JPWO2016143789A1 - 接続構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、突起電極４２を有する回路部品４と基板５とを、導電粒子７が接着剤層８中に分散されてなる異方導電性フィルム９を介して接続する接続工程を備える接続構造体の製造方法であって、異方導電性フィルム９として、導電粒子７が異方導電性フィルム９の一面側に偏在した異方導電性フィルムを用い、接続工程は、一面側が基板５側を向くように異方導電性フィルム９を回路部品４と基板５との間に配置し、突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄが導電粒子７の平均粒径の１５０％以下となるように突起電極４２を異方導電性フィルム９に押し込む仮固定工程を備える、接続構造体の製造方法を提供する。

Description

本発明は、接続構造体の製造方法に関する。

液晶表示用ガラスパネル等の基板と液晶駆動用ＩＣ等の回路部品とを接続して接続構造体を製造する際、導電粒子が接着剤層中に分散されてなる異方導電性フィルムが用いられる場合がある。この場合、回路部品に設けられた複数の突起電極を一括で基板に接続することが可能となる。

近年では、電子機器の発達に伴い、配線の高密度化及び回路の高機能化が進んでいる。その結果、突起電極の小面積化及び小ピッチ化が図られている。このような突起電極の接続において安定した電気的接続を得るためには、充分な数の導電粒子を突起電極と基板との間に介在させる必要がある。

このような課題に対し、例えば特許文献１では、導電粒子が異方導電性フィルムの片側表面付近に存在する異方導電性フィルムを用いた接続構造体の製造方法が開示されている。

特開２００７−１０３５４５号公報

しかしながら、上述した従来の異方導電性フィルムを用いた場合でも、加熱・加圧をして接続構造体を製造する際に異方導電性フィルムの接着剤成分が流動し、それに伴って導電粒子が突起電極と基板との間から流出してしまう場合がある。この場合、充分な数の導電粒子が突起電極と基板との間に介在しないおそれがある。

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、充分な数の導電粒子を突起電極と基板との間に介在させることが可能な接続構造体の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題の解決のため、本発明に係る接続構造体の製造方法は、突起電極を有する回路部品と基板とを、導電粒子が接着剤層中に分散されてなる異方導電性フィルムを介して接続する接続工程を備える接続構造体の製造方法であって、異方導電性フィルムとして、導電粒子が異方導電性フィルムの一面側に偏在した異方導電性フィルムを用い、接続工程は、一面側が基板側を向くように異方導電性フィルムを回路部品と基板との間に配置し、突起電極の表面と基板の表面との間の距離が導電粒子の平均粒径の１５０％以下となるように突起電極を異方導電性フィルムに押し込む仮固定工程を備える。

この接続構造体の製造方法では、突起電極の表面と基板の表面との間の距離が導電粒子の平均粒径の１５０％以下となるように突起電極を異方導電性フィルムに押し込むことにより、突起電極と基板との間から異方導電性フィルムの接着剤成分を予め排除できる。これにより、突起電極と基板との間に存在する接着剤成分が少なくなるため、後続の本固定工程における加熱・加圧によって接着剤成分が流動した場合でも、導電粒子が突起電極と基板との間から流出することを抑制できる。したがって、導電粒子を突起電極と基板との間に好適に捕捉できるため、得られる接続構造体において、充分な数の導電粒子を突起電極と基板との間に介在させることが可能になる。

仮固定工程において、突起電極の表面と基板の表面との間の距離が導電粒子の平均粒径の１００％以下となるように突起電極を異方導電性フィルムに押し込むことができる。この場合、導電粒子が突起電極及び基板に接触した状態で仮固定されるため、導電粒子を突起電極と基板との間により好適に捕捉できる。

仮固定工程において、突起電極の表面と基板の表面との間の距離が導電粒子の平均粒径の１００％未満となるように突起電極を異方導電性フィルムに押し込むことができる。この場合、仮固定工程において導電粒子が突起電極と基板との間に噛合して捕捉されるため、異方導電性フィルムの接着剤成分の流動に伴う導電粒子の流出がより一層抑制され、導電粒子を突起電極と基板との間に更に好適に捕捉できる。

接続工程は、仮固定工程の後に、加熱すると共に突起電極を異方導電性フィルムに更に押し込むことにより、突起電極と基板とを導電粒子を介して電気的に接続する本固定工程を更に備えることができる。この場合、仮固定工程において突起電極と基板との間から接着剤成分が予め排除されているため、本固定工程において加熱すると共に突起電極を異方導電性フィルムに更に押し込んでも、導電粒子が突起電極と基板との間から流出することを抑制でき、導電粒子を突起電極と基板との間に好適に捕捉できる。したがって、接続構造体において、充分な数の導電粒子を突起電極と基板との間に介在させることが可能になる。

本発明によれば、充分な数の導電粒子を突起電極と基板との間に介在させることが可能になる。

本発明の実施形態に係る接続構造体が適用された電子機器を示す平面図である。 図１の接続構造体を示す平面図である。 図２中のＩ−Ｉ矢視断面を示す模式断面図である。 図１の接続構造体の製造方法における仮固定工程を示す模式断面図である。 図４（ｂ）の要部拡大模式断面図である。 図４の後続の本固定工程を示す模式断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の接続構造体の製造方法の実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態に係る接続構造体が適用された電子機器を示す平面図である。図１に示すように、接続構造体１は、例えばタッチパネル等の電子機器２に適用されている。電子機器２は、例えば液晶パネル３と回路部品４とから構成されている。

液晶パネル３は、例えば基板５と液晶表示部６とを有している。基板５は、例えば大きさが２０〜３００ｍｍ×２０〜４００ｍｍ、厚さが０．１〜０．３ｍｍの矩形板状を呈している。基板５としては、例えば無アルカリガラス等から形成されるガラス基板が用いられる。基板５の表面５ａには、液晶表示部６及び回路部品４の突起電極４２（後述）と対応するように不図示の回路電極が形成されている。液晶表示部６は、基板５の表面５ａに取り付けられており、上述の回路電極に接続されている。

回路部品４は、基板５より小さな矩形板状を呈しており、例えば０．６〜３．０ｍｍ×１０〜５０ｍｍの大きさ、例えば０．１〜０．３ｍｍの厚さを有している。回路部品４は、液晶表示部６と離間配置されており、上述の基板５の回路電極に接続されている（詳しくは後述）。

図２は、接続構造体を示す平面図である。図２に示すように、回路部品４は、本体部４１と、本体部４１に設けられた突起電極４２とを有している。本体部４１は、実装面４１ａと、実装面４１ａの反対側に非実装面４１ｂとを有している。接続構造体１において、回路部品４は、基板５と実装面４１ａとが対向するように配置されている。本体部４１には、実装面４１ａから突出した突起電極（例えばバンプ電極）４２が複数形成されている。回路部品４の本体部４１を形成する材料としては、シリコン等が用いられる。突起電極４２は、異方導電性フィルムに含有されている導電粒子（詳しくは後述）より軟らかい材料（Ａｕ等）で形成されている。

図２に示すように、実装面４１ａには、例えば、実装面４１ａの一方の長辺４１ｃに沿って、複数の突起電極４２が略等間隔に１列に配置されており、また、実装面４１ａの他方の長辺４１ｄに沿って、複数の突起電極４２が略等間隔に３列に亘って千鳥状を呈するように配置されている。一方の長辺４１ｃ側に配置された１列の突起電極４２は例えば入力側の電極であり、他方の長辺４１ｄ側に配置された３列の突起電極４２は例えば出力側の電極である。突起電極４２は、例えば２〜１５μｍの高さ（実装面４１ａからの高さ）を有している。なお、実装面４１ａにおいては、一方の長辺４１ｃに沿って複数の突起電極４２が例えば２〜４列に亘って配置されていてもよく、他方の長辺４１ｄに沿って複数の突起電極４２が例えば２又は４列に亘って配置されていてもよい。

図３は、図２中のＩ−Ｉ矢視断面を示す模式断面図である。図３に示すように、接続構造体１においては、回路部品４と基板５とが、導電粒子７が接着剤層８中に分散された異方導電性フィルム９を介して互いに接続されている。

異方導電性フィルム９の接着剤層８を構成する接着剤成分としては、熱又は光により硬化性を示す材料が広く適用でき、例えばエポキシ系接着剤又はアクリル系接着剤を使用できる。接続後の耐熱性及び耐湿性に優れていることから、架橋性材料が好ましく用いられる。なかでも、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を主成分として含有するエポキシ系接着剤は、短時間での硬化が可能で接続作業性がよく、接着性に優れている等の観点から好ましく用いられる。

エポキシ系接着剤の具体例としては、高分子量エポキシ樹脂、固形エポキシ樹脂若しくは液状エポキシ樹脂、又は、これらのエポキシ樹脂をウレタン、ポリエステル、アクリルゴム、ニトリルゴム（ＮＢＲ）、合成線状ポリアミド等で変性した変性エポキシ樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。エポキシ系接着剤は、一般的には、主成分である上記エポキシ樹脂と、硬化剤、触媒、カップリング剤、充填剤等とを含有している。

アクリル系接着剤の具体例として、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びアクリロニトリルのうち少なくとも一つをモノマ成分とするアクリル樹脂（重合体又は共重合体）を主成分として含有する接着剤が挙げられる。

異方導電性フィルム９に含有される導電粒子７としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｓｂ、Ｓｎ、はんだ等の金属、導電性カーボンなどで形成された粒子が例示される。導電粒子７は、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等で形成された粒子を核とし、この核を上記の金属、導電性カーボン等で被覆した被覆粒子であってもよい。接続前の導電粒子７の形状としては、略球状、径方向に複数の突起が突出しているような形状（星形状）等が挙げられる。

接続前の導電粒子７の平均粒径は、分散性及び導電性の観点から、１〜１８μｍであることが好ましく、２〜４μｍであることがより好ましい。この範囲内において、平均粒径が突起電極４２の高さより大きい導電粒子を用いることが好ましいが、平均粒径が突起電極４２の高さの例えば８０〜１００％である導電粒子を用いることも可能である。導電粒子７の平均粒径は、任意の導電粒子３００個について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた観察により粒径の測定を行い、それらの平均値を取ることにより得られる。導電粒子７が突起を有する等の球形ではない場合、導電粒子７の粒径は、ＳＥＭの画像における導電粒子に外接する円の直径とすればよい。

続いて、本実施形態に係る接続構造体の製造方法について説明する。本実施形態に係る接続構造体の製造方法は、接続工程を備えており、該接続工程は、仮固定工程と本固定工程を備えている。図４は、接続構造体の製造方法における仮固定工程を示す模式断面図である。仮固定工程では、図４（ａ）に示すように、異方導電性フィルム９として、導電粒子７が異方導電性フィルム９の一面９ａ側に偏在した異方導電性フィルムを用い、異方導電性フィルム９の一面９ａ側が基板５側を向くように、異方導電性フィルム９を回路部品４と基板５との間（基板５の表面５ａ上）に配置する。

異方導電性フィルム９の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍであってよい。導電粒子７は、異方導電性フィルム９の一面９ａ側からの距離が、導電粒子７の平均粒径の好ましくは１５０％以下である範囲、より好ましくは１３０％以下である範囲、更に好ましくは１１０％以下である範囲にのみ位置している。

異方導電性フィルム９において、導電粒子７を異方導電性フィルム９の一面９ａ側に偏在させる方法は、特に限定されない。例えば、導電粒子７が異方導電性フィルム９の一面９ａ側に偏在した異方導電性フィルムは、導電粒子７を含有しない絶縁性接着剤層の一面側に、導電粒子７を含有する導電性接着剤層を積層することにより形成される。この場合、導電性接着剤層の厚さは、例えば導電粒子７の平均粒径の０．６倍以上１．０倍未満であることが好ましい。

異方導電性フィルム９における導電粒子７の含有量は、導電粒子７が過剰に存在することによる短絡を防止する観点から、異方導電性フィルム９中の導電粒子７以外の成分１００体積部に対して、好ましくは１体積部〜１００体積部、より好ましくは１０体積部〜５０体積部である。異方導電性フィルム９における導電粒子７の粒子密度は、例えば５０００個／ｍｍ^２以上５００００個／ｍｍ^２以下であってよい。

仮固定工程では、続いて、図４（ｂ）に示すように、加熱すると共に回路部品４と基板５との対向方向（図４（ｂ）の矢印方向）に加圧することにより、回路部品４の突起電極４２を異方導電性フィルム９に押し込んでいく。このときの加熱温度及び圧力は、異方導電性フィルム９の接着剤成分を流動させる一方で、導電粒子７を突起電極４２と基板５との間から流出させずに保持できるような加熱温度及び圧力であることが好ましく、それぞれ後続の本固定工程における加熱温度及び圧力以下である。具体的には、加熱温度は例えば４０℃〜１００℃であり、圧力は例えば回路部品４の突起電極４２の総電極面積あたり２ＭＰａ〜１０ＭＰａである。

図５は、図４（ｂ）の要部拡大模式断面図である。図５に示すように、仮固定工程では、突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄが、導電粒子７の平均粒径に対して、好ましくは１５０％以下、より好ましくは１２０％以下、更に好ましくは１００％以下、特に好ましくは１００％未満となるように、回路部品４の突起電極４２を異方導電性フィルム９に押し込んでいく。一方、距離ｄは、導電粒子７の平均粒径に対して、例えば０．４倍（４０％）以上であってよい。距離ｄを上記のように設定することで、後述する本固定工程後の接続構造体において、良好な接続信頼性を得ることができる。突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄは、例えば金属顕微鏡を用いて基板５側から仮固定された回路部品４及び基板５を観察し、突起電極４２の表面４２ａの焦点距離と基板５の表面５ａの焦点距離との差から算出できる。

本実施形態に係る接続構造体の製造方法では、仮固定工程に続いて本固定工程が行われる。図６は、本固定工程を示す模式断面図である。図６に示すように、本固定工程では、回路部品４、基板５及び異方導電性フィルム９を加熱すると共に回路部品４と基板５との対向方向（図６の矢印方向）に加圧することにより、回路部品４の突起電極４２を異方導電性フィルム９に更に押し込んでいく。このときの加熱温度及び圧力は、それぞれ上述の仮固定工程における加熱温度及び圧力以上である。具体的には、加熱温度は例えば１００℃〜２００℃であり、圧力は例えば回路部品４の突起電極４２の総面極当たり２０ＭＰａ〜１００ＭＰａである。

これにより、異方導電性フィルム９の接着剤成分が更に流動し、突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄが更に縮まる。その結果、導電粒子７の扁平率は例えば３０％以上となり、回路部品４と基板５との接続が担保される。そして、導電粒子７が突起電極４２と基板５との間に噛合した状態で接着剤層８を硬化させることで、突起電極４２とそれに対応する基板５の回路電極（不図示）とが導電粒子７を介して電気的に接続され、かつ隣接する突起電極４２，４３同士及び隣接する回路電極同士が電気的に絶縁された状態で図３に示した接続構造体１が得られる。なお、異方導電性フィルム９の接着剤成分が光硬化性樹脂を含有している場合、本固定工程において加熱・加圧すると共に例えば紫外光を照射することにより接着剤層８を硬化させればよい。

この接続構造体の製造方法では、仮固定工程において、突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄが導電粒子の平均粒径の１５０％以下となるように突起電極４２を異方導電性フィルム９に予め押し込んだ上で、本固定工程において突起電極４２を異方導電性フィルム９に更に押し込んでいる。ここで、仮固定工程を行わずに本固定工程を行う従来の接続構造体の製造方法では、本固定工程において一度に異方導電性フィルムの接着剤成分が流動することとなる。このため、接着剤成分の急激な流動に伴って導電粒子が突起電極と基板との間から流出し、突起電極と基板との間に充分な数の導電粒子が介在しなくなるおそれがある。

これに対し、この接続構造体の製造方法では、仮固定工程を行うことにより、突起電極４２と基板５との間から異方導電性フィルム９の接着剤成分を予め排除できる。これにより、突起電極４２と基板５との間に存在する接着剤成分が少なくなるため、後続の本固定工程における加熱・加圧によって接着剤成分が流動した場合でも、導電粒子７が突起電極４２と基板５との間から流出することを抑制できる。したがって、導電粒子７が突起電極４２と基板５との間に好適に捕捉されるため、得られる接続構造体１において、充分な数の導電粒子７を突起電極４２と基板５との間に介在させることが可能になる。

上述した作用効果は、異方導電性フィルム９として、導電粒子７が異方導電性フィルム９の一面９ａ側に偏在した異方導電性フィルムを用いた場合に顕著に奏される。この理由としては、流体の流動性の観点から、異方導電性フィルム９の基板５との界面側（一面９ａ側）における接着剤成分の流動性は、異方導電性フィルム９の中央部における接着剤成分の流動性より低下することが挙げられる。このため、流動性が低い一面９ａ側に偏在した導電粒子７は、異方導電性フィルム全体に配置された導電粒子７より流動がより抑制されるため、上述した作用効果が顕著に奏されると考えられる。

また、仮固定工程において、突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄが導電粒子７の平均粒径の１００％以下となるように突起電極４２を異方導電性フィルム９に押し込む場合、導電粒子７が突起電極４２及び基板５に接触した状態で仮固定されるため、導電粒子７を突起電極４２と基板５との間により好適に捕捉できる。

また、仮固定工程において、突起電極４２の表面４２ａと基板５の表面５ａとの間の距離ｄが導電粒子７の平均粒径の１００％未満となるように突起電極４２を異方導電性フィルム９に押し込む場合、仮固定工程において導電粒子７が突起電極４２と基板５との間に噛合して捕捉されるため、異方導電性フィルム９の接着剤成分の流動に伴う導電粒子７の流出がより一層抑制され、導電粒子７を突起電極４２と基板５との間に更に好適に捕捉できる。

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

［実施例１−１〜１−３、比較例１−１］
（フェノキシ樹脂ａの合成）
４，４’−（９−フルオレニリデン）−ジフェノール４５ｇ（シグマアルドリッチジャパン株式会社製）、及び３，３’，５，５’−テトラメチルビフェノールジグリシジルエーテル５０ｇ（三菱化学株式会社製：ＹＸ−４０００Ｈ）を、ジムロート冷却管、塩化カルシウム管、及び攪拌モーターに接続されたテフロン（登録商標）攪拌棒を装着した３０００ｍＬの３つ口フラスコ中でＮ−メチルピロリドン１０００ｍＬに溶解して反応液とした。これに炭酸カリウム２１ｇを加え、マントルヒーターで１１０℃に加熱しながら攪拌した。３時間攪拌後、１０００ｍＬのメタノールが入ったビーカーに反応液を滴下し、生成した沈殿物を吸引ろ過することによってろ取した。ろ取した沈殿物を３００ｍＬのメタノールで更に３回洗浄して、フェノキシ樹脂ａを７５ｇ得た。

その後、東ソー株式会社製高速液体クロマトグラフＧＰ８０２０を用いてフェノキシ樹脂ａの分子量を測定した（測定条件は前述）。その結果、ポリスチレン換算でＭｎ＝１５７６９、Ｍｗ＝３８０４５、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４１３であった。

（異方導電性フィルムＡの作製）
導電性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８２８）を固形分で５０質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、及びフィルム形成材としてフェノキシ樹脂ａを固形分で５０質量部を配合した。また、導電粒子として、ポリスチレンを核とする粒子の表面に厚み０．２μｍのニッケル層を設け、平均粒径３．３μｍ、比重２．５の導電粒子を作製し、この導電粒子を５０質量部で上記配合物に更に配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＴフィルム上に形成された厚みが３μｍの導電性接着剤層を得た。

次に、絶縁性接着剤層用の接着剤ペーストの形成にあたって、エポキシ化合物としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製：ｊＥＲ８０７）を固形分で４５質量部、硬化剤として４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを固形分で５質量部、及びフィルム形成材としてビスフェノールＡ・ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＹＰ−７０）を固形分で５５質量部を配合した。そして、この接着剤ペーストを厚み５０μｍのＰＥＴフィルムにコーターを用いて塗布し、乾燥させることにより、ＰＥＴフィルム上に形成された厚みが１４μｍの絶縁性接着剤層を得た。その後、導電性接着剤層と絶縁性接着剤層とを４０℃に加熱してホットロールラミネータで貼り合わせ、ＰＥＴフィルム間に挟まれた異方導電性フィルムＡを得た。

得られた異方導電性フィルムＡについて、２５０００μｍ^２当たりの導電粒子数を２０か所で実測し、その平均値を１ｍｍ^２に当たりの導電粒子数に換算した。その結果、異方導電性フィルムＡ中の導電粒子の密度は、２８００００個／ｍｍ^２であった。

（接続構造体の作製）
回路部品として、バンプ電極を配列したＩＣチップ（外形２ｍｍ×２０ｍｍ、厚み０．３ｍｍ、バンプ電極の面積８４０μｍ^２（縦７０μｍ×横１２μｍ）、バンプ電極間スペース１２μｍ、バンプ電極高さ１５μｍ）を準備した。また、基板として、ガラス基板（コーニング社製：＃１７３７、３８ｍｍ×２８ｍｍ、厚み０．３ｍｍ）の表面にＩＴＯの配線パターン（パターン幅３１μｍ、電極間スペース７μｍ）が形成された基板を準備した。

ＩＣチップとガラス基板との接続には、セラミックヒータからなるステージ（１５０ｍｍ×１５０ｍｍ）及びツール（３ｍｍ×２０ｍｍ）から構成される熱圧着装置を用いた。そして、上記の異方導電性フィルムＡ（２．５ｍｍ×２５ｍｍ）の導電性接着剤層側のＰＥＴフィルムを剥離し、８０℃、０．９８ＭＰａの条件で２秒間加熱及び加圧して導電性接着剤層側の面をガラス基板に貼り付けた。

次に、ＩＣチップのバンプ電極とガラス基板の回路電極との位置合わせを行った後、表１に示す仮固定温度及び仮固定圧力で１秒間加熱及び加圧して、ＩＣチップのバンプ電極を異方導電性フィルムＡに押し込んだ。仮固定後のガラス基板とバンプ電極との間の距離を表１に示す。なお、仮固定後の基板とバンプ電極との間の距離は、金属顕微鏡を用いてガラス基板側から観察し、ガラス基板の表面の焦点距離とバンプ電極の表面の焦点距離との差から算出した。

続いて、１６０℃、７０ＭＰａの条件で５秒間加熱及び加圧することにより、ガラス基板にＩＣチップを本固定し、接続構造体を得た。接続構造体における導電粒子の捕捉率を以下の式に基づき算出した。
捕捉率（％）＝（バンプ電極上の導電粒子数／（１ｍｍ^２／バンプ電極面積）／異方導電性フィルムの１ｍｍ^２当たりの導電粒子数）×１００
なお、金属顕微鏡を用いてバンプ電極２００箇所について導電粒子数を実測し、その平均値をバンプ電極上の導電粒子数とした。結果を表１に示す。

［実施例２−１〜２−２、比較例２−１］
（異方導電性フィルムＢの作製）
フェノキシ樹脂ａに代えてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＹＰ−５０）、ビスフェノールＡ・ビスフェノールＦ共重合型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＹＰ−７０）に代えてビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（新日鉄住金化学株式会社製：ＦＸ−３１６）をそれぞれ用いた以外は、異方導電性フィルムＡと同様にして異方導電性フィルムＢを作製した。得られた異方導電性フィルムＢについて、２５０００μｍ^２当たりの導電粒子数を２０か所で実測し、その平均値を１ｍｍ^２に当たりの導電粒子数に換算した。その結果、異方導電性フィルムＢ中の導電粒子の密度は、３３００００個／ｍｍ^２であった。

異方導電性フィルムＢを用いた以外は実施例１−１と同様にして、表２に示す条件で接続構造体の作製を行い、導電粒子の捕捉率を測定した。結果を表２に示す。

［実施例３−１〜３−２、比較例３−１〜３−２］
絶縁性接着剤層の厚みを表３に示すように変更した以外は実施例１−１と同様にして、表３に示す条件で接続構造体の作製を行い、導電粒子の捕捉率を測定した。結果を表３に示す。

［実施例３−１〜３−２、比較例３−１〜３−２］
絶縁性接着剤層の厚み及びバンプ電極の高さを表４に示すように変更した以外は実施例１−１と同様にして、表４に示す条件で接続構造体の作製を行い、導電粒子の捕捉率を測定した。結果を表４に示す。

［参考例１−１〜１−３］
絶縁性接着剤層及び導電性接着剤層の厚み、並びに導電粒子の粒子密度を表５に示すように変更した以外は実施例１−１と同様にして、表５に示す条件で接続構造体の作製を行い、導電粒子の捕捉率を測定した。結果を表５に示す。なお、参考例１−１〜１−３では、導電粒子の平均粒径が３．３μｍであるのに対し、導電性接着剤層の厚みが５μｍであるため、導電粒子は、異方導電性フィルムの一面側に偏在していない。

１…接続構造体、４…回路部品、５…基板、５ａ…基板の表面、７…導電粒子、８…接着剤層、９…異方導電性フィルム、４２…突起電極、４２ａ…突起電極の表面、ｄ…突起電極の表面と基板の表面との距離。

Claims (4)

1. 突起電極を有する回路部品と基板とを、導電粒子が接着剤層中に分散されてなる異方導電性フィルムを介して接続する接続工程を備える接続構造体の製造方法であって、
   前記異方導電性フィルムとして、前記導電粒子が前記異方導電性フィルムの一面側に偏在した異方導電性フィルムを用い、
   前記接続工程は、
   前記一面側が前記基板側を向くように前記異方導電性フィルムを前記回路部品と前記基板との間に配置し、前記突起電極の表面と前記基板の表面との間の距離が前記導電粒子の平均粒径の１５０％以下となるように前記突起電極を前記異方導電性フィルムに押し込む仮固定工程を備える、接続構造体の製造方法。
2. 前記仮固定工程において、前記突起電極の表面と前記基板の表面との間の距離が前記導電粒子の平均粒径の１００％以下となるように前記突起電極を前記異方導電性フィルムに押し込む、請求項１に記載の接続構造体の製造方法。
3. 前記仮固定工程において、前記突起電極の表面と前記基板の表面との間の距離が前記導電粒子の平均粒径の１００％未満となるように前記突起電極を前記異方導電性フィルムに押し込む、請求項１又は２に記載の接続構造体の製造方法。
4. 前記接続工程は、前記仮固定工程の後に、加熱すると共に前記突起電極を前記異方導電性フィルムに更に押し込むことにより、前記突起電極と前記基板とを前記導電粒子を介して電気的に接続する本固定工程を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接続構造体の製造方法。

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