KR101035864B1

KR101035864B1 - 이방성 도전막 및 그 제조방법과 접합체

Info

Publication number: KR101035864B1
Application number: KR1020097011832A
Authority: KR
Inventors: 야스히로 후지타
Original assignee: 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤
Priority date: 2007-07-03
Filing date: 2008-06-12
Publication date: 2011-05-20
Also published as: US20090239082A1; WO2009004902A1; US7931956B2; HK1135804A1; TWI377240B; KR20090092796A; JP4880533B2; CN101601171B; JP2009016133A; TW200914572A; CN101601171A

Abstract

전자부품과 기판 등의 접속시에 도전성 입자의 유동을 억제하여 쇼트의 발생을 방지함과 동시에, 높은 입자 포착률을 확보함으로써 뛰어난 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 게다가 용이하게 사용 가능한 2층 구조의 이방성 도전막 및 그 효율적인 제조방법과 상기 이방성 도전막을 이용하여 입자 포착률이 높고 뛰어난 도통 신뢰성을 가진 전자부품과 기판 등의 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 이방성 도전막은 절연성 수지 조성물로 형성된 절연층과, 광 및 열경화성 수지 조성물과 도전성 입자를 포함하고, 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열하여 이루어진 도전성 입자 함유층을 가지고 이루어지며, 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮게 되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

이방성 도전막 및 그 제조방법과 접합체{Anisotropic conductive film and method for producing the same, and bonded body}

본 발명은, IC칩, 액정 디스플레이(LCD)에서의 액정 패널(LCD 패널) 등의 전자부품과 기판이나, 기판끼리를 전기적이고 기계적으로 접속 가능한 이방성 도전막 및 그 효율적인 제조방법과 상기 이방성 도전막을 이용한 전자부품과 기판 등의 접합체에 관한 것이다.

종래부터, 전자부품과 회로기판 등을 접속하는 수단으로서 이방 도전성 접착 필름(ACF; Anisotropic Conductive Film)이 이용되고 있다. 이 이방 도전성 접착 필름은, 예를 들면 플렉시블 프린트 기판(FPC)이나 IC칩의 단자와 LCD 패널의 유리 기판 상에 형성된 ITO(Indium Tin Oxide)전극을 접속하는 경우를 비롯하여 여러가지 단자끼리를 접착함과 동시에 전기적으로 접속하는 경우에 이용되고 있다.

상기 이방 도전성 접착 필름으로서는, 일반적으로 에폭시 수지계의 절연성 접착제층 중에 도전성 입자를 분산시킨 단층구조의 것이 사용되어 있고, 예를 들면 IC칩의 단자와 유리기판에서의 ITO전극의 사이에 도전성 입자가 끼워져 부서짐으로써 상기 IC칩의 단자와 상기 ITO전극의 전기적 접속이 실현되어 있다.

최근 전자기기의 소형화 및 고기능화에 의해 접속단자의 파인 피치화에 따른 접속단자의 접속면적이 감소하고 있는데, 단자 면적이 좁아져도 높은 도통 신뢰성의 확보가 요구되고 있다.

그러나, 상기 단층구조의 이방 도전성 접착 필름에서는 접속시의 열 압착에 의해 절연성 접착제와 함께 도전성 입자가 유동해 버리는 문제가 있고, 전기적 접속을 확실히 행하기 위해서는 접속 후에 단자 상에 놓여 있는 도전성 입자의 개수를 일정 이상으로 하는 것이 필요하여, 절연성 접착제 중에 함유시키는 도전성 입자의 개수를 증대시켜야만 했다.

이에 대해, 동일 조성의 절연성 접착제로 도전성 입자를 분산시킨 층(ACF)과 분산시키지 않은 층(NCF; Non Conductive Film)의 2층 구조로 한 것이나, 도전성 입자를 분산시킨 절연성 접착제층과, 그 절연성 접착제와 조성의 일부를 변경한 절연성 접착제로 이루어진 층의 2층 구조의 것이 제안되어 있다. 이러한 이방 도전성 접착 필름을 이용하면, IC칩의 단자가 도전성 입자를 포함하지 않는 층으로 들어가고, 도전성 입자가 분산된 층에서 도전성 입자를 끼워 넣어 ITO전극과 전기적으로 접속된다. 이 때문에, IC칩의 단자 간에 유입하는 도전성 입자수가 감소하고, 상기 단층구조의 것에 비해 도전성 입자가 소량이어도 접속 단자에 놓이는 도전성 입자의 비율(입자 포착률)을 향상시킬 수 있다.

그러나, 단자의 협피치화가 가속적으로 진행되고 있는 오늘날은 상기 2층 구조의 이방 도전성 접착 필름을 사용하면, 접속시의 열 압착에 의해 절연성 접착제와 함께 유동한 도전성 입자가 IC칩의 주위로 이동하고, 단자간 공간으로 유입하여 쇼트가 생기는 문제가 있었다. 또한, 상기 입자 포착률의 확보라는 점에서도 불충 분하였다. 이 때문에, 접속시의 도전성 입자의 이동을 억제 가능한 기술의 개발이 요구되었다.

그래서, 예를 들면 절연성의 바인더로서 광경화성 수지를 이용하고, 상기 광경화성 수지 중에 도전성 입자를 단층으로 분산 배치시킨 상태로 자외선을 조사함으로써 바인더 중에 도전성 입자를 고정한 이방 도전성 접착 필름이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조). 이 경우, 도전성 입자가 바인더 중에 고정되어 있으므로, 단자와 전극의 접속시에 도전성 입자가 유동하지 않고, 쇼트의 발생을 억제함과 동시에 높은 입자 포착률을 확보할 수 있다. 그러나, 상기 특허문헌 1에 기재된 이방 도전성 접착 필름에서는 도전성 입자를 포함하는 층(도전성 입자층)이 완전히 경화되어 있으므로, IC칩과 유리기판을 기계적으로 접착하기 위해서는 접착성을 가진 2개의 절연성 수지층에서 상기 도전성 입자층을 끼워 넣은 3층 구조로 형성하는 것이 필요하게 되며, 2층 구조의 것에 비해 제조공정수가 증가하여 생산성이 저하되는 문제가 있는 것 외에 통상의 롤 코터나 콤마 코터를 이용하여 정밀도 높게 5㎛이하의 두께로 도전성 입자층을 형성하기는 어렵다.

또한, 예를 들면 절연성 접착제층과 도전성 입자가 단층에 매립되어 형성된 절연성 바인더층으로 이루어진 2층 구조의 이방 도전성 접착 필름으로서, 절연성 바인더층이 활성 광선에 의해 경화하지만, 사용전은 미경화 상태로 점착성을 나타내는 것이 제안되어 있다(특허문헌 2 참조). 이 경우, 도전성 입자가 포함되어 있는 층이 점착성을 나타내기 때문에, 2층 구조로 IC칩과 유리기판을 기계적으로 접속할 수 있다. 그러나, 이들을 가압착한 후에 활성 광선을 조사함으로써 도전성 입 자를 바인더 중에 고정시키는 것이 필요하기 때문에, 사용자 측에서 활성 광선을 조사하기 위한 새로운 장치의 도입과, 열 및 광 조사의 조건 등의 제어를 행해야 하여, 사용시에 사용자 측에서의 부담이 증대하여 편리성이 저하되는 문제가 있다.

따라서, 전자부품과 기판 등의 접속시에 도전성 입자의 유동을 억제하여 쇼트의 발생을 방지함과 동시에, 높은 입자 포착률을 확보함으로써 뛰어난 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 게다가 용이하게 사용 가능한 2층 구조의 이방성 도전 필름은 아직 제공되지 않은 것이 현상이다.

특허문헌 1: 일본특허공개 2001-52778호 공보

특허문헌 2: 일본특허공개 2003-64324호 공보

본 발명은 종래의 상기 문제를 해결하고, 이하의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은, 전자부품과 기판 등의 접속시에 도전성 입자의 유동을 억제하여 쇼트의 발생을 방지함과 동시에, 높은 입자 포착률을 확보함으로써 뛰어난 도통 신뢰성을 얻을 수 있고, 게다가 용이하게 사용가능한 2층 구조의 이방성 도전막 및 그 효율적인 제조방법, 및 상기 이방성 도전막을 이용하여 입자 포착률이 높고 뛰어난 도통 신뢰성을 가진 전자부품과 기판 등의 접합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서는 이하와 같다. 즉,

<1> 절연성 수지 조성물로 형성된 절연층;

광 및 열경화성 수지 조성물 및 도전성 입자를 포함하고, 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열하여 이루어진 도전성 입자 함유층;을 가지고 이루어지며,

상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮게 되어 있는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막이다.

상기 <1>에 기재된 이방성 도전막에서는, 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮아지고 있는, 즉 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서는 상기 경화도가 높고, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측으로 향함에 따라 상기 경화도가 서서히 낮게 되어, 상기 경화도가 경사져 있다.

이 때문에, 상기 경화도가 높은 영역에서는 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열한 상태로 고정되어 있어, 본 발명의 상기 이방성 도전막을 전자부품과 기판 등의 접합에 이용하면, 이들의 압착시에 상기 도전성 입자가 유동하지 않고 높은 입자 포착률로 단자에 포착되어, 뛰어난 도통 신뢰성이 얻어지고, 단자의 협피치화에 충분히 대응할 수 있다. 또한, 상기 도전성 입자 함유층에서의 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측은 경화도가 낮은 상태 내지 미경화 상태이므로, 상기 광 및 열경화성 수지 조성물이 접착성을 가져, 상기 기판 등과 용이하게 압착할 수 있으며, 본 발명의 상기 이방성 도전막은 2층 구조이면서 종래의 3층 구조의 이방성 도전막과 같은 기능을 가진 점에서 사용의 편리성이 높다.

<2> 도전성 입자 함유층에 도전성 입자가 존재하는 면측에서 경화용 광이 조사되어 얻어지는 상기 <1>에 기재된 이방성 도전막이다.

<3> 경화용 광의 조사가 도전성 입자 함유층의 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태 및 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태의 적어도 어느 하나에 의해 행해지는 상기 <2>에 기재된 이방성 도전막이다.

<4> 광 및 열경화성 수지 조성물에 광중합 개시제를 포함하는 상기 <1>부터 <3>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막이다.

<5> 광 및 열경화성 수지 조성물에 열경화성 개시제를 포함하는 상기 <1>부터 <4>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막이다.

<6> 광 및 열경화성 수지 조성물에 (메트)아크릴계 모노머를 포함하고, 절연성 수지 조성물에 에폭시 수지를 포함하는 상기 <1> 내지 <5>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막이다.

<7> 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층의 한쪽 면측에 도전성 입자를 단층 배열시키고, 상기 한쪽 면측에서 경화용 광을 조사함으로써 도전성 입자 함유층을 형성하는 도전성 입자 함유층 형성공정; 및

상기 도전성 입자 함유층에서의 상기 한쪽 면에 절연성 수지 조성물로 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층공정;을 적어도 포함하고,
상기 경화용 광의 조사가, 상기 도전성 입자 함유층의 두께 방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮게 되도록 행해지는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법이다.

상기 <7>에 기재된 이방성 도전막의 제조방법에서는, 상기 도전성 입자 함유층 형성공정에서 상기 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층에서의 한쪽 면측에 상기 도전성 입자가 단층 배열되고, 상기 한쪽 면측에서 상기 경화용 광이 조사됨으로써 상기 도전성 입자 함유층이 형성된다. 상기 절연층 적층공정에서 상기 도전성 입자 함유층에서의 상기 한쪽 면에 상기 절연성 수지 조성물로 형성된 상기 절연층이 적층된다. 그 결과, 이방성 도전막이 효율적으로 제조된다.

<8> 경화용 광의 조사가 도전성 입자 함유층의 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태 및 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태의 적어도 어느 하나에 의해 행해지는 상기 <7>에 기재된 이방성 도전막의 제조방법이다.

<9> 광 및 열경화성 수지 조성물에 광중합 개시제를 포함하는 상기 <7> 내지 <8>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막의 제조방법이다.

<10> 광 및 열경화성 수지 조성물에 열경화성 개시제를 포함하는 상기 <7> 내지 <9>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막의 제조방법이다.

<11> 광 및 열경화성 수지 조성물에 (메트)아크릴계 모노머를 포함하고, 절연성 수지 조성물에 에폭시 수지를 포함하는 상기 <7> 내지 <10>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막의 제조방법이다.

<12> 상기 <1> 내지 <6>의 어느 하나에 기재된 이방성 도전막을 개재하여 전자부품 및 기판에서 선택되는 2종 이상이 전기적으로 접합되어 이루어진 것을 특징으로 하는 접합체이다.

상기 <12>에 기재된 접합체에서는, 본 발명의 상기 이방성 도전막을 이용하여 상기 전자부품 및 상기 기판에서 선택되는 2종 이상이 전기적으로 접합되어 있으므로, 상기 도전성 입자의 입자 포착률이 높고 도통 신뢰성이 뛰어나다.

<13> 전자부품이 IC칩 및 액정 패널에서 선택되고, 기판이 ITO 유리기판, 플렉시블 기판, 리지드 기판 및 플렉시블 프린트 기판에서 선택되는 상기 <12>에 기재된 접합체이다.

<14> 전자부품 및 기판에서 선택되는 2종 이상의 접합부분에서의 도전성 입자의 입자 포착률이 80% 이상인 상기 <12> 내지 <13>의 어느 하나에 기재된 접합체이다.

본 발명에 의하면, 종래의 상기 여러가지 문제를 해결할 수 있어, 전자부품과 기판 등의 접속시에 도전성 입자의 유동을 억제하여 쇼트의 발생을 방지함과 동시에, 높은 입자 포착률을 확보함으로써 뛰어난 도통 신뢰성을 얻을 수 있으며, 게다가 용이하게 사용가능한 2층 구조의 이방성 도전막 및 그 효율적인 제조방법, 및 상기 이방성 도전막을 이용하여 입자 포착률이 높고 뛰어난 도통 신뢰성을 가진 전자부품과 기판 등의 접합체를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 이방성 도전막의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.

도 2는 도전성 입자의 일례를 나타내는 개략 설명도이다.

도 3은 박리시험을 설명하기 위한 개념도이다.

도 4a는 본 발명의 이방성 도전막의 사용예의 일례를 나타내는 개략 설명도(그 1)이다.

도 4b는 본 발명의 이방성 도전막의 사용예의 일례를 나타내는 개략 설명도 (그 2)이다.

도 5a는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 1)이다.

도 5b는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 2)이다.

도 5c는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 3)이다.

도 5d는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 4)이다.

도 5e는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 5)이다.

도 5f는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 6)이다.

도 5g는 실시예 1의 이방성 도전막의 제조방법을 나타내는 공정도(그 7)이다.

도 5h는 실시예 1의 이방성 도전막을 나타내는 개략 설명도이다.

도 6a는 실시예 2의 이방성 도전막의 제조방법에서 도전성 입자 함유층 형성공정을 나타내는 개략 설명도(그 1)이다.

도 6b는 실시예 2의 이방성 도전막의 제조방법에서 도전성 입자 함유층 형성공정을 나타내는 개략 설명도(그 2)이다.

도 6c는 실시예 2의 이방성 도전막을 나타내는 개략 설명도이다.

도 7a는 실시예 3의 이방성 도전막의 제조방법에서 자외선의 조사방법을 나타내는 개략 설명도이다.

도 7b는 실시예 3의 이방성 도전막을 나타내는 개략 설명도이다.

(이방성 도전막)

본 발명의 이방성 도전막은 절연층과 도전성 입자 함유층을 적어도 가지고 이루어지며, 베이스 필름을 가져도 되고, 또 그 밖의 층을 가져도 된다.

여기서, 본 발명의 이방성 도전막의 일례를 도면을 이용하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 이방성 도전막의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 이방성 도전막은 도전성 입자 함유층(10)과, 도전성 입자 함유층(10) 상에 적층된 절연층(20)을 가지고 이루어진다.

절연층(20)은 절연성 수지 조성물(22)로 형성되어 이루어진다.

도전성 입자 함유층(10)은 광 및 열경화성 수지 조성물(12)과 도전성 입자(14)를 포함하고, 도전성 입자(14)는 절연층(20)측의 계면에 단층 배열하고 있다. 또한, 도전성 입자 함유층(10)의 두께방향에서 도전성 입자(14)가 존재하는 측에서 도전성 입자(14)가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮아지고, 즉 경화도가 경사져 있고, 경화도가 높은 영역에서는 도전성 입자(14)가 절연층(20)측의 계면에 단층 배열한 상태로 고정되어 있다. 한편, 도전성 입자 함유층(10)에서 도전성 입자(14)가 존재하지 않는 측은 경화도가 낮은 상태 내지 미경화 상태이고, 광 및 열경화성 수지 조성물(12)이 접착성을 가진다.

또, 상기 미경화 상태란, 경화가 완전히 행해지지 않아 가압력을 부여하면 수지가 유동성을 나타내는 상태를 의미한다.

[절연층]

상기 절연층은 절연성 수지 조성물로 형성되어 이루어진다.

-절연성 수지 조성물-

상기 절연성 수지 조성물은 절연성 수지를 적어도 포함하고, 필요에 따라 적절히 선택한 기타 성분을 포함하여 이루어진다.

--절연성 수지--

상기 절연성 수지로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 내열성 및 신뢰성이 높은 점에서 열경화성 수지가 바람직하고, 예를 들면 에폭시 수지를 적합하게 들 수 있다.

상기 에폭시 수지로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이러한 에폭시 수지는 할로겐화되어도 되고, 수소 첨가되어도 된다. 또한, 이러한 에폭시 수지는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

--기타 성분--

상기 기타 성분으로서는 본 발명의 효과를 해치지 않는 한 특별히 제한은 없고 목적에 따라 공지의 첨가제 중에서 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들면 상기 에폭시 수지의 경화제(잠재성 경화제)를 적합하게 들 수 있다.

상기 잠재성 경화제는 특정 온도에서 경화제의 기능을 발휘하는 것을 의미하고, 해당 경화제로서는, 예를 들어 아민류, 페놀류, 산무수물류, 이미다졸류, 디시안디아미드 등 통상의 에폭시 수지의 경화제로서 사용되고 있는 것을 들 수 있다. 또, 경화 촉진제로서 통상 사용되고 있는 3급 아민류, 유기인계 화합물을 적절히 사용해도 된다.

상기 절연층의 두께로서는 특별히 제한은 없고 후술하는 도전성 입자 함유층의 두께와의 관계에서 적절히 선택할 수 있지만, 5 내지 20㎛가 바람직하고, 8 내지 15㎛가 보다 바람직하다.

상기 두께가 5㎛미만이면 범프 사이에서 수지 충전율이 감소할 수 있고, 20㎛를 넘으면 접속 불량의 발생 원인이 될 수 있다.

[도전성 입자 함유층]

상기 도전성 입자 함유층은 광 및 열경화성 수지 조성물과 도전성 입자를 적어도 포함하고, 필요에 따라 적절히 선택한 기타 성분을 포함하여 이루어진다.

-광 및 열경화성 수지 조성물-

상기 광 및 열경화성 수지 조성물로서는, 광 및 열경화성 수지(광 및 열에 의해 경화하는 수지)를 적어도 포함하는 한 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절 히 선택할 수 있다.

--광 및 열경화성 수지--

상기 광 및 열경화성 수지로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들어 (메트)아크릴 수지를 적합하게 들 수 있다.

상기 아크릴 수지로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜 테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 상기 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 한 것을 들 수 있고, 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 상기 광 및 열경화성 수지 조성물은 경화성분으로서 (메트)아크릴계 모노머를 포함하고 있는 것이 바람직하다.

상기 (메트)아크릴계 모노머로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트를 들 수 있다.

상기 광 및 열경화성 수지 조성물은 경화용 광의 조사에 의한 수지의 경화를 촉진시킬 수 있는 점에서 광중합 개시제를 더 포함하는 것이 바람직하고, 본 발명의 상기 이방성 도전막을 이용하여 전자부품 등과 기판 등을 접합할 때 가열처리에 의한 수지의 경화를 촉진시킬 수 있는 점에서 열경화성 개시제를 더 포함하는 것이 바람직하다.

--광중합 개시제--

상기 광중합 개시제로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 벤조인에틸에테르, 이소프로필벤조인에테르 등의 벤조인에테르; 벤질히드록시시클로헥실 페닐 케톤 등의 벤질케탈; 벤조페논, 아세트페논 등의 케톤류 및 그 유도체; 티옥산톤류; 비스이미다졸류; 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 또한, 이러한 광중합 개시제에 필요에 따라 아민류, 황화합물, 인화합물 등의 증감제를 임의의 비로 첨가해도 된다.

상기 광중합 개시제의 첨가량으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 상기 광 및 열경화성 수지 100질량부에 대해 0.1 내지 5질량부가 바람직하다.

상기 첨가량이 0.1질량부 미만이면 경화 불량을 초래할 수 있고, 5질량부를 넘으면 접착력의 저하를 초래할 수 있다.

--열경화성 개시제--

상기 열경화성 개시제로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 디아실퍼옥사이드류, 퍼옥시디카보네이트류, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈류, 디알킬퍼옥사이드류, 하이드로퍼옥사이드류, 시릴퍼옥사이드류 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

상기 디아실퍼옥사이드류로서는, 예를 들어 이소부틸퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 3,5,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드, 스테아로일퍼옥사이드, 숙시닉퍼옥사이드, 벤조일퍼옥시톨루엔, 벤조일퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

상기 퍼옥시디카보네이트류로서는, 예를 들어 디-n-프로필 퍼옥시디카보네이트, 디이소프로필 퍼옥시디카보네이트, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 디-2-에톡시메톡시 퍼옥시디카보네이트, 디(2-에틸헥실퍼옥시)디카보네이트, 디메톡시부틸 퍼옥시디카보네이트, 디(3-메틸-3-메톡시부틸퍼옥시)디카보네이트 등을 들 수 있다.

상기 퍼옥시에스테르류로서는, 예를 들어 쿠밀 퍼옥시네오데카노에이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 퍼옥시네오데카노에이트, 1-시클로헥실-1-메틸에틸 퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시네오데카노에이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-디-(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, 1-시클로헥실-1-메틸에틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노네이트, t-부틸퍼옥시라우레이트, 2,5-디 메틸-2,5-디(m-톨루오일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, t-부틸퍼옥시아세테이트 등을 들 수 있다.

상기 퍼옥시케탈류로서는, 예를 들어 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-(t-부틸퍼옥시)시클로도데칸, 2,2-비스(t-부틸퍼옥시)데칸 등을 들 수 있다.

상기 디알킬퍼옥사이드류로서는, 예를 들어 α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, t-부틸쿠밀 퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

상기 하이드로퍼옥사이드류로서는, 예를 들어 디이소프로필벤젠 하이드로 퍼옥사이드, 쿠멘 하이드로 퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

상기 실릴 퍼옥사이드류로서는, 예를 들어 t-부틸트리메틸실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디메틸실릴 퍼옥사이드, t-부틸트리비닐실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디비닐실릴 퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)비닐실릴 퍼옥사이드, t-부틸트리알릴 실릴 퍼옥사이드, 비스(t-부틸)디알릴실릴 퍼옥사이드, 트리스(t-부틸)알릴실릴 퍼옥사이드 등을 들 수 있다.

상기 열경화성 개시제의 첨가량으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 상기 광 및 열경화성 수지 100질량부에 대해 1 내지 15질량부가 바람직하다.

상기 첨가량이 1질량부 미만이면 경화 불량을 초래할 수 있고, 15질량부를 넘으면 보존안정성의 저하를 초래할 수 있다.

-도전성 입자-

상기 도전성 입자로서는 특별히 제한은 없고, 종래의 이방성 도전 접착제에서 이용되고 있는 것과 같은 구성의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 납땜, 니켈 등의 금속 입자; 금속(니켈, 금, 알루미늄, 구리 등) 도금으로 피복된 수지 입자, 유리 입자 혹은 세라믹 입자; 또 이들을 절연 피복한 입자; 등을 들 수 있다. 이러한 도전성 입자를 이용하면, 접합하는 단자 및 기판 배선의 평활성의 편차를 흡수하여 제조시의 프로세스 마진을 확보할 수 있는 것 외에 응력에 의해 접속점이 떨어진 경우에도 도통을 확보할 수 있고 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.

상기 도전성 입자 중에서도 금속 피복 수지 입자, 예를 들어 니켈 금 도금 피복 수지 입자가 바람직하고, 단자 간에 상기 도전성 입자가 들어감으로써 생기는 쇼트를 방지 가능한 점에서 상기 금속 피복 수지 입자가 절연 수지에 의해 피복되어 이루어진 절연 입자가 보다 바람직하다.

즉, 도 2에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 IC칩과 유리기판을 접합하는 경우, IC칩에서의 범프와 유리기판에서의 ITO전극의 사이에 상기 도전성 입자를 끼워넣어 부서지게 함으로써 범프와 ITO전극을 전기적으로 접속한다. 이 때, 범프의 높이에 편차가 있어도 부서진 상기 도전성 입자에 의해 이 편차를 흡수할 수 있다. 한편, 전기적 접속에 기여하지 않는 상기 도전성 입자는 범프 사이에 들어가 막혀 버릴 수 있다.

여기서, 상기 도전성 입자가, 예를 들어 도 2의 (A)에 나타내는 구조를 가진 NiAu 피복 수지 입자인 경우, 최외층이 금속으로 형성되어 있기 때문에 쇼트가 생길 수 있다. 이에 대해, 도 2의 (B)에 나타내는 구조를 가진 절연 입자인 경우, 범프와 ITO전극 간에 부서진 입자는 최외층의 절연 코트가 깨지기 때문에 범프와 ITO전극을 전기적으로 접속할 수 있다. 한편, 전기적 접속에 기여하지 않는 절연 입자가 범프 사이에 들어가 막혀 버렸다고 해도, 절연 수지에 의해 피복되어 있으므로 쇼트를 일으키는 일이 없다. 이 때문에, 도 2의 (B)에 나타내는 절연 입자를 이용하면, 도전성 입자를 많이 배합할 수도 있고, 범프 면적의 협소화에 의한 미소 면적 접속에 유리하다.

상기 도전성 입자의 평균 입경으로서는, 예를 들어 부피 평균 입경으로 2 ~ 1O㎛가 바람직하고, 2 ~ 5㎛가 보다 바람직하다.

상기 평균 입경이 2㎛미만이면 도통 신뢰성이 저하될 수 있고, 10㎛을 넘으면 절연 신뢰성이 저하될 수 있다.

상기 도전성 입자의 첨가량으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 상기 광 및 열경화성 수지 100질량부에 대해 1 내지 100질량부가 바람직하다.

상기 첨가량이 1질량부 미만이면 도통이 불충분하게 될 수 있고, 100질량부를 넘으면 쇼트되기 쉬워질 수 있다.

상기 도전성 입자는 상기 절연층측의 계면에 단층 배열하는 것이 필요하다. 이 경우, 본 발명의 상기 이방성 도전막을 이용하여, 예를 들어 전자부품과 기판을 접합할 때, 접합부분이 되는 단자(범프)의 면적이 작은 경우에도 해당 범프에 상기 도전성 입자를 보다 많이 포착시킬 수 있는 점에서 유리하다.

-기타 성분-

상기 기타 성분으로서는 본 발명의 효과를 해치지 않는 한 특별히 제한은 없고 목적에 따라 공지의 첨가제 중에서 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 실란 커플링제 등을 들 수 있다.

상기 기타 성분의 첨가량으로서는 특별히 제한은 없고, 상기 광 및 열경화성 수지, 상기 광중합 개시제, 상기 열경화성 개시제, 상기 도전성 입자 등의 첨가량과의 관계에서 적절히 선택할 수 있다.

<경화도>

상기 도전성 입자 함유층에서는, 그 두께방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮아지고 있는 것이 필요하다. 즉, 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서는 상기 경화도가 높고, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측으로 향함에 따라 상기 경화도가 서서히 낮게 되어, 상기 경화도가 경사져 있다.

이 경우, 상기 경화도가 높은 영역에서는 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열한 상태로 고정되어 있어, 본 발명의 상기 이방성 도전막을 이용하여, 예를 들어 전자부품과 기판 등을 접합하면, 이들의 압착시에 상기 도전성 입자가 유동하지 않으므로 접합부분, 예를 들어 단자(범프)에 포착되는 상기 도전 성 입자의 수를 증가(입자 포착률을 향상)시킬 수 있는 점에서 유리하다. 또한, 상기 도전성 입자 함유층에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측은 상기 경화도가 낮은 상태 내지 미경화 상태이므로 태키성(점착성)을 가진다. 이 때문에, 전자부품과 기판 등을 접합할 때, 기판 등과의 접착성을 담보할 수 있고, 상기 이방성 도전막의 압착시의 위치 어긋남을 방지할 수 있다.

상기 경화도가 경사져 있는 것은, 예를 들어 박리시험을 하여 상기 도전성 입자 함유층에서의 박리면에 층 계면이 명확하게 존재하는지를 관찰함으로써 확인할 수 있으며, 상기 층 계면이 명확하게 존재하지 않는 경우에는 상기 경화도가 경사져 있고, 상기 층 계면이 명확하게 존재하는 경우에는 상기 경화도가 경사져 있지 않다(완전 경화 상태이고, 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 경화도가 균일함)고 판단할 수 있다.

상기 박리시험은 도 3에 나타내는 바와 같이, 예를 들어 도전성 입자 함유층(10)의 도전성 입자(14)가 존재하지 않는 측의 표면에 점착 테이프(16)를 붙인 후 점착 테이프(16)를 박리함으로써 행할 수 있다. 상기 경화도가 경사져 있는 경우, 도전성 입자 함유층(10)에서의 경화도가 낮은 상태 내지 미경화 상태인 수지가 점착 테이프(16)와 함께 박리되지만, 상기 경화도가 도전성 입자 함유층(10)의 두께방향에서 점차 낮게 되어 있기 때문에 박리면은 요철 형상이고 층 계면이 명확하게 존재하지 않는다. 한편, 종래예에 나타내는 바와 같이 경화도가 경사져 있지 않은 경우, 도전성 입자 함유층(15)과 접하는 하나의 절연층(20)의 표면에 점착 테이프(16)를 붙인 후 점착 테이프(16)를 박리하면, 도전성 입자 함유층(15)이 완전 경 화 상태이기 때문에 도전성 입자 함유층(15)과 절연층(20)의 층 계면에서 박리되고, 절연층(20)이 점착 테이프(16)측으로 이동하여 그 박리면은 대략 평면형상이고 층 계면이 명확하게 존재한다.

상기 도전성 입자 함유층은, 상기 도전성 입자가 존재하는 면측에서 경화용 광을 조사함으로써 얻는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자가 존재하는 면측에서 경화용 광을 조사함으로써, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 도전성 입자가 존재하는 측의 상기 광 및 열경화성 수지 조성물을 경화할 수 있다.

또한, 상기 경화용 광의 조사는, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태 및 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태의 적어도 어느 하나에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 상기 경화도에 경사를 만들 수 있다. 즉, 상기 산소는 라디칼 중합반응의 반응 저해 물질이기 때문에, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태로 함으로써 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 경화도를 저하시킬 수 있다. 또한, 상기 경화용 광 흡수재는 상기 경화용 광을 흡수하므로, 상기 도전성 입자가 존재하는 면측에서 조사된 경화용 광의 투과가 차폐되고, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 경화도를 저하시킬 수 있다.

상기 경화용 광의 조사시에는, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 도전성 입자가 존재하는 측의 표면에 투명 박리 PET시트 등의 기재를 붙여 대기중의 산소를 차폐하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 도전성 입자가 존재하는 측의 표면은 상기 라디칼 중합반응의 반응 저해 물질로서의 상기 산소와 접촉하지 않기 때문에 광경화된다.

또, 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태로 상기 경화용 광을 조사하는 경우, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면은 개방계로서 산소와 접촉시켜도 되고, 상기 투명 박리 PET시트 등을 붙임으로써 산소를 차폐해도 된다.

상기 경화용 광으로서는 사용하는 상기 광 및 열경화성 수지 조성물의 특성에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 자외선, 레이저광, X선, 전자선 등을 들 수 있다.

상기 경화용 광이 자외선인 경우, 해당 자외선의 광원으로서는, 예를 들어 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, 무전극 램프 등을 들 수 있다.

상기 자외선의 조사량으로서는 상기 광원의 성능에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 일반적으로는 0.2 ~ 20J/cm²의 범위에서 충분히 경화시킬 수 있다.

상기 경화용 광 흡수재로서는 상기 경화용 광을 흡수하여, 해당 경화용 광의 투과를 차폐하는 기능을 가진 한 특별히 제한은 없으며 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들어 카본 등을 적합하게 들 수 있다.

상기 도전성 입자 함유층의 두께로서는 특별히 제한은 없고 상기 도전성 입자의 평균 입경, 상기 절연층의 두께와의 관계에서 적절히 선택할 수 있지만, 3 ~ 20㎛가 바람직하고, 4 ~ 10㎛가 보다 바람직하다.

상기 두께가 3㎛미만이면 경화도의 경사를 얻기 어려울 수 있고, 20㎛을 넘으면 접속 불량의 원인이 될 수 있다.

본 발명의 상기 이방성 도전막은, 상기 도전성 입자 함유층 및 상기 절연층으로 이루어진 적층구조를 가진 한 그 형상으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들어 폭이 1 ~ 5mm이고, 길이가 10 ~ 300m인 장척형상이고, 릴에 감겨 이루어진 것이 바람직하다. 이 경우, 반송 및 보관이 용이하다.

본 발명의 상기 이방성 도전막의 총 두께로서는 특별히 제한은 없고, 상기 절연층 및 상기 도전성 입자 함유층의 두께와의 관계에서 적절히 선택할 수 있지만, 상기 절연층 및 상기 도전성 입자 함유층의 적층구조 부분의 총 두께로서는 10 ~ 50㎛가 바람직하고, 10 ~ 30㎛가 보다 바람직하다.

상기 총 두께가 1O㎛미만이면 범프 사이의 수지 충전율이 감소할 수 있고, 50㎛를 넘으면 접속 불량의 발생 원인이 될 수 있다.

-사용예-

본 발명의 상기 이방성 도전막의 사용예로서, 예를 들어 액정화면 제어용 IC칩과 ITO 유리기판의 접합체에 대한 적용예를 이하에 도면을 이용하여 설명한다.

도 4a에 나타내는 바와 같이, ITO 유리기판(40)에서의 ITO전극(42)측에 이방성 도전막에서의 도전성 입자 함유층(10)을 접촉시키고, 액정화면 제어용 IC칩(30)에서의 범프(32)측에 절연층(20)을 접촉시키도록 도 1에 나타내는 이방성 도전막을 배치하여 가압착한다. 그리고, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 열 및 압력에 의해 이 들을 압착하면, 절연층(20)에서의 수지는 유동성을 가지기 때문에 범프(32)에 밀어 제쳐진 상태로 열경화한다. 도전성 입자 함유층(10)의 두께방향에서 도전성 입자(14)가 존재하는 측은 경화도가 높고 도전성 입자(14)가 고정되어 있으므로, 도전성 입자(14)가 유동하지 않고 높은 포착률로 범프(32)에 포착된다. 한편, 도전성 입자 함유층(10)의 도전성 입자(14)가 존재하지 않는 측으로 향하여 경화도가 점차 낮게 되어 있으므로, 도전성 입자(14)가 존재하지 않는 측의 수지는 범프(32)로부터의 압착력에 의해 유동하여 배제되고, ITO전극(42)과 도전성 입자(14)의 접촉을 방해하지 않는 상태로 열경화한다. 이상에 의해, 액정표시용 IC칩(30)과 ITO 유리기판(40)의 접합체가 형성되고, 도전성 입자(14)를 개재하여 범프(32)와 ITO전극(42)의 도통이 도모된다.

본 발명의 이방성 도전막은, 상기 도전성 입자 함유층에서 상기 경화도에 경사가 마련되어 있으므로, 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서는 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열한 상태로 고정되어 있는 반면, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 상기 경화도가 점차 낮게 되어 태키성을 가진다. 이 때문에, 2층 구조(NCF/ACF)이면서 종래의 3층 구조(NCF/ACF/NCF)의 이방성 도전막과 같은 기능을 발휘한다. 게다가, 본 발명의 상기 이방성 도전막은 용이하게 사용할 수 있고, 전자부품과 기판 등의 접속에 이용하면, 접속시에 상기 도전성 입자의 유동을 억제하여 쇼트의 발생을 방지함과 동시에, 높은 입자 포착률을 확보함으로써 뛰어난 도통 신뢰성을 얻을 수 있다.

본 발명의 상기 이방성 도전막은 각종 전자부품 등과 기판, 기판끼리 등의 접합에 적합하게 사용할 수 있고, 예를 들어 IC태그, IC카드, 메모리 카드, 플랫 패널 디스플레이 등의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.

본 발명의 이방성 도전막의 제조방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 이하의 본 발명의 이방성 도전막의 제조방법에 의해 적합하게 제조할 수 있다.

(이방성 도전막의 제조방법)

본 발명의 이방성 도전막의 제조방법은 도전성 입자 함유층 형성공정과 절연층 적층공정을 적어도 포함하고, 필요에 따라 적절히 선택한 기타 공정을 포함한다.

<도전성 입자 함유층 형성공정>

상기 도전성 입자 함유층 형성공정은, 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층의 한쪽 면측에 도전성 입자를 단층 배열시키고, 상기 한쪽 면측에서 경화용 광을 조사함으로써 도전성 입자 함유층을 형성하는 공정이다.

또, 상기 광 및 열경화성 수지 조성물, 상기 도전성 입자 및 상기 경화용 광의 상세에 대해서는 상술한 바와 같다.

상기 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층의 한쪽 면측에 상기 도전성 입자를 단층 배열시키는 방법으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 (1) 기재 상에 상기 도전성 입자를 부여한 후, 예를 들어 판상의 부재 등에 의해 표면을 똑같이 단층 배열시키고, 배열한 상기 도전성 입자를 상기 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층에 밀어 넣는 방법, (2) 에어 튜브를 이용하여 일정 속도로 수평방향에서 상기 도전성 입자를 상기 기재 상에 산포하여 단층 배열시킨 후, 배열한 상기 도전성 입자를 상기 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층에 밀어 넣는 방법, (3) 상기 도전성 입자를 포함하는 광 및 열경화성 수지 용액을 바코터 등을 이용하여 상기 기재 상에 도포한 후 용제를 증발시키는 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 조작이 용이하고 상기 도전성 입자의 단층화를 정밀도 높게 행할 수 있는 점에서 상기 (3)의 방법이 바람직하다.

또, 상기 기재로서는 그 형상, 구조, 크기, 두께, 재료(재질) 등에 대해 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 박리성이 양호한 것이 바람직하고, 예를 들어 투명한 박리 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트)시트 등을 적합하게 들 수 있다.

상기 경화용 광의 조사는, 상기 도전성 입자 함유층에서의 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태 및 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태의 적어도 어느 하나에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 상기 경화도에 경사를 만들 수 있다. 즉, 상기 산소는 라디칼 중합반응의 반응 저해 물질이기 때문에, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태로 함으로써 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 경화도를 저하시킬 수 있다. 또한, 상기 경화용 광 흡수재는 상기 경화용 광을 흡수하므로, 상기 도전성 입자가 존재하는 면측에서 조사된 경화용 광의 투과가 차폐되고, 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 경화도를 저하시킬 수 있다.

또, 상기 경화용 광 및 상기 경화용 광 흡수재의 상세에 대해서는 상술한 바와 같다.

상기 경화용 광의 조사시에는, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 도전성 입자가 존재하는 측의 표면에 투명 박리 PET시트 등의 상기 기재를 붙여 대기중의 산소를 차폐하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 도전성 입자가 존재하는 측의 표면은 상기 라디칼 중합반응의 반응 저해 물질로서의 상기 산소와 접촉하지 않기 때문에 광경화된다.

이상의 공정에 의해, 상기 광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층의 한쪽 면측에 상기 도전성 입자가 단층 배열되고, 상기 한쪽 면측에서 상기 경화용 광이 조사됨으로써 상기 도전성 입자 함유층이 형성된다.

<절연층 적층공정>

상기 절연층 적층공정은, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 한쪽 면(상기 도전성 입자가 존재하는 측의 면)에 절연성 수지 조성물로 형성된 절연층을 적층하는 공정이다.

상기 절연층의 형성방법으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 절연성 수지 조성물을 포함하는 용액을 상기 기재 상에 도포하는 방법을 들 수 있다.

또, 상기 절연성 수지 조성물의 상세 및 상기 절연층의 두께 등 여러가지 물성에 대해서는 상술한 바와 같다.

상기 절연층의 상기 도전성 입자 함유층에의 적층방법으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 상기 도전성 입자 함유층 상에 상기 절연층을 라미네이트하는 방법을 들 수 있다.

이상의 공정에 의해, 상기 도전성 입자 함유층의 상기 한쪽 면에 상기 절연성 수지 조성물로 형성된 상기 절연층이 적층된다.

이상에 의해, 상기 절연층 및 상기 도전성 입자 함유층으로 이루어진 2층 구조의 이방성 도전막이 얻어진다.

본 발명의 이방성 도전막의 제조방법에 의하면, 2층 구조의 이방성 도전막의 제조 라인을 사용할 수 있고, 종래의 3층 구조의 이방성 도전막의 제조에 비해 층형성 공정수를 삭감할 수 있어 효율적이다. 게다가 종래의 3층 구조의 이방성 도전막에서는 ACF층의 두께를 5㎛이하로 형성하는 것이 필요하여, 정밀도 높고 균일한 도포두께를 얻기 어려웠지만, 본 발명에서는 ACF층 및 NCF층을 일체화시킨 상기 도전성 입자 함유층을 형성하면 충분하므로, 얇은 도포두께를 확보할 필요가 없고 통상의 도포기를 사용해도 용이하게 제조할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 상기 이방성 도전막의 제조방법은 본 발명의 상기 이방성 도전막의 제조에 특히 적합하게 사용할 수 있다.

(접합체)

본 발명의 접합체는, 본 발명의 상기 이방성 도전막을 개재하여 전자부품 및 기판에서 선택되는 2종 이상이 전기적으로 접합되어 이루어진다. 즉, 상기 전자부품에서의 단자와 상기 기판에서의 전극 또는 단자의 사이, 혹은 상기 기판끼리에서의 단자 사이에 상기 도전성 입자가 끼워져 부서짐으로써 상기 단자와 상기 전극의 도통이 도모되고 있다.

또, 본 발명의 상기 이방성 도전막의 상세에 대해서는 상술한 바와 같다.

상기 전자부품으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 IC칩, 예를 들어 플랫 패널 디스플레이(FPD)에서의 액정화면 제어용 IC칩, 액정 패널 등을 들 수 있다.

상기 기판으로서는 특별히 제한은 없고 목적에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 ITO 유리기판, 플렉시블 기판, 리지드 기판, 플렉시블 프린트 기판 등을 들 수 있다.

상기 전자부품과 상기 기판의 접합부분(또는 상기 기판끼리의 접합부분), 즉 단자(범프)에서의 상기 도전성 입자의 입자 포착률로서는 도통 신뢰성 확보의 점에서 높을수록 바람직하고, 예를 들어 80% 이상이 바람직하며, 90% 이상이 보다 바람직하다.

여기서, 상기 입자 포착률이란, 상기 전자부품과 상기 기판의 접합 전후의 단자의 단위면적당 상기 도전성 입자 수의 비를 의미한다.

[입자 포착률의 측정]

상기 입자 포착률은 하기 방법에 의해 측정할 수 있다.

(1) 우선, 상기 전자부품과 상기 기판의 압착 전의 상기 도전성 입자 함유층의 상기 도전성 입자의 수를 현미경을 이용하여 센다.

(2) 다음에, 상기 전자부품과 상기 기판을 압착한 후 단자(범프) 상에 포착된 상기 도전성 입자의 수를 현미경을 이용하여 센다. 이 때, 명백히 도통에 관여하고 있다고 판단되는 도전성 입자만을 카운트하고, 상기 범프 단부에 존재할 뿐인 도전성 입자나 그 일부가 상기 범프에서 밀려나온 도전성 입자, 또한 입자의 부서짐이 불충분한 도전성 입자의 수는 카운트하지 않는다.

(3) 그리고, 상기 (1) 및 (2)에 의해 구한, 상기 전자부품과 상기 기판의 압착 전후의 상기 범프의 단위면적당 상기 도전성 입자 수의 비를 산출한다. 이 비가 상기 입자 포착률에 상당한다.

본 발명의 상기 접합체는 본 발명의 상기 이방성 도전막을 이용하고 있으므로, 상기 도전성 입자의 입자 포착률이 높고 뛰어난 도통 신뢰성을 가지며 회로 간의 쇼트의 발생을 억제할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기 실시예에 전혀 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

-이방성 도전막의 제조-

<도전성 입자 함유층(ACF층) 형성공정>

하기 표 1에 나타내는 조성에 기초하여 도전성 입자 함유층 형성용 용액을 조제하였다.

[표 1]

조성	배합량(질량부)
아크릴 폴리머(「1604N」; 소켄화학 제품)	70
아크릴 모노머(「3002A」; 교에이샤화학 제품)	30
광중합 개시제(「Irganox 369」; 시바 스페셜티 케미컬즈사 제품)	1
열경화성 개시제(「Perhexa 3M」; 일본유지사 제품)	4
톨루엔	100
합계	205

얻어진 도전성 입자 함유층 형성용 용액을 바코터를 이용하여 박리 PET시트(S1) 상에 도포하고, 60℃에서 10분간 건조시켜 용제를 휘발시킴으로써 두께 10㎛의 필름(A)을 얻었다(도 5a 참조). 얻어진 필름(A)의 표면은 태키성을 가졌다.

다음에, 평균 입경이 4㎛인 Ni-Au도금 도전성 입자(P)(「브라이트 GNR-EHLCD」; 일본화학공업사 제품) 50g을 용적 0.1L의 용기 중에 넣고 에어젝터를 통과하여 유동화시켜, 에어 튜브로부터의 압력 0.5MPa로 박리 PET시트(S1) 상에 형성된 필름(A) 상에 18,000개/mm²의 비율로 산포하였다. 또, 필름(A)은 0.6m/min의 속도로 이동시키고, 에어 튜브는 필름(A)으로부터 10cm의 높이의 위치에 고정하여 일정 속도로 수평방향으로 도전성 입자(P)를 산포하였다. 그 결과, 필름(A) 상에 도전성 입자(P)가 단층 배열하였다(도 5b 참조).

필름(A) 상에 단층화된 도전성 입자(P)의 표면에 박리 PET시트(S1)보다도 두께가 얇은 박리 PET시트(S2)를 라미네이트하였다(도 5c 참조).

그리고, 롤 라미네이터(R)에 의해 박리 PET시트(S2)측에서 도전성 입자(P)를 필름(A)측으로 밀어 넣어, 도전성 입자(P)를 필름(A) 중에 넣었다(도 5d 참조). 그 후, 박리 PET시트(S2)를 박리하면, 도 5e에 나타내는 바와 같이 필름(A) 내에서의 필름(A)의 두께방향의 한쪽 면측에 도전성 입자(P)가 단층 배열하여 이루어진 도전성 입자 함유층(100)이 얻어졌다.

여기서, 단층 배열한 도전성 입자(P)의 양은 수평균으로 18,000개/mm²이고, 도전성 입자 함유층(100) 중의 도전성 입자(P)의 함유량은 부피 평균으로 3vol%/10㎛두께였다.

필름(A)에서의 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면에 투명 박리 PET시트(S3)를 라미네이트하는 반면, 반대쪽 면의 박리 PET시트(S1)를 박리하였다. 그리고, 고압 수은등을 이용하여 상기 경화용 광으로서의 자외선을 13mW/cm²의 조사량으로 1분간에 걸쳐 투명 박리 PET시트(S3)측에서 필름(A)에 대해 조사하였다(도 5f 참조). 그러면, 도전성 입자 함유층(100)의 두께방향에서 도전성 입자(P)가 존재하는 측은 광경화되는 반면, 대기중의 산소가 라디칼 중합반응의 반응 저해 물질이 되고, 도전성 입자(P)보다도 하측(도전성 입자(P)가 존재하지 않는 측)에서는 광경화되지 않아 자외선의 조사 전에는 도전성 입자 함유층(100)의 양면이 태키성을 가졌지만, 자외선의 조사 후에는 도전성 입자 함유층(100)의 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면만 태키성을 소실한 것을 알 수 있다.

<절연층(NCF층) 적층공정>

하기 표 2에 나타내는 조성에 기초하여 절연층 형성용 용액을 조제하였다.

[표 2]

조성	배합량(질량부)
에폭시 수지(「EP828」; Yuka Shell Epoxy 제품)	40
페녹시 수지(「PKHH」; 유니온 카바이드 제품)	30
잠재성 경화제(「HX3941HP」; 아사히화성 제품)	30
톨루엔	100
합계	200

얻어진 절연층 형성용 용액을 바코터를 이용하여 박리 PET시트(S4) 상에 도포하고, 60℃에서 10분간 건조시켜 용제를 휘발시킴으로써 두께 10㎛의 필름(B)(절연층(200))을 얻었다(도 5g 참조).

다음에, 도전성 입자 함유층(100) 상에 적층된 투명 박리 PET시트(S3)를 박리하고, 그 박리면에 절연층(200)을 적층하였다. 또한, 도전성 입자 함유층(100)의 도전성 입자(P)가 존재하지 않는 측의 면에 박리 PET시트(S5)를 라미네이트하여 이방성 도전막을 얻었다(도 5h 참조).

(실시예 2)

-이방성 도전막의 제조-

실시예 1에서 상기 도전성 입자 함유층 형성공정을 하기 방법에 의해 행한 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다.

<도전성 입자 함유층(ACF층) 형성공정>

하기 표 3에 나타내는 조성에 기초하여 도전성 입자 함유층 형성용 용액을 조제하였다.

[표 3]

조성	배합량(질량부)
2관능 아크릴 모노머(「CN112C60」; 사토머사 제품)	70
페녹시 수지(「PKHH」; 유니온 카바이드사 제품)	30
광중합 개시제(「Irgacure 369」; 시바 스페셜티 케미컬즈사 제품)	1
열경화성 개시제(유기 과산화물)(「Perhexa 3M」; 일본유지사 제품)	4
4㎛ 도전성 입자(「브라이트 GNR-EHLCD」; 일본화학공업사 제품)	80
톨루엔	100
합계	285

얻어진 도전성 입자 함유층 형성용 용액을 바코터를 이용하여 박리 PET시트(S6) 상에 도포하고, 60℃의 오븐 중에서 10분간 가열하여 용제를 휘발시켜 두께 5㎛의 필름(A)(도전성 입자 함유층(120))을 얻었다(도 6a 참조). 얻어진 필름(A)의 표면은 태키성을 가졌다.

필름(A)에서 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면에 투명 박리 PET시트(S7)를 라미네이트하는 반면, 반대쪽 면의 박리 PET시트(S6)를 박리하였다. 그리고, UV조사기(「큐어 맥스」; 오미야화성 제품)를 이용하여 자외선을 13mW/cm²의 조사량으로 1분간에 걸쳐 투명 박리 PET시트(S7)측에서 필름(A)에 대해 조사하였다(도 6b 참조).

그 결과, 투명 박리 PET시트(S7)를 박리하면, 자외선의 조사 전에는 도전성 입자 함유층(120)의 양면이 태키성을 가졌지만, 자외선의 조사 후에는 도전성 입자 함유층(120)의 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면만 태키성을 소실한 것이 확인되었다.

그 후, 실시예 1과 같이 하여 절연층(200)을 형성하고 도전성 입자 함유층(120)에 적층하여 이방성 도전막을 얻었다(도 6c 참조).

(실시예 3)

실시예 1에서 상기 도전성 입자 함유층 형성용 용액에 상기 경화용 광 흡수재로서의 카본 블랙을 첨가함과 동시에, 해당 도전성 입자 함유층 형성용 용액의 조성을 하기 표 4에 나타내는 조성으로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다.

<도전성 입자 함유층(ACF층) 형성공정>

하기 표 4에 나타내는 조성에 기초하여 도전성 입자 함유층 형성용 용액을 조제하였다.

[표 4]

조성	배합량(질량부)
아크릴 폴리머(「PML103」; 소켄화학 제품)	55
아크릴 모노머(「M450」; 토아합성 제품)	45
광중합 개시제(「Irganox 369」; 시바 스페셜티 케미컬즈사 제품)	1
열경화성 개시제(「Perhexa 3M」; 일본유지사 제품)	4
경화용 광 흡수재(카본 블랙)(「아사히 서멀」; 아사히카본사 제품, 평균 입경 80nm)	1
톨루엔	100
합계	206

다음에, 평균 입경이 4㎛인 Ni-Au도금 도전성 입자(P)(「브라이트 GNR-EHLCD」; 일본화학공업사 제품) 50g을 용적 0.1L의 용기 중에 넣고 에어젝터를 통과하여 유동화시켜, 에어 튜브로부터의 압력 0.5MPa로 박리 PET시트(S1) 상에 형성된 필 름(A) 상에 수평균 18,000개/mm²의 비율로 산포하였다. 또, 필름(A)은 0.6m/min의 속도로 이동시키고, 에어 튜브는 필름(A)으로부터 10cm의 높이의 위치에 고정하여 일정 속도로 수평방향으로 도전성 입자(P)를 산포하였다. 그 결과, 필름(A) 상에 도전성 입자(P)가 단층 배열하였다(도 5b 참조).

필름(A) 상에 단층화한 도전성 입자(P)의 표면에 박리 PET시트(S1)보다도 두께가 얇은 박리 PET시트(S2)를 라미네이트하였다(도 5c 참조).

그리고, 롤 라미네이터(R)에 의해 박리 PET시트(S2)측에서 도전성 입자(P)를 필름(A)측으로 밀어 넣어, 도전성 입자(P)를 필름(A) 중에 넣었다(도 5d 참조). 그 후, 박리 PET시트(S2)를 박리하면, 도 5e에 나타내는 바와 같이 필름(A) 내에서 필름(A)의 두께방향의 한쪽 면측에 도전성 입자(P)가 단층 배열하여 이루어진 도전성 입자 함유층(100)이 얻어졌다.

필름(A)에서 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면에 투명 박리 PET시트(S3)를 라미네이트하였다. 또, 박리 PET시트(S1)는 있어도 되고 박리해도 된다. 그리고, 고압 수은등을 이용하여 자외선을 13mW/cm²의 조사량으로 1분간에 걸쳐 박리 PET시트(S3)측에서 필름(A)에 대해 조사하였다(도 7a 참조). 그러면, 도전성 입자 함유층(100)의 두께방향에서 도전성 입자(P)가 존재하는 측은 광경화되는 반면, 카본 블랙(C)이 자외선을 흡수하여 자외선의 투과를 가로막아, 도전성 입자(P)보다도 하측(도전성 입자(P)가 존재하지 않는 측)에서는 광경화되지 않아 투명 박리 PET시트(S3)를 박리하면, 자외선의 조사 전에는 도전성 입자 함유층(100)의 양면이 태키성을 가졌지만, 자외선의 조사 후에는 도전성 입자 함유층(100)에서의 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면만 태키성을 소실한 것이 확인되었다.

그 후, 실시예 1과 같이 하여 절연층(200)을 형성하였다. 다음에, 도전성 입자 함유층(100)에서의 투명 박리 PET시트(S3)의 박리면에 절연층(200)을 적층하여 이방성 도전막을 얻었다(도 7b 참조).

(비교예 1)

-이방성 도전막의 제조-

실시예 1에서 상기 자외선의 조사를 하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전막에서는 도전성 입자 함유층이 미경화 상태이고, 그 양면 모두 태키성을 가졌다.

(비교예 2)

-이방성 도전막의 제조-

실시예 1에서 상기 자외선의 조사시에 필름(A)에서 도전성 입자(P)가 존재하는 측의 면과는 반대쪽 면의 박리 PET시트(S1)를 박리하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전막에서는 상기 자외선의 조사시에 박리 PET시트(S1)를 박리하지 않았으므로, 대기중의 산소에 의한 라디칼 중합반응이 저해되지 않고, 도전성 입자 함유층은 그 두께방향에서 균일 하게 광경화되고 양면 모두 태키성을 가지지 않았다.

(비교예 3)

-이방성 도전막의 제조-

실시예 1에서 상기 도전성 입자 함유층 형성용 용액의 조성을 하기 표 5에 나타내는 조성으로 바꾸어 도전성 입자 함유층을 형성한 후 상기 자외선의 조사를 하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전막은 종래의 2층 구조의 이방성 도전막에 상당하고, 도전성 입자 함유층은 미경화 상태의 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있으며, 그 양면 모두 태키성을 가졌다.

[표 5]

조성	배합량(질량부)
에폭시 수지(「EP828」; Yuka Shell Epoxy 제품)	40
페녹시 수지(「PKHH」; 유니온 카바이드 제품)	30
잠재성 경화제(「HX3941HP」; 아사히화성 제품)	30
4㎛ 도전성 입자(「브라이트 GNR-EHLCD」; 일본화학공업사 제품)	10
톨루엔	100
합계	210

(비교예 4)

-이방성 도전막의 제조-

실시예 3에서 상기 자외선의 조사를 하지 않은 것 이외에는 실시예 3과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전막에서는 도전성 입자 함유층이 미경화 상태이고, 그 양면 모두 태키성을 가졌다.

(비교예 5)

-이방성 도전막의 제조-

실시예 3에서 상기 도전성 입자 함유층 중에 상기 경화용 광 흡수재로서의 카본 블랙을 첨가하지 않은 것 이외에는 실시예 3과 같이 하여 이방성 도전막을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전막에서는 상기 도전성 입자 함유층 중에 카본 블랙을 포함하지 않으므로, 상기 자외선의 조사시에 라디칼 중합반응이 저해되지 않고, 도전성 입자 함유층은 그 두께방향에서 균일하게 광경화되고 양면 모두 태키성을 가지지 않았다.

<경화도의 경사 확인 실험>

이상에 의해 얻어진 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 이방성 도전막에서 상기 도전성 입자 함유층의 두께방향에서의 경화도의 경사 유무를 하기 박리시험에 의해 확인하였다.

[박리시험]

우선, 도전성 입자 함유층의 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 면(절연층과는 반대쪽 면)에 점착 테이프(「T-4000」; 소니 케미컬 & 인포메이션 디바이스(주) 제품)를 붙인 후, 이 점착 테이프를 박리하였다. 그리고, 박리면을 현미경을 이용하여 관찰하였다.

그 결과, 실시예 1 내지 3의 이방성 도전막에서는, 박리면은 요철 형상으로 층 계면이 명확하게 존재하지 않고, 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 경화도가 기울어져 있는 것을 알 수 있다.

한편, 비교예 1, 비교예 3 및 비교예 4의 이방성 도전막에서는, 절연층과의 경계면에서 도전성 입자 함유층이 박리되고, 그 박리면은 대략 평면형상으로 층 계면이 명확하게 존재하여, 경화도가 경사져 있지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 2 및 비교예 5의 이방성 도전막에서는, 도전성 입자 함유층과 점착 테이프의 접착면에서 박리되고, 그 박리면에는 층 계면이 명확하게 존재하며, 경화도가 경사져 있지 않은 것을 알 수 있다.

<접합체의 제조 실험>

실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5와 같이 하여 각각 제조한 이방성 도전막을 이용하여 이하에 나타내는 ITO 유리기판과 IC칩의 접합체를 제조하였다.

·ITO 유리기판: 두께 0.7mm의 유리기판의 한쪽 면에 ITO(인듐 주석 산화물)전극이 형성된 것.

·IC칩: 2mm×20mm×0.55mm(두께)의 치수이고, 범프 면적이 2,500㎛²인 범프를 가진 것.

각 이방성 도전막의 양면에 형성된 박리 PET실을 박리하고, 도전성 입자 함유층(100)을 IC칩측, 절연층(200)을 ITO 유리기판측에 각각 배치한 상태로 이방성 도전막을 개재하여 IC칩과 ITO 유리기판을 접촉시켜 190℃, 60MPa, 10초간의 조건으로 압착하였다.

얻어진 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 5의 접합체에 대해 하기 방법에 의해 입자 포착률 및 도통저항을 측정하였다. 결과를 표 6에 나타낸다.

[입자 포착률]

(1) 우선, IC칩과 ITO 유리기판의 압착 전의 도전성 입자 함유층에서의 도전성 입자의 수를 현미경을 이용하여 셌다.

(2) 다음에, IC칩과 ITO 유리기판을 압착한 후, IC칩에서의 범프 상에 포착된 도전성 입자의 수를 현미경을 이용하여 셌다. 이 때, 명백히 도통에 관여하고 있다고 판단되는 도전성 입자만을 카운트하고, 범프 단부에 존재할 뿐인 도전성 입자나 그 일부가 범프에서 밀려나온 도전성 입자, 또한 입자의 부서짐이 불충분한 도전성 입자의 수는 카운트하지 않았다.

(3) 그리고, 상기 (1) 및 (2)에 의해 구한, IC칩과 ITO 유리기판의 압착 전후의 범프의 단위면적당 도전성 입자 수의 비를 산출하였다. 이 비가 상기 입자 포착률에 상당한다.

[도통저항]

IC칩에서의 범프와 ITO 유리기판에서의 ITO전극의 도통저항을 측정하였다. 또한, 도통저항의 측정값을 하기 기준에 기초하여 평가하였다.

-평가 기준-

○: 50mΩ이하

△: 50mΩ초과~200mΩ미만

×: 200mΩ이상.

[표 6]

	범프 1개당 입자 포착수(개)	입자 포착률(%)	도통저항
	범프 1개당 입자 포착수(개)	입자 포착률(%)	실측값(mΩ)	평가
실시예 1	41	90	50	○
실시예 2	40	90	47	○
실시예 3	38	85	62	△
비교예 1	10	25	270	×
비교예 2	ITO 유리기판에 접착하지 않음
비교예 3	21	30	55	△
비교예 4	10	25	55	△
비교예 5	ITO 유리기판에 접착하지 않음

표 6의 결과로부터, 실시예 1 ~ 3의 이방성 도전막은 종래의 2층 구조의 이방성 도전막에 상당하는 비교예 3의 이방성 도전막에 비해 손색없는 도통저항을 나타내었다. 또한, 실시예 1 ~ 3은 비교예 3에 비해 입자 포착률이 높으므로, 앞으로 출현이 예측되는 극소 사이즈의 범프에서도 충분한 수의 도전성 입자를 포착시킬 수 있다고 생각된다.

한편, 비교예 1 및 비교예 4에서는, 자외선을 조사하지 않았으므로 IC칩과 ITO 유리기판의 압착시에 도전성 입자가 유동해 버려 입자 포착률이 낮은 것을 알 수 있다.

또, 비교예 3 및 비교예 4에서는, 도통저항값은 비교적 양호하지만 입자 포착률이 매우 낮아 극소 사이즈 범프의 파인피치 접합이 어렵다고 생각된다.

또한, 비교예 2 및 비교예 5에서는, 도전성 입자 함유층의 두께방향에서 경화도에 경사를 만들지 않고 전체적으로 균일하게 경화시켰으므로, ITO 유리기판에의 접착성을 가지지 않아 접합체를 제조할 수 없었다.

본 발명의 이방성 도전막은 각종 전자부품 등과 기판, 기판끼리 등의 접합에 적합하게 사용할 수 있고, 예를 들어 IC태그, IC카드, 메모리 카드, 플랫 패널 디 스플레이 등의 제조에 적합하게 사용할 수 있다.

본 발명의 이방성 도전막의 제조방법은 이방성 도전막을 효율적으로 제조할 수 있고, 본 발명의 이방성 도전막의 제조에 특히 적합하게 사용할 수 있다.

본 발명의 접합체는 도전성 입자의 입자 포착률이 높고 뛰어난 도통 신뢰성을 가지며 회로 간의 쇼트의 발생을 억제할 수 있다.

Claims

절연성 수지 조성물로 형성된 절연층;

광 및 열경화성 수지 조성물 및 도전성 입자를 포함하고, 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열하여 이루어진 도전성 입자 함유층;을 가지고 이루어지며,

상기 도전성 입자 함유층의 두께 방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮게 되어 있는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막.
제1항에 있어서,

도전성 입자 함유층에, 도전성 입자가 존재하는 면측에서 경화용 광이 조사되어 얻어지는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막.
제2항에 있어서,

경화용 광의 조사가 도전성 입자 함유층의 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태 및 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태의 적어도 어느 하나에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막.
제1항에 있어서,

광 및 열경화성 수지 조성물에 광중합 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막.
제1항에 있어서,

광 및 열경화성 수지 조성물에 열경화성 개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막.
제1항에 있어서,

광 및 열경화성 수지 조성물에 (메트)아크릴계 모노머를 포함하고, 절연성 수지 조성물에 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막.
광 및 열경화성 수지 조성물을 포함하는 층의 한쪽 면측에 도전성 입자를 단층 배열시키고, 상기 한쪽 면측에서 경화용 광을 조사함으로써 도전성 입자 함유층을 형성하는 도전성 입자 함유층 형성공정; 및

상기 도전성 입자 함유층의 상기 한쪽 면에 절연성 수지 조성물로 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층공정;을 적어도 포함하고,

상기 경화용 광의 조사가, 상기 도전성 입자 함유층의 두께 방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮게 되도록 행해지는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
제7항에 있어서,

경화용 광의 조사가, 도전성 입자 함유층의 도전성 입자가 존재하지 않는 측의 표면을 산소와 접촉시킨 상태 및 상기 도전성 입자 함유층에 경화용 광 흡수재를 첨가한 상태의 적어도 어느 하나에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 이방성 도전막의 제조방법.
이방성 도전막을 개재하여 전자부품 및 기판에서 선택되는 2종 이상이 전기적으로 접합되어 이루어진 접합체로서,

상기 이방성 도전막이, 절연성 수지 조성물로 형성된 절연층;

광 및 열경화성 수지 조성물 및 도전성 입자를 포함하고, 상기 도전성 입자가 상기 절연층측의 계면에 단층 배열하여 이루어진 도전성 입자 함유층;을 가지고 이루어지며,

상기 도전성 입자 함유층의 두께 방향에서 상기 도전성 입자가 존재하는 측에서 상기 도전성 입자가 존재하지 않는 측에 걸쳐 경화도가 점차 낮게 되어 있는 것을 특징으로 하는 접합체.
제9항에 있어서,

전자부품 및 기판에서 선택되는 2종 이상의 접합부분에서 도전성 입자의 입자 포착률이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 접합체.