WO2019039210A1

WO2019039210A1 - 異方性導電フィルム

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Publication number: WO2019039210A1
Application number: PCT/JP2018/028623
Authority: WO
Inventors: 太一郎梶谷; 怜司塚尾
Original assignee: デクセリアルズ株式会社
Priority date: 2017-08-23
Filing date: 2018-07-31
Publication date: 2019-02-28
Also published as: TW201921803A; CN110945720B; KR20230008230A; JP2019040703A; JP7062389B2; US20200215785A1; CN110945720A; TW202318726A; TWI781213B; KR20200022510A

Abstract

異方性導電接続時に絶縁性樹脂層が流動することによる導電粒子の流動を抑制し、導電粒子の捕捉性を向上させ、ショートを低減させるための異方性導電フィルムは、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する。この絶縁性樹脂層は、光重合性樹脂組成物の層である。導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面は、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する。

Description

異方性導電フィルム

　本発明は、異方性導電フィルムに関する。

　ＩＣチップなどの電子部品の実装に、導電粒子を絶縁性樹脂層に分散させた異方性導電フィルムが広く使用されている。異方性導電フィルムでは、高実装密度に対応できるように、絶縁性樹脂層に導電粒子を高密度に分散させることが行われている。しかしながら、導電粒子の個数密度を高めることはショートの発生要因となる。

　これに対し、ショートを低減させると共に、異方性導電フィルムを基板に仮圧着するときの作業性を改善するため、導電粒子を単層で埋め込んだ光重合性樹脂層と絶縁性接着剤層とを積層した異方性導電フィルムが提案されている（特許文献１）。この異方性導電フィルムの使用方法としては、光重合性樹脂層が未重合でタック性を有する状態で仮圧着を行い、次に光重合性樹脂層を光重合させて導電粒子を固定化し、その後、基板と電子部品とを本圧着する。

　また、特許文献１と同様の目的を達成するために、第１接続層が、主として絶縁性樹脂からなる第２接続層と第３接続層とに挟持された３層構造の異方性導電フィルムも提案されている（特許文献２，３）。具体的には、特許文献２の異方性導電フィルムは、第１接続層が、絶縁性樹脂層の第２接続層側の平面方向に導電粒子が単層で配列された構造を有し、隣接する導電粒子間の中央領域の絶縁性樹脂層厚が、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層厚よりも薄くなっている。他方、特許文献３の異方性導電フィルムは、第１接続層と第３接続層の境界が起伏している構造を有し、第１接続層が、絶縁性樹脂層の第３接続層側の平面方向に導電粒子が単層で配列された構造を有し、隣接する導電粒子間の中央領域の絶縁性樹脂層厚が、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層厚よりも薄くなっている。

特開２００３－６４３２４号公報特開２０１４－０６０１５０号公報特開２０１４－０６０１５１号公報

　しかしながら、特許文献１に記載の異方性導電フィルムでは、異方性導電接続の仮圧着時に導電粒子が動き易く、異方性導電接続前の導電粒子の精密な配置を異方性導電接続後に維持できない、もしくは導電粒子間の距離を十分に離間させることができないという問題がある。また、このような異方性導電フィルムを基板と仮圧着した後に光重合性樹脂層を光重合させ、導電粒子が埋め込まれている光重合した樹脂層と電子部品とを貼り合わせると、電子部品のバンプの端部で導電粒子が捕捉されにくいという問題や、導電粒子の押込に過度に大きな力が必要となり、導電粒子を十分に押し込むことができないという問題があった。また、特許文献１では、導電粒子の押し込みの改善のために、光重合性樹脂層からの導電粒子の露出の観点等からの検討も十分になされていない。

　そこで、光重合性樹脂層に代えて、異方性導電接続時の加熱温度で高粘度となる熱重合性の絶縁性樹脂層に導電粒子を分散させ、異方性導電接続時の導電粒子の流動性を抑制すると共に、異方性導電フィルムを電子部品と貼着するときの作業性を向上させることが考えられる。しかしながら、そのような絶縁性樹脂層に導電粒子を仮に精密に配置したとしても、異方性導電接続時に樹脂層が流動すると導電粒子も同時に流動してしまうので、導電粒子の捕捉性の向上やショートの低減を十分に図ることは困難であり、異方性導電接続後の導電粒子に当初の精密な配置を維持させることも、導電粒子同士を離間した状態に保持させることも困難である。このため、やはり光重合性樹脂層に導電粒子を分散保持させておくことが望まれているのが現状である。

　また、特許文献２、３に記載の３層構造の異方性導電フィルムの場合、基本的な異方性導電接続特性については問題が認められないものの、３層構造であるため、製造コストの観点から、製造工数を減数化することが求められている。また、第１接続層の片面における導電粒子の近傍において、第１接続層の全体もしくはその一部が導電粒子の外形より大きく隆起し（絶縁性樹脂層そのものが平坦ではなくなり）、その隆起した部分に導電粒子が保持されているため、導電粒子の保持や不動性と端子により挟持させ易くすることとを両立させるために設計上の制約が多くなり易いという問題が懸念されている。

　これに対し、本発明は、導電粒子を光重合性の絶縁性樹脂層に分散させた異方性導電フィルムにおいて、３層構造を必須としなくても、また、導電粒子を保持している光重合性の絶縁性樹脂層における当該導電粒子近傍において光重合性の絶縁性樹脂の全体もしくはその一部を導電粒子の外形より大きく隆起させなくても、異方性導電接続時における光重合性の絶縁性樹脂層の流動による導電粒子の不要な移動（流動）を抑制し、導電粒子の捕捉性を向上させ、且つショートを低減させることを課題とする。

　本発明者は、異方性導電フィルムに、導電粒子が光重合性の絶縁性樹脂層に分散した導電粒子分散層を設けるにあたり、光重合性の絶縁性樹脂層の導電粒子近傍の表面形状について以下の知見（ｉ）、（ｉｉ）を得、また、光重合性の絶縁性樹脂層の光重合のタイミングについて以下の知見（ｉｉｉ）を得た。

　即ち、特許文献１に記載の異方性導電フィルムでは、導電粒子が埋め込まれた側の光重合性の絶縁性樹脂層自体の表面が平坦になっているのに対し、（ｉ）導電粒子が光重合性の絶縁性樹脂層から露出している場合に、導電粒子の周囲の光重合性の絶縁性樹脂層の表面を、隣接する導電粒子間の中央部における光重合性の絶縁性樹脂層の接平面に対して当該絶縁性樹脂層内側に傾斜させるようにすると、その絶縁性樹脂層の表面の平坦性が損なわれて一部欠けた状態（光重合性の絶縁性樹脂層の表面の一部が欠けることで、直線的な絶縁性樹脂層の、表面の平坦性が一部損なわれた状態）となり、その結果、異方性導電接続時に端子間における導電粒子の挟持や扁平化を妨げる虞のある不要な絶縁性樹脂を低減させることができ、更に、（ｉｉ）導電粒子が光重合性の絶縁性樹脂層から露出することなく当該絶縁性樹脂層内に埋まっている場合に、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対してうねり、即ち、痕跡となるような微小な起伏（以下、単に起伏とのみ記す）が形成されるようにすると、異方性導電接続時に導電粒子が端子によって押し込まれ易くなり、端子における導電粒子の捕捉性が向上し、さらに異方性導電フィルムの製品検査や、使用面の確認が容易になることを見出した。また、光重合性の絶縁性樹脂層におけるこのような傾斜もしくは起伏は、当該絶縁性樹脂層に導電粒子を押し込むことによって導電粒子分散層を形成する場合に、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度、押し込み速度、温度などを調整することにより形成できることを見出した。

　また、（ｉｉｉ）本発明のような異方性導電フィルムを使用して電子部品同士を異方性導電接続させ接続構造体を製造する際に、一方の電子部品に異方性導電フィルムを配置させた後、その上に他方の電子部品を配置する前に、異方性導電フィルムの光重合性の絶縁性樹脂層に対し光照射を行うことで、異方性導電接続時にその絶縁性樹脂の最低溶融粘度の過度な低下を抑制して導電粒子の不要な流動を防止し、それにより接続構造体に良好な導通特性を実現できることを見出した。

　本発明は、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する異方性導電フィルムであって、
　該絶縁性樹脂層が、光重合性樹脂組成物の層であり、
　導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する異方性導電フィルムを提供する。

　本発明の異方性導電フィルムにおいては、前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面にして欠けており、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少ないことが好ましい。あるいは、前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）が３０％以上１０５％以下であることが好ましい。

　光重合性樹脂組成物は、光カチオン重合性、光アニオン重合性もしくは光ラジカル重合性であってもよいが、成膜用ポリマーと、光カチオン重合性化合物と、光カチオン重合開始剤と、熱カチオン重合開始剤とを含有する光カチオン重合性樹脂組成物であることが好ましい。ここで、好ましい光カチオン重合性化合物は、エポキシ化合物とオキセタン化合物とから選択される少なくとも一種であり、好ましい光カチオン重合開始剤は、芳香族オニウム・テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。また、光重合性樹脂組成物が光ラジカル重合性樹脂組成物である場合、成膜用ポリマーと、光ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、熱ラジカル重合開始剤とを含有することが好ましい。

　本発明の異方性導電フィルムにおいて、絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されていてもよく、絶縁性樹脂層から露出することなく絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されていてもよい。また、絶縁性樹脂層の層厚Ｌａと導電粒子径Ｄとの比（Ｌａ/Ｄ）は、好ましくは０．６～１０であり、導電粒子が互いに非接触で配置されていることが好ましい。更に、導電粒子の最近接粒子間距離が導電粒子径の０．５倍以上４倍以下であることが好ましい。

　本発明の異方性導電フィルムにおいて、絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面と反対側の表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されていてもよく、反対に、絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されていてもよい。これらの場合、第２の絶縁性樹脂層の最低溶融粘度が絶縁性樹脂層の最低溶融粘度よりも低いことが好ましい。なお、導電粒子の粒子径のＣＶ値は、好ましくは２０％以下である。

　本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を形成する工程を有する製造方法により製造できる。ここで、導電粒子分散層を形成する工程は、導電粒子を光重合性樹脂組成物からなる絶縁性樹脂層表面に分散した状態で保持させる工程と、絶縁性樹脂層表面に保持させた導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程を有し、この導電粒子を絶縁性樹脂層表面に押し込む工程において、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有するように、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度、押込速度又は温度を調整する。より詳しくは、導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む工程において、好ましくは、前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けるようにし、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少なくなるようにする。あるいは、前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）を３０％以上１０５％以下とする。この数値範囲内において、３０％以上６０％未満であると、導電粒子を最低限に保持し、且つ樹脂層からの導電粒子の露出が大きいことから、より低温低圧実装が容易になり、６０％以上１０５％以下であると、導電粒子をより保持し易くなり、且つ接続前後で捕捉される導電粒子の状態が維持され易くなる。

　なお、光重合性樹脂組成物、導電粒子の粒子径のＣＶ値については、既に説明したとおりである。

　また、本発明の異方性導電フィルムの製造方法においては、導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、光重合性の絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配列で保持させ、導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程において、導電粒子を平板又はローラーで光重合性の絶縁性樹脂層に押し込むことが好ましい。また、導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、転写型に導電粒子を充填し、その導電粒子を光重合性の絶縁性樹脂層に転写することにより絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配置で保持させることが好ましい。

　本発明は、また、上述の異方性導電フィルムにより第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接続されている接続構造体を提供する。

　本発明の接続構造体は、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムを、その導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側又は形成されていない側から配置する異方性導電フィルム配置工程、異方性導電フィルム側又は第１の電子部品側から、異方性導電フィルムに対し光照射を行うことにより導電粒子分散層を光重合させる光照射工程、及び光重合した導電粒子分散層上に第２の電子部品を配置し、熱圧着ツールで第２の電子部品を加熱加圧することにより、第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接続する熱圧着工程を有する製造方法により製造できる。この配置工程においては、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムをその導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側から配置し、そして光照射工程において、異方性導電フィルム側から光照射を行うことが好ましい。

　本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子が光重合性の絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する。この異方性導電フィルムにおいては、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面を、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜させ、もしくは起伏が形成されるようにする。即ち、導電粒子が光重合性の絶縁性樹脂層から露出している場合には、露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層に傾斜があり、導電粒子が光重合性の絶縁性樹脂層から露出することなく該絶縁性樹脂層内に埋まっている場合には、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に起伏があるか、導電粒子が１点で絶縁性樹脂層に接することになる。

　換言すれば、本発明の異方性導電フィルムにおいては、導電粒子は光重合性の絶縁性樹脂に埋め込まれているため、導電粒子の近傍では埋め込みの程度により、導電粒子の外周に沿って樹脂が存在している場合（例えば、図４、図６参照）や、絶縁性樹脂全体の傾向として平坦であるが、導電粒子近傍では、絶縁性樹脂が導電粒子の埋め込みに引き連られて内部に入り込む場合（例えば、図１Ｂ、図２参照）が存在し得る。内部に入り込む場合とは、導電粒子の樹脂への埋め込みによって、断崖のような状態になることも含む（図３）。両者が混在する場合も存在する。本発明における傾斜とは、絶縁性樹脂が導電粒子の埋め込みに引き連られて内部に入り込んで形成される斜面のことであり、また、起伏とは、そのような傾斜とそれに続いて導電粒子上に堆積した絶縁性樹脂層とのことである（堆積により傾斜が消えることもある）。このように、絶縁性樹脂に傾斜や起伏を形成することにより、導電粒子が絶縁性樹脂に一部もしくは全体が埋め込まれた状態になって保持されるので、接続時の樹脂の流動などの影響を最小限にでき、接続時の導電粒子の捕捉性が向上することになる。また、特許文献２や３に比べ、導電粒子近傍の絶縁性樹脂量が少なくとも端子と接続させるフィルム面の一部において低減されている（導電粒子の厚み方向における絶縁性樹脂量が少なくなる）ので、端子と導電粒子とが直接接触し易くなる。即ち、接続時の押し込みに対して導電粒子の邪魔になる樹脂が存在しないこともしくは低減され、最小限の樹脂量で構成されることになる。更に、絶縁性樹脂は導電粒子の外形に概ね沿った表面の欠落などはあるが、過度な隆起が発生しなくなることになる。また、この場合の樹脂とは、導電粒子を保持することが可能になるため、比較的高粘度となり易く、端子との接続面となるフィルム面の、特に導電粒子直上の樹脂量は少ないことが好ましくなる。もしくは、導電粒子の外形に沿って導電粒子を保持している比較的高粘度の樹脂が無いことも、同様の理由から好ましいものになる。このように、本発明はこれらの構成に則ることになる。なお、導電粒子の外形に沿うことは、押し込みにおける効果が発現し易くなることが期待できるとともに、外観を観察することによって異方性導電フィルムの製造において、良否判定をし易くなる効果も期待できる。また、端子と導電粒子が直接接触し易くなることは、導通特性の向上や押し込みの均一性にも効果が見込まれる。このように、比較的高粘度の絶縁性樹脂による導電粒子の保持と、導電粒子のフィルム面方向直上における上記樹脂の欠落や低減もしくは変形とが両立することにより、導電粒子の捕捉と押し込みの均一性、導通特性が良好になる条件が整うことになる。また、比較的高粘度の樹脂そのもの（絶縁性樹脂層の厚み）を薄くすることも可能になり、比較的低粘度の第２の樹脂層を積層するなど設計自由度を高くできることにもつながる。比較的高粘度の樹脂そのものを薄くすると、接続ツールの加熱加圧条件についてもマージンが取り易くなる。なお、この場合、導電粒子径のばらつきが小さいことが、より効果を発揮する上で望まれることになる。導電粒子径のばらつきが大きくなると、傾斜や起伏の程度が導電粒子毎に相違するためである。

　絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層に傾斜があると、その傾斜部分では、異方性導電接続時に導電粒子が端子間で挟持されることや、扁平に潰れようとすることに対して絶縁性樹脂が妨げとなりにくい。また、傾斜によって導電粒子の周囲の樹脂量が低減している分、導電粒子を無用に流動させることに繋がる樹脂流動が低減する。よって、端子における導電粒子の捕捉性が向上し、導通信頼性が向上する。

　また、絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に起伏があっても傾斜の場合と同様に、異方性導電接続時に端子からの押圧力が導電粒子にかかり易くなる。これは、起伏により導電粒子の直上の樹脂量が低減して存在しているため、導電粒子を固定化させ、且つ起伏があることによって、樹脂が平坦に堆積している場合（図８参照）よりも接続時の樹脂流動が生じ易くなることが見込まれ、傾斜と同様な効果も期待できる。よって、この場合にも端子における導電粒子の捕捉性が向上し、導通信頼性が向上する。

　このような本発明の異方性導電フィルムによれば、導電粒子の捕捉性が向上し、端子上の導電粒子が流動し難いことから導電粒子の配置を精密に制御できる。したがって、例えば、端子幅６μｍ～５０μｍ、端子間スペース６μｍ～５０μｍのファインピッチの電子部品の接続に使用することができる。また、導電粒子の大きさが３μｍ未満（例えば２．５～２．８μｍ）のときに有効接続端子幅（接続時に対向した一対の端子の幅のうち、平面視にて重なり合っている部分の幅）が３μｍ以上、最短端子間距離が３μｍ以上であればショートを起こすこと無く電子部品を接続することができる。

　また、導電粒子の配置を精密に制御できるので、ノーマルピッチの電子部品を接続する場合には、分散性（個々の導電粒子の独立性）や配置の規則性、粒子間距離などを種々の電子部品の端子のレイアウトに対応させることが可能となる。

　さらに、絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に起伏があると、異方性導電フィルムの外観観察により導電粒子の位置が明確に分かるので、製品検査が容易になり、また、異方性導電接続時に異方性導電フィルムのどちらのフィルム面を基板に貼り合わせるかという使用面の確認も容易になる。

　加えて、本発明の異方性導電フィルムによれば、導電粒子の配置の固定のために光重合性の絶縁性樹脂層を光重合させておくことが必ずしも必要ではないので異方性導電接続時に絶縁性樹脂層がタック性を持ちうる。このため、異方性導電フィルムと基板を仮圧着するときの作業性が向上し、仮圧着後に電子部品を圧着するときにも作業性が向上する。

　一方、本発明の異方性導電フィルムの製造方法によれば、絶縁性樹脂層に上述の傾斜もしくは起伏が形成されるように、絶縁性樹脂層に導電粒子を埋め込むときの該絶縁性樹脂層の粘度、押し込み速度、温度等を調整する。そのため、上述の効果を奏する本発明の異方性導電フィルムを容易に製造することができる。

　また、本発明の異方性導電フィルムを構成する絶縁性樹脂層は、光重合性樹脂組成物から構成されている。このため、本発明の異方性導電フィルムを使用して電子部品同士を異方性導電接続させ接続構造体を製造する際に、一方の電子部品に異方性導電フィルムを配置させた後、その上に他方の電子部品を配置する前に、異方性導電フィルムの光重合性の絶縁性樹脂層に対し光照射を行うことで、異方性導電接続時にその絶縁性樹脂の最低溶融粘度の過度な低下を抑制して導電粒子の不要な流動を防止し、それにより接続構造体に良好な導通特性を実現できる。

図１Ａは、実施例の異方性導電フィルム１０Ａの導電粒子の配置を示す平面図である。図１Ｂは、実施例の異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。図２は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。図３は、絶縁性樹脂層に形成される「傾斜」と「起伏」との中間ともいえる状態の異方性導電フィルム１０Ｃの断面図である。図４は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｄの断面図である。図５は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｅの断面図である。図６は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｆの断面図である。図７は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｇの断面図である。図８は、比較例の異方性導電フィルム１０Ｘの断面図である。図９は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｈの断面図である。図１０は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｉの断面図である。

　以下、本発明の異方性導電フィルムの一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。

＜異方性導電フィルムの全体構成＞
　図１Ａは、本発明の一実施例の異方性導電フィルム１０Ａの粒子配置を説明する平面図であり、図１ＢはそのＸ－Ｘ断面図である。

　この異方性導電フィルム１０Ａは、例えば長さ５ｍ以上の長尺のフィルム形態とすることができ、巻き芯に巻いた巻装体とすることもできる。

　異方性導電フィルム１０Ａは導電粒子分散層３から構成されており、導電粒子分散層３では、光重合性の絶縁性樹脂層２の片面に導電粒子１が露出した状態で規則的に分散している。フィルムの平面視にて導電粒子１は互いに接触しておらず、フィルム厚方向にも導電粒子１が互いに重なることなく規則的に分散し、導電粒子１のフィルム厚方向の位置が揃った単層の導電粒子層を構成している。

　個々の導電粒子１の周囲の絶縁性樹脂層２の表面２ａには、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層２の接平面２ｐに対して傾斜２ｂが形成されている。なお後述するように、本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層の表面に起伏２ｃが形成されていてもよい（図４、図６）。

　本発明において、「傾斜」とは、導電粒子１の近傍で絶縁性樹脂層の表面の平坦性が損なわれ、前記接平面２ｐに対して樹脂層の一部が欠けて樹脂量が低減している状態を意味する。換言すれば、傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が接平面に対して欠けていることになる。一方、「起伏」とは、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面にうねりがあり、うねりのように高低差がある部分が存在することで樹脂量が低減している状態を意味する。換言すれば、導電粒子直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、導電粒子直上の絶縁性樹脂層の表面が接平面にあるとしたときに比して少なくなる。これらは、導電粒子の直上に相当する部位と導電粒子間の平坦な表面部分（図１Ｂ、４、６の２ｆ）とを対比して認識することができる。なお、起伏の開始点が傾斜として存在する場合もある。

＜導電粒子の分散状態＞
　本発明における導電粒子の分散状態には、導電粒子１がランダムに分散している状態も規則的な配置に分散している状態も含まれる。この分散状態において、導電粒子が互いに非接触で配置されていることが好ましく、その個数割合は好ましくは９５％以上、より好ましくは９８％以上、更に好ましくは９９．５％以上である。この個数割合に関し、分散状態における規則的な配置において、接触している２個以上の導電粒子（換言すれば、凝集した導電粒子）は、１個としてカウントする。後述するフィルム平面視における導電粒子の占有面積率と同様の測定手法を用いて、好ましくはＮ＝２００以上で求めることができる。どちらの場合においても、フィルム厚方向の位置が揃っていることが捕捉安定性の点から好ましい。ここで、フィルム厚方向の導電粒子１の位置が揃っているとは、フィルム厚方向の単一の深さに揃っていることに限定されず、絶縁性樹脂層２の表裏の界面又はその近傍のそれぞれに導電粒子が存在している態様を含む。

　また、導電粒子１はフィルムの平面視にて規則的に配列していることが導電粒子の捕捉とショートの抑制とを両立させる点から好ましい。配列の態様は、端子およびバンプのレイアウトによるため、特に限定はない。例えば、フィルムの平面視にて図１Ａに示したように正方格子配列とすることができる。この他、導電粒子の規則的な配列の態様としては、長方格子、斜方格子、６方格子、３角格子等の格子配列をあげることができる。異なる形状の格子が、複数組み合わさったものでもよい。規則的な配列は、上述したような格子配列に限定されるものではなく、例えば、導電粒子が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させてもよい。導電粒子１を互いに非接触とし、格子状等の規則的な配列にすることにより、異方性導電接続時に各導電粒子１に圧力を均等に加え、導通抵抗のばらつきを低減させることができる。規則的な配列は、例えばフィルムの長手方向に所定の粒子配置が繰り返されているか否かを観察することで確認できる。

　さらに、フィルムの平面視にて規則的に配列し、かつフィルム厚方向の位置が揃っていることが捕捉安定性とショート抑制の両立のためにより好ましい。

　一方、接続する電子部品の端子間スペースが広くショートが発生しにくい場合には、導電粒子を規則的に配列させることなく導通に支障を来たさない程度に導電粒子があればランダムに分散させていてもよい。この場合も、上記同様に個々に独立していることが好ましい。異方性導電フィルム製造時の、検査や管理が容易になるからである。

　導電粒子を規則的に配列させる場合に、その配列の格子軸又は配列軸がある場合は、異方性導電フィルムの長手方向や長手方向と直行する方向に対して平行でもよく、異方性導電フィルムの長手方向と交叉してもよく、接続する端子幅、端子ピッチ、レイアウトなどに応じて定めることができる。例えば、ファインピッチ用の異方性導電フィルムとする場合、図１Ａに示したように導電粒子１の格子軸Ａを異方性導電フィルム１０Ａの長手方向に対して斜行させ、異方性導電フィルム１０Ａで接続する端子２０の長手方向（フィルムの短手方向）と格子軸Ａとのなす角度θを６°～８４°、好ましくは１１°～７４°とする。

　導電粒子１の粒子間距離は、異方性導電フィルムで接続する端子の大きさや端子ピッチに応じて適宜定められる。例えば、異方性導電フィルムをファインピッチのＣＯＧ（Chip On Glass）に対応させる場合、ショートの発生を防止する点から最近接粒子間距離を導電粒子径Ｄの０．５倍以上にすることが好ましく、０．７倍より大きくすることがより好ましい。一方、導電粒子１の捕捉性の点から、最近接粒子間距離を導電粒子径Ｄの４倍以下とすることが好ましく、３倍以下とすることがより好ましい。

　また、導電粒子の面積占有率は、好ましくは３５％以下、より好ましくは０．３～３０％である。この面積占有率は、
［平面視における導電粒子の個数密度］×[導電粒子１個の平面視面積の平均]×１００
により算出される。

　ここで、導電粒子の個数密度の測定領域としては、１辺が１００μｍ以上の矩形領域を任意に複数箇所（好ましくは５箇所以上、より好ましくは１０箇所以上）設定し、測定領域の合計面積を２ｍｍ^２以上とすることが好ましい。個々の領域の大きさや数は、個数密度の状態によって適宜調整すればよい。例えば、導電粒子径Ｄの３０倍の長さを１辺とする矩形領域を、好ましくは１０箇所以上、より好ましくは２０箇所以上で測定領域の合計面積を２ｍｍ^２以上としてもよい。ファインピッチ用途の比較的個数密度が大きい場合の一例として、異方性導電フィルム１０Ａから任意に選択した面積１００μｍ×１００μｍの領域の２００箇所（２ｍｍ^２）について、金属顕微鏡などによる観測画像を用いて個数密度を測定し、それを平均することにより上述の式中の「平面視における導電粒子の個数密度」を得ることができる。面積１００μｍ×１００μｍの領域は、バンプ間スペース５０μｍ以下の接続対象物において、１個以上のバンプが存在する領域になる。

　なお、面積占有率が上述の範囲内であれば個数密度の値には特に制限はないが、実用上、個数密度は１５０～７００００個／ｍｍ^２が好ましく、特にファインピッチ用途の場合には好ましくは６０００～４２０００個／ｍｍ^２、より好ましくは１００００～４００００個／ｍｍ^２、更により好ましくは１５０００～３５０００個／ｍｍ^２である。尚、個数密度が１５０個／ｍｍ^２未満の態様を除外するものではない。

　導電粒子の個数密度は、上述のように金属顕微鏡を用いて観察して求める他、画像解析ソフト（例えば、ＷｉｎＲＯＯＦ、三谷商事株式会社等）により観察画像を計測して求めてもよい。観察方法や計測手法は、上記に限定されるものではない。

　また、導電粒子１個の平面視面積の平均は、フィルム面の金属顕微鏡やＳＥＭなどの電子顕微鏡などによる観測画像の計測により求められる。画像解析ソフトを用いてもよい。観察方法や計測手法は、上記に限定されるものではない。

　面積占有率は、異方性導電フィルムを電子部品に圧着（好ましくは熱圧着）するために押圧治具に必要とされる推力の指標となる。従来、異方性導電フィルムをファインピッチに対応させるために、ショートを発生させない限りで導電粒子の粒子間距離を狭め、個数密度が高められてきたが、そのように個数密度を高めると、電子部品の端子個数が増え、電子部品１個当りの接続総面積が大きくなるのに伴い、異方性導電フィルムを電子部品に圧着（好ましくは熱圧着）するために押圧治具に必要とされる推力が大きくなり、従前の押圧治具では押圧が不十分になるという問題が起こることが懸念される。これに対し、面積占有率を上述のように好ましくは３５％以下、より好ましくは０．３～３０％の範囲とすることにより、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力を低く抑えることが可能となる。

＜導電粒子＞
　導電粒子１は、公知の異方性導電フィルムに用いられている導電粒子の中から適宜選択して使用することができる。例えばニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、ハンダなどの合金粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。中でも、金属被覆樹脂粒子が、接続された後に樹脂粒子が反発することで端子との接触が維持され易くなり、導通性能が安定する点から好ましい。尚、導電粒子の表面には公知の技術によって、導通特性に支障を来たさない絶縁処理が施されていてもよい。

　導電粒子径Ｄは、配線高さのばらつきに対応できるようにし、また、導通抵抗の上昇を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上９μｍ以下である。接続対象物によっては、９μｍより大きいものが適する場合もある。絶縁性樹脂層に分散させる前の導電粒子の粒子径は、一般的な粒度分布測定装置により測定することができ、また、平均粒子径も粒度分布測定装置を用いて求めることができる。画像型でもレーザー型であってもよい。画像型の測定装置としては、一例として湿式フロー式粒子径・形状分析装置ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社）を挙げることができる。導電粒子径Ｄを測定するサンプル数（導電粒子個数）は１０００個以上が好ましい。異方性導電フィルムにおける導電粒子径Ｄは、ＳＥＭなどの電子顕微鏡観察から求めることができる。この場合、導電粒子径Ｄを測定するサンプル数（導電粒子個数）を２００個以上とすることが望ましい。

　本発明の異方性導電フィルムを構成する導電粒子の粒子径のバラツキは、好ましくはＣＶ値（標準偏差/平均）２０％以下である。ＣＶ値を２０％以下とすることにより、挟持される際に均等に押圧され易くなり、特に配列している場合には押圧力が局所的に集中することを防止でき、導通の安定性に寄与できる。また接続後に圧痕による接続状態の評価を精確に行うことができる。また、個々の導電粒子への光照射が均一化され、絶縁性樹脂層の光重合が均一化される。具体的には、端子サイズが大きいもの（ＦＯＧなど）にも、小さいもの（ＣＯＧなど）にも圧痕による接続状態の確認を精確に行うことができる。従って、異方性導電接続後の検査が容易になり、接続工程の生産性を向上させることが期待できる。

　ここで、粒子径のバラツキは画像型粒度分析装置などにより算出することができる。異方性導電フィルムに配置されていない、異方性導電フィルムの原料粒子としての導電粒子径は、一例として、湿式フロー式粒子径・形状分析装置ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社）を用いて求めることができる。この場合、導電粒子個数は好ましくは１０００個以上、より好ましくは３０００個以上、特に好ましくは５０００個以上を測定すれば正確に導電粒子単体のバラツキを把握することができる。導電粒子が異方性導電フィルムに配置されている場合は、上記真球度と同様に平面画像又は断面画像により求めることができる。

　また、本発明の異方性導電フィルムを構成する導電粒子は、略真球であることが好ましい。導電粒子として略真球のものを使用することにより、例えば、特開２０１４－６０１５０号公報に記載のように転写型を用いて導電粒子を配列させた異方性導電フィルムを製造するにあたり、転写型上で導電粒子が滑らかに転がるので、導電粒子を転写型上の所定の位置へ高精度に充填することができる。したがって、導電粒子を精確に配置することができる。

　ここで、略真球とは、次式で算出される真球度が７０～１００であることをいう。

　上記式中、Ｓoは導電粒子の平面画像における該導電粒子の外接円の面積であり、Ｓiは導電粒子の平面画像における該導電粒子の内接円の面積である。

　この算出方法では、導電粒子の平面画像を異方性導電フィルムの面視野および断面で撮り、それぞれの平面画像において任意の導電粒子１００個以上（好ましくは２００個以上）の外接円の面積と内接円の面積を計測し、外接円の面積の平均値と内接円の面積の平均値を求め、上述のＳｏ、Ｓｉとすることが好ましい。また、面視野及び断面のいずれにおいても、真球度が上記の範囲内であることが好ましい。面視野および断面の真球度の差は２０以内であることが好ましく、より好ましくは１０以内である。異方性導電フィルムの生産時の検査は主に面視野で行い、異方性導電接続後の詳細な良否判定は面視野と断面の両方で行うため、真球度の差は小さい方が好ましい。この真球度は導電粒子単体であるなら、上述の湿式フロー式粒子径・形状分析装置ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社）を用いて求めることもできる。導電粒子が異方性導電フィルムに配置されている場合は、真球度と同様に、異方性導電フィルムの平面画像又は断面画像により求めることができる。

＜光重合性の絶縁性樹脂層＞
（光重合性の絶縁性樹脂層の粘度）
　絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度は、特に制限はなく、異方性導電フィルムの適用対象や、異方性導電フィルムの製造方法等に応じて適宜定めることができる。例えば、上述の凹み２ｂ、２ｃを形成できる限り、異方性導電フィルムの製造方法によっては１０００Ｐａ・ｓ程度とすることもできる。一方、異方性導電フィルムの製造方法として、導電粒子を絶縁性樹脂層の表面に所定の配置で保持させ、その導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む方法を行うとき、絶縁性樹脂層がフィルム成形を可能とする点から樹脂の最低溶融粘度を１１００Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。

　また、後述の異方性導電フィルムの製造方法で説明するように、図１Ｂに示すように絶縁性樹脂層２に押し込んだ導電粒子１の露出部分の周りに凹み２ｂを形成したり、図６に示すように絶縁性樹脂層２に押し込んだ導電粒子１の直上に凹み２ｃを形成したりする点から、好ましくは１５００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは３０００～１５０００Ｐａ・ｓ、さらにより好ましくは３０００～１００００Ｐａ・ｓである。この最低溶融粘度は、一例として回転式レオメータ（ＴＡｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）を用い、測定圧力５ｇで一定に保持し、直径８ｍｍの測定プレートを使用し求めることができ、より具体的には、温度範囲３０～２００℃において、昇温速度１０℃／分、測定周波数１０Ｈｚ、前記測定プレートに対する荷重変動５ｇとすることにより求めることができる。

　絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度を１５００Ｐａ・ｓ以上の高粘度とすることにより、異方性導電フィルムの接続対象への圧着時に導電粒子の不用な移動を抑制でき、特に、異方性導電接続時に端子間で挟持されるべき導電粒子が樹脂流動により流されてしまうことを防止できる。

　また、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより異方性導電フィルム１０Ａの導電粒子分散層３を形成する場合において、導電粒子１を押し込むときの絶縁性樹脂層２は、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように導電粒子１を絶縁性樹脂層２に押し込んだときに、絶縁性樹脂層２が塑性変形して導電粒子１の周囲の絶縁性樹脂層２に凹み２ｂ（図１Ｂ）が形成されるような高粘度な粘性体とするか、あるいは、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出することなく絶縁性樹脂層２に埋まるように導電粒子１を押し込んだときに、導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に凹み２ｃ（図６）が形成されるような高粘度な粘性体とする。そのため、絶縁性樹脂層２の６０℃における粘度は、下限は好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以上であり、上限は、好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５０００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。この測定は最低溶融粘度と同様の測定方法で行い、温度が６０℃の値を抽出して求めることができる。なお、本発明において、６０℃粘度が３０００Ｐａ・ｓ未満の場合が除外されるものではない。光照射で接続する場合、低温実装が求められるため、導電粒子の保持が可能であれば、より低粘度にすることが望ましいからである。

　絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むときの絶縁性樹脂層２の具体的な粘度は、形成する凹み２ｂ、２ｃの形状や深さなどに応じて、下限は好ましくは３０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは４０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは４５００Ｐａ・ｓ以上であり、上限は、好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１５０００Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以下である。また、このような粘度を好ましくは４０～８０℃、より好ましくは５０～６０℃で得られるようにする。

　上述したように、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の周囲に凹み２ｂ（図１Ｂ）が形成されていることにより、異方性導電フィルムの物品への圧着時に生じる導電粒子１の偏平化に対して樹脂から受ける抵抗が、凹み２ｂが無い場合に比して低減する。このため、異方性導電接続時に端子で導電粒子が挟持され易くなることで導通性能が向上し、また捕捉性が向上する。

　また、絶縁性樹脂層２から露出することなく埋まっている導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に凹み２ｃ（図６）が形成されていることにより、凹み２ｃが無い場合に比して異方性導電フィルムの物品への圧着時の圧力が導電粒子１に集中し易くなる。このため、異方性導電接続時に端子で導電粒子が挟持され易くなることで捕捉性が向上し、導通性能が向上する。

（光重合性の絶縁性樹脂層の層厚）
　本発明の異方性導電フィルムでは、光重合性の絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）が０．６～１０であることが好ましい。ここで、導電粒子径Ｄは、その平均粒子径を意味する。絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが大き過ぎると異方性導電接続時に導電粒子が位置ズレし易くなり、端子における導電粒子の捕捉性が低下する。この傾向はＬａ／Ｄが１０を超えると顕著である。そこでＬａ／Ｄは８以下がより好ましく、６以下が更により好ましい。反対に絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが小さすぎてＬａ／Ｄが０．６未満となると、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の粒子分散状態あるいは所定の配列に維持することが困難となる。特に、接続する端子が高密度ＣＯＧの場合、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）は、好ましくは０．８～２である。

（光重合性の絶縁性樹脂層の組成）
　絶縁性樹脂層２は、光重合性樹脂組成物から形成する。例えば、光カチオン重合性樹脂組成物、光ラジカル重合性樹脂組成物あるいは光アニオン重合性樹脂組成物から形成することができる。これらの光重合性樹脂組成物には必要に応じて熱重合開始剤を含有させることができる。

（光カチオン重合性樹脂組成物）
　光カチオン重合性樹脂組成物は、成膜用ポリマーと、光カチオン重合性化合物と、光カチオン重合開始剤と、熱カチオン重合開始剤とを含有する。

（成膜用ポリマー）
　成膜用ポリマーとしては、異方性導電フィルムに適用されている公知の成膜用ポリマーを使用することができ、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリフェニレンスルフィド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリカーボネートなどが挙げられ、これらは単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、フィルム形成状態、接続信頼性等の観点からビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂を好適に用いることができる。フェノキシ樹脂は、ビスフェノール類とエピクロルヒドリンより合成されるポリヒドロキシポリエーテルである。市場で入手可能なフェノキシ樹脂の具体例としては、新日鉄住金化学（株）の商品名「ＦＡ２９０」などを挙げることができる。

　光カチオン重合性樹脂組成物における成膜用ポリマーの配合量は、適度な最低溶融粘度を実現するために、樹脂成分（成膜用ポリマー、光重合性化合物、光重合開始剤及び熱重合開始剤の合計）の５～７０ｗｔ％とすることが好ましく、２０～６０ｗｔ％とすることがより好ましい。

（光カチオン重合性化合物）
　光カチオン重合性化合物は、エポキシ化合物とオキセタン化合物とから選択される少なくとも一種である。

　エポキシ化合物としては、５官能以下のものを用いることが好ましい。５官能以下のエポキシ化合物としては、特に限定されず、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、脂環型エポキシ化合物、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、ノボラックフェノール型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物などが挙られ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

　市場で入手可能なグリシジルエーテル型の単官能エポキシ化合物の具体例としては、四日市合成（株）の商品名「エポゴーセーＥＮ」などを挙げることができる。また、市場で入手可能なビスフェノールＡ型の２官能エポキシ化合物の具体例としては、ＤＩＣ（株）の商品名「８４０－Ｓ」などを挙げることができる。また、市場で入手可能なジシクロペンタジエン型の５官能エポキシ化合物の具体例としては、ＤＩＣ（株）の商品名「ＨＰ－７２００シリーズ」などを挙げることができる。

　オキセタン化合物としては、特に限定されず、ビフェニル型オキセタン化合物、キシリレン型オキセタン化合物、シルセスキオキサン型オキセタン化合物、エーテル型オキセタン化合物、フェノールノボラック型オキセタン化合物、シリケート型オキセタン化合物などが挙げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。市場で入手可能なビフェニル型のオキセタン化合物の具体例としては、宇部興産（株）の商品名「ＯＸＢＰ」などを挙げることができる。

　光カチオン重合性樹脂組成物におけるカチオン重合性化合物の含有量は、適度な最低溶融粘度を実現するために、好ましくは樹脂成分の１０～７０ｗｔ％、より好ましくは２０～５０ｗｔ％である。

（光カチオン重合開始剤）
　光カチオン重合開始剤としては、公知のものを使用することができるが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＦＰＢ）をアニオンとするオニウム塩を好ましく使用することができる。これにより、光硬化後の最低溶融粘度の過度な上昇を抑制することができる。これは、ＴＦＰＢの置換基が大きく、分子量が大きいためであると考えられる。

　光カチオン重合開始剤のカチオン部分としては、芳香族スルホニウム、芳香族ヨードニウム、芳香族ジアゾニウム、芳香族アンモニウム等の芳香族オニウムを好ましく採用することができる。これらの中でも、芳香族スルホニウムであるトリアリールスルホニウムを採用することが好ましい。ＴＦＰＢをアニオンとするオニウム塩の市場で入手可能な具体例としては、ＢＡＳＦジャパン（株）の商品名「ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９０」、富士フイルム和光純薬（株）の商品名「ＷＰＩ－１２４」などを挙げることができる。

　光カチオン重合性樹脂組成物における光カチオン重合開始剤の含有量は、樹脂成分中の０．１～１０ｗｔ％とすることが好ましく、１～５ｗｔ％とすることがより好ましい。

（熱カチオン重合開始剤）
熱カチオン重合開始剤としては、特に限定されず、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族アンモニウム塩などが挙げられ、これらの中でも、芳香族スルホニウム塩を用いることが好ましい。市場で入手可能な芳香族スルホニウム塩の具体例としては、三新化学工業（株）の商品名「ＳＩ－６０」などを挙げることができる。

　熱カチオン重合開始剤の含有量は、樹脂成分の１～３０ｗｔ％とすることが好ましく、５～２０ｗｔ％とすることがより好ましい。

（光ラジカル重合性樹脂組成物）
　光ラジカル重合性樹脂組成物は、成膜用ポリマーと、光ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、熱ラジカル重合開始剤とを含有する。

　成膜用ポリマーとしては、光カチオン重合性樹脂組成物で説明したものを適宜選択して使用することができる。その含有量も既に説明したとおりである。

　光ラジカル重合性化合物としては、従来公知の光ラジカル重合性（メタ）アクリレートモノマーを使用することができる。例えば、単官能（メタ）アクリレート系モノマー、二官能以上の多官能（メタ）アクリレート系モノマーを使用することができる。光ラジカル重合性樹脂組成物における光ラジカル重合性化合物の含有量は、樹脂成分中の好ましくは１０～６０質量％、より好ましくは２０～５５質量％である。

　熱ラジカル重合開始剤としては、有機過酸化物、アゾ系化合物等を挙げることができる。特に、気泡の原因となる窒素を発生しない有機過酸化物を好ましく使用することができる。熱ラジカル重合開始剤の使用量は、硬化率と製品ライフのバランスから、（メタ）アクリレート化合物１００質量部に対し、好ましくは２～６０質量部、より好ましくは５～４０質量部である。

（その他の成分）
　光カチオン重合性樹脂組成物や光ラジカル光重合性樹脂組成物等の光重合性樹脂組成物には、最低溶融粘度を調整するため、シリカなどの絶縁性フィラー（以下、フィラーとのみ記す）を含有させることが好ましい。フィラーの含有量は、適度な最低溶融粘度を実現するために、光重合性樹脂組成物の全量に対し、好ましくは３～６０ｗｔ％、より好ましくは１０～５５ｗｔ％、さらに好ましくは２０～５０ｗｔ％である。また、フィラーの平均粒子径は、好ましくは１～５００ｎｍ、より好ましくは１０～３００ｎｍ、さらに好ましくは２０～１００ｎｍである。

　また、光重合性樹脂組成物は、異方性導電フィルムと無機材料との界面における接着性を向上させるために、シランカップリング剤をさらに含有することが好ましい。シランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系などが挙げられ、これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

　更に、上述の絶縁フィラーとは異なる充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを含有させてもよい。

（絶縁性樹脂層の厚さ方向における導電粒子の位置）
　本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２の厚さ方向における導電粒子１の位置は前述のように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出していてもよく、露出することなく、絶縁性樹脂層２内に埋め込まれていても良いが、隣接する導電粒子間の中央部における接平面２ｐからの導電粒子の最深部の距離（以下、埋込量という）Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）（以下、埋込率という）が３０％以上１０５％以下であることが好ましい。なお、導電粒子１は絶縁性樹脂層２を貫通していてもよく、その場合の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）は１００％となる。

　埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を３０％以上６０％未満とすると、上述のようにより低温低圧実装が容易になり、６０％以上とすることにより、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の粒子分散状態あるいは所定の配列に維持し易くなり、また、１０５％以下とすることにより、異方性導電接続時に端子間の導電粒子を無用に流動させるように作用する絶縁性樹脂層の樹脂量を低減させることができる。

　なお、本発明において、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値は、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上が、当該埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値になっていることをいう。したがって、埋込率が３０％以上１０５％以下とは、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上の埋込率が３０％以上１０５％以下であることをいう。このように全導電粒子の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が揃っていることにより、押圧の加重が導電粒子に均一にかかるので、端子における導電粒子の捕捉状態が良好になり、導通の安定性が期待できる。より精度を上げるため、２００個以上の導電粒子を計測して求めてもよい。

　また、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の計測は、面視野画像において焦点調整することにより、ある程度の個数について一括して求めることができる。もしくは埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の計測にレーザー式判別変位センサ（キーエンス社製など）を用いてもよい。

（埋込率３０％以上６０％未満の態様）
　埋込率（Ｌｂ/Ｄ）３０％以上６０％未満の導電粒子１のより具体的な埋込態様としては、まず、図１Ｂに示した異方性導電フィルム１０Ａのように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように埋込率３０％以上６０％未満で埋め込まれた態様をあげることができる。この異方性導電フィルム１０Ａは、絶縁性樹脂層２の表面のうち該絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１と接している部分及びその近傍が、隣接する導電粒子間の中央部の絶縁性樹脂層の表面２ａにおける接平面２ｐに対して導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有している。

　このような傾斜２ｂもしくは後述する起伏２ｃは、異方性導電フィルム１０Ａを、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより製造する場合に、導電粒子１の押し込みを、４０～８０℃で３０００～２００００Ｐａ・ｓ、より好ましくは４５００～１５０００Ｐａ・ｓで行うことにより形成することができる。

（埋込率６０％以上１００％未満の態様）
　埋込率（Ｌｂ/Ｄ）６０％以上１０５％以下の導電粒子１のより具体的な埋込態様としては、埋込率３０％以上６０％未満の態様と同様に、まず、図１Ｂに示した異方性導電フィルム１０Ａのように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように埋込率６０％以上１００％未満で埋め込まれた態様をあげることができる。この異方性導電フィルム１０Ａは、絶縁性樹脂層２の表面のうち該絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１と接している部分及びその近傍が、隣接する導電粒子間の中央部の絶縁性樹脂層の表面２ａにおける接平面２ｐに対して導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有している。

　このような傾斜２ｂもしくは後述する起伏２ｃは、異方性導電フィルム１０Ａを、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより製造する場合に、導電粒子１の押し込みを、４０～８０℃で３０００～２００００Ｐａ・ｓ、より好ましくは４５００～１５０００Ｐａ・ｓで行うことにより形成することができる。また、傾斜２ｂや起伏２ｃは絶縁性樹脂層をヒートプレスするなどにより、その一部が消失してしまう場合がある。傾斜２ｂがその痕跡を有しない場合、起伏２ｃと略同等の形状になる（つまり、傾斜が起伏に変化する）。起伏２ｃがその痕跡を有しない場合、導電粒子が１点で絶縁性樹脂層２に露出している場合がある。

（埋込率１００％の態様）
　次に、本発明の異方性導電フィルムのうち、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）１００％の態様としては、図２に示す異方性導電フィルム１０Ｂのように、導電粒子１の周りに図１Ｂに示した異方性導電フィルム１０Ａと同様の導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有し、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の露出径Ｌｃが導電粒子径Ｄよりも小さいもの、図３に示す異方性導電フィルム１０Ｃのように、導電粒子１の露出部分の周りの傾斜２ｂが導電粒子１近傍で急激に現れ、導電粒子１の露出径Ｌｃと導電粒子径Ｄとが略等しいもの、図４に示す異方性導電フィルム１０Ｄのように、絶縁性樹脂層２の表面に浅い起伏２ｃがあり、導電粒子１がその頂部１ａの１点で絶縁性樹脂層２から露出しているものをあげることができる。

　これらの異方性導電フィルム１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄは埋込率１００％であるため、導電粒子１の頂部１ａと絶縁性樹脂層２の表面２ａとが面一に揃っている。導電粒子１の頂部１ａと絶縁性樹脂層２の表面２ａとが面一に揃っていると、図１Ｂに示したように導電粒子１が絶縁性樹脂層２から突出している場合に比して、異方性導電接続時に個々の導電粒子の周辺にてフィルム厚み方向の樹脂量が不均一になりにくく、樹脂流動による導電粒子の移動を低減できるという効果がある。なお、埋込率が厳密に１００％でなくても、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の頂部と絶縁性樹脂層２の表面とが面一となる程度に揃っているとこの効果を得ることができる。言い換えると、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が概略９０～１００％の場合には、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の頂部と絶縁性樹脂層２の表面とは面一であるといえ、樹脂流動による導電粒子の移動を低減させることができる。

　これらの異方性導電フィルム１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄの中でも、１０Ｄは導電粒子１の周りの樹脂量が不均一になりにくいので樹脂流動による導電粒子の移動を解消でき、また頂部１ａの１点であっても絶縁性樹脂層２から導電粒子１が露出しているので、端子における導電粒子１の捕捉性もよく、導電粒子のわずかな移動も起こりにくいという効果が期待できる。したがって、この態様は、特にファインピッチやバンプ間スペースが狭い場合に有効である。

　なお、傾斜２ｂ、起伏２ｃの形状や深さが異なる異方性導電フィルム１０Ｂ（図２）、１０Ｃ（図３）、１０Ｄ（図４）は、後述するように、導電粒子１の押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度等を変えることで製造することができる。なお、図３の態様は、図２（傾斜の態様）と図４（起伏の態様）の中間状態であると言い換えることができる。本発明は、この図３の態様も包含するものである。

（埋込率１００％超の態様）
　本発明の異方性導電フィルムのうち、埋込率１００％を超える場合、図５に示す異方性導電フィルム１０Ｅのように導電粒子１が露出し、その露出部分の周りの絶縁性樹脂層２に接平面２ｐに対する傾斜２ｂもしくは導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に接平面２ｐに対する起伏２ｃがあるものをあげることができる。

　なお、導電粒子１の露出部分の周りの絶縁性樹脂層２に傾斜２ｂを有する異方性導電フィルム１０Ｅ（図５）と導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２に起伏２ｃを有する異方性導電フィルム１０Ｆ（図６）は、それらを製造する際の導電粒子１の押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度等を変えることで製造することができる。

　なお、図５に示す異方性導電フィルム１０Ｅを異方性導電接続に使用すると、導電粒子１が端子から直接押圧されるので、端子における導電粒子の捕捉性が向上する。また、図６に示す異方性導電フィルム１０Ｆを異方性導電接続に使用すると、導電粒子１が端子を直接押圧せず、絶縁性樹脂層２を介して押圧することになるが、押圧方向に存在する樹脂量が図８の状態（即ち、導電粒子１が埋込率１００％を超えて埋め込まれ、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出しておらず、かつ絶縁性樹脂層２の表面が平坦である状態）に比べて少ないため、導電粒子に押圧力がかかり易くなり、且つ異方性導電接続時に端子間の導電粒子１が樹脂流動により不用に移動することが妨げられる。

　なお、図７に示すように、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が６０％未満の異方性導電フィルム１０Ｇでは、絶縁性樹脂層２上を導電粒子１が転がり易くなるため、異方性導電接続時の導電粒子の捕捉率を向上させる点からは、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を６０％以上とすることが好ましい。

　また、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が１００％を超える態様において、図８に示す比較例の異方性導電フィルム１０Ｘのように絶縁性樹脂層２の表面が平坦な場合は導電粒子１と端子との間に介在する樹脂量が過度に多くなる。また、導電粒子１が直接端子に接触して端子を押圧することなく、絶縁性樹脂層を介して端子を押圧するので、これによっても導電粒子が樹脂流動によって流され易い。

　本発明において、絶縁性樹脂層２の表面の傾斜２ｂ、起伏２ｃの存在は、異方性導電フィルムの断面を走査型電子顕微鏡で観察することにより確認することができ、面視野観察においても確認できる。光学顕微鏡、金属顕微鏡でも傾斜２ｂ、起伏２ｃの観察は可能である。また、傾斜２ｂ、起伏２ｃの大きさは画像観察時の焦点調整などで確認することもできる。上述のようにヒートプレスにより傾斜もしくは起伏を減少させた後であっても、同様である。痕跡が残る場合があるからである。

＜異方性導電フィルムの変形態様＞
（第２の絶縁性樹脂層）
　本発明の異方性導電フィルムは、図９に示す異方性導電フィルム１０Ｈのように、導電粒子分散層３の、絶縁性樹脂層２の傾斜２ｂが形成されている面に、該絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性樹脂層４を積層してもよい。また図１０に示す異方性導電フィルム１０Ｉのように、導電粒子分散層３の、絶縁性樹脂層２の傾斜２ｂが形成されていない面に、該絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性樹脂層４を積層してもよい。第２の絶縁性樹脂層４の積層により、異方性導電フィルムを用いて電子部品を異方性導電接続するときに、電子部品の電極やバンプによって形成される空間を充填し、接着性を向上させることができる。尚、第２の絶縁性樹脂層４を積層する場合、第２の絶縁性樹脂層４が傾斜２ｂの形成面上にあるか否かに関わらず第２の絶縁性樹脂層４がツールで加圧するＩＣチップ等の電子部品側にある（言い換えると、絶縁性樹脂層２がステージに載置される基板等の電子部品側にある）ことが好ましい。このようにすることで、導電粒子の不用な移動を避けることができ、捕捉性を向上させることができる。傾斜２ｂが起伏２ｃであっても同様である。

　絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４との最低溶融粘度は、差があるほど電子部品の電極やバンプによって形成される空間が第２の絶縁性樹脂層４で充填され易くなり、電子部品同士の接着性を向上させる効果が期待できる。また、この差があるほど導電粒子分散層３中に存在する絶縁性樹脂層２の移動量が相対的に小さくなるため、端子における導電粒子の捕捉性が向上し易くなる。実用上は、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４との最低溶融粘度比は、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは８以上である。一方、この比が大きすぎると長尺の異方性導電フィルムを巻装体にした場合に、樹脂のはみだしやブロッキングが生じる虞があるので、実用上は１５以下が好ましい。第２の絶縁性樹脂層４の好ましい最低溶融粘度は、より具体的には、上述の比を満たし、かつ３０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下であり、特に好ましくは１００～２０００Ｐａ・ｓである。

　なお、第２の絶縁性樹脂層４は、絶縁性樹脂層と同様の樹脂組成物において、粘度を調整することにより形成することができる。

　また、異方性導電フィルム１０Ｈ、１０Ｉにおいて、第２の絶縁性樹脂層４の層厚は、電子部品や接続条件に影響される部分があるために、特に限定はされないが、好ましくは４～２０μｍである。もしくは、導電粒子径に対して、好ましくは１～８倍である。

　また、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４を合わせた異方性導電フィルム１０Ｈ、１０Ｉ全体の最低溶融粘度は、低すぎると樹脂のはみだしが懸念されるため１００Ｐａ・ｓより大きいことが好ましく、２００～４０００Ｐａ・ｓがより好ましい。

（第３の絶縁性樹脂層）
　第２の絶縁性樹脂層４と絶縁性樹脂層２を挟んで反対側に第３の絶縁性樹脂層が設けられていてもよい。例えば、第３の絶縁性樹脂層をタック層として機能させることができる。第２の絶縁性樹脂層と同様に、電子部品の電極やバンプによって形成される空間を充填させるために設けてもよい。

　第３の絶縁性樹脂層の樹脂組成、粘度及び厚みは第２の絶縁性樹脂層と同様でもよく、異なっていても良い。絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４と第３の絶縁性樹脂層を合わせた異方性導電フィルムの最低溶融粘度は特に制限はないが、低すぎると樹脂のはみだしが懸念されるため１００Ｐａ・ｓより大きいことが好ましく、２００～４０００Ｐａ・ｓがより好ましい。

＜異方性導電フィルムの製造方法＞
　本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を形成する工程を有する製造方法により製造できる。

　この製造方法においては、導電粒子分散層を形成する工程が、導電粒子を光重合性樹脂組成物からなる絶縁性樹脂層表面に分散した状態で保持させる工程と、絶縁性樹脂層表面に保持させた導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程を有する。

　この導電粒子を絶縁性樹脂層表面に押し込む工程において、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有するように、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度、押込速度又は温度等を調整する。ここで、導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む工程において、前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けるようにし、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少なくなるようにする。あるいは、前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）が３０％以上１０５％以下となるようにする。なお、導電粒子や光重合性樹脂組成物については、本発明の異方性導電フィルムに関し説明したものと同様のものを使用することができる。

　本発明の異方性導電フィルムの製造方法の具体例としては、例えば、絶縁性樹脂層２の表面に導電粒子１を所定の配列で保持させ、その導電粒子１を平板又はローラーで絶縁性樹脂層に押し込むことにより製造することができる。なお、埋込率１００％超の異方性導電フィルムを製造する場合に、導電粒子配列に対応した凸部を有する押し板で押し込んでもよい。

　ここで、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の埋込量は、導電粒子１の押し込み時の押圧力、温度等により調整することができ、また、傾斜２ｂ、起伏２ｃの形状及び深さは、押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度、押込速度、温度等により調整することができる。

　また、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる手法としては、公知の手法を利用することができる。例えば、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を直接散布する、あるいは二軸延伸させることのできるフィルムに導電粒子１を単層で付着させ、そのフィルムを二軸延伸し、その延伸させたフィルムに絶縁性樹脂層２を押圧して導電粒子を絶縁性樹脂層２に転写することにより、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる。また、転写型を使用して絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させることもできる。

　転写型を使用して絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる場合、転写型としては、例えば、シリコン、各種セラミックス、ガラス、ステンレススチールなどの金属等の無機材料や、各種樹脂等の有機材料などに対し、フォトリソグラフ法等の公知の開口形成方法によって開口を形成したもの、印刷法を応用したものを使用することができる。また、転写型は、板状、ロール状等の形状をとることができる。なお、本発明は上記の手法で限定されるものではない。

　また、導電粒子を押し込んだ絶縁性樹脂層の、導電粒子を押し込んだ側の表面、又はその反対面に、絶縁性樹脂層よりも低粘度の第２の絶縁性樹脂層を積層することができる。

　異方性導電フィルムを用いて電子部品の接続を経済的に行うには、異方性導電フィルムはある程度の長尺であることが好ましい。そこで異方性導電フィルムは長さを、好ましくは５ｍ以上、より好ましくは１０ｍ以上、さらに好ましくは２５ｍ以上に製造する。一方、異方性導電フィルムを過度に長くすると、異方性導電フィルムを用いて電子部品の製造を行う場合に使用する従前の接続装置を使用することができなくなり、取り扱い性も劣る。そこで、異方性導電フィルムは、その長さを好ましくは５０００ｍ以下、より好ましくは１０００ｍ以下、さらに好ましくは５００ｍ以下に製造する。異方性導電フィルムのこのような長尺体は、巻芯に巻かれた巻装体とすることが取り扱い性に優れる点から好ましい。

＜異方性導電フィルムの使用方法＞
　本発明の異方性導電フィルムは、ＩＣチップ、ＩＣモジュール、ＦＰＣなどの第１の電子部品と、ＦＰＣ、ガラス基板、プラスチック基板、リジッド基板、セラミック基板などの第２の電子部品とを異方性導電接続して接続構造体を製造する際に好ましく使用することができる。本発明の異方性導電フィルムを用いてＩＣチップやウェーハーをスタックして多層化してもよい。なお、本発明の異方性導電フィルムで接続する電子部品は、上述の電子部品に限定されるものではない。近年、多様化している種々の電子部品に使用することができる。本発明は、本発明の異方性導電フィルムを用いて電子部品同士を異方性導電接続する接続構造体の製造方法や、それにより得られた接続構造体、即ち、本発明の異方性導電フィルムにより電子部品同士が異方性導電接続されている接続構造体も包含する。

（接続構造体及びその製造方法）
　本発明の接続構造体は、本発明の異方性導電フィルムにより第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接続されているものである。第１の電子部品としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用途、タッチパネル用途などの透明基板、プリント配線板（ＰＷＢ）などが挙げられる。プリント配線板の材質は、特に限定されず、例えば、ＦＲ－４基材などのガラスエポキシでもよく、熱可塑性樹脂などのプラスチック、セラミックなども用いることができる。また、透明基板は、透明性の高いものであれば特に限定はなく、ガラス基板、プラスチック基板などが挙げられる。一方、第２の電子部品は、第１の端子列に対向する第２の端子列を備える。第２の電子部品は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第２の電子部品としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板、ＩＣをＦＰＣに実装したＣＯＦ（Chip On Film）などが挙げられる。なお、本発明の接続構造体は、以下の配置工程、光照射工程及び熱圧着工程を有する製造方法により製造することができる。

（配置工程）
　まず、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムを、その導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側又は形成されていない側から配置する。導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側から配置すると、傾斜又は起伏の部位が光照射されることで、比較的樹脂量が少ない部分の反応を促進させ導電粒子の押し込みと保持を両立する効果が期待できる。逆に、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムを、導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されていない側から配置すると、第１の電子部品側に存在する比較的樹脂量が多い部分に光が照射されることで、導電粒子の挟持状態が強固になり易くなることが期待できる。なお、光照射工程を考慮すると、導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側から配置することが好ましい。これは、第１の電子部品と導電粒子との距離が近くなることで、捕捉性が向上することが期待できるからである。

（光照射工程）
　次に、異方性導電フィルム側又は第１の電子部品側から、異方性導電フィルムに対し光照射を行うこと（所謂、先照射）により導電粒子分散層を光重合させる。光重合させることにより、低温での接続が行い易くなり、接続する電子部品へ過度に熱がかかることを避けることが可能となる。また、光照射を異方性導電フィルム側から行うと、第２の電子部品の搭載前に異方性導電フィルム全体へ均一に光照射による反応を開始させることができ、第１の電子部品に設けられている遮光部（配線に関係する部分）からの影響を除外するということが可能となる。逆に、光照射を第１の電子部品側から行うと、第２の電子部品の搭載について考慮する必要がなくなる。なお、第２の電子部品の搭載に関して接続装置の発展に伴い、接続工程時での負担が相対的に低下してきていることを考慮すると、光照射を異方性導電フィルム側から行うことが好ましい。　

　光照射による導電粒子分散層の光重合の程度は、反応率という指標で評価することができ、好ましくは７０％以上、より好ましくは８０％以上、更により好ましくは９０％以上である。上限は１００％以下である。反応率は、光重合前後の樹脂組成物を市販のＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフ装置、スチレン換算）を用いて測定することができる。また、本工程の光照射後の導電粒子分散層の最低溶融粘度（即ち、接続してプレスアウトする前の最低溶融粘度となる。光重合開始後の最低溶融粘度とも言い換えられる）は、異方性導電接続時の良好な導電粒子捕捉性と押し込みとを実現するために、下限については好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１２００Ｐａ・ｓ以上であり、上限については好ましくは８０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以下である。この最低溶融粘度の到達温度は、好ましくは６０～１００℃、より好ましくは６５～８５℃である。

　照射光としては、紫外線（ＵＶ：ultraviolet）、可視光線（visible light）、赤外線（ＩＲ：infrared）などの波長帯域から光重合性の異方性導電フィルムの重合特性に応じて選択することができる。これらの中でも、エネルギーが高い紫外線（通常、波長１０ｎｍ～４００ｎｍ）が好ましい。

　なお、配置工程において、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムをその導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側から配置し、そして光照射工程において、異方性導電フィルム側から光照射を行うことが好ましい。

（熱圧着工程）
　光照射された異方性導電フィルム上に第２の電子部品を配置し、公知の熱圧着ツールで第２の電子部品を加熱加圧することにより、第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接続させ、接続構造体を得ることができる。尚、熱圧着ツールは低温化のため温度をかけないで圧着ツールとして使用してもよい。異方性導電接続条件は、使用する電子部品や異方性導電フィルム等に応じて適宜設定することができる。なお、熱圧着ツールと接続すべき電子部品との間にポリテトラフルオロエチレンシート、ポリイミドシート、硝子クロス、シリコンラバー等の緩衝材を配置して熱圧着を行ってもよい。なお、熱圧着の際、第１の電子部品側から光照射を行ってもよい。

　本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子が光重合性樹脂組成物からなる絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有し、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する。このため、電子部品同士を異方性導電接続させて接続構造体を製造する際に、一方の電子部品に異方性導電フィルムを配置させた後、その上に他方の電子部品を配置する前に、異方性導電フィルムの光重合性の絶縁性樹脂層に対し光照射を行うことで、異方性導電接続時にその絶縁性樹脂の最低溶融粘度の過度な低下を抑制して導電粒子の不要な流動を防止でき、それにより接続構造体に良好な導通特性を実現できる。よって、本発明の異方性導電フィルムは、各種基板への半導体装置等の電子部品の実装に有用である。

　１　導電粒子
　１ａ　導電粒子の頂部
　２　絶縁性樹脂層
　２ａ　絶縁性樹脂層の表面
　２ｂ　凹み（傾斜）
　２ｃ　凹み（起伏）
　２ｆ　平坦な表面部分
　２ｐ　接平面
　３　導電粒子分散層
　４　第２の絶縁性樹脂層
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ　実施例の異方性導電フィルム
２０　端子
　Ａ　導電粒子の配列の格子軸
　Ｄ　導電粒子径
　Ｌａ　絶縁性樹脂層の層厚
　Ｌｂ　埋込量（隣接する導電粒子間の中央部における接平面からの導電粒子の最深部の距離）
　Ｌｃ　露出径
　θ　端子の長手方向と導電粒子の配列の格子軸とのなす角度

Claims

　導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する異方性導電フィルムであって、
　該絶縁性樹脂層が、光重合性樹脂組成物の層であり、
　導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する異方性導電フィルム。
　前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けており、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少ない請求項１記載の異方性導電フィルム。
　前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子の粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）が３０％以上１０５％以下である請求項１記載の異方性導電フィルム。
　光重合性樹脂組成物が、光カチオン重合性樹脂組成物である請求項１～３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　光重合性樹脂組成物が、光ラジカル重合性樹脂組成物である請求項１～３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されている請求項１～５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　絶縁性樹脂層から露出することなく絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されている請求項１～５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　絶縁性樹脂層の層厚Ｌａと導電粒子の粒子径Ｄとの比（Ｌａ/Ｄ）が０．６～１０である請求項１～７のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　導電粒子が互いに非接触で配置されている請求項１～８のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　導電粒子の最近接粒子間距離が導電粒子径の０．５倍以上４倍以下である請求項１～９のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面と反対側の表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項１～１０のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項１～１０のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　第２の絶縁性樹脂層の最低溶融粘度が絶縁性樹脂層の最低溶融粘度よりも低い請求項１１又は１２記載の異方性導電フィルム。
　導電粒子の粒子径のＣＶ値が２０％以下である請求項１～１３のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
　導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を形成する工程を有する、請求項１記載の異方性導電フィルムの製造方法であって、
　導電粒子分散層を形成する工程が、導電粒子を光重合性樹脂組成物からなる絶縁性樹脂層表面に分散した状態で保持させる工程と、絶縁性樹脂層表面に保持させた導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程を有し、
　導電粒子を絶縁性樹脂層表面に押し込む工程において、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有するように、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度、押込速度又は温度を調整する異方性導電フィルムの製造方法。
　導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む工程において、前記傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が、前記接平面に対して欠けており、前記起伏では、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、前記導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面が該接平面にあるとしたときに比して少ない請求項１５記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）が３０％以上１０５％以下である請求項１６記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　光重合性樹脂組成物が、光カチオン重合性樹脂組成物である請求項１５～１７のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　光重合性樹脂組成物が、光ラジカル重合性樹脂組成物である請求項１５～１７のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　導電粒子径のＣＶ値が２０％以下である請求項１５～１９のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配列で保持させ、
　導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程において、導電粒子を平板又はローラーで絶縁性樹脂層に押し込む請求項１５～２０のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、転写型に導電粒子を充填し、その導電粒子を絶縁性樹脂層に転写することにより絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配置で保持させる請求項１５～２１のいずれかに記載の異方性導電フィルムの製造方法。
　請求項１～１４のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより第１の電子部品と第２の電子部品とが異方性導電接続されている接続構造体。
　第１の電子部品と第２の電子部品を、請求項１～１４のいずれかに記載の異方性導電フィルムを介して異方性導電接続した接続構造体の製造方法であって、
　第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムを、その導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側又は形成されていない側から配置する異方性導電フィルム配置工程、
　異方性導電フィルム側又は第１の電子部品側から、異方性導電フィルムに対し光照射を行うことにより導電粒子分散層を光重合させる光照射工程、及び
光重合した導電粒子分散層上に第２の電子部品を配置し、熱圧着ツールで第２の電子部品を加熱加圧することにより、第１の電子部品と第２の電子部品とを異方性導電接続する熱圧着工程
を有する接続構造体の製造方法。
　配置工程において、第１の電子部品に対し、異方性導電フィルムをその導電粒子分散層の傾斜又は起伏が形成されている側から配置し、そして
　光照射工程において、異方性導電フィルム側から光照射を行う請求項２４記載の接続構造体の製造方法。