JP2008111990A - 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 - Google Patents
接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008111990A JP2008111990A JP2006294811A JP2006294811A JP2008111990A JP 2008111990 A JP2008111990 A JP 2008111990A JP 2006294811 A JP2006294811 A JP 2006294811A JP 2006294811 A JP2006294811 A JP 2006294811A JP 2008111990 A JP2008111990 A JP 2008111990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- optical
- circuit board
- component
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【課題】 光伝播の損失を低減できる光素子実装部品、光素子の搭載において位置あわせ精度良好な光素子実装光回路基板及び光素子実装用部品を提供する。
【解決手段】 電極を有する光素子を搭載するための搭載部と前記搭載部にパッドを有する配線部品の一方の面側に積層される、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、前記配線部品と前記光回路基板との間に、前記光素子の電極と前記搭載部のパッドとを電気的に接続する接着剤層と、を有するものである、接着剤付き光回路基板により達成される。前記光回路基板は、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備えるものである。
【選択図】 図９
【解決手段】 電極を有する光素子を搭載するための搭載部と前記搭載部にパッドを有する配線部品の一方の面側に積層される、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、前記配線部品と前記光回路基板との間に、前記光素子の電極と前記搭載部のパッドとを電気的に接続する接着剤層と、を有するものである、接着剤付き光回路基板により達成される。前記光回路基板は、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備えるものである。
【選択図】 図９
Description
本発明は、接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品に関するものである。
近年、電子機器は、ますますその小型化や高性能化の要求が高まっている。中でも、信号の高速化に対応するために、電子部品間を光信号によって接続することによる、電子機器内における信号伝送路の高速化の検討が行われている。光信号による接続では、光配線と電気配線を備えた光・電気混載基板が用いられており、光配線は、コア部とクラッド部とで構成される光導波路を有し、光導波路のコア部を光が伝送することにより光信号を伝達するようになっている。
このような光・電気混載基板を備えた電子機器では、基板上に電子部品を搭載し、電子部品の入出力信号を、光素子を用いて光信号に変換して光導波路に伝播させ、その先で、もう一方の光素子を用いて、光信号を電気信号に戻して、もう一方の電子部部品に接続される構造が有利である。従来、そのような基板においては、リジッド基板中に光導波路が形成されているなどリジッド基板との一体化がなされており、例えば、前記基板上に、光素子と電子部品とを搭載し、電気信号は、これらの搭載面より基板を貫通して反対側面に形成された電気配線を介して伝送され、光信号は、基板中に形成された光導波路より伝播され、その光導波路から絶縁層を貫通させ光素子の受発光部に伝送されるようになっている（例えば、特許文献１参照。）しかしながら、このような構造においては、これ以上薄くできないなどの小型化に限界があり、また、光素子の受発光部と光導波路のコア部との距離があることより、発光部からコア部への光入力の効率に影響を及ぼし、光伝播の損失などの特性に問題が生じることがある。また、そのような問題を解消する方法の一つとして、光素子の受発光部と光導波路のコア部との位置あわせ精度が要求されている。
特開２００２−１８２０４９号公報
本発明は、光伝播の損失を低減できる光素子実装部品、光素子の搭載において位置あわせ精度良好な接着剤付き光回路基板及び光素子実装用部品を提供するものである。
本発明は、下記第（１）項から第（１４）項の接着剤付き光回路基板、第（１５）項から第（１６）項の光素子実装用部品、及び第（１７）項から第（２２）項の光素子実装部品により達成される。
（１） 電極を有する光素子を搭載するための搭載部と前記搭載部にパッドを有する配線部品の一方の面側に積層される、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
前記配線部品と前記光回路基板との間に、前記光素子の電極と前記搭載部のパッドとを電気的に接続する接着剤層と、
を有するものである、接着剤付き光回路基板。
（２） 前記光回路基板は、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備えるものである、第（１）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（３） 前記接着剤層は、樹脂と、フラックス活性を有する硬化剤と、半田粉と、を含み、前記半田粉と前記フラックス活性を有する硬化剤とが前記樹脂中に存在するものである、第（１）項又は第（２）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（４） 前記接着剤層は、樹脂と、フラックス活性を有する硬化剤と、半田粉と、を含み、前記半田粉と前記フラックス活性を有する硬化剤とが前記樹脂中に存在する、接着ドライフィルムより構成されるものである、第（１）項乃至第（３）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（５） 前記接着剤層において、前記樹脂は、エポキシ樹脂及びアクリルゴムを含むものである、第（３）項又は第（４）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（６） 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基を含有する化合物である、第（３）項乃至第（５）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（７） 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基と、エポキシ基と反応する基とを含有する化合物である、第（６）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（８） 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、アルキルカルボン酸又は芳香族カルボン酸である、第（６）項又は第（７）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（９） 前記接着剤層において、前記半田粉は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｕから選ばれる二種以上を含む合金である、第（３）項乃至第（８）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１０） 前記接着剤層において、前記半田粉は、１００℃以上２５０℃以下の融点を有するものである、第（３）項乃至第（９）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１１） 前記接着剤層において、前記樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂と、を含むものである、第（３）項乃至第（１０）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１２） 前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有するものである、第（１）項乃至第（１１）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１３） 前記光回路基板は、前記光素子搭載面側に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記配線部品との電気導通をはかるため、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部とを、有するものである、第（１）項乃至第（１２）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１４） 前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、第（１）項乃至第（１３）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１５） 電極を有する光素子を搭載するパッドを有する配線部品と、
第（１）項乃至第（１４）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板と、
を含んで構成され、
前記光回路基板と配線部品とが、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装用部品。
（１６） 前記光素子実装部品は、２つの前記配線部品が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、第（１５）項に記載の光素子実装用部品。
（１７） 電極を有する光素子と、
第（１５）項又は第（１６）項に記載の光素子実装用部品と、
を含んで構成され、
前記光素子実装用部品における、前記光回路基板を介して、前記光素子を搭載するためのパッドを有する配線部品の前記パッド上に、前記光素子が搭載され、
前記光回路基板と前記配線部品とは、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装部品。
（１８） 前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとは、前記光回路基板に形成されたレセプター構造を介して電気的に接続されたものである、第（１７）項に記載の光素子実装部品。
（１９） 前記光回路基板の光素子搭載面側に形成された導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記配線部品の導電部材との、電気導通をはかるために形成された導体部と、前記配線部品の導電部材とを、金属接合されたものである、第（１７）項又は第（１８）項に記載の光素子実装部品。
（２０） 前記光素子実装部品は、２つの前記配線部品が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、第（１７）項乃至第（１９）項のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
（２１） 前記光素子実装部品は、前記配線部品の光素子搭載部パッドと、前記光回路基板のレセプター構造部とを位置合わせし、前記光素子の電極を前記レセプター構造部に挿入し、前記レセプター構造部を介して、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを金属接合して得られたものであるものである、第（１７）項乃至第（２０）項のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
（２２） 前記光素子実装部品における配線部品は、電子機器用配線部品である、第（１７）項乃至第（２１）項のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
（１） 電極を有する光素子を搭載するための搭載部と前記搭載部にパッドを有する配線部品の一方の面側に積層される、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
前記配線部品と前記光回路基板との間に、前記光素子の電極と前記搭載部のパッドとを電気的に接続する接着剤層と、
を有するものである、接着剤付き光回路基板。
（２） 前記光回路基板は、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備えるものである、第（１）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（３） 前記接着剤層は、樹脂と、フラックス活性を有する硬化剤と、半田粉と、を含み、前記半田粉と前記フラックス活性を有する硬化剤とが前記樹脂中に存在するものである、第（１）項又は第（２）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（４） 前記接着剤層は、樹脂と、フラックス活性を有する硬化剤と、半田粉と、を含み、前記半田粉と前記フラックス活性を有する硬化剤とが前記樹脂中に存在する、接着ドライフィルムより構成されるものである、第（１）項乃至第（３）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（５） 前記接着剤層において、前記樹脂は、エポキシ樹脂及びアクリルゴムを含むものである、第（３）項又は第（４）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（６） 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基を含有する化合物である、第（３）項乃至第（５）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（７） 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基と、エポキシ基と反応する基とを含有する化合物である、第（６）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（８） 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、アルキルカルボン酸又は芳香族カルボン酸である、第（６）項又は第（７）項に記載の接着剤付き光回路基板。
（９） 前記接着剤層において、前記半田粉は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｕから選ばれる二種以上を含む合金である、第（３）項乃至第（８）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１０） 前記接着剤層において、前記半田粉は、１００℃以上２５０℃以下の融点を有するものである、第（３）項乃至第（９）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１１） 前記接着剤層において、前記樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂と、を含むものである、第（３）項乃至第（１０）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１２） 前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有するものである、第（１）項乃至第（１１）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１３） 前記光回路基板は、前記光素子搭載面側に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記配線部品との電気導通をはかるため、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部とを、有するものである、第（１）項乃至第（１２）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１４） 前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、第（１）項乃至第（１３）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
（１５） 電極を有する光素子を搭載するパッドを有する配線部品と、
第（１）項乃至第（１４）項のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板と、
を含んで構成され、
前記光回路基板と配線部品とが、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装用部品。
（１６） 前記光素子実装部品は、２つの前記配線部品が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、第（１５）項に記載の光素子実装用部品。
（１７） 電極を有する光素子と、
第（１５）項又は第（１６）項に記載の光素子実装用部品と、
を含んで構成され、
前記光素子実装用部品における、前記光回路基板を介して、前記光素子を搭載するためのパッドを有する配線部品の前記パッド上に、前記光素子が搭載され、
前記光回路基板と前記配線部品とは、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装部品。
（１８） 前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとは、前記光回路基板に形成されたレセプター構造を介して電気的に接続されたものである、第（１７）項に記載の光素子実装部品。
（１９） 前記光回路基板の光素子搭載面側に形成された導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記配線部品の導電部材との、電気導通をはかるために形成された導体部と、前記配線部品の導電部材とを、金属接合されたものである、第（１７）項又は第（１８）項に記載の光素子実装部品。
（２０） 前記光素子実装部品は、２つの前記配線部品が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、第（１７）項乃至第（１９）項のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
（２１） 前記光素子実装部品は、前記配線部品の光素子搭載部パッドと、前記光回路基板のレセプター構造部とを位置合わせし、前記光素子の電極を前記レセプター構造部に挿入し、前記レセプター構造部を介して、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを金属接合して得られたものであるものである、第（１７）項乃至第（２０）項のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
（２２） 前記光素子実装部品における配線部品は、電子機器用配線部品である、第（１７）項乃至第（２１）項のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
本発明によれば、実装精度が高く、光伝播の損失を低減できる光素子実装部品が得られる。本発明の光素子実装部品は、光素子の受発光部と光導波路のコア部と距離が短いので、光を効率よく伝えられるとともに、薄型化ができる。
本発明によれば、光素子の搭載において位置あわせ精度が良好であり、光素子の実装が容易な光素子実装用部品及び光素子実装部品用光回路基板が得られる。本発明の光素子実装用部品は、光回路基板と配線部品とが個別に準備され、光素子搭載できる部位を有していれば良く、また、配線部品が少なくとも光素子搭載部を備えていれば良いので、小型化できるとともに、設計の自由度が高くなる。
本発明によれば、光素子の搭載において位置あわせ精度が良好であり、光素子の実装が容易な光素子実装用部品及び光素子実装部品用光回路基板が得られる。本発明の光素子実装用部品は、光回路基板と配線部品とが個別に準備され、光素子搭載できる部位を有していれば良く、また、配線部品が少なくとも光素子搭載部を備えていれば良いので、小型化できるとともに、設計の自由度が高くなる。
本発明は、電極を有する光素子と、前記光素子を搭載するためのパッドを有する配線部品と、前記配線部品の一方の面側に積層される、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、前記配線部品と前記光回路基板との間に、前記光素子の電極と前記搭載部のパッドとを電気的に接続する接着剤層と、を有する接着剤付き光回路基板であり、これによれば、前記光回路基板と前記配線部品とを用いた光素子の搭載において前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの位置あわせ精度が良好なものとなる。
また、本発明は、前記配線部品と、前記接着剤付き光回路基板と、を含んで構成され、前記光回路基板と配線部品とが、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装用部品であり、これによれば、前記光素子実装用部品を用いた光素子の搭載において前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの位置あわせ精度が良好なものとなり、更には、前記配線部品と前記光回路基板との組み合わせ自由度は高く、小型化が可能となる。
また、本発明は、電極を有する光素子と、前記光素子実装用部品と、を含んで構成され、前記光素子実装用部品における、前記光回路基板を介して、前記光素子を搭載するためのパッドを有する配線部品の前記パッド上に、前記光素子が搭載され、前記光回路基板と前記配線部品とは、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装部品であり、これによれば、光素子の実装精度が高く、光伝播の損失を低減でき、薄型化も可能なものとなる。
また、本発明は、前記配線部品と、前記接着剤付き光回路基板と、を含んで構成され、前記光回路基板と配線部品とが、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装用部品であり、これによれば、前記光素子実装用部品を用いた光素子の搭載において前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの位置あわせ精度が良好なものとなり、更には、前記配線部品と前記光回路基板との組み合わせ自由度は高く、小型化が可能となる。
また、本発明は、電極を有する光素子と、前記光素子実装用部品と、を含んで構成され、前記光素子実装用部品における、前記光回路基板を介して、前記光素子を搭載するためのパッドを有する配線部品の前記パッド上に、前記光素子が搭載され、前記光回路基板と前記配線部品とは、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装部品であり、これによれば、光素子の実装精度が高く、光伝播の損失を低減でき、薄型化も可能なものとなる。
以下、本発明の接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品について、詳細に説明する。
本発明におけるレセプター構造とは、光回路基板に設けられた光素子搭載用貫通孔であり、前記貫通孔は、電気導体により、光素子と配線部品の電気回路とを電気接続される構造となるものである。また、前記貫通孔は、光素子の受発光部と光導波路のコア部との位置合わせ部として用いることができ、これを備えることにより、実装精度が良好なものとなり、より光伝播の損失を低減できる。
本発明における光素子としては、受光素子及び発光素子などが挙げられる。
本発明におけるレセプター構造とは、光回路基板に設けられた光素子搭載用貫通孔であり、前記貫通孔は、電気導体により、光素子と配線部品の電気回路とを電気接続される構造となるものである。また、前記貫通孔は、光素子の受発光部と光導波路のコア部との位置合わせ部として用いることができ、これを備えることにより、実装精度が良好なものとなり、より光伝播の損失を低減できる。
本発明における光素子としては、受光素子及び発光素子などが挙げられる。
本発明における光回路基板は、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成されるものであり、好ましくは、前記配線部品の光素子搭載部に光素子を搭載する際に、前記光素子の導電部材の電極と配線部品のパッドなどの導電部材間の電気導通をはかるためのレセプター構造又はレセプター構造用貫通孔を備えたものである。前記光回路基板は、クラッド部に電気回路又は電気回路と光回路基板を貫通して両面の電気導通をはかるための導体ポストなどを有していても良い。
本発明の接着剤付き光回路基板は、上記光回路基板において、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有するものである。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
本発明の接着剤付き光回路基板は、上記光回路基板において、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有するものである。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
（光導波路）
まず、図１（ａ）に示すような光導波路層１０１を用意する。
図１（ａ）に示すようにコア層１０２には、クラッド部より屈折率が高くなっているコア部が形成されている。また、光導波路層１０１は、コア部を形成するコア層１０２と、コア層１０２の両面に設けられたクラッド層１０３ａ，１０３ｂで形成されるクラッド部で構成されている。これにより、光がコア部内を伝送することができるようになる。前記光導波路層において、前記コア部は複数設けられていても良い。
まず、図１（ａ）に示すような光導波路層１０１を用意する。
図１（ａ）に示すようにコア層１０２には、クラッド部より屈折率が高くなっているコア部が形成されている。また、光導波路層１０１は、コア部を形成するコア層１０２と、コア層１０２の両面に設けられたクラッド層１０３ａ，１０３ｂで形成されるクラッド部で構成されている。これにより、光がコア部内を伝送することができるようになる。前記光導波路層において、前記コア部は複数設けられていても良い。
このような光導波路層１０１は、例えば、基材上に、クラッド層を構成する材料を含むワニスを塗布して、クラッド層を形成し、次いで、前記クラッド層上に、コア層を構成する材料を含むワニスを塗布して、コア層を形成し、次いで、前記コア層上に、クラッド層を構成する材料を含むワニスを塗布して、もう一つのクラッド層を形成する。このとき、前記基材として銅及び銅合金等などの金属板を用いることにより、金属板付き光導波路層を作製し、前記金属板をエッチングして、導体回路を形成することにより、クラッド層上に導体層を形成することができる。このとき、形成された三層の厚みは、例えば、通常７０〜１５０μｍ程度が好ましい。さらに、コア層１０２と、コア層１０２の両面に設けられたクラッド層１０３ａ、１０３ｂとで形成されている中間体に、フォトマスクを通して、活性エネルギー線を照射して、コア部を形成することにより得られる。この方法によると、後述するコア層１０２のコア部以外の部分及びクラッド層１０３ａ、１０３ｂの全てがクラッド部を構成することになる。
（コア層）
コア層１０２を構成する材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等の樹脂材料が挙げられる。これらの中でもノルボルネン系樹脂（特に、ノルボルネン系樹脂の付加重合体）が好ましい。これにより、透明性、柔軟性、絶縁性及び耐熱性に優れる。さらに、他の樹脂を用いた場合と比較して吸湿性を低くすることもできる。
コア層１０２を構成する材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等の樹脂材料が挙げられる。これらの中でもノルボルネン系樹脂（特に、ノルボルネン系樹脂の付加重合体）が好ましい。これにより、透明性、柔軟性、絶縁性及び耐熱性に優れる。さらに、他の樹脂を用いた場合と比較して吸湿性を低くすることもできる。
また、コア層１０２の構成材料としては、活性エネルギー線の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料が好ましい。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系樹脂及びノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を、主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系樹脂（特にノルボルネン系樹脂の付加重合体）を含む（主材料とする）ものが、特に好ましい。
前記露光に用いる活性エネルギー線としては、可視光、紫外光、赤外光及びレーザー光等の活性エネルギー光線や電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば、５０〜２０００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。
前記露光に用いる活性エネルギー線としては、可視光、紫外光、赤外光及びレーザー光等の活性エネルギー光線や電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば、５０〜２０００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。
（クラッド層）
クラッド層１０３ａ、１０３ｂを構成する材料としては、コア層１０２を構成する材料より屈折率が低いものであれば、特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等の樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系樹脂（特に、ノルボルネン系樹脂の付加重合体）が好ましい。これにより、透明性、絶縁性、柔軟性及び耐熱性に優れる。さらに、他の樹脂を用いた場合と比較して、吸湿性を低くすることもできる。
クラッド層１０３ａ、１０３ｂを構成する材料としては、コア層１０２を構成する材料より屈折率が低いものであれば、特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等の樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系樹脂（特に、ノルボルネン系樹脂の付加重合体）が好ましい。これにより、透明性、絶縁性、柔軟性及び耐熱性に優れる。さらに、他の樹脂を用いた場合と比較して、吸湿性を低くすることもできる。
例えば、ノルボルネン系樹脂の付加重合体の場合、その側鎖の種類等によって、屈折率を調整することができる。具体的には、ノルボルネン系樹脂（特に、付加重合体が好ましい）の側鎖に、アルキル基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、シリルオキシ基等を設けることにより、屈折率を適宜調整することができ、それによって、コア部を構成する材料との屈折率差を生じさせることができる。
特に、コア層１０２を構成する材料が、ノルボルネン系樹脂の付加重合体であり、クラッド層１０３ａ、１０３ｂを構成する材料が、ノルボルネン系樹脂の付加重合体であることが好ましい。これにより、耐熱性及び靭性を、特に向上することができる。
クラッド層１０３ａ、１０３ｂを構成するノルボルネン系樹脂（の付加重合体）としては、具体的には、直鎖の脂肪族基を側鎖に有するものが好ましい。これにより、柔軟性や耐折性を向上することができる。直鎖の脂肪族基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基及びデシル基等が挙げられる。
なお、クラッド層１０３ａ、１０３ｂは、同じ構成材料で構成されていても、異なる構成材料で構成されていても構わない。
なお、クラッド層１０３ａ、１０３ｂは、同じ構成材料で構成されていても、異なる構成材料で構成されていても構わない。
光導波路層１０１は、上述したような方法以外に、例えば、予め形成した凹部にコア部を設け、その周囲をクラッド材（クラッド部）で覆う方法等の公知の方法によって得ることができる。
（光路変換部）
前記光導波路層１０１は、光回路基板（光素子実装用部品）に光素子を搭載する際に、光素子搭載位置に応じて、光導波路層のコア部の光路を、光素子の受発光素子に向けて屈曲させる光路変換部を設けることができる。
光路変換部の一例について、その形成方法を説明する。
図１（ｂ）に示すように、光路変換部１０５は、上述ような光導波路層１０１の一方の面側から断面が三角形状の空間を設けることによって形成された傾斜面を有している。
傾斜面は、コア層１０２に設けられたコア部の光の伝送方向に対して、傾斜（コア部の光の伝送方向に対してほぼ４５度傾斜）するようになっている。これにより、例えば、図２中の矢印Ａに示すようにコア層１０２に設けられたコア部を伝送してきた光が全反射されて、光の伝送方向をほぼ直角に変更することができる。
前記光導波路層１０１は、光回路基板（光素子実装用部品）に光素子を搭載する際に、光素子搭載位置に応じて、光導波路層のコア部の光路を、光素子の受発光素子に向けて屈曲させる光路変換部を設けることができる。
光路変換部の一例について、その形成方法を説明する。
図１（ｂ）に示すように、光路変換部１０５は、上述ような光導波路層１０１の一方の面側から断面が三角形状の空間を設けることによって形成された傾斜面を有している。
傾斜面は、コア層１０２に設けられたコア部の光の伝送方向に対して、傾斜（コア部の光の伝送方向に対してほぼ４５度傾斜）するようになっている。これにより、例えば、図２中の矢印Ａに示すようにコア層１０２に設けられたコア部を伝送してきた光が全反射されて、光の伝送方向をほぼ直角に変更することができる。
このような光路変換部の形成方法について簡単に説明すると、コア部と、コア部の外周に接合されたクラッド部とで構成される光導波路層１０１の反射部を形成する部分に、レーザーを照射し、光導波路層１０１に対するレーザーの照射領域を相対的に変化させることにより、光導波路層の光路変換部を形成する部位へのレーザーの照射時間を部分的に変化させて、レーザーの光導波路層の深さ方向に対する到達度を調整しつつ光導波路層の構成材料を除去して光路変換部を形成することができる。このように、レーザーの照射により反射部を形成することができるので、任意の位置に、任意のパターンで光路変換部を形成することが容易となる。ゆえに、光配線のパターンの形成を容易にできる。
レーザーとしては、例えば、ＡｒＦ及びＫｒＦ等のエキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ2レーザー等が挙げられる。
レーザーの照射エネルギーは、特に限定されないが、１〜１０ｍＪが好ましく、特に５〜７ｍＪが好ましい。前記範囲内であると、短時間で光導波路層１０１の構成材料を除去することができる。レーザーの照射する際の周波数は、特に限定されないが、５０〜３００Ｈｚが好ましく、特に２００〜２５０Ｈｚが好ましい。周波数が前記範囲内であると、特に傾斜面の平滑性に優れる。
また、光導波路層１０１にレーザーを照射するサイズは、形成する光路変換部の大きさに依存するため特に限定されないが、８０〜２００μｍ×８０〜２００μｍであることが好ましく、特に１００〜１５０μｍ×１００〜１５０μｍであることが好ましい。これにより、微細な光路変換部を形成することができる。
（レセプター構造部）
次に、レセプター構造部の製造方法について説明する。
レセプター構造部の製造方法としては、例えば、上記で得た光導波路層１０１に、レセプター構造を形成する所定の位置に開口部を設けたマスクを載せて、レーザーを照射することにより、光素子搭載面と配線部品接合面とを貫通するレセプター構造用貫通孔１０４を設けることにより得ることができる（光回路基板（Ｇ１）１０６）。
前記レセプター構造部は、少なくとも光素子の導電部材（電極、金属突起部）の位置にあわせて、光素子搭載部に形成される。また、後述するように、前記レセプター構造用貫通孔１０４は、所望のレセプター構造に合わせて、追加の導体部が加工される。
レセプター構造用貫通孔１０４の大きさとしては、光素子を搭載することができ、光素子と配線部品とを電気接続するための上記導電部材を配置することができればよいが、例えば、径が１００〜１２５μｍ程度とすることができるが、これに限定されない。また、前記貫通孔の形状としては、円柱状又は角柱状など、特に限定されない。
前記レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー及び紫外線レーザー等が挙げられる。また、前記貫通孔の形成方法として、レーザー照射による方法を挙げたが、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等の方法も挙げることができる。
次に、レセプター構造部の製造方法について説明する。
レセプター構造部の製造方法としては、例えば、上記で得た光導波路層１０１に、レセプター構造を形成する所定の位置に開口部を設けたマスクを載せて、レーザーを照射することにより、光素子搭載面と配線部品接合面とを貫通するレセプター構造用貫通孔１０４を設けることにより得ることができる（光回路基板（Ｇ１）１０６）。
前記レセプター構造部は、少なくとも光素子の導電部材（電極、金属突起部）の位置にあわせて、光素子搭載部に形成される。また、後述するように、前記レセプター構造用貫通孔１０４は、所望のレセプター構造に合わせて、追加の導体部が加工される。
レセプター構造用貫通孔１０４の大きさとしては、光素子を搭載することができ、光素子と配線部品とを電気接続するための上記導電部材を配置することができればよいが、例えば、径が１００〜１２５μｍ程度とすることができるが、これに限定されない。また、前記貫通孔の形状としては、円柱状又は角柱状など、特に限定されない。
前記レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー及び紫外線レーザー等が挙げられる。また、前記貫通孔の形成方法として、レーザー照射による方法を挙げたが、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等の方法も挙げることができる。
本発明において、光回路基板に前記レセプター構造を設けない場合は、前記光素子と前記配線部品との電気的導通をはかるためのプラグなどの導電部材を挿入する貫通孔を設ければ良い。
前記光回路基板のクラッド層に導体回路を設ける場合は、例えば、上記で得た光導波路層１０１において、導体回路を設けるクラッド層表面に、銅及び銅合金などの金属板を貼りあわせ、これをエッチングにより導体回路を形成することができる。また、前記金属板付き光導波路層を用いることにより、前記金属板をエッチングして、導体回路を形成してもよい。
（接着剤）
本発明に用いる接着剤層は、導電部材間を電気的に接続することを可能とするものであり、具体例としては、樹脂及び導電性粒子を含むものが挙げられる。前記導電性粒子としては、導電性を有するものであれば、特に制限するものではなく、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀及び金など各種金属、これらの金属合金及び金属酸化物並びに半田などの金属粉末、カーボン及びグラファイトなどの導電性炭素粉末、更には、ガラス、セラミック及びプラスチックなどの粒子等の表面に前記金属をコートしたもの等が挙げられる。前記接着剤層として、より好ましいのは、半田粉およびフラックス活性を有する硬化剤を含むものである。このうち、半田粉とフラックス活性を有する硬化剤とは、樹脂中に存在するものであることが好ましいが、本発明に用いる接着剤層としては、接着剤のドライフィルムとした接着剤テープより形成されることが好ましい。また、前記接着剤層として、半田粉およびフラックス活性を有する硬化剤を含むものを用いることにより、接着工程において、半田粉の粒子がセルフアライメント効果により、導電部材部分に集中移動し、安定的な金属接合を形成し、電気的接合を可能にすることができる。
以下、接着剤層の各成分について具体的に説明する。
本発明に用いる接着剤層は、導電部材間を電気的に接続することを可能とするものであり、具体例としては、樹脂及び導電性粒子を含むものが挙げられる。前記導電性粒子としては、導電性を有するものであれば、特に制限するものではなく、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀及び金など各種金属、これらの金属合金及び金属酸化物並びに半田などの金属粉末、カーボン及びグラファイトなどの導電性炭素粉末、更には、ガラス、セラミック及びプラスチックなどの粒子等の表面に前記金属をコートしたもの等が挙げられる。前記接着剤層として、より好ましいのは、半田粉およびフラックス活性を有する硬化剤を含むものである。このうち、半田粉とフラックス活性を有する硬化剤とは、樹脂中に存在するものであることが好ましいが、本発明に用いる接着剤層としては、接着剤のドライフィルムとした接着剤テープより形成されることが好ましい。また、前記接着剤層として、半田粉およびフラックス活性を有する硬化剤を含むものを用いることにより、接着工程において、半田粉の粒子がセルフアライメント効果により、導電部材部分に集中移動し、安定的な金属接合を形成し、電気的接合を可能にすることができる。
以下、接着剤層の各成分について具体的に説明する。
前記樹脂としては、特に制限されるものではないが、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の混合系を用いることができる。これらのうち、成膜性および樹脂の溶融粘度の観点から、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂の混合系が好適である。さらに具体的には、樹脂が、エポキシ樹脂およびアクリルゴムを含む構成としてもよい。
前記熱可塑性樹脂としては、特に制限されるものではないが、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン及びアクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独または２種以上を混合して用いることができる。
また、上記熱可塑性樹脂は、接着性や他の樹脂との相溶性を向上させる目的で、ニトリル基、エポキシ基、水酸基及びカルボキシル基などの官能基を有するものを用いてもよく、このような樹脂として、例えば、アクリルゴムを用いることができる。
前記熱硬化性樹脂としては、特に制限されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂及びマレイミド樹脂等が用いられる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性及び耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
上記エポキシ樹脂としては、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂のうち、いずれを用いてもよい。また、樹脂が室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂とを含んでもよい。これにより、樹脂の溶融挙動の設計の自由度を、さらに高めることができる。
室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂及び４官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、固形の３官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とを含んでもよい。
また、室温で液状のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂またはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を用いることができる。また、これらを組み合わせて用いてもよい。
また、樹脂がアクリルゴムを含む構成とすることにより、フィルム状の接着剤層を作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着剤層の弾性率を低下させ、被接着物と接着剤層間の残留応力を低減できることができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
本発明に用いる接着剤層中の樹脂の配合比としては、樹脂としてアクリルゴムを含む場合、半田粉を除く接着剤層の構成成分の合計に対し、例えば、アクリルゴムが１０重量％以上５０重量％以下とすることが好ましい。アクリルゴムの配合比を１０重量％以上とすることにより、成膜性の低下を抑制し、さらに、接着剤層の硬化後の弾性率の増加が抑制されるため、被接着物との密着性をさらに向上させることができる。また、アクリルゴムの配合比を５０重量％以下とすることにより、樹脂の溶融粘度の増加を抑制し、半田粉が導電部材の表面へ、さらに確実に移動できるようになる。
また、エポキシ樹脂の配合比は、導電性粒子（半田粉など）を除く接着剤層の構成成分の合計に対し、例えば、２０重量％以上８０重量％以下とすることが好ましい。エポキシ樹脂の配合比を２０重量％以上とすることにより、接着後の弾性率をさらに充分に確保し、接続信頼性を向上させることができる。また、エポキシ樹脂の配合比を８０重量％以下とすることにより、溶融粘度をさらに高めることができるため、導電性粒子（半田粉など）が被接着物からはみ出してしまい接続信頼性が低下することを抑制できる。
また、前記導電性粒子において、半田粉を樹脂中で確実に移動させる観点では、樹脂の硬化温度が、後述する半田粉の溶融温度よりも高い構成とするとよい。さらに具体的には、樹脂の硬化温度は、半田の融点よりも１０℃以上高い方が好ましく、２０℃以上高い方がより好ましい。また、接着温度における樹脂の溶融粘度が低い構成とするとよい。
ここで、樹脂の硬化温度は、例えばＤＳＣ（Differential Scanning Calorimeter：示差走査熱量計）を用い、昇温速度１０℃／分で接着剤層を測定した際の発熱ピーク温度とする。
本発明に用いる接着剤層において、半田粉を構成する半田としては、例えば、鉛フリー半田を用いることができる。鉛フリー半田としては、特に限定されるものではないが、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｕから選ばれる少なくとも二種以上を含む合金であることが好ましい。その中でも、溶融温度や機械的な物性を考慮すると、Ｓｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金等のＳｎを含む合金であることが好ましい。本発明においては、製造工程により、光回路基板及び光素子などの耐熱性を考慮し、より低温で溶融し、金属接合が可能な半田を選択することが望ましい。
半田粉の溶融温度として一般的には、接着剤層を接着する際の樹脂の流動性を充分に確保する観点では、例えば、１００℃以上が好ましく、１３０℃以上とすることがより好ましい。また、半田粉の溶融温度は、接着時に、例えば、光素子、光回路基板及び配線部品に設けられた部品などの劣化を抑制する観点では、例えば、２５０℃以下が好ましく、２３０℃以下とすることがより好ましい。これらの溶融温度としては、半田の種類にもよるが、製造工程により、光回路基板及び光素子などの耐熱性によって選択される。
ここで、半田の溶融温度は、例えば、ＤＳＣを用い、昇温速度１０℃／分で半田粉単体を測定した際の吸熱ピーク温度とする。
また、半田粉をさらに確実に導電部材の表面に移動させる観点では、半田粉の溶融温度を樹脂の硬化温度よりも低い温度とする。
また、半田粉の粒径としては、導電部材の表面の面積および導電部材の間隔に応じて設定することができる。半田粉の平均粒径としては、導電部材表面に半田粉を確実に集合させる観点では、例えば、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上とすることがより好ましい。また、導電部材の表面に、選択的に半田領域を形成するとともに、導電部材等の導通させたい領域以外の領域において、接着剤層の絶縁性を確保する観点では、半田粉の平均粒径を、例えば、１００μｍ以下とすることが好ましく、５０μｍ以下とすることがより好ましい。ここで、半田粉の平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱法により測定される。
また、本発明に用いる接着剤層において、導電性粒子（半田粉など）の配合比は、半田粉以外の成分の合計１００重量部に対して、接続信頼性を向上させる観点で２０重量部以上が好ましく、４０重量部以上とすることがより好ましい。また、接着剤層の成膜性を向上させる観点では、接着剤層中の半田粉以外の成分の合計１００重量部に対して、２５０重量部以下が好ましく、２３０重量部以下とすることがより好ましい。
本発明において接着剤層に用いるフラックス活性を有する硬化剤としては、半田粉表面の酸化膜を、導電部材と電気的に接合できる程度に還元する作用を示し、かつ、樹脂と結合する官能基を有する化合物である。
フラックス活性を有する硬化剤としては、接着時に半田粉の表面の酸化膜を除去する観点で、半田粉の種類に応じて、適宜選択して用いることができる。
フラックス活性を有する硬化剤としては、例えば、カルボキシル基を含有する化合物を挙げることができる。カルボキシル基を含有する化合物としては、例えば、直鎖状または分岐鎖を有するアルキルカルボン酸、芳香族カルボン酸等のカルボン酸類が挙げられる。
また、樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、フラックス活性を有する硬化剤が、カルボキシル基と、エポキシ基と反応する基と、を有していてもよい。エポキシ基と反応する基としては、例えば、カルボキシル基、水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
また、樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、フラックス活性を有する硬化剤が、カルボキシル基と、エポキシ基と反応する基と、を有していてもよい。エポキシ基と反応する基としては、例えば、カルボキシル基、水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
アルキルカルボン酸として、具体的には、下記式（１）で表される化合物が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ （１）
上記式（１）において、ｎは、０以上２０以下の整数である。
また、フラックス活性、接着時のアウトガス及び接着剤層の硬化後の弾性率やガラス転移温度のバランスから、上記式（１）中のｎは、４以上１０以下が好ましい。ｎを４以上とすることにより、エポキシ樹脂の架橋間距離が短すぎることによる接着剤層の硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができる。また、ｎを１０以下とすることにより、エポキシ樹脂の架橋間距離が長くなりすぎることによる弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ （１）
上記式（１）において、ｎは、０以上２０以下の整数である。
また、フラックス活性、接着時のアウトガス及び接着剤層の硬化後の弾性率やガラス転移温度のバランスから、上記式（１）中のｎは、４以上１０以下が好ましい。ｎを４以上とすることにより、エポキシ樹脂の架橋間距離が短すぎることによる接着剤層の硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができる。また、ｎを１０以下とすることにより、エポキシ樹脂の架橋間距離が長くなりすぎることによる弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。
上記式（１）で表される化合物として、例えば、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）4−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）8−ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ2）10−ＣＯＯＨなどが挙げられる。
芳香族カルボン酸として、具体的には、一分子中に、少なくとも二個のフェノール性水酸基と、芳香族基に直接結合した少なくとも一個のカルボキシル基とを含む化合物が挙げられる。このような化合物として、例えば、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられる。
フラックス活性を有する硬化剤として、さらに具体的には、上述したセバシン酸およびゲンチジン酸が挙げられ、こららの一方またはいずれかを含んでもよい。
本発明を構成する接着剤層において、フラックス活性を有する硬化剤は、半田粉の外部に存在していればよく、例えば、半田粉とフラックス活性を有する硬化剤とが、それぞれ樹脂中に分散していてもよいし、樹脂中に分散している半田粉の表面に付着していてもよい。フラックス活性を有する硬化剤は、半田粉の外部に存在しているため、接着時に、フラックス活性を有する硬化剤が、半田と被接着部材中の導電材料との界面に、効率よく移動して、導電部材と半田とを直接接触させることができる。これにより、接続信頼性を向上させることができる。また、フラックス活性を有する硬化剤が、樹脂中に存在するため、樹脂に効率よく付加して、樹脂の弾性率またはＴｇを高めることができる。
また、本発明を構成する接着剤層において、フラックス活性を有する硬化剤の配合比は、フラックス活性を向上させる観点で、半田粉を除く接着剤層の構成成分の合計に対して、フラックス活性を有する硬化剤の配合比を、例えば、０．１重量％以上とすることが好ましく、１重量％以上とすることがより好ましい。また、接着時の樹脂の溶融粘度を低下させる観点では、半田粉を除く接着剤層の構成成分の合計に対して、フラックス活性を有する硬化剤の配合比を、例えば、３０重量％以下とすることが好ましく、１０重量％以下とすることがより好ましい。
さらに具体的には、本発明を構成する接着剤層がエポキシ樹脂を含む場合、接着剤層中のエポキシ樹脂に対して、フラックス活性を有する硬化剤の配合比を、例えば、５０重量％以下とすることが好ましく、３０重量％以下とすることがより好ましい。こうすることにより、硬化剤過多が解消され、硬化性が改善される。
なお、本発明を構成する接着剤層は、樹脂中に、フラックス活性を有する硬化剤とは別の硬化剤をさらに含んでもよく、また、硬化剤として機能する樹脂を含んでいてもよい。
上記フラックス活性を有する硬化剤とは別の硬化剤としては、特に限定されるものではないが、フェノール類、アミン類及びチオール類などが挙げられるが、エポキシ樹脂との反応性や硬化後の物性を考えた場合、フェノール類が好適に用いられる。
上記フェノール類としては、特に限定されるものではないが、接着剤層の硬化後の物性を考えた場合、２官能以上のフェノール類が好ましい。例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類及びクレゾールノボラック類等が挙げられるが、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性および硬化後の物性を考えた場合、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類を好適に用いることができる。
また、フラックス活性を有する硬化剤とは別の硬化剤の配合量としては、半田粉を除く接着剤層の構成成分の合計を１００重量％としたときに、樹脂を確実に硬化させる観点では、例えば、５重量％以上が好ましく、１０重量％以上とすることがより好ましい。また、接着時の樹脂の流動性を向上させる観点では、半田粉を除く接着剤層の構成成分の合計を１００重量％としたときに、硬化剤の配合量を、例えば、４０重量％以下とすることが好ましく、３０重量％以下とすることがより好ましい。
また、本発明を構成する接着剤層は、硬化触媒をさらに含んでもよい。硬化触媒を含む構成とすることにより、接着剤層の作製時に、樹脂をさらに確実に硬化させることができる。
上記硬化触媒は、樹脂の種類に応じて適宜選択できるが、例えば、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することができる。イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田粉が電極表面へ移動する前に、接着剤層の樹脂が硬化してしまい金属接合が不安定になったり、接着剤層の保存性が低下する懸念がある。そのため、イミダゾールの融点は１５０℃以上が好ましい。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２−フェニルヒドロキシイミダゾール及び２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、例えば、接着剤層の接着温度に応じて、適宜設定することができる。
また、硬化触媒の配合比としては、導電性粒子（半田粉など）を除く接着剤層の構成成分の合計を１００重量％としたときに、例えば、０．０１重量％以上５重量％以下とすることが好ましい。硬化触媒の配合比を０．０１重量％以上とすることにより、エポキシ樹脂の硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、接着剤層の硬化性を向上させることができる。また、硬化触媒の配合比を５重量％以下とすることにより、接着剤層の保存性をさらに向上させることができる。
また、本発明を構成する接着剤層には、シランカップリング剤をさらに含んでもよい。シランカップリング剤を含む構成とすることにより、接着剤層の被接着物への密着性をさらに高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられ、これらのエポキシシランカップリング剤及び芳香族含有アミノシランカップリングの一方又は両方を含めばよい。また、例えば、これらの両方を含む構成とすることができる。シランカップリング剤の配合比としては、半田粉を除く接着剤層の構成成分の合計を１００重量％としたときに、例えば、０．０１〜５重量％程度とすることが好ましい。
さらに、本発明を構成する接着剤層には、上記以外の成分を含んでいてもよい。例えば、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤を適宜添加してもよい。
次に、本発明の接着剤層の作製方法について説明する。接着剤層は、まず、樹脂及び導電性粒子、必要に応じて他の添加剤を混合し、樹脂中に導電性粒子を混合し、分散させて、接着剤を作製する。また、導電性粒子として半田粉を用いる場合は、樹脂、半田粉、フラックス活性を有する硬化剤、および必要に応じて他の添加剤を混合し、樹脂中に半田粉およびフラックス活性を有する硬化剤を混合し、分散させて、接着剤を作製する。次いで、上記で得た接着剤を塗布液として、接着剤層を形成する部分に、直接塗布して、接着剤層を形成することができる。
また、前記塗布液を、ポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥することにより、接着剤ドライフィルムとすることができる。このようにして得られたドライフィルムは、接着テープとして用いることができ、これを所望の大きさに調整して用いることができる。
また、上記ドライフィルムの作製において、剥離基材上に、前記塗布液を、印刷法やディスペンサーによる塗布などにより、接着剤層を形成する箇所のみに塗布し、所定の温度で乾燥することにより、予め接着箇所のみに接着剤層のパターンが形成された接着剤ドライフィルムを作製しても良い。
また、前記塗布液を、ポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥することにより、接着剤ドライフィルムとすることができる。このようにして得られたドライフィルムは、接着テープとして用いることができ、これを所望の大きさに調整して用いることができる。
また、上記ドライフィルムの作製において、剥離基材上に、前記塗布液を、印刷法やディスペンサーによる塗布などにより、接着剤層を形成する箇所のみに塗布し、所定の温度で乾燥することにより、予め接着箇所のみに接着剤層のパターンが形成された接着剤ドライフィルムを作製しても良い。
上記で得られた接着剤層及びフィルム状の接着剤層は、半田粉およびフラックス活性を有する硬化剤が樹脂中に存在している。これを、被接着物の間に配置して加熱すると、樹脂中の半田粉が、被接着物中の導電部材の表面に、自己整合的に移動し、金属接合が形成される。
（光回路基板）
次いで、接着剤層付き光回路基板を説明するにあたり、代表例として、上記で得られたレセプター構造部を有する光回路基板と、樹脂とフラックス活性を有する硬化剤と半田粉を含む接着剤を用いた例を説明する。
次いで、接着剤層付き光回路基板を説明するにあたり、代表例として、上記で得られたレセプター構造部を有する光回路基板と、樹脂とフラックス活性を有する硬化剤と半田粉を含む接着剤を用いた例を説明する。
まず、上記で得られた、光導波路層１０１にレセプター構造用貫通孔１０４を設けた光回路基板（Ｇ１）１０６を用いて、前記光回路基板１０６の前記配線部品との接合面の所定の位置に、接着剤層１０７を形成する（図１（ｃ））。
このようにして、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備え、前記配線部品との接合面に、前記電極及びパッドを電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ１）１０８を得ることができる。
このようにして、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備え、前記配線部品との接合面に、前記電極及びパッドを電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ１）１０８を得ることができる。
前記接着剤層の形成方法としては、例えば、上記で得られた光路回路基板Ｇ１において、前記配線部品との接合面の所定の位置に、前記接着剤を直接塗布して、塗膜を形成し、これを乾燥して、接着剤層を形成することができる。また、上記で得られた光路回路基板Ｇ１において、前記配線部品との接合面の所定の位置に、前記接着剤ドライフィルムを貼りあわて接着剤層を形成することができる。前記接着剤ドライフィルムは、予め、所望の大きさに調整でき、また、パターンが形成された接着剤ドライフィルムは、予め所望の大きさに調整されていることから、所定の位置に仮圧着するだけで用いることができることから、作業が容易なものとなる。このような接着ドライフィルムの仮圧着条件としては、接着剤における半田粉が溶融せず、また樹脂が硬化しない程度の温度で圧着して貼り付けられれば良いが、例えば、６０℃以上１２０℃以下程度の温度で、０．１ＭＰａ以上２ＭＰａ以下程度の圧力で、１秒以上１０秒以下程度の間で圧着する方法が挙げられる。
次に、光回路基板においては、光素子搭載面に導体回路を有し、該導体回路と前記配線部品との電気導通をはかるため、該導体回路上に、前記光回路基板を貫通し、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部が形成されていても良く、光回路基板に導体回路を形成する方法と、前記光回路基板を貫通し、前記光回路基板の両面の電気導通をはかるための導体部を形成する方法について説明する。
まず、上記で得た光回路基板（Ｇ１）１０６において、光素子搭載面に金属板３０１を貼りあわせ（図３（ａ））、次に、前記金属板３０１上に光導波路層１０１を貫通して、前記金属板３０１より形成される導体回路と前記配線部品の導電部材とを金属接合するため導体部を形成する位置に、ビアを形成する（図示せず。）。
ビアの形成方法としては、この製造方法に適する方法であれば、どのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー及び紫外線レーザー等が挙げられる。
ビアの形成方法としては、この製造方法に適する方法であれば、どのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。レーザーとしては、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー及び紫外線レーザー等が挙げられる。
次に、金属板３０１を電解めっき用リード（給電用導電部材）として、電解めっきにより、ビア内に導体部（導体ポスト３０２）を形成し（図３（ｂ））、次に、前記金属板３０１をエッチングして、導体回路３０３を形成する（光回路基板（Ｇ２）３０５）（図３（ｃ））。
このとき、光回路基板の導体部（導体ポスト３０２）と配線部品の導電部材との接合部を、電気メッキなどにより金皮膜３０４を形成することが好ましく（図３（ｃ））、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。また、同様にして電解めっきにより、導体部の先端表面に半田被膜（半田層）を形成しても良い。
このとき、光回路基板の導体部（導体ポスト３０２）と配線部品の導電部材との接合部を、電気メッキなどにより金皮膜３０４を形成することが好ましく（図３（ｃ））、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。また、同様にして電解めっきにより、導体部の先端表面に半田被膜（半田層）を形成しても良い。
導体部（導体ポスト３０２）の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、銅及び半田などを含有する導電ペーストを印刷する方法が挙げられる。導体部（導体ポスト３０２）としては、金属又はその合金からなり、前記金属としては、銅、半田、ニッケル、金、錫、銀及びパラジウムなどが挙げられるが、中でも低抵抗である銅が好ましい。前記導体ポスト（導体ポスト３０２）は、金属接合の方法により異なるが、接合性を向上させるため、半田接合する場合は、半田の１層あるいは銅と半田の２層で形成することができる。導体ポストに半田層を形成する場合は、上記半田皮膜を形成しなくても良い。
次に、上記で得られた光回路基板（Ｇ２）３０５を用いて、前記光回路基板３０５の前記配線部品との接合面の所定の位置に、前記同様にして、接着剤層３０６を形成する（図３（ｄ））。接着剤層の形成方法としては、前記接着剤付き光回路基板Ｇ１と同様にして、接着剤を直接塗布する方法、接着剤ドライフィルムを仮圧着する方法が挙げられる。
このようにして、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備え、前記光素子搭載面に導体回路３０３を有し、該導体回路３０３と配線部品との電気導通をはかるため、該導体回路３０３上に、前記光導波路層１０１を貫通し、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体ポスト（導体部）３０２が形成され、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ２）３０７を得ることができる。
このようにして、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備え、前記光素子搭載面に導体回路３０３を有し、該導体回路３０３と配線部品との電気導通をはかるため、該導体回路３０３上に、前記光導波路層１０１を貫通し、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体ポスト（導体部）３０２が形成され、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ２）３０７を得ることができる。
次に、配線部品について説明する。
本発明に用いる配線部品としては、光素子を搭載する際に、光素子の電極と配線部品の電気回路などの導電部材との電気導通をはかるための搭載部パッドが設けられているとともに、絶縁層と回路層とを有する回路基板が挙げられ、これを複数重ね合わせた多層回路基板で有ってもよく、リジッド回路基板及びフレキシブル回路基板などを用いることができる。前記配線部品は、少なくとも前記光素子搭載部が設けられているものであればよいが、電子部品が搭載されていても良い。また、前記配線部品としては、半導体素子の基板、コネクターなどの部品であっても良い。更には、前記配線部品としては、コンピューター、液晶ディスプレー、ゲーム機、カーナビゲーションシステム及び携帯電話などの電子機器用配線部品を用いることができる。
本発明に用いる配線部品としては、光素子を搭載する際に、光素子の電極と配線部品の電気回路などの導電部材との電気導通をはかるための搭載部パッドが設けられているとともに、絶縁層と回路層とを有する回路基板が挙げられ、これを複数重ね合わせた多層回路基板で有ってもよく、リジッド回路基板及びフレキシブル回路基板などを用いることができる。前記配線部品は、少なくとも前記光素子搭載部が設けられているものであればよいが、電子部品が搭載されていても良い。また、前記配線部品としては、半導体素子の基板、コネクターなどの部品であっても良い。更には、前記配線部品としては、コンピューター、液晶ディスプレー、ゲーム機、カーナビゲーションシステム及び携帯電話などの電子機器用配線部品を用いることができる。
図６は、本発明に用いる配線部品の一例を示す断面図である。
図６（ａ）に示すように、配線部品６０１は、絶縁層を有するコア基板６０２に、ドリル機で開口された開口部６０３が形成されている。また、コア基板６０２の両表面には導体回路６０４が形成されている。
このとき、導体回路６０４には、光素子を搭載する際に、光素子の電極と配線部品の電気回路などの導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドが設けられている。配線部品の両面に、光回路基板を介して、光素子を搭載する場合は、配線部品の両面の導体回路に、上記パッドを設ければ良い。
また、開口部６０３の内部はメッキ処理されており、コア基板６０２の両表面の導体回路６０４が導通されている。
図６（ａ）に示すように、配線部品６０１は、絶縁層を有するコア基板６０２に、ドリル機で開口された開口部６０３が形成されている。また、コア基板６０２の両表面には導体回路６０４が形成されている。
このとき、導体回路６０４には、光素子を搭載する際に、光素子の電極と配線部品の電気回路などの導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドが設けられている。配線部品の両面に、光回路基板を介して、光素子を搭載する場合は、配線部品の両面の導体回路に、上記パッドを設ければ良い。
また、開口部６０３の内部はメッキ処理されており、コア基板６０２の両表面の導体回路６０４が導通されている。
前記絶縁層としては、例えば、シアネート樹脂、環状オレフィン系樹脂、フェノール樹脂及びエポキシ樹脂などの絶縁樹脂を用いた樹脂組成物より構成されるものを挙げることができる。特に、光素子を搭載する際に、寸法変化を小さくする上では、高耐熱性及び低線膨張率などの特性を有するシアネート樹脂及び／又はそのプレポリマーと、エポキシ樹脂を含有する樹脂組成物を用いることが好ましい。
このような配線板を製造する方法としては、図６を用いて説明すると、例えば、コア基板（例えばＦＲ−４の両面銅箔）６０２に、ドリル機で開孔して開口部６０３を設けた後、無電解めっきにより、開口部６０３にメッキ処理を行い、コア基板６０２の両面の導通を図る。そして、前記銅箔をエッチングすることにより、光素子の導電部材と配線部品の導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドを含む導体回路６０４を形成する（図６（ａ））。
上記パッドは、その表面に、電気メッキなどにより、金皮膜６０５を形成することが好ましく（図６（ｂ））、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。
上記パッドは、その表面に、電気メッキなどにより、金皮膜６０５を形成することが好ましく（図６（ｂ））、金属の拡散防止層としてニッケルなどを電解メッキで形成してから金皮膜を形成しても良い。
導体回路６０４の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成において、エッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路６０４の材質としては、例えば、銅、銅合金、４２合金及びニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板及び銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路６０４として使用するのに最も好ましい。
また、前記光回路基板において、接着剤層を設けたが、前記配線部品に前記接着剤層を設けても良い。その場合、上記で得た配線部品には、導体回路６０４を覆うように、コア基板６０２の前記光回路基板（このとき、接着剤層はない。）との接合面（片面又は両面）に、前記同様にして、接着剤層６０６を形成する（図６（ｃ））。
次に、光素子実装部品について、具体的な態様を用いて説明する。
＜第１の態様（図７）＞
第１の態様は、図７（ｃ）に示すように、光素子を搭載するための光素子搭載部が設けられた配線部品と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成され、前記光素子の導電部材と配線部品の導電部材との電気導通をはかるためのレセプター構造を備えた光回路基板とを、含んで構成される光素子実装用部品の、前記配線部品の光素子搭載部に、光素子が、前記光回路基板を介して搭載されたものであって、前記光素子の電極と、前記配線部品のパッドとが、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部が、前記レセプター構造内において、導体部として、直接に金属接合されるものである。
＜第１の態様（図７）＞
第１の態様は、図７（ｃ）に示すように、光素子を搭載するための光素子搭載部が設けられた配線部品と、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成され、前記光素子の導電部材と配線部品の導電部材との電気導通をはかるためのレセプター構造を備えた光回路基板とを、含んで構成される光素子実装用部品の、前記配線部品の光素子搭載部に、光素子が、前記光回路基板を介して搭載されたものであって、前記光素子の電極と、前記配線部品のパッドとが、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部が、前記レセプター構造内において、導体部として、直接に金属接合されるものである。
第１の態様に用いる光素子７０１としては、その電極上に、前記レセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）７０２を有するものである（図７（ａ））。金属突起部７０２の材質としては、金、銅、半田などが挙げられるが、金属接合方法により選択さる。
前記光素子７０１について、図１２を用いて詳細な例を説明すると、例えば、単一の受光点又は発光点を有する光素子では、受／発光点７０３側に、信号線接続用電極上に設けた金属突起部（導電部材）７０２ａと、グラウンド接続用電極上に設けた金属突起部７０２ｂと、位置決め固定用金属突起部７０２ｃとを有するものが挙げられる（図１２（ａ）、三方向より示す図。）。前記位置決め固定用突起部は、一つ設けることにより、光素子の位置決め及び固定が確実なものとなり、複数設けることもできる。また、光素子は、受光点又は発光点が複数有するものであっても良く、例えば、上記単一の受光点又は発光点を有する光素子が４つ並列したものであってもよい（図１２（ｂ））。前記受光点又は発光点が複数有する光素子は、光回路基板において、コア部を複数有するものに用いられ、コア部の数に応じて、受光点又は発光点の数も決定される。
金属突起部の大きさとしては、レセプター構造用貫通孔に納められ、前記配線部品のオパッドと、十分に金属接合できる程度の大きさを有していれば良い。金属突起部を複数有する場合、前記金属突起部間のピッチは、前記光素子の導電部材間のピッチに相当し、一般的には、１２５μｍ又は２５０μｍであるが、数十μｍ程度であっても良い。
金属突起部の大きさとしては、レセプター構造用貫通孔に納められ、前記配線部品のオパッドと、十分に金属接合できる程度の大きさを有していれば良い。金属突起部を複数有する場合、前記金属突起部間のピッチは、前記光素子の導電部材間のピッチに相当し、一般的には、１２５μｍ又は２５０μｍであるが、数十μｍ程度であっても良い。
次に、第１の態様の製造方法の一例を説明する。
まず、上記で得た接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８と、光素子搭載部パッド上に金皮膜６０５を形成した配線部品６０１’とを用意し、光回路基板（Ｇ１）１０６に形成されたレセプター構造用貫通孔１０４と、パッド上の金皮膜６０５とを位置合わせして重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４を得る（図７（ｂ））。このとき、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８と、配線部品６０１’とは、前記接着剤層により仮圧着するが、仮圧着の条件としては、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８における接着ドライフィルムの仮圧着条件と同様にして行うことができる。
まず、上記で得た接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８と、光素子搭載部パッド上に金皮膜６０５を形成した配線部品６０１’とを用意し、光回路基板（Ｇ１）１０６に形成されたレセプター構造用貫通孔１０４と、パッド上の金皮膜６０５とを位置合わせして重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４を得る（図７（ｂ））。このとき、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８と、配線部品６０１’とは、前記接着剤層により仮圧着するが、仮圧着の条件としては、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８における接着ドライフィルムの仮圧着条件と同様にして行うことができる。
前記位置あわせにおいては、光素子をレセプター構造用貫通孔に沿って搭載するパッシブ・アライメントが可能である。これにより、実装精度と実装スピードの両方を向上させることができる。
次に、上記金属突起部を有する光素子７０１に形成された金属突起部７０２を、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４における光回路基板（Ｇ１）１０６に形成されたレセプター構造用貫通孔１０４に位置合わせして、所定の位置に納めて、光回路基板（Ｇ１）１０６と、配線部品６０１’とを接着すると共に、光素子７０１の金属突起部７０２と、配線部品６０１’の光素子搭載部パッドとを金属接合し、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１）７０５を得る（図７（ｃ））。
前記接着方法としては、所定の温度で加熱して接着することができる。接着温度としては、接着剤層中の半田粉の材料および樹脂の材料に応じて設定することができる。
接着温度は、半田粉の溶融温度よりも高く、樹脂が溶融している温度とすることが好ましい。この観点では、接着温度を、１００℃より高くすることが好ましく、１２０℃以上とすることがより好ましい。また、接着温度において、樹脂の溶融粘度が低いことが好ましく、この観点では、接着温度を、２５０℃以下とすることが好ましく、２００℃以下とすることがより好ましい。また、樹脂の溶融粘度が低い領域を広げる観点で、接着温度を低くするとよいが、光回路基板及び光素子などの耐熱性を考慮し、設定することが望ましい。
接着において、半田粉を金属突起部表面に押し流して、さらに効率よく移動させる観点では、接着時に所定の圧力で加圧するとよい。加圧圧力は、半田領域をさらに確実に形成する観点では、０ＭＰａ以上が好ましく、１ＭＰａ以上とすることがより好ましい。なお、接着剤層に意図的に加える圧力が０ＭＰａであっても、接着剤層上に配置された部材の自重により、接着剤層に所定の圧力が加わっていてもよい。また、接続信頼性をさらに向上させる観点で、加圧圧力は、２０ＭＰａ以下が好ましく、１０ＭＰａ以下とするのがより好ましい。
前記加熱により、接着剤層中の樹脂は、溶融する。また、接着剤層中の半田粉が溶融する。溶融した半田粉は、樹脂（不図示）中から、光素子７０１の金属突起部７０２と、配線部品６０１’の光素子搭載部パッドとの上に自己整合的に移動する。半田粉が電極（金属突起部）及びパッドの導電部材の対向領域にセルフアライメントするため、光素子７０１の金属突起部７０２と配線部品６０１’の光素子搭載部パッドとの間の領域に、半田領域が形成される。
また、樹脂中に存在するフラックス活性を有する硬化剤（図示せず）が、半田粉と上記導電部材との界面に効率よく移動するとともに、半田粉の表面の酸化膜を除去するため、半田領域と各導電部材とが直接金属接合されて、電気的に接続される。その後、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１）７０５を冷却することにより、接着剤層中の樹脂が硬化し、上記導電部材間が半田領域により接合された状態が維持される。
ここで、接着剤層として、接着剤ドライフィルムを用いると、接着時に所定の単一温度に加熱処理すればよく、光回路基板と配線部品との間を簡単に接着することができる。ただし、接着時の加熱処理は、単一温度での処理には限られず、たとえば、１５０℃で１００秒加熱後、１８０℃で１００秒加熱するステップキュアや、１６０℃で１０秒熱圧着後、１８０℃で１０分オーブン硬化させるポストキュアを行ってもよい。また、半田粉を構成する半田粒子の金属接合により、上記導電部材と接着剤層中の半田とが接続されるため、接続抵抗が低く、接続信頼性が高い。
また、上記光素子実装用部品（Ｇ１）７０４の製造においては、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８と、配線部品６０１’とを、前記接着剤層により仮圧着を行ったが、ここで、上記光素子実装部品（Ｇ１）７０５における接着方法と同じ方法により、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）１０８と、配線部品６０１’とを、前記接着剤層により接着（本圧着）を行って、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４を製造することができる。このとき、光素子搭載部パッド上の金皮膜６０５が、接着剤層１０７より露出するようにすることが望ましい。次に、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４のレセプター構造用貫通孔１０４に、光素子７０１を搭載し、前記光素子７０１の金属突起部７０２が、金皮膜６０５に押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１）７０５を得ることもできる。
超音波接合の方法の具体例としては、例えば、金属突起部７０２を、レセプター構造用貫通孔１０４の所定の位置に納めた後、超音波接合装置を用いて、一般的には、周波数１５ｋＨｚで、定格３０００Ｗの電力で、１ｋＮ程度の加重をかけて、金属突起部７０２を、少なくとも金皮膜６０５に押圧しながら、０．５秒間加振して接合を行うことができる。
上記説明においては、接着剤層付き光回路基板を用いる方法を説明したが、配線部品６０１’、接着剤ドライフィルム（接着剤層）、光回路基板（Ｇ１）１０６及び光素子７０１を、順に、所定の位置に重ね合わせ、上記同様の接着を行い、光回路基板（Ｇ１）１０６と、配線部品６０１’とを接着すると共に、光素子７０１の金属突起部７０２と、配線部品６０１’の光素子搭載部パッドとを金属接合し、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１）７０５を得ることができる。また、接着剤層付き配線部品を用いても良い。
本発明に用いる接着剤層（接着剤ドライフィルム）は、被接着物との密着性に優れるとともに、導電部材間の電気的な接続信頼性に優れた構成となっている。また、本発明に用いる接着剤層（接着剤ドライフィルム）は、被接着物中の導電部材の接合面積が小さい場合にも確実に接合することができ、半田粉が導電部材の対向領域にセルフアライメントし、半田領域を介して接続されるため、導電部材間の位置あわせにおける僅かなズレを許容することができる。
接着剤層は、接着後の状態において、樹脂および樹脂を貫通する半田領域を有する。樹脂中には、フラックス活性を有する硬化剤が残存していてもしていなくてもよい。
接着剤層は、接着後の状態において、樹脂および樹脂を貫通する半田領域を有する。樹脂中には、フラックス活性を有する硬化剤が残存していてもしていなくてもよい。
＜第２の態様（図８）＞
第２の態様は、図８（ｃ）に示すように、第１の態様において、光回路基板が、光素子搭載面に導体回路を有し、前記光回路基板を貫通し、該導体回路と前記配線部品との電気導通をはかるため、該導体回路上に、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部が形成された光回路基板（Ｇ２）３０５を用いたもので、前記光素子の電極と、前記配線部品のパッドとが、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部（導電部材）が、前記レセプター構造内において、導体部として、直接に金属接合されるとともに、前記光素子搭載面に形成された導体回路上に前記光回路基板を貫通し、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部（導電部材）と、それに対応する配線部品の導電部材とが、金属接合されるものである。
第２の態様に用いる光素子８０１としては、第１の態様で用いるものと同様の、前記レセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）（導電部材）８０２を有するものを用いることができる（図８（ａ））。
第２の態様は、図８（ｃ）に示すように、第１の態様において、光回路基板が、光素子搭載面に導体回路を有し、前記光回路基板を貫通し、該導体回路と前記配線部品との電気導通をはかるため、該導体回路上に、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部が形成された光回路基板（Ｇ２）３０５を用いたもので、前記光素子の電極と、前記配線部品のパッドとが、前記光素子の電極上に設けられた金属突起部（導電部材）が、前記レセプター構造内において、導体部として、直接に金属接合されるとともに、前記光素子搭載面に形成された導体回路上に前記光回路基板を貫通し、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部（導電部材）と、それに対応する配線部品の導電部材とが、金属接合されるものである。
第２の態様に用いる光素子８０１としては、第１の態様で用いるものと同様の、前記レセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）（導電部材）８０２を有するものを用いることができる（図８（ａ））。
次に、第２の態様の製造方法の一例を説明する。
まず、上記で得た接着剤層付き光回路基板（Ｇ２）３０７と、光素子搭載部パッド上に金皮膜６０５を形成した配線部品６０１’とを用意し、光回路基板（Ｇ２）３０５に形成されたレセプター構造用貫通孔１０４と、パッド上の金皮膜６０５とを位置合わせするとともに、前記光回路基板を貫通し、前記配線部品の前記パッド以外の導電部材とを金属接合するための導体部としての導体ポスト３０２と、それに対応する配線部品の前記パッド以外の導電部材（図示せず。）とを位置合わせして重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ２）８０３を得る（図８（ｂ））。このとき、接着剤層付き光回路基板（Ｇ２）３０７と、配線部品６０１’とは、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４と同様にして、前記接着剤層により仮圧着する。
まず、上記で得た接着剤層付き光回路基板（Ｇ２）３０７と、光素子搭載部パッド上に金皮膜６０５を形成した配線部品６０１’とを用意し、光回路基板（Ｇ２）３０５に形成されたレセプター構造用貫通孔１０４と、パッド上の金皮膜６０５とを位置合わせするとともに、前記光回路基板を貫通し、前記配線部品の前記パッド以外の導電部材とを金属接合するための導体部としての導体ポスト３０２と、それに対応する配線部品の前記パッド以外の導電部材（図示せず。）とを位置合わせして重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ２）８０３を得る（図８（ｂ））。このとき、接着剤層付き光回路基板（Ｇ２）３０７と、配線部品６０１’とは、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４と同様にして、前記接着剤層により仮圧着する。
次に、上記金属突起部を有する光素子８０１の金属突起部８０２と、光素子実装用部品（Ｇ２）８０３における光回路基板（Ｇ２）３０５に形成されたレセプター構造用貫通孔１０４とを位置合わせして、所定の位置に収めて、光回路基板（Ｇ２）３０５と、配線部品６０１’とを接着すると共に、光素子８０１の金属突起部８０２と、配線部品６０１’の光素子搭載部パッドとを金属接合し、また、前記光回路基板を貫通し前記配線部品の導電部材とを金属接合するため導体ポスト３０２と、それに対応する配線部品の前記パッド以外の導電部材とを、金属接合して、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ２）８０４を得る（図８（ｃ））。
このときの接着方法は、第１の態様と同様である。
このときの接着方法は、第１の態様と同様である。
また、上記光素子実装用部品（Ｇ２）８０３の製造においては、接着剤層付き光回路基板（Ｇ２）３０７と、配線部品６０１’とを、前記接着剤層により仮圧着を行ったが、ここで、第１の態様における接着方法と同じ方法により、接着剤層付き光回路基板（Ｇ２）３０７と、配線部品６０１’とを、前記接着剤層により接着（本圧着）を行って、光素子実装用部品（Ｇ２）８０３を製造することができる。このとき、光素子搭載部パッド（導電部材）上の金皮膜６０５が、接着剤層３０６より露出するようにすることが望ましい。次に、光素子実装用部品（Ｇ２）８０３のレセプター構造用貫通孔１０４に、光素子８０１を搭載し、前記光素子８０１の金属突起部８０２が、金皮膜６０５に押圧されるように加重をかけながら、超音波接合を行い、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ２）８０４を得ることもできる。超音波接合方法については、前述の通りである。
なお、上記説明においては、接着剤層付き光回路基板を用いる方法を説明したが、配線部品６０１’、接着剤ドライフィルム（接着剤層）、光回路基板（Ｇ２）３０５及び光素子８０１を、順に、所定の位置に重ね合わせ、上記同様の接着を行い、光回路基板（Ｇ２）３０５と、配線部品６０１’とを接着すると共に、光素子８０１の金属突起部８０２と、配線部品６０１’の光素子搭載部パッドとを金属接合し、また、前記光回路基板を貫通し前記配線部品の導電部材とを金属接合するため導体ポスト３０２と、それに対応する配線部品の導電部材とを、金属接合して、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ２）８０４を得ることができる。また、接着剤層付き配線部品を用いても良い。
上記態様とは別に、本発明においては、電極（導電部材）上の金属突起部を有しない光素子を用いることができる。そのような態様として、第３の態様及び第４の態様について説明する。
第３の態様としては、上記で得られた、光導波路層１０１にレセプター構造用貫通孔１０４を設けた光回路基板（Ｇ１）１０６を用いることができる。
まず、光回路基板（Ｇ１）１０６の配線部品接合面に、少なくとも光素子搭載部におけるレセプター構造用貫通孔１０４を覆うように銅及び銅合金等などの金属板１３０１を貼りあわせ（図４（ａ））、次に、前記レセプター構造内にスタッドバンプ１３０２を形成し（図４（ｂ））、次に、前記金属板１３０１をエッチングし全面除去して、スタッドバンプを有する光回路基板（Ｇ１’）１３０３を得る（図４（ｃ））。このとき、前記金属板１３０１を部分的に除去して回路を形成しても良い。
まず、光回路基板（Ｇ１）１０６の配線部品接合面に、少なくとも光素子搭載部におけるレセプター構造用貫通孔１０４を覆うように銅及び銅合金等などの金属板１３０１を貼りあわせ（図４（ａ））、次に、前記レセプター構造内にスタッドバンプ１３０２を形成し（図４（ｂ））、次に、前記金属板１３０１をエッチングし全面除去して、スタッドバンプを有する光回路基板（Ｇ１’）１３０３を得る（図４（ｃ））。このとき、前記金属板１３０１を部分的に除去して回路を形成しても良い。
上記スタッドバンプの形成方法としては、ワイヤーボンダーなどを利用して、金ワイヤを熱圧着法（ボールボンディング法）で電極パッドに接続してネイルヘッドを形成し、その後、このネイルヘッドの付け根部分でワイヤを切断して形成する突起電極を幾段も重ねて形成する方法が挙げられる。
次に、スタッドバンプを有する光回路基板（Ｇ１’）１３０３を用いて、光回路基板（Ｇ１’）１３０３の前記配線部品との接合面の所定の位置に、接着剤層１３０４を形成する（図４（ｄ））。
接着剤層の形成方法としては、前記接着剤付き光回路基板Ｇ１と同様にして、接着剤を直接塗布する方法、接着剤ドライフィルムを仮圧着する方法が挙げられる。
このようにして、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造と、前記レセプター構造内に、前記電気導通をはかるための導電部材としてのスタッドバンプを備え、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ１’）１３０５を得ることができる。
接着剤層の形成方法としては、前記接着剤付き光回路基板Ｇ１と同様にして、接着剤を直接塗布する方法、接着剤ドライフィルムを仮圧着する方法が挙げられる。
このようにして、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造と、前記レセプター構造内に、前記電気導通をはかるための導電部材としてのスタッドバンプを備え、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ１’）１３０５を得ることができる。
次に、上記で得た接着剤付き光回路基板（Ｇ１’）１３０５と、光素子搭載部パッド上に金皮膜６０５を形成した配線部品６０１’とを用意し、光回路基板（Ｇ１’）１３０５に形成されたスタッドバンプ１３０２と、パッド上の金皮膜６０５とを位置合わせするとともに、重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ１’）１３０６を得る（図４（ｅ））。このとき、接着剤層付き光回路基板（Ｇ１’）１３０５と、配線部品６０１’とは、光素子実装用部品（Ｇ１）７０４と同様にして、前記接着剤層により仮圧着する。また、このとき、スタッドバンプと金皮膜との接合をより確実にするために、超音波接合を行っても良い。
次に、光素子１３０７の電極を、光素子実装用部品（Ｇ１’）１３０６における光回路基板１０６に形成されたレセプター構造における突出したスタッドバンプ１３０２に位置合わせして、光素子１３０７の電極が、スタッドバンプ１３０２に押圧されるように加重をかけながら、上記同様にして超音波接合を行い、光素子１３０７の電極とスタッドバンプ１３０２とを金属接合し、第１の態様における接着方法と同じ方法により、前記接着剤層により接着（本圧着）を行って、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１’）１３０８を得る（図４（ｆ））。
光素子１３０７としては、前記態様のように、電極（導電部材）上の金属突起部を形成しておく必要はなく、電気接続するための導電部材を有していれば良い。
光素子１３０７としては、前記態様のように、電極（導電部材）上の金属突起部を形成しておく必要はなく、電気接続するための導電部材を有していれば良い。
第４の態様としては、上記で得られた、光導波路層１０１にレセプター構造用貫通孔１０４を備え、前記光素子搭載面に導体回路３０３を有し、該導体回路３０３と配線部品との電気導通をはかるため、該導体回路３０３上に、前記光導波路層１０１を貫通し、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部３０２が形成を設けた光回路基板（Ｇ２）３０５を用いることができる。
第４の態様の製造方法としては、第３の態様と同様の方法により製造することができ、まず、光回路基板（Ｇ２）３０５のレセプター構造内にスタッドバンプ１４０１を形成し、スタッドバンプを有する光回路基板（Ｇ２’）１４０２を得る（図５（ａ））。
次に、スタッドバンプを有する光回路基板（Ｇ２’）１４０２を用いて、光回路基板（Ｇ２’）１４０２の前記配線部品との接合面の所定の位置に、接着剤層１４０３を形成して、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造と、前記レセプター構造内に、前記電気導通をはかるための導電部材としてのスタッドバンプを備え、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ２’）１４０４を得ることができる（図５（ｂ））。
次に、スタッドバンプを有する光回路基板（Ｇ２’）１４０２を用いて、光回路基板（Ｇ２’）１４０２の前記配線部品との接合面の所定の位置に、接着剤層１４０３を形成して、コア部とクラッド部とを有する光導波路層１０１において、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造と、前記レセプター構造内に、前記電気導通をはかるための導電部材としてのスタッドバンプを備え、前記配線部品との接合面に、前記導電部材間を電気的に接続する接着剤層を有する接着剤付き光回路基板（Ｇ２’）１４０４を得ることができる（図５（ｂ））。
次に、上記で得た接着剤付き光回路基板（Ｇ２’）１４０４と、光素子搭載部パッド上に金皮膜６０５を形成した配線部品６０１’とを用意し、光回路基板（Ｇ２’）１４０２に形成されたスタッドバンプ１４０１と、パッド上の金皮膜６０５とを位置合わせするとともに、重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ２’）１４０５を得る（図５（ｃ））。
次に、光素子１４０６の電極を、光素子実装用部品（Ｇ２’）１４０５における光回路基板１０６に形成されたレセプター構造における突出したスタッドバンプ１４０１に位置合わせして、光素子１４０６の電極が、スタッドバンプ１４０１に押圧されるように加重をかけながら、上記同様にして超音波接合を行い、光素子１４０１の電極とスタッドバンプ１４０１とを金属接合し、第１の態様における接着方法と同じ方法により、前記接着剤層により接着（本圧着）を行って、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ２’）１４０７を得る（図５（ｄ））。
光素子１４０６としては、前記態様のように、電極（導電部材）上の金属突起部を形成しておく必要はなく、電気接続するための導電部材を有していれば良い。
光素子１４０６としては、前記態様のように、電極（導電部材）上の金属突起部を形成しておく必要はなく、電気接続するための導電部材を有していれば良い。
さらに、上記の態様においては、前記光回路基板と前記配線部品とから構成される光素子実装用部品に、光素子を搭載する構造及びその製造方法について説明したが、前記光回路基板の他の部位、例えば、前記レセプター構造が形成された端部に対し他端部においても、前記レセプター構造を形成しておき、配線部品と光素子実装用部品を構成し、前記光回路基板を橋架け状にして光素子を搭載することができる。この場合、前記光回路基板の両端に形成されたレセプター構造及び配線部品は、それぞれ異なる構造であっても良い。
このようにして得られる光素子実装部品について、図１１を用いて説明すると、例えば、光素子実装部品（Ｇ１）の場合、光回路基板（Ｇ１）１０６の一端に形成されたレセプター構造において、配線部品６０１’の光素子搭載部に、発光点を有する光素子７０１’が搭載され、光回路基板（Ｇ１）１０６を橋かけとして、他端に形成されたレセプター構造において、配線部品６０１’の光素子搭載部に、受光点を有する光素子７０１’’が搭載されたものが挙げられる。他の態様においても、同様に橋かけとした構造が挙げられる。また、上記の配線部品６０１’においては、電子部品が搭載されていても良い。
このようにして得られる光素子実装部品について、図１１を用いて説明すると、例えば、光素子実装部品（Ｇ１）の場合、光回路基板（Ｇ１）１０６の一端に形成されたレセプター構造において、配線部品６０１’の光素子搭載部に、発光点を有する光素子７０１’が搭載され、光回路基板（Ｇ１）１０６を橋かけとして、他端に形成されたレセプター構造において、配線部品６０１’の光素子搭載部に、受光点を有する光素子７０１’’が搭載されたものが挙げられる。他の態様においても、同様に橋かけとした構造が挙げられる。また、上記の配線部品６０１’においては、電子部品が搭載されていても良い。
さらには、上記の態様において、配線部品の両面に光回路基板を介して光素子を搭載することもできる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれになんら限定されない。
（接着テープの作製）
樹脂、半田粉、およびフラックス活性を有する硬化剤を含む厚さ４０μｍの接着テープ（接着テープ１〜１４）を作製した。また、樹脂および半田粉を含み、フラックス活性を有する硬化剤を含まない接着テープ（接着テープ１５）を作製した。
（接着テープの作製）
樹脂、半田粉、およびフラックス活性を有する硬化剤を含む厚さ４０μｍの接着テープ（接着テープ１〜１４）を作製した。また、樹脂および半田粉を含み、フラックス活性を有する硬化剤を含まない接着テープ（接着テープ１５）を作製した。
表１に、各成分の配合を重量部で示す。各実施例および比較例について、表１に示した配合で、各成分をトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系有機溶剤、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系有機溶剤に溶解し、得られたワニスをポリエステルシートに塗布し、上記有機溶剤が揮発する温度で乾燥させ、良好な成膜性の接着テープが得られた。
（光回路基板）
（光導波路）
光導波路用ワニスの調製
（触媒前駆体Ｃ１：Ｐｄ（ＯＡｃ）2（Ｐ（Ｃｙ）3）2の合成）
漏斗を装備した２口丸底フラスコで、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（５．００ｇ、２２．３ｍｍｏｌ）とＣＨ2Ｃｌ2（３０ｍＬ）からなる赤茶色懸濁液を−７８℃で攪拌した。Ｃyはシクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。
漏斗に、Ｐ（Ｃｙ）3（１３．１２ｍＬ（４４．６ｍｍｏｌ））のＣＨ2Ｃｌ2溶液（３０ｍＬ）を入れ、そして、１５分かけて上記攪拌懸濁液に滴下した。その結果、徐々に赤褐色から黄色に変化した。
−７８℃で１時間攪拌した後、懸濁液を室温に温め、さらに２時間攪拌して、ヘキサン（２０ｍＬ）で希釈した。
次に、この黄色の固体を空気中でろ過し、ペンタンで洗浄し（５×１０ｍＬ）、真空乾燥して１次収集物を得た。
２次収集物は、上記のろ液を０℃に冷却して分離し、上記と同様に洗浄して乾燥させた。 収率は、１５．４２ｇ（８８％）であった。ＮＭＲのデータは次のようになった。1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤ2Ｃｌ2）：１．１８−１．３２（ｂｒ ｍ，１８Ｈ，Ｃｙ），１．６９（ｂｒ ｍ，１８Ｈ，Ｃｙ），１．８０（ｂｒ ｍ，１８Ｈ，Ｃｙ），１．８４（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３），２．００（ｂｒ ｄ，１２Ｈ，Ｃｙ），３１Ｐ−ＮＭＲ（δ，ＣＤ2Ｃｌ2）：２１．２（ｓ）。以下、得られた１次収集物および２次収集物を、触媒前駆体Ｃ１とした。
（光導波路）
光導波路用ワニスの調製
（触媒前駆体Ｃ１：Ｐｄ（ＯＡｃ）2（Ｐ（Ｃｙ）3）2の合成）
漏斗を装備した２口丸底フラスコで、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（５．００ｇ、２２．３ｍｍｏｌ）とＣＨ2Ｃｌ2（３０ｍＬ）からなる赤茶色懸濁液を−７８℃で攪拌した。Ｃyはシクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。
漏斗に、Ｐ（Ｃｙ）3（１３．１２ｍＬ（４４．６ｍｍｏｌ））のＣＨ2Ｃｌ2溶液（３０ｍＬ）を入れ、そして、１５分かけて上記攪拌懸濁液に滴下した。その結果、徐々に赤褐色から黄色に変化した。
−７８℃で１時間攪拌した後、懸濁液を室温に温め、さらに２時間攪拌して、ヘキサン（２０ｍＬ）で希釈した。
次に、この黄色の固体を空気中でろ過し、ペンタンで洗浄し（５×１０ｍＬ）、真空乾燥して１次収集物を得た。
２次収集物は、上記のろ液を０℃に冷却して分離し、上記と同様に洗浄して乾燥させた。 収率は、１５．４２ｇ（８８％）であった。ＮＭＲのデータは次のようになった。1Ｈ−ＮＭＲ（δ，ＣＤ2Ｃｌ2）：１．１８−１．３２（ｂｒ ｍ，１８Ｈ，Ｃｙ），１．６９（ｂｒ ｍ，１８Ｈ，Ｃｙ），１．８０（ｂｒ ｍ，１８Ｈ，Ｃｙ），１．８４（ｓ，６Ｈ，ＣＨ３），２．００（ｂｒ ｄ，１２Ｈ，Ｃｙ），３１Ｐ−ＮＭＲ（δ，ＣＤ2Ｃｌ2）：２１．２（ｓ）。以下、得られた１次収集物および２次収集物を、触媒前駆体Ｃ１とした。
（コア層（コア部）ポリマー（Ｐ１：ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）コポリマー）の合成）
ＨｘＮＢ（８．９４ｇ，０．０５ｍｏｌ）、ｄｉＰｈＮＢ（１６．１ｇ，０．０５ｍｏｌ）、１−ヘキセン（４．２g，０．０５ｍｏｌ）およびトルエン（１４２．０ｇ）を、２５０ｍＬのシーラムボトルで混合し、オイルバスで１２０℃に加熱して溶液を形成した。この溶液に、［Ｐｄ（ＰＣｙ3）2（Ｏ２ＣＣＨ3）（ＮＣＣＨ3）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「Ｐｄ１４４６」と略す。）（５．８×１０−３ｇ，４．０×１０−６ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「ＤＡＮＦＡＢＡ」と略す。）（３．２×１０-3ｇ，４．０×１０-6ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。
添加後、得られた溶液を１２０℃で６時間維持した。勢いよく攪拌された混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。沈殿した共重合体をろ過して集め、８０℃のオーブンで、真空乾燥した。乾燥後の重量は、１２．０ｇであった（収率：４８％）。得られた共重合体の分子量を、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣ法（ゲル浸透クロマトグラフィー法）で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝１６，１９６およびＭｎ＝８，４４８であった。共重合体の組成を、1Ｈ−ＮＭＲで測定すると、1Ｈ−ＮＭＲ：５４／４６＝ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢコポリマーであった。以下、ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢコポリマーを、ポリマーＰ１とした。
ポリマーＰ１（共重合体）の屈折率（屈折率は、プリズムカップリング法で測定、以下、同じ）は、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５５６９であり、ＴＭモードで１．５５５５であった。
ＨｘＮＢ（８．９４ｇ，０．０５ｍｏｌ）、ｄｉＰｈＮＢ（１６．１ｇ，０．０５ｍｏｌ）、１−ヘキセン（４．２g，０．０５ｍｏｌ）およびトルエン（１４２．０ｇ）を、２５０ｍＬのシーラムボトルで混合し、オイルバスで１２０℃に加熱して溶液を形成した。この溶液に、［Ｐｄ（ＰＣｙ3）2（Ｏ２ＣＣＨ3）（ＮＣＣＨ3）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「Ｐｄ１４４６」と略す。）（５．８×１０−３ｇ，４．０×１０−６ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「ＤＡＮＦＡＢＡ」と略す。）（３．２×１０-3ｇ，４．０×１０-6ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で加えた。
添加後、得られた溶液を１２０℃で６時間維持した。勢いよく攪拌された混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。沈殿した共重合体をろ過して集め、８０℃のオーブンで、真空乾燥した。乾燥後の重量は、１２．０ｇであった（収率：４８％）。得られた共重合体の分子量を、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣ法（ゲル浸透クロマトグラフィー法）で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝１６，１９６およびＭｎ＝８，４４８であった。共重合体の組成を、1Ｈ−ＮＭＲで測定すると、1Ｈ−ＮＭＲ：５４／４６＝ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢコポリマーであった。以下、ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢコポリマーを、ポリマーＰ１とした。
ポリマーＰ１（共重合体）の屈折率（屈折率は、プリズムカップリング法で測定、以下、同じ）は、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５５６９であり、ＴＭモードで１．５５５５であった。
（コア部ワニス（Ｖ１）の調製）
ヘキシルノルボルネン（４２．０３ｇ，０．２４ｍｏｌ）およびジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（７．９７ｇ，０．０２６ｍｏｌ）を秤量し、ガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、Ｃｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）およびＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ１を１０ｗｔ％となるようにメシチレンに溶解した溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（３．０ｇ）、上記の触媒前駆体Ｃ１（４．９４×１０-4ｇ，６．２９×１０-7ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、光酸発生剤（助触媒）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（２．５５×１０-3ｇ，２．５１×１０-6ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ１を調製した。
このワニスＶ１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。以下、Ｃｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６を「ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」と、Ｃｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ １６８を「ＩＲＧＡＦＯＳ １６８」と、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４」とした。
ヘキシルノルボルネン（４２．０３ｇ，０．２４ｍｏｌ）およびジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（７．９７ｇ，０．０２６ｍｏｌ）を秤量し、ガラス瓶にいれた。
このモノマー溶液に、酸化防止剤として、Ｃｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．５ｇ）およびＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
上記のポリマーＰ１を１０ｗｔ％となるようにメシチレンに溶解した溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（３．０ｇ）、上記の触媒前駆体Ｃ１（４．９４×１０-4ｇ，６．２９×１０-7ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、光酸発生剤（助触媒）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４（２．５５×１０-3ｇ，２．５１×１０-6ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ１を調製した。
このワニスＶ１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。以下、Ｃｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６を「ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６」と、Ｃｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ １６８を「ＩＲＧＡＦＯＳ １６８」と、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ ２０７４を「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４」とした。
（クラッド層（クラッド部）ポリマー（Ｐ２：デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＡＧＥＮＢ）コポリマー）の合成）
ＤｅＮＢ（１６．４ｇ，０．０７ｍｏｌ）、ＡＧＥＮＢ（５．４１ｇ，０．０３ｍｏｌ）およびトルエン（５８．０ｇ）を、ドライボックス内のシーラムボトルに加えた。この溶液を８０℃のオイルバス中で攪拌した。
この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ6Ｆ5）２（０．６９ｇ，０．００１４ｍｏｌ）のトルエン溶液（５ｇ）を加えた。
添加後、得られた混合物を室温で４時間維持した。トルエン溶液（８７．０ｇ）を反応溶液に加えた。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブンで真空乾燥した。乾燥後の重量は、１７．００ｇであった（収率：８７％）。得られた共重合体の分子量を、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣ法で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝７５，０００およびＭｎ＝３０，０００であった。
共重合体の組成を、1Ｈ−ＮＭＲで測定すると、1Ｈ−ＮＭＲ：７７／２３＝ＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーであった。以下、ＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーをポリマーＰ２とした。
ポリマーＰ２（共重合体）の屈折率は、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５１５３であり、ＴＭモードで１．５１５１であった。
ＤｅＮＢ（１６．４ｇ，０．０７ｍｏｌ）、ＡＧＥＮＢ（５．４１ｇ，０．０３ｍｏｌ）およびトルエン（５８．０ｇ）を、ドライボックス内のシーラムボトルに加えた。この溶液を８０℃のオイルバス中で攪拌した。
この溶液に、（η６−トルエン）Ｎｉ（Ｃ6Ｆ5）２（０．６９ｇ，０．００１４ｍｏｌ）のトルエン溶液（５ｇ）を加えた。
添加後、得られた混合物を室温で４時間維持した。トルエン溶液（８７．０ｇ）を反応溶液に加えた。勢いよく攪拌した反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブンで真空乾燥した。乾燥後の重量は、１７．００ｇであった（収率：８７％）。得られた共重合体の分子量を、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣ法で測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝７５，０００およびＭｎ＝３０，０００であった。
共重合体の組成を、1Ｈ−ＮＭＲで測定すると、1Ｈ−ＮＭＲ：７７／２３＝ＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーであった。以下、ＤｅＮＢ／ＡＧＥＮＢコポリマーをポリマーＰ２とした。
ポリマーＰ２（共重合体）の屈折率は、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５１５３であり、ＴＭモードで１．５１５１であった。
（クラッド層（クラッド部）ワニス（Ｖ２）の調製）
上記のポリマーＰ２を３０ｗｔ％となるようにトルエンに溶解した溶液（１６．７ｇ）に、酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）およびＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５×１０−２ｇ）、および、光酸発生剤として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（０．１ｇ、メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ２を調製した。
このワニスＶ２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
上記のポリマーＰ２を３０ｗｔ％となるようにトルエンに溶解した溶液（１６．７ｇ）に、酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ １０７６（０．０５ｇ）およびＩＲＧＡＦＯＳ １６８（１．２５×１０−２ｇ）、および、光酸発生剤として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ２０７４（０．１ｇ、メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ２を調製した。
このワニスＶ２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
２．光導波路の形成
基材上に、上記で得たクラッド層ワニスＶ２を塗布して、厚み５０μｍのクラッド層１０３ａを形成し、次いで、前記クラッド層上に、上記で得たコア層ワニスＶ１を塗布して、厚み５０μｍのコア層１０２を形成し、次いで、前記コア層上に、上記クラッド層ワニスＶ２を塗布して、厚み５０μｍのもう一つのクラッド層１０３ｂを形成した。ここで、４５℃で３０分間加熱乾燥する。
さらに、コア層１０２と、コア層１０２の両面に設けられたクラッド層１０３ａ、１０３ｂとで形成されている中間体に、フォトマスクを通してＵＶ光（波長：３６５ｎｍ、９００ｍＪ〜３０００ｍＪで照射量＝３Ｊ／ｃｍ2）を照射しコア部を形成した。次に、オーブン中で、８５℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で６０分加熱し、コア層１０２のコア部以外の部分及びクラッド層１０３ａ、１０３ｂの全てがクラッド部を構成された光導波路層１０１を得た。上記で得られた光導波路は、５０μｍ高さ×５０μｍ幅で、コア部を４本形成した。また、光回路基板の大きさとしては、３０ｍｍ（縦）×１００ｍｍ（横）であり、コア部の屈折率は、１．５８、クラッド部の屈折率は１．５２であった。
基材上に、上記で得たクラッド層ワニスＶ２を塗布して、厚み５０μｍのクラッド層１０３ａを形成し、次いで、前記クラッド層上に、上記で得たコア層ワニスＶ１を塗布して、厚み５０μｍのコア層１０２を形成し、次いで、前記コア層上に、上記クラッド層ワニスＶ２を塗布して、厚み５０μｍのもう一つのクラッド層１０３ｂを形成した。ここで、４５℃で３０分間加熱乾燥する。
さらに、コア層１０２と、コア層１０２の両面に設けられたクラッド層１０３ａ、１０３ｂとで形成されている中間体に、フォトマスクを通してＵＶ光（波長：３６５ｎｍ、９００ｍＪ〜３０００ｍＪで照射量＝３Ｊ／ｃｍ2）を照射しコア部を形成した。次に、オーブン中で、８５℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で６０分加熱し、コア層１０２のコア部以外の部分及びクラッド層１０３ａ、１０３ｂの全てがクラッド部を構成された光導波路層１０１を得た。上記で得られた光導波路は、５０μｍ高さ×５０μｍ幅で、コア部を４本形成した。また、光回路基板の大きさとしては、３０ｍｍ（縦）×１００ｍｍ（横）であり、コア部の屈折率は、１．５８、クラッド部の屈折率は１．５２であった。
（光路変換部）
上記で得た光導波路層１０１を、エキシマレーザー（波長１９３ｎｍ、機器名：ＰｒｏＭａｓｔｅｒ（ＯＰＴＥＣ社））のサンプルホルダーに、真空チャックで固定した。レーザー強度を７ｍＪ、レーザー発振周波数を２５０Ｈｚ、レーザー光をカットするステンレスマスクの開口部が１ｍｍ×１ｍｍ、加工台の移動速度を４５μｍ／ｓ、加工台に移動距離を１５０μｍに設定し、コア部と、コア部の外周に接合されたクラッド部とで構成される光導波路層１０１の反射部を形成する部分（光素子搭載部、光導波路層両端部のコア部４箇所）に、レーザーを照射し、光導波路層１０１に対するレーザーの照射領域を相対的に変化させることにより、光導波路層の光路変換部を形成する部位へのレーザーの照射時間を部分的に変化させて、レーザーの光導波路層の深さ方向に対する到達度を調整しつつ、光導波路層の構成材料を除去して、光路変換部を形成した。加工後の断面（反射部）を顕微鏡で観察した結果、上部クラッド層及びコア層の樹脂を除去した領域は二等辺三角形となっており、頂角はほぼ９０°となっていた。
上記で得た光導波路層１０１を、エキシマレーザー（波長１９３ｎｍ、機器名：ＰｒｏＭａｓｔｅｒ（ＯＰＴＥＣ社））のサンプルホルダーに、真空チャックで固定した。レーザー強度を７ｍＪ、レーザー発振周波数を２５０Ｈｚ、レーザー光をカットするステンレスマスクの開口部が１ｍｍ×１ｍｍ、加工台の移動速度を４５μｍ／ｓ、加工台に移動距離を１５０μｍに設定し、コア部と、コア部の外周に接合されたクラッド部とで構成される光導波路層１０１の反射部を形成する部分（光素子搭載部、光導波路層両端部のコア部４箇所）に、レーザーを照射し、光導波路層１０１に対するレーザーの照射領域を相対的に変化させることにより、光導波路層の光路変換部を形成する部位へのレーザーの照射時間を部分的に変化させて、レーザーの光導波路層の深さ方向に対する到達度を調整しつつ、光導波路層の構成材料を除去して、光路変換部を形成した。加工後の断面（反射部）を顕微鏡で観察した結果、上部クラッド層及びコア層の樹脂を除去した領域は二等辺三角形となっており、頂角はほぼ９０°となっていた。
（レセプター構造部）
上記で得た光導波路層１０１に、光素子搭載部（光導波路層両端部の４箇所）において、光素子の電極（導電部材バンプ）（径が１００μｍ）に合わせ、レセプター構造を形成する所定の位置に開口部を設けたマスクを載せて、上記同様にして、レーザーを照射することにより、光素子搭載面と配線部品接合面とを貫通するレセプター構造用貫通孔１０４を設けて、光回路基板Ｇ１を得た。
上記で得た光導波路層１０１に、光素子搭載部（光導波路層両端部の４箇所）において、光素子の電極（導電部材バンプ）（径が１００μｍ）に合わせ、レセプター構造を形成する所定の位置に開口部を設けたマスクを載せて、上記同様にして、レーザーを照射することにより、光素子搭載面と配線部品接合面とを貫通するレセプター構造用貫通孔１０４を設けて、光回路基板Ｇ１を得た。
（配線部品）
両面銅箔を有するＦＲ−４のコア基板６０２に、ドリル機で開孔して開口部６０３を設けた後、無電解めっきにより、開口部６０３にメッキ処理を行い、コア基板６０２の両面の導通を図った。次に、前記銅箔をエッチングすることにより、光素子の導電部材と配線部品の導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドを含む導体回路６０４を形成した（図６（ａ））。上記パッドの表面には、金属の拡散防止層としてニッケル膜を電解メッキで形成し、さらに、電気メッキにより、金皮膜６０５を形成し、配線部品（２０ｍｍ×２０ｍｍ）を２個得た。
両面銅箔を有するＦＲ−４のコア基板６０２に、ドリル機で開孔して開口部６０３を設けた後、無電解めっきにより、開口部６０３にメッキ処理を行い、コア基板６０２の両面の導通を図った。次に、前記銅箔をエッチングすることにより、光素子の導電部材と配線部品の導電部材との電気導通をはかるための搭載部となるパッドを含む導体回路６０４を形成した（図６（ａ））。上記パッドの表面には、金属の拡散防止層としてニッケル膜を電解メッキで形成し、さらに、電気メッキにより、金皮膜６０５を形成し、配線部品（２０ｍｍ×２０ｍｍ）を２個得た。
（実施例１）
上記で得た接着テープ１を接合部に合わせて大きさを２０ｍｍ×２０ｍｍに調整し、次に、上記で得た光回路基板の配線部品との接合面（両端部２箇所）に、上記接着テープ１を温度１００℃で、１ＭＰａの圧力を１０秒掛けて貼り合わせて、接着剤層付き光回路基板を作製した。
次に、光素子として、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）とＰＤ（フォトダイオード）を用意した。ここで用いた光素子は、その電極上に、前記光回路基板のレセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）を有するものであった。前記金属突起部は、径８０μｍφの半田バンプを、前記電極上に３個形成されたものを用いた。
上記で得た接着テープ１を接合部に合わせて大きさを２０ｍｍ×２０ｍｍに調整し、次に、上記で得た光回路基板の配線部品との接合面（両端部２箇所）に、上記接着テープ１を温度１００℃で、１ＭＰａの圧力を１０秒掛けて貼り合わせて、接着剤層付き光回路基板を作製した。
次に、光素子として、ＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）とＰＤ（フォトダイオード）を用意した。ここで用いた光素子は、その電極上に、前記光回路基板のレセプター構造内において導体部となる金属突起部（バンプ）を有するものであった。前記金属突起部は、径８０μｍφの半田バンプを、前記電極上に３個形成されたものを用いた。
次に、上記で得た接着剤層付き光回路基板（Ｇ１）と、上記で得た配線部品とを用いて、上記接着剤層付き光回路基板の接着剤層面と、上記配線部品の光素子搭載部パッド面とを相対させて、上記配線部品の光素子搭載部パッドと、上記接着剤層付き光回路基板のレセプター構造部の貫通孔とを位置合わせして、重ね合わせて、光素子実装用部品（Ｇ１）を得た。
次に、上記で用意した光素子の金属突起部を、上記光素子実装用部品における光回路基板（Ｇ１）に形成されたレセプター構造用貫通孔に位置合わせして、前記貫通孔に納めた。次に、温度１６０℃で加熱しながら、圧力１ＭＰａで５００秒間加圧しながら、熱圧着して、光回路基板（Ｇ１）と、配線部品とを接着すると共に、光素子の金属突起部と、配線部品の光素子搭載部パッドとを、セルフアライメントさせながら金属接合し、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１）を得た。
次に、上記で用意した光素子の金属突起部を、上記光素子実装用部品における光回路基板（Ｇ１）に形成されたレセプター構造用貫通孔に位置合わせして、前記貫通孔に納めた。次に、温度１６０℃で加熱しながら、圧力１ＭＰａで５００秒間加圧しながら、熱圧着して、光回路基板（Ｇ１）と、配線部品とを接着すると共に、光素子の金属突起部と、配線部品の光素子搭載部パッドとを、セルフアライメントさせながら金属接合し、光素子が搭載された光素子実装部品（Ｇ１）を得た。
（実施例２〜１４及び比較例１）
実施例１において、接着テープ１に換えて、それぞれ接着テープ２〜１４を用いた以外は、実施例１と同様にして行い、実施例２〜１４の光素子実装部品を得た。
また同様にして、実施例１において、接着テープ１に換えて、接着テープ１５を用いた以外は、実施例１と同様にして行い、比較例１の光素子実装部品を得た。
実施例１において、接着テープ１に換えて、それぞれ接着テープ２〜１４を用いた以外は、実施例１と同様にして行い、実施例２〜１４の光素子実装部品を得た。
また同様にして、実施例１において、接着テープ１に換えて、接着テープ１５を用いた以外は、実施例１と同様にして行い、比較例１の光素子実装部品を得た。
図７（ｃ）に示す接着剤付き光回路基板（Ｇ１）において、光素子付属の金属突起部と接着剤層を介して接続されるコア基板裏面の導体回路間を微小プローブで挟み込み、４端子法によって接続抵抗を１２点測定し、平均値を測定値とした。
以上の結果から、接着剤層を介して十分に導通が確保されていることが確認できた。
１０１ 光導波路層
１０２ コア層
１０３ａ，１０３ｂ クラッド層
１０４ レセプター構造用貫通孔
１０５ 光路変換部
１０６ 光回路基板（Ｇ１）
１０７ 接着剤層
１０８ 接着剤付き光回路基板（Ｇ１）
３０１ 金属板
３０２ 導体ポスト
３０３ 導体回路
３０４ 金皮膜
３０５ 光回路基板（Ｇ２）
３０６ 接着剤層
３０７ 接着剤付き光回路基板（Ｇ２）
６０１ 配線部品
６０１’ パッド上に金皮膜を有する配線部品
６０２ コア基板
６０３ 開口部
６０４ 導体回路
６０５ 金皮膜
６０６ 接着剤層
７０１ 光素子
７０１’ 発光点を有する光素子
７０１’’ 受光点を有する光素子
７０２ 金属突起部
７０２ａ 信号線接続用電極上の金属突起部
７０３ｂ グラウンド接続用電極上の金属突起部
７０３ｃ 位置決め固定用金属突起部
７０３ 受／発光点
７０４ 光素子実装用部品（Ｇ１）
７０５ 光素子実装部品（Ｇ１）
８０１ 光素子
８０２ 金属突起部
８０３ 光素子実装用部品（Ｇ２）
８０４ 光素子実装部品（Ｇ２）
１３０１ 金属板
１３０２ スタッドバンプ
１３０３ 光回路基板（Ｇ１’）
１３０４ 接着剤層
１３０５ 接着剤付き光回路基板（Ｇ１’）
１３０６ 光素子実装用部品（Ｇ１’）
１３０７ 光素子
１３０８ 光素子実装部品（Ｇ１’）
１４０１ スタッドバンプ
１４０２ 光回路基板（Ｇ２’）
１４０３ 接着剤層
１４０４ 接着剤付き光回路基板（Ｇ２’）
１４０５ 光素子実装用部品（Ｇ２’）
１４０６ 光素子
１４０７ 光素子実装部品（Ｇ２’）
１０２ コア層
１０３ａ，１０３ｂ クラッド層
１０４ レセプター構造用貫通孔
１０５ 光路変換部
１０６ 光回路基板（Ｇ１）
１０７ 接着剤層
１０８ 接着剤付き光回路基板（Ｇ１）
３０１ 金属板
３０２ 導体ポスト
３０３ 導体回路
３０４ 金皮膜
３０５ 光回路基板（Ｇ２）
３０６ 接着剤層
３０７ 接着剤付き光回路基板（Ｇ２）
６０１ 配線部品
６０１’ パッド上に金皮膜を有する配線部品
６０２ コア基板
６０３ 開口部
６０４ 導体回路
６０５ 金皮膜
６０６ 接着剤層
７０１ 光素子
７０１’ 発光点を有する光素子
７０１’’ 受光点を有する光素子
７０２ 金属突起部
７０２ａ 信号線接続用電極上の金属突起部
７０３ｂ グラウンド接続用電極上の金属突起部
７０３ｃ 位置決め固定用金属突起部
７０３ 受／発光点
７０４ 光素子実装用部品（Ｇ１）
７０５ 光素子実装部品（Ｇ１）
８０１ 光素子
８０２ 金属突起部
８０３ 光素子実装用部品（Ｇ２）
８０４ 光素子実装部品（Ｇ２）
１３０１ 金属板
１３０２ スタッドバンプ
１３０３ 光回路基板（Ｇ１’）
１３０４ 接着剤層
１３０５ 接着剤付き光回路基板（Ｇ１’）
１３０６ 光素子実装用部品（Ｇ１’）
１３０７ 光素子
１３０８ 光素子実装部品（Ｇ１’）
１４０１ スタッドバンプ
１４０２ 光回路基板（Ｇ２’）
１４０３ 接着剤層
１４０４ 接着剤付き光回路基板（Ｇ２’）
１４０５ 光素子実装用部品（Ｇ２’）
１４０６ 光素子
１４０７ 光素子実装部品（Ｇ２’）
Claims (22)
- 電極を有する光素子を搭載するための搭載部と前記搭載部にパッドを有する配線部品の一方の面側に積層される、コア部とクラッド部とを有する光導波路層より構成された光回路基板と、
前記配線部品と前記光回路基板との間に、前記光素子の電極と前記搭載部のパッドとを電気的に接続する接着剤層と、
を有するものである、接着剤付き光回路基板。 - 前記光回路基板は、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとの電気導通をはかるためのレセプター構造を備えるものである、請求項１に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層は、樹脂と、フラックス活性を有する硬化剤と、半田粉と、を含み、前記半田粉と前記フラックス活性を有する硬化剤とが前記樹脂中に存在するものである、請求項１又は２に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層は、樹脂と、フラックス活性を有する硬化剤と、半田粉と、を含み、前記半田粉と前記フラックス活性を有する硬化剤とが前記樹脂中に存在する、接着ドライフィルムより構成されるものである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記樹脂は、エポキシ樹脂及びアクリルゴムを含むものである、請求項３又は４に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基を含有する化合物である、請求項３乃至５のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基と、エポキシ基と反応する基とを含有する化合物である、請求項６に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記フラックス活性を有する硬化剤は、アルキルカルボン酸又は芳香族カルボン酸である、請求項６又は７に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記半田粉は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｕから選ばれる二種以上を含む合金である、請求項３乃至８のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記半田粉は、１００℃以上２５０℃以下の融点を有するものである、請求項３乃至９のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記接着剤層において、前記樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂と、を含むものである、請求項３乃至１０のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記光回路基板は、前記光導波路層上に導体回路を有するものである、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記光回路基板は、前記光素子搭載面側に導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記配線部品との電気導通をはかるため、前記配線部品の導電部材と金属接合するための導体部とを、有するものである、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 前記光回路基板は、前記コア部に、前記コア部の光路を、前記光素子の受発光部に向けて、屈曲させる光路変換部を有するものである、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板。
- 電極を有する光素子を搭載するパッドを有する配線部品と、
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の接着剤付き光回路基板と、
を含んで構成され、
前記光回路基板と配線部品とが、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装用部品。 - 前記光素子実装部品は、２つの前記配線部品が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、請求項１５に記載の光素子実装用部品。
- 電極を有する光素子と、
請求項１５又は１６に記載の光素子実装用部品と、
を含んで構成され、
前記光素子実装用部品における、前記光回路基板を介して、前記光素子を搭載するためのパッドを有する配線部品の前記パッド上に、前記光素子が搭載され、
前記光回路基板と前記配線部品とは、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを電気的に接続する接着剤層により接合された、光素子実装部品。 - 前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとは、前記光回路基板に形成されたレセプター構造を介して電気的に接続されたものである、請求項１７に記載の光素子実装部品。
- 前記光回路基板の光素子搭載面側に形成された導体回路と、前記光回路基板を貫通し、該導体回路上に前記配線部品の導電部材との、電気導通をはかるために形成された導体部と、前記配線部品の導電部材とを、金属接合されたものである、請求項１７又は１８に記載の光素子実装部品。
- 前記光素子実装部品は、２つの前記配線部品が、前記光回路基板により橋架け状に接合された構造を有するものである、請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
- 前記光素子実装部品は、前記配線部品の光素子搭載部パッドと、前記光回路基板のレセプター構造部とを位置合わせし、前記光素子の電極を前記レセプター構造部に挿入し、前記レセプター構造部を介して、前記光素子の電極と前記配線部品のパッドとを金属接合して得られたものであるものである、請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
- 前記光素子実装部品における配線部品は、電子機器用配線部品である、請求項１７乃至２１のいずれか１項に記載の光素子実装部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006294811A JP2008111990A (ja) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006294811A JP2008111990A (ja) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008111990A true JP2008111990A (ja) | 2008-05-15 |
Family
ID=39444529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006294811A Pending JP2008111990A (ja) | 2006-10-30 | 2006-10-30 | 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008111990A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010027017A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 住友ベークライト株式会社 | 導電接続材料およびそれを用いた端子間の接続方法ならびに接続端子の製造方法 |
| WO2011077679A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 住友ベークライト株式会社 | 導電接続材料、電子部品の製造方法、導電接続材料付き電子部材および電子部品 |
| JP2011159481A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 |
| WO2015029696A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 日東電工株式会社 | 導電性接合組成物、導電性接合シート、電子部品およびその製造方法 |
| JP2015102648A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 新光電気工業株式会社 | 光導波路装置及びその製造方法 |
| US9244224B2 (en) | 2014-04-08 | 2016-01-26 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Optical waveguide device |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0996746A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Fujitsu Ltd | アクティブ光回路シートまたはアクティブ光回路基板 |
| JP2000284135A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プレーナ型光導波路を有する光導波路デバイス及びそれを使用して構成される集積化光モジュールとその実装方法 |
| JP2001004854A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 光・電気配線基板及び実装基板 |
| JP2001036197A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Canon Inc | 光電子集積素子、その駆動方法、該素子を用いた光配線方式、該素子を有する演算処理装置 |
| JP2001196643A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Toppan Printing Co Ltd | 光・電気素子搭載用チップキャリア及びその実装方法並びに光・電気配線基板及びその製造方法並びに実装基板 |
| JP2001219294A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-08-14 | Tdk Corp | 熱硬化性はんだ付け用フラックスおよびはんだ付け方法 |
| JP2002241617A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2002329745A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | 電子部品の実装方法及びペースト材料 |
| JP2003215374A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路テープキャリア及びその製造方法 |
| JP2004174574A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半田ペースト及びそれを用いた半導体装置の組立方法 |
| JP2005084126A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光電気複合基板、光導波路、及び光学素子付光導波路 |
| JP2005194306A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Togo Seisakusho Corp | 通電接着剤とそれを用いた窓用板状部材 |
-
2006
- 2006-10-30 JP JP2006294811A patent/JP2008111990A/ja active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0996746A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Fujitsu Ltd | アクティブ光回路シートまたはアクティブ光回路基板 |
| JP2000284135A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プレーナ型光導波路を有する光導波路デバイス及びそれを使用して構成される集積化光モジュールとその実装方法 |
| JP2001004854A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Toppan Printing Co Ltd | 光・電気配線基板及び実装基板 |
| JP2001036197A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Canon Inc | 光電子集積素子、その駆動方法、該素子を用いた光配線方式、該素子を有する演算処理装置 |
| JP2001219294A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-08-14 | Tdk Corp | 熱硬化性はんだ付け用フラックスおよびはんだ付け方法 |
| JP2001196643A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Toppan Printing Co Ltd | 光・電気素子搭載用チップキャリア及びその実装方法並びに光・電気配線基板及びその製造方法並びに実装基板 |
| JP2002241617A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-28 | Nitto Denko Corp | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2002329745A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Fujitsu Ltd | 電子部品の実装方法及びペースト材料 |
| JP2003215374A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路テープキャリア及びその製造方法 |
| JP2004174574A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半田ペースト及びそれを用いた半導体装置の組立方法 |
| JP2005084126A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 光電気複合基板、光導波路、及び光学素子付光導波路 |
| JP2005194306A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Togo Seisakusho Corp | 通電接着剤とそれを用いた窓用板状部材 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102144432B (zh) * | 2008-09-05 | 2015-09-30 | 住友电木株式会社 | 导电连接材料、使用该导电连接材料的端子之间的连接方法以及连接端子的制造方法 |
| KR20110063483A (ko) * | 2008-09-05 | 2011-06-10 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 도전 접속 재료 및 그것을 이용한 단자간 접속 방법 및 접속 단자의 제조 방법 |
| WO2010027017A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 住友ベークライト株式会社 | 導電接続材料およびそれを用いた端子間の接続方法ならびに接続端子の製造方法 |
| JPWO2010027017A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-02-02 | 住友ベークライト株式会社 | 導電接続材料およびそれを用いた端子間の接続方法ならびに接続端子の製造方法 |
| KR101581984B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2015-12-31 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 도전 접속 재료 및 그것을 이용한 단자간 접속 방법 및 접속 단자의 제조 방법 |
| WO2011077679A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 住友ベークライト株式会社 | 導電接続材料、電子部品の製造方法、導電接続材料付き電子部材および電子部品 |
| JP4924773B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2012-04-25 | 住友ベークライト株式会社 | 導電接続材料、電子部品の製造方法、導電接続材料付き電子部材および電子部品 |
| JP2011159481A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法、半導体装置および電子機器 |
| JP2015044912A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 日東電工株式会社 | 導電性接合組成物、導電性接合シート、電子部品およびその製造方法 |
| WO2015029696A1 (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-05 | 日東電工株式会社 | 導電性接合組成物、導電性接合シート、電子部品およびその製造方法 |
| TWI641671B (zh) * | 2013-08-27 | 2018-11-21 | 日東電工股份有限公司 | Conductive bonding composition, conductive bonding sheet, electronic component, and manufacturing method thereof |
| JP2015102648A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-06-04 | 新光電気工業株式会社 | 光導波路装置及びその製造方法 |
| US9244224B2 (en) | 2014-04-08 | 2016-01-26 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Optical waveguide device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5226562B2 (ja) | 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法 | |
| US8208769B2 (en) | Substrate for mounting an optical element, optical circuit substrate, and substrate on which an optical element is mounted | |
| US8524032B2 (en) | Connecting film, and joined structure and method for producing the same | |
| JP2008112030A (ja) | 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 | |
| KR101037229B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP5192194B2 (ja) | 接着フィルム | |
| KR101376002B1 (ko) | 접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 방법 및 회로 접속체 | |
| KR101380454B1 (ko) | 도전 재료 및 접속 구조체 | |
| JP2008111990A (ja) | 接着剤付き光回路基板、光素子実装用部品及び光素子実装部品 | |
| WO2008023452A1 (fr) | Bande adhésive, structure de jonction, et ensemble semi-conducteur | |
| WO2007125650A1 (ja) | 接着テープ、半導体パッケージおよび電子機器 | |
| US20130154129A1 (en) | Anisotropic conductive film and semiconductor device bonded by the same | |
| JP2012169263A (ja) | 異方性導電材料、接続構造体の製造方法及び接続構造体 | |
| KR20120089347A (ko) | 회로 부재 접속용 접착제 | |
| JP5767792B2 (ja) | 実装体の製造方法、接続方法及び異方性導電膜 | |
| JP2008158474A (ja) | 光素子実装用部品及び光素子実装部品 | |
| EP1785017A1 (en) | Connection method of conductive articles, and electric or electronic component with parts connected by the connection method | |
| JP2008108890A (ja) | 回路基板の接続方法及び接続構造体 | |
| TW201546176A (zh) | 硬化性組合物、導電材料及連接構造體 | |
| JP2007067245A (ja) | フィルム状配線テープ及びその製造方法、並びにフィルム状配線テープを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2018104653A (ja) | 接着剤組成物の選別方法、回路部材の接続方法、接続構造体、接着剤組成物及びフィルム状接着剤 | |
| JP2006102753A (ja) | 熱硬化性フラックス、フラックスシートおよび多層配線板 | |
| JP2014084400A (ja) | 接着フィルム | |
| JP2016201254A (ja) | 異方性導電フィルム、及び接続方法 | |
| JP4293002B2 (ja) | 多層配線板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090326 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120605 |