JP4924773B2 - 導電接続材料、電子部品の製造方法、導電接続材料付き電子部材および電子部品 - Google Patents
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- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2224/29113—Bismuth [Bi] as principal constituent
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- H01L2224/29116—Lead [Pb] as principal constituent
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- H01L2224/2912—Antimony [Sb] as principal constituent
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- H01L2224/29139—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29144—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/29147—Copper [Cu] as principal constituent
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Description
半田または錫によって構成される金属箔により形成される金属層と、
樹脂成分と充填剤とを有する樹脂層と、
を備え、
前記複数の端子上に当接し、加熱することによって、前記金属層が溶融して各端子上に凝集し、前記複数の端子上に前記導電部を形成するように構成された導電接続材料が提供される。
本発明の導電接続材料は、樹脂層と金属層とから構成される。その形態は、樹脂層と金属層とからなる多層構造を有する積層体であり、樹脂層及び金属層は各々一層であっても複数層であってもよい。導電接続材料の積層構造は特に制限されず、樹脂層と金属層との二層構造(樹脂層/金属層)でもよいし、樹脂層あるいは金属層の何れか又は両方を複数含む三層構造又はそれ以上の多層構造でもよい。なお、樹脂層又は金属層を複数用いる場合、各層の組成は同一でもよく、異なっていてもよい。
本発明において、樹脂層は、樹脂成分及び充填剤を含有する樹脂組成物で構成される。樹脂組成物は、常温で液状又は固形状のいずれの形態であってもよい。ここで「常温で液状」とは、常温(25℃)で一定の形態を持たない状態を意味する。ペースト状も液状に含まれる。
本発明で用いる硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂及び充填剤のほか、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、フラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤などが含まれる。
本発明で用いる硬化性樹脂は、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものであれば特に限定されない。例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂(不飽和ポリエステル樹脂)、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂(ポリイミド前駆体樹脂)、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂を用いることが好ましい。これらの硬化性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
例えば、硬化性樹脂組成物が液状の場合、硬化性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上がさらに好ましく、25重量%以上がさらにより好ましく、30重量%以上がなお好ましく、35重量%以上が特に好ましい。また、100重量%未満が好ましく、95重量%以下がより好ましく、90重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
硬化性樹脂組成物が固形状の場合は、硬化性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、5重量%以上が好ましく、10重量%以上がより好ましく、15重量%以上がさらに好ましく、20重量%以上が特に好ましい。また、90重量%以下が好ましく、85重量%以下がより好ましく、80重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
硬化性樹脂の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜300g/eqが好ましく、160〜250g/eqがより好ましく、170〜220g/eqが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、反りが生じることがある。他方、前記上限を超えると、フィルム形成性樹脂を併用した場合に、フィルム形成性樹脂、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向にある。
室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜3000g/eqが好ましく、160〜2500g/eqがより好ましく、170〜2000g/eqが特に好ましい。
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、40〜120℃が好ましく、50〜110℃がより好ましく、60〜100℃が特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、タック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
本発明に用いる充填剤は、常温保管時や加熱時に、変質することがなく性能が安定しているものであれば特に制限はなく、無機充填剤や有機充填剤などを使用することができる。充填剤は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
Fv/Mvが0.01〜10.0であることが好ましく、さらに、0.02〜8.0であることが好ましく、0.05〜5.0であることが特に好ましい。Fv/Mvを上記下限値以上とすることで、硬化後の樹脂組成物の線膨張係数を効果的に低下させることができるため、電子部品の信頼性を向上させることができる。また、Fv/Mvを上記上限値以下とすることで、金属層が加熱工程(後述する)で樹脂組成物中を確実に移動することができるため、良好な端子間接続を実現することができる。
固形状の硬化性樹脂組成物を使用する場合、前記硬化性樹脂とフィルム形成性樹脂とを併用することが好ましい。本発明で用いるフィルム形成性樹脂としては、有機溶媒に可溶であり、単独で製膜性を有するものであれば特に制限はない。熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを併用することもできる。具体的に、フィルム形成性樹脂としては、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂(飽和ポリエステル樹脂)、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロンなどが挙げられる。中でも、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂及びポリイミド樹脂が好ましい。フィルム形成性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、5重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがより好ましく、15重量%以上であることが特に好ましい。また、50重量%以下であることが好ましく、45重量%以下であることがより好ましく、40重量%以下であることが特に好ましい。フィルム形成性樹脂の含有量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、導電接続材料を容易に取り扱うことが可能となる。
本発明で用いる硬化剤としては、フェノール類、酸無水物及びアミン化合物が好ましく挙げられる。硬化剤は、硬化性樹脂の種類などに応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化及び硬化後の適切な物性(例えば、耐熱性、耐湿性など)が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂の硬化後の物性が優れている点で2官能以上のフェノール類がより好ましい。また、このような硬化剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、0.1〜50重量%が好ましく、0.2〜40重量%がより好ましく、0.5〜30重量%が特に好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
本発明で用いる硬化促進剤としては、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−ウンデシルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチル−4−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物が挙げられる。
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、0.001重量%以上が好ましく、0.003重量%以上がより好ましく、0.005重量%以上が特に好ましい。また、1.0重量%以下が好ましく、0.7重量%以下がより好ましく、0.5重量%以下が特に好ましい。イミダゾール化合物の含有量が前記下限未満になると硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない場合がある。他方、イミダゾール化合物の含有量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に金属層が端子表面に十分に移動せず、絶縁性領域に金属層が残り絶縁性が十分に確保できない場合がある。また、導電接続材料の保存安定性が低下する場合がある。
本発明で用いるフラックス機能を有する化合物は、端子及び金属箔の表面酸化膜など金属酸化膜を還元する作用を有するものである。例えば、フラックス機能を有する化合物としては、フェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−エチルフェノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、m−エチルフェノール、2,3−キシレノール、メシトール、3,5−キシレノール、p−tert−ブチルフェノール、カテコール、p−tert−アミルフェノール、レゾルシノール、p−オクチルフェノール、p−フェニルフェノール、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノールなどのフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂などのフェノール性水酸基を含有する樹脂が挙げられる。
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
(式(1)中、nは1〜20の整数である。)
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましい。
脂肪族ジカルボン酸としては、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が2個結合した化合物が好ましく挙げられる。脂肪族炭化水素基は、飽和又は不飽和の非環式であってもよいし、飽和又は不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、1重量%以上が好ましく、2重量部%以上がより好ましく、3重量%以上が特に好ましい。また、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく、30重量%以下がさらに好ましく、25重量%以下が特に好ましい。
固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、1重量%以上が好ましく、2重量%以上がより好ましく、3重量%以上が特に好ましい。また、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく、30重量%以下がさらに好ましく、25重量%以下が特に好ましい。
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属層及び端子の表面酸化膜を電気的に接合できる程度に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂の場合、硬化時に、樹脂に効率よく付加して樹脂の弾性率又はTgを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
本発明で用いるシランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤などが挙げられる。シランカップリング剤を添加することにより、接合部材と導電接続材料との密着性を高めることができる。シランカップリング剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明においては、樹脂組成物として熱可塑性樹脂組成物を用いることもできる。
本発明で用いる熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂及び充填剤のほか、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤などが含まれる。
本発明で用いる熱可塑性樹脂としては、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、(メタ)アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。熱可塑性樹脂は、単一の重合体でもよく、上記熱可塑樹脂の2種以上の共重合体でもよい。
例えば、熱可塑性樹脂組成物が液状の場合、熱可塑性樹脂の含有量は、熱可塑性樹脂組成物の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上がさらに好ましく、25重量%以上がさらにより好ましく、30重量%以上がなお好ましく、35重量%以上が特に好ましい。また、100重量%以下が好ましく、95重量%以下がより好ましく、90重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
熱可塑性樹脂組成物が固形状の場合は、熱可塑性樹脂の含有量は、熱可塑性樹脂組成物の全重量に対して、5重量%以上が好ましく、10重量%以上がより好ましく、15重量%以上がさらに好ましく、20重量%以上が特に好ましい。また、90重量%以下が好ましく、85重量%以下がより好ましく、80重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
熱可塑性樹脂の含有量が上記の範囲内であると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
本発明の熱可塑性樹脂組成物で用いる充填剤、フラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤、その他の添加剤は、前記「(a)硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。各成分の含有量、好ましい化合物及び調製方法も硬化性樹脂組成物で説明したものと同様である。
本発明において金属層は、金属箔で構成される層である。金属層は平面視で樹脂層の少なくとも一部に形成されていればよく、樹脂層の全面に形成されていてもよい。
本発明で用いる樹脂組成物が25℃で液状の場合、例えば、金属層を液状の樹脂組成物に浸漬させ、金属層の両面に液状の樹脂組成物を付着させて、本発明の導電接続材料を製造することができる。樹脂組成物の厚み制御が必要な場合は、液状の樹脂組成物に浸漬させた金属層を一定の間隙を有するバーコーターを通過させる方法や液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により吹き付ける方法により作製することができる。
なお、導電接続材料の製造方法は上記方法に制限されない。導電接続材料の製造方法は、目的や用途に応じて当業者が適宜選択することができる。
次に、本発明における第1の電子部品の製造方法について説明する。
本発明における第1の電子部品の製造方法は、前記導電接続材料を用いて端子間を接続する方法にかかるものであり、導電接続材料を、複数の端子を内側に向けて対向する二つの電子部材間に配置し、二つの電子部材がそれぞれ有する複数の端子に当接させる配置工程と、前記導電接続材料を加熱して、複数の端子上に形成された導電部を介して二つの電子部材がそれぞれ有する複数の端子を互いに接続する加熱工程と、前記樹脂層を硬化又は固化する硬化/固化工程と、を含む。本発明における第1の電子部品の製造方法は、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板、フレキシブル基板、その他の電子部材に形成されている端子同士を接続する際などに用いることができる。
本発明の第1実施態様における第1の電子部品の製造方法において、電子部材を互いに接続する工程は、金属層の融点以上であって、かつ樹脂層の硬化が完了しない温度で導電接続材料を加熱することにより行われ、樹脂層を硬化または固化する工程は、樹脂層の硬化が完了する温度で導電接続材料を加熱することにより行われる。
(a)配置工程
先ず、図2に示すように、複数の端子11が設けられた基板10と、複数の端子21が設けられた基板20とを、複数の端子11と複数の端子21とが対向するように位置あわせする。そして、これらの端子間に、金属層110と、金属層110の両面に設けられた硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120と、を備える導電接続材料30を配置する。この時、導電接続材料30はロールラミネータ又はプレス等の装置を使用し、図4に示すように、あらかじめ基板10又は基板20の片側、あるいは、基板10及び基板20の双方に熱圧着されていてもよい。また、端子11および端子21の表面は、電気的な接続を良好にするために、必要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化などの処理を施してもよい。そして、導電接続材料30を、複数の端子11および複数の端子21へ当接させる。
加熱工程では、前記配置工程において端子間に配置した導電接続材料30を、金属層110の融点以上で加熱する。加熱温度は、金属層110の融点以上であればよく、例えば加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属層110が硬化性樹脂中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。加熱温度は、金属層110の融点より5℃以上高い温度が好ましく、10℃以上高い温度がより好ましく、20℃以上高い温度がさらに好ましく、30℃以上高い温度が特に好ましい。
さらに、加圧又は加熱する際に超音波や電場などを加えたり、レーザーや電磁誘導などの特殊加熱を適用したりしてもよい。
本発明における第1の電子部品の製造方法においては、前記加熱工程で導電部130と絶縁性領域140とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させて絶縁性領域140を固定する。これにより、前記端子間の電気的信頼性及び機械的接続強度を十分に確保することができる。特に本発明における第1の電子部品の製造方法においては、高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、絶縁性領域の絶縁性をより十分に確保することができる。
次に、本発明の第2実施態様における第1の電子部品の製造方法について説明する。本発明の第2実施態様における第1の電子部品の製造方法において、電子部材を互いに接続する工程は、金属層の融点以上であって、かつ樹脂層が軟化する温度で導電接続材料を加熱することにより行われ、樹脂層を硬化または固化する工程は、樹脂層が固化する温度まで導電接続材料を冷却することにより行われる。
熱可塑性樹脂組成物と金属層110とを含む導電接続材料30を使用した場合も、前記硬化性樹脂組成物と金属層110とを含む導電接続材料30を使用した場合と同様に導電接続材料30を配置することができる。
加熱工程は、特に制限されないが、前記配置工程において端子間に配置した導電接続材料30を、金属層110の融点以上で加熱する。加熱温度は、金属層の融点より5℃以上高い温度が好ましく、10℃以上高い温度がより好ましく、20℃以上高い温度がさらに好ましく、30℃以上高い温度が特に好ましい。加熱温度は、金属層110の融点以上であり、熱可塑性樹脂組成物からなる樹脂層120が軟化して、金属層110が熱可塑性樹脂からなる樹脂層120中を移動できる範囲すなわち「熱可塑性樹脂組成物からなる樹脂層120が軟化する」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
本発明における第1の電子部品の製造方法においては、前記加熱工程で導電部130と絶縁性領域140とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させて絶縁性領域140領域を固定する。これにより、前記端子間の電気的信頼性及び機械的接続強度を十分に確保することができる。
次に、本発明における第2の電子部品の製造方法について説明する。
本発明における第2の電子部品の製造方法は、導電接続材料を複数の端子上に当接する配置工程と、導電接続材料を加熱して、複数の端子上に導電部を形成する加熱工程と、樹脂層を硬化または固化する硬化/固化工程と、を備えている。第2の電子部品の製造方法は、例えば前記導電接続材料を用いて電子部材の電極上に接続端子を製造する方法にかかるものである。この場合、上記端子は、例えば電極である。また、上記導電部は、例えば接続端子である。本発明における第2の電子部品の製造方法は、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板、フレキシブル基板、その他の電子部品の電極上に接続端子を製造する際に用いることができる。
本発明の第1実施態様における第2の電子部品の製造方法において、導電部を形成する工程は、金属層の融点以上であって、かつ樹脂層の硬化が完了しない温度で導電接続材料を加熱することにより行われ、樹脂層を硬化または固化する工程は、樹脂層の硬化が完了する温度で導電接続材料を加熱することにより行われる。
この第2の電子部品の製造方法では、加熱溶融した金属層を選択的に基板上の電極に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物による絶縁性領域を形成することができる。その結果、接続端子の周囲を硬化性樹脂組成物で被覆することができるため、導電性領域が固定される。また、絶縁性領域によって隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、接続信頼性を高めることができる。この方法によれば、微細な配線回路においても多数の接続端子を一括で製造することが可能となり、電極上への接続端子の形成が容易となる。
先ず、図5に示すように、硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120と金属層110とを有する導電接続材料50を、複数の電極41が設けられた基板40上に配置する。この時、パターン状の金属層110を使用した場合は、導電接続材料50と基板40上の電極41との位置合わせが必要となる。なお、図5では、硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120が金属層110の片面に形成されたものを使用しているが、硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120は、金属層110の両面に形成されていてもよい。また、図5では、硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120が電極41と対向するように配置されているが、金属箔110が電極41と対向するように配置されていてもよい。
図5に示すように、導電接続材料50は、ロールラミネータ、プレス等の装置を使用し、基板40に熱圧着されていてもよい。なお、図6では、硬化性樹脂組成物からなる樹脂層120が電極41を被覆しているが、熱硬化樹脂組成物からなる樹脂層120の厚みは、電極41の厚みより薄くてもよく、電極41の厚みより厚くてもよく、目的及び用途等に応じて適宜調整することができる。また、前記電極41の表面は、電気的な接続を良好にするために、あるいはまた、金属層110との接合性を向上させるために、必要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化などの処理を施してもよい。
加熱工程では、前記配置工程において基板40上の電極41上に配置した導電接続材料50を、金属層110の融点以上であり、且つ、前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で加熱する。これにより、図7に示すように、電極41上に接続端子150を形成することができる。他方、前記接続端子150の周囲には硬化性樹脂組成物が充填されて絶縁性領域140が形成される。その結果、隣接する接続端子150間の絶縁性が確保され、隣接する接続端子150間のショートを防止することができる。
硬化工程では、前記加熱工程で接続端子150と絶縁性領域140とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させて、絶縁性領域140を固定する。これにより、基板40上の電極41と接続端子150の接合を補強することができる。特に本発明の第1実施態様では、高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、絶縁性領域の絶縁性をより十分に確保することができる。特に制限されないが、この硬化工程は、接続端子150を形成した後、基板60を、別の電子部品又は基板等に搭載し、接続した後に行なうことが好ましい。
硬化工程における導電接続材料の加熱温度は、第1の電子部品の製造方法において、前記硬化性樹脂組成物と金属層とを有する導電接続材料を使用して端子間接続を行った場合と同様の条件で行うことができる。
次に、本発明の第2実施態様における第2の電子部品の製造方法について説明する。
本発明の第2実施態様における第2の電子部品の製造方法において、導電部を形成する工程は、金属層の融点以上であって、かつ樹脂層が軟化する温度で導電接続材料を加熱することにより行われ、樹脂層を硬化または固化する工程は、樹脂層が固化する温度まで導電接続材料を冷却することにより行われる。
第2実施態様の製造方法では、加熱溶融した金属層を選択的に基板上の電極に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物による絶縁性領域を形成することができる。その結果、接続端子の周囲を熱可塑性樹脂組成物で被覆することができるため、導電性領域が固定される。また、絶縁性領域によって隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、接続信頼性を高めることができる。この方法によれば、微細な配線回路においても多数の接続端子を一括で製造することが可能となる。
熱可塑性樹脂組成物と金属層とを含む導電接続材料を使用した場合も、前記第1実施態様の硬化性樹脂組成物と金属層とを含む導電接続材料を使用した場合と同様に導電接続材料を電極が設けられた基板上に配置することができる。
加熱工程では、前記配置工程において基板に設けられた電極上に配置した導電接続材料50を、金属層110の融点以上であり、且つ、前記熱可塑性樹脂組成物からなる樹脂層120が軟化する温度で加熱する。これにより、第1実施態様と同様に、電極41上に接続端子150を製造することができる。他方、接続端子150の周囲には熱可塑性樹脂組成物が充填されて絶縁性領域140が形成される。その結果、隣接する接続端子150間の絶縁性が確保され、隣接する接続端子150間のショートを防止することができる。
固化工程では、前記加熱工程で接続端子150と絶縁性領域140とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を冷却固化させて、絶縁性領域140を固定することにより、電極41と接続端子150との接合を補強することができる。
なお、熱可塑性樹脂組成物の冷却方法及び好ましい固化温度については、第1の電子部品の製造方法において、前記熱可塑性樹脂組成物と金属層とを有する導電接続材料を使用して端子間接続を行った場合と同様である。
本発明は、電子部材のうち複数の端子が形成された電気的接続面に、本発明の導電接続材料を接着してなる導電接続材料付き電子部材をも包含する。本発明の導電接続材料付き電子部材において、導電接続材料の電子部材の電気的接続面との接着面は樹脂層であることが好ましい。該樹脂層は、電子部材の電気的接続面に直接接着されていてもよいし、接着剤層を介して接着されていてもよい。本発明の導電接続材料付き電子部材を互いに貼り合わせ、あるいは、本発明の導電接続材料付き電子部材を他の電子部材の電気的接続面と貼り合わせて熱圧着させることで、電子部材間を電気的に接続することができる。
本発明では、このようにして得られた本発明の導電接続材料を用いて電子部材間が電気的に接続されてなる半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板及びフレキシブル基板、その他の電子部品をも包含する。
(1)硬化性樹脂組成物の調製
表1に示した各成分を、メチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40%の樹脂組成物のワニスを得た。得られたワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエステルシートに塗布し、90℃で5分間乾燥させてフィルム状の厚さ30μmの硬化性樹脂組成物を得た。
(2)樹脂組成物の平均線膨張係数測定
樹脂組成物の平均線膨張係数は、(1)で得られた硬化性樹脂組成物を180℃、1時間の条件で硬化し、得られたサンプルを用い、熱機械分析装置(TMA;セイコーインスツルメンツ(株)社製、SS6100)で、引っ張り法、昇温速度10℃/min、荷重50mNの条件で測定し、室温から100℃までの線膨張係数の平均値を測定値とした。
得られたフィルム状の硬化性樹脂組成物を60℃、2kgf/cm2、0.3m/minの条件で、表1に示した半田箔の両面にラミネートし、厚み70μmの導電接続材料を製造した。
次に、得られた導電接続材料を用いて基板の端子間接続を行った。基板として、FR−4基材(厚み0.1mm)と回路層(銅回路、厚み12μm)からなり、銅回路上にNi/Auメッキ(厚み3μm)を施して形成される接続端子(端子径100μm、隣接する端子間の中心距離200μm)を有するものを2枚準備し、接続に使用した。このような接続端子を有する基板間に、前記導電接続材料を配置し、熱圧着装置((株)筑波メカニクス製「TMV1−200ASB」)を用いて230℃、0.5MPa、120秒の条件で熱圧着(基板間ギャップ50μm)を施し、端子間を接続した。その後、180℃で1時間加熱して硬化性樹脂組成物を硬化させて、積層体を得た。
実施例1と同様にして充填剤が含まれていない硬化性樹脂組成物を調製し、得られた厚さ30μm硬化性樹脂組成物を表1に示した半田箔の両面にラミネートして厚み70μmの導電接続材料を製造した。さらに、実施例1と同様の方法(前記「(4)端子間接続」記載の方法)で、得られた導電接続材料を用いて基板の端子間接続を行った。
接続抵抗は、実施例および比較例で得られた積層体において対向する端子間の接続抵抗を4端子法(抵抗計:岩崎通信機(株)製「デジタルマルチメータVOA7510」、測定プローブ:日置電機(株)製「ピン型リード9771」)により12点測定した。その平均値が30mΩ未満の場合を「A」、30mΩ以上の場合を「B」と判定した。
実施例および比較例で得られた積層体において対向する端子10組について、その端子間の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)製「JSM−7401F」)で観察し、10組全てにおいて半田により円柱状の導通路が形成されている場合を「A」、1組でも導通路が形成されていない端子が存在する場合を「B」、隣接している端子とショート接触している場合を「C」と判定した。
実施例および比較例で得られた積層体において対向する端子間の接続抵抗を4端子法(抵抗計:岩崎通信機(株)製「デジタルマルチメータVOA7510」、測定プローブ:日置電機(株)製「ピン型リード9771」)により12点測定した。次に、積層体を−40℃、10分⇔85℃、10分で1サイクルの冷熱サイクル試験を1000サイクル、1500サイクル実施し、上述と同様の方法で端子間の接続抵抗を測定した。
外観に異常がなく、全ての接続抵抗の初期値からの変化率が、±5%未満である場合を「A」。外観に異常がなく、接続抵抗の初期値からの変化率が、±5%以上で±10%未満である場合を「B」。冷熱サイクル試験後外観に膨れ、剥がれ等の異常がある、または接続抵抗の初期値からの変化率が±10%以上である場合を「C」と判定した。
実施例および比較例で得られた導電接続材料が備える樹脂層の吸水率WA[%]を、以下のようにして求めた。まず、製造された導電接続材料が備える樹脂層を、180℃×1時間の条件で硬化を兼ねた乾燥を行う。そして、その直後における樹脂層の重さW0[g]を測定した。次に、導電接続材料を、温度85℃、湿度85%RHの雰囲気下に24時間配置した後の、樹脂層の重さW1[g]を測定した。そして、測定されたW0[g]およびW1[g]から、下記式を用いて吸水率WA[%]を求めた。
WA[%]=(W1−W0)/W0×100
エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq
硬化剤:フェノールノボラック、住友ベークライト(株)製「PR−53647」
フィルム形成性樹脂:変性ビフェノール型フェノキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」、重量平均分子量39,000
フラックス機能を有する化合物1:セバシン酸、東京化成工業(株)製「セバシン酸」
フラックス機能を有する化合物2:フェノールフタリン、東京化成工業(株)製「フェノールフタリン」
シランカップリング剤:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM−303」
イミダゾール:2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」
充填剤1:シリカ アドマテック社製、SE2050、平均粒径0.5μm、比重2.2
充填剤2:アルミナ 昭和電工製、AS−50、平均粒径9μm、比重3.8
金属層A:Sn/Pb=63/37(融点:183℃)、厚さ10μm
金属層B:Sn/Ag/Cu=96.5/3.0/0.5(融点:217℃)、厚さ10μm
Claims (22)
- 基板および前記基板上に設けられた複数の端子を有する電子部材の、前記複数の端子上に導電部を形成するために用いられる導電接続材料であって、
半田または錫によって構成される金属箔により形成される金属層と、
樹脂成分と充填剤とを有する樹脂層と、
を備え、
前記複数の端子上に当接し、加熱することによって、前記金属層が溶融して各端子上に凝集し、前記複数の端子上に前記導電部を形成するように構成された導電接続材料。 - 請求項1に記載の導電接続材料において、
前記複数の端子上に当接し、加熱することによって、前記金属層が分離して各端子上に凝集するように構成された導電接続材料。 - 請求項1または2に記載の導電接続材料において、
前記金属層のうち、前記樹脂層が設けられている面とは反対側の面に、他の樹脂層が設けられている導電接続材料。 - 請求項1ないし3いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記半田は、錫、鉛、銀、ビスマス、インジウム、亜鉛、ニッケル、アンチモン、鉄、アルミニウム、金、ゲルマニウム、および銅からなる群から選択される少なくとも二種以上の金属の合金である導電接続材料。 - 請求項1ないし4いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記充填剤の粒径が、10nm〜50μmである導電接続材料。 - 請求項1ないし5いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記充填剤の含有量が、前記樹脂層の全重量に対し1〜80重量%である導電接続材料。 - 請求項1ないし6いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記充填剤の体積をFv、前記金属層の体積をMvとしたとき、Fv/Mvが0.01〜10である導電接続材料。 - 請求項1ないし7いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記樹脂層の室温から100℃における平均線膨張係数は、3〜70ppmである導電接続材料。 - 請求項1ないし8いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記樹脂層は、フラックス機能を有する化合物を含む導電接続材料。 - 請求項9に記載の導電接続材料において、
前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基及び/またはカルボキシル基を有する導電接続材料。 - 請求項9または10に記載の導電接続材料において、
前記フラックス機能を有する化合物は、下記一般式(1)で示される化合物を含む導電接続材料。
HOOC−(CH2)n−COOH・・・・・(1)
[式中、nは、1〜20の整数である。] - 請求項1ないし12いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記金属層の融点が100℃〜330℃である導電接続材料。 - 請求項1ないし13いずれか1項に記載の導電接続材料において、
前記端子は、電極であり、
前記導電部は、接続端子である導電接続材料。 - 請求項1ないし13いずれか1項に記載の導電接続材料を、前記複数の端子を内側に向けて対向する二つの前記電子部材間に配置し、前記二つの電子部材がそれぞれ有する前記複数の端子に当接させる工程と、
前記導電接続材料を加熱して、前記複数の端子上に形成された前記導電部を介して前記二つの電子部材がそれぞれ有する前記複数の端子を互いに接続する工程と、
前記樹脂層を硬化または固化する工程と、
を備える電子部品の製造方法。 - 請求項15に記載の電子部品の製造方法であって、
前記樹脂層は、熱硬化性樹脂を有しており、
前記電子部材を互いに接続する工程は、前記金属層の融点以上であって、かつ前記樹脂層の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱することにより行われ、
前記樹脂層を硬化または固化する工程は、前記樹脂層の硬化が完了する温度で前記導電接続材料を加熱することにより行われる電子部品の製造方法。 - 請求項15に記載の電子部品の製造方法であって、
前記樹脂層は、熱可塑性樹脂を有しており、
前記電子部材を互いに接続する工程は、前記金属層の融点以上であって、かつ前記樹脂層が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱することにより行われ、
前記樹脂層を硬化または固化する工程は、前記樹脂層が固化する温度まで前記導電接続材料を冷却することにより行われる電子部品の製造方法。 - 請求項14に記載の導電接続材料を、前記複数の端子上に当接する工程と、
前記導電接続材料を加熱して、前記複数の端子上に前記導電部を形成する工程と、
前記樹脂層を硬化または固化する工程と、
を備える電子部品の製造方法。 - 請求項18に記載の電子部品の製造方法であって、
前記樹脂層は、熱硬化性樹脂を有しており、
前記導電部を形成する工程は、前記金属層の融点以上であって、かつ前記樹脂層の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱することにより行われ、
前記樹脂層を硬化または固化する工程は、前記樹脂層の硬化が完了する温度で前記導電接続材料を加熱することにより行われる電子部品の製造方法。 - 請求項18に記載の電子部品の製造方法であって、
前記樹脂層は、熱可塑性樹脂を有しており、
前記導電部を形成する工程は、前記金属層の融点以上であって、かつ前記樹脂層が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱することにより行われ、
前記樹脂層を硬化または固化する工程は、前記樹脂層が固化する温度まで前記導電接続材料を冷却することにより行われる電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし14いずれか1項に記載の導電接続材料を、前記複数の端子に当接するように前記電子部材の前記基板上に接着してなる導電接続材料付き電子部材。
- 請求項1ないし14いずれか1項に記載の導電接続材料を用いて形成された前記導電部を介して、前記複数の端子を内側に向けて対向する二つの前記電子部材がそれぞれ有する前記複数の端子を互いに接続させてなる電子部品。
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US12053934B2 (en) * | 2012-06-18 | 2024-08-06 | Ormet Circuits, Inc. | Conductive film adhesive |
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US9899330B2 (en) * | 2014-10-03 | 2018-02-20 | Mc10, Inc. | Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die |
JP6500565B2 (ja) * | 2015-04-01 | 2019-04-17 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
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JP7160302B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-10-25 | 三国電子有限会社 | 接続構造体および接続構造体の作製方法 |
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WO2023276792A1 (ja) * | 2021-07-01 | 2023-01-05 | 日東電工株式会社 | 接合シートおよび電子部品の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000332393A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 厚さ方向導電シート |
JP2004260131A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Japan Science & Technology Agency | 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法 |
JP2005203693A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 接続シートおよび実装部品の実装方法 |
JP2008111990A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 |
Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
JPS61276873A (ja) | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Sony Chem Kk | 導電異方性接着剤 |
US6034331A (en) * | 1996-07-23 | 2000-03-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Connection sheet and electrode connection structure for electrically interconnecting electrodes facing each other, and method using the connection sheet |
WO1998038261A1 (en) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Seiko Epson Corporation | Adhesive, liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus |
JPH10270497A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子固定方法 |
JP3335896B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | ハンダ材及びハンダ材の製造方法 |
TW459032B (en) * | 1998-03-18 | 2001-10-11 | Sumitomo Bakelite Co | An anisotropic conductive adhesive and method for preparation thereof and an electronic apparatus using said adhesive |
US7331502B2 (en) * | 2001-03-19 | 2008-02-19 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Method of manufacturing electronic part and electronic part obtained by the method |
EP1628363B1 (en) * | 2003-06-25 | 2009-12-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Circuit member connecting structure and method of producing the same |
JP4282417B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2009-06-24 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 接続構造体 |
US7732920B2 (en) * | 2005-03-28 | 2010-06-08 | Panasonic Corporation | Flip chip mounting body, flip chip mounting method and flip chip mounting apparatus |
KR101063710B1 (ko) * | 2006-09-26 | 2011-09-07 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 이방 도전성 접착제 조성물, 이방 도전성 필름, 회로 부재의 접속 구조, 및 피복 입자의 제조 방법 |
US8039305B2 (en) * | 2007-04-27 | 2011-10-18 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Method for bonding semiconductor wafers and method for manufacturing semiconductor device |
US20110311790A1 (en) * | 2008-09-05 | 2011-12-22 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Conductive connecting material, method for connecting terminals using the conductive connecting material, and method for producing a connecting terminal |
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Patent Citations (4)
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JP2000332393A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 厚さ方向導電シート |
JP2004260131A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-16 | Japan Science & Technology Agency | 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法 |
JP2005203693A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 接続シートおよび実装部品の実装方法 |
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