JP2010040893A - 端子間の接続方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および導電性粒子の凝集方法 - Google Patents
端子間の接続方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および導電性粒子の凝集方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010040893A JP2010040893A JP2008203855A JP2008203855A JP2010040893A JP 2010040893 A JP2010040893 A JP 2010040893A JP 2008203855 A JP2008203855 A JP 2008203855A JP 2008203855 A JP2008203855 A JP 2008203855A JP 2010040893 A JP2010040893 A JP 2010040893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminals
- curable resin
- conductive particles
- conductive
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83886—Involving a self-assembly process, e.g. self-agglomeration of a material dispersed in a fluid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83886—Involving a self-assembly process, e.g. self-agglomeration of a material dispersed in a fluid
- H01L2224/83888—Involving a self-assembly process, e.g. self-agglomeration of a material dispersed in a fluid with special adaptation of the surface of the body to be connected, e.g. surface shape specially adapted for the self-assembly process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
Abstract
【課題】対向する端子間(導通性領域)に導電性粒子を選択的に凝集させ、導電性が高い端子間接続を可能とする端子間の接続方法を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が100Pa・s以上であり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω以上である硬化性樹脂組成物120と、導電性粒子110とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、前記導電性粒子110の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、各端子11,21に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、を含むことを特徴とする端子間の接続方法。
【選択図】図1A
【解決手段】硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が100Pa・s以上であり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω以上である硬化性樹脂組成物120と、導電性粒子110とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、前記導電性粒子110の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、各端子11,21に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、を含むことを特徴とする端子間の接続方法。
【選択図】図1A
Description
本発明は、導電性粒子を用いた端子間の接続方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。また、本発明は、導電性粒子の凝集方法に関する。
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
このような端子間の接続方法としては、例えば、ICチップを回路基板に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の対向する端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている(特開昭61−276873号公報(特許文献1)および特開2004−260131号公報(特許文献2)など)。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着させることにより、多数の対向する端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
しかしながら、従来の異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いた端子間の接続方法においては、単に、熱圧着によって導電性粒子と端子、および導電性粒子同士が接触することを利用するものであり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間(導通性領域)以外の樹脂(絶縁性領域)中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった、このため、端子間の更なる狭ピッチ化に対応することが困難であった。
特開昭61−276873号公報
特開2004−260131号公報
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、対向する端子間(導通性領域)に導電性粒子を選択的に凝集させ、導電性が高い端子間接続を可能とする端子間の接続方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、溶融粘度および絶縁抵抗値が特定の関係にある硬化性樹脂組成物と、導電性粒子とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置して加熱溶融し、且つ各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させることによって、前記導電性粒子を選択的に前記対向する端子間に凝集させることができ、対向する端子間の接続抵抗を小さくすることが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の端子間の接続方法は、硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、160℃で90秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が0.01〜10Pa・sであり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω未満であり、且つ160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が100Pa・s以上であり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω以上である硬化性樹脂組成物と、導電性粒子とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、
前記導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、
各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、
前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
前記導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、
各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、
前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
また、本発明の導電性粒子の凝集方法は、硬化性樹脂成分とフラックスとを含有し、160℃で90秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が0.01〜10Pa・sであり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω未満であり、且つ160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が100Pa・s以上であり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω以上である硬化性樹脂組成物に導電性粒子を分散させる工程と、
前記導電性粒子を分散させた硬化性樹脂組成物を、対向する端子間に配置する工程と、
前記導電性粒子を溶融させる工程と、
各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させる工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
前記導電性粒子を分散させた硬化性樹脂組成物を、対向する端子間に配置する工程と、
前記導電性粒子を溶融させる工程と、
各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させる工程と、
を含むことを特徴とする方法である。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、第一の接続端子が設けられた回路面を有する第一の電子部材と、第二の接続端子が設けられた回路面を有する第二の電子部材とを備える半導体装置の製造方法であって、本発明の端子間の接続方法によって前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とを電気的に接続することを特徴とする方法である。
本発明において、前記硬化性樹脂組成物としては、硬化促進剤を含有するものが好ましく、前記硬化促進剤としてはイミダゾール化合物が好ましい。また、前記フラックスとしては、フェノール性水酸基を有する化合物およびカルボキシル基を有する化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物が好ましく、前記導電性粒子としては半田粒子が好ましい。
本発明においては、前記加熱工程において前記導電性粒子を溶融させ、前記印加工程において、溶融した前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させることが好ましい。また、前記加熱工程において前記導電性粒子が完全に溶融する前に、前記印加工程を開始することが好ましい。
なお、本発明における「粒子の凝集」には、粒子が、そのまま状態で集まってより大きな二次粒子を形成することだけでなく、粒子の一部(例えば、表面)または全部が溶融した状態で集まって一体化することも含まれるものとする。
本発明によれば、対向する端子間に導電性粒子を選択的に凝集させることができ、その結果、導電性が高い端子間接続が可能となり、また、半導体装置などの微細な配線回路における多数の対向する端子間を一括で接続することも可能となる。
さらに、導電性粒子を選択的に凝集させることによって、絶縁性領域における導電性粒子の残存を抑制することができ、接続信頼性を高めることも可能となる。
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
先ず、本発明に用いられる導電接続材料について説明する。前記導電接続材料は、硬化性樹脂組成物と導電性粒子とを含有するものである。本発明においては、常温で液状、固形状のいずれの形態の導電接続材料も使用することができる。
なお、本発明において、「常温で液状」とは常温(25℃)で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれるものとする。常温における液状の導電接続材料の溶融粘度は、0.001Pa・s以上であることが好ましく、0.01Pa・s以上であることがより好ましく、0.1Pa・s以上であることが特に好ましく、また、5000Pa・s以下であることが好ましく、3000Pa・s以下であることがより好ましく、1000Pa・s以下であることが特に好ましい。なお、本明細書において、上限と下限は自由に組み合わせることができ、それによって得られた範囲が全て開示されているものとする。
(a)導電性粒子:
本発明に用いられる導電性粒子としては、後述するフラックスの還元作用により除去可能な表面酸化膜を有するものであれば特に制限はないが、半田粒子が好ましい。本発明に用いられる半田粒子としては、特に制限はないが、錫(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)および銅(Cu)からなる群から選択される少なくとも2種以上の金属の合金からなることが好ましい。
本発明に用いられる導電性粒子としては、後述するフラックスの還元作用により除去可能な表面酸化膜を有するものであれば特に制限はないが、半田粒子が好ましい。本発明に用いられる半田粒子としては、特に制限はないが、錫(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)および銅(Cu)からなる群から選択される少なくとも2種以上の金属の合金からなることが好ましい。
このような合金のうち、溶融温度および機械的物性を考慮すると、Sn−Biの合金、Sn−Ag−Cuの合金、Sn−Inの合金、Sn−Agの合金などのSnを含む合金からなることがより好ましい。また、前記合金中のSn含有率は、30質量%以上であることが好ましく、35質量%以上であることがより好ましく、40質量%以上であることが特に好ましく、また、99質量%以下であることが好ましくは、98質量%以下であることがより好ましく、97質量%以下であることが特に好ましい。
前記導電性粒子の平均粒径は、隣接する端子間の離隔距離などに応じて適宜選択することができる。例えば、半導体装置における半導体チップ、基板、半導体ウェハなどの各接続端子間の接続においては、隣接する接続端子間のブリッジを抑制するため、導電性粒子の平均粒径は1μm以上であることが好ましく、5μm以上であることがより好ましく、10μm以上であることが特に好ましく、また、100μm以下であることが好ましく、80μm以下であることがより好ましく、50μm以下であることが特に好ましく、30μm以下であることが最も好ましい。なお、導電性粒子の平均粒径は、レーザー回折散乱法により測定することができる。
また、本発明に用いられる導電性粒子の形状としては、特に制限はないが、例えば、球状、燐片状、針状などが挙げられる。
本発明においては、接続する電子部材や半導体装置の耐熱性に応じて適宜、所望の融点を有する導電性粒子を用いることができる。例えば、半導体装置における端子間接続においては、半導体装置の部材が熱履歴により損傷するのを防止するために、融点が300℃以下(より好ましくは280℃以下、特に好ましくは260℃以下)である導電性粒子を用いることが好ましい。また、端子間接続後の半導体装置の耐熱性を確保するためには、融点が100℃以上(より好ましくは110℃以上、特に好ましくは120℃以上)である導電性粒子を用いることが好ましい。なお、導電性粒子の融点は、示差走査熱量計(DSC)により測定することができる。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記導電性粒子の含有量は、導電接続材料全体に対して20質量%以上であることが好ましく、30質量%以上であることがより好ましく、40質量%以上であることが特に好ましく、また、80質量%以下であることが好ましく、70質量%以下であることがより好ましく、60質量%以下であることが特に好ましい。導電性粒子の含有量が前記下限未満になると未接続の端子が増加する傾向にあり、他方、前記上限を超えると隣接する端子間でブリッジを起こしやすくなる傾向にある。
(b)硬化性樹脂組成物:
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、溶融粘度と絶縁抵抗値が下記条件を満たすものであれば特に限定されない。
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、溶融粘度と絶縁抵抗値が下記条件を満たすものであれば特に限定されない。
(硬化性樹脂組成物の物性)
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物において、160℃で90秒間加熱した後の160℃における溶融粘度は0.01〜10Pa・sである。前記溶融粘度が前記下限未満になると加熱工程において基板などから樹脂成分がはみ出しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると加熱工程および印加工程において導電性粒子の流動が起こりにくく、導電性粒子の自己凝集や端子上への溶融凝集が起こりにくくなる傾向にある。また、このような観点から前記溶融粘度は0.02〜8Pa・sであることが好ましく、0.05〜5Pa・sであることがより好ましい。
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物において、160℃で90秒間加熱した後の160℃における溶融粘度は0.01〜10Pa・sである。前記溶融粘度が前記下限未満になると加熱工程において基板などから樹脂成分がはみ出しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると加熱工程および印加工程において導電性粒子の流動が起こりにくく、導電性粒子の自己凝集や端子上への溶融凝集が起こりにくくなる傾向にある。また、このような観点から前記溶融粘度は0.02〜8Pa・sであることが好ましく、0.05〜5Pa・sであることがより好ましい。
また、前記硬化性樹脂組成物において、160℃で90秒間加熱した後の160℃における絶縁抵抗値は1×107Ω未満である。前記絶縁抵抗値が前記上限以上になると印加工程において導電性粒子の流動性(電気泳動性)が著しく低下する傾向にある。また、このような観点から前記絶縁抵抗値は5×106Ω未満であることが好ましく、5×105Ω未満であることがより好ましい
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物において、160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度は100Pa・s以上である。前記溶融粘度が前記下限未満になると溶融粘度が低すぎるため、加熱工程や印加工程において位置ずれが発生しやすく、接続信頼性が低下しやすい傾向にある。また、このような観点から前記溶融粘度は200Pa・s以上であることが好ましく、500Pa・s以上であることがより好ましい。
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物において、160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度は100Pa・s以上である。前記溶融粘度が前記下限未満になると溶融粘度が低すぎるため、加熱工程や印加工程において位置ずれが発生しやすく、接続信頼性が低下しやすい傾向にある。また、このような観点から前記溶融粘度は200Pa・s以上であることが好ましく、500Pa・s以上であることがより好ましい。
また、前記硬化性樹脂組成物において、160℃で300秒間加熱した後の160℃における絶縁抵抗値は1×107Ω以上である。前記絶縁抵抗値が前記下限未満になると硬化性樹脂成分の硬化後においても電気伝導性(イオン伝導性)物質が残存し、絶縁性領域の絶縁性が確保しにくい傾向にある。また、このような観点から前記絶縁抵抗値は5×107Ω以上であることが好ましく、1×108Ω以上であることがより好ましい。
(硬化性樹脂成分)
本発明に用いられる硬化性樹脂成分は、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものであれば特に限定されない。このような硬化性樹脂成分としては、前記導電性粒子の融点以上の温度において硬化するものであることが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。また、これらの硬化性樹脂成分は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
本発明に用いられる硬化性樹脂成分は、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものであれば特に限定されない。このような硬化性樹脂成分としては、前記導電性粒子の融点以上の温度において硬化するものであることが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。また、これらの硬化性樹脂成分は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
本発明において、硬化性樹脂成分の形態は、導電接続材料の形態などに応じて適宜選択することができる。例えば、液状の導電接続材料を使用する場合には、液状の硬化性樹脂成分を用いることが好ましく、必要に応じて後述するフィルム形成性樹脂成分を併用してもよい。また、固形状、例えばフィルム状の導電接続材料を使用する場合には、液状および固形状のいずれの硬化性樹脂成分も用いることができ、フィルム形成性樹脂成分を併用することが好ましい。
本発明においては、前記エポキシ樹脂として、室温で液状のものおよび室温で固形状のもののいずれのエポキシ樹脂も使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。導電接続材料が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、導電接続材料が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、フィルム形成性樹脂成分を適宜併用することが好ましい。
本発明に用いられる室温で液状のエポキシ樹脂としては、特に制限はないが、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂とを併用してもよい。
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜300g/eqであることが好ましく、160〜250g/eqであることがより好ましく、170〜220g/eqであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、反りが生じることがある。他方、前記上限を超えると、フィルム形成性樹脂成分を併用した場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向にある。
本発明に用いられる室温で固形状のエポキシ樹脂としては、特に制限はないが、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、3官能エポキシ樹脂、4官能エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、固形3官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などが好ましい。また、これらのエポキシ樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、40〜120℃であることが好ましく、50〜110℃であることがより好ましく、60〜100℃であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、フィルムを形成した場合にそのタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
本発明においては、このような硬化性樹脂成分として市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料などの各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記硬化性樹脂成分の含有量は使用する導電接続材料の形態に応じて適宜設定することができる。例えば、液状の導電接続材料の場合には、硬化性樹脂成分の含有量は、導電接続材料全体に対して15質量%以上であることが好ましく、25質量%以上であることがより好ましく、35質量%以上であることが特に好ましく、また、75質量%以下であることが好ましく、65質量%以下であることがより好ましく、55質量%以下であることが特に好ましい。フィルム状の導電接続材料の場合には、硬化性樹脂成分の含有量は、導電接続材料全体に対して10質量%以上であることが好ましく、15質量%以上であることがより好ましく、20質量%以上であることが特に好ましく、また、75質量%以下であることが好ましく、65質量%以下であることがより好ましく、55質量%以下であることが特に好ましい。硬化性樹脂成分の含有量が前記範囲内にあると対向する端子間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
(フィルム形成性樹脂成分)
本発明において、固形状、例えばフィルム状の導電接続材料を使用する場合には、前記硬化性樹脂成分とフィルム形成性樹脂成分とを併用することが好ましい。このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で製膜性を有するものであれば特に制限はなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを併用することもできる。
本発明において、固形状、例えばフィルム状の導電接続材料を使用する場合には、前記硬化性樹脂成分とフィルム形成性樹脂成分とを併用することが好ましい。このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で製膜性を有するものであれば特に制限はなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを併用することもできる。
具体的なフィルム形成性樹脂成分としては、例えば、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロンなどが挙げられる。中でも、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。また、これらのフィルム形成性樹脂成分は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
なお、本発明において、「(メタ)アクリル系樹脂」とは、(メタ)アクリル酸およびその誘導体の重合体、または(メタ)アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「(メタ)アクリル酸」などと表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」などを意味する。
前記(メタ)アクリル系樹脂としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−2−エチルヘキシルなどのポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチルなどのポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−2−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−2−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−2−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−N,N−ジメチルアクリルアミド共重合体などが挙げられる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−N,N−ジメチルアクリルアミドが好ましい。また、これらの(メタ)アクリル系樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
このような(メタ)アクリル系樹脂のうち、被着体への密着性および他の樹脂成分との相溶性を向上させることができるという観点から、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基などの官能基を有する単量体を共重合させてなる(メタ)アクリル系樹脂が好ましい。
このような(メタ)アクリル系樹脂において、前記官能基を有する単量体の配合量は特に限定されないが、(メタ)アクリル系樹脂合成時の全単量体100mol%に対して0.1〜50mol%であることが好ましく、0.5〜45mol%であることがより好ましく、1〜40mol%であることが特に好ましい。前記官能基を有する単量体の配合量が前記下限値未満になると密着性が十分に向上しない傾向にあり、他方、前記上限を超えると粘着力が強すぎて作業性が十分に向上しない傾向にある。
前記(メタ)アクリル系樹脂の重量平均分子量は特に限定されないが、10万以上であることが好ましく、15万〜100万であることがより好ましく、25万〜90万であることが特に好ましい。前記重量平均分子量が前記範囲内にあると製膜性を向上させることが可能となる。
本発明においてフィルム形成性樹脂成分としてフェノキシ樹脂を用いる場合、その数平均分子量は、5000〜15000であることが好ましく、6000〜14000であることがより好ましく、8000〜12000であることが特に好ましい。このようなフェノキシ樹脂を用いることにより、硬化前の導電接続材料の流動性を抑制することができる。
前記フェノキシ樹脂の骨格は、ビスフェノールAタイプ、ビスフェノールFタイプ、ビフェニルタイプなどが挙げられるが、本発明ではこれらに限定されない。また、飽和吸水率が1%以下であるフェノキシ樹脂は、接着時や半田実装時の高温下において、発泡または剥離などの発生を抑えることができるため好ましい。なお、飽和吸水率は、フェノキシ樹脂を25μm厚のフィルムに加工し、100℃雰囲気中で1時間乾燥(絶乾状態)し、さらに、そのフィルムを40℃、90%RH雰囲気の恒温恒湿槽に放置し、質量変化を24時間おきに測定し、質量変化が飽和した時点の質量を用いて、下記式により算出することができる。
飽和吸水率(%)={(飽和した時点の質量)−(絶乾時点の質量)}/
(絶乾時点の質量)×100
本発明に用いられるポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
(絶乾時点の質量)×100
本発明に用いられるポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
前記ジアミンとしては、例えば、3,3’−ジメチル−4,4’ジアミノジフェニル、4,6−ジメチル−m−フェニレンジアミン、2,5−ジメチル−p−フェニレンジアミンなどの芳香族ジアミン、1,3−ビス(3−アミノプロピル)―1,1,3,3―テトラメチルジシロキサンなどのシロキサンジアミンが挙げられる。これらのジアミンは1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
また、前記酸二無水物としては、3,3,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物などが挙げられる。これらの酸二無水物は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
本発明に用いられるポリイミド樹脂は、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
本発明においては、このようなフィルム形成性樹脂成分として市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料などの各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記フィルム形成性樹脂成分の含有量は、使用する導電接続材料の形態に応じて適宜設定することができる。例えば、フィルム状の導電接続材料の場合には、フィルム形成性樹脂成分の含有量は、導電接続材料全体に対して3質量%以上であることが好ましく、5質量%以上であることがより好ましく、7質量%以上であることが特に好ましく、また、70質量%以下であることが好ましく、60質量%以下であることがより好ましく、50質量%以下であることが特に好ましい。フィルム形成性樹脂成分の含有量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂成分の流動性を抑制することができ、導電接続材料を容易に取り扱うことが可能となる。
(フラックス)
本発明に用いられるフラックスは、端子および導電性粒子の表面酸化膜を還元する作用を有するものである。このようなフラックスとしては、フェノール性水酸基および/またはカルボキシル基を有する化合物が好ましい。
本発明に用いられるフラックスは、端子および導電性粒子の表面酸化膜を還元する作用を有するものである。このようなフラックスとしては、フェノール性水酸基および/またはカルボキシル基を有する化合物が好ましい。
フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−エチルフェノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、m−エチルフェノール、2,3−キシレノール、メジトール、3,5−キシレノール、p−tert−ブチルフェノール、カテコール、p−tert−アミルフェノール、レゾルシノール、p−オクチルフェノール、p−フェニルフェノール、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノールなどのフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂などのフェノール製水酸基を含有する樹脂が挙げられる。
カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸などが挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などが挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などが挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテートなどが挙げられる。
前記脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸などが挙げられる。中でも、下記式(1):
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
(式(1)中、nは0〜20の整数である。)
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましい。
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
(式(1)中、nは0〜20の整数である。)
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましい。
前記芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)、4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−2−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸などのナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;ジフェノール酸などが挙げられる。
このようなフラックスのうち、硬化性樹脂成分の硬化剤として作用する化合物、すなわち、導電性粒子と端子とを電気的に接続できる程度に、導電性粒子および端子の表面酸化膜を還元する作用を示し、且つ硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有する化合物がより好ましい。前記官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択することができ、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合には、カルボキシル基、水酸基、アミノ基などのエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。
このようなフラックスは導電接続材料の溶融時には導電性粒子および端子の表面酸化膜を還元してこれらの表面の濡れ性を高め、導電性領域を容易に形成し、対向する端子間を電気的に接続することが可能となる。また、対向する端子間の電気的な接続が完了した後においては、この化合物は硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはTgを高めることが可能となる。したがって、このような化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することが可能となる。
このような作用を有するフラックスとしては、少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合には、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物などが挙げられる。
前記脂肪族ジカルボン酸としては、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が2個結合した化合物であれば特に限定はない。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式(1)においてnが1〜20の整数である化合物が挙げられる。前記式(1)中のnが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび導電接続材料の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、導電接続材料の硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、nは3以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、nは10以下であることが好ましい。
前記式(1)で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸などが挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸が特に好ましい。
前記カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、2,3−ジヒドロキシ安息香酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸(2,5−ジヒドロキシ安息香酸)、2,6−ジヒドロキシ安息香酸、3,4−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸(3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸)などの安息香酸誘導体;1,4−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸、3,5−ジヒドロキシ−2−ナフトエ酸などのナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;ジフェノール酸などが挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、2,4−ジヒドロキシ安息香酸、2,6−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸が特に好ましい。
本発明において、フラックスは1種単独で用いても2種以上を併用してもよい。また、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記フラックスの含有量は、使用する導電接続材料の形態に応じて適宜設定することができる。例えば、液状の導電接続材料の場合には、フラックスの含有量は、導電接続材料全体に対して1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることが特に好ましく、また、40質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、25質量%以下であることが特に好ましい。固形状の導電接続材料の場合には、フラックスの含有量は、導電接続材料全体に対して0.5質量%以上であることが好ましく、1質量%以上であることがより好ましく、2質量%以上であることが特に好ましく、また、40質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、25質量%以下であることが特に好ましい。フラックスの含有量が前記範囲内にあると、導電性粒子および端子の表面酸化膜を、対向する端子間を電気的に接合できる程度に十分に除去することができ、且つ、硬化性樹脂成分の硬化時に、樹脂に効率よく付加して樹脂の弾性率またはTgを高めることが可能である。また、未反応のフラックス化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することが可能となる。
(硬化促進剤)
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含むものであることが好ましい。硬化促進剤を添加すると、硬化促進剤が硬化性樹脂組成物中の樹脂成分からイオンを引き抜くため、硬化性樹脂組成物中にはイオンが多く存在する。溶融粘度が低い場合(例えば、溶融時)には前記イオンは硬化性樹脂組成物中を比較的自由に移動できるため、硬化性樹脂組成物の絶縁抵抗値は低くなる。一方、溶融粘度が高い場合(例えば、硬化後)には、前記イオンは硬化性樹脂組成物中または硬化物中を自由に移動することができず、絶縁抵抗値が高くなり、硬化性樹脂組成物は高い絶縁性を確保することができる。したがって、硬化促進剤を添加することによって、溶融粘度が低い場合(低溶融粘度時)には絶縁抵抗値が低く、溶融粘度が高い場合(高溶融粘度時)には絶縁抵抗値が高い硬化性樹脂組成物を容易に得ることができる。
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物は、硬化促進剤を含むものであることが好ましい。硬化促進剤を添加すると、硬化促進剤が硬化性樹脂組成物中の樹脂成分からイオンを引き抜くため、硬化性樹脂組成物中にはイオンが多く存在する。溶融粘度が低い場合(例えば、溶融時)には前記イオンは硬化性樹脂組成物中を比較的自由に移動できるため、硬化性樹脂組成物の絶縁抵抗値は低くなる。一方、溶融粘度が高い場合(例えば、硬化後)には、前記イオンは硬化性樹脂組成物中または硬化物中を自由に移動することができず、絶縁抵抗値が高くなり、硬化性樹脂組成物は高い絶縁性を確保することができる。したがって、硬化促進剤を添加することによって、溶融粘度が低い場合(低溶融粘度時)には絶縁抵抗値が低く、溶融粘度が高い場合(高溶融粘度時)には絶縁抵抗値が高い硬化性樹脂組成物を容易に得ることができる。
このような硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、三級アミン化合物および有機ホスフィン化合物などが挙げられる。前記イミダゾール化合物としては、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4−メチルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられる。
また、前記三級アミン化合物としては、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノールなどが挙げられ、前記有機ホスフィン化合物としては、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィンなどが挙げられる。
これらの中でも、硬化性樹脂成分の硬化が完了する前に導電性粒子が端子の表面に移動することができ、対向する端子間を良好に接続できるという観点から、イミダゾール化合物が好ましく、融点が150℃以上のイミダゾール化合物がより好ましい。このような融点が150℃以上のイミダゾールとしては、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4−メチルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル(1’)]−エチル−s−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどが挙げられる。また、本発明においては、このような硬化促進剤を1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記硬化促進剤の含有量は、導電接続材料全体に対して0.001質量%以上であることが好ましく、0.003質量%以上であることがより好ましく、0.005質量%以上であることが特に好ましく、また、1.0質量%以下であることが好ましく、0.7質量%以下であることがより好ましく、0.5質量%以下であることが特に好ましい。硬化促進剤の含有量が前記下限未満になるとその作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向にある。また、160℃で90秒間加熱した後の硬化性樹脂組成物の絶縁抵抗値が十分に低下せず、硬化性樹脂成分の硬化が完了する前に導電性粒子が端子表面に十分に移動せず、絶縁性領域の絶縁性が十分に確保できない傾向にある。他方、硬化促進剤の含有量が前記上限を超えると160℃で90秒間加熱した後の硬化性樹脂組成物の溶融粘度が高くなりすぎ、硬化性樹脂成分の硬化が完了する前に導電性粒子が端子表面に十分に移動せず、絶縁性領域の絶縁性が十分に確保できない傾向にある。また、導電接続材料の保存性が低下する傾向にある。
(その他の添加剤)
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物には、硬化剤(フラックスとして作用するものを除く)やシランカップリング剤が含まれていてもよい。また、前記硬化性樹脂組成物には、各成分の相溶性、安定性、作業性などの各種特性の向上のために、各種添加剤を適宜配合してもよい。
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物には、硬化剤(フラックスとして作用するものを除く)やシランカップリング剤が含まれていてもよい。また、前記硬化性樹脂組成物には、各成分の相溶性、安定性、作業性などの各種特性の向上のために、各種添加剤を適宜配合してもよい。
フラックス以外の硬化剤としては、フェノール類、アミン類、チオール類などが挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類などに応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性(例えば、耐熱性、耐湿性など)が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で2官能以上のフェノール類がより好ましい。また、このような硬化剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
このようなフェノール類としては、例えば、ビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールA、ジアリルビスフェノールA、ビフェノール、ビスフェノールF、ジアリルビスフェノールF、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂などが挙げられる。中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記硬化剤の含有量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス活性を有する硬化剤の種類や使用量によって適宜選択することができる。例えば、フェノールノボラック樹脂を使用する場合、その含有量は、導電接続材料全体に対して1質量%以上であることが好ましく、3質量%以上であることがより好ましく、5質量%以上であることが特に好ましく、また、50質量%以下であることが好ましく、40質量%以下であることがより好ましく、30質量%以下であることが特に好ましい。フェノールノボラック樹脂の含有量が前記下限未満になると硬化性樹脂成分が十分に硬化しない傾向にあり、他方、前記上限を超えると未反応のフェノールノボラック樹脂が残存してイオンマイグレーションが発生しやすい傾向にある。
また、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を用いた場合には、フェノールノボラック樹脂の含有量はエポキシ樹脂に対する当量比で規定してもよい。例えば、エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の当量比は0.5〜1.2であることが好ましく、0.6〜1.1であることがより好ましく、0.7〜0.98であることが特に好ましい。前記当量比が前記下限未満になると、エポキシ樹脂の硬化後の耐熱性、耐湿性が低下しやすい傾向にあり、他方、前記上限を超えると未反応のフェノールノボラック樹脂が残存し、イオンマイグレーションが発生しやすい傾向にある。
また、前記シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤などが挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、接合部材と導電接続材料との密着性を高めることができる。また、このようなシランカップリング剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明に用いられる導電接続材料において、前記シランカップリング剤の含有量は、接合部材や硬化性樹脂成分などの種類に応じて適宜選択することができ、例えば、導電接続材料全体に対して0.01質量%以上であることが好ましく、0.05質量%以上であることがより好ましく、0.1質量%以上であることが特に好ましく、また、2質量%以下であることが好ましく、1.5質量%以下であることがより好ましく、1質量%以下であることが特に好ましい。
本発明において、前記導電接続材料は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。このとき、全成分を一括で混合してもよいし、あるいは、先ず、導電性粒子以外の成分を混合して硬化性樹脂組成物を調製した後、これに導電性粒子を添加して分散させてもよい。各成分の混合方法や導電性粒子の分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
また、本発明においては、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の導電接続材料を調製してもよい。さらに、本発明においては、フィルム状の導電接続材料を使用することもできる。フィルム状の導電接続材料は、例えば、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合してワニスを調製し、これをポリエステルシートなどの剥離処理を施した基材上に塗布して所定の温度で実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより得ることができる。
このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン(MIBK)、ジイソブチルケトン(DIBK)、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール(DAA)などのケトン類;ベンゼン、キシレン、トルエンなどの芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ類、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、テトラヒドロフラン(THF)、ジメチルホルムアミド(DMF)、ニ塩基酸エステル(DBE)、3−エトキシプロピオン酸エチル(EEP)、ジメチルカーボネート(DMC)などが挙げられる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が10〜60質量%となる量であることが好ましい。
フィルム状の導電接続材料の厚みは、特に制限されないが、1μm以上であることが好ましく、3μm以上であることがより好ましく、5μm以上であることが特に好ましく、また、200μm以下であることが好ましく、150μm以下であることがより好ましく、100μm以下であることが特に好ましい。フィルム状の導電接続材料の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子間の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、硬化性樹脂成分の硬化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。
〔端子間の接続方法〕
次に、本発明の端子間の接続方法について説明する。本発明の端子間の接続方法は、前記硬化性樹脂組成物と導電性粒子とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、前記導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、を含む接続方法である。
次に、本発明の端子間の接続方法について説明する。本発明の端子間の接続方法は、前記硬化性樹脂組成物と導電性粒子とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、前記導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、を含む接続方法である。
この接続方法では、導電性粒子を加熱(好ましくは溶融)し、且つ各端子に電圧を印加して対向する端子間に電位差を発生させるため、前記導電性粒子を選択的に対向する端子間で凝集させて導電性領域を形成し、前記対向する端子間以外の領域に絶縁性領域を形成することができる。また、本発明においては、上述したように、硬化性樹脂組成物として低溶融粘度時に絶縁抵抗値が低い硬化性樹脂組成物を使用しているため、加熱工程の初期段階(溶融時)において導電性領域への導電性粒子の選択的な凝集をより促進させることができ、導電性領域の導電性や絶縁性領域の絶縁性を向上させることが可能となる。その結果、対向する端子間の接続信頼性を高めることができ、微細な配線回路においても多数の対向する端子間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。
なお、上記のように、導電性粒子を加熱し、且つ対向する端子間に電位差を発生させることによって導電性領域への導電性粒子の選択的な凝集がより促進される理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、導電性粒子の表面は、前記フラックスにより酸化膜が除去され、荷電する。このとき、本発明に用いられる硬化性樹脂組成物は、上述したように、低溶融粘度時には絶縁抵抗値が低く、多くのイオンが硬化性樹脂組成物中を自由に移動できる状態にあるため、荷電した前記導電性粒子も硬化性樹脂組成物中を移動しやすくなり、前記対向する端子間への凝集が促進されるものと推察される。
以下、図面を参照しながら本発明の端子間の接続方法の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明の接続方法は前記図面に限定されるものではない。なお、以下の説明および図面中、同一または相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
(配置工程)
先ず、図1Aに示すように、基板10および基板20を、これらの回路面(図示なし)に設けられた端子11と端子21とが対向するように配置し、これらの対向する端子間に、導電性粒子110と硬化性樹脂組成物120とを含む導電接続材料を配置する。前記端子の表面は、電気的な接続を良好にするために、洗浄、研磨、めっきおよび表面活性化などの処理を施してもよい。また、前記端子11および21には、電圧が印加できるように、配線210を介して電圧発生装置200が接続されている。
先ず、図1Aに示すように、基板10および基板20を、これらの回路面(図示なし)に設けられた端子11と端子21とが対向するように配置し、これらの対向する端子間に、導電性粒子110と硬化性樹脂組成物120とを含む導電接続材料を配置する。前記端子の表面は、電気的な接続を良好にするために、洗浄、研磨、めっきおよび表面活性化などの処理を施してもよい。また、前記端子11および21には、電圧が印加できるように、配線210を介して電圧発生装置200が接続されている。
導電接続材料を配置する方法としては、液状の導電接続材料の場合には、例えば、前記基板10の回路面上に液状の導電接続材料を塗布し、この導電接続材料からなる層の上に基板20を、端子11と端子21とが対向するように積層する方法が挙げられる。また、固形状の導電接続材料の場合には、例えば、前記基板10の回路面上に、適切な大きさに裁断した固形状の導電接続材料を積層し、その上に基板20を、端子11と端子21とが対向するように積層する方法が挙げられる。この場合、導電性粒子を均一に配置できる点で、固形状の導電接続材料としてフィルム状の導電接続材料を用いることが好ましい。
(加熱工程)
前記配置工程において対向する端子間に配置した導電接続材料を、導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で加熱する。ここで、「硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度」とは、硬化性樹脂成分の溶融粘度が好ましくは5000Pa・s以下、より好ましくは3000Pa・s以下、特に好ましくは1000Pa・s以下となる温度を意味する。ただし、本発明の接続方法においては、加熱した際に導電接続材料が基板からはみ出すことを防止するため、硬化性樹脂成分の溶融粘度が好ましくは0.001Pa・s以上、より好ましくは0.01Pa・s以上、特に好ましくは0.1Pa・s以上となる温度で加熱する。
前記配置工程において対向する端子間に配置した導電接続材料を、導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で加熱する。ここで、「硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度」とは、硬化性樹脂成分の溶融粘度が好ましくは5000Pa・s以下、より好ましくは3000Pa・s以下、特に好ましくは1000Pa・s以下となる温度を意味する。ただし、本発明の接続方法においては、加熱した際に導電接続材料が基板からはみ出すことを防止するため、硬化性樹脂成分の溶融粘度が好ましくは0.001Pa・s以上、より好ましくは0.01Pa・s以上、特に好ましくは0.1Pa・s以上となる温度で加熱する。
具体的には、加熱温度は、使用する導電性粒子および硬化性樹脂組成物の組成などによって適宜選択することができるが、100℃以上であることが好ましく、130℃以上であることがより好ましく、は140℃以上であることが特に好ましく、150℃以上であることが最も好ましい。接続しようとする基板などの熱劣化を防止するためには、加熱温度は250℃以下であることが好ましく、240℃以下であることがより好ましく、230℃以下であることが特に好ましく、220℃以下であることが最も好ましい。
このような温度で前記導電接続材料を加熱すると、導電性粒子110が溶融し、また、フラックスの還元作用により導電性粒子110の表面酸化膜(図示なし)が除去されて粒子表面が荷電する。その結果、後述するように、端子10および20に電圧を印加して対向する端子間に電位差を発生させることによって導電性粒子110は硬化性樹脂組成物120中を移動して、導電性粒子110間の凝集や、導電性粒子110と端子10および20との金属結合が可能となり、対向する端子間に導電性粒子110が凝集しやすくなる。
特に、本発明の接続方法においては、低溶融粘度時に絶縁抵抗値が低い硬化性樹脂組成物を使用しているため、導電性粒子110が硬化性樹脂組成物120中を移動しやすく、対向する端子間において導電性粒子110がより凝集しやすくなる。
本発明の接続方法においては、対向する端子間の距離を近づけるように加圧して加熱してもよい。例えば、図1A中の基板10および20が対向する方向にプレスヒーターなどの手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する各端子間の距離を一定に制御することができ、対向する端子間の電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。
(印加工程)
本発明の接続方法においては、電圧発生装置200を用いて対向する端子11および端子21に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる。これにより、前記加熱工程において表面の酸化膜が除去された導電性粒子は前記対向する端子間において凝集が促進され、さらに端子との金属結合も促進される。その結果、図1Bに示すように、前記対向する端子間に導電性領域300が形成され、端子11と端子21とが電気的に接続される。他方、前記対向する端子間以外の領域には硬化性樹脂組成物が充填された状態となり絶縁性領域400が形成される。その結果、隣接する端子間の絶縁性が確保され、隣接する端子間のショートを防止することが可能となる。
本発明の接続方法においては、電圧発生装置200を用いて対向する端子11および端子21に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる。これにより、前記加熱工程において表面の酸化膜が除去された導電性粒子は前記対向する端子間において凝集が促進され、さらに端子との金属結合も促進される。その結果、図1Bに示すように、前記対向する端子間に導電性領域300が形成され、端子11と端子21とが電気的に接続される。他方、前記対向する端子間以外の領域には硬化性樹脂組成物が充填された状態となり絶縁性領域400が形成される。その結果、隣接する端子間の絶縁性が確保され、隣接する端子間のショートを防止することが可能となる。
特に、本発明の接続方法においては、低溶融粘度時に絶縁抵抗値が低い硬化性樹脂組成物を使用しているため、導電性粒子110が硬化性樹脂組成物120中を移動しやすく、対向する端子間に導電性粒子110がより凝集しやすくなり、導電性に優れた導電性領域300が形成され、また、絶縁性に優れた絶縁性領域400が形成される。
このような印加工程において、端子に印加する電圧の種類は、交流電圧でもよいし、直流電圧でもよい。また、対向する端子間の電位差は、接続すべき基板などに悪影響を与えない範囲であれば特に制限されなく、通常0.1V以上であり、1V以上であることが好ましく、5V以上であることがより好ましく、10V以上であることが特に好ましく、また、通常100V以下であり、80V以下であることが好ましく、50V以下であることがより好ましく、30V以下であることが特に好ましい。
また、本発明の接続方法においては、前記加熱工程とこの印加工程とを、別個独立して実施してもよいが、時間的に重複させて実施することが好ましい。例えば、前記加熱工程において導電性粒子が完全に溶融した後にこの印加工程を実施してもよいが、加熱工程において導電性粒子が完全に溶融する前に、この印加工程を開始することが好ましい。
(硬化工程)
本発明の接続方法においては、前記印加工程で導電性領域300と絶縁性領域400とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させてこれらの領域を固定する。これにより、前記対向する端子間の電気的信頼性および機械的接続強度を十分に確保することができる。特に本発明の接続方法においては、高溶融粘度時に絶縁抵抗値が高い硬化性樹脂組成物を使用しているため、絶縁性領域の絶縁性をより十分に確保することができる。
本発明の接続方法においては、前記印加工程で導電性領域300と絶縁性領域400とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させてこれらの領域を固定する。これにより、前記対向する端子間の電気的信頼性および機械的接続強度を十分に確保することができる。特に本発明の接続方法においては、高溶融粘度時に絶縁抵抗値が高い硬化性樹脂組成物を使用しているため、絶縁性領域の絶縁性をより十分に確保することができる。
前記硬化性樹脂組成物は、導電接続材料を加熱することによって硬化させることができる。加熱温度(硬化温度)は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができるが、前記加熱工程での加熱温度より20℃以上高温であることが好ましい。具体的には、100℃以上であることが好ましく、120℃以上であることがより好ましく、130℃以上であることが特に好ましく、150℃以上であることが最も好ましく、また、300℃以下であることが好ましく、250℃以下であることがより好ましく、230℃以下であることが特に好ましく、200℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続材料が熱分解せず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
このように、特定の溶融粘度と絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物と、導電性粒子とを含む導電接続材料を用い、対向する端子間に電位差を発生させることによって、導電性粒子を選択的に対向する端子間へ凝集させることができ、対向する端子間を電気的に接続するとともに、隣接する端子間の絶縁性を確保することができる。さらに、導電性粒子の凝集を制御することができるため、多数の対向する端子間を一括で導通させることが可能であり、信頼性に優れた端子間接続を実施することができる。
〔導電性粒子の凝集方法〕
次に、本発明の導電性粒子の凝集方法について説明する。本発明の導電性粒子の凝集方法は、対向する端子間において、硬化性樹脂組成物中に分散された導電性粒子を溶融し、前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を凝集させる方法である。すなわち、本発明の凝集方法は、前記硬化性樹脂組成物に前記導電性粒子を分散させる工程と、この導電性粒子を分散させた硬化性樹脂組成物を、対向する端子間に配置する工程と、前記導電性粒子を溶融させる工程と、各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させる工程と、を含む方法である。
次に、本発明の導電性粒子の凝集方法について説明する。本発明の導電性粒子の凝集方法は、対向する端子間において、硬化性樹脂組成物中に分散された導電性粒子を溶融し、前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を凝集させる方法である。すなわち、本発明の凝集方法は、前記硬化性樹脂組成物に前記導電性粒子を分散させる工程と、この導電性粒子を分散させた硬化性樹脂組成物を、対向する端子間に配置する工程と、前記導電性粒子を溶融させる工程と、各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させる工程と、を含む方法である。
以下、図面を参照しながら本発明の導電性粒子の凝集方法の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明の凝集方法は前記図面に限定されるものではない。なお、以下の説明および図面中、同一または相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、前記硬化性樹脂組成物に前記導電性粒子を分散させる。このようにして得られた分散体としては本発明の端子間の接続方法に用いられる導電接続材料が挙げられる。導電性粒子の分散方法は特に限定されず、従来公知の分散方法を用いることができる。例えば、前記硬化性樹脂組成物に導電性粒子を添加して混合する方法が挙げられる。また、本発明の端子間の接続方法の場合と同様に、前記硬化性樹脂組成物に導電性粒子を添加して混合した分散体をフィルム状に成形してもよい。
次に、図2Aに示すように、基板10および基板20を、これらの回路面(図示なし)に設けられた端子11と端子21とが対向するように配置し、これらの対向する端子間に、導電性粒子110を分散させた硬化性樹脂組成物130を配置する。具体的な配置方法は、本発明の端子間の接続方法における導電接続材料の配置方法と同様である。
次に、前記対向する端子間において、前記硬化性樹脂組成物130中に分散された前記導電性粒子110を溶融させる。このように導電性粒子110を溶融させると、前記硬化性樹脂組成物130中のフラックスの還元作用により導電性粒子の表面酸化膜(図示なし)が除去されて粒子表面が荷電する。その結果、後述するように、各端子に電圧を印加して対向する端子間に電位差を発生させることによって導電性粒子110は硬化性樹脂組成物130中を移動して、導電性粒子110間の凝集や、導電性粒子110と端子10および20との金属結合が可能となり、対向する端子間に導電性粒子110が凝集しやすくなる。
特に、本発明の凝集方法においては、低溶融粘度時に絶縁抵抗値が低い硬化性樹脂組成物130を使用しているため、導電性粒子110が硬化性樹脂組成物120中を移動しやすく、対向する端子間において導電性粒子110がより凝集しやすくなる。
本発明の凝集方法における具体的な導電性粒子の溶融方法(加熱方法)は、本発明の端子間の接続方法における導電接続材料の加熱方法と同様である。
次に、図2Bに示すように、各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる。この印加によって、表面の酸化膜が除去された導電性粒子110は、前記対向する端子間に引き寄せられ、図2Cに示すように、前記対向する端子間で凝集する。特に、本発明の凝集方法においては、低溶融粘度時に絶縁抵抗値が低い硬化性樹脂組成物130を使用しているため、導電性粒子110が硬化性樹脂組成物120中を移動しやすく、対向する端子間に導電性粒子110がより凝集しやすくなる。
導電性粒子110が前記対向する端子間に凝集する理由は定かではないが、対向する端子間に電位差が生じたことにより電界が発生し、表面の酸化膜が除去された導電性粒子が荷電して、静電引力により前記対向する端子間に引き寄せられるものと推察される。
本発明の凝集方法における具体的な印加方法は、本発明の端子間の接続方法における印加方法と同様である。
このように、特定の溶融粘度と絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物に導電性粒子を分散させ、この分散体を対向する端子間に配置し、前記対向する端子間に電位差を発生させることによって、前記分散体中の導電性粒子を容易に凝集させることができる。
〔半導体装置の製造方法〕
次に、本発明の半導体の製造方法について説明する。本発明の半導体の製造方法は、第一の接続端子が設けられた回路面を有する第一の電子部材と、第二の接続端子が設けられた回路面を有する第二の電子部材とを備える半導体の製造方法であり、前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とを本発明の前記端子間の接続方法によって電気的に接続する方法である。前記電子部材としては、半導体チップ、基板、半導体ウェハ、半導体パッケージなどが挙げられる。
次に、本発明の半導体の製造方法について説明する。本発明の半導体の製造方法は、第一の接続端子が設けられた回路面を有する第一の電子部材と、第二の接続端子が設けられた回路面を有する第二の電子部材とを備える半導体の製造方法であり、前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とを本発明の前記端子間の接続方法によって電気的に接続する方法である。前記電子部材としては、半導体チップ、基板、半導体ウェハ、半導体パッケージなどが挙げられる。
前記第1の電子部材と前記第二の電子部材との組み合わせとしては、例えば、半導体チップ/半導体チップ、半導体チップ/基板、基板/基板、半導体ウェハ/半導体チップ、半導体パッケージ/基板、半導体ウェハ/基板などが挙げられる。
以下、図面を参照しながら本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明の半導体装置の製造方法は前記図面に限定されるものではない。なお、以下の説明および図面中、同一または相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
先ず、図3Aに示すように、接続端子11が設けられた回路面を備える電子部材10と、接続端子21が設けられた回路面を備える電子部材20とを、互いに回路面が対向するように配置する。
接続端子11および21の表面には、予め洗浄、研磨、めっき、表面活性化などの処理を施してもよい。例えば、接続端子11および21の表面に、Ti、Ti/Cu、Cu、Ni、Cr/Niなどを用いてUBM(Under Burrier Metal)層140を形成してもよい。UBM層は1層でもよく、複数層でもよい。
また、電子部材10および20の表面には、予め、電子部材を保護する目的で表面安定化処理が施されていてもよい。例えば、SiN膜などの不動態膜150を形成することによって電子部材を保護することができる。また、電子部材10および20の表面には、それぞれ接続端子11または21を開口するように保護膜160が形成されていてもよい。このような保護膜としては、ポリイミド膜、ポリベンゾオキサゾール膜、ベンゾシクロブテン膜などの有機樹脂の保護膜が挙げられる。これにより、導電性粒子が対向する接続端子間に誘導されやすくなり、対向する接続端子間を良好に電気的に接続することができる。また、このような保護膜160を応力緩和層として機能させることもできる。なお、保護膜160の形状は、上記のような機能を有するものであれば、図示した形状には限定されない。
次に、本発明の端子間の接続方法と同様にして、前記接続端子11と接続端子21とを電気的に接続する。先ず、図3Bに示すように、電子部材10と電子部材20との間に、硬化性樹脂組成物120と導電性粒子110と含む導電接続材料を配置する。次いで、導電性粒子110の融点以上且つ硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度まで徐々に導電接続材料を加熱する。この加熱により、導電性粒子110は、溶融し、硬化性樹脂組成物120中のフラックスの還元作用により表面酸化膜が除去され、導電性粒子の表面が荷電する。
次に、この状態で、各端子に電圧を印加して対向する接続端子間に電位差を発生させる。これにより、図3Cに示すように、対向する接続端子間における導電性粒子110の凝集が促進されて導電性領域300が形成され、対向する接続端子間が電気的に接続される。他方、導電性領域以外の領域には硬化性樹脂成分が充填された状態となり絶縁性領域400が形成され、隣接する接続端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、所定の溶融粘度と絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物120を使用しているため、対向する接続端子間への導電性粒子110の凝集がより促進され、導電性領域の導電性と絶縁性領域の絶縁性がともに向上し、接続信頼性の高い半導体装置を得ることが可能となる。
以上、本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態として、図3A〜図3Cに示したように、電子部材の回路面を対向させて接続端子間を接続する場合について説明したが、本発明の半導体装置の製造方法はこの実施形態に限定されるものではない。
例えば、多段スタック型の半導体装置を製造する場合においては、図4に示すように、電子部材20の接続端子21が設けられた回路面とは反対側の面と、電子部材30の接続端子31が設けられた回路面とが対向するように、前記電子部材20および30が配置される。
このように配置された電子部材20および30の接続端子21と接続端子31とを本発明の端子間の接続方法により接続することによって、電子部材30の回路面に設けられた接続端子31は、導電性領域300および電子部材20の厚み方向に設けられたスルーホール220を介して電子部材20の回路面と導通し、電子部材20上の接続端子21と電気的に接続されている。また、電子部材20および30との間の導電性領域以外の領域には硬化性樹脂組成物が充填された状態となり絶縁性領域400が形成され、この絶縁性領域400によって隣接する接続端子間が電気的に絶縁される。
なお、スルーホール220は、例えば、電子部材20の厚み方向にドリル加工などにより貫通孔を形成し、この貫通孔の内壁面にめっきを施し、めっきが施された貫通孔内に樹脂剤を充填することにより形成される。また、スルーホールの詳細については、例えば、特開2001−127243号公報、特開2002−026241号公報などを参照することができる。
このように、一方の電子部材の接続端子が設けられた回路面と反対側の面と、他方の電子部材の接続端子が設けられた回路面とが対向するように配置した場合や、電子部材の接続端子が設けられた回路面と反対側の面同士が対向するように配置した場合においても、厚み方向にスルーホールを形成することによって本発明の製造方法によって半導体装置を製造することが可能となる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、図5に示すような基板を備える半導体装置の製造方法にも適用することができる。図5に示した基板は、基材40と、この基材40上に形成された回路層170と、基材40上及び回路層170上にソルダーレジストを用いて形成された絶縁層180とを備えるものであり、この回路層170と絶縁層180により配線パターンが形成される。回路層170の開口部にはNi/Auメッキ層190が形成され、この回路層170とNi/Auメッキ層190とにより接続端子(電極パッド)41が形成される。
なお、本発明の半導体装置の製造方法において、対向する接続端子間を接続する際の加熱温度や印加電圧などの操作条件は、本発明の端子間の接続方法の場合と同様の操作条件を採用することができる。
以下、実施例および比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、実施例および比較例において使用した硬化性樹脂組成物の溶融粘度および絶縁抵抗、ならびに得られた積層体の対向する端子間の接続抵抗、通路形成性、および導通路以外の領域に残存する半田粒子の有無を以下の方法により測定または評価した。
(1)溶融粘度
得られた硬化性樹脂組成物の溶融粘度を、粘弾性測定装置(レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー(株)製「アレス粘弾性測定システム」)を用いて160℃、パラレルプレート25mmφ、ギャップ0.5mm、周波数10rad/sの条件で測定し、測定開始から90秒後および300秒後の溶融粘度(160℃)を求めた。
得られた硬化性樹脂組成物の溶融粘度を、粘弾性測定装置(レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー(株)製「アレス粘弾性測定システム」)を用いて160℃、パラレルプレート25mmφ、ギャップ0.5mm、周波数10rad/sの条件で測定し、測定開始から90秒後および300秒後の溶融粘度(160℃)を求めた。
(2)絶縁抵抗
基材(FR−4、厚み0.1mm)および回路層(銅回路、厚み12μm)からなり、一方の面上に図6に示すような一対の銅配線510(配線幅0.15mm、配線間距離0.5mm)が配置された基板50上に、図6に示すように、得られた硬化性樹脂組成物520を滴下し、銅配線の端子51に超高抵抗/微小電流計500((株)アドバンテスト製「R8340」)を接続した。前記基板を熱板540で160℃に加熱しながら端子に直流電圧を印加して対向する端子間に30Vの電位差を発生させて前記硬化性樹脂組成物の絶縁抵抗を測定し、加熱開始から90秒後および300秒後の絶縁抵抗(160℃)を求めた。
基材(FR−4、厚み0.1mm)および回路層(銅回路、厚み12μm)からなり、一方の面上に図6に示すような一対の銅配線510(配線幅0.15mm、配線間距離0.5mm)が配置された基板50上に、図6に示すように、得られた硬化性樹脂組成物520を滴下し、銅配線の端子51に超高抵抗/微小電流計500((株)アドバンテスト製「R8340」)を接続した。前記基板を熱板540で160℃に加熱しながら端子に直流電圧を印加して対向する端子間に30Vの電位差を発生させて前記硬化性樹脂組成物の絶縁抵抗を測定し、加熱開始から90秒後および300秒後の絶縁抵抗(160℃)を求めた。
(3)接続抵抗
得られた積層体中の対向する端子間の抵抗を4端子法(抵抗計:岩崎通信機(株)製「デジタルマルチメータVOA7510」、測定プローブ:日置電機(株)製「ピン型リード9771」)により12点測定し、その平均値が30mΩ未満の場合を「A」、30mΩ以上の場合を「B」と判定した。
得られた積層体中の対向する端子間の抵抗を4端子法(抵抗計:岩崎通信機(株)製「デジタルマルチメータVOA7510」、測定プローブ:日置電機(株)製「ピン型リード9771」)により12点測定し、その平均値が30mΩ未満の場合を「A」、30mΩ以上の場合を「B」と判定した。
(4)導通路形成性
得られた積層体中の対向する端子10組について、その対向する端子間の断面を走査型電子顕微鏡(日本電子(株)製「JSM−7401F」)で観察し、10組全てにおいて半田粒子により円柱状の導通路が形成されている場合を「A」、1組でも導通路が形成されていない端子が存在する場合を「B」と判定した。
得られた積層体中の対向する端子10組について、その対向する端子間の断面を走査型電子顕微鏡(日本電子(株)製「JSM−7401F」)で観察し、10組全てにおいて半田粒子により円柱状の導通路が形成されている場合を「A」、1組でも導通路が形成されていない端子が存在する場合を「B」と判定した。
(5)残存半田粒子の有無
得られた積層体の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子社製、型番「JSM−7401F」)で観察し、全ての半田粒子が対向する端子間の導通路形成に寄与している場合を「A」、導通路形成に寄与せずに対向する端子間(導通性領域)以外の樹脂(絶縁性領域)中に半田粒子が残存している場合を「B」と判定した。
得られた積層体の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子社製、型番「JSM−7401F」)で観察し、全ての半田粒子が対向する端子間の導通路形成に寄与している場合を「A」、導通路形成に寄与せずに対向する端子間(導通性領域)以外の樹脂(絶縁性領域)中に半田粒子が残存している場合を「B」と判定した。
[実施例1]
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON EXA830−LVP」、エポキシ当量160g/eq)39.3質量部、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体(宇部興産(株)製「CTBN1008−SP」)0.8質量部、ゲンチジン酸(みどり化学(株)製)7.9質量部、セバシン酸(東京化成工業(株)製)2.0質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.2質量部を混合して硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスについて、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表1に示す。
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON EXA830−LVP」、エポキシ当量160g/eq)39.3質量部、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体(宇部興産(株)製「CTBN1008−SP」)0.8質量部、ゲンチジン酸(みどり化学(株)製)7.9質量部、セバシン酸(東京化成工業(株)製)2.0質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.2質量部を混合して硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスについて、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表1に示す。
この硬化性樹脂組成物ワニス50.2質量部と半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58、平均粒径23μm)49.8質量部とを混合してペースト状の導電接続材料を調製した。
次に、得られた導電接続材料を用いて図7に示すように基板の端子間接続を行った。基板として、基材40(FR−4、厚み0.1mm)、回路層170(銅回路、厚み12μm)およびソルダーレジスト層(絶縁層)180からなり、ソルダーレジスト層開口部の銅回路上にNi/Alメッキ190(厚み3μm)を施して形成される電極パッド41を接続端子(端子径100μm、隣接する端子間の中心距離300μm)として有するものを使用した。このような基板間に、前記導電接続材料を配置し、端子に電圧発生装置200((株)エヌエフ回路設計ブロック製「WAVE FACTORY 1942」)を接続し、ステージ230上で、端子に直流電圧を印加して対向する上下の端子間に10Vの電位差を発生させながら、プレスヒーター240((株)筑波メカニクス製「TMV1−200ASB」)を用いて160℃、2MPa、600秒の条件で熱圧着(基板間ギャップ50μm)を施し、対向する端子間を接続した。その後、180℃で2時間加熱して硬化性樹脂組成物を硬化し、積層体を得た。
得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[実施例2]
熱圧着時の印加電圧を3Hzの交流電圧に変更し、対向する端子間に10Vの電位差を発生させた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
熱圧着時の印加電圧を3Hzの交流電圧に変更し、対向する端子間に10Vの電位差を発生させた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[実施例3]
平均粒径23μmの半田粉の代わりに平均粒径13μmの半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58)49.8質量部を用いた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
平均粒径23μmの半田粉の代わりに平均粒径13μmの半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58)49.8質量部を用いた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[実施例4]
熱圧着時の印加電圧を5Hzの交流電圧に変更し、対向する端子間に10Vの電位差を発生させた以外は、実施例3と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
熱圧着時の印加電圧を5Hzの交流電圧に変更し、対向する端子間に10Vの電位差を発生させた以外は、実施例3と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[比較例1]
熱圧着時に電圧を印加しなかった以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
熱圧着時に電圧を印加しなかった以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[比較例2]
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON EXA830−LVP」、エポキシ当量160g/eq)43.7質量部、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体(宇部興産(株)製「CTBN1008−SP」)0.9質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.2質量部を混合して硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスについて、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表1に示す。
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON EXA830−LVP」、エポキシ当量160g/eq)43.7質量部、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体(宇部興産(株)製「CTBN1008−SP」)0.9質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.2質量部を混合して硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスについて、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表1に示す。
この硬化性樹脂組成物ワニス44.8質量部と半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58、平均粒径13μm)55.2質量部とを混合してペースト状の導電接続材料を調製した。この導電接続材料を用いた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[比較例3]
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON EXA830−LVP」、エポキシ当量160g/eq)39.4質量部、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体(宇部興産(株)製「CTBN1008−SP」)0.8質量部、ゲンチジン酸(みどり化学(株)製)7.9質量部およびセバシン酸(東京化成工業(株)製)2.0質量部を混合して硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスについて、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表1に示す。
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON EXA830−LVP」、エポキシ当量160g/eq)39.4質量部、カルボキシル基末端ブタジエン・アクリロニトリル共重合体(宇部興産(株)製「CTBN1008−SP」)0.8質量部、ゲンチジン酸(みどり化学(株)製)7.9質量部およびセバシン酸(東京化成工業(株)製)2.0質量部を混合して硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスについて、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表1に示す。
この硬化性樹脂組成物ワニス50.1質量部と半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58、平均粒径23μm)49.9質量部とを混合してペースト状の導電接続材料を調製した。この導電接続材料を用いた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表1に示す。
[実施例5]
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq)21.1質量部、フェノール樹脂(住友ベークライト(株)製「PR−53647」)13.2質量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」)15.8質量部、セバシン酸(東京化成工業(株)製)2.4質量部、シランカップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM−303」)0.3質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.01質量部を、メチルエチルケトン38質量部とジアセトンアルコール54質量部との混合溶媒に溶解して濃度36.5質量%の硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスをポリエチレンテレフタラート基材上に流延し、塗膜を125℃で乾燥して厚さ25μmのフィルム状の硬化性樹脂組成物を得た。このフィルム状の硬化性樹脂組成物を4枚重ね合わせ、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)を前記方法に従って測定した。また、前記フィルム状の硬化性樹脂組成物を1枚用いて絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。これらの結果を表2に示す。
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq)21.1質量部、フェノール樹脂(住友ベークライト(株)製「PR−53647」)13.2質量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」)15.8質量部、セバシン酸(東京化成工業(株)製)2.4質量部、シランカップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM−303」)0.3質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.01質量部を、メチルエチルケトン38質量部とジアセトンアルコール54質量部との混合溶媒に溶解して濃度36.5質量%の硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。得られた硬化性樹脂組成物ワニスをポリエチレンテレフタラート基材上に流延し、塗膜を125℃で乾燥して厚さ25μmのフィルム状の硬化性樹脂組成物を得た。このフィルム状の硬化性樹脂組成物を4枚重ね合わせ、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)を前記方法に従って測定した。また、前記フィルム状の硬化性樹脂組成物を1枚用いて絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。これらの結果を表2に示す。
前記硬化性樹脂組成物ワニス(濃度36.5質量%)144.8質量部と半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58、平均粒径23μm)47.2質量部とを混合し、厚さ50μmのフィルム状の導電接続材料を調製した。このフィルム状の導電接続材料を用いた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
[実施例6]
熱圧着時の印加電圧を3Hzの交流電圧に変更し、対向する端子間に10Vの電位差を発生させた以外は、実施例5と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
熱圧着時の印加電圧を3Hzの交流電圧に変更し、対向する端子間に10Vの電位差を発生させた以外は、実施例5と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
[比較例4]
熱圧着時に電圧を印加しなかった以外は、実施例5と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
熱圧着時に電圧を印加しなかった以外は、実施例5と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
[比較例5]
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq)21.6質量部、フェノール樹脂(住友ベークライト(株)製「PR−53647」)13.5質量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」)16.2質量部、シランカップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM−303」)0.3質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.01質量部を、メチルエチルケトン38質量部とジアセトンアルコール54質量部との混合溶媒に溶解して濃度35.9質量%の硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。この硬化性樹脂組成物ワニスを用いた以外は実施例5と同様にしてフィルム状の硬化性樹脂組成物を作製し、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表2に示す。
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq)21.6質量部、フェノール樹脂(住友ベークライト(株)製「PR−53647」)13.5質量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」)16.2質量部、シランカップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM−303」)0.3質量部および2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」)0.01質量部を、メチルエチルケトン38質量部とジアセトンアルコール54質量部との混合溶媒に溶解して濃度35.9質量%の硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。この硬化性樹脂組成物ワニスを用いた以外は実施例5と同様にしてフィルム状の硬化性樹脂組成物を作製し、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表2に示す。
前記硬化性樹脂組成物ワニス(濃度35.9質量%)143.6質量部と半田粉(三井金属鉱業(株)製、Sn/Bi=42/58、平均粒径23μm)48.4質量部とを混合し、厚さ50μmのフィルム状の導電接続材料を調製した。このフィルム状の導電接続材料を用いた以外は、実施例1と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
[比較例6]
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq)21.1質量部、フェノール樹脂(住友ベークライト(株)製「PR−53647」)13.2質量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」)15.8質量部、セバシン酸(東京化成工業(株)製)2.4質量部およびシランカップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM−303」)0.3質量部を、メチルエチルケトン38質量部とジアセトンアルコール54質量部との混合溶媒に溶解して濃度36.5質量%の硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。この硬化性樹脂組成物ワニスを用いた以外は実施例5と同様にしてフィルム状の硬化性樹脂組成物を作製し、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表2に示す。
エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq)21.1質量部、フェノール樹脂(住友ベークライト(株)製「PR−53647」)13.2質量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」)15.8質量部、セバシン酸(東京化成工業(株)製)2.4質量部およびシランカップリング剤(信越化学工業(株)製「KBM−303」)0.3質量部を、メチルエチルケトン38質量部とジアセトンアルコール54質量部との混合溶媒に溶解して濃度36.5質量%の硬化性樹脂組成物ワニスを調製した。この硬化性樹脂組成物ワニスを用いた以外は実施例5と同様にしてフィルム状の硬化性樹脂組成物を作製し、160℃で90秒間および300秒間加熱した後の溶融粘度(160℃)および絶縁抵抗値(160℃)を前記方法に従って測定した。その結果を表2に示す。
前記硬化性樹脂組成物ワニス(濃度36.5質量%)144.8質量部を用いた以外は、実施例5と同様にして基板の端子間接続を行い、積層体を得た。得られた積層体について、対向する端子間の接続抵抗および導通路形成性、ならびに絶縁性領域中の残存半田粒子の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表2に示す。
表1〜表2に示した結果から明らかなように、本発明の端子間接続方法により基板の端子間の接続を行なった場合(実施例1〜6)には、対向する端子間に導通路が良好に形成され、対向する端子間の接続抵抗が小さく、且つ隣接する端子間の絶縁性が確保されていることが確認された。
一方、熱圧着時に端子に電圧を印加しなかった場合(比較例1、4)、フラックスを用いなかった場合(比較例2、5)、およびイミダゾール化合物を用いなかった場合(比較例3、6)には、絶縁性領域中に半田粒子が残存し、隣接する端子間の絶縁性が確保されず、対向する端子間の接続抵抗が大きくなった。
以上説明したように、本発明によれば、導電接続材料中の導電性粒子の凝集を容易に制御することができ、絶縁性領域中に導電性粒子が残存させずに、対向する端子間に良好に導通路を形成することが可能となる。
したがって、本発明の端子間の接続方法は、対向する端子間の接続抵抗を小さくすることが可能であり、また、隣接する端子間の絶縁性を確保することができるため、半導体チップ、基板、半導体ウェハ、半導体パッケージなどの電子部材の接続方法などとして有用であり、このような電子材料の接続端子間の狭ピッチ化にも対応可能な接続方法として有用である。特に、本発明の接続方法を半導体装置の製造方法に適用することによって接続信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
10、20、30、40、50…基板または電子部材;11、21、31、41、51…端子または接続端子;110…導電性粒子;120、130…硬化性樹脂組成物;140…UBM層;150…不動態膜;160…保護膜;170…回路層;180…絶縁層;190…Ni/Auメッキ層;200…電圧発生装置;210…配線;220…スルーホール;230…ステージ;240…プレスヒーター;300…導電性領域;400…絶縁性領域;500…超高抵抗/微小電流計500;510…銅配線;520…硬化性樹脂組成物;540…熱板。
Claims (9)
- 硬化性樹脂成分およびフラックスを含有し、160℃で90秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が0.01〜10Pa・sであり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω未満であり、且つ160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が100Pa・s以上であり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω以上である硬化性樹脂組成物と、導電性粒子とを含む導電接続材料を、対向する端子間に配置する配置工程と、
前記導電性粒子の融点以上且つ前記硬化性樹脂成分の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、
各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させる印加工程と、
前記硬化性樹脂成分を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とする端子間の接続方法。 - 前記硬化性樹脂組成物が硬化促進剤を含有するものであることを特徴とする請求項1に記載の端子間の接続方法。
- 前記硬化促進剤がイミダゾール化合物であることを特徴とする請求項2に記載の端子間の接続方法。
- 前記フラックスが、フェノール性水酸基を有する化合物およびカルボキシル基を有する化合物からなる群から選択される少なくとも1種の化合物であることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の端子間の接続方法。
- 前記導電性粒子が半田粒子であることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の端子間の接続方法。
- 前記加熱工程において前記導電性粒子を溶融させ、
前記印加工程において、溶融した前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させることを特徴とする請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の端子間の接続方法。 - 前記加熱工程において前記導電性粒子が完全に溶融する前に、前記印加工程を開始することを特徴とする請求項1〜6のうちのいずれか一項に記載の端子間の接続方法。
- 硬化性樹脂成分とフラックスとを含有し、160℃で90秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が0.01〜10Pa・sであり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω未満であり、且つ160℃で300秒間加熱した後の160℃における溶融粘度が100Pa・s以上であり、160℃における絶縁抵抗値が1×107Ω以上である硬化性樹脂組成物に導電性粒子を分散させる工程と、
前記導電性粒子を分散させた硬化性樹脂組成物を、対向する端子間に配置する工程と、
前記導電性粒子を溶融させる工程と、
各端子に電圧を印加して前記対向する端子間に電位差を発生させて前記導電性粒子を前記対向する端子間に凝集させる工程と、
を含むことを特徴とする導電性粒子の凝集方法。 - 第一の接続端子が設けられた回路面を有する第一の電子部材と、第二の接続端子が設けられた回路面を有する第二の電子部材とを備える半導体装置の製造方法であって、
請求項1〜7のうちのいずれか一項に記載の端子間の接続方法によって前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008203855A JP2010040893A (ja) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | 端子間の接続方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および導電性粒子の凝集方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008203855A JP2010040893A (ja) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | 端子間の接続方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および導電性粒子の凝集方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040893A true JP2010040893A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=42013098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008203855A Pending JP2010040893A (ja) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | 端子間の接続方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および導電性粒子の凝集方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010040893A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011250327A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | 超音波センサ |
JP2013225702A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-10-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 端子間の接続方法及び接続端子の製造方法 |
WO2014050555A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 導電ペースト、プリント配線基板 |
JP2014078479A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-05-01 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 異方性導電性ペーストおよびそれを用いたプリント配線基板 |
JP2015503178A (ja) * | 2011-10-13 | 2015-01-29 | フレクスコン カンパニー インク | 電気泳動によって形成された電気伝導性材料 |
WO2016035637A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 積水化学工業株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
WO2016088664A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
WO2016104276A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
JP2017045607A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 積水化学工業株式会社 | 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
EP3369098A4 (en) * | 2015-10-29 | 2019-04-24 | Boe Technology Group Co. Ltd. | ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, CONNECTING STRUCTURE AND DISPLAY PANEL AND ITS MANUFACTURING METHOD |
CN110491852A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 邦定结构及其制备方法、显示面板 |
CN112823448A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-05-18 | 迪睿合株式会社 | 连接体的制备方法、各向异性接合薄膜、连接体 |
-
2008
- 2008-08-07 JP JP2008203855A patent/JP2010040893A/ja active Pending
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011250327A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Murata Mfg Co Ltd | 超音波センサ |
JP2015503178A (ja) * | 2011-10-13 | 2015-01-29 | フレクスコン カンパニー インク | 電気泳動によって形成された電気伝導性材料 |
JP2017095687A (ja) * | 2011-10-13 | 2017-06-01 | フレクスコン カンパニー インク | 電気泳動によって形成された電気伝導性材料 |
JP2014078479A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-05-01 | Tamura Seisakusho Co Ltd | 異方性導電性ペーストおよびそれを用いたプリント配線基板 |
KR101728617B1 (ko) | 2012-09-27 | 2017-04-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 도전 페이스트, 프린트 배선 기판 |
WO2014050555A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 富士フイルム株式会社 | 導電ペースト、プリント配線基板 |
JP2014067677A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Fujifilm Corp | 導電ペースト、プリント配線基板 |
US9221980B2 (en) | 2012-09-27 | 2015-12-29 | Fujifilm Corporation | Conductive paste and printed wiring board |
JP2013225702A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-10-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 端子間の接続方法及び接続端子の製造方法 |
WO2016035637A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | 積水化学工業株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
JPWO2016035637A1 (ja) * | 2014-09-01 | 2017-04-27 | 積水化学工業株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
CN107148653A (zh) * | 2014-12-04 | 2017-09-08 | 积水化学工业株式会社 | 导电糊剂、连接结构体及连接结构体的制造方法 |
JP6067149B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2017-01-25 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
KR20170094070A (ko) * | 2014-12-04 | 2017-08-17 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법 |
WO2016088664A1 (ja) * | 2014-12-04 | 2016-06-09 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
CN107148653B (zh) * | 2014-12-04 | 2019-03-29 | 积水化学工业株式会社 | 导电糊剂、连接结构体及连接结构体的制造方法 |
KR102431084B1 (ko) | 2014-12-04 | 2022-08-11 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 도전 페이스트, 접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법 |
JP5966102B1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-08-10 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
CN106716550A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-05-24 | 积水化学工业株式会社 | 导电糊剂、连接结构体及连接结构体的制造方法 |
WO2016104276A1 (ja) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 積水化学工業株式会社 | 導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
JP2017045607A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 積水化学工業株式会社 | 導電材料、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
EP3369098A4 (en) * | 2015-10-29 | 2019-04-24 | Boe Technology Group Co. Ltd. | ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, CONNECTING STRUCTURE AND DISPLAY PANEL AND ITS MANUFACTURING METHOD |
CN112823448A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-05-18 | 迪睿合株式会社 | 连接体的制备方法、各向异性接合薄膜、连接体 |
CN110491852A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 邦定结构及其制备方法、显示面板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010040893A (ja) | 端子間の接続方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および導電性粒子の凝集方法 | |
JP5182094B2 (ja) | 半導体電子部品及びそれを用いた半導体装置 | |
JP4730484B2 (ja) | 導電接続材料、端子間の接続方法及び接続端子の製造方法 | |
KR101581984B1 (ko) | 도전 접속 재료 및 그것을 이용한 단자간 접속 방법 및 접속 단자의 제조 방법 | |
JP4924773B2 (ja) | 導電接続材料、電子部品の製造方法、導電接続材料付き電子部材および電子部品 | |
KR101578968B1 (ko) | 도전 접속 재료 및 그것을 사용한 단자 사이의 접속 방법 | |
JP5664558B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP2011171258A (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP2009278054A (ja) | 端子間の接続方法、導電性粒子の凝集方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP5471551B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP5564964B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP5381775B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP5381774B2 (ja) | 半田層の形成方法、端子間の接続方法、半導体装置および電子機器 | |
JP2011165954A (ja) | 導電接続材料、端子間の接続方法、接続端子の製造方法、電子部材及び電気、電子部品 | |
JP2011049429A (ja) | 端子間の接続方法、金属箔の凝集方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP5544915B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP5381769B2 (ja) | 端子間の接続方法 | |
JP5381783B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP5381784B2 (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP5533041B2 (ja) | 導電接続材料の製造方法、半導体装置および電子機器 | |
JP2014056992A (ja) | 電子機器および電子機器の製造方法 | |
JP2011181703A (ja) | 導電接続シートの製造方法、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 | |
JP2011187466A (ja) | 端子間の接続方法及び接続端子の製造方法 | |
JP2011181760A (ja) | 端子間の接続方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、接続端子の形成方法 | |
JP2012079527A (ja) | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100702 |