JP2002358825A - 異方導電性接着フィルム - Google Patents

異方導電性接着フィルム

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JP2002358825A JP2001164796A JP2001164796A JP2002358825A JP 2002358825 A JP2002358825 A JP 2002358825A JP 2001164796 A JP2001164796 A JP 2001164796A JP 2001164796 A JP2001164796 A JP 2001164796A JP 2002358825 A JP2002358825 A JP 2002358825A
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electrode
anisotropic conductive
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Junji Shirogane
淳司 白金
Hideji Kanota
秀司 叶多
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧着時の導電性粒子流動を制御して微細ピッ
チに対応できる分解能に優れた異方導電性接着フィルム
を提供する。 【解決手段】 基材上（剥離性フィルム４）に形成した
絶縁性接着剤層３の厚みを（接続部材の電極の平均高さ
＋圧着後の導電性粒子平均短径）より厚く、かつ（接続
部材の電極の平均高さ＋導電性粒子径＋２μｍ）以下に
し、その表面層に導電性粒子１を均一配置した異方導電
性接着フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方導電性接着フ
ィルム及びそれを用いて電子部品と回路板や回路板同士
を電気的に接続する回路基板の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】異方導電性接着フィルムは、基板と基板
の回路接続や基板回路と半導体チップとの電気的接続を
行うために用いられ、例えば、液晶基板と駆動基板とを
フラットケーブルにより電気的に接続するために用いら
れている。この異方導電性接着フィルムは、絶縁性接着
剤と導電性粒子とからなり、導電性粒子は、高分子核体
の表面が金属薄層により実質的に被覆してなる粒子或い
は金属粒子、又は両者を混合した粒子である。この異方
導電性接着フィルムの製造方法は、通常エポキシ樹脂等
の絶縁性樹脂とカップリング剤、硬化剤、硬化促進剤お
よび導電性粒子等を混入・分散した接着剤ワニスを剥離
性フィルム（セパレータ）上に塗布・乾燥して製造され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
電子機器の発達に伴い、配線の高密度化や回路の高機能
化が進んでおり、その結果として、接続回路の高精細化
においても、接続電極間スペースが、従来では５０〜２
００μｍ程度であったものが、１０μｍのものが要求さ
れるようになってきている。これに伴い、接続部材にお
ける接続においても、密度の高い接続回路に対応できる
ことが要求されている。
【０００４】異方導電性接着フィルムを高分解能化する
ための基本的な考え方は、導電性粒子の粒子径を接続電
極間スペースよりも小さくすることで、隣接電極間にお
ける絶縁性が確保され、併せて導電性粒子の含有量をこ
の粒子同士が接触しない程度とすることにより、接続部
分における導通性が確実に得られるということである。
ところが、従来の方法では、接着剤ワニス中に、微小径
の導電性粒子を添加・分散させるので、この接着剤ワニ
スを混合・分散させてから、セパレータに塗布するまで
の間に、途中で導電性粒子が沈降したり、あるいは導電
性粒子の二次凝集が発生しやすくなり、隣接する電極間
の絶縁性が保持できなくなることがある。この対策とし
て単純に導電性粒子の含有量を減らすと、接続すべき回
路上の導電性粒子数も減少することから接触点数が不足
し、接続電極間での導通が得られなくなる。また、接続
配線の高密度化に伴って接続電極の面積が小さくなった
ときに、回路上の導電性粒子数の減少による接続抵抗の
増大を防止するため導電性粒子の添加量を増加しなけれ
ばならないが、あまり増加すると、異方導電性接着フィ
ルムを介して基板と基板あるいは基板と半導体チップに
圧力を加えて接続・固定するときに、接続電極上の導電
性粒子が、絶縁性接着剤と共に隣接する電極間の空間に
流動し、その結果、隣接電極間に導電性粒子が多く集ま
るので、ますます、電極間でショートする可能性が高く
なる。したがって、電気的接続信頼性を保ちながら接続
部材を高分解能化することは困難になりつつある。
【０００５】現状では異方導電性接着フィルムには４０
００〜８００００個／ｍｍ2の導電性粒子が配合されて
いるが、電気的接続に役立っている導電性粒子は接続後
バンプ上に残留しているものだけであり、他の導電性粒
子はバンプ間で短絡する可能性のある導電性異物と見な
される。ここで、異方導電性接着フィルムで回路接続す
る場合、接続前の異方導電性接着フィルムの接続電極投
影面積相当の面積に含まれる導電性粒子数に対する接続
後の接続電極上に捕捉される導電性粒子数の割合を粒子
捕捉率と定義して記述すると、現状の異方導電性接着フ
ィルムの粒子捕捉率は１５〜３０％である。
【０００６】本発明者らは、特開２０００−１５１０８
４号公報において剥離性フィルム基材上に形成した絶縁
性接着剤の表面層に導電性粒子を均一配置した異方導電
性接着フィルムを提案し、少ない導電性粒子添加量で効
率良く電極上に導電性粒子を載せることが出来、粒子捕
捉率４５％を達成できることを明らかにした。
【０００７】本発明は、剥離性フィルム基材上に形成し
た絶縁性接着剤の表面層に導電性粒子を配置した異方導
電性接着フィルムを用いて電気的接続を行ったときの粒
子捕捉率をさらに向上させ、隣接回路間のショートを低
減すると共に従来と同等以上の電気的な接続信頼性を確
保することが可能な微細ピッチに対応できる異方導電性
接着フィルムを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは鋭意検討した結果、剥離性フィルム基
材上に形成した絶縁性接着剤の表面層に導電性粒子を埋
め込み配置した異方導電性接着フィルムの絶縁性接着剤
層の厚みを最適化することにより粒子捕捉率を高めるこ
とが出来ることを見出した。即ち、圧着前の絶縁性接着
剤層の厚みを（接続する接続部材の電極の平均高さ+圧
着後の導電性粒子の平均短径）＜（該絶縁性接着剤層の
厚み）≦（接続する接続部材の電極の平均高さ+導電性
粒子の平均粒子径＋２μｍ）の範囲内に設定することに
より粒子捕捉率を高め、且つ、接続部材下面の空間を接
着剤で充填し、長期にわたって接着強度を確保できるこ
とを見出した。上記において絶縁性接着剤の表面層に導
電性粒子を埋め込み配置する際には、均一配置とするこ
とが好ましい。均一配置とは、２００倍の光学顕微鏡で
フィルム表面を観察したときに、導電性粒子がほぼ均等
に分布している状態を言う。また、本発明は、剥離性フ
ィルム基材上に形成した絶縁性接着剤の表面層に導電性
粒子を埋め込み配置した異方導電性接着フィルムを用い
た突起状の電極を有する接続部材と前記接続部材よりも
低い電極を有する接続部材の電気的接続において、該異
方導電性接着フィルムの圧着前における絶縁性接着剤層
の厚みが（接続部材の電極の平均高さ＋圧着後の導電性
粒子の平均短径）＜（該絶縁性接着剤層の厚み）≦（接
続部材の電極の平均高さ＋導電性粒子の平均粒子径＋２
μｍ）の範囲内にあり、接続部材よりも低い電極を有す
る基板側に異方導電性接着フィルムの導電性粒子を配置
し、突起状の電極を有する接続部材の電極と接続部材よ
りも低い電極を有する基板間の位置合わせして電極同士
を接続することを特徴とする異方導電性接着フィルムを
用いた回路基板の接続方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に示した図
面を参照しながら説明するが、本発明はこれに制限され
るものではない。図１は本発明の異方導電性接着フィル
ムの断面模式図である。セパレータ４の上に形成した絶
縁性接着剤層３の表面層に導電性粒子１を散布し、その
後、導電性粒子１を埋め込み配置した。導電性粒子１の
埋め込み具合は、絶縁性接着剤の種類によって異なる
が、基本的には、絶縁性接着剤層３から導電性粒子１が
剥がれなければ問題はない。ここで、絶縁性接着剤層３
の厚みと接続すべき接続部材の電極の平均高さとの関係
が粒子捕捉率に大きな影響を及ぼす。即ち、（接続部材
の電極の平均高さ＋導電性粒子径）より絶縁性接着剤層
３の厚みが増すに従って粒子捕捉率は減少する。したが
って、捕捉率を実用的な値に保つためには（接続部材の
電極の平均高さ＋導電性粒子の平均粒子径＋１０μｍ）
以下にすることが必要であり、望ましくは（接続部材の
電極の平均高さ＋導電性粒子の平均粒子径＋２μｍ）以
下がよい。また、絶縁性接着剤層３の最低厚みは接続部
材のアンダーフィルを確実にする為に（接続部材の電極
の平均高さ＋圧着後の導電性粒子の平均短径）よりも厚
くすることが必要である。図２は従来の２層構造を有す
る異方導電性接着フィルムの片側の層のみに導電性粒子
を分散させた状態の断面図である。従来の異方導電性接
着フィルムは、ある厚みの範囲内に導電性粒子が分散し
て存在するのに対して、本発明の異方導電性接着フィル
ムはほぼ同一の平面上に導電性粒子が存在する。
【００１０】導電性粒子を剥離性フィルム基材上に形成
した絶縁性接着剤層の表面層に配置する方法として、例
えば、散布、磁場や帯電の利用、メッシュ孔への充填、
スクリーン印刷の利用、表面張力の利用等があるが、導
電性粒子を同一電荷に帯電させて散布する方式が好まし
い。具体的には、エアチューブをエジェクタと接続し、
エジェクタの吸い込み口に導電性粒子を落とし、エアの
流れと共に散布させる方法が適用できる。
【００１１】剥離性フィルム基材上に形成した絶縁性接
着剤層の表面に配置された導電性粒子は、導電性粒子を
配置した絶縁性接着剤の表面に、絶縁性接着剤に粘着し
ない表面を有するプラスチックフィルムを重ね、プレス
やラミネート等により圧力を加えることによって、絶縁
性接着剤の表面層に導電性粒子を埋め込むことができ
る。導電性粒子を埋め込む際には、絶縁性接着剤を加熱
することが好ましい。加熱する温度としては、絶縁性接
着剤が硬化しない程度であって、その後に行う接続部材
と接続部材（基板）との接続時に必要なタック性、塑性
変形性を残す程度に加熱することが好ましく、その他の
時間や圧力の条件等と共に、絶縁性接着剤の種類によっ
て、予め実験的に求めておくことが望ましい。
【００１２】得られた異方導電性接着フィルムを用いた
回路基板の接続方法の一例を図３に示した。図３は、Ｌ
ＣＤ表示パネルのガラス基板５上に本発明の異方導電性
接着フィルムを用いて貼り付けた状態の一部断面図であ
り、突起状の電極を有する接続部材よりも低い電極を有
する基板としてガラスにＩＴＯ電極を形成した回路基板
に異方導電性接着フィルムを仮圧着した状態でセパレー
タを剥離した状態を示す。その後、ＩＴＯ電極に接続部
材の電極を位置決めして載置し、続いて本圧着により加
圧・加熱して両者を電気的に接続すると共に機械的にも
接着・固定する。図６はかかる方法により回路を接続し
た状態を模式的に示したものである。
【００１３】本発明の実施例に用いられる異方導電性接
着フィルムは、絶縁性接着剤の表面層に導電性粒子が配
置しており、且つ、その絶縁性接着剤厚みが（接続部材
の電極の平均高さ＋圧着後の導電性粒子の平均短径）よ
り厚く、且つ、（接続部材の電極の平均高さ＋導電性粒
子の平均粒子径＋２μｍ）以下であるので、回路接続時
の絶縁性接着剤流れに導電性粒子は影響を受け難い。こ
のことを図４〜図６を用いて説明する。図４は絶縁性接
着剤層の厚みが（接続部材の電極の平均高さ＋導電性粒
子の直径）よりｓμｍ薄い場合、本圧着の初期に電極先
端が導電性粒子に達した瞬間の断面図であり、この場
合、絶縁性接着剤層の流動前に異方導電性接着フィルム
表面の導電性粒子は電極頭部と基板に挟まれ、そのまま
圧着されるので、粒子捕捉率が高くなる。但し、絶縁性
接着剤層の厚みが（接続部材の電極の高さ＋本圧着によ
り潰された後の導電性粒子の厚みｐ）以下であると、接
続部材の下面と基板の空隙を充填する絶縁性接着剤が不
足して、接続部材の接着信頼性が損なわれるので、ｓ＜
（導電性粒子径―ｐ）であることが必要である。本発明
の異方導電性接着フィルムを用いた回路基板の接続方法
では、接続部材よりも低い電極を有する回路部材（基
板）側に異方導電性接着フィルムの導電性粒子を配置す
るが、これとは逆に接続部材よりも低い電極を有する基
板側と反対の側に導電性粒子を配置すると、本圧着の初
期に電極先端が導電性粒子に接して、さらに、絶縁性接
着剤層を突き抜け低い電極を有する接続部材（基板）側
に達するが、その際に絶縁性接着剤と共に電極先端の導
電性粒子が隣接する電極間の空間に流動して電極間に補
足される導電性粒子の数が減少してしまい粒子捕捉率が
低下してしまう。
【００１４】図５で絶縁性接着剤層の厚みが（接続部材
の電極の高さ＋導電性粒子の直径）よりｇμｍ厚い場
合、本圧着において、電極頭部と基板のギャップに導電
性粒子が挟まれるまでに接続部材の接続面の面積×ｇに
相当する容積の絶縁性接着剤が接続部材の外周に向かっ
て流動する。この流動により、本圧着後に電極上に残留
する導電性粒子数は減少する。したがって、絶縁性接着
剤層の厚みを出来るだけ小さくすることにより、粒子流
動を少なくすることができる。ｇ≧ｐであれば、接続部
材の下面と基板の空隙を絶縁性接着剤での充填が不足す
ることはなく、接着信頼性を確保することができる。
尚、ここでｐとは図６に示すように、本圧着により押し
潰された後の導電性粒子の平均短径に相当する厚みであ
り、通常１〜２μｍである。
【００１５】本発明の実施例に用いられる突起状の電極
を有する接続部材としては、突起電極（バンプ）を有す
るＩＣチップ若しくはＴＡＢ（Tape Automated Bondin
g）若しくはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）など
がある。
【００１６】ＩＣチップの形状について正方形に近いも
のでも縦横比の大きいものであっても構わない。
【００１７】ＩＣチップの電極の配置についても面配
置、４辺配列、２辺配列などがあるが、何れであっても
構わない。
【００１８】ＴＡＢ若しくはＦＰＣは、導体（例えば
銅）と基材（例えばポリイミドフィルム）の貼り合わせ
が接着剤を用いる接着剤タイプでも接着剤を用いない無
接着剤タイプでも構わない。
【００１９】ＴＡＢ若しくはＦＰＣの基材フィルムは、
ポリイミド化合物やポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレ
ンナフタレート（ＰＥＮ）等を用いることが出来る。
【００２０】ＴＡＢ若しくはＦＰＣの導体材料として最
も多く使われるのが銅箔であるが、圧延銅箔、電解銅
箔、高屈曲性電解銅箔の何れでもよい。
【００２１】本発明の実施例に用いられる前記接続部材
よりも低い電極を有する接続部材（基板）としては、ガ
ラス基板若しくはフィルム状基板などがある。
【００２２】ガラス基板については、接続体の接続信頼
性の観点から平均線膨張率５ｐｐｍ／℃以下が好まし
く、無アルカリガラスであることが好ましい。
【００２３】フィルム状基板については、任意の絶縁性
材料又は表面に絶縁性が付与された導電性材料を用いる
ことが出来るが、量産性に優れ安価に製造できることか
ら、絶縁性のプラスチックシートを用いることが好まし
い。この種のプラスチックシートとしては、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を
用いることが出来る。
【００２４】フィルム状基板の厚みは１０〜１００μｍ
程度でよいが、１０〜５０μｍが好ましい。
【００２５】ガラス基板若しくはフィルム状基板上に形
成される回路パターンは基板上にアルミニウム、銅、
銀、錫、鉛、インジウム、クロム、ニッケル等の良導電
性金属材料やＩＴＯの薄膜を真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法などによって形成した
後、当該薄膜に精密エッチングやレーザビームカッティ
ング等を施すことによって形成することが出来る。又は
導電性のペーストをスクリーン印刷などの方法によって
回路形成することも可能である。
【００２６】セパレータは、異方導電性接着フィルムの
作製に一般的に用いられている、例えばポリエチレンテ
レフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブ
チレンテレフタレート、ポリエチレン−2，6−ナフタレ
ート、ポリエチレン−2，6−ナフタレンジカルボキシレ
ート等のポリエステルフィルム等を用いることができ
る。
【００２７】本発明の実施例に用いられる異方導電性接
着フィルムの絶縁性樹脂としては、一般に異方導電性接
着フィルムとして使用されている樹脂で良く、スチレン
-ブタジエン-スチレン共重合体、スチレン-イソプレン-
スチレン共重合体などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹
脂、（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、シトラコ
ンイミド樹脂、ナジイミド樹脂、フェノール樹脂などの
熱硬化性樹脂が使用されるが、耐熱性や信頼性の点で熱
硬化性樹脂を使用することが好ましく、特にエポキシ樹
脂、（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、シトラコ
ンイミド樹脂、ナジイミド樹脂を用いることが好まし
い。さらに（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、シ
トラコンイミド樹脂、ナジイミド樹脂などのラジカル重
合性樹脂を用いた場合には低温硬化性の点で好ましい。
【００２８】また、前記エポキシ樹脂の硬化剤として
は、アミン類、フェノール類、酸無水物類、イミダゾー
ル類、ジシアンジアミド等通常のエポキシ樹脂の硬化剤
として使用されているものがある。さらには、硬化促進
剤として通常使用されている３級アミン類、有機リン系
化合物を適宜使用しても良い。
【００２９】また、エポキシ樹脂を反応させる方法とし
て、前記硬化剤を使用する以外に、スルホニウム塩、ヨ
ードニウム塩等使用して、カチオン重合させても良い。
上記のラジカル重合性化合物を使用した場合には、重合
開始剤を使用する。重合開始剤としては、熱又は光によ
ってラジカルを発生する化合物であれば特に制限はな
く、過酸化化合物、アゾ系化合物などがあり、目的とす
る接続温度、接続時間、保存安定性等を考慮し適宜選択
されるが、高反応性と保存安定性の点から、半減期１０
時間の温度が、４０℃以上かつ、半減期１分の温度が１
８０℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期１０時間
の温度が、５０℃以上、かつ、半減期１分の温度が１７
０℃以下の有機過酸化物が特に好ましい。接続時間を１
０秒とした場合、十分な反応率を得るための重合開始剤
の配合量は、１〜２０重量％が好ましく、２〜１５重量
％が特に好ましい。これより少ないと、接続時に硬化反
応が十分進まず、これより多いと樹脂が流動して回路間
の樹脂が十分排除される前に硬化が進んでしまい、いず
れの場合にも接続信頼性が低下する。
【００３０】ラジカル重合性樹脂を熱と光によって硬化
する場合は、ラジカル重合性樹脂及び光照射によって活
性ラジカルを発生する化合物を必須とし、光照射によっ
て活性ラジカルを発生する化合物いわゆる光開始剤とし
ては、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルベンゾ
インエーテル等のベンゾインエーテル、ベンジル、ヒド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタ
ール、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン類及
びその誘導体、チオキサントン類、ビスイミダゾール類
等があり、これらの光開始剤に必要に応じてアミン類、
イオウ化合物、リン化合物等の増感剤を任意の比で添加
してもよい。この際、用いる照射源の波長や所望の硬化
特性等に応じて最適な光開始剤を選択する必要がある。
【００３１】紫外線の照射線量は、照射源に用いるラン
プの性能にもよるが、一般的に０．２Ｊ／ｃｍ2〜２０
Ｊ／ｃｍ2の範囲でほぼ十分な硬化を得ることが出来
る。
【００３２】本発明の実施例に用いられる異方導電性接
着フィルムの樹脂成分には、フィルム形成性、接着性、
硬化時の応力緩和性を付与するため、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、キシレン樹脂、
フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、尿素樹脂等高分子
成分を使用することもできる。これら高分子成分は、分
子量が１００００〜１０００００００のものが好まし
い。また、これらの樹脂は、ラジカル重合性の官能基で
変性されていても良く、この場合耐熱性が向上する。高
分子成分の配合量は、２〜８０重量％であり、５〜７０
重量％が好ましく、１０〜６０重量％が特に好ましい。
２重量％未満では、応力緩和や接着力が十分でなく、８
０重量％を超えると流動性が低下する。
【００３３】導電性粒子としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、
Ｃｕ、はんだ等の金属粒子やカーボン、またはガラス、
セラミック、プラスチックの非導電性粒子にＡｕ、Ａ
ｇ、白金等の貴金属類を被覆した粒子が使用される。金
属粒子の場合には表面の酸化を抑えるため、貴金属類で
被覆したものが好ましい。上記導電性粒子のなかで、プ
ラスチックを核体としてＡｕ、Ａｇ等で被覆した粒子や
熱溶融金属粒子は、接続時の加熱加圧によって変形し、
接触面積が増加したり電極の高さばらつきを吸収するの
で接続信頼性が向上する。貴金属類の被覆層の厚みは、
１００Å以上、好ましくは３００Å以上であれば、良好
な接続が得られる。また導電性粒子表面の全部または一
部を有機系高分子材料で被覆して得られる粒子を用いて
も良い。
【００３４】本発明の実施例に用いられる異方導電性接
着フィルムの樹脂中に、適宜充填剤、軟化剤、促進剤、
老化防止剤、着色剤、難燃剤、カップリング剤を添加し
ても良い。
【００３５】
【実施例】本発明を実施例によりさらに具体的に説明す
る。高分子量エポキシ樹脂であるフェノキシ樹脂ＰＫＨ
Ａ（ユニオンカーバイド社製商品名）：４０重量部とマ
イクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ
樹脂であるノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ（旭化成工業
株式会社製商品名）：１００重量部とを混合し、固形分
率３０（重量）％となるように酢酸エチル／トルエン＝
１／１の重量混合溶媒で希釈した接着剤ワニスを得た。
この接着剤ワニスを、離型処理した５０μｍの二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルム製のセパレー
タ上に流延・乾燥して、平均厚み１６，１９，２１μｍ
のフィルムＡ、Ｂ，Ｃを得た。
【００３６】平均直径４μｍの、Ｎｉ／Ａｕめっき皮膜
を有するプラスチック粒子をエアエジェクタを通して流
動化させて、エアチューブからの圧力０．５ＭＰａで、
フィルムＡ〜Ｃ上に平均３０，０００個／ｍｍ2 （７５
個／５０μｍ角）の割合で散布し、フィルムＡ，Ｂ，Ｃ
を得た。なお、フィルムＡ〜Ｃは０．６ｍ／分の速度で
移動させ、エアチューブはフィルムＡ〜Ｃから１０ｃｍ
の高さのところに固定し、水平方向に散布した。このフ
ィルムＡ，Ｂ，Ｃに、離型処理した二軸延伸ＰＥＴ樹脂
フィルム製のセパレータ離型処理面と導電性粒子散布面
を向かい合わせて重ね、温度５０℃、圧力０．３ＭＰ
ａ、速度２ｍ／分の条件で、二本のラミロール間を通し
て、散布した導電性粒子を絶縁性接着剤の表面層に押し
込んで固定させた異方導電性接着フィルムＡ’，Ｂ’，
Ｃ’を得た。
【００３７】ＩＴＯガラス基板に、この異方導電性接着
フィルムＡ’，Ｂ’，Ｃ’を１００℃、０．２ＭＰａで
５秒の加熱加圧して貼り付け（仮圧着）、セパレータを
剥がした後、５０μｍ×５０μｍの金バンプ（バンプ平
均高さ；１５μｍ）を有するベアチップを位置合わせし
て、２００℃、３ＭＰａで２０秒の加熱加圧（本圧着）
を行って回路接続をした。異方導電性接着フィルム
Ａ’，Ｂ’，Ｃ’を２００倍の光学顕微鏡で観察して、
単位面積当たりの導電性粒子数（接続前の導電性粒子密
度）と回路接続した後の５０μｍ角のバンプ上の導電性
粒子数（接続後のバンプ上の導電性粒子密度）をそれぞ
れ計測した。計測は２０箇所について行い、平均値の小
数点第１位を四捨五入した。さらに、５０μｍ角のバン
プ間を基板の電極を介して電気的に接続した部位の接続
抵抗及び電気的に接続していない部位（バンプ間距離２
０μｍ）の絶縁抵抗を測定した。接続抵抗の測定条件
は、２端子法によって測定した。絶縁抵抗の測定条件
は、印加電圧５０Ｖ、通電時間６０ｓ、２０℃５０％Ｈ
Ｒである。
【００３８】（比較例）実施例と同様の接着剤ワニス
を、離型処理した５０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレ
フタレート樹脂フィルム製のセパレータ上に流延・乾燥
して、平均厚み２２μｍのフィルムＸを得た。平均直径
４μｍの、Ｎｉ／Ａｕめっき皮膜を有するプラスチック
粒子をエアエジェクタを通して流動化させて、エアチュ
ーブからの圧力０．５ＭＰａで、フィルムＸ上に平均３
０，０００個／ｍｍ2 （７５個／５０μｍ角）の割合で
散布し、フィルムＸを得た。実施例と同様にして導電性
粒子を絶縁性接着剤の表面層に押し込んで固定させた異
方導電性接着フィルムＸ’を得た。この異方導電性接着
フィルムＸ’を用いて、実施例と同様な接続と計測を実
施した。実施例と比較例の計測結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】この実施例において、絶縁性接着剤層３の
厚みを薄くするに従い粒子捕捉率が高くできるので、添
加導電性粒子量を減らせることがわかる。また、実施例
Ｃ’は（バンプ平均高さ（１５μｍ）＋導電性粒子径
（４μｍ）＋２μｍ）の絶縁性接着剤層厚み（２１μ
ｍ）であり、粒子捕捉率は４８％で比較例の４５％をさ
らに上回る値である。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の異方導電
性接着フィルムは、回路接続時の導電性粒子流れが抑制
されるので、添加導電性粒子量を少なくしても従来の接
続特性を保持できるので、微細ピッチに対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の絶縁性接着剤の表面層に導電性粒子
を配置した異方導電性接着フィルムの一部を示す断面
図。
【図２】 従来の２層構造の異方導電性接着フィルムの
一部を示す断面図。
【図３】 本発明の異方導電性接着フィルムをＬＣＤ表
示パネルのガラス基板に貼り付けた状態の一部を示す断
面図。
【図４】 絶縁性接着剤層の厚みが（接続部材の電極の
高さ＋導電性粒子直径）よりｓμｍ薄い場合で本圧着の
初期に電極の先端が導電性粒子に達した瞬間の断面図。
【図５】 絶縁性接着剤層の厚みが（接続部材の電極の
高さ＋導電性粒子直径）よりｇμｍ厚い場合、本圧着の
初期に電極が絶縁性接着剤層に食い込んだ瞬間の断面
図。
【図６】 本発明の異方導電性接着フィルムを用いた回
路の接続状況の一部を示す断面図。
【符号の説明】
１．導電性粒子 ２．バンプ ３．絶縁性接着剤層 ４．セパレータ（剥離性フィルム） ５．ガラス基板 ６．ＩＣチップ ７．粒子層 ８．ＩＴＯ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｒ 11/01 ５０１ Ｈ０１Ｒ 11/01 ５０１Ｃ Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA08 AA10 AA12 AA13 AA14 AA15 AA16 AA18 AB05 AB07 BA02 BA07 DB02 FA05 4J040 DB051 DF031 EC001 EH031 HA026 HA066 HB18 HB41 HC14 JB10 KA13 KA16 KA32 LA09 NA20 5G301 DA02 DA05 DA06 DA10 DA18 DA29 DA42 DA51 DA53 DA59 DD03 5G307 HA02 HB01 HB03 HC01

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 突起状の電極を有する接続部材と前記接
    続部材よりも低い電極を有する接続部材の電気的接続に
    用いる異方導電性接着フィルムにおいて、該異方導電性
    接着フィルムが剥離性フィルム基材上に形成した絶縁性
    接着剤の表面層に導電性粒子を埋め込み配置してなり、
    絶縁性接着剤層の厚みが（接続部材の電極の平均高さ＋
    圧着後の導電性粒子の平均短径）＜（該絶縁性接着剤層
    の厚み）≦（接続部材の電極の平均高さ＋導電性粒子の
    平均粒子径＋２μｍ）の範囲内にあることを特徴とする
    異方導電性接着フィルム。
  2. 【請求項２】 剥離性フィルム基材上に形成した絶縁性
    接着剤の表面層に導電性粒子を埋め込み配置した異方導
    電性接着フィルムを用いた突起状の電極を有する接続部
    材と前記接続部材よりも低い接続部材を有する基板の電
    気的接続において、該異方導電性接着フィルムの圧着前
    における絶縁性接着剤層の厚みが（接続部材の電極の平
    均高さ＋圧着後の導電性粒子の平均短径）＜（該絶縁性
    接着剤層の厚み）≦（接続部材の電極の平均高さ＋導電
    性粒子の平均粒子径＋２μｍ）の範囲内にあり、接続部
    材よりも低い電極を有する接続部材側に異方導電性接着
    フィルムの導電性粒子を配置し、突起状の電極を有する
    接続部材の電極と接続部材よりも低い電極を有する接続
    部材間の位置合わせして電極同士を接続することを特徴
    とする異方導電性接着フィルムを用いた回路基板の接続
    方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005054388A1 (ja) * 2003-12-04 2005-06-16 Asahi Kasei Emd Corporation 異方導電性接着シート及び接続構造体
WO2005068573A1 (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sony Chemicals Corp. 接着フィルム、接着フィルムの製造方法
JP2006299177A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP2006335910A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
WO2009004902A1 (ja) * 2007-07-03 2009-01-08 Sony Chemical & Information Device Corporation 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
WO2009037964A1 (ja) * 2007-09-20 2009-03-26 Sony Chemical & Information Device Corporation 異方性導電膜及びその製造方法、並びに、該異方性導電膜を用いた接合体
JP2009134914A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びこれを用いた接合体
JP2012134155A (ja) * 2011-12-27 2012-07-12 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びこれを用いた接合体
WO2016143789A1 (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 日立化成株式会社 接続構造体の製造方法
CN106912165A (zh) * 2015-09-30 2017-06-30 太阳油墨制造株式会社 连接结构体以及电子部件

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0329207A (ja) * 1988-12-05 1991-02-07 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用組成物及びこれを用いた接続方法並びに半導体チップの接続構造
JPH04301383A (ja) * 1991-03-29 1992-10-23 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材の製造方法
JPH04363811A (ja) * 1991-06-07 1992-12-16 Nitto Denko Corp 異方導電性接着フィルムを用いた実装構造
JPH0567480A (ja) * 1991-01-23 1993-03-19 Toshiba Corp 異方導電性接着樹脂層及びその製造方法
JPH07230840A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造
JPH07302667A (ja) * 1994-05-10 1995-11-14 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性樹脂フィルム状接着材の製造法及び微細回路間の接続方法
WO1998038701A1 (en) * 1997-02-27 1998-09-03 Seiko Epson Corporation Connecting structure, liquid crystal device, electronic equipment, anisotropic conductive adhesive, and method for manufacturing the adhesive
JPH1171560A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Ricoh Co Ltd 異方導電性接着材および液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法
JPH11241054A (ja) * 1997-10-28 1999-09-07 Sony Chem Corp 異方導電性接着剤および接着用膜
JPH11330152A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Sony Chem Corp 粒状異方性導電接着剤
JP2000151084A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2001031929A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Sony Chem Corp 接続構造体

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0329207A (ja) * 1988-12-05 1991-02-07 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用組成物及びこれを用いた接続方法並びに半導体チップの接続構造
JPH0567480A (ja) * 1991-01-23 1993-03-19 Toshiba Corp 異方導電性接着樹脂層及びその製造方法
JPH04301383A (ja) * 1991-03-29 1992-10-23 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材の製造方法
JPH04363811A (ja) * 1991-06-07 1992-12-16 Nitto Denko Corp 異方導電性接着フィルムを用いた実装構造
JPH07230840A (ja) * 1994-02-17 1995-08-29 Hitachi Chem Co Ltd 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造
JPH07302667A (ja) * 1994-05-10 1995-11-14 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性樹脂フィルム状接着材の製造法及び微細回路間の接続方法
WO1998038701A1 (en) * 1997-02-27 1998-09-03 Seiko Epson Corporation Connecting structure, liquid crystal device, electronic equipment, anisotropic conductive adhesive, and method for manufacturing the adhesive
JPH1171560A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Ricoh Co Ltd 異方導電性接着材および液晶表示装置および液晶表示装置の作製方法
JPH11241054A (ja) * 1997-10-28 1999-09-07 Sony Chem Corp 異方導電性接着剤および接着用膜
JPH11330152A (ja) * 1998-05-19 1999-11-30 Sony Chem Corp 粒状異方性導電接着剤
JP2000151084A (ja) * 1998-11-05 2000-05-30 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP2001031929A (ja) * 1999-07-21 2001-02-06 Sony Chem Corp 接続構造体

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091049A (ja) * 2003-12-04 2011-05-06 Asahi Kasei E-Materials Corp 導電性粒子付着フィルム
KR100709640B1 (ko) * 2003-12-04 2007-04-24 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 이방 도전성 접착 시트 및 접속 구조체
WO2005054388A1 (ja) * 2003-12-04 2005-06-16 Asahi Kasei Emd Corporation 異方導電性接着シート及び接続構造体
US8084083B2 (en) 2003-12-04 2011-12-27 Asahi Kasei Emd Corporation Method for manufacturing an anisotropic conductive adhesive sheet
JP4822322B2 (ja) * 2003-12-04 2011-11-24 旭化成イーマテリアルズ株式会社 異方導電性接着シートの製造方法
JP2011236427A (ja) * 2003-12-04 2011-11-24 Asahi Kasei E-Materials Corp 異方導電性接着シート及び接続構造体
WO2005068573A1 (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sony Chemicals Corp. 接着フィルム、接着フィルムの製造方法
JP2006299177A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
JP2006335910A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着シート及び微細接続構造体
WO2009004902A1 (ja) * 2007-07-03 2009-01-08 Sony Chemical & Information Device Corporation 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
US7931956B2 (en) 2007-07-03 2011-04-26 Sony Chemical & Information Device Corporation Anisotropic conductive film, method for producing the same, and bonded structure
JP2009016133A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
WO2009037964A1 (ja) * 2007-09-20 2009-03-26 Sony Chemical & Information Device Corporation 異方性導電膜及びその製造方法、並びに、該異方性導電膜を用いた接合体
US9155207B2 (en) 2007-09-20 2015-10-06 Dexerials Corporation Method for producing an anisotropic conductive film
JP2009134914A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びこれを用いた接合体
JP2012134155A (ja) * 2011-12-27 2012-07-12 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電膜及びこれを用いた接合体
WO2016143789A1 (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 日立化成株式会社 接続構造体の製造方法
KR20170124539A (ko) * 2015-03-09 2017-11-10 히타치가세이가부시끼가이샤 접속 구조체의 제조 방법
JPWO2016143789A1 (ja) * 2015-03-09 2017-12-28 日立化成株式会社 接続構造体の製造方法
KR102634024B1 (ko) 2015-03-09 2024-02-07 가부시끼가이샤 레조낙 접속 구조체의 제조 방법
CN106912165A (zh) * 2015-09-30 2017-06-30 太阳油墨制造株式会社 连接结构体以及电子部件

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