JP3475558B2 - 半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法 - Google Patents
半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法Info
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- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップをフリッ
プチップ方式によりあるいはＢＧＡ方式により基板へ実
装に使用するために使用する半導体チップ接合用ボール
及びこれを用いた接合方法に関する。
プチップ方式によりあるいはＢＧＡ方式により基板へ実
装に使用するために使用する半導体チップ接合用ボール
及びこれを用いた接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体チップを基板に実装す
る方法としては、ワイヤーボンディング法や、金バンプ
法、半田バンプ法といったフリップチップ方式のワイヤ
ーレスボンディング法が採用されているが、特に、近年
では、高密度実装化に伴い、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈ
ｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）の製造に際して半導体チップの実
装面積を低減させることができ、実装コストの点でも有
利な半田バンプ法の使用が増大している。
る方法としては、ワイヤーボンディング法や、金バンプ
法、半田バンプ法といったフリップチップ方式のワイヤ
ーレスボンディング法が採用されているが、特に、近年
では、高密度実装化に伴い、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈ
ｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）の製造に際して半導体チップの実
装面積を低減させることができ、実装コストの点でも有
利な半田バンプ法の使用が増大している。
【０００３】この半田バンプ法は、通常、５０〜７０μ
ｍという高さの高い半田バンプを半導体チップの入出力
端子に形成し、そのバンプを基板の電極パッドと熱圧着
することにより半導体チップを基板に接合する方法であ
る。この場合、半田バンプは、通常、真空法又は電気メ
ッキ法により形成されている。
ｍという高さの高い半田バンプを半導体チップの入出力
端子に形成し、そのバンプを基板の電極パッドと熱圧着
することにより半導体チップを基板に接合する方法であ
る。この場合、半田バンプは、通常、真空法又は電気メ
ッキ法により形成されている。
【０００４】また、半導体チップに厚さ数μｍの薄い半
田薄型バンプを形成し、これとは別にＣｕ、Ａｇ等の金
属球体や樹脂球体上に半田メッキを施したフリップチッ
プ用接続ボール（径２０〜２００μｍ程度）を形成し、
半導体チップに形成した半田薄型バンプと基板の電極パ
ッドとをフリップチップ用接続ボールを介して接合する
フリップチップ方式の接合方法も知られている。この場
合、Ｃｕ、Ａｇ等の金属球体や樹脂球体上への半田メッ
キは、電気メッキ法により行われている。
田薄型バンプを形成し、これとは別にＣｕ、Ａｇ等の金
属球体や樹脂球体上に半田メッキを施したフリップチッ
プ用接続ボール（径２０〜２００μｍ程度）を形成し、
半導体チップに形成した半田薄型バンプと基板の電極パ
ッドとをフリップチップ用接続ボールを介して接合する
フリップチップ方式の接合方法も知られている。この場
合、Ｃｕ、Ａｇ等の金属球体や樹脂球体上への半田メッ
キは、電気メッキ法により行われている。
【０００５】また、同様のボールを用いた接合方法とし
ては、近年、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）方式
の接合方法が注目されるようになっている。ＢＧＡ方式
の接合方法は、ＢＧＡ基板上に半導体チップを搭載し、
その基板の裏面に形成された電極パッドとマザーボード
とを半田ボール（径４００〜２０００μｍ程度）を介し
て接合する方法である。この方法によれば、通常の配線
のリードに相当する部分がＢＧＡ基板の裏面に形成され
るので、半導体チップのパッケージ面積の裏面全面にわ
たって端子を形成することが可能となり、半導体チップ
のパッケージ面積を有効に使用することが可能となる。
よって、端子ピッチを広くとることができ、装置の小形
化も可能となる。
ては、近年、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）方式
の接合方法が注目されるようになっている。ＢＧＡ方式
の接合方法は、ＢＧＡ基板上に半導体チップを搭載し、
その基板の裏面に形成された電極パッドとマザーボード
とを半田ボール（径４００〜２０００μｍ程度）を介し
て接合する方法である。この方法によれば、通常の配線
のリードに相当する部分がＢＧＡ基板の裏面に形成され
るので、半導体チップのパッケージ面積の裏面全面にわ
たって端子を形成することが可能となり、半導体チップ
のパッケージ面積を有効に使用することが可能となる。
よって、端子ピッチを広くとることができ、装置の小形
化も可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半田バンプ法に使用する半田バンプを半導体チップの入
出力端子に真空法や電気メッキ法で形成するためには、
本来的に大掛かりな製造設備が必要となり、また生産性
も低くなるので、結果的に実装コストが高くなるという
問題がある。
半田バンプ法に使用する半田バンプを半導体チップの入
出力端子に真空法や電気メッキ法で形成するためには、
本来的に大掛かりな製造設備が必要となり、また生産性
も低くなるので、結果的に実装コストが高くなるという
問題がある。
【０００７】また、真空法を利用して半田バンプを形成
する方法では、複数のバンプを形成した場合にバンプの
高さが不均一になりやすい。例えば、高さ５０〜７０μ
ｍの半田バンプを形成する場合には、±２０μｍ程度の
ばらつきが生じる。そのため半導体チップの実装に際し
て、複数のバンプを同時に接続するときの接合信頼性を
確保することが困難であるという問題もあった。
する方法では、複数のバンプを形成した場合にバンプの
高さが不均一になりやすい。例えば、高さ５０〜７０μ
ｍの半田バンプを形成する場合には、±２０μｍ程度の
ばらつきが生じる。そのため半導体チップの実装に際し
て、複数のバンプを同時に接続するときの接合信頼性を
確保することが困難であるという問題もあった。
【０００８】通常の高さ５０〜７０μｍの半田バンプに
代えて高さ数μｍの半田薄型バンプを形成し、これとフ
リップチップ用接続ボールとを用いて実装する方法にお
いても、そのフリップチップ用接続ボールを、Ｃｕ、Ａ
ｇ等の金属球体や樹脂球体上に電気メッキで半田メッキ
することにより形成しているので、均一な径のものが得
られず、接合信頼性を確保することが困難であるという
問題があった。即ち、Ｃｕ、Ａｇ等の金属球体や樹脂球
体上に電気メッキにより形成される半田メッキの厚さ
は、平均６０μｍに対して±３０μｍ程度のばらつきが
あり、さらには、接続ボール同士が半田メッキ中に半田
メッキで接合されてしまう場合もあり、均一な径のフリ
ップチップ用接続ボールを得ることができない。そのた
め、フリップチップ用接続ボールを使用してバンプ接合
を行う場合にも、接合信頼性を確保することが困難とな
っていた。
代えて高さ数μｍの半田薄型バンプを形成し、これとフ
リップチップ用接続ボールとを用いて実装する方法にお
いても、そのフリップチップ用接続ボールを、Ｃｕ、Ａ
ｇ等の金属球体や樹脂球体上に電気メッキで半田メッキ
することにより形成しているので、均一な径のものが得
られず、接合信頼性を確保することが困難であるという
問題があった。即ち、Ｃｕ、Ａｇ等の金属球体や樹脂球
体上に電気メッキにより形成される半田メッキの厚さ
は、平均６０μｍに対して±３０μｍ程度のばらつきが
あり、さらには、接続ボール同士が半田メッキ中に半田
メッキで接合されてしまう場合もあり、均一な径のフリ
ップチップ用接続ボールを得ることができない。そのた
め、フリップチップ用接続ボールを使用してバンプ接合
を行う場合にも、接合信頼性を確保することが困難とな
っていた。
【０００９】また、従来の半田ボールを使用してＢＧＡ
方式により接合する方法においては、半田ボールとし
て、半田を球状に成形したものあるいはＣｕ等の金属球
体上に電気メッキにより半田メッキ層を形成したものが
使用されるが、この半田ボールの製造過程で、半田ボー
ル中にＳｎＯ２、ＰｂＯ等の酸化物が混入する。そのた
め、半導体チップを搭載したＢＧＡ用の基板とマザーボ
ードとの接合工程で半田ボールを溶融させたときに、半
田ボール中に混入していた酸化物が接合面にスカムとし
て残り、接合信頼性を低下させるという問題が生じてい
た。
方式により接合する方法においては、半田ボールとし
て、半田を球状に成形したものあるいはＣｕ等の金属球
体上に電気メッキにより半田メッキ層を形成したものが
使用されるが、この半田ボールの製造過程で、半田ボー
ル中にＳｎＯ２、ＰｂＯ等の酸化物が混入する。そのた
め、半導体チップを搭載したＢＧＡ用の基板とマザーボ
ードとの接合工程で半田ボールを溶融させたときに、半
田ボール中に混入していた酸化物が接合面にスカムとし
て残り、接合信頼性を低下させるという問題が生じてい
た。
【００１０】さらに、半田ボールは本来的に酸化されや
すいＰｂ−Ｓｎ合金が、表面積の大きい球状に成形され
たものであるため、半田ボールはその製造過程で酸化さ
れるだけでなく、製造された後にも容易に酸化される。
特に、通常のＢＧＡ方式の接合雰囲気では容易に酸化さ
れる。そのために半田づけ性が低下し、接合信頼性が低
下するという問題も生じていた。
すいＰｂ−Ｓｎ合金が、表面積の大きい球状に成形され
たものであるため、半田ボールはその製造過程で酸化さ
れるだけでなく、製造された後にも容易に酸化される。
特に、通常のＢＧＡ方式の接合雰囲気では容易に酸化さ
れる。そのために半田づけ性が低下し、接合信頼性が低
下するという問題も生じていた。
【００１１】また、Ｃｕ等の金属球体上に半田メッキ層
を形成した半田ボールについては、フリップチップ用接
続ボールの場合と同様の理由で、半田メッキ層を均一な
径に製造することができない。したがって、これによっ
ても接合信頼性が低下するという問題があった。
を形成した半田ボールについては、フリップチップ用接
続ボールの場合と同様の理由で、半田メッキ層を均一な
径に製造することができない。したがって、これによっ
ても接合信頼性が低下するという問題があった。
【００１２】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、フリップチップ方式あるい
はＢＧＡ方式の接合に使用するボールを均一な径に、安
価に、生産性よく得られるようにし、それにより、低コ
ストで接合信頼性の高い半導体チップの接合を可能とす
ることを目的とする。
決しようとするものであり、フリップチップ方式あるい
はＢＧＡ方式の接合に使用するボールを均一な径に、安
価に、生産性よく得られるようにし、それにより、低コ
ストで接合信頼性の高い半導体チップの接合を可能とす
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、フリップチ
ップあるいはＢＧＡ接合に使用するボールの製造に際し
て、微細粒体上に電気メッキにより半田メッキ層を形成
するのではなく、無電解メッキ法によりＰｄ系メッキ被
膜を形成することにより均一な径のボールを得られるこ
と、さらには、そのＰｄ系メッキ被膜上にＰｄ系メッキ
被膜の融点降下用金属被膜を形成すると、ボールの半田
づけ性を大きく向上させられることを見出し、本発明を
完成させるに至った。
ップあるいはＢＧＡ接合に使用するボールの製造に際し
て、微細粒体上に電気メッキにより半田メッキ層を形成
するのではなく、無電解メッキ法によりＰｄ系メッキ被
膜を形成することにより均一な径のボールを得られるこ
と、さらには、そのＰｄ系メッキ被膜上にＰｄ系メッキ
被膜の融点降下用金属被膜を形成すると、ボールの半田
づけ性を大きく向上させられることを見出し、本発明を
完成させるに至った。
【００１４】
【００１５】即ち、本発明は、微細粒体上に無電解メッ
キ法によるＰｄ系メッキ被膜が形成され、その上にＰｄ
系メッキ被膜の融点降下用金属被膜が形成されている半
導体チップ接合用ボールを提供する。
キ法によるＰｄ系メッキ被膜が形成され、その上にＰｄ
系メッキ被膜の融点降下用金属被膜が形成されている半
導体チップ接合用ボールを提供する。
【００１６】また、本発明は、このようなボールを用い
た半導体チップの接合方法として、半導体チップの入出
力端子に薄型バンプを形成し、その薄型バンプと該半導
体チップを実装すべき基板の電極パッドとを上記半導体
チップ接合用ボールを介して重ね合わせ、その重なった
部分を加熱することにより両者を接合するフリップチッ
プ方式の接合方法を提供する。
た半導体チップの接合方法として、半導体チップの入出
力端子に薄型バンプを形成し、その薄型バンプと該半導
体チップを実装すべき基板の電極パッドとを上記半導体
チップ接合用ボールを介して重ね合わせ、その重なった
部分を加熱することにより両者を接合するフリップチッ
プ方式の接合方法を提供する。
【００１７】また、半導体チップをマウントしたＢＧＡ
基板の当該半導体チップと反対側の面の電極パッドとマ
ザーボードとの電極パッドとの間に上記半導体チップ接
合用ボールを保持させ、加熱することにより両者を接合
するＢＧＡ方式の半導体チップの接合方法を提供する。
基板の当該半導体チップと反対側の面の電極パッドとマ
ザーボードとの電極パッドとの間に上記半導体チップ接
合用ボールを保持させ、加熱することにより両者を接合
するＢＧＡ方式の半導体チップの接合方法を提供する。
【００１８】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の基本的な態様の半導体チッ
プ接合用ボール１ａの断面図であり、微細粒体２上に無
電解メッキ法によるＰｄ系メッキ被膜３が形成されてい
るものである。また、図２は、半田づけ性を大きく向上
させた本発明の半導体チップ接合用ボール１ｂの断面図
であり、Ｐｄ系メッキ被膜３上にさらにＰｄ系メッキ被
膜の融点降下用金属被膜４が形成されているものであ
る。
プ接合用ボール１ａの断面図であり、微細粒体２上に無
電解メッキ法によるＰｄ系メッキ被膜３が形成されてい
るものである。また、図２は、半田づけ性を大きく向上
させた本発明の半導体チップ接合用ボール１ｂの断面図
であり、Ｐｄ系メッキ被膜３上にさらにＰｄ系メッキ被
膜の融点降下用金属被膜４が形成されているものであ
る。
【００２０】ここで、微細粒体２としては、種々の金
属、樹脂、セラミックス又はガラスからなる粒体を使用
することができ、その形状は真球が好ましい。また、微
細粒体２の大きさは、当該半導体チップ接合用ボールの
用途に応じて適宜定めることができ、例えばフリップチ
ップ方式の接合に使用する場合には、直径５０〜１００
０μｍ程度の球状が好ましく、また、ＢＧＡ方式の接合
に使用する場合には、直径２００〜５０００μｍ程度の
球状が好ましい。
属、樹脂、セラミックス又はガラスからなる粒体を使用
することができ、その形状は真球が好ましい。また、微
細粒体２の大きさは、当該半導体チップ接合用ボールの
用途に応じて適宜定めることができ、例えばフリップチ
ップ方式の接合に使用する場合には、直径５０〜１００
０μｍ程度の球状が好ましく、また、ＢＧＡ方式の接合
に使用する場合には、直径２００〜５０００μｍ程度の
球状が好ましい。
【００２１】このような微細粒体２をなす金属製粒体と
しては、Ｃｕ又はＣｕ合金（Ｚｎ、Ａｇ又はＳｎ含有）
からなる粒体を好ましく使用することができ、市販のも
のを使用することができる。一般に、ＢＧＡ方式におい
て、半田ボールを電極パッドとマザーボードとの間で加
熱溶融させる接合時には、電極パッドとマザーボードと
の接合面のうち内側に配されたボールは、外側に配され
たボールに比して冷却速度が遅いために完全に溶融して
接合面上に広がり、リークが引き起され易くなるという
問題がある。しかし、微細粒体としてＣｕ又はＣｕ合金
等の金属製粒体を使用すると、接合時にボールの表面が
溶融してもその芯部の金属製粒体が溶融して接合面上に
広がることはない。したがって、接合時のリークの問題
を解消することができる。
しては、Ｃｕ又はＣｕ合金（Ｚｎ、Ａｇ又はＳｎ含有）
からなる粒体を好ましく使用することができ、市販のも
のを使用することができる。一般に、ＢＧＡ方式におい
て、半田ボールを電極パッドとマザーボードとの間で加
熱溶融させる接合時には、電極パッドとマザーボードと
の接合面のうち内側に配されたボールは、外側に配され
たボールに比して冷却速度が遅いために完全に溶融して
接合面上に広がり、リークが引き起され易くなるという
問題がある。しかし、微細粒体としてＣｕ又はＣｕ合金
等の金属製粒体を使用すると、接合時にボールの表面が
溶融してもその芯部の金属製粒体が溶融して接合面上に
広がることはない。したがって、接合時のリークの問題
を解消することができる。
【００２２】また、樹脂製の微細粒体２としては、ＡＢ
Ｓ、ＰＰ、ＰＰＳ、アクリル、ポリカーボネート、アル
キッド、ナイロン、ＰＥＴ等の粒体（中空体を含む）を
使用することができる。特に、ＡＢＳ又はＡＢＳブレン
ド樹脂からなるものが好ましい。セラミックス製の微細
粒体２としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、サファイヤ、
ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ等の粒体を使用することができ
る。なかでも、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２が安価に得られ、
メッキ性も良好なので好ましい。ガラス製の微細粒体２
としては、アルカリガラス、鉛ガラス、パイレックス等
からなるものを使用することができ、可能な限りＮａを
含まないものが好ましい。
Ｓ、ＰＰ、ＰＰＳ、アクリル、ポリカーボネート、アル
キッド、ナイロン、ＰＥＴ等の粒体（中空体を含む）を
使用することができる。特に、ＡＢＳ又はＡＢＳブレン
ド樹脂からなるものが好ましい。セラミックス製の微細
粒体２としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、サファイヤ、
ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＢＮ等の粒体を使用することができ
る。なかでも、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２が安価に得られ、
メッキ性も良好なので好ましい。ガラス製の微細粒体２
としては、アルカリガラス、鉛ガラス、パイレックス等
からなるものを使用することができ、可能な限りＮａを
含まないものが好ましい。
【００２３】また、微細粒体２が非電導性の粒体である
場合には、予め、その表面にＣｕ、Ｎｉ等の下地皮膜を
常法により形成しておくことが好ましい。
場合には、予め、その表面にＣｕ、Ｎｉ等の下地皮膜を
常法により形成しておくことが好ましい。
【００２４】Ｐｄ系メッキ被膜３は、Ｐｄ又は種々のＰ
ｄ合金の被膜からなる。この被膜厚さは、当該半導体チ
ップ接合用ボールの用途、及びＰｄ系メッキ被膜３上に
さらにＰｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４を設け
るか否か等に応じて適宜定めることができる。例えば、
フリップチップ方式の接合に使用する場合、一般に厚さ
１〜１００μｍ程度とすることが好ましく、ＢＧＡ方式
の接合に使用する場合、一般に厚さ１〜１０００μｍ程
度とすることが好ましい。
ｄ合金の被膜からなる。この被膜厚さは、当該半導体チ
ップ接合用ボールの用途、及びＰｄ系メッキ被膜３上に
さらにＰｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４を設け
るか否か等に応じて適宜定めることができる。例えば、
フリップチップ方式の接合に使用する場合、一般に厚さ
１〜１００μｍ程度とすることが好ましく、ＢＧＡ方式
の接合に使用する場合、一般に厚さ１〜１０００μｍ程
度とすることが好ましい。
【００２５】また、このＰｄ系メッキ被膜３は無電解メ
ッキ法により形成したものとする。無電解メッキによる
被膜とすることにより、所定の膜厚の被膜を、膜厚のば
らつき小さく形成することが可能となる。
ッキ法により形成したものとする。無電解メッキによる
被膜とすることにより、所定の膜厚の被膜を、膜厚のば
らつき小さく形成することが可能となる。
【００２６】このＰｄ系メッキ被膜３を形成するＰｄ系
合金としては、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−
Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎ
ｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｉｎ等を使
用することができる。これらＰｄ系合金又はＰｄが、さ
らにＰ、Ｂ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓ
ｂ、Ｚｎ又はＡｓ等を含有していてもよい。また、Ｐｄ
系メッキ被膜３には、密着性の点から、微細粒体２ある
いは必要に応じて形成するＰｄ系メッキ被膜の融点降下
用金属被膜４との界面に熱処理等によって拡散層を形成
することが好ましい。
合金としては、Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−
Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎ
ｉ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｉｎ等を使
用することができる。これらＰｄ系合金又はＰｄが、さ
らにＰ、Ｂ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓ
ｂ、Ｚｎ又はＡｓ等を含有していてもよい。また、Ｐｄ
系メッキ被膜３には、密着性の点から、微細粒体２ある
いは必要に応じて形成するＰｄ系メッキ被膜の融点降下
用金属被膜４との界面に熱処理等によって拡散層を形成
することが好ましい。
【００２７】Ｐｄ系メッキ被膜３の無電解メッキ条件
は、微細粒体２の種類や、当該Ｐｄ系メッキ被膜の種類
等に応じて適宜選択することができる。例えば、Ｃｕか
らなる微細粒体２上にＰｄ系メッキ被膜３としてＰｄ−
Ｐｂ−Ｓｎ被膜を形成する場合、無電解メッキ液とし
て、０．００１〜２モル／ｌ、好ましくは０．０１〜
０．５モル／ｌのパラジウム化合物と、０．００１〜２
モル／ｌ、好ましくは０．０１〜０．５モル／ｌの鉛化
合物と、０．００１〜３モル／ｌ、好ましくは０．０１
〜１モル／ｌの錫化合物と、０．０１〜１モル／ｌ、好
ましくは０．１〜０．５モル／ｌの還元剤とを含有する
液を使用し、ｐＨ１〜１３、好ましくはｐＨ３〜１０、
温度３０〜９５℃、好ましくは４０〜９３℃という条件
でメッキを行うことができる。
は、微細粒体２の種類や、当該Ｐｄ系メッキ被膜の種類
等に応じて適宜選択することができる。例えば、Ｃｕか
らなる微細粒体２上にＰｄ系メッキ被膜３としてＰｄ−
Ｐｂ−Ｓｎ被膜を形成する場合、無電解メッキ液とし
て、０．００１〜２モル／ｌ、好ましくは０．０１〜
０．５モル／ｌのパラジウム化合物と、０．００１〜２
モル／ｌ、好ましくは０．０１〜０．５モル／ｌの鉛化
合物と、０．００１〜３モル／ｌ、好ましくは０．０１
〜１モル／ｌの錫化合物と、０．０１〜１モル／ｌ、好
ましくは０．１〜０．５モル／ｌの還元剤とを含有する
液を使用し、ｐＨ１〜１３、好ましくはｐＨ３〜１０、
温度３０〜９５℃、好ましくは４０〜９３℃という条件
でメッキを行うことができる。
【００２８】また、Ｐｄ系メッキ被膜３の形成に際して
は、必要に応じて、その無電解メッキに先立ち、微細粒
体２の表面をエッチング液で洗浄し、パラジウム水溶液
で下地処理しておくことが特に好ましい。
は、必要に応じて、その無電解メッキに先立ち、微細粒
体２の表面をエッチング液で洗浄し、パラジウム水溶液
で下地処理しておくことが特に好ましい。
【００２９】この場合、エッチング液としては、密着性
の点から１〜５％Ｈ２ＳＯ４溶液を使用することが好ま
しい。
の点から１〜５％Ｈ２ＳＯ４溶液を使用することが好ま
しい。
【００３０】また、下地処理用のパラジウム水溶液とし
ては、例えば、塩化パラジウム０．０１〜１０ｇ／ｌ、
好ましくは０．１〜３ｇ／ｌ、３５％塩酸０．０１〜５
０ｍｌ／ｌ、好ましくは０．１〜１０ｍｌ／ｌ及びクエ
ン酸カリウム１〜１００ｇ／ｌ、好ましくは３〜５０ｇ
／ｌからなる塩化パラジム水溶液を例示することができ
る。また、このような塩化パラジウム水溶液は、ｐＨ１
〜１１、好ましくはｐＨ３〜９で温度０〜７０℃、好ま
しくは５〜５０℃で使用することが好ましい。この他、
有機酸パラジウム（クエン酸パラジウム、リンゴ酸パラ
ジウム、コハク酸パラジウム等）の水溶液も使用するこ
とができる。
ては、例えば、塩化パラジウム０．０１〜１０ｇ／ｌ、
好ましくは０．１〜３ｇ／ｌ、３５％塩酸０．０１〜５
０ｍｌ／ｌ、好ましくは０．１〜１０ｍｌ／ｌ及びクエ
ン酸カリウム１〜１００ｇ／ｌ、好ましくは３〜５０ｇ
／ｌからなる塩化パラジム水溶液を例示することができ
る。また、このような塩化パラジウム水溶液は、ｐＨ１
〜１１、好ましくはｐＨ３〜９で温度０〜７０℃、好ま
しくは５〜５０℃で使用することが好ましい。この他、
有機酸パラジウム（クエン酸パラジウム、リンゴ酸パラ
ジウム、コハク酸パラジウム等）の水溶液も使用するこ
とができる。
【００３１】図１に示した本発明の基本的な態様の半導
体チップ接合用ボール１ａは、以上のような微細粒体２
及び無電解メッキによるＰｄ系メッキ被膜３からなるも
のであり、後述するように、従来のフリップチップ用接
続ボールと同様に、半導体チップの薄型バンプ（半田薄
型バンプ、貴金属薄型バンプ、無電解Ｎｉ系メッキ層と
無電解貴金属メッキ層からなる薄型バンプ等）と基板の
電極パッドとの間に介在させて両者を接合するために使
用することができる。あるいは、従来のＢＧＡ用半田ボ
ールと同様に、半導体チップを搭載したＢＧＡ基板の電
極パッドとマザーボードと電極パッドとの間に介在させ
て両者を接合するために使用することができる。
体チップ接合用ボール１ａは、以上のような微細粒体２
及び無電解メッキによるＰｄ系メッキ被膜３からなるも
のであり、後述するように、従来のフリップチップ用接
続ボールと同様に、半導体チップの薄型バンプ（半田薄
型バンプ、貴金属薄型バンプ、無電解Ｎｉ系メッキ層と
無電解貴金属メッキ層からなる薄型バンプ等）と基板の
電極パッドとの間に介在させて両者を接合するために使
用することができる。あるいは、従来のＢＧＡ用半田ボ
ールと同様に、半導体チップを搭載したＢＧＡ基板の電
極パッドとマザーボードと電極パッドとの間に介在させ
て両者を接合するために使用することができる。
【００３２】図２に示した半導体チップ接合用ボール１
ｂは、図１に示した半導体チップ接合用ボール１ａのＰ
ｄ系メッキ被膜３上に、そのＰｄ系メッキ被膜の融点降
下用金属被膜４を設けたものである。このＰｄ系メッキ
被膜の融点降下用金属被膜４はＰｄ系メッキ被膜３と合
金を形成し、半導体チップ接合用ボールの表面金属の融
点を降下させる。したがって、フリップチップ接合時あ
るいはＢＧＡ接合時の接合温度を比較的低くしても、極
めて容易に良好に接合をすることが可能となる。このよ
うなＰｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４として
は、例えば、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｚ
ｎもしくはＡｓ又はこれらの少なくとも一種の合金等か
らなる被膜を形成することができる。
ｂは、図１に示した半導体チップ接合用ボール１ａのＰ
ｄ系メッキ被膜３上に、そのＰｄ系メッキ被膜の融点降
下用金属被膜４を設けたものである。このＰｄ系メッキ
被膜の融点降下用金属被膜４はＰｄ系メッキ被膜３と合
金を形成し、半導体チップ接合用ボールの表面金属の融
点を降下させる。したがって、フリップチップ接合時あ
るいはＢＧＡ接合時の接合温度を比較的低くしても、極
めて容易に良好に接合をすることが可能となる。このよ
うなＰｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４として
は、例えば、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｚ
ｎもしくはＡｓ又はこれらの少なくとも一種の合金等か
らなる被膜を形成することができる。
【００３３】また、融点降下用金属被膜４として特に融
点の低い金属（例えば、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ等）を用いた
場合には、その融点降下用金属被膜４のみを溶融させる
ことにより、半導体チップ接合用ボール１ｂを基板ある
いはボードに仮止めすることが可能となる。したがっ
て、半導体チップの接合時には、まず、Ｐｄ系メッキ被
膜の融点降下用金属被膜４のみを溶融させて基板あるい
はボードに仮固定し、その後、温度を上げてＰｄ系メッ
キ被膜の融点降下用金属被膜４とＰｄ系メッキ被膜３と
の合金層の形成が行われるようにすることにより、確実
な接合を行うことが可能となる。
点の低い金属（例えば、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ等）を用いた
場合には、その融点降下用金属被膜４のみを溶融させる
ことにより、半導体チップ接合用ボール１ｂを基板ある
いはボードに仮止めすることが可能となる。したがっ
て、半導体チップの接合時には、まず、Ｐｄ系メッキ被
膜の融点降下用金属被膜４のみを溶融させて基板あるい
はボードに仮固定し、その後、温度を上げてＰｄ系メッ
キ被膜の融点降下用金属被膜４とＰｄ系メッキ被膜３と
の合金層の形成が行われるようにすることにより、確実
な接合を行うことが可能となる。
【００３４】Ｐｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４
の被膜厚さは、降下させるべきＰｄ系メッキ被膜３の溶
融温度等に応じて適宜定めることができる。例えば、Ｐ
ｄ７０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、Ｐ５％からなるＰｄ
系メッキ被膜（厚さ３０μｍ、融点３８５℃）上に厚さ
２〜３μｍ程度のＩｎ被膜を形成することにより、この
半導体チップ接合用ボールの表面金属の融点を２５０〜
２７０℃にまで低下させることが可能となる。通常、Ｐ
ｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４の厚さは、フリ
ップチップ方式の接合に使用するボールでも、ＢＧＡ方
式の接合に使用するボールでも、１００μｍ以下とする
ことが好ましい。
の被膜厚さは、降下させるべきＰｄ系メッキ被膜３の溶
融温度等に応じて適宜定めることができる。例えば、Ｐ
ｄ７０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、Ｐ５％からなるＰｄ
系メッキ被膜（厚さ３０μｍ、融点３８５℃）上に厚さ
２〜３μｍ程度のＩｎ被膜を形成することにより、この
半導体チップ接合用ボールの表面金属の融点を２５０〜
２７０℃にまで低下させることが可能となる。通常、Ｐ
ｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜４の厚さは、フリ
ップチップ方式の接合に使用するボールでも、ＢＧＡ方
式の接合に使用するボールでも、１００μｍ以下とする
ことが好ましい。
【００３５】なお、このＰｄ系メッキ被膜の融点降下用
金属被膜４の形成方法は、形成する被膜厚さが、上述の
Ｐｄ系メッキ被膜３に比して薄くて足るのでそれ自体の
メッキ厚のばらつきが大きな問題とはならないため、電
気メッキにより形成することができる。
金属被膜４の形成方法は、形成する被膜厚さが、上述の
Ｐｄ系メッキ被膜３に比して薄くて足るのでそれ自体の
メッキ厚のばらつきが大きな問題とはならないため、電
気メッキにより形成することができる。
【００３６】図２に示した本発明の半導体チップ接合用
ボール１ｂも、図１に示した本発明の半導体チップ接合
用ボール１ａと同様に、従来のフリップチップ用接続ボ
ールあるいはＢＧＡ用半田ボールと同様の方法で使用す
ることができる。
ボール１ｂも、図１に示した本発明の半導体チップ接合
用ボール１ａと同様に、従来のフリップチップ用接続ボ
ールあるいはＢＧＡ用半田ボールと同様の方法で使用す
ることができる。
【００３７】例えば、フリップチップ方式の接合に使用
する場合、図３に示したように、半導体チップ５のＡｌ
からなる入出力端子６の上に真空法により厚さ１０〜３
０μｍの半田あるいは貴金属の薄型バンプ７を形成す
る。一方、基板８のＣｕ製の電極パッド９には、半田づ
け性を向上させる点から、好ましくは厚さ１〜１０μｍ
のＮｉ−Ａｕ積層メッキ層（Ｎｉメッキ層１０とＡｕメ
ッキ層１１とを順次積層したもの）を形成する。そし
て、半導体チップ５の薄型バンプ７と半導体チップ接合
用ボール１（１ａ又は１ｂ）と基板８の電極パッド９と
を位置合わせし、約２００〜４００℃の温度で熱圧着す
ることにより半導体チップ５を配線基板８に実装するこ
とができる。
する場合、図３に示したように、半導体チップ５のＡｌ
からなる入出力端子６の上に真空法により厚さ１０〜３
０μｍの半田あるいは貴金属の薄型バンプ７を形成す
る。一方、基板８のＣｕ製の電極パッド９には、半田づ
け性を向上させる点から、好ましくは厚さ１〜１０μｍ
のＮｉ−Ａｕ積層メッキ層（Ｎｉメッキ層１０とＡｕメ
ッキ層１１とを順次積層したもの）を形成する。そし
て、半導体チップ５の薄型バンプ７と半導体チップ接合
用ボール１（１ａ又は１ｂ）と基板８の電極パッド９と
を位置合わせし、約２００〜４００℃の温度で熱圧着す
ることにより半導体チップ５を配線基板８に実装するこ
とができる。
【００３８】また、薄型バンプ７に代えて、入出力端子
６上に厚さ０．３〜２０μｍの無電解Ｎｉ系メッキ層お
よび厚さ０．００５〜５０μｍの無電解貴金属メッキ層
を順次積層した薄型バンプを形成してもよい。これによ
り、より接合信頼性を高めることができるので好まし
い。
６上に厚さ０．３〜２０μｍの無電解Ｎｉ系メッキ層お
よび厚さ０．００５〜５０μｍの無電解貴金属メッキ層
を順次積層した薄型バンプを形成してもよい。これによ
り、より接合信頼性を高めることができるので好まし
い。
【００３９】また、ＢＧＡ方式の接合に使用する場合、
例えば、図４に示したように、半導体チップ５をマウン
トしたＢＧＡ基板２０の当該半導体チップと反対側の面
の電極パッド２１の上に、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層（Ｎ
ｉメッキ層２２とＡｕメッキ層２３とを順次積層したも
の）及びクリーム半田層２４を合計で厚さ１〜５０μｍ
形成し、そこに半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は
１ｂ）を融着させることにより保持させる。一方、マザ
ーボード３０の電極パッド３１の上にもＮｉ−Ａｕ積層
メッキ層（Ｎｉメッキ層３２とＡｕメッキ層３３とを順
次積層したもの）及びクリーム半田層３４を合計で厚さ
１〜５０μｍ形成し、これとＢＧＡ基板２０に融着させ
た半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）とを位
置合わせし、約２００〜４００℃の温度で熱圧着するこ
とにより半導体チップ５をマウントしたＢＧＡ基板２０
とマザーボード３０とを接合することができる。
例えば、図４に示したように、半導体チップ５をマウン
トしたＢＧＡ基板２０の当該半導体チップと反対側の面
の電極パッド２１の上に、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層（Ｎ
ｉメッキ層２２とＡｕメッキ層２３とを順次積層したも
の）及びクリーム半田層２４を合計で厚さ１〜５０μｍ
形成し、そこに半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は
１ｂ）を融着させることにより保持させる。一方、マザ
ーボード３０の電極パッド３１の上にもＮｉ−Ａｕ積層
メッキ層（Ｎｉメッキ層３２とＡｕメッキ層３３とを順
次積層したもの）及びクリーム半田層３４を合計で厚さ
１〜５０μｍ形成し、これとＢＧＡ基板２０に融着させ
た半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）とを位
置合わせし、約２００〜４００℃の温度で熱圧着するこ
とにより半導体チップ５をマウントしたＢＧＡ基板２０
とマザーボード３０とを接合することができる。
【００４０】この場合、必要に応じて、ＢＧＡ基板２０
の電極パッド２１のＮｉ−Ａｕ積層メッキ層の上に設け
たクリーム半田層２４や、マザーボード３０の電極パッ
ド３１のＮｉ−Ａｕ積層メッキ層の上に設けたクリーム
半田層３４は、省略することができる。また、これらの
ＢＧＡ基板２０の電極パッド２１あるいはマザーボード
３０の電極パッド３１上には、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層
及びクリーム半田層の形成に代えて半田メッキ層を形成
してもよく、また、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層及びクリー
ム半田層の形成に代えてＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｐｂ
−Ｐ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｐｂ
−Ｓｎ−Ｐ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｂ、Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐ、
Ｐｄ−Ｓｎ−Ｂ、Ｐｄ−Ｓｎ−Ｉｎ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｐｄ
−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｐ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓ
ｎ−Ｉｎ−Ｐ等の貴金属層を形成してもよい。
の電極パッド２１のＮｉ−Ａｕ積層メッキ層の上に設け
たクリーム半田層２４や、マザーボード３０の電極パッ
ド３１のＮｉ−Ａｕ積層メッキ層の上に設けたクリーム
半田層３４は、省略することができる。また、これらの
ＢＧＡ基板２０の電極パッド２１あるいはマザーボード
３０の電極パッド３１上には、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層
及びクリーム半田層の形成に代えて半田メッキ層を形成
してもよく、また、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層及びクリー
ム半田層の形成に代えてＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｐｄ−Ｐｂ
−Ｐ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｉｎ、Ｐｄ−Ｐｂ
−Ｓｎ−Ｐ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｂ、Ｐｄ−Ｓｎ−Ｐ、
Ｐｄ−Ｓｎ−Ｂ、Ｐｄ−Ｓｎ−Ｉｎ、Ｎｉ−Ｐｄ、Ｐｄ
−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｐ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓ
ｎ−Ｉｎ−Ｐ等の貴金属層を形成してもよい。
【００４１】また、マザーボード３０の電極パッドの構
成金属とＢＧＡ基板２０の電極パッドの構成金属とを異
ならせ、それらの間に半導体チップ接合用ボール１（１
ａ又は１ｂ）を置いてそれらを融着すると、半導体チッ
プ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）のマザーボード側の
接合面とＢＧＡ基板側の接合面とでは融点が異なるよう
になる。例えば、マザーボード３０の電極パッド３１の
最外層をクリーム半田を印刷したＣｕ層とし、ＢＧＡ基
板２０の電極パッド２１の最外層を貴金属層とし、それ
らの間に半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）
を置いてそれらを融着させると、マザーボード側の電極
パッド３１と半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１
ｂ）との接合面と、ＢＧＡ基板側の電極パッド２１と半
導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）との接合面
とでは、後者（即ち、ＢＧＡ基板２０側の接合面）の融
点の方が高くなる。したがって、これらを接合した後で
も再度加熱することにより、マザーボード３０の電極パ
ッド３１を剥がすことが可能となる。よって、従来のＢ
ＧＡ方式の接合方法で課題となっていた、ＢＧＡ基板２
０とマザーボード３０とのリペアが可能となる。なお、
図４に示したように、ＢＧＡ基板２０の電極パッド２１
の最外層だけでなく、マザーボード３０の電極パッド３
１の最外層にも貴金属層を形成すると、双方の電極パッ
ド２１、３１と半導体チップ接合用ボール１との接合強
度とを同時に高めることができるので、高い接合信頼性
を得る点から好ましい。
成金属とＢＧＡ基板２０の電極パッドの構成金属とを異
ならせ、それらの間に半導体チップ接合用ボール１（１
ａ又は１ｂ）を置いてそれらを融着すると、半導体チッ
プ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）のマザーボード側の
接合面とＢＧＡ基板側の接合面とでは融点が異なるよう
になる。例えば、マザーボード３０の電極パッド３１の
最外層をクリーム半田を印刷したＣｕ層とし、ＢＧＡ基
板２０の電極パッド２１の最外層を貴金属層とし、それ
らの間に半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）
を置いてそれらを融着させると、マザーボード側の電極
パッド３１と半導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１
ｂ）との接合面と、ＢＧＡ基板側の電極パッド２１と半
導体チップ接合用ボール１（１ａ又は１ｂ）との接合面
とでは、後者（即ち、ＢＧＡ基板２０側の接合面）の融
点の方が高くなる。したがって、これらを接合した後で
も再度加熱することにより、マザーボード３０の電極パ
ッド３１を剥がすことが可能となる。よって、従来のＢ
ＧＡ方式の接合方法で課題となっていた、ＢＧＡ基板２
０とマザーボード３０とのリペアが可能となる。なお、
図４に示したように、ＢＧＡ基板２０の電極パッド２１
の最外層だけでなく、マザーボード３０の電極パッド３
１の最外層にも貴金属層を形成すると、双方の電極パッ
ド２１、３１と半導体チップ接合用ボール１との接合強
度とを同時に高めることができるので、高い接合信頼性
を得る点から好ましい。
【００４２】
【作用】本発明の半導体チップ接合用ボールは、微細粒
体上にＰｄ系メッキ被膜が形成されているので、耐酸化
性に優れたものとなる。また、このＰｄ系メッキ被膜は
無電解メッキにより形成されているので、微細粒体上の
メッキ厚さのばらつきが抑制され、均一な径のものとな
る。よって、複数の端子を同時に接合する場合でも、全
ての端子について高い接合信頼性を確保することが可能
となる。
体上にＰｄ系メッキ被膜が形成されているので、耐酸化
性に優れたものとなる。また、このＰｄ系メッキ被膜は
無電解メッキにより形成されているので、微細粒体上の
メッキ厚さのばらつきが抑制され、均一な径のものとな
る。よって、複数の端子を同時に接合する場合でも、全
ての端子について高い接合信頼性を確保することが可能
となる。
【００４３】また、本発明の半導体チップ接合用ボール
は真空法を利用することなく製造できるので、安価に生
産性高く得られるものとなる。
は真空法を利用することなく製造できるので、安価に生
産性高く得られるものとなる。
【００４４】特に、本発明の半導体チップ接合用ボール
において、Ｐｄ系メッキ被膜上にさらにＰｄ系メッキ被
膜の融点降下用金属被膜を設けたものは、そのＰｄ系メ
ッキ被膜の融点降下用金属被膜の作用により半導体チッ
プ接合用ボールの表層金属の融点が降下するので、接合
時の加熱温度を比較的低くしても容易に溶融する。よっ
て、半導体チップと基板とを良好に接合することが可能
となる。
において、Ｐｄ系メッキ被膜上にさらにＰｄ系メッキ被
膜の融点降下用金属被膜を設けたものは、そのＰｄ系メ
ッキ被膜の融点降下用金属被膜の作用により半導体チッ
プ接合用ボールの表層金属の融点が降下するので、接合
時の加熱温度を比較的低くしても容易に溶融する。よっ
て、半導体チップと基板とを良好に接合することが可能
となる。
【００４５】また、半導体チップ接合用ボールで接合す
る電極パッドの一方（好ましくは半導体チップ側の電極
パッド）の最外層を貴金属層とすると、本発明の半導体
チップ接合用ボールと、その最外層が貴金属層で形成さ
れている方の電極パッドとの接合部の融点は、もう一方
の電極パッドとの接合部の融点よりも高くなる。したが
って、これらを接合した後も、再加熱することにより、
もう一方の電極パッド側を剥がすことができる。よっ
て、接合後のリペアが可能となる。
る電極パッドの一方（好ましくは半導体チップ側の電極
パッド）の最外層を貴金属層とすると、本発明の半導体
チップ接合用ボールと、その最外層が貴金属層で形成さ
れている方の電極パッドとの接合部の融点は、もう一方
の電極パッドとの接合部の融点よりも高くなる。したが
って、これらを接合した後も、再加熱することにより、
もう一方の電極パッド側を剥がすことができる。よっ
て、接合後のリペアが可能となる。
【００４６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００４７】実施例１
直径１００μｍの銅球１００ｇをバレルメッキ装置に入
れ、ＮａＯＨ１０ｇ／ｌ、オルソケイ酸ソーダ１０ｇ／
ｌ、グルコン酸ソーダ１０ｇ／ｌからなる浸漬脱脂剤を
用いて５０℃で１０分間浸漬脱脂し、次で水洗した。さ
らに、５％Ｈ２ＳＯ４に３分間浸漬し、次で水洗した。
その後、ＰｄＣｌ２０．１ｇ／ｌ、３５％ＨＣｌ２ｍｌ
／ｌからなるＰｄ水溶液に３０秒間浸漬し、次で水洗し
た。
れ、ＮａＯＨ１０ｇ／ｌ、オルソケイ酸ソーダ１０ｇ／
ｌ、グルコン酸ソーダ１０ｇ／ｌからなる浸漬脱脂剤を
用いて５０℃で１０分間浸漬脱脂し、次で水洗した。さ
らに、５％Ｈ２ＳＯ４に３分間浸漬し、次で水洗した。
その後、ＰｄＣｌ２０．１ｇ／ｌ、３５％ＨＣｌ２ｍｌ
／ｌからなるＰｄ水溶液に３０秒間浸漬し、次で水洗し
た。
【００４８】次に、ＰｄＣｌ２２ｇ／ｌ、塩化鉛１０ｇ
／ｌ、塩化第一錫１０ｇ／ｌ、クエン酸アンモニウム２
０ｇ／ｌ、酒石酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、及び次亜リ
ン酸ソーダ２０ｇ／ｌからなるＰｄ系合金メッキ液を調
製し、これを用いてｐＨ４．０、温度７０℃で無電解メ
ッキし、厚さ５０μｍのＰｄ系合金被膜（組成：Ｐｄ７
０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、Ｐ５％）を形成した。こ
のメッキ被膜の厚さのばらつきは±２μｍにすぎず、メ
ッキ中に粒子同士が接合したものはなかった。なお、こ
のＰｄ系合金被膜の融点は、３８５℃であった。
／ｌ、塩化第一錫１０ｇ／ｌ、クエン酸アンモニウム２
０ｇ／ｌ、酒石酸アンモニウム２０ｇ／ｌ、及び次亜リ
ン酸ソーダ２０ｇ／ｌからなるＰｄ系合金メッキ液を調
製し、これを用いてｐＨ４．０、温度７０℃で無電解メ
ッキし、厚さ５０μｍのＰｄ系合金被膜（組成：Ｐｄ７
０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、Ｐ５％）を形成した。こ
のメッキ被膜の厚さのばらつきは±２μｍにすぎず、メ
ッキ中に粒子同士が接合したものはなかった。なお、こ
のＰｄ系合金被膜の融点は、３８５℃であった。
【００４９】得られたＰｄ系合金被膜を水洗し乾燥する
ことにより半導体チップ接合用ボールを得た。
ことにより半導体チップ接合用ボールを得た。
【００５０】一方、Ｃ−ＭＯＳの入出力端子である２μ
ｍ厚のアルミニウム端子に厚さ５μｍの半田バンプを真
空法により形成し、また、セラミック基板の電極パッド
上に厚さ３μｍのＮｉ薄層及び厚さ１μｍのＡｕ薄層を
無電解メッキ法により順次形成した。
ｍ厚のアルミニウム端子に厚さ５μｍの半田バンプを真
空法により形成し、また、セラミック基板の電極パッド
上に厚さ３μｍのＮｉ薄層及び厚さ１μｍのＡｕ薄層を
無電解メッキ法により順次形成した。
【００５１】そして、上述の半導体チップ接合用ボール
をフラックスでセラミック基板の電極パッド上に固定
し、さらにＣ−ＭＯＳの半田バンプを位置合わせして加
熱した。これにより、Ｃ−ＭＯＳとセラミック基板とを
完全に接合することができた。
をフラックスでセラミック基板の電極パッド上に固定
し、さらにＣ−ＭＯＳの半田バンプを位置合わせして加
熱した。これにより、Ｃ−ＭＯＳとセラミック基板とを
完全に接合することができた。
【００５２】この場合、Ｃ−ＭＯＳ、半導体チップ接合
用ボール、及びセラミック基板の位置合わせは、セラミ
ック基板上でＣ−ＭＯＳチップの水平をとるための格別
な操作をすることなく容易に行うことができた。
用ボール、及びセラミック基板の位置合わせは、セラミ
ック基板上でＣ−ＭＯＳチップの水平をとるための格別
な操作をすることなく容易に行うことができた。
【００５３】実施例２
実施例１と同様にして、直径１００μｍの銅球にＰｄ系
合金被膜（組成：Ｐｄ７０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、
Ｐ５％）を厚さ３０μｍ形成した。この場合、Ｐｄ系合
金被膜の厚さのばらつきは±２μｍにすぎず、メッキ中
の粒子同士の接合もなかった。次いで、Ｐｄ系合金被膜
上に厚さ５μｍのＩｎメッキ被膜を形成した。この場
合、Ｉｎメッキ液は、スルファミン酸Ｉｎ５０ｇ／ｌ及
びスルファミン酸１０ｇ／ｌから調製した。Ｉｎメッキ
被膜形成後、水洗し、乾燥することにより半導体チップ
接合用ボールを得た。
合金被膜（組成：Ｐｄ７０％、Ｐｂ２０％、Ｓｎ５％、
Ｐ５％）を厚さ３０μｍ形成した。この場合、Ｐｄ系合
金被膜の厚さのばらつきは±２μｍにすぎず、メッキ中
の粒子同士の接合もなかった。次いで、Ｐｄ系合金被膜
上に厚さ５μｍのＩｎメッキ被膜を形成した。この場
合、Ｉｎメッキ液は、スルファミン酸Ｉｎ５０ｇ／ｌ及
びスルファミン酸１０ｇ／ｌから調製した。Ｉｎメッキ
被膜形成後、水洗し、乾燥することにより半導体チップ
接合用ボールを得た。
【００５４】一方、実施例１と同様に、Ｃ−ＭＯＳの入
出力端子である２μｍ厚のアルミニウム端子に厚さ５μ
ｍの半田バンプを真空法により形成し、また、セラミッ
ク基板の電極パッド上に厚さ３μｍのＮｉ薄層及び厚さ
１μｍのＡｕ薄層を無電解メッキ法により順次形成し
た。
出力端子である２μｍ厚のアルミニウム端子に厚さ５μ
ｍの半田バンプを真空法により形成し、また、セラミッ
ク基板の電極パッド上に厚さ３μｍのＮｉ薄層及び厚さ
１μｍのＡｕ薄層を無電解メッキ法により順次形成し
た。
【００５５】そして、上述の半導体チップ接合用ボール
をフラックスでセラミック基板の電極パッド上に固定
し、さらにＣ−ＭＯＳの半田バンプを位置合わせし、２
７０℃に加熱した。これにより、Ｃ−ＭＯＳとセラミッ
ク基板とを完全に接合することができた。
をフラックスでセラミック基板の電極パッド上に固定
し、さらにＣ−ＭＯＳの半田バンプを位置合わせし、２
７０℃に加熱した。これにより、Ｃ−ＭＯＳとセラミッ
ク基板とを完全に接合することができた。
【００５６】この場合、Ｃ−ＭＯＳ、半導体チップ接合
用ボール、及びセラミック基板の位置合わせは、セラミ
ック基板上でＣ−ＭＯＳチップの水平をとるための格別
な操作をすることなく容易に行うことができた。
用ボール、及びセラミック基板の位置合わせは、セラミ
ック基板上でＣ−ＭＯＳチップの水平をとるための格別
な操作をすることなく容易に行うことができた。
【００５７】実施例３
Ｉｎメッキ被膜の厚さを１０μｍとする以外は実施例２
を繰り返して半導体チップ接合用ボールを作製し、それ
を用いてＣ−ＭＯＳとセラミック基板とを接合した。こ
の場合、Ｃ−ＭＯＳ、半導体チップ接合用ボール、及び
セラミック基板の接合温度は２４０℃としても良好に接
合することができた。
を繰り返して半導体チップ接合用ボールを作製し、それ
を用いてＣ−ＭＯＳとセラミック基板とを接合した。こ
の場合、Ｃ−ＭＯＳ、半導体チップ接合用ボール、及び
セラミック基板の接合温度は２４０℃としても良好に接
合することができた。
【００５８】実施例４
直径１００μｍの銅球に代えて、直径１００μｍのＡＢ
Ｓ樹脂製の真球体上に無電解Ｃｕメッキを厚さ３μｍ形
成したものを使用する以外は実施例２を繰り返して半導
体チップ接合用ボールを作製し、それを用いてＣ−ＭＯ
Ｓとセラミック基板とを接合した。この場合も、実施例
１と同様に良好に接合することができた。
Ｓ樹脂製の真球体上に無電解Ｃｕメッキを厚さ３μｍ形
成したものを使用する以外は実施例２を繰り返して半導
体チップ接合用ボールを作製し、それを用いてＣ−ＭＯ
Ｓとセラミック基板とを接合した。この場合も、実施例
１と同様に良好に接合することができた。
【００５９】比較例１
直径１００μｍの銅球に、電気メッキにより厚さ５０μ
ｍの半田メッキ層を形成し、半導体チップ接合用ボール
とした。この場合、半田メッキ層の厚さのばらつきは±
３０μｍであり、電気メッキ中に粒子同士接合したもの
が約６０％あった。
ｍの半田メッキ層を形成し、半導体チップ接合用ボール
とした。この場合、半田メッキ層の厚さのばらつきは±
３０μｍであり、電気メッキ中に粒子同士接合したもの
が約６０％あった。
【００６０】一方、Ｃ−ＭＯＳの入出力端子である２μ
ｍ厚のアルミニウム端子に厚さ２０μｍの半田バンプを
形成し、また、セラミック基板の電極パッド上に厚さ２
０μｍの半田バンプを形成した。
ｍ厚のアルミニウム端子に厚さ２０μｍの半田バンプを
形成し、また、セラミック基板の電極パッド上に厚さ２
０μｍの半田バンプを形成した。
【００６１】そして、半導体チップ接合用ボールをフラ
ックスでセラミック基板側に固定し、さらにＣ−ＭＯＳ
の半田バンプを位置合わせし、２７０℃に加熱して半田
を融解した。しかしながら、この方法ではセラミック基
板とＣ−ＭＯＳの半田バンプとの高さ方向の距離が不均
一となり、Ｃ−ＭＯＳとセラミック基板とを接合するこ
とができなかった。
ックスでセラミック基板側に固定し、さらにＣ−ＭＯＳ
の半田バンプを位置合わせし、２７０℃に加熱して半田
を融解した。しかしながら、この方法ではセラミック基
板とＣ−ＭＯＳの半田バンプとの高さ方向の距離が不均
一となり、Ｃ−ＭＯＳとセラミック基板とを接合するこ
とができなかった。
【００６２】実施例５
実施例１と同様にして直径９００μｍの銅球にＰｄ系合
金被膜を厚さ２０μｍ形成した。この場合、Ｐｄ系合金
被膜の厚さのばらつきは±２μｍにすぎず、メッキ中の
粒子同士の接合もなかった。得られたＰｄ系合金被膜を
水洗し、乾燥することによりＢＧＡ方式の接合に使用す
るボールを得た。
金被膜を厚さ２０μｍ形成した。この場合、Ｐｄ系合金
被膜の厚さのばらつきは±２μｍにすぎず、メッキ中の
粒子同士の接合もなかった。得られたＰｄ系合金被膜を
水洗し、乾燥することによりＢＧＡ方式の接合に使用す
るボールを得た。
【００６３】一方、ＬＳＩをマウントしたＰＢＧＡ（プ
ラスチック・ボール・グリッド・アレイ）基板の当該Ｌ
ＳＩと反対側（裏面）の基板面に位置し、ＬＳＩとスル
ーホールにより導通されている電極パッド上に、クリー
ム半田をスクリーン印刷により厚さ２０μｍ塗布した。
ここでＰＢＧＡ基板としては、その電極パッドが、Ｃｕ
パッド上に厚さ３μｍのＮｉ−Ａｕ積層メッキ層を有し
ているものを使用した。 クリーム半田の塗布面に先に
得たボールを保持させ、２３０℃、３０秒間、Ｎ２雰囲
気中で処理することによりボールをＰＢＧＡ基板に付着
させた。
ラスチック・ボール・グリッド・アレイ）基板の当該Ｌ
ＳＩと反対側（裏面）の基板面に位置し、ＬＳＩとスル
ーホールにより導通されている電極パッド上に、クリー
ム半田をスクリーン印刷により厚さ２０μｍ塗布した。
ここでＰＢＧＡ基板としては、その電極パッドが、Ｃｕ
パッド上に厚さ３μｍのＮｉ−Ａｕ積層メッキ層を有し
ているものを使用した。 クリーム半田の塗布面に先に
得たボールを保持させ、２３０℃、３０秒間、Ｎ２雰囲
気中で処理することによりボールをＰＢＧＡ基板に付着
させた。
【００６４】他方、ＰＢＧＡを接合するマザーボードと
して、Ｃｕパッド上に厚さ３μｍのＮｉ−Ａｕ積層メッ
キ層を形成したものを用意し、この電極パッド上にクリ
ーム半田をスクリーン印刷により厚さ２０μｍ塗布し
た。そして、このマザーボードの電極パッドと、前述の
ボールを付着させたＰＢＧＡ基板とを位置合わせし、２
３０℃、７０秒間、Ｎ２雰囲気中で加熱した。これによ
り、ＰＢＧＡ基板とマザーボードとを良好に接合するこ
とができた。
して、Ｃｕパッド上に厚さ３μｍのＮｉ−Ａｕ積層メッ
キ層を形成したものを用意し、この電極パッド上にクリ
ーム半田をスクリーン印刷により厚さ２０μｍ塗布し
た。そして、このマザーボードの電極パッドと、前述の
ボールを付着させたＰＢＧＡ基板とを位置合わせし、２
３０℃、７０秒間、Ｎ２雰囲気中で加熱した。これによ
り、ＰＢＧＡ基板とマザーボードとを良好に接合するこ
とができた。
【００６５】実施例６
実施例１と同様にして直径４００μｍの銅球にＰｄ系合
金被膜（Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐ）を厚さ１０μｍ形成し
た。この場合、Ｐｄ系合金被膜の厚さのばらつきは±１
μｍにすぎず、メッキ中の粒子同士の接合もなかった。
得られたＰｄ系合金被膜を水洗し、乾燥することにより
ＢＧＡ方式の接合に使用するボールを得た。
金被膜（Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐ）を厚さ１０μｍ形成し
た。この場合、Ｐｄ系合金被膜の厚さのばらつきは±１
μｍにすぎず、メッキ中の粒子同士の接合もなかった。
得られたＰｄ系合金被膜を水洗し、乾燥することにより
ＢＧＡ方式の接合に使用するボールを得た。
【００６６】一方、ＬＳＩをマウントしたＰＢＧＡ（プ
ラスチック・ボール・グリッド・アレイ）基板として、
ＬＳＩと反対側（裏面）の基板面に位置し、ＬＳＩとス
ルーホールで導通されている電極パッドが、Ｃｕ製パッ
ド上に厚さ５μｍのＰｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐメッキ層を有
しているものを用意した。
ラスチック・ボール・グリッド・アレイ）基板として、
ＬＳＩと反対側（裏面）の基板面に位置し、ＬＳＩとス
ルーホールで導通されている電極パッドが、Ｃｕ製パッ
ド上に厚さ５μｍのＰｄ−Ｐｂ−Ｓｎ−Ｐメッキ層を有
しているものを用意した。
【００６７】他方、ＰＢＧＡを接合するマザーボードと
して、Ｃｕ電極パッドを有するものを用意し、この電極
パッド上にクリーム半田をスクリーン印刷により厚さ２
０μｍ塗布した。そして、このマザーボードの電極パッ
ドと、前述のＰｄ系合金被膜を表面に有するボールを融
着させ、次に、このマザーボードと前述のＰＢＧＡ基板
とを位置合わせし、２６０℃、３０秒間、Ｎ２雰囲気中
で加熱した。これにより、ＰＢＧＡ基板とマザーボード
とを良好に接合することができた。
して、Ｃｕ電極パッドを有するものを用意し、この電極
パッド上にクリーム半田をスクリーン印刷により厚さ２
０μｍ塗布した。そして、このマザーボードの電極パッ
ドと、前述のＰｄ系合金被膜を表面に有するボールを融
着させ、次に、このマザーボードと前述のＰＢＧＡ基板
とを位置合わせし、２６０℃、３０秒間、Ｎ２雰囲気中
で加熱した。これにより、ＰＢＧＡ基板とマザーボード
とを良好に接合することができた。
【００６８】その後、２７０℃で３０秒間加熱し、ＰＢ
ＧＡ基板とマザーボードとを引き離した。その結果、ボ
ールをＰＢＧＡ基板に付着させたままＰＢＧＡ基板とマ
ザーボードとを引き剥がすことができた。これは、ボー
ルのマザーボード側は、Ｐｄ濃度が低いので融点が低い
ため、ＰＢＧＡ基板側よりも先に融解したためと考えら
れる。
ＧＡ基板とマザーボードとを引き離した。その結果、ボ
ールをＰＢＧＡ基板に付着させたままＰＢＧＡ基板とマ
ザーボードとを引き剥がすことができた。これは、ボー
ルのマザーボード側は、Ｐｄ濃度が低いので融点が低い
ため、ＰＢＧＡ基板側よりも先に融解したためと考えら
れる。
【００６９】この結果から、ＰＢＧＡ基板とマザーボー
ドとの電極パッドの構成金属を異ならせることにより、
リペアを容易にできることがわかる。
ドとの電極パッドの構成金属を異ならせることにより、
リペアを容易にできることがわかる。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれば、均一な径の半導体チッ
プ接合用ボールが安価にかつ高い生産性で得られる。よ
って、低コストで接合信頼性の高いフリップチップ方式
あるいはＢＧＡ方式の接合を行うことが可能となる。ま
た、リペアも容易に行えるようになる。
プ接合用ボールが安価にかつ高い生産性で得られる。よ
って、低コストで接合信頼性の高いフリップチップ方式
あるいはＢＧＡ方式の接合を行うことが可能となる。ま
た、リペアも容易に行えるようになる。
【図１】本発明の半導体チップ接合用ボールの断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体チップ接合用ボールの断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の半導体チップ接合用ボールを用いた半
導体チップと基板とのフリップチップ方式の接合方法の
説明図である。
導体チップと基板とのフリップチップ方式の接合方法の
説明図である。
【図４】本発明の半導体チップ接合用ボールを用いた半
導体チップと基板とのＢＧＡ方式の接合方法の説明図で
ある。
導体チップと基板とのＢＧＡ方式の接合方法の説明図で
ある。
１ 半導体チップ接合用ボール
２ 微細粒体
３ Ｐｄ系メッキ被膜
４ Ｐｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜
５ 半導体チップ
６ 入出力端子
７ 薄型バンプ
８ 基板
９ 電極パッド
１０ Ｎｉメッキ層
１１ Ａｕメッキ層
２０ ＢＧＡ基板
２１ 電極パッド
２２ Ｎｉメッキ層
２３ Ａｕメッキ層
２４ クリーム半田層
３０ マザーボード
３１ 電極パッド
３２ Ｎｉメッキ層
３３ Ａｕメッキ層
３４ クリーム半田層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−180036（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−62981（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−266842（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−129366（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−349893（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−139097（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−17972（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−312240（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−128937（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
Claims (8)
- 【請求項１】 微細粒体上に無電解メッキ法によるＰｄ
系メッキ被膜が形成され、Ｐｄ系メッキ被膜上に該Ｐｄ
系メッキ被膜の融点降下用金属被膜が形成されているこ
とを特徴とする半導体チップ接合用ボール。 - 【請求項２】 微細粒体が、金属、樹脂、セラミックス
又はガラスからなる請求項１記載の半導体チップ接合用
ボール。 - 【請求項３】 Ｐｄ系メッキ被膜が、 （ｉ）Ｐｄ、 （ｉｉ）Ｐｄ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｐｂ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、
Ｐｄ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐｂ、Ｐｄ−Ｎｉ−Ｐ
ｂ−ＳｎもしくはＰｄ−Ｎｉ−Ｐｂ−Ｓｎ−ＩｎのＰｄ
系合金、又は （ｉｉｉ）Ｐ、Ｂ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃ
ｕ、Ｓｂ、Ｚｎ及びＡｓの少なくとも１種を含有する前
記（ｉ）Ｐｄもしくは（ｉｉ）Ｐｄ系合金 からなる請求項１又は２記載の半導体チップ接合用ボー
ル。 - 【請求項４】 Ｐｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜
が、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｚｎもしく
はＡｓ又はこれらの少なくとも一種の合金からなる請求
項１記載の半導体チップ接合用ボール。 - 【請求項５】 半導体チップの入出力端子に薄型バンプ
を形成し、その薄型バンプと該半導体チップを実装すべ
き基板の電極パッドとを半導体チップ接合用ボールを介
して重ね合わせ、その重なった部分を加熱することによ
り両者を接合するフリップチップ方式の半導体チップの
接合方法であって、半導体チップ接合用ボールとして、
微細粒体上に無電解メッキ法によるＰｄ系メッキ被膜が
形成され、Ｐｄ系メッキ被膜上に該Ｐｄ系メッキ被膜の
融点降下用金属被膜が形成されている半導体チップ接合
用ボールを使用することを特徴とするフリップチップ方
式の半導体チップの接合方法。 - 【請求項６】 半導体チップの入出力端子に薄型バンプ
を形成し、その薄型バンプと該半導体チップを実装すべ
き基板の電極パッドとを半導体チップ接合用ボールを介
して重ね合わせ、その重なった部分を加熱することによ
り両者を接合するフリップチップ方式の半導体チップの
接合方法であって、半導体チップの入出力端子の薄型バ
ンプの形成を、まず該半導体チップの入出力端子を構成
する基材金属層上に無電解メッキ法によりＮｉ系メッキ
層を形成し、該Ｎｉ系メッキ層上に無電解メッキ法によ
り貴金属メッキ層を形成することにより行い、半導体チ
ップ接合用ボールとして、微細粒体上に無電解メッキ法
によるＰｄ系メッキ被膜が形成されている半導体チップ
接合用ボールを使用することを特徴とするフリップチッ
プ方式の半導体チップの接合方法。 - 【請求項７】 半導体チップをマウントしたＢＧＡ基板
の当該半導体チップと反対側の面の電極パッドとマザー
ボードとの電極パッドとの間に半導体チップ接合用ボー
ルを保持させ、加熱することにより両者を接合するＢＧ
Ａ方式の半導体チップの接合方法であって、半導体チッ
プ接合用ボールとして、微細粒体上に無電解メッキ法に
よるＰｄ系メッキ被膜が形成され、Ｐｄ系メッキ被膜上
に該Ｐｄ系メッキ被膜の融点降下用金属被膜が形成され
ている半導体チップ接合用ボールを使用することを特徴
とするＢＧＡ方式の半導体チップの接合方法。 - 【請求項８】 ＢＧＡ基板の電極パッドの最外層を貴金
属層とし、一方、マザーボードの電極パッドのＣｕ層上
に、半田メッキ層、Ｎｉ−Ａｕ積層メッキ層又はクリー
ム半田層を形成する請求項７記載の半導体チップの接合
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6711695A JP3475558B2 (ja) | 1994-11-10 | 1995-02-28 | 半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30290594 | 1994-11-10 | ||
| JP6-302905 | 1994-11-10 | ||
| JP6711695A JP3475558B2 (ja) | 1994-11-10 | 1995-02-28 | 半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08191073A JPH08191073A (ja) | 1996-07-23 |
| JP3475558B2 true JP3475558B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=26408302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6711695A Expired - Lifetime JP3475558B2 (ja) | 1994-11-10 | 1995-02-28 | 半導体チップ接合用ボール及び半導体チップの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3475558B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1009202B1 (en) * | 1997-06-04 | 2007-10-17 | Ibiden Co., Ltd. | Soldering member for printed wiring boards |
| JP3692226B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2005-09-07 | 京セラ株式会社 | 光パッケージ及び光モジュールの組立て方法 |
| KR100634973B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2006-10-16 | 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 | 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법 |
| JP3503523B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2004-03-08 | 千住金属工業株式会社 | はんだボールおよびはんだボールの被覆方法 |
| KR100376044B1 (ko) * | 1999-05-13 | 2003-03-15 | 한오근 | 반도체 패키지의 솔더 및 이를 이용한 반도체 패키지 |
| JP5215950B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-06-19 | 日本オクラロ株式会社 | 電子機器および電気的接続方法 |
| JP6500583B2 (ja) * | 2015-05-11 | 2019-04-17 | 日立化成株式会社 | 導電粒子、及び導電粒子を用いた半導体パッケージ |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP6711695A patent/JP3475558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08191073A (ja) | 1996-07-23 |
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