JP2016062908A - 封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 - Google Patents

封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】小型のプレスによっても、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を製造する方法を提供すること。
【解決手段】この方法は、平板状の下金型２と平板状の上金型３とを備えるプレス１を準備する工程、封止層１３の設計厚みＴ０に対応するプレス位置を超える下金型２の降下を規制するためのスペーサ４をプレス１に配置する工程、第１剥離層１２とＢステージの封止層１３とを備える封止部材１１を配置する工程、封止層１３の外形形状に対応するダム５を、封止層１３を囲むように配置する工程、第２剥離層１７と光半導体素子１６とを備える素子部材１５を、光半導体素子１６が下金型２に向かうように配置する工程、および、下金型２を上金型３にプレスして、下金型２をプレス位置に位置させて、光半導体素子１６を封止層１３により被覆する工程を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、封止層被覆光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法、詳しくは、封止層被覆光半導体素子の製造方法、および、それを用いる光半導体装置の製造方法に関する。
従来、光半導体素子と、光半導体素子により封止される封止層とを備える光半導体装置が知られている。
そのような光半導体装置の製造方法として、例えば、下型と、上型と、上型の下面より下端面が下方に位置し、上型の周囲に配置されるクランパと、クランパおよび下型のそれぞれの側方に配置される上クランプストッパおよび下クランプストッパとを備える圧縮成形機を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
すなわち、特許文献１に記載の方法では、下型に、光半導体素子と、それが実装される回路基板とを備える封止前の光半導体装置を載置し、次いで、上型と光半導体装置との間に、封止樹脂を塗布した後、上型およびクランパを下降させて、封止樹脂および光半導体装置を挟持（型締め）して、クランパの内側面と上型の下面によって包囲された封止領域において封止樹脂を圧縮成形する方法が提案されている。
さらに、特許文献１に記載の圧縮成形機を用いる方法では、上クランプストッパおよび下クランプストッパが互いに当接する型締め位置にあるときに、封止領域が所定の厚さとなり、そのため、封止樹脂から形成される封止層は、封止領域に対応する厚さを有する。
特開２００６−９３３５４号公報
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、圧縮成形機が、クランパ、上クランプストッパおよび下クランプストッパを備えるので、大型化するという不具合がある。
また、封止領域における封止層には、その厚みを所望の厚みに設定できる寸法の精確性が要求されるところ、特許文献１に記載の方法では、上記した要求を満足できないという不具合がある。
本発明の目的は、小型のプレスによっても、寸法の精確性に優れる封止層を備える封止層被覆光半導体素子を製造する方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法は、光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法であって、平板状の第１金型と、前記第１金型に対向配置するための平板状の第２金型とを備えるプレスを準備する工程、前記封止層の設計厚みに対応するプレス位置を超える前記プレスのプレス方向における前記第１金型および／または前記第２金型の移動を規制するための規制部材を前記プレスに配置する工程、剥離層と、前記剥離層の表面に配置されるＢステージの前記封止層とを備える封止部材を、前記第１金型および前記第２金型の間に、前記封止層が第２金型に向かうように、配置する工程、前記封止層の外形形状に対応する堰部材を、前記プレス方向に投影したときに前記封止層を囲むように、配置する工程、基材と、前記基材の表面に配置される前記光半導体素子とを備える素子部材を、前記第１金型および前記第２金型の間であって、前記封止部材に対する前記第２金型側に、前記光半導体素子が前記第１金型に向かうように、配置する工程、および、前記第１金型および前記第２金型を近接させて、前記第１金型および／または前記第２金型を前記プレス位置に位置させて、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程を備えることを特徴としている。
この方法によれば、平板状の第１金型と、平板状の第２金型とを備えるプレスを準備するので、プレスの構成を簡単にすることができながら、光半導体素子を封止層により被覆することができる。
また、この方法によれば、堰部材を、プレス方向に投影したときに封止層を囲むように配置し、そして、第１金型および第２金型を近接させる。そのため、第１金型および第２金型のプレスにおいて、封止層がプレス方向に対する直交方向に漏れることを抑制することができる。
さらに、この方法によれば、規制部材をプレスに配置するので、第１金型および／または第２金型をプレス位置に位置させるときに、封止層の設計厚みに対応するプレス位置を超えるプレスのプレス方向における第１金型および／または第２金型の移動を規制することができる。そのため、封止層の厚みを設計厚みに精確に調整することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層の体積割合が、前記第１金型および／または前記第２金型が前記プレス位置に位置するときに、前記堰部材、前記剥離層および前記基材によって区画される空間の体積から前記光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下であることが好適である。
この方法によれば、封止層の体積割合が特定範囲にあるので、寸法の精確性に優れる封止層を得ることができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記堰部材を配置する工程において、前記堰部材の厚みが、前記封止層の前記設計厚みに対して、１００％を超過し、１２０％以下であることが好適である。
この方法によれば、堰部材の厚みが特定範囲にあるので、堰部材を上下方向に確実に圧縮しながら、封止層が直交方向に漏れることを抑制することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記堰部材の２３℃における引張弾性率が、０．３ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下であることが好適である。
この方法によれば、堰部材のハンドリング性を良好に確保できる一方、堰部材を封止層とともにプレスしながら、封止層が直交方向に漏れることを抑制することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記堰部材が、樹脂を含有することが好適である。
この方法によれば、堰部材が、樹脂を含有するので、柔軟な堰部材を容易に形成することができる。そのため、かかる堰部材によって、封止層が堰部材から漏れることを確実に抑制することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記樹脂が、シリコーン樹脂および／またはウレタン樹脂であることが好適である。
この方法によれば、樹脂が、シリコーン樹脂および／またはウレタン樹脂であるので、封止層が堰部材から漏れることをより一層確実に抑制することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止部材において、前記剥離層の周端部は、前記封止層から露出しており、前記堰部材を配置する工程では、前記堰部材を、前記剥離層の前記周端部に載置することが好適である。
この方法によれば、堰部材を配置する工程では、堰部材を、剥離層の周端部に載置するので、第１金型および第２金型を近接させて、光半導体素子を封止層により被覆する工程では、剥離層の表面において、堰部材を、封止層を囲むように、容易かつ確実に相対配置することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記堰部材を配置する工程において、前記封止層の面積が、前記堰部材によって囲まれる空間の前記プレス方向に対する直交方向に沿う断面積に比べて、小さいことが好適である。
この方法によれば、封止層の面積に比べて大きい断面積の空間を囲む堰部材を、封止層を囲むように、容易かつ確実に配置することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記光半導体素子が前記基材に単数配置される場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記単数の光半導体素子が配置される領域の面積に比べて大きく、前記光半導体素子が前記基材に複数設けられる場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記複数の光半導体素子のうち最外側に配置される前記光半導体素子の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域の面積に比べて、大きいことが好適である。
この方法によれば、上記した領域の面積に比べて大きい面積を有する封止層により確実に光半導体素子を被覆しつつ、封止層の厚み精確性を向上させることができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記プレスは、熱源を備え、前記Ｂステージの封止層は、熱可塑性および熱硬化性を併有し、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程では、前記封止層を加熱して可塑化し、続いて、可塑化した前記封止層を熱硬化させることが好適である。
この方法によれば、Ｂステージの封止層が、熱可塑性および熱硬化性を併有するので、光半導体素子を封止層により被覆する工程において、封止層を加熱して可塑化して、封止層によって光半導体素子を確実に被覆しつつ、その後、可塑化した封止層を熱硬化させて、光半導体素子の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する封止組成物からシート状に形成され、前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
平均組成式（１）：
Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、前記フェニル系シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
平均組成式（３）：
Ｒ５ ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることが好適である。
この方法によれば、封止層において、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあるので、光半導体素子を確実に埋設して被覆することができる。
また、本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法では、前記封止層は、蛍光体を含有していることが好適である。
この方法によれば、光半導体素子から発光された光を、寸法の精確性に優れ、蛍光体を含有する封止層によって波長変換することができるので、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子を得ることができる。
また、本発明の光半導体装置の製造方法は、上記した封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、前記基材は、第２剥離層であり、前記封止層被覆光半導体素子を用意する工程の後に、前記封止層被覆光半導体素子を前記第２剥離層から剥離する工程、および、剥離した前記封止層被覆光半導体素子の前記光半導体素子を基板に実装する工程をさらに備えていることを特徴としている。
この方法によれば、設計厚みに精確に調整された厚みを有する封止層を備える封止層被覆光半導体素子を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
また、本発明の光半導体装置の製造方法は、上記した封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、前記基材は、前記光半導体素子が実装された基板であることを特徴としている。
この方法によれば、設計厚みに精確に調整された厚みを有する封止層を備える封止層被覆光半導体素子を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法によれば、プレスの構成を簡単にすることができながら、光半導体素子を封止層により被覆することができる。また、封止層がプレス方向に対する直交方向に漏れることを抑制することができる。さらに、封止層の厚みを設計厚みに精確に調整することができる。
本発明の光半導体装置の製造方法によれば、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置を得ることができる。
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の光半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図１Ａは、準備工程、スペーサ配置工程、封止部材配置工程、ダム配置工程および素子部材配置工程、図１Ｂは、被覆工程、図１Ｃは、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子を引き上げる工程を示す。 図２Ｄ〜図２Ｆは、図１Ｃに引き続き、本発明の光半導体装置の製造方法を説明する工程図であり、図２Ｄは、第１剥離層を剥離する工程、図２Ｅは、剥離工程、図２Ｆは、実装工程を示す。 図３は、図１Ａに示すプレスの分解斜視図を示す。 図４Ａおよび図４Ｂは、図１Ａに示すプレスの底面図および平面図であり、図４Ａは、上金型の底面図、図４Ｂは、下金型の平面図を示す。 図５は、図１Ａに示すプレスの拡大断面図を示す。 図６は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、スペーサ配置工程、封止部材配置工程、ダム配置工程および素子部材配置工程を示す。 図７は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の被覆工程を示す。 図８は、本発明の光半導体装置の製造方法の変形例の準備工程、スペーサ配置工程、封止部材配置工程、ダム配置工程および素子部材配置工程を示す。 図９は、光半導体装置の製造方法の変形例を説明する工程図であり、図９Ａは、準備工程、スペーサ配置工程、封止部材配置工程、ダム配置工程および素子部材配置工程、図９Ｂは、被覆工程、図９Ｃは、ダム／剥離層付光半導体装置を引き上げる工程、図９Ｄは、光半導体素子を個片化する工程を示す。
図１において、紙面上下方向は、上下方向（後述するプレス方向および厚み方向の一例、第１方向）であり、紙面上側は、上側（プレス方向上流側、第１方向一方側）、紙面下側は、下側（プレス方向下流側、第１方向他方側）である。図１において、紙面左右方向は、左右方向（プレス方向に直交する第２方向）であり、紙面左側は、左側（第２方向一方側）、紙面右側は、右側（第２方向他方側）である。図１において、紙面紙厚方向は、前後方向（プレス方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面左側は、左側（第３方向一方側）、紙面右側は、右側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
本発明の封止層被覆光半導体素子の製造方法の一例は、図２Ｅに示されるように、光半導体素子１６と、光半導体素子１６により被覆されて封止される封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０の製造方法である。この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法は、準備工程、スペーサ配置工程、封止部材配置工程、素子部材配置工程、ダム配置工程および被覆工程を備える。以下、各工程を図１Ａ〜図５を参照して詳述する。
＜１．準備工程＞
準備工程では、プレス１を準備する。
図１Ａおよび図３に示すように、プレス１は、第１金型としての下金型２と、第２金型としての上金型３とを備える。さらに、プレス１は、熱源としてのヒータ７と、複数（４つ）のバネ２２とを備える。
下金型２は、プレス１の下部に配置されており、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。下金型２は、例えば、鉄、ステンレス、アルミニウムなどの金属からなる。また、図３および図４Ｂに示すように、下金型２には、複数（４つ）の第１凹部２３が、設けられている。
複数（４つ）の第１凹部２３は、下金型２の上面が下側に向かって凹むように形成されている。複数（４つ）の第１凹部２３は、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて配置されている。複数（４つ）の第１凹部２３のそれぞれは、下金型２の各隅部において、１つ、配置されている。
図３に示すように、上金型３は、プレス１において下金型２の上側に対向配置できるように構成されている。上金型３は、下金型２の外形形状と同一形状に形成されている。具体的には、上金型３は、左右方向および前後方向に延びる略矩形平板状に形成されている。図３および図４Ａに示すように、上金型３は、下金型２で例示した金属からなる。また、上金型３には、複数（４つ）の第２凹部２５が設けられている。
複数（４つ）の第２凹部２５は、上金型３の下面において、下平板４に設けられる複数（４つ）の第１凹部２３に対応するように、上金型３の隅部に配置されている。具体的には、複数（４つ）の第２凹部２５は、上下方向に投影したときに、複数（４つ）の第１凹部２３と重複するように配置されている。複数（４つ）の第２凹部２５のそれぞれは、上金型３の下面が上側に向かって凹むように形成されている。
また、上金型３は、下金型２に対してプレス可能に構成されている。具体的には、上金型３には、下金型２に対する圧力を付与できる駆動部（図示せず）が接続される。
ヒータ７は、図１Ａに示すように、下金型２の下面、および、上金型３の上面のそれぞれに配置されている。ヒータ７は、下金型２および上金型３を加熱可能に構成されている。
バネ２２は、図１Ａにおいて全て図示していないが、複数（４つ）設けられている。複数（４つ）のバネ２２のそれぞれは、上下方向に延び、上下方向に収縮可能に構成されており、上下方向に押圧力を有する押しバネである。図３が参照されるように、バネ２２の下端部は、第１凹部２３に収容されて固定される一方、バネ２２の上端部は、第２凹部２５に収容されて固定される。
プレス１を準備するには、図１Ａに示すように、ヒータ７が設けられた下金型２と、ヒータ７が設けられた上金型３とをそれぞれ用意する。
なお、この時点において、上金型３は、下金型２の上側にまだ対向配置されず、後述するが、被覆工程において、下金型２の上側に対向配置される。また、バネ２２も、下金型２に配置されておらず、被覆工程において、下金型２に配置される。
＜２．スペーサ配置工程＞
（スペーサの用意）
スペーサ配置工程では、図３に示すように、まず、規制部材としてのスペーサ４を複数（２つ）用意する。
複数（２つ）のスペーサ４は、前後方向に延びる略角棒（角柱）形状に形成されている。図４Ｂに示すように、複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれは、前後方向に長い平面視略矩形状に形成されている。図３および図５に示すように、複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれは、左右方向および上下方向に切断したときの断面形状、および、前後方向および上下方向に切断したときの断面形状が、略矩形状に形成されている。
スペーサ４は、機械的強度、耐摩耗性および耐熱性を有する材料からなり、そのような材料としては、具体的には、例えば、鉄、ステンレス、アルミニウムなどの金属、例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）ポリアリレート（ＰＡＲ）ポリアミドイミド（ＰＡＩ）ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）ポリサルホン（ＰＳＦ）ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）などの樹脂（具体的には、エンジニアリング−プラスチック）などが挙げられる。好ましくは、金属、具体的には、下金型２および上金型３の金属が挙げられる。
複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれの前後方向長さは、下金型２の前端部および後端部にわたる長さに調整されている。複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれの左右方向長さ（幅）は、例えば、３ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは、５０ｍｍ以下である。図５に示すように、複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれの上下方向長さＴ１（厚みＴ１）は、後述する封止層１３の設計厚みＴ０（図１Ｂ参照）に対応する厚みであって、詳しくは、封止層１３の設計厚みＴ０（図１Ｂ参照）、第１剥離層１２の厚みＴ２（図５参照）に応じて適宜設定される。具体的には、複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれの厚みＴ１は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
（スペーサの配置）
次いで、用意した複数（２つ）のスペーサ４を、下金型２の上面に配置する。具体的には、複数（２つ）のスペーサ４のそれぞれを、下金型２の上面左右方向両端部のそれぞれに載置する。
＜３．封止部材配置工程＞
（封止部材の用意）
封止部材配置工程では、図３に示すように、まず、封止部材１１を用意する。
（封止部材）
封止部材１１は、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状に形成されている。封止部材１１は、剥離層としての第１剥離層１２と、第１剥離層１３の上面（表面）に配置されるＢステージの封止層１３とを備える。封止部材１１は、好ましくは、第１剥離層１２と、封止層１３とからなる。
第１剥離層１２は、封止層１３によって光半導体素子１６（後述）を封止するまでの間、封止層１３を保護するために、封止層１３の裏面（図１Ａにおける下面、図２Ｄにおける上面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第１剥離層１２は、封止部材１１の出荷・搬送・保管時において、封止層１３の裏面（図１Ａにおける下面、図２Ｄにおける上面）を被覆するように、封止層１３の裏面に積層され、封止層１３の使用直前において、図２Ｄに示すように、封止層１３の裏面（図２Ｄにおける上面）から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第１剥離層１２は、可撓性フィルムのみからなる。また、第１剥離層１２の貼着面（図１Ａにおける下面）、つまり、封止層１３に対する接触面は、必要によりフッ素処理などの剥離処理されている。
図３に示すように、第１剥離層１２は、左右方向および前後方向に沿う平板状をなし、具体的には、左右方向に長い平面視略矩形状に形成されている。
第１剥離層１２を形成する材料として、例えば、熱可塑性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリスチレンなどのスチレン系樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系樹脂、例えば、ＰＥＴなどのポリエステル系樹脂、例えば、アクリル樹脂などのアクリル系樹脂、例えば、フッ素系樹脂、例えば、熱可塑性シリコーン樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリエステル系樹脂が挙げられる。第１剥離層１２の軟化温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。
図４Ｂに示すように、第１剥離層１２の面積Ｓ２は、封止層１３の面積Ｓ１より大きく形成されている。
図５に示すように、第１剥離層１２の厚みＴ２は、剛性、可撓性、ハンドリング性および低コスト化の観点から、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上、より好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
図３に示すように、封止層１３は、平板状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、前後方向および左右方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有している。封止層１３は、その外形形状が第１剥離層１２の外形形状よりも小さく形成されており、第１剥離層１２の上面の周端部（前端部、後端部、左端部および右端部）を露出するように、第１剥離層１２の上面の前後方向および左右方向中央部に載置されている。
また、封止層１３は、後述する封止層被覆光半導体素子１０（図２Ｅ参照）および光半導体装置３０（図２Ｆ参照）ではなく、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０の一部品、すなわち、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０を作製するための部品であり、光半導体素子１６および光半導体素子１６を搭載する基板２０を含むことなく、構成されている。
そのため、第１剥離層１２および封止層１３を備える封止部材１１は、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
封止層１３は、Ｂステージの封止組成物からシート状に形成されている。封止組成物は、例えば、封止樹脂を必須成分として含有している。封止樹脂は、透明樹脂であって、具体的には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。
２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。なお、Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体または固体状態である。
１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。ただし、１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂を含む。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。
封止樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
シリコーン樹脂としては、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。
アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。
平均組成式（１）：
Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
（式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。
Ｒ１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。
Ｒ１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。
非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。
置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。
置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。
１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。
Ｒ２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。
ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。
ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。
アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。
平均組成式（２）：
ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
（式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。
ｃは、好ましくは、０．５以下である。
ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１００００以下、好ましくは、５０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。
また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。
上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、フェニル基を含み、好ましくは、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含むので、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。
ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。
ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１００００ｐｐｍ以下、好ましくは、１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。
付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。
上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製され、その後、反応が途中で停止することにより、Ｂステージ（液体）状態として調製される。
つまり、上記したように、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。その後、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。
なお、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物がＢステージ（半硬化）状態にあるときには、固体状である。そして、このＢステージ状態の付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、熱可塑性および熱硬化性を併有することができる。つまり、Ｂステージの付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱により、一旦、可塑化した後、完全硬化する。
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物としては、好ましくは、ケイ素原子に直接結合するアルキル基がすべてメチル基であるメチル系シリコーン樹脂組成物（２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物、具体的には、両末端シラノール型ポリジメチルシロキサンと、ジメチルポリシロキサン−ＣＯ−メチルハイドロジェンシロキサンと、アルケニル基含有ケイ素化合物とから調製されるメチル系シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、加熱により、縮合反応を生じて、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態として調製される。Ｂステージ状態の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、その後、さらなる加熱により、付加反応を生じて、Ｃステージ（完全硬化）状態となることができる。
熱硬化性樹脂としては、耐久性および光学特性の観点から、１段反応硬化性樹脂、具体的には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。
封止樹脂の屈折率は、例えば、１．５０以上であり、また、例えば、１．６０以下である。封止樹脂の屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。なお、封止樹脂の屈折率は、封止樹脂がＢステージの硬化性樹脂である場合には、Ｂステージの硬化性樹脂とＣステージの硬化性樹脂（後述する生成物に相当）との屈折率が実質的に同一であることから、Ｃステージの硬化性樹脂の屈折率として算出される。
封止樹脂の配合割合は、封止組成物に対して、例えば、２０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下、より好ましくは、５０質量％未満、さらに好ましくは、４０質量％以下、とりわけ好ましくは、３０質量％以下である。封止樹脂の配合割合が上記範囲内であれば、封止層１３の成形性を確保することができる。
（フィラー、蛍光体）
封止組成物は、上記した封止樹脂の他に、例えば、フィラーおよび／または蛍光体を含有することもできる。
フィラーは、封止層１３（図１Ａ参照）の成形性を向上させるために、封止組成物に必要により配合される。具体的には、フィラーは、反応前（具体的には、Ａステージ）の封止樹脂に配合される。フィラーとしては、特に限定されず、例えば、無機フィラー、有機フィラーが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。
無機フィラーとしては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＨＯ）２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機フィラーとして、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、好ましくは、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。
複合無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、あるいは、シリカおよび酸化ホウ素を主成分として含有し、また、アルミナ、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどを副成分として含有する。複合無機酸化物粒子における主成分の含有割合は、複合無機酸化物粒子に対して、例えば、４０質量％を超え、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、８０質量％以下である。副成分の含有割合は、上記した主成分の含有割合の残部である。
複合酸化物粒子は、上記した主成分および副成分を配合して、加熱して溶融させて、それらの溶融物を急冷し、その後、例えば、ボールミルなどによって粉砕し、その後、必要により、適宜の表面加工（具体的には、球体化など）を施して、得られる。
有機フィラーとしては、例えば、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などからなる樹脂粒子などが挙げられる。好ましくは、シリコーン系樹脂からなるシリコーン粒子が挙げられる。
シリコーン粒子は、架橋構造を有するポリシロキサン（硬化後）の微粒子であって、その屈折率が、封止組成物における硬化後の硬化性樹脂の屈折率と近似する。
フィラーとして、好ましくは、無機フィラーが挙げられる。
フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。フィラーの平均粒子径は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下、より好ましくは、３０μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以下である。フィラーの平均粒子径が上記上限を超える場合には、封止組成物（後述するワニス）においてフィラーが沈降する傾向がある。一方、フィラーの平均粒子径が上記下限に満たない場合には、封止組成物のシート成形性が低下したり、あるいは、封止層１３（図１Ａ参照）の透明性が低下する傾向がある。フィラーの平均粒子径は、Ｄ５０値として算出される。具体的には、レーザー回折式粒度分布計により測定される。
フィラーの屈折率は、例えば、１．４０以上、好ましくは、１．５０以上、好ましくは、より好ましくは、１．５２以上であり、また、例えば、１．６０以下、好ましくは、１．５８以下である。フィラーの屈折率が上記範囲内にあれば、上記した封止樹脂の屈折率との差を所望範囲内にすることができる。つまり、封止樹脂およびフィラーの屈折率の差の絶対値を小さくすることができ、そのため、封止層１３の透明性を向上させることができる。フィラーの屈折率は、アッベ屈折率計によって算出される。
フィラーの配合割合は、封止組成物に対して、例えば、２０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上、より好ましくは、３０質量％以上、さらに好ましくは、４０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。また、フィラーの配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、２５質量部以上、好ましくは、３３．３質量部以上、より好ましくは、４２．８質量部以上であり、また、例えば、４００質量部以下、好ましくは、１５０質量部以下である。
フィラーの配合割合が上記範囲内であれば、フィラーによる封止層１３の優れた成形性を確保することができる。
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などが挙げられる。
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、流動性の観点から、球状が挙げられる。
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。
蛍光体の比重は、例えば、２．０以上であり、また、例えば、９．０以下である。
蛍光体は、単独使用または併用することができる。
蛍光体の配合割合は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下である。
（封止層の製造）
封止層１３を製造するには、まず、上記した封止樹脂と、必要によりフィラーおよび／または蛍光体とを含有する封止組成物を調製する。具体的には、Ａステージの封止樹脂と、必要によりフィラーおよび／または蛍光体とを含有する封止組成物を調製する。
例えば、封止樹脂と、必要によりフィラーおよび／または蛍光体とを上記した配合割合で混合する。
これによって、フィラーが封止樹脂中に分散された封止組成物を、ワニスとして調製する。
ワニスの２５℃における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、２００，０００ｍＰａ・ｓ以下である。なお、粘度は、ワニスを２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。
次いで、調製したワニスを塗布する。具体的には、図１Ａに示すように、ワニスを、第１剥離層１２の表面（上面）に塗布する。
ワニスを第１剥離層１２の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置が用いられる。また、上記した塗布では、ワニスを、第１剥離層１２の上面の周端部を露出するパターンで塗布する。
ワニスの第１剥離層１２への塗布によって、塗膜が形成される。
その後、封止樹脂が硬化性樹脂である場合には、塗膜を半硬化させる。つまり、Ａステージの塗膜をＢステージ化させる。具体的には、硬化性樹脂が熱硬化性樹脂であれば、塗膜を加熱する。加熱条件として、加熱温度が、７０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱温度が上記範囲であれば、硬化性樹脂を確実にＢステージにすることができる。また、加熱時間が、例えば、５分以上、好ましくは、８分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。
あるいは、硬化性樹脂が光硬化性樹脂であれば、塗膜に紫外線を照射する。具体的には、ＵＶランプなどを用いて、塗膜に紫外線を照射する。
これによって、塗膜におけるＡステージの硬化性樹脂をＢステージにする。
硬化性樹脂が付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物を含有する場合には、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（付加反応）が途中まで進行して、一旦、停止する。
一方、硬化性樹脂樹脂が縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を含有する場合には、縮合反応が完結する。
封止樹脂がＢステージとなる際には、封止層１３（あるいは塗膜）は、第１剥離層１２からはじかれ、そのため、封止層１３は、平面視において凝集して、平面視における面積が小さくなる。その結果、封止層１３は、厚みが厚くなる傾向となる。一方、封止層１３は、加熱によりＢステージとなる場合には、加熱に伴い収縮する傾向、とりわけ、厚み方向に薄くなる傾向にある。そのため、封止層１３の第１剥離層１２からはじかれることによる厚みの増加分と、加熱収縮に伴う厚みの減少分とが、相殺して、封止層１３は厚みが実質的に変化しない。
これによって、図１Ａに示すように、第１剥離層１２と、第１剥離層１２に積層された封止層１３とを備える封止部材１１を得る。
封止層１３では、必要により配合されるフィラーおよび／または蛍光体が、マトリクスとしてのシリコーン樹脂組成物中に均一に分散されている。
半硬化（Ｂステージ）状態の封止層１３は、可撓性を有しており、半硬化（Ｂステージ）状態となった後、後述する完全硬化（Ｃステージ）状態となること（つまり、Ｃステージの生成物を生成すること）が可能な状態である。
（封止層の物性）
また、Ｂステージの封止層１３は、好ましくは、可塑性および硬化性を併有する場合には、可塑性および硬化性を併有する。Ｂステージの封止層１３は、より好ましくは、熱可塑性および熱硬化性を併有する。つまり、Ｂステージの封止層１３は、加熱により、一旦、可塑化した後、硬化することができる。
封止層１３の熱可塑温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。なお、熱可塑温度は、封止層１３が熱可塑性を示す温度であり、具体的には、Ｂステージの封止樹脂が加熱によって軟化する温度であって、軟化温度と実質的に同一である。
封止層１３の熱硬化温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下である。熱硬化温度は、Ｂステージの封止層１３が熱硬化性を示す温度であり、具体的には、可塑化した封止層１３が加熱によって完全に硬化して、固体状となる温度である。
Ｂステージの封止層１３（Ｂステージの封止樹脂を含有する封止組成物から形成される封止層１３）は、８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が、例えば、３Ｐａ以上、好ましくは、１２Ｐａ以上であり、また、例えば、１４０Ｐａ以下、好ましくは、７０Ｐａ以下である。封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記上限以下であれば、次に説明する光半導体素子１６の封止時に、光半導体素子１６が損傷することを有効に防止することができる。一方、封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、光半導体素子１６を封止する際の封止層１３の良好な保形性を確保して、封止層１３の取扱性を向上させることができる。また、封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が上記下限以上であれば、封止層１３の厚みの均一性を確保でき、また、所望の厚みにする調節することができる。
封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’は、周波数１Ｈｚ、昇温速度２０℃／分、温度範囲２０〜１５０℃の条件における動的粘弾性測定で得られる。
また、厚み６００μｍのときにおける、波長４６０ｎｍの光に対する封止層１３の透過率が、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、さらに好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１００％以下である。透過率が上記下限以上であれば、光半導体素子１６を封止した後、光半導体素子１６から発光される光を十分に透過させることができる。封止層１３の透過率は、例えば、積分球を用いて測定される。
（封止層の寸法）
封止層１３の寸法は、後述する封止層１３の体積割合が所望の範囲となるように、調整される。
封止層１３の前後方向長さおよび左右方向長さは、光半導体素子１６の個数、寸法、配置などによって適宜設定される。
図４Ｂに示すように、封止層１３の面積Ｓ１は、第１剥離層１２の面積Ｓ２に対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下、さらに好ましくは、８５％以下であり、例えば、１０％以上である。
図５に示すように、封止層１３の厚みＴ４は、例えば、スペーサ４の厚みＴ１から第１剥離層１２の厚みＴ２を差し引いた厚み（Ｔ１−Ｔ２）に比べて、厚い（つまり、Ｔ４＞（Ｔ１−Ｔ２））。そのため、次の被覆工程のプレスにおいて、封止層１３を上下方向に確実に圧縮することができる。
詳しくは、封止層１３の厚みＴ４は、スペーサ４の厚みＴ１から第１剥離層１２の厚みＴ２を差し引いた厚み（Ｔ１−Ｔ２）に対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１０２％以上、さらに好ましくは、１０５％以上であり、例えば、１２０％以下である。
具体的には、封止層１３の厚みＴ４は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１５００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
封止層１３の厚みＴ４が上記範囲にあれば、被覆工程のプレスによって、封止層１３を上下方向に精確に圧縮して、封止層１３の厚みＴ６を設計厚みＴ０に精確性に調整することができる。
（封止部材の配置）
次いで、図３に示すように、用意した封止部材１１を、下金型２の上面に、封止層１３が上側に向かうように、配置する。
具体的には、第１剥離層１２を、複数（２つ）のスペーサ４の間における下金型２の上面に配置する。図１Ａに示すように、封止部材１１を、複数（２つ）のスペーサ４に挟まれるように、配置する。具体的には、封止部材１１を、第１剥離層１２の右端部が、右側に配置されるスペーサ４の左側面の左側に間隔を隔てて配置され、かつ、第１剥離層１２の左端部が、左側に配置されるスペーサ４の右側面の右側に間隔を隔てて配置されるように、下金型２の上面に配置する。
＜４．ダム配置工程＞
（ダムの用意）
ダム配置工程では、図３に示すように、まず、堰部材としてのダム５を用意する。
ダム５は、封止層１３の外形形状に対応する平面視略矩形枠形状に形成されている。詳しくは、ダム５は、図４Ｂに示すように、その外形形状が第１剥離層１２の外形形状よりもわずかに小さく形成されている。また、ダム５の中央部には、ダム５を上下方向に貫通する開口部８が形成されている。開口部８は、封止層１３の外形形状に対応する平面視略矩形状に形成されている。ダム５は、前後方向に延び、左右方向に間隔を隔てて対向配置される２つの第１ダム部５Ａと、２つの第１ダム部５Ａの前後方向両端部を連結する２つの第２ダム部５Ｂとを一体的に有している。
ダム５の材料としては、例えば、樹脂、樹脂含浸ガラスクロス、金属などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
熱硬化性樹脂は、封止層１３で例示したＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂が例示され、好ましくは、特開２０１０−２６５４３６号公報に記載される縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物（２段反応硬化性樹脂）、フェニル系シリコーン樹脂組成物（付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、１段反応硬化性樹脂）が例示される。
さらに、熱硬化樹脂として、Ｂステージ状態となることができない１段反応硬化性樹脂も挙げられる。１段反応硬化性樹脂として、好ましくは、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する付加反応硬化型シリコーン樹脂が挙げられる。そのような付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、上記した平均組成式（１）で示されるアルケニル基含有ポリシロキサンと、上記した平均組成式（２）で示されるヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、上記したヒドロシリル化触媒とを含有する、１段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。上記した平均組成式（１）および（２）中、Ｒ２およびＲ３の両方の炭化水素がメチル基である。１段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物には、市販品が用いられる。市販品として、例えば、ＥＬＡＳＴＯＳＩＬシリーズ（旭化成ワッカーシリコーン社製、具体的には、ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５などのメチル系シリコーン樹脂組成物）、ＫＥＲシリーズ（信越シリコーン社製）などが挙げられる。
また、樹脂は、フィラーを配合した樹脂組成物として調製されていてもよく、好ましくは、有機フィラーがシリコーン樹脂に配合されたシリコーン樹脂組成物として調製されていてもよい。
樹脂含浸ガラスクロスとしては、ガラスクロスに、上記した樹脂が含浸処理されており、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂が含浸処理されたガラス・エポキシ樹脂などが挙げられる。
金属としては、例えば、鉄、ステンレス、アルミニウムなどが挙げられる。
ダム５の材料としては、好ましくは、ダム５に柔軟性を付与する観点から、樹脂、樹脂含浸ガラスクロスが挙げられ、より好ましくは、樹脂が挙げられ、さらに好ましくは、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂が挙げられ、とりわけ好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
（ダムの物性）
ダム５の２３℃における引張弾性率は、例えば、０．３ＭＰａ以上、好ましくは、１ＭＰａ以上、より好ましくは、２ＭＰａ以上であり、また、１０００ＭＰａ以下、好ましくは、５００ＭＰａ以下である。
ダム５の引張弾性率が上記下限以上であれば、ダム５のハンドリング性を良好に確保できる。一方、ダム５の引張弾性率が上記上限以下であれば、ダム５を封止層１３とともに圧縮（プレス）しながら、封止層１３の厚みＴ６を設計厚みＴ０に精確に調整することができる。
ダム５の２３℃における引張弾性率は、ＪＩＳ Ｋ７１６１−１９９４に基づいて測定される。
ダム５の破断伸びは、例えば、１％以上、好ましくは、１０％以上、より好ましくは、１００％以上、さらに好ましくは、２００％以上であり、また、１０００％以下、好ましくは、５００％以下、より好ましくは、４００％以下である。
ダム５の破断伸びが上記上限以下であれば、封止層１３の厚みＴ６を設計厚みＴ０に調整することができる。ダム５の破断伸びが上記下限以上であれば、ダム５のハンドリング性を良好に確保できる。
ダム５の破断伸びは、ＪＩＳ Ｋ７１６１−１９９４に基づいて測定される。
（ダムの寸法）
第１ダム部５Ａの幅（前後方向長さ）および第２ダム部５Ｂの幅（左右方向長さ）は、例えば、１ｍｍ以上、好ましくは、２ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。２つの第１ダム部５Ａ間の前後方向長さ、つまり、開口部８の前後方向長さ、および、２つの第２ダム部５Ｂ間の左右方向長さ、つまり、開口部８の左右方向長さは、それぞれ、封止層１３の前後方向長さおよび左右方向長さに対して、長い。開口部８の前後方向長さおよび左右方向長さのそれぞれは、封止層１３の前後方向長さおよび左右方向長さのそれぞれに対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１０２％以上、より好ましくは、１０５％以上であり、また、例えば、２００％以下である。
また、図４Ｂおよび図５に示すように、ダム５の開口部８における前後方向および左右方向に沿う開口断面積Ｓ８は、封止層１３の面積Ｓ１に対して大きく形成されている。換言すれば、封止層１３の面積Ｓ１は、ダム５の開口部８の開口断面積Ｓ８に比べて小さく、ダム５の開口部８の開口断面積Ｓ８に対して、例えば、１００％未満、好ましくは、９５％以下、より好ましくは、９０％以下であり、また、例えば、５０％以上である。
図５に示すように、ダム５の厚みＴ３は、封止層１３の厚みＴ４に比べて厚く（つまり、Ｔ３＞Ｔ４）、封止層１３の厚みＴ４に対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１０２％以上、より好ましくは、１０５％以上であり、また、例えば、１２０％以下である。後述するが、ダム５の厚みＴ３は、その厚みが、封止層１３の設計厚みＴ０（図１Ｂ参照）に対しても厚く形成されている（Ｔ３＞Ｔ０）。
具体的には、ダム５の厚みＴ３は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上、より好ましくは、４００μｍ以上であり、また、例えば、１５００μｍ以下である。
（ダムの配置）
ダム５を配置するには、まず、ダム５の材料が樹脂である場合には、樹脂を含むワニスを調製し、次いで、ワニスを図示しない剥離シートの表面に塗布する。その後、材料が熱硬化性樹脂を含有する場合には、ワニスを加熱して、硬化させる。その後、硬化物を、上記したパターンに外形加工する。一方、ダム５の材料が樹脂含浸ガラスクロスおよび／または金属である場合には、シート状に予め成形された樹脂含浸ガラスクロスおよび／または金属板を上記したパターンに外形加工する。
その後、ダム５を、ダム５の開口部８に封止層１３が挿入されるように、第１剥離層１２の上面に載置する。
これによって、ダム５を第１剥離層１２の上面の周端部に配置する。
あるいは、ワニスを第１剥離層１２の周端部の上面に上記したパターンで直接塗布して、ダム５を第１剥離層１２の上面に直接形成することもできる。
図４Ｂに示すように、ダム５は、第１剥離層１２の周端部に配置されるため、封止層１３を囲むように配置される。具体的には、ダム５の内側面は、封止層１３の外側面と間隔を隔てて配置されている。より具体的には、前側の第１ダム部５Ａの後側面は、封止層１３の前側面の前側に間隔を隔てて対向配置されている。後側の第１ダム部５Ａの前側面は、封止層１３の後側面の後側に間隔を隔てて対向配置されている。右側の第２ダム部５Ｂの左側面は、封止層１３の右側面の右側に間隔を隔てて対向配置されている。左側の第２ダム部５Ｂの右側面は、封止層１３の左側面の左側に間隔を隔てて対向配置されている。
図４Ｂおよび図５に示すように、ダム５の内側面と、封止層１３の外側面との間隔Ｌ１は、例えば、０ｍｍ超過、好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、５ｍｍ以下である。
また、ダム５は、図５に示すように、封止層１３と同一平面（つまり、第１剥離層１２の上面）上に、配置されている。
＜５．素子部材配置工程＞
（素子部材の用意）
素子部材配置工程では、図３に示すように、まず、素子部材１５を用意する。
素子部材１５は、基材としての第２剥離層１７と、第２剥離層１７の表面（下面）に配置される光半導体素子１６とを備える。
第２剥離層１７は、封止層１３によって光半導体素子１６を被覆して封止して、封止層被覆光半導体素子１０を得た後、封止層被覆光半導体素子１０を剥離するまでの間、封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６（図２Ｅ参照）を保護するために、封止層被覆光半導体素子１０における光半導体素子１６の露出面（図２Ｅにおける下面）に剥離可能に貼着されている。つまり、第２剥離層１７は、封止層被覆光半導体素子１０の出荷・搬送・保管時において、光半導体素子１６を支持し、光半導体素子１６の露出面（図２Ｅにおける下面）を被覆するように、光半導体素子１６の露出面に積層され、光半導体素子１６の基板２０に対する実装直前において、図２Ｅの仮想線で示すように、封止層被覆光半導体素子１０を引き剥がすことができる可撓性フィルムである。つまり、第２剥離層１７は、可撓性フィルムのみからなる。
第２剥離層１７は、上記した第１剥離層１２と同様の材料から形成されている。また、第２剥離層１７を、加熱により封止層被覆光半導体素子１０が容易に剥離できる熱剥離シートから形成することもできる。
図３に示すように、第２剥離層１７は、上下方向に投影したときに、複数（２つ）のスペーサ４を含む平面視略矩形板状に形成されている。詳しくは、図５が参照されるように、第２剥離層１７の面積は、例えば、第１剥離層１２の面積Ｓ２より大きくなるように設定されている。
図３に示すように、光半導体素子１６は、第２剥離層１７の表面（下面）の中央部に複数（９つ）載置されている。複数の光半導体素子１６は、左右方向におよび前後方向間隔を隔てて整列配置されている。複数の光半導体素子１６のそれぞれは、前後方向および左右方向に沿う略平板状に形成されている。また、複数の光半導体素子１６のそれぞれは、平面視略矩状をなし、上下方向および前後方向に沿う断面形状、および、上下方向および左右方向に沿う断面形状が、略矩形状に形成されている。
光半導体素子１６の前後方向長さおよび左右方向長さは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
各光半導体素子１６の厚み（上下方向長さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
複数の光半導体素子１６の体積（総体積）は、例えば、１ｍｍ３以上、好ましくは、１０ｍｍ３以上であり、また、例えば、５０００ｍｍ３以下、好ましくは、３０００ｍｍ３以下である。
そして、図４Ａに示すように、第２剥離層１７の中央部において光半導体素子１６が配置される領域が、素子配置領域１８（仮想線参照）として区画される。詳しくは、素子配置領域１８は、複数の光半導体素子１６のうち、最外側に配置される光半導体素子１６の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域である。具体的には、素子配置領域１８は、最前側に配置される光半導体素子１６Ａの複数の前端縁（具体的には、前左端縁および前右端縁）を結ぶ線分Ａと、最後側に配置される光半導体素子１６Ｂの複数の後端縁（具体的には、後左端縁および後右端縁）を結ぶ線分Ｂと、最左側に配置される光半導体素子１６Ｃの複数の左端縁（具体的には、前左端縁および後左端縁）を結ぶ線分Ｃと、最右側に配置される光半導体素子１６Ｄの複数の右端縁（具体的には、前右端縁および後右端縁）を結ぶ線分Ｄとによって囲まれる底面視矩形状の領域である。
上記した素子配置領域１８の面積Ｓ３は、光半導体素子１６の個数、寸法、配置などによって適宜設定され、例えば、図５に示すように、封止層１３の面積Ｓ１に比べて、小さい（Ｓ３＜Ｓ１）。換言すれば、封止層１３の面積Ｓ１は、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく（Ｓ１＞Ｓ３）、素子配置領域１８の面積Ｓ３に対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１０５％以上、より好ましくは、１１０％以上であり、また、例えば、１５０％以下である。
（素子部材の配置）
次いで、図１Ａおよび図３に示すように、用意した素子部材１５を、封止部材１１の上側に配置する。
具体的には、素子部材１５の第２剥離層１７をキャリア３２の下面に配置する。
キャリア３２は、第２剥離層１７を支持しつつ、素子部材１５を上金型３の下側に位置させるための支持板である。キャリア３２は、前後方向および左右方向に延びる略平板状に形成されている。キャリア３２は、上下方向に投影したときに、上金型３に含まれ、かつ、第２剥離層１７を含む形状および大きさに形成されている。また、キャリア３２は、上下方向に投影したときに、図１Ａに示すように、スペーサ４と重複する形状および大きさに形成されている。キャリア３２の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。キャリア３２は、例えば、ガラス、セラミック、ステンレスなどから形成されている。
キャリア３２は、その下面に配置された素子部材１５の光半導体素子１６が下側に向かうように、上金型３の下面に配置される。
素子部材１５をキャリア３２の下面に配置することによって、図１Ａに示すように、素子部材１５は、封止部材１１、スペーサ４およびダム５の上側に配置される。
具体的には、上下方向に投影したときに、第２剥離層１７の左右方向両端部と、スペーサ４とが重複するように、素子部材１５がスペーサ４の上側に間隔を隔てて対向配置される。また、上下方向方向に投影したときに、第２剥離層１７の周端部と、ダム５とが重複するように、素子部材１５がダム５の上側に間隔を隔てて対向配置される。また、図５に示すように、上下方向に投影したときに、光半導体素子１６（素子配置領域１８）と、封止層１３とが重複するように、素子部材１５が封止部材１１の上側に間隔を隔てて対向配置される。なお、素子配置領域１８は、上下方向に投影したときに、封止層１３に含まれる。
＜６．被覆工程＞
被覆工程を、スペーサ配置工程、封止部材配置工程、ダム配置工程および素子部材配置工程の後に、実施する。
被覆工程では、まず、上金型３を、下金型２の上側に対向配置する。
上金型３を配置するには、まず、図３が参照されるように、複数（４つ）のバネ２２の下端部を第１凹部２３に差し込む。続いて、上金型３の第２凹部２５にバネ２２の上端部を収容する。
これによって、上金型３を下金型２の上側に対向配置する。封止部材１１およびダム５は、下金型２および上金型３の間に配置される。また、素子部材１５は、下金型２および上金型３の間であって、封止部材１１およびダム５に対する上金型３側に配置される。
続いて、図１Ａに示すように、ヒータ７によって下金型２および上金型３を加熱する。下金型２および上金型３の温度は、封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、かかる熱硬化性樹脂の熱可塑温度またはそれ以上であって、好ましくは、熱硬化性樹脂の熱可塑および熱硬化を一度に実施する観点から、熱硬化温度またはそれ以上であって、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下である。
続いて、図１Ｂの矢印で示すように、下金型２および上金型３を近接させる。具体的には、上金型３を下金型２に向けてプレスする（押し下げる、具体的には、熱プレスする）。つまり、上金型３を降下させる。そして、キャリア３２の左右方向両端部の下面が、スペーサ４の上面に接触するプレス位置に至るまで、上金型３を下金型２に向けて近接させる。
図１Ｂに示すように、上金型３がプレス位置に位置すると、つまり、第２剥離層１７の左右方向両端部の下面と、スペーサ４の上面とが接触（当接）する。上金型３がプレス位置に位置するときに、封止層１３は、ダム５、第１剥離層１２および第２剥離層１７に区画される空間に充填されるとともに、図２Ｄに示すように、厚みＴ６を有する。
封止層１３の厚みＴ６は、設計厚みＴ０と実質的に同一あるいは設計厚みＴ０に対する所定の公差の範囲（後述）に調整される。
図１Ｂに示すように、封止層１３の設計厚みＴ０は、スペーサ４の厚みＴ１から剥離層１２の厚みＴ２を差し引いた厚みである（Ｔ０＝Ｔ１−Ｔ２））。換言すれば、スペーサ４の厚みＴ１は、剥離層１２の厚みＴ２と、封止層１３の設計厚みＴ０との合計厚みとして設定されている（Ｔ１＝Ｔ２＋Ｔ０）。
また、封止層１３の設計厚みＴ０は、封止前の封止層１３の厚みＴ４（図５参照）に対して、薄い（Ｔ０＜Ｔ４）。換言すれば、封止層１３の厚みＴ４（図５参照）は、封止層１３の設計厚みＴ０に対して、厚い（Ｔ４＞Ｔ０）。封止層１３の厚みＴ４（図５参照）は、封止層１３の設計厚みＴ０に対して、例えば、１００％超過、好ましくは、１０５％以上であり、また、例えば、１５０％以下、好ましくは、１２０％以下である。
さらに、封止層１３の設計厚みＴ０は、封止前のダム５の厚みＴ３に対しても、薄く形成されている（Ｔ０＜Ｔ３）。換言すれば、封止前のダム５の厚みＴ３は、封止層１３の設計厚みＴ０に対して厚く形成されている（Ｔ３＞Ｔ０）。具体的には、封止前のダム５の厚みＴ３は、封止層１３の設計厚みＴ０に対して、例えば、１００％を超過し、好ましくは、１０５％以上であり、また、例えば、１２０％以下、より好ましくは、１１０％以下である。
上金型３がプレス位置に位置するときに、ダム５、第１剥離層１２、第２剥離層１７によって区画される空間の体積から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９は、図１Ａに示される封止前の封止層１３の体積より、小さくまたは同一に設定されている。換言すれば、図１Ａに示される封止前の封止層１３の体積は、封止層収容体積１９に対して、大きくまたは同一であり、具体的には、例えば、１００％以上、好ましくは、１００％を超過し、より好ましくは、１０２％以上、さらに好ましくは、１０５％以上であり、また、例えば、１２０％以下、好ましくは、１１０％である。図１Ａに示される封止前の封止層１３の体積割合が、上記下限以上（あるいは上記下限超過）、上記上限以下であれば、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３の厚みＴ６を設計厚みＴ０に精確に設定することができる。
そして、上金型３は、プレス位置を超える降下をせず、プレス位置で留まる。つまり、スペーサ４によって、上金型３は、プレス位置を超える降下が規制される。また、上金型３は、プレス位置において下金型２へのプレスを継続する。
プレス圧は、例えば、０．５ＭＰａ以上、好ましくは、１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０００ＭＰａ以下、好ましくは、３００ＭＰａ以下である。
そうすると、ヒータ７による下金型２および上金型３の加熱によって、封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、下金型２および上金型３の熱が封止層１３に伝導して可塑化する。引き続き、上金型３の下金型２に対するプレスによって、半導体素子１６が、可塑化した封止層１３に埋設される。
そうすると、光半導体素子１６が埋設された封止層１３は、光半導体素子１６が埋設される前の状態に比べて、その左右方向両側面および前後方向両側面が、外側（左右方向および前後方向）に膨出し、これによって、封止層１３の左右方向両側面および前後方向両側面は、ダム５の内側面に接触して、ダム５を外側に押圧する。
また、ダム５は、上金型３の下金型２に対するプレスによって、ダム５の上面が上金型３の下面に圧縮される。そのため、ダム５は、上下方向に圧縮されて、第１剥離層１２および第２剥離層１７に挟まれるので、左右方向および前後方向に膨出する。
とりわけ、ダム５の外側部分は、左右方向外側および前後方向外側に向かって膨出する。具体的には、図４Ｂが参照されるように、前側の第１ダム部５Ａが前側に、後側の第１ダム部５Ａが後側に、右側の第２ダム部５Ｂが右側に、左側の第２ダム部５Ｂが左側に、膨出する。
一方、ダム５の内側部分では、ダム５の内側面が封止層１３によって外側に押圧される押圧力と、ダム５が上金型３によって上下方向に圧縮されることに起因する内側への膨出力とが実質的に相殺する。そのため、ダム５の内側部分は、プレスの前後によって、位置（前後方向および左右方向における位置）が実質的に変動しない。
なお、図１Ｂに示すように、封止層１３を構成する封止組成物の一部（外側部分の上部）は、ダム５の上面に至る。詳しくは、封止層１３の一部は、ダム５と、第２剥離層１７との間に配置される。
その後、引き続き、プレス１による熱プレスとを継続する。
加熱温度は、例えば、上記した温度と同一範囲であり、また、プレス時間は、例えば、３分間以上、好ましくは、５分間以上であり、また、例えば、３０分間以下、好ましくは、１５分間以下である。
これによって、封止層１３は、可塑性および熱硬化性を有する熱硬化性樹脂を含有する場合には、熱硬化する（Ｃステージ化する）。
（生成物）
封止樹脂がフェニル系シリコーン樹脂組成物を含む場合において、フェニル系シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の生成物、つまり、硬化物が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、フェニル系シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。
上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。
平均組成式（３）：
Ｒ５ ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
（式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
Ｒ５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。
ｅは、好ましくは、０．７以上、１．０以下である。
そして、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した下限に満たない場合には、Ｂステージの封止層１３（図１Ａ参照）の熱可塑性を確保することができず、つまり、後述する封止層１３の８０℃の剪断貯蔵弾性率Ｇ’が所望範囲を超えるため、光半導体素子１６を確実に埋設して封止することができない場合がある。
一方、生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が上記した上限以下であれば、Ｃステージの封止層１３（図１Ａ参照）の可撓性の低下を防止することができる。
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ５で示される）におけるフェニル基濃度である。
生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合は、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、後述する実施例において記載され、また、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。
図１Ｂに示すように、上記した熱プレスによって、複数の光半導体素子１６と、それらを被覆して埋設する封止層１３と、光半導体素子１６の上面および封止層１３の上面を被覆する第２剥離層１７と、封止層１３（膨出部１４の側面を除く）の下面を被覆する第１剥離層１２と、封止層１３を囲むダム５とを備えるダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０が得られる。
ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０は、封止層被覆光半導体素子１０および光半導体装置３０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
その後、上金型３の下金型２に対するプレスを解除する。つまり、上金型３およびキャリア３２を下金型２に対して離間する方向に移動させる。すなわち、上金型３を上側に移動させる。この際、図１Ｃに示すように、上金型３の第２凹部２５をバネ２２の上端部から離脱させる。
これとともに、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０が、キャリア３２および上金型３に追従する。つまり、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０を引き上げる。具体的には、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０における第２剥離層１７をキャリア３２に支持（接触）させた状態で、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０を、上金型３およびキャリア３２とともに、上昇させる。
その後、図１Ｃおよび図２Ｄに示すように、キャリア３２からダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０を引き剥がす。これによって、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０をプレス１から取り出す。その後、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０を上下反転する。
ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０は、光半導体素子１６と、それを埋設して被覆する封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０を含む。封止層被覆光半導体素子１０は、好ましくは、光半導体素子１６と、封止層１３とからなる。
ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０（封止層被覆光半導体素子１０）における封止層１３の厚みＴ６は、図２Ｄにおいて、封止層１３の上面と、光半導体素子１６の側方に位置する封止層１３の下面との間の上下方向長さであって、封止層１３の設計厚みＴ０（図１Ｂ参照）と実質的に同一であり、例えば、図１Ｂに示すように、スペーサ４の厚みＴ１から、第１剥離層１２の厚みＴ２を差し引いた厚みである（Ｔ６＝Ｔ１−Ｔ２）。
ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０における封止層１３の厚みＴ６は、光半導体素子１６を被覆する前の封止層１３の厚みＴ４（図５参照）に比べて、薄く（つまり、Ｔ６＜Ｔ４）、具体的には、光半導体素子１６を被覆する前の封止層１３の厚みＴ４に対して、例えば、１００％未満、好ましくは、９５％以下、より好ましくは、９０％以下であり、また、例えば６０％以上、好ましくは、７０％以上である。具体的には、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０における封止層１３の厚みＴ６は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１５００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
また、図２Ｄに示すように、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０におけるダム５の厚みＴ７（封止後のダム５の厚みＴ７）は、封止前のダム５の厚みＴ３（図５参照）に対して、薄くあるいは同一厚みで形成され（つまり、Ｔ７≦Ｔ３）、例えば、１００％以下、好ましくは、１００％未満、より好ましくは、９８％以下、さらに好ましくは、９５％以下であり、また、例えば、８０％以上である。具体的には、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０におけるダム５の厚みＴ７は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、１５００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
図２Ｄに示すように、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０において、封止層１３は、光半導体素子１６の近傍に配置され、光半導体素子１６の封止（被覆）に役する封止部３３と、封止部３３の外側において、封止部３３より薄膜で形成され、ダム５の下面に配置され、光半導体素子１６の封止（被覆）に役しない膨出部１４とを一体的に備えている。なお、膨出部１４は、その後の切断工程において、ダム５とともに除去され、封止層被覆光半導体素子１０に含まれない一方、封止部３３は、封止層被覆光半導体素子１０に含まれる。
その後、図２Ｄの矢印で示すように、第１剥離層１２を封止層１３およびダム５から略Ｕ字状に湾曲するように引き剥がす。
続いて、図２Ｅの太１点鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３を前後方向および左右方向に沿って切断する（切断工程）。つまり、複数の光半導体素子１６を個片化する。また、膨出部１４がダム５とともに除去されるように、封止層１３を切断する。これによって、１つの光半導体素子１６と、光半導体素子１６を埋設して被覆する封止層１３とを備える封止層被覆光半導体素子１０を、第２剥離層１７に支持される状態で得る。なお、封止層被覆光半導体素子１０は、第２剥離層１７および基板２０を含まず、好ましくは、光半導体素子１６と、封止層１３とからなる。
＜光半導体装置の製造方法＞
次に、上記した封止層被覆光半導体素子１０によって、光半導体装置３０を製造する方法について説明する。
この方法は、上記した封止層被覆光半導体素子１０を用意する工程（図２Ｅ参照）、封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から剥離する剥離工程（図２Ｅ矢印参照）、および、剥離した封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を基板２０に実装する実装工程（図２Ｆ参照）を備える。
＜７．剥離工程＞
図２Ｅの矢印で示すように、剥離工程では、上記した製造方法により得られた封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から剥離する。具体的には、封止層被覆光半導体素子１０を上側に引っ張る。
これにより、封止層被覆光半導体素子１０を複数得る。
続いて、複数の封止層被覆光半導体素子１０を発光波長や発光効率に応じて選別する。
＜８．実装工程＞
実装工程では、まず、上面に端子（図示せず）が設けられた基板２０を用意する。
基板２０は、図２Ｆに示すように、前後方向および左右方向に延びる略矩形平板状をなし、例えば、絶縁基板である。また、基板２０は、上面に配置される端子（図示せず）を備えている。
次いで、実装工程では、選別された封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装する。
封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装するには、封止層被覆光半導体素子１０における光半導体素子１６の端子（図示せず）を、基板２０の端子（図示せず）と接触させて、電気的に接続させる。つまり、封止層被覆光半導体素子１０の光半導体素子１６を基板２０にフリップチップ実装する。
これにより、基板２０と、基板２０に実装される封止層被覆光半導体素子１０とを備える光半導体装置３０を得る。好ましくは、光半導体装置３０は、基板２０と、封止層被覆光半導体素子１０とからなる。つまり、光半導体装置３０は、好ましくは、基板２０と、光半導体素子１６と、封止層１３とからなる。
（作用効果）
そして、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、平板状の下金型２と、平板状の上金型３とを備えるプレス１を準備するので、プレス１の構成を簡単にすることができながら、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、ダム５を、封止層１３を囲むように配置し、そして、上金型３を下金型２に近接させる。そのため、上金型３の下金型２に対するプレスにおいて、封止層１３が、前後方向および左右方向に漏れることを抑制することができる。
さらに、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、スペーサ４をプレス１に配置するので、上金型３をプレス位置に位置させるときに、封止層１３の設計厚みＴ０（図１Ｂ参照）に対応するプレス位置を超える上金型３の降下を規制することができる。そのため、封止層１３の厚みＴ６（図２Ｄ参照）を設計厚みＴ０に精確に調整することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、封止層１３の体積割合が、上金型３がプレス位置に位置するときに、封止層収容体積１９に対して特定範囲にあるので、寸法の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、ダム５を配置するダム配置工程において、ダム５の厚みＴ３が、封止層１３の設計厚みＴ０に対して、上記範囲内であれば、被覆工程において、ダム５を上下方向に確実に圧縮しながら、封止層１３がダム５の外側に漏れることを抑制することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、堰部材の２３℃における引張弾性率が上記範囲内にあれば、ダム５のハンドリング性を良好に確保できる一方、ダム５を封止層１３とともにプレスしながら、封止層１３がダム５の外側に漏れることを抑制することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、ダム５が樹脂を含有すれば、柔軟なダム５を容易に形成することができる。そのため、かかるダム５によって、封止層１３がダム５の外側に漏れることを確実に抑制することができる。そのため、封止層１３の封止組成物によるプレス１に対する汚染を有効に抑制することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、樹脂が、シリコーン樹脂および／またはウレタン樹脂であれば、封止層１３がダム５の外側に漏れることを確実に抑制することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、図１Ａに示すダム５を配置するダム配置工程では、ダム５を、第１剥離層１２の周端部に載置するので、図１Ｂに示すように、上金型３を下金型２に対してプレスして、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆する被覆工程では、第１剥離層１２の上面において、封止層１３の外形形状を、ダム５に対応して成形することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、Ｂステージの封止層１３が、熱可塑性および熱硬化性を併有すれば、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１６を封止層１３により被覆する被覆工程において、封止層１３を加熱して可塑化して、封止層１３によって複数の光半導体素子１６を確実に被覆して封止しつつ、その後、可塑化した封止層１３を熱硬化させて、複数の光半導体素子１６の信頼性を向上させることができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法によれば、封止層１３において、シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物の平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が特定の範囲にあれば、複数の光半導体素子１６を確実に埋設して被覆して封止することができる。
また、この封止層被覆光半導体素子１０の製造方法において、封止層１３が蛍光体を含有すれば、複数の光半導体素子１６から発光された光を、寸法の精確性に優れ、蛍光体を含有する封止層１３によって波長変換することができるので、色均一性に優れる封止層被覆光半導体素子１０を得ることができる。
また、上記の光半導体装置３０の製造方法によれば、図２Ｄに示すように、寸法の精確性に優れる封止層１３を備える光半導体装置３０を用意するので、発光特性および耐久性に優れる光半導体装置３０を得ることができる。
（変形例）
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した一実施形態では、図１Ｂの矢印で示すように、上金型３を下金型２に向けてプレスしているが、例えば、図示しないが、下金型２を上金型３に向けてプレスすることもできる。つまり、下金型２を押し上げる。
あるいは、下金型２および上金型３をともに移動させることもできる。つまり、下金型２を押し上げながら、上金型３を押し下げる。
上記した一実施形態では、＜４．ダム配置工程＞および＜５．素子部材配置工程＞を順次実施しているが、その順序は特に限定されず、＜５．素子部材配置工程＞および＜４．ダム配置工程＞の順序で実施することができ、あるいは、＜４．ダム配置工程＞および＜５．素子部材配置工程＞を同時に実施することもできる。
上記した一実施形態では、図１Ａに示すように、規制部材の一例としてのスペーサ４を下金型２および上金型３の間に配置しているが、スペーサ４に代えて、上金型３のプレス位置を超える降下を規制するストッパを、プレス１の側方または上側にプレス１と一体的に配置することもできる。
上記した一実施形態では、図１Ａに示すように、バネ２２を用いているが、これに限定されず、図示しないが、例えば、バネ２２に代えて、スポンジなどの弾性体を用いることもできる。
上記した一実施形態では、図４Ｂおよび図５に示すように、封止部材配置工程およびダム配置工程において、ダム５の内側面を、封止層１３の外側面と間隔を隔てて配置しているが、図６に示すように、互いに接触させることもできる。
図６に示すように、封止層１３の外形形状は、開口部８の形状と同一に形成されている。
この変形例によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
好ましくは、図４Ｂおよび図５に示すように、封止部材配置工程およびダム配置工程において、ダム５の内側面を、封止層１３の外側面と間隔を隔てて配置する。すなわち、封止層１３の面積Ｓ１が、開口部８の開口断面積Ｓ８に比べて、小さい。そのため、封止層１３の面積Ｓ１に比べて大きい開口断面積Ｓ８を有するダム５を、封止層１３を囲むように、容易かつ確実に配置することができる。具体的には、ダム５と封止層１３とが上下方向に重複することを防止することができる。そのため、ダム５が、封止層１３を、前後方向および左右方向に確実に囲むことができ、つまり、ダム５および封止層１３を容易かつ確実に相対配置させることができる。
上記した一実施形態では、図１Ｂに示すように、膨出部１４を形成しているが、例えば、図７に示すように、膨出部１４を形成することなく、封止層１３を形成することもできる。
その場合には、上金型３がプレス位置に位置するときに、封止層収容体積１９から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９と、封止前の封止層１３の体積と同一である。
好ましくは、図１Ｂに示すように、膨出部１４を形成する。膨出部１４を形成するには、上金型３がプレス位置に位置するときに、封止層収容体積１９から複数の光半導体素子１６の体積を差し引いた封止層収容体積１９を、封止前の封止層１３の体積より小さく設定する。そうすると、寸法、具体的には、厚みＴ６の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。つまり、封止層１３の厚みＴ６を、設計厚みＴ０に対して、例えば、９５％以上、１０５％以下の精度（公差）で調整することができる。
さらに、封止層１３は、図１Ｂに示すように、膨出部１４を形成することができるので、上記した公差を大きく許容しても、厚みＴ６の精確性に優れる封止層１３を得ることができる。
上記した一実施形態では、図５に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく形成している（Ｓ１＞Ｓ３）が、例えば、図８に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、小さくあるいは同じ大きさに形成することもできる（Ｓ１≦Ｓ３）。
好ましくは、図５に示すように、封止層１３の面積Ｓ１を、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて、大きく形成する（Ｓ１＞Ｓ３）。そうすれば、素子配置領域１８の面積Ｓ３に比べて大きい面積Ｓ１を有する封止層１３により確実に複数の光半導体素子１６を被覆しつつ、封止層１３の厚みＴ６の精確性を向上させることができる。
上記した一実施形態では、図１Ａ〜図２Ｆに示すように、本発明の光半導体装置の製造方法における基材の一例として、第２剥離層１７を挙げて説明しているが、例えば、図９Ａ〜図９Ｄに示すように、第２剥離層１７を基板２０とし、そして、第２剥離層１７を用いる剥離工程（図２Ｅ参照）を実施することなく、光半導体装置３０を製造することもできる。
この実施形態の光半導体装置３０の製造方法では、図９Ａに示すように、素子部材配置工程において、まず、光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装された基板２０とを備える実装基板２９を用意する。光半導体素子１６は、基板２０の下面に対してフリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。
その後、図９Ａに示すように、実装基板２９を、封止部材１１およびダム５の上側に対向配置する。具体的には、実装基板２９を、光半導体素子１６が下側に向かうように、キャリア３２の下面に配置する。
続いて、図９Ｂに示すように、被覆工程を実施して、光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装された基板２０と、光半導体素子１６を封止する封止層１３と、封止層１３の表面（下面および側面）に配置される第１剥離層１２と、封止層１３を囲むダム５とを備えるダム／剥離層付光半導体装置５０を得る。その後、図９Ｃに示すように、ダム／剥離層付光半導体装置５０を下金型２から引き上げる。
その後、図９Ｄの矢印で示すように、ダム／剥離層付光半導体装置５０において、第１剥離層１２を封止層１３から剥離する。
続いて、図９Ｄの太鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３および基板２０を前後方向および左右方向に沿って切断して、複数の光半導体素子１６を個片化する。これによって、ダム５、ダム５に対応する膨出部１４および基板２０を除去する。
これによって、１つの光半導体素子１６と、光半導体素子１６が実装される基板２０と、光半導体素子１６を封止する封止層１３（封止部３３）とを備える光半導体装置３０が得られる。好ましくは、光半導体装置３０は、光半導体素子１６と、基板２０と、封止層１３とからなる。
図９Ａ〜図９Ｄに示される方法によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第２剥離層１７を用いないので、その分、簡便に、光半導体装置３０を得ることができる。
また、上記した一実施形態では、図２Ｅに示すように、封止層被覆光半導体素子１０における封止層１３を切断して、光半導体素子１６を個片化した後、図２Ｆに示すように、封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装している。しかし、図示しないが、封止層１３を切断せず、つまり、光半導体素子１６を個片化することなく、複数の光半導体素子１６を備える封止層被覆光半導体素子１０を、基板２０に実装することもできる。その場合には、まず、第２剥離層１７が設けられた封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装し、その後、第２剥離層１７を封止層１３から剥離する。あるいは、まず、第２剥離層１７を封止層１３から剥離した後、第２剥離層１７が剥離された封止層１３を備える封止層被覆光半導体素子１０を基板２０に実装こともできる。
また、上記した一実施形態では、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子１６を第２剥離層１７に配置し、その後、図１Ｂに示すように、これを、単数の封止層１３によって封止している。しかし、これに限定されず、例えば、図示しないが、単数の光半導体素子１６を第２剥離層１７に配置し、その後、単数の光半導体素子１６を単数の封止層１３によって封止することもできる。
その場合には、素子配置領域１８は、第２剥離層１７において単数の光半導体素子１６が配置される領域であって、より具体的には、光半導体素子１６が平面視略矩形状であれば、前端縁、後端縁、右端縁および左端縁によって囲まれる略矩形状の領域である。
この変形例によっても、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
以下に示す合成例、調製例、作製例および実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
実施例１ （図１Ａ〜図４に対応）
＜１．準備工程＞
図１Ａおよび図３に示すように、下金型２および上金型３を用意した。
＜２．スペーサ配置工程＞
図５に示すように、厚みＴ１が６５０μｍである２つのスペーサ４を用意し、それらを、下金型２の上面の配置した。
＜３．封止部材配置工程＞
第１剥離層１２と、Ｂステージの封止層１３とを備える封止部材１１を用意した。
封止部材１１を用意する方法を以下の各合成例、調製例および作製例に記載する。
（合成例１）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：
（（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．１５（ＣＨ３Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ２／２）０．６０（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．２５
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．１５（ＣＨ３）０．９０（Ｃ６Ｈ５）０．８５ＳｉＯ１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。
（合成例２）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：
（ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３１（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＳｉＯ３／２）０．４７
平均組成式：
（ＣＨ２＝ＣＨ）０．３１（ＣＨ３）０．６２（Ｃ６Ｈ５）０．９１ＳｉＯ１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ１がビニル基、Ｒ２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
（合成例３）
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。
ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。
平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２）０．３３（（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２）０．２２（Ｃ６Ｈ５ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５
平均組成式：
Ｈ０．３３（ＣＨ３）０．６６（Ｃ６Ｈ５）０．８９ＳｉＯ１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。
また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
（調製例１）
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％）５ｍｇを混合して、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。
（作製例１）
調製例１のフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａに対して、無機フィラー（屈折率１．５５、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５、平均粒子径：１５μｍ（分級品））を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、封止組成物のワニスを調製した。つまり、封止組成物において、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの配合割合が５０質量％、無機フィラーＡの配合割合が５０質量％である。
次いで、調製したワニスを、アプリケータにて、厚みＴ２が５０μｍである第１剥離層１２（ＰＴＥシート、軟化温度７０℃）の表面に、第１剥離層１２の周端部が露出するように、平面視矩形状に塗布した。その後、９０℃で９．５分、加熱することにより、ワニスにおけるフェニル系シリコーン樹脂組成物をＢステージ化（半硬化）させた。これにより、封止層１３を製造した。
図５に示すように、封止層１３の厚みＴ４は、６３０μｍ、封止層１３の面積Ｓ１は、４００ｍｍ２、封止前の封止層１３の体積は、２５２ｍｍ３であった。
その後、封止部材１１を、下金型２の上面に配置した。
＜４．ダム配置工程＞
シリコーン樹脂組成物からなるワニスを作製した。すなわち、特開２０１０−２６５４３６号公報の実施例１に記載の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂を調製した。具体的には、具体的には、両末端シラノール型ポリジメチルシロキサン、ビニルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン、水酸化テトラメチルアンモニウム（縮合触媒）、ジメチルポリシロキサン−ＣＯ−メチルハイドロジェンシロキサン、および白金−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（付加触媒）から、２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物を調製した。
次いで、２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物１００質量部に対して、有機フィラー（商品名「トスパール２０００Ｂ」、シリコーン粒子、屈折率１．４２、平均粒子径６．０μｍ、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）３０質量部を混合して、ワニスを調製した。
次いで、調製したワニスを、剥離シートの表面に塗布した後、熱風乾燥機にて、１５０℃、２時間加熱して、シート状の硬化物を作製した．その後、硬化物を、枠形状に外形加工して、ダム５を作製し、その後、作製したダム５を、封止層１３を囲むように、第１剥離層１２の上面の周端部に配置した。ダム５の厚みＴ３は、６６０μｍ、ダム５の幅（第１ダム部５Ａの前後方向長さ、および、第２ダム部５Ｂの左右方向長さ）は、３ｍｍ、ダム５の開口断面積は、４００ｍｍ２であった。また、ダム５の２５℃における引張弾性率は、０．５ＭＰａであり、破断伸びは、５００％であった。
＜５．素子部材配置工程＞
第２剥離層１７（熱剥離シート）と、第２剥離層１７の下面に配置される９つの光半導体素子１６とを備える素子部材１５を用意した。第２剥離層１７の厚みＴ５は、５０μｍであり、９つの光半導体素子１６の総体積は、３０ｍｍ３であった。
また、［封止層１３の設計厚みＴ０］＝［スペーサ４の厚みＴ１］−［第１剥離層１２の厚みＴ２］であることから、封止層１３の設計厚みＴ０は、６００μｍ（６５０μｍ（Ｔ１）−５０μｍ（Ｔ２））であった。
続いて、素子部材１５を、キャリア３２（ガラス板）の下面に貼着した。その後、素子部材１５およびキャリア３２を、封止部材１１およびダム５の上側に対向配置した。
＜６．被覆工程＞
図１Ｂに示すように、キャリア３２の左右方向両端部の下面をスペーサ４の上面と接触させて、上金型３をプレス位置に位置させることによって、上金型３を下金型２に対して熱プレスした。
具体的には、図１Ｂに示すように、上金型３を下金型２に対して、３ＭＰａ（２ｋＮ）でプレスしながら、ヒータ７により下金型２および上金型３を９０℃で１０分間加熱した。
その後、図１Ｃに示すように、上金型３およびキャリア３２をプレス１から引き上げることにより、第１剥離層１２、第２剥離層１７、光半導体素子１６、封止層１３およびダム５を備えるダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０を、上金型３およびキャリア３２に追従させるように、下金型２から引き上げた。
ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０において、図２Ｄに示すように、ダム５の厚みＴ７は、６００μｍであり、ダム５の幅（第１ダム部５Ａの前後方向長さ、および、第２ダム部５Ｂの左右方向長さ）は、３ｍｍであり、ダム５の開口断面積は、４００ｍｍ２であった。
また、ダム／剥離層付封止層被覆光半導体素子６０において、図２Ｄに示すように、封止層１３の厚みＴ６は、６００μｍ、封止層１３の面積は、４００ｍｍ２であった。また、封止層収容体積１９は、２１０ｍｍ３であった（［封止層収容体積１９］−［９つの光半導体素子１６の総体積］）。
＜７．剥離工程＞
その後、図２Ｄの矢印で示すように、第１剥離層１２を封止層１３およびダム５から引き剥がした。
続いて、図２Ｅの太鎖線で示すように、各光半導体素子１６に対応する封止層１３を切断して、複数の光半導体素子１６を個片化した。これによって、光半導体素子１６および封止層１３からなる封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７により支持された状態で得た。
＜８．実装工程＞
その後、図２Ｅの矢印で示すように、封止層被覆光半導体素子１０を第２剥離層１７から引き剥がし、次いで、図２Ｆに示すように、引き剥がした光半導体素子１６を基板２０に実装した。これにより、光半導体装置３０を得た。
実施例２〜１１ （図１Ａ〜図３に対応）
ダム５の処方および寸法と、封止層１３の寸法とを表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理した。
また、実施例２〜５および７〜１０では、＜４．ダム配置工程＞のダム５の処方では、２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物に代えて、１段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物（商品名「ＥＬＡＳＴＯＳＩＬ ＬＲ７６６５」、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、Ｂステージ状態となることができない熱硬化性樹脂、旭化成ワッカーシリコーン社製）を用いた。
また、実施例６では、＜４．ダム配置工程＞のダム５の処方では、２段反応硬化性のメチル系シリコーン樹脂組成物に代えて、１段反応硬化性のフェニル系シリコーン樹脂組成物を用いた。１段反応硬化性のフェニル系シリコーン樹脂組成物は、実施例１における＜３．封止部材配置工程＞に記載の１段反応硬化性のフェニル系シリコーン樹脂組成物を用いた。
実施例１１
ダム５を、エポキシ樹脂のみから形成した以外は、実施例１と同様に処理した。
具体的には、商品名「ＪＥＲ８２８」（エポキシ樹脂、三菱化学社製）を用いて、塗工にて狙いの厚みに成膜、硬化させた後、裁断機にて枠形状に打ち抜いた。
実施例１２
ダム５を、ウレタン樹脂のみから形成した以外は、実施例１と同様に処理した。
具体的には、商品名「ポリウレタンエラストマー（ＴＰＵ）シート」（株式会社テルマックス社製）を用いて、裁断機にて枠形状に打ち抜いた。
実施例１３
堰部材を、ガラス・エポキシ基板のみから形成した以外は、実施例１と同様に処理した。
具体的には、商品名「ＦＲ−４」（ガラス・エポキシ樹脂、パナソニック社製）を、裁断機にて枠形状に打ち抜いた。
実施例１４
堰部材を、ステンレスから形成した以外は、実施例１と同様に処理した。
具体的には、ステンレス板（型番ＳＵＳ３０４）を、裁断機にて枠形状に打ち抜いた。
比較例１
ダム５を用いなかった以外は、実施例１と同様に処理した。
（評価）
［光半導体素子１６の封止の状態］
封止層１３による光半導体素子１６の封止状態を観察し、以下に基準に従って光半導体素子１６の封止状態を評価した。
◎：封止層１３によって光半導体素子１６を完全に封止した
○：封止層１３によって光半導体素子１６を封止した
△※Ａ：ダム５のわずかな損傷によって封止組成物のダム５の外側への漏れがあったものの、封止層１３によって光半導体素子１６を封止した
△※Ｂ：封止層収容体積１９において未充填部分が散見されたものの、封止層１３によって光半導体素子１６を封止した
△※Ｃ：ダム５と第２剥離層１７との界面の密着不足によって、封止組成物のダム５の外側への漏れがあったものの、封止層１３によって光半導体素子１６を封止できた。
×：封止層１３によって光半導体素子１６を封止できなかった。
［封止層１３の平均厚みＴ６および厚みＴ６のばらつき］
剥離層付封止層被覆光半導体素子４０における封止層１３の平均厚みＴ６、および、Ｔ６のばらつきを算出した。なお、表中、Ｒは、封止層１３の厚みのばらつきの指標であって、具体的には、封止層１３の最大厚みから封止層１３の最小厚みを差し引いた値を示す。
［フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基の含有割合の測定］
フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ（つまり、フィラーが含まれていないフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。
具体的には、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを、フィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。
次いで、得られた生成物の１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。
その結果、４８％であった。
Figure 2016062908
１ プレス
２ 下金型
３ 上金型
４ スペーサ
５ ダム
７ ヒータ
１０ 封止層被覆光半導体素子
１１ 封止部材
１２ 第１剥離層
１３ 封止層
１５ 素子部材
１６ 光半導体素子
１７ 第２剥離層
１８ 素子配置領域
１９ 封止層収容体積
２０ 基板
３０ 光半導体装置
Ｓ１ 封止層の面積
Ｓ３ 素子配置領域の面積
Ｓ８ ダム（開口部）の開口断面積
Ｔ０ 封止層の設計厚み
Ｔ３ 封止前のダムの厚み
Ｔ４ 封止前の封止層の厚み

Claims (14)

  1. 光半導体素子と、前記光半導体素子を被覆する封止層とを備える封止層被覆光半導体素子の製造方法であって、
    平板状の第１金型と、前記第１金型に対向配置するための平板状の第２金型とを備えるプレスを準備する工程、
    前記封止層の設計厚みに対応するプレス位置を超える前記プレスのプレス方向における前記第１金型および／または前記第２金型の移動を規制するための規制部材を前記プレスに配置する工程、
    剥離層と、前記剥離層の表面に配置されるＢステージの前記封止層とを備える封止部材を、前記第１金型および前記第２金型の間に、前記封止層が第２金型に向かうように、配置する工程、
    前記封止層の外形形状に対応する堰部材を、前記プレス方向に投影したときに前記封止層を囲むように、配置する工程、
    基材と、前記基材の表面に配置される前記光半導体素子とを備える素子部材を、前記第１金型および前記第２金型の間であって、前記封止部材に対する前記第２金型側に、前記光半導体素子が前記第１金型に向かうように、配置する工程、および、
    前記第１金型および前記第２金型を近接させて、前記第１金型および／または前記第２金型を前記プレス位置に位置させて、前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程
    を備えることを特徴とする、封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  2. 前記封止層の体積割合が、前記第１金型および／または前記第２金型が前記プレス位置に位置するときに、前記堰部材、前記剥離層および前記基材によって区画される空間の体積から前記光半導体素子の体積を差し引いた封止層収容体積に対して、１００％以上、１２０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  3. 前記堰部材を配置する工程において、前記堰部材の厚みが、前記封止層の前記設計厚みに対して、１００％を超過し、１２０％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  4. 前記堰部材の２３℃における引張弾性率が、０．３ＭＰａ以上、１０００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  5. 前記堰部材が、樹脂を含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  6. 前記樹脂が、シリコーン樹脂および／またはウレタン樹脂であることを特徴とする、請求項５に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  7. 前記封止部材において、前記剥離層の周端部は、前記封止層から露出しており、
    前記堰部材を配置する工程では、前記堰部材を、前記剥離層の前記周端部に載置することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  8. 前記堰部材を配置する工程において、前記封止層の面積が、前記堰部材によって囲まれる空間の前記プレス方向に対する直交方向に沿う断面積に比べて、小さいことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  9. 前記光半導体素子が前記基材に単数配置される場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記単数の光半導体素子が配置される領域の面積に比べて大きく、
    前記光半導体素子が前記基材に複数設けられる場合には、前記封止層の面積が、前記基材において前記複数の光半導体素子のうち最外側に配置される前記光半導体素子の外側端縁を結ぶ線分で囲まれる領域の面積に比べて、大きいことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  10. 前記プレスは、熱源を備え、
    前記Ｂステージの封止層は、熱可塑性および熱硬化性を併有し、
    前記光半導体素子を前記封止層により被覆する工程では、前記封止層を加熱して可塑化し、続いて、可塑化した前記封止層を熱硬化させることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  11. 前記封止層は、
    分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンと、分子内に２個以上のヒドロシリル基を含有するヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有するフェニル系シリコーン樹脂組成物を含有する封止組成物からシート状に形成され、
    前記アルケニル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（１）で示され、
    平均組成式（１）：
    Ｒ１ ａＲ２ ｂＳｉＯ（４−ａ−ｂ）／２
    （式中、Ｒ１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
    前記ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、下記平均組成式（２）で示され、
    平均組成式（２）：
    ＨｃＲ３ ｄＳｉＯ（４−ｃ−ｄ）／２
    （式中、Ｒ３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
    前記平均組成式（１）および前記平均組成式（２）中、Ｒ２およびＲ３の少なくともいずれか一方は、フェニル基を含み、
    前記フェニル系シリコーン樹脂組成物を反応させることにより得られる生成物は、下記平均組成式（３）で示され、
    平均組成式（３）：
    Ｒ５ ｅＳｉＯ（４−ｅ）／２
    （式中、Ｒ５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
    前記平均組成式（３）のＲ５におけるフェニル基の含有割合が、３０モル％以上、５５モル％以下であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  12. 前記封止層は、蛍光体を含有していることを特徴とする、請求項１〜１１に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法。
  13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、
    前記基材は、第２剥離層であり、
    前記封止層被覆光半導体素子を用意する工程の後に、前記封止層被覆光半導体素子を前記第２剥離層から剥離する工程、および、
    剥離した前記封止層被覆光半導体素子の前記光半導体素子を基板に実装する工程
    をさらに備えていることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
  14. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の封止層被覆光半導体素子の製造方法により、基材の表面に配置された封止層被覆光半導体素子を用意する工程を備え、
    前記基材は、前記光半導体素子が実装された基板であることを特徴とする、光半導体装置の製造方法。
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