JP2016201254A - 異方性導電フィルム、及び接続方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒子、熱硬化性樹脂、及び硬化剤を含有する導電性粒子含有層3と、熱硬化性樹脂、及び硬化剤を含有する絶縁性接着層4と、を有し、導電性粒子含有層3における粒子が、導電性芯材31、及び導電性芯材31の表面に、所定の波長の活性エネルギー線によって酸を発生する光酸発生剤を含有する絶縁皮膜32を有し、導電性粒子含有層3における熱硬化性樹脂が、酸によって硬化する硬化性樹脂を含有し、導電性粒子含有層3における硬化剤が、所定の波長の活性エネルギー線によって活性化しない硬化剤であり、絶縁性接着層4における硬化剤が、所定の波長の活性エネルギー線によって活性化しない硬化剤である、異方性導電フィルムである。
【選択図】図1C
Description
絶縁コートされた導電性粒子を使用することで、ある程度のショートリスクの低減は可能になっているが、対向する電極間に捕捉された導電性粒子は絶縁コートを破って導通する必要があるため、絶縁コートそのものの強度はある程度弱く設計される。そのため、絶縁コートされた導電性粒子であっても、電極間に詰まった状態で部材の熱収縮による応力を受けた場合には、絶縁コートが破れてしまいショートが発生してしまうという問題がある。
<1> 粒子、熱硬化性樹脂、及び硬化剤を含有する導電性粒子含有層と、
熱硬化性樹脂、及び硬化剤を含有する絶縁性接着層と、
を有し、
前記導電性粒子含有層における前記粒子が、導電性芯材、及び前記導電性芯材の表面に、所定の波長の活性エネルギー線によって酸を発生する光酸発生剤を含有する絶縁皮膜を有し、
前記導電性粒子含有層における前記熱硬化性樹脂が、前記酸によって硬化する硬化性樹脂を含有し、
前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、前記所定の波長の活性エネルギー線によって活性化しない硬化剤であり、
前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、前記所定の波長の活性エネルギー線によって活性化しない硬化剤である、
ことを特徴とする異方性導電フィルムである。
<2> 前記導電性粒子含有層の平均厚みが、前記絶縁性接着層の平均厚み未満である前記<1>に記載の異方性導電フィルムである。
<3> 前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤であり、
前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤である、
前記<1>から<2>のいずれかに記載の異方性導電フィルムである。
<4> 活性エネルギー線を透過する基板、及び前記活性エネルギー線を透過しない配線を有する配線基板の前記配線と、電子部品の端子とを接続させる接続方法であって、
前記配線基板の前記配線上に、前記<1>から<3>のいずれかに記載の異方性導電フィルムを配置する第1の配置工程と、
前記異方性導電フィルム上に、前記電子部品を、前記電子部品の前記端子が前記異方性導電フィルムと接するように配置する第2の配置工程と、
前記配線基板側から、前記異方性導電フィルムに前記活性エネルギー線を照射する活性エネルギー線照射工程と、
前記電子部品を加熱押圧部材により加熱及び押圧する加熱押圧工程とを含み、
前記活性エネルギー線は、前記光酸発生剤が酸を発生する所定の波長を含む活性エネルギー線である、
ことを特徴とする接続方法である。
<5> 前記第2の配置工程が、前記導電性粒子含有層の前記熱硬化性樹脂の硬化温度未満且つ前記硬化温度−10℃以上で、前記異方性導電フィルムを加熱及び押圧する仮固定処理を含む前記<4>に記載の接続方法である。
本発明の異方性導電フィルムは、導電性粒子含有層と、絶縁性接着層とを有し、更に必要に応じて、その他の成分を有する。
前記導電性粒子含有層は、粒子と、熱硬化性樹脂と、硬化剤とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
前記粒子は、導電性芯材と、絶縁皮膜とを有し、更に必要に応じて、その他の成分を有する。
前記粒子において、前記絶縁皮膜は、前記導電性芯材の表面に形成されている。
前記導電性芯材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。
これらの中でも、ニッケル、銀、銅が好ましい。これらの金属粒子は、表面酸化を防ぐ目的で、その表面に金、パラジウムを施していてもよい。
前記樹脂粒子への金属の被覆方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無電解めっき法、スパッタリング法などが挙げられる。
前記樹脂粒子の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、スチレン−シリカ複合樹脂などが挙げられる。
前記絶縁皮膜は、光酸発生剤を少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
前記絶縁皮膜は、無加圧の状態で複数の前記粒子が接触している場合に、前記粒子同士に導通が生じない程度の絶縁性を有していればよい。
前記光酸発生剤としては、所定の波長の活性エネルギー線によって酸を発生する光酸発生剤であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジアゾニウム塩、ジアゾキノンスルホン酸アミド、ジアゾキノンスルホン酸エステル、ジアゾキノンスルホン酸塩、ニトロベンジルエステル、オニウム塩、ハロゲン化物、ヨウドニウム塩、ハロゲン化イソシアネート、ハロゲン化トリアジン、スルホニウム塩、ビスアリールスルホニルジアゾメタン、ジスルホン、などが挙げられる。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂が挙げられる。
前記平均粒子径は、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、粒子50個の粒子径を測定し、それを算術平均することにより求めることができる。
前記被覆の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、機械エネルギーによる物理化学的変化を利用した乾式方式などが挙げられる。
前記乾式方式で前記導電性芯材の表面に前記絶縁皮膜を形成できる装置としては、例えば、メカノミル(商品名、株式会社徳寿工作所製)、ハイブリダイザー(株式会社奈良機械製作所製、商品名:NHSシリーズ)などが挙げられる。
前記乾式方式では、例えば、前記導電性芯材と、粉末状の前記樹脂組成物とを、前記装置で処理することにより、前記粒子を得ることができる。
前記導電性粒子含有層における前記熱硬化性樹脂は、前記酸(前記光酸発生剤から発生する酸)によって硬化する硬化性樹脂を少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
前記導電性粒子含有層における前記硬化剤としては、前記所定の波長の活性エネルギー線によって活性化せず、かつ前記熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カチオン系硬化剤、アニオン系硬化剤などが挙げられる。
これらの中でも、前記硬化剤は、前記光酸発生剤から発生する酸との関係で硬化阻害を起こしにくい点で、カチオン系硬化剤が好ましい。
前記硬化剤は、前記所定の波長の活性エネルギー線を吸収しないため、前記所定の波長の活性エネルギー線を照射されても、前記硬化剤は、活性種を生成しない。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、膜形成樹脂、シランカップリング剤などが挙げられる。
前記膜形成樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。前記膜形成樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、製膜性、加工性、接続信頼性の点からフェノキシ樹脂が好ましい。
前記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA及びエピクロルヒドリンにより合成される樹脂などが挙げられる。
前記フェノキシ樹脂は、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。
前記シランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤、チオール系シランカップリング剤、アミン系シランカップリング剤などが挙げられる。
ここで、前記平均厚みは、任意に前記導電性粒子含有層の5箇所の厚みを測定した際の算術平均値である。
前記絶縁性接着層は、熱硬化性樹脂と、硬化剤とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
前記絶縁性接着層における前記熱硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが挙げられる。
これらの中でも、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂が好ましい。
前記絶縁性接着層における前記硬化剤としては、前記熱硬化性樹脂を硬化させる硬化剤であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カチオン系硬化剤、アニオン系硬化剤などが挙げられる。
これらの中でも、前記硬化剤は、反応阻害を起こしにくい点で、前記導電性粒子含有層の前記硬化剤と同反応系の硬化剤を選択することが好ましい。即ち、前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤であり、かつ前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤であること、又は、前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、アニオン系硬化剤であり、かつ前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、アニオン系硬化剤であることが好ましい。これらの中でも、前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤であり、かつ前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤であることが、隣接電極間のショート防止と、対向電極間の導通とを高度に両立できる点で、好ましい。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、膜形成樹脂、シランカップリング剤などが挙げられる。
前記膜形成樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記導電性粒子含有層の説明において例示した前記膜形成樹脂などが挙げられる。 前記膜形成樹脂としては、製膜性、加工性、接続信頼性の点からフェノキシ樹脂が好ましい。
前記シランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤、チオール系シランカップリング剤、アミン系シランカップリング剤などが挙げられる。
ここで、前記平均厚みは、任意に前記絶縁性接着層の5箇所の厚みを測定した際の算術平均値である。
本発明の接続方法は、第1の配置工程と、第2の配置工程と、活性エネルギー線照射工程と、加熱押圧工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
前記接続方法は、配線基板の配線と電子部品の端子とを異方性導電フィルムにより接続させる接続方法である。
前記第1の配置工程は、配線基板の配線上に、本発明の前記異方性導電フィルムを配置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記第1の配置工程においては、配線基板の配線上に、前記異方性導電フィルムを、前記導電性粒子含有層が前記配線と接するように配置することが好ましい。
前記配線基板は、基板と、配線とを少なくも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記基板としては、活性エネルギー線を透過する基板であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プラスチック基板、ガラス基板などが挙げられる。
前記基板の形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
ここで、「活性エネルギー線を透過する」とは、前記光酸発生剤が酸を発生するのに必要な波長の活性エネルギー線を、前記光酸発生剤が酸を発生するのに必要な程度に透過するものであればよく、前記波長の活性エネルギー線の透過率が100%である必要はない。
前記配線としては、前記活性エネルギー線を透過しない配線であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線は、前記基板上に配されている。
前記配線の材質としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどが挙げられる。
前記配線の形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
ここで、「活性エネルギー線を透過しない」とは、前記光酸発生剤が酸を発生するのに必要な波長の活性エネルギー線を、前記光酸発生剤が酸を発生しない程度に透過しないものであればよく、前記波長の活性エネルギー線の透過率が0%である必要はない。しかし、前記配線は、前記活性エネルギー線の透過率が0%であることが好ましい。
前記第2の配置工程としては、前記異方性導電フィルム上に、前記電子部品を、前記電子部品の前記端子が前記異方性導電フィルムと接するように配置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記導電性粒子含有層の前記熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い温度、且つできるだけ高温で前記異方性導電フィルムを加熱及び押圧する仮固定処理を含むことが、隣接電極間のショート防止と、対向電極間の導通とを高度に両立できる点で、好ましい。この際には、通常よりも高い圧力(例えば、5MPa〜40MPa)で押圧することが好ましい。また、加熱及び押圧の時間としては、0.5秒間〜2秒間が好ましい。
ここで、「熱硬化性樹脂の硬化温度」は、レオメータによる溶融粘度測定(昇温速度30℃/min)の際の、最低溶融粘度を示す温度である。
また、「前記導電性粒子含有層の前記熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い温度、且つできるだけ高温」としては、前記硬化温度未満且つ前記硬化温度−10℃以上が好ましく、前記硬化温度未満且つ前記硬化温度−5℃以上がより好ましい。
前記電子部品としては、接続の対象となる、端子を有する電子部品であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ICチップ、TABテープ、液晶パネルなどが挙げられる。前記ICチップとしては、例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD)における液晶画面制御用ICチップなどが挙げられる。
前記活性エネルギー線照射工程としては、前記配線基板側から、前記異方性導電フィルムに前記活性エネルギー線を照射する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記活性エネルギー線の照射源としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Deep UVランプ、LEDランプ、YAGレーザ、キセノンランプ、ハロゲンランプなどが挙げられるが、絶縁皮膜中の光酸発生剤だけを活性化するためには、波長域の狭いLEDランプが好ましい。
前記活性エネルギー線の照射量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
そのため、前記活性エネルギー線照射工程の後に行われる加熱及び押圧の際、隣接電極間の前記粒子の周囲に形成された硬化樹脂皮膜は破れず、隣接電極間の絶縁性は保たれる。一方、対向電極間の前記粒子の絶縁皮膜は破れ、前記導電性芯材が前記配線、及び前記端子と接触するため、対向電極間の導通が得られる。
前記加熱押圧工程としては、前記電子部品を加熱押圧部材により加熱及び押圧する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記加熱の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、130℃〜200℃が好ましい。
前記押圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、40MPa〜100MPaが好ましい。
前記加熱及び押圧の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、3秒間〜15秒間が好ましい。
まず、図1Aに示すように、基板1及び配線2を有する配線基板上に、導電性粒子含有層3と、絶縁性接着層4とを有する異方性導電フィルムを配置する(第1の配置工程)。この際、導電性粒子含有層3が配線2と接するように配置する。
導電性粒子含有層3は、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、粒子とを有する。前記粒子は、導電性芯材31と、導電性芯材31の表面に形成された絶縁皮膜32とを有する。絶縁皮膜32は、光酸発生剤を含有する。
この際、導電性粒子含有層の熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い温度、且つできるだけ高温で、前記異方性導電フィルムを加熱及び押圧する仮固定処理を含むことが好ましい。
そうすると、隣接電極間(配線基板上の配線2間)の前記粒子における絶縁皮膜32中の光酸発生剤から酸が発生し、前記粒子の周囲の熱硬化性樹脂が硬化し、硬化樹脂皮膜33を形成する。一方、対向電極間(配線基板の配線2と、電子部品5の端子6との間)の前記粒子における絶縁皮膜32の光酸発生剤からは酸が発生しないため、前記粒子の周囲の熱硬化性樹脂は硬化しない。
そうすると、隣接電極間の前記粒子の周囲における硬化樹脂皮膜33は破れず、隣接電極間の絶縁性は保たれる。
一方、対向電極間の前記粒子の絶縁皮膜32は、前記粒子が変形する際に破れる。そうすると、導電性芯材31が、配線2、及び端子6と接触するため、対向電極間の導通が得られる。
なお、導電性粒子含有層と絶縁性接着層とで、同種の熱硬化性樹脂、膜形成樹脂、硬化剤などを用いている場合、加熱押圧工程後に、導電性粒子含有層と絶縁性接着層との界面は不明瞭になり、ほぼ一体化する。
<粒子の作製>
粒子は、導電性芯材を、360nm付近に吸収波長をもつ光酸発生剤(LW−S1、サンアプロ株式会社製)を含有する樹脂組成物で被覆することにより作製した。具体的には以下のようにして、作製した。
導電性芯材(AUL704、積水化学社製、平均粒子径4μm)90質量部と、粉末状のアクリル樹脂10質量部と、光カチオン硬化剤10質量部とを、ハイブリダイザー(株式会社奈良機械製作所製、商品名:NHSシリーズ)に入れて、処理した。なお、ハイブリダイザーにおける処理条件は、回転速度16,000rpm、反応槽温度60℃とした。
得られた粒子の平均粒子径は、4.1μmであった。
<粒子の作製>
製造例1において、アクリル樹脂をエポキシ(メタ)アクリレート樹脂に代えた以外は、製造例1と同様にして、粒子を得た。
得られた粒子の平均粒子径は、4.1μmであった。
<粒子の作製>
導電性芯材(AUL704、積水化学社製、平均粒子径4μm)90質量部と、粉末状のアクリル樹脂10質量部とを、ハイブリダイザー(株式会社奈良機械製作所製、商品名:NHSシリーズ)に入れて、処理した。なお、ハイブリダイザーにおける処理条件は、回転速度16,000rpm、反応槽温度60℃とした。
得られた粒子の平均粒子径は、4.1μmであった。
<異方性導電フィルムの作製>
−導電性粒子含有層の作製−
フェノキシ樹脂(品名:YP50、新日鐵住金化学株式会社製)40質量部、エポキシ樹脂(品名:EP828、三菱化学株式会社製)40質量部、カチオン硬化剤(品名:サンエイド SI−80L、三新化学株式会社製)20質量部、シランカップリング剤(品名:A−187、モメンティブパフォーマンスマテリアルズ社製)1質量部、及び製造例1で作製した粒子35質量部を、撹拌装置(自転公転ミキサー、あわとり練太郎、シンキー社製)を用いて均一に混合した。混合後の配合物をシリコーン処理したPET(ポリエチレンテレフタレート)上に乾燥後の平均厚みが5μmとなるように塗布し、70℃で5分間乾燥し、導電性粒子含有層を作製した。
フェノキシ樹脂(品名:YP50、新日鐵住金化学株式会社製)30質量部、エポキシ樹脂(品名:EP828、三菱化学株式会社製)40質量部、カチオン硬化剤(品名:サンエイド SI−80L、三新化学株式会社製)20質量部、及びシランカップリング剤(品名:A−187、モメンティブパフォーマンスマテリアルズ社製)1質量部を、撹拌装置(自転公転ミキサー、あわとり練太郎、シンキー社製)を用いて均一に混合した。混合後の配合物をシリコーン処理したPET(ポリエチレンテレフタレート)上に乾燥後の平均厚みが15μmとなるように塗布し、70℃で5分間乾燥し、絶縁性接着層を作製した。
以下の方法により、COG(Chip on Glass)実装を行った。
配線基板として、ITO櫛型配線が形成された厚み0.7mmのガラス基板を用いた。
電子部品として、試験用ICチップ(サイズ:1.8mm×20mm、厚み:0.5mm、金メッキバンプのサイズ:13μm×80μm、バンプ高さ:15μm、バンプ間スペース:12μm)を用いた。
前記配線基板の配線上に、異方性導電フィルムを導電性粒子含有層が前記配線と接するように配置した。続いて、異方性導電フィルムの絶縁性接着層上に前記電子部品を配置し、平均厚み50μmのテフロン(登録商標)シートを緩衝材として用い、加熱ツールにより、100℃、10MPa、1秒間の条件で、前記電子部品を加熱及び押圧し、仮固定を行った。続いて、前記配線基板側から、前記異方性導電フィルムに、UV照射(400mW×2sec照射、オムロン社製 UV LED光源、ZUV−C20H, ZUV−H20MCを使用)を行った。続いて、平均厚み50μmのテフロン(登録商標)シートを緩衝材として用い、加熱ツールにより、200℃、60MPa、5秒間の条件で、前記電子部品を加熱及び押圧し、接続を行い、接合体を得た。
なお、UV照射により、粒子中の光酸発生剤は、酸を発生するが、導電性粒子含有層中の硬化剤、及び絶縁性接着層中の硬化剤は、活性化しない。
以下の評価に供した。結果を表1−1に示した。
上記で作製した接合体について、ハイレジスタンスメータ(品番:ハイレジスタンスメータ 4339B、Agilent社製)を用いて16chの端子間の抵抗値(Ω)を測定した。具体的には、2端子法にて電圧30Vを印加したときの抵抗値が108Ω以下のchをショートとみなし、以下の評価基準で評価を行った。
〔評価基準〕
○:ショートが発生したchの数が、0
△:ショートが発生したchの数が、1〜2
×:ショートが発生したchの数が、3〜16
上記で作製した接合体について、デジタルマルチメータ(品番:デジタルマルチメータ7555、横河電機社製)を用いて30chの端子−ITO配線間の抵抗値(Ω)を測定した。具体的には、4端子法にて電流1mAを流したときの、85℃85%RHで500時間経過後の抵抗値(導通抵抗値、Ω)を測定した。以下の評価基準で評価を行った。
〔評価基準〕
○:10Ω未満
△:10Ω以上50Ω未満
×:50Ω以上
<異方性導電フィルムの作製、及び接合体の製造>
実施例1において、導電性粒子含有層(ACF層)の組成、絶縁性接着層(NCF層)の組成、及びそれらの平均厚み、仮固定時の加熱及び押圧条件、並びにUV照射の有無を、表1−1、及び表1−2に記載のとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして、異方性導電フィルムの作製、及び接合体の製造を行った。
実施例1と同様の評価を行った。結果を表1−1、及び表1−2に示した。
比較例5におけるdeepUV照射は、USHIO社製のSP−9を用いて行った。比較例5においては、deepUV照射により、粒子中の光酸発生剤が、酸を発生するとともに、導電性粒子含有層中の硬化剤、及び絶縁性接着層中の硬化剤が、活性化する。
導電性粒子含有層の平均厚みが5μm〜8μmである場合に、特に優れた結果が得られた(実施例1〜2、実施例5〜7参照)。
導電性粒子含有層の平均厚みが、8μmを超えると、対向電極間における粒子の捕捉性が若干低下する。また、活性エネルギー線が、配線の側面から回折して対向電極間の粒子に届き、対向電極間の粒子の周辺の熱硬化性樹脂も若干硬化する。さらに、基板から遠い粒子にも活性エネルギー線が届きにくくなる。それらの結果により、導電性粒子含有層の平均厚みが8μmを超えると、ショート発生防止と、導通確保とが、導電性粒子含有層の平均厚みが5μm〜8μmである場合よりも低下した。
第2の配置工程において、導電性粒子含有層の熱硬化性樹脂の硬化温度よりも低い温度、且つできるだけ高温(前記硬化温度未満且つ前記硬化温度−10℃以上)で、異方性導電フィルムを加熱及び押圧する場合(実施例1〜2、実施例5〜7参照)の方が、そうしない場合(実施例4)よりも、導通抵抗値が優れていた。
実施例8では、導電性粒子含有層の硬化剤、及び絶縁性樹脂層の硬化剤がアニオン系硬化剤であるために、活性エネルギー線によって光酸発生剤から発生した酸の一部が失活した結果、ショート発生防止が、カチオン系硬化剤を選択した場合にくらべて低下した。また、加熱、押圧の際には導電性粒子の絶縁皮膜に含まれる光酸発生剤によりアニオン種がわずかに失活した結果、導通抵抗値が、カチオン系硬化剤を選択した場合にくらべて劣る結果となった。
比較例1〜4では、ショート発生防止と、導通確保とが、両立できなかった。従来の絶縁コート導電性粒子を用いた比較例3でも、ファインピッチ12μmには対応できず、ショート発生防止と、導通確保とが、両立できなかった。
比較例5では、導電性粒子含有層の硬化剤、及び絶縁性樹脂層の硬化剤が、活性エネルギー線(deep UV)によって活性化したために、加熱及び加圧前に導電性粒子層の熱硬化性樹脂、及び絶縁性樹脂層の熱硬化性樹脂に硬化が生じた結果、導通抵抗値が不十分となった。
2 配線
3 導電性粒子含有層
31 導電性芯材
32 絶縁皮膜
33 硬化樹脂皮膜
4 絶縁性接着層
5 電子部品
6 端子
Claims (5)
- 粒子、熱硬化性樹脂、及び硬化剤を含有する導電性粒子含有層と、
熱硬化性樹脂、及び硬化剤を含有する絶縁性接着層と、
を有し、
前記導電性粒子含有層における前記粒子が、導電性芯材、及び前記導電性芯材の表面に、所定の波長の活性エネルギー線によって酸を発生する光酸発生剤を含有する絶縁皮膜を有し、
前記導電性粒子含有層における前記熱硬化性樹脂が、前記酸によって硬化する硬化性樹脂を含有し、
前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、前記所定の波長の活性エネルギー線によって活性化しない硬化剤であり、
前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、前記所定の波長の活性エネルギー線によって活性化しない硬化剤である、
ことを特徴とする異方性導電フィルム。 - 前記導電性粒子含有層の平均厚みが、前記絶縁性接着層の平均厚み未満である請求項1に記載の異方性導電フィルム。
- 前記導電性粒子含有層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤であり、
前記絶縁性接着層における前記硬化剤が、カチオン系硬化剤である、
請求項1から2のいずれかに記載の異方性導電フィルム。 - 活性エネルギー線を透過する基板、及び前記活性エネルギー線を透過しない配線を有する配線基板の前記配線と、電子部品の端子とを接続させる接続方法であって、
前記配線基板の前記配線上に、請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電フィルムを配置する第1の配置工程と、
前記異方性導電フィルム上に、前記電子部品を、前記電子部品の前記端子が前記異方性導電フィルムと接するように配置する第2の配置工程と、
前記配線基板側から、前記異方性導電フィルムに前記活性エネルギー線を照射する活性エネルギー線照射工程と、
前記電子部品を加熱押圧部材により加熱及び押圧する加熱押圧工程とを含み、
前記活性エネルギー線は、前記光酸発生剤が酸を発生する所定の波長を含む活性エネルギー線である、
ことを特徴とする接続方法。 - 前記第2の配置工程が、前記導電性粒子含有層の前記熱硬化性樹脂の硬化温度未満且つ前記硬化温度−10℃以上で、前記異方性導電フィルムを加熱及び押圧する仮固定処理を含む請求項4に記載の接続方法。
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