JP2011100605A - 回路接続材料及び、これを用いた回路部材の接続構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる回路接続材料、及び、この回路接続材料により接続され長期信頼性に優れた回路部材の接続構造を提供すること。
【解決手段】 回路部材の接続構造における、回路接続部材を形成するための回路接続材料であって、回路接続材料が、接着剤組成物と、表面に複数の突起を有する導電粒子とを含むものであり、導電粒子が、有機高分子化合物からなる核体と核体上に設けられた金属層とを有し、金属層中に存在して核体に通じているピンホールの数が、金属層の厚み方向の断面を観察したときに、核体と金属層との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満であることを特徴とする回路接続材料。
【選択図】 図１

Description

本発明は、回路接続材料及び、これを用いた回路部材の接続構造に関する。

液晶ディスプレイとテープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ：ＴＣＰ）との接続、フレキシブル回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）とＴＣＰとの接続、又はＦＰＣとプリント配線板との接続といった回路部材同士の接続には、接着剤中に導電粒子を分散させた回路接続材料（例えば、異方導電性接着剤）が使用されている。また、最近では半導体シリコンチップを基板に実装する場合、回路部材同士の接続のためにワイヤボンドを使用することなく、半導体シリコンチップをフェイスダウンして基板に直接実装する、いわゆるフリップチップ実装が行われている。このフリップチップ実装においても、回路部材同士の接続には異方導電性接着剤等の回路接続材料が使用されている（例えば、特許文献１〜５参照）。

ところで、近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、回路部材に形成された回路の高密度化が進展し、隣接する電極との間隔や電極の幅が非常に狭くなる傾向がある。回路電極の形成は、回路の元となる金属を基板全面に形成し、回路電極部にレジストを塗布、硬化し、それ以外の部分を酸若しくは塩基でエッチングするという工程で行われるが、上述した高密度化された回路の場合には、基板全面に形成した金属の凹凸が大きいと凹部と凸部でエッチング時間が異なるために、精密なエッチングを行えず、隣接回路間のショートや断線が発生するという問題がある。このため、高密度回路の電極表面では凹凸が小さいこと、すなわち電極表面が平坦であることが望まれている。

しかし、このような相対向する平坦な回路電極同士を、前述した従来の回路接続材料を用いて接続した場合には、回路接続材料中に含まれる導電粒子と平坦電極との間に接着剤樹脂が残り、回路電極間において十分な電気的接続及び長期信頼性を確保できないという問題があった。

そこで、導電粒子の表面に複数の突起を設けることにより、回路接続時に導電粒子と平坦電極との間の接着剤組成物を突起によって貫通し、導電粒子を回路電極に接触させる方法が考案されている（特許文献６）。

特開昭５９−１２０４３６号公報 特開昭６０−１９１２２８号公報 特開平１−２５１７８７号公報 特開平７−９０２３７号公報 特開２００１−１８９１７１号公報 特開２００５−１６６４３８号公報

接続された回路電極間の電気特性の長期信頼性をさらに高めることが求められている。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる回路接続材料、及び、この回路接続材料により接続され長期信頼性に優れた回路部材の接続構造を提供することを目的とする。

図３に示すように、従来の回路接続材料に含まれる導電粒子は、有機高分子化合物からなる核体２１と、その表面にＮｉ又はＮｉ合金をメッキにより被覆した後、更にＡｕを置換メッキによって被覆することにより設けられた金属層２４とを有している（図３（ａ）を参照）。上記課題を解決すべく本発明者らは鋭意検討した結果、導電粒子の金属層の状態が回路間同士の電気的接続に影響を及ぼす一因であることを見出した。すなわち、一般的なＡｕの置換メッキの場合、下地金属とＡｕが置換することによって析出が起こるため、下地のＮｉ又はＮｉ合金からなる第１の金属層２２が腐食し多数のピンホールが生じる（図３（ｂ）の破線枠部分６１を参照）。このピンホールは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１の金属層２２に発生し、金属層の外側からは認識されないこともある。しかし、金属層の外側に通じていないピンホール６３であっても、回路接続時に導電粒子が変形することによって、ピンホールに起因したクラック６２が最外層であるＡｕからなる第２の金属層２３まで拡大する（図４（ｂ）を参照）。この場合、回路電極（例えば、図４に示されるガラス基板５３上に設けられたＩＴＯ層５１／Ｃｒ層５２からなる電極）から導電粒子を介して電気的導通を得るには、導電経路が粒子表面の金属層のクラックの無い箇所を迂回することとなり、接続抵抗が上昇する。更に最悪の場合、金属層に生じたクラックによって導電経路が分断されて導通不能となる。

そして、本発明者等は、上記課題を解決すべく更に鋭意研究を重ねた結果、導電粒子における金属層の特定範囲に存在するピンホール数を特定の数未満にすることによって、回路電極、特にはインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を接続したときの接続信頼性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、第１の回路基板の主面上に第１の回路電極が形成された第１の回路部材と、第１の回路部材に対向して配置され、第２の回路基板の主面上に第２の回路電極が形成された第２の回路部材と、第１の回路部材の主面と第２の回路部材の主面との間に設けられ、第１及び第２の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備える回路部材の接続構造における、回路接続部材を形成するための回路接続材料であって、回路接続材料が、接着剤組成物と、表面に複数の突起を有する導電粒子とを含むものであり、導電粒子が、有機高分子化合物からなる核体と該核体上に設けられた金属層とを有し、且つ、金属層中に存在して核体に通じているピンホールの数が、金属層の厚み方向の断面を観察したときに、核体と金属層との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満であることを特徴とする回路接続材料を提供する。

なお、上記ピンホールとは、長さが金属層の厚みに対して１／３以上であるものを意味する。

本発明の回路接続材料によれば、上記導電粒子を含有することにより、対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる。本発明の回路接続材料は、第１及び第２の回路部材の間に介在され、第１及び第２の回路部材を介して加圧されたときに、導電粒子表面の突起により、接着剤組成物に加えられる圧力が、突起が無い導電粒子よりも狭い範囲に集中するため、導電粒子の突起が接着剤組成物を貫通して第１及び第２の回路電極に接触することが容易となることに加えて、圧着時の粒子変形の際に上記ピンホールに起因する金属層のクラックの発生を十分抑制することができ、電気的導通を得られやすい（図６（ａ）及び（ｂ）参照）。そして、回路接続材料が硬化処理された後には、本発明に係る導電粒子による良好な電気的接続が長期間にわたって保持される。

本発明の回路接続材料において、上記導電粒子の金属層が、核体に最も近い側にニッケル又はニッケル合金のメッキ層を有し、且つ、メッキ層中に存在して核体に通じているピンホールの数が、メッキ層の厚み方向の断面を観察したときに、核体とメッキ層との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満であることが好ましい。

また、上記導電粒子の金属層が、単層のメッキ層からなることが好ましい。

本発明の回路接続材料において、上記導電粒子は、粒子径が２〜５μｍであることが好ましい。導電粒子の粒子径が２μｍ未満の場合、回路接続後の各種環境試験において接続部に熱が加わった場合、回路接続材料の膨張幅が導電粒子径を上回り、接続信頼性が悪化するおそれがある。一方、粒子径が５μｍを超えると、回路接続時に接着剤組成物を排除する面積が大きくなるため、接着剤組成物の排除が不十分となる傾向にある。

本発明の回路接続材料において、上記第１の回路電極及び上記第２の回路電極のいずれか一方の電極は、最外層の材質がインジウム−錫酸化物であることが好ましい。本発明の回路接続材料は、かかる電極を有する回路部材の接続において、回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができるという効果を顕著に有することができる。

本発明の回路接続材料において、上記第１の回路電極及び上記第２の回路電極のいずれか一方の電極は、最外層の材質がインジウム−亜鉛酸化物であることが好ましい。本発明の回路接続材料は、かかる電極を有する回路部材の接続において、回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができるという効果を顕著に有することができる。

なお、上記「回路電極間の電気特性の長期信頼性」については、以下の方法により評価することができる。ポリイミドフィルム（厚さ３８μｍ）及びＳｎメッキ（膜厚：２μｍ）／Ｃｕ箔（膜厚：６μｍ）からなる２層構造を有するフレキシブル回路板（以下、ＦＰＣという場合もある）（ＦＰＣ回路：ライン幅１８μｍ、ピッチ５０μｍ）と、表面上にＩＴＯ（最外層、膜厚：５０ｎｍ）／Ｃｒ（膜厚：２００ｎｍ）の２層構成の回路電極（表面抵抗＜２０Ω、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ）又は表面上にＩＺＯ回路電極（膜厚：５０ｎｍ、表面抵抗＜２０Ω、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍ））を備えるガラス基板（厚さ１．１ｍｍ）と、を用意し、これらの間に回路接続材料を介在させ、１８０℃（回路接続材料到達温度）、３ＭＰａ（回路接続材料面積に対し）、１５秒の条件で、ＦＰＣ側から圧着ツールを用いて圧着することにより、接続構造体を得る。この接続構造体について、ＦＰＣの回路電極とガラス側の回路電極との間の接続抵抗値を、マルチメータを用いて温度２３±１℃、湿度６０±１０％の環境下、測定電流１ｍＡで測定する。初期状態及び高温高湿処理（８５℃８５％ＲＨ）５００ｈ処理後の接続抵抗値をそれぞれ測定し、高温高湿処理５００ｈ処理後において初期からの接続抵抗変化率を求める。この接続抵抗変化率が１０％未満である場合、回路電極間の電気特性の長期信頼性が十分に高められたことを意味する。

また、本発明の回路接続材料は、取扱い性及び回路部材同士の接続作業が容易となる観点から、フィルム状に形成されていることが好ましい。

本発明はまた、第１の回路基板の主面上に第１の回路電極が形成された第１の回路部材と、第１の回路部材に対向して配置され、第２の回路基板の主面上に第２の回路電極が形成された第２の回路部材と、第１の回路部材の主面と第２の回路部材の主面との間に設けられ、第１及び第２の回路部材同士を接続する回路接続部材と、を備える回路部材の接続構造であって、回路接続部材は、上記本発明の回路接続材料から形成されており、且つ、第１の回路電極と第２の回路電極とが、上記導電粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とする回路部材の接続構造を提供する。

本発明の回路部材の接続構造は、回路接続部材が本発明の回路接続材料から形成されていることにより、回路電極間の電気特性の長期信頼性に優れたものになり得る。

本発明の回路接続材料によれば、対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる回路接続材料、及び、この回路接続材料により接続され長期信頼性に優れた回路部材の接続構造を提供することができる。

本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す概略断面図である。 （ａ）は本発明に係る回路接続材料を構成する導電粒子の一実施形態を示す断面図であり、（ｂ）は導電粒子の別の一実施形態を示す断面図である。 （ａ）は回路接続材料を構成する従来の導電粒子を示す断面写真であり、（ｂ）は（ａ）に示す窓枠部分１００の拡大写真である。 （ａ）は従来の導電粒子を含む回路接続材料を用いて回路部材同士を接続したときの導電粒子と回路電極との接触状態を示す断面写真であり、（ｂ）は（ａ）の窓枠部分２００の拡大写真である。 （ａ）は本発明に係る回路接続材料を構成する導電粒子の一実施形態を示す断面写真であり、（ｂ）は（ａ）の窓枠部分３００の拡大写真である。 （ａ）は本発明に係る導電粒子を含む回路接続材料を用いて回路部材同士を接続したときの導電粒子と回路電極との接触状態を示す断面写真であり、（ｂ）は（ａ）の窓枠部分４００の拡大写真である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。

図１は、本発明に係る回路部材の接続構造の一実施形態を示す概略断面図である。本実施形態の回路部材の接続構造１は、相互に対向する第１の回路部材３０及び第２の回路部材４０を備えており、第１の回路部材３０と第２の回路部材４０との間には、これらを接続する回路接続部材１０が設けられている。

第１の回路部材３０は、回路基板（第１の回路基板）３１と、回路基板３１の主面３１ａ上に形成される回路電極（第１の回路電極）３２とを備えている。第２の回路部材４０は、回路基板４１と、回路基板４１の主面４１ａ上に形成される回路電極（第１の回路電極）４２とを備えている。回路基板３１、４１において、回路電極３２、４２の表面は平坦になっている。なお、本発明において「回路電極の表面が平坦」とは、回路電極の表面の凹凸が２０ｎｍ以下であることをいう。

回路電極３２，４２の厚さは、５０ｎｍ以上であることが望ましい。厚さが５０ｎｍ未満の場合、後述の回路接続材料中に含まれる導電粒子表面の突起が圧着時に回路電極を貫通し回路基板と接触してしまう恐れがある。この場合、回路電極と導電粒子の接触面積が減少し接続抵抗が上昇する傾向にある。

回路電極３２，４２の材質として、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、若しくはＰｔ族の金属、又はＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｌ、若しくはＣｒが挙げられるが、特にＩＴＯ、ＩＺＯの場合に本発明による効果が顕著に得られる。また、回路電極３２，４２は、全体を上記物質で構成されているが、最外層のみを上記物質で構成されていてもよい。

回路基板３１，４１の材質としては、例えば、有機絶縁性物質、ガラス及びシリコンなどが挙げられる。

第１の回路部材３０及び第２の回路部材４０の具体例としては、半導体チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品、プリント基板等の基板が挙げられる。これらの回路部材には、回路電極（回路端子）が通常は多数（場合によっては単数でもよい）設けられている。また、接続構造の形態としては、ＩＣチップとチップ搭載基板との接続構造、電気回路相互の接続構造の形態もある。

また、上記実施形態では、回路部材の接続構造１に絶縁層が設けられていないが、第１の回路部材３０において、第１の回路電極３２に隣接して第１の絶縁層が形成されてもよいし、第２の回路部材４０において、第２の回路電極４２に隣接して第２の絶縁層が形成されていてもよい。絶縁層は、絶縁材料で構成されていれば特に制限されないが、通常は有機絶縁性物質、二酸化珪素又は窒化珪素から構成される。

回路接続部材１０は、絶縁性物質１１と、本発明に係る特定の導電粒子１２とを含有している。導電粒子１２は、その詳細については後述するが、図２（ａ）に示すように、その表面側に複数の突起１４を有している。

回路部材の接続構造１においては、対向する回路電極３２と回路電極４２とが、導電粒子１２を介して電気的に接続されている（図１）。すなわち、導電粒子１２が、回路電極３２，４２の双方に直接接触している。具体的には、導電粒子１２の突起１４が、絶縁性物質１１を貫通して第１の回路電極３２、第２の回路電極４２に接触している。

このため、回路電極３２，４２間の接続抵抗が十分に低減され、回路電極３２，４２間の良好な電気的接続が可能となる。従って、回路電極３２，４２間の電流の流れを円滑にすることができ、回路の持つ機能を十分に発揮することができる。また、回路部材の接続構造１は、第１の回路電極３２と第２の回路電極４２とが、本発明に係る導電粒子１２を介して電気的に接続されているため接続抵抗値が上昇しにくく、回路電極間の電気特性の長期信頼性に優れている。

次に、本発明に係る導電粒子１２の構成について詳細に説明する。図２は、本実施形態の回路接続材料を構成する導電粒子の種々の形態を示す断面図である。図２（ａ）に示す導電粒子１２は、有機高分子化合物からなる核体２１と、核体２１の表面上に形成される金属層２２とで構成される。導電粒子１２において、核体２１は中核部２１ａと中核部２１ａの表面上に形成される突起部２１ｂとで構成され、その上に設けられた金属層２２は、その表面側に複数の突起１４を有している。

核体２１の中核部２１ａを構成する有機高分子化合物としては、例えばアクリル樹脂、スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂又はこれらの共重合体が挙げられ、これらを架橋したものを使用してもよい。なお、核体２１の中核部２１ａの平均粒径は２〜５μｍであることが好ましい。

核体２１の突起部２１ｂを構成する有機高分子化合物としては、例えばアクリル樹脂、スチレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂又はこれらの共重合体が挙げられ、これらを架橋したものを使用してもよい。突起部２１ｂを構成する有機高分子化合物は、中核部２１ａを構成する有機高分子化合物と同一であっても異なっていてもよい。なお、突起部２１ｂの平均粒径は５０〜５００ｎｍであることが好ましい。

核体２１は、中核部２１ａの表面に中核部２１ａよりも小さな径を有する突起部２１ｂを複数個吸着させることにより形成することができる。突起部２１ｂを中核部２１ａの表面に吸着させる方法としては、例えば、双方もしくは一方の粒子をシラン、アルミ、チタン等の各種カップリング剤及び接着剤の希釈溶液で表面処理後に両者を混合し付着させる方法が挙げられる。

金属層２２の材質としては、ニッケル又はニッケル合金が好ましく、ニッケル合金としては、例えばＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂが挙げられる。金属層２２は、これらの金属を核体２１に対して無電解メッキ法を用いてメッキすることにより形成することができる。

金属層２２は、核体粒子と強固に密着し耐剥離性の良好な無電解メッキ層を形成することができるうえ、メッキ層が硬くて回路電極３２，４２に食い込み易い等の観点から、ニッケル又はニッケル合金からなる単層であることが好ましい。

金属層２２の膜厚（メッキ膜厚）は６５〜１２５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは７５〜１００ｎｍであり、更に好ましくは８０〜９０ｎｍである。金属層２２の膜厚をこのような範囲とすることで、回路電極３２，４２間の接続抵抗をより一層良好なものとすることができる。ここで、本明細書における導電粒子の金属層２２の厚みは、突起１４を含まない金属層２２の平均厚みを指すものであり、導電粒子の断面を電子顕微鏡で観察することで測定することができる。金属層２２の膜厚が６５ｎｍ未満では膜厚が薄いため接続抵抗が大きくなる傾向があり、１２５ｎｍを超えるとメッキ時に導電粒子間で凝結が発生し、隣接する回路電極間で短絡が生じる傾向がある。

本発明に係る導電粒子１２において、金属層２２中に存在して核体２１に通じているピンホールの数が、金属層２２の厚み方向の断面を観察したときに、核体２１と金属層２２との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満である。金属層２２における上記ピンホールの本数を上記範囲とすることで、回路電極３２，４２間の接続抵抗をより一層良好なものとすることができる。ピンホールの数が２本以上であると、回路接続時に導電粒子が変形することによって、粒子表面の金属層にピンホール起因によるクラックが多数生じる恐れがあり、また、電気的な導通経路がクラックのない箇所を迂回することとなるため接続抵抗が上昇し、最悪の場合、導通不能となる。

上記の条件を満たす金属層２２は、例えば、無電解メッキ法を用いてメッキすることにより形成することができる。無電解メッキ法は、大きくバッチ方式と連続滴下方式とに分けられるが、いずれの方式を用いても金属層２２を形成することができる。

導電粒子１２は、突起も含んだ粒子径φが２〜５μｍであることが好ましく、更に好ましくは３μｍである。導電粒子径が２μｍ未満であると、回路接続後の各種環境試験において接続部に熱が加わった場合、回路接続材料の膨張幅が導電粒子径を上回り、接続信頼性が悪化するおそれがある。また、導電粒子径が５μｍを超えると、回路接続時に接着剤組成物を排除する面積が大きくなるため、接着剤組成物の排除が不十分となる傾向にある。

導電粒子１２の突起１４の高さＨは、接着剤配合時における導電粒子の二次凝集を抑制させる点で、６５〜１０００ｎｍであることが好ましく、１００〜５００ｎｍであることがより好ましい。また、隣接する突起１４間の距離Ｓは、突起をある程度密集させた方が接着剤組成物を排除し易い点で、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがより好ましい。また、距離Ｓは、導電粒子と回路電極との間に接着剤組成物が入り込まず、十分に導電粒子と回路電極とを接触させるためには、少なくとも５０ｎｍ以上であることが望ましい。なお、導電粒子１２の突起１４の高さＨ及び隣接する突起１４間の距離Ｓは、電子顕微鏡により測定することができる。

図２（ｂ）は、本発明に係る導電粒子の別の一実施形態を示す断面図である。図２（ｂ）に示す導電粒子１３は、中核部のみからなる核体２１と、その表面上に設けられた金属層２２とで構成され、金属層によって形成された複数の突起１４を有している。図５の（ａ）は、導電粒子１３と同様の構成を有する導電粒子の一実施形態を示す断面写真であり、（ｂ）は（ａ）の窓枠部分３００の拡大写真である。

回路部材の接続構造１においては、対向する回路電極３２と回路電極４２とが、導電粒子１２に代えて、上記の導電粒子１３を介して電気的に接続されていてもよい。図６の（ａ）は、導電粒子１３と同様の構成を有すると回路電極との接触状態を示す断面写真であり、（ｂ）は（ａ）の窓枠部分４００の拡大写真である。本発明に係る導電粒子によって、クラックのない金属層２２と、ガラス基板５３上に設けられたＩＴＯ層５１／Ｃｒ層５２からなる電極とが良好の接触した構造が形成される。

導電粒子１３の核体２１は、上述した導電粒子１２の中核部２１ａと同様の有機高分子化合物から構成することができる。

導電粒子１３は、核体２１の表面を金属メッキし、核体２１の表面上に金属層２２が形成されることにより得ることができる。但し、突起１４は、金属メッキの際、メッキ条件を変更して金属層２２の厚さを変化させることで金属層２２に形成することができる。なお、メッキ条件の変更は、例えば、最初に使用したメッキ液に、これよりも濃度の高いメッキ液を追加することでメッキ液濃度を不均一にすることにより、行うことができる。また、メッキ液のｐＨを調節すること、例えば、ニッケルメッキ液のｐＨを６とすることでこぶ状の金属層、即ち突起１４を有する金属層２２を得ることができる（望月ら、表面技術、Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．４、４２９〜４３２頁、１９９７）。また、メッキ浴の安定性に寄与する錯化剤として、グリシンを用いた場合、平滑な金属層（皮膜）ができるのに対して、酒石酸やＤＬ−リンゴ酸を用いた場合、こぶ状の皮膜、即ち突起１４を有する金属層２２を得ることができる（荻原ら、非晶質めっき、Ｖｏｌ．３６、第３５〜３７頁、１９９４；荻原ら、回路実装学会誌、Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．３、１４８〜１５２頁、１９９５）

導電粒子１３の金属層２２の素材としては、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましく、核体２１に対して無電解メッキ法を用いてメッキすることにより形成することができる。金属層２２は、核体粒子と強固に密着し耐剥離性の良好な無電解メッキ層を形成することができるうえ、メッキ層が硬くて回路電極３２，４２に食い込み易い等の観点から、ニッケル又はニッケル合金からなる単層であることが好ましい。

導電粒子１３の金属層２２についても、金属層２２中に存在して核体２１に通じているピンホールの数が、金属層２２の厚み方向の断面を観察したときに、核体２１と金属層２２との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満である。

導電粒子１３において、上記の条件を満たす金属層２２は、上記と同様の手法により作成することができる。

導電粒子１３の突起１４の高さ、突起１４間の距離、及び突起も含んだ粒子径は、上述した導電粒子１２と同様の範囲とすることが好ましい。

導電粒子１２，１３において、金属層２２が核体２１から完全に剥離している粒子の混入率は、粒子２５万個中５％未満であることが好ましく、より好ましくは１．０％未満であり、更に好ましくは０．１％未満である。金属層２２が核体２１から完全に剥離している粒子の混入率をこのような範囲とすることで、回路電極３２，４２間の導通を確実なものとすることができる。金属層２２が核体２１から完全に剥離している粒子の混入率が５％以上である場合は導電に関与しない粒子が電極上に存在することによって接続抵抗が大きくなる傾向がある。また、金属層２２の被覆率は７０％以上であることが好ましく、より好ましくは８０〜１００％である。金属層２２の被覆率をこのような範囲とすることで、回路電極３２，４２間の接続抵抗をより一層良好なものとすることができる。金属層２２の被覆率が７０％未満では導電粒子表面の導通面積が小さくなるため接続抵抗が大きくなる傾向がある。本発明における導電粒子１２は、部分的に核体２１が露出している場合がある。接続信頼性の点から、核体２１の表面積に対する金属層２２の被覆率は、７０％以上であることが好ましく、８０〜１００％であることがより好ましい。金属層２２の被覆率をこのような範囲とすることで、回路電極３２、４２間の接続抵抗をより一層良好なものとすることができる。金属層２２の被覆率が７０％未満では導電粒子表面の導通面積が小さくなるため接続抵抗が大きくなる傾向がある。

上記回路部材の接続構造１は、第１の回路電極３２，第２の回路電極４２の少なくとも一方の表面積が１５０００μｍ^２以下であり、且つ、第１の回路電極３２と第２の回路電極４２との間における導電粒子数が２個以上であることが好ましい。この場合、対向する回路電極３２，４２間の接続抵抗をより十分に低減することができる。また、導電粒子数が３個以上である場合には、さらに良好な接続抵抗を達成できる。これは、対向する回路電極３２，４２間の接続抵抗が十分に低くなるからである。また回路電極３２，４２間における導電粒子数が１個以下の場合には、接続抵抗が高くなりすぎ、電子回路が正常に動作しなくなるおそれがある。

次に、上述した回路部材の接続構造１の製造方法について説明する。

まず、上述した第１の回路部材と、第２の回路部材と、回路接続材料とを準備する。回路接続材料としては、例えば、フィルム状に成形した回路接続材料（以下、フィルム状回路接続材料という。）を準備する。フィルム状回路接続材料は、第１の回路部材及び第２の回路部材に対して硬化処理により硬化する接着剤組成物と、導電粒子１２とを含有するものである。フィルム状回路接続材料の厚さは、１０〜５０μｍであることが好ましい。

次に、第１の回路部材の上に、フィルム状回路接続材料を載せる。そして、第２の回路部材を、フィルム状回路接続材料の上に載せる。これにより、第１の回路部材と第２の回路部材との間にフィルム状回路接続材料を介在させることが可能となる。このとき、フィルム状回路接続材料はフィルム状であり、取扱いが容易である。このため、このフィルム状回路接続材料によれば、第１の回路部材と第２の回路部材とを接続する際に、それらの間に容易に介在させることができ、第１の回路部材と第２の回路部材との接続作業を容易に行うことができる。

次に、第１の回路部材及び第２の回路部材を介してフィルム状回路接続材料を加熱しながら加圧して硬化処理を施し、第１及び第２の回路部材の間に回路接続部材を形成する。硬化処理は、一般的な方法により行うことが可能であり、その方法は接着剤組成物により適宜選択される。このとき、導電粒子と電極との間の接着剤組成物を排除する際、導電粒子径が小さいと接着剤組成物を排除する面積も小さくなるため、接着剤組成物が排除し易くなる。また、導電粒子表面の突起により、接着剤組成物に加えられる圧力が、突起が無い導電粒子よりも狭い範囲に集中するため、導電粒子の突起が接着剤組成物を容易に貫通して第１及び第２回路電極に接触することが可能となる。特に、回路接続材料中の導電粒子の金属層がニッケル又はニッケル合金から構成されている場合、かかる金属層は従来のＡｕよりも硬いため、第１又は第２の回路電極に対して導電粒子の最外層が食い込むことになり、導電粒子と回路電極との接触面積は増加する。更に、回路接続材料中の導電粒子の金属層の特定範囲（３００ｎｍ）に存在するピンホール数を特定の数（２）未満とされていることにより、ピンホールに起因する圧着時の粒子変形によるクラックの発生を抑制することができ、電気的導通を得られやすい。この場合、第１の電極と第２の電極との電気的導通は２個の導電粒子により導通可能である。そして、回路接続材料が硬化処理されることにより接着剤組成物が硬化し、第１の回路部材及び第２の回路部材に対する高い接着強度が実現され、導電粒子と第１及び第２回路電極とがしっかりと接触した状態が長期間にわたって保持される。

従って、上記の方法によれば、第１及び／又は第２の回路電極の表面における凹凸の有無に拘わらず、対向する第１及び第２回路電極間の接続抵抗を充分に低減することができ、第１回路電極と第２回路電極との良好な電気的接続を達成できると共に第１及び第２回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることができる。

なお、上記実施形態では、フィルム状回路接続材料を用いて回路部材の接続構造を製造しているが、フィルム状回路接続材料に代えて、回路接続材料の液状物を用いてもよい。この場合でも、回路接続材料を溶媒に溶解させ、その溶液を、第１の回路部材又は第２の回路部材のいずれかに塗布し乾燥させれば、第１及び第２の回路部材間に介在させることができる。

次に、上述したフィルム状回路接続材料の構成について詳細に説明する。

フィルム状回路接続材料は、本発明に係る回路接続材料をフィルム状に成形してなるものであり、本発明に係る回路接続材料は、表面側に複数の突起を有する導電粒子と、接着剤組成物とを含有するものである。導電粒子としては、上述した導電粒子１２が挙げられる。回路接続材料中に含まれる接着剤組成物は接着性を有し、第１及び第２の回路部材に対する硬化処理により硬化する。

接着剤組成物としては、（１）エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤とを含有する組成物、（２）ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤とを含有する組成物、又は（１）と（２）との混合組成物が好ましい。

まず、（１）エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤とを含有する組成物について説明する。

上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、ハロゲン化されていてもよく、水素添加されていてもよい。これらのエポキシ樹脂は、２種以上を併用してもよい。

潜在性硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化させることができるものであればよく、このような潜在性硬化剤としては、アニオン重合性の触媒型硬化剤、カチオン重合性の触媒型硬化剤、重付加型の硬化剤等が挙げられる。これらは、単独又は２種以上の混合物として使用できる。これらのうち、速硬化性において優れ、化学当量的な考慮が不要である点からは、アニオン又はカチオン重合性の触媒型硬化剤が好ましい。

アニオン又はカチオン重合性の触媒型硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ジアミノマレオニトリル、メラミン及びその誘導体、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等が挙げられ、これらの変成物も使用することができる。重付加型の硬化剤としては、ポリアミン類、ポリメルカプタン、ポリフェノール、酸無水物等が挙げられる。

アニオン重合型の触媒型硬化剤として第３級アミン類やイミダゾール類を配合した場合、エポキシ樹脂は１６０℃〜２００℃程度の中温で数１０秒〜数時間程度の加熱により硬化する。このため、可使時間（ポットライフ）が比較的長くなるので好ましい。

カチオン重合型の触媒型硬化剤としては、例えば、エネルギー線照射によりエポキシ樹脂を硬化させる感光性オニウム塩（芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩等が主として用いられる）が好ましい。また、エネルギー線照射以外に加熱によって活性化しエポキシ樹脂を硬化させるものとして、脂肪族スルホニウム塩等がある。この種の硬化剤は、速硬化性という特徴を有することから好ましい。

これらの潜在性硬化剤を、ポリウレタン系又はポリエステル系等の高分子物質や、ニッケル、銅等の金属薄膜及びケイ酸カルシウム等の無機物で被覆してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長できるため好ましい。

次いで、（２）ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤とを含有する組成物について説明する。

ラジカル重合性物質は、ラジカルにより重合する官能基を有する物質である。このようなラジカル重合性物質としては、アクリレート（対応するメタクリレートも含む。以下同じ。）化合物、アクリロキシ（対応するメタアクリロキシも含む。以下同じ。）化合物、マレイミド化合物、シトラコンイミド樹脂、ナジイミド樹脂等が挙げられる。ラジカル重合性物質は、モノマー又はオリゴマーの状態で用いてもよく、モノマーとオリゴマーを併用することも可能である。

上記アクリレート化合物の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシポリエトキシ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロイロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を混合して用いることができる。また、必要によりハドロキノン、メチルエーテルハイドロキノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。またさらに、耐熱性の向上の観点から、アクリレート化合物がジシクロペンテニル基、トリシクロデカニル基及びトリアジン環からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基を有することが好ましい。

上記マレイミド化合物は、分子中にマレイミド基を少なくとも２個以上含有するものである。このようなマレイミド化合物としては、例えば、１−メチル−２，４−ビスマレイミドベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−トルイレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチルビフェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジエチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルプロパンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−３，３’−ジフェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルエーテルビスマレイミド、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチル−４，８−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）デカン、４，４’−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−マレイミドフェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパンを挙げることができる。これらは単独で又は２種以上を混合して使用できる。

上記シトラコンイミド樹脂は、分子中にシトラコンイミド基を少なくとも１個有するシトラコンイミド化合物を重合させてなるものである。シトラコンイミド化合物としては、例えば、フェニルシトラコンイミド、１−メチル−２，４−ビスシトラコンイミドベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３−ジメチルビフェニレン）ビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３−ジメチルジフェニルメタン）ビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３−ジエチルジフェニルメタン）ビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルプロパンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルエーテルビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルスルホンビスシトラコンイミド、２，２−ビス（４−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチル−３，４−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）デカン、４，４’−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を混合して使用できる。

上記ナジイミド樹脂は、分子中にナジイミド基を少なくとも１個有しているナジイミド化合物を重合してなるものである。ナジイミド化合物としては、例えば、フェニルナジイミド、１−メチル−２，４−ビスナジイミドベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３−ジメチルビフェニレン）ビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３−ジメチルジフェニルメタン）ビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３−ジエチルジフェニルメタン）ビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルメタンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルプロパンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルエーテルビスナジイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェニルスルホンビスナジイミド、２，２−ビス（４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチル−３，４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）デカン、４，４’−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−ナジイミドフェノキシ）フェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。これらは単独で又は２種以上を混合して使用できる。

また、上記ラジカル重合性物質に下記化学式（Ｉ）で示されるリン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質を併用することが好ましい。この場合、金属等の無機物表面に対する接着強度が向上するため、回路電極同士の接着に好適である。

リン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質は、無水リン酸と２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応させることにより得られる。リン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質として、具体的には、モノ（２−メタクリロイルオキシエチル）アシッドフォスフェート、ジ（２−メタクリロイルオキシエチル）アシッドフォスフェート等がある。これらは単独で又は２種以上を混合して使用できる。

上記化学式（Ｉ）で示されるリン酸エステル構造を有するラジカル重合性物質の配合量は、ラジカル重合性物質と必要により配合するフィルム形成材との合計１００質量部に対して、０．０１から５０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部がより好ましい。

上記ラジカル重合性物質は、アリルアクリレートと併用することもができる。この場合、アリルアクリレートの配合量は、ラジカル重合性物質と、必要により配合されるフィルム形成材との合計１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜５質量部がより好ましい。

加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤は、加熱により分解して遊離ラジカルを発生する硬化剤である。このような硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。このような硬化剤は、目的とする接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選定される。高反応性とポットライフの向上の観点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上、かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上、かつ、半減期１分の温度が１７０℃以下の有機過酸化物がより好ましい。

上記硬化剤の配合量は、接続時間を２５秒以下とする場合、充分な反応率を得るためにラジカル重合性物質と必要により配合されるフィルム形成材との合計１００質量部に対して、２〜１０質量部程度であることが好ましく、４〜８質量部がより好ましい。なお、接続時間を限定しない場合の硬化剤の配合量は、ラジカル重合性物質と必要により配合されるフィルム形成材との合計１００質量部に対して、０．０５〜２０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。

加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤として、より具体的には、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステルパーオキシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等が挙げられる。また、回路電極３２、４２の腐食を抑えるという観点から、硬化剤は、硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸の濃度が５０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に発生する有機酸が少ないものがより好ましい。このような硬化剤として、具体的には、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイド等が挙げられ、高反応性が得られるパーオキシエステルから選定されることがより好ましい。なお、上記硬化剤は、適宜混合して用いることができる。

パーオキシエステルとしては、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノデート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ２−エチルヘキサノネート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート等が挙げられる。

ジアルキルパーオキサイドとしては、α，α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド等が挙げられる。

ハイドロパーオキサイドとして、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。

ジアシルパーオキサイドとしては、イソブチルパーオキサイド、２，４―ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。

パーオキシジカーボネートとしては、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート等が挙げられる。

パーオキシケタールとしては、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１―（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカン等が挙げられる。

シリルパーオキサイドとしては、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイド等が挙げられる。

これらの硬化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混合して用いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイクロカプセル化してもよい。マイクロカプセル化した硬化剤は、可使時間が延長されるために好ましい。

本実施形態の回路接続材料には、必要に応じて、フィルム形成材を添加して用いてもよい。フィルム形成材とは、液状物を固形化し構成組成物をフィルム形状とした場合に、そのフィルムの取扱いを容易とし、容易に裂けたり、割れたり、べたついたりしない機械的特性等を付与するものであり、通常の状態（常温常圧）でフィルムとしての取扱いができるものである。フィルム形成材としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの中でも、接着性、相溶性、耐熱性、機械的強度に優れることからフェノキシ樹脂が好ましい。

フェノキシ樹脂は、２官能フェノール類とエピハロヒドリンを高分子化するまで反応させるか、又は２官能エポキシ樹脂と２官能フェノール類を重付加させることにより得られる樹脂である。フェノキシ樹脂は、例えば２官能フェノール類１モルとエピハロヒドリン０．９８５〜１．０１５モルとをアルカリ金属水酸化物等の触媒の存在下、非反応性溶媒中で４０〜１２０℃の温度で反応させることにより得ることができる。また、フェノキシ樹脂としては、樹脂の機械的特性や熱的特性の観点からは、特に２官能性エポキシ樹脂と２官能性フェノール類の配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸基＝１／０．９〜１／１．１とし、アルカリ金属化合物、有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒の存在下、沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル系、ケトン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で、反応固形分が５０質量部以下の条件で５０〜２００℃に加熱して重付加反応させて得たものが好ましい。

上記２官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニルジグリシジルエーテル、メチル置換ビフェニルジグリシジルエーテル等が挙げられる。２官能フェノール類は、２個のフェノール性水酸基を有するものである。２官能フェノール類としては、例えば、ハイドロキノン類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールフルオレン、メチル置換ビスフェノールフルオレン、ジヒドロキシビフェニル、メチル置換ジヒドロキシビフェニル等のビスフェノール類等が挙げられる。フェノキシ樹脂は、ラジカル重合性の官能基や、その他の反応性化合物により変性（例えば、エポキシ変性）されていてもよい。フェノキシ樹脂は、単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。

本実施形態の回路接続材料は、更に、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びアクリロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とした重合体又は共重合体を含んでいてもよい。ここで、応力緩和に優れることから、グリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを併用することが好ましい。これらのアクリルゴムの重量平均分子量は、接着剤の凝集力を高める点から２０万以上が好ましい。

導電粒子１２の配合量は、接着剤組成物１００体積部に対して０．１〜３０体積部であることが好ましく、その配合量は用途により使い分けることができる。過剰な導電粒子１２による回路電極の短絡等を防止する観点から、導電粒子１２の配合量は０．１〜１０体積部であることがより好ましい。

本実施形態の回路接続材料には、更に、ゴム微粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、フェノール樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート類等を含有することもできる。

ゴム微粒子は、粒子の平均粒径が、配合する導電粒子１２の平均粒径の２倍以下であり、且つ室温（２５℃）での貯蔵弾性率が導電粒子１２及び接着剤組成物の室温での貯蔵弾性率の１／２以下であるものが好ましい。特に、ゴム微粒子の材質が、シリコーン、アクリルエマルジョン、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリブタジエンゴムである微粒子は、単独で又は２種以上を混合して用いることが好適である。３次元架橋したこれらゴム微粒子は、耐溶剤性が優れており、接着剤組成物中に容易に分散される。

回路接続材料に充填剤を含有させる場合、接続信頼性等が向上するので好ましい。充填剤は、その最大径が導電粒子１２の粒径の１／２以下であるものが好ましく使用できる。また、導電性を持たない粒子を併用する場合には、導電性を持たない粒子の直径以下であるものが好ましく使用できる。充填剤の配合量は、接着剤組成物１００体積部に対して５〜６０体積部であることが好ましい。配合量が６０体積部を超えると、接続信頼性向上効果が飽和する傾向があり、他方、５体積部未満では充填剤添加の効果が不充分となる傾向がある。

上記カップリング剤としては、ビニル基、アクリル基、エポキシ基又はイソシアネート基を含有する化合物が、接着性が向上するので好ましい。

なお、フィルム状回路接続材料５０は、支持体（ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等）上に塗工装置（図示せず）を用いて上記回路接続材料を塗布し、所定時間熱風乾燥することにより作製することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明の内容をより具体的に説明する。なお、本発明は下記実施例に限定されるものではない。

＜導電粒子の作製＞
（導電粒子Ｎｏ．１の作製）
テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン及びスチレンモノマーの混合比を変えて、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを用いて懸濁重合し、得られた重合体を分級することで約３μｍの粒径を有する核体を得た。得られた核体の表面に、無電解Ｎｉメッキ処理をして、均一な厚さ１００ｎｍのＮｉ層（金属層）を有する導電粒子を得た。次いで、Ｎｉ層上に、Ａｕを２５ｎｍ置換メッキすることにより、導電粒子Ｎｏ．１を得た。

（導電粒子Ｎｏ．２の作製）
導電粒子Ｎｏ．１と同様の核体を用いて、既存の特許（特許第３６９６４２９号）等を元にＮｉメッキ処理の際のメッキ液の仕込量、処理温度及び時間によりメッキ厚を変更することにより、核体の表面にＮｉメッキの突起を形成し、突起も含めたＮｉの目標膜厚が８０ｎｍの導電粒子Ｎｏ．２を得た。

（導電粒子Ｎｏ．３の作製）
導電粒子Ｎｏ．２と同様にして得られた粒子のＮｉ層上に、Ａｕを２５ｎｍ置換メッキすることにより、導電粒子Ｎｏ．３を得た。

（導電粒子Ｎｏ．４の作製）
テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン及びスチレンモノマーの混合比を変えて、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを用いて懸濁重合し、得られた重合体を分級することで約５μｍの粒径を有する核体を得た。得られた核体の表面に、無電解Ｎｉメッキ処理をして、均一な厚さ１００ｎｍのＮｉ層（金属層）を有する導電粒子Ｎｏ．４を得た。

上記各導電粒子Ｎｏ．１〜４を、電子顕微鏡（日立製作所製、Ｓ−８００）を用いて断面観察を行い、金属層の観察範囲３００ｎｍ中に生じているピンホールの数を測定した。なお、ピンホールは、少なくとも核体に通じ、長さが金属層の厚みに対して１／３以上のものをカウントした。また、観察範囲３００ｎｍは、核体と金属層との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍとした。更に、粒子表面の突起の高さ及び突起間の距離を測定した。結果を表１に示す。

＜回路接続材料の作製＞
（回路接続材料Ａの作製）
フェノキシ樹脂（ユニオンカーバイド株式会社製，商品名ＰＫＨＣ）１００ｇを、トルエン／酢酸エチル＝５０／５０（質量比）の混合溶剤に溶解して、固形分４０質量％のフェノキシ樹脂溶液とした。アクリルゴム（ブチルアクリレート４０部−エチルアクリレート３０部−アクリロニトリル３０部−グリシジルメタクリレート３部の共重合体、分子量：８５万）１００ｇをトルエン／酢酸エチル＝５０／５０（質量比）の混合溶剤に溶解して、固形分１５質量％のアクリルゴム樹脂溶液とした。次いで、マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ（旭化成製、商品名ノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ）３００ｇをこの溶液に加え、撹拌し、さらに導電粒子Ｎｏ．２を０．５体積部分散してフィルム塗工用溶液を得た。そして、この回路接続材料含有液を、片面を表面処理した厚み５０μｍのＰＥＴフィルムに塗工装置を用いて塗布し、８０℃３分の熱風乾燥により、ＰＥＴフィルム上に厚みが１８μｍのフィルム状回路接続材料Ａを得た。

（回路接続材料Ｂの作製）
前記回路接続材料Ａと同様に接着剤組成物含有液を作製し、この接着剤組成物含有液１００質量部に対して導電粒子Ｎｏ．４を０．５体積部分散させて回路接続材料含有液を調製した。そして、この回路接続材料含有液を、前記回路接続材料Ａと同様にしてＰＥＴフィルム上に塗布し乾燥することによって、ＰＥＴフィルム上に厚みが１８μｍのフィルム状回路接続材料Ｂを得た。

（回路接続材料Ｃの作製）
前記回路接続材料Ａと同様に接着剤組成物含有液を作製し、この接着剤組成物含有液１００質量部に対して導電粒子Ｎｏ．１を０．５体積部分散させて回路接続材料含有液を調製した。そして、この回路接続材料含有液を、前記回路接続材料Ａと同様にしてＰＥＴフィルム上に塗布し乾燥することによって、ＰＥＴフィルム上に厚みが１８μｍのフィルム状回路接続材料Ｃを得た。

（回路接続材料Ｄの作製）
前記回路接続材料Ａと同様に接着剤組成物含有液を作製し、この接着剤組成物含有液１００質量部に対して導電粒子Ｎｏ．３を０．５体積部分散させて回路接続材料含有液を調製した。そして、この回路接続材料含有液を、前記回路接続材料Ａと同様にしてＰＥＴフィルム上に塗布し乾燥することによって、ＰＥＴフィルム上に厚みが１８μｍのフィルム状回路接続材料Ｄを得た。

＜回路部材の接続＞
（実施例１）
第１の回路部材として、ポリイミドフィルム（厚さ３８μｍ）と、ＳｎメッキＣｕ箔（厚さ８μｍ）からなる２層構造を有するフレキシブル回路板（以下ＦＰＣ）を準備した。このＦＰＣの回路については、ライン幅１８μｍ、ピッチ５０μｍとした。

次に、第２の回路部材として表面上にＩＴＯ回路電極（膜厚：５０ｎｍ、表面抵抗＜２０Ω））を備えるガラス基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。この第２の回路部材の回路については、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍとした。

第２の回路部材上に所定のサイズ（１．５×３０ｍｍ）に裁断した回路接続材料Ａを貼付け、７０℃、１．０ＭＰａで３秒間加熱、加圧を行い仮接続した。次いで、ＰＥＴフィルムを剥離した後、ＦＰＣと第２の回路部材とでフィルム状回路接続材料を挟むようにＦＰＣを配置し、ＦＰＣの回路と第２の回路部材の回路の位置合わせを行った。次いで、１７０℃、３ＭＰａ、１０秒の条件でＦＰＣ上方から加熱、加圧を行いＦＰＣと第２の回路部材とを本接続した。こうして、実施例１の回路部材の接続構造を得た。

（実施例２）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として表面上にＩＺＯ回路電極（膜厚：５０ｎｍ、表面抵抗＜２０Ω）を備えるガラス基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。この第２の回路部材の回路については、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍとした。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ａの仮接続、本接続を行い、実施例２の回路部材の接続構造を得た。

（実施例３）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として表面上にＩＴＯ（最外層、膜厚：５０ｎｍ）／Ｃｒ（膜厚：２００ｎｍ）の２層構成の回路電極（表面抵抗＜２０Ω））を備えるガラス基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。この第２の回路部材の回路については、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍとした。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ａの仮接続、本接続を行い、実施例３の回路部材の接続構造を得た。

（実施例４）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として表面上にＩＴＯ（最外層、膜厚：５０ｎｍ）／Ｔｉ（膜厚：１００ｎｍ）／Ａｌ（膜厚：２００ｎｍ）／Ｔｉ（膜厚：１００ｎｍ）の４層構成の回路電極（表面抵抗＜２０Ω））を備えるガラス基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。この第２の回路部材の回路については、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍとした。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ａの仮接続、本接続を行い、実施例４の回路部材の接続構造を得た。

（実施例５）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として表面上にＡｌ回路電極（膜厚：２００ｎｍ）／Ｃｒ（膜厚：２００ｎｍ）の２層構成の回路電極（表面抵抗＜５Ω）を備えるガラス基板（厚さ１．１ｍｍ）を用意した。この第２の回路部材の回路については、ライン幅２５μｍ、ピッチ５０μｍとした。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ａの仮接続、本接続を行い、実施例５の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例１と同様のＩＴＯ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｂの仮接続、本接続を行い、比較例１の回路部材の接続構造を得た。

（比較例２）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例２と同様のＩＺＯ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｂの仮接続、本接続を行い、比較例２の回路部材の接続構造を得た。

（比較例３）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例３と同様のＩＴＯ／Ｃｒ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｂの仮接続、本接続を行い、比較例３の回路部材の接続構造を得た。

（比較例４）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例４と同様のＩＴＯ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｂの仮接続、本接続を行い、比較例４の回路部材の接続構造を得た。

（比較例５）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例５と同様のＡｌ／Ｃｒ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｂの仮接続、本接続を行い、比較例５の回路部材の接続構造を得た。

（比較例６）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例１と同様のＩＴＯ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｃの仮接続、本接続を行い、比較例６の回路部材の接続構造を得た。

（比較例７）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例２と同様のＩＺＯ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｃの仮接続、本接続を行い、比較例７の回路部材の接続構造を得た。

（比較例８）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例３と同様のＩＴＯ／Ｃｒ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｃの仮接続、本接続を行い、比較例８の回路部材の接続構造を得た。

（比較例９）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例４と同様のＩＴＯ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｃの仮接続、本接続を行い、比較例９の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１０）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例５と同様のＡｌ／Ｃｒ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｃの仮接続、本接続を行い、比較例１０の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１１）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例１と同様のＩＴＯ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｄの仮接続、本接続を行い、比較例１１の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１２）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例２と同様のＩＺＯ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｄの仮接続、本接続を行い、比較例１２の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１３）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例３と同様のＩＴＯ／Ｃｒ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｄの仮接続、本接続を行い、比較例１３の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１４）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例４と同様のＩＴＯ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｄの仮接続、本接続を行い、比較例１４の回路部材の接続構造を得た。

（比較例１５）
第１の回路部材として、実施例１と同様のＦＰＣを準備した。次に、第２の回路部材として実施例５と同様のＡｌ／Ｃｒ回路電極を備えるガラス基板を用意した。そして、実施例１の接続方法と同様に回路接続材料Ｄの仮接続、本接続を行い、比較例１５の回路部材の接続構造を得た。

［接続抵抗の測定］
上記のようにして得られた回路部材の接続構造について、ＦＰＣの回路電極と、第２の回路部材の回路電極との間の接続抵抗値を、マルチメータを用いて測定した。接続抵抗値は、初期（接続直後）、及び、８０℃、９５％ＲＨの高温高湿槽中に５００時間保持（高温高湿処理）した後に測定した。接続初期及び高温高湿処理後の接続抵抗の測定結果、並びに、接続初期に対する高温高湿処理後の接続抵抗の抵抗変化率を表２に示す。表２において、接続抵抗値は、隣接回路間の抵抗３７点の平均値と標準偏差を３倍した値との和（ｘ＋３σ）で示している。また、抵抗増加率は、初期抵抗値に対する高温高湿処理後の抵抗値の増加量を百分率で示しており、式（（処理後抵抗値−初期抵抗値）／初期抵抗値）×１００により算出した。接続信頼性の改善効果の判断として、抵抗増加率１０％未満を改善効果有り、１０％以上２０％未満を従来品レベル、２０％以上を改善効果無しとした。

［回路電極上に存在する導電粒子数］
微分干渉顕微鏡を用いて、上記回路部材の接続構造における各回路電極上に存在する導電粒子数を目視にて計数（ｎ＝３８）した。その結果、実施例１〜５及び比較例１〜１５の回路電極上の平均粒子数は３２〜４５個の範囲内であり、回路接続材料や接続部材の違いによる導電粒子数の極端な増減は見られなかった。

表２に示されるように、回路電極の全体もしくは最外層がＩＴＯ又はＩＺＯで構成されている回路部材を回路接続材料Ａによって接続した実施例１〜４の接続構造と、同一の回路部材を回路接続材料Ｂ〜Ｄによって使用して接続した比較例１〜４、６〜９、１１〜１４の接続構造の抵抗増加率を比較した場合、比較例１〜４の接続構造の抵抗増加率は約２５〜３６％、比較例６〜９の接続構造の抵抗増加率は約１８〜２４％、比較例１１〜１４の接続構造の抵抗増加率は約１５〜１８％であるのに対して、実施例１〜４の接続構造の抵抗増加率は７％未満と少ない結果であった。このことから、回路電極の全体もしくは最外層がＩＴＯ又はＩＺＯで構成されている回路電極に対して、有機高分子化合物からなる核体の最表面がニッケル又はニッケル合金からなる金属層で被覆されており、表面に複数の突起を有し、金属層に生じるピンホールの数が、断面観察における観察範囲３００ｎｍ中で２本未満である導電粒子を含む回路接続材料を接続に使用することにより、接続信頼性の改善が見られることが分かった。

また、回路電極の最外層がＡｌで構成されている接続部材を、回路接続材料Ａ〜Ｄを用いて接続した実施例５、比較例５、１０、１５の接続構造の抵抗増加率を比較した場合、導電粒子表面に突起が無い回路接続材料Ｆ、Ｇを接続に用いた比較例５、比較例１０の抵抗増加率は約３０〜３２％であるのに対して、導電粒子表面に複数の突起を有する回路接続材料Ａ、Ｄを接続に用いた実施例５、比較例１５は１０％未満と少ない結果であった。これは、接続時にＡｌ回路電極表面の酸化膜を導電粒子表面の突起が突き破り回路電極と接触するためと考えられる。更に、導電粒子の表面に複数の突起を有し金属層がＮｉである実施例５と、導電粒子表面に複数の突起を有し金属層がＡｕ／Ｎｉの２層構成である比較例１５の抵抗変化量を比較した場合、比較例１５は７．６％であるのに対して、実施例５は５．６％と小さい傾向にある。但し、回路電極がＡｌで構成されている接続部材の場合、導電粒子の金属層の違いによる接続信頼性の改善効果はＩＴＯ電極やＩＺＯ電極で構成されている接続部材に比べ目立ちにくい傾向にあるといえる。

これらの結果から理解されるように、本発明の接続構造によれば、対向する回路電極同士間の良好な電気的接続を達成できると共に回路電極間の電気特性の長期信頼性を十分に高めることが可能である。

１…回路部材の接続構造、１０…回路接続部材、１１…絶縁性物質、１２…導電粒子、１４…突起、２１…核体、２１ａ…中核部、２１ｂ…突起部、２２…金属層、３０…第一の回路部材、３１…回路基板（第一の回路基板）、３１ａ…主面、３２…回路電極（第一の回路電極）、４０…第二の回路部材、４１…回路基板（第二の回路基板）、４１ａ…主面、４２…回路電極（第二の回路電極）、５１…ＩＴＯ電極、５２…Ｃｒ電極、５３…回路基板（ガラス）、６２…クラック（ピンホール起因）、６３…ピンホール。

Claims (8)

1. 第１の回路基板の主面上に第１の回路電極が形成された第１の回路部材と、
   前記第１の回路部材に対向して配置され、第２の回路基板の主面上に第２の回路電極が形成された第２の回路部材と、
   前記第１の回路部材の主面と前記第２の回路部材の主面との間に設けられ、前記第１及び第２の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
   を備える回路部材の接続構造における、前記回路接続部材を形成するための回路接続材料であって、
   前記回路接続材料が、接着剤組成物と、表面に複数の突起を有する導電粒子とを含むものであり、
   前記導電粒子が、有機高分子化合物からなる核体と、該核体上に設けられた金属層と、を有し、且つ、前記金属層中に存在して前記核体に通じているピンホールの数が、前記金属層の厚み方向の断面を観察したときに、前記核体と前記金属層との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満であることを特徴とする回路接続材料。
2. 前記金属層が、前記核体に最も近い側にニッケル又はニッケル合金のメッキ層を有し、且つ、前記メッキ層中に存在して前記核体に通じているピンホールの数が、前記メッキ層の厚み方向の断面を観察したときに、前記核体と前記メッキ層との境界線が延びる方向の範囲３００ｎｍ中２本未満であることを特徴とする請求項１に記載の回路接続材料。
3. 前記金属層が、単層のメッキ層からなる、請求項１又は２に記載の回路接続材料。
4. 前記導電粒子は、粒子径が２〜５μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路接続材料。
5. 前記第１の回路電極及び前記第２の回路電極のいずれか一方の電極は、最外層の材質がインジウム−錫酸化物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路接続材料。
6. 前記第１の回路電極及び前記第２の回路電極のいずれか一方の電極は、最外層の材質がインジウム−亜鉛酸化物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路接続材料。
7. フィルム状に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の回路接続材料。
8. 第１の回路基板の主面上に第１の回路電極が形成された第１の回路部材と、
   前記第１の回路部材に対向して配置され、第２の回路基板の主面上に第２の回路電極が形成された第２の回路部材と、
   前記第１の回路部材の主面と前記第２の回路部材の主面との間に設けられ、前記第１及び第２の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
   を備える回路部材の接続構造であって、
   前記回路接続部材は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路接続材料から形成されており、且つ、前記第１の回路電極と前記第２の回路電極とが、前記導電粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とする回路部材の接続構造。