JP4325379B2 - 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法 - Google Patents
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X=100×{(A−R)/A} (1)
D=100×{(A−B)/A} (2)
[式(1)及び(2)中、Aは導電粒子の粒径(μm)を示し、Rは導電粒子を圧縮して粉砕する時の圧力方向に沿った粒径(μm)を示し、Bは回路部材の接続構造において対向する第一及び第二の絶縁層間の最小距離(μm)を示す。]
X=100×{(A−R)/A} (1)
D=100×{(A−B)/A} (2)
[式(1)及び(2)中、Rは導電粒子を圧縮して粉砕する時の圧力方向に沿った粒径(μm)を示し、Bは回路部材の接続構造において対向する第一及び第二の絶縁層間の最小距離(μm)を示す。]
先ず、本発明に係る回路部材の接続構造について説明する。
X=100×{(A−R)/A} (1)
D=100×{(A−B)/A} (2)
C<B≦(A×0.9) (3)
上記式(3)中、Cは、絶縁層33の最大厚さと回路電極32の厚さとの差D1(μm)、及び絶縁層43の最大厚さと回路電極42の厚さとの差D2(μm)の合計である。
0.05≦C<9 (4)
導電粒子の弾性反発力=(3/√2)×P×Δ(-3/2)×r(-1/2) (6)
次に、上述した回路部材の接続構造1の製造方法について説明する。
一方、フィルム状に成形してなる回路接続材料(以下、フィルム状回路接続材料と言う)50を用意する(図4参照)。フィルム状回路接続材料50としては、第一の回路部材30及び第二の回路部材40に対して硬化処理により硬化する接着剤組成物51と、上述した導電粒子12とを含有し、且つ硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaとなり、25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃となるものを用いる。フィルム状回路接続材料50の詳細については後述する。フィルム状回路接続材料50の厚さは、10〜50μmであることが好ましい。フィルム状回路接続材料50の厚さが10μm未満では、回路接続材料が充填不足となる傾向があり、50μmを超えると、回路電極32,42間の接着剤組成物を十分に排除しきれなくなり、回路電極32,42間の導通の確保が困難となる傾向がある。
C<B≦(A×0.9) (3)
を満たすようにすることが好ましい。
0.05≦C<9 (4)
の条件を満たす。
次に、上述したフィルム状回路接続材料50の構成について詳細に説明する。
E≦B (5)
の条件を満たすことが好ましい。粒径Eが最小距離Bを越えると、回路部材30,40を接続することが困難となる傾向がある。絶縁性粒子を含有させることで、回路接続材料における導電粒子12の分散性を更に向上させることが可能となる。絶縁性粒子としては、具体的には、均一な粒径を得やすいことからシリカからなる粒子、又は、上記核体12a単独で構成される粒子が好ましい。
(回路部材の作製)
先ず、電極面積100μm×100μm、ピッチ200μmの金電極が40個配置されたICチップを用意した。このICチップ上に電極をマスクしながら、感光性ポリイミド(日立化成社製、商品名PIQ)を3μmの厚さで塗布した。そして、感光性ポリイミドを硬化させることで絶縁層を形成した。絶縁層は、電極中心から3μm厚くなるように形成した。こうして回路電極及び絶縁層を有するICチップ(第一の回路部材)を作製した。
まず、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン及びスチレンモノマー、並びに重合開始剤としてのベンゾイルパーオキサイドを用いて懸濁重合し、得られた重合体を音波ふるい器を用いて分級することで、所定の粒径を有する核体を得た。なお、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジビニルベンゼン及びスチレンモノマーの共重合比は、導電粒子が目的の扁平率Xとなるように調節した。
X=100×{(A−R)/A} (1)
に基づき導電粒子の扁平率X(%)を算出した。結果を表1に示す。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂50g、エポキシ樹脂の潜在性硬化剤としてノバキュア3941HPS(旭チバ株式会社製商品名)50gを混合した。そして、この混合物に接着剤組成物100体積部に対してNo.1の導電粒子を5体積部配合分散させて回路接続材料を得た。なお、上記潜在性硬化剤のノバキュア3941HPSは、イミダゾール変性体を核とし、その表面をポリウレタンで被覆してなる平均粒径5μmのマイクロカプセル型硬化剤を、液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂中に分散したマスターバッチ型硬化剤である。
まずガラス基板の回路電極及び絶縁層上に、上記回路接続材料を貼り付けた。次に、ICチップを、回路電極及び絶縁層を回路接続材料側に向けて、回路接続材料上に配置した。そして、ICチップ及びガラス基板を介して回路接続材料を100℃、5MPaで20秒間加熱加圧した。こうして回路部材の接続構造を得た。このとき、対向する絶縁層同士間の最小距離Bは、表2に示す通りとした。また、この最小距離Bと導電粒子の粒径Aとから、下記式:
D=100×{(A−B)/A} (2)
に基づいてパラメータD(%)を算出した。結果を表2に示す。
回路接続部材の40℃における貯蔵弾性率は0.5〜0.3GPaの範囲にあり、平均熱膨張係数は30〜200ppm/℃の範囲にあることが確認された。なお、貯蔵弾性率は、Reometric Scientific社製RSE−IIを用いて測定した。平均熱膨張係数は、セイコーインスツルメンツ社製TMA/SS6000を用いて測定した。
実施例1の回路接続材料において、さらに最大粒径3.5μmであり且つ平均粒径3μmであるシリカ微粒子を接着剤組成物100体積部に対して3体積部配合した他は、実施例1と同様にして実施例2の回路接続材料を得た。そして、実施例1と同様にしてICチップとガラス基板とを接続し、回路部材の接続構造を得た。このとき、対向する絶縁層同士間の最小距離B及びパラメータD(%)は、表2に示す通りとした。
実施例1におけるNo.1の導電粒子の代わりにNo.2の導電粒子を用いた他は、実施例1と同様にして回路接続材料を得た。
実施例1におけるNo.1の導電粒子の代わりにNo.3の導電粒子を用いた他は、実施例1と同様にして回路接続材料を得た。
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド株式会社製商品名PKHC、平均分子量45,000)50gを、重量比でトルエン/酢酸エチル=50/50の混合溶剤に溶解して、固形分40重量%のフェノキシ樹脂溶液とした。
(ウレタンアクリレートの合成)
平均分子量800のポリカプロラクトンジオール400重量部、2−ヒドロキシプロピルアクリレート131重量部、触媒としてジブチル錫ジラウレート0.5重量部、および重合禁止剤としてハイドロキノンモノメチルエーテル1.0重量部を50℃に加熱しながら混合した。次いで、イソホロンジイソシアネート222重量部を滴下し、攪拌しながら80℃に昇温してウレタン化反応を行った。イソシアネート基の反応率が99%以上になったことを確認後、反応温度を下げてウレタンアクリレートを得た。
実施例1におけるNo.1の導電粒子の代わりにNo.4の導電粒子を用いた他は、実施例1と同様にして回路接続材料を得た。
上記実施例1〜6及び比較例1に係る回路部材の接続構造について、初期(接続直後)と、80℃、95%RHの高温高湿槽中に1000時間保持(高温高湿処理)した後のそれぞれにおいて、マルチメータを用いて4端子法で回路の抵抗値を測定した。結果を表2に示す。なお、表2において、抵抗値は、隣接回路間の抵抗40点の平均値と標準偏差を3倍した値との和(x+3σ)で示した。
また、回路部材の接続後、上記実施例1〜実施例6及び比較例1に係る回路部材の接続構造について、各回路電極に存在する導電粒子数を顕微鏡による目視にて計数した。回路電極上の導電粒子数は、40個の電極上に存在する導電粒子の平均で示した。結果を表2に示す。
Claims (25)
- 第一の回路基板の主面上に第一の回路電極及び第一の絶縁層が隣接して形成された第一の回路部材と、
前記第一の回路部材に対向して設けられ、第二の回路基板の主面上に第二の回路電極及び第二の絶縁層が隣接して形成された第二の回路部材と、
前記第一の回路部材の主面と前記第二の回路部材の主面との間に設けられ、前記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材とを備え、前記第一及び第二の回路部材の少なくとも一方において前記絶縁層の少なくとも一部が前記主面を基準として前記回路電極より厚く形成されている回路部材の接続構造における、前記回路接続部材を形成するための回路接続材料であって、
接着剤組成物、及び粒径が10μm以下の導電粒子を含有し、該導電粒子の下記式(1)で示される扁平率Xが、下記式(2)で示されるパラメータD以下であり、
硬化処理により40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaとなり、硬化処理により25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃となることが可能である、
ことを特徴とする回路接続材料。
X=100×{(A−R)/A} (1)
D=100×{(A−B)/A} (2)
[式(1)及び(2)中、Aは前記導電粒子の粒径(μm)を示し、Rは前記導電粒子を圧縮して粉砕する時の圧力方向に沿った粒径(μm)を示し、Bは前記回路部材の接続構造において対向する前記第一及び第二の絶縁層間の最小距離(μm)を示す。] - 前記最小距離Bが下記式(3)の条件を満たすことを特徴とする請求項1に記載の回路接続材料。
C<B≦(A×0.9) (3)
[式(3)中、Cは、前記第一の絶縁層の最大厚さと前記第一の回路電極の厚さとの差(μm)、及び前記第二の絶縁層の最大厚さと前記第二の回路電極の厚さとの差(μm)の合計であり、下記式(4)の条件を満たす。但し、第一又は第二の絶縁層の最大膜厚が、第一又は第二の回路電極の膜厚よりも小さい場合には差の値は0とする。]
0.05≦C<9 (4) - 絶縁性粒子を更に含有し、該絶縁性粒子は、その粒径Eが下記式(5)の条件を満たすことを特徴とする請求項1又は2に記載の回路接続材料。
E≦B (5) - 前記導電粒子が、有機高分子からなる核体と、該核体上に形成された銅、ニッケル、ニッケル合金、銀又は銀合金からなる金属層とを備えており、前記金属層の厚さが50〜170nmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路接続材料。
- 前記導電粒子が、金又はパラジウムからなる最外層を備えており、前記最外層の厚さが15〜70nmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の回路接続材料。
- 前記接着剤組成物が、エポキシ樹脂と、該エポキシ樹脂の潜在性硬化剤とを含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路接続材料。
- 前記接着剤組成物が、ラジカル重合性物質と、加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤とを含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の回路接続材料。
- 硬化処理によりガラス転移温度が60〜200℃となることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の回路接続材料。
- フィルム形成材を更に含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の回路接続材料。
- 前記フィルム形成材がフェノキシ樹脂であることを特徴とする請求項9に記載の回路接続材料。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の回路接続材料をフィルム状に形成してなることを特徴とするフィルム状回路接続材料。
- 第一の回路基板の主面上に第一の回路電極及び第一の絶縁層が隣接して形成された第一の回路部材と、
前記第一の回路部材に対向して設けられ、第二の回路基板の主面上に第二の回路電極及び第二の絶縁層が隣接して形成された第二の回路部材と、
前記第一の回路部材の主面と前記第二の回路部材の主面との間に設けられ、前記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備え、前記第一及び第二の回路部材の少なくとも一方において、前記絶縁層の少なくとも一部が前記回路基板の主面を基準として前記回路電極より厚く形成されている回路部材の接続構造であって、
前記回路接続部材が、絶縁性物質と、粒径が10μm以下である導電粒子と、前記導電粒子の粒径よりも小さい粒径を有する粒子とを含有し、
前記導電粒子の下記式(1)で示される扁平率Xが、下記式(2)で示されるパラメータD以下であり、
前記回路接続部材の40℃における貯蔵弾性率が0.5〜3GPaであり且つ25℃から100℃までの平均熱膨張係数が30〜200ppm/℃であり、
前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが、前記導電粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とする回路部材の接続構造。
X=100×{(A−R)/A} (1)
D=100×{(A−B)/A} (2)
[式(1)及び(2)中、Aは導電粒子の粒径(μm)を示し、Rは導電粒子を圧縮して粉砕する時の圧力方向に沿った粒径(μm)を示し、Bは前記回路部材の接続構造において対向する第一及び第二の絶縁層間の最小距離(μm)を示す。] - 前記最小距離Bが下記式(3)の条件を満たすことを特徴とする請求項12に記載の回路部材の接続構造。
C<B≦(A×0.9) (3)
[式(3)中、Cは、前記第一の絶縁層の最大厚さと前記第一の回路電極の厚さとの差(μm)、及び前記第二の絶縁層の最大厚さと前記第二の回路電極の厚さとの差(μm)の合計であり、下記式(4)の条件を満たす。但し、第一又は第二の絶縁層の最大膜厚が、第一又は第二の回路電極の膜厚よりも小さい場合には差の値は0とする。]
0.05≦C<9 (4) - 前記回路接続部材が、更に、絶縁性粒子を含有し、該絶縁性粒子は、その粒径Eが下記式(5)の条件を満たすことを特徴とする請求項12又は13に記載の回路部材の接続構造。
E≦B (5) - 前記導電粒子が、有機高分子からなる核体と、該核体上に形成された銅、ニッケル、ニッケル合金、銀又は銀合金からなる金属層とを備えており、前記金属層の厚さが50〜170nmであることを特徴とする請求項12〜14のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記導電粒子が、金又はパラジウムからなる最外層を備えており、前記最外層の厚さが15〜70nmであることを特徴とする請求項12〜15のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記絶縁層の少なくとも一部が前記回路基板の主面を基準として前記回路電極より厚く形成されている回路部材において、前記絶縁層の少なくとも一部の厚さと前記回路電極の厚さとの差が50〜600nmであることを特徴とする請求項12〜16のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記回路接続部材のガラス転移温度が60〜200℃であることを特徴とする請求項12〜17のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記絶縁層が、有機絶縁性物質、二酸化珪素及び窒化珪素のいずれかから構成されていることを特徴とする請求項12〜18のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記第一及び第二の回路部材の少なくとも一方において、前記回路電極の表面積が15000μm2以下であり、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極との間における平均導電粒子数が3個以上であることを特徴とする請求項12〜19のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記第一及び第二の回路部材の少なくとも一方において、前記回路電極が、金、銀、錫、白金族の金属又はインジウム錫酸化物で構成される表面層を有することを特徴とする請求項12〜20のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 前記第一及び第二の回路部材の少なくとも一方において、前記回路基板が、有機絶縁性物質、ガラス又はシリコンで構成されていることを特徴とする請求項12〜21のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
- 第一の回路基板の主面上に第一の回路電極及び第一の絶縁層が隣接して形成された第一の回路部材と、
前記第一の回路部材に対向して設けられ、第二の回路基板の主面上に第二の回路電極及び第二の絶縁層が隣接して形成された第二の回路部材と、
前記第一の回路部材の主面と前記第二の回路部材の主面との間に設けられ、前記第一及び第二の回路部材同士を接続する回路接続部材と、
を備え、前記第一及び第二の回路部材の少なくとも一方において、前記絶縁層の少なくとも一部が前記回路基板の主面を基準として前記回路電極より厚く形成されている回路部材の接続構造の製造方法であって、
前記第一の回路基板の主面と前記第二の回路基板の主面との間に請求項11に記載のフィルム状回路接続材料を配置し、
前記第一及び第二の回路部材を介して前記フィルム状回路接続材料を加熱及び加圧して前記第一及び第二の絶縁層間に挟まれた導電粒子を粉砕すると共に硬化処理することにより、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接続し、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とを前記導電粒子を介して電気的に接続させることを特徴とする回路部材の接続構造の製造方法。 - 前記第一及び第二の絶縁層間の最小距離B(μm)が下記式(3)の条件を満たすように加圧することを特徴とする請求項23に記載の回路部材の接続構造の製造方法。
C<B≦(A×0.9) (3)
[式(3)中、Cは、前記第一の絶縁層の最大厚さと前記第一の回路電極の厚さとの差(μm)、及び前記第二の絶縁層の最大厚さと前記第二の回路電極の厚さとの差(μm)の合計であり、下記式(4)の条件を満たす。但し、第一又は第二の絶縁層の最大膜厚が、第一又は第二の回路電極の膜厚よりも小さい場合には差の値は0とする。]
0.05≦C<9 (4) - 請求項23又は24に記載の製造方法により得られることを特徴とする回路部材の接続構造。
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