脂組成物を使用して半導体素
子を封止してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気部品、電子部品、
半導体素子等を封止するための封止用エポキシ樹脂組成
物及びその組成物を使用した半導体装置に関するもので
ある。
半導体素子等を封止するための封止用エポキシ樹脂組成
物及びその組成物を使用した半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスター、集
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による樹
脂封止方法や、ガラス、金属、セラミックス等を用いた
ハーメチックシール法が採用されてきているが、近年で
は、信頼性の向上とともに大量生産やコストの面でメリ
ットのあるエポキシ樹脂を用いる封止法においては、ク
レゾールノボラック型樹脂を樹脂成分とし、かつ、フェ
ノールノボラック型樹脂を硬化剤成分とする組成物から
なる成形材料が最も一般的に使用されている。
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂やシリコン樹脂等による樹
脂封止方法や、ガラス、金属、セラミックス等を用いた
ハーメチックシール法が採用されてきているが、近年で
は、信頼性の向上とともに大量生産やコストの面でメリ
ットのあるエポキシ樹脂を用いる封止法においては、ク
レゾールノボラック型樹脂を樹脂成分とし、かつ、フェ
ノールノボラック型樹脂を硬化剤成分とする組成物から
なる成形材料が最も一般的に使用されている。
【０００３】しかしながら、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化にともな
って、モールド樹脂の薄肉化が進んでおり、これまでの
エポキシ樹脂組成物では、必ずしも満足に対応すること
ができなくなっている。例えば、表面実装用デバイスに
おいては、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬され
る等、急激に高温苛酷環境下にさらされるため、パッケ
−ジクラックの発生が避けられない事情となっている。
すなわち、成形後の保管中に吸湿した水分が、高温にさ
らされる際に急激に気化膨張し封止樹脂がこれに耐えき
れずに半導体装置のパッケージにクラックが生じる。
の電子部品や半導体装置の高密度化、高集積化にともな
って、モールド樹脂の薄肉化が進んでおり、これまでの
エポキシ樹脂組成物では、必ずしも満足に対応すること
ができなくなっている。例えば、表面実装用デバイスに
おいては、実装時にデバイス自身が半田に直接浸漬され
る等、急激に高温苛酷環境下にさらされるため、パッケ
−ジクラックの発生が避けられない事情となっている。
すなわち、成形後の保管中に吸湿した水分が、高温にさ
らされる際に急激に気化膨張し封止樹脂がこれに耐えき
れずに半導体装置のパッケージにクラックが生じる。
【０００４】封止用樹脂組成物については、耐熱性、密
着性の向上等の検討がなされているが、これら特性、殊
に吸湿性の低減、吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の
改善については、いまだ満足できる状況にはない。
着性の向上等の検討がなされているが、これら特性、殊
に吸湿性の低減、吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の
改善については、いまだ満足できる状況にはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、吸湿
率が小さく、吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の良好
な半導体装置が得られる封止用エポキシ樹脂組成物及び
その組成物を使用した吸湿半田クラック性及び耐湿信頼
性が改善された半導体装置を提供することにある。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、吸湿
率が小さく、吸湿半田クラック性及び耐湿信頼性の良好
な半導体装置が得られる封止用エポキシ樹脂組成物及び
その組成物を使用した吸湿半田クラック性及び耐湿信頼
性が改善された半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、硬化剤、充填
剤及び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組
成物において、下記の一般式で示されるジシクロペン
タジエン骨格を有するエポキシ樹脂と下記の一般式で
示されるナフトール系樹脂硬化剤とを含むことを特徴と
する封止用エポキシ樹脂組成物。
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、硬化剤、充填
剤及び硬化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組
成物において、下記の一般式で示されるジシクロペン
タジエン骨格を有するエポキシ樹脂と下記の一般式で
示されるナフトール系樹脂硬化剤とを含むことを特徴と
する封止用エポキシ樹脂組成物。
【０００７】
【化３】
【０００８】
【化４】
【０００９】本発明の請求項２に係るエポキシ樹脂組成
物は、上記の一般式で示されるジシクロペンタジエン
骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対し
て３０〜１００重量％含有することを特徴とする。
物は、上記の一般式で示されるジシクロペンタジエン
骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対し
て３０〜１００重量％含有することを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３に係るエポキシ樹脂組成
物は、上記の一般式で示されるナフトール系樹脂硬化
剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含有する
ことを特徴とする。
物は、上記の一般式で示されるナフトール系樹脂硬化
剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％含有する
ことを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項４に係る半導体装置は、請
求項１乃至請求項３記載の封止用エポキシ樹脂組成物を
使用して半導体素子を封止してなることを特徴とする。
求項１乃至請求項３記載の封止用エポキシ樹脂組成物を
使用して半導体素子を封止してなることを特徴とする。
【００１２】以下、本発明を詳述する。本発明に用いる
エポキシ樹脂は、上記一般式で示されるエポキシ樹脂
を必須成分とする。
エポキシ樹脂は、上記一般式で示されるエポキシ樹脂
を必須成分とする。
【００１３】上記一般式の中の繰り返し単位数ｎは、
０を含む正数であり、平均値で０〜５であることが好ま
しい。この理由は、上記繰り返し単位数ｎが平均値で５
を越えると粘度が高くなり過ぎるためである。また、上
記の一般式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有
するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して３０〜
１００重量％含有するのが好ましい。この理由は、上記
の一般式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有す
るエポキシ樹脂がエポキシ樹脂の全量に対して３０重量
％未満のときには、吸湿半田クラック性の改善効果が低
くなってしまうためである。
０を含む正数であり、平均値で０〜５であることが好ま
しい。この理由は、上記繰り返し単位数ｎが平均値で５
を越えると粘度が高くなり過ぎるためである。また、上
記の一般式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有
するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全量に対して３０〜
１００重量％含有するのが好ましい。この理由は、上記
の一般式で示されるジシクロペンタジエン骨格を有す
るエポキシ樹脂がエポキシ樹脂の全量に対して３０重量
％未満のときには、吸湿半田クラック性の改善効果が低
くなってしまうためである。
【００１４】上記の一般式で示されるジシクロペンタ
ジエン骨格を有するエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で
本発明に用いることができるエポキシ樹脂としては、１
分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹
脂であれば、いずれのエポキシ樹脂でも用いることがで
き、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂及
びブロム含有エポキシ樹脂等がある。
ジエン骨格を有するエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂で
本発明に用いることができるエポキシ樹脂としては、１
分子中にエポキシ基を少なくとも２個有するエポキシ樹
脂であれば、いずれのエポキシ樹脂でも用いることがで
き、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂及
びブロム含有エポキシ樹脂等がある。
【００１５】また、本発明に用いる硬化剤は、上記の一
般式で示されるナフトール系樹脂硬化剤を必須成分と
する。
般式で示されるナフトール系樹脂硬化剤を必須成分と
する。
【００１６】上記一般式の中の繰り返し単位数ｍは、
正数であり、平均値で１〜５であることが好ましい。こ
の理由は、上記繰り返し単位数ｍが平均値で５を越える
と粘度が高くなり過ぎるためである。また、上記の一般
式で示されるナフトール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量
に対して２０〜１００重量％含有するのが好ましい。こ
の理由は、上記の一般式で示されるナフトール系樹脂
硬化剤が硬化剤の全量に対して２０重量％未満のときに
は、吸湿半田クラック性の改善効果が低くなってしま
う。
正数であり、平均値で１〜５であることが好ましい。こ
の理由は、上記繰り返し単位数ｍが平均値で５を越える
と粘度が高くなり過ぎるためである。また、上記の一般
式で示されるナフトール系樹脂硬化剤を硬化剤の全量
に対して２０〜１００重量％含有するのが好ましい。こ
の理由は、上記の一般式で示されるナフトール系樹脂
硬化剤が硬化剤の全量に対して２０重量％未満のときに
は、吸湿半田クラック性の改善効果が低くなってしま
う。
【００１７】上記の一般式で示されるナフトール系樹
脂硬化剤以外の硬化剤で本発明に用いることができる硬
化剤としては、１分子中にフェノール性水酸基を少なく
とも２個有するフェノール樹脂等の硬化剤であれば、い
ずれの硬化剤でも用いることができ、例えば、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及び多官
能フェノール樹脂等がある。
脂硬化剤以外の硬化剤で本発明に用いることができる硬
化剤としては、１分子中にフェノール性水酸基を少なく
とも２個有するフェノール樹脂等の硬化剤であれば、い
ずれの硬化剤でも用いることができ、例えば、フェノー
ルノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂及び多官
能フェノール樹脂等がある。
【００１８】そして、充填材として、溶融シリカ、結晶
シリカ、アルミナ及び窒化ケイ素等を用いることがで
き、硬化促進剤として、ジアザビシクロウンデセン、ト
リフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム、
テトラフェニルボレート、イミダゾール及び３級アミン
等を用いることができる。また、必要に応じてエポキシ
シラン等のカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂及び
三酸化アンチモン等の難燃剤、シリコーン可撓剤、ワッ
クス等の離型剤並びにカーボンブラック等の顔料等を用
いることができる。
シリカ、アルミナ及び窒化ケイ素等を用いることがで
き、硬化促進剤として、ジアザビシクロウンデセン、ト
リフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム、
テトラフェニルボレート、イミダゾール及び３級アミン
等を用いることができる。また、必要に応じてエポキシ
シラン等のカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂及び
三酸化アンチモン等の難燃剤、シリコーン可撓剤、ワッ
クス等の離型剤並びにカーボンブラック等の顔料等を用
いることができる。
【００１９】このようにして、上記材料を配合、混合、
混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して封止用エポキシ
樹脂組成物を得る。さらに、この封止用エポキシ樹脂組
成物を使用して、圧縮成形、トランスファー成形、射出
成形等で半導体素子を封止して半導体装置を得るもので
ある。
混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して封止用エポキシ
樹脂組成物を得る。さらに、この封止用エポキシ樹脂組
成物を使用して、圧縮成形、トランスファー成形、射出
成形等で半導体素子を封止して半導体装置を得るもので
ある。
【００２０】以上の組成により、吸湿率が小さく、吸湿
半田クラック性及び耐湿信頼性が改善された封止用エポ
キシ樹脂組成物及びその組成物を使用した半導体装置を
得ることができる。
半田クラック性及び耐湿信頼性が改善された封止用エポ
キシ樹脂組成物及びその組成物を使用した半導体装置を
得ることができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【００２２】実施例１〜５及び比較例１〜３の配合成分
については、封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対し
て、充填剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランでカップリング処理した溶融シリカを７７．２
重量％、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィンを
０．１５重量％、難燃剤としてエポキシ当量４００のブ
ロム化エポキシ樹脂１．４重量％及び三酸化アンチモン
２．１重量％、離型剤としてカルナバワックス０．３重
量％並びに顔料としてカーボンブラックを０．２５重量
％を含有し、その他の配合成分は、下記の物質を表１に
示したそれぞれの配合量で用いた。表１に示した数値
は、封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対するそれぞれ
の配合成分の含有量を重量％で示したものである。
については、封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対し
て、充填剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランでカップリング処理した溶融シリカを７７．２
重量％、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィンを
０．１５重量％、難燃剤としてエポキシ当量４００のブ
ロム化エポキシ樹脂１．４重量％及び三酸化アンチモン
２．１重量％、離型剤としてカルナバワックス０．３重
量％並びに顔料としてカーボンブラックを０．２５重量
％を含有し、その他の配合成分は、下記の物質を表１に
示したそれぞれの配合量で用いた。表１に示した数値
は、封止用エポキシ樹脂組成物の全量に対するそれぞれ
の配合成分の含有量を重量％で示したものである。
【００２３】エポキシ樹脂（Ｅ１）として、エポキシ当
量２５７の上記の一般式で示されるジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂（ＥＸＡ７２００：大日
本インキ化学工業株式会社製）を用いた。
量２５７の上記の一般式で示されるジシクロペンタジ
エン骨格を有するエポキシ樹脂（ＥＸＡ７２００：大日
本インキ化学工業株式会社製）を用いた。
【００２４】エポキシ樹脂（Ｅ２）として、エポキシ当
量１９２のビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ４０００
Ｈ：油化シェルエポキシ株式会社製）を用いた。
量１９２のビフェニル型エポキシ樹脂（ＹＸ４０００
Ｈ：油化シェルエポキシ株式会社製）を用いた。
【００２５】エポキシ樹脂（Ｅ３）として、エポキシ当
量１９５のオルソ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（ＥＳＣＮ１９５ＸＬ：住友化学工業株式会社製）を
用いた。
量１９５のオルソ−クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（ＥＳＣＮ１９５ＸＬ：住友化学工業株式会社製）を
用いた。
【００２６】硬化剤（Ｈ１）として、水酸基当量２１５
で軟化点８０℃の上記の一般式で示されるナフトール
系樹脂硬化剤を用いた。但し上記の一般式中のＲが水
素原子であるものを使用した。
で軟化点８０℃の上記の一般式で示されるナフトール
系樹脂硬化剤を用いた。但し上記の一般式中のＲが水
素原子であるものを使用した。
【００２７】硬化剤（Ｈ２）として、水酸基当量１０４
のフェノールノボラック樹脂硬化剤（タマノール７５
２：荒川化学工業株式会社製）を用いた。
のフェノールノボラック樹脂硬化剤（タマノール７５
２：荒川化学工業株式会社製）を用いた。
【００２８】上記の各実施例及び、比較例において、上
記配合成分をミキサーで３分間均一に混合分散した後、
ロール温度１００〜１２０℃のミキシングロールで加
熱、溶融、混練した。この混練物を、冷却し、粉砕して
各封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
記配合成分をミキサーで３分間均一に混合分散した後、
ロール温度１００〜１２０℃のミキシングロールで加
熱、溶融、混練した。この混練物を、冷却し、粉砕して
各封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００２９】以上で得た各エポキシ樹脂組成物をトラン
スファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形圧力５
０ｋｇ／ｃｍ2 で半導体素子を封止成形して６０ＱＦＰ
ＴＥＧ（テストエレメントグループ）を得た。また、
同じ成形条件で吸湿率測定用円板を得た。
スファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形圧力５
０ｋｇ／ｃｍ2 で半導体素子を封止成形して６０ＱＦＰ
ＴＥＧ（テストエレメントグループ）を得た。また、
同じ成形条件で吸湿率測定用円板を得た。
【００３０】吸湿率、吸湿半田クラック及び耐湿信頼性
を測定した結果、表１に示したように実施例１〜５は、
比較例１〜３より優れていることが確認できた
を測定した結果、表１に示したように実施例１〜５は、
比較例１〜３より優れていることが確認できた
【００３１】
【表１】
【００３２】表１において記載した測定値は、次の方法
によった。 （１）吸湿率 ＪＩＳ Ｋ ６９１１準じて作製した直径５０ｍｍ、厚
み３ｍｍの円板を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置し、７２時間後の重量変化を測定した。 （２）吸湿半田クラック ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、実体顕微鏡でクラックの有無を観察し、６
０ＱＦＰ１０個中でクラックが発生したパッケージの個
数を求めた。 （３）耐湿信頼性 ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、ＰＣＴ１３３℃、相対湿度１００％の雰囲
気に放置し、２００時間及び５００時間後のオープン不
良（回路断線）の有無を観察し、６０ＱＦＰ１０個中で
オープン不良が発生したパッケージの個数を求めた。
によった。 （１）吸湿率 ＪＩＳ Ｋ ６９１１準じて作製した直径５０ｍｍ、厚
み３ｍｍの円板を温度８５℃、相対湿度８５％の雰囲気
に放置し、７２時間後の重量変化を測定した。 （２）吸湿半田クラック ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、実体顕微鏡でクラックの有無を観察し、６
０ＱＦＰ１０個中でクラックが発生したパッケージの個
数を求めた。 （３）耐湿信頼性 ６０ＱＦＰ ＴＥＧを温度８５℃、相対湿度８５％の雰
囲気に放置し、７２時間吸湿後、２５０℃の半田に１０
秒間浸漬し、ＰＣＴ１３３℃、相対湿度１００％の雰囲
気に放置し、２００時間及び５００時間後のオープン不
良（回路断線）の有無を観察し、６０ＱＦＰ１０個中で
オープン不良が発生したパッケージの個数を求めた。
【００３３】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記の
ように構成されているので、本発明のエポキシ樹脂組成
物によると、吸湿率が小さく、吸湿半田クラック性及び
耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
ように構成されているので、本発明のエポキシ樹脂組成
物によると、吸湿率が小さく、吸湿半田クラック性及び
耐湿信頼性の良好な半導体装置が得られる。
【００３４】また、本発明の半導体装置は、吸湿半田ク
ラック性及び耐湿信頼性の良好であり、有用である。
ラック性及び耐湿信頼性の良好であり、有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (4)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂に、硬化剤、充填剤及び硬
化促進剤を添加してなる封止用エポキシ樹脂組成物にお
いて、下記の一般式で示されるジシクロペンタジエン
骨格を有するエポキシ樹脂と下記の一般式で示される
ナフトール系樹脂硬化剤とを含むことを特徴とする封止
用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 上記の一般式で示されるジシクロペン
タジエン骨格を有するエポキシ樹脂をエポキシ樹脂の全
量に対して３０〜１００重量％含有することを特徴とす
る請求項１記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 上記の一般式で示されるナフトール系
樹脂硬化剤を硬化剤の全量に対して２０〜１００重量％
含有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３記載の封止用エポ
キシ樹脂組成物を使用して半導体素子を封止してなる半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896594A JPH07258386A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896594A JPH07258386A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07258386A true JPH07258386A (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=12818002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4896594A Pending JPH07258386A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを使用した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07258386A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05301946A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | エポキシ樹脂組成物 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4896594A patent/JPH07258386A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05301946A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | エポキシ樹脂組成物 |
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