TW201900812A - 異向性導電接著劑及連接體之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種提高遮光部之反應率而獲得優異之導通電阻的異向性導電接著劑及連接體之製造方法。本發明之異向性導電接著劑含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。藉此，於光之預先照射時可抑制最低熔融黏度之過度上升。

Description

異向性導電接著劑及連接體之製造方法

本技術係關於一種利用光照射之異向性導電接著劑及連接體之製造方法。本申請案以於日本於2017年3月30日申請之日本專利申請編號特願2017-069383及日本專利申請編號特願2017-069384為基礎而主張優先權，該申請係藉由參照而被援用至本申請案中。

近年來，於使用異向性導電接著劑之異向性連接中，就連接體之生產性之觀點而言，業界強力要求以低溫、短時間連接。因此，正在研究例如與藉由工具進行之熱壓接不同，而是於利用工具進行加壓時自基板側進行光照射而以低溫、短時間連接之方法。然而，於自基板側進行光照射之情形時，因基板之配線而產生光無法達到之遮光部，從而產生異向性導電接著劑之硬化不足。 為了抑制產生光無法到達之遮光部，例如於專利文獻1中提出有使用丙烯酸系單體使反應迅速之方法。又，於專利文獻2中提出有自異向性導電膜側預先照射光而使之半硬化後搭載零件之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2009-256619號公報 專利文獻2：日本專利特開2015-109358號公報

[發明所欲解決之問題] 於專利文獻1所記載之方法中，由於使用丙烯酸系單體，故而有硬化收縮較大而密接性變差之傾向。又，於專利文獻1所記載之方法中，為了改善該等，矽烷偶合劑、丙烯酸系單體等之調配產生限制，又，光壽命存在顧慮。其結果，於使用丙烯酸系單體之情形時，有異向性導電接著劑之操作變差之傾向。 於專利文獻2所記載之方法中，難以藉由光之預先照射控制硬化率，例如於預先照射後之反應過度進行而最低熔融黏度過度上升之情形時，由於導電粒子之壓入並不充分，故而存在無法獲得良好之導通電阻之情況。 本技術解決上述課題，且提供一種提高遮光部之反應率而獲得優異之導通電阻之異向性導電接著劑及連接體之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者進行了努力研究，結果發現，藉由使用取代基較大且分子量較大之特定光陽離子聚合起始劑於光之預先照射時抑制最低熔融黏度之過度上升，可解決上述課題。 又，本發明者進行了努力研究，結果發現，藉由於光之預先照射時抑制最低熔融黏度之過度上升，可解決上述課題。 即，本技術之異向性導電接著劑含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。 又，本技術之連接體之製造方法具有：配置步驟，其將異向性導電接著劑配置於第1電子零件上，該異向性導電接著劑含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃；光照射步驟，其自上述異向性導電接著劑側進行光照射；及熱壓接步驟，其於上述光照射後之異向性導電接著劑上配置第2電子零件，並藉由熱壓接工具將上述第2電子零件熱壓接於上述第1電子零件。 又，本技術之連接體之製造方法具有：配置步驟，其將異向性導電接著劑配置於第1電子零件上，該異向性導電接著劑含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子；光照射步驟，其以上述異向性導電接著劑之最低熔融黏度成為300～8000 Pa・s、最低熔融黏度之到達溫度成為50～100℃之方式至少自上述異向性導電接著劑側進行光照射；及熱壓接步驟，其於上述異向性導電接著劑上配置第2電子零件，並藉由熱壓接工具將上述第2電子零件熱壓接上述第1電子零件。 [發明之效果] 根據本技術，藉由抑制光之預先照射所導致之最低熔融黏度之過度上升，可提高遮光部之反應率而獲得優異之導通電阻。

以下，一面參照圖式，一面按照下述順序對本技術之實施形態詳細地進行說明。 1.第1實施形態之異向性導電接著劑 2.第1實施形態之連接體之製造方法 3.第2實施形態之異向性導電接著劑 4.第2實施形態之連接體之製造方法 5.實施例 ＜1.第1實施形態之異向性導電接著劑＞ 本實施形態之異向性導電接著劑含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。藉此，可提高遮光部之反應率而獲得優異之導通電阻。 異向性導電接著劑之最低熔融黏度到達溫度及最低熔融黏度可使用流變儀於例如5℃/min、1 Hz之條件下進行測定。又，光硬化例如可使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV(ultraviolet，紫外線)照射裝置於例如照度200 mW、時間10秒之條件下進行。 異向性導電接著劑可為膜狀之異向性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或糊狀之異向性導電膏(ACP：Anisotropic conductive paste)之任一者。就操作容易性之方面而言，較佳為異向性導電膜，就成本之方面而言，較佳為異向性導電膏。 異向性導電接著劑之光硬化前之最低熔融黏度較佳為100～2000 Pa・s，更佳為200～1500 Pa・s，光硬化前之最低熔融黏度到達溫度較佳為50～100℃，更佳為60～90℃。藉此，於將異向性導電接著劑配置於被黏著體時，可使其追隨被黏著體之形狀。 若異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度過低，則有捕捉性變差之顧慮，因此較佳為300 Pa・s以上，更佳為1000 Pa・s以上，進而更佳為1200 Pa・s以上。若上限過高，則有壓入產生障礙之顧慮，故而較佳為8000 Pa・s以下，更佳為7000 Pa・s以下，進而更佳為3000 Pa・s以下。光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃，更佳為60～90℃，進而較佳為60～80℃。藉此，可於熱壓接時夾持導電粒子，使異向性導電接著劑充分地流動並接著。 又，可使用2層型之異向性導電膜，該2層型之異向性導電膜係由如下構成：作為第1層之含有導電粒子之層，其含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子；及作為第2層之不含導電粒子之層，其含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及熱陽離子聚合起始劑。 於使用2層型之異向性導電膜之情形時，光硬化前之含有導電粒子之層之最低熔融黏度較佳為較不含導電粒子之層大100～1000 Pa・s，進而較佳為大300～700 Pa・s。 又，於使用2層型之異向性導電膜之情形時，光硬化後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差較佳為未達300 Pa・s，進而較佳為200 Pa・s以下。藉此，於熱壓接時，可使含有導電粒子之層及不含導電粒子之層幾乎同時硬化，從而可於夾持導電粒子之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動並接著。 作為聚合物，可列舉：雙酚S型苯氧基樹脂、具有茀骨架之苯氧基樹脂、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚苯硫醚、聚四氟乙烯、聚碳酸酯等，該等可單獨使用或將2種以上組合使用。該等之中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言，可適當使用雙酚S型苯氧基樹脂。苯氧基樹脂係由雙酚類與表氯醇合成之多羥基聚醚。作為可於市場上獲取之苯氧基樹脂之具體例，可列舉新日鐵住金化學(股)之商品名「FA290」等。 聚合物之調配量較佳為設為例如樹脂成分之5～70 wt%，更佳為設為20～60 wt%。若聚合物之含量較多，則有光硬化前之最低熔融黏度增大之傾向。於本說明書中，「樹脂成分」係指聚合物、陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及熱陽離子聚合起始劑。 作為5官能以下之環氧化合物，並無特別限定，可列舉：縮水甘油醚型環氧化合物、縮水甘油酯型環氧化合物、脂環型環氧化合物、雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、酚醛清漆酚型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、萘型環氧化合物等；可自該等之中單獨使用1種或將2種以上組合使用。 作為可於市場上獲取之縮水甘油醚型之單官能環氧化合物之具體例，可列舉四日市合成(股)之商品名「Epogosey EN」等。又，作為可於市場上獲取之雙酚A型之2官能環氧化合物之具體例，可列舉DIC(股)之商品名「840-S」等。又，作為可於市場上獲取之二環戊二烯型之5官能環氧化合物之具體例，可列舉DIC(股)之商品名「HP-7200series」等。 作為氧雜環丁烷化合物，並無特別限定，可列舉：聯苯型氧雜環丁烷化合物、苯二甲基型氧雜環丁烷化合物、倍半矽氧烷型氧雜環丁烷化合物、醚型氧雜環丁烷化合物、酚系酚醛清漆型氧雜環丁烷化合物、矽酸鹽型氧雜環丁烷化合物等；可自該等之中單獨使用1種或將2種以上組合使用。作為可於市場上獲取之聯苯型之氧雜環丁烷化合物之具體例，可列舉宇部興產(股)之商品名「OXBP」等。 陽離子聚合性化合物之含量較佳為設為例如樹脂成分之10～70 wt%，更佳為設為20～50 wt%。若陽離子聚合性化合物之含量過多，則有光硬化後之最低熔融黏度之上升增大之傾向。 光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽(TFPB)作為陰離子之鎓鹽。藉此，可抑制光硬化後之最低熔融黏度之過度上升。認為其原因在於TFPB之取代基較大且分子量較大。 作為光陽離子聚合起始劑之陽離子部分，並無特別限定，可列舉：芳香族鋶、芳香族錪、芳香族重氮鎓、芳香族銨等；該等之中，較佳為使用作為芳香族鋶之三芳基鋶。作為將TFPB作為陰離子之鎓鹽之可於市場上獲取之具體例，可列舉：BASF JAPAN(股)之商品名「IRGACURE290」、和光純藥工業(股)之商品名「WPI-124」等。 光陽離子聚合起始劑之含量較佳為設為例如樹脂成分之0.1～10 wt%，更佳為設為1～5 wt%。 作為熱陽離子聚合起始劑，並無特別限定，可列舉：芳香族鋶鹽、芳香族錪鹽、芳香族重氮鎓鹽、芳香族銨鹽等；該等之中，較佳為使用芳香族鋶鹽。作為可於市場上獲取之芳香族鋶鹽之具體例，可列舉三新化學工業(股)之商品名「SI-60」等。 熱陽離子聚合起始劑之含量較佳為設為例如樹脂成分之1～30 wt%，更佳為設為5～20 wt%。 作為導電性粒子，可使用異向性導電膜中所使用之公知之導電性粒子。例如可列舉：鎳、鐵、銅、鋁、錫、鉛、鉻、鈷、銀、金等各種金屬或金屬合金之粒子；於金屬氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑膠等粒子之表面塗佈有金屬而成者；及於該等粒子之表面進而塗佈有絕緣薄膜而成者等；可自該等之中使2種以上混合存在。於為於樹脂粒子之表面塗佈有金屬而成者之情形時，作為樹脂粒子，例如可使用環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯胍樹脂、二乙烯苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等粒子。 作為導電性粒子之平均粒徑，通常為1～30 μm，較佳為2～20 μm，更佳為2.5～15 μm。又，就連接可靠性及絕緣可靠性之觀點而言，黏合劑樹脂中之導電性粒子之平均粒子密度較佳為100～100000個/mm² ，更佳為500～80000個/mm² 。 又，導電性粒子可分散於絕緣性樹脂中，亦可於膜俯視下各自獨立，又，亦可任意地配置並存在。於配置有導電性粒子之情形時，可根據經異向性連接之電極之尺寸或佈局設定個數密度或導電粒子間距離等。因此，捕捉提高、短路抑制等具有效果，亦可預見良率之提高等成本削減效果。 又，為了調整最低熔融黏度，異向性導電接著劑較佳為含有二氧化矽等絕緣性填料(以下，僅記為填料)。填料之含量相對於異向性導電性接著劑之總量較佳為3～60 wt%，更佳為10～55 wt%，進而較佳為20～50 wt%。又，於為多層之膜形狀之情形時，各層之填料之含量之合計較佳為上述範圍。若填料之含量較多，則有最低熔融黏度增高之傾向，若填料之含量較少，則有最低熔融黏度降低之傾向。又，填料之平均粒徑較佳為1～500 nm，更佳為10～300 nm，進而較佳為20～100 nm。 又，為了提高與無機材料之界面之接著性，異向性導電接著劑較佳為進而含有矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，可列舉：環氧系、甲基丙烯醯氧基系、胺基系、乙烯系、巰基-硫醚系、脲基系等；該等可單獨使用，亦可將2種類以上組合使用。 藉由此種異向性導電接著劑，可於藉由光之預先照射而進行之光硬化時抑制最低熔融黏度之過度上升，並且提高遮光部之反應率，從而於藉由熱而進行之正式硬化時，於夾持導電粒子之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動並接著，故而可獲得優異之導通電阻。 ＜2.第1實施形態之連接體之製造方法＞ 本實施形態之連接體之製造方法具有：配置步驟(S1)，其將異向性導電接著劑配置於第1電子零件上，該異向性導電接著劑含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃；光照射步驟(S2)，其自異向性導電接著劑側進行光照射；及熱壓接步驟(S3)，其於光照射後之異向性導電接著劑上配置第2電子零件，並藉由熱壓接工具將第2電子零件熱壓接於第1電子零件。藉此，可於預先照射步驟(S2)中，提高遮光部之反應率並且抑制最低熔融黏度之過度上升，於熱壓接步驟(S3)中，利用熱壓接工具將第2電子零件牢固地壓入，故而可獲得優異之導通電阻。 作為進行光照射之光，可根據光硬化異向性導電接著劑之硬化系統自紫外線(UV：ultraviolet)、可見光線(visible light)、紅外線(IR：infrared)等波長頻帶中選擇。該等之中，自光照射器照射之光較佳為包含能量較高之紫外線。 紫外線之波長為10 nm～400 nm，波長較短之紫外線具有能量較大但不易到達樹脂內部之性質，另一方面，波長較長之紫外線具有能量雖略小但相對容易滲透至樹脂內部之性質。又，若波長成為200 nm以下，則容易被消耗於分解氧氣或被氧氣吸收。因此，自光照射器照射之光較佳為包含波長為200 nm以上之近紫外線。作為照射包含近紫外線之光之光源，例如可列舉高輸出波長248 nm、313 nm、334 nm、365 nm、405 nm、436 nm之高壓水銀燈等。 以下，對使用預先照射型之異向性導電接著劑之連接體之製造方法進行說明。圖1係模式性地表示第1實施形態之連接體之製造方法之剖視圖，圖1(A)表示配置步驟(S1)，圖1(B)表示預先照射步驟(S2)，圖1(C)表示熱壓接步驟(S3)。再者，由於異向性導電接著劑與上述相同，故而此處省略說明。 [配置步驟(S1)] 如圖1(A)所示，於配置步驟(S1)中，將異向性導電接著劑20配置於第1電子零件10上，該異向性導電接著劑20含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。 於配置步驟中，異向性導電接著劑20之最低熔融黏度與光硬化前相同，較佳為100～2000 Pa・s，更佳為200～1500 Pa・s，最低熔融黏度到達溫度較佳為50～100℃，更佳為60～90℃。藉此，於將異向性導電接著劑20配置於第1電子零件10時，可使其追隨第1電子零件之形狀。 又，於使用由含有導電粒子之層及不含導電粒子之層構成之2層型之異向性導電膜之情形時，光硬化前之含有導電粒子之層之最低熔融黏度較佳為較不含導電粒子之層大100～1000 Pa・s，進而較佳為大300～700 Pa・s。 第1電子零件10具備第1端子行11。第1電子零件10並無特別限制，可根據目的適當選擇。作為第1電子零件10，例如可列舉：LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)面板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)(OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體))等平板顯示器(FPD)用途、觸控面板用途等之透明基板、印刷配線板(PWB)等。印刷配線板之材質並無特別限定，例如可為FR-4基材等玻璃環氧化物，亦可使用熱塑性樹脂等塑膠、陶瓷等。又，透明基板只要為透明性較高者，則並無特別限定，可列舉玻璃基板、塑膠基板等。 [預先照射步驟(S2)] 如圖1(B)所示，於預先照射步驟(S2)中，自異向性導電接著劑20側進行光照射。藉此，於自第1電子零件10側進行光照射之情形時，可提高成為遮光部之第1端子行上之反應率。又，於本實施形態中，由於使用含有分子量較大之特定光陽離子聚合起始劑之異向性導電接著劑20，故而可抑制最低熔融黏度之過度上升。 異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度與上述同樣地，若過低，則有捕捉性變差之顧慮，因此較佳為300 Pa・s以上，更佳為1000 Pa・s以上，進而更佳為1200 Pa・s以上。若上限過高，則有有礙壓入之顧慮，故而較佳為8000 Pa・s以下，更佳為7000 Pa・s以下，進而更佳為3000 Pa・s以下。光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃，更佳為60～90℃，進而較佳為60～80℃。藉此，於熱壓接步驟(S3)中，可於夾持導電粒子21之狀態下使異向性導電接著劑20充分地流動而進行接著。 又，於使用由含有導電粒子之層及不含導電粒子之層構成之2層型之異向性導電膜之情形時，與上述同樣地，光硬化後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差較佳為未達300 Pa・s，進而較佳為200 Pa・s以下。藉此，於熱壓接步驟(S3)中，可使含有導電粒子之層及不含導電粒子之層幾乎同時硬化，從而可於夾持導電粒子21之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動而進行接著。 [熱壓接步驟(S3)] 如圖1(C)所示，於熱壓接步驟(S3)中，於光照射後之異向性導電接著劑20上配置第2電子零件30，並藉由熱壓接工具40將第2電子零件30熱壓接於第1電子零件10。藉此，藉由壓接工具40之熱而樹脂熔融，藉由壓接工具40而第2電子零件被充分地壓入，於導電粒子21被端子間夾持之狀態下樹脂熱硬化，故而可獲得優異之導通性。 又，於熱壓接步驟(S3)中，使用壓接工具40於較佳為160℃以下之溫度、更佳為140℃以下之溫度、進而較佳為120℃之溫度下按壓。藉由在此種較低之溫度下進行加壓，可抑制熱對第1電子零件10及第2電子零件30之影響。 第2電子零件30具備與第1端子行11對向之第2端子行31。第2電子零件30並無特別限制，可根據目的適當選擇。作為第2電子零件30，例如可列舉：IC(Integrated Circuit，積體電路)、可撓性基板(FPC：Flexible Printed Circuits)、載帶封裝(TCP)基板、將IC安裝於FPC之COF(Chip On Film，覆晶薄膜)等。 根據此種連接體之製造方法，於預先照射步驟S2中抑制最低熔融黏度之過度上升，並且提高遮光部之反應率，於熱硬化步驟S3中，於導電粒子被端子間夾持之狀態下使樹脂熱硬化，藉此可獲得優異之導通電阻。 [變化例] 再者，於上述連接體之製造方法中，設為於光照射步驟(S2)中自異向性導電接著劑側進行光照射，只要可對第1端子行11上之異向性導電接著劑進行光照射，則並無特別限定。例如，於如大型面板般接著面積較大之情形時，亦可一面使光點移動或者迴旋(轉向)，一面照射至異向性導電接著劑。又，光照射器可存在複數個，亦可相對於異向性導電接著劑(接合部)自傾斜方向或橫向進行照射。又，於使用由含有導電粒子之層及不含導電粒子之層構成之2層型之異向性導電膜之情形時，例如亦可自異向性導電接著劑側與第1電子零件側之兩者照射光，並調整光硬化後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差。 又，亦可於壓接工具40與第2電子零件30之間使用緩衝材料。作為緩衝材料，可使用聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)、聚醯亞胺、玻璃布、矽膠等。 ＜3.第2實施形態之異向性導電接著劑＞ 本實施形態之異向性導電接著劑含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子。 異向性導電接著劑可為膜狀之異向性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或糊狀之異向性導電膏(ACP：Anisotropic conductive paste)之任一者。就操作容易性之方面而言，較佳為異向性導電膜，就成本之方面而言，較佳為異向性導電膏。 異向性導電接著劑之光硬化前之最低熔融黏度較佳為100～2000 Pa・s，更佳為200～1500 Pa・s，光硬化前之最低熔融黏度到達溫度較佳為50～100℃，更佳為60～90℃。藉此，於將異向性導電接著劑配置於被黏著體時，可使其追隨被黏著體之形狀。 若異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度過低，則有捕捉性變差之顧慮，因此較佳為300 Pa・s以上，更佳為1000 Pa・s以上，進而更佳為1200 Pa・s以上。若上限過高，則有壓入產生障礙之顧慮，故而較佳為8000 Pa・s以下，更佳為7000 Pa・s以下，進而更佳為3000 Pa・s以下。光硬化後之最低熔融黏度到達溫度較佳為50～100℃，更佳為60～90℃，進而較佳為60～80℃。藉此，於熱壓接時可夾持導電粒子並使異向性導電接著劑充分地流動並接著。 異向性導電接著劑之最低熔融黏度到達溫度及最低熔融黏度可使用流變儀於例如5℃/min、1 Hz之條件下測定。又，光硬化例如可使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置於例如照度200 mW、時間10秒之條件下進行。 又，可使用由如下構成之2層型之異向性導電膜：作為第1層之含有導電粒子之層，其含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子；及作為第2層之不含導電粒子之層，其含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及熱陽離子聚合起始劑。 於使用2層型之異向性導電膜之情形時，光硬化前之含有導電粒子之層之最低熔融黏度較佳為較不含導電粒子之層大100～1000 Pa・s，進而較佳為大300～700 Pa・s。 又，於使用2層型之異向性導電膜之情形時，光硬化後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差較佳為未達300 Pa・s，進而較佳為200 Pa・s以下。藉此，於熱壓接時，可使含有導電粒子之層及不含導電粒子之層幾乎同時硬化，從而可於夾持導電粒子之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動並接著。 作為環氧化合物，較佳為使用5官能以下者。作為5官能以下之環氧化合物，並無特別限定，可列舉：縮水甘油醚型環氧化合物、縮水甘油酯型環氧化合物、脂環型環氧化合物、雙酚A型環氧化合物、雙酚F型環氧化合物、二環戊二烯型環氧化合物、酚醛清漆酚型環氧化合物、聯苯型環氧化合物、萘型環氧化合物等；可自該等之中單獨使用1種或將2種以上組合使用。 作為可於市場上獲取之縮水甘油醚型之單官能環氧化合物之具體例，可列舉四日市合成(股)之商品名「Epogosey EN」等。又，作為可於市場上獲取之雙酚A型之2官能環氧化合物之具體例，可列舉DIC(股)之商品名「840-S」等。又，作為可於市場上獲取之二環戊二烯型之5官能環氧化合物之具體例，可列舉DIC(股)之商品名「HP-7200 Series」等。 作為氧雜環丁烷化合物，並無特別限定，可列舉：聯苯型氧雜環丁烷化合物、苯二甲基型氧雜環丁烷化合物、倍半矽氧烷型氧雜環丁烷化合物、醚型氧雜環丁烷化合物、酚系酚醛清漆型氧雜環丁烷化合物、矽酸鹽型氧雜環丁烷化合物等；可自該等之中單獨使用1種或將2種以上組合使用。作為可於市場上獲取之聯苯型之氧雜環丁烷化合物之具體例，可列舉宇部興產(股)之商品名「OXBP」等。 陽離子聚合性化合物之含量較佳為設為例如樹脂成分之10～70 wt%，更佳為設為20～50 wt%。若陽離子聚合性化合物之含量過多，則有光硬化後之最低熔融黏度之上升增大之傾向。 光陽離子聚合起始劑較佳為將四(五氟苯基)硼酸鹽(TFPB)作為陰離子之鎓鹽。藉此，可抑制光硬化後之最低熔融黏度之過度上升。認為其原因在於TFPB之取代基較大且分子量較大。 作為光陽離子聚合起始劑之陽離子部分，並無特別限定，可列舉：芳香族鋶、芳香族錪、芳香族重氮鎓、芳香族銨等；該等之中，較佳為使用作為芳香族鋶之三芳基鋶。作為將TFPB作為陰離子之鎓鹽之可於市場上獲取之具體例，可列舉：BASF JAPAN(股)之商品名「IRGACURE290」、和光純藥工業(股)之商品名「WPI-124」等。 光陽離子聚合起始劑之含量較佳為設為例如樹脂成分之0.1～10 wt%，更佳為設為1～5 wt%。 作為熱陽離子聚合起始劑，並無特別限定，可列舉：芳香族鋶鹽、芳香族錪鹽、芳香族重氮鎓鹽、芳香族銨鹽等；該等之中，較佳為使用芳香族鋶鹽。作為可於市場上獲取之芳香族鋶鹽之具體例，可列舉三新化學工業(股)之商品名「SI-60」等。 熱陽離子聚合起始劑之含量較佳為設為例如樹脂成分之1～30 wt%，更佳為設為5～20 wt%。 作為導電性粒子，可使用異向性導電膜中所使用之公知之導電性粒子。例如可列舉：鎳、鐵、銅、鋁、錫、鉛、鉻、鈷、銀、金等各種金屬或金屬合金之粒子；於金屬氧化物、碳、石墨、玻璃、陶瓷、塑膠等粒子之表面塗佈有金屬而成者；及於該等粒子之表面進而塗佈有絕緣薄膜而成者等；可自該等之中使2種以上混合存在。於為於樹脂粒子之表面塗佈有金屬而成者之情形時，作為樹脂粒子，例如可使用環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、苯胍樹脂、二乙烯苯系樹脂、苯乙烯系樹脂等粒子。 作為導電性粒子之平均粒徑，通常為1～30 μm，較佳為2～20 μm，更佳為2.5～15 μm。又，就連接可靠性及絕緣可靠性之觀點而言，黏合劑樹脂中之導電性粒子之平均粒子密度較佳為100～100000個/mm² ，更佳為500～80000個/mm² 。 又，導電性粒子可分散於絕緣性樹脂中，亦可於膜俯視下各自獨立，又，亦可任意地配置並存在。於配置有導電性粒子之情形時，可根據經異向性連接之電極之尺寸或佈局設定個數密度或導電粒子間距離等。因此，捕捉提高、短路抑制等具有效果，亦可預見良率之提高等成本削減效果。 又，就膜形成性之觀點而言，異向性導電接著劑較佳為含有聚合物。作為聚合物，可列舉：雙酚S型苯氧基樹脂、具有茀骨架之苯氧基樹脂、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚苯硫醚、聚四氟乙烯、聚碳酸酯等；該等可單獨使用或將2種以上組合使用。該等之中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言，可適當使用雙酚S型苯氧基樹脂。苯氧基樹脂係由雙酚類與表氯醇合成之多羥基聚醚。作為可於市場上獲取之苯氧基樹脂之具體例，可列舉新日鐵住金化學(股)之商品名「FA290」等。 聚合物之調配量較佳為設為例如樹脂成分之5～70 wt%，更佳為設為20～60 wt%。若聚合物之含量較多，則有光硬化前之最低熔融黏度增大之傾向。於本說明書中，「樹脂成分」係指聚合物、陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及熱陽離子聚合起始劑。 又，為了調整最低熔融黏度，異向性導電接著劑較佳為含有二氧化矽等絕緣性填料(以下，僅記為填料)。填料之含量相對於異向性導電性接著劑之總量較佳為3～60 wt%，更佳為10～55 wt%，進而較佳為20～50 wt%。又，於為多層之膜形狀之情形時，各層之填料之含量之合計較佳為上述範圍。若填料之含量較多，則有最低熔融黏度增高之傾向，若填料之含量較少，則有最低熔融黏度降低之傾向。又，填料之平均粒徑較佳為1～500 nm，更佳為10～300 nm，進而較佳為20～100 nm。 又，為了提高與無機材料之界面之接著性，異向性導電接著劑較佳為進而含有矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，可列舉：環氧系、甲基丙烯醯氧基系、胺基系、乙烯系、巰基-硫醚系、脲基系等；該等可單獨使用，亦可將2種類以上組合使用。 藉由此種異向性導電接著劑，可於藉由光之預先照射而進行之光硬化時抑制最低熔融黏度之過度上升，並且提高遮光部之反應率，從而於藉由熱而進行之正式硬化時，於夾持導電粒子之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動並接著，故而可獲得優異之導通電阻。 ＜4.第2實施形態之連接體之製造方法＞ 本實施形態之連接體之製造方法具有：配置步驟(S11)，其將異向性導電接著劑配置於第1電子零件上，該異向性導電接著劑含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子；光照射步驟(S12)，其以異向性導電接著劑之最低熔融黏度成為300～8000 Pa・s、最低熔融黏度之到達溫度成為50～100℃之方式至少自異向性導電接著劑側進行光照射；及熱壓接步驟(S13)，其於異向性導電接著劑上配置第2電子零件，並藉由熱壓接工具將第2電子零件熱壓接第1電子零件。藉此，可於預先照射步驟(S12)中提高遮光部之反應率，並且抑制最低熔融黏度之過度上升，於熱壓接步驟(S13)中利用熱壓接工具將第2電子零件牢固地壓入，故而可獲得優異之導通電阻。 作為經光照射之光，可根據光硬化異向性導電接著劑之硬化系統自紫外線(UV：ultraviolet)、可見光線(visible light)、紅外線(IR：infrared)等波長頻帶中選擇。該等之中，自光照射器照射之光較佳為包含能量較高之紫外線。 紫外線係10 nm～400 nm之波長，波長較短之紫外線具有能量較大但不易到達樹脂內部之性質，另一方面，波長較長之紫外線具有能量雖略小但相對容易滲透至樹脂內部之性質。又，若波長成為200 nm以下，則容易被消耗以用於分解氧氣或被氧氣吸收。因此，自光照射器照射之光較佳為包含波長為200 nm以上之近紫外線。作為照射包含近紫外線之光之光源，例如可列舉高輸出波長248 nm、313 nm、334 nm、365 nm、405 nm、436 nm之高壓水銀燈等。 以下，對使用預先照射型之異向性導電接著劑之連接體之製造方法進行說明。圖2係模式性地表示第2實施形態之連接體之製造方法之剖視圖，圖2(A)表示配置步驟(S11)，圖2(B)表示預先照射步驟(S12)，圖2(C)表示熱壓接步驟(S13)。再者，由於異向性導電接著劑與上述相同，故而此處省略說明。 [配置步驟(S11)] 如圖2(A)所示，於配置步驟(S11)中，將異向性導電接著劑60配置於第1電子零件50上，該異向性導電接著劑60含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子。 於配置步驟中，異向性導電接著劑60之最低熔融黏度與光硬化前相同，較佳為100～2000 Pa・s，更佳為200～1500 Pa・s，最低熔融黏度到達溫度較佳為50～100℃，更佳為60～90℃。藉此，於將異向性導電接著劑60配置於第1電子零件50時，可使其追隨第1電子零件之形狀。 又，於使用由含有導電粒子之層及不含導電粒子之層構成之2層型之異向性導電膜之情形時，光硬化前之含有導電粒子之層之最低熔融黏度較佳為較不含導電粒子之層大100～1000 Pa・s，進而較佳為大300～700 Pa・s。 第1電子零件50具備第1端子行51。第1電子零件50並無特別限制，可根據目的適當選擇。作為第1電子零件50，例如可列舉：LCD(Liquid Crystal Display)面板、有機EL(OLED)等平板顯示器(FPD)用途、觸控面板用途等之透明基板、印刷配線板(PWB)等。印刷配線板之材質並無特別限定，例如可為FR-4基材等玻璃環氧化物，亦可使用熱塑性樹脂等塑膠、陶瓷等。又，透明基板只要為透明性較高者，則並無特別限定，可列舉玻璃基板、塑膠基板等。 [預先照射步驟(S12)] 如圖2(B)所示，於預先照射步驟(S12)中，自異向性導電接著劑60側進行光照射。藉此，於自第1電子零件50側進行光照射之情形時，可提高成為遮光部之第1端子行上之反應率。又，於本實施形態中，由於使用含有分子量較大之特定光陽離子聚合起始劑之異向性導電接著劑60，故而可抑制最低熔融黏度之過度上升。 異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度與上述相同，若過低，則有捕捉性變差之顧慮，因此較佳為300 Pa・s以上，更佳為1000 Pa・s以上，進而更佳為1200 Pa・s以上。若上限過高，則有壓入產生障礙之顧慮，故而較佳為8000 Pa・s以下，更佳為7000 Pa・s以下，進而更佳為3000 Pa・s以下。光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃，更佳為60～90℃，進而較佳為60～80℃。藉此，於熱壓接步驟(S13)中，可於夾持導電粒子61之狀態下使異向性導電接著劑60充分地流動並接著。 又，於使用由含有導電粒子之層及不含導電粒子之層構成之2層型之異向性導電膜之情形時，與上述相同，光硬化後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差較佳為未達300 Pa・s，進而較佳為200 Pa・s以下。藉此，於熱壓接步驟(S3)中，可使含有導電粒子之層及不含導電粒子之層幾乎同時硬化，從而可於夾持導電粒子21之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動並接著。 [熱壓接步驟(S13)] 如圖2(C)所示，於熱壓接步驟(S13)中，於光照射後之異向性導電接著劑60上配置第2電子零件70，並藉由熱壓接工具80將第2電子零件70熱壓接於第1電子零件50。藉此，藉由壓接工具80之熱而樹脂熔融，藉由壓接工具80而第2電子零件被充分地壓入，於導電粒子61被端子間夾持之狀態下樹脂熱硬化，故而可獲得優異之導通性。 又，於熱壓接步驟(S13)中，使用壓接工具80於較佳為160℃以下之溫度、更佳為140℃以下之溫度、進而較佳為120℃之溫度下進行按壓。藉由於此種較低之溫度下進行加壓，可抑制熱對第1電子零件50及第2電子零件70之影響。 第2電子零件70具備與第1端子行51對向之第2端子行71。第2電子零件20並無特別限制，可根據目的適當選擇。作為第2電子零件70，例如可列舉：IC(Integrated Circuit)、可撓性基板(FPC：Flexible Printed Circuits)、載帶封裝(TCP)基板、將IC安裝於FPC之COF(Chip On Film)等。 根據此種連接體之製造方法，於預先照射步驟S12中抑制最低熔融黏度之過度上升，並且提高遮光部之反應率，於熱硬化步驟S13中，於導電粒子被端子間夾持之狀態下使樹脂熱硬化，藉此可獲得優異之導通電阻。 [變化例] 再者，於上述連接體之製造方法中，設為於光照射步驟(S12)中自異向性導電接著劑側進行光照射，只要可對第1端子行51上之異向性導電接著劑進行光照射，則並無特別限定。例如，於如大型面板般接著面積較大之情形時，亦可一面使光點移動或者迴旋(轉向)，一面照射至異向性導電接著劑。又，光照射器可存在複數個，亦可相對於異向性導電接著劑(接合部)自傾斜方向或橫向進行照射。又，於使用由含有導電粒子之層及不含導電粒子之層構成之2層型之異向性導電膜之情形時，例如亦可自異向性導電接著劑側與第1電子零件側之兩者照射光，並調整光硬化後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差。 又，亦可於壓接工具80與第2電子零件70之間使用緩衝材料。作為緩衝材料，可使用聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)、聚醯亞胺、玻璃布、矽膠等。 [實施例] ＜5.實施例＞ 以下，對本技術之實施例進行說明。於本實施例中，製作陽離子硬化型之異向性導電膜，並以各種態樣製作連接體。並且，測定配線上之遮光部之反應率、及基材上之開口部之反應率、以及初始導通電阻、及可靠性試驗後之導通電阻。再者，本技術並不限定於該等實施例。 [單層型之異向性導電膜之製作] 以表1所示之添加量(質量份)調配材料，製作於光照射前具有特定最低熔融黏度且於光照射後具有特定最低熔融黏度之厚度12 μm之單層型之異向性導電膜A～H。又，以導電粒子(平均粒徑3.2 μm)之面密度成為60000個/mm² 之方式進行調整。又，調配20～30 wt%之填料(平均粒徑50 nm、Admafine(Admatechs股份有限公司製造))並以成為特定最低熔融黏度之方式進行調整。 異向性導電膜之最低熔融黏度及最低熔融黏度到達溫度係使用流變儀(TA公司製造之ARES)並於5℃/min、1 Hz之條件下進行測定。 光照射係使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置(REX-250、朝日分光股份有限公司製造)並於照度200 mW、時間10秒之條件下進行。又，於在照射時間為20秒之條件下進行之情形時，異向性導電膜之最低熔融黏度及最低熔融黏度到達溫度與於照射時間為10秒之條件下進行之情形相同。 [表1] 苯氧基樹脂：FA290(新日鐵住金化學(股)) 單官能環氧化合物：Epogosey EN(四日市合成(股)) 2官能環氧化合物：840-S(DIC(股)) 5官能環氧化合物：HP-7200 Series(DIC(股)) 氧雜環丁烷化合物：OXBP(宇部興產(股)) 光陽離子聚合起始劑：IRGACURE290(BASFJAPAN(股)) 熱陽離子聚合起始劑：SI-60(三新化學工業(股)) [2層型之異向性導電膜之製作] 以表2所示之添加量(質量份)調配材料，製作光照射前具有特定最低熔融黏度且光照射後具有特定最低熔融黏度之厚度6 μm之含有導電粒子之層、及厚度12 μm之不含導電粒子之層。含有導電粒子之層係以導電粒子(平均粒徑3.2 μm)之面密度成為60000個/mm² 之方式進行調整。又，含有導電粒子之層及不含導電粒子之層於含有導電粒子之層中調配30～40 wt%之填料(平均粒徑50 nm、Admafine(股份有限公司Admatechs製))且於不含導電粒子之層中調配5～15 wt%之填料而調整熔融黏度。並且，使用層壓滾筒對具有特定最低熔融黏度之含有導電粒子之層與不含導電粒子之層進行層壓，製作厚度18 μm之2層構造之異向性導電膜AA～DD。 含有導電粒子之層及不含導電粒子之層之最低熔融黏度及最低熔融黏度到達溫度係使用流變儀(TA公司製造之ARES)並於5℃/min、1 Hz之條件下進行測定。 光照射係使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置(REX-250、朝日分光股份有限公司製造)並於照度200 mW、時間10秒之條件下進行。又，於在照射時間為20秒之條件下進行之情形時，異向性導電膜之最低熔融黏度及最低熔融黏度到達溫度與於照射時間為10秒之條件下進行之情形相同。 [表2] 苯氧基樹脂：FA290(新日鐵住金化學(股)) 單官能環氧化合物：Epogosey EN(四日市合成(股)) 2官能環氧化合物：840-S(DIC(股)) 5官能環氧化合物：HP-7200 Series(DIC(股)) 氧雜環丁烷化合物：OXBP(宇部興產(股)) 光陽離子聚合起始劑：IRGACURE290(BASFJAPAN(股)) 熱陽離子聚合起始劑：SI-60(三新化學工業(股)) [連接體之製作] 異向性導電膜使用寬度設為4.0 mm、長度設為40.0 mm者。IC晶片使用厚0.5 mm、寬1.8 mm、長34 mm且形成有導通測定用配線(凸塊尺寸：30×85 μm，間距：50 μm，金凸塊高度h＝15 μm)之測定用TEG(Test Element Group，測試元件組)。玻璃基板使用厚度0.5 mm之形成有導通測定用配線之測定用TEG。 (態樣1) 如表3所示之態樣1般製作構造體。首先，於玻璃基板上配置異向性導電膜(步驟A)，並自異向性導電膜側進行光照射(步驟B)。光照射係使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置(REX-250、朝日分光股份有限公司製造)於照度200 mW、時間5秒之條件下進行。 於光照射後之異向性導電膜上搭載IC晶片(步驟C)，並藉由熱壓接工具(寬10.0 mm、長40.0 mm)將IC晶片熱壓接於玻璃基板上(步驟D)，而製作連接體。藉由熱壓接工具進行之熱加壓係經由厚度0.05 mm之包含聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)之緩衝材料進行。又，熱壓接條件設為溫度100℃-壓力60 MPa-時間5 sec。 (態樣2) 如表3所示之態樣2般製作構造體。首先，與態樣1同樣地，於玻璃基板上配置異向性導電膜(步驟A)，並自異向性導電膜側進行光照射(步驟B)。接下來，於光照射後之異向性導電膜上搭載IC晶片(步驟C)，一面自玻璃基板側進行光照射(步驟D1)，一面藉由熱壓接工具(寬10.0 mm、長40.0 mm)將IC晶片熱壓接於玻璃基板上(步驟D)，而製作連接體。 來自玻璃基板側之光照射係使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置(REX-250、朝日分光股份有限公司製造)並於照度200 mW、時間5秒之條件下進行。又，藉由熱壓接工具進行之熱加壓係經由厚度0.05 mm之包含聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)之緩衝材料進行，熱壓接條件設為溫度100℃-壓力60 MPa-時間5 sec。 (態樣3) 如表3所示之態樣3般製作構造體。首先，於玻璃基板上配置異向性導電膜(步驟A)，繼而，於異向性導電膜上搭載IC晶片(步驟C)。接下來，藉由熱壓接工具(寬10.0 mm、長40.0 mm)將IC晶片熱壓接於玻璃基板上(步驟D)，而製作連接體。藉由熱壓接工具進行之熱加壓係經由厚度0.05 mm之包含聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)之緩衝材料進行。又，熱壓接條件設為溫度100℃-壓力60 MPa-時間5 sec。 (態樣4) 如表3所示之態樣4般製作構造體。首先，於玻璃基板上配置異向性導電膜(步驟A)，繼而，於異向性導電膜上搭載IC晶片(步驟C)。接下來，一面自玻璃基板側進行光照射(步驟D1)，一面藉由熱壓接工具(寬10.0 mm、長40.0 mm)將IC晶片熱壓接於玻璃基板上(步驟D)，而製作連接體。 來自玻璃基板側之光照射係使用具備照射於波長313 nm、365 nm、405 nm下具有峰頂之紫外線之光源之UV照射裝置(REX-250、朝日分光股份有限公司製造)並於照度200 mW、時間5秒之條件下進行。又，藉由熱壓接工具進行之熱加壓係經由厚度0.05 mm之包含聚四氟乙烯(PTFE：polytetrafluoroethylene)之緩衝材料進行，熱壓接條件設為溫度100℃-壓力60 MPa-時間5 sec。 [表3] [遮光部及開口部之反應率之測定] 針對連接體中之配線上之遮光部之異向性導電膜及玻璃基板上之開口部之異向性導電膜之各者測定反應率。反應率係根據異向性導電膜中之環氧基之減少率求出。即，藉由測定紅外吸收光譜之914 cm^-1 之吸收求出異向性導電連接前之異向性導電膜中之環氧基因異向性導電連接而減少多少。 [導通電阻之測定] 於IC晶片與玻璃基板之連接狀態下，使用數位萬用表測定連接初期及可靠性試驗後之導通電阻(Ω)。如圖所示，導通電阻值之測定係將數位萬用表連接於連接在IC晶片之凸塊之玻璃基板之配線，並利用50 V之電壓測定並利用所謂之四端子法測定導通電阻值。又，可靠性試驗之條件設為溫度85℃、濕度85%RH、時間500 hr。 ＜實施例1＞ 將使用異向性導電膜A並根據態樣1而製作之實施例1之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例2＞ 將使用異向性導電膜A並根據態樣2而製作之實施例2之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。即，即便一面自第1電子零件側進行光照射，一面藉由熱壓接工具將第2電子零件熱壓接於第1電子零件上，亦可獲得反應率及導通電阻良好之連接體。 ＜實施例3＞ 將使用異向性導電膜B並根據態樣1而製作之實施例3之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例4＞ 將使用異向性導電膜C並根據態樣1而製作之實施例4之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例5＞ 將使用異向性導電膜D並根據態樣1而製作之實施例5之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例6＞ 將使用異向性導電膜E並根據態樣1而製作之實施例6之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例7＞ 將使用異向性導電膜F並根據態樣1而製作之實施例7之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜比較例1＞ 將使用異向性導電膜G並根據態樣1而製作之比較例1之連接體之評價結果示於表4。初始導通電阻及可靠性試驗後之導通電阻並不良好。認為其原因在於：由於光照射後之最低熔融黏度過低，故而於熱壓接步驟D中，第2電子零件被過度壓入而端子間之樹脂減少，故而初始導通較高而於可靠性試驗後電阻斷開。 ＜比較例2＞ 將使用異向性導電膜H並根據態樣1而製作之比較例2之連接體之評價結果示於表4。初始導通電阻及可靠性試驗後之導通電阻並不良好。認為其原因在於：由於光照射後之最低熔融黏度過高，故而於熱壓接步驟D中，無法將第2電子零件充分地壓入，初始導通較高而於可靠性試驗後電阻斷開。 ＜比較例3＞ 將使用異向性導電膜A並根據態樣3而製作之比較例3之連接體之評價結果示於表4。遮光部之反應率及可靠性試驗後之導通電阻並不良好。認為其原因在於：由於未進行光照射，故而遮光部之反應率較低，又，由於最低熔融黏度過低，故而於熱壓接步驟D中，第2電子零件被過度壓入而端子間之樹脂減少，故而於可靠性試驗後電阻斷開。 ＜比較例4＞ 將使用異向性導電膜A並根據態樣4而製作之比較例4之連接體之評價結果示於表4。遮光部之反應率及可靠性試驗後之導通電阻並不良好。認為其原因在於：由於自第1零件側進行光照射，故而因第1端子行而產生遮光部，由於遮光部之反應率較低，故而於熱壓接步驟D中，於可靠性試驗後電阻斷開。 ＜實施例8＞ 將使用異向性導電膜AA並根據態樣1而製作之實施例8之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例9＞ 將使用異向性導電膜BB並根據態樣1而製作之實施例9之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜實施例10＞ 將使用異向性導電膜CC並根據態樣1而製作之實施例10之連接體之評價結果示於表4。連接體之反應率及導通電阻良好。 ＜比較例5＞ 將使用異向性導電膜DD並根據態樣1而製作之比較例5之連接體之評價結果示於表4。遮光部之反應率、初始導通電阻及可靠性試驗後之導通電阻並不良好。認為其原因在於：由於光照射後之含有導電粒子之層之最低熔融黏度與不含導電粒子之層之最低熔融黏度之差較大，故而無法使含有導電粒子之層及不含導電粒子之層幾乎同時熱硬化，從而無法於夾持導電粒子之狀態下使異向性導電接著劑充分地流動並接著。 [表4]

10‧‧‧第1電子零件

11‧‧‧第1端子行

20‧‧‧異向性導電接著劑

21‧‧‧導電粒子

30‧‧‧第2電子零件

31‧‧‧第2端子行

40‧‧‧壓接工具

50‧‧‧第1電子零件

51‧‧‧第1端子行

60‧‧‧異向性導電接著劑

61‧‧‧導電粒子

70‧‧‧第2電子零件

71‧‧‧第2端子行

80‧‧‧壓接工具

圖1係模式性地表示第1實施形態之連接體之製造方法之剖視圖，圖1(A)表示配置步驟(S1)，圖1(B)表示預先照射步驟(S2)，圖1(C)表示熱壓接步驟(S3)。 圖2係模式性地表示第2實施形態之連接體之製造方法之剖視圖，圖2(A)表示配置步驟(S11)，圖2(B)表示預先照射步驟(S12)，圖2(C)表示熱壓接步驟(S13)。

Claims (15)

1. 一種異向性導電接著劑，其含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子， 上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且 該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s ，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。
2. 如請求項1之異向性導電接著劑，其光硬化前之最低熔融黏度為100～2000 Pa・s，光硬化前之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。
3. 如請求項1之異向性導電接著劑，其包含：第1層，其含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子；及第2層，其含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及熱陽離子聚合起始劑；且 光硬化後之上述第1層之最低熔融黏度與上述第2層之最低熔融黏度之差未達300 Pa・s。
4. 如請求項3之異向性導電接著劑，其中光硬化前之上述第1層之最低熔融黏度較上述第2層大100～1000 Pa・s。
5. 如請求項1之異向性導電接著劑，其中上述陽離子聚合性化合物之含量為樹脂成分之20～50 wt%。
6. 如請求項1之異向性導電接著劑，其含有絕緣性填料。
7. 如請求項1至6中任一項之異向性導電接著劑，其為膜狀。
8. 一種連接體之製造方法，其包括： 配置步驟，其將異向性導電接著劑配置於第1電子零件上，該異向性導電接著劑含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子，上述光陽離子聚合起始劑係將四(五氟苯基)硼酸鹽作為陰離子之鎓鹽，且該異向性導電接著劑之光硬化後之最低熔融黏度為300～8000 Pa・s，光硬化後之最低熔融黏度到達溫度為50～100℃； 光照射步驟，其自上述異向性導電接著劑側進行光照射；及 熱壓接步驟，其於上述光照射後之異向性導電接著劑上配置第2電子零件，並藉由熱壓接工具將上述第2電子零件熱壓接於上述第1電子零件。
9. 一種連接體之製造方法，其包括： 配置步驟，其將異向性導電接著劑配置於第1電子零件上，該異向性導電接著劑含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子； 光照射步驟，其以上述異向性導電接著劑之最低熔融黏度成為300～8000 Pa・s、最低熔融黏度之到達溫度成為50～100℃之方式至少自上述異向性導電接著劑側進行光照射；及 熱壓接步驟，其於上述異向性導電接著劑上配置第2電子零件，並藉由熱壓接工具將上述第2電子零件熱壓接於上述第1電子零件。
10. 如請求項9之連接體之製造方法，其中於上述配置步驟中，上述異向性導電接著劑之最低熔融黏度為100～2000 Pa・s，最低熔融黏度到達溫度為50～100℃。
11. 如請求項9之連接體之製造方法，其中上述異向性導電接著劑包含：第1層，其含有選自環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、熱陽離子聚合起始劑、及導電粒子；及第2層，其含有聚合物、選自5官能以下之環氧化合物、氧雜環丁烷化合物之至少1種陽離子聚合性化合物、光陽離子聚合起始劑、及熱陽離子聚合起始劑；且 於上述光照射步驟中，以上述第1層之最低熔融黏度大於上述第2層之方式進行光照射。
12. 如請求項11之連接體之製造方法，其中於上述配置步驟中，上述第1層之最低熔融黏度較上述第2層大100～1000 Pa・s。
13. 如請求項9之連接體之製造方法，其中上述陽離子聚合性化合物之含量為樹脂成分之20～50 wt%。
14. 如請求項9之連接體之製造方法，其中上述異向性導電接著劑含有絕緣性填料。
15. 如請求項9至14中任一項之連接體之製造方法，其中上述異向性導電接著劑為膜狀。