JP4699189B2 - 半導体装置の製造方法及び電子部品 - Google Patents
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Description
そこで、例えば、液状の熱硬化樹脂をハンダボール搭載部の根元に塗布して、搭載したハンダボールを補強する方法が提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
また、液状の樹脂が、ハンダボールの全体を被覆しないように、つまり、その後のハンダボールと実装基板等との電気的な接続を阻害しないように、樹脂を適所に配置するために、高い精度が求められるという課題があった。
また、(A)1分子中に2個以上エポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化促進剤及び(C)熱可塑性樹脂を含む組成物によって形成された熱硬化樹脂シートを用いることが好ましい。
また、工程(a)において熱硬化樹脂シートを貼り合せた後、熱硬化樹脂シートを一次硬化させ、工程(c)の個片化された一次実装半導体装置を配線回路基板に搭載した後に二次硬化させることを含んでいてもよい。特に、熱硬化樹脂シートに紫外線硬化樹脂が含有されている場合には、工程(a)における熱硬化樹脂シートの貼り合せ後、紫外線を照射して熱硬化樹脂シートを一次硬化させ、工程(c)の個片化された一次実装半導体装置を配線回路基板に搭載した後に二次硬化させることが適している。
一次実装半導体装置の突起電極高さの90%〜20%の厚みを有する熱硬化樹脂シートを用いることが好ましい。
さらに、熱硬化樹脂シートにおける一次実装半導体装置への貼り合せ面の反対面に、剥離性シートが積層されてなる熱硬化樹脂シートを用いることが好ましい。
また、本発明の電子部品は、一次実装半導体装置の突起電極形成面と配線回路基板との間において、熱硬化樹脂が、少なくとも、突起電極の全周辺部を被覆し、該周辺部から突起電極と配線回路基板との接合部の周辺部にわたって配置することを特徴とする。
この電子部品は、一次実装半導体装置の突起電極形成面と配線回路基板との間であって、突起電極と配線回路基板との接合部以外の配線回路基板側の一部の領域において空洞が形成されていてもよい。
ここで、一次実装半導体装置は、図1(a)に示すように、主として、切り出し可能なインターポーザー1と、インターポーザー1上にXY平面状で配列されて封止樹脂2によって封止された半導体チップ3と、インターポーザー1を挟んで半導体チップ3に形成された電極(図示せず)と電気的に接続された突起電極4とから形成される。なお、半導体チップ3は、インターポーザー1との間で電極接合が行われており、複数が一括して封止樹脂によって封止されていることが好ましい。
樹脂は、特に限定されるものではないが、なかでも、接着性、耐湿性の観点からエポキシ樹脂が好ましく、特に、1分子中に2個以上エポキシ基を有するものがより好ましい。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、ヒダントインエポキシ樹脂等の含窒素環エポキシ樹脂;水添加ビスフェノールA型エポキシ樹脂;脂肪族系エポキシ樹脂;グリシジルエーテル型エポキシ樹脂;ビスフェノールS型エポキシ樹脂;低吸水率硬化体タイプの主流であるビフェニル型エポキシ樹脂;ジシクロ環型エポキシ樹脂;ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
これらは1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
まず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、複合無機酸化物粒子、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、任意に、紫外線硬化樹脂を構成する成分等を所定量配合し、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等の有機溶剤に混合溶解する。この混合溶液を、所定のシリコーンやフッ素等で離型処理されたポリエステル、ポリオレフィン等からなるフィルム等の基材シート上に塗布又はロールラミネーターを用いて転写する。なお、基材シートは、得られる熱硬化樹脂シートの電極への貼り合せ時に、貼り合せ面に入り込んだ空気を押し出すことができ、かつ大面積への貼り合わせを容易に実現できる適度の膜厚、柔軟さ、腰等を有しているものを用いることが好ましい。
このようにして得られた熱硬化樹脂シートは、剥離性シートの上に樹脂層が積層されて構成されており、樹脂層側が、一次実装半導体装置への貼り合せ面となる。
例えば、図1(d)に示すように、剥離性の基材シート7を剥がす。ただし、この剥離性の基材シート7の剥離は、個々の半導体装置に個片化した後であってもよい。
ここで用いられる配線回路基板は、特に限定されることなく、例えば、上述したインターポーザーと同様の材料を用いることができる。配線回路基板の配線回路の少なくとも一部上、つまり、突起電極との接続を意図する領域上には、Cu、Ni、Au等の金属材料、半田等の導電性物質が配置されていることが適当である。導電性物質は固体状でもよいが、これら導電性物質を含むペーストやクリーム状の流動性導電性物質が塗布されていることが好ましい。流動性導電性物質は、当該分野で公知の材料を適宜選択又は組み合わせて用いることができる。これにより、基板表面あるいは突起電極の高さばらつきを吸収することが可能となり、優れた接続信頼性を確保することができる。
例えば、図2(a)に示すように、まず、一面に熱硬化樹脂シート6が貼り合せられた突起電極4を、配線回路基板9の配線12上に位置合わせする。この際、配線回路基板9表面は、レジスト10によって被覆されており、そのレジスト10において、突起電極4と接続が意図される領域に窓が形成されて、配線12が露出した状態となっている。また、配線12上の突起電極4と接続が意図される領域上には、半田等の流動性の導電性物質11が塗布されている。
このような工程により、紫外線硬化樹脂が併用されているか否かにかかわらず、熱硬化樹脂シートを構成する熱硬化樹脂が、突起電極の周辺部分に回りこんで被覆した状態で、熱の付加を通じて熱硬化樹脂を二次硬化させて、強固な密着を実現することができる。
実施例1〜14
まず、下記に示すエポキシ樹脂、フェノール樹脂(硬化剤)、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、フラックス剤を準備した。
<エポキシ樹脂>
(a)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコートYL980、ジャパンエポキシレジン株式会社製)
(b)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート1002W、ジャパンエポキシレジン株式会社製)
(c)トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(EPPN−501HY:日本化薬株式会社製)
(a)フェノールノボラック樹脂(タマノールP−180、荒川化学工業株式会社製)
(b)フェノールアラルキル(ミレックスXLC−LL、三井化学株式会社)
マイクロカプセル化トリフェニルホスフィン(シェル/触媒比:50/50wt%)
<熱可塑性樹脂>
アクリル酸アルキルエステル共重合体(AR−51、日本ゼオン株式会社製)
アジピン酸とシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルの付加重合物(酸当量:269g/mol、分子量:Mn=1100)
得られた熱硬化樹脂シートを、ロールラミネーターを用いて70℃、0.5m/分、0.6MPaで、エチルビニルアセテートフィルム上に貼り合せ、目的とする樹脂シートを得た(図1(b)参照)。
得られた半導体装置の突起電極と配線回路基板との電極接合は、半導体装置搭載後の直列配線回路の電気抵抗値を2端子法により測定し、電極接合の有無を確認した。この際、抵抗値が100Ωより大であるものを×、100Ω以下であることを○とした。
半導体装置実装済基板を半導体装置を上面にし、治具に装着して、140cmの高さからコンクリートブロック上に自由落下させる。落下後に接続部の電気抵抗値を測定し、接合部電気抵抗値が初期の2倍以上変化するまで落下を繰り返した。接合部電気抵抗が初期値の2倍以上変化するに要した落下回数に対し、5回未満を×、5回以上10回未満を△、10回以上を○として判定できる。各実施例、比較例に対し、サンプル数を5個とした。
下記に示すUV樹脂樹脂、光開始剤、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂を準備した。
<UV硬化樹脂エポキシ樹脂>
メタクリルモノマー(IBX、共栄社化学会社製)
ウレタンアクリレートオリゴマー(UA−2235PE、新中村化学工業製)
イルガキュア651(チバ・ガイギー社製)
<熱可塑性樹脂>
バイロン300(東洋紡社製)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート1010、ジャパンエポキシレジン株式会社製)
<熱硬化触媒>
イミダゾール触媒(キュアゾール2P4MHZ−PW、四国化成社製)
このようにして得られた熱硬化樹脂シートつき半導体装置を、実施例1〜14と同様に、電気接続試験及び落下試験に付したところ、実施例1〜14と同様に良好な結果が得られた。
2 封止樹脂
3 半導体チップ
4 突起電極
6 熱硬化樹脂シート
7 基材シート
8 ダイシングテープ
9 配線回路基板
10 レジスト
11 導電性物質
12 配線
13 空洞
Claims (10)
- 片面に突起電極が形成された一次実装半導体装置と、前記突起電極の高さよりも小さい厚みを有し、配線回路基板との接続を補強するための熱硬化樹脂シートとを用いた二次実装半導体装置の製造方法において、
(a)XY平面状に配列された複数の一次実装半導体装置の突起電極形成面に、熱硬化樹脂シートを貼り合せ、
(b)得られた一次実装半導体装置を熱硬化樹脂シートとともに個々の一次実装半導体装置へ個片化し、
(c)配線回路基板に個々の一次実装半導体装置を搭載することにより、突起電極と配線回路基板とが接続され、かつ突起電極と配線回路基板との接合部以外の配線回路基板側の一部の領域において空洞が形成されてなる二次実装半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 配線回路の少なくとも一部上に流動性導電性物質が塗布された配線回路基板を用いる請求項1に記載の製造方法。
- (A)1分子中に2個以上エポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(B)硬化促進剤、及び
(C)熱可塑性樹脂
を含む組成物によって形成された熱硬化樹脂シートを用いる請求項1又は2の製造方法。 - (D)紫外線硬化樹脂及び(E)光開始剤をさらに含む組成物を用いる請求項3に記載の製造方法。
- 工程(a)における熱硬化樹脂シートの貼り合せの後、熱硬化樹脂シートを一次硬化させ、工程(c)の個片化された一次実装半導体装置を配線回路基板に搭載した後に二次硬化させることを含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の製造方法。
- 熱硬化樹脂シートに紫外線硬化樹脂が含有されており、工程(a)における熱硬化樹脂シートの貼り合せ後、紫外線を照射して熱硬化樹脂シートを一次硬化させ、工程(c)の個片化された一次実装半導体装置を配線回路基板に搭載した後に二次硬化させることを含む請求項5に記載の製造方法。
- 一次実装半導体装置の突起電極高さの90%〜20%の厚みを有する熱硬化樹脂シートを用いる請求項1〜6のいずれか1つに記載の製造方法。
- 工程(a)において、熱硬化樹脂シートを、突起電極の一部が熱硬化樹脂シートから露出するように貼り合せる請求項1〜7のいずれか1つに記載の製造方法。
- 熱硬化樹脂シートにおける一次実装半導体装置への貼り合せ面の反対面に、剥離性シートが積層されてなる熱硬化樹脂シートを用いる請求項1〜8のいずれか1つに記載の製造方法。
- 一次実装半導体装置の突起電極形成面と配線回路基板との間において、熱硬化樹脂が、少なくとも、突起電極の全周辺部を被覆し、該周辺部から突起電極と配線回路基板との接合部の周辺部にわたって配置し、かつ突起電極と配線回路基板との接合部以外の配線回路基板側の一部の領域において空洞が形成されてなることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005347755A JP4699189B2 (ja) | 2005-12-01 | 2005-12-01 | 半導体装置の製造方法及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005347755A JP4699189B2 (ja) | 2005-12-01 | 2005-12-01 | 半導体装置の製造方法及び電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007157820A JP2007157820A (ja) | 2007-06-21 |
JP4699189B2 true JP4699189B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=38241837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005347755A Expired - Fee Related JP4699189B2 (ja) | 2005-12-01 | 2005-12-01 | 半導体装置の製造方法及び電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4699189B2 (ja) |
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US9472439B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-10-18 | Nitto Denko Corporation | Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device |
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JP5573896B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2014-08-20 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP6224188B1 (ja) * | 2016-08-08 | 2017-11-01 | 太陽インキ製造株式会社 | 半導体封止材 |
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- 2005-12-01 JP JP2005347755A patent/JP4699189B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2007157820A (ja) | 2007-06-21 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071113 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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