JP2003064324A - 異方導電性接着フィルム及びそれを用いた回路基板の接続方法、回路基板接続体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異方導電性接着フィルムを基板に仮圧着する
時の作業性を改善するとともに、高い導電性粒子捕捉率
を達成し、回路間短絡の危険性を低減する。 【解決手段】 絶縁性接着剤層と活性光線によって硬化
する絶縁性バインダ層を重ねたフィルムの活性光線によ
って硬化する絶縁性バインダ層に導電性粒子を埋め込ん
で単層に形成した異方導電性接着フィルムで、活性光線
によって硬化する絶縁性バインダ層の厚みは導電性粒子
の粒子径と同等以下であり、活性光線によって硬化する
絶縁性バインダ層が使用前は未硬化状態で粘着性を示す
異方導電性接着フィルム。この異方導電性接着フィルム
を用いて、活性光線透過性のある基板に仮圧着した後、
本圧着直前に活性光線を照射してバインダ層を硬化す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相対峙する回路を
電気的に接続すると共に接着固定するために用いられる
回路接続用の異方導電性接着フィルムに関し、特にＩＣ
ベアチップ（半導体チップ）を直接回路に接続する、い
わゆるフリップチップボンディングに用いられる異方導
電性接着フィルム及びそれを用いた回路基板の接続方
法、回路基板接続体に関する。

【０００２】

【従来の技術】異方導電性接着フィルムは、基板と基板
の回路接続や基板回路と半導体チップとの電気的接続を
行うために用いられ、例えば、液晶基板と駆動基板とを
フラットケーブルにより電気的に接続するために用いら
れている。

【０００３】この異方導電性接着フィルムは、絶縁性接
着剤と導電性粒子とからなり、導電性粒子は、高分子核
体の表面が金属薄層により実質的に被覆してなる粒子或
いは金属粒子、又は両者を混合した粒子である。この異
方導電性接着フィルムの製造方法は、通常エポキシ樹脂
等の絶縁性樹脂とカップリング剤、硬化剤、硬化促進剤
および導電性粒子を混入・分散した接着剤ワニスをセパ
レータ上に塗布・乾燥して製造される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、実装する半導体
チップはデバイスの小型化、高密度化に伴って、その表
面に形成されるバンプの大きさとバンプ間のスペースが
小さくなる方向に移行している。最近ではこのバンプの
大きさが５０μｍ×３０μｍ或いは３０μｍ×３０μ
ｍ、バンプ間スペースが１０μｍ程度まで小さくなりつ
つある。

【０００５】一方、異方導電性接着フィルムは３〜１０
μｍの導電性粒子を絶縁性熱硬化性接着剤中に分散させ
たものが一般的であり、導電性粒子の粒径や添加量を制
御することによって、接続後、接続する回路間に一定数
の範囲内の導電性粒子を残存させている。ところで、回
路接続後において良好な電気的接続信頼性を確保するた
めには、１バンプあたり最低でも３個以上の導電性粒子
がバンプと回路の間に存在することが必要である。しか
しながら、バンプや電極の大きさが小さくなるに従っ
て、接続後においてバンプと回路間、電極間に残存する
導電性粒子は少なくなるため導電性粒子の添加量を多く
すると導電性粒子の凝集体が隣接するバンプ間スペース
を閉塞して短絡する危険性が増大する。

【０００６】現状では異方導電性接着フィルムには４０
００〜８００００個／ｍｍ^２の導電性粒子が配合されて
いるが、実際に電気的接続に役立っている導電性粒子は
接続後バンプ上に残留しているものだけであり、他の導
電性粒子はバンプ間で短絡する導電性異物と見なされ
る。ここで、異方導電性接着フィルムで回路接続する場
合、接続前の異方導電性接着フィルムの接続電極投影面
積相当の面積に含まれる導電性粒子数に対する接続後の
接続電極上に捕捉される導電性粒子数の割合を粒子捕捉
率と定義して記述する。現状の異方導電性接着フィルム
の粒子捕捉率は１５〜３０％である。

【０００７】本発明者らは、特開２００１−５２７７８
号公報にて導電性粒子を絶縁性のバインダで固定した異
方導電性接着フィルムを用いて９０％以上の粒子捕捉率
を達成することを明らかにした。一般的に、粒子固定層
の片面のみに絶縁性接着剤層を設けたとき、タック力が
無いために基板への仮付け時にフィルムがずれて圧着さ
れ歩留まりが低下する。

【０００８】本発明はかかる状況に鑑みてなされたもの
で、片面に導電性粒子が配置された異方導電性接着フィ
ルムを基板に仮圧着する時の作業性を改善するととも
に、高い導電性粒子捕捉率を達成し、回路間短絡の危険
性を低減するとともに接続信頼性に優れた接着フィルム
を提供して課題を解決しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］絶縁性
接着剤層と活性光線によって硬化する絶縁性バインダ層
を重ねたフィルムの該活性光線によって硬化する絶縁性
バインダ層に導電性粒子を埋め込んで単層に形成してな
る異方導電性接着フィルムであって、該活性光線によっ
て硬化する絶縁性バインダ層の厚みは導電性粒子の粒子
径と同等以下であり、該活性光線によって硬化する絶縁
性バインダ層が使用前は未硬化状態で粘着性を示すこと
を特徴とする異方導電性接着フィルムである。また、本
発明は、［２］絶縁性接着剤層と活性光線によって硬化
する絶縁性バインダ層を重ねたフィルムの該活性光線に
よって硬化する絶縁性バインダ層に導電性粒子を埋め込
んで単層に形成してなる異方導電性接着フィルムであっ
て、該活性光線によって硬化する絶縁性バインダ層の厚
みは導電性粒子の粒子径と同等以下であり、該活性光線
によって硬化する絶縁性バインダ層が使用前は未硬化状
態で粘着性を示す異方導電性接着フィルムを用いて、活
性光線によって硬化する絶縁性バインダ層側を活性光線
透過性のある基板に仮圧着し、活性光線を照射して該活
性光線によって硬化する絶縁性バインダ層の導電性粒子
を固定し、接続部材と基板の電極の位置合わせを行い接
続することを特徴とする回路基板の接続方法である。 ［３］接続前の異方導電性接着フィルムの接続電極投影
面積相当の面積に含まれる導電性粒子数に対する接続後
の接続電極上に捕捉される導電性粒子数の割合を示す粒
子捕捉率の平均値が６５〜８５％であり、接続前の異方
導電性接着フィルムの隣接電極間のスペース部分相当の
面積に含まれる導電性粒子数に対する接続後の該接続電
極に隣接する電極間のスペース部分に残存する導電性粒
子数の割合を示す粒子残存率の平均値が６５〜８５％で
ある上記［２］に記載の回路基板の接続方法である。 ［４］接続部材が半導体チップである上記［２］または
上記［３］に記載の回路基板の接続方法である。そし
て、本発明は、［５］接続した１個当たりの電極上の導
電性粒子数の平均値が１ｍｍ^２当たりの個数に換算した
とき、２０００個／ｍｍ^２〜４０００個／ｍｍ^２の範囲
内である上記［２］ないし上記［３］のいずれかに記載
の回路基板の接続方法により得られた回路基板接続体で
ある。

【００１０】本発明は、絶縁性接着剤層の上に導電性粒
子の粒径と同等以下の厚みを有する活性光線によって硬
化する絶縁性バインダ層を重ね、絶縁性バインダ層の表
面近傍に導電性粒子を埋め込んで単層に形成してなる異
方導電性接着フィルムである。その異方導電性接着フィ
ルムを用いて回路基板を接続するもので、絶縁性バイン
ダ層側を活性光線透過性のある基板表面に仮圧着した
後、基板越しに活性光線を照射して該活性光線によって
硬化する絶縁性バインダ層の導電性粒子を固定した後、
接続する相手となる接続部材の電極と基板側の電極を位
置合わせして搭載後、本圧着することによって仮圧着時
の作業性を改善できると共に高い導電性粒子捕捉率と回
路間短絡の危険性を低減できる。バインダ層を基板表面
に仮圧着する時点でバインダ層は未硬化であるためバイ
ンダ層は粘着性（タック性）を有しており、これにより
異方導電性接着フィルムを基板上に載置したとき基板に
容易に貼り付き、位置ずれしないため作業性が改善され
る。その後、活性光線を照射して絶縁性バインダ層を硬
化し、導電性粒子を固定化するため本圧着時の導電性粒
子の流動を抑え、電極上に効率良く導電性粒子を確保す
ることが出来る。活性光線によって硬化する絶縁性バイ
ンダ層は、使用前は未硬化状態で粘着性を示す必要があ
る。ここで、使用前とは仮圧着する直前までであり、未
硬化状態とは、硬化が完全に行なわれておらず、接続時
に流動性を示す状態である。粘着性は、電極上に絶縁性
バインダ層を重ねたときに極めて容易に動かない程度の
タック性を有している状態を言う。活性光線は、紫外
線、レーザ光、Ｘ線、電子線が挙げられ、この際にこれ
らの活性光線により絶縁性接着剤層の硬化が十分に進行
しないことが望まれる。この観点から、紫外線が特に好
ましい。

【００１１】即ち上記手順に従えば、接続前の異方導電
性接着フィルムの接続電極投影面積相当の面積に含まれ
る導電性粒子数に対する接続後の接続電極上に捕捉され
る導電性粒子数の割合を示す粒子捕捉率の平均値が６５
〜８５％であり、且つ接続前の異方導電性接着フィルム
の隣接電極間のスペース部分相当の面積に含まれる導電
性粒子数に対する接続後の該接続電極に隣接する電極間
のスペース部分に残存する導電性粒子数の割合を示す粒
子残存率の平均値が６５〜８５％を達成でき、前記課題
を達成できる。

【００１２】したがって、少ない導電性粒子添加量で高
い導電性粒子捕捉率を達成することが可能となり、従来
の異方導電性接着フィルムでは実現できなかった接続し
た１個当たりの電極上の導電性粒子数の平均値が１ｍｍ
^２当たりの個数に換算したとき、２０００個／ｍｍ^２〜
４０００個／ｍｍ^２の範囲内である回路基板接続体を得
ることが出来る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して説
明する。図１は本発明の異方導電性接着フィルムを用い
た接続工程図を示す。（ａ）は本発明の異方導電性接着
フィルムの部分拡大断面図である。本発明の異方導電性
接着フィルムはセパレータ４上に電気絶縁性の絶縁性接
着剤層３を塗布し、その上に活性光線によって硬化する
絶縁性バインダ層２を塗布し、導電性粒子１を単層に散
布した後、ラミネートロールなどを用いて粒子を埋め込
むことによって作製できる。接続後の接続電気抵抗を小
さく保つためには、導電性粒子を埋め込んだ活性光線に
よって硬化する絶縁性バインダ層２の厚みは導電性粒子
１の粒子径と同等以下程度に薄い方が良く、さらに好ま
しくは導電性粒子の粒子径より薄い方が良い。（ｂ）は
本発明の異方導電性接着フィルムの活性光線によって硬
化するバインダ層側を活性光線透過性のある基板５の表
面に向けて押える工程を示す。このとき、活性光線によ
って硬化する絶縁性バインダ層２が未硬化で粘着性（タ
ック性）を有するため、基板表面に濡れ易く、位置ずれ
しにくいので、効率良く作業することが出来る。（ｃ）
は異方導電性接着フィルムを活性光線透過性のある基板
表面に仮圧着する工程を示す。圧着ヘッド７を介してセ
パレータ４越しに加圧して、絶縁層バインダ層２と基板
５又は基板の電極６との間隙をなくす。仮圧着条件とし
ては絶縁性接着剤層３が硬化しない程度に加熱加圧する
ことが好ましいが、加熱は必ずしも必須ではなく、絶縁
性バインダ層２が基板５又は基板の電極６に対して貼り
付けば良いので、必要に応じて絶縁性接着剤層３が硬化
しない程度に加熱すればよい。（ｄ）は活性光線照射工
程を示す。基板５越しに絶縁性バインダ層２に活性光線
を照射することによって、絶縁性バインダ層２を硬化
し、導電性粒子１を固定する。このとき、加圧は必須で
はないが、絶縁性バインダ層２の硬化時に絶縁性バイン
ダ層２内部に気泡が残らないようにするという観点から
加圧状態で活性光線を照射する方が好ましい。（ｅ）は
接続する電極同士の位置合わせの工程を示す。セパレー
タ４を剥離して接続部材８の電極９と基板５の電極６を
ＣＣＤカメラ等（図示せず）を用いて位置合わせする。
（ｆ）は搭載の工程を示す。位置合わせした接続部材８
を絶縁性接着剤層３の上に搭載する。（ｇ）は本圧着工
程を示す。圧着ヘッド７を介して加熱加圧して接続部材
８の電極９と基板５の電極６の間に存在する導電性粒子
を変形させて電気的導通を得ると共に絶縁性接着剤層３
を流動させて基板５と接続部材８の間の空隙を充填して
硬化する。

【００１４】前記の接続工程では、本圧着時、加熱され
た圧着ヘッドの熱が接続部材８を通って絶縁性接着剤層
３に伝わり絶縁性接着剤層は溶融し、接続部材中心部か
ら周辺部に向かって流動する。この時、活性光線透過性
を有する基板５に接している絶縁性バインダ層２は活性
光線照射時に硬化が進み、溶融粘度が高くなっているた
め樹脂の流動性（流速）はほぼ零であり、導電性粒子の
移動が少なく、基板面から離れるに従って流動する樹脂
の流速が大きくなる。この結果、接続部材８の電極上に
残留する導電性粒子数が大きくなり、粒子捕捉率がより
高く改善される。したがって、前述したように仮圧着か
ら活性光線照射の工程でしっかり圧着することが粒子捕
捉率を大きくするうえで好ましい。

【００１５】セパレータ４としては、異方導電性接着フ
ィルムの作製に一般的に用いられている、例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，
６−ナフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレン
ジカルボキシレート等のポリエステルフィルム、ポリプ
ロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォ
ンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリフ
ェニレンサルファイドフィルム、ポリアリレートフィル
ム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルイミドフ
ィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリカーボネートフィルム等を用い、こ
れらは逐次二軸延伸法、同時二軸延伸法等の方法で得る
ことができる。

【００１６】絶縁性接着剤層に用いられる樹脂として
は、一般に異方導電性接着フィルムとして使用されてい
る樹脂であれば制限はないが、絶縁性バインダ層の樹脂
とは異なる硬化システムである必要がある。スチレン-
ブタジエン-スチレン共重合体、スチレン-イソプレン-
スチレン共重合体などの熱可塑性樹脂や、エポキシ樹
脂、（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、シトラコ
ンイミド樹脂、ナジイミド樹脂、フェノール樹脂などの
熱硬化性樹脂が使用されるが、耐熱性や信頼性の点で熱
硬化性樹脂を使用することが好ましく、特にエポキシ樹
脂、（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、シトラコ
ンイミド樹脂、ナジイミド樹脂を用いることが好まし
い。さらに（メタ）アクリル樹脂、マレイミド樹脂、シ
トラコンイミド樹脂、ナジイミド樹脂などのラジカル重
合性樹脂を用いた場合には低温硬化性の点で好ましい。

【００１７】エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック
型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹
脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポ
キシ樹脂等があり、これらのエポキシ樹脂は、ハロゲン
化されていてもよく、水素添加されていてもよい。これ
らのエポキシ樹脂は、２種以上を併用してもよい。

【００１８】また、前記エポキシ樹脂の硬化剤として
は、アミン類、フェノール類、酸無水物類、イミダゾー
ル類、ジシアンジアミド等通常のエポキシ樹脂の硬化剤
として使用されているものが挙げられる。さらには、硬
化促進剤として通常使用されている３級アミン類、有機
リン系化合物を適宜使用しても良い。

【００１９】また、エポキシ樹脂を反応させる方法とし
て、前記硬化剤を使用する以外に、スルホニウム塩、ヨ
ードニウム塩等を使用して、カチオン重合させても良
い。

【００２０】アクリル樹脂としては、メチルアクリレー
ト、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、
イソブチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメ
チロールプロパントリアクリレート、テトラメチレング
リコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３
−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス[４−（アク
リロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス
[４−（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジ
シクロペンテニルアクリレートトリシクロデカニルアク
リレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレ
ート、ウレタンアクリレートなどが挙げられ、また、前
記アクリレートをメタクリレートにしたものを単独また
は２種類以上を混合して用いても良い。また、必要によ
っては、ハイドロキノン、メチルエーテルハイドロキノ
ン等のラジカル重合禁止剤を硬化性が損なわれない範囲
で使用しても良い。

【００２１】さらに、リン酸エステル構造を有するラジ
カル重合性物質を使用した場合、金属等無機物に対する
接着力を向上することができる。リン酸エステル構造を
有するラジカル重合性物質の使用量は、０．１〜１０重
量部であり、好ましくは０．５〜５重量部である。リン
酸エステル構造を有するラジカル重合性物質は、無水リ
ン酸と２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートの反
応生成物として得られる。具体的には、モノ（２−メタ
クリロイルオキシエチル）アシッドホスフェート、ジ
（２−メタクリロイルオキシエチル）アシッドホスフェ
ート等が有り、単独でも混合して使用しても良い。

【００２２】マレイミド樹脂としては、分子中にマレイ
ミド基を少なくとも１個有しているもので、例えば、フ
ェニルマレイミド、１−メチル−２，４−ビスマレイミ
ドベンゼン、Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレンビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'
−４，４−ビフェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−
４，４−（３，３−ジメチルビフェニレン）ビスマレイ
ミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−（３，３−ジメチルジフェニ
ルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−（３，
３−ジエチルジフェニルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，
Ｎ'−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、Ｎ，
Ｎ'−４，４−ジフェニルプロパンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニルエーテルビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニルスルホンビスマレイ
ミド、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキ
シ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチ
ル−３，４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）
プロパン、１，１−ビス（４−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニル）デカン、４，４'−シクロヘキシリデ
ン−ビス（１−（４−マレイミドフェノキシ）フェノキ
シ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフル
オロプロパンなどが有り、単独でも２種類以上を混合し
て使用しても良い。

【００２３】シトラコンイミド樹脂としては、分子中に
シトラコンイミド基を少なくとも１個有しているもの
で、例えば、フェニルシトラコンイミド、１−メチル−
２，４−ビスシトラコンイミドベンゼン、Ｎ，Ｎ'−ｍ
−フェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−ｐ−フ
ェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ビ
フェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−
（３，３−ジメチルビフェニレン）ビスシトラコンイミ
ド、Ｎ，Ｎ'−４，４−（３，３−ジメチルジフェニル
メタン）ビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−
（３，３−ジエチルジフェニルメタン）ビスシトラコン
イミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニルメタンビスシト
ラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニルプロパン
ビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニル
エーテルビスシトラコンイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ジ
フェニルスルホンビスシトラコンイミド、２，２−ビス
（４−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチル−３，４−
（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）プロパ
ン、１，１−ビス（４−（４−シトラコンイミドフェノ
キシ）フェニル）デカン、４，４'−シクロヘキシリデ
ン−ビス（１−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フ
ェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビ
ス（４−（４−シトラコンイミドフェノキシ）フェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンなどが挙げられ、単独でも
２種類以上を混合して使用しても良い。

【００２４】ナジイミド樹脂としては、分子中にナジイ
ミド基を少なくとも１個有しているもので、例えば、フ
ェニルナジイミド、１−メチル−２，４−ビスナジイミ
ドベンゼン、Ｎ，Ｎ'−ｍ−フェニレンビスナジイミ
ド、Ｎ，Ｎ'−ｐ−フェニレンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ'
−４，４−ビフェニレンビスナジイミド、Ｎ，Ｎ'−
４，４−（３，３−ジメチルビフェニレン）ビスナジイ
ミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−（３，３−ジメチルジフェニ
ルメタン）ビスナジイミド、Ｎ，Ｎ'−４，４−（３，
３−ジエチルジフェニルメタン）ビスナジイミド、Ｎ，
Ｎ'−４，４−ジフェニルメタンビスナジイミド、Ｎ，
Ｎ'−４，４−ジフェニルプロパンビスナジイミド、
Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニルエーテルビスナジイミ
ド、Ｎ，Ｎ'−４，４−ジフェニルスルホンビスナジイ
ミド、２，２−ビス（４−（４−ナジイミドフェノキ
シ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−ブチ
ル−３，４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）
プロパン、１，１−ビス（４−（４−ナジイミドフェノ
キシ）フェニル）デカン、４，４'−シクロヘキシリデ
ン−ビス（１−（４−ナジイミドフェノキシ）フェノキ
シ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス（４
−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサフル
オロプロパンなどが挙げられ、単独でも２種類以上を混
合して使用しても良い。

【００２５】上記のラジカル重合性化合物を使用した場
合には、重合開始剤を使用する。重合開始剤としては、
熱によってラジカルを発生する化合物であれば特に制限
はなく、過酸化化合物、アゾ系化合物などがあり、目的
とする接続温度、接続時間、保存安定性等を考慮し適宜
選択されるが、高反応性と保存安定性の点から、半減期
１０時間の温度が、４０℃以上かつ、半減期１分の温度
が１８０℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期１０
時間の温度が、５０℃以上、かつ、半減期１分の温度が
１７０℃以下の有機過酸化物が特に好ましい。接続時間
を１０秒とした場合、十分な反応率を得るための重合開
始剤の配合量は、１〜２０重量％が好ましく、２〜１５
重量％が特に好ましい。これより少ないと、接続時に硬
化反応が十分進まず、これより多いと樹脂が流動して回
路間の樹脂が十分排除される前に硬化が進んでしまい、
いずれの場合にも接続信頼性が低下する。本発明で使用
される有機過酸化物の具体的な化合物としては、ジアシ
ルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオ
キシエステル、パーオキシケタール、ジアルキルパーオ
キサイド、ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサ
イドなどから選定できるが、パーオキシエステル、ジア
ルキルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、シリ
ルパーオキサイドは、開始剤中の塩素イオンや有機酸が
５０００ｐｐｍ以下であり、加熱分解後に発生する有機
酸が少なく、回路部材の接続端子の腐食を抑えることが
できるため特に好ましい。

【００２６】ジアシルパーオキサイド類としては、イソ
ブチルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパ
ーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパ
ーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイ
ルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スク
シニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエ
ン、ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。

【００２７】パーオキシジカーボネート類としては、ジ
−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロ
ピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチル
シクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−
エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−
エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキ
シブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−
３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート等が挙
げられる。

【００２８】パーオキシエステル類としては、クミルパ
ーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメ
チルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘ
キシル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエー
ト、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブ
チルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメ
チルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、
２，５−ジメチル−２，５−ジ−(２−エチルヘキサノ
イルパーオキシ)ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−
メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、
ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、
ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ
−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ
−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ
−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ
−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ
−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネ
ート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチ
ルパーオキシアセテート等を挙げることができる。

【００２９】パーオキシケタール類では、１，１−ビス
（t−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（t−ヘキシルパーオキ
シ）シクロヘキサン、１，１−ビス（t−ブチルパーオ
キシ)−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，
１−（t−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２
−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカン等が挙げられ
る。

【００３０】ジアルキルパーオキサイド類では、α,
α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベ
ンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブ
チルクミルパーオキサイド等が挙げられる。

【００３１】ハイドロパーオキサイド類では、ジイソプ
ロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイド
ロパーオキサイド等が挙げられる。

【００３２】シリルパーオキサイド類としては、ｔ−ブ
チルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチ
ル）ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビ
ニルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニ
ルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニル
シリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパ
ーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパー
オキサイド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオ
キサイド等が挙げられる。

【００３３】本発明の異方導電性接着フィルムには、フ
ィルム形成性、接着性、硬化時の応力緩和性を付与する
ため、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマー
ル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミ
ド樹脂、キシレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタン
樹脂、尿素樹脂等高分子成分を使用することもできる。
これら高分子成分は、分子量が１００００〜１００００
０００のものが好ましい。また、これらの樹脂は、ラジ
カル重合性の官能基で変性されていても良く、この場合
耐熱性が向上する。高分子成分の配合量は、２〜８０重
量％であり、５〜７０重量％が好ましく、１０〜６０重
量％が特に好ましい。２重量％未満では、応力緩和や接
着力が十分でなく、８０重量％を超えると流動性が低下
する。

【００３４】本発明の異方導電性接着フィルムは、適宜
充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃
剤、カップリング剤を添加しても良い。

【００３５】絶縁性バインダ層に用いられる活性光線に
よって硬化する樹脂としては、付加重合性物質、ラジカ
ル重合性物質及び光照射によって活性ラジカルを発生す
る化合物が挙げられ、これら重合性物質としては、先に
述べた絶縁性接着剤層に用いることが可能なラジカル重
合性物質を用いることが出来る。光照射によって活性ラ
ジカルを発生する化合物、いわゆる光開始剤としては、
ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルベンゾインエ
ーテル等のベンゾインエーテル、ベンジル、ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタール、
ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン類及びその
誘導体、チオキサントン類、ビスイミダゾール類等があ
り、これらの光開始剤に必要に応じてアミン類、イオウ
化合物、リン化合物等の増感剤を任意の比で添加しても
よい。この際、用いる照射源の波長や所望の硬化特性等
に応じて最適な光開始剤を選択する必要がある。

【００３６】活性光線が紫外線の場合、紫外線照射源と
しては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、無電極ラ
ンプ等で発生させることができる。紫外線の照射線量
は、照射源に用いるランプの性能にもよるが、一般的に
０．２Ｊ／ｃｍ²〜２０Ｊ／ｃｍ²の範囲でほぼ十分な硬
化を得ることが出来る。

【００３７】導電性粒子としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、
Ｃｕ、はんだ等の金属粒子やカーボン、またはガラス、
セラミック、プラスチックの非導電性粒子にＡｕ、Ａ
ｇ、白金等の貴金属類を被覆した粒子が使用される。金
属粒子の場合には表面の酸化を抑えるため、貴金属類で
被覆したものが好ましい。上記導電性粒子のなかで、プ
ラスチックを核体としてＡｕ、Ａｇ等で被覆した粒子や
熱溶融金属粒子は、接続時の加熱加圧によって変形し、
接触面積が増加したり、電極の高さばらつきを吸収する
ので接続信頼性が向上する。貴金属類の被覆層の厚み
は、１００Å以上、好ましくは３００Å以上であれば、
良好な接続が得られる。また導電性粒子表面の全部また
は一部を有機系高分子材料で被覆して得られる粒子を用
いても良い。

【００３８】導電性粒子を単層に埋め込む手法として
は、例えば、散布、磁場や帯電の利用、メッシュ孔への
充填、スクリーン印刷の利用、表面張力の利用等がある
が、導電性粒子を同一電荷に帯電させて散布する方式が
好ましい。具体的には、エアチューブをエジェクタと接
続し、エジェクタの吸い込み口に導電性粒子を落とし、
エアの流れと共に散布させる方法が適用でき、導電性粒
子を絶縁性バインダ層上に配置した後、ラミネートロー
ルなどで押し込んで埋め込むことができる。

【００３９】また本発明で使用する活性光線透過性のあ
る基板は、仮圧着する時点でバインダ層は未硬化である
ため接着フィルムが電極の段差に追随でき、電極の高さ
は２μｍ以下であれば充填量となるスペース部分の体積
がほとんど無いのでベタ基板と遜色ない仮圧着が可能と
なるので、電極高さ２μｍ以下であることが好ましい。
２μｍを超えると基板と絶縁性バインダ層の界面に残る
空隙部分を充填しきれなくなるおそれがある。またこの
とき、異方導電性接着フィルムの最低限の厚みを確保す
る必要性から相手側の接続部材の突起状の電極は３μｍ
以上であることが好ましい。

【００４０】本発明に用いる接続部材と基板は、接続部
材がＩＣベアチップであり、活性光線透過性のある基板
がガラス基板若しくはフィルム状基板である組み合わせ
が好ましく、又は、接続部材がＴＡＢ（Tape Automated
Bonding）若しくはＦＰＣ（Flexible Printed Circui
t）であり、活性光線透過性のある基板がガラス基板若
しくはフィルム状基板である組み合わせが好ましい。

【００４１】ＩＣベアチップの形状について正方形に近
いものでも縦横比の大きいもの或いは小さいものであっ
ても構わない。また、ＩＣベアチップの電極について
は、アンダーバンプメタルと呼ばれる下地電極のみの場
合とバンプと呼ばれるＡｕやＮｉといった金属の突起状
の電極を有する場合があるが、接着する相手側の電極の
高さが低いので、十分な接着厚みを稼ぐという観点から
突起状電極を有する方が好ましい。 ＩＣベアチップの
電極の配置についても面配置、４辺配列、２辺配列など
があるが、何れであっても構わない。

【００４２】ＴＡＢ若しくはＦＰＣは、導体（例えば
銅）と基材フィルム（例えばポリイミドフィルム）の貼
り合わせが接着剤を用いる接着剤タイプでも接着剤を用
いない無接着剤タイプでも構わない。ＴＡＢ若しくはＦ
ＰＣの基材フィルムは、ポリイミド化合物やポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等を
用いることが出来る。ＴＡＢ若しくはＦＰＣの導体材料
として最も多く使われるのが銅箔であるが、圧延銅箔、
電解銅箔、高屈曲性電解銅箔の何れでもよい。

【００４３】本発明の実施例に用いられる活性光線透過
性のある基板としては、ガラス基板若しくはフィルム状
基板などがある。ガラス基板については、接続体の接続
信頼性の観点から平均線膨張率５ｐｐｍ／℃以下が好ま
しく、無アルカリガラスであることが好ましい。ガラス
基板の厚みは光透過性の観点から１．２ｍｍ以下である
ことが好ましい。

【００４４】活性光線透過性のあるフィルム状基板につ
いては、任意の絶縁性材料又は表面に絶縁性が付与され
た導電性材料を用いることが出来るが、量産性に優れ安
価に製造できることから、絶縁性のプラスチックシート
を用いることが好ましい。この種のプラスチックシート
としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポ
リエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）等を用いることが出来る。活性光線透
過性のあるフィルム状基板の厚みは１０〜１００μｍ程
度でよいが、１０〜５０μｍが好ましい。

【００４５】ガラス基板若しくはフィルム状基板上に形
成される回路パターンは基板上にアルミニウム、銅、
銀、錫、鉛、インジウム、クロム、ニッケル等の良導電
性金属材料やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜を真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法な
どによって形成した後、当該薄膜に精密エッチングやレ
ーザビームカッティング等を施すことによって形成する
ことが出来る。又は導電性のペーストをスクリーン印刷
などの方法によって回路形成したり、基板に導電性箔を
積層してエッチングにより回路形成したり、基板にアデ
ティブ法により回路形成することも可能である。

【００４６】本発明において、接続電極投影面積相当の
面積とは、位置ずれなく電極を接続したとき接続面に対
して９０°方向から見たときに見える接続した電極の重
なり合う部分の面積をいい、この重なり合う部分の面積
に相当する接続前の異方導電性接着フィルムの面積中に
含まれる導電性粒子数を本発明において接続前の異方導
電性接着フィルムの接続電極投影面積相当の面積に含ま
れる導電性粒子数と呼ぶ。ここで、重なり合う部分の面
積に相当する接続前の異方導電性接着フィルムの面積
は、実際に重なり合う部分と縦及び横の長さを揃えるこ
とが望ましい。

【００４７】粒子捕捉率は、前記したように接続前の異
方導電性接着フィルムの接続電極投影面積相当の面積に
含まれる導電性粒子数に対する接続後の接続電極上に捕
捉される導電性粒子数の割合をいい、下記式１によって
表される。

【数１】 粒子捕捉率（％）＝（Ｂ／Ａ）×１００ （式１） Ａ；接続前の異方導電性接着フィルムの接続電極投影面
積相当の面積に含まれる導電性粒子数 Ｂ；接続後の接続電極上に捕捉される導電性粒子数

【００４８】本発明における粒子捕捉率の平均値は下記
式２によって算出される。

【数２】 粒子捕捉率の平均値＝Σ（粒子捕捉率）／ｎ （式２） ここで、ｎは計測した接続電極の数を表す。

【００４９】例えば図２（ａ）又は（ｂ）に示される斜
線部分の面積１２（電極間の距離×電極の縦の長さ）の
部分を隣接電極間のスペース部分とし、この部分に相当
する接続前の異方導電性接着フィルムの面積中に含まれ
る導電性粒子数を接続前の異方導電性接着フィルムの隣
接電極間のスペース部分相当の面積に含まれる導電性粒
子数とした。以下具体例を２つ挙げて説明するが、これ
に限定されるものではない。図２（ａ）はガラス基板５
とＩＣベアチップ２０を異方導電性接着フィルム１０で
接続した場合の接続電極の面積１１及び隣接電極間のス
ペース部分の面積１２を示す。接続電極の面積１１は、
位置ずれなく電極を接続したとき接続面に対して９０°
方向から見たときに見えるＩＣベアチップ２０の突起電
極であるバンプ２１とガラス基板５のＩＴＯ電極９の重
なり合う部分の面積１１となる。隣接電極間のスペース
部分の面積１２は電極間の距離×電極の縦の長さに相当
する面積となる。ＩＴＯ電極間の距離とバンプ間の距離
はほぼ同じと見て良く、観察の容易性からバンプ間の距
離に合わせる。図２（ｂ）はＴＡＢ１３とガラス基板５
を異方導電性接着フィルム１０を用いて接続した場合の
接続電極の面積１１及び隣接電極間のスペース部分の面
積１２を示す。接続電極の面積１１は、位置ずれなく電
極を接続したとき接続面に対して９０°方向から見たと
きに見えるＴＡＢ１３の電極１４とガラス基板５のＩＴ
Ｏ電極９の重なり合う部分の面積１１となる。また、隣
接電極間のスペース部分の面積１２は隣接電極間の距離
×異方導電性接着フィルムの接続幅に相当する面積１２
となる。ＴＡＢの電極間の距離とＩＴＯ電極間の距離は
ほぼ同じと見て良く、観察の容易性から隣接電極間の距
離はＴＡＢの電極のトップ間の距離に合わせる。

【００５０】粒子残存率は、上記スペース部分の面積に
相当する接続前の異方導電性接着フィルムの面積中に含
まれる導電性粒子数に対する接続後にスペース部分の面
積内に残存する導電性粒子数の割合をいう。

【００５１】粒子残存率の平均値は、下記式３によって
算出される。

【数３】 粒子残存率の平均値＝Σ（粒子残存率）／ｎ （式３） ここで、ｎは計測した隣接電極間のスペース部分の数を
表す。

【００５２】本発明で用いる粒子捕捉率及び粒子残存率
は接続部材の形状による影響をなくすため、１つの接続
部材中の接続電極の少なくとも３割以上計測する必要が
あり、それらの平均値を算出する。

【００５３】

【実施例】以下に本発明を実施例によりさらに具体的に
説明する。 （実施例１）高分子エポキシ樹脂であるフェノキシ樹脂
ＰＫＨＡ（ユニオンカーバイド社製商品名）４０重量部
とマイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポ
キシ樹脂であるノバキュアＨＸ−３９４１ＨＰ（旭化成
工業株式会社製商品名）１００重量部とを混合し、固形
分率３０重量％となるように酢酸エチル／トルエン＝１
／１の重量混合溶媒で希釈した接着剤ワニスを得た。こ
の接着剤ワニスを、離型処理した５０μｍの二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレート樹脂フィルム製のセパレータ
上に流延・乾燥して、平均厚み２０μｍのフィルムＡを
得た。このフィルムＡの上に、３官能アクリレート（Ｍ
３１５：東亞合成株式会社製商品名）１００重量部に光
重合開始剤１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル
ケトン（イルガキュア１８４：チバ・スペシャリティ・
ケミカルズ株式会社製）／増感剤；４，４’−ビスジエ
チルアミノベンゾフェノン（ＥＡＢ：保土ヶ谷化学工業
株式会社社製商品名）＝５／１の重量混合物を１．２重
量部添加し、トルエンに溶解して固形分率１０重量％の
活性光線硬化接着剤ワニスを作製し、アプリケータで
流延・乾燥して２μｍ厚みの 活性光線硬化絶縁性バイ
ンダ層を形成したフィルムＢを得た。

【００５４】平均直径４μｍの、Ｎｉ／Ａｕめっき皮膜
を有するプラスチック粒子をエアエジェクタを通して流
動化させて、エアチューブからの圧力０．５ＭＰａで、
フィルムＢ上に平均３０，０００個／ｍｍ² （７５個/
５０μｍ角）の割合で散布し、フィルムＣを得た。な
お、フィルムＢは０．６ｍ／分の速度で移動させ、エア
チューブはフィルムＢから１０ｃｍの高さのところに固
定し、水平方向に散布した。このフィルムＣの導電性粒
子散布面に、離型処理した二軸延伸ＰＥＴ樹脂フィルム
製のセパレータ離型処理面を向かい合わせて重ね、温度
５０℃、圧力０．３ＭＰａ、速度２ｍ／分の条件で、二
本のラミネータロール間を通して、散布した導電性粒子
を 活性光線硬化絶縁性バインダ層に押し込んだ異方導
電性接着フィルムＤを得た。フィルムＡからフィルムＤ
を得るまでの作製工程を図３に示す。

【００５５】５０μｍ×５０μｍの端子部５６箇所及び
５０μｍ×５０μｍ５６箇所のスペース部分を有するＩ
ＴＯ回路パターン（高さ０．２μｍ）を有するガラス基
板に、この異方導電性接着フィルムＤの絶縁性バインダ
層側を１００℃、０．２ＭＰａで５秒の加熱加圧を施し
て貼り付け（仮圧着）、東レエンジニアリング社製セミ
オートＣＯＧボンダＳＡ１０００を用いて０．２ＭＰａ
加圧下で活性光線として紫外線を１．０Ｊ／ｃｍ^２照射
し、セパレータを剥がした後、当該ガラス基板と対を成
すベアチップ（バンプ高さ１５μｍ）を位置合わせし
て、２００℃，３ＭＰａで２０秒の加熱加圧（本圧着）
を施して回路接続をした。異方導電性接着フィルムＤを
２００倍の光学顕微鏡で観察して、単位面積当たりのフ
ィルム中の導電性粒子数と回路接続した後のバンプ上及
びスペース部分の導電性粒子数をそれぞれ２０箇所計測
した。

【００５６】（比較例１）実施例１と同様の接着剤ワニ
スにより、セパレータ上に１５μｍ厚の導電性粒子なし
絶縁性接着剤層３を作製した。また、同接着剤ワニス中
に、実施例１に用いたものと同じ導電性粒子を分散させ
て、８μｍ厚の導電性粒子入りの異方導電性接着剤層２
２を作製した。接着剤ワニス中に分散させた導電性粒子
は８μｍ厚の異方導電性接着剤層２２の単位面積当り粒
子数が３０，０００個／ｍｍ^２になるように調製した。
絶縁性接着剤層３と絶縁性接着剤層２２を貼り合わせ、
図４に示す２層構造の異方導電性接着フィルムＷを得
た。フィルムＷの異方導電性接着剤層２２の側を、５０
μｍ×５０μｍの端子部及び５０μｍ×５０μｍのスペ
ース部分を有するＩＴＯ回路パターン（高さ０．２μ
ｍ）を有するガラス基板に１００℃，０．２ＭＰａで５
秒の加熱加圧を施して貼り付け（仮圧着）、セパレータ
を剥がした後、当該ガラス基板と対を成すベアチップ
（バンプ高さ１５μｍ）を位置合わせして、２００℃、
３ＭＰａで２０秒の加熱加圧（本圧着）を施して回路接
続をした。その後、実施例１と同様な計測を実施した。

【００５７】（比較例２）実施例１で作製したフィルム
Ｄの活性光線硬化接着剤層側のセパレータを剥離し株式
会社オーク製作所製露光機ＨＭＷ−６Ｎを用いて活性光
線として紫外線を１．５Ｊ／ｃｍ^２照射し、導電性粒子
を固定した。このフィルムを用いて実施例１と同様に５
０μｍ×５０μｍの端子部及び５０μｍ×５０μｍのス
ペース部分を有するＩＴＯ回路パターンを有するガラス
基板に仮圧着しようとしたところ、タック性がなく、仮
圧着してもフィルムが剥がれてしまった。実施例１と比
較例１、２の計測結果を表１に示す。なお、計測値はそ
の平均値をとり、小数点第１位を四捨五入した。

【００５８】

【表１】 −；測定不能

【００５９】導電性粒子を散布した活性光線硬化絶縁性
バインダ層に接続前に活性光線として紫外線を照射して
粒子を固定した比較例２では、フィルムの粘着力（タッ
ク力）が無いために、接続サンプルを作製できず、評価
できなかった。また、従来の二層構成の異方導電性接着
フィルムである比較例１では、接続サンプルを１００％
作製することは出来たが、接続後におけるバンプ上の導
電性粒子数が著しく低下し、導電性粒子捕捉率が２５％
と低かった。これに対して、本発明の実施例１は接続サ
ンプル作製時の作業効率も良好で歩留まり１００％で作
製でき、接続後におけるバンプ上の導電性粒子の捕捉率
は７２％と高い値を示した。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、異方導電性接着フィル
ムを用いた回路基板の実装において、少ない導電性粒子
添加量で高い導電性粒子捕捉率を達成し、回路間短絡の
危険性を低減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の異方導電性接着フィルムを用いた接
続工程図

【図２】 （ａ）はガラス基板５とＩＣベアチップ２０
を異方導電性接着フィルム１０で接続した接続体を接続
面に対して９０°方向から見た図（ｂ）はＴＡＢ１３と
ガラス基板５を異方導電性接着フィルム１０を用いて接
続した接続体を接続面に対して９０°方向から見た図

【図３】 実施例１のフィルム作製工程図

【図４】 比較例１の２層構成異方導電性接着フィルム
の部分拡大断面図

【符号の説明】

１：導電性粒子 ２：絶縁性バインダ層（ 活性光線硬化絶縁性バインダ
層） ３：絶縁性接着剤層 ４：セパレータ ５：（ガラス）基板 ６：（基板の）電極 ７：圧着ヘッド ８：接続部材 ９：電極 １０：異方導電性接着フィルム １１：接続電極の面積 １２：隣接電極間のスペース部分の面積 １３：ＴＡＢ １４：ＴＡＢの電極 １５：フィルムＡ １６：フィルムＢ １７：エアチューブ １８：フィルムＣ １９：ラミネータロール ２０：ＩＣベアチップ ２１：バンプ ２２：異方導電性接着剤層 ２３：２層構造の異方導電性接着フィルムＷ ２４：フィルムＤ

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA17 AA18 AB01 AB07 CE01 DB02 DB03 FA05 4J040 JA09 JB08 JB09 JB10 KA32 LA03 LA09 NA20 5E319 AA03 AA07 AB06 AC03 BB13 BB16 CC61 CD04 GG01 GG15 5F044 NN19

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性接着剤層と活性光線によって硬化
   する絶縁性バインダ層を重ねたフィルムの該活性光線に
   よって硬化する絶縁性バインダ層に導電性粒子を埋め込
   んで単層に形成してなる異方導電性接着フィルムであっ
   て、該活性光線によって硬化する絶縁性バインダ層の厚
   みは導電性粒子の粒子径と同等以下であり、該活性光線
   によって硬化する絶縁性バインダ層が使用前は未硬化状
   態で粘着性を示すことを特徴とする異方導電性接着フィ
   ルム。
2. 【請求項２】 絶縁性接着剤層と活性光線によって硬化
   する絶縁性バインダ層を重ねたフィルムの該活性光線に
   よって硬化する絶縁性バインダ層に導電性粒子を埋め込
   んで単層に形成してなる異方導電性接着フィルムであっ
   て、該活性光線によって硬化する絶縁性バインダ層の厚
   みは導電性粒子の粒子径と同等以下であり、該活性光線
   によって硬化する絶縁性バインダ層が使用前は未硬化状
   態で粘着性を示す異方導電性接着フィルムを用いて、活
   性光線によって硬化する絶縁性バインダ層側を活性光線
   透過性のある基板に仮圧着し、活性光線を照射して該活
   性光線によって硬化する絶縁性バインダ層の導電性粒子
   を固定し、接続部材と基板の電極の位置合わせを行い接
   続することを特徴とする回路基板の接続方法。
3. 【請求項３】 接続前の異方導電性接着フィルムの接続
   電極投影面積相当の面積に含まれる導電性粒子数に対す
   る接続後の接続電極上に捕捉される導電性粒子数の割合
   を示す粒子捕捉率の平均値が６５〜８５％であり、接続
   前の異方導電性接着フィルムの隣接電極間のスペース部
   分相当の面積に含まれる導電性粒子数に対する接続後の
   該接続電極に隣接する電極間のスペース部分に残存する
   導電性粒子数の割合を示す粒子残存率の平均値が６５〜
   ８５％である請求項２に記載の回路基板の接続方法。
4. 【請求項４】 接続部材が半導体チップである請求項２
   または請求項３に記載の回路基板の接続方法。
5. 【請求項５】 接続した１個当たりの電極上の導電性粒
   子数の平均値が１ｍｍ ^２当たりの個数に換算したとき、
   ２０００個／ｍｍ^２〜４０００個／ｍｍ^２の範囲内であ
   る請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の回路基板
   の接続方法により得られた回路基板接続体。