JP6187665B1 - 異方性導電フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している異方性導電フィルムにおいて、異方性導電接続時に絶縁性樹脂層が流動することによる導電粒子の流動を抑制し、導電粒子の捕捉性を向上させ、ショートを低減させる。【解決手段】異方性導電フィルムは、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する。導電粒子近傍の、導電粒子分散層の表面をなす絶縁性樹脂層の表面は、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有する。この導電粒子の粒子径のＣＶ値は２０％以下である。絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されていることが好ましい。【選択図】図１Ｂ

Description

本発明は、異方性導電フィルムに関する。

ＩＣチップなどの電子部品の実装に、導電粒子を絶縁性樹脂層に分散させた異方性導電フィルムが広く使用されている。異方性導電フィルムでは、高実装密度に対応できるように、絶縁性樹脂層に導電粒子を高密度に分散させることが行われている。しかしながら、導電粒子の個数密度を高めることはショートの発生要因となる。

これに対し、ショートを低減させると共に、異方性導電フィルムを基板に仮圧着するときの作業性を改善するため、導電粒子を単層で埋め込んだ光硬化性樹脂層と絶縁性接着剤層とを積層した異方性導電フィルムが提案されている（特許文献１）。この異方性導電フィルムの使用方法としては、光硬化性樹脂が未硬化でタック性を有する状態で仮圧着を行い、次に光硬化性樹脂層を光硬化させて導電粒子を固定化し、その後、基板と電子部品とを本圧着する。

また、特許文献１と同様の目的を達成するために、第１接続層が、主として絶縁性樹脂からなる第２接続層と第３接続層とに挟持された３層構造の異方性導電フィルムも提案されている（特許文献２，３）。具体的には、特許文献２の異方性導電フィルムは、第１接続層が、絶縁性樹脂層の第２接続層側の平面方向に導電粒子が単層で配列された構造を有し、隣接する導電粒子間の中央領域の絶縁性樹脂層厚が、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層厚よりも薄くなっている。他方、特許文献３の異方性導電フィルムは、第１接続層と第３接続層の境界が起伏している構造を有し、第１接続層が、絶縁性樹脂層の第３接続層側の平面方向に導電粒子が単層で配列された構造を有し、隣接する導電粒子間の中央領域の絶縁性樹脂層厚が、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層厚よりも薄くなっている。

特開２００３−６４３２４号公報 特開２０１４−０６０１５０号公報 特開２０１４−０６０１５１号公報

しかしながら、特許文献１に記載の異方性導電フィルムでは、異方性導電接続の仮圧着時に導電粒子が動きやすく、異方性導電接続前の導電粒子の精密な配置を異方性導電接続後に維持できない、もしくは導電粒子間の距離を十分に離間させることができないという問題がある。また、このような異方性導電フィルムを基板と仮圧着した後に光硬化性樹脂層を光硬化させ、導電粒子が埋め込まれている光硬化した樹脂層と電子部品とを貼り合わせると、電子部品のバンプの端部で導電粒子が捕捉されにくいという問題や、導電粒子の押込に過度に大きな力が必要となり、導電粒子を十分に押し込むことができないという問題があった。また、特許文献１では、導電粒子の押し込みの改善のために、光硬化性樹脂層からの導電粒子の露出の観点等からの検討も十分になされていない。

そこで、光硬化性樹脂層に代えて、異方性導電接続時の加熱温度で高粘度となる絶縁性樹脂層に導電粒子を分散させ、異方性導電接続時の導電粒子の流動性を抑制すると共に、異方性導電フィルムを電子部品と貼着するときの作業性を向上させることが考えられる。しかしながら、そのような絶縁性樹脂層に導電粒子を仮に精密に配置したとしても、異方性導電接続時に樹脂層が流動すると導電粒子も同時に流動してしまうので、導電粒子の捕捉性の向上やショートの低減を十分に図ることは困難であり、異方性導電接続後の導電粒子に当初の精密な配置を維持させることも、導電粒子同士を離間した状態に保持させることも困難である。

また、特許文献２、３に記載の３層構造の異方性導電フィルムの場合、基本点な異方性導電接続特性については問題が認められないものの、３層構造であるため、製造コストの観点から、製造工数を減数化することが求められている。また、第１接続層の片面における導電粒子の近傍において、第１接続層の全体もしくはその一部が導電粒子の外形より大きく隆起し（絶縁性樹脂層そのものが平坦ではなくなり）、その隆起した部分に導電粒子が保持されているため、導電粒子の保持や不動性と端子により挟持させ易くすることとを両立させるために設計上の制約が多くなり易いという問題が懸念されている。

これに対し、本発明は、導電粒子を絶縁性樹脂層に分散させた異方性導電フィルムにおいて、３層構造を必須としなくても、また、導電粒子を保持している絶縁樹脂の当該導電粒子近傍において絶縁性樹脂の全体もしくはその一部を導電粒子の外形より大きく隆起させなくても、異方性導電接続時における絶縁性樹脂層の流動による導電粒子の不要な移動（流動）を抑制し、導電粒子の捕捉性を向上させ、且つショートを低減させることを課題とする。

本発明者は、異方性導電フィルムに、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散した導電粒子分散層を設けるにあたり、絶縁性樹脂層の導電粒子近傍の表面形状と絶縁性樹脂層の粘度との関係について以下の知見を得た。即ち、特許文献１に記載の異方性導電フィルムでは、導電粒子が埋め込まれた側の絶縁性樹脂層（即ち、光硬化性樹脂層）自体の表面が平坦になっているのに対し、（ｉ）導電粒子が絶縁性樹脂層から露出している場合に、導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層の表面を、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して当該絶縁性樹脂層内側に傾斜させるようにすると、その絶縁性樹脂層の表面の平坦性が損なわれて一部欠けた状態（絶縁性樹脂層の表面の一部が欠けることで、直線的な絶縁性樹脂層の、表面の平坦性が一部損なわれた状態）となり、その結果、異方性導電接続時に端子間における導電粒子の挟持や扁平化を妨げる虞のある不要な絶縁性樹脂を低減させることができ、また、（ｉｉ）導電粒子が絶縁性樹脂層から露出することなく絶縁性樹脂層内に埋まっている場合に、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対してうねり、即ち、痕跡となるような微小な起伏（以下、単に起伏とのみ記す）が形成されるようにすると、異方性導電接続時に導電粒子が端子によって押し込まれやすくなり、端子における導電粒子の捕捉性が向上し、さらに異方性導電フィルムの製品検査や、使用面の確認が容易になることを見出した。加えて、絶縁性樹脂層におけるこのような傾斜もしくは起伏は、絶縁性樹脂層に導電粒子を押し込むことによって導電粒子分散層を形成する場合に、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度を調整することにより形成できることを見出した。

本発明は上述の知見に基づくものであり、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する異方性導電フィルムであって、
導電粒子近傍の、導電粒子分散層の表面をなす絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜若しくは起伏を有し、
導電粒子の粒子径のＣＶ値が２０％以下である異方性導電フィルムを提供する。

また、本発明は、上述の異方性導電フィルムの製造方法であって、絶縁性樹脂層に導電粒子を押し込むことにより導電粒子分散層を形成する工程を有する異方性導電フィルムの製造方法であって、絶縁性樹脂層の最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓ以上、６０℃における粘度を３０００Ｐａ・ｓ以上とし、かつ、導電粒子分散層の表面をなす絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有するように、粒子径のＣＶ値が２０％以下である導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度を調整する製造方法を提供する。

本発明の異方性導電フィルムは、導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を有する。この異方性導電フィルムにおいては、導電粒子近傍の、導電粒子分散層の表面をなす絶縁性樹脂層の表面を、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜させ、若しくは起伏が形成されるようにする。即ち、導電粒子が絶縁性樹脂層から露出している場合には、露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層に傾斜があり、導電粒子が絶縁性樹脂層から露出することなく該絶縁性樹脂層内に埋まっている場合には、導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に起伏があるか、導電粒子が１点で絶縁性樹脂層に接することになる。

換言すれば、本発明の異方性導電フィルムにおいては、導電粒子は絶縁性樹脂に埋め込まれているため、導電粒子の近傍では埋め込みの程度により、導電粒子の外周に沿って樹脂が存在している場合（例えば、図４、図６参照）や、絶縁性樹脂全体の傾向として平坦であるが、導電粒子近傍では、絶縁性樹脂が導電粒子の埋め込みに引き連られて内部に入り込む場合（例えば、図１Ｂ、図２参照）が存在し得る。両者が混在する場合も存在する。本発明における傾斜とは、絶縁性樹脂が導電粒子の埋め込みに引き連られて内部に入り込んで形成される斜面のことであり、また、起伏とは、そのような傾斜とそれに続いて導電粒子上に堆積した絶縁性樹脂層とのことである（堆積により傾斜が消えることもある）。このように、絶縁性樹脂に傾斜や起伏を形成することにより、導電粒子が絶縁性樹脂に一部もしくは全体が埋め込まれた状態になって保持されるので、接続時の樹脂の流動などの影響を最小限にでき、接続時の導電粒子の捕捉性が向上することになる。また、特許文献２や３に比べ、導電粒子近傍の絶縁性樹脂量が少なくとも端子と接続させるフィルム面の一部において低減されている（導電粒子の厚み方向における絶縁性樹脂量が少なくなる）ので、端子と導電粒子とが直接接触しやすくなる。即ち、接続時の押し込みに対して導電粒子の邪魔になる樹脂が存在しないこと若しくは低減され、最小限の樹脂量で構成されることになる。更に、絶縁性樹脂は導電粒子の外形に概ね沿った表面の欠落などはあるが、過度な隆起が発生しなくなることになる。また、この場合の樹脂とは、導電粒子を保持することが可能になるため、比較的高粘度となり易く、端子との接続面となるフィルム面の、特に導電粒子直上の樹脂量は少ないことが好ましいものになる。もしくは、導電粒子の外形に沿って導電粒子を保持している比較的高粘度の樹脂が無いことも、同様の理由から好ましいものになる。このように、本発明はこれらの構成に則ることになる。なお、導電粒子の外形に沿うことは、押し込みにおける効果が発現し易くなることが期待できるとともに、外観を観察することによって異方性導電フィルムの製造において、良否判定を簡便にし易くなる効果も期待できる。また、端子と導電粒子が直接接触し易くなることは、導通特性の向上や押し込みの均一性にも効果が見込まれる。このように、比較的高粘度の絶縁性樹脂による導電粒子の保持と、導電粒子のフィルム面方向直上における上記樹脂の欠落や低減もしくは変形とが両立することにより、導電粒子の捕捉と押し込みの均一性、導通特性が良好になる条件が整うことになる。また、比較的高粘度の樹脂そのもの（絶縁性樹脂層の厚み）を薄くすることも可能になり、比較的低粘度の第２の樹脂層を積層するなど設計自由度を高くできることにもつながる。比較的高粘度の樹脂そのものを薄くすることとは、接続ツールの加熱加圧条件についてもマージンが取り易くなる。なお、この場合に導電粒子径にばらつきが小さいことが、より効果を発揮する上で望まれることになる。導電粒子径のばらつきが大きくなると、傾斜や起伏の程度が導電粒子毎に相違するためである。

絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層に傾斜があると、その傾斜部分では、異方性導電接続時に導電粒子が端子間で挟持されることや、扁平に潰れようとすることに対して絶縁性樹脂が妨げとなりにくい。また、傾斜によって導電粒子の周囲の樹脂量が低減している分、導電粒子を無用に流動させることに繋がる樹脂流動が低減する。よって、端子における導電粒子の捕捉性が向上し、導通信頼性が向上する。

また、絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に起伏があっても傾斜の場合と同様に、異方性接続時に端子からの押圧力が導電粒子にかかりやすくなる。これは、起伏により導電粒子の直上の樹脂量が低減して存在しているため、導電粒子を固定化させ、且つ起伏があることによって樹脂が平坦に堆積している場合（図８参照）よりも接続時の樹脂流動が生じやすくなることが見込まれ、傾斜と同様な効果も期待できる。よって、この場合にも端子における導電粒子の捕捉性が向上し、導通信頼性が向上する。

このような本発明の異方性導電フィルムによれば、導電粒子の捕捉性が向上し、端子上の導電粒子が流動し難いことから導電粒子の配置を精密に制御できる。したがって、例えば、端子幅６μｍ〜５０μｍ、端子間スペース６μｍ〜５０μｍのファインピッチの電子部品の接続に使用することができる。また、導電粒子の大きさが３μｍ未満（例えば２．５〜２．８μｍ）のときに有効接続端子幅（接続時に対向した一対の端子の幅のうち、平面視にて重なり合っている部分の幅）が３μｍ以上、最短端子間距離が３μｍ以上であればショートを起こすこと無く電子部品を接続することができる。

また、導電粒子の配置を精密に制御できるので、ノーマルピッチの電子部品を接続する場合には、導電粒子の配置領域や、導電粒子の個数密度を変えた領域のレイアウトを種々の電子部品の端子のレイアウトに対応させることが可能となる。

さらに、絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層に起伏があると、異方性導電フィルムの外観観察により導電粒子の位置が明確に分かるので、製品検査が容易になり、また、異方性接続時に異方性導電フィルムのどちらのフィルム面を基板に貼り合わせるかという使用面の確認も容易になる。

加えて、本発明の異方性導電フィルムによれば、導電粒子の配置の固定のために絶縁性樹脂層を光硬化させておくことが必ずしも必要ではないので異方性接続時に絶縁性樹脂層がタック性を持ちうる。このため、異方性導電フィルムと基板を仮圧着するときの作業性が向上し、仮圧着後に電子部品を圧着するときにも作業性が向上する。

一方、本発明の製造方法によれば、絶縁性樹脂層に上述の傾斜若しくは起伏が形成されるように、絶縁性樹脂層に導電粒子を埋め込むときの該絶縁性樹脂層の粘度を調整する。そのため、上述の効果を奏する本発明の異方性導電フィルムを容易に製造することができる。

図１Ａは、実施例の異方性導電フィルム１０Ａの導電粒子の配置を示す平面図である。 図１Ｂは、実施例の異方性導電フィルム１０Ａの断面図である。 図２は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｂの断面図である。 図３は、絶縁性樹脂層に形成される「傾斜」と「起伏」との中間ともいえる状態の異方性導電フィルム１０Ｃの断面図である。 図４は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｄの断面図である。 図５は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｅの断面図である。 図６は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｆの断面図である。 図７は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｇの断面図である。 図８は、比較例の異方性導電フィルム１０Ｘの断面図である。 図９は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｈの断面図である。 図１０は、実施例の異方性導電フィルム１０Ｉの断面図である。 図１１Ａは、実施例の異方性導電フィルムの上面写真である。 図１１Ｂは、実施例の異方性導電フィルムの上面写真である。

以下、本発明の異方性導電フィルムの一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。

＜異方性導電フィルムの全体構成＞
図１Ａは、本発明の一実施例の異方性導電フィルム１０Ａの粒子配置を説明する平面図であり、図１ＢはそのＸ−Ｘ断面図である。

この異方性導電フィルム１０Ａは、例えば長さ５ｍ以上の長尺のフィルム形態とすることができ、巻き芯に巻いた巻装体とすることもできる。

異方性導電フィルム１０Ａは導電粒子分散層３から構成されており、導電粒子分散層３では、絶縁性樹脂層２の片面に導電粒子１が露出した状態で規則的に分散している。フィルムの平面視にて導電粒子１は互いに接触しておらず、フィルム厚方向にも導電粒子１が互いに重なることなく規則的に分散し、導電粒子１のフィルム厚方向の位置が揃った単層の導電粒子層を構成している。

個々の導電粒子１の周囲の絶縁性樹脂層２の表面２ａには、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層２の接平面２ｐに対して傾斜２ｂが形成されている。なお後述するように、本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層の表面に起伏２ｃが形成されていてもよい（図４、図６）。

本発明において、「傾斜」とは、絶縁性樹脂層の表面の平坦性が損なわれて一部が欠けている状態を意味する。一方、「起伏」とは、絶縁性樹脂層の表面にうねりがある状態を意味する。これらは、導電粒子の直上に相当する部位と導電粒子間の平坦な表面部分（図１Ｂ、４、６の２ｆ。図１１Ａの２ｂの外側、図１１Ｂの２ｃの外側。）とを対比して認識することができる。なお、起伏の開始点が傾斜として存在する場合もある。

＜導電粒子の分散状態＞
本発明における導電粒子の分散状態には、導電粒子１がランダムに分散している状態も規則的な配置に分散している状態も含まれる。どちらの場合においても、フィルム厚方向の位置が揃っていることが捕捉安定性の点から好ましい。ここで、フィルム厚方向の導電粒子１の位置が揃っているとは、フィルム厚方向の単一の深さに揃っていることに限定されず、絶縁性樹脂層２の表裏の界面又はその近傍のそれぞれに導電粒子が存在している態様を含む。

また、導電粒子１はフィルムの平面視にて規則的に配列していることが導電粒子の捕捉とショートの抑制とを両立させる点から好ましい。配列の態様は、端子およびバンプのレイアウトによるため、特に限定はない。例えば、フィルムの平面視にて図１Ａに示したように正方格子配列とすることができる。この他、導電粒子の規則的な配列の態様としては、長方格子、斜方格子、６方格子、３角格子等の格子配列をあげることができる。異なる形状の格子が、複数組み合わさったものでもよい。規則的な配列は、上述したような格子配列に限定されるものではなく、例えば、導電粒子が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させてもよい。導電粒子１を互いに非接触とし、格子状等の規則的な配列にすることにより、異方性導電接続時に各導電粒子１に圧力を均等に加え、導通抵抗のばらつきを低減させることができる。規則的な配列は、例えばフィルムの長手方向に所定の粒子配置が繰り替えされている否かを観察することで確認できる。

さらに、フィルムの平面視にて規則的に配列し、かつフィルム厚方向の位置が揃っていることが捕捉安定性とショート抑制の両立のためにより好ましい。

一方、接続する電子部品の端子間スペースが広くショートが発生しにくい場合には、導電粒子を規則的に配列させることなく導通に支障を来たさない程度に導電粒子があればランダムに分散させていてもよい。

導電粒子を規則的に配列させる場合に、その配列の格子軸又は配列軸がある場合は、異方性導電フィルムの長手方向や長手方向と直行する方向に対して平行でもよく、異方性導電フィルムの長手方向と交叉してもよく、接続する端子幅、端子ピッチ、レイアウトなどに応じて定めることができる。例えば、ファインピッチ用の異方性導電性フィルムとする場合、図１Ａに示したように導電粒子１の格子軸Ａを異方性導電フィルム１０Ａの長手方向に対して斜行させ、異方性導電フィルム１０Ａで接続する端子２０の長手方向（フィルムの短手方向）と格子軸Ａとのなす角度θを６°〜８４°、好ましくは１１°〜７４°にすることが好ましい。

導電粒子１の粒子間距離は、異方性導電フィルムで接続する端子の大きさや端子ピッチに応じて適宜定める。例えば、異方性導電フィルムをファインピッチのＣＯＧ（Chip On Glass）に対応させる場合、ショートの発生を防止する点から最近接粒子間距離を導電粒子径Ｄの０．５倍以上にすることが好ましく、０．７倍より大きくすることがより好ましい。一方、導電粒子１の捕捉性の点から、最近接粒子間距離を導電粒子径Ｄの４倍以下とすることが好ましく、３倍以下とすることがより好ましい。

また、導電粒子の面積占有率は、好ましくは３５％以下、より好ましくは０．３〜３０％である。この面積占有率は、
［平面視における導電粒子の個数密度］×[導電粒子１個の平面視面積の平均]
により算出される。

ここで、導電粒子の個数密度の測定領域としては、１辺が１００μｍ以上の矩形領域を任意に複数箇所（好ましくは５箇所以上、より好ましくは１０箇所以上）設定し、測定領域の合計面積を２ｍｍ^２以上とすることが好ましい。個々の領域の大きさや数は、個数密度の状態によって適宜調整すればよい。ファインピッチ用途の比較的個数密度が大きい場合の一例として、異方性導電フィルム１０Ａから任意に選択した面積１００μｍ×１００μｍの領域の２００箇所（２ｍｍ^２）について、金属顕微鏡などによる観測画像を用いて個数密度を測定し、それを平均することにより上述の式中の「平面視における導電粒子の個数密度」を得ることができる。面積１００μｍ×１００μｍの領域は、バンプ間スペース５０μｍ以下の接続対象物において、１個以上のバンプが存在する領域になる。

なお、面積占有率が上述の範囲内であれば個数密度の値には特に制限はないが、実用上、個数密度は１５０〜７００００個／ｍｍ^２が好ましく、特にファインピッチ用途の場合には好ましくは６０００〜４２０００個／ｍｍ^２、より好ましくは１００００〜４００００個／ｍｍ^２、更により好ましくは１５０００〜３５０００個／ｍｍ^２である。

導電粒子の個数密度は、上述のように金属顕微鏡を用いて観察して求める他、画像解析ソフト（例えば、ＷｉｎＲＯＯＦ、三谷商事株式会社等）により観察画像を計測して求めてもよい。観察方法や計測手法は、上記に限定されるものではない。

また、導電粒子１個の平面視面積の平均は、フィルム面の金属顕微鏡やＳＥＭなどの電子顕微鏡などによる観測画像の計測により求められる。画像解析ソフトを用いてもよい。観察方法や計測手法は、上記に限定されるものではない。

面積占有率は、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力の指標となる。従来、異方性導電フィルムをファインピッチに対応させるために、ショートを発生させない限りで導電粒子の粒子間距離を狭め、個数密度が高められてきたが、そのように個数密度を高めると、電子部品の端子個数が増え、電子部品１個当りの接続総面積が大きくなるのに伴い、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力が大きくなり、従前の押圧治具では押圧が不十分になるという問題が起こることが懸念される。これに対し、面積占有率を上述のように好ましくは３５％以下、より好ましくは０．３〜３０％の範囲とすることにより、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力を低く抑えることが可能となる。

＜導電粒子＞
導電粒子１は、公知の異方性導電フィルムに用いられている導電粒子の中から適宜選択して使用することができる。例えばニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、ハンダなどの合金粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。中でも、金属被覆樹脂粒子が、接続された後に樹脂粒子が反発することで端子との接触が維持され易くなり、導通性能が安定する点から好ましい。尚、導電粒子の表面には公知の技術によって、導通特性に支障を来たさない絶縁処理が施されていてもよい。

導電粒子径Ｄは、配線高さのばらつきに対応できるようにし、また、導通抵抗の上昇を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以上９μｍ以下である。接続対象物によっては、９μｍより大きいものが適する場合もある。絶縁性樹脂層に分散させる前の導電粒子の粒子径は、一般的な粒度分布測定装置により測定することができ、また、平均粒子径も粒度分布測定装置を用いて求めることができる。測定装置としては、一例としてＦＰＩＡ−３０００（マルバーン社）を挙げることができる。異方性導電フィルムにおける導電粒子径Ｄは、ＳＥＭなどの電子顕微鏡観察から求めることができる。この場合、導電粒子径Ｄを測定するサンプル数を２００以上とすることが望ましい。

本発明の異方性導電フィルムを構成する導電粒子の粒子径のバラツキは、ＣＶ値（標準偏差/平均）２０％以下である。ＣＶ値を２０％以下とすることにより、挟持される際に均等に押圧され易くなり、特に配列している場合には押圧力が局所的に集中することを防止でき、導通の安定性に寄与できる。また接続後に圧痕による接続状態の評価を精確に行うことができる。具体的には、端子サイズが大きいもの（ＦＯＧなど）にも、小さいもの（ＣＯＧなど）にも圧痕による接続状態の確認を精確に行うことができる。従って、異方性接続後の検査が容易になり、接続工程の生産性を向上させることが期待できる。

ここで、粒子径のバラツキは画像型粒度分析装置などにより算出することができる。異方性導電フィルムに配置されていない、異方性導電フィルムの原料粒子としての導電粒子の粒子径は、一例として、湿式フロー式粒子径・形状分析装置ＦＰＩＡ−３０００（マルバーン社）を用いて求めることができる。この場合、導電粒子個数は１０００個以上、好ましくは３０００個以上、より好ましくは５０００個以上を測定すれば正確に導電粒子単体のバラツキを把握することができる。導電粒子が異方性導電フィルムに配置されている場合は、上記真球度と同様に平面画像又は断面画像により求めることができる。

また、本発明の異方性導電フィルムを構成する導電粒子は、略真球であることが好ましい。導電粒子として略真球のものを使用することにより、例えば、特開2014-60150号公報に記載のように転写型を用いて導電粒子を配列させた異方導電性フィルムを製造するにあたり、転写型上で導電粒子が滑らかに転がるので、導電粒子を転写型上の所定の位置へ高精度に充填することができる。したがって、導電粒子を精確に配置することができる。

ここで、略真球とは、次式で算出される真球度が70〜100であることをいう。

上記式中、Ｓoは導電粒子の平面画像における該導電粒子の外接円の面積であり、Ｓiは導電粒子の平面画像における該導電粒子の内接円の面積である。

この算出方法では、導電粒子の平面画像を異方導電性フィルムの面視野および断面で撮り、それぞれの平面画像において任意の導電粒子１００個以上（好ましくは２００個以上）の外接円の面積と内接円の面積を計測し、外接円の面積の平均値と内接円の面積の平均値を求め、上述のＳｏ、Ｓｉとすることが好ましい。また、面視野及び断面のいずれにおいても、真球度が上記の範囲内であることが好ましい。面視野および断面の真球度の差は２０以内であることが好ましく、より好ましくは１０以内である。異方導電性フィルムの生産時の検査は主に面視野であり、異方性接続後の詳細な良否判定は面視野と断面の両方で行うため、真球度の差は小さい方が好ましい。この真球度は導電粒子単体であるなら、上述の湿式フロー式粒子径・形状分析装置ＦＰＩＡ−３０００（マルバーン社）を用いて求めることもできる。

＜絶縁性樹脂層＞
（絶縁性樹脂の粘度）

絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度は、好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは３０００〜１５０００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは３０００〜１００００Ｐａ・ｓである。この最低溶融粘度は、一例として回転式レオメータ（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製）を用い、昇温速度が１０℃／分、測定圧力が５ｇで一定に保持し、直径８ｍｍの測定プレートを使用して求めることができる。

絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓ以上の高粘度とすることにより、異方性導電接続時に端子間で挟持されるべき導電粒子２が樹脂流動により流されてしまうことを防止できる。

また、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより異方性導電フィルム１０Ａの導電粒子分散層３を形成する場合に、導電粒子１を押し込むときの絶縁性樹脂層２は、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように導電粒子１を絶縁性樹脂層２に押し込んだときに、絶縁性樹脂層２が塑性変形して導電粒子１の周囲の絶縁性樹脂層２に傾斜２ｂ（図１Ｂ）が形成されるような高粘度な粘性体とするか、あるいは、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出することなく絶縁性樹脂層２に埋まるように導電粒子１を押し込んだときに、導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に起伏２ｃ（図６）が形成されるような高粘度な粘性体とする。そのため、絶縁性樹脂層２の６０℃における粘度を好ましくは３０００〜２００００Ｐａ・ｓとする。この測定は最低溶融粘度と同様の測定方法で行い、温度が６０℃の値を抽出して求めることができる。

絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むときの該絶縁性樹脂層２の具体的な粘度は、形成する傾斜２ｂ、起伏２ｃの形状や深さなどに応じて、好ましくは３０００〜２００００Ｐａ・ｓ、より好ましくは４５００〜１５０００Ｐａ・ｓとする。また、このような粘度を４０〜８０℃で得られるようにすることが好ましい。

上述したように、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の周囲に傾斜２ｂ（図１Ｂ）が形成されていることにより、異方性導電接続時に導電粒子１が端子間で挟持される際に生じる導電粒子１の偏平化に対して絶縁性樹脂から受ける抵抗が、傾斜２ｂが無い場合に比して低減するため、端子における導電粒子の挟持がされ易くなることで導通性能が向上し、また捕捉性が向上する。この傾斜は、導電粒子の外形に沿っていることが好ましい。接続における効果がより発現しやすくなる以外に、認識し易くなることで、異方性導電フィルムの製造における検査などが行い易くなるからである。また、この傾斜および起伏は絶縁性樹脂層にヒートプレスするなどにより、その一部が消失してしまう場合があるが、本発明はこれを包含する。この場合、導電粒子は絶縁性樹脂層の表面に１点で露出する場合がある。なお、異方性導電フィルムは、接続する電子部品が多様であり、これらに合わせてチューニングする以上、種々の要件を満たせるように設計の自由度が高いことが望まれるので、傾斜もしくは起伏を消失もしくは低減させて用いる場合もある。

また、絶縁性樹脂層２から露出することなく埋まっている導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２の表面に起伏２ｃ（図４、図６）が形成されていることにより、傾斜の場合と同様に、異方性接続時に端子からの押圧力が導電粒子にかかりやすくなる。また、起伏があっても導電粒子の直上の樹脂量が低減して存在しているため、導電粒子を固定化させ、且つ起伏があることによって樹脂が平坦に堆積している場合よりも接続時の導電粒子直上の樹脂の排除が生じやすくなり、端子と導電粒子とが接触し易くなることから、端子における導電粒子の捕捉性が向上し、導通信頼性が向上する。

＜絶縁性樹脂層の説明＞
（絶縁性樹脂層の層厚）
本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）が０．６〜１０が好ましい。ここで、導電粒子径Ｄは、その平均粒子径を意味する。絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが大き過ぎると異方性導電接続時に導電粒子が位置ズレしやすくなり、端子における導電粒子の捕捉性が低下する。この傾向はＬａ／Ｄが１０を超えると顕著である。そこでＬａ／Ｄは８以下がより好ましく、６以下が更により好ましい。反対に絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが小さすぎてＬａ／Ｄが０．６未満となると、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の粒子分散状態あるいは所定の配列に維持することが困難となる。特に、接続する端子が高密度ＣＯＧの場合、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）は、好ましくは０．８〜２である。

（絶縁性樹脂層の組成）
絶縁性樹脂層２は、硬化性樹脂組成物から形成することができ、例えば、熱重合性化合物と熱重合開始剤とを含有する熱重合性組成物から形成することができる。熱重合性組成物には必要に応じて光重合開始剤を含有させてもよい。

熱重合開始剤と光重合開始剤を併用する場合に、熱重合性化合物として光重合性化合物としても機能するものを使用してもよく、熱重合性化合物とは別に光重合性化合物を含有させてもよい。好ましくは、熱重合性化合物とは別に光重合性化合物を含有させる。例えば、熱重合開始剤としてカチオン系硬化開始剤、熱重合性化合物としてエポキシ樹脂を使用し、光重合開始剤として光ラジカル開始剤、光重合性化合物としてアクリレート化合物を使用する。

光重合開始剤として、波長の異なる光に反応する複数種類を含有させてもよい。これにより、異方性導電フィルムの製造時における、絶縁性樹脂層を構成する樹脂の光硬化と、異方性接続時に電子部品同士を接着するための樹脂の光硬化とで使用する波長を使い分けることができる。

異方性導電フィルムの製造時の光硬化では、絶縁性樹脂層に含まれる光重合性化合物の全部又は一部を光硬化させることができる。この光硬化により、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の配置が保持乃至固定化され、ショートの抑制と捕捉の向上が見込まれる。また、この光硬化により、異方性導電フィルムの製造工程における絶縁性樹脂層の粘度を適宜調整してもよい。

絶縁性樹脂層における光重合性化合物の配合量は３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、２％質量未満がより好ましい。光重合性化合物が多すぎると接続時の押し込みにかかる推力が増加するためである。

熱重合性組成物の例としては、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合性アクリレート系組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合性エポキシ系組成物等が挙げられる。熱カチオン重合開始剤を含む熱カチオン重合性エポキシ系組成物に代えて、熱アニオン重合開始剤を含む熱アニオン重合性エポキシ系組成物を使用してもよい。また、特に支障を来たさなければ、複数種の重合性組成物を併用してもよい。併用例としては、熱カチオン重合性化合物と熱ラジカル重合性化合物の併用などが挙げられる。

ここで、（メタ）アクリレート化合物としては、従来公知の熱重合型（メタ）アクリレートモノマーを使用することができる。例えば、単官能（メタ）アクリレート系モノマー、二官能以上の多官能（メタ）アクリレート系モノマーを使用することができる。

熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ系化合物等を挙げることができる。特に、気泡の原因となる窒素を発生しない有機過酸化物を好ましく使用することができる。

熱ラジカル重合開始剤の使用量は、少なすぎると硬化不良となり、多すぎると製品ライフの低下となるので、（メタ）アクリレート化合物１００質量部に対し、好ましくは２〜６０質量部、より好ましくは５〜４０質量部である。

エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。また、エポキシ化合物に加えてオキセタン化合物を併用してもよい。

熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱カチオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により酸を発生するヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができ、特に、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。

熱カチオン重合開始剤の使用量は、少なすぎても硬化不良となる傾向があり、多すぎても製品ライフが低下する傾向があるので、エポキシ化合物１００質量部に対し、好ましくは２〜６０質量部、より好ましくは５〜４０質量部である。

熱重合性組成物は、膜形成樹脂やシランカップリング剤を含有することが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、製膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。重量平均分子量は１００００以上であることが好ましい。また、シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は、主としてアルコキシシラン誘導体である。

熱重合性組成物には、溶融粘度調整のために、絶縁フィラを含有させてもよい。これはシリカ粉やアルミナ粉などが挙げられる。絶縁フィラの大きさは粒径２０〜１０００ｎｍが好ましく、また、配合量はエポキシ化合物等の熱重合性化合物（光重合性組成物）１００質量部に対して５〜５０質量部とすることが好ましい。

更に、上述の絶縁フィラとは異なる充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを含有させてもよい。

（絶縁性樹脂層の厚さ方向における導電粒子の位置）
本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２の厚さ方向における導電粒子１の位置は前述のように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出していてもよく、露出することなく、絶縁性樹脂層２内に埋め込まれていても良いが、隣接する導電粒子間の中央部における接平面２ｐからの導電粒子の最深部の距離（以下、埋込量という）Ｌｂと、導電粒子径Ｄとの比（Ｌｂ/Ｄ）（以下、埋込率という）が６０％以上１０５％以下であることが好ましい。

埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を６０％以上とすることにより、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の粒子分散状態あるいは所定の配列に維持し、また、１０５％以下とすることにより、異方性導電接続時に端子間の導電粒子を無用に流動させるように作用する絶縁性樹脂層の樹脂量を低減させることができる。

なお、本発明において、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値は、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上が、当該埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値になっていることをいう。したがって、埋込率が６０％以上１０５％以下とは、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９６％以上の埋込率が６０％以上１０５％以下であることをいう。このように全導電粒子の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が揃っていることにより、押圧の加重が導電粒子に均一にかかるので、端子における導電粒子の捕捉状態が良好になり、導通の安定性が向上する。

埋込率（Ｌｂ/Ｄ）は、異方性導電フィルムから面積３０ｍｍ^２以上の領域を任意に１０箇所以上抜き取り、そのフィルム断面の一部をＳＥＭ画像で観察し、合計５０個以上の導電粒子を計測することにより求めることができる。より精度を上げるため、２００個以上の導電粒子を計測して求めてもよい。

また、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の計測は、面視野画像において焦点調整することにより、ある程度の個数について一括して求めることができる。もしくは埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の計測にレーザー式判別変位センサ（キーエンス製など）を用いてもよい。

（埋込率６０％以上１００％未満の態様）
埋込率（Ｌｂ/Ｄ）６０％以上１０５％以下の導電粒子１のより具体的な埋込態様としては、まず、図１Ｂに示した異方性導電フィルム１０Ａのように、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出するように埋込率６０％以上１００％未満で埋め込まれた態様をあげることができる。この異方性導電フィルム１０Ａは、絶縁性樹脂層２の表面のうち該絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１と接している部分及びその近傍が、隣接する導電粒子間の中央部の絶縁性樹脂層の表面２ａにおける接平面２ｐに対して導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有している。

このような傾斜２ｂもしくは後述する起伏２ｃは、異方性導電フィルム１０Ａを、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を押し込むことにより製造する場合に、導電粒子１の押し込みを、４０〜８０℃で３０００〜２００００Ｐａ・ｓ、より好ましくは４５００〜１５０００Ｐａ・ｓで行うことにより形成することができる。また、傾斜２ｂや起伏２ｃは絶縁性樹脂層をヒートプレスするなどにより、その一部が消失してしまう場合がある。傾斜２ｂがその痕跡を有しない場合、起伏２ｃと略同等の形状になる（つまり、傾斜が起伏に変化する）。起伏２ｃがその痕跡を有しない場合、導電粒子が１点で絶縁性樹脂層２に露出している場合がある。

（埋込率１００％の態様）
次に、本発明の異方性導電フィルムのうち、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）１００％の態様としては、図２に示す異方性導電フィルム１０Ｂのように、導電粒子１の周りに図１Ｂに示した異方性導電フィルム１０Ａと同様の導電粒子の外形に概ね沿った稜線となる傾斜２ｂを有し、絶縁性樹脂層２から露出している導電粒子１の露出径Ｌｃが導電粒子径Ｄよりも小さいもの、図３に示す異方性導電フィルム１０Ｃのように、導電粒子１の露出部分の周りの起伏２ｂが導電粒子１近傍で急激に現れ、導電粒子１の露出径Ｌｃと導電粒子径Ｄとが略等しいもの、図４に示す異方性導電フィルム１０Ｄのように、絶縁性樹脂層２の表面に浅い起伏２ｃがあり、導電粒子１がその頂部１ａの１点で絶縁性樹脂層２から露出しているものをあげることができる。

これら異方性導電フィルム１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄは埋込率１００％であるため、導電粒子１の頂部１ａと絶縁性樹脂層２の表面２ａとが面一に揃っている。導電粒子１の頂部１ａと絶縁性樹脂層２の表面２ａとが面一に揃っていると、図１Ｂに示したように導電粒子１が絶縁性樹脂層２から突出している場合に比して、異方性導電接続時に個々の導電粒子の周辺にてフィルム厚み方向の樹脂量が不均一になりにくく、樹脂流動による導電粒子の移動を低減できるという効果がある。なお、埋込率が厳密に１００％でなくても、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の頂部と絶縁性樹脂層２の表面とが面一となる程度に揃っているとこの効果を得ることができる。言い換えると、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が概略９０〜１００％の場合には、絶縁性樹脂層２に埋め込まれた導電粒子１の頂部と絶縁性樹脂層２の表面とは面一であるといえ、樹脂流動による導電粒子の移動を低減させることができる。

これら異方性導電フィルム１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄの中でも、１０Ｄは導電粒子１の周りの樹脂量が不均一になりにくいので樹脂流動による導電粒子の移動を解消でき、また頂部１ａの１点であっても絶縁性樹脂層２から導電粒子１が露出しているので、端子における導電粒子１の捕捉性もよく、導電粒子のわずかな移動も起こりにくいという効果が期待できる。したがって、この態様は、特にファインピッチやバンプ間スペースが狭い場合に有効である。

なお、傾斜２ｂ、起伏２ｃの形状や深さが異なる異方性導電フィルム１０Ｂ（図２）、１０Ｃ（図３）、１０Ｄ（図４）は、後述するように、導電粒子１の押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度等を変えることで製造することができる。なお、図３の態様は、図２（傾斜の態様）と図４（起伏の態様）の中間状態であると言い換えることができる。本発明は、この図３の態様も包含するものである。

（埋込率１００％超の態様）
本発明の異方性導電フィルムのうち、埋込率１００％を超える場合、図５に示す異方性導電フィルム１０Ｅのように導電粒子１が露出し、その露出部分の周りの絶縁性樹脂層２に接平面２ｐに対する傾斜２ｂもしくは導電粒子１の真上の絶縁性樹脂層２の表面に接平面２ｐに対する起伏２ｃがあるものをあげることができる。

なお、導電粒子１の露出部分の周りの絶縁性樹脂層２に傾斜２ｂを有する異方性導電フィルム１０Ｅ（図５）と導電粒子１の直上の絶縁性樹脂層２に起伏２ｃを有する異方性導電フィルム１０Ｆ（図６）は、それらを製造する際の導電粒子１の押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度等を変えることで製造することができる。

なお、図５に示す異方性導電フィルム１０Ｅを異方性導電接続に使用すると、導電粒子１が端子から直接押圧されるので、端子における導電粒子の捕捉性が向上する。また、図６に示す異方性導電フィルム１０Ｆを異方性導電接続に使用すると、導電粒子１が端子を直接押圧せず、絶縁性樹脂層２を介して押圧することになるが、押圧方向に存在する樹脂量が図８の状態（即ち、導電粒子１が埋込率１００％を超えて埋め込まれ、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出しておらず、かつ絶縁性樹脂層２の表面が平坦である状態）に比べて少ないため、導電粒子に押圧力がかかりやすくなり、且つ異方性導電接続時に端子間の導電粒子１が樹脂流動により無用に移動することが妨げられる。

なお、図７に示すように、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が６０％未満の異方性導電フィルム１０Ｇでは、絶縁性樹脂層２上を導電粒子１が転がりやすくなるため、異方性導電接続時の捕捉率を向上させる点からは、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を６０％以上とすることが好ましい。

また、埋込率が１００％を超える態様（Ｌｂ/Ｄ）において、図８に示す比較例の異方性導電フィルム１０Ｘのように絶縁性樹脂層２の表面が平坦な場合は導電粒子１と端子との間に介在する樹脂量が過度に多くなる。また、導電粒子１が直接端子に接触して端子を押圧することなく、絶縁性樹脂を介して端子を押圧するので、これによっても導電粒子が樹脂流動によって流され易い。

本発明において、絶縁性樹脂層２の表面の傾斜２ｂ、起伏２ｃの存在は、異方性導電フィルムの断面を走査型電子顕微鏡で観察することにより確認することができ、面視野観察においても確認できる。光学顕微鏡、金属顕微鏡でも傾斜２ｂ、起伏２ｃの観察は可能である。また、傾斜２ｂ、起伏２ｃの大きさは画像観察時の焦点調整などで確認することもできる。上述のようにヒートプレスにより傾斜もしくは起伏を減少させた後であっても、同様である。痕跡が残る場合があるからである。

＜異方性導電フィルムの変形態様＞
（第２の絶縁性樹脂層）
本発明の異方性導電フィルムは、図９に示す異方性導電フィルム１０Ｈのように、導電粒子分散層３の、絶縁性樹脂層２の傾斜２ｂが形成されている面に、該絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性樹脂層４を積層してもよい。また図１０に示す異方性導電フィルム１０Ｉのように、導電粒子分散層３の、絶縁性樹脂層２の傾斜２ｂが形成されていない面に、該絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度が低い第２の絶縁性樹脂層４を積層してもよい。第２の絶縁性樹脂層４の積層により、異方性導電フィルムを用いて電子部品を異方性導電接続するときに、電子部品の電極やバンプによって形成される空間を充填し、接着性を向上させることができる。尚、第２の絶縁性樹脂層４を積層する場合、第２の絶縁性樹脂層４が傾斜２ｂの形成面上にあるか否かに関わらず第２の絶縁性樹脂層４がツールで加圧するＩＣチップ等の電子部品側にある（言い換えると、絶縁性樹脂層２がステージに載置される基板等の電子部品側にある）ことが好ましい。このようにすることで、導電粒子の不本意な移動を避けることができ、捕捉性を向上させることができる。傾斜２ｂが起伏２ｃであっても同様である。

絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４との最低溶融粘度は、差があるほど電子部品の電極やバンプによって形成される空間が第２の絶縁性樹脂層４で充填されやすくなり、電子部品同士の接着性を向上させる効果が期待できる。また、この差があるほど導電粒子分散層３中に存在する絶縁性樹脂層２の移動量が相対的に小さくなるため、端子における導電粒子の捕捉性が向上しやすくなる。実用上は、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４との最低溶融粘度比は、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは８以上である。一方、この比が大きすぎると長尺の異方性導電フィルムを巻装体にした場合に、樹脂のはみだしやブロッキングが生じる虞があるので、実用上は１５以下が好ましい。第２の絶縁性樹脂層４の好ましい最低溶融粘度は、より具体的には、上述の比を満たし、かつ３０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下であり、特に１００〜２０００Ｐａ・ｓである。

なお、第２の絶縁性樹脂層４は、絶縁性樹脂層と同様の樹脂組成物において、粘度を調整することにより形成することができる。

また、異方性導電フィルム１０Ｈ、１０Ｉにおいて、第２の絶縁性樹脂層４の層厚は、電子部品や接続条件に影響される部分があるために、特に限定はされないが、好ましくは４〜２０μｍである。もしくは、導電粒子径に対して、好ましくは１〜８倍である。

また、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４を合わせた異方性導電フィルム１０Ｈ、１０Ｉ全体の最低溶融粘度は、好ましくは、２００〜４０００Ｐａ・ｓである。

（第３の絶縁性樹脂層）
第２の絶縁性樹脂層４と絶縁性樹脂層２を挟んで反対側に第３の樹脂層が設けられていてもよい。例えば、第３の絶縁性樹脂層をタック層として機能させることができる。第２の絶縁性樹脂層と同様に、電子部品の電極やバンプによって形成される空間を充填させるために設けてもよい。

第３の絶縁性樹脂層の樹脂組成、粘度及び厚みは第２の絶縁性樹脂層と同様でもよく、異なっていても良い。絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層４と第３の絶縁性樹脂層を合わせた異方性導電フィルムの最低溶融粘度は特に制限はないが、２００〜４０００Ｐａ・ｓとすることができる。

＜異方性導電フィルムの製造方法＞
上述の異方性導電フィルムを製造する本発明の異方性導電フィルムの製造方法は、絶縁性樹脂層に導電粒子を押し込むことにより導電粒子分散層を形成する工程を有し、絶縁性樹脂層の最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓ以上、６０℃における粘度を３０００Ｐａ・ｓ以上とし、かつ、導電粒子分散層の表面をなす絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有するように、粒子径のＣＶ値が２０％以下である導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度を調整することを特徴としている。この絶縁性樹脂層の最低溶融粘度は、好ましくは３０００〜１５０００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは３０００〜１００００Ｐａ・ｓであり、６０℃における粘度は、好ましくは３０００〜２００００Ｐａ・ｓである。

異方性導電フィルムが導電粒子分散層３の単層から形成されている場合、本発明の異方性導電フィルムは、例えば、絶縁性樹脂層２の表面に導電粒子１を所定の配列で保持させ、その導電粒子１を平板又はローラーで絶縁性樹脂層に押し込むことにより製造される。なお、埋込率１００％超の異方性導電フィルムを製造する場合に、導電粒子配列に対応した凸部を有する押し板で押し込んでもよい。

ここで、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の埋込量は、導電粒子１の押し込み時の押圧力、温度等により調整することができ、また、傾斜２ｂ、起伏２ｃの形状及び深さは、押し込み時の絶縁性樹脂層２の粘度、押込速度、温度等により調整することができる。

また、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる手法としては、公知の手法を利用することができる。例えば、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を直接散布する、あるいは二軸延伸させることのできるフィルムに導電粒子１を単層で付着させ、そのフィルムを二軸延伸し、その延伸させたフィルムに絶縁性樹脂層２を押圧して導電粒子を絶縁性樹脂層２に転写することにより、絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる。また、転写型を使用して絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させることもできる。

転写型を使用して絶縁性樹脂層２に導電粒子１を保持させる場合、転写型としては、例えば、シリコン、各種セラミックス、ガラス、ステンレススチールなどの金属等の無機材料や、各種樹脂等の有機材料などに対し、フォトリソグラフ法等の公知の開口形成方法によって開口を形成したもの、印刷法を応用したものを使用することができる。また、転写型は、板状、ロール状等の形状をとることができる。なお、本発明は上記の手法で限定されるものではない。

また、導電粒子を押し込んだ絶縁性樹脂層の、導電粒子を押し込んだ側の表面、又はその反対面に、絶縁性樹脂層よりも低粘度の第２の絶縁性樹脂層を積層することができる。

異方性導電フィルムを用いで電子部品の接続を経済的に行うには、異方性導電フィルムはある程度の長尺であることが好ましい。そこで異方性導電フィルムは長さを、好ましくは５ｍ以上、より好ましくは１０ｍ以上、さらに好ましくは２５ｍ以上に製造する。一方、異方性導電フィルムを過度に長くすると、異方性導電フィルムを用いて電子部品の製造を行う場合に使用する従前の接続装置を使用することができなくなり、取り扱い性も劣る。そこで、異方性導電フィルムは、その長さを好ましくは５０００ｍ以下、より好ましくは１０００ｍ以下、さらに好ましくは５００ｍ以下に製造する。異方性導電フィルムのこのような長尺体は、巻芯に巻かれた巻装体とすることが取り扱い性に優れる点から好ましい。

＜異方性導電フィルムの使用方法＞
本発明の異方性導電フィルムは、ＩＣチップ、ＩＣモジュール、ＦＰＣなどの第１電子部品と、ＦＰＣ、ガラス基板、プラスチック基板、リジッド基板、セラミック基板などの第２電子部品とを異方性導電接続する際に好ましく使用することができる。本発明の異方性導電フィルムを用いてＩＣチップやウェーハーをスタックして多層化してもよい。なお、本発明の異方性導電フィルムで接続する電子部品は、上述の電子部品に限定されるものではない。近年、多様化している種々の電子部品に使用することができる。本発明は、本発明の異方性導電フィルムを用いて電子部品同士を異方性導電接続する接続構造体の製造方法や、それにより得られた接続構造体、即ち、本発明の異方性導電フィルムにより電子部品同士が異方性導電接続されている接続構造体も包含する。

異方性導電フィルムを用いた電子部品の接続方法としては、異方性導電フィルムが導電粒子分散層３の単層からなる場合、各種基板などの第２電子部品に対し、異方性導電フィルムの導電粒子１が表面に埋め込まれている側から仮貼りして仮圧着し、仮圧着した異方性導電フィルムの導電粒子１が表面に埋め込まれていない側にＩＣチップ等の第１電子部品を合わせ、熱圧着することにより製造することができる。異方性導電フィルムの絶縁性樹脂層に熱重合開始剤と熱重合性化合物だけでなく、光重合開始剤と光重合性化合物（熱重合性化合物と同一でもよい）が含まれている場合、光と熱を併用した圧着方法でもよい。このようにすれば、導電粒子の不本意な移動は最小限に抑えることができる。また、導電粒子が埋め込まれていない側を第２電子部品に仮貼りして使用してもよい。尚、第２電子部品ではなく、第１電子部品に異方性導電フィルムを仮貼りすることもできる。

また、異方性導電フィルムが、導電粒子分散層３と第２の絶縁性樹脂層４の積層体から形成されている場合、導電粒子分散層３を各種基板などの第２電子部品に仮貼りして仮圧着し、仮圧着した異方性導電フィルムの第２の絶縁性樹脂層４側にＩＣチップ等の第１電子部品をアライメントして載置し、熱圧着する。異方性導電フィルムの第２の絶縁性樹脂層４側を第１電子部品に仮貼りしてもよい。また、導電粒子分散層３側を第１電子部品に仮貼りして使用することもできる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。

実施例１〜１１、比較例１〜２
（１）異方性導電フィルムの製造
表１に示した配合で、絶縁性樹脂層及び第２の絶縁性樹脂層を形成する樹脂組成物をそれぞれ調製した。

絶縁性樹脂層を形成する樹脂組成物をバーコーターでフィルム厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム上に塗布し、８０℃のオーブンにて５分間乾燥させ、ＰＥＴフィルム上に表２に示す厚さの絶縁性樹脂層を形成した。同様にして、第２の絶縁性樹脂層を、表２に示す厚さでＰＥＴフィルム上に形成した。

一方、導電粒子２が平面視で図１Ａに示す正方格子配列で粒子間距離が導電粒子の粒子径と等しくなり、導電粒子の個数密度が２８０００個／ｍｍ^２となるように、金型を作製した。即ち、金型の凸部パターンが正方格子配列で、格子軸における凸部のピッチが平均導電粒子径の２倍であり、格子軸と異方性導電フィルムの短手方向とのなす角度θが１５°となる金型を作製し、公知の透明性樹脂のペレットを溶融させた状態で該金型に流し込み、冷やして固めることで、凹みが図１Ａに示す配列パターンの樹脂型を形成した。

導電粒子として、金属被覆樹脂粒子(積水化学工業(株)、ＡＵＬ７０３、平均粒子径３μｍ)を用意し、この導電粒子を樹脂型の凹みに充填し、その上に上述の絶縁性樹脂層を被せ、６０℃、０．５ＭＰａで押圧することで貼着させた。そして、型から絶縁性樹脂層を剥離し、絶縁性樹脂層上の導電粒子を、加圧（押圧条件：６０〜７０℃、０．５Ｍｐａ）することで絶縁性樹脂層に押し込み、導電粒子分散層の単層からなる異方性導電フィルムを作製した（実施例６〜１１及び比較例２）。導電粒子の埋め込みの状態は、押し込み条件でコントロールした。なお、使用した金属被覆樹脂粒子のＣＶ値はＦＰＩＡ−３０００（マルバーン社）を用いて、粒子個数１０００個以上で測定したところ２０％以下であった。

また、同様に作製した導電粒子分散層に、第２の絶縁性樹脂層を積層することにより２層タイプの異方性導電フィルムを作製した（実施例１〜５、比較例１）。

（２）埋込状態
各実施例１〜１１及び比較例１〜２の異方性導電フィルムを、導電粒子を通る切断線で切断し、その断面を金属顕微鏡で観察した。また、導電粒子が異方性導電フィルムの表面に露出しているか、導電粒子が異方性導電フィルムのフィルム表面近傍にある実施例４〜１１、比較例２について、そのフィルム表面を金属顕微鏡で観察した。図１１Ａに実施例４の上面写真、図１１Ｂに実施例８の上面写真を示す。

実施例１〜６、９〜１１及び比較例１では、導電粒子が絶縁性樹脂層から露出しており、その導電粒子の周りの絶縁性樹脂層表面に傾斜２ｂが観察され、また、その周囲の表面部分（図１１Ａの点線の外側部分）が平坦であることが観察された。

実施例８では導電粒子が絶縁性樹脂層に完全に埋め込まれており、導電粒子が絶縁性樹脂層から露出していないが、導電粒子の真上の絶縁性樹脂層表面に起伏２ｃが観察され、また、その周囲の表面部分（図１１Ｂの点線の外側部分）が平坦であることが観察された。比較例２も導電粒子が樹脂層から露出していないが、樹脂層の表面は平坦で、導電粒子の真上の樹脂層表面にも起伏は観察されなかった。

なお、実施例７の異方性導電フィルムは、実施例６の傾斜と実施例８の起伏とが混在した例である。絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周りの絶縁性樹脂層表面に傾斜２ｂが観察され、また、その周囲の表面部分が平坦であることが観察された。他方、絶縁性樹脂層に完全に埋め込まれた導電粒子の真上の絶縁性樹脂層表面に起伏２ｃが観察され、その周囲の表面部分が平坦であることが観察された。

（３）評価
（１）で作製した実施例及び比較例の異方性導電フィルムに対し、以下のようにして（ａ）初期導通抵抗、（ｂ）導通信頼性、（ｃ）粒子捕捉性を測定ないし評価した。結果を表２に示す。

（ａ）初期導通抵抗
各実施例及び比較例の異方性導電フィルムを、導通特性の評価用ＩＣとガラス基板との間に挟み、加熱加圧（１８０℃、６０ＭＰａ、５秒）して各評価用接続物を得、得られた評価用接続物の導通抵抗を測定した。初期導通抵抗は、実用上Ｂ評価以上であれば好ましく、Ａ評価であれば更により好ましい。

ここで、評価用ＩＣとガラス基板は、それらの端子パターンが対応しており、サイズは次の通りである。また、評価用ＩＣとガラス基板を接続する際には、異方性導電フィルムの長手方向とバンプの短手方向を合わせた。

導通特性の評価用ＩＣ
外形 １．８×２０．０ｍｍ
厚み ０．５ｍｍ
バンプ仕様 サイズ３０×８５μｍ、バンプ間距離５０μｍ、バンプ高さ１５μｍ

ガラス基板（ＩＴＯ配線）
ガラス材質 コーニング社製１７３７Ｆ
外径 ３０×５０ｍｍ
厚み ０．５ｍｍ
電極 ＩＴＯ配線

初期導通抵抗評価基準
Ａ ０．３Ω未満
Ｂ ０．３Ω超１Ω未満
Ｃ １Ω以上

（ｂ）導通信頼性
（ａ）で作製下評価用接続物を、温度８５℃、湿度８５％ＲＨの恒温槽に５００時間おいた後の導通抵抗を、初期導通抵抗と同様に測定した。導通信頼性は、実用上Ｂ評価以上であれば好ましく、Ａ評価であれば更により好ましい。

導通信頼性評価基準
Ａ ２．５Ω以下
Ｂ ２．５Ω超５Ω未満
Ｃ ５Ω以上

（ｃ）粒子捕捉性
粒子捕捉性の評価用ＩＣを使用し、この評価用ＩＣと、端子パターンが対応するガラス基板（ＩＴＯ配線）とを、アライメントを６μｍずらして加熱加圧（１８０℃、６０ＭＰａ、５秒）し、評価用ＩＣのバンプと基板の端子とが重なる６μｍ×６６．６μｍの領域の１００個について導電粒子の捕捉数を計測し、最低捕捉数を求め、次の基準で評価した。実用上、Ｂ評価以上であることが好ましい。

粒子捕捉性の評価用ＩＣ
外形 １．６×２９．８ｍｍ
厚み ０．３ｍｍ
バンプ仕様 サイズ１２×６６．６μｍ、バンプピッチ２２μｍ（Ｌ／Ｓ＝１２μｍ／１０μｍ）、バンプ高さ１２μｍ

粒子捕捉性評価基準
Ａ ５個以上
Ｂ ３個以上５個未満
Ｃ ３個未満

表２から、導電粒子の埋込率が６０〜１０５％の間にあり、導電粒子が絶縁性樹脂層から突出し、かつ傾斜２ｂを有する実施例１〜３や、導電粒子が絶縁性樹脂層に完全に埋まり、かつ起伏２ｃを有する実施例８は初期導通抵抗及び導通信頼性が共にＡ評価であり、粒子捕捉性の評価も良好であるが、埋込率がこの範囲にあり導電粒子が絶縁性樹脂層から突出していても傾斜２ｂが無い比較例１と、導電粒子が絶縁性樹脂層に完全に埋まり、起伏２ｃが無い比較例２は粒子捕捉性がＣ評価であり、接続時に導電粒子が保持できず、ファインピッチ接続には対応できないことがわかる。このことから、絶縁性樹脂層２の表面が導電粒子１の形状に沿って隆起していると異方性導電接続時に導電粒子が樹脂流動の影響を受け易くなり、また導電粒子の端子への押し込みが不足することが推察できる。

また、上述の実施例１〜３、８は絶縁性樹脂層の最低溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以上、６０℃溶融粘度が３０００Ｐａ・ｓ以上であるが、比較例１、２は最低溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ、６０℃溶融粘度が１５００Ｐａ・ｓであり、導電粒子の押し込み条件の調整により押し込み時の粘度が低くなったために傾斜２ｂ、起伏２ｃが形成されなかったことがわかる。

実施例４、５と実施例６〜９から、異方性導電フィルムを導電粒子分散層と第２の絶縁性樹脂層の２層タイプとした場合も、導電粒子分散層の単層とした場合も、粒子捕捉性の評価が実用上良好であることがわかる。

実施例３と実施例４、５から、異方性導電フィルムを導電粒子分散層と第２の絶縁性樹脂層の２層タイプとする場合に、絶縁性樹脂層の導電粒子を押し込んだ面に第２の絶縁性樹脂層を積層した場合も、それと反対側に第２の絶縁性樹脂層を積層した場合も粒子捕捉性の評価が実用上良好であることがわかる。

なお、実施例４、５の異方性導電フィルムの導電粒子が露出している表面に希釈した同一の樹脂組成物を噴霧し、その表面を略平坦にしたものについて、同様の評価をしたところ、略同等の結果が得られた。

全ての実施例の初期導通を測定した評価物において、特開２０１６−０８５９８３号公報の開示内容と同様にして、バンプ間１００個におけるショート数を確認したが、ショートしているものはなかった。また、全ての実施例において特開２０１６−０８５９８２号公報の開示内容と同様にしてショート発生率を求めたが、全て５０ｐｐｍ未満であり実用上問題がないことを確認した。なお、導電粒子を絶縁性樹脂中に混練してランダムに分散させた異方性導電フィルムの場合、これよりも大きい桁数のショート発生率となる。これは特許文献２の比較例２や、特許文献３の比較例２などを参照すれば確認できる。

なお、傾斜と起伏とが混在する実施例７の異方性導電フィルムは、実施例６と８と同等の結果が得られた。即ち、実施例６〜８は、傾斜もしくは起伏が導電粒子の直上に存在することにより、その効果を発揮していることを分かり易く表したものであるとも言い換えることができ、本発明の趣旨を体現した態様であるといえる。実施例６〜８で同等の効果が得られたということは、異方性導電フィルムの製造においてマージンを広くとれるということであるので、コストの低減化や設計変更の迅速化など、様々な効果が見込まれ、産業上のメリットが大きい。

１ 導電粒子
１ａ 導電粒子の頂部
２ 絶縁性樹脂層
２ａ 絶縁性樹脂層の表面
２ｂ 傾斜
２ｃ 起伏
２ｆ 平坦な表面部分
２ｐ 接平面
３ 導電粒子分散層
４ 第２の絶縁性樹脂層
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、１０Ｇ、１０Ｈ、１０Ｉ 実施例の異方性導電フィルム
２０ 端子
Ａ 導電粒子の配列の格子軸
Ｄ 導電粒子径
Ｌａ 絶縁性樹脂層の層厚
Ｌｂ 埋込量（隣接する導電粒子間の中央部における接平面からの導電粒子の最深部の距離）
Ｌｃ 露出径
θ 端子の長手方向と導電粒子の配列の格子軸とのなす角度

Claims (16)

1. 導電粒子分散層を有する異方性導電フィルムであって、
   該導電粒子分散層は導電粒子が絶縁性樹脂層に分散してなり、
   導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有し、
   該傾斜では、導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が前記接平面に対して欠けており、
   該起伏では、導電粒子直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、該導電粒子直上の絶縁性樹脂層の表面が前記接平面にあるとしたときに比して少なく、
   導電粒子の粒子径のＣＶ値が２０％以下である異方性導電フィルム。
2. 導電粒子分散層を有する異方性導電フィルムであって、
   該導電粒子分散層は導電粒子が絶縁性樹脂層に分散してなり、
   導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有し、
   導電粒子の粒子径のＣＶ値が２０％以下であり、
   前記接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子の粒子径Ｄとの割合（Ｌｂ/Ｄ）が６０％以上１０５％以下である異方性導電フィルム。
3. 絶縁性樹脂層から露出している導電粒子の周囲の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されている請求項１又は２記載の異方性導電フィルム。
4. 絶縁性樹脂層から露出することなく絶縁性樹脂層内に埋まっている導電粒子の直上の絶縁性樹脂層の表面に傾斜もしくは起伏が形成されている請求項１又は２記載の異方性導電フィルム。
5. 絶縁性樹脂層の層厚Ｌａと導電粒子の粒子径Ｄとの比（Ｌａ/Ｄ）が０．６〜１０である請求項１〜４のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
6. 導電粒子が互いに非接触で配置されている請求項１〜５のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
7. 導電粒子の最近接粒子間距離が導電粒子径の０．５倍以上４倍以下である請求項１〜６のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
8. 絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面と反対側の表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項１〜７のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
9. 絶縁性樹脂層の傾斜もしくは起伏が形成されている表面に、第２の絶縁性樹脂層が積層されている請求項１〜７のいずれかに記載の異方性導電フィルム。
10. 第２の絶縁性樹脂層の最低溶融粘度が絶縁性樹脂層の最低溶融粘度よりも低い請求項８又は９に記載の異方性導電フィルム。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の異方性導電フィルムにより第１の電子部品と第２の電子部品が異方性導電接続されている接続構造体。
12. 第１の電子部品と第２の電子部品を異方性導電フィルムを介して熱圧着することにより第１の電子部品と第２の電子部品を異方性導電接続した接続構造体を製造する方法であって、異方性導電フィルムとして請求項１〜１０のいずれかに記載の異方性導電フィルムを使用して第１の電子部品と第２の電子部品を異方性導電接続する接続構造体の製造方法。
13. 導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を形成する工程を有する異方性導電フィルムの製造方法であって、
    導電粒子分散層を形成する工程が、
    粒子径のＣＶ値が２０％以下の導電粒子を、該導電粒子が絶縁性樹脂層表面に分散した状態で保持させる工程と、
    絶縁性樹脂層表面に保持させた導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程を有し、
    導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む工程において、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有し、該傾斜では導電粒子の周りの絶縁性樹脂層の表面が前記接平面に対して欠け、該起伏では導電粒子直上の絶縁性樹脂層の樹脂量が、該導電粒子直上の絶縁性樹脂層の表面が前記接平面にあるとしたときに比して少なくなるように、導電粒子を押し込むときの絶縁性樹脂層の粘度、押込速度又は温度を調整する異方性導電フィルムの製造方法。
14. 導電粒子が絶縁性樹脂層に分散している導電粒子分散層を形成する工程を有する異方性導電フィルムの製造方法であって、
    導電粒子分散層を形成する工程が、
    粒子径のＣＶ値が２０％以下の導電粒子を、該導電粒子が絶縁性樹脂層表面に分散した状態で保持させる工程と、
    絶縁性樹脂層表面に保持させた導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程を有し、
    導電粒子を絶縁性樹脂層に押し込む工程において、導電粒子近傍の絶縁性樹脂層の表面が、隣接する導電粒子間の中央部における絶縁性樹脂層の接平面に対して傾斜もしくは起伏を有し、該接平面からの導電粒子の最深部の距離Ｌｂと、導電粒子の粒子径Ｄとの割合（Ｌｂ/Ｄ）が６０％以上１０５％以下となるように押し込み時の押圧力、絶縁性樹脂層の粘度、押込速度、又は温度を調整する異方性導電フィルムの製造方法。
15. 導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配列で保持させ、
    導電粒子を該絶縁性樹脂層に押し込む工程において、導電粒子を平板又はローラーで絶縁性樹脂層に押し込む請求項１３又は１４記載の異方性導電フィルムの製造方法。
16. 導電粒子を絶縁性樹脂層表面に保持させる工程において、転写型に導電粒子を充填し、その導電粒子を絶縁性樹脂層に転写することにより絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を所定の配置で保持させる請求項１５記載の異方性導電フィルムの製造方法。

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