JP4730484B2 - 導電接続材料、端子間の接続方法及び接続端子の製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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Description
半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置を用いて半田ボールを加熱溶融させることで、接続端子を製造する方法もある。しかし、この方法では、接続端子が小さすぎると、半田ボールの作製コストが高く、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
さらに、本発明者は、金属箔の融点における樹脂組成物の粘度の動的変化に着目した。例えば半導体装置を基板上に実装する際には、IRリフロー装置により250℃以上の高温に瞬時にさらされる場合もあり、使用時の温度プロファイルを考慮して樹脂組成物の組成を検討することが重要である。
そこで、本発明者らは、誘電分析により樹脂組成物の温度変化に対する粘度変化(すなわちレオロジー)をモニタリングし、導電性領域及び絶縁性領域の形成に与える影響について検討した。その結果、金属箔の融点において樹脂組成物のイオン粘度の最小値が一定の範囲内であると、半田又は錫の端子間への凝集が容易になり、樹脂中に半田又は錫が残存することを抑制でき、導電性領域及び絶縁性領域形成性が優れ、接続端子間における良好な電気的接続と隣接端子間における高い絶縁信頼性が実現できることを見出した。また、樹脂組成物として硬化性樹脂組成物を用いる場合、樹脂組成物のイオン粘度スロープの最大ピークが測定開始後一定時間経過してから出現するものを用いると、樹脂組成物の急激な硬化を抑制でき、電気的接続及び絶縁信頼性がさらに良好なものとなることが判明した。
こうして、本発明者は、導電接続材料における樹脂組成物層として金属箔の融点において上記のような挙動を示す樹脂組成物を用いることで、電気、電子部品における端子間の接続及び接続端子の製造がより容易で、絶縁信頼性の高いものになることを見い出し、本発明を完成させるに至った。さらに、樹脂組成物の熱重量減少率が一定の範囲内であると、アウトガスによる汚染やボイドの発生を抑え、パッケージクラックの発生を防ぐことができ、高いパッケージ信頼性を得ることができる。
[1]樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料であって、ASTM規格E2039に準拠し、前記金属箔の融点において周波数10000Hzを印加して測定した前記樹脂組成物のイオン粘度の最小値が4〜9である、導電接続材料。
[2]ASTM規格E2039に準拠し、前記金属箔の融点において周波数10000Hzを印加して測定した前記樹脂組成物のイオン粘度スロープの最大ピークが測定開始から10秒以上経過した後で出現するものである、[1]記載の導電接続材料。
[3]30℃から昇温速度10℃/分で前記金属箔の融点まで加熱して測定した前記樹脂組成物の熱重量減少率が5重量%以下である、[1]又は[2]記載の導電接続材料。
[4]前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂及び硬化剤を含むものである、[1]〜[3]のいずれか1項記載の導電接続材料。
[5]前記硬化剤が、フェノール類、酸無水物及びアミン化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、[4]記載の導電接続材料。
[6]前記樹脂組成物が、フィルム形成性樹脂をさらに含む、[1]〜[5]のいずれか1項記載の導電接続材料。
[7]前記フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が8,000〜1,000,000である、[6]記載の導電接続材料。
[8]前記フィルム形成性樹脂が、フェノキシ樹脂、(メタ)アクリル系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、[6]又は[7]記載の導電接続材料。
[9]前記樹脂組成物が、樹脂組成物の全重量に対し、エポキシ樹脂10〜90重量%、硬化剤0.1〜50重量%及びフィルム形成性樹脂5〜50重量%を含むものである、[1]〜[8]のいずれか1項記載の導電接続材料。
[10]前記樹脂組成物が、フラックス機能を有する化合物を含む、[1]〜[9]のいずれか1項記載の導電接続材料。
[11]前記フラックス機能を有する化合物が、フェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基を有する化合物を含む、[10]記載の導電接続材料。
[12]前記フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(1)で示される化合物を含む、[10]又は[11]記載の導電接続材料。
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
[式中、nは、1〜20の整数である。]
[13]前記フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(2)及び/又は(3)で示される化合物を含む、[10]又は[11]記載の導電接続材料。
[14]前記樹脂組成物が、樹脂組成物の全重量に対し、前記フラックス機能を有する化合物を合計で1〜50重量%含むものである、[10]〜[13]のいずれか1項に記載の導電接続材料。
[15]前記金属箔の融点が100℃〜330℃である、[1]〜[14]のいずれか1項に記載の導電接続材料。
[16]樹脂組成物層/金属箔層/樹脂組成物層からなる積層構造を含む、[1]〜[15]のいずれか1項記載の導電接続材料。
[17]樹脂組成物層/金属箔層からなる積層構造を含む、[1]〜[15]のいずれか1項記載の導電接続材料。
[18][1]〜[17]のいずれか1項記載の導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程と、を含む端子間の接続方法。
[19][1]〜[17]のいずれか1項記載の導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を固化させる固化工程と、を含む端子間の接続方法。
[20][1]〜[17]のいずれか1項記載の導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程を含む接続端子の製造方法。
[21][1]〜[17]のいずれか1項記載の導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を固化させる固化工程と、を含む接続端子の製造方法。
[22]電子部材の電気的接続面に、[1]〜[17]のいずれか1項記載の導電接続材料が接着してなる、導電接続材料付き電子部材。
[23]電子部材間が、[1]〜[17]のいずれか1項記載の導電接続材料を用いて電気的に接続されてなる、電気、電子部品。
本発明の導電接続材料は、樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される。その形態は、樹脂組成物層と金属箔層とからなる多層構造を有する積層体であり、樹脂組成物層及び金属箔層は各々一層であっても複数層であってもよい。導電接続材料の積層構造は特に制限されなく、樹脂組成物層と金属箔層との二層構造(樹脂組成物層/金属箔層)でもよいし、樹脂組成物層あるいは金属箔層の何れか又は両方を複数含む三層構造又はそれ以上の多層構造でもよい。なお、樹脂組成物層又は金属箔層を複数用いる場合、各層の組成は同一でもよく、異なっていてもよい。
本発明では、樹脂組成物層を構成する樹脂組成物として、ASTM規格E2039に準拠し、前記金属箔の融点において周波数10000Hzを印加して測定した前記樹脂組成物のイオン粘度の最小値が4〜9であるものを用いる。樹脂組成物の上記測定条件におけるイオン粘度の最小値は、好ましくは4.5以上、より好ましくは5以上、さらに好ましくは5.5以上であり、好ましくは8.5以下、より好ましくは8.2以下、さらに好ましくは8以下である。金属箔の融点においてイオン粘度の最小値が上記範囲であると、電気、電子部品の実装時に、樹脂組成物のブリードを抑えながら、半田又は錫の端子間への凝集を容易にし、導電性領域の形成を容易にすることができる。他方、絶縁性領域中に半田又は錫が残存することを抑制し、高い絶縁信頼性を得ることができる。
イオン粘度スロープの最大ピークは、硬化性樹脂組成物の硬化反応が最大となる領域を示すものである。金属箔の融点においてこの最大ピークが10秒以上経過した後で出現するものであると、硬化性樹脂組成物の硬化が進行する前に半田又は錫が十分に移動することができ、絶縁性領域中に半田又は錫が残存することを防ぐことができる。イオン粘度スロープの最大ピークは、測定開始後、15秒経過した後で出現することがより好ましく、20秒経過した後で出現することがさらに好ましく、30秒経過した後で出現することが特に好ましい。また、生産性の観点から、測定開始後、1000秒以内で出現することが好ましく、800秒以内で出現することがより好ましく、600秒以内で出現することがさらに好ましい。
本発明で用いる硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂のほか、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、フラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤などが含まれる。
本発明で用いる硬化性樹脂は、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものであれば特に限定されない。例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂(不飽和ポリエステル樹脂)、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂(ポリイミド前駆体樹脂)、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、(メタ)アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂を用いることが好ましい。これらの硬化性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
例えば、硬化性樹脂組成物が液状の場合、硬化性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上がさらに好ましく、25重量%以上がさらにより好ましく、30重量%以上がなお好ましく、35重量%以上が特に好ましい。また、100重量%未満が好ましく、95重量%以下がより好ましく、90重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
硬化性樹脂組成物が固形状の場合は、硬化性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、5重量%以上が好ましく、10重量%以上がより好ましく、15重量%以上がさらに好ましく、20重量%以上が特に好ましい。また、90重量%以下が好ましく、85重量%以下がより好ましく、80重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
硬化性樹脂の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜300g/eqが好ましく、160〜250g/eqがより好ましく、170〜220g/eqが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、反りが生じることがある。他方、前記上限を超えると、フィルム形成性樹脂を併用した場合に、フィルム形成性樹脂、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向にある。
室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、150〜3000g/eqが好ましく、160〜2500g/eqがより好ましく、170〜2000g/eqが特に好ましい。
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、40〜120℃が好ましく、50〜110℃がより好ましく、60〜100℃が特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、タック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
例えば、エポキシ樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上がさらに好ましく、25重量%以上がさらにより好ましく、30重量%以上がなお好ましく、35重量%以上が特に好ましい。また、90重量%以下が好ましく、85重量%以下がより好ましく、80重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
エポキシ樹脂の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
固形状の硬化性樹脂組成物を使用する場合、前記硬化性樹脂とフィルム形成性樹脂とを併用することが好ましい。本発明で用いるフィルム形成性樹脂としては、有機溶媒に可溶であり、単独で製膜性を有するものであれば特に制限はない。熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを併用することもできる。具体的に、フィルム形成性樹脂としては、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂(飽和ポリエステル樹脂)、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロンなどが挙げられる。中でも、(メタ)アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂及びポリイミド樹脂が好ましい。フィルム形成性樹脂は1種単独で用いても、2種以上を併用してもよい。
飽和吸水率(%)={(飽和した時点の質量)−(絶乾時点の質量)}/(絶乾時点の質量)×100
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、5重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがより好ましく、15重量%以上であることが特に好ましい。また、50重量%以下であることが好ましく、45重量%以下であることがより好ましく、40重量%以下であることが特に好ましい。フィルム形成性樹脂の含有量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、導電接続材料を容易に取り扱うことが可能となる。
本発明で用いる硬化剤としては、フェノール類、酸無水物及びアミン化合物が好ましく挙げられる。硬化剤は、硬化性樹脂の種類などに応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化及び硬化後の適切な物性(例えば、耐熱性、耐湿性など)が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂の硬化後の物性が優れている点で2官能以上のフェノール類がより好ましい。また、このような硬化剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、0.1〜50重量%が好ま・BR>オく、0.2〜40重量%がより好ましく、0.5〜30重量%が特に好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
本発明で用いる硬化促進剤としては、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−ウンデシルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−エチル−4−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2'−メチルイミダゾリル(1')]−エチル−s−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物が挙げられる。
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、0.001重量%以上が好ましく、0.003重量%以上がより好ましく、0.005重量%以上が特に好ましい。また、1.0重量%以下が好ましく、0.7重量%以下がより好ましく、0.5重量%以下が特に好ましい。イミダゾール化合物の含有量が前記下限未満になると硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない場合がある。他方、イミダゾール化合物の含有量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に半田又は錫が端子表面に十分に移動せず、絶縁性領域に半田又は錫が残り絶縁性が十分に確保できない場合がある。また、導電接続材料の保存安定性が低下する場合がある。
本発明で用いるフラックス機能を有する化合物は、端子及び金属箔の表面酸化膜など金属酸化膜を還元する作用を有するものである。例えば、フラックス機能を有する化合物としては、フェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノール、p−クレゾール、m−クレゾール、o−エチルフェノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、m−エチルフェノール、2,3−キシレノール、メシトール、3,5−キシレノール、p−tert−ブチルフェノール、カテコール、p−tert−アミルフェノール、レゾルシノール、p−オクチルフェノール、p−フェニルフェノール、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノールなどのフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、o−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂などのフェノール性水酸基を含有する樹脂が挙げられる。
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
(式(1)中、nは1〜20の整数である。)
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましい。
脂肪族ジカルボン酸としては、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が2個結合した化合物が好ましく挙げられる。脂肪族炭化水素基は、飽和又は不飽和の非環式であってもよいし、飽和又は不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、1重量%以上が好ましく、2重量%以上がより好ましく、3重量%以上が特に好ましい。また、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく、30重量%以下がさらに好ましく、25重量%以下が特に好ましい。
固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、1重量%以上が好ましく、2重量%以上がより好ましく、3重量%以上が特に好ましい。また、50重量%以下が好ましく、40重量%以下がより好ましく、30重量%以下がさらに好ましく、25重量%以下が特に好ましい。
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属箔及び端子の表面酸化膜を電気的に接合できる程度に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂の場合、硬化時に、樹脂に効率よく付加して樹脂の弾性率又はTgを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
本発明で用いるシランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤などが挙げられる。シランカップリング剤を添加することにより、接合部材と導電接続材料との密着性を高めることができる。シランカップリング剤は1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明においては、樹脂組成物として熱可塑性樹脂組成物を用いることもできる。
本発明で用いる熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂のほか、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤などが含まれる。
本発明で用いる熱可塑性樹脂としては、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、(メタ)アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。熱可塑性樹脂は、単一の重合体でもよく、上記熱可塑樹脂の2種以上の共重合体でもよい。
例えば、熱可塑性樹脂組成物が液状の場合、熱可塑性樹脂の含有量は、熱可塑性樹脂組成物の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上がさらに好ましく、25重量%以上がさらにより好ましく、30重量%以上がなお好ましく、35重量%以上が特に好ましい。また、100重量%以下が好ましく、95重量%以下がより好ましく、90重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
熱可塑性樹脂組成物が固形状の場合は、熱可塑性樹脂の含有量は、熱可塑性樹脂組成物の全重量に対して、5重量%以上が好ましく、10重量%以上がより好ましく、15重量%以上がさらに好ましく、20重量%以上が特に好ましい。また、90重量%以下が好ましく、85重量%以下がより好ましく、80重量%以下がさらに好ましく、75重量%以下がさらにより好ましく、65重量%以下がなお好ましく、55重量%以下が特に好ましい。
熱可塑性樹脂の含有量が上記の範囲内であると端子間の電気的接続強度及び機械的接着強度を十分に確保することができる。
本発明の熱可塑性樹脂組成物で用いるフラックス機能を有する化合物、シランカップリング剤、その他の添加剤は、前記「(a)硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。各成分の含有量、好ましい化合物及び調製方法も硬化性樹脂組成物で説明したものと同様である。
例えば、樹脂組成物が液状の場合、樹脂組成物の含有量は、導電接続材料の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、20重量%以上がより好ましく、25重量%以上が特に好ましい。また、95重量%以下が好ましく、80重量%以下がより好ましく、75重量%以下が特に好ましい。
樹脂組成物が固形状の場合、樹脂組成物の含有量は、導電接続材料の全重量に対して、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましく、20重量%以上が特に好ましい。また、95重量%以下が好ましく、80重量%以下がより好ましく、75重量%以下が特に好ましい。
本発明において金属箔層は、半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔で構成される層である。金属箔層は平面視で樹脂組成物層の少なくとも一部に形成されていればよく、樹脂組成物層の全面に形成されていてもよい。
本発明で用いる樹脂組成物が25℃で液状の場合、例えば、金属箔を液状の樹脂組成物に浸漬させ、金属箔の両面に液状の樹脂組成物を付着させて、本発明の導電接続材料を製造することができる。樹脂組成物の厚み制御が必要な場合は、液状の樹脂組成物に浸漬させた金属箔を一定の間隙を有するバーコーターを通過させる方法や液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により吹き付ける方法により作製することができる。
なお、導電接続材料の製造方法は上記方法に制限されない。導電接続材料の製造方法は、目的や用途に応じて当業者が適宜選択することができる。
次に、本発明の端子間の接続方法について説明する。
本発明の接続方法は前記導電接続材料を用いて端子間を接続する方法にかかるものであり、導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化又は固化させる硬化/固化工程とを含む。本発明の接続方法は、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板、フレキシブル基板、その他の電気、電子部品に形成されている端子同士を接続する際などに用いることができる。
本発明の第1実施態様の端子間の接続方法は、前記硬化性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記硬化性樹脂組成物を硬化させる硬化工程と、を含む。
(a)配置工程
先ず、図2に示すように、端子11が設けられた基板10と端子21が設けられた基板20とを、端子11と端子21とが対向するように位置あわせし、これらの端子間に、金属箔110と金属箔110の両面に設けられた硬化性樹脂組成物120とからなる導電接続材料30を配置する。この時、導電接続材料30はロールラミネータ又はプレス等の装置を使用し、図4に示すように、あらかじめ基板10又は基板20の片側、あるいは、基板10及び基板20の双方に熱圧着されていてもよい。また、前記端子11及び21の表面は、電気的な接続を良好にするために、必要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化などの処理を施してもよい。
加熱工程では、前記配置工程において端子間に配置した導電接続材料を、金属箔の融点以上で加熱する。加熱温度は、金属箔の融点以上であればよく、例えば加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、半田又は錫が硬化性樹脂中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。加熱温度は、金属箔の融点より5℃以上高い温度が好ましく、10℃以上高い温度がより好ましく、20℃以上高い温度がさらに好ましく、30℃以上高い温度が特に好ましい。
さらに、加圧又は加熱する際に超音波や電場などを加えたり、レーザーや電磁誘導などの特殊加熱を適用してもよい。
本発明の接続方法においては、前記加熱工程で導電性領域130と絶縁性領域140とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させて絶縁性領域140を固定する。これにより、前記端子間の電気的信頼性及び機械的接続強度を十分に確保することができる。特に本発明の接続方法においては、高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、絶縁性領域の絶縁性をより十分に確保することができる。
次に、本発明の第2実施態様の端子間の接続方法について説明する。本発明の第2実施態様の端子間の接続方法は、前記熱可塑性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程と、を含む。以下、各工程について説明する。
熱可塑性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を使用した場合も、前記硬化性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を使用した場合と同様に導電接続材料を配置することができる。
加熱工程は、特に制限されないが、前記配置工程において端子間に配置した導電接続材料を、金属箔の融点以上で加熱する。加熱温度は、金属箔の融点より5℃以上高い温度が好ましく、10℃以上高い温度がより好ましく、20℃以上高い温度がさらに好ましく、30℃以上高い温度が特に好ましい。加熱温度は、金属箔の融点以上であり、熱可塑性樹脂組成物が軟化して半田又は錫が熱可塑性樹脂中を移動できる範囲すなわち「熱可塑性樹脂組成物が軟化する」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
本発明の接続方法においては、前記加熱工程で導電性領域130と絶縁性領域140とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させて絶縁性領域140領域を固定する。これにより、前記端子間の電気的信頼性及び機械的接続強度を十分に確保することができる。
次に、本発明の接続端子の製造方法について説明する。
本発明の接続端子の製造方法は、前記導電接続材料を用いて電子部材の電極上に接続端子を製造する方法にかかるものであり、導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、必要に応じて前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを含む。本発明の接続端子の製造方法は、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板、フレキシブル基板、その他の電気、電子部品の電極上に接続端子を製造する際に用いることができる。
本発明の第1実施態様の接続端子の製造方法は、前記硬化性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、必要に応じて前記樹脂組成物を固化させる固化工程とを含む。
この接続端子の製造方法では、加熱溶融した半田又は錫を選択的に基板上の電極に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物による絶縁性領域を形成することができる。その結果、接続端子の周囲を硬化性樹脂組成物で被覆することができるため、導電性領域が固定される。また、絶縁性領域によって隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、接続信頼性を高めることができる。この方法によれば、微細な配線回路においても多数の接続端子を一括で製造することが可能となる。
先ず、図5に示すように、硬化性樹脂組成物120と金属箔110とを有する導電接続材料を、電極41が設けられた基板40上に配置する。この時、パターン状の金属箔を使用した場合は、導電接続材料50と基板上の電極41との位置合わせが必要となる。なお、図5では、硬化性樹脂組成物120が金属箔110の片面に形成されたものを使用しているが、硬化性樹脂組成物120は、金属箔110の両面に形成されていてもよい。また、図5では、硬化性樹脂組成物120が接続端子と対向するように配置されているが、金属箔110が接続端子と対向するように配置されていてもよい。
図5に示すように、導電接続材料50は、ロールラミネータ、プレス等の装置を使用し、基板40に熱圧着されていてもよい。なお、図6では、硬化性樹脂組成物120が電極41を被覆しているが、硬化性樹脂組成物120の厚みは、電極41の厚みより薄くてもよく、電極41の厚みより厚くてもよく、目的及び用途等に応じて適宜調整することができる。また、前記電極41の表面は、電気的な接続を良好にするために、あるいはまた、金属箔との接合性を向上させるために、必要により、洗浄、研磨、めっき及び表面活性化などの処理を施してもよい。
加熱工程では、前記配置工程において基板40上の電極41上に配置した導電接続材料50を、金属箔の融点以上であり、且つ、前記硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で加熱する。これにより、図7に示すように、電極41上に接続端子150を形成することができる。他方、前記接続端子150の周囲には硬化性樹脂組成物が充填されて絶縁性領域140が形成される。その結果、隣接する接続端子150間の絶縁性が確保され、隣接する接続端子150間のショートを防止することができる。
固化工程では、前記加熱工程で接続端子と絶縁性領域とを形成した後、硬化性樹脂組成物を冷却固化させて、絶縁性領域を固定することにより、電極と接続端子との接合を補強することができる。硬化性樹脂組成物を冷却する方法は特に制限されなく、自然冷却による方法でもよく、冷気を吹きつけるなどの方法でもよい。固化温度は、金属箔の融点より10℃以上低いことが好ましく、20℃以上低いことが特に好ましい。また、固化温度は、50℃以上が好ましく、60℃以上がより好ましく、100℃以上がさらに好ましい。
次に、本発明の第2実施態様の接続端子の製造方法について説明する。
本発明の第2実施態様の接続端子の製造方法は、前記熱可塑性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、さらに必要に応じて前記熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程と、を含む。
第2実施態様の製造方法では、加熱溶融した半田又は錫を選択的に基板上の電極に凝集させて接続端子を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物による絶縁性領域を形成することができる。その結果、接続端子の周囲を熱可塑性樹脂組成物で被覆することができるため、導電性領域が固定される。また、絶縁性領域によって隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、接続信頼性を高めることができる。この方法によれば、微細な配線回路においても多数の接続端子を一括で製造することが可能となる。
熱可塑性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を使用した場合も、前記第1実施態様の硬化性樹脂組成物と金属箔とを含む導電接続材料を使用した場合と同様に導電接続材料を電極が設けられた基板上に配置することができる。
加熱工程では、前記配置工程において基板に設けられた電極上に配置した導電接続材料50を、金属箔の融点以上であり、且つ、前記熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。これにより、第1実施態様と同様に、電極上に接続端子を製造することができる。他方、接続端子の周囲には熱可塑性樹脂組成物が充填されて絶縁性領域が形成される。その結果、隣接する接続端子間の絶縁性が確保され、隣接する接続端子間のショートを防止することができる。
固化工程では、前記加熱工程で接続端子と絶縁性領域とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を冷却固化させて、絶縁性領域を固定することにより、電極と接続端子との接合を補強することができる。
なお、熱可塑性樹脂組成物の冷却方法及び好ましい固化温度については、前記熱可塑性樹脂組成物と金属箔とを有する導電接続材料を使用して端子間接続を行った場合と同様である。
本発明は、電子部材の電気的接続面に本発明の導電接続材料が接着してなる導電接続材料付き電子部材をも包含する。本発明の導電接続材料付き電子部材において、導電接続材料の電子部材の電気的接続面との接着面は樹脂組成物層であることが好ましい。該樹脂組成物層は、電子部材の電気的接続面に直接接着されていてもよいし、接着剤層を介して接着されていてもよい。本発明の導電接続材料付き電子部材を互いに貼り合わせ、あるいは、本発明の導電接続材料付き電子部材を他の電子部材の電気的接続面と貼り合わせて熱圧着させることで、電子部材間を電気的に接続することができる。
本発明では、このようにして得られた本発明の導電接続材料を用いて電子部材間が電気的に接続されてなる半導体ウエハ、半導体チップ、リジッド基板及びフレキシブル基板、その他の電気、電子部品をも包含する。
(1)硬化性樹脂組成物の調製
表1に示した各成分を、メチルエチルケトン(MEK)に溶解して樹脂固形分40%の樹脂組成物のワニスを得た。得られたワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエステルシートに塗布し、90℃で5分間乾燥させてフィルム状の厚さ30μm硬化性樹脂組成物を得た。
得られたフィルム状の硬化性樹脂組成物を60℃、0.3MPa、0.3m/minの条件で、表1に示した半田箔の両面にラミネートし、厚み70μmの導電接続材料を製造した。
次に、得られた導電接続材料を用いて基板の端子間接続を行った。基板として、FR−4基材(厚み0.1mm)と回路層(銅回路、厚み12μm)からなり、銅回路上にNi/Auメッキ(厚み3μm)を施して形成される接続端子(端子径100μm、隣接する端子間の中心距離300μm)を有するものを使用した。このような接続端子を有する基板間に、前記導電接続材料を配置し、熱圧着装置((株)筑波メカニクス製「TMV1−200ASB」)を用いて表1に示した条件で熱圧着(基板間ギャップ50μm)を施し、端子間を接続した。その後、180℃で1時間加熱して硬化性樹脂組成物を硬化させて、積層体を得た。
表1に示した各成分を攪拌し、25℃で液状の硬化性樹脂組成物を調製した。得られた25℃で液状の硬化性樹脂組成物に表1に示した半田箔を浸漬させ、半田箔の両面に液状の硬化性樹脂組成物を付着させて、導電接続材料を製造した。さらに、実施例1〜9と同様の方法(前記「(3)端子間接続」記載の方法)で、得られた導電接続材料を用いて基板の端子間接続を行った。
実施例1〜9と同様にして硬化性樹脂組成物を調製し、得られた厚さ30μm硬化性樹脂組成物を表2に示した半田箔の両面にラミネートして導電接続材料を製造した。さらに、実施例1〜9と同様の方法(前記「(3)端子間接続」記載の方法)で、得られた導電接続材料を用いて基板の端子間接続を行った。
[比較例2]
実施例10及び11と同様にして硬化性樹脂組成物を調製し、得られた硬化性樹脂組成物を表2に示した半田箔の両面に付着させて導電接続材料を製造した。さらに、実施例1〜9と同様の方法(前記「(3)端子間接続」記載の方法)で、得られた導電接続材料を用いて基板の端子間接続を行った。
樹脂組成物が常温で固形状の場合(実施例1〜9、比較例1)、誘電分析装置本体として、NETZSCH社製のDEA231/1 cure analyzer、プレスとしてNETZSCH社製のMP235 Mini−Pressを使用した。測定方法としては、ASTM規格E2039に準拠し、表1及び2に示した半田箔の融点において周波数10000Hzの条件で、厚さ約0.5mmの硬化性樹脂組成物をプレス内の電極部上面にセットし、プレスした後、測定した。得られたイオン粘度の最小値を測定値とした。また、得られたイオン粘度の微分値からイオン粘度スロープを算出し、その最大ピークが出現する時間を測定値とした。
樹脂組成物が常温で液状の場合(実施例10及び11、比較例2)、誘電分析装置本体としてNETZSCH社製のDEA231/1 cure analyzerを使用し、誘電測定センサーとしてNETZSCH社製の036S−IDEXを使用した。測定方法としては、ASTM規格E2039に準拠し、表1及び表2に示した半田箔の融点において周波数10000Hzの条件で、誘電測定センサー上に樹脂組成物を厚さ約0.5mm塗布し、オーブンで加熱して測定した。得られたイオン粘度の最小値を測定値とした。また、得られたイオン粘度の微分値からイオン粘度スロープを算出し、その最大ピークが出現する時間を測定値とした。
示差熱熱重量同時測定装置(セイコーインスツル(株)製、TG/DTA 6200)を用い、樹脂組成物約10mgを熱天秤にセットし、30℃から昇温速度10℃/分で金属箔の融点まで加熱した。金属箔の融点における熱重量減少率を測定値とした。
接続抵抗は、積層体において対向する端子間の抵抗を4端子法(抵抗計:岩崎通信機(株)製「デジタルマルチメータVOA7510」、測定プローブ:日置電機(株)製「ピン型リード9771」)により12点測定した。その平均値が30mΩ未満の場合を「A」、30mΩ以上の場合を「B」と判定した。
積層体において対向する端子10組について、その端子間の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)製「JSM−7401F」)で観察し、10組全てにおいて半田により円柱状の導通路が形成されている場合を「A」、1組でも導通路が形成されていない端子が存在する場合を「B」、隣接している端子とショート接触している場合を「C」と判定した。
積層体の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(株)製、型番「JSM−7401F」)で観察し、全ての半田が対向する端子間の導通路形成に寄与している場合を「A」、導通路形成に寄与せずに対向する端子間(導電性領域)以外の樹脂(絶縁性領域)中に半田が残存している場合を「B」と判定した。
積層体を超音波探傷装置(SAT)(日立建機ファインテック(株)製、型番「mi−scope10」)で観察し、ボイドの面積が接着面積に対して、10%未満の場合を「A」、10%以上の場合を「B」と判定した。
上記[3]〜[6]の評価において、実用上問題ないものの場合を「○」、実用上問題ある場合を「×」と判定した。
エポキシ樹脂1:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、大日本インキ化学工業(株)製「EPICLON−840S」、エポキシ当量185g/eq
エポキシ樹脂2:クレジルグリシジルエーテル、坂本薬品工業(株)製「m,p−CGE」、エポキシ当量185g/eq
エポキシ樹脂3:ビスフェノールF型エポキシ樹脂、日本化薬(株)製「RE−403S」、エポキシ当量165g/eq
硬化剤1:フェノールノボラック、住友ベークライト(株)製「PR−53647」
フィルム形成性樹脂1:変性ビフェノール型フェノキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「YX−6954」、重量平均分子量39,000
フィルム形成性樹脂2:変性ビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「4256H40」、重量平均分子量62,000
フィルム形成性樹脂3:アクリル酸エステル共重合物、ナガセケムテックス(株)製「SG−P3」、重量平均分子量850,000
フラックス機能を有する化合物1:セバシン酸、東京化成工業(株)製「セバシン酸」
フラックス機能を有する化合物2:ゲンチジン酸、みどり化学(株)製「ゲンチジン酸」
フラックス機能を有する化合物3:フェノールフタリン、東京化成工業(株)製「フェノールフタリン」
シランカップリング剤1:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、信越化学工業(株)製「KBM−303」、沸点310℃
イミダゾール1:2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業(株)製「キュアゾール2P4MZ」
半田箔A:Sn/Bi=42/58(融点:139℃)、厚さ10μm
半田箔B:Sn/Pb=63/37(融点:183℃)、厚さ10μm
半田箔C:Sn/Ag/Cu=96.5/3.0/0.5(融点:217℃)、厚さ10μm
11、21 …端子
110 …金属箔
120 …樹脂組成物
130 …導電性領域
140 …絶縁性領域
Claims (23)
- 樹脂組成物と半田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構成される積層構造を有する導電接続材料であって、ASTM規格E2039に準拠し、前記金属箔の融点において周波数10000Hzを印加して測定した前記樹脂組成物のイオン粘度の最小値が4〜9である、導電接続材料。
- ASTM規格E2039に準拠し、前記金属箔の融点において周波数10000Hzを印加して測定した前記樹脂組成物のイオン粘度スロープの最大ピークが測定開始から10秒以上経過した後で出現するものである、請求項1記載の導電接続材料。
- 30℃から昇温速度10℃/分で前記金属箔の融点まで加熱して測定した前記樹脂組成物の熱重量減少率が5重量%以下である、請求項1又は2記載の導電接続材料。
- 前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂及び硬化剤を含むものである、請求項1〜3のいずれか1項記載の導電接続材料。
- 前記硬化剤が、フェノール類、酸無水物及びアミン化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、請求項4記載の導電接続材料。
- 前記樹脂組成物が、フィルム形成性樹脂をさらに含む、請求項1〜5のいずれか1項記載の導電接続材料。
- 前記フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が8,000〜1,000,000である、請求項6記載の導電接続材料。
- 前記フィルム形成性樹脂が、フェノキシ樹脂、(メタ)アクリル系樹脂及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、請求項6又は7記載の導電接続材料。
- 前記樹脂組成物が、樹脂組成物の全重量に対し、エポキシ樹脂10〜90重量%、硬化剤0.1〜50重量%及びフィルム形成性樹脂5〜50重量%を含むものである、請求項6〜8のいずれか1項記載の導電接続材料。
- 前記樹脂組成物が、フラックス機能を有する化合物を含む、請求項1〜9のいずれか1項記載の導電接続材料。
- 前記フラックス機能を有する化合物が、フェノール性水酸基及び/又はカルボキシル基を有する化合物を含む、請求項10記載の導電接続材料。
- 前記フラックス機能を有する化合物が、下記一般式(1)で示される化合物を含む、請求項10又は11記載の導電接続材料。
HOOC−(CH2)n−COOH (1)
[式中、nは、1〜20の整数である。] - 前記樹脂組成物が、樹脂組成物の全重量に対し、前記フラックス機能を有する化合物を合計で1〜50重量%含むものである、請求項10〜13のいずれか1項に記載の導電接続材料。
- 前記金属箔の融点が100℃〜330℃である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の導電接続材料。
- 樹脂組成物層/金属箔層/樹脂組成物層からなる積層構造を含む、請求項1〜15のいずれか1項記載の導電接続材料。
- 樹脂組成物層/金属箔層からなる積層構造を含む、請求項1〜15のいずれか1項記載の導電接続材料。
- 請求項1〜17のいずれか1項記載の導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程と、を含む端子間の接続方法。
- 請求項1〜17のいずれか1項記載の導電接続材料を対向する端子間に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を固化させる固化工程と、を含む端子間の接続方法。
- 請求項1〜17のいずれか1項記載の導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物の硬化が完了しない温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程を含む接続端子の製造方法。
- 請求項1〜17のいずれか1項記載の導電接続材料を電子部材の電極上に配置する配置工程と、前記金属箔の融点以上であり、且つ、前記樹脂組成物が軟化する温度で前記導電接続材料を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を固化させる固化工程と、を含む接続端子の製造方法。
- 電子部材の電気的接続面に、請求項1〜17のいずれか1項記載の導電接続材料が接着してなる、導電接続材料付き電子部材。
- 電子部材間が、請求項1〜17のいずれか1項記載の導電接続材料を用いて電気的に接続されてなる、電気、電子部品。
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