JP2016042541A - 接続構造体の製造方法、及び異方性導電接着フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】優れた導通抵抗を得ることができる接続構造体の製造方法、及び異方性導電接着フィルムを提供する。【解決手段】重合性化合物と光重合開始剤とを異なる箇所に偏在させた異方性導電フィルム２０に紫外線を照射する光照射工程と、異方性導電フィルム２０を介して第１の回路部材と第２の回路部材とを熱圧着する熱圧着工程とを有する。異方性導電フィルム内の光重合開始剤を活性化させた状態で熱圧着するため、配線部分を十分に硬化させることができ、優れた導通抵抗を得ることができる。また、異方性導電フィルム内の重合性化合物と光重合開始剤とが異なる箇所に偏在しているため、紫外線照射時の硬化反応が抑制され、先硬化による押し込み不足を防ぐことができる。【選択図】図２

Description

本発明は、回路部材同士を電気的に接続する接続構造体の製造方法、及びそれに用いる異方性導電フィルムに関する。

従来、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル等のＡＣＦ（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）接続において、紫外線照射を併用して低温で異方性導電フィルムを反応硬化させてＬＣＤパネルの反りを低減し、表示ムラを抑制することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、従来の紫外線照射は、主に基板下部から行っているため、光透過率が著しく低い配線部分を硬化させることは困難であり、優れた導通抵抗を得ることは困難である。

特開２００７−４５９００号公報

本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、優れた導通抵抗を得ることができる接続構造体の製造方法、及び異方性導電接着フィルムを提供する。

本発明者は、鋭意検討を行った結果、重合性化合物と光重合開始剤とを異なる箇所に偏在させた異方性導電フィルムに紫外線を照射して光重合開始剤を活性化させた後、異方性導電フィルムを介して、第１の回路部材と第２の回路部材とを圧着することにより、配線部分の硬化反応を向上させ、優れた導通抵抗が得られることを見出した。

すなわち、本発明に係る接続構造体の製造方法は、重合性化合物と光重合開始剤とを異なる箇所に偏在させた異方性導電フィルムに紫外線を照射する光照射工程と、前記異方性導電フィルムを介して第１の回路部材と第２の回路部材とを熱圧着する熱圧着工程とを有することを特徴とする。

また、本発明に係る接続構造体は、前述した製造方法によって得られることを特徴とする。

また、本発明に係る異方性導電フィルムは、重合性化合物と、導電性粒子とを含有する第１の層と、光重合開始剤と、非重合性化合物とを含有する第２の層とを有することを特徴とする。

本発明によれば、異方性導電フィルムに紫外線を照射して光重合開始剤を活性化させた後、熱圧着するため、配線部分を十分に硬化させることができ、優れた導通抵抗を得ることができる。

図１は、仮貼工程の概略を示す断面図である。 図２は、光照射工程の概略を示す断面図である。 図３は、搭載工程の概略を示す断面図である。 図４は、熱圧着工程の概略を示す断面図である。 図５は、異方性導電フィルムの構成例を示す断面図である。 図６（Ａ）は、ＩＣ搭載前に異方性導電フィルムの上から紫外線を照射する工程の概略を示す断面図であり、図６（Ｂ）は、紫外線照射後にＩＣを熱圧着する工程の概略を示す断面図である。 図７は、ＩＣ搭載後にＩＣの上から紫外線を照射する工程の概略を示す断面図である。 図８は、ＩＣ搭載後にガラス基板の下から紫外線を照射する工程の概略を示す断面図である。 図９（Ａ）は、ＩＣ搭載前にガラス基板の下から紫外線を照射する工程の概略を示す断面図であり、図９（Ｂ）は、紫外線照射後にＩＣを熱圧着する工程の概略を示す断面図である。 図１０は、従来の異方性導電フィルムの構成例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接続構造体の製造方法
２．異方性導電フィルム
３．実施例

＜１．接続構造体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、重合性化合物と光重合開始剤とを異なる箇所に偏在させた異方性導電フィルムに紫外線を照射する光照射工程と、異方性導電フィルムを介して第１の回路部材と第２の回路部材とを熱圧着する熱圧着工程とを有する。異方性導電フィルム内の光重合開始剤を活性化させた状態で熱圧着するため、配線部分を十分に硬化させることができ、優れた導通抵抗を得ることができる。また、異方性導電フィルム内の重合性化合物と光重合開始剤とが異なる箇所に偏在しているため、紫外線照射時の硬化反応が抑制され、先硬化による押し込み不足を防ぐことができる。

第１の回路部材及び第２の回路部材は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第１の回路部材としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル用途、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用途などのガラス基板、プリント配線板（ＰＷＢ）等を挙げることができる。また、第２の回路部材としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＣＯＦ（Chip On Film）などのフレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板等を挙げることができる。

また、本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、光照射工程の前に異方性導電フィルムを仮貼りする仮貼工程、及び、仮貼工程と熱圧着工程との間に第２の回路部材を搭載する搭載工程を有する。図１〜図４は、それぞれ、接続構造体の製造方法における仮貼工程、光照射工程、搭載工程、及び熱圧着工程の概略を示す断面図である。

図１に示すように、仮貼工程では、第１の回路部材１０の端子が形成された実装部上に異方性導電フィルム２０を仮貼りする。異方性導電フィルム２０の仮貼りは、例えばベースフィルムの上から圧着ツールによって低圧で加圧することにより、又はバインダーが流動性を示すが硬化を開始しない温度で、低圧、短時間で熱加圧することによって行う。なお、異方性導電フィルムの仮貼り後、ベースフィルムは剥離される。

次に、図２に示すように、光照射工程では、第１の回路部材１０上に仮貼りされた異方性導電フィルム２０に紫外線を照射する。紫外線の照射方向は、第１の回路部材１０による光透過率の低下を防ぐ観点から、異方性導電性フィルム２０側からであることが好ましい。また、異方性導電フィルム２０は、後述するように重合性化合物と光重合開始剤とが異なる箇所に偏在しているため、紫外線照射時の硬化反応を抑制することができる。

次に、図３に示すように、搭載工程では、異方性導電フィルム２０が仮貼りされた実装部上に第２の回路部材３０が載置される。このとき、第２の回路部材３０の端子と第１の回路部材１０の端子との位置が合うようにアライメント調整が行われる。

次に、図４に示すように、熱圧着工程では、第２の回路部材３０上から、所定温度に加温された圧着ツール４０によって、所定の圧力及び所定の時間、熱加圧され、本圧着される。ここで、光照射工程の紫外線の照射完了から熱圧着までの時間は、光重合開始剤の種類にもよるが、１０秒以下であることが好ましい。なお、所定温度は、圧着時における異方性導電フィルム２０の温度であり、８０℃以上１６０℃以下であることが好ましい。

圧着ツール４０としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、押圧対象よりも大面積である押圧部材を用いて押圧を１回で行ってもよく、また、押圧対象よりも小面積である押圧部材を用いて押圧を数回に分けて行ってもよい。圧着ツールの先端形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平面状、曲面状などが挙げられる。なお、先端形状が曲面状である場合、曲面状に沿って押圧することが好ましい。

また、圧着ツール４０と第２の回路部材３０との間に緩衝材を介装して熱圧着してもよい。緩衝材を介装することにより、押圧ばらつきを低減できると共に、圧着ツールが汚れるのを防止することができる。緩衝材は、シート状の弾性材又は塑性体からなり、例えばシリコンラバーやポリ４フッ化エチレンが用いられる。

このような接続構造体の製造方法によれば、異方性導電フィルム２０のバインダーが流動化するとともに、導電性粒子が第１の回路部材１０と第２の回路部材３０との端子間に挟持され、この状態で硬化する。これにより、第１の回路部材１０と第２の回路部材３０とが電気的、機械的に接続された接続構造体が製造される。本実施の形態では、異方性導電フィルム内の光重合開始剤を励起、活性化させた状態で熱圧着するため、配線部分を十分に硬化させることができ、優れた導通抵抗を得ることができる。また、異方性導電フィルム内の重合性化合物と光重合開始剤とが異なる箇所に偏在しているため、光照射工程時に硬化反応が抑制され、熱圧着工程時に先硬化による押し込み不足を防ぐことができる。また、光照射工程として、低照度の紫外線を照射してもよく、蛍光灯などの通常環境下としてもよい。このため、紫外線をカットしたイエロールームが不要となり、従来の熱圧着のライン設備からの変更が少なく、経済的である。

＜２．異方性導電フィルム＞
前述した接続構造体の製造方法に用いられる異方性導電フィルムは、光照射工程時に硬化反応が抑制されるように重合性化合物と光重合開始剤とが異なる箇所に偏在したものである。具体的な構成としては、光重合開始剤と重合性化合物とを一方の面と他方の面にそれぞれ分離、偏在させたものが挙げられる。以下では、重合性化合物と光重合開始剤とを異なる層に添加した多層フィルムを例に挙げて説明する。

図５は、異方性導電フィルムの構成例を示す断面図である。この異方性導電フィルム２０は、重合性化合物と、導電性粒子とを含有する第１の層２１と、光重合開始剤と、非重合性化合物とを含有する第２の層２２とを有する。重合性化合物及び光重合開始剤をそれぞれ第１の層２１及び第２の層２２に配合することにより、前述した光照射工程における硬化反応を抑制することができる。

また、第１の層２１と第２の層２２との間に、非重合性化合物を含有する第３の層２３を有することが好ましい。非重合性化合物は、膜形成樹脂であることが好ましく、一態様として第３の層２３は、膜形成樹脂のみからなってもよい。この第３の層２３は、第１の層２１の重合性化合物と、第２の層２２の光重合開始剤とのバッファー層となるため、前述した光照射工程における硬化反応をさらに抑制することができる。この第３の層２３は、厚みの均一性は問わないため、塗布や散布により作成してもよい。なお、第１の層２１、第２の層２２及び第３の層２３の合計の好ましい膜厚は、４〜５０μｍである。

導電性粒子としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の導電性粒子を用いることができる。例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を用いることができる。なお、導電性粒子１０は、第１の層２１だけでなく、第２の層２２に配合されていてもよい。

導電性粒子の平均粒径としては、通常１〜１０μｍ、より好ましくは２〜６μｍである。また、導電性粒子の含有量は、バインダー樹脂組成物１００質量部に対し、通常、５〜６０質量部、好ましくは１０〜５０質量部である。

異方性導電フィルムは、光硬化型であれば、特に限定されるものではなく、例えば、カチオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用することができる。以下、カチオン硬化型の異方性導電フィルムについて説明する。

カチオン硬化型の第１の層２１及び第２の層２２は、バインダーとして、非重合性化合物としての膜形成樹脂と、重合性化合物としてのカチオン重合性化合物と、光重合開始剤としての光カチオン重合開始剤とを含有する。

膜形成樹脂は、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、１００００〜８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を好適に用いることが好ましい。膜形成樹脂の含有量は、バインダー樹脂組成物１００質量部に対し、通常、３０〜８０質量部、好ましくは４０〜７０質量部である。

カチオン重合性化合物としては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、スチレンオキシド、フェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル等の１官能性エポキシ化合物；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネート、ヒダントインエポキシ等の含複素環エポキシ樹脂；水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトール−ポリグリシジルエーテル等の脂肪族系エポキシ樹脂；芳香族、脂肪族もしくは脂環式のカルボン酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるエポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；ｏ−アリル−フェノールノボラック化合物とエピクロルヒドリンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡのそれぞれの水酸基のオルト位にアリル基を有するジアリルビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンとの反応生成物であるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；シッフ系化合物、スチルベン化合物およびアゾベンゼン化合物のジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂；（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシイソプロピル）シクロヘキサンとエピクロルヒドリンとの反応生成物等の含フッ素脂環式、芳香環式エポキシ樹脂等を用いることができる。

カチオン重合は、暗反応を伴うため、光照射終了後も反応が徐々に進み、接着フィルムとしての機能を阻害してしまう恐れがある。そのため、カチオン重合性化合物として、比較的暗反応が生じにくいビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。

カチオン重合性化合物の含有量は、少なすぎると導通信頼性が低くなり、多すぎると接着強度が低くなる傾向があるので、好ましくはバインダー樹脂組成物１００質量部に対し、２０〜７０質量部、より好ましくは３０〜６０質量部である。

カチオン重合開始剤は、カチオン種がエポキシ樹脂末端のエポキシ基を開環させ、エポキシ樹脂同士を自己架橋させる。本実施の形態では、光カチオン重合開始剤が添加されていればよく、光カチオン重合開始剤及び熱カチオン重合開始剤が併用されていてもよい。

光カチオン重合開始剤としては、トリアリールスルホニウム塩、ベンジルスルホニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウム塩、トリアリールヨードニウム塩，ジアリールヨードニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩、４−メトキシジフェニルヨードニウム塩、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム塩、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム塩、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウム塩、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物、ヘキサクロロアンチモネート、ビス（ドデシルフェニル）ヘキサフルオロアンチモネート（４，４´−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフォニオ］フェニルスルフィド、ビス〔４−（ジフェニルスルフォニオ）−フェニル〕スルフィド、ビス〔４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエチル）フェニル）スルホニオ）−フェニル〕スルフィド、η５−２，４−（シクロペンタジェニル）〔１，２，３，４，５，６−η−（メチルエチル）ベンゼン〕−鉄（１＋）等の１種以上が挙げられる。光カチオン重合開始剤の市場で入手可能な具体例としては、サンアプロ（株）の商品名「ＬＷ−Ｓ１」等を挙げることができる。

熱カチオン重合開始剤としては、トリフェニルスルホニウム四フッ化ホウ素、トリフェニルスルホニウム六フッ化アンチモン、トリフェニルスルホニウム六フッ化ヒ素、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウム六フッ化ヒ素、ジフェニル（４−フェニルチオフェニル）スルホニウム六フッ化ヒ素、ｐ−ｔ−ブチルベンジルテトラヒドロチオフェニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウム四フッ化ホウ素、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（４−クロロベンジル）アニリニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（１−フェニルエチル）アニリニウム六フッ化アンチモン、Ｎ−ベンジル−４−ジメチルアミノピリジニウム六フッ化アンチモン、Ｎ−ベンジル−４−ジエチルアミノピリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸、Ｎ−（４−メトキシベンジル）−４−ジメチルアミノピリジニウム六フッ化アンチモン、Ｎ−（４−メトキシベンジル）−４−ジエチルアミノピリジニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（４−メトキシベンジル）トルイジニウム六フッ化アンチモン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−（４−メトキシベンジル）トルイジニウム六フッ化アンチモン、エチルトリフェニルホスホニウム六フッ化アンチモン、テトラブチルホスホニウム六フッ化アンチモン、ジフェニルヨードニウム六フッ化ヒ素、ジ−４−クロロフェニルヨードニウム六フッ化ヒ素、ジ−４−ブロムフェニルヨードニウム六フッ化ヒ素、ジ−ｐ−トリルヨードニウム六フッ化ヒ素、フェニル（４−メトキシフェニル）ヨードニウム六フッ化ヒ素等の１種以上が挙げられる。

また、熱カチオン重合開始剤の代わりに、光、熱どちらにも適用可能な光・熱カチオン重合開始剤を使用してもよい。光・熱カチオン重合開始剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が挙げられ、中でも、低温での反応性に優れ、ポットライフが長い芳香族スルホニウム塩を好適に用いることができる。光・熱カチオン重合開始剤の市場で入手可能な具体例としては、三新化学工業（株）の商品名「ＳＩ−６０Ｌ」、「ＳＩ−８０Ｌ」、「ＳＩ−１００Ｌ」等を挙げることができる。

これらのカチオン重合開始剤の含有量は、少なすぎると反応性が無くなり、多すぎると接着剤の製品ライフが低下する傾向があるため、バインダー樹脂組成物１００重量部に対し、好ましくは０．１〜３０重量部、より好ましくは０．５〜２０重量部である。

また、バインダーとして、必要に応じて、応力緩和剤、シランカップリング剤、無機フィラー等を配合してもよい。応力緩和剤としては、水添スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水添スチレン−イソプレンブロック共重合体等を挙げることができる。また、シランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。また、無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を挙げることができる。

＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、異方性導電フィルム作製し、これを用いて種々の照射タイミングで接続構造体を作製し、接続構造体の導通抵抗、及び硬化率について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

接続構造体の作製、導通抵抗の測定、硬化率の測定及び評価は、次のように行った。

［接続構造体の作製］
評価基材として、ＴＩ／Ａｌコーティングガラス基板（金属配線、ｔ＝０．７ｍｍ）、及び、ＩＣ（１．８ｍｍ×２０ｍｍ、ｔ＝０．５ｍｍ、Au-plated bump：３０μｍ×８５μｍ、ｈ＝１５μｍ）を使用した。光照射条件は、２００ｍＷ／ｃｍ^２−３秒とした。また、熱圧着条件は、１２０℃−６０ＭＰａ−５秒とした。

［導通抵抗の測定］
デジタルマルチメーター（商品名：デジタルマルチメーター７５６１、横河電機社製）を用いて、接続構造体の導通抵抗（Ω）の測定を行った。

［硬化率の測定］
接続構造体からＩＣを引き剥がし、金属配線上からサンプルＡを取得した。そしてサンプルＡ〜Ｃを測定し、硬化率を算出した。
サンプルＡ：金属配線上の試料
サンプルＢ：未硬化の異方性導電フィルム(反応前)の試料
サンプルＣ：サンプルＢを２００ｍＷ／ｃｍ^２−３秒の光照射条件及び１２０℃−６０ＭＰａ−５秒の熱圧着条件で完全硬化させた試料

各サンプルについて、ＦＴ−ＩＲ測定を行い、得られたＩＲチャートから（Ｉ）９１４ｃｍ^−１：エポキシ環の逆対象伸縮振動及び（ＩＩ）８２９ｃｍ^−１：芳香環のＣ−Ｈ間界面外変角振動２つのピークを数値化した。そして、各試料について、下記（１）式にて吸光度比を求め、得られた吸光度比を用いて下記（２）式で示される硬化率を算出した。
吸光度比＝（Ｉ）／（ＩＩ） （１）
硬化率（％）＝（１−サンプルＡの吸光度比／サンプルＢの吸光度比）／（１−サンプルＣの吸光度比／サンプルＢの吸光度比）×１００ （２）

［評価］
導通抵抗の測定結果が１．０Ω以下、且つ配線部分の硬化率の測定結果が７０％以上の場合を「ＯＫ」を評価し、それ以外を「ＮＧ」と評価した。

＜実施例１＞
図５に示すように、３層構造の異方性導電フィルムを作製した。先ず、第１の層２１として、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学社製）２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学社製）３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ０１４、新日鐵化学社製）２０質量部、及び導電性粒子（ＡＵＬ７０４、積水化学社製）３０質量部を配合し、厚み８μｍのＡ層を作製した。また、第２の層２２として、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学社製）７５質量部、及び光カチオン重合開始剤（ＬＷ−Ｓ１、サンアプロ社製）２５質量部を配合し、厚み４μｍのＮ層を作製した。また、第３の層２３として、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学社製）からなる厚み４μｍのバッファー層を作製した。そして、Ａ層とバッファー層とＮ層とをラミネートし、３層構造の異方性導電フィルムを作製した。

図６（Ａ）に示すように、ガラス基板５１上に異方性導電フィルム５２を仮貼りし、ＩＣ搭載前に異方性導電フィルム５２の上から前記光照射条件にて紫外線を照射した。そして、図６（Ｂ）に示すように、照射終了から２秒後にＩＣ５３を前記熱圧着条件にて本圧着し、接続構造体を得た。

表１に示すように、実施例１の接続構造体の導通抵抗は０．７Ω、金属配線部分の硬化率は８５％であり、評価結果はＯＫであった。

＜比較例１＞
実施例１と同様の３層構造の異方性導電フィルムを使用した。図７に示すように、ＩＣ搭載後にＩＣ５３の上から前記光照射条件にて紫外線を照射した。そして、照射終了から２秒後にＩＣ５３を前記熱圧着条件にて本圧着し、接続構造体を得た。

表１に示すように、比較例１の接続構造体の導通抵抗は３０Ω、金属配線部分の硬化率は５％未満であり、評価結果はＮＧであった。

＜比較例２＞
実施例１と同様の３層構造の異方性導電フィルムを使用した。図８に示すように、異方性導電フィルム５２上にＩＣを搭載後、ガラス基板５１の下から前記光照射条件にて紫外線を照射した。そして、照射終了から２秒後にＩＣ５３を前記熱圧着条件にて本圧着し、接続構造体を得た。

表１に示すように、比較例２の接続構造体の導通抵抗は１．８Ω、金属配線部分の硬化率は６０％であり、評価結果はＮＧであった。

＜比較例３＞
実施例１と同様の３層構造の異方性導電フィルムを使用した。図９（Ａ）に示すように、ガラス基板５１上に異方性導電フィルム５２を仮貼りし、ＩＣ搭載前にガラス基板５１の下から前記光照射条件にて紫外線を照射した。そして、図９（Ｂ）に示すように、照射終了から２秒後にＩＣ５３を前記熱圧着条件にて本圧着し、接続構造体を得た。

表１に示すように、比較例３の接続構造体の導通抵抗は１．８Ω、金属配線部分の硬化率は６０％であり、評価結果はＮＧであった。

＜比較例４＞
図１０に示すように、２層構造の異方性導電フィルムを作製した。先ず、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学社製）２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学社製）３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ０１４、新日鐵化学社製）２０質量部、光カチオン重合開始剤（ＬＷ−Ｓ１、サンアプロ社製）５質量部、及び導電性粒子（ＡＵＬ７０４、積水化学社製）３０質量部を配合し、厚み８μｍのＡ層６１を作製した。また、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学社製）２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱化学社製）３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ０１４、新日鐵化学社製）２０質量部、及び光カチオン重合開始剤（ＬＷ−Ｓ１、サンアプロ社製）５質量部を配合し、厚み１０μｍのＮ層を作製した。そして、Ａ層とＮ層とをラミネートし、２層構造の異方性導電フィルムを作製した。

実施例１と同様、図６（Ａ）に示すように、ガラス基板５１上に異方性導電フィルム５２を仮貼りし、ＩＣ搭載前に異方性導電フィルム５２の上から前記光照射条件にて紫外線を照射した。そして、図６（Ｂ）に示すように、照射終了から２秒後にＩＣ５３を前記熱圧着条件にて本圧着し、接続構造体を得た。

表１に示すように、比較例４の接続構造体の導通抵抗は４５Ω、金属配線部分の硬化率は９０％であり、評価結果はＮＧであった。

＜比較例５＞
比較例４と同様の２層構造の異方性導電フィルムを使用した。また、比較例２と同様、図８に示すように、異方性導電フィルム５２上にＩＣを搭載後、ガラス基板５１の下から前記光照射条件にて紫外線を照射した。そして、照射終了から２秒後にＩＣ５３を前記熱圧着条件にて本圧着し、接続構造体を得た。

表１に示すように、比較例５の接続構造体の導通抵抗は１．８Ω、金属配線部分の硬化率は６０％であり、評価結果はＮＧであった。

比較例１は、異方性導電フィルム上にＩＣを搭載後、ＩＣの上から紫外線を照射したため、ＩＣが影となり、光カチオン重合開始剤を活性化させることができず、良好な導通抵抗値、及び配線部分の硬化率を得ることができなかった。

比較例２は、異方性導電フィルム上にＩＣを搭載後、ガラス基板の下から紫外線を照射したため、紫外線の透過を妨げてしまい、光カチオン重合開始剤の活性化が不十分となり、良好な導通抵抗値、及び配線部分の硬化率を得ることができなかった。

比較例３は、ガラス基板上に異方性導電フィルムを仮貼りし、ＩＣ搭載前にガラス基板の下から紫外線を照射したため、比較例２と同様に紫外線の透過を妨げてしまい、光カチオン重合開始剤の活性化が不十分となり、良好な導通抵抗値、及び配線部分の硬化率を得ることができなかった。

比較例４は、カチオン硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤とを同じ層に添加した異方性導電フィルムを使用したため、ガラス基板上に異方性導電フィルムを仮貼りし、ＩＣ搭載前に異方性導電フィルムの上から紫外線を照射した際に、異方性導電フィルムが硬化してしまい、熱圧着時に押し込み不足により導通抵抗値が大きかった。

比較例５は、異方性導電フィルム上にＩＣを搭載後、ガラス基板の下から紫外線を照射したため、比較例２と同様に紫外線の透過を妨げてしまい、光カチオン重合開始剤の活性化が不十分となり、良好な導通抵抗値、及び配線部分の硬化率を得ることができなかった。

一方、実施例１は、カチオン硬化性化合物と、光カチオン重合開始剤とを異なる層に添加した異方性導電フィルムを使用し、ＩＣ搭載前に異方性導電フィルムの上から紫外線を照射したため、異方性導電フィルムを硬化させることなく、光カチオン重合開始剤を活性化させることができ、良好な導通抵抗値、及び配線部分の硬化率を得ることができた。

１０ 第１の回路部材、２０ 異方性導電フィルム、２１ 第１の層、２２ 第２の層、２３ 第３の層、３０ 第２の回路部材、４０ 圧着ツール、５１ ガラス基板、５２ 異方性導電フィルム、５３ ＩＣ、６１ Ａ層、６２ Ｎ層

Claims (8)

1. 重合性化合物と光重合開始剤とを異なる箇所に偏在させた異方性導電フィルムに紫外線を照射する光照射工程と、
   前記異方性導電フィルムを介して第１の回路部材と第２の回路部材とを熱圧着する熱圧着工程と
   を有する接続構造体の製造方法。
2. 前記異方性導電フィルムが、重合性化合物と、導電性粒子とを含有する第１の層と、光重合開始剤と、非重合性化合物とを含有する第２の層とを有する請求項１記載の接続構造体の製造方法。
3. 前記異方性導電フィルムが、前記第１の層と前記第２の層との間に、非重合性化合物を含有する第３の層を有する請求項２記載の接続構造体の製造方法。
4. 第１の回路部材上に異方性導電フィルムを仮貼りする仮貼工程をさらに有し、
   前記光照射工程では、前記異方性導電フィルム側から紫外線を照射する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
5. 前記紫外線の照射完了から前記熱圧着までの時間が、１０秒以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の接続構造体の製造方法によって得られる接続構造体。
7. 重合性化合物と、導電性粒子とを含有する第１の層と、
   光重合開始剤と、非重合性化合物とを含有する第２の層と
   を有する異方性導電フィルム。
8. 前記第１の層と前記第２の層との間に、非重合性化合物を含有する第３の層を有する請求項７記載の異方性導電フィルム。

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