JPS62285429A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62285429A JPS62285429A JP12810586A JP12810586A JPS62285429A JP S62285429 A JPS62285429 A JP S62285429A JP 12810586 A JP12810586 A JP 12810586A JP 12810586 A JP12810586 A JP 12810586A JP S62285429 A JPS62285429 A JP S62285429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- wafer
- resin
- substrate
- ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体素子と基体との接着強度が優れた半導
体装置の製造方法に関する。
体装置の製造方法に関する。
(従来の技術)
半導体装置の製造において、半導体素子をリードフレー
ム又は基板等に取り付ける(ダイボンディング)のに、
従来は液状のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂をベースと
した導電性又は絶縁性のベースト状接着剤を、スタンピ
ングあるいはディスペンサによるポツティング等の手段
によって、リードフレーム又は基板上に塗布して半導体
素子を接着するという方法が採られてきた。
ム又は基板等に取り付ける(ダイボンディング)のに、
従来は液状のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂をベースと
した導電性又は絶縁性のベースト状接着剤を、スタンピ
ングあるいはディスペンサによるポツティング等の手段
によって、リードフレーム又は基板上に塗布して半導体
素子を接着するという方法が採られてきた。
しかしながら、上記従来の半導体素子チップの接着取付
は方法には、次のような諸問題があった。
は方法には、次のような諸問題があった。
(aSS電性接着剤の場合、液状樹脂に配合した導電性
物質の分散が不均一になりやすく、物理的特性に悪影響
を与える。
物質の分散が不均一になりやすく、物理的特性に悪影響
を与える。
(b)成分樹脂が液状のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂
であるため、接着剤の塗布後、樹脂の広がり、にじみの
ばらつきが大きく、従って高密度の1実装が困難である
。
であるため、接着剤の塗布後、樹脂の広がり、にじみの
ばらつきが大きく、従って高密度の1実装が困難である
。
(C)接着剤のばらつきにより、塗布量、塗布面積の高
精度な調整が困難である。
精度な調整が困難である。
(d )高価な塗布装置が必要であり、塗布加工費が割
高になっていた。
高になっていた。
これらの諸問題を改良する方法として、特開昭60−1
6432号公報に丞されているように、加熱することに
より溶融するタイプの樹脂をベースとした導電性接着剤
をウェハの表面に塗布し、この接着剤層を溶融して接着
する方法がある。 ところが、通常半導体チップ表面の
電極部と基板の電極部とはアルミニウム線や金線を用い
て接続されるが、このときの温度は120〜310℃の
範囲で、280℃程度が最も一般的に行われる温度であ
る。 従って、加熱によって溶融するタイプの樹脂を用
いたのでは、チップと被接着体である基板との接管力に
問題が発生するおそれがある。 このため、特開昭59
−43531号公報に示されているように、使用する接
着剤のベース樹脂としてポリイミド系前駆体を使用した
ものがあるが、この前駆体は加熱により脱水反応を起こ
すため、チップとII間でボイドを発生するおそれがあ
り、またその反応も300℃以上の高温で長時間行わな
ければならないという欠点がある。
6432号公報に丞されているように、加熱することに
より溶融するタイプの樹脂をベースとした導電性接着剤
をウェハの表面に塗布し、この接着剤層を溶融して接着
する方法がある。 ところが、通常半導体チップ表面の
電極部と基板の電極部とはアルミニウム線や金線を用い
て接続されるが、このときの温度は120〜310℃の
範囲で、280℃程度が最も一般的に行われる温度であ
る。 従って、加熱によって溶融するタイプの樹脂を用
いたのでは、チップと被接着体である基板との接管力に
問題が発生するおそれがある。 このため、特開昭59
−43531号公報に示されているように、使用する接
着剤のベース樹脂としてポリイミド系前駆体を使用した
ものがあるが、この前駆体は加熱により脱水反応を起こ
すため、チップとII間でボイドを発生するおそれがあ
り、またその反応も300℃以上の高温で長時間行わな
ければならないという欠点がある。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は上記の問題点および欠点に鑑みてなされたもの
で、高温において接着強度に優れ、熱圧着硬化時にボイ
ドを発生することのない樹脂を用いて接着樹脂層を形成
するするという半導体装置の製造方法を提供しようとす
るものである。
で、高温において接着強度に優れ、熱圧着硬化時にボイ
ドを発生することのない樹脂を用いて接着樹脂層を形成
するするという半導体装置の製造方法を提供しようとす
るものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段と作用)本発明は上記の
目的を達成しようと#2意研究を重ねた結果、後述する
接着剤を使用すれば、高温時の接着強度に優れ、かつボ
イドの発生しない半導体装置が得られることを見いだし
、本発明を完成させたちのである。 即ち本発明は、複
数個の半導体素子が形成されたウェハの裏面に、□熱硬
化性樹脂と充填剤とが90:10〜50 : 50(重
量化)の割合でなる樹脂層を半硬化状態に形成し、次い
で樹脂層とともにウェハから切り取った半導体素子を、
前記樹脂層を介し、基板上に熱圧着硬化させて半導体素
子をダイボンディングすることを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
目的を達成しようと#2意研究を重ねた結果、後述する
接着剤を使用すれば、高温時の接着強度に優れ、かつボ
イドの発生しない半導体装置が得られることを見いだし
、本発明を完成させたちのである。 即ち本発明は、複
数個の半導体素子が形成されたウェハの裏面に、□熱硬
化性樹脂と充填剤とが90:10〜50 : 50(重
量化)の割合でなる樹脂層を半硬化状態に形成し、次い
で樹脂層とともにウェハから切り取った半導体素子を、
前記樹脂層を介し、基板上に熱圧着硬化させて半導体素
子をダイボンディングすることを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
本発明に用いる熱硬化性樹脂としては、フェノールノボ
ラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹
脂、ビスフェノール△型エポキシ樹脂、およびその池の
固形エポキシ系樹脂、ビスマレイミド−トリアジン変性
樹脂などが挙げられ、これらは単独又は2種以上の混合
系として使用できる。
ラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹
脂、ビスフェノール△型エポキシ樹脂、およびその池の
固形エポキシ系樹脂、ビスマレイミド−トリアジン変性
樹脂などが挙げられ、これらは単独又は2種以上の混合
系として使用できる。
本発明に用いる充填剤としては、導電性又は絶縁性粉末
が使用できる。 導電性粉末としては、例えば銀又は銅
の球状、リン片状、樹状の粉末が挙げられる。 また絶
縁性の粉末としては、シリカ粉末、タルク、アルミナ等
が挙げられ、また必要に応じてチクソ性を有するものも
挙げられる。
が使用できる。 導電性粉末としては、例えば銀又は銅
の球状、リン片状、樹状の粉末が挙げられる。 また絶
縁性の粉末としては、シリカ粉末、タルク、アルミナ等
が挙げられ、また必要に応じてチクソ性を有するものも
挙げられる。
これらは単独もしくは2種以上の混合系として使用する
ことができる。
ことができる。
この熱硬化性樹脂と充填剤を混合して樹脂層を形成させ
るが、この両者の配合割合(熱硬化性樹脂:充填剤)は
、90:10〜50:50(fflffi比)が適当で
あり、好ましくは70 : 30〜60 : ’40で
ある。
るが、この両者の配合割合(熱硬化性樹脂:充填剤)は
、90:10〜50:50(fflffi比)が適当で
あり、好ましくは70 : 30〜60 : ’40で
ある。
熱硬化性樹脂が90を超えると熱伝導性が極端に悪化し
、また50未満の場合−よ、熱圧着時の被着体に対する
なじみ性が悪化し好ましくない。
、また50未満の場合−よ、熱圧着時の被着体に対する
なじみ性が悪化し好ましくない。
上述した熱硬化性樹脂と充填剤との混合物を半導体素子
が形成されたウェハの裏面に塗布した後、80〜100
℃で1時間加熱処理して、ウェハの裏面に半硬化状態の
樹脂層を形成する。 この樹脂層の膜厚は通常10〜8
0μmで、好ましくは、20〜40μmの厚さとするの
が良い。 膜厚が10μm未満の場合は、ダイボンディ
ングにおける被着体とのなじみ性が悪くなり、また80
μmを超えるとダイボンディング中に半導体素子チップ
が移Wノして好ましくない。
が形成されたウェハの裏面に塗布した後、80〜100
℃で1時間加熱処理して、ウェハの裏面に半硬化状態の
樹脂層を形成する。 この樹脂層の膜厚は通常10〜8
0μmで、好ましくは、20〜40μmの厚さとするの
が良い。 膜厚が10μm未満の場合は、ダイボンディ
ングにおける被着体とのなじみ性が悪くなり、また80
μmを超えるとダイボンディング中に半導体素子チップ
が移Wノして好ましくない。
こうして形成された樹脂層を有するウェハを1個1個の
素子毎に切り取って(ダイシング)、この切り取られた
素子を樹脂層が半導体基板に当接するように基体上に熱
圧着し、この熱圧着で樹脂層を完全に硬化させてダイボ
ンディングする。
素子毎に切り取って(ダイシング)、この切り取られた
素子を樹脂層が半導体基板に当接するように基体上に熱
圧着し、この熱圧着で樹脂層を完全に硬化させてダイボ
ンディングする。
熱圧着条件は、200〜400℃、 1〜10kQ/C
l112゜1〜90秒間である。 ダイボンディングさ
れた半導体素子は基体に対して強固な)妄着力を有し、
また熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂層は耐熱性にも優
れているため、ワイヤボンディングなどの後工程で素子
の脱落などの不都合を生じることがない。
l112゜1〜90秒間である。 ダイボンディングさ
れた半導体素子は基体に対して強固な)妄着力を有し、
また熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂層は耐熱性にも優
れているため、ワイヤボンディングなどの後工程で素子
の脱落などの不都合を生じることがない。
(実施例)
次に実施例によって本発明を具体的に説明する。
以下実施例および比較例において「部」とは「重量部」
を意味する。
を意味する。
実施例 1
EOCN1036 (日本生薬社製、エポキシ樹脂商品
名)66部をブチルカルピトールアセテート117部の
溶剤中で80℃で溶解後、クレゾールノボラックフェノ
ール樹脂34部と、触媒として三弗化ホウ素のアミン錯
体0.6部とを添加し、80℃でそのまま反応を進め、
約3時間接粘稠で透明な変性樹脂を得た。 この変性樹
脂22部と銀粉末6.4部とをよく混合して、導゛市竹
樹脂をF)だ。 この導電性樹脂を用いて半導体素子が
形成されたシリコンウェハの裏面に膜厚が25μmにな
るように半硬化状態の′1!J電性樹脂層を形成した。
名)66部をブチルカルピトールアセテート117部の
溶剤中で80℃で溶解後、クレゾールノボラックフェノ
ール樹脂34部と、触媒として三弗化ホウ素のアミン錯
体0.6部とを添加し、80℃でそのまま反応を進め、
約3時間接粘稠で透明な変性樹脂を得た。 この変性樹
脂22部と銀粉末6.4部とをよく混合して、導゛市竹
樹脂をF)だ。 この導電性樹脂を用いて半導体素子が
形成されたシリコンウェハの裏面に膜厚が25μmにな
るように半硬化状態の′1!J電性樹脂層を形成した。
すなわち、樹脂層はスクリーン印刷法によって塗布し
た後、90℃で60分間の熱処理を行い、半硬化させた
。
た後、90℃で60分間の熱処理を行い、半硬化させた
。
次にウェハからダイシングした個々の半導体素子チップ
を、樹脂層がリードフレームのグイボンディングプレー
トに当接するように、250℃、 3kg/Cff12
の条件で30秒間熱圧着し半導体素子のダイボンディン
グを行って固定し、さらにパッケージをして半導体装置
を製造した。 こうして接着固定した段階の半導体素子
は250℃で剥離試験を行い、その結果を第1表に示し
たが、本発明の顕著な効果が認められた。
を、樹脂層がリードフレームのグイボンディングプレー
トに当接するように、250℃、 3kg/Cff12
の条件で30秒間熱圧着し半導体素子のダイボンディン
グを行って固定し、さらにパッケージをして半導体装置
を製造した。 こうして接着固定した段階の半導体素子
は250℃で剥離試験を行い、その結果を第1表に示し
たが、本発明の顕著な効果が認められた。
実施例 2
エピコート828〈シェル化学社製エポキシ樹脂、商品
名) 80部と、BT2100(三菱瓦斯化学社製、ポ
リイミド系樹脂商品名)100部(樹脂分100%)と
を、ソルベントナフサ100部とシクロヘキサノン11
0部とからなる混合溶剤中で120 ’C11時間溶解
反応を行い、粘稠な褐色の変性樹脂を(qた。 この変
性樹脂55部とシリカ粉末3,05部とを混合して絶縁
性樹脂を得た。 この樹脂を用い、実施例1と同様にし
て半導体素子のダイボンディングを行い、ざらにパッケ
ージをして半導体装置を製造した。 接着固定した段階
の半導体素子は250℃で剥離試験を行い、その結果を
第1表に示したが、本発明の顕著な効果が認められた。
名) 80部と、BT2100(三菱瓦斯化学社製、ポ
リイミド系樹脂商品名)100部(樹脂分100%)と
を、ソルベントナフサ100部とシクロヘキサノン11
0部とからなる混合溶剤中で120 ’C11時間溶解
反応を行い、粘稠な褐色の変性樹脂を(qた。 この変
性樹脂55部とシリカ粉末3,05部とを混合して絶縁
性樹脂を得た。 この樹脂を用い、実施例1と同様にし
て半導体素子のダイボンディングを行い、ざらにパッケ
ージをして半導体装置を製造した。 接着固定した段階
の半導体素子は250℃で剥離試験を行い、その結果を
第1表に示したが、本発明の顕著な効果が認められた。
実施例 3
ECN1280 (チバガイギー社製エポキシ樹脂商品
名)200部をシクロへギサノン600部の溶剤中で8
0℃で溶層後、BT2100(前出)200部(樹脂分
100%)を添加し、100℃で混合して粘稠で透明
な変性樹脂を得た。 この変性樹脂62部と銀粉末16
,5部とをよく混合して導電性樹脂を得た。 この樹脂
を用い、実施例1と同様にして半導体素子をダイボンデ
ィングを行い、さらにパッケージをして半導体装置を製
造した。 接着固定した段階の半導体素子は250℃で
剥離試験を行い、その結果を第1表に示したが、本発明
の顕著な効果が認められた。
名)200部をシクロへギサノン600部の溶剤中で8
0℃で溶層後、BT2100(前出)200部(樹脂分
100%)を添加し、100℃で混合して粘稠で透明
な変性樹脂を得た。 この変性樹脂62部と銀粉末16
,5部とをよく混合して導電性樹脂を得た。 この樹脂
を用い、実施例1と同様にして半導体素子をダイボンデ
ィングを行い、さらにパッケージをして半導体装置を製
造した。 接着固定した段階の半導体素子は250℃で
剥離試験を行い、その結果を第1表に示したが、本発明
の顕著な効果が認められた。
比較例 1〜3
実施例1〜3で得られた樹脂において、熱硬化性樹脂と
充填剤の割合を30 : 70 (重量比)として、そ
れぞれ比較例の樹脂を得た。 これら比較例の樹脂を用
い、実施例と同様にして半導体素子をダイボンディング
して半導体装置を作った。 また同様にして剥離試験も
行ったのでその結果を第1表に示した。
充填剤の割合を30 : 70 (重量比)として、そ
れぞれ比較例の樹脂を得た。 これら比較例の樹脂を用
い、実施例と同様にして半導体素子をダイボンディング
して半導体装置を作った。 また同様にして剥離試験も
行ったのでその結果を第1表に示した。
第1表
[発明の効果]
以上の説明および第1表から明らかなように、本発明の
半導体装置の製造方法によれば、均一な厚さの半硬化状
態の樹脂層によって半導体素子のダイボンディングがさ
れるので、高温においても接着強度が良好で、ボイドの
発生がなく、また後工程の熱圧着ワイヤボンディングも
可能な浸れた半導体装置を製造することができるなど、
工業上、その価値は大きいものである。
半導体装置の製造方法によれば、均一な厚さの半硬化状
態の樹脂層によって半導体素子のダイボンディングがさ
れるので、高温においても接着強度が良好で、ボイドの
発生がなく、また後工程の熱圧着ワイヤボンディングも
可能な浸れた半導体装置を製造することができるなど、
工業上、その価値は大きいものである。
Claims (1)
- 1 複数個の半導体素子が形成されたウェハの裏面に、
熱硬化性樹脂と充填剤とが90:10〜50:50(重
量比)の割合でなる樹脂層を半硬化状態に形成し、次い
で樹脂層とともにウェハから切り取った半導体素子を前
記樹脂層を介して基体上に熱圧着硬化させて半導体素子
をダイボンディングすることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12810586A JPS62285429A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12810586A JPS62285429A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62285429A true JPS62285429A (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=14976512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12810586A Pending JPS62285429A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62285429A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0730294A3 (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device |
JP2008041885A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Torex Semiconductor Ltd | 半導体装置及び絶縁層の製造方法 |
JP2010050346A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ダイボンド剤組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57111034A (en) * | 1980-12-10 | 1982-07-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JPS5943531A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP12810586A patent/JPS62285429A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57111034A (en) * | 1980-12-10 | 1982-07-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JPS5943531A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-10 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0730294A3 (en) * | 1995-02-28 | 1998-04-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device |
JP2008041885A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Torex Semiconductor Ltd | 半導体装置及び絶縁層の製造方法 |
JP2010050346A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ダイボンド剤組成物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0959498B1 (en) | Semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, methods of manufacturing the device and substrate, adhesive, and adhesive double coated film | |
KR100290993B1 (ko) | 반도체장치,반도체탑재용배선기판및반도체장치의제조방법 | |
JP4537555B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
EP1591465B1 (en) | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor device | |
US6900550B2 (en) | Semiconductor device including adhesive agent layer with embedded conductor bodies | |
JP4258984B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003100779A (ja) | マウント材、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4180206B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH1129748A (ja) | 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体 | |
JP2005307169A (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4642173B2 (ja) | フィルム状接着剤用組成物 | |
JP4994743B2 (ja) | フィルム状接着剤及びそれを使用する半導体パッケージの製造方法 | |
JP4206631B2 (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 | |
JP4417122B2 (ja) | シート状半導体封止用樹脂組成物 | |
JP2005264109A (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
KR100483102B1 (ko) | 접착제 및 양면 접착 필름 | |
JPH03188180A (ja) | 導電性フイルム状接着剤,接着法,半導体装置および半導体装置の製造法 | |
JPS62285429A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5912611B2 (ja) | フィルム状接着剤 | |
JP2001207031A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH11297904A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06236899A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2000174044A (ja) | 半導体素子の組立方法 | |
JPH0525439A (ja) | ダイボンド用シート | |
JPS61237436A (ja) | 半導体素子の製造方法 |