TWI503343B - 導電連接材料、端子間之連接方法及連接端子之製造方法 - Google Patents

導電連接材料、端子間之連接方法及連接端子之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI503343B
TWI503343B TW099132968A TW99132968A TWI503343B TW I503343 B TWI503343 B TW I503343B TW 099132968 A TW099132968 A TW 099132968A TW 99132968 A TW99132968 A TW 99132968A TW I503343 B TWI503343 B TW I503343B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
connecting material
conductive connecting
weight
metal foil
Prior art date
Application number
TW099132968A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201124442A (en
Inventor
Toshiaki Chuma
Wataru Okada
Tomohiro Kagimoto
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co filed Critical Sumitomo Bakelite Co
Publication of TW201124442A publication Critical patent/TW201124442A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI503343B publication Critical patent/TWI503343B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/28—Metal sheet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2650/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2650/28—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule characterised by the polymer type
    • C08G2650/56—Polyhydroxyethers, e.g. phenoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2400/00—Presence of inorganic and organic materials
    • C09J2400/10—Presence of inorganic materials
    • C09J2400/16—Metal
    • C09J2400/163—Metal in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/111—Manufacture and pre-treatment of the bump connector preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/2901—Shape
    • H01L2224/29012—Shape in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/29076—Plural core members being mutually engaged together, e.g. through inserts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/2908—Plural core members being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/2908—Plural core members being stacked
    • H01L2224/29083—Three-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29109—Indium [In] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/83222—Induction heating, i.e. eddy currents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83886—Involving a self-assembly process, e.g. self-agglomeration of a material dispersed in a fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0133—Ternary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/0405—Solder foil, tape or wire
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305—Affixing by adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/363—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31529—Next to metal
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Description

導電連接材料、端子間之連接方法及連接端子之製造方法
本發明係有關用於在電氣/電子零件中將電子構件予以電性連接的導電連接材料、以及使用該導電連接材料的端子間之連接方法及連接端子之製造方法。
近年來，伴隨著電子機器之高機能化及小型化之要求，電子材料中的連接端子間之狹間距化正不斷進展。隨之，微細之配線電路中的端子間連接亦正在高度進展。就端子間之連接方法而言，已知例如在將IC晶片予以電性連接至電路基板時，使用異向性導電接著劑或異向性導電薄膜而將多個端子間一起予以連接的覆晶(flip chip)連接技術。異向性導電接著劑或異向性導電薄膜係在以熱硬化性樹脂作為主成分之接著劑中使導電性粒子分散而成的薄膜或糊膏(paste)(請參照例如日本特開昭61-276873號公報(專利文獻1)及日本特開2004-260131號公報(專利文獻2))。將其配置在欲連接之電子構件間並予以熱壓合，即可將相對向之多個端子間一起予以連接，並可藉由接著劑中之樹脂而確保鄰接之端子間之絕緣性。
然而，導電性粒子之凝集係非常難以控制，而有下述情形：(1)導電性粒子與端子、或導電性粒子彼此無法充分接觸，而使相對向之端子間之一部分不導通；或是(2)在相對向之端子間(導通性區域)以外的樹脂中(絕緣性區域)有導電性粒子殘留而產生漏電流(leakage current)，而無法充分確保鄰接端子間之絕緣性。因此，現狀是以往之異向性導電接著劑或異向性導電薄膜係難以對應端子間之更進一步之狹間距化。
另一方面，在電子構件之電極上製造連接端子時，以往係在設有金屬墊之基板上印刷焊料糊膏(solder paste)，使用回流焊接(solder reflow)裝置將焊料糊膏加熱熔融而形成連接端子。然而，在此方法中，連接端子若為狹間距，則當印刷焊料糊膏時，所使用之遮罩之成本會變高。此外，連接端子之尺寸若太小，則亦有無法印刷焊料糊膏之情形。
亦有將焊料球(solder ball)搭載於連接端子，使用回流焊接裝置而將焊料球加熱熔融，藉此而製造連接端子之方法。然而，在此方法中，連接端子若太小，則焊料球之製作成本即高，並且製作小球徑之焊料球係在技術上有所困難。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]　日本特開昭61-276873號公報
[專利文獻2]　日本特開2004-260131號公報
在如此之狀況下，需求提供可獲得連接端子間之良好之電性連接與鄰接端子間之高絕緣可靠性的導電連接材料。此外，亦期望提供在電子構件之電極上以簡便之方法來製造連接端子的方法。
為了解決上述課題，本發明者經精心研究後，結果發現若使用焊料箔或錫箔來替代導電性粒子，即可使焊料或錫容易往端子間凝集，而可抑制焊料或錫殘留在樹脂中之情形。
再者，本發明者係著眼於金屬箔之熔點下的樹脂組成物之黏度之動態性變化。例如，將半導體裝置安裝在基板上時，因IR回流裝置而亦有一瞬間會曝露於250℃以上之高溫的情形，故考慮使用時之溫度輪廓(temperature profile)而檢討樹脂組成物之組成係為重要。
於是，本發明者等係藉由介電分析而監測相對於樹脂組成物之溫度變化的黏度變化(亦即流變性)，檢討其對於導電性區域及絕緣性區域之形成所造成的影響。結果，發現若在金屬箔之熔點，樹脂組成物之離子黏度之最小值在一定範圍內，則焊料或錫會容易往端子間凝集，而可抑制焊料或錫殘留在樹脂中之情形，導電性區域及絕緣性區域形成性優良，可實現連接端子間之良好電性連接與鄰接端子間之高絕緣可靠性。此外可知，當使用硬化性樹脂組成物作為樹脂組成物時，若使用樹脂組成物之離子黏度斜率(slope)之最大高峰係在開始測定後經過一定時間後才出現者，即可抑制樹脂組成物之急速硬化，而成為電性連接及絕緣可靠性更良好者。
如此，本發明者發現藉由使用在金屬箔熔點表現上述活動狀況之樹脂組成物來作為導電連接材料中之樹脂組成物層，而可更容易地達成電氣/電子零件中之端子間之連接及進行連接端子之製造，並可製成絕緣可靠性高者，因而完成本發明。再者，樹脂組成物之熱重量減少率若在一定範圍內，則可抑制釋氣(outgas)所造成之污染或空隙(void)之產生，並可防止封裝裂痕之產生，而可獲得高封裝可靠性。
亦即，本發明提供以下所示之導電連接材料，使用該導電連接材料的端子間之連接方法、連接端子之製造方法，以及使用該導電連接材料予以電性連接而成的電氣/電子零件等。
[1]　一種導電連接材料，其具有由樹脂組成物與選自焊料箔或錫箔之金屬箔所構成的積層構造，並且其依據ASTM規格E2039在前述金屬箔之熔點施加頻率10000 Hz而測定之前述樹脂組成物之離子黏度之最小值為4至9。
[2]　如[1]記載之導電連接材料，其依據ASTM規格E2039在前述金屬箔之熔點施加頻率10000Hz而測定之前述樹脂組成物之離子黏度斜率之最大高峰係在開始測定後經過10秒以上後才出現者。
[3]　如[1]或[2]記載之導電連接材料，其從30℃以昇溫速度10℃/分鐘加熱至前述金屬箔之熔點為止所測定的前述樹脂組成物之熱重量減少率為5重量%以下。
[4]　如[1]至[3]中任一項記載之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係含有環氧樹脂及硬化劑者。
[5]　如[4]記載之導電連接材料，其中，前述硬化劑係含有選自酚(phenol)類、酸酐及胺化合物所成群組之至少1種者。
[6]　如[1]至[5]中任一項記載之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物復含有薄膜形成性樹脂。
[7]　如[6]記載之導電連接材料，其中，前述薄膜形成性樹脂之重量平均分子量為8,000至1,000,000。
[8]　如[6]或[7]記載之導電連接材料，其中，前述薄膜形成性樹脂係含有選自苯氧樹脂(phenoxy resin)、(甲基)丙烯酸系樹脂及聚醯亞胺樹脂所成群組之至少1種者。
[9]　如[1]至[8]中任一項記載之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係相對於樹脂組成物之全重量，含有環氧樹脂10至90重量%、硬化劑0.1至50重量%及薄膜形成性樹脂5至50重量%者。
[10]如[1]至[9]中任一項記載之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係包含具有助熔劑(flux)機能之化合物。
[11]如[10]記載之導電連接材料，其中，前述具有助熔劑機能之化合物係包含具有酚性羥基及/或羧基之化合物。
[12]如[10]或[11]記載之導電連接材料，其中，前述具有助熔劑機能之化合物係包含下述通式(1)所示之化合物：
HOOC-(CH2 )n-COOH　(1)
[式中，n為1至20之整數]。
[13]如[10]或[11]記載之導電連接材料，其中，前述具有助熔劑機能之化合物係包含下述通式(2)及/或(3)所示之化合物：
[式中，R1 至R5 分別獨立地為1價有機基，惟R1 至R5 之至少一者為羥基]
[式中，R6 至R20 分別獨立地為1價有機基，惟R6 至R20 之至少一者為羥基或羧基]。
[14]如[10]至[13]中任一項記載之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係相對於樹脂組成物之全重量，合計含有前述具有助熔劑機能之化合物1至50重量%者。
[15]如[1]至[14]中任一項記載之導電連接材料，其中，前述金屬箔之熔點為100℃至330℃。
[16]如[1]至[15]中任一項記載之導電連接材料，其含有由樹脂組成物層/金屬箔層/樹脂組成物層所構成之積層構造者。
[17]如[1]至[15]中任一項記載之導電連接材料，其含有由樹脂組成物層/金屬箔層所構成之積層構造者。
[18]一種端子間之連接方法，其包含下述步驟：將[1]至[17]中任一項記載之導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟；在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物之硬化未完成的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟；以及使前述樹脂組成物硬化的硬化步驟。
[19]一種端子間之連接方法，其包含下述步驟：將[1]至[17]中任一項記載之導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟；在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物軟化之溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟；以及使前述樹脂組成物固化的固化步驟。
[20]一種連接端子之製造方法，其包含下述步驟：將[1]至[17]中任一項記載之導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟；以及在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物之硬化未完成的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟。
[21]一種連接端子之製造方法，其包含下述步驟：將[1]至[17]中任一項記載之導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟；在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物軟化的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟；以及使前述樹脂組成物固化的固化步驟。
[22]一種附有導電連接材料之電子構件，其係將[1]至[17]中任一項記載之導電連接材料接著於電子構件之電性連接面而成者。
[23]一種電氣/電子零件，其係使用[1]至[17]中任一項記載之導電連接材料將電子構件間予以電性連接而成者。
藉由使用本發明之導電連接材料，而使焊料或錫容易往相對向之端子間凝集，可獲得良好之電性連接。此外，由於使用金屬箔，故可抑制導電性粒子殘留在絕緣性區域之情形，而可獲得高絕緣可靠性。若依據本發明之較佳態樣，則亦可將半導體裝置等的微細配線電路中的多個端子間一起予以連接。又，藉由使用本發明之導電連接材料，即可在電子構件之電極上以簡便之方法來製造連接端子。
以下，分別具體說明本發明之導電連接材料、使用該導電連接材料的端子間之連接方法、連接端子之製造方法以及使用該導電連接材料予以電性連接而成的電氣/電子零件等。
1.導電連接材料
本發明之導電連接材料係由樹脂組成物與選自焊料箔或錫箔之金屬箔所構成。其型態係具有由樹脂組成物層與金屬箔層所構成之多層構造的積層體，樹脂組成物層及金屬箔層分別可為一層或複數層。導電連接材料之積層構造並無特別限制，可為樹脂組成物層與金屬箔層之二層構造(樹脂組成物層/金屬箔層)，亦可為含有複數層樹脂組成物層或金屬箔層之任一者或兩者的三層構造或其以上之多層構造。又，當使用複數層樹脂組成物層或金屬箔層時，各層之組成可為相同，亦可為不同。
在本發明之一實施型態中，從使用具有助熔劑機能之化合物將金屬箔之表面氧化膜予以還原的觀點來看，以金屬箔層之上下層為樹脂組成物層為佳。例如以三層構造(樹脂組成物層/金屬箔層/樹脂組成物層)為佳。此時，位於金屬箔層兩側的樹脂組成物層的厚度可為相同，亦可為不同。樹脂組成物層之厚度，只要依據欲連接之端子的導體厚度等而適當調整即可。例如，當使用位於金屬箔層兩側之樹脂組成物層之厚度不同的導電連接材料來製造連接端子時，以將厚度較薄者配置於連接端子側(電極側)為佳。藉由縮短金屬箔與連接端子之距離，而使焊料或錫成分往連接端子部分之凝集更易於控制。
在本發明之其他實施型態中，例如在半導體晶圓等電子構件製造連接端子時，導電連接材料若只在金屬箔層之單側具有樹脂組成物層，則可使金屬箔之一部分露出，因而為較佳。當使用二層構造之導電連接材料來將相對向之連接端子彼此予以連接時，可配置成使樹脂組成物層側與連接端子相接，亦可配置成使金屬箔層側與連接端子相接。當使用二層構造之導電連接材料來將相對向之電子構件之連接端子彼此予以連接時，較佳係將該導電連接材料貼附於相對向之電子構件雙方，然後將附有導電連接材料之電子構件予以貼合。導電連接材料之配置方向只要依據金屬箔之圖案形狀而適當選擇即可。
其次，分別說明本發明所用之樹脂組成物及金屬箔。
(1)樹脂組成物
在本發明中，就構成樹脂組成物層之樹脂組成物而言，係使用下述者：依據ASTM規格E2039在前述金屬箔之熔點施加頻率10000Hz而測定之前述樹脂組成物之離子黏度之最小值為4至9者。樹脂組成物之上述測定條件的離子黏度之最小值係以4.5以上為佳，以5以上為較佳，以5.5以上為更佳，並以8.5以下為佳，以8.2以下為較佳，以8以下為更佳。在金屬箔之熔點，離子黏度之最小值若為上述範圍，則在電氣/電子零件之安裝時，可抑制樹脂組成物之滲出(bleed)，同時亦使焊料或錫容易往端子間凝集，而可使導電性區域之形成變更容易。另一方面，可抑制焊料或錫殘留在絕緣性區域中之情形，獲得高絕緣可靠性。
在本發明中，藉由介電分析而求得之樹脂組成物之離子黏度之最小值若在上述範圍內，則導電連接材料所用之樹脂組成物會表現符合期望之活動狀況，基於此見解，如上述般以離子黏度之最小值規定樹脂組成物。在此，「介電分析」係指雖然樹脂組成物中之偶極(dipole)會相對於電場進行定向，但在樹脂組成物中作為雜質而存在之電荷離子會移動至反向之極性電極，利用該性質，從偶極之排列(alignment)與離子移動度的變化來分析樹脂組成物之硬化狀況或熔融狀態之狀況。
在本發明中，離子黏度係依據ASTM規格E2039在金屬箔之熔點施加頻率10000Hz而測定。具體而言，當樹脂組成物在常溫下為固形狀時，係使用NETZSCH公司製之DEA231/1 cure analyzer作為介電分析裝置本體，並使用NETZSCH公司製之MP235 Mini-Press作為加壓器進行測定。當樹脂組成物在常溫下為液狀時，係使用NETZSCH公司製之DEA231/1 cure analyzer作為介電分析裝置本體，在介電測定感測器(NETZSCH公司製，036S-IDEX)上塗佈樹脂組成物後，以烤爐進行加熱而進行測定。
藉由將樹脂組成物中之高分子成分(例如薄膜形成性樹脂等)之重量平均分子量或調配量予以適當調整，即可將離子黏度之最小值調整成上述範圍內。例如，以將固形狀之樹脂組成物所使用之薄膜形成性樹脂之重量平均分子量調整成8,000至1,000,000為佳，相對於樹脂組成物之全重量，調配量以設成5至50重量%為佳。
在本發明之一實施型態中，當使用硬化性樹脂組成物作為樹脂組成物時，較佳係使用下述者：依據ASTM規格E2039在前述金屬箔之熔點施加頻率10000Hz而測定之前述硬化性樹脂組成物之離子黏度斜率之最大高峰係在開始測定後經過10秒以上後才出現者。
離子黏度斜率之最大高峰係顯示硬化性樹脂組成物之硬化反應達到最大之區域。若為在金屬箔之熔點在經過10秒以上後才出現此最大高峰者，則在進行硬化性樹脂組成物之硬化前，焊料或錫即可充分地移動，而可防止焊料或錫殘留在絕緣性區域中。離子黏度斜率之最大高峰係以在開始測定後經過15秒後才出現為較佳，以經過20秒後才出現為更佳，以經過30秒後才出現為特佳。此外，從生產性之觀點來看，以開始測定後在1000秒以內出現為佳，以在800秒以內出現為較佳，以在600秒以內出現為更佳。
在本發明中，離子黏度斜率係藉由離子黏度之微分值而求得。
為了將離子黏度斜率之最大高峰調整成在上述範圍內，以適當調整樹脂組成物中之硬化劑或硬化促進劑之種類與調配量為佳。例如，當使用酚酚醛樹脂(phenol novolac resin)作為硬化劑時，相對於樹脂組成物之全重量，調配量係以設為1至50重量%為佳。又，例如使用咪唑化合物作為硬化促進劑時，相對於樹脂組成物之全重量，調配量以設為0.001至1重量%為佳。
此外，就本發明所用之樹脂組成物而言，較佳係從30℃以昇溫速度10℃/分鐘加熱至前述金屬箔之熔點為止而測定的前述樹脂組成物的熱重量減少率為5重量%以下者。熱重量減少率係以4.5重量%以下為佳，以4重量%以下為較佳，以3重量%以下為更佳。藉由將樹脂組成物之熱重量減少率壓低在5重量%以下，即可抑制由釋氣所造成之污染或空隙之產生，並可防止封裝裂痕之產生。
在本發明中，熱重量減少率係可藉由使用熱天秤(商品名：示差熱/熱重量同時測定裝置，型號「TG/DTA 6200」，Seiko Instruments(股)製)進行測定。
為了將熱重量減少率調整成在上述範圍內，以將樹脂組成物中之低分子成分(例如為了調整黏度而使用之稀釋劑或偶合劑)的沸點及含量調整成適當範圍為佳。樹脂組成物所含有之低分子成分之沸點係以120℃以上為佳，以150℃以上為較佳，以180℃以上為更佳。此外，相對於樹脂組成物之全重量，低分子成分之含量係以20重量%以下為佳，以10重量%以下為較佳，以5重量%以下為更佳。
本發明所使用之樹脂組成物在常溫下可為液狀或固形狀之任一型態。在此，「在常溫下為液狀」係指在常溫(25℃)下不具有一定型態之狀態。液狀亦包括糊膏狀。
在本發明中，就樹脂組成物而言，可使用硬化性樹脂組成物及熱塑性樹脂組成物之任一者。本發明所用之硬化性樹脂組成物可列舉如藉由加熱或照射化學射線而硬化者等。從硬化後之線膨張率或彈性模數(elastic modulus)等機械特性優良之觀點來看，以熱硬化性樹脂組成物為佳。本發明所用之熱塑性樹脂組成物只要是藉由加熱到預定溫度即具有可成形之程度的柔軟性者，即無特別限制。
(a)硬化性樹脂組成物
在本發明所用之硬化性樹脂組成物中，除了硬化性樹脂以外，因應需要可含有薄膜形成性樹脂、硬化劑、硬化促進劑、具有助熔劑機能之化合物、矽烷偶合劑等。
(i)硬化性樹脂
本發明所用之硬化性樹脂，通常只要是可作為半導體裝置製造用接著劑成分而使用者，即無特別限制。例如，可列舉如環氧樹脂、苯氧樹脂、聚矽氧(silicone)樹脂、氧雜環丁烷(oxetane)樹脂、酚樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚酯樹脂(不飽和聚酯樹脂)、酞酸二烯丙酯(diallyl phthalate)樹脂、馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂(聚醯亞胺前驅物樹脂)、雙馬來醯亞胺-三樹脂等。尤其以使用含有選自環氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯樹脂、苯氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三樹脂所成群組之至少1種的熱硬化性樹脂為佳。其中，從硬化性與保存性、硬化物之耐熱性、耐濕性、耐化學藥品性優良之觀點來看，以使用環氧樹脂為佳。此等硬化性樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
硬化性樹脂之含量可因應硬化性樹脂組成物之型態而適當設定。
例如，當硬化性樹脂組成物為液狀時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，硬化性樹脂之含量係以10重量%以上為佳，以15重量%以上為較佳，以20重量%以上為更佳，以25重量%以上為又更佳，以30重量%以上為特佳，以35重量%以上為最佳。又，以未達100重量%為佳，以95重量%以下為較佳，以90重量%以下為更佳，以75重量%以下為又更佳，以65重量%以下為特佳，以55重量%以下為最佳。
當硬化性樹脂組成物為固形狀時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，硬化性樹脂之含量係以5重量%以上為佳，以10重量%以上為較佳，以15重量%以上為更佳，以20重量%以上為特佳。又，以90重量%以下為佳，以85重量%以下為較佳，以80重量%以下為更佳，以75重量%以下為又更佳，以65重量%以下為特佳，以55重量%以下為最佳。
硬化性樹脂之含量若在前述範圍內，則可充分確保端子間之電性連接強度及機械性接著強度。
在本發明中，可使用在室溫下為液狀及在室溫下為固形狀之任一種環氧樹脂。亦可併用在室溫下為液狀之環氧樹脂與在室溫下為固形狀之環氧樹脂。當硬化性樹脂組成物為液狀時，以使用在室溫下為液狀之環氧樹脂為佳，當硬化性樹脂組成物為固形狀時，雖可使用液狀及固形狀之任一種環氧樹脂，但當使用固形狀之環氧樹脂時以適當併用薄膜形成性樹脂為佳。
在室溫(25℃)下為液狀之環氧樹脂，較佳例可列舉如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等。亦可併用雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂。
在室溫下為液狀之環氧樹脂的環氧當量係以150至300g/eq為佳，以160至250g/eq為較佳，以170至220g/eq為特佳。前述環氧當量若未達上述下限，則硬化物之收縮率會有變大之傾向，有發生翹曲之情形。另一方面，若超過前述上限，則當併用薄膜形成性樹脂時，與薄膜形成性樹脂(尤其是聚醯亞胺樹脂)之反應性有降低之傾向。
在室溫(25℃)下為固形狀之環氧樹脂，可列舉如雙酚A型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛(cresol novolac)型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、3官能環氧樹脂、4官能環氧樹脂等。其中，以固形3官能環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂等為較佳。此等環氧樹脂可單圖使用1種，亦可併用2種以上。
室溫下為固形狀之環氧樹脂的環氧當量係以150至3000g/eq為佳，以160至2500g/eq為較佳，以170至2000g/eq為特佳。
室溫下為固形狀之環氧樹脂的軟化點係以40至120℃為佳，以50至110℃為較佳，以60至100℃為特佳。當前述軟化點在前述範圍內時，可抑制黏性(tackiness)，而可容易處理。
當使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，其含量可因應硬化性樹脂組成物之型態而適當設定。
例如，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，環氧樹脂之含量係以10重量%以上為佳，以15重量%以上為較佳，以20重量%以上為更佳，以25重量%以上為又更佳，以30重量%以上為特佳，以35重量%以上為最佳。又，以90重量%以下為佳，以85重量%以下為較佳，以80重量%以下為更佳，以75重量%以下為又更佳，以65重量%以下為特佳，以55重量%以下為最佳。
當環氧樹脂之含量在前述範圍內時，可充分確保端子間之電性連接強度及機械性接著強度。
(ii)薄膜形成性樹脂
當使用固形狀之硬化性樹脂組成物時，以併用前述硬化性樹脂與薄膜形成性樹脂為佳。本發明所使用之薄膜形成性樹脂，只要是可溶於有機溶媒且單獨具有製膜性者，即無特別限制。可使用熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂之任一者，此外，亦可併用此等。具體而言，薄膜形成性樹脂可列舉如(甲基)丙烯酸系樹脂、苯氧樹脂、聚酯樹脂(飽和聚酯樹脂)、聚胺酯(polyurethane)樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷改質聚醯亞胺樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丙烯樹脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、聚縮醛(polyacetal)樹脂、聚乙烯縮丁醛(polyvinyl butyral)樹脂、聚乙烯縮乙醛(polyvinyl acetal)樹脂、丁基橡膠(butyl rubber)、氯丁二烯橡膠(chloroprene rubber)、聚醯胺樹脂、丙烯腈(acrylonitrile)-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙酸乙烯酯、尼龍(nylon)等。其中，以(甲基)丙烯酸系樹脂、苯氧樹脂、聚酯樹脂及聚醯亞胺樹脂為佳。薄膜形成性樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
又，在本說明書中，「(甲基)丙烯酸系樹脂」係指(甲基)丙烯酸及其衍生物之聚合物、或是(甲基)丙烯酸及其衍生物與其他單體之共聚物。當標記為「(甲基)丙烯酸」等時，係意指「丙烯酸或甲基丙烯酸」等。
本發明所用之(甲基)丙烯酸系樹脂可列舉如：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸；聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸丁酯、聚丙烯酸-2-乙基己酯等聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯等聚甲基丙烯酸酯；聚丙烯腈、聚甲基丙烯腈、聚丙烯醯胺、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、丙烯腈-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-α-甲基苯乙烯共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-甲基丙烯酸2-羥基乙酯-甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈-甲基丙烯酸2-羥基乙酯-丙烯酸共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯腈-甲基丙烯酸2-羥基乙酯共聚物、丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸共聚物、丙烯酸乙酯-丙烯腈-N,N-二甲基丙烯醯胺共聚物等。其中以丙烯酸丁酯-丙烯酸乙酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸乙酯-丙烯腈-N,N-二甲基丙烯醯胺共聚物為佳。此等(甲基)丙烯酸系樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
此等(甲基)丙烯酸系樹脂中，從可提升與被黏體之密著性及與其他樹脂成分之相溶性的觀點來看，以使具有腈基、環氧基、羥基、羧基等官能基之單體進行共聚合而得的(甲基)丙烯酸系樹脂為佳。在如此之(甲基)丙烯酸系樹脂中，前述具有官能基之單體的含量雖無特別限定，但相對於(甲基)丙烯酸系樹脂合成時之全單體100莫耳%，以0.1至50莫耳%為佳，以0.5至45莫耳%為更佳，以1至40莫耳%為特佳。前述具有官能基之單體的含量若未達前述下限值，則有密著性不充分提升之傾向，另一方面，若超過前述上限，則黏著力會太強，而有作業性不充分提升之傾向。
本發明所用之苯氧樹脂的骨架並無特別限制，較佳例可列舉如雙酚A型、雙酚F型、聯苯型等。飽和吸水率為1%以下之苯氧樹脂，係因可在接著時或焊料安裝時之高溫下抑制發泡或剝離等發生，而為較佳。又，飽和吸水率係可藉由將苯氧樹脂加工成25μm厚之薄膜，在100℃環境中進行1小時之乾燥(絕乾(absolute dry)狀態)，然後將該薄膜放置於40℃、90% RH環境之恒溫恒濕槽中，每隔24小時測定其質量變化，使用當質量變化達到飽和之時間點的質量，並依據下述式而計算出。
飽和吸水率(％)＝{(飽和時之質量)-(絕乾時之質量)}/(絕乾時之質量)×100
本發明所用之聚醯亞胺樹脂，只要是重複單元中具有醯亞胺鍵之樹脂，即無特別限制。可列舉如：使二胺與酸二酐反應，並將所得之聚醯胺酸予以加熱、脫水閉環而獲得者。
前述二胺可列舉如：3,3’-二甲基-4,4’-二胺基二苯基、4，6-二甲基-間苯二胺、2，5-二甲基-對苯二胺等芳香族二胺；1,3-雙(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷等矽氧烷二胺。二胺係可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
此外，前述酸二酐可列舉如3,3’,4,4’-聯苯四羧酸、均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride)、4,4’-氧基二酞酸二酐等。酸二酐可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
聚醯亞胺樹脂雖可為可溶於溶劑者或不溶於溶劑者，但從在與其他成分混合時容易予以清漆化且使其處理性優良的觀點來看，以具有溶劑可溶性者為佳。尤其是從可溶解於各式各樣之有機溶媒的觀點來看，以使用矽氧烷改質聚醯亞胺樹脂為佳。
本發明所用之薄膜形成性樹脂之重量平均分子量係以8,000至1,000,000為佳，以8,500至950,000為較佳，以9,000至900,000為更佳。薄膜形成性樹脂之重量平均分子量若在上述範圍中，即可提升製膜性，且可抑制硬化前之導電連接材料之流動性。又，薄膜形成性樹脂之重量平均分子量係可藉由GPC(凝膠滲透層析法)而進行測定。
在本發明中，如此之薄膜形成性樹脂可使用市售品。並且，在不損及本發明之效果的範圍內，亦可使用於薄膜形成性樹脂中調配有可塑劑、安定劑、無機填料、抗靜電劑或顏料等各種添加劑而成者。
在本發明所用之導電連接材料中，前述薄膜形成性樹脂之含量可因應所使用之硬化性樹脂組成物之型態而適當設定。
例如，當其為固形狀之硬化性樹脂組成物時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，薄膜形成性樹脂之含量係以5重量%以上為佳，以10重量%以上為更佳，以15重量%以上為特佳。此外，以50重量%以下為佳，以45重量%以下為更佳，以40重量%以下為特佳。薄膜形成性樹脂之含量若在前述範圍內，即可抑制熔融前之硬化性樹脂組成物之流動性，而使導電連接材料可容易處理。
(iii)硬化劑
本發明所用之硬化劑的較佳例可列舉如酚類、酸酐及胺化合物。硬化劑可因應硬化性樹脂之種類等而適當選擇。例如，當使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，從獲得與環氧樹脂之良好反應性、硬化時之低尺寸變化及硬化後之適當物性(例如耐熱性、耐濕性等)的觀點來看，以使用酚類作為硬化劑為較佳，從硬化性樹脂硬化後之物性優良的觀點來看，以2官能以上之酚類為更佳。又，如此之硬化劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
酚類可列舉如雙酚A、四甲基雙酚A、二烯丙基雙酚A、聯酚(biphenol)、雙酚F、二烯丙基雙酚F、參酚(trisphenol)、肆酚(tetrakisphenol)、酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂等。其中，從與環氧樹脂之反應性良好且硬化後之物性優良的觀點來看，以酚酚醛樹脂及甲酚酚醛樹脂為較佳。
關於硬化劑之含量，可依據所使用之硬化性樹脂或硬化劑之種類、以及當後述具有助熔劑機能之化合物具備會發揮硬化劑機能之官能基時的該官能基之種類或使用量，而予以適當選擇。
例如，當使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，硬化劑之含量係以0.1至50重量%為佳，以0.2至40重量%為更佳，以0.5至30重量%為特佳。硬化劑之含量若在前述範圍內，則可充分確保端子間之電性連接強度及機械性接著強度。
在本發明中，以使用酚酚醛樹脂作為硬化劑為佳。例如，當使用酚酚醛樹脂時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，其含量係以1重量%以上為佳，以3重量%以上為較佳，以5重量%以上為特佳，又，以50重量%以下為佳，以40重量%以下為更佳，以30重量%以下為特佳。酚酚醛樹脂之含量若未達前述下限，則硬化性樹脂有不充分硬化之傾向，另一方面，若超過前述上限，則未反應之酚酚醛樹脂會殘留，而有容易發生離子遷移(ion migration)之傾向。
當使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，酚酚醛樹脂之含量係可依據相對於環氧樹脂之當量比而予以規定。例如，相對於環氧樹脂之酚酚醛樹脂之當量比係以0.5至1.2為佳，以0.6至1.1為更佳，以0.7至0.98為特佳。前述當量比若未達前述下限，則環氧樹脂硬化後之耐熱性、耐濕性會有容易降低之傾向，另一方面，若超過前述上限，則未反應之酚酚醛樹脂會殘留，而有容易發生離子遷移之傾向。
(iv)硬化促進劑
本發明所用之硬化促進劑可列舉如咪唑、2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑(2-undecylimidazole)、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、偏苯三甲酸1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓鹽、偏苯三甲酸1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓鹽、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1’)]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4-甲基咪唑基(1’)]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]-乙基-均三之異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑之異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑之異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基二甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑化合物。
在此等硬化促進劑中，從在硬化性樹脂組成物之硬化完成前焊料或錫可往端子表面移動的觀點來看，以熔點為150℃以上之咪唑化合物為佳。熔點為150℃以上之咪唑化合物可列舉如2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑基(1’)]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4-甲基咪唑基(1’)]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基(1’)]-乙基-均三之異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑之異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基二甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等。硬化促進劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
硬化促進劑之含量可因應所使用之硬化促進劑之種類而適當設定。
例如，當使用咪唑化合物時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，咪唑化合物之含量係以0.001重量%以上為佳，以0.003重量%以上為更佳，以0.005重量%以上為特佳。又，以1.0重量%以下為佳，以0.7重量%以下為更佳，以0.5重量%以下為特佳。咪唑化合物之含量若未達前述下限，則不會充分發揮作為硬化促進劑之作用，而有無法充分使硬化性樹脂組成物硬化之情形。另一方面，若咪唑化合物之含量超過前述上限，則在硬化性樹脂組成物之硬化完成前，焊料或錫不會充分移動至端子表面，焊料或錫會殘留在絕緣性區域，而有無法充分確保絕緣性之情形。此外，導電連接材料之保存安定性有降低之情形。
(V)具有助熔劑機能之化合物
本發明所用的具有助熔劑機能之化合物，係具有將端子及金屬箔之表面氧化膜等金屬氧化膜予以還原的作用者。例如，具有助熔劑機能之化合物係以具有酚性羥基及/或羧基之化合物為佳。具有酚性羥基之化合物可列舉如：酚(phenol)、鄰甲酚、2,6-茬酚(2,6-xylenol)、對甲酚、間甲酚、鄰乙基酚、2,4-茬酚、2,5-茬酚、間乙基酚、2,3-茬酚、2,4,6-三甲基酚(mesitol)、3,5-茬酚、對第三丁基酚、兒茶酚(catechol)、對第三戊基酚、間苯二酚(resorcinol)、對辛基酚、對苯基酚、雙酚F、雙酚AF、聯酚、二烯丙基雙酚F、二烯丙基雙酚A、參酚、肆酚等含有酚性羥基之單體類；酚酚醛樹脂、鄰甲基酚酚醛樹脂、雙酚F酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等含有酚性羥基之樹脂。
具有羧基之化合物可列舉如脂肪族酸酐、脂環式酸酐、芳香族酸酐、脂肪族羧酸、芳香族羧酸等。前述脂肪族酸酐可列舉如無水琥珀酸、聚己二酸酐、聚壬二酸酐、聚癸二酸酐等。前述脂環式酸酐可列舉如甲基四氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、甲基納迪克酸酐(methyl Himic anhydride)、六氫酞酸酐、四氫酞酸酐、三烷基四氫酞酸酐、甲基環己烯二羧酸酐等。前述芳香族酸酐可列舉如酞酸酐、偏苯三甲酸酐(trimellitic anhydride)、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、乙二醇雙偏苯三甲酸酯、甘油參偏苯三甲酸酯等。
前述脂肪族羧酸可列舉如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、三甲基乙酸(pivalic acid)、己酸、辛酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、油酸、富馬酸、馬來酸、乙二酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、庚二酸等。其中，以下述式(1)所示之脂肪族羧酸為佳：
HOOC-(CH2 )n -COOH　(1)
(式(1)中，n為1至20之整數)
，以己二酸、癸二酸、十二烷二酸為更佳。
芳香族羧酸之構造並無特別限制，以下述式(2)或(3)所示之化合物為佳：
[式中，R1 至R5 分別獨立地為1價有機基，R1 至R5 之至少一者為羥基]
[式中，R6 至R20 分別獨立地為1價有機基，R6 至R20 之至少一者為羥基或羧基]。
芳香族羧酸可列舉如：苯甲酸、酞酸、間酞酸、對酞酸、1,2,3-苯三甲酸(Hemimellitic acid)、偏苯三甲酸(trimellitic acid)、均苯三甲酸(trimesic acid)、偏苯四甲酸(mellophanic acid)、1,2,3,4-苯四甲酸(prehnitic acid)、均苯四甲酸(pyromellitic acid)、苯六甲酸(mellitic acid)、茬甲酸(xylic acid)、2,3-二甲基苯甲酸(Hemellitic acid)、3,5-二甲基苯甲酸(mesitylenic acid)、2,3,4-三甲基苯甲酸(prehnitylic acid)、甲基苯甲酸(toluic acid)、桂皮酸、水楊酸、2,3-二羥基苯甲酸、2,4-二羥基苯甲酸、龍膽酸(gentisic acid，亦即2,5-二羥基苯甲酸)、2,6-二羥基苯甲酸、3,5-二羥基苯甲酸、沒食子酸(gallic acid，亦即3,4,5-三羥基苯甲酸)等苯甲酸衍生物；1,4-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物；酸式酚酞(phenolphthalin)；雙酚酸(diphenolic acid)等。
此等之中，於本發明，係以不僅具有助熔劑機能且亦可作為硬化性樹脂之硬化劑而發揮作用的化合物為佳。亦即，本發明所用的具有助熔劑機能之化合物係以使用下述者為佳：顯示將金屬箔及端子等金屬之表面氧化膜予以還原的作用，且具有可與硬化性樹脂反應之官能基的化合物。該官能基係依據硬化性樹脂之種類而適當選擇。例如，當使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，該官能基係以羧基、羥基及胺基等可與環氧基反應之官能基為佳。由於具有助熔劑機能之化合物亦作為硬化劑而發揮作用，故會將金屬箔及端子等金屬之表面氧化膜予以還原而提高金屬表面之濕潤性，使導電性區域更易於形成，同時在形成導電性區域後，可加成於硬化性樹脂而提高樹脂之彈性模數或Tg。此外，由於具有助熔劑機能之化合物會作為硬化劑而發揮作用，故有不需要進行助熔劑洗淨，而可抑制因助熔劑成分殘留所造成之離子遷移之發生等優點。
如此的具有助熔劑機能之化合物，係以具有至少1個羧基為佳。例如，使用環氧樹脂作為硬化性樹脂時，該化合物可列舉如脂肪族二羧酸或具有羧基與酚性羥基之化合物等。
脂肪族二羧酸之較佳例可列舉如在脂肪族烴基結合有2個羧基之化合物。脂肪族烴基可為飽和或不飽和之非環式，亦可為飽和或不飽和之環式。此外，當脂肪族烴基為非環式時，可為直鏈狀或分支狀。
如此之脂肪族二羧酸的較佳例，可列舉如前述式(1)中之n為1至20之整數的化合物。前述式(1)中之n若在上述範圍內，則會成為助熔劑活性、接著時之釋氣、導電連接材料硬化後之彈性模數及玻璃轉移溫度的平衡良好者。尤其是由於可抑制導電連接材料硬化後之彈性模數之增加、並提升與被接著物之接著性，故n係以3以上為更佳。此外，由於可抑制彈性模數之降低、並更加提升連接可靠性，故n係以10以下為更佳。
前述式(1)所示之脂肪族二羧酸可列舉如戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、十一烷二酸、十二烷二酸、十三烷二酸、十四烷二酸、十五烷二酸、十八烷二酸、十九烷二酸、二十烷二酸等。其中，以己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸為佳，以癸二酸為特佳。
前述具有羧基與酚性羥基之化合物，可列舉如水楊酸、2,3-二羥基苯甲酸、2,4-二羥基苯甲酸、龍膽酸(亦即2,5-二羥基苯甲酸)、2,6-二羥基苯甲酸、3,4-二羥基苯甲酸、沒食子酸(亦即3,4,5-三羥基苯甲酸)等苯甲酸衍生物；1,4-二羥基-2-萘甲酸、3,5-二羥基-2-萘甲酸等萘甲酸衍生物；酸式酚酞；雙酚酸等。其中，以酸式酚酞、龍膽酸、2,4-二羥基苯甲酸、2,6-二羥基苯甲酸為佳，以酸式酚酞、龍膽酸為特佳。
具有助熔劑機能之化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。此外，由於任一化合物皆容易吸濕而會成為產生空隙之原因，故具有助熔劑機能之化合物係以在使用前預先經乾燥為佳。
具有助熔劑機能之化合物的含量可依據所使用之樹脂組成物之型態而適當設定。
例如，當樹脂組成物為液狀時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，具有助熔劑機能之化合物的含量係以1重量%以上為佳，以2重量%以上為更佳，以3重量%以上為特佳。又，以50重量%以下為佳，以40重量%以下為更佳，以30重量%以下為又更佳，以25重量%以下為特佳。
當其為固形狀之樹脂組成物時，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，具有助熔劑機能之化合物的含量係以1重量%以上為佳，以2重量%以上為更佳，以3重量%以上為特佳。又，以50重量%以下為佳，以40重量%以下為更佳，以30重量%以下為又更佳，以25重量%以下為特佳。
具有助熔劑機能之化合物的含量若在上述範圍內，即可將金屬箔及端子之表面氧化膜去除到可進行電性接合之程度。並且，當樹脂組成物為硬化性樹脂時，在硬化時，可有效率地加成至樹脂而提高樹脂之彈性模數或Tg。此外，可抑制因未反應之具有助熔劑機能之化合物所造成之離子遷移之發生。
(Vi)矽烷偶合劑
本發明所用之矽烷偶合劑可列舉如環氧矽烷偶合劑、含有芳香族之胺基矽烷偶合劑等。藉由添加矽烷偶合劑，可提高接合構件與導電連接材料之密著性。矽烷偶合劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
矽烷偶合劑之含量可因應接合構件或硬化性樹脂等之種類而適當選擇。例如，相對於硬化性樹脂組成物之全重量，矽烷偶合劑之含量係以0.01重量%以上為佳，以0.05重量%以上為更佳，以0.1重量%以上為特佳，又，以2重量%以下為佳，以1.5重量%以下為更佳，以1重量%以下為特佳。
本發明所用之硬化性樹脂組成物中，在不損及本發明之效果的範圍內，亦可調配可塑劑、安定劑、黏著賦予劑、潤滑劑、抗氧化劑、無機填料、填充劑、抗靜電劑及顏料等。
在本發明中，前述硬化性樹脂組成物係可藉由將上述各成分予以混合、分散而調製。各成分之混合方法或分散方法並無特別限定，可依據以往公知之方法進行混合、分散。
此外，在本發明中，亦可將前述各成分在溶媒中或無溶媒下進行混合而調製液狀之硬化性樹脂組成物。此時所用之溶媒只要是對各成分為不活性者即無特別限定，可列舉如：丙酮、甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)、二異丁基酮(DIBK)、環己酮、二丙酮醇(DAA)等酮類；苯、二甲苯、甲苯等芳香族烴類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇等醇類；甲基溶纖劑(methyl cellosolve)、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯(methyl cellosolve acetate)、乙基溶纖劑乙酸酯等溶纖劑(cellosolve)類；N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、四氫呋喃(THF)、二甲基甲醯胺(DMF)、二元酸酯(DBE)、3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)、碳酸二甲酯(DMC)等。此外，溶媒之使用量係以使混合至溶媒中之成分之固形分濃度成為10至60重量%的量為佳。
(b)熱塑性樹脂組成物
在本發明中，亦可使用熱塑性樹脂組成物作為樹脂組成物。
本發明所用之熱塑性樹脂組成物中，除了熱塑性樹脂以外，亦可因應需要而含有具有助熔劑機能之化合物、矽烷偶合劑等。
(i)熱塑性樹脂
本發明所用之熱塑性樹脂可列舉如乙酸乙烯酯系、聚乙烯醇樹脂、氯乙烯樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、苯氧樹脂、聚酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷改質聚醯亞胺樹脂、聚丁二烯樹脂、丙烯酸系樹脂、苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚醯胺樹脂、纖維素樹脂、異丁烯樹脂、乙烯醚樹脂、液晶聚合物樹脂、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)樹脂、聚苯醚(polyphenylene ether)樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚胺酯樹脂、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物、聚縮醛樹脂、聚乙烯縮丁醛樹脂、聚乙烯縮乙醛樹脂、丁基橡膠、氯丁二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯-丙烯酸共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙酸乙烯酯等。熱塑性樹脂可為單一之聚合物，亦可為上述熱塑性樹脂之2種以上之共聚物。
熱塑性樹脂之軟化點並無特別限制，但以比構成導電連接材料之前述金屬箔之熔點低10℃以上為佳，以低20℃以上為較佳，以低30℃以上為特佳。
此外，熱塑性樹脂之分解溫度並無特別限制，但以比構成導電連接材料之金屬箔之熔點高10℃以上為佳，以高20℃以上為較佳，以高30℃以上為特佳。
熱塑性樹脂之含量係可因應所使用之熱塑性樹脂組成物之型態而適當設定。
例如，當熱塑性樹脂組成物為液狀時，相對於熱塑性樹脂組成物之全重量，熱塑性樹脂之含量係以10重量%以上為佳，以15重量%以上為較佳，以20重量%以上為更佳，以25重量%以上為又更佳，以30重量%以上為特佳，以35重量%以上為最佳。又，以100重量%以下為佳，以95重量%以下為較佳，以90重量%以下為更佳，以75重量%以下為又更佳，以65重量%以下為特佳，以55重量%以下為最佳。
當熱塑性樹脂組成物為固形狀時，相對於熱塑性樹脂組成物之全重量，熱塑性樹脂之含量係以5重量%以上為佳，以10重量%以上為較佳，以15重量%以上為更佳，以20重量%以上為特佳。又，以90重量%以下為佳，以85重量%以下為較佳，以80重量%以下為更佳，以75重量%以下為又更佳，以65重量%以下為特佳，以55重量%以下為特佳。
熱塑性樹脂之含量若在上述範圍內，則可充分確保端子間之電性連接強度及機械性接著強度。
(ii)其他添加劑
本發明之熱塑性樹脂組成物所用的具有助熔劑機能之化合物、矽烷偶合劑、其他添加劑係可使用與前述「(a)硬化性樹脂組成物」中所說明者相同之物。各成分之含量、較佳化合物及調製方法亦與硬化性樹脂組成物所說明者同樣。
在本發明中，以使用硬化性樹脂組成物作為樹脂組成物為佳。其中，以相對於樹脂組成物之全重量，含有環氧樹脂10至90重量%、硬化劑0.1至50重量%、薄膜形成性樹脂5至50重量%及具有助熔劑機能之化合物1至50重量%者為較佳。此外，以相對於樹脂組成物之全重量，含有環氧樹脂20至80重量%、硬化劑0.2至40重量%、薄膜形成性樹脂10至45重量%及具有助熔劑機能之化合物2至40重量%者為更佳。又，以相對於樹脂組成物之全重量，含有環氧樹脂35至55重量%、硬化劑0.5至30重量%、薄膜形成性樹脂15至40重量%及具有助熔劑機能之化合物3至25重量%者為特佳。
本發明之導電連接材料中的樹脂組成物之含量係可因應樹脂組成物之型態而適當設定。
例如，當樹脂組成物為液狀時，相對於導電連接材料之全重量，樹脂組成物之含量係以10重量%以上為佳，以20重量%以上為較佳，以25重量%以上為特佳。又，以95重量%以下為佳，以80重量%以下為較佳，以75重量%以下為特佳。
當樹脂組成物為固形狀時，相對於導電連接材料之全重量，樹脂組成物之含量係以10重量%以上為佳，以15重量%以上為較佳，以20重量%以上為特佳。又，以95重量%以下為佳，以80重量%以下為較佳，以75重量%以下為特佳。
本發明之導電連接材料中，樹脂組成物層之各自之厚度並無特別限制，以1μm以上為佳，以3μm以上為較佳，以5μm以上為特佳。此外，樹脂組成物層之厚度係以200μm以下為佳，以150μm以下為較佳，以100μm以下為特佳。樹脂組成物層之厚度若在前述範圍內，即可在鄰接之端子間之間隙中充分填充樹脂組成物，而可充分確保樹脂組成物硬化後、固化後之機械性接著強度及相對向之端子間之電性連接，並亦可製造連接端子。
當本發明之導電連接材料含有複數層樹脂組成物層時，各樹脂組成物層之組成可為相同，亦可依據所用之樹脂成分之種類或調配配方之不同等而有所不同。樹脂組成物層之熔融黏度或軟化溫度等物性亦可相同或不同。例如亦可將液狀之樹脂組成物層與固形狀之樹脂組成物層予以組合使用。
(2)金屬箔
在本發明中，金屬箔層係由選自焊料箔或錫箔之金屬箔所構成之層。金屬箔層只要是從俯視來看為形成於樹脂組成物層之至少一部份即可，亦可形成於樹脂組成物層之全面。
金屬箔層之形狀並無特別限制，可由一定形狀重複而形成圖案狀，其形狀亦可為不規則。規則之形狀與不規則之形狀亦可混合存在。第1圖係表示金屬箔層之形狀之一例的平面示意圖。樹脂組成物層120上形成著具有各式各樣之形狀的金屬箔層110。金屬箔層之形狀可列舉如第1圖所示之空白虛線狀(a)、條紋狀(b)、圓珠狀(c)、矩形狀(d)、棋盤格紋狀(e)、框狀(f)、格子狀(g)或多重之框狀(h)等。此等形狀為一例，可因應目的或用途而組合此等形狀、或予以變形而使用。
在本發明之一實施態樣中，當將如於被黏體之連接面整體配置有欲連接之電極的全柵極(full grid)型被黏體予以連接時，係以在樹脂組成物之全面形成薄片狀之金屬箔為佳。
此外，當將於被黏體之連接面之週邊部分配置有欲連接之電極的週邊(peripheral)型被黏體予以連接時，從有效利用金屬箔之觀點、及在鄰接之電極間不使金屬箔殘留之觀點來看，係以在樹脂組成物之至少一部分形成重複圖案狀之金屬箔為佳。此時，金屬箔之形狀可依據電極之間距或型態等而適當選擇。
本發明所使用之金屬箔並無特別限制，係以由選自錫(Sn)、鉛(Pb)、銀(Ag)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、銻(Sb)、鐵(Fe)、鋁(Al)、金(Au)、鍺(Ge)及銅(Cu)所成群組之至少2種以上之金屬之合金、或錫單體所構成者為佳。
此等中，若考慮到熔融溫度及機械物性，則金屬箔係以由Sn-Pb合金、作為無鉛焊料之Sn-Bi合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-In合金、Sn-Ag合金等含有Sn之合金所構成的焊料箔為較佳。當使用Sn-Pb合金時，錫之含有率係以30重量%以上且未達100重量%為佳，以35重量%以上且未達100重量%為更佳，以40重量%以上且未達100重量%為特佳。此外，當其為無鉛焊料時，錫之含有率係以15重量%以上且未達100重量%為佳，以20重量%以上且未達100重量%為更佳，以25重量%以上且未達100重量%為特佳。就較佳例而言，Sn-Pb合金可列舉如Sn63-Pb(熔點183℃)，無鉛焊料可列舉如Sn-3.0Ag-0.5Cu(熔點217℃)、Sn-3.5Ag(熔點221℃)、Sn-58Bi(熔點139℃)、Sn-9.0Zn(熔點199℃)、Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In(熔點193℃)、Au-20Sn(熔點280℃)等。
金屬箔可因應欲連接之電子構件或半導體裝置之耐熱性而適當選擇。例如，在進行半導體裝置中之端子間連接時，為了防止半導體裝置之構件因熱履歷而受到損傷，以使用熔點為330℃以下(較佳為300℃以下，更佳為280℃以下，特佳為260℃以下)之金屬箔為佳。此外，為了確保端子間連接後之半導體裝置之耐熱性，以使用熔點為100℃以上(較佳為110℃以上，特佳為120℃以上)之金屬箔為佳。又，金屬箔之熔點可使用示差掃描熱量計(DSC)進行測定。
金屬箔之厚度係可因應相對向之端子間之間隔、鄰接之端子間之離隔距離等而適當選擇。例如，在進行半導體裝置中之半導體晶片、基板、半導體晶圓等之各連接端子間之連接時，金屬箔之厚度係以0.5μm以上為佳，以3μm以上為較佳，以5μm以上為特佳，又，以100μm以下為佳，以50μm以下為較佳，以20μm以下為特佳。金屬箔之厚度若未達前述下限，則因焊料或錫不足而使未連接之端子有增加之傾向，另一方面，若超過前述上限，則會因焊料或錫剩餘而在鄰接端子間產生電橋，有容易短路之傾向。
金屬箔之製作方法可列舉如：由鑄錠(ingot)等塊狀物以壓延而製作之方法；對樹脂組成物層進行直接蒸鍍、濺鍍、電鍍等而形成金屬箔層之方法。此外，重複圖案狀之金屬箔之製作方法可列舉如：將金屬箔予以打孔成預定圖案之方法；藉由蝕刻等而形成預定圖案之方法；藉由使用遮蔽板或遮罩等並以蒸鍍、濺鍍、電鍍等而形成之方法。
相對於導電連接材料之全重量，金屬箔之含量係以5重量%以上為佳，以20重量%以上為較佳，以30重量%以上為特佳。此外，以未達100重量%為佳，以80重量%以下為較佳，以70重量%以下為特佳。金屬箔之含量若未達上述下限，則會因焊料或錫不足而有使未連接之端子增加的情形。另一方面，金屬箔之含量若超過上述上限，則會因焊料或錫剩餘而使鄰接端子間容易產生電橋。
或者是，亦可以相對於導電連接材料之體積比率來定義金屬箔之含量。例如，相對於導電連接材料，金屬箔之含量係以1體積%以上為佳，以5體積%以上為較佳，以10體積%以上為特佳。又，以90體積%以下為佳，以80體積%以下為較佳，以70體積%以下為特佳。金屬箔之含量若未達上述下限，則會因焊料或錫不足而有使未連接之端子增加的情形。另一方面，金屬箔之含量若超過上述上限，則會因焊料或錫剩餘而使鄰接端子間容易發生電橋。
在本發明中，導電連接材料之型態係可因應樹脂組成物之型態等而適當選擇。例如，當樹脂組成物為液狀時，可提供下述者作為導電連接材料：在金屬箔之兩面塗佈樹脂組成物而成者；在聚酯薄片等剝離基材上塗佈樹脂組成物，於預定溫度以半硬化(B狀態化)等目的而經乾燥、製膜後，將金屬箔予以貼合而製成薄膜狀者等。當樹脂組成物為固形狀時，可提供下述者作為導電連接材料：將已溶解於有機溶劑之樹脂組成物之清漆(varnish)塗佈於聚酯薄片等剝離基材上，於預定溫度乾燥後，將金屬箔予以貼合、或利用蒸鍍等手法而形成薄膜狀者。
此外，本發明之導電連接材料及其所用之金屬箔，為了提高與端子之接觸，亦可使用經施行壓紋(embossing)加工者。
本發明之導電連接材料之厚度並無特別限制，以1μm以上為佳，以3μm以上為更佳，以5μm以上為特佳，又，以200μm以下為佳，以150μm以下為更佳，以100μm以下為特佳。導電連接材料之厚度若在前述範圍內，則可在鄰接之端子間之間隙中充分填充樹脂組成物。又，可充分確保樹脂成分硬化後或固化後之機械性接著強度及相對向之端子間之電性連接。此外，亦可因應目的或用途而製造連接端子。
其次，說明導電連接材料之製造方法。
本發明所用之樹脂組成物在25℃為液狀時，例如藉由將金屬箔浸漬於液狀之樹脂組成物中，使金屬箔之兩面附著液狀之樹脂組成物，而可製造本發明之導電連接材料。當必須控制樹脂組成物之厚度時，可藉由下述方法而製造：使浸漬於液狀樹脂組成物中之金屬箔通過具有一定間隙之棒式塗佈器的方法、或以噴霧塗佈器等噴吹液狀樹脂組成物的方法。
此外，當本發明所用之樹脂組成物在25℃為薄膜狀時，例如可依據如下操作而製造導電連接材料。首先，將已溶解於有機溶劑之樹脂組成物之清漆塗佈於聚酯薄片等剝離基材上，於預定溫度經乾燥並製膜，而製作薄膜狀之樹脂組成物。其次，準備2片經製膜在剝離基材上之樹脂組成物，並以夾住金屬箔之方式使用熱輥進行層合，在金屬箔之上下配置有樹脂組成物時，可製作由樹脂組成物/金屬箔/樹脂組成物所構成之3層之導電連接材料。此外，依據上述層合方式，可藉由在金屬箔之單面配置樹脂組成物而製作由樹脂組成物/金屬箔所構成之2層之導電連接材料。
另外，當使用捲狀之金屬箔時，藉由以金屬箔作為基礎基材，在金屬箔之上下或單側將前述薄膜狀樹脂組成物以熱輥進行層合，而亦可獲得捲狀之導電連接材料。並且，在使用捲狀之金屬箔時，藉由在金屬箔之上下或單側直接塗佈清漆狀之樹脂組成物，並使溶劑揮散，而可製作捲狀之導電連接材料。
當使用圖案狀之金屬箔來製作導電連接材料時，係只要藉由在剝離基材上配置金屬箔，從金屬箔側使用鑄模將金屬箔予以切半，並將多餘之金屬箔去除而製作圖案狀之金屬箔，然後將前述薄膜狀之樹脂組成物以熱輥進行層合即可。在圖案狀之金屬箔之兩面設置樹脂組成物時，只要將前述剝離基材剝下，並在與形成有樹脂組成物之面相反側的圖案狀金屬箔之面，再將薄膜狀之樹脂組成物予以層合即可。
又，導電連接材料之製造方法不限制於上述方法。同業者可依據目的或用途而適當選擇導電連接材料之製造方法。
2.端子間之連接方法
繼而，說明本發明之端子間之連接方法。
本發明之連接方法係使用前述導電連接材料而將端子間予以連接的方法，包括下述步驟：將導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟、將前述導電連接材料加熱的加熱步驟、以及使前述樹脂組成物硬化或固化的硬化/固化步驟。本發明之連接方法係可使用於將例如半導體晶圓、半導體晶片、硬質(rigid)基板、撓性基板、其他電氣/電子零件中所形成之端子彼此予以連接時等。
本發明之連接方法，在前述導電連接材料之樹脂組成物為硬化性樹脂組成物時、與在其為熱塑性樹脂組成物時，連接方法之步驟有若干不同。以下，以前述導電連接材料之樹脂組成物為硬化性樹脂組成物之情形作為第1實施態樣，以其為熱塑性樹脂組成物之情形作為第2實施態樣，分別一一說明各自之態樣。
(a)第1實施態樣
本發明之第1實施態樣的端子間之連接方法係包括下述步驟：將含有前述硬化性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟、在前述金屬箔之熔點以上且前述硬化性樹脂組成物之硬化未完成的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟、以及使前述硬化性樹脂組成物硬化的硬化步驟。
在此連接方法中，可使經加熱熔融之焊料或錫選擇性地凝集在端子間而形成導電性區域，並於其周圍形成由硬化性樹脂組成物所成之絕緣性區域。結果，由於可確保鄰接之端子間之絕緣性並防止漏電流，故可提高端子間之連接之連接可靠性。此外，即使在微細之配線電路中，亦可將多個端子間之電性連接一起實施。再者，使硬化性樹脂組成物硬化，即可提高導電性區域或絕緣性區域之機械性強度。
以下，一邊參照圖式，一邊詳細說明本發明之第1實施態樣之端子間之連接方法的較佳實施型態，但本發明之連接方法不限定於此等圖式。
(a)配置步驟
首先，如第2圖所示，將設有端子11之基板10與設有端子21之基板20以使端子11與端子21呈相對向之方式調整位置，並在此等端子間，配置由金屬箔110與設於金屬箔110之兩面之硬化性樹脂組成物120所構成的導電連接材料30。此時，可藉由使用輥式層合機或加壓器等裝置，如第4圖所示，先在基板10或基板20之單側、或基板10及基板20之雙方，將導電連接材料30進行熱壓合。此外，為了使電性連接變良好，前述端子11及21之表面可依據需要而施行洗淨、研磨、電鍍及表面活化等處理。
(b)加熱步驟
在加熱步驟中，係將前述配置步驟中配置在端子間之導電連接材料於金屬箔之熔點以上進行加熱。加熱溫度只要為金屬箔之熔點以上即可，例如只要是藉由例如將加熱時間縮短等加熱時間之調整而使焊料或錫可在硬化性樹脂中移動的範圍，亦即「硬化性樹脂組成物之硬化未完成」之範圍，其上限即無特別限制。加熱溫度係以比金屬箔之熔點高5℃以上的溫度為佳，以高10℃以上的溫度為較佳，以高20℃以上的溫度為更佳，以高30℃以上的溫度為特佳。
加熱溫度可依據所使用之金屬箔及硬化性樹脂組成物之組成等而適當選擇，但以100℃以上為佳，以130℃以上為較佳，以140℃以上為特佳，以150℃以上為最佳。為了防止欲連接之基板等的熱劣化，加熱溫度係以260℃以下為佳，以250℃以下為較佳，以240℃以下為特佳。
若在如此之溫度將前述導電連接材料加熱，則金屬箔110會熔融，且熔融之焊料或錫會變成可在硬化性樹脂組成物120中移動。當硬化性樹脂組成物含有具有助熔劑機能之化合物時，由於受到硬化性樹脂組成物所含之具有助熔劑機能之化合物的還原作用，而將焊料或錫之表面氧化膜去除，故焊料或錫為經提高濕潤性之狀態，促進金屬結合而使其容易凝集在相對向之端子間。另一方面，亦受到具有助熔劑機能之化合物的還原作用而將端子11及21之表面氧化膜去除，提高濕潤性，故變得容易與焊料或錫進行金屬結合。結果，如第3圖所示，在前述端子間形成導電性區域130，將端子11與端子21電性連接。另一方面，在導電性區域之周圍填充硬化性樹脂組成物而形成絕緣性區域140。結果，確保鄰接之端子間之絕緣性，而可防止鄰接之端子間之短路。
在本發明之連接方法中，可以使相對向之端子間之距離變近的方式進行加壓並加熱。例如，在第2圖中之基板10及20相對向之方向使用公知之熱壓合裝置等手段而進行加熱及加壓，藉此而可將相對向之各端子間之距離控制成一定，並可提升相對向之端子間之電性連接可靠性。
再者，亦可在加壓或加熱時外加超音波或電場等、或是適當使用雷射或電磁感應(electromagnetic induction)等特殊加熱。
(c)硬化步驟
本發明之連接方法中，係在前述加熱步驟中形成導電性區域130與絕緣性區域140後，使硬化性樹脂組成物硬化而固定絕緣性區域140。藉此，可充分確保前述端子間之電性可靠性及機械性連接強度。尤其是在本發明之連接方法中，由於使用具有高絕緣電阻值之硬化性樹脂組成物，故可更充分確保絕緣性區域之絕緣性。
硬化性樹脂組成物之硬化係可藉由將導電連接材料加熱等而實施。導電連接材料之硬化溫度係可因應硬化性樹脂組成物之組成而適當設定，但以比前述加熱步驟中之加熱溫度至少低5℃之溫度為佳，以至少低10℃之溫度為特佳。具體而言，以100℃以上為佳，以120℃以上為較佳，以130℃以上為特佳，以150℃以上為最佳。又，以300℃以下為佳，以260℃以下為較佳，以250℃以下為特佳，以240℃以下為最佳。硬化溫度若在前述範圍內，則可在不使導電連接材料熱分解之下，即充分使硬化性樹脂組成物硬化。
(2)第2實施態樣
再者，說明本發明之第2實施態樣的端子間之連接方法。本發明之第2實施態樣的端子間之連接方法係包括下述步驟：將含有前述熱塑性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟、在前述金屬箔之熔點以上且前述熱塑性樹脂組成物軟化的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟、以及使前述熱塑性樹脂組成物固化的固化步驟。以下，說明各步驟。
(a)配置步驟
當使用含有熱塑性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料時，亦可與前述使用含有硬化性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料時同樣地配置導電連接材料。
(b)加熱步驟
加熱步驟並無特別限制，係將前述配置步驟中配置於端子間之導電連接材料在金屬箔之熔點以上進行加熱。加熱溫度係以比金屬箔之熔點高5℃以上的溫度為佳，以高10℃以上的溫度為較佳，以高20℃以上的溫度為更佳，以高30℃以上的溫度為特佳。加熱溫度只要是在金屬箔之熔點以上且在熱塑性樹脂組成物軟化而使焊料或錫可在熱塑性樹脂中移動的範圍，亦即「熱塑性樹脂組成物軟化」之範圍即可，其上限並無特別限制。
加熱溫度係可依據所使用之金屬箔及熱塑性樹脂組成物之組成等而適當選擇。例如，可在與含有硬化性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料同樣的加熱溫度進行加熱。
當在上述溫度將前述導電連接材料加熱時，金屬箔110會熔融，並且熔融之焊料或錫會變成可在熱塑性樹脂組成物120中移動。當熱塑性樹脂組成物含有具有助熔劑機能之化合物時，由於熱塑性樹脂組成物所含之具有助熔劑機能之化合物的還原作用，將焊料或錫之表面氧化膜去除，故焊料或錫為經提高濕潤性之狀態，促進金屬結合而容易凝集在相對向之端子間。另一方面，亦受到具有助熔劑機能之化合物的還原作用而將端子11及21之表面氧化膜去除，提高濕潤性，故變得容易與焊料或錫進行金屬結合。
結果，如第3圖所示，在前述端子間形成有導電性區域130，將端子11與端子21電性連接。另一方面，在導電性區域之周圍填充有熱塑性樹脂組成物而形成絕緣性區域140。結果，確保鄰接之端子間之絕緣性，而可防止鄰接之端子間之短路。
(c)固化步驟
在本發明之連接方法中，在前述加熱步驟中形成導電性區域130與絕緣性區域140後，使熱塑性樹脂組成物固化而固定絕緣性區域140區域。藉此，可充分確保前述端子間之電性可靠性及機械性連接強度。
熱塑性樹脂組成物之固化係可藉由將前述加熱步驟所加熱熔融之導電連接材料予以冷卻、固化而實施。導電連接材料之冷卻、固化係可因應熱塑性樹脂組成物之組成而適當設定，並無特別限制，可為藉由自然冷卻而進行之方法，亦可為噴吹冷氣等之方法。
前述熱塑性樹脂組成物之固化溫度並無特別限制，以比金屬箔之熔點低為佳。更具體而言，前述熱塑性樹脂組成物之固化溫度係以比金屬箔之熔點低10℃以上為較佳，以低20℃以上為特佳。此外，前述熱塑性樹脂組成物之固化溫度係以50℃以上為佳，以60℃以上為更佳，以100℃以上為特佳。前述熱塑性樹脂組成物之固化溫度若在前述範圍內，則可確實地形成導電性區域130，此外，絕緣性區域140可具有所期望之耐熱性。因此，可確保鄰接之端子間之絕緣性，並可更確實地防止鄰接之端子間之短路。
若依據本發明之較佳態樣，藉由使用由含有特定樹脂成分及具有助熔劑機能之化合物的樹脂組成物與金屬箔所構成的導電連接材料，即可使焊料或錫選擇性地凝集在相對向之端子間，將端子間予以電性連接，同時亦確保鄰接之端子間之絕緣性。並且，可將多個端子間一起予以導通，而可實施可靠性優良之端子間連接。
3.連接端子之製造方法
其次，說明本發明之連接端子之製造方法。
本發明之連接端子之製造方法係使用前述導電連接材料而在電子構件之電極上製造連接端子的方法，其包括下述步驟：將導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟、將前述導電連接材料加熱的加熱步驟、以及因應需要而使前述樹脂組成物固化的固化步驟。本發明之連接端子之製造方法係可使用於例如在半導體晶圓、半導體晶片、硬質基板、撓性基板、其他電氣/電子零件之電極上製造連接端子時。
本發明之製造方法，在前述導電連接材料之樹脂組成物為硬化性樹脂組成物時、與其為熱塑性樹脂組成物時，連接端子之製造步驟有若干不同。以下，以前述導電連接材料之樹脂組成物為硬化性樹脂組成物之情形作為第1實施態樣，以其為熱塑性樹脂組成物之情形作為第2實施態樣，分別一一說明各自之態樣。
(1)第1實施態樣
本發明之第1實施態樣之連接端子之製造方法，係包括下述步驟：將含有前述硬化性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟、在前述金屬箔之熔點以上且前述硬化性樹脂組成物之硬化未完成的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟、以及因應需要而使前述樹脂組成物固化的固化步驟。
在此連接端子之製造方法中，可將經加熱熔融之焊料或錫選擇性地凝集在基板上之電極而形成連接端子，並於其周圍形成由硬化性樹脂組成物所成之絕緣性區域。結果，由於可將連接端子之周圍以硬化性樹脂組成物被覆，故將導電性區域固定。此外，藉由絕緣性區域而確保鄰接之連接端子間之絕緣性，故可提高連接可靠性。若依據此方法，則即使在微細之配線電路中亦可將多個連接端子一起予以製造。
以下，一邊參照圖式，一邊更詳細說明本發明之第1實施態樣之連接端子之製造方法。惟本發明之連接端子之製造方法不限定於此等圖式。
(a)配置步驟
首先，如第5圖所示，將具有硬化性樹脂組成物120與金屬箔110之導電連接材料配置於設有電極41之基板40上。此時，當使用圖案狀之金屬箔時，必須對準導電連接材料50與基板上之電極41之位置。又，在第5圖中，雖然是使用於金屬箔110之單面形成有硬化性樹脂組成物120者，但硬化性樹脂組成物120亦可形成於金屬箔110之兩面。此外，在第5圖中，雖然是配置成使硬化性樹脂組成物120與連接端子呈相對向，但亦可配置成使金屬箔110與連接端子呈相對向。
如第5圖所示，導電連接材料50係可使用輥式層合機、加壓器等裝置而熱壓合至基板40。又，在第6圖中，硬化性樹脂組成物120係被覆於電極41，硬化性樹脂組成物120之厚度係可比電極41之厚度更薄，亦可比電極41之厚度更厚，可依據目的及用途等而適當調整。此外，為了良好地電性連接、或是為了提升與金屬箔之接合性，前述電極41之表面可因應需要而施行洗淨、研磨、電鍍及表面活化等處理。
(b)加熱步驟
在加熱步驟中，係將前述配置步驟中配置於基板40上之電極41上的導電連接材料50，在金屬箔之熔點以上且前述硬化性樹脂組成物之硬化未完成的溫度加熱。藉此，如第7圖所示，可在電極41上形成連接端子150。另一方面，在前述連接端子150之周圍填充硬化性樹脂組成物而形成絕緣性區域140。結果，可確保鄰接之連接端子150間之絕緣性，並可防止鄰接之連接端子150間之短路。
硬化性樹脂組成物之加熱溫度及加壓條件，係可依照與前述使用具有硬化性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料來進行端子間連接時同樣的條件而進行。
(c)固化步驟
在固化步驟中，係在前述加熱步驟中形成連接端子與絕緣性區域後，使硬化性樹脂組成物冷卻固化，並將絕緣性區域固定，藉此而可將電極與連接端子之接合予以補強。使硬化性樹脂組成物冷卻之方法並無特別限制，可為藉由自然冷卻而進行之方法，亦可為噴吹冷氣等之方法。固化溫度係以比金屬箔之熔點低10℃以上為佳，以低20℃以上為特佳。此外，固化溫度係以50℃以上為佳，以60℃以上為更佳，以100℃以上為特佳。
(2)第2實施態樣
繼而，說明本發明之第2實施態樣之連接端子之製造方法。
本發明之第2實施態樣之連接端子之製造方法係包括下述步驟：將含有前述熱塑性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟、在前述金屬箔之熔點以上且前述熱塑性樹脂組成物軟化之溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟、以及因應需要而使前述熱塑性樹脂組成物固化的固化步驟。
在第2實施態樣之製造方法中，可使經加熱熔融之焊料或錫選擇性地凝集在基板上之電極而形成連接端子，並在其周圍形成由熱塑性樹脂組成物所成之絕緣性區域。結果，由於可將連接端子之周圍以熱塑性樹脂組成物被覆，故將導電性區域固定。此外，藉由絕緣性區域而確保鄰接之連接端子間之絕緣性，可提高連接可靠性。若依據此方法，則即使在微細之配線電路中亦可將多個連接端子一起予以製造。
(a)配置步驟
使用含有熱塑性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料時，亦可與前述第1實施態樣之使用含有硬化性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料時同樣地將導電連接材料配置於設有電極之基板上。
(b)加熱步驟
在加熱步驟中，係將前述配置步驟中配置在基板所設置之電極上的導電連接材料50，於金屬箔之熔點以上且前述熱塑性樹脂組成物軟化之溫度加熱。藉此，與第1實施態樣同樣地，可在電極上製造連接端子。另一方面，在連接端子之周圍填充熱塑性樹脂組成物而形成絕緣性區域。結果，可確保鄰接之連接端子間之絕緣性，並防止鄰接之連接端子間之短路。
又，熱塑性樹脂組成物之加熱溫度及加壓條件，係可依照與前述使用具有熱塑性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料來進行端子間連接時同樣的條件而進行。
(c)固化步驟
在固化步驟中，係在前述加熱步驟中形成連接端子與絕緣性區域後，使熱塑性樹脂組成物冷卻固化，並將絕緣性區域固定，藉此而可將電極與連接端子之接合予以補強。
又，關於熱塑性樹脂組成物之冷卻方法及較佳之固化溫度，亦與前述使用具有熱塑性樹脂組成物與金屬箔之導電連接材料來進行端子間連接時同樣。
如上所述，在本發明中，可藉由使用本發明之導電連接材料而使焊料或錫選擇性地凝集於連接端子形成部位，故可以簡便之方法來製造連接端子。若依據本發明之連接端子之製造方法，不僅可將複數個連接端子一起予以製造，亦由於在其周圍形成絕緣性區域，而可固定連接端子，同時可確保鄰接之連接端子間之絕緣性。因此，可製造連接可靠性優良之連接端子。
4.附有導電連接材料之電子構件及電氣/電子零件
本發明亦包含：在電子構件之電性連接面接著本發明之導電連接材料而成的附有導電連接材料之電子構件。本發明之附有導電連接材料之電子構件中，導電連接材料的與電子構件之電性連接面的接著面係以樹脂組成物層為佳。該樹脂組成物層可直接接著於電子構件之電性連接面，亦可經由接著劑層而接著。藉由將本發明之附有導電連接材料之電子構件互相貼合、或是將本發明之附有導電連接材料之電子構件與其他電子構件之電性連接面貼合並熱壓合，即可將電子構件間予以電性連接。
在本發明中，亦包含：使用如此得到之本發明之導電連接材料而將電子構件間予以電性連接而成的半導體晶圓、半導體晶片、硬質基板及撓性基板、其他電氣/電子零件。
(實施例)
以下，依據實施例而說明本發明，但本發明不因下述實施例而有所限制。
[實施例1至9]
(1)硬化性樹脂組成物之調製
將表1所示之各成分溶解於甲基乙基酮(MEK)而獲得樹脂固形分40%之樹脂組成物之清漆。將所得之清漆使用逗號式塗佈器(comma coater)塗佈於聚酯薄片，於90℃乾燥5分鐘，獲得薄膜狀之厚度30μm之硬化性樹脂組成物。
(2)導電連接材料之製造
將所得之薄膜狀之硬化性樹脂組成物以60℃、0.3 MPa、0.3m/分鐘之條件，層合於表1所示之焊料箔之兩面，製造厚度70μm之導電連接材料。
(3)端子間連接
其次，使用所得之導電連接材料，進行基板之端子間連接。就基板而言，係使用由FR-4基材(厚度0.1mm)與電路層(銅電路、厚度12μm)所構成且具有在銅電路上施行Ni/Au電鍍(厚度3μm)而形成之連接端子(端子徑100μm，鄰接之端子間之中心距離300μm)者。在具有此等連接端子之基板間，配置前述導電連接材料，使用熱壓合裝置(筑波Mechanics(股)製「TMV1-200ASB」)並以表1所示之條件施行熱壓合(基板間之間隔50μm)，將端子間予以連接。然後，於180℃加熱1小時而使硬化性樹脂組成物硬化，獲得積層體。
[實施例10及11]
攪拌表1所示之各成分，調製25℃下為液狀之硬化性樹脂組成物。在所得之25℃下為液狀之硬化性樹脂組成物中，浸漬表1所示之焊料箔，使液狀之硬化性樹脂組成物附著於焊料箔之兩面，製造導電連接材料。並且，以與實施例1至9同樣之方法(前述「前述(3)端子間連接」記載之方法)使用所得之導電連接材料，進行基板之端子間連接。
[比較例1]
與實施例1至9同樣地調製硬化性樹脂組成物，將所得之厚度30μm之硬化性樹脂組成物層合於表2所示之焊料箔之兩面，製造導電連接材料。並且，以與實施例1至9同樣之方法(前述「(3)端子間連接」記載之方法)使用所得之導電連接材料，進行基板之端子間連接。
[比較例2]
與實施例10及11同樣地調製硬化性樹脂組成物，使所得之硬化性樹脂組成物附著於表2所示之焊料箔之兩面，製造導電連接材料。並且，以與實施例1至9同樣之方法(前述「(3)端子間連接」記載之方法)使用所得之導電連接材料，進行基板之端子間連接。
實施例及比較例所調製之樹脂組成物之離子黏度、離子黏度斜率之最大高峰出現之時間及熱重量減少率，係依據以下之方法測定。此外，在所得之積層體中，相對向之端子間之連接電阻、導通路形成性、在導通路以外之區域殘留之焊料粒子之有無及空隙，係依據後述之方法評估。
[1]離子黏度及離子黏度斜率之最大高峰出現之時間
當樹脂組成物在常溫下為固形狀時(實施例1至9、比較例1)，使用NETZSCH公司製之DEA231/1 cure analyzer作為介電分析裝置本體，並使用NETZSCH公司製之MP235 Mini-Press作為加壓器。就測定方法而言，係依據ASTM規格E2039在表1及表2所示之焊料箔之熔點以頻率10000Hz之條件，將厚度約0.5mm之硬化性樹脂組成物設置在加壓器內之電極部上面，在予以加壓後進行測定。以所得之離子黏度之最小值作為測定值。此外，從所得之離子黏度之微分值計算出離子黏度斜率，以其最大高峰出現之時間作為測定值。
當樹脂組成物在常溫下為液狀時(實施例10及11、比較例2)，使用NETZSCH公司製之DEA231/1 cure analyzer作為介電分析裝置本體，並使用NETZSCH公司製之036S-IDEX作為介電測定感測器。就測定方法而言，係依據ASTM規格E2039在表1及表2所示之焊料箔之熔點以頻率10000Hz之條件，在介電測定感測器上塗佈厚度約0.5mm之樹脂組成物，於烤爐中加熱並測定。以所得之離子黏度之最小值作為測定值。此外，從所得之離子黏度之微分值計算出離子黏度斜率，以其最大高峰出現之時間作為測定值。
使用實施例1至3之硬化性樹脂組成物時的離子黏度及離子黏度斜率的測定結果係分別顯示於第8圖至第10圖。
[2]熱重量減少率
使用示差熱/熱重量同時測定裝置(Seiko Instruments(股)製，TG/DTA 6200)，將約10mg之樹脂組成物設置於熱天秤，從30℃以昇溫速度10℃/分鐘進行加熱至金屬箔之熔點為止。以在金屬箔之熔點的熱重量減少率作為測定值。
[3]連接電阻
連接電阻係藉由在積層體中將相對向之端子間之電阻以4端子法(電阻計：岩崎通信機(股)製「數位萬用表VOA7510」，測定探針：日置電機(股)製「針型導線9771」)測定12點。其平均值未達30mΩ時判定為「A」，為30mΩ以上時則判定為「B」。
[4]導通路形成性
對於積層體中的10組相對向之端子，將該端子間之剖面以掃描型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(股)製「JSM-7401F」)觀察，10組中全部皆由焊料形成圓柱狀之導通路時判定為「A」，即使只有1組，只要有未形成導通路之端子存在時則判定為「B」，與鄰接之端子呈現短路接觸時則判定為「C」。
[5]有無殘留焊料
以掃描型電子顕微鏡(SEM)(日本電子(股)製，型號「JSM-7401F」)觀察積層體之剖面，當全部焊料有助於形成相對向之端子間之導通路時判定為「A」，當未有助於形成導通路，且焊料殘留在相對向之端子間(導電性區域)以外之樹脂(絕緣性區域)中時則判定為「B」。
[6]空隙
以超音波探傷裝置(SAT)(日立建機Finetech(股)製，型號「mi-scope10」)觀察積層體，當空隙之面積相對於接著面積係未達10%時判定為「A」，為10%以上時則判定為「B」。
[7]綜合評估
在上述[3]至[6]之評估中，實用上無問題者係判定為「○」，實用上有問題者係判定為「×」。
結果顯示於表1及表2。
表1及表2中之樹脂組成物之成分及焊料箔係使用以下所示者。
環氧樹脂1：雙酚A型環氧樹脂，大日本油墨化學工業(股)製「EPICLON-840S」，環氧當量185g/eq。
環氧樹脂2：甲酚基縮水甘油醚(cresyl glycidyl ether)，坂本藥品工業(股)製「m,p-CGE」，環氧當量185g/eq。
環氧樹脂3：雙酚F型環氧樹脂，日本化藥(股)製「RE-403S」，環氧當量165g/eq。
硬化劑1：酚酚醛，住友電木(股)製「PR-53647」。
薄膜形成性樹脂1：改質聯酚型苯氧樹脂，日本環氧樹脂(股)製「YX-6954」，重量平均分子量39,000。
薄膜形成性樹脂2：改質雙酚F型苯氧樹脂，日本環氧樹脂(股)製「4256H40」，重量平均分子量62,000。
薄膜形成性樹脂3：丙烯酸酯共聚物，Nagase ChemteX(股)製「SG-P3」，重量平均分子量850,000。
具有助熔劑機能之化合物1：癸二酸，東京化成工業(股)製「癸二酸」。
具有助熔劑機能之化合物2：龍膽酸，Midori化學(股)製「龍膽酸」。
具有助熔劑機能之化合物3：酸式酚酞，東京化成工業(股)製「酸式酚酞」。
矽烷偶合劑1：2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷，信越化學工業(股)製「KBM-303」，沸點310℃。
咪唑1：2-苯基-4-甲基咪唑，四國化成工業(股)製「Curezol 2P4MZ」。
焊料箔A：Sn/Bi=42/58(熔點：139℃)，厚度10μm。
焊料箔B：Sn/Pb=63/37(熔點：183℃)，厚度10μm。
焊料箔C：Sn/Ag/Cu=96.5/3.0/0.5(熔點：217℃)，厚度10μm。
由表1及表2可知，若使用離子黏度之最小值在4至9之範圍內的樹脂組成物作為導電連接材料之樹脂組成物層，則不會與鄰接之端子發生短路，而獲得良好之電性連接。並且，顯示若使用離子黏度斜率之最大高峰在開始測定後經過10秒以上後才出現的樹脂組成物，則在進行樹脂組成物之硬化前，焊料或錫可充分移動，而可防止焊料殘留在絕緣性區域中。並且，顯示若使用熱重量減少率為5重量%之樹脂組成物，則可防止產生空隙。
(產業上之可利用性)
本發明之導電連接材料係適合使用於在電氣/電子零件中將電子構件間予以電性連接時、或在基板上製造連接端子時。藉由使用本發明之導電連接材料，可同時達成電子構件間之良好電性連接與高絕緣可靠性。藉由使用本發明之導電連接材料，亦可達成微細之配線電路中的端子間連接。藉由使用本發明之導電連接材料，而亦可對應電子機器之高機能化及小型化之要求。
10、20、40．．．基板
11、21．．．端子
30、50．．．導電連接材料
41．．．電極
110．．．金屬箔
120．．．樹脂組成物
130．．．導電性區域
140．．．絕緣性區域
第1圖之(a)至(h)係表示本發明所用之金屬箔層之形狀之一例的平面示意圖。
第2圖係表示在本發明之端子間之連接方法中，於端子間配置導電連接材料後之基板及導電連接材料之狀態之一例的示意剖面圖。
第3圖係表示在本發明之端子間之連接方法中，將端子間所配置之導電連接材料加熱、硬化/固化後的基板、導電性區域及絕緣性區域之狀態之一例的示意剖面圖。
第4圖係表示在本發明之端子間之連接方法中，於端子間配置導電連接材料後之基板及導電連接材料之狀態之一例的示意剖面圖。
第5圖係表示在本發明之連接端子之製造方法中，在基板上所設置之電極上配置導電連接材料後的基板及導電連接材料之狀態之一例的示意剖面圖。
第6圖係表示在本發明之連接端子之製造方法中，在基板上所設置之電極上配置導電連接材料後的基板及導電連接材料之狀態之一例的示意剖面圖。
第7圖係表示在本發明之連接端子之製造方法中，將基板之電極上所配置之導電連接材料加熱、硬化/固化後的基板、導電性區域及絕緣性區域之狀態之一例的示意剖面圖。
第8圖係表示本發明之實施例1中的樹脂組成物之離子黏度及離子黏度斜率之測定結果的圖表。
第9圖係表示本發明之實施例2中的樹脂組成物之離子黏度及離子黏度斜率之測定結果的圖表。
第10圖係表示本發明之實施例3中的樹脂組成物之離子黏度及離子黏度斜率之測定結果的圖表。
10、20．．．基板
11、21．．．端子
30．．．導電連接材料
110．．．金屬箔
120．．．樹脂組成物

Claims (22)

  1. 一種導電連接材料，具有由樹脂組成物與選自焊料箔或錫箔之金屬箔所構成的積層構造，並且其依據ASTM規格E2039，在前述金屬箔之熔點施加頻率10000Hz而測定之前述樹脂組成物之離子黏度之最小值為4至9，其中，前述樹脂組成物係含有環氧樹脂及硬化劑者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電連接材料，其依據ASTM規格E2039，在前述金屬箔之熔點施加頻率10000Hz而測定之前述樹脂組成物之離子黏度斜率之最大高峰係在開始測定後經過10秒以上後才出現者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其從30℃以昇溫速度10℃/分鐘加熱至前述金屬箔之熔點為止所測定的前述樹脂組成物之熱重量減少率為5重量%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其中，前述硬化劑係含有選自酚(phenol)類、酸酐及胺化合物所成群組之至少1種者。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物復含有薄膜形成性樹脂。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之導電連接材料，其中，前述薄膜形成性樹脂之重量平均分子量為8,000至1,000,000。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之導電連接材料，其中，前述薄膜形成性樹脂係含有選自苯氧樹脂(phenoxy resin)、(甲基)丙烯酸系樹脂及聚醯亞胺樹脂所成群組之至少1種者。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係相對於樹脂組成物之全重量，含有環氧樹脂10至90重量%、硬化劑0.1至50重量%及薄膜形成性樹脂5至50重量%者。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係包含具有助熔劑(flux)機能之化合物。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之導電連接材料，其中，前述具有助熔劑機能之化合物係包含具有酚性羥基及/或羧基之化合物。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之導電連接材料，其中，前述具有助熔劑機能之化合物係包含下述通式(1)所示之化合物：HOOC-(CH2 )n-COOH (1)[式中，n為1至20之整數]。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之導電連接材料，其中，前述具有助熔劑機能之化合物係包含下述通式(2)及/或(3)所示之化合物： [式中，R1 至R5 分別獨立地為1價有機基，惟R1 至R5 之至少一者為羥基] [式中，R6 至R20 分別獨立地為1價有機基，惟R6 至R20 之至少一者為羥基或羧基]。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之導電連接材料，其中，前述樹脂組成物係相對於樹脂組成物之全重量，合計含有前述具有助熔劑機能之化合物1至50重量%者。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其中，前述金屬箔之熔點為100℃至330℃。
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其含有由樹脂組成物層/金屬箔層/樹脂組成物層所構成之積層構造者。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之導電連接材料，其含有由樹脂組成物層/金屬箔層所構成之積層構造者。
  17. 一種端子間之連接方法，其包括下述步驟：將申請專利範圍第1項至第16項中任一項之導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟；在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物之硬化未完成的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟；以及使前述樹脂組成物硬化的硬化步驟。
  18. 一種端子間之連接方法，其包括下述步驟：將申請專利範圍第1項至第16項中任一項之導電連接材料配置於相對向之端子間的配置步驟；在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物軟化之溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟；以及使前述樹脂組成物固化的固化步驟。
  19. 一種連接端子之製造方法，其包含下述步驟：將申請專利範圍第1項至第16項中任一項之導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟；以及在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物之硬化未完成的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟。
  20. 一種連接端子之製造方法，其包含下述步驟：將申請專利範圍第1項至第16項中任一項之導電連接材料配置於電子構件之電極上的配置步驟； 在前述金屬箔之熔點以上且前述樹脂組成物軟化的溫度將前述導電連接材料加熱的加熱步驟；以及使前述樹脂組成物固化的固化步驟。
  21. 一種附有導電連接材料之電子構件，其係將申請專利範圍第1項至第16項中任一項之導電連接材料接著於電子構件之電性連接面而成者。
  22. 一種電氣零件，其係使用申請專利範圍第1項至第16項中任一項之導電連接材料將電子構件間予以電性連接而成者。
TW099132968A 2009-09-30 2010-09-29 導電連接材料、端子間之連接方法及連接端子之製造方法 TWI503343B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009227062 2009-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201124442A TW201124442A (en) 2011-07-16
TWI503343B true TWI503343B (zh) 2015-10-11

Family

ID=43826258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099132968A TWI503343B (zh) 2009-09-30 2010-09-29 導電連接材料、端子間之連接方法及連接端子之製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120183781A1 (zh)
EP (1) EP2484739A1 (zh)
JP (1) JP4730484B2 (zh)
KR (1) KR20120092600A (zh)
CN (1) CN102549102B (zh)
TW (1) TWI503343B (zh)
WO (1) WO2011040442A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101463196B1 (ko) * 2012-01-03 2014-11-21 주식회사 엘지화학 배터리 팩 및 이에 적용되는 커넥팅 바
CN104541417B (zh) * 2012-08-29 2017-09-26 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜及其制备方法
KR101579712B1 (ko) * 2013-05-23 2015-12-22 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전 재료 및 접속 구조체
KR20160032009A (ko) * 2013-07-16 2016-03-23 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층이 형성된 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
US10650939B2 (en) * 2013-08-06 2020-05-12 Senju Metal Industry Co., Ltd. Electrically conductive adhesive agent, joined body, and joint
US9705069B2 (en) * 2013-10-31 2017-07-11 Seiko Epson Corporation Sensor device, force detecting device, robot, electronic component conveying apparatus, electronic component inspecting apparatus, and component machining apparatus
JP2017145382A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 太陽インキ製造株式会社 導電性接着剤とその製造方法、硬化物および電子部品
JP2016035066A (ja) * 2015-10-02 2016-03-17 日東電工株式会社 半導体装置用の接着フィルム、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、及び、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
CN109153837B (zh) * 2016-05-13 2022-08-05 昭和电工材料株式会社 树脂组合物、预浸渍体、带树脂的金属箔、层叠板、印刷配线板以及树脂组合物的制造方法
GB201613051D0 (en) 2016-07-28 2016-09-14 Landa Labs (2012) Ltd Applying an electrical conductor to a substrate
JP6655576B2 (ja) * 2017-03-29 2020-02-26 古河電気工業株式会社 電子デバイスパッケージ用テープ
CN107163666A (zh) * 2017-07-07 2017-09-15 东莞市鑫沣亚涂料科技有限公司 一种无气味环保溶剂
JP7046351B2 (ja) 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7160302B2 (ja) * 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1179445A (zh) * 1996-09-26 1998-04-22 日东电工株式会社 粘合用树脂组合物和粘合片
TW200903745A (en) * 2007-03-23 2009-01-16 Sumitomo Bakelite Co Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device
TW200905843A (en) * 2007-04-27 2009-02-01 Sumitomo Bakelite Co Bonding method of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61276873A (ja) 1985-05-31 1986-12-06 Sony Chem Kk 導電異方性接着剤
JP2000219865A (ja) * 1998-11-25 2000-08-08 Seiko Epson Corp 導電接着剤、実装構造体、液晶装置、電子機器、並びに実装構造体、液晶装置、及び電子機器の製造方法
JP3660175B2 (ja) * 1998-11-25 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 実装構造体及び液晶装置の製造方法
JP3371894B2 (ja) * 1999-09-17 2003-01-27 ソニーケミカル株式会社 接続材料
JP3769688B2 (ja) 2003-02-05 2006-04-26 独立行政法人科学技術振興機構 端子間の接続方法及び半導体装置の実装方法
JP2005203693A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Mitsubishi Electric Corp 接続シートおよび実装部品の実装方法
JP2007039567A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Kri Inc 高周波電子部品用複合成形体及び高周波電子部品用複合成形体製造用組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1179445A (zh) * 1996-09-26 1998-04-22 日东电工株式会社 粘合用树脂组合物和粘合片
TW200903745A (en) * 2007-03-23 2009-01-16 Sumitomo Bakelite Co Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device
TW200905843A (en) * 2007-04-27 2009-02-01 Sumitomo Bakelite Co Bonding method of semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2484739A1 (en) 2012-08-08
KR20120092600A (ko) 2012-08-21
JPWO2011040442A1 (ja) 2013-02-28
JP4730484B2 (ja) 2011-07-20
TW201124442A (en) 2011-07-16
CN102549102B (zh) 2014-10-29
WO2011040442A1 (ja) 2011-04-07
US20120183781A1 (en) 2012-07-19
CN102549102A (zh) 2012-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI503343B (zh) 導電連接材料、端子間之連接方法及連接端子之製造方法
TWI523042B (zh) 導電連接用薄片及使用該薄片之端子間連接方法以及連接端子之製造方法
TWI540039B (zh) 導電連接材料，電子零件之製造方法，附有導電連接材料之電子構件及電子零件
TWI449145B (zh) 半導體晶圓的接合方法及半導體裝置的製造方法
TWI533382B (zh) 導電連接片、端子間之連接方法、連接端子之形成方法、半導體裝置及電子機器
TWI533335B (zh) 導電連接材料及使用該導電連接材料之端子間之連接方法
JP5564964B2 (ja) 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器
JP5482143B2 (ja) 導電接続材料、端子間の接続方法及び接続端子の製造方法
JP5471551B2 (ja) 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器
JP5381775B2 (ja) 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器
JP5447008B2 (ja) 端子間の接続方法及び接続端子の製造方法
JP2011165954A (ja) 導電接続材料、端子間の接続方法、接続端子の製造方法、電子部材及び電気、電子部品
JP5381769B2 (ja) 端子間の接続方法
JP5316441B2 (ja) 電子部品の製造方法及び電子部品
JP2011181703A (ja) 導電接続シートの製造方法、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器
JP2013225702A (ja) 端子間の接続方法及び接続端子の製造方法
JP2012079526A (ja) 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器
JP2012079527A (ja) 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器
JP2011181414A (ja) 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees