JP5215950B2

JP5215950B2 - 電子機器および電気的接続方法

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Publication number: JP5215950B2
Application number: JP2009152213A
Authority: JP
Inventors: 收山田
Original assignee: 日本オクラロ株式会社
Priority date: 2009-06-26
Filing date: 2009-06-26
Publication date: 2013-06-19
Anticipated expiration: 2029-06-26
Also published as: JP2011009509A

Description

本発明は電子機器および電気的接続方法に関し、特に、電子部品が搭載された基板と他の基板とを連結部材を用いて接続される電子機器およびその接続方法に関する。

電子機器／装置の小型化に伴い、電子機器／装置内に電子部品を基板上に実装する場面において、より高密度な実装を行うことが必要とされている。かかる要求に答える高密度実装形態の一例として、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）が提案されている。

ＢＧＡの実装形態は、予め半導体集積回路が搭載されたインターポーザ（パッケージ基板）の、前記半導体集積回路の搭載面と反対の表面に配設された電極と、前記電極と対向して備えられた実装基板（プリント配線基板）上の電極とを、はんだボールを介して電気的、物理的に接続する形態となっている。ＢＧＡにおける高密度実装の実現によって、電子機器／装置の小型化が可能となった。

しかしながら上記例の様な高密度実装形態は、実装基板上に半導体集積回路をはじめとする電子部品を高密度実装するという点で有効な方法であるが、はんだボールを介して両基板間を接続する連結部分の信頼性が低下するという課題を有している。

両基板間の連結部分の信頼性の低下は、インターポーザと、実装基板とのそれぞれが持つ熱膨張係数の違いに起因する。電子機器／装置は稼働、停止によって、電子機器／装置内の温度上昇、下降を繰り返し引き起こす。この温度変化がインターポーザおよび実装基板の膨張（伸び）、収縮（縮み）という現象を引き起こし、両基板間を接続する連結部材に負荷をかけ、ひいては接続部分の破断、接続不良を発生させる。

例えば、セラミック製のインターポーザの熱膨張係数はおおよそ７ｐｐｍである。また、樹脂プリント基板の熱膨張係数はおおよそ１４ｐｐｍである。パッケージ基板にセラミックインターポーザ、実装基板に樹脂プリント基板をそれぞれ用いられている場合、両基板の熱膨張係数がそれぞれ異なるため、両基板を接続する連結部に大きなせん断力が加わり、接続部分の破断、接続不良を発生させる。

近年、ＢＧＡに代表されるような実装形態における両基板を接続する連結部材に関して、前記接続不良を解消するために多くの発案がされている。例えば非特許文献１には中実の樹脂コアを利用した樹脂コアＢＧＡが提案されており、ＢＧＡパッケージとプリント基板の接続部の温度サイクル寿命が向上できるという提案がされている。また、特許文献１には、導電性接着剤より構成された応力緩和機構体によって連結部材が形成されている応力緩和型電子部品実装体が開示されている。また特許文献２には、外部に開放された中空部を有する円筒形の保持体と、前記保持体の外表面に配設された導電性材料を有する接続端子が開示されている。

特許第３２６２５３２号公報特開２００１−１１８９５９号公報

Werner Engelmaier;" Achieving solder joint reliability in a lead-free world, part 2", Global SMT & Packaging, August 2007,pp.44-46.

しかしながら、非特許文献１にて提案されている樹脂コアＢＧＡや、特許文献１にて開示されている、応力緩和機構体が具備された連結部材を有するものは連結部材の剛性が高いため要求されている接続部分における標準的な温度サイクル寿命が得られない。また特許文献２にて開示されている、外部に開放された中空部を有する保持体と、前記保持体の外表面に配設された導電性材料とを具備する接続端子は、保持体の形状が対称性に乏しいために一定方向（外部に開放された中空部の開放面方向）からの負荷に対し効果が小さい。結果、二つの電極を接続する連結部分において発生する接続不良を改善するには至らなかった。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良を改善することにある。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、一方の表面に第一の電極が形成されている第一の基板と、前記第一の電極に対向する第二の電極が表面に形成されている第二の基板と、前記第一の電極と前記第二の電極とに挟まれて両基板を接続する連結部材と、を備え、前記連結部材は、内部に空隙が形成された、球状もしくは扁平した球状の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜とを含む、ことを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、お互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良を改善することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記連結部材は、球殻状もしくは扁平した球殻状の中空の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜とを含む、ことを特徴とする。

請求項２に記載の発明によれば、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良をより確実に改善することができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、前記第一の基板および前記第二の基板は、熱膨張率が互いに異なる材料からなることを特徴とし、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発明において、前記第一の基板および前記第二の基板の一方がセラミック製基板で他方が樹脂製基板である、ことを特徴とする。

請求項３及び４に記載の発明によれば、前記第一の基板および前記第二の基板に、それぞれ熱膨張率が異なる材料からなる基板を用いた場合においても、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良を防ぐことができる。

請求項５に記載の発明は、請求項２乃至４記載の発明において、前記樹脂核の殻の厚さを前記樹脂核の外径の１／５以下とした、ことを特徴とする。

請求項５に記載の発明によれば、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良をより確実に改善することができる。

請求項６に記載の発明は、請求項２乃至５の発明において、前記導電膜の厚さが前記樹脂核の殻の厚さよりも小さい、ことを特徴とする。

請求項６に記載の発明によれば、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良をより確実に改善することができる。

請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の発明において、前記導電膜が少なくとも１つの層を備え、前記少なくとも１つの層のうち最外表面層が、ろう材からなる、ことを特徴とする。

請求項７に記載の発明によれば、導電膜の最外表面層が、ろう材からなることによって、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を、連結部材を介して簡便に接続することができる。

請求項８に記載の発明は、請求項２乃至７の発明において、前記連結部材に貫通孔を３個以上備えた、ことを特徴とする。

請求項８に記載の発明によれば、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良をより確実に改善することができる。

請求項９に記載の発明は、一方の表面に第一の電極が形成されている第一の基板と、前記第一の電極に対置した第二の電極が形成されている第二の基板とを、前記第一の電極と前記第二の電極とに挟まれて両基板を接続する連結部材を介して電気的に接続する電気的接続方法において、前記連結部材として、内部に空隙を有する球殻状もしくは扁平した球殻状の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜とを含む部材を用いる、ことを特徴とする電気的接続方法である。

請求項９に記載の発明によれば、異なった二つの基板上に配設されているお互い対置する二つの電極を電気的に接続する連結部分において発生する、接続不良を改善可能な電気的接続方法を提供できる。

以上説明したように、本発明によれば、基板間の接続において内部に空隙を有する球殻状の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜とを備えた連結部材を具備する事によって、連結部分に発生する接続不良を改善することができる。

本発明の実施の形態に係る電子機器の一部切断外観斜視図である。本発明の実施の形態に係る電子機器の実装状態を示した模式断面図であり、図１のＩＩ−ＩＩの断面図に相当する。図２のＩＩＩ−ＩＩＩの断面図である。本発明の実施の形態に係る電子機器の実装部分を概略的に示す分解斜視図である。本発明の実施の形態に係る連結部材の断面図である。図５の破線部で囲まれたＶＩを拡大して示す部分断面図である。本発明の実施の形態の一例に係る接続部分の外観を示す部分拡大図である。本発明の実施の形態の他の一例に係る接続部分の外観を示す部分拡大図である。樹脂コアボールの厚みと、連結部材のせん断剛性との関係を表わす理論図である。

以下、本発明の一実施形態について図１、図２、図３、図４に基づき詳細に説明する。

図１は本実施形態の電子機器１の一部切断外観斜視図である。電子機器１は機器内部に実装基板（第二の基板）４上に実装された半導体パッケージ７０を含み、外郭を形成する筐体１１によって構成されている。

図２は図１のＩＩ−ＩＩの断面図に相当し、本発明の実施の形態に係る電子機器１の実装状態を示した模式断面図である。図２は、互いに対面しているインターポーザ（第一の基板）３と実装基板４とを、連結部材２を介して電気的に接続した状態を示している。併せて図２では、インターポーザ３の上面に半導体集積回路５をはんだボール６を介して接続されている状態を模式的に示している。放熱材７は半導体集積回路５の上面に密着して配置されており、電子機器／装置の稼働時における半導体パッケージ７０内部から発生する熱を、金属製ハウジング８に伝導させ、半導体パッケージ７０外部に放熱する役割を持っている。

図３はインターポーザ３に接続されている複数の連結部材の配置例を示す図であり、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図に相当する。本実施形態では複数の電極５０が規則的に配設されたインターポーザ３が用いられている。

図４は本実施形態に係る電子機器１の実装部分を概略的に示す分解斜視図である。図３における、連結部材２の下部に図４で示されている複数の電極５０がそれぞれ配設されている。インターポーザ３に備えられたこれら複数電極５０と対向して実装基板４にも同数の電極５１が配設されている。

本発明における電子機器とは、各種電子モジュール、各種電子装置あるいはそれに類するものをいう。

本実施形態における本発明の電子機器１は光伝送装置である。図１における電子機器１には、二つの半導体パッケージ７０が実装されている。前記半導体パッケージ７０の一つは受信ＩＣパッケージであり、もう一方は送信ＩＣパッケージである。光ファイバーケーブル１２を介し外部から送信された光信号は、電子機器１内の同軸ケーブル１０を介し受信ＩＣに伝送される。受信ＩＣは、伝送された光信号を電気信号に変換し、他の電子機器等に伝送する役割を持っている。送信ＩＣは、他の電子機器から送信された電気信号を光信号に変換して同軸ケーブル１０を経由した後、光ファイバーケーブル１２を介して外部に送信する役割を持っている。

本実施形態の電子機器１において、４０Ｇｂｉｔ/ｓの高周波の電気信号を電子機器１より送信する場合、図２における半導体集積回路５から送られた信号が内部のはんだボール６を介して、インターポーザ３の表面配線（図示せず）上に伝送され、金属製ハウジング８に設置した同軸コネクター（図示せず）から、図１の同軸ケーブル１０を介して伝送される。前記同軸コネクターを備えた金属製ハウジング８および前述の４０Ｇｂｉｔ/ｓ用の半導体集積回路５を搭載するには、インターポーザ３のサイズは約２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ５ｍｍを越える大形なものであることが必要とされる。

本実施形態ではインターポーザ３としてセラミック製基板が用いられている。また基板のサイズは２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚さ５ｍｍの物が用いられている。本発明における第一の基板は本実施形態で用いられたセラミック製基板の他に、樹脂製基板、例えばポリイミド基材、ガラスエポキシ基材等の基板も使用用途に応じて適宜使用することが可能である。また基板のサイズも適宜変更することができる。

本実施形態では実装基板４として樹脂製基板が用いられている。具体的にはガラスエポキシ製のプリント配線基板が用いられている。基板のサイズは電子機器１の外形によって適宜変更し用いることが出来る。本発明における第二の基板は本実施形態で用いられたガラスエポキシ製のプリント配線基板に限らず他の樹脂製基板、例えばベークライト基板、ガラスコンポジット基板、ＰＴＦＥ基板、コンポジット基板、紙エポキシ基板や、セラミック製基板を使用用途に応じて適宜使用することが可能である。

第一の基板、第二の基板に熱膨張率が互いに異なる材料からなる基板を組み合わせて使用した場合、両基板の熱膨張係数の差が大きくなり、それに伴うせん断応力の発生により、連結部分において接続不良を発生させる。本実施形態においても、セラミック製基板、樹脂製基板というそれぞれ熱膨張率が互いに異なる材料の基板が用いられている。

上記の場合においても本発明の連結部材２を接続部分に具備することによって、連結部分に発生する接続不良を改善することができる。

図５は、本実施形態の連結部材２の断面図である。図６は、さらに図５の破線部で囲まれたＶＩを拡大した、連結部材２の構成を示す部分断面図である。

本実施形態では連結部材２を構成する樹脂核として、球殻状の中空の樹脂コアボール３０が用いられている。樹脂コアボール３０は内部に一つの球状の中空部３２を備え、且つ殻の厚みが均一に形成されている。また連結部材２は樹脂コアボール３０を覆う導電膜を含んでいる。本実施形態では、導電膜に金属膜３１が用いられている。

連結部材２の大きな特徴は、熱膨張係数の差に起因する両基板の物理的な伸び（縮み）の差を樹脂コアボール３０の変形（歪み）にて負担する点にある。

樹脂コアボール３０は、図３で示すように実装基板４側の法線方向９０からみて円形の断面を有する。前記断面形状を有することによって、実装基板４側の法線方向９０と垂直に交わる方向のせん断変形に対して連結部材２は、自身を変形方向に追従し歪ませることが可能である。連結部材２の形状の歪みによって、熱膨張差により発生するせん断変形を効果的に負担することが可能となっている。

本発明における連結部材を構成する樹脂核の構造に関しては、樹脂核の中心と、球状の中空部の中心が一致する状態が好ましい。即ち樹脂核の殻の厚みが均一となるように一つの球状の中空部が形成されている構造が連結部材を均一に歪ませるという点で好ましい。

尚、樹脂コアボール３０は樹脂の内部に多数の微小な空隙が形成された、球状もしくは扁平した球状の多孔性の樹脂核を用いた場合でも、連結部分の剛性を低下させることが可能である。連結部分の剛性を低下させることは、即ち連結部分に発生する接続不良を効果的に改善することを意味している。

また、連結部材２を構成する樹脂コアボール３０のヤング率は、金属膜３１のヤング率よりも低い。樹脂コアボール３０を連結部材２に備えることによって連結部材２の剛性は低下し、せん断変形に対し対応することが可能となっている。本発明に用いられる樹脂核の材料は、具体的には、ジビニルベンゼン重合体、ベンゾグアナミン、ポリスチレン、ジビニルベンゼン―スチレン共重合体、ジビニルベンゼン―アクリル酸エステル共重合体、ジアリルフタレート重合体、ポリメタクリル酸メチル、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等から適時選定をすることが可能である。

樹脂コアボール３０および連結部材２の外形状は球殻状の他に、扁平した球殻状や、略球殻状の形状も使用することが可能である。すなわち本発明に用いられる樹脂核の外形状は、真球でなくとも球状に類した外形状であれば効果を奏する。

本実施形態における樹脂コアボール３０の外径Ｄは、電子部品をより高密度な実装を行うという本来の目的より１００〜１０００μｍにて使用されることが好ましい。より好ましくは１００〜７００μｍである。また前記樹脂コアボール３０の外表面上に金属膜３１が備えられている。図６で示すように、前記金属膜３１は樹脂コアボール３０側から順番に銅めっき層４０、ニッケルめっき層４１、ろう材（錫めっき層）４２からなる三層構造を有している。

本実施形態の一例として、樹脂コアボール外径Ｄは６００μｍ、図５に示すように、樹脂コアボール３０の殻部の厚みは均一に１００μｍ（外径Ｄの１／６、以下Ｄ／６とする）としている。金属膜３１を構成する三層構造の一例として、銅めっき層４０（１０μｍ）、ニッケルめっき層４１（３０μｍ）、ろう材（錫めっき）層４２（３０μｍ）と、それぞれの厚みで層を形成している。

本実施形態の金属膜３１の厚みは７０μｍである。金属膜３１の厚みを、樹脂コアボール３０の厚みよりも小さくすることによって、連結部材２のヤング率を低く保つことができ、連結部材２の剛性を効果的に低下させることができる。

本実施形態で用いた金属膜３１は三層構造であるが、本発明において単層構造、二層構造、あるいは三層以上の多層構造でも実施可能である。

また、銅めっき層４０は樹脂コアボール３０と密着して形成されている。銅めっき層４０は、樹脂コアボール３０の表面に導電性金属膜を形成するための下地層としての役割を果たしている。樹脂コアボール３０の表面と十分密着するものであれば銅めっき以外の組成物により下地層の役割を果たすことも可能である。また下地層を形成する組成によっては、下地層がろう材層としての機能を兼ねることもできる。この場合、単層構造にて金属膜３１が形成されることとなる。

本実施例における銅めっき層４０は、無電解めっき（化学めっき）法を用いて形成されたが、他の好適な方法を用いてもよい。例えば樹脂コアボール３０に導電性樹脂が用いられた場合は電界めっきにより樹脂表面に金属膜３１を形成することも可能である。

本実施形態における金属膜３１の中間層にニッケルめっき層４１が備えられている。併せて最外表面層にはろう材（錫めっき）層４２が備えられている。本実施形態では、ろう材（錫めっき）層４２を銅めっき層４０の表面に直接備えることが困難であった。従って、ろう材（錫めっき）層４２と銅めっき層４０をバインダーとして繋ぐ役割を持たせる、ニッケルめっき層４１が中間層として備えられている。

図７は本実施形態におけるインターポーザ３と実装基板４とを、はんだ５２および５３を用い連結部材２を介して接続した接続状態を取り出して示した部分拡大図である。図８は本実施形態における他の一例としてインターポーザ３と実装基板４とを、はんだ５２および５３を用い扁平した球殻状の連結部材２０を介して接続したものであり、図７同様、接続状態を取り出して示した部分拡大図である。連結部材２０は単軸方向が基板に対し垂直になるように備えられている。連結部材２、２０は両基板の表面に配設された一対の電極５０、５１間に具備されている。図７における両基板間の隙間は連結部材２の外径と略一致している。

図４を用いて本実施形態の電気的接続方法を説明する。半導体集積回路５がインターポーザ３にはんだボール６を介して実装される第一の工程と、放熱材７が半導体集積回路５の上面に配設され、金属製ハウジング８を半導体集積回路５および放熱材７を内包するようにインターポーザ３上面に装着される第二の工程と、次いでインターポーザ３の下面に規則正しく配設された複数の電極５０のそれぞれに、連結部材２がはんだ５２を介してろう接される第三の工程を経て半導体パッケージ７０が得られる。次いで半導体パッケージ７０はリフロー方式によって、実装基板４に実装される。実装基板４上に配設された複数の電極５１に、はんだ５３がそれぞれ印刷塗布される第四の工程と、前記半導体パッケージ７０が実装基板４上の所定位置に合わされた後、加熱しはんだ５３と連結部材２が接続される第五の工程とで本実施形態の電気的接続方法が構成されている。

図９は本発明における樹脂核に中空の球殻状の樹脂コアボールを用いた際の、前記樹脂コアボールの厚さと、連結部材のせん断剛性の関係を表わす理論図である。縦軸は中実の樹脂コアボールを用いた場合におけるせん断剛性の実測値に対する比を、横軸は樹脂コアボールの殻の厚さを表わしている。樹脂コアボール３０（Ｄ／６）を連結部材２に具備した電子機器１の接続部のせん断剛性は、内部に空隙を持たない中実の樹脂コアボールを用いたときに比べて約１／２０に低下させることが出来たことを図９は示している。

次いで−４０／８５℃の温度サイクル試験を実施した。樹脂核の内部に空隙を持たない中実の樹脂コアボールを用いた電子機器の温度サイクル試験結果は、約１００回の温度サイクルで接続部の破断が発生、という結果であった。それに対し、本実施形態の電子機器１を用いた温度サイクル試験においては５００回の温度サイクルを行っても接続部分の破断を発生しないという結果が得られた。

上述の結果は、本実施形態の電子機器１の接続部分の破断寿命は従来のものと比較して５倍以上の寿命が得られる、ということを示している。本実施形態の電子機器１に関し、温度サイクル試験後のはんだ接続部の状態を観察したところ、接続部分のはんだへのクラック発生はほとんど無かった。このことは、本実施形態の電子機器１は連結部分において発生する接続不良を改善されているものであることを意味している。

なお、本発明の実施形態では、図６の最外層にろう材（錫めっき）層４２を形成した場合を示したが、ろう材（錫めっき）層４２は本実施形態で用いたはんだ５２，５３との濡れ性を確保する機能を持っている。ろう材（錫めっき）層４２の代わりとして、例えば金めっき層であっても本発明の機能が阻害されるものではない。金めっきを用いた場合の金めっき層の厚さはおおよそ５０μｍ程度が経済的見地からみても妥当な厚みである。

また、本発明の前述の実施形態において、さらに接続部の温度サイクル寿命を向上させる手段として、連結部材２に開口部を設け、さらにせん断剛性を低下させる手段がある。この場合、連結部材２は開口部を３個以上、球体の球面上に略均等に分散して備えることが好ましい。

具体的には、連結部材２に直径が約１５μｍの円形の貫通孔（開口部）を連結部材２の球面上に均等に分散して３か所設けたところ、接続部の温度サイクル寿命がさらに２倍以上向上した結果が得られた。

なお、本実施形態で用いられたセラミック製のインターポーザ３と、半導体集積回路５の合計重量は約１０ｇと大きい。また本発明の電子機器が通信装置として使用される際には、衝撃加速度５００Ｇの試験を課されるものもあり、この時の連結部材に加わる力は概略５ｋｇになる。樹脂核に中空の球殻状の物を用いた場合、前述のような過酷な状況下に耐えうる樹脂核の殻の厚さの設定が必要になる。

連結部分の剛性を適切に担保する目的で、樹脂核の殻の厚さを前記樹脂核の外径の１／１０以上とすることが望ましい。

本発明における樹脂核の殻の厚さは、前記樹脂核の外径の１／２〜１／１０、より好ましくは１／５〜１／１０とすることが好ましい。

要求される樹脂核の殻の厚さのサイズは、本発明の電子機器の用途に応じて異なる。よって、用途に応じた樹脂核の殻の厚さの設計は適宜必要になる。すなわち用途によって、上記樹脂核の殻の厚さ以外の範囲においても本発明の効果を満たすことが可能である。

本実施形態ではＢＧＡ接続を用いたが、本発明はＢＧＡ接続方法に限定されるものではない。所謂ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）における技術分野にて幅広く利用が可能である。

加えて、従来の実装方法におけるインターポーザと実装基板の隙間に封止樹脂（アンダーフィル剤）を施工して、連結部材に係る応力の緩和、半導体パッケージ７０の脱落防止の補強として用いることは本発明においては必要がないが、アンダーフィル剤を併用することも無論問題ない。

１電子機器、２，２０連結部材、３インターポーザ、４実装基板、５半導体集積回路、６はんだボール、７放熱材、８金属製ハウジング、１０同軸ケーブル、１１筐体、１２光ファイバーケーブル、３０樹脂コアボール、３１金属膜、３２中空部、４０銅めっき層、４１ニッケルめっき層、４２ろう材（すずめっき）層、５０，５１電極、５２，５３はんだ、７０半導体パッケージ、８０樹脂コアボールの厚みとせん断剛性の関係を示す特性曲線、９０法線方向。

Claims

一方の表面に第一の電極が形成されている第一の基板と、
前記第一の電極に対向する第二の電極が表面に形成されている第二の基板と、
前記第一の電極と前記第二の電極とに挟まれて両基板を接続する連結部材と、を備え、
前記連結部材は、内部に球状もしくは扁平した球状の一つの中空部を備える、球殻状もしくは扁平した球殻状の中空の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜と、を含み、
前記第一の基板および前記第二の基板は、熱膨張率が互いに異なる材料からなり、
前記第一の基板および前記第二の基板の一方がセラミック製基板で、他方が樹脂製基板であり、
前記樹脂核の殻の厚さを前記樹脂核の外径の１／５以下とした、
ことを特徴とする電子機器。
前記導電膜の厚さが前記樹脂核の殻の厚さよりも小さい、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
前記導電膜が少なくとも１つの層を備え、前記少なくとも１つの層のうち最外表面層が、ろう材からなる、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
前記連結部材に貫通孔を３個以上備えた、
ことを特徴とする請求項２乃至３のいずれか一項に記載の電子機器。
一方の表面に第一の電極が形成されている第一の基板と、
前記第一の電極に対置した第二の電極が形成されている第二の基板とを、
前記第一の電極と前記第二の電極とに挟まれて両基板を接続する連結部材を介して電気的に接続する電気的接続方法において、
前記第一の基板および前記第二の基板は、熱膨張率が互いに異なる材料からなり、
前記第一の基板および前記第二の基板の一方がセラミック製基板で、他方が樹脂製基板であり、
前記連結部材として、内部に球状もしくは扁平した球状の一つの中空部を備える、球殻状もしくは扁平した球殻状の中空の樹脂核と、前記樹脂核を覆う導電膜と、を含み、前記樹脂核の殻の厚さを前記樹脂核の外径の１／５以下とした、部材を用いることを特徴とする電気的接続方法。