CN105375232A - 连接结构体的制造方法及各向异性导电粘接膜 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够得到优异的导通电阻的连接结构体的制造方法及各向异性导电粘接膜。包括：光照射工序，对使聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位的各向异性导电膜（20）照射紫外线；以及热压接工序，隔着各向异性导电膜（20）热压接第1电路部件和第2电路部件。由于在激活各向异性导电膜内的光聚合引发剂的状态下进行热压接，所以能够使布线部分充分硬化，从而能够得到优异的导通电阻。另外，由于各向异性导电膜内的聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位，所以抑制紫外线照射时的硬化反应，能够防止因先硬化造成的压入不足。

Description

连接结构体的制造方法及各向异性导电粘接膜

技术领域

本发明涉及电连接电路部件彼此的连接结构体的制造方法及该方法中所使用的各向异性导电膜。

背景技术

一直以来，在LCD（LiquidCrystalDisplay、液晶显示器）面板等ACF（ACF：AnisotropicConductiveFilm、各向异性导电膜）连接中，并用紫外线照射在低温下使各向异性导电膜反应硬化而降低LCD面板的翘曲，能抑制显示不匀（例如，参照专利文献1。）。

然而，现有的紫外线照射主要从基板下部进行，所以难以使光透射率显著低的布线部分硬化，难以得到优异的导通电阻。

专利文献1：日本特开2007－45900号公报。

发明内容

本发明鉴于这样的现有实际情况而提出，提供能够得到优异的导通电阻的连接结构体的制造方法及各向异性导电粘接膜。

本发明人进行锐意研究的结果，发现对使聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位的各向异性导电膜照射紫外线而使光聚合引发剂激活之后，隔着各向异性导电膜压接第1电路部件和第2电路部件，从而提高布线部分的硬化反应，能得到优异的导通电阻。

即，本发明所涉及的连接结构体的制造方法，其特征在于，包括：光照射工序，对使聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位的各向异性导电膜照射紫外线；以及热压接工序，隔着所述各向异性导电膜而热压接第1电路部件和第2电路部件。

另外，本发明所涉及的连接结构体，其特征在于，利用前述的制造方法而得到。

另外，本发明所涉及的各向异性导电膜，其特征在于，包括：第1层，含有聚合性化合物和导电性粒子；以及第2层，含有光聚合引发剂和非聚合性化合物。

依据本发明，对各向异性导电膜照射紫外线而使光聚合引发剂激活之后进行热压接，因此能够使布线部分充分地硬化，并能得到优异的导通电阻。

附图说明

图1是示出预备粘贴工序的概略的截面图。

图2是示出光照射工序的概略的截面图。

图3是示出搭载工序的概略的截面图。

图4是示出热压接工序的概略的截面图。

图5是示出各向异性导电膜的结构例的截面图。

图6（A）是示出在IC搭载前从各向异性导电膜的上方照射紫外线的工序的概略的截面图，图6（B）是示出在紫外线照射后热压接IC的工序的概略的截面图。

图7是示出在IC搭载后从IC的上方照射紫外线的工序的概略的截面图。

图8是示出在IC搭载后从玻璃基板的下方照射紫外线的工序的概略的截面图。

图9（A）是示出在IC搭载前从玻璃基板的下方照射紫外线的工序的概略的截面图，图9（B）是示出在紫外线照射后热压接IC的工序的概略的截面图。

图10是示出现有的各向异性导电膜的结构例的截面图。

具体实施方式

以下，参照附图并按照下述顺序对本发明的实施方式进行详细说明。

1.连接结构体的制造方法

2.各向异性导电膜

3.实施例

＜1.连接结构体的制造方法＞

本实施方式所涉及的连接结构体的制造方法，包括：对使聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位的各向异性导电膜照射紫外线的光照射工序；以及隔着各向异性导电膜而热压接第1电路部件和第2电路部件的热压接工序。由于在使各向异性导电膜内的光聚合引发剂激活的状态下进行热压接，因此能够使布线部分充分地硬化，从而能够得到优异的导通电阻。另外，由于各向异性导电膜内的聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位，所以紫外线照射时的硬化反应得到抑制，能够防止因先硬化造成的压入不足。

第1电路部件及第2电路部件无特别限制，能够根据目的进行适当选择。作为第1电路部件，能举出例如LCD（液晶显示器）面板用途、等离子体显示器面板（PDP）用途等的玻璃基板、印刷布线板（PWB）等。另外，作为第2电路部件，能举出例如IC（IntegratedCircuit、集成电路）、COF（ChipOnFilm、膜上芯片）等的柔性基板（FPC：FlexiblePrintedCircuits）、带载封装件（TCP）基板等。

另外，本实施方式所涉及的连接结构体的制造方法，包括：在光照射工序之前预备粘贴各向异性导电膜的预备粘贴工序；以及在预备粘贴工序与热压接工序之间搭载第2电路部件的搭载工序。图1～图4分别是示出连接结构体的制造方法中的预备粘贴工序、光照射工序、搭载工序及热压接工序的概略的截面图。

如图1所示，预备粘贴工序中，在形成有第1电路部件10的端子的安装部上预备粘贴各向异性导电膜20。各向异性导电膜20的预备粘贴是通过例如利用压接工具从基底膜的上方以低压进行加压、或在粘合剂虽然显示流动性但未开始硬化的温度下，以低压、短时间进行热加压而进行。此外，在各向异性导电膜的预备粘贴之后，基底膜被剥离。

接着，如图2所示，在光照射工序中，对预备粘贴在第1电路部件10上的各向异性导电膜20照射紫外线。出于防止因第1电路部件10而造成的光透射率的下降的观点，紫外线的照射方向优选从各向异性导电性膜20侧开始。另外，各向异性导电膜20中如后述那样聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位，因此能够抑制紫外线照射时的硬化反应。

接着，如图3所示，在搭载工序中，第2电路部件30承载于预备粘贴有各向异性导电膜20的安装部上。此时，以使第2电路部件30的端子和第1电路部件10的端子的位置对齐的方式进行对准调整。

接着，如图4所示，在热压接工序中，利用被加热至既定温度的压接工具40以既定压力及既定时间从第2电路部件30上开始热加压，从而进行正式压接。在此，从光照射工序的紫外线照射的完成到热压接为止的时间，虽然也与光聚合引发剂的种类相关，但优选为10秒以下。此外，既定温度是压接时的各向异性导电膜20的温度，优选为80℃以上160℃以下。

作为压接工具40，无特别限制，能够根据目的进行适当选择，可以使用面积比按压对象大的按压部件以1次按压来进行，另外，也可以使用面积比按压对象小的按压部件分多次按压来进行。作为压接工具的前端形状，无特别限制，能够根据目的进行适当选择，能举出例如平面状、曲面状等。此外，在前端形状为曲面状的情况下，优选沿着曲面状而进行按压。

另外，也可以在压接工具40与第2电路部件30之间隔着缓冲材料进行热压接。通过隔着缓冲材料，能够降低按压偏差，并且能够防止压接工具污染。缓冲材料由片状的弹性材料或塑性体构成，能使用例如硅橡胶或聚四氟乙烯。

依据这样的连接结构体的制造方法，各向异性导电膜20的粘合剂流动，并且导电性粒子被挟持在第1电路部件10与第2电路部件30的端子间，并在该状态下硬化。由此，能制造出第1电路部件10和第2电路部件30电气、机械连接的连接结构体。在本实施方式中，在使各向异性导电膜内的光聚合引发剂激励、激活的状态下进行热压接，因此能够使布线部分充分地硬化，从而能够得到优异的导通电阻。另外，由于各向异性导电膜内的聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位，所以光照射工序时硬化反应得到抑制，能够防止在热压接工序时因先硬化而造成的压入不足。另外，作为光照射工序，既可以照射低照度的紫外线，也可为荧光灯等的通常环境下。因此，不用切断紫外线的黄色室，从现有的热压接的产线设备的变更较少且经济。

＜2.各向异性导电膜＞

用于前述的连接结构体的制造方法的各向异性导电膜，使聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位，以在光照射工序时抑制硬化反应。作为具体的结构，能举出使光聚合引发剂和聚合性化合物分别分开、偏靠在一个面和另一个面的结构。以下，举例说明在不同的层中添加聚合性化合物和光聚合引发剂的多层膜。

图5是示出各向异性导电膜的结构例的截面图。该各向异性导电膜20包括：含有聚合性化合物和导电性粒子的第1层21；以及含有光聚合引发剂和非聚合性化合物的第2层22。通过将聚合性化合物及光聚合引发剂分别混合在第1层21及第2层22，能够抑制前述的光照射工序中的硬化反应。

另外，优选在第1层21与第2层22之间，具有含有非聚合性化合物的第3层23。非聚合性化合物优选为膜形成树脂，作为一种方式，第3层23也可以仅由膜形成树脂构成。该第3层23成为第1层21的聚合性化合物和第2层22的光聚合引发剂的缓冲层，因此能够进一步抑制前述的光照射工序中的硬化反应。该第3层23不论厚度的均匀性如何，也可以通过涂敷、散布来作成。此外，第1层21、第2层22及第3层23的总计的优选膜厚为4～50μm。

作为导电性粒子，能够采用在各向异性导电膜中使用的公知的导电性粒子。能举出例如镍、铁、铜、铝、锡、铅、铬、钴、银、金等的各种金属或金属合金的粒子；在金属氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑料等的粒子的表面涂敷金属的粒子；在这些粒子的表面进一步涂敷绝缘薄膜的粒子等。在向树脂粒子的表面涂敷金属的粒子的情况下，作为树脂粒子，能够使用例如环氧树脂、酚醛树脂、丙烯树脂、丙烯腈苯乙烯(AS)树脂、苯代三聚氰胺树脂、二乙烯基苯类树脂、苯乙烯类树脂等的粒子。此外，导电性粒子10也可以不仅混合在第1层21，而且混合在第2层22。

作为导电性粒子的平均粒径，通常为1～10μm，更优选为2～6μm。另外，导电性粒子的含有量相对于粘合剂树脂组合物100质量份，通常为5～60质量份，优选为10～50质量份。

各向异性导电膜只要为光硬化型，就无特别限定，例如，能够使用阳离子硬化型、自由基硬化型，或者能够并用这些。以下，对阳离子硬化型的各向异性导电膜进行说明。

关于阳离子硬化型的第1层21及第2层22，作为粘合剂，含有作为非聚合性化合物的膜形成树脂、作为聚合性化合物的阳离子聚合性化合物、和作为光聚合引发剂的光阳离子聚合引发剂。

膜形成树脂例如相当于平均分子量为10000以上的高分子量树脂，从膜形成性的观点来看，优选平均分子量为10000～80000左右。作为膜形成树脂，举出苯氧基树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酯尿烷树脂、丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、丁缩醛树脂等的各种树脂，这些可以单独使用，也可以组合2种以上而使用。在这些之中，出于膜形成状态、连接可靠性等观点优选适当使用苯氧基树脂。膜形成树脂的含有量相对于粘合剂树脂组合物100质量份，通常为30～80质量份，优选为40～70质量份。

作为阳离子聚合性化合物，能够使用氧化乙烯、氧化丙烯、氧化丁烯、氧化苯乙烯、苯基缩水甘油醚、环氧丙基丁醚等单官能环氧化合物；双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、异氰酸三缩水甘油酯、乙内酰脲环氧等含杂环环氧树脂；氢化双酚A型环氧树脂、丙二醇二环氧乙烷甲基醚、季戊四醇－聚缩水甘油醚等脂肪族类环氧树脂；芳香族、脂肪族或脂环式的羧酸与氯甲代丙环的反应而得到的环氧树脂；含螺环环氧树脂；邻烯丙基酚醛清漆化合物和表氯醇的反应生成物即缩水甘油醚型环氧树脂；在双酚A各自羟基的邻位具有烯丙基的二烯丙基双酚化合物和氯甲代丙环的反应生成物即缩水甘油醚型环氧树脂；希夫氏类化合物、芪化合物及偶氮苯化合物的二缩水甘油醚型环氧树脂；（1,1,1,3,3,3－六氟－2－羟基异丙基）环己烷和氯甲代丙环的反应生成物等的含氟脂环式、芳香环式环氧树脂等。

阳离子聚合伴随暗反应，因此在光照射结束后反应也缓缓进行，有会阻碍作为粘接膜的功能的担忧。因此，作为阳离子聚合性化合物，优选使用比较难以发生暗反应的双酚A型环氧树脂、或双酚F型环氧树脂。

阳离子聚合性化合物的含有量有若过少则导通可靠性变低、若过多则粘接强度变低的倾向，因此相对于粘合剂树脂组合物100质量份，优选为20～70质量份，更优选为30～60质量份。

阳离子聚合引发剂使阳离子种对环氧树脂末端的环氧基进行开环，使环氧树脂彼此自交联。在本实施方式中，添加光阳离子聚合引发剂即可，也可以并用光阳离子聚合引发剂及热阳离子聚合引发剂。

作为光阳离子聚合引发剂，能举出三芳基硫鎓盐、苄基硫鎓盐、三苯硫鎓盐、二苯基－4－苯基硫代硫鎓盐、三芳基碘鎓盐、二芳基碘鎓盐、二苯基碘鎓盐、4－甲氧基二苯基碘鎓盐、双（4－甲基苯）碘鎓盐、双（4－叔丁基苯）碘鎓盐、双（十二烷基苯）碘鎓盐、1,3－二酮－2－重氮化合物、重氮苯醌化合物、重氮萘醌化合物、六氯锑酸盐、双（十二烷基苯）六氟锑酸盐（4,4’－双[二（β－羟基乙氧基）苯磺酰]苯基硫化物、双（4－（二苯磺酰）－苯基）硫化物、双[4－（二（4－（2－羟基乙基）苯基）锍基）－苯基]硫化物、η5－2,4－（环戊二烯基）[1,2,3,4,5,6－η－（甲基乙基）苯]－铁（1＋）等的1种以上。作为能在市场得到的光阳离子聚合引发剂的具体例，能够举出SAN－APRO（株）的商品名“LW－S1”等。

作为热阳离子聚合引发剂，能举出三苯硫鎓四氟化硼、三苯硫鎓六氟化锑、三苯硫鎓六氟化砷、三（4－甲氧基苯基）硫鎓六氟化砷、二苯（4－苯基苯硫基）硫鎓六氟化砷、对叔丁基苄基四氢噻吩鎓六氟化锑、N,N－二甲基－N－苄基苯胺六氟化锑、N,N－二甲基－N－苄基苯胺四氟化硼、N,N－二甲基－N－（4－氯苄基）苯胺六氟化锑、N,N－二甲基－N－（1－苯基乙基）苯胺六氟化锑、N－苄基－4－二甲基氨基吡啶鎓六氟化锑、N－苄基－4－二乙基氨基吡啶鎓三氟烷磺酸、N－（4－甲氧基苄基）－4－二甲基氨基吡啶鎓六氟化锑、N－（4－甲氧基苄基）－4－二乙基氨基吡啶鎓六氟化锑、N,N－二甲基－N－（4－甲氧基苄基）甲苯胺六氟化锑、N,N－二乙基－N－（4－甲氧基苄基）甲苯胺六氟化锑、乙基三苯磷六氟化锑、四丁基磷六氟化锑、二苯碘鎓六氟化砷、二－4－氯苯基碘鎓六氟化砷、二－4－溴苯基碘鎓六氟化砷、二－对甲苯碘鎓六氟化砷、苯基（4－甲氧基苯基）碘鎓六氟化砷等的1种以上。

另外，取代热阳离子聚合引发剂，也可以使用能够对光、热都适用的光/热阳离子聚合引发剂。作为光/热阳离子聚合引发剂，能举出硫鎓盐、碘鎓盐，其中，能够优选使用低温下的反应性优异、活化寿命长的芳香族硫鎓盐。作为能够在市场得到的光/热阳离子聚合引发剂的具体例，能够举出三新化学工业（株）的商品名“SI－60L”、“SI－80L”、“SI－100L”等。

这些阳离子聚合引发剂的含有量有若过少则无反应性、若过多则粘接剂的制品寿命下降的倾向，因此相对于粘合剂树脂组合物100重量份，优选为0.1～30重量份，更优选为0.5～20重量份。

另外，作为粘合剂，根据需要，也可以混合应力缓冲剂、硅烷偶联剂、无机填料等。作为应力缓冲剂，能举出氢化苯乙烯－丁二烯块共聚物、氢化苯乙烯－异戊二烯块共聚物等。另外，作为硅烷偶联剂，能举出环氧类、甲基丙烯酰氧基类、氨基类、乙烯类、巯基/硫化物类、酰脲类等。另外，作为无机填料，能举出硅石、滑石、氧化钛、碳酸钙、氧化镁等。

[实施例]

＜3.实施例＞

以下，对本发明的实施例进行说明。在本实施例中，制作各向异性导电膜，用它并按照各种照射定时制作连接结构体，对连接结构体的导通电阻及硬化率进行了评价。此外，本发明并不限定于这些实施例。

如下进行了连接结构体的制作、导通电阻的测定、硬化率的测定及评价。

[连接结构体的制作]

作为评价基体材料，使用了TI/Al镀敷玻璃基板（金属布线，t＝0.7mm）以及IC（1.8mm×20mm，t＝0.5mm，镀Au凸块：30μm×85μm，h＝15μm）。光照射条件设为200mW/cm²－3秒。另外，热压接条件设为120℃－60MPa－5秒。

[导通电阻的测定]

使用数字万用表（商品名：数字万用表7561，横河电机公司制），进行了连接结构体的导通电阻（Ω）的测定。

[硬化率的测定]

从连接结构体撕去IC，从金属布线上取得样品A。而且测定样品A～C，并算出硬化率。

样品A：金属布线上的试料

样品B：未硬化的各向异性导电膜（反应前）的试料

样品C：按200mW/cm²－3秒的光照射条件及120℃－60MPa－5秒的热压接条件使样品B完全硬化的试料

关于各样品，进行FT－IR测定，用所得到的IR图表将（I）914cm^－1：环氧环的反对象伸缩振动及（II）829cm^－1：芳香环的C－H间界面外变角振动两个峰值数值化。而且，对于各试料，根据下述（1）式求出吸光度比，利用所得到的吸光度比算出由下述（2）式表示的硬化率。

吸光度比＝（I）/（II）（1）

硬化率（％）＝（1－样品A的吸光度比/样品B的吸光度比）/（1－样品C的吸光度比/样品B的吸光度比）×100（2）

[评价]

将导通电阻的测定结果为1.0Ω以下，且布线部分的硬化率的测定结果为70％以上的情况评价为“OK”，将除此以外的评价为“NG”。

＜实施例1＞

如图5所示，制作了3层结构的各向异性导电膜。首先，作为第1层21，混合苯氧基树脂（YP50，新日铁化学公司制）20质量份、液状环氧树脂（EP828，三菱化学公司制）30质量份、固形环氧树脂（YD014，新日铁化学公司制）20质量份、及导电性粒子（AUL704，积水化学公司制）30质量份，制作了厚度8μm的A层。另外，作为第2层22，混合了苯氧基树脂（YP50，新日铁化学公司制）75质量份、及光阳离子聚合引发剂（LW－S1，SAN－APRO公司制）25质量份，制作了厚度4μm的N层。另外，作为第3层23，制作了由苯氧基树脂（YP50，新日铁化学公司制）构成的厚度4μm的缓冲层。而且，层压A层和缓冲层和N层，制作了3层结构的各向异性导电膜。

如图6（A）所示，将各向异性导电膜52预备粘贴在玻璃基板51上，在IC搭载前按照所述光照射条件从各向异性导电膜52的上方照射紫外线。而且，如图6（B）所示，按照所述热压接条件自照射结束2秒后正式压接IC53，得到连接结构体。

如表1所示，实施例1的连接结构体的导通电阻为0.7Ω，金属布线部分的硬化率为85％，评价结果为OK。

＜比较例1＞

使用了与实施例1同样的3层结构的各向异性导电膜。如图7所示，在IC搭载后按照所述光照射条件从IC53的上方照射紫外线。而且，按照所述热压接条件自照射结束2秒后正式压接IC53，得到连接结构体。

如表1所示，比较例1的连接结构体的导通电阻为30Ω，金属布线部分的硬化率为小于5％，评价结果为NG。

＜比较例2＞

使用与实施例1同样的3层结构的各向异性导电膜。如图8所示，在将IC搭载到各向异性导电膜52上后，按照所述光照射条件从玻璃基板51的下方照射紫外线。而且，按照所述热压接条件自照射结束2秒后正式压接IC53，得到连接结构体。

如表1所示，比较例2的连接结构体的导通电阻为1.8Ω，金属布线部分的硬化率为60％，评价结果为NG。

＜比较例3＞

使用与实施例1同样的3层结构的各向异性导电膜。如图9（A）所示，将各向异性导电膜52预备粘贴在玻璃基板51上，在IC搭载前按照所述光照射条件从玻璃基板51的下方照射紫外线。而且，如图9（B）所示，按照所述热压接条件自照射结束2秒后正式压接IC53，得到连接结构体。

如表1所示，比较例3的连接结构体的导通电阻为1.8Ω，金属布线部分的硬化率为60％，评价结果为NG。

＜比较例4＞

如图10所示，制作了2层结构的各向异性导电膜。首先，混合苯氧基树脂（YP50，新日铁化学公司制）20质量份、液状环氧树脂（EP828，三菱化学公司制）30质量份、固形环氧树脂（YD014，新日铁化学公司制）20质量份、光阳离子聚合引发剂（LW－S1，SAN－APRO公司制）5质量份、及导电性粒子（AUL704，积水化学公司制）30质量份，制作了厚度8μm的A层61。另外，混合苯氧基树脂（YP50，新日铁化学公司制）20质量份、液状环氧树脂（EP828，三菱化学公司制）30质量份、固形环氧树脂（YD014，新日铁化学公司制）20质量份、及光阳离子聚合引发剂（LW－S1，SAN－APRO公司制）5质量份，制作了厚度10μm的N层。而且，层压A层和N层，制作了2层结构的各向异性导电膜。

与实施例1同样，如图6（A）所示，将各向异性导电膜52预备粘贴在玻璃基板51上，在IC搭载前按照所述光照射条件从各向异性导电膜52的上方照射紫外线。而且，如图6（B）所示，按照所述热压接条件自照射结束2秒后正式压接IC53，得到连接结构体。

如表1所示，比较例4的连接结构体的导通电阻为45Ω，金属布线部分的硬化率为90％，评价结果为NG。

＜比较例5＞

使用与比较例4同样的2层结构的各向异性导电膜。另外，与比较例2同样，如图8所示，在各向异性导电膜52上搭载IC后，按照所述光照射条件从玻璃基板51的下方照射紫外线。而且，按照所述热压接条件自照射结束2秒后正式压接IC53，得到连接结构体。

如表1所示，比较例5的连接结构体的导通电阻为1.8Ω，金属布线部分的硬化率为60％，评价结果为NG。

[表1]

比较例1中，在各向异性导电膜上搭载IC后，从IC的上方照射紫外线，因此IC成为影，不能激活光阳离子聚合引发剂，无法得到良好的导通电阻值、及布线部分的硬化率。

比较例2中，在各向异性导电膜上搭载IC后，从玻璃基板的下方照射紫外线，因此会妨碍紫外线的透射，光阳离子聚合引发剂的激活变得不充分，无法得到良好的导通电阻值、及布线部分的硬化率。

比较例3中，将各向异性导电膜预备粘贴在玻璃基板上，在IC搭载前从玻璃基板的下方照射紫外线，因此与比较例2同样会妨碍紫外线的透射，光阳离子聚合引发剂的激活变得不充分，无法得到良好的导通电阻值、及布线部分的硬化率。

比较例4中，使用对相同的层添加阳离子硬化性化合物和光阳离子聚合引发剂的各向异性导电膜，因此将各向异性导电膜预备粘贴在玻璃基板上，在IC搭载前从各向异性导电膜的上方照射紫外线时，各向异性导电膜会硬化，在热压接时因压入不足而导通电阻值变大。

比较例5中，在各向异性导电膜上搭载IC后，从玻璃基板的下方照射紫外线，因此与比较例2同样会妨碍紫外线的透射，光阳离子聚合引发剂的激活变得不充分，无法得到良好的导通电阻值及布线部分的硬化率。

另一方面，实施例1中，使用对不同的层添加阳离子硬化性化合物和光阳离子聚合引发剂的各向异性导电膜，在IC搭载前从各向异性导电膜的上方照射紫外线，因此不会将各向异性导电膜硬化，能够激活光阳离子聚合引发剂，并能得到良好的导通电阻值及布线部分的硬化率。

标号说明

10第1电路部件；20各向异性导电膜；21第1层；22第2层；23第3层；30第2电路部件；40压接工具；51玻璃基板；52各向异性导电膜；53IC；61A层；62N层。

Claims (13)

1.一种连接结构体的制造方法，包括：

光照射工序，对使聚合性化合物和光聚合引发剂偏靠不同部位的各向异性导电膜照射紫外线；以及

热压接工序，隔着所述各向异性导电膜而热压接第1电路部件和第2电路部件。

2.如权利要求1所述的连接结构体的制造方法，其中，所述各向异性导电膜具有：含有聚合性化合物和导电性粒子的第1层；以及含有光聚合引发剂和非聚合性化合物的第2层。

3.如权利要求2所述的连接结构体的制造方法，其中，所述各向异性导电膜在所述第1层与所述第2层之间具有含有非聚合性化合物的第3层。

4.如权利要求1所述的连接结构体的制造方法，还包括：

预备粘贴工序，将各向异性导电膜预备粘贴在第1电路部件上，

在所述光照射工序中，从所述各向异性导电膜侧照射紫外线。

5.如权利要求2所述的连接结构体的制造方法，还包括：

预备粘贴工序，将各向异性导电膜预备粘贴在第1电路部件上，

在所述光照射工序中，从所述各向异性导电膜侧照射紫外线。

6.如权利要求3所述的连接结构体的制造方法，还包括：

预备粘贴工序，将各向异性导电膜预备粘贴在第1电路部件上，

在所述光照射工序中，从所述各向异性导电膜侧照射紫外线。

7.如权利要求1所述的连接结构体的制造方法，其中，自所述紫外线的照射完成起到所述热压接为止的时间为10秒以下。

8.如权利要求2所述的连接结构体的制造方法，其中，自所述紫外线的照射完成起到所述热压接为止的时间为10秒以下。

9.如权利要求3所述的连接结构体的制造方法，其中，自所述紫外线的照射完成起到所述热压接为止的时间为10秒以下。

10.如权利要求4所述的连接结构体的制造方法，其中，自所述紫外线的照射完成起到所述热压接为止的时间为10秒以下。

11.一种连接结构体，通过权利要求1至10的任一项所述的连接结构体的制造方法获得。

12.一种各向异性导电膜，包括：

第1层，含有聚合性化合物和导电性粒子；以及

第2层，含有光聚合引发剂和非聚合性化合物。

13.如权利要求12所述的各向异性导电膜，其中，在所述第1层与所述第2层之间，具有含有非聚合性化合物的第3层。