TW201622184A - 密封層被覆光半導體元件之製造方法及光半導體裝置之製造方法 - Google Patents

密封層被覆光半導體元件之製造方法及光半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

密封層被覆光半導體元件之製造方法係包括光半導體元件、與被覆光半導體元件之密封層的密封層被覆光半導體元件之製造方法。密封層被覆光半導體元件之製造方法包括：準備包括平板狀之第1模具、與用以與第1模具對向配置之平板狀之第2模具的加壓機之步驟；將限制構件配置於加壓機之步驟，上述限制構件係用以限制超出對應密封層之設計厚度之加壓位置的加壓機之加壓方向上的第1模具及/或第2模具之移動；將包括剝離層與配置於剝離層之表面之B階段之密封層的密封構件於第1模具及第2模具之間以密封層面向第2模具的方式進行配置之步驟；將對應密封層之外形形狀之堰構件以向加壓方向投影時包圍密封層之方式進行配置之步驟；將包括基材、與配置於基材之表面之光半導體元件的元件構件於第1模具及第2模具之間且於對應密封構件之第2模具側以光半導體元件面向第1模具之方式進行配置的步驟；及使第1模具及第2模具靠近而使第1模具及/或第2模具位於加壓位置，而利用密封層被覆光半導體元件之步驟。

Description

密封層被覆光半導體元件之製造方法及光半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種密封層被覆光半導體元件之製造方法及光半導體裝置之製造方法，詳細而言，係關於一種密封層被覆光半導體元件之製造方法、及使用其之光半導體裝置之製造方法。
先前已知有包括光半導體元件、與密封光半導體元件之密封層的光半導體裝置。
作為此種光半導體裝置之製造方法，例如提出有使用壓縮成形機之方法，該壓縮成形機包括：下模、上模、下端面位於較上模之下表面靠下方且配置於上模之周圍的夾持器、配置於夾持器及下模各者之側方之上夾具擋板及下夾具擋板(例如，參照專利文獻1)。
即，於專利文獻1所記載之方法中，提出有如下方法：於下模載置包括光半導體元件、與供其安裝之電路基板的密封前之光半導體裝置，繼而，於上模與光半導體裝置之間塗佈密封樹脂後，使上模及夾持器下降而夾持(鎖模)密封樹脂及光半導體裝置，於由夾持器之內側面與上模之下表面所包圍之密封區域將密封樹脂進行壓縮成形。
進而，於專利文獻1所記載之使用壓縮成形機之方法中，於上夾具擋板及下夾具擋板處於相互抵接之鎖模位置時，密封區域成為特定厚度，因此由密封樹脂形成之密封層具有對應密封區域之厚度。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-93354號公報
然而，於專利文獻1所記載之方法中，壓縮成形機包括夾持器、上夾具擋板及下夾具擋板，因此存在大型化之問題。
又，對密封區域中之密封層要求可將其厚度設定為所需厚度之尺寸精確性時，對於專利文獻1所記載之方法而言，存在無法滿足上述要求之問題。
本發明之目的在於提供一種即便藉由小型之加壓機，亦製造包括尺寸精確性優異之密封層之密封層被覆光半導體元件的方法。
[1]本發明係一種密封層被覆光半導體元件之製造方法，其特徵在於：其係包括光半導體元件、與被覆上述光半導體元件之密封層之密封層被覆光半導體元件之製造方法，且包括：準備包括平板狀之第1模具、與用以與上述第1模具對向配置之平板狀之第2模具的加壓機之步驟；將限制構件配置於上述加壓機之步驟，上述限制構件係用以限制超出對應上述密封層之設計厚度之加壓位置之上述加壓機之加壓方向上的上述第1模具及/或上述第2模具之移動；將包括剝離層與配置於上述剝離層之表面之B階段之上述密封層的密封構件於上述第1模具及上述第2模具之間以上述密封層面向第2模具之方式進行配置的步驟；將對應上述密封層之外形形狀之堰構件以向上述加壓方向投影時包圍上述密封層之方式進行配置之步驟；將包括基材、與配置於上述基材之表面之上述光半導體元件之元件構件於上述第1模具及上述第2模具之間且於對應上述密封構件之上述第2模具側以上述光半導體元件面向上述第1模具之方式進行配置的步驟；及使上述第1模具及上 述第2模具靠近，使上述第1模具及/或上述第2模具位於上述加壓位置，利用上述密封層被覆上述光半導體元件之步驟。
根據該方法，準備包括平板狀之第1模具、與平板狀之第2模具之加壓機，因此可一面使加壓機之構成變簡單，一面可藉由密封層而被覆光半導體元件。
又，根據該方法，將堰構件以向加壓方向投影時包圍密封層之方式進行配置，並且使第1模具及第2模具靠近。因此，於第1模具及第2模具之加壓中，可抑制密封層向與加壓方向正交之方向漏出。
進而，根據該方法，將限制構件配置於加壓機，因此使第1模具及/或第2模具位於加壓位置時，可限制超出對應密封層之設計厚度之加壓位置之加壓機之加壓方向上的第1模具及/或第2模具之移動。因此，可將密封層之厚度精確地調整為設計厚度。
[2]本發明係如上述[1]所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述密封層之體積比率於上述第1模具及/或上述第2模具位於上述加壓位置時，相對於自藉由上述堰構件、上述剝離層及上述基材而劃出之空間之體積減去上述光半導體元件之體積而獲得的密封層收容體積為100%以上且120%以下。
根據該方法，密封層之體積比率處於特定範圍，因此可獲得尺寸精確性優異之密封層。
[3]本發明係如上述[1]或[2]所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於配置上述堰構件之步驟中，上述堰構件之厚度相對於上述密封層之上述設計厚度超過100%且為120%以下。
根據該方法，堰構件之厚度處於特定範圍，因此可一面確實地將堰構件於上下方向進行壓縮，一面抑制密封層向正交方向漏出。
[4]本發明係如上述[1]至[3]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述堰構件於23℃下之拉伸彈性模數為0.3 MPa以上且1000MPa以下。
根據該方法，可良好地確保堰構件之處理性，另一方面，可一面將堰構件與密封層一起進行加壓，一面抑制密封層向正交方向漏出。
[5]本發明係如上述[1]至[4]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述堰構件含有樹脂。
根據該方法，堰構件含有樹脂，因此可容易地形成柔軟之堰構件。因此，可藉由上述堰構件而確實地抑制密封層自堰構件漏出。
[6]本發明係如上述[5]所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述樹脂為聚矽氧樹脂及/或胺基甲酸酯樹脂。
根據該方法，樹脂為聚矽氧樹脂及/或胺基甲酸酯樹脂，因此可進一步確實地抑制密封層自堰構件漏出。
[7]本發明係如上述[1]至[6]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於上述密封構件中，上述剝離層之周端部係自上述密封層露出，於配置上述堰構件之步驟中，將上述堰構件載置於上述剝離層之上述周端部。
根據該方法，於配置堰構件之步驟中，將堰構件載置於剝離層之周端部，因此於使第1模具及第2模具靠近，藉由密封層而被覆光半導體元件之步驟中，可容易且確實地將堰構件以包圍密封層之方式對向配置於剝離層之表面。
[8]本發明係如上述[1]至[7]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於配置上述堰構件之步驟中，上述密封層之面積小於由上述堰構件所包圍之空間之沿與上述加壓方向正交之方向的截面面積。
根據該方法，可容易且確實地將包圍大於密封層之面積之截面面積之空間的堰構件以包圍密封層之方式進行配置。
[9]本發明係如上述[1]至[8]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於將單個上述光半導體元件配置於上述基材之情形時，上述密封層之面積大於上述基材中供配置上述單個光半導體元件之區域之面積，於將複數個上述光半導體元件設置於上述基材之情形時，上述密封層之面積大於上述基材中由連結上述複數個光半導體元件中配置於最外側之上述光半導體元件之外側端緣之線段所包圍之區域的面積。
根據該方法，可藉由具有大於上述區域之面積之面積之密封層而確實地被覆光半導體元件，並且使密封層之厚度精確性提高。
[10]本發明係如上述[1]至[9]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述加壓機具備熱源，上述B階段之密封層兼具熱塑性及熱硬化性，於藉由上述密封層而被覆上述光半導體元件之步驟中，將上述密封層進行加熱並使之塑化，繼而使塑化之上述密封層熱硬化。
根據該方法，B階段之密封層兼具熱塑性及熱硬化性，因此於藉由密封層而被覆光半導體元件之步驟中，可將密封層進行加熱並塑化而藉由密封層確實地被覆光半導體元件，並且其後使塑化之密封層進行熱硬化而可使光半導體元件之可靠性提高。
[11]本發明係如上述[1]至[10]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述密封層係由含有苯基系聚矽氧樹脂組合物之密封組合物形成為片狀，上述苯基系聚矽氧樹脂組合物含有分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基之含烯基之聚矽氧烷、分子內含有2個以上之氫矽烷基之含氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒，上述含烯基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(1)表示，平均組成式(1)：R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(式中，R1表示碳數2~10之烯基及/或碳數3~10之環烯基，R2表示未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及環烯基除外)，a為0.05以上且0.50以下，b為0.80以上且1.80以下)，上述含氫矽烷基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(2)表示，平均組成式(2)：HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(式中，R3表示未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及/或環烯基除外)，c為0.30以上且1.0以下，d為0.90以上且2.0以下)，上述平均組成式(1)及上述平均組成式(2)中，R2及R3中之至少任一者包含苯基，藉由使上述苯基系聚矽氧樹脂組合物進行反應而獲得之產物係由下述平均組成式(3)表示，平均組成式(3)：R5 eSiO(4-e)/2
(式中，R5表示包含苯基之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及環烯基除外)，e為0.5以上且2.0以下)，上述平均組成式(3)之R5中之苯基之含有比率為30莫耳%以上且55莫耳%以下。
根據該方法，於密封層中，藉由使聚矽氧樹脂組合物進行反應而獲得之產物之平均組成式(3)之R5中之苯基的含有比率處於特定範圍，因此可確實地埋設光半導體元件並進行被覆。
[12]本發明係如上述[1]至[11]所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述密封層含有螢光體。
根據該方法，可藉由尺寸精確性優異且含有螢光體之密封層而將自光半導體元件發出之光進行波長轉換，因此可獲得顏色均勻性優 異之密封層被覆光半導體元件。
[13]本發明係一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於：包括藉由如上述[1]至[12]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，而準備配置於基材之表面之密封層被覆光半導體元件之步驟，且上述基材為第2剝離層，而亦可於準備上述密封層被覆光半導體元件之步驟後，進而包括：將上述密封層被覆光半導體元件自上述第2剝離層進行剝離之步驟、及將所剝離之上述密封層被覆光半導體元件之上述光半導體元件安裝於基板之步驟。
根據該方法，準備包括具有已精確調整為設計厚度之厚度之密封層之密封層被覆光半導體元件，因此可獲得發光特性及耐久性優異之光半導體裝置。
[14]本發明係一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於：包括藉由如上述[1]至[12]中任一項所記載之密封層被覆光半導體元件之製造方法，而準備配置於基材之表面之密封層被覆光半導體元件之步驟，且上述基材係安裝有上述光半導體元件之基板。
根據該方法，準備包括具有已精確調整為設計厚度之厚度之密封層之密封層被覆光半導體元件，因此可獲得發光特性及耐久性優異之光半導體裝置。
根據本發明之密封層被覆光半導體元件之製造方法，可使加壓機之構成變簡單，並且可藉由密封層而被覆光半導體元件。又，可抑制密封層向與加壓方向正交之方向漏出。進而，可將密封層之厚度精確地調整為設計厚度。
根據本發明之光半導體裝置之製造方法，可獲得發光特性及耐久性優異之光半導體裝置。
1‧‧‧加壓機
2‧‧‧下模具
3‧‧‧上模具
4‧‧‧間隔件
5‧‧‧障壁
5A‧‧‧第1障壁部
5B‧‧‧第2障壁部
7‧‧‧加熱器
8‧‧‧開口部
10‧‧‧密封層被覆光半導體元件
11‧‧‧密封構件
12‧‧‧第1剝離層
13‧‧‧密封層
14‧‧‧鼓出部
15‧‧‧元件構件
16‧‧‧光半導體元件
16A‧‧‧最前側之光半導體元件
16B‧‧‧最後側之光半導體元件
16C‧‧‧最左側之光半導體元件
16D‧‧‧最右側之光半導體元件
17‧‧‧第2剝離層
18‧‧‧元件配置區域
19‧‧‧密封層收容體積
20‧‧‧基板
22‧‧‧彈簧
23‧‧‧第1凹部
25‧‧‧第2凹部
29‧‧‧安裝基板
30‧‧‧光半導體裝置
32‧‧‧載體
33‧‧‧密封部
40‧‧‧附剝離層之密封層被覆光半導體元件
50‧‧‧附障壁/剝離層之光半導體裝置
60‧‧‧附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件
A、B、C、D‧‧‧線段
L1‧‧‧障壁之內側面、與密封層之外側面之間隔
S1‧‧‧密封層之面積
S2‧‧‧第1剝離層之面積
S3‧‧‧元件配置區域之面積
S8‧‧‧障壁(開口部)之開口截面面積
T0‧‧‧密封層之設計厚度
T1‧‧‧間隔件之厚度
T2‧‧‧第1剝離層之厚度
T3‧‧‧密封前之障壁之厚度
T4‧‧‧密封前之密封層之厚度
T5‧‧‧第2剝離層之厚度
T6‧‧‧密封層之厚度
T7‧‧‧障壁之厚度
圖1A~圖1C係對本發明之光半導體裝置之製造方法進行說明之步驟圖，圖1A係表示準備步驟、間隔件配置步驟、密封構件配置步驟、障壁配置步驟及元件構件配置步驟，圖1B係表示被覆步驟，圖1C係表示將附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件提拉之步驟。
圖2D~圖2F係接著圖1C，對本發明之光半導體裝置之製造方法進行說明之步驟圖，圖2D係表示將第1剝離層進行剝離之步驟，圖2E係表示剝離步驟，圖2F係表示安裝步驟。
圖3係表示圖1A所示之加壓機之分解立體圖。
圖4A及圖4B係圖1A所示之加壓機之仰視圖及俯視圖，圖4A係表示上模具之仰視圖，圖4B係表示下模具之俯視圖。
圖5係表示圖1A所示之加壓機之擴大截面圖。
圖6係表示本發明之光半導體裝置之製造方法之變化例的準備步驟、間隔件配置步驟、密封構件配置步驟、障壁配置步驟及元件構件配置步驟。
圖7係表示本發明之光半導體裝置之製造方法之變化例的被覆步驟。
圖8係表示本發明之光半導體裝置之製造方法之變化例的準備步驟、間隔件配置步驟、密封構件配置步驟、障壁配置步驟及元件構件配置步驟。
圖9係對光半導體裝置之製造方法之變化例進行說明之步驟圖，圖9A係表示準備步驟、間隔件配置步驟、密封構件配置步驟、障壁配置步驟及元件構件配置步驟，圖9B係表示被覆步驟，圖9C係表示將附障壁/剝離層之光半導體裝置提拉之步驟，圖9D係表示將光半導體元件單片化之步驟。
圖1中，紙面上下方向係上下方向(下述之加壓方向及厚度方向之一例，第1方向)，紙面上側係上側(加壓方向上游側，第1方向一側)，紙面下側係下側(加壓方向下游側，第1方向另一側)。圖1中，紙面左右方向係左右方向(與加壓方向正交之第2方向)，紙面左側係左側(第2方向一側)，紙面右側係右側(第2方向另一側)。圖1中，紙面紙厚方向係前後方向(與加壓方向及第2方向正交之第3方向)，紙面左側係左側(第3方向一側)，紙面右側係右側(第3方向另一側)。具體而言，係依據各圖之方向箭頭。
本發明之密封層被覆光半導體元件之製造方法之一例係如圖2E所示般包括光半導體元件16、與被覆光半導體元件16並進行密封之密封層13的密封層被覆光半導體元件10之製造方法。該密封層被覆光半導體元件10之製造方法包括：準備步驟、間隔件配置步驟、密封構件配置步驟、元件構件配置步驟、障壁配置步驟及被覆步驟。以下，參照圖1A~圖5對各步驟進行詳述。
<1.準備步驟>
準備步驟中，準備加壓機1。
如圖1A及圖3所示，加壓機1包括作為第1模具之下模具2、與作為第2模具之上模具3。進而，加壓機1包括作為熱源之加熱器7、與複數個(4個)彈簧22。
下模具2係配置於加壓機1之下部並形成為沿左右方向及前後方向延伸之大致矩形平板狀。下模具2例如包含鐵、不鏽鋼、鋁等金屬。又，如圖3及圖4B所示，於下模具2設置有複數個(4個)第1凹部23。
複數個(4個)第1凹部23係以下模具2之上表面向下側凹陷之方式 形成。複數個(4個)第1凹部23係於前後方向及左右方向相互隔著間隔而進行配置。複數個(4個)第1凹部23係於下模具2之各角部各配置有1個。
如圖3所示，上模具3係於加壓機1中以可對向配置於下模具2之上側之方式構成。上模具3係形成為與下模具2之外形形狀相同之形狀。具體而言，上模具3係形成沿左右方向及前後方向延伸之大致矩形平板狀。如圖3及圖4A所示，上模具3包含於下模具2中所例示之金屬。又，於上模具3設置有複數個(4個)第2凹部25。
複數個(4個)第2凹部25係於上模具3之下表面以對應設置於下平板4之複數個(4個)第1凹部23的方式配置於上模具3之角部。具體而言，複數個(個)第2凹部25係以於上下方向投影時與複數個(4個)第1凹部23重疊之方式進行配置。複數個(4個)第2凹部25分別以上模具3之下表面向上側凹陷之方式形成。
又，上模具3係以可向下模具2加壓之方式構成。具體而言，於上模具3連接有可向下模具2賦予壓力之驅動部(未圖示)。
加熱器7係如圖1A所示般分別配置於下模具2之下表面、及上模具3之上表面。加熱器7係以可對下模具2及上模具3進行加熱之方式構成。
彈簧22係設置有複數個(4個)，但於圖1A中全部未圖示。複數個(4個)彈簧22分別以可於上下方向延伸、可於上下方向收縮之方式進行構成，係於上下方向具有擠壓力之擠壓彈簧。參照圖3，彈簧22之下端部係被第1凹部23收容且被固定，另一方面，彈簧22之上端部係被第2凹部25收容且被固定。
準備加壓機1時，如圖1A所示，分別準備設置有加熱器7之下模具2、與設置有加熱器7之上模具3。
再者，於該時點，上模具3尚未對向配置於下模具2之上側，但於被覆步驟中對向配置於下模具2之上側，上述情況係於下文進行說明。又，彈簧22亦未配置於下模具2，而是於被覆步驟中配置於下模具2。
<2.間隔件配置步驟>
(間隔件之準備)
間隔件配置步驟中，如圖3所示，首先準備複數個(2個)作為限制構件之間隔件4。
複數個(2個)間隔件4係形成為沿前後方向延伸之大致角棒(角柱)形狀。如圖4B所示，複數個(2個)間隔件4分別形成為於前後方向較長之俯視大致矩形狀。如圖3及圖5所示，複數個(2個)間隔件4係分別將於左右方向及上下方向切斷時之截面形狀、及於前後方向及上下方向切斷時之截面形狀形成為大致矩形狀。
間隔件4包含具有機械強度、耐摩耗性及耐熱性之材料，作為上述材料，具體而言，例如可列舉：鐵、不鏽鋼、鋁等金屬，例如聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碸(PSF)、聚醚碸(PES)等樹脂(具體而言，工程塑膠)等。較佳為金屬，具體而言，可列舉：下模具2及上模具3之金屬。
複數個(2個)間隔件4各自之前後方向長度係被調整為遍及下模具2之前端部及後端部之長度。複數個(2個)間隔件4各自之左右方向長度(寬度)例如為3mm以上、較佳為10mm以上，又例如為100mm以下、較佳為50mm以下。如圖5所示，複數個(2個)間隔件4各自之上下方向長度T1(厚度T1)係對應下述之密封層13之設計厚度T0(參照圖1B)之厚度，詳細而言，係視密封層13之設計厚度T0(參照圖1B)、第1剝 離層12之厚度T2(參照圖5)而適當設定。具體而言，複數個(2個)間隔件4各自之厚度T1例如為50μm以上、較佳為100μm以上，又例如為5000μm以下、較佳為1000μm以下。
(間隔件之配置)
繼而，將所準備之複數個(2個)間隔件4配置於下模具2之上表面。具體而言，將複數個(2個)間隔件4分別載置於下模具2之上表面左右方向兩端部。
<3.密封構件配置步驟>
(密封構件之準備)
於密封構件配置步驟中，如圖3所示，首先準備密封構件11。
(密封構件)
密封構件11係形成為沿前後方向及左右方向延伸之大致矩形平板狀。密封構件11包括：作為剝離層之第1剝離層12、與配置於第1剝離層13之上表面(表面)之B階段之密封層13。密封構件11較佳為僅包含第1剝離層12、與密封層13。
第1剝離層12於藉由密封層13密封光半導體元件16(下述)前，為保護密封層13，而以可剝離之方式貼合於密封層13之背面(圖1A中之下表面，圖2D中之上表面)。即，第1剝離層12係如下可撓性膜：於密封構件11之出貨、搬送、保管時，以被覆密封層13之背面(圖1A中之下表面，圖2D中之上表面)之方式積層於密封層13之背面，於即將使用密封層13前，可如圖2D所示般自密封層13之背面(圖2D中之上表面)以彎曲成大致U字狀之方式進行剝離。即，第1剝離層12僅包含可撓性膜。又，第1剝離層12之貼合面(圖1A中之下表面)，即與密封層13之接觸面係視需要進行氟處理等剝離處理。
如圖3所示，第1剝離層12形成沿左右方向及前後方向之平板 狀，具體而言，形成為於左右方向較長之俯視大致矩形狀。
作為形成第1剝離層12之材料，例如可列舉熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，可列舉：例如聚苯乙烯等苯乙烯系樹脂；例如聚乙烯、聚丙烯等烯烴系樹脂；例如PET等聚酯系樹脂；例如丙烯酸系樹脂等丙烯酸系樹脂；例如氟系樹脂；例如熱塑性聚矽氧樹脂等。較佳為可列舉聚酯系樹脂。第1剝離層12之軟化溫度例如為40℃以上、較佳為60℃以上，又例如為150℃以下、較佳為100℃以下。
如圖4B所示，第1剝離層12之面積S2係以大於密封層13之面積S1之方式形成。
如圖5所示，第1剝離層12之厚度T2就剛性、可撓性、處理性及低成本化之觀點而言，例如為20μm以上、較佳為30μm以上、更佳為50μm以上，又例如為200μm以下、較佳為100μm以下。
如圖3所示，密封層13具有平板狀，具體而言，具有特定之厚度，且具有沿前後方向及左右方向延伸且平坦之上表面及平坦之下表面。密封層13係以其外形形狀小於第1剝離層12之外形形狀之方式形成，並以露出第1剝離層12之上表面之周端部(前端部、後端部、左端部及右端部)之方式載置於第1剝離層12之上表面之前後方向及左右方向中央部。
又，密封層13並非下述之密封層被覆光半導體元件10(參照圖2E)及光半導體裝置30(參照圖2F)，係密封層被覆光半導體元件10及光半導體裝置30之一零件，即用以製作密封層被覆光半導體元件10及光半導體裝置30之零件，不包含光半導體元件16及搭載光半導體元件16之基板20而構成。
因此，包括第1剝離層12及密封層13之密封構件11以單獨零件流通，為產業上可利用之裝置。
密封層13係由B階段之密封組合物形成為片狀。密封組合物例如含有密封樹脂作為必須成分。密封樹脂係透明樹脂，具體而言，可列舉：熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等硬化性樹脂，較佳為可列舉熱硬化性樹脂。
作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：2階段反應硬化性樹脂、1階段反應硬化性樹脂。
2階段反應硬化性樹脂具有2個反應機構，可於第1階段之反應中自A階段狀態進行B階段化(半硬化)，繼而於第2階段之反應中自B階段狀態進行C階段化(完全硬化)。即，2階段反應硬化性樹脂係可根據適當之加熱條件而成為B階段狀態之熱硬化性樹脂。再者，關於B階段狀態，係熱硬化性樹脂為液狀之A階段狀態、與完全硬化之C階段狀態之間之狀態，且係硬化及凝膠化略微進行，彈性模數小於C階段狀態之彈性模數之半固體或固體狀態。
1階段反應硬化性樹脂具有1個反應機構，可於第1階段之反應中自A階段狀態進行C階段化(完全硬化)。其中，1階段反應硬化性樹脂包含熱硬化性樹脂，該熱硬化性樹脂係於第1階段之反應途中，該反應停止，而可自A階段狀態成為B階段狀態，藉由其後之進一步加熱而使第1階段之反應再開始，而可自B階段狀態進行C階段化(完全硬化)。即，上述熱硬化性樹脂係可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂。
作為密封樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。較佳為可列舉聚矽氧樹脂。
作為聚矽氧樹脂，例如可列舉：加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物、縮合反應．加成反應硬化型聚矽氧樹脂等。聚矽氧樹脂可單獨使用，或者亦可併用。
加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係1階段反應硬化性樹脂，例 如含有：含烯基之聚矽氧烷、含氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒。
含烯基之聚矽氧烷係於分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基。關於含烯基之聚矽氧烷，具體而言，由下述平均組成式(1)表示。
平均組成式(1)：R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(式中，R1表示碳數2~10之烯基及/或碳數3~10之環烯基。R2表示未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及環烯基除外)。a為0.05以上且0.50以下，b為0.80以上且1.80以下)。
式(1)中，作為R1所示之烯基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數2~10之烯基。作為R1所示之環烯基，例如可列舉：環己烯、降基等碳數3~10之環烯基。
作為R1，較佳為可列舉烯基，更佳為可列舉碳數2~4之烯基，進而較佳為可列舉乙烯基。
R1所示之烯基可為相同種類，亦可為複數種類。
R2所示之1價烴基係烯基及環烯基以外之未經取代或經取代之碳原子數1~10之1價烴基。
作為未經取代之1價烴基，可列舉：例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、戊基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳數1~10之烷基；例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基等碳數3~6之環烷基；例如苯基、甲苯基、萘基等碳數6~10之芳基；例如苄基、苄基乙基等碳數7~8之芳烷基。較佳為可列舉碳數1~3之烷基、碳數6~10之芳基，更佳為可列舉甲基及/或苯基。
另一方面，關於經取代之1價烴基，可列舉：上述未經取代之1 價烴基中之氫原子經取代基取代者。
作為取代基，例如可列舉：氯原子等鹵素原子、例如縮水甘油醚基等。
作為經取代之1價烴基，具體而言，可列舉：3-氯丙基、縮水甘油氧基丙基等。
1價之烴基可為未經取代及經取代中之任一種，較佳為未經取代。
R2所示之1價烴基可為相同種類或複數種類。較佳為可列舉甲基及/或苯基，更佳為可列舉甲基及苯基之併用。
a較佳為0.10以上且0.40以下。
b較佳為1.5以上且1.75以下。
含烯基之聚矽氧烷之重量平均分子量例如為100以上、較佳為500以上，又例如為10000以下、較佳為5000以下。含烯基之聚矽氧烷之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法而測定之基於標準聚苯乙烯之換算值。
含烯基之聚矽氧烷係藉由適當之方法而製備，又亦可使用市售品。
又，含烯基之聚矽氧烷可為相同種類或複數種類。
含氫矽烷基之聚矽氧烷例如於分子內含有2個以上之氫矽烷基(SiH基)。關於含氫矽烷基之聚矽氧烷，具體而言，由下述平均組成式(2)表示。
平均組成式(2)：HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(式中，R3表示未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及/或環烯基除外)。c為0.30以上且1.0以下，d為0.90以上且2.0以下)。
式(2)中，關於R3所示之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基，例示有與式(1)之R2所示之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基相同者。較佳為可列舉未經取代之碳數1~10之1價烴基，更佳為可列舉碳數1~10之烷基、碳數6~10之芳基，進而較佳為可列舉甲基及/或苯基。
c較佳為0.5以下。
d較佳為1.3以上且1.7以下。
含氫矽烷基之聚矽氧烷之重量平均分子量例如為100以上、較佳為500以上，又例如為10000以下、較佳為5000以下。含氫矽烷基之聚矽氧烷之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法而測定之基於標準聚苯乙烯之換算值。
含氫矽烷基之聚矽氧烷係藉由適當之方法而製備，又亦可使用市售品。
又，含氫矽烷基之聚矽氧烷可為相同種類或複數種類。
上述之平均組成式(1)及平均組成式(2)中，R2及R3中之至少任一者之烴基包含苯基，較佳為R2及R3兩者之烴基包含苯基。再者，因R2及R3中之至少任一者之烴基包含苯基，故加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係設為苯基系聚矽氧樹脂組合物。
關於含氫矽烷基之聚矽氧烷之調配比率，係以含烯基之聚矽氧烷之烯基及環烯基之莫耳數相對於含氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數的比率(烯基及環烯基之莫耳數/氫矽烷基之莫耳數)成為例如1/30以上、較佳為1/3以上，又例如30/1以下、較佳為3/1以下之方式進行調整。
矽氫化觸媒只要為提高含烯基之聚矽氧烷之烯基及/或環烯基、與含氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基之矽氫化反應(氫矽烷基加成)的反應速度之物質(加成觸媒)，則無特別限定，例如可列舉金屬觸媒。 作為金屬觸媒，可列舉：例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、鉑-乙醯乙酸酯等鉑觸媒；例如鈀觸媒；例如銠觸媒等。
關於矽氫化觸媒之調配比率，以金屬觸媒之金屬量(具體而言，金屬原子)計，相對於含烯基之聚矽氧烷及含氫矽烷基之聚矽氧烷，以質量基準計例如為1.0ppm以上，又例如為10000ppm以下、較佳為1000ppm以下、更佳為500ppm以下。
加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係藉由將含烯基之聚矽氧烷、含氫矽烷基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒以上述比率進行調配而製備。
上述之加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係藉由調配含烯基之聚矽氧烷、含氫矽烷基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒而製備為A階段(液體)狀態，其後，藉由反應於途中停止而製備為B階段(液體)狀態。
即，如上所述，加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係藉由所需條件之加熱，而產生含烯基之聚矽氧烷之烯基及/或環烯基、與含氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基之矽氫化加成反應，其後矽氫化加成反應暫時停止。藉此，可自A階段狀態成為B階段(半硬化)狀態。其後，藉由進一步之所需條件之加熱，而使上述之矽氫化加成反應再開始並結束。藉此，可自B階段狀態成為C階段(完全硬化)狀態。
再者，加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物於處於B階段(半硬化)狀態時為固體狀。並且，該B階段狀態之加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物可兼具熱塑性及熱硬化性。即，B階段之加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係藉由加熱而暫時塑化後，進行完全硬化。
縮合‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係2階段反應硬化性樹脂，具體而言，可列舉：例如日本專利特開2010-265436號公報、日本專利特開2013-187227號公報等所記載之第1~第8之縮合、加成反 應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如日本專利特開2013-091705號公報、日本專利特開2013-001815號公報、日本專利特開2013-001814號公報、日本專利特開2013-001813號公報、日本專利特開2012-102167號公報等所記載之含籠型辛基倍半矽氧烷之聚矽氧樹脂組合物等。再者，縮合‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係固體狀，兼具熱塑性及熱硬化性。
作為縮合‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，較佳為直接鍵結於矽原子之烷基全部為甲基之甲基系聚矽氧樹脂組合物(2階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物，具體而言，可列舉：由兩末端矽烷醇型聚二甲基矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、及含烯基之矽化合物製備之甲基系聚矽氧樹脂組合物等。
縮合‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係藉由加熱而產生縮合反應，自A階段狀態製備為B階段(半硬化)狀態。B階段狀態之縮合‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物可其後藉由進一步之加熱而產生加成反應而成為C階段(完全硬化)狀態。
作為熱硬化性樹脂，就耐久性及光學特性之觀點而言，可列舉1階段反應硬化性樹脂，具體而言，加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，更佳為可列舉苯基系聚矽氧樹脂組合物。
密封樹脂之折射率例如為1.50以上，又例如為1.60以下。密封樹脂之折射率係藉由阿貝折射率計而算出。再者，關於密封樹脂之折射率，於密封樹脂為B階段之硬化性樹脂之情形時，因B階段之硬化性樹脂與C階段之硬化性樹脂(相當於下述之產物)之折射率實質上相同，故作為C階段之硬化性樹脂之折射率算出。
關於密封樹脂之調配比率，相對於密封組合物，例如為20質量%以上、較佳為25質量%以上，又例如為70質量%以下、較佳為50質量%以下、更佳為未達50質量%、進而較佳為40質量%以下、尤佳為30 質量%以下。若密封樹脂之調配比率為上述範圍內，則可確保密封層13之成形性。
(填料、螢光體)
密封組合物除上述之密封樹脂外，例如亦可含有填料及/或螢光體。
填料為了使密封層13(參照圖1A)之成形性提高，而視需要調配密封組合物。具體而言，填料係調配於反應前(具體而言，A階段)之密封樹脂。作為填料，並無特別限定，例如可例舉：無機填料、有機填料。該等可單獨使用或併用。
作為無機填料，可列舉：例如二氧化矽(SiO2)、滑石(Mg3(Si4O10)(HO)2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鍶(SrO)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋇(BaO)、氧化銻(Sb2O3)等氧化物；例如氮化鋁(AlN)、氮化矽(Si3N4)等氮化物等無機物粒子(無機物)。又，作為無機填料，例如可列舉由上述例示之無機物製備之複合無機物粒子，較佳為可列舉由氧化物製備之複合無機氧化物粒子(具體而言，玻璃粒子等)。
作為複合無機氧化物粒子，例如含有二氧化矽、或二氧化矽及氧化硼作為主成分，又含有氧化鋁、氧化鈣、氧化鋅、氧化鍶、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、氧化銻等作為副成分。關於複合無機氧化物粒子中之主成分之含有比率，相對於複合無機氧化物粒子，例如超過40質量%、較佳為50質量%以上，又例如為90質量%以下、較佳為80質量%以下。關於副成分之含有比率，係上述之主成分之含有比率之剩餘部分。
複合氧化物粒子係調配上述之主成分及副成分，進行加熱而使之熔融，對該等熔融物進行急冷，其後例如藉由球磨機等而進行粉碎，其後視需要實施適當之表面加工(具體而言，球體化等)而獲得。
作為有機填料，例如可列舉：包含聚矽氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、苯胍胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等之樹脂粒子等。較佳為可列舉：包含聚矽氧系樹脂之聚矽氧粒子。
聚矽氧粒子係具有交聯結構之聚矽氧烷(硬化後)之微粒子，其折射率係與密封組合物中之硬化後之硬化性樹脂之折射率接近。
作為填料，較佳為可列舉無機填料。
填料之形狀並無特別限定，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳為可列舉球狀。填料之平均粒徑例如為10μm以上、較佳為15μm以上，又例如為50μm以下、較佳為40μm以下、更佳為30μm以下、進而較佳為25μm以下。於填料之平均粒徑超過上述上限之情形時，有密封組合物(下述之清漆)中填料沈澱之傾向。另一方面，於填料之平均粒徑未達上述下限之情形時，有密封組合物之片材成形性降低、或者密封層13(參照圖1A)之透明性降低之傾向。填料之平均粒徑係以D50值算出。具體而言，藉由雷射繞射式粒度分佈計而進行測定。
填料之折射率例如較佳為1.40以上、較佳為1.50以上、更佳為1.52以上，又例如為1.60以下、較佳為1.58以下。若填料之折射率為上述範圍內，則可將與上述之密封樹脂之折射率之差設為所需範圍內。即，可使密封樹脂及填料之折射率之差之絕對值變小，因此可使密封層13之透明性提高。填料之折射率係藉由阿貝折射率計而算出。
關於填料之配合比率，相對於密封組合物，例如為20質量%以上、較佳為25質量%以上、更佳為30質量%以上、進而較佳為40質量%以上，又例如為80質量%以下、較佳為60質量%以下。又，關於填料之配合比率，相對於密封樹脂100質量份，例如為25質量份以上、 較佳為33.3質量份以上、更佳為42.8質量份以上，又例如為400質量份以下、較佳為150質量份以下。
若填料之調配比率為上述範圍內，則可確保利用填料之密封層13之優異成形性。
螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉：可將藍光轉換為黃光之黃色螢光體、可將藍光轉換為紅光之紅色螢光體等。
作為黃色螢光體，例如可列舉：(Ba、Sr、Ca)2SiO4：Eu、(Sr、Ba)2SiO4：Eu(鋇正矽酸酯(BOS))等矽酸鹽螢光體、例如Y3Al5O12：Ce(YAG(釔‧鋁‧石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(鋱‧鋁‧石榴石)：Ce)等具有石榴石型結晶結構之石榴石型螢光體、例如Ca-α-SiAlON等酸氮化物螢光體等。
作為紅色螢光體，例如可列舉：CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物螢光體等。
作為螢光體之形狀，例如可列舉：球狀、板狀、針狀等。就流動性之觀點而言，較佳為可列舉球狀。
關於螢光體之最大長度之平均值(於球狀之情形時，為平均粒徑)，例如為0.1μm以上、較佳為1μm以上，又例如為200μm以下、較佳為100μm以下。
關於螢光體之比重，例如為2.0以上，又例如為9.0以下。
螢光體可單獨使用或進行併用。
關於螢光體之調配比率，相對於密封樹脂100質量份，例如為0.1質量份以上、較佳為0.5質量份以上，且例如為80質量份以下、較佳為50質量份以下。
(密封層之製造)
製造密封層13時，首先製備含有上述之密封樹脂、與視需要之填料及/或螢光體之密封組合物。具體而言，製備含有A階段之密封樹 脂、與視需要之填料及/或螢光體之密封組合物。
例如，將密封樹脂、與視需要之填料及/或螢光體以上述之調配比率進行混合。
藉此，將密封樹脂中分散有填料之密封組合物以清漆之形式進行製備。
清漆於25℃下之黏度例如為1,000mPa‧s以上、較佳為4,000mPa‧s以上，又例如為1,000,000mPa‧s以下、較佳為200,000mPa‧s以下。再者，黏度係將清漆之溫度調節為25℃，並使用E型圓錐而進行測定。
繼而，塗佈所製備之清漆。具體而言，如圖1A所示，將清漆塗佈於第1剝離層12之表面(上表面)。
將清漆塗佈於第1剝離層12之表面時，例如使用分注器、敷料器、狹縫式模嘴塗佈機等塗佈裝置。又，於上述之塗佈中，將清漆以露出第1剝離層12之上表面之周端部之圖案進行塗佈。
藉由將清漆向第1剝離層12進行塗佈而形成塗膜。
其後，於密封樹脂為硬化性樹脂之情形時，使塗膜半硬化。即，使A階段之塗膜B階段化。具體而言，若硬化性樹脂為熱硬化性樹脂，則將塗膜進行加熱。作為加熱條件，加熱溫度為70℃以上、較佳為80℃以上，又為120℃以下、較佳為100℃以下。若加熱溫度為上述範圍，則可確實使硬化性樹脂為B階段。又，加熱時間例如為5分鐘以上、較佳為8分鐘以上，又例如為30分鐘以下、較佳為20分鐘以下。
或者若硬化性樹脂為光硬化性樹脂，則向塗膜照射紫外線。具體而言，使用UV燈等而向塗膜照射紫外線。
藉此，使塗膜中之A階段之硬化性樹脂為B階段。
於硬化性樹脂含有加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之情形 時，烯基及/或環烯基、與氫矽烷基之矽氫化反應(加成反應)進行至途中而暫時停止。
另一方面，於硬化性樹脂樹脂含有縮合反應‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂之情形，縮合反應結束。
於密封樹脂成為B階段時，密封層13(或塗膜)係自第1剝離層12彈開，因此俯視下密封層13凝集而俯視下之面積變小。其結果為，密封層13有厚度變厚之傾向。另一方面，密封層13於藉由加熱而成為B階段之情形時，有伴隨著加熱而進行收縮之傾向，尤其是有於厚度方向變薄之傾向。因此，密封層13之由自第1剝離層12彈開導致之厚度之增加分、與伴隨著加熱收縮之厚度之減少分相抵銷，密封層13之厚度實質上沒有變化。
藉此，獲得如圖1A所示般包括第1剝離層12、與積層於第1剝離層12之密封層13之密封構件11。
密封層13中，將視需要調配之填料及/或螢光體均勻地分散於作為基質之聚矽氧樹脂組合物中。
半硬化(B階段)狀態之密封層13具有可撓性，係成為半硬化(B階段)狀態後，可成為下述之完全硬化(C階段)狀態(即，產生C階段之產物)之狀態。
(密封層之物性)
又，關於B階段之密封層13，較佳為於要兼具可塑性及硬化性之情形，兼具可塑性及硬化性。B階段之密封層13更佳為兼具熱塑性及熱硬化性。即，B階段之密封層13可藉由加熱而暫時塑化後進行硬化。
密封層13之熱塑溫度例如為40℃以上、較佳為60℃以上，又例如為120℃以下、較佳為100℃以下。再者，熱塑溫度係密封層13顯示熱塑性之溫度，具體而言，係B階段之密封樹脂藉由加熱而軟化之溫 度，與軟化溫度實質上相同。
密封層13之熱硬化溫度例如為100℃以上、較佳為120℃以上，又例如為150℃以下。熱硬化溫度係B階段之密封層13顯示熱硬化性之溫度，具體而言，係可塑化之密封層13藉由加熱完全硬化而成為固體狀之溫度。
B階段之密封層13(由含有B階段之密封樹脂之密封組合物形成之密封層13)之80℃之剪切儲存模數G'例如為3Pa以上、較佳為12Pa以上，又例如為140Pa以下、較佳為70Pa以下。若密封層13之80℃之剪切儲存模數G'為上述上限以下，則可於密封接下來說明之光半導體元件16時，有效地防止光半導體元件16損傷。另一方面，若密封層13之80℃之剪切儲存模數G'為上述下限以上，則可確保密封光半導體元件16時之密封層13之良好保形性，而可使密封層13之操作性提高。又，若密封層13之80℃之剪切儲存模數G'為上述下限以上，則可確保密封層13之厚度均勻性，又可調節為所需之厚度。
密封層13之80℃之剪切儲存模數G'係利用頻率1Hz、升溫速度20℃/min、溫度範圍20~150℃之條件下之動態黏彈性測定而獲得。
又，厚度600μm時之密封層13對波長460nm之光之透過率例如為70%以上、較佳為80%以上、更佳為90%以上、進而較佳為95%以上，又例如為100%以下。若透過率為上述下限以上，則密封光半導體元件16後，可使自光半導體元件16發出之光充分透過。密封層13之透過率例如使用積分球而進行測定。
(密封層之尺寸)
密封層13之尺寸係以下述之密封層13之體積比率成為所需範圍之方式進行調整。
密封層13之前後方向長度及左右方向長度係根據光半導體元件16之個數、尺寸、配置等而適當設定。
如圖4B所示，關於密封層13之面積S1，相對於第1剝離層12之面積S2，例如為95%以下、較佳為90%以下、進而較佳為85%以下，且例如為10%以上。
如圖5所示，密封層13之厚度T4厚於自間隔件4之厚度T1減去第1剝離層12之厚度T2而獲得之厚度(T1-T2)(即，T4>(T1-T2))。因此，於接下來之被覆步驟之加壓機中，可確實將密封層13於上下方向進行壓縮。
詳細而言，關於密封層13之厚度T4，相對於自間隔件4之厚度T1減去第1剝離層12之厚度T2而獲得之厚度(T1-T2)，例如超過100%、較佳為102%以上、進而較佳為105%以上，且例如為120%以下。
具體而言，密封層13之厚度T4例如為50μm以上、較佳為100μm以上，又例如為1500μm以下、較佳為800μm以下。
若密封層13之厚度T4處於上述範圍，則可藉由被覆步驟之加壓機，將密封層13於上下方向精確地壓縮，而將密封層13之厚度T6精確地調整為設計厚度T0。
(密封構件之配置)
繼而，如圖3所示，將所準備之密封構件11以於下模具2之上表面密封層13朝向上側之方式進行配置。
具體而言，將第1剝離層12配置於複數個(2個)間隔件4之間之下模具2之上表面。如圖1A所示，將密封構件11以夾於複數個(2個)間隔件4之間之方式進行配置。具體而言，將密封構件11以下述方式配置於下模具2之上表面，即將第1剝離層12之右端部於配置於右側之間隔件4之左側面的左側隔著間隔進行配置，且將第1剝離層12之左端部於配置於左側之間隔件4之右側面的右側隔著間隔進行配置。
<4.障壁配置步驟>
(障壁之準備)
於障壁配置步驟中，如圖3所示，首先準備作為堰構件之障壁5。
障壁5係形成為對應密封層13之外形形狀之俯視大致矩形框形狀。詳細而言，障壁5係如圖4B所示，以其外形形狀略微小於第1剝離層12之外形形狀之方式形成。又，於障壁5之中央部形成有將障壁5於上下方向貫通之開口部8。開口部8係形成為對應密封層13之外形形狀之俯視大致矩形狀。障壁5整體性具有沿左右方向延伸且於前後方向隔著間隔對向配置之2個第1障壁部5A、與將2個第1障壁部5A之左右方向兩端部連結之2個第2障壁部5B。
作為障壁5之材料，例如可列舉：樹脂、樹脂含浸玻璃布、金屬等。該等可單獨使用或進行併用。
作為樹脂，可列舉：熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂。較佳為可列舉熱硬化性樹脂。
關於熱硬化性樹脂，例示有密封層13中所例示之可成為B階段狀態之熱硬化性樹脂，較佳為例示日本專利特開2010-265436號公報所記載之縮合反應‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物(2階段反應硬化性樹脂)、苯基系聚矽氧樹脂組合物(加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，1階段反應硬化性樹脂)。
進而，作為熱硬化樹脂，亦可列舉：無法成為B階段狀態之1階段反應硬化性樹脂。作為1階段反應硬化性樹脂，較佳為可列舉如下加成反應硬化型聚矽氧樹脂，該加成反應硬化型聚矽氧樹脂係無法控制於1階段之反應途中停止反應，即無法成為B階段狀態，而一次性自A階段狀態進行C階段化(完全硬化)。作為此種加成反應硬化型聚矽氧樹脂，例如可列舉：含有上述之平均組成式(1)所示之含烯基之聚矽氧烷、上述之平均組成式(2)所示之含氫矽烷基之聚矽氧烷、及上述之矽氫化觸媒之1階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物。上 述之平均組成式(1)及(2)中，R2及R3兩者之烴為甲基。對於1階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物而言，可使用市售品。作為市售品，例如可列舉：ELASTOSIL系列(旭化成瓦克聚矽氧公司製造，具體而言，ELASTOSIL LR7665等甲基系聚矽氧樹脂組合物)、KER系列(Shin-Etsu Silicones公司製造)等。
又，關於樹脂，亦可以調配有填料之樹脂組合物之形式進行製備，較佳為以於聚矽氧樹脂中調配有機填料而成之聚矽氧樹脂組合物之形式進行製備。
作為樹脂含浸玻璃布，可列舉：對玻璃布進行含浸上述樹脂之處理、例如對玻璃布進行含浸環氧樹脂之處理而成之玻璃‧環氧樹脂等。
作為金屬，例如可列舉：鐵、不鏽鋼、鋁等。
作為障壁5之材料，就向障壁5賦予柔軟性之觀點而言，較佳為可列舉樹脂、樹脂含浸玻璃布，更佳為可列舉樹脂，進而較佳為可列舉聚矽氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂，尤佳為可列舉聚矽氧樹脂。
(障壁之物性)
障壁5於23℃下之拉伸彈性模數例如為0.3MPa以上、較佳為1MPa以上、更佳為2MPa以上，又為1000MPa以下、較佳為500MPa以下。
若障壁5之拉伸彈性模數為上述下限以上，則可良好地確保障壁5之處理性。另一方面，若障壁5之拉伸彈性模數為上述上限以下，則可一面將障壁5與密封層13一起進行壓縮(加壓)，一面精確地將密封層13之厚度T6調整為設計厚度T0。
障壁5於23℃下之拉伸彈性模數係基於JIS K7161-1994而測定。
障壁5之斷裂伸長率例如為1%以上、較佳為10%以上、更佳為100%以上、進而較佳為200%以上，又為1000%以下、較佳為500%以 下、更佳為400%以下。
若障壁5之斷裂伸長率為上述上限以下，則可將密封層13之厚度T6調整為設計厚度T0。若障壁5之斷裂伸長率為上述下限以上，則可良好地確保障壁5之處理性。
障壁5之斷裂伸長率係基於JIS K7161-1994而測定。
(障壁之尺寸)
第1障壁部5A之寬度(前後方向長度)及第2障壁部5B之寬度(左右方向長度)例如為1mm以上、較佳為2mm以上，又例如為10mm以下、較佳為5mm以下。2個第1障壁部5A間之前後方向長度，即開口部8之前後方向長度、及2個第2障壁部5B間之左右方向長度，即開口部8之左右方向長度分別相對於密封層13之前後方向長度及左右方向長度較長。開口部8之前後方向長度及左右方向長度分別相對於密封層13之前後方向長度及左右方向長度，例如超過100%、較佳為102%以上、更佳為105%以上，又例如為200%以下。
又，如圖4B及圖5所示，障壁5之開口部8之沿前後方向及左右方向之開口截面面積S8係以相對於密封層13之面積S1較大的方式形成。換言之，密封層13之面積S1小於障壁5之開口部8之開口截面面積S8，相對於障壁5之開口部8之開口截面面積S8，例如未達100%、較佳為95%以下、更佳為90%以下，又例如為50%以上。
如圖5所示，障壁5之厚度T3厚於密封層13之厚度T4(即，T3>T4)，相對於密封層13之厚度T4，例如超過100%、較佳為102%以上、更佳為105%以上，又例如為120%以下。障壁5之厚度T3係以其厚度相對於密封層13之設計厚度T0(參照圖1B參照)亦較厚之方式形成(T3>T0)，上述情況係於下文進行說明。
具體而言，障壁5之厚度T3例如為100μm以上、較佳為200μm以上、更佳為400μm以上，又例如為1500μm以下。
(障壁之配置)
於配置障壁5時，首先於障壁5之材料為樹脂之情形時，製備包含樹脂之清漆，繼而將清漆塗佈於未圖示之剝離片之表面。其後，於材料含有熱硬化性樹脂之情形時，對清漆進行加熱而使之硬化。其後，將硬化物外形加工為上述之圖案。另一方面，於障壁5之材料為樹脂含浸玻璃布及/或金屬之情形時，將預先成形為片狀之樹脂含浸玻璃布及/或金屬板外形加工為上述之圖案。
其後，將障壁5以將密封層13插入障壁5之開口部8之方式載置於第1剝離層12之上表面。
藉此，將障壁5配置於第1剝離層12之上表面之周端部。
或者，亦可將清漆以上述之圖案直接塗佈於第1剝離層12之周端部之上表面，而將障壁5直接形成於第1剝離層12之上表面。
如圖4B所示，障壁5係配置於第1剝離層12之周端部，因此係以包圍密封層13之方式進行配置。具體而言，障壁5之內側面係與密封層13之外側面隔著間隔而配置。更具體而言，前側之第1障壁部5A之後側面係隔著間隔對象配置於密封層13之前側面之前側。後側之第1障壁部5A之前側面係隔著間隔對象配置於密封層13之後側面之後側。右側之第2障壁部5B之左側面係隔著間隔對象配置於密封層13之右側面之右側。左側之第2障壁部5B之右側面係隔著間隔對象配置於密封層13之左側面之左側。
如圖4B及圖5所示，障壁5之內側面、與密封層13之外側面之間隔L1例如超過0mm、較佳為1mm以上，又例如為10mm以下、較佳為5mm以下。
又，障壁5係如圖5所示般，配置於與密封層13同一平面(即，第1剝離層12之上表面)上。
<5.元件構件配置步驟>
(元件構件之準備)
元件構件配置步驟中，如圖3所示，首先準備元件構件15。
元件構件15包括作為基材之第2剝離層17、與配置於第2剝離層17之表面(下表面)之光半導體元件16。
關於第2剝離層17，於藉由密封層13被覆光半導體元件16並進行密封，獲得密封層被覆光半導體元件10後，於剝離密封層被覆光半導體元件10之前，為了保護密封層被覆光半導體元件10之光半導體元件16(參照圖2E參照)，而以可剝離之方式貼合於密封層被覆光半導體元件10中之光半導體元件16之露出面(圖2E中之下表面)。即，第2剝離層17係如下可撓性膜，即於密封層被覆光半導體元件10之出貨、搬送、保管時，支持光半導體元件16，並以被覆光半導體元件16之露出面(圖2E中之下表面)之方式積層於光半導體元件16之露出面，於光半導體元件16即將向基板20安裝前，可如圖2E之假想線所示般剝離密封層被覆光半導體元件10。即，第2剝離層17僅包含可撓性膜。
第2剝離層17係由與上述之第1剝離層12相同之材料形成。又，亦可由藉由加熱而密封層被覆光半導體元件10可容易剝離之熱剝離片形成第2剝離層17。
如圖3所示，第2剝離層17係形成為於上下方向投影時包含複數個(2個)間隔件4之俯視大致矩形板狀。詳細而言，參照圖5，第2剝離層17之面積例如以大於第1剝離層12之面積S2之方式進行設定。
如圖3所示，光半導體元件16係於第2剝離層17之表面(下表面)之中央部載置有複數個(9個)。複數個光半導體元件16係於左右方向及前後方向隔著間隔整齊排列配置。複數個光半導體元件16分別形成為沿著前後方向及左右方向之大致平板狀。又，複數個光半導體元件16分別形成俯視大致矩狀，即將沿著上下方向及前後方向之截面形狀、及沿著上下方向及左右方向之截面形狀形成為大致矩形狀。
光半導體元件16之前後方向長度及左右方向長度例如為50μm以上、較佳為500μm以上，又例如為2000μm以下、較佳為1000μm以下。
各光半導體元件16之厚度(上下方向長度)例如為0.1μm以上、較佳為0.2μm以上，又例如為500μm以下、較佳為200μm以下。
複數個光半導體元件16之體積(總體積)例如為1mm3以上、較佳為10mm3以上，又例如為5000mm3以下、較佳為3000mm3以下。
然後，如圖4A所示般，第2剝離層17之中央部中供配置光半導體元件16之區域係作為元件配置區域18(參照假想線)進行劃分。詳細而言，元件配置區域18係由連結複數個光半導體元件16中配置於最外側之光半導體元件16之外側端緣的線段所包圍之區域。具體而言，元件配置區域18係由線段A、線段B、線段C、及線段D所包圍之仰視矩形狀之區域，上述線段A係連結配置於最前側之光半導體元件16A之複數個前端緣(具體而言，前左端緣及前右端緣)；上述線段B係連結配置於最後側之光半導體元件16B之複數個後端緣(具體而言，後左端緣及後右端緣)；上述線段C係連結配置於最左側之光半導體元件16C之複數個左端緣(具體而言，前左端緣及後左端緣)；上述線段D係連結配置於最右側之光半導體元件16D之複數個右端緣(具體而言，前右端緣及後右端緣)。
上述之元件配置區域18之面積S3係根據光半導體元件16之個數、尺寸、配置等而適當設定，例如如圖5所示，小於密封層13之面積S1(S3<S1)。換言之，密封層13之面積S1係大於元件配置區域18之面積S3(S1>S3)，相對於元件配置區域18之面積S3，例如超過100%、較佳為105%以上、更佳為110%以上，又例如為150%以下。
(元件構件之配置)
繼而，如圖1A及圖3所示，將所準備之元件構件15配置於密封構 件11之上側。
具體而言，將元件構件15之第2剝離層17配置於載體32之下表面。
載體32係用以一面支持第2剝離層17，一面使元件構件15位於上模具3之下側之支持板。載體32係形成為沿前後方向及左右方向延伸之大致平板狀。載體32係形成為於上下方向投影時包含於上模具3中且包含第2剝離層17之形狀及大小。又，載體32係形成為於上下方向投影時，如圖1A所示般與間隔件4重疊之形狀及大小。載體32之厚度例如為50μm以上、較佳為300μm以上，又例如為2000μm以下、較佳為1000μm以下。載體32例如由玻璃、陶瓷、不鏽鋼等形成。
載體32係以配置於其下表面之元件構件15之光半導體元件16朝向下側之方式配置於上模具3的下表面。
藉由將元件構件15配置於載體32之下表面，而如圖1A所示般，元件構件15係配置於密封構件11、間隔件4及障壁5之上側。
具體而言，以於上下方向投影時，第2剝離層17之左右方向兩端部與間隔件4重疊之方式將元件構件15隔著間隔對向配置於間隔件4之上側。又，以於上下方向投影時，第2剝離層17之周端部、與障壁5重疊之方式將元件構件15隔著間隔對向配置於障壁5之上側。又，如圖5所示，以於上下方向投影時，光半導體元件16(元件配置區域18)、與密封層13重疊之方式將元件構件15隔著間隔對向配置於密封構件11之上側。再者，元件配置區域18係於上下方向投影時包含於密封層13中。
<6.被覆步驟>
將被覆步驟於間隔件配置步驟、密封構件配置步驟、障壁配置步驟及元件構件配置步驟之後實施。
被覆步驟中，首先將上模具3對向配置於下模具2之上側。
配置上模具3時，首先參照圖3，將複數個(4個)彈簧22之下端部插入第1凹部23。繼而，於上模具3之第2凹部25收容彈簧22之上端部。
藉此，將上模具3對向配置於下模具2之上側。密封構件11及障壁5係配置於下模具2及上模具3之間。又，元件構件15係配置於下模具2及上模具3之間，即對應密封構件11及障壁5之上模具3側。
繼而，如圖1A所示，藉由加熱器7而對下模具2及上模具3進行加熱。關於下模具2及上模具3之溫度，於密封層13含有具有熱塑性及熱硬化性之熱硬化性樹脂之情形時，為該熱硬化性樹脂之熱塑溫度或其以上，就一次性實施熱硬化性樹脂之熱塑及熱硬化之觀點而言，較佳為熱硬化溫度或其以上，具體而言，例如為50℃以上、較佳為80℃以上，又例如為200℃以下、較佳為150℃以下。
繼而，如圖1B之箭頭所示，使下模具2及上模具3靠近。具體而言，將上模具3向下模具2進行加壓(壓下，具體而言，進行熱加壓)。即，使上模具3下降。然後，使上模具3向下模具2靠近直至載體32之左右方向兩端部之下表面與間隔件4之上表面接觸之加壓位置。
如圖1B所示，若上模具3位於加壓位置，則即第2剝離層17之左右方向兩端部之下表面、與間隔件4之上表面接觸(抵接)。上模具3位於加壓位置時，密封層13被填充於由障壁5、第1剝離層12及第2剝離層17所劃出之空間中，並且如圖2D所示般具有厚度T6。
密封層13之厚度T6係調整為與設計厚度T0實質上相同或者相對於設計厚度T0之特定公差之範圍(下述)。
如圖1B所示，密封層13之設計厚度T0係自間隔件4之厚度T1減去剝離層12之厚度T2而獲得之厚度(T0=T1-T2))。換言之，間隔件4之厚度T1係作為剝離層12之厚度T2、與密封層13之設計厚度T0之合計厚度進行設定(T1=T2+T0)。
又，密封層13之設計厚度T0相對於密封前之密封層13之厚度T4(參照圖5)較薄(T0<T4)。換言之，密封層13之厚度T4(參照圖5參照)相對於密封層13之設計厚度T0較厚(T4>T0)。密封層13之厚度T4(參照圖5)相對於密封層13之設計厚度T0，例如超過100%、較佳為105%以上，又例如為150%以下、較佳為120%以下。
進而，密封層13之設計厚度T0係以相對於密封前之障壁5之厚度T3亦較薄之方式形成(T0<T3)。換言之，密封前之障壁5之厚度T3係以相對於密封層13之設計厚度T0較厚之方式形成(T3>T0)。具體而言，密封前之障壁5之厚度T3相對於密封層13之設計厚度T0，例如超過100%、較佳為105%以上，又例如為120%以下、更佳為110%以下。
上模具3位於加壓位置時，自由障壁5、第1剝離層12、第2剝離層17所劃出之空間之體積減去複數個光半導體元件16之體積而獲得的密封層收容體積19係設定為比圖1A所示之密封前之密封層13之體積小或相同。換言之，圖1A所示之密封前之密封層13之體積相對於密封層收容體積19較大或相同，具體而言，例如為100%以上、較佳為超過100%、更佳為102%以上、進而較佳為105%以上，又例如為120%以下、較佳為110%。若圖1A所示之密封前之密封層13之體積比率為上述下限以上(或超過上述下限)且上述上限以下，則可精確地將密封層被覆光半導體元件10中之密封層13之厚度T6設定為設計厚度T0。
然後，上模具3係不進行超過加壓位置之下降而停留在加壓位置。即，藉由間隔件4而限制上模具3超過加壓位置之下降。又，上模具3係於加壓位置上繼續向下模具2之加壓。
加壓壓力例如為0.5MPa以上、較佳為1MPa以上，又例如為1000MPa以下、較佳為300MPa以下。
如此，藉由利用加熱器7之下模具2及上模具3之加熱，而於密封層13含有具有熱塑性及熱硬化性之熱硬化性樹脂之情形時，下模具2及上模具3之熱傳遞至密封層13而使之塑化。接著，藉由上模具3對下模具2之加壓，半導體元件16被埋設於塑化之密封層13中。
如此，埋設有光半導體元件16之密封層13與埋設光半導體元件16前之狀態相比，其左右方向兩側面及前後方向兩側面向外側(左右方向及前後方向)鼓出，藉此，密封層13之左右方向兩側面及前後方向兩側面與障壁5之內側面接觸，而將障壁5向外側擠壓。
又，障壁5係藉由上模具3對下模具2之加壓而將障壁5之上表面向上模具3之下表面壓縮。因此，障壁5係於上下方向被壓縮，且因夾於第1剝離層12及第2剝離層17之間，故而向左右方向及前後方向鼓出。
尤其是障壁5之外側部分向左右方向外側及前後方向外側鼓出。具體而言，參照圖4B，前側之第1障壁部5A向前側鼓出，後側之第1障壁部5A向後側鼓出，右側之第2障壁部5B向右側鼓出，左側之第2障壁部5B向左側鼓出。
另一方面，於障壁5之內側部分，障壁5之內側面由於密封層13而向外側擠壓之擠壓力、與由障壁5由於上模具3而於上下方向被壓縮引起之向內側的鼓出力實質上相抵。因此，障壁5之內側部分於加壓前後，位置(前後方向及左右方向上之位置)實質上未變動。
再者，如圖1B所示，構成密封層13之密封組合物之一部分(外側部分之上部)到達障壁5之上表面。詳細而言，密封層13之一部分係配置於障壁5與第2剝離層17之間。
其後，接著繼續利用加壓機1之熱加壓。
加熱溫度例如為與上述之溫度相同範圍，又，加壓時間例如為3分鐘以上、較佳為5分鐘以上，又例如為30分鐘以下、較佳為15分鐘 以下。
藉此，密封層13於含有具有可塑性及熱硬化性之熱硬化性樹脂之情形時進行熱硬化(進行C階段化)。
(產物)
於密封樹脂含有苯基系聚矽氧樹脂組合物之情形時，於苯基系聚矽氧樹脂組合物之反應(C階段化反應)中，含烯基之聚矽氧烷之烯基及/或環烯基、與含氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基之氫矽烷基加成反應得到進一步促進。其後，烯基及/或環烯基、或含氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基消失，而氫矽烷基加成反應結束，藉此獲得C階段之苯基系聚矽氧樹脂組合物之產物，即硬化物。即，藉由氫矽烷基加成反應之結束，而苯基系聚矽氧樹脂組合物顯現硬化性(具體而言，熱硬化性)。
上述產物係由下述之平均組成式(3)表示。
平均組成式(3)：R5 eSiO(4-e)/2
(式中，R5表示包含苯基之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及環烯基除外)。e為0.5以上且2.0以下)。
作為R5所示之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基，例示與式(1)之R2所示之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基、及式(2)之R3所示之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基相同者。較佳為可列舉未經取代之1價烴基，更佳為可列舉碳數1~10之烷基、碳數6~10之芳基，進而較佳為可列舉苯基及甲基之併用。
e較佳為0.7以上且1.0以下。
並且，產物之平均組成式(3)之R5中之苯基的含有比率例如為30莫耳%以上、較佳為35莫耳%以上，又例如為55莫耳%以下、較佳為50莫耳%以下。
於產物之平均組成式(3)之R5中之苯基的含有比率未達上述下限之情形時，無法確保B階段之密封層13(參照圖1A)之熱塑性，即下述之密封層13之80℃之剪切儲存模數G'超過所需範圍，因此有無法確實地埋設光半導體元件16並進行密封之情形。
另一方面，若產物之平均組成式(3)之R5中之苯基的含有比率為上述上限以下，則可防止C階段之密封層13(參照圖1A)之可撓性之降低。
產物之平均組成式(3)之R5中之苯基的含有比率係產物之直接鍵結於矽原子之1價烴基(平均組成式(3)中由R5表示)中的苯基濃度。
產物之平均組成式(3)之R5中之苯基的含有比率係藉由1H-NMR及29Si-NMR而算出。R5中之苯基之含有比率之算出方法的詳細內容係記載於下述之實施例中，又，例如基於WO2011/125463等之記載，藉由1H-NMR及29Si-NMR而算出。
如圖1B所示，藉由上述之熱加壓，而獲得附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60，該附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60包括：複數個光半導體元件16、被覆該等並進行埋設之密封層13、被覆光半導體元件16之上表面及密封層13之上表面之第2剝離層17、被覆密封層13(除去鼓出部14之側面)之下表面之第1剝離層12、及包圍密封層13之障壁5。
附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60係用以製作密封層被覆光半導體元件10及光半導體裝置30之零件，且以單獨零件流通，為產生上可利用之裝置。
其後，解除上模具3對下模具2之加壓。即，使上模具3及載體32向遠離下模具2之方向移動。即，使上模具3向上側移動。此時，如圖1C所示，使上模具3之第2凹部25自彈簧22之上端部脫離。
與此同時，附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60追隨載 體32及上模具3。即，將附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60提拉。具體而言，於使附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中之第2剝離層17支持(接觸)載體32之狀態下，使附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60與上模具3及載體32一起上升。
其後，如圖1C及圖2D所示，自載體32剝離附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60。藉此，將附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60自加壓機1取出。其後，將附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60上下顛倒。
附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60包含包括光半導體元件16、與埋設其並進行被覆之密封層13之密封層被覆光半導體元件10。密封層被覆光半導體元件10較佳為僅包含光半導體元件16、與密封層13。
關於附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60(密封層被覆光半導體元件10)中之密封層13之厚度T6，於圖2D中，係密封層13之上表面、與位於光半導體元件16之側方之密封層13之下表面之間的上下方向長度，且實質上與密封層13之設計厚度T0(參照圖1B)相同，例如如圖1B所示，係自間隔件4之厚度T1減去第1剝離層12之厚度T2而獲得之厚度(T6=T1-T2)。
附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中之密封層13之厚度T6比被覆光半導體元件16前之密封層13的厚度T4(參照圖5)薄(即，T6<T4)，具體而言，相對於被覆光半導體元件16前之密封層13之厚度T4，例如未達100%、較佳為95%以下、更佳為90%以下，又例如為60%以上、較佳為70%以上。具體而言，附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中之密封層13之厚度T6例如為50μm以上、較佳為100μm以上，又例如為1500μm以下、較佳為800μm以下。
又，如圖2D所示，關於附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元 件60中之障壁5之厚度T7(密封後之障壁5之厚度T7)，係以相對於密封前之障壁5之厚度T3(參照圖5)較薄或相同之厚度形成(即，T7≦T3)，例如為100%以下、較佳為未達100%、更佳為98%以下、進而較佳為95%以下，又例如為80%以上。具體而言，附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中之障壁5之厚度T7例如為100μm以上、較佳為300μm以上，又例如為1500μm以下、較佳為1000μm以下。
如圖2D所示，於附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中，密封層13係配置於光半導體元件16之附近，且整體性地包括：用於光半導體元件16之密封(被覆)之密封部33、與於密封部33之外側以較密封部33薄之膜形成，且配置於障壁5之下表面，並不用於光半導體元件16之密封(被覆)之鼓出部14。再者，鼓出部14於其後之切割步驟中，與障壁5一起被去除，而不包含於密封層被覆光半導體元件10中，另一方面，密封部33係包含於密封層被覆光半導體元件10中。
其後，如圖2D之箭頭所示，將第1剝離層12以彎曲成大致U字狀之方式自密封層13及障壁5進行剝離。
繼而，如圖2E之粗單點鏈線所示，將對應各光半導體元件16之密封層13沿著前後方向及左右方向進行切割(切割步驟)。即，使複數個光半導體元件16單片化。又，以鼓出部14與障壁5一起被去除之方式切割密封層13。藉此，以包括1個光半導體元件16、與埋設光半導體元件16並進行被覆之密封層13之密封層被覆光半導體元件10被第2剝離層17支持之狀態獲得上述密封層被覆光半導體元件10。再者，密封層被覆光半導體元件10不包含第2剝離層17及基板20，較佳為僅包含光半導體元件16、與密封層13。
<光半導體裝置之製造方法>
繼而，對藉由上述之密封層被覆光半導體元件10而製造光半導體裝置30之方法進行說明。
該方法包括：準備上述之密封層被覆光半導體元件10之步驟(參照圖2E)、將密封層被覆光半導體元件10自第2剝離層17剝離之剝離步驟(參照圖2E箭頭)、及將所剝離之密封層被覆光半導體元件10之光半導體元件16安裝於基板20之安裝步驟(參照圖2F)。
<7.剝離步驟>
如圖2E之箭頭所示，剝離步驟中，將藉由上述之製造方法而獲得之密封層被覆光半導體元件10自第2剝離層17進行剝離。具體而言，將密封層被覆光半導體元件10向上側提拉。
藉此，獲得複數個密封層被覆光半導體元件10。
繼而，視發光波長或發光效率而篩選複數個密封層被覆光半導體元件10。
<8.安裝步驟>
安裝步驟中，首先準備上表面設置有端子(未圖示)之基板20。
基板20係如圖2F所示，形成沿前後方向及左右方向延伸之大致矩形平板狀，例如為絕緣基板。又，基板20包括配置於上表面之端子(未圖示)。
繼而，於安裝步驟中，將所篩選之密封層被覆光半導體元件10安裝於基板20。
將密封層被覆光半導體元件10安裝於基板20時，使密封層被覆光半導體元件10中之光半導體元件16之端子(未圖示)與基板20之端子(未圖示)進行接觸而進行電性連接。即，將密封層被覆光半導體元件10之光半導體元件16覆晶安裝於基板20。
藉此，獲得包括基板20、與安裝於基板20之密封層被覆光半導體元件10之光半導體裝置30。較佳為光半導體裝置30僅包含基板20與密封層被覆光半導體元件10。即，光半導體裝置30較佳為僅包含基板20、光半導體元件16、及密封層13。
(作用效果)
然後，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，準備包括平板狀之下模具2、與平板狀之上模具3之加壓機1，因此可使加壓機1之構成變簡單，並且可藉由密封層13而被覆複數個光半導體元件16。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，將障壁5以包圍密封層13之方式進行配置，然後使上模具3靠近下模具2。因此，於上模具3對下模具2之加壓中，可抑制密封層13向前後方向及左右方向漏出。
進而，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，將間隔件4配置於加壓機1，因此可於使上模具3位於加壓位置時，限制超過對應密封層13之設計厚度T0(參照圖1B)之加壓位置的上模具3之下降。因此，可將密封層13之厚度T6(參照圖2D)精確調整為設計厚度T0。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，密封層13之體積比率於上模具3位於加壓位置時，相對於密封層收容體積19處於特定範圍內，因此可獲得尺寸精確性優異之密封層13。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，於配置障壁5之障壁配置步驟中，若障壁5之厚度T3相對於密封層13之設計厚度T0為上述範圍內，則於被覆步驟中，可確實地將障壁5於上下方向進行壓縮，並且可抑制密封層13向障壁5之外側漏出。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，若堰構件於23℃下之拉伸彈性模數處於上述範圍內，則可良好地確保障壁5之處理性，另一方面，可將障壁5與密封層13一起進行加壓，並且可抑制密封層13向障壁5之外側漏出。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，若障壁5含 有樹脂，則可容易地形成柔軟之障壁5。因此，可藉由該障壁5而確實地抑制密封層13向障壁5之外側漏出。因此，可有效地抑制密封層13之密封組合物對加壓機1之污染。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，若樹脂為聚矽氧樹脂及/或胺基甲酸酯樹脂，則可確實地抑制密封層13向障壁5之外側漏出。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，於圖1A所示之配置障壁5之障壁配置步驟中，將障壁5載置於第1剝離層12之周端部，因此於如圖1B所示，將上模具3向下模具2進行加壓，而藉由密封層13被覆複數個光半導體元件16之被覆步驟中，可於第1剝離層12之上表面將密封層13之外形形狀對應障壁5而進行成形。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，若B階段之密封層13兼具熱塑性及熱硬化性，則於如圖1B所示，藉由密封層13而被覆複數個光半導體元件16之被覆步驟中，可一面對密封層13進行加熱而使之塑化，而藉由密封層13確實地被覆複數個光半導體元件16並進行密封，一面於其後使塑化之密封層13熱硬化而使複數個光半導體元件16之可靠性提高。
又，根據該密封層被覆光半導體元件10之製造方法，若密封層13中，藉由使聚矽氧樹脂組合物進行反應而獲得之產物之平均組成式(3)之R5中的苯基之含有比率處於特定範圍內，則可確實地埋設複數個光半導體元件16進行被覆並進行密封。
又，於該密封層被覆光半導體元件10之製造方法中，若密封層13含有螢光體，則可藉由尺寸精確性優異且含有螢光體之密封層13而將自複數個光半導體元件16發出之光進行波長轉換，因此可獲得顏色均勻性優異之密封層被覆光半導體元件10。
又，根據上述之光半導體裝置30之製造方法，準備如圖2D所 示，包括尺寸精確性優異之密封層13之光半導體裝置30，因此可獲得發光特性及耐久性優異之光半導體裝置30。
(變化例)
變化例中，針對與上述之一實施形態相同之構件及步驟，附上相同之參照符號而將其詳細之說明進行省略。
於上述之一實施形態中，如圖1B之箭頭所示，將上模具3向下模具2進行加壓，但例如亦可將下模具2向上模具3進行加壓，但並未圖示。即，將下模具2上推。
或者，亦可使下模具2及上模具3一起移動。即，一面上推下模具2，一面下壓上模具3。
於上述之一實施形態中，依序實施<4.障壁配置步驟>及<5.元件構件配置步驟>，但該順序並無特別限定，可以<5.元件構件配置步驟>及<4.障壁配置步驟>之順序實施，或者將<4.障壁配置步驟>及<5.元件構件配置步驟>同時實施。
於上述之一實施形態中，如圖1A所示，將作為限制構件之一例之間隔件4配置於下模具2及上模具3之間，但亦可將限制上模具3超過加壓位置之下降之擋板以與加壓機成為一體之方式配置於加壓機1之側方或上側以代替間隔件4。
於上述之一實施形態中，如圖1A所示，使用有彈簧22，但並不限定於其，例如亦可使用海棉等彈性體代替彈簧22，但並未圖示。
於上述之一實施形態中，如圖4B及圖5所示，於密封構件配置步驟及障壁配置步驟中，將障壁5之內側面以與密封層13之外側面隔著間隔之方式進行配置，但亦可如圖6所示，使障壁5之內側面與密封層13之外側面相互接觸。
如圖6所示，密封層13之外形形狀係以與開口部8之形狀相同之方式形成。
藉由該變化例，亦可發揮與上述之一實施形態相同之作用效果。
較佳為如圖4B及圖5所示，於密封構件配置步驟及障壁配置步驟中，將障壁5之內側面以與密封層13之外側面隔著間隔之方式進行配置。即，密封層13之面積S1比開口部8之開口截面面積S8小。因此，可容易且確實地將具有比密封層13之面積S1大之開口截面面積S8之障壁5以包圍密封層13之方式進行配置。具體而言，可防止障壁5與密封層13於上下方向重疊。因此，障壁5可確實地於前後方向及左右方向包圍密封層13，即，可使障壁5及密封層13容易且確實地對向配置。
於上述之一實施形態中，如圖1B所示，形成有鼓出部14，但例如亦可如圖7所示，不形成鼓出部14而形成密封層13。
於該情形時，上模具3位於加壓位置時，自密封層收容體積19減去複數個光半導體元件16之體積而獲得之密封層收容體積19係與密封前之密封層13的體積相同。
較佳為如圖1B所示，形成鼓出部14。形成鼓出部14時，上模具3位於加壓位置時，將自密封層收容體積19減去複數個光半導體元件16之體積而獲得之密封層收容體積19設定為小於密封前之密封層13的體積。如此，可獲得尺寸、具體而言，厚度T6之精確性優異之密封層13。即，可以相對於設計厚度T0，例如為95%以上且105%以下之精度(公差)調整密封層13之厚度T6。
進而，密封層13可如圖1B所示，形成鼓出部14，因此即便容許上述之公差較大，亦可獲得厚度T6之精確性優異之密封層13。
於上述之一實施形態中，如圖5所示，以比元件配置區域18之面積S3大之方式形成密封層13之面積S1(S1>S3)，但例如亦可如圖8所示，將密封層13之面積S1形成為比元件配置區域18之面積S3小或者相同之大小(S1≦S3)。
較佳為如圖5所示，以比元件配置區域18之面積S3大之方式形成密封層13之面積S1(S1>S3)。若如此，則可藉由具有比元件配置區域18之面積S3大之面積S1之密封層13而確實地被覆複數個光半導體元件16，並且可使密封層13之厚度T6之精確性提高。
於上述之一實施形態中，如圖1A~圖2F所示，列舉第2剝離層17作為本發明之光半導體裝置之製造方法中之基材之一例而進行說明，但例如亦可如圖9A~圖9D所示，將第2剝離層17設為基板20，然後不實施使用第2剝離層17之剝離步驟(參照圖2E)而製造光半導體裝置30。
於該實施形態之光半導體裝置30之製造方法中，如圖9A所示，於元件構件配置步驟中，首先準備包括光半導體元件16、與安裝有光半導體元件16之基板20之安裝基板29。光半導體元件16係覆晶安裝或打線接合於基板20之下表面。
其後，如圖9A所示，將安裝基板29對向配置於密封構件11及障壁5之上側。具體而言，將安裝基板29以光半導體元件16朝向下側之方式配置於載體32之下表面。
繼而，如圖9B所示，實施被覆步驟，而獲得包括光半導體元件16、安裝有光半導體元件16之基板20、將光半導體元件16進行密封之密封層13、配置於密封層13之表面(下表面及側面)之第1剝離層12、及包圍密封層13之障壁5之附障壁/剝離層之光半導體裝置50。其後，如圖9C所示，自下模具2提拉附障壁/剝離層之光半導體裝置50。
其後，如圖9D之箭頭所示，於附障壁/剝離層之光半導體裝置50中，將第1剝離層12自密封層13進行剝離。
繼而，如圖9D之粗鏈線所示，將對應各光半導體元件16之密封層13及基板20沿前後方向及左右方向進行切割，而使複數個光半導體元件16單片化。藉此，將障壁5、對應障壁5之鼓出部14及基板20去 除。
藉此，獲得包括1個光半導體元件16、安裝有光半導體元件16之基板20、及將光半導體元件16進行密封之密封層13(密封部33)之光半導體裝置30。較佳為光半導體裝置30僅包含光半導體元件16、基板20、及密封層13。
藉由圖9A~圖9D所示之方法，亦可發揮與上述之一實施形態相同之作用效果。進而，因不使用第2剝離層17，故可相應地簡單獲得光半導體裝置30。
又，於上述之一實施形態中，如圖2E所示，將密封層被覆光半導體元件10中之密封層13切割後，使光半導體元件16單片化，之後如圖2F所示，將密封層被覆光半導體元件10安裝於基板20。然而，亦可不切斷密封層13，即不使光半導體元件16單片化，將包括複數個光半導體元件16之密封層被覆光半導體元件10安裝於基板20，上述情況並未圖示。於該情形時，首先，將設置有第2剝離層17之密封層被覆光半導體元件10安裝於基板20，其後將第2剝離層17自密封層13進行剝離。或者，首先將第2剝離層17自密封層13剝離後，將包括剝離了第2剝離層17之密封層13之密封層被覆光半導體元件10安裝於基板20。
又，於上述之一實施形態中，如圖1A所示，將複數個光半導體元件16配置於第2剝離層17，其後，如圖1B所示，藉由單個密封層13而將其進行密封。然而，並不限定於此，例如亦可將單個光半導體元件16配置於第2剝離層17，其後，藉由單個密封層13而密封單個光半導體元件16，上述情況並未圖示。
於該情形時，元件配置區域18係第2剝離層17中供配置單個光半導體元件16之區域，更具體而言，若光半導體元件16為俯視大致矩形狀，則係由前端緣、後端緣、右端緣及左端緣所包圍之大致矩形狀的區域。
藉由該變化例，亦可發揮與上述之一實施形態相同之作用效果。
[實施例]
以下所示之合成例、製備例、製作例及實施例之數值可代替為上述實施形態中所記載之數值(即，上限值或下限值)。
實施例1(對應圖1A~圖4)
<1.準備步驟>
如圖1A及圖3所示，準備下模具2及上模具3。
<2.間隔件配置步驟>
如圖5所示，準備厚度T1為650μm之2個間隔件4，將該等配置於下模具2之上表面。
<3.密封構件配置步驟>
準備包括第1剝離層12、與B階段之密封層13之密封構件11。
將準備密封構件11之方法記載於以下之各合成例、製備例及製作例中。
(合成例1)
向裝備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶投入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g及甲苯500g並進行混合，一面進行攪拌一面歷時1小時滴加甲基苯基二甲氧基矽烷729.2g與苯基三甲氧基矽烷330.5g之混合物，其後進行1小時加熱回流。其後進行冷卻，將下層(水層)分離並去除，將上層(甲苯溶液)水洗3次。向經水洗之甲苯溶液添加氫氧化鉀0.40g，自水分離管去除水並且進行回流。水之去除結束後，進而進行5小時回流並進行冷卻。其後，投入乙酸0.6g而進行中和後，將進行過濾而獲得之甲苯溶液水洗3次。其後，進行減壓濃縮，藉此獲得液體狀之含烯基之聚矽氧烷A。含烯基之聚矽氧烷A之平均單元式及 平均組成式係如下所述。
平均單元式：((CH2=CH)(CH3)2SiO1/2)0.15(CH3C6H5SiO2/2)0.60(C6H5SiO3/2)0.25
平均組成式：(CH2=CH)0.15(CH3)0.90(C6H5)0.85SiO1.05
即，含烯基之聚矽氧烷A係由R1為乙烯基，R2為甲基及苯基，a=0.15，b=1.75之上述平均組成式(1)表示。
又，藉由凝膠滲透層析法，對含烯基之聚矽氧烷A之聚苯乙烯換算之重量平均分子量進行測定，結果為2300。
(合成例2)
向裝備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶投入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g及甲苯500g並進行混合，一面進行攪拌一面歷時1小時滴加二苯基二甲氧基矽烷173.4g與苯基三甲氧基矽烷300.6g之混合物，滴加結束後進行1小時加熱回流。其後進行冷卻，將下層(水層)分離並去除，將上層(甲苯溶液)水洗3次。向經水洗之甲苯溶液添加氫氧化鉀0.40g，自水分離管去除水並且進行回流。水之去除結束後，進而進行5小時回流並進行冷卻。投入乙酸0.6g而進行中和後，將進行過濾而獲得之甲苯溶液水洗3次。其後，進行減壓濃縮，藉此獲得液體狀之含烯基之聚矽氧烷B。含烯基之聚矽氧烷B之平均單元式及平均組成式係如下所述。
平均單元式：(CH2=CH(CH3)2SiO1/2)0.31((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5SiO3/2)0.47
平均組成式：(CH2=CH)0.31(CH3)0.62(C6H5)0.91SiO1.08
即，含烯基之聚矽氧烷B係由R1為乙烯基，R2為甲基及苯基，a =0.31，b=1.53之上述平均組成式(1)表示。
又，藉由凝膠滲透層析法而對含烯基之聚矽氧烷B之聚苯乙烯換算之重量平均分子量進行測定，結果為1000。
(合成例3)
向裝備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶投入二苯基二甲氧基矽烷325.9g、苯基三甲氧基矽烷564.9g、及三氟甲磺酸2.36g並進行混合，添加1,1,3,3-四甲基二矽氧烷134.3g，一面進行攪拌一面歷時30分鐘滴加乙酸432g。滴加結束後，一面攪拌混合物一面升溫至50℃而進行反應3小時。冷卻至室溫後，添加甲苯與水，充分混合並進行靜置，將下層(水層)分離並進行去除。其後，將上層(甲苯溶液)水洗3次後，進行減壓濃縮，藉此獲得含氫矽烷基之聚矽氧烷C(交聯劑C)。
含氫矽烷基之聚矽氧烷C之平均單元式及平均組成式係如下所述。
平均單元式：(H(CH3)2SiO1/2)0.33((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5PhSiO3/2)0.45
平均組成式：H0.33(CH3)0.66(C6H5)0.89SiO1.06
即，含氫矽烷基之聚矽氧烷C係由R3為甲基及苯基，c=0.33，d=1.55之上述平均組成式(2)表示。
又，藉由凝膠滲透層析法而對含氫矽烷基之聚矽氧烷C之聚苯乙烯換算之重量平均分子量進行測定，結果為1000。
(製備例1)
將含烯基之聚矽氧烷A(合成例1)20g、含烯基之聚矽氧烷B(合成例2)25g、含氫矽烷基之聚矽氧烷C(合成例3，交聯劑C)25g、及鉑羰基錯合物(商品名「SIP6829.2」，Gelest公司製造，鉑濃度2.0質量%)5 mg進行混合，而製備苯基系聚矽氧樹脂組合物A。
(製作例1)
向製備例1之苯基系聚矽氧樹脂組合物A，將無機填料(折射率1.55，組成及組成比率(質量%)：SiO2/Al2O3/CaO/MgO=60/20/15/5，平均粒徑：15μm(分級品))以相對於該等總量成為50質量%之方式進行混合，而製備密封組合物之清漆。即，於密封組合物中，苯基系聚矽氧樹脂組合物A之調配比率為50質量%，無機填料A之調配比率為50質量%。
繼而，利用敷料器，將所製備之清漆於厚度T2為50μm之第1剝離層12(PTE片，軟化溫度70℃)之表面以第1剝離層12之周端部露出的方式塗佈成俯視矩形狀。其後，於90℃下加熱9.5分鐘，藉此使清漆中之苯基系聚矽氧樹脂組合物B階段化(半硬化)。藉此，製造密封層13。
如圖5所示，密封層13之厚度T4為630μm，密封層13之面積S1為400mm2，密封前之密封層13之體積為252mm3。
其後，將密封構件11配置於下模具2之上表面。
<4.障壁配置步驟>
製作包含聚矽氧樹脂組合物之清漆。即，製備日本專利特開2010-265436號公報之實施例1所記載之縮合反應‧加成反應硬化型聚矽氧樹脂。具體而言，由兩末端矽烷醇型聚二甲基矽氧烷、乙烯基三甲氧基矽烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷、氫氧化四甲基銨(縮合觸媒)、二甲基聚矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、及鉑-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物(加成觸媒)製備2階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物。
繼而，相對於2階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物100質量份，混合有機填料(商品名「Tospearl 2000B」，聚矽氧粒子，折 射率1.42，平均粒徑6.0μm，Momentive Performance Materials Japan公司製造)30質量份，而製備清漆。
繼而，將所製備之清漆塗佈於剝離片之表面後，利用熱風乾燥機，於150℃下加熱2小時，而製作片狀之硬化物。其後，將硬化物進行外形加工為框形狀而製作障壁5，其後，將所製作之障壁5以包圍密封層13之方式配置於第1剝離層12之上表面之周端部。障壁5之厚度T3為660μm，障壁5之寬度(第1障壁部5A之前後方向長度、及第2障壁部5B之左右方向長度)為3mm，障壁5之開口截面面積為400mm2。又，障壁5於25℃下之拉伸彈性模數為0.5MPa，斷裂伸長率為500%。
<5.元件構件配置步驟>
準備包括第2剝離層17(熱剝離片)、與配置於第2剝離層17之下表面之9個光半導體元件16的元件構件15。第2剝離層17之厚度T5為50μm，9個光半導體元件16之總體積為30mm3。
又，根據[密封層13之設計厚度T0]=[間隔件4之厚度T1]-[第1剝離層12之厚度T2]，密封層13之設計厚度T0為600μm(650μm(T1)-50μm(T2))。
繼而，將元件構件15貼合於載體32(玻璃板)之下表面。其後，將元件構件15及載體32對向配置於密封構件11及障壁5之上側。
<6.被覆步驟>
如圖1B所示，使載體32之左右方向兩端部之下表面與間隔件4之上表面進行接觸，而使上模具3位於加壓位置，藉此將上模具3向下模具2進行熱加壓。
具體而言，如圖1B所示，一面將上模具3向下模具2以3MPa(2kN)進行加壓，一面藉由加熱器7而將下模具2及上模具3於90℃下加熱10分鐘。
其後，如圖1C所示，將上模具3及載體32自加壓機1提拉，藉此 將包括第1剝離層12、第2剝離層17、光半導體元件16、密封層13及障壁5之附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60以追隨上模具3及載體32之方式自下模具2提起。
於附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中，如圖2D所示，障壁5之厚度T7為600μm，障壁5之寬度(第1障壁部5A之前後方向長度、及第2障壁部5B之左右方向長度)為3mm，障壁5之開口截面面積為400mm2。
又，於附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件60中，如圖2D所示，密封層13之厚度T6為600μm，密封層13之面積為400mm2。又，密封層收容體積19為210mm3([密封層收容體積19]-[9個光半導體元件16之總體積])。
<7.剝離步驟>
其後，如圖2D之箭頭所示，將第1剝離層12自密封層13及障壁5進行剝離。
繼而，如圖2E之粗鏈線所示，將對應各光半導體元件16之密封層13進行切割，而使複數個光半導體元件16單片化。藉此，以包含光半導體元件16及密封層13之密封層被覆光半導體元件10被第2剝離層17支持之狀態獲得該密封層被覆光半導體元件10。
<8.安裝步驟>
其後，如圖2E之箭頭所示，將密封層被覆光半導體元件10自第2剝離層17進行剝離，繼而如圖2F所示，將所剝離之光半導體元件16安裝於基板20。藉此，獲得光半導體裝置30。
實施例2~11(對應圖1A~圖3)
依據表1，變更障壁5之配方及尺寸、與密封層13之尺寸，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理。
又，於實施例2~5及7~10中，於<4.障壁配置步驟>之障壁5之 配方中，使用1階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物(商品名「ELASTOSIL LR7665」，加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，無法成為B階段狀態之熱硬化性樹脂，旭化成瓦克聚矽氧公司製造)代替2階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物。
又，於實施例6中，於<4.障壁配置步驟>之障壁5之配方中，使.用1階段反應硬化性之苯基系聚矽氧樹脂組合物代替2階段反應硬化性之甲基系聚矽氧樹脂組合物。1階段反應硬化性之苯基系聚矽氧樹脂組合物係使用實施例1中之<3.密封構件配置步驟>所記載的1階段反應硬化性之苯基系聚矽氧樹脂組合物。
實施例11
僅由環氧樹脂形成障壁5，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理。
具體而言，使用商品名「JER828」(環氧樹脂，三菱化學公司製造)，利用塗佈而成膜為目標之厚度並進行硬化後，利用剪裁機沖裁為框形狀。
實施例12
僅由胺基甲酸酯樹脂形成障壁5，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理。
具體而言，使用商品名「聚胺基甲酸酯彈性體(TPU)片」(Telmax股份有限公司製造)，利用剪裁機沖裁為框形狀。
實施例13
僅由玻璃‧環氧基板形成堰構件，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理。
具體而言，利用剪裁機，將商品名「FR-4」(玻璃‧環氧樹脂、Panasonic公司製造)沖裁為框形狀。
實施例14
由不鏽鋼形成堰構件，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理。
具體而言，利用剪裁機，將不鏽鋼板(型號SUS304)沖裁為框形狀。
比較例1
不使用障壁5，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理。
(評價)
[光半導體元件16之密封之狀態]
對利用密封層13之光半導體元件16之密封狀態進行觀察，以下依據基準而對光半導體元件16之密封狀態進行評價。
◎：藉由密封層13而將光半導體元件16完全密封
○：藉由密封層13而密封光半導體元件16
△※A：雖由於障壁5之稍微損傷而密封組合物向障壁5之外側漏出，但藉由密封層13而將光半導體元件16密封
△※B：雖於密封層收容體積19中散見有未充填部分，但藉由密封層13而將光半導體元件16密封
△※C：雖由於障壁5與第2剝離層17之界面之密接不足而密封組合物向障壁5之外側漏出，但可藉由密封層13而將光半導體元件16密封。
×：無法藉由密封層13而將光半導體元件16密封。
[密封層13之平均厚度T6及厚度T6之變動]
算出附剝離層之密封層被覆光半導體元件40中之密封層13之平均厚度T6、及T6之變動。再者，表中，R係密封層13之厚度之變動之指標，具體而言，表示自密封層13之最大厚度減去密封層13之最小厚度而獲得之值。
[藉由苯基系聚矽氧樹脂組合物A之反應而獲得之產物之烴基(R5) 中之苯基的含有比率之測定]
藉由苯基系聚矽氧樹脂組合物A(即，不含有填料之苯基系聚矽氧樹脂組合物A)之反應而獲得之產物中，藉由1H-NMR及29Si-NMR而算出直接鍵結於矽原子之烴基(平均組成式(3)之R5)中之苯基的含有比率(莫耳%)。
具體而言，使A階段之苯基系聚矽氧樹脂組合物A於不添加填料之情況下於100℃下反應1小時(完全硬化，C階段化)而獲得產物。
繼而，對所獲得之產物之1H-NMR及29Si-NMR進行測定，藉此算出直接鍵結於矽原子之烴基(R5)中之苯基所占的比率(莫耳%)。
其結果為48%。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其只不過為例示，不可進行限定性解釋。藉由該技術領域之業者而明確之本發明之變化例係包含於下述申請專利範圍中。
[產業上之可利用性]
密封層被覆光半導體元件之製造方法可用於光半導體裝置之製造方法。
1‧‧‧加壓機
2‧‧‧下模具
3‧‧‧上模具
4‧‧‧間隔件
5‧‧‧障壁
7‧‧‧加熱器
11‧‧‧密封構件
12‧‧‧第1剝離層
13‧‧‧密封層
15‧‧‧元件構件
16‧‧‧光半導體元件
17‧‧‧第2剝離層
22‧‧‧彈簧
32‧‧‧載體
40‧‧‧附剝離層之密封層被覆光半導體元件
60‧‧‧附障壁/剝離層之密封層被覆光半導體元件
T0‧‧‧密封層之設計厚度
T1‧‧‧間隔件之厚度
T2‧‧‧第1剝離層之厚度
T5‧‧‧第2剝離層之厚度
T7‧‧‧障壁之厚度

Claims (14)

  1. 一種密封層被覆光半導體元件之製造方法，其特徵在於：其係包括光半導體元件、與被覆上述光半導體元件之密封層的密封層被覆光半導體元件的製造方法，且其包括：準備包括平板狀之第1模具、與用以與上述第1模具對向配置之平板狀之第2模具的加壓機之步驟；將限制構件配置於上述加壓機之步驟，上述限制構件係用以限制超出對應上述密封層之設計厚度之加壓位置的上述加壓機之加壓方向上的上述第1模具及/或上述第2模具之移動；將包括剝離層與配置於上述剝離層之表面之B階段之上述密封層的密封構件於上述第1模具及上述第2模具之間以上述密封層面向第2模具之方式進行配置的步驟；將對應上述密封層之外形形狀之堰構件以向上述加壓方向投影時包圍上述密封層之方式進行配置之步驟；將包括基材、與配置於上述基材之表面之上述光半導體元件的元件構件於上述第1模具及上述第2模具之間且於對應上述密封構件之上述第2模具側以上述光半導體元件面向上述第1模具的方式進行配置之步驟；及使上述第1模具及上述第2模具靠近，使上述第1模具及/或上述第2模具位於上述加壓位置，而利用上述密封層被覆上述光半導體元件之步驟。
  2. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述密封層之體積比率於上述第1模具及/或上述第2模具位於上述加壓位置時，相對於自藉由上述堰構件、上述剝離層及上述基材而劃出之空間之體積減去上述光半導體元件之體積而獲得的密封 層收容體積而為100%以上且120%以下。
  3. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於配置上述堰構件之步驟中，上述堰構件之厚度相對於上述密封層之上述設計厚度超過100%且為120%以下。
  4. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述堰構件於23℃下之拉伸彈性模數為0.3MPa以上且1000MPa以下。
  5. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述堰構件含有樹脂。
  6. 如請求項5之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述樹脂為聚矽氧樹脂及/或胺基甲酸酯樹脂。
  7. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於上述密封構件中，上述剝離層之周端部自上述密封層露出，於配置上述堰構件之步驟中，將上述堰構件載置於上述剝離層之上述周端部。
  8. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於配置上述堰構件之步驟中，上述密封層之面積小於由上述堰構件所包圍之空間之沿著與上述加壓方向正交之方向之截面面積。
  9. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中於將單個上述光半導體元件配置於上述基材之情形時，上述密封層之面積大於上述基材中供配置上述單個光半導體元件之區域之面積，於將複數個上述光半導體元件設置於上述基材之情形時，上述密封層之面積大於上述基材中由連結上述複數個光半導體元件中配置於最外側之上述光半導體元件之外側端緣的線段所包圍之區域的面積。
  10. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述加 壓機具備熱源，上述B階段之密封層兼具熱塑性及熱硬化性，於利用上述密封層被覆上述光半導體元件之步驟中，將上述密封層進行加熱而使之塑化，繼而使塑化之上述密封層進行熱硬化。
  11. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述密封層係由含有苯基系聚矽氧樹脂組合物之密封組合物形成為片狀，上述苯基系聚矽氧樹脂組合物含有分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基之含烯基之聚矽氧烷、分子內含有2個以上之氫矽烷基之含氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒，上述含烯基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(1)表示，平均組成式(1)：R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2(式中，R1表示碳數2~10之烯基及/或碳數3~10之環烯基，R2表示未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及環烯基除外)，a為0.05以上且0.50以下，b為0.80以上且1.80以下)，上述含氫矽烷基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(2)表示，平均組成式(2)：HcR3 dSiO(4-c-d)/2(式中，R3表示未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及/或環烯基除外)，c為0.30以上且1.0以下，d為0.90以上且2.0以下)，上述平均組成式(1)及上述平均組成式(2)中，R2及R3中之至少任一者包含苯基，藉由使上述苯基系聚矽氧樹脂組合物進行反應而獲得之產物 係由下述平均組成式(3)表示，平均組成式(3)：R5 eSiO(4-e)/2(式中，R5表示包含苯基之未經取代或經取代之碳數1~10之1價烴基(其中，烯基及環烯基除外)，e為0.5以上且2.0以下)，上述平均組成式(3)之R5中之苯基之含有比率為30莫耳%以上且55莫耳%以下。
  12. 如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法，其中上述密封層含有螢光體。
  13. 一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於：包括藉由如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法而準備配置於基材之表面之密封層被覆光半導體元件之步驟，且上述基材為第2剝離層，於上述準備密封層被覆光半導體元件之步驟後，進而包括：將上述密封層被覆光半導體元件自上述第2剝離層進行剝離之步驟、及將所剝離之上述密封層被覆光半導體元件之上述光半導體元件安裝於基板之步驟。
  14. 一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於：包括藉由如請求項1之密封層被覆光半導體元件之製造方法而準備配置於基材之表面之密封層被覆光半導體元件之步驟，且上述基材係安裝有上述光半導體元件之基板。
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