JP6898413B2 - 接続体の製造方法、異方性接合フィルム、接続体 - Google Patents
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Description
1.接続体の製造方法
2.異方性接合フィルム(異方性接合材料)
3.実施例
本実施の形態における接続体の製造方法は、常温で固形であり、温度190℃、荷重2.16kgの条件で測定されたメルトフローレートが10g/10min以上である熱可塑性樹脂、固形ラジカル重合性樹脂、及び固形エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種の固形樹脂と、はんだ粒子と、フラックス化合物とを含有する異方性接合材料を、第1の電子部品の電極と第2の電子部品の電極との間にはんだ粒子の平均粒径の50%以上300%以下の厚みで介在させ、第1の電子部品の電極と第2の電子部品の電極とを無荷重で加熱接合させるものである。
図3は、本技術を適用させた異方性接合フィルムの一部を模式的に示す断面図である。図3に示すように、異方性接合フィルム30は、固形樹脂と、はんだ粒子31と、フラックス化合物とを含有する。また、異方性導電フィルム30には、必要に応じて、第1の面に第1のフィルムが貼付され、第2の面に第2のフィルムが貼付されてもよい。なお、異方性接合フィルムは、異方性接合材料をフィルム状に形成したものである。
固形樹脂は、常温で固形であり、温度190℃、荷重2.16kgの条件で測定されたMFRが10g/10min以上である。MFRの上限は、好ましくは5000g/10min以下、より好ましくは4000g/10min以下、さらに好ましくは3000g/10min以下である。MFRが大き過ぎると、第1の電子部品と第2の電子部品との間への固形樹脂の充填が困難となる。
はんだ粒子は、異方性接合フィルム中にランダムに混練りされて分散されていてもよく、平面視で配置されていてもよい。異方性接合フィルムの平面視におけるはんだ粒子全体の配置は、規則的配置でもランダム配置でもよい。規則的配置の態様としては、正方格子、六方格子、斜方格子、長方格子等の格子配列を挙げることができ、特に制約はない。また、ランダム配置の態様としては、フィルムの平面視にて各はんだ粒子が互いに接触することなく存在し、フィルム厚方向にもはんだ粒子が互いに重なることなく存在していることが好ましい。また、異方性接合フィルム中のはんだ粒子の全個数の95%以上が、他のはんだ粒子と非接触であり、独立していることが好ましい。これは公知の金属顕微鏡や光学顕微鏡を用いて、フィルム平面視における1mm2以上の面積を任意に5箇所以上抜き取って、はんだ粒子を200個以上、好ましくは1000個以上を観察して確認することができる。また、はんだ粒子が異方性接合フィルム中に平面視で配置されている場合において、はんだ粒子がフィルム厚方向の同じ位置に揃っていてもよい。
フラックス化合物は、電極表面の異物や酸化膜を取り除いたり、電極表面の酸化を防止したり、溶融はんだの表面張力を低下させたりする。フラックス化合物としては、例えば、レブリン酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸等のカルボン酸を用いることが好ましい。これにより、良好なはんだ接続を得ることができるとともに、エポキシ樹脂を配合した場合、エポキシ樹脂の硬化剤として機能させることができる。
異方性接合フィルムには、上述した固形樹脂、はんだ粒子、及びフラックス化合物に加えて、本発明の効果を損なわない範囲で種々の添加剤を配合することができる。例えば、異方性接合フィルムは、無機フィラー、有機フィラー、金属フィラー、カップリング剤、レベリング剤、安定剤、チクソ剤等を含有しても構わない。無機フィラー、有機フィラー、及び金属フィラーの粒子径は、接続安定性の観点から、はんだ粒子の平均粒径よりも小さく、例えば、10−1000nmのナノフィラー、1−10μmのマイクロフィラー等が用いられる。
第1の実施例では、熱可塑性樹脂を含有する異方性接合フィルムを用いてLED実装体を作製し、LED実装体の順電圧、ダイシェア強度、及び接合状態について評価した。
JIS K7210:1999の塑性プラスチックのメルトフローレートの求め方に従い、メルトフローレート測定装置(品名:メルトインデックサG-02、東洋精機製作所社製)を用いて温度190℃,荷重2.16kgの条件で熱可塑性樹脂A−Eのメルトフローレートを測定した。
A:ポリエステル樹脂、プリマロイA1500(三菱ケミカル(株))、MFR=11g/10min
B:エチレン酢ビニル共重合樹脂、エバフレックスEV205WR(三井デュポンケミカル(株))、MFR=800g/10min
C:エチレンアクリル酸共重合樹脂、ニュクレルN1050H(デュポン(株))、MFR=500g/10min
D:ポリアミド樹脂、Griltex D1666A(EMS GRIVORY(株))、MFR=130g/10min
E:フェノキシ樹脂、フェノトートYP70(新日鉄住金化学(株))、MFR=1g/10min
LEDチップ(デクセリアルズ評価用LEDチップ、サイズ45mil、If=350mA、Vf=3.1V、Au−Snパッド、パッドサイズ300μm×800μmのP電極とN電極がそれぞれ設けられており、パッド間距離(P電極とN電極間距離)150μm)と、基板(デクセリアルズ評価用セラミック基板、18μm厚Cuパターン、Ni−Auメッキ、パターン間(スペース)50μm)とを準備した。異方性接合フィルムを80℃−2MPa−3secの条件で基板上にラミネートし、LEDチップをアライメント搭載した後、リフロー(ピーク温度260℃)によりLEDチップを実装した。
定格電流であるIf=350mAを基板のパターンを介してLEDチップに流し、LEDチップの順電圧値Vfを測定した。電圧オーバーで読み取れない場合を「OPEN」とした。
ボンディングテスター(品番:PTR−1100、レスカ社製)を用いて、測定速度20μm/secでLEDチップのダイシェア強度を測定した。
ダイシェア強度を測定した後、すなわちLEDチップを引き剥がした後の基板側のはんだ接合状態を光学顕微鏡にて観察した。
フィルム厚みは、デジタルマイクロメータを用いて、10箇所以上測定し、その平均をフィルム厚みとした。
表1に示すように、熱可塑性樹脂A、フラックス化合物(グルタル酸(1,3−プロパンジカルボン酸)、和光純薬(株))、はんだ粒子(42Sn−58Bi、Type6 、融点139℃、平均粒子径10μm、三井金属(株))、酸化チタン(平均粒子径0.21μm、CR−60、石原産業(株))を所定の質量部で配合し、異方性接合フィルムを作製した。
表1に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Bを用いた以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、ダイシェア強度が45N/chipであった。
表1に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Cを用いた以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、ダイシェア強度が43N/chipであった。
表1に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Dを用いた以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、ダイシェア強度が46N/chipであった。
表1に示すように、異方性接合フィルムの厚みを30μmとした以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.1V、ダイシェア強度が47N/chipであった。
表1に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Eを用いた以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がオープンとなり、ダイシェア強度が19N/chipであった。
表1に示すように、フラックス化合物を配合しなかった以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がオープンとなり、ダイシェア強度が18N/chipであった。
表1に示すように、異方性接合フィルムの厚みを40μmとした以外は、実施例1−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がオープンとなり、ダイシェア強度が25N/chipであった。
第2の実施例では、ラジカル重合性樹脂を含有する異方性接合フィルムを用いてLED実装体を作製し、LED実装体の順電圧、絶縁性及びダイシェア強度ついて評価した。LED実装体の作製、LED実装体の順電圧、及びダイシェ強度の測定は、第1の実施例と同様のため、ここでは説明を省略する。
JIS K7210:1999の塑性プラスチックのメルトフローレートの求め方に従い、メルトフローレート測定装置(品名:メルトインデックサG-02、東洋精機製作所社製)を用いて温度190℃,荷重2.16kgの条件で熱可塑性樹脂A−C,E及び固形ラジカル重合性樹脂のメルトフローレートを測定した。
A:ポリエステル樹脂、プリマロイA1500(三菱ケミカル(株))、MFR=11g/10min
B:エチレン酢ビニル共重合樹脂、エバフレックスEV205WR(三井デュポンケミカル(株))、MFR=800g/10min
C:エチレンアクリル酸共重合樹脂、ニュクレルN1050H(デュポン(株))、MFR=500g/10min
E:フェノキシ樹脂、フェノトートYP70(新日鉄住金化学(株))、MFR=1g/10min
固形ラジカル重合性樹脂:ビニルエステル樹脂、リポキシVR−90、昭和電工(株)、MFR=100g/10min
基板のパターンを介してLEDチップに逆電流0.1μAを流し、電流が流れない場合の評価を「OK」とし、電流が流れた場合の評価を「NG」とした。
表2に示すように、熱可塑性樹脂A、液状ラジカル重合性樹脂(水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、エポライト4000、共栄社化学(株))、開始剤(ジアシルパーオキサイド、パーヘキサ25B、日油(株))、フラックス化合物A(グルタル酸(1,3−プロパンジカルボン酸)、和光純薬(株))、はんだ粒子(42Sn−58Bi、Type6 、融点139℃、平均粒子径10μm、三井金属(株))、酸化チタン(平均粒子径0.21μm、CR−60、石原産業(株))を所定の質量部で配合し、異方性接合フィルムを作製した。
表2に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Bを用いた以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が46N/chipであった。
表2に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Cを用いた以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が41N/chipであった。
表2に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて固形ラジカル重合性樹脂を用いた以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が47N/chipであった。
表2に示すように、フラックス化合物Aに代えてフラックス化合物B(ブロック化カルボン酸、サンタシッドG、日油(株))を用いた以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が46N/chipであった。
表2に示すように、異方性接合フィルムの厚みを30μmとした以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.1V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が49N/chipであった。
表2に示すように、熱可塑性樹脂Eを反応性希釈剤(テトラヒドロフルフリルアクリレート、ビスコート♯150、大阪有機化学工業(株))で溶解させたのちラジカル重合性樹脂、開始剤、フラックス化合物A、酸化チタン、及びはんだ粒子を混合分散させることで異方性接合ペーストを作成した。
表2に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Eを用いた以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が19N/chipであった。
表2に示すように、フラックス化合物を配合しなかったこと以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が19N/chipであった。
表2に示すように、異方性接合フィルムの厚みを40μmとした以外は、実施例2−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が26N/chipであった。
第3の実施例では、エポキシ樹脂を含有する異方性接合フィルムを用いてLED実装体を作製し、LED実装体の順電圧、絶縁性及びダイシェア強度ついて評価した。LED実装体の作製、LED実装体の順電圧、及びダイシェ強度の測定は、第1の実施例と同様のため、LED実装体の絶縁性の評価は、第2の実施例と同様のため、ここでは説明を省略する。
JIS K7210:1999の塑性プラスチックのメルトフローレートの求め方に従い、メルトフローレート測定装置(品名:メルトインデックサG-02、東洋精機製作所社製)を用いて温度190℃,荷重2.16kgの条件で熱可塑性樹脂A−C,E及び固形エポキシ樹脂のメルトフローレートを測定した。
A:ポリエステル樹脂、プリマロイA1500(三菱ケミカル(株))、MFR=11g/10min
B:エチレン酢ビニル共重合樹脂、エバフレックスEV205WR(三井デュポンケミカル(株))、MFR=800g/10min
C:エチレンアクリル酸共重合樹脂、ニュクレルN1050H(デュポン(株))、MFR=500g/10min
E:フェノキシ樹脂、フェノトートYP70(新日鉄住金化学(株))、MFR=1g/10min
固形エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、1001、三菱化学(株)、MFR=2600g/10min
表3に示すように、熱可塑性樹脂A、液状エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、YL980、三菱化学(株))、硬化剤A(アニオン硬化剤、マイクロカプセル型イミダゾール硬化剤、HX3941HP、旭化成(株))、フラックス化合物A(グルタル酸(1,3−プロパンジカルボン酸)、和光純薬(株))、はんだ粒子(42Sn−58Bi、Type6 、融点139℃、平均粒子径10μm、三井金属(株))、酸化チタン(平均粒子径0.21μm、CR−60、石原産業(株))を所定の質量部で配合し、異方性接合フィルムを作製した。
表3に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Bを用いた以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が46N/chipであった。
表3に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Cを用いた以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が41N/chipであった。
表3に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて固形エポキシ樹脂を用いた以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が47N/chipであった。
表3に示すように、硬化剤Aに代えて硬化剤B(カチオン硬化剤、スルホニウム塩、サンエイドSI−80L、三新化学社製)を用い、液状エポキシ樹脂の配合比を調整した以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が46N/chipであった。
表3に示すように、フラックス化合物Aに代えてフラックス化合物B(ブロック化カルボン酸、サンタシッドG、日油(株))を用いた以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が44N/chipであった。
表3に示すように、異方性接合フィルムの厚みを30μmとした以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.1V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が49N/chipであった。
表3に示すように、液状エポキシ樹脂、硬化剤A、フラックス化合物A、酸化チタン、及びはんだ粒子を混合分散させることで異方性接合ペーストを作成した。
表2に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Eを用いた以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が19N/chipであった。
表3に示すように、フラックス化合物を配合しなかったこと以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が19N/chipであった。
表3に示すように、異方性接合フィルムの厚みを40μmとした以外は、実施例3−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が26N/chipであった。
第4の実施例では、フラックス化合物としてカルボン酸を含有する異方性接合フィルムを用いてLED実装体を作製し、LED実装体の順電圧、絶縁性及びダイシェア強度ついて評価した。LED実装体の作製、LED実装体の順電圧、及びダイシェア強度の測定は、第1の実施例と同様のため、LED実装体の絶縁性の評価は、第2の実施例と同様のため、ここでは説明を省略する。
JIS K7210:1999の塑性プラスチックのメルトフローレートの求め方に従い、メルトフローレート測定装置(品名:メルトインデックサG-02、東洋精機製作所社製)を用いて温度190℃,荷重2.16kgの条件で熱可塑性樹脂A,E及び固形エポキシ樹脂のメルトフローレートを測定した。
A:ポリエステル樹脂、プリマロイA1500(三菱ケミカル(株))、MFR=11g/10min
E:フェノキシ樹脂、フェノトートYP70(新日鉄住金化学(株))、MFR=1g/10min
固形エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、1001、三菱化学(株)、MFR=2600g/10min
表4に示すように、熱可塑性樹脂A、液状エポキシ樹脂(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、YL980、三菱化学(株))、フラックス化合物A(グルタル酸(1,3−プロパンジカルボン酸)、和光純薬(株))、はんだ粒子(42Sn−58Bi、Type6 、融点139℃、平均粒子径10μm、三井金属(株))、酸化チタン(平均粒子径0.21μm、CR−60、石原産業(株))を所定の質量部で配合し、異方性接合フィルムを作製した。
表4に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて固形エポキシ樹脂を用いた以外は、実施例4−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.1V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が45N/chipであった。
表4に示すように、フラックス化合物Aに代えてフラックス化合物B(ブロック化カルボン酸、サンタシッドG、日油(株))を用いた以外は、実施例4−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.0V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が44N/chipであった。
表4に示すように、異方性接合フィルムの厚みを30μmとした以外は、実施例4−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧が3.1V、絶縁性がOK、ダイシェア強度が48N/chipであった。
表4に示すように、液状エポキシ樹脂、硬化剤A、フラックス化合物B、酸化チタン、及びはんだ粒子を混合分散させることで異方性接合ペーストを作成した。
表4に示すように、熱可塑性樹脂Aに代えて熱可塑性樹脂Eを用いた以外は、実施例4−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が19N/chipであった。
表4に示すように、フラックス化合物を配合しなかったこと以外は、実施例4−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が18N/chipであった。
表4に示すように、異方性接合フィルムの厚みを40μmとした以外は、実施例4−1と同様に異方性接合フィルムを作製した。異方性接合フィルムを用いて作製したLED実装体は、順電圧がOPEN、絶縁性がOK、ダイシェア強度が25N/chipであった。
Claims (20)
- 常温で固形であり、温度190℃、荷重2.16kgの条件で測定されたメルトフローレートが10g/10min以上である熱可塑性樹脂、固形ラジカル重合性樹脂、及び固形エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種の固形樹脂と、はんだ粒子と、フラックス化合物とを含有する異方性接合材料を、第1の電子部品の電極と第2の電子部品の電極との間に前記はんだ粒子の平均粒径の50%以上300%以下の厚みで介在させ、
前記第1の電子部品の電極と前記第2の電子部品の電極とを無荷重で加熱接合させる接続体の製造方法。 - 前記異方性接合材料が、前記はんだ粒子の平均粒径の50%以上300%以下の厚みを有する異方性接合フィルムである請求項1記載の接続体の製造方法。
- 前記第2の電子部品が、基板であり、
前記基板上に前記異方性接合フィルムをラミネートし、前記異方性接合フィルム上に複数の前記第1の電子部品を搭載し、加熱接合させる請求項2記載の接続体の製造方法。 - 前記フラックス化合物が、カルボン酸である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。
- 前記フラックス化合物が、カルボキシル基がアルキルビニルエーテルでブロック化されたブロック化カルボン酸である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の接続体の製造方法。
- 常温で固形であり、温度190℃、荷重2.16kgの条件で測定されたメルトフローレートが10g/10min以上である熱可塑性樹脂、固形ラジカル重合性樹脂、及び固形エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種の固形樹脂と、はんだ粒子と、フラックス化合物とを含有し、
厚みが、前記はんだ粒子の平均粒径の50%以上300%以下である異方性接合材料。 - 前記フラックス化合物が、カルボン酸である請求項6記載の異方性接合材料。
- 前記フラックス化合物が、カルボキシル基がアルキルビニルエーテルでブロック化されたブロック化カルボン酸である請求項6記載の異方性接合材料。
- 常温で液状の液状ラジカル重合性樹脂と、重合開始剤とをさらに含有する請求項6乃至8のいずれか1項に記載の異方性接合材料。
- 常温で液状エポキシ樹脂と、硬化剤とをさらに含有する請求項6乃至8のいずれか1項に記載の異方性接合材料。
- 前記硬化剤が、カルボン酸、又はカルボキシル基がアルキルビニルエーテルでブロック化されたブロック化カルボン酸である請求項10記載の異方性接合材料。
- 請求項6乃至11のいずれか1項に記載の異方性接合材料がフィルム状である異方性接合フィルム。
- 請求項6乃至11のいずれか1項に記載の異方性接合材料、又は請求項12に記載の異方性接合フィルムを用いて、第1の電子部品の電極と第2の電子部品の電極とが接合されてなる接続体。
- 常温で固形であり、温度190℃、荷重2.16kgの条件で測定されたメルトフローレートが10g/10min以上である熱可塑性樹脂、固形ラジカル重合性樹脂、及び固形エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種の固形樹脂と、はんだ粒子と、フラックス化合物とを含有する異方性接合材料を、第1の電子部品の電極と第2の電子部品の電極との間に前記はんだ粒子の平均粒径の50%以上300%以下の厚みで介在させ、
加熱により前記固形樹脂を溶融させ、前記第1の電子部品又は前記第2の電子部品の自重によりはんだ粒子を電極間に挟持させ、前記はんだ粒子の溶融温度以上の本加熱により前記はんだ粒子を溶融させ、冷却により前記第1の電子部品の電極と前記第2の電子部品の電極とを接合させる接続体の製造方法。 - 前記異方性接合材料における前記はんだ粒子の配合量が、40wt%以上60wt%以下である請求項14記載の接続体の製造方法。
- 前記異方性接合材料が、前記はんだ粒子の平均粒径の90%以上150%以下の厚みを有する異方性接合フィルムである請求項14又は15記載の接続体の製造方法。
- 常温で固形であり、温度190℃、荷重2.16kgの条件で測定されたメルトフローレートが10g/10min以上である熱可塑性樹脂、固形ラジカル重合性樹脂、及び固形エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも1種の固形樹脂と、はんだ粒子と、フラックス化合物とを含有し、
厚みが、前記はんだ粒子の平均粒径の50%以上300%以下であり、
前記はんだ粒子の配合量が、40wt%以上60wt%以下である異方性接合材料。 - 前記はんだ粒子の平均粒径の90%以上150%以下の厚みを有する請求項17記載の異方性接合材料。
- 前記厚みが、前記はんだ粒子の平均粒径の200%以下である請求項6記載の異方性接合材料。
- 前記厚みが、前記はんだ粒子の平均粒径の150%以下である請求項6記載の異方性接合材料。
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