TW201448062A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Masayuki Yamamoto
Shinichirou Mori
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Nitto Denko Corp
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Abstract

將形成於半導體基板之複數個半導體元件的分布區域中以比該分布區域的面積還小的面積且以對齊圍繞複數個半導體元件的分斷線之方式切斷而成複數片密封小片，貼附於該半導體元件的分布區域整面。使該密封層硬化，將密封有半導體元件的半導體基板W隔著切割帶保持於環形框架後，搬送到切割工程，沿著分斷線切斷，將切割帶擴展而製造半導體裝置。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於貼附形成有由樹脂組成物所構成的密封層之密封片，以密封半導體元件之半導體裝置之製造方法。
用框體圍繞1個半導體晶片的周圍後，利用由含浸有樹脂之預浸材所構成的第1密封用樹脂片和第2密封用樹脂片，從該半導體晶片兩面之各面分別夾住，來密封半導體晶片以製造半導體裝置(參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開平5-291319號公報
然而，上述習知的方法中，會產生如下之問題。
亦即，近年來，因為伴隨應用(application)的急速進步所需求的高密度安裝的關係，有半導體裝置小型化的傾向。因此，由於是在利用切割(dicing)處理將半導體晶圓分斷成半導體元件之後，再將半導體元件個別地以樹脂加以密封，所以會有生產量降低，進而造成生產效率降低之不良情況產生。
本發明係有鑒於此種情況而完成者，其主要目的在提供一種可使半導體裝置的生產速度提升，且也可以良好精確度製造半導體裝置之半導體裝置之製造方法。
於是，本案發明人等為了解決該不良情況，反覆實驗、模擬並致力探討研究的結果，得到以下的見解。
嘗試在半導體基板的整面貼附形成有由樹脂組成物所構成的密封層之單片密封片並使其硬化後，將其分斷成該半導體裝置。然而，該方法會產生如下的新問題。首先，在密封片之密封層經加熱硬化處理後的冷卻過程中，因密封層的收縮的關係，會造成半導體基板產生翹曲。該翹曲會在將半導體基板吸附而搬送的過程中產生搬送錯誤。又，在半導體基板的翹曲量大的情況，一旦按壓半導體基板而矯正該翹曲時，半導體基板會破損。再者，在貼附大面積密封片的情況，氣泡容易在貼附過程中被包含於與半導體基板的黏著界面，而在密封層內發生孔隙，使半導體裝置成為不良品。
本發明為了達成此種目的，而採用如下之構成。
亦即，一種半導體裝置之製造方法，係將於剝離襯墊形成有由樹脂組成物所構成的密封層而成之密封片貼附於半導體元件以製造半導體裝置，該半導體裝置之製造方法的特徵為具備： 貼附過程，係將形成於半導體基板之複數個前述半導體元件的分布區域中以比該分布區域的面積還小的面積且以對齊圍繞複數個半導體元件的分斷線之方式切斷而成的複數片密封小片，貼附於該半導體元件的分布區域整面；硬化過程，係使前述密封層硬化；及分斷過程，將半導體元件藉由硬化的前述密封層所密封的半導體基板加以分斷。
(作用．功效)根據上述方法，由於是分成被切斷成比形成有半導體元件之分布區域整體的面積還小的面積而成的複數片密封小片，而貼附在該半導體元件的分布區域，所以密封小片會在半導體基板上各自收縮。將與半導體基板大致相同形狀的1片密封片貼附在半導體基板時，該密封片會朝半導體基板中心的單向收縮。然而，如此方法，由於在貼附複數片密封小片時，密封小片的收縮方向會被分散，所以可抑制半導體基板的翹曲。此外，此處，分布區域是指，配置有將半導體基板單片化之預定的複數個半導體元件且包含其最外周部之切斷預定線的區域。此外，本發明中，密封小片是呈現於密封層附設有剝離襯墊之狀態的形態。
又，複數片密封小片由於具有吻合半導體基板的分斷線之外形，故可無偏移地密封半導體元件。又，由於鄰接的密封小片彼此之間相當於分斷線，故可沿著該部位容易地從半導體基板切斷半導體裝置。
又，由於複數片密封小片的尺寸比半導體基 板小，故貼附時的操作容易進行。亦即，可抑制氣泡被包含於半導體基板與密封片的黏著界面。因此，可抑制密封層內之孔隙的發生。
此外，在此方法中，貼附過程可以如下方式實施。
例如，就一實施形態而言，在具有半導體基板的形狀以上之大小的單片密封片上進行半切割所形成的複數片密封小片貼附於半導體基板；將前述剝離襯墊及密封小片周圍被切下的密封片從半導體基板剝離。
根據此方法，可藉1次的貼附動作將複數片密封小片貼附於半導體基板。此外，單片密封片可形成與半導體基板相同形狀，亦可為比半導體基板大的尺寸。
在單片密封片的尺寸大於半導體基板的情況，可一邊對單片密封片賦予張力，一邊將複數片密封小片貼附於半導體基板，較佳為在分斷過程之前，先將剝離襯墊從密封片剝離。
根據此方法，由於可對密封片賦予張力，所以不會在該密封片產生鬆弛。因此，可一邊抑制氣泡被包含於密封片與半導體基板的黏著界面，一邊以良好精確度將該密封片貼附於半導體基板。
以其他實施形態而言，將複數片密封小片暫時黏著於具有半導體基板之形狀以上的大小的單片剝離襯墊，將複數片密封小片隔著前述單片剝離襯墊貼附於前 述半導體基板，在前述分斷過程之前，先將前述單片剝離襯墊從密封小片剝離。
在此方法中，也與上述實施形態同樣，可藉一次的貼附動作將複數片密封小片貼附於半導體基板。此外，單片剝離襯墊可與半導體基板為相同的形狀，也可為比半導體基板大的尺寸。
在單片剝離襯墊的尺寸大於半導體基板的情況，可一邊對該剝離襯墊賦予張力，一邊將複數片密封小片貼附於半導體基板，較佳為在分斷過程之前，先將剝離襯墊從密封片剝離。
根據此方法，由於係對剝離襯墊賦予張力，所以不會在密封小片產生鬆弛。因此，可一邊抑制氣泡被包含於密封小片與半導體基板的黏著界面及皺褶的產生，一邊將該密封小片貼附於半導體基板。
此外，在該實施形態中，亦可因應半導體基板的區域而貼附不同特性的密封片。
亦即，藉由在半導體基板的翹曲容易產生的部位，貼附收縮率比其他密封小片小的密封小片，可抑制半導體基板的翹曲。
又，亦可因應半導體元件的分布區域而貼附不同尺寸及形狀的密封小片。
根據此方法，複數片相同的密封小片，即便收縮率相同者，若密封片愈小形及端邊愈短的話，密封層的收縮距離就會變愈小。亦即，藉由混合不同尺寸及 形狀的密封小片來進行貼附，可調整密封層的收縮來抑制半導體基板的翹曲。
此外，上述各實施形態中，較佳為在減壓氛圍下將密封片貼附於半導體基板。
根據此方法，將被包含於密封片與半導體基板之間的氣泡抽出的移動距離係比與半導體基板相同尺寸的密封片還短。因此，可在短時間內更確實地將氣泡從黏著界面去除。
根據本發明之半導體裝置之製造方法，可一邊使半導體裝置的生產速度提升，一邊以良好精確度製造半導體裝置。
3‧‧‧片切斷機構
20‧‧‧片載置台
21‧‧‧片搬送機構
22‧‧‧襯墊剝離機構
23‧‧‧第1保持台
24‧‧‧基板搬送機構
25‧‧‧片貼附機構
45‧‧‧第2保持台
46‧‧‧腔室
59‧‧‧按壓板
60‧‧‧加熱器
61‧‧‧加熱裝置
64‧‧‧加熱板
T‧‧‧密封片
C‧‧‧半導體元件
CT‧‧‧密封小片
M‧‧‧密封層
S1、S2‧‧‧剝離襯墊
W‧‧‧半導體基板
圖1為顯示密封片的原材輥之斜視圖。
圖2為密封片的縱剖面圖。
圖3為顯示配備於片供給工程之裝置的示意構成之前視圖。
圖4為顯示配備於貼附工程之裝置的整體構成之前視圖。
圖5為顯示配備於貼附工程之裝置的整體構成之俯視圖。
圖6為顯示襯墊剝離機構的示意構成之前視圖。
圖7為構成片貼附機構之腔室的部分剖面圖。
圖8為顯示加熱裝置的示意構成之前視圖。
圖9為顯示第2剝離襯墊的剝離動作之前視圖。
圖10為顯示將密封片暫時黏著於半導體基板的動作之圖。
圖11為顯示將密封片暫時黏著於半導體基板的動作之圖。
圖12為顯示將密封片固定黏著於半導體基板的動作之圖。
圖13為顯示將密封片固定壓接於半導體基板的動作之圖。
圖14為顯示將不要的密封層與第1剝離襯墊去除後的半導體基板之俯視圖。
圖15為顯示保持於環形框架之半導體基板的斜視圖。
圖16為顯示將半導體基板分斷成半導體裝置的動作之圖。
圖17為顯示變形例的密封片的俯視圖。
圖18為顯示貼附治具的構成之斜視圖。
圖19為顯示將密封片設置在貼附治具的動作之圖。
圖20為顯示將密封片設置在貼附治具的動作之圖。
圖21為顯示將密封片設置在貼附治具的狀態之俯視圖。
圖22為顯示將密封片暫時壓接於半導體基板的動作之圖。
圖23為顯示將密封片暫時壓接於半導體基板的動作之圖。
圖24為顯示暫時壓接有密封片之半導體基板的搬送狀態之圖。
圖25為顯示將密封片固定壓接於半導體基板的動作之圖。
圖26為顯示去除不要的密封層與第1剝離襯墊的動作之圖。
[實施發明之最佳形態]
以下，參照圖式，說明本發明的一實施例。採用在表面形成有複數個半導體元件的半導體基板上，貼附形成有由樹脂組成物所構成的密封層之密封片的情況為例來進行說明。
<密封片>
例如，如圖1及圖2所示，密封片T是由捲繞有長條密封片T的原材輥所供給。又，該密封片T係在密封層M的兩面附設有保護用第1剝離襯墊S1及第2剝離襯墊S2。
密封層M是由密封材料形成為片狀。以密封材料而言，可列舉例如：熱硬化性矽樹脂、環氧樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、酚樹脂(phenol resin)、脲樹脂(urea resin)、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、酞酸二烯丙酯(diallyl phthalate)樹脂、熱硬化性胺甲酸乙酯樹脂(urethane resin)等的熱硬化性樹脂。又，以密封材料而言，也可列舉：上述熱硬化性樹脂、和以適當的比例含有添加劑的熱硬化性樹脂組成物。
以添加劑而言，可列舉例如：充填劑、螢光 體等。以充填劑而言，可列舉例如：矽石(silica)、氧化鈦(titania)、滑石(talc)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽等的無機微粒子，例如：矽氧(silicone)粒子等的有機微粒子等。螢光體具有波長轉換機能，可列舉例如：能將藍色光轉換成黃色光的黃色螢光體、將藍色光變成紅色光的紅色螢光體等。以黃色螢光體而言，可列舉例如：Y3Al5O12：Ce(YAG(釔．鋁．石榴石)：Ce)等的石榴石型螢光體。以紅色螢光體而言，可列舉例如：CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等的氮化物螢光體等。
密封層M在密封半導體元件前，被調整成半固體狀，具體而言，於密封材料含有熱硬化性樹脂的情況，可在例如：完全硬化(C階段化)之前，也就是說，在半硬化(B階段)狀態下進行調整。
密封層M的尺寸係可依半導體元件及基板的尺寸而適當設定。具體而言，在密封片被準備為長條片的情況下，密封層的左右方向的長度、即寬度為例如100mm以上，較佳為200mm以上，例如為1500mm以下，較佳為700mm以下。又，密封層的厚度係可因應半導體元件的尺寸而適當設定，例如為30μm以上，較佳為100μm以上，又，例如為3000μm以下，較佳為1000μm以下。
第1剝離襯墊S1及第2剝離襯墊S2可列舉：例如聚乙烯片、聚酯片(PET等)、聚苯乙烯片、聚碳酸酯片、聚醯亞胺片等的聚合物片，例如陶瓷片，例如金屬箔等。在剝離襯墊之與密封層接觸的接觸面上，亦可實施氟處理等的脫模處理。第1剝離襯墊及第2剝離襯墊的尺 寸係可依剝離條件而適當設定，厚度為例如15μm以上，較佳為25μm以上，又，例如為125μm以下，較佳為75μm以下。
接著，說明關於將密封片T貼附於半導體基板以製造半導體裝置之工程及裝置。此外，本實施例中，係以將密封片貼附在圓形半導體基板的情況為例來說明。
半導體裝置的製造工程係由切斷工程、貼附工程、硬化處理工程及切割工程所構成。
切斷工程係如圖3所示，由片供給部1、切斷機構2及片回收部3等所構成。
片供給部1係將從供給筒管4抽出之兩面附有剝離襯墊S1、S2的密封片T，藉由進給輥5及導輥6引導而導入切斷機構2。
切斷機構2係由例如裁斷台7、第1切斷機構8及第2切斷機構9等所構成。
裁斷台7係由比密封片T的寬度大的夾盤台構成。第1切斷機構8係由繪圖機(plotter)切斷單元12等所構成，該繪圖機切斷單元12係藉由在跨越裁斷台7的狀態下裝設於在前後沿著導軌R移動的可動框架10之可動台11，而在該可動框架10上進行水平移動及升降。該繪圖機切斷單元12具有刀尖向下的切割器13。因此，繪圖機切斷單元12係在僅殘留有背面側的剝離襯墊S2的情況下，如圖1所示般將密封片T半切割(half cut)成既定形狀的密封小片CT。此外，本實施例中，密封小片係呈現於密封 層附設有剝離襯墊之狀態的形態。
第2切斷機構9係在可升降之可動台的下部，裝備有可繞位於裁斷台7的中心上之縱軸心X驅動旋轉的支持臂16。又，在設置於此支持臂16的自由端側之切割器單元17，裝設有刀尖向下的切割器18。以藉由此支持臂16繞縱軸心X旋轉，切割器18將密封片T切成與半導體基板大致相同形狀之方式構成。因此，切斷後的單片密封片T並不是與形成於半導體基板的缺口或定向平面的外形完全一致之構成，而是包含覆蓋缺口等的圓形之構成。
片回收部3係以將被切成半導體基板W形狀的密封片T捲繞到回收筒管19之方式構成。
此外，在裁斷台7的下游側配備有前端變細錐狀的剝離板14。亦即，以藉由剝離板14將密封片T折返而將被切成圓形的密封片T剝離之方式構成。密封片T係由在剝離板14上具備吸附板的搬送機構15所吸附保持。搬送機構15係構成與密封片T的進給速度同步地水平移動，將從剝離板14被剝離的密封片T吸附而搬出。
貼附工程係如圖4及圖5所示，配備有片載置台20、片搬送機構21、襯墊剝離機構22、第1保持台23、基板搬送機構24及片貼附機構25等。
片載置台20係由形狀比密封片T大的夾盤台所構成。
片搬送機構21具有可在前後左右進行水平移動及升降的吸附板26。亦即，具備第1可動台28，其在沿 著延伸於裝置本體的橫向之框架27的導軌R1上移動。朝裝置本體的前後水平保持的導軌R2係裝設於框架27。具備有可沿縱框架升降的吸附板26，該縱框架係懸垂支持於可沿著導軌R2前後移動的第2可動台30。
襯墊剝離機構22係如圖6所示，由剝離帶供給部31、剝離單元32、帶回收部33及相機34所構成。
剝離帶供給部31係將寬度比密封片T窄的長條剝離帶TS供給到剝離單元32。
剝離單元32具備有捲繞剝離帶TS的剝離輥35。該剝離輥35可升降，且可上升到比片載置台20還高的位置。亦即，在密封片T被片搬送機構21吸附保持而搬送的過程中，剝離輥35將剝離帶TS按壓並貼附到密封片T背面的剝離襯墊S2。
帶回收部33係在利用剝離輥35被貼附到密封片T背面側的剝離襯墊S2的狀態下捲繞剝離帶TS，藉此將從密封片T被剝離的剝離襯墊S2連同剝離帶TS一起捲起並回收到回收筒管。
相機34係從背面拍攝第2剝離襯墊S2被剝離後的密封片T之經半切割後的複數片密封小片CT的位置，並將該影像資料傳送到控制部100。
第1保持台23係如圖4及圖5所示，由形狀比半導體基板W大的夾盤台所構成。第1保持台23係以繞縱軸旋轉，且進行半導體基板W的對準之方式構成。又，第1保持台23係以沿著導軌38涵蓋半導體基板W的載置位置與裝置內側的對準位置而往復移動之方式構成。
在對準位置的上方配備有2台相機39，拍攝半導體基板W的外形及分斷線(劃割線：scribe Line)，將兩影像資料傳送到控制部100。
基板搬送機構24係具備在導軌R3上移動裝置之可動台42，該導軌R3係沿著延伸於裝置本體的橫向的框架41而到達片貼附機構25側。具有可沿著被懸垂支持於該可動台42的縱框架而進行升降的吸附板44。吸附板44具有半導體基板W之形狀以上的大小。亦即，基板搬送機構24係構成為在第1保持台23至後述之貼附工程的第2保持台45之間進行往復移動。
貼附工程具備片貼附機構25。該片貼附機構25係由第2保持台45及腔室46等所構成。
第2保持台45係如圖7所示，收納於構成腔室46之上下一對上殼體46A與下殼體46B中的下殼體46B。
又，下殼體46B係構成為沿著導軌48在裝置本體前側之半導體基板W的接收位置與上殼體46A下方之間往復移動。
構成腔室46的上殼體46A係設置於升降驅動機構50。此升降驅動機構50具備有：可動台53，其可沿著縱向配置於縱壁51背部之軌道52進行升降；可動框54，其以可調節高度的方式支持於該可動台53；以及臂55，其從該可動框54朝前方延伸。在由此臂55的前端部朝下方延伸的支軸56上裝設有上殼體46A。
可動台53係藉由利用馬達58使螺桿軸57進行正反轉動而進給升降。又，在上殼體46A的內部，裝設有 可升降的按壓板59。於該按壓板59中埋設有加熱器60。
硬化處理工程係如圖8所示具有加熱裝置61。加熱裝置61係由：例如將半導體基板W予以載置保持的第3保持台62、以及埋設有可升降的加熱器63之加熱板64等所構成。
切割(dicing)工程具有將透過切割帶而黏著保持的半導體基板W分斷成半導體裝置之切斷裝置。
接著，詳細說明製造半導體裝置之一連串的動作。
在切斷工程中，藉由繪圖機(plotter)切斷單元12將被吸附保持於裁斷台7的長條密封片T，以比形成於半導體基板之複數個半導體元件的分布區域整體的面積還小的面積且以對齊圍繞複數個份的半導體元件的分斷線之方式，半切割成密封小片CT。複數片密封小片CT係如圖1所示，以彼此沒有重疊，且覆蓋半導體元件的分布區域整體的方式事先布置(layout)。亦即，對齊分斷線寬之內側的線尺寸以下而進行半切割。此外，在此，分布區域係指，配置有將半導體基板單片化的預定複數個半導體元件且如圖5的一點鏈線所示，包含其最外周部之切斷預定線的區域DA。
其次，藉由第2切斷機構9，將形成有密封小片CT的密封片T切成半導體基板W的形狀。解除裁斷台7的吸附而將成為半導體基板W形狀之單片密封片T載置於貼附工程的片載置台20。此外，切成圓形的長條密封片T被捲起而回收到片回收部3。
當密封片T載置於片載置台20時，藉由片搬送機構21吸附保持，而搬送到相機34的上方。此時，如圖6所示，片載置台20些微上升，在水平搬送的過程中，剝離輥35逐漸上升到自該片載置台20偏離之搬送方向的前方位置。捲繞於該剝離輥35的剝離帶TS係如圖9所示，被按壓至密封片T背面側的第2剝離襯墊S2。其後，以與片搬送機構21的搬送速度同步的速度，一邊將剝離帶TS捲起，一邊將第2剝離襯墊S2從密封片T剝離。被剝離的第2剝離襯墊S2係連同剝離帶TS一起被捲起回收到回收筒管(bobbin)。
當密封片T到達相機34的上方時，拍攝密封片T的外形及密封片T的布置影像。該影像資料被傳送到控制部100。當拍攝處理完成時，片搬送機構21在吸附保持密封片T的狀態下，移動到第1保持台23上
在密封片T被載置於片載置台20的大致同時，半導體基板W被載置於第1保持台23。吸附保持有半導體基板W的第1保持台23移動到對準位置，藉由相機39拍攝表面。所拍攝的影像資料被傳送到控制部100。
當拍攝處理完成時，第1保持台23返回載置位置。在此，以藉由控制部100的影像解析處理所求得之密封小片CT的布置的輪廓與半導體基板W的半導體元件之分斷線的內側的線一致，且以覆蓋半導體元件的分布區域整面的方式，進行半導體基板W的對準。使第1保持台23繞著縱軸旋轉以進行對準。
當半導體基板W的對準完成時，藉由片搬送 機構21所搬送到的密封片T係如圖10所示，與半導體基板W對向配置。然後，如圖11所示，吸附板26下降到既定高度。此時，密封片T被適度按壓而被暫時壓接到半導體基板W。一旦密封片T的暫時壓接完成，片搬送機構21即返回片載置台20側。
暫時壓接有密封片T的半導體基板W藉由基板搬送機構24吸附保持，而被搬送到第2保持台45。
當半導體基板W被載置於第2保持台45時，基板搬送機構24即上升而返回第1保持台23側。第2保持台45係在吸附保持著半導體基板W的狀態下，移動到上殼體46A的下方。
如圖12及圖13所示，上殼體46A的下端下降到抵接於下殼體46B的位置為止。亦即，形成腔室46。然後，將腔室46內減壓。進一步，使按壓板59下降以將密封片T按壓及加熱而固定壓接於半導體基板W。於此時點，密封層M處於未完全硬化的狀態。
當固定壓接完成，使腔室46內返回大氣壓而將上殼體46A敞開。下殼體46B連同第2保持台45一起返回基板的接遞位置。固定壓接有圖14所示之密封片T的半導體基板W被剝離了不要的密封層M與剝離襯墊，而被搬送到硬化處理部。
使加熱板64抵接於載置在第3保持台62的半導體基板W而進行加熱，以使密封層M加熱硬化。亦即，待上升到既定溫度後，冷卻到玻璃轉移點為止以使密封層M完全硬化。
然後，如圖15所示，將半導體基板W透過環形框架f黏著保持在切割帶DT。在此狀態下搬送到切割工程，藉由切割器將半導體基板W沿著分斷線分斷。當分斷處理完成時，如圖16所示，僅使基板保持台85些微上升以將切割帶從背面側往上推而擴展，連同半導體裝置CP一起完全分離。以上，完成一連串的處理，並反覆進行相同的處理。
如上所述，由於是分成被切斷成比形成有半導體元件之分布區域整體的面積還小的面積而成的複數片密封小片CT，而貼附在該半導體元件的分布區域整面，故可抑制半導體基板W的翹曲。亦即，在將與半導體基板相同形狀的1片密封片T貼附於半導體基板W的情況下，密封片T會朝半導體基板W中心的單向收縮。然而，在分割成複數片密封小片CT而貼附在半導體基板W的情況，收縮方向會被分散，可抑制半導體基板W的翹曲。
又，密封小片CT因尺寸比半導體基板W小，故貼附時的操作容易。亦即，可抑制氣泡被包含在半導體基板W與密封小片CT的黏著界面。因此，可抑制密封層內之孔隙的產生。
此外，本發明也可採用以下的形態實施。
(1)上述實施例中，單片密封片T並不限定於半導體基板W的形狀。例如，亦可採用如圖17所示對於切斷成比半導體基板W還大的矩形單片密封片T將密封小片CT半切割而形成者。
此時，在片貼附工程中，較佳為在對密封片T 賦予張力的狀態下將其貼附在半導體基板W。
例如，將密封片T裝設於圖18所示的貼附治具70來進行操作。貼附治具70為，在矩形框架框71的兩端，夾板72藉由螺旋彈簧73朝按壓接承板74的方向偏置。又，將固定於框架框71的固定塊75貫通的球軸76的前端，係抵接於靠近倒L字狀接承板74的一方的下部側。藉由該球軸76與固定塊75之間的螺旋彈簧77，會使接承板74向外偏置。又，螺帽78螺合於該球軸76的另一端側。構成為藉由使該螺帽78正反轉動，球軸76的突出距離會改變，可調整夾板72與接承板74之向外偏置力。
其次，說明利用該貼附治具70，將密封片T固定壓接於半導體基板W的一輪動作。
如圖19所示，夾板72抵抗彈簧偏置力而敞開，以將密封片T載置於框架框71。其後，如圖20及圖21所示，藉由夾板72夾住密封片的兩端。
使完成對準處理之第1保持台23上的半導體基板W與貼附治具70對向，如圖22所示，使貼附治具70下降到既定高度。此時，如圖23所示，立設於第2保持台45的定位銷P卡合於貼附治具70的定位孔79，以進行對位。於此狀態，對密封片T施加既定荷重以將其暫時壓接到半導體基板W。
如圖24所示，藉由從吸附板44變更成吸附墊80的基板搬送機構24吸附貼附治具70，將其搬送並載置於第2保持台45。此時，以與將貼附治具70設置在第1保持台23時相同的方式，使形成於第2保持台45的定位銷P 卡合於貼附治具70的框架框71所形成的定位孔79，以進行對位。
使收納有第2保持台45的下殼體46B移動到上殼體46A的下方，如圖25所示，形成腔室46。將腔室46內減壓，並利用按壓板59一邊加熱一邊將密封片T固定壓接於半導體基板W。
當固定壓接完成時，使第2保持台45移動到基板的接遞位置，以既定時間冷卻。然後，如圖26所示，藉由基板搬送機構24吸附貼附治具70並使其上升，於黏著力降低之不要的密封層M殘留在第1剝離襯墊S1側將其從半導體基板W剝離。
密封層M被固定壓接成密封小片CT狀的半導體基板W，係與上述實施例同樣經由硬化處理工程及切割工程而分斷成半導體裝置。
根據此方法，藉由利用貼附治具70夾住從半導體基板W的外形突出的部位，可在對密封片T賦予適當的張力的狀態下將密封片T貼附於半導體基板W。亦即，由於密封片T在貼付時不會鬆弛，所以可抑制氣泡被包含在與半導體基板W的黏著界面、或發生皺褶的情況。
(2)上述實施例中，亦可設成將背面側的第2剝離襯墊S2從由長條密封片T被切成既定形狀的密封小片CT剝離，依序貼附於半導體基板W的既定位置。或者，亦可利用將預先被切斷成既定形狀的密封小片CT以規定的布置暫時黏著在被切斷成半導體基板的形狀或比半導體基板更大的剝離襯墊而形成的密封片。
將密封小片CT暫時黏著在與半導體基板W相同形狀的剝離襯墊時，只要在從背面剝離第2剝離襯墊S2以進行與半導體基板W的對位後，暫時壓接於半導體基板W即可。其後的處理工程，係進行與上述主要的實施例相同的處理。
又，將密封小片CT暫時黏著在比半導體基板W大的剝離襯墊時，將剝離襯墊的兩端夾在貼附治具70以賦予適度的張力。在此狀態下將第2剝離襯墊S2從密封小片CT的背面剝離，進行與半導體基板W的對位以進行暫時壓接。其後，進行與上述變形例相同的處理。
根據此等實施形態，可將特性不同的密封小片CT貼附於半導體基板W。例如，可將密封層M之收縮率不同的密封小片CT，分別使用在半導體基板W的翹曲容易產生的區域與不易產生的區域。例如，在容易產生翹曲的部分，貼附形成有收縮率比貼附於其他部分之密封小片CT的密封層M還小之形成有密封層M的密封小片CT。根據此方法，可調整半導體基板W的翹曲量。
(3)上述各實施例中，對於密封片T是藉由第1切斷機構8及第2切斷機構9分別進行密封小片CT與單片密封片T的切斷，但亦可構成為事先以仿照半導體基板W及密封小片CT的布置(layout)的湯姆遜刀進行穿孔或或半切割。
(4)上述各實施例中，亦可在片貼附工程中進行到密封層的硬化處理為止。
(5)上述各實施例中，半導體基板W的形狀不 限定為圓形。因此，半導體基板W亦可為正方形或長方形等的四角形。
(6)上述實施例中，與單片半導體基板相同形狀的密封片T，可為比該半導體基板還大的尺寸，亦可為收納於從分布區域外至半導體基板的外周為止之小於該半導體基板的尺寸。
[產業上之可利用性]
如以上所示，本發明適於一邊提升半導體裝置的生產速度，一邊以良好精確度製造半導體裝置。
W‧‧‧半導體基板
C‧‧‧密封片
CT‧‧‧密封小片

Claims (12)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，係將於剝離襯墊形成有由樹脂組成物所構成的密封層而成之密封片貼附於半導體元件以製造半導體裝置，該半導體裝置之製造方法之特徵為具備：貼附過程，係將形成於半導體基板之複數個前述半導體元件的分布區域中以比該分布區域的面積還小的面積且以對齊圍繞複數個半導體元件的分斷線之方式切斷而成的複數片密封小片，貼附於該半導體元件的分布區域整面；硬化過程，係使前述密封層硬化；及分斷過程，將半導體元件藉由硬化的前述密封層所密封的半導體基板加以分斷。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，前述貼附過程係在具有半導體基板的形狀以上之大小的單片密封片上進行半切割而形成的複數片密封小片貼附於半導體基板，將前述剝離襯墊及密封小片周圍已被切下的密封片從半導體基板剝離。
  3. 如請求項2之半導體裝置之製造方法，其中，前述單片密封片係與半導體基板相同形狀。
  4. 如請求項2之半導體裝置之製造方法，其中，前述單片密封片的尺寸比半導體基板大。
  5. 如請求項4之半導體裝置之製造方法，其中，前述貼附過程係一邊對單片密封片賦予張力，一 邊將複數片密封片貼附於半導體基板。
  6. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，前述貼附過程係將複數片密封小片暫時黏著於具有半導體基板的形狀以上的大小之單片剝離襯墊，將複數片密封小片隔著前述單片剝離襯墊貼附於前述半導體基板，在前述分斷過程之前，先將前述單片剝離襯墊從密封小片剝離。
  7. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中，前述單片剝離襯墊係與半導體基板相同形狀。
  8. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中，前述單片剝離襯墊的尺寸比半導體基板大。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中前述貼附過程係一邊對單片剝離襯墊賦予張力，一邊將複數片密封小片貼附於半導體基板。
  10. 如請求項6之半導體裝置之製造方法，其中，前述貼附過程係因應半導體基板的區域而貼附不同特性的密封小片。
  11. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，前述貼附過程係因應半導體元件的分布區域而貼附不同尺寸及形狀的密封小片。
  12. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中，前述貼附過程係在減壓氛圍中將密封小片貼附於半導體基板。
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