CN115710367B - 含填料膜 - Google Patents

Abstract

一种在树脂层中分散有填料的含填料膜，在含填料膜与物品的压接时抑制因树脂层的不必要的流动引起的填料的不必要流动。含填料膜10A具有于树脂层2中分散有填料1的填料分散层3。在填料分散层3中，填料1附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面2p具有倾斜2b或者起伏2c。该填料1的粒径的CV值为20%以下。

Description

含填料膜

本申请的原案申请日为2017年10月12日、原案申请号为201780061886.2 (国际申请号为PCT/JP2017/036993)、发明名称为“含填料膜”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及含填料膜。

背景技术

在树脂层中分散有填料的含填料膜被用于消光膜、电容器用膜、光学膜、标签用膜、抗静电用膜、各向异性导电膜等多种多样的用途(专利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4)。从光学特性、机械特性或电气特性的角度考虑，期望在将含填料膜热压接于作为该含填料膜的被粘体的物品时，抑制会形成含填料膜的树脂的不必要的树脂流动，从而抑制填料的偏集存在。特别是，在含有导电粒子作为填料，将含填料膜制成用于IC芯片等电子部件的安装的各向异性导电膜的情况下，若以能够应对电子部件的高密度安装的方式使导电粒子以高密度分散于绝缘性树脂层，则以高密度分散的导电粒子在电子部件的安装时会因树脂流动而不必要地移动，从而在端子间偏集存在，成为发生短路的主要原因。

对此，为了减少短路、同时改善将各向异性导电膜临时压接于基板时的操作性，提出了以单层埋入有导电粒子的光固化性树脂层与绝缘性粘接剂层层叠而成的各向异性导电膜(专利文献5)。作为该各向异性导电膜的使用方法，在光固化性树脂层未固化而具有粘性的状态下进行临时压接，接着使光固化性树脂层光固化而将导电粒子固定化，然后将基板与电子部件正式压接。

另外，为了达成与专利文献5同样的目的，还提出了在主要由绝缘性树脂构成的第二连接层与第三连接层之间夹持有第一连接层的三层结构的各向异性导电膜(专利文献6、7)。具体而言，专利文献6的各向异性导电膜中，第一连接层具有导电粒子沿绝缘性树脂层的第二连接层侧的平面方向以单层排列的结构，相邻导电粒子间的中央区域的绝缘性树脂层厚比导电粒子附近的绝缘性树脂层厚要薄。另一方面，专利文献7的各向异性导电膜具有第一连接层与第三连接层的边界起伏的结构，第一连接层具有导电粒子沿绝缘性树脂层的第三连接层侧的平面方向以单层排列的结构，相邻导电粒子间的中央区域的绝缘性树脂层厚比导电粒子附近的绝缘性树脂层厚要薄。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-15680号公报；

专利文献2：日本特开2015-138904号公报；

专利文献3：日本特开2013-103368号公报；

专利文献4：日本特开2014-183266号公报；

专利文献5：日本特开2003-64324号公报；

专利文献6：日本特开2014-060150号公报；

专利文献7：日本特开2014-060151号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

然而，专利文献5所记载的各向异性导电膜存在如下问题：在各向异性导电连接的临时压接时导电粒子容易移动，各向异性导电连接后无法维持各向异性导电连接前的导电粒子的精密配置，或者无法使导电粒子间的距离充分隔开。另外，若在将这样的各向异性导电膜与基板临时压接后使光固化性树脂层光固化、并将埋入有导电粒子的经光固化树脂层与电子部件贴合，则存在着在电子部件的凸点的端部难以捕捉导电粒子的问题，或导电粒子的压入需要过度大的力、可能无法充分压入导电粒子的问题。另外，在专利文献5中，从为了改善导电粒子的压入而使导电粒子从光固化性树脂层露出的观点等出发的研究也并不充分。

因此，考虑代替光固化性树脂层，在各向异性导电连接时的加热温度下达到高粘度的绝缘性树脂层中分散导电粒子，从而抑制各向异性导电连接时的导电粒子的流动性，同时提高将各向异性导电膜与电子部件粘贴时的操作性。然而，即使在这样的绝缘性树脂层中暂时精密地配置导电粒子，若在各向异性导电连接时树脂层流动，则导电粒子也会同时流动，因此难以充分实现端子中的导电粒子的捕捉性的提高或短路的减少，还难以使各向异性导电连接后的导电粒子维持最初的精密配置，也难以使导电粒子彼此保持隔开的状态。

另外，在专利文献6、7所记载的三层结构的各向异性导电膜的情况下，虽然关于基本点的各向异性导电连接特性没有发现问题，但由于是三层结构，从制造成本的观点出发，谋求减少制造工时。另外，在第一连接层单面的导电粒子附近，第一连接层整体或其一部分沿着导电粒子的外形大幅隆起，形成第一连接层的绝缘性树脂层本身并不平坦，且在该隆起的部分保持有导电粒子，因此用于导电粒子的保持与提高基于端子的捕捉性的设计上的制约有增多的可能。

相对于此，本发明的课题在于：在以各向异性导电膜为代表的含填料膜中，即使不以三层结构为必需、另外即使在保持导电粒子等填料的树脂的该填料附近不使树脂层的整体或其一部分较填料的外形大幅隆起，也要抑制在含填料膜的热压接时的因树脂层的流动引起的填料的不必要流动，特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜构成的情况下，要提高导电粒子的捕捉性、且减少短路。

用于解决课题的手段

关于具有在树脂层中分散有导电粒子等填料的填料分散层的含填料膜，本发明人对于树脂层的填料附近的表面形状与树脂层粘度的关系得到了以下的见解。即，专利文献5所记载的各向异性导电膜中，埋入有导电粒子的一侧的绝缘性树脂层(即，光固化性树脂层)本身的表面变得平坦，相对于此，(i)在导电粒子等填料从树脂层露出的情况下，若使填料周围的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面以凹陷的方式倾斜，则形成其树脂层表面的一部分缺损的状态，其结果，在将含填料膜压接于物品以使填料接合于物品时，可以减少有可能妨碍填料与物品的接合的不必要的树脂；另外，(ii)在填料没有从树脂层露出而是埋入树脂层内的情况下，若在填料正上方的树脂层上形成相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面认为是填料的埋入痕迹的如波浪般的微小起伏(以下，只记作起伏)，则由于该起伏的凹陷部分的树脂量变少，将含填料膜压接于物品时填料容易被压入物品中；(iii)因此，若经由含填料膜压接相向的2个物品，则发现被相向的物品夹持的填料与该物品良好地连接，换言之，物品中的填料的捕捉性、或者被物品夹持的填料的压接前后的配置状态的一致性提高，进而含填料膜的产品检查、或使用面的确认变容易。此外还发现：在通过将填料压入树脂层来形成填料分散层的情况下，树脂层中的这样的凹陷可以通过调整要压入填料的树脂层的粘度来形成。

本发明乃是基于上述见解的发明，提供含填料膜，其为具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜，

其中，填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或者起伏；

在该倾斜中，填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，

在该起伏中，与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比，填料正上方的树脂层的树脂量减少，

填料粒径的CV值为20%以下。

另外，本发明提供含填料膜的制造方法，其是具有形成在树脂层中分散有填料的填料分散层的工序的含填料膜的制造方法，其中，

形成填料分散层的工序具有：使粒径的CV值为20%以下的填料保持在树脂层表面的工序；以及

将树脂层表面所保持的填料压入该树脂层的工序，

使填料保持在树脂层表面的工序中，形成填料在树脂层表面分散的状态，将填料压入树脂层的工序中，填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，调整压入填料时的树脂层的粘度、压入速度或温度，使在该倾斜中填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损、而在该起伏中填料正上方的树脂层的树脂量与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比减少。

发明效果

本发明的含填料膜具有在树脂层中分散有填料的填料分散层。在该含填料膜中，填料附近的形成填料分散层的表面的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面以凹陷的方式倾斜，或者相对于该切面具有起伏。更具体而言，在填料从树脂层露出的情况下，露出的填料周围的树脂层具有倾斜，在填料没有从树脂层露出而是埋入该树脂层内的情况下，填料正上方的树脂层具有起伏。需要说明的是，在埋入树脂层内的填料以一点与该树脂层表面相接的情况下也可存在起伏。

该倾斜和起伏形成于通过本发明的含填料膜的制造方法制造的含填料膜。即，根据本发明的含填料膜的制造方法，通过将填料压入树脂层，而将填料埋入该树脂层内。因此，在填料附近，根据埋入的程度，存在着填料整体被埋入树脂层而在填料正上方存在该树脂层的树脂的情形(例如参照图4、图6)；或者填料的顶部从树脂层露出，填料附近的树脂层受到填料的埋入的拖曳而进入内部的情形(例如参照图1B、图2)，另外还存在两者混合存在的情形。若从形成机理的角度阐述，则倾斜是填料附近的树脂层受到填料的埋入的拖曳而进入内部从而形成于填料周围的斜面。另外，在因填料的埋入而使得填料整体埋入树脂层的情况下，起伏是作为其埋入痕迹而形成于填料正上方的树脂层表面的波浪。

这样，由于倾斜和起伏是在将填料压入粘度较高的树脂层的情况下形成的，因此树脂层中的倾斜或者起伏的存在意味着该树脂层为能够形成倾斜或者起伏的高粘度。若树脂层为高粘度，则在含填料膜与物品的热压接时能够抑制不必要的树脂流动，能够抑制填料因树脂流动而流动。而且，由于热压接时成为填料与物品接合的障碍的树脂不存在或者减少，即使树脂层为高粘度，树脂层也不会对物品与填料的接合带来妨碍。

另外，若树脂层由能够形成倾斜或者起伏的高粘度的树脂形成，则通过使树脂层本身的厚度变薄，并将其树脂层与粘度低于该树脂层的第二树脂层层叠，能够维持将含填料膜热压接于物品时的含填料膜的粘接性能、并且抑制热压接时的填料的不必要的流动。使树脂层变薄还会带来容易取得连接工具的加热加压条件的余地(margin)的效果。若填料粒径的偏差小，则所述效果得到更显著的发挥。在本发明中，由于填料粒径的CV值低至20%以下，所以可以充分发挥上述效果。

而且，由于树脂层的倾斜或起伏存在于填料附近，所以在制造含填料膜时通过观察含填料膜的外观，即可容易地判定填料的分散状态是否良好。

若树脂层中具有上述的倾斜或起伏，则还可得到以下效果：在作为含填料膜的被粘附体的物品上从该含填料膜的填料侧压接含填料膜的情况下，可以减少树脂层的不必要的流动。因此，例如在含填料膜作为各向异性导电膜来构成的情况下，在将第一电子部件和第二电子部件经由各向异性导电膜进行热压接的各向异性导电连接时，可以将不必要的树脂流动的影响降到最低限，各向异性导电连接时的导电粒子的捕捉性得到提高。

另外，由于倾斜的原因，与专利文献6或7相比，填料附近的树脂量减少至仅具有倾斜的程度。因此，将含填料膜压接于物品时树脂流动变少，同时填料容易压住物品。此外，经由含填料膜压接2个物品时，树脂难以对夹持填料、或者填料压塌成扁平形成阻碍。另外，按照填料周围的树脂量因倾斜而减少的程度，使与填料的不必要的流动相关的树脂流动减少。因此，物品的填料捕捉性提高，特别是，在将含填料膜构成为各向异性导电膜的情况下，端子中的导电粒子的捕捉性提高，由此导通可靠性提高。

在埋入绝缘性树脂层内的导电粒子的正上方的绝缘性树脂层具有起伏的情况也和具有倾斜的情况同样，在各向异性导电连接时来自端子的按压力容易施加给导电粒子。这是由于：因起伏所伴随的凹陷，导电粒子正上方的树脂量减少且存在。因此，与树脂在导电粒子的正上方平坦堆积的情况(参照图8)相比，端子中的导电粒子的捕捉性提高，导通可靠性提高。

如上所述，根据本发明的含填料膜，在作为含填料膜的被粘附体的物品上压接含填料膜时，可以抑制不必要的树脂流动，由此还可以抑制填料的不必要的流动，提高填料与物品的接合性。

因此，若将本发明的含填料膜作为各向异性导电膜来构成、且使用该各向异性导电膜将第一电子部件和第二电子部件连接，则端子上的导电粒子不易流动。因此，导电粒子的捕捉性提高，可以精密地控制各向异性导电连接时的导电粒子的配置。因此，例如可用于端子宽度为6μm~50μm、端子间的间隔为6μm~50μm的细间距的电子部件的连接。另外，导电粒子的大小为小于3μm(例如2.5~2.8μm)时，如果有效连接端子宽度(连接时相向的一对端子的宽度中，俯视下重叠部分的宽度)为3μm以上、最短端子间距离为3μm以上，则可以连接电子部件而不会发生短路。

另外，由于可以精密控制导电粒子的配置，因此在连接标准间距的电子部件的情况下，可以使导电粒子的配置区域、或变更了导电粒子的个数密度的区域的布局与各种电子部件的端子的布局对应。

此外，本发明的含填料膜中，若埋在树脂层内的填料正上方的树脂层具有由上述起伏形成的凹陷，则通过含填料膜的外观观察明确判断填料的位置，因此容易通过外观进行产品检查，也容易识别膜面的正反。因此，将含填料膜压接于物品时，容易进行“将含填料膜的哪个膜面贴合于物品”的使用面的确认。在制造含填料膜的情况下，也可得到同样的优点。

此外，根据本发明的含填料膜，未必需要使树脂层光固化以固定填料的配置，因此，将含填料膜压接于物品时，树脂层可具有粘性。因此，将含填料膜与物品临时压接时的操作性提高，临时压接后再压接第二物品时，操作性也会提高。

另一方面，根据本发明的含填料膜的制造方法，调整将填料埋入树脂层时的该树脂层的粘度等，使于树脂层上形成上述的倾斜或者起伏。因此，可以容易地制造发挥上述效果的本发明的含填料膜。

附图简述

[图1A] 图1A是显示作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10A的导电粒子的配置的平面图。

[图1B] 图1B是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10A的截面图。

[图2] 图2是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10B的截面图。

[图3A] 图3A是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10C的截面图。

[图3B] 图3B是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10C’的截面图。

[图4] 图4是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10D的截面图。

[图5] 图5是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10E的截面图。

[图6] 图6是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10F的截面图。

[图7] 图7是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10G的截面图。

[图8] 图8是成为本发明的含填料膜的比较例的各向异性导电膜10X的截面图。

[图9] 图9是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10H的截面图。

[图10] 图10是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜10I的截面图。

[图11A] 图11A是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜的上表面照片。

[图11B] 图11B是作为本发明的含填料膜的一个方案的实施例的各向异性导电膜的上表面照片。

具体实施方式

以下，边参照附图边对本发明的含填料膜之一例进行详细说明。需说明的是，各图中，相同符号表示相同或同等的构成要素。

<含填料膜的整体构成>

图1A是说明本发明的一个实施例的含填料膜10A的粒子配置的平面图，图1B是其X-X截面图。该含填料膜10A用作各向异性导电膜，作为填料1的导电粒子分散于绝缘性的树脂层2中。

该含填料膜10A可设为例如长度为5m以上的长条的膜形态，也可以设为卷绕在卷绕芯上的卷装体。

含填料膜10A由填料分散层3构成，填料分散层3中，填料1以露出于树脂层2的单面的状态规则地分散。在膜的俯视下填料1相互不接触，在膜厚方向填料1也相互不重叠而规则地分散，形成填料1的膜厚方向的位置对齐的单层填料层。

在各填料1的附近，于该填料1周围的树脂层2的表面2a上，相对于相邻填料间的中央部的树脂层2的切面2p形成倾斜2b。需要说明的是，如后所述，本发明的含填料膜中，在埋入树脂层2中的填料1的正上方的树脂层表面也可形成起伏2c(图4、图6)。

本发明中，“倾斜”是指，在填料1的附近或周围树脂层2的表面平坦性受损、相对于上述切面2p树脂层的一部分缺损，从而导致树脂量减少的状态。另一方面，“起伏”是指，在导电粒子正上方的树脂层表面具有波浪、存在着波浪所伴随的凹陷部分，从而导致树脂减少的状态。这可以通过在树脂层的表面对比相当于填料正上方的部位和填料间的平坦的表面部分(图1B、4、6的2f。图11A的2b的外侧、图11B的2c的外侧。)来识别。需要说明的是，有时起伏的起始点还以倾斜的形式存在。

＜填料的分散状态＞

本发明中的填料的分散状态既包括填料1无规地分散的状态也包括其规则配置地分散的状态。任一种情况下，在抑制将含填料膜热压接于作为含填料膜的被粘附体的物品时的填料的不必要流动方面，都优选膜厚方向的位置对齐，特别是在以含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，从电子部件的端子中的导电粒子的捕捉稳定性方面考虑优选。在此，膜厚方向的填料1的位置对齐并不限于膜厚方向的单一深度对齐，还包括树脂层2的正反界面或其附近分别存在导电粒子的方案。

为了使含填料膜的光学、机械或电特性均匀，特别是在以填料作为导电粒子、将含填料膜构成为各向异性导电膜的情况下，为了兼顾端子中的导电粒子的捕捉稳定性和短路的抑制，优选填料1在膜的俯视下规则地排列。排列的方案没有特别限定，例如，可以设为在膜的俯视下如图1A所示的正方格子排列。此外，作为填料的规则排列的方案，可以列举长方格子、斜方格子、六方格子、三角格子等格子排列。也可为是将多个不同形状的格子组合的方案。作为填料排列的方案，也可以将填料以规定间隔排成了直线状的粒子列以规定的间隔并列。另外，也可以是在膜的规定方向上规则地存在填料的空缺的方案。

通过将填料1设为互不接触、形成格子状等的规则排列，将含填料膜压接于物品时，可以对各填料1均匀地施加压力，减少连接状态的偏差。另外，通过使填料的空缺在膜的长边方向反复存在、或者使填料的空缺部位在膜的长边方向上逐渐增加或减少，可进行批次管理，也可赋予含填料膜和使用其的连接结构体追踪能力(可进行追踪的性质)。这对于含填料膜或使用其的连接结构体的防止伪造、真假判定、防止不正当利用等也有效。

因此，在将含填料膜构成为各向异性导电膜的情况下，通过将导电粒子形成相互不接触的规则排列，可以减小使用各向异性导电膜将第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接时的导通电阻的偏差。需要说明的是，填料是否形成规则的排列，例如可以通过观察填料的规定配置是否在薄膜的长边方向重复来判别。另外，在将含填料膜构成为各向异性导电膜的情况下，为了兼顾使用各向异性导电膜将第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接时的端子中的导电粒子的捕捉稳定性和短路抑制，更优选导电粒子在薄膜的俯视下规则地排列、且膜厚方向的位置对齐。

另一方面，在连接的电子部件的端子间间隔宽而不易发生短路的情况下，也可以不使导电粒子规则地排列，而是在以不会妨碍导通的程度具有导电粒子时使其无规地分散。

在使填料规则排列的情况下，其排列的格子轴或排列轴可以相对于含填料膜的长边方向或者与长边方向垂直的方向平行，也可以与含填料膜的长边方向交叉，可以根据要压接含填料膜的物品而定。例如，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，规则排列的导电粒子的格子轴或者排列轴可以根据通过各向异性导电膜连接的端子宽度、端子间距、布局等进行确定。更具体而言，在将含填料膜作为细间距用的各向异性导电膜的情况下，如图1A所示，使导电粒子1的格子轴A相对于各向异性导电膜10A的长边方向斜向，将通过各向异性导电膜10A连接的端子20的长边方向(膜的短边方向)与格子轴A所成的角度θ优选设为6˚~84˚，更优选设为11˚~74˚。

在含填料膜中填料间的距离也可以根据要连接的物品来确定，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，作为填料1的导电粒子的粒子间距离可以根据通过各向异性导电膜连接的端子的大小或端子间距适当确定。例如，在使各向异性导电膜对应于细间距的COG(玻璃载芯片，Chip On Glass)的情况下，从防止发生短路方面考虑，优选最接近填料间距离(即最接近粒子间距离)为导电粒子直径D的0.5倍以上，更优选大于0.7倍。另一方面，最接近填料间距离的上限可以根据含填料膜的目的而决定，例如，从含填料膜的制造上的难易度方面考虑，可以将最接近粒子间距离设为导电粒子直径D的优选100倍以下、更优选50倍以下。另外，从各向异性导电连接时的端子中的导电粒子1的捕捉性方面考虑，优选将最接近粒子间距离设为导电粒子直径D的4倍以下，更优选设为3倍以下。

另外，本发明的含填料膜中，将通过下式算出的填料的面积占有率优选设为0.3%以上，以体现含填料的效果。

面积占有率(%)=[俯视下填料的个数密度]×[1个填料的俯视面积的平均值]×100

该面积占有率成为用于将含填料膜压接于物品的按压夹具(治具)所必需的推力的指标。如后所述，从抑制用于将含填料膜压接于物品的按压夹具所必需的推力的角度考虑，面积占有率优选为35%以下，更优选为30%以下。

在此，作为填料的个数密度的测定区域，优选任意设定多处(优选5处以上、更优选10处以上)的一边为100μm以上的矩形区域，且将测定区域的总计面积设为2mm²以上。各区域的大小或数目根据个数密度的状态适当调整即可。作为细间距用途的各向异性导电膜的个数密度较大的情形之一例，对于从含填料膜中任意选择的面积为100μm×100μm的区域的200处(2mm²)，使用基于金属显微镜等的观测图像测定个数密度，将其进行平均，从而可以得到上述式中的“俯视下的填料的个数密度”。在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，面积为100μm×100μm的区域在凸点间间隔为50μm以下的连接对象物中成为存在1个以上的凸点的区域。

需要说明的是，只要面积占有率在上述范围内，则个数密度的值没有特别限制，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，在实用上个数密度为30个/mm²以上即可，优选150~70000个/mm²，特别是在细间距用途的情况下优选为6000~42000个/mm²，更优选为10000~40000个/mm²，进一步优选为15000~35000个/mm²。

填料的个数密度除了如上所述使用金属显微镜观察而求出以外，也可利用图像分析软件(例如，WinROOF、三谷商事株式会社等)测量观察图像来求出。观察方法或测量方法并不限于上述。

另外，1个填料的俯视面积的平均值是通过测量膜面的基于金属显微镜或SEM等电子显微镜等的观测图像而求出。也可使用图像分析软件。观察方法和测量方法不限于上述。

如上所述，面积占有率优选为35%以下、更优选为30%以下，这是基于以下理由。即，以往在各向异性导电膜中，为了应对细间距，在不发生短路的范围内缩窄导电粒子的粒子间距离、提高个数密度。然而，若随着电子部件的端子个数增加、每个电子部件的连接总面积变大，而提高导电粒子的个数密度，则用于将各向异性导电膜热压接于电子部件的按压夹具所必需的推力会增大，担心现有的按压夹具会产生按压变得不充分的问题。这样的按压夹具所必需的推力的问题并不限于各向异性导电膜，对所有的含填料膜都是共同的。相对于此，在本发明中，通过将面积占有率如上所述优选设为35%以下、更优选设为30%以下，来抑制用于将含填料膜热压接于物品的按压夹具所必需的推力。

＜填料＞

在本发明中，填料1是根据含填料膜的用途从公知的无机系填料(金属、金属氧化物、金属氮化物等)、有机系填料(树脂粒子、橡胶粒子等)、有机系材料与无机系材料混合存在的填料(例如，芯由树脂材料形成、表面镀有金属的粒子(金属包覆树脂粒子)、在导电粒子的表面附着有绝缘性微粒的填料、导电粒子的表面进行了绝缘处理的填料等)中，根据硬度、光学性能等用途所要求的性能适当选择。例如，光学膜或消光膜中可以使用二氧化硅填料、氧化钛填料、苯乙烯填料、丙烯酸类填料、蜜胺填料或各种钛酸盐等。电容器用膜中可以使用氧化钛、钛酸镁、钛酸锌、钛酸铋、氧化镧、钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡、钛酸锆酸钡、钛酸锆酸铅和它们的混合物等。粘接膜中可以含有聚合物系的橡胶粒子、有机硅橡胶粒子等。各向异性导电膜中可以含有导电粒子。作为导电粒子，可以列举镍、钴、银、铜、金、钯等金属粒子、焊料等合金粒子、金属包覆树脂粒子、表面附着有绝缘性微粒的金属包覆树脂粒子等。也可并用2种以上。其中，从连接后树脂粒子回弹而容易维持与端子的接触、导通性能稳定的角度考虑，优选金属包覆树脂粒子。另外，也可通过公知技术对导电粒子的表面实施不妨碍导通特性的绝缘处理。上述的按用途列举的填料并不限于该用途，根据需要，其他用途的含填料膜也可含有。另外，在各用途的含填料膜中，根据需要可以并用2种以上的填料。

填料的形状根据含填料膜的用途从球形、椭圆球、柱状、针状、它们的组合等中适当选择确定。从填料配置的确认变得容易、容易维持均等状态的角度考虑，优选球形。特别是，在各向异性导电膜中，导电粒子优选为近似圆球。通过使用近似圆球的粒子作为导电粒子，例如，如日本特开2014-60150号公报所记载，使用转印模制造排列有导电粒子的各向异性导电膜时，在转印模上导电粒子顺利地转印，因此可以在转印模上的规定位置高精度地填充导电粒子。因此，可以精确地配置导电粒子。

这里，近似圆球是指通过下式算出的圆球度为70～100。

圆球度={1﹣(So﹣Si)/So}×100

上式中，So是填料的平面图像中的该填料的外接圆的面积，Si是填料的平面图像中的该填料的内接圆的面积。

在该计算方法中，在含填料膜的平面视野和截面中拍摄填料的平面图像，在各平面图像中测量任意的100个以上(优选200个以上)填料的外接圆面积和内接圆面积，求出外接圆面积的平均值和内接圆面积的平均值，优选作为上述的So、Si。另外，在平面视野和截面中，均优选圆球度在上述范围内。平面视野和截面的圆球度之差优选为20以内，更优选为10以内。含填料膜的生产时的检查主要是平面视野，热压接于物品后的详细的好坏判定在平面视野和截面两者中进行，因此优选圆球度之差小者。需要说明的是，如果是填料单体，则该圆球度还可以使用湿式流式粒径・形状分析装置FPIA-3000(Malvern公司)来求出。

填料的粒径D根据含填料膜的用途适当确定。例如，在各向异性导电膜中，为了可以应对布线高度的偏差、另外抑制导通电阻的上升且抑制短路的发生，优选为1μm以上且30μm以下、更优选为2.5μm以上且9μm以下。根据连接对象物，有时是大于9μm的填料适合。

需要说明的是，分散于树脂层2之前的填料的粒径D可以通过普通的粒度分布测定装置进行测定，另外，平均粒径也可使用粒度分布测定装置来求出。作为粒度分布测定装置之一例，可以列举FPIA-3000(Malvern公司)。另一方面，含填料膜中的填料的粒径D可以由SEM等的电子显微镜观察来求出。这种情况下，希望将要测定粒径D的样品数设为200以上。另外，在填料的形状不是球形的情况下，可以将最大长度或模仿球形的形状的直径记为填料的粒径D。

本发明中，将含填料膜中的填料的粒径D的偏差的CV值(标准偏差/平均)设为20%以下。通过将CV值设为20%以下，在将含填料膜压接于物品时含填料膜容易均匀地被按压，特别是在排列有填料的情况下可以防止按压力局部集中，可有助于连接的稳定性。另外，连接后可以根据压痕精确地进行连接状态的评价。具体而言，在将含填料膜作为各向异性导电膜来构成的情况下，在各向异性导电膜与电子部件的各向异性导电连接后的检查中，无论端子尺寸是大(FOG等)还是小(COG等)，均可根据压痕精确地进行连接状态的确认。因此，各向异性导电连接后的检查变得容易，可以期待提高连接工序的产率。

在此，粒径的偏差可以通过图像型粒度分析装置等算出。含填料膜中不含的、作为含填料膜的原料粒子的填料的粒径也可以使用上述的湿式流式粒径・形状分析装置FPIA-3000(Malvern公司)来求出。这种情况下，只要测定的填料个数为1000个以上、优选3000个以上、更优选5000个以上，即可准确地掌握填料单体的偏差。在含填料膜中配置有填料的情况下，和上述圆球度同样可以通过平面图像或者截面图像来求出。

＜树脂层＞

(树脂的粘度)

在本发明中，对树脂层2的最低熔融粘度没有特别限定，可以根据含填料膜的用途或含填料膜的制造方法等适当确定。例如，在可以形成上述的倾斜2b或者起伏2c的范围内，可以通过含填料膜的制造方法设为1000Pa・s左右。另一方面，作为含填料膜的制造方法，在进行将填料以规定的配置保持在树脂层表面、并将该填料压入树脂层的方法时，从树脂层可进行膜成型的角度考虑，优选将树脂的最低熔融粘度设为1100Pa・s以上。

另外，如后述的含填料膜的制造方法中所说明的，从如图1B等所示在压入树脂层2的填料1的露出部分的周围形成倾斜2b、或者如图4和图6所示在压入树脂层2的填料1的正上方的树脂层表面形成起伏2c的角度考虑，最低熔融粘度优选1500Pa・s以上、更优选2000Pa・s以上、进一步优选3000~15000Pa・s、特别优选3000~10000Pa・s。作为一例，该最低熔融粘度可以利用旋转式流变仪(TA instruments公司制造)，在测定压力5g下保持恒定，使用直径为8mm的测定板来求出，更具体而言，可以通过在温度范围30~200℃下，设定升温速度为10℃/分钟、测定频率为10Hz、对上述测定板的荷重变动为5g而求出。

通过将树脂层2的最低熔融粘度设为1500Pa・s以上的高粘度，可以在含填料膜向物品的热压接时抑制填料的不必要的移动，特别是在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，可以防止各向异性导电连接时应夹持在端子间的导电粒子1因树脂流动而流动。

另外，在通过将填料1压入树脂层2来形成含填料膜10A的填料分散层3的情况下，关于压入填料1时的树脂层2，在将填料1压入树脂层2使填料1从树脂层2露出时，树脂层2发生塑性变形，成为使在填料1的周围的树脂层2形成倾斜2b(图1B)的高粘度的粘性体，或者，在压入填料1使填料1不从树脂层2露出而是埋入树脂层2中时，成为使在填料1的正上方的树脂层2的表面形成起伏2c(图4、图6)的高粘度的粘性体。因此，关于树脂层2在60℃下的粘度，其下限优选为3000Pa・s以上、更优选为4000Pa・s以上、进一步优选为4500Pa・s以上，其上限优选为20000Pa・s以下、更优选为15000Pa・s以下、进一步优选为10000Pa・s以下。该测定可以通过与最低熔融粘度同样的测定方法进行，抽取温度为60℃的值而求出。

关于将填料1压入树脂层2时的该树脂层2的具体的粘度，根据要形成的倾斜2b、起伏2c的形状或深度等，下限优选为3000Pa・s以上、更优选为4000Pa・s以上、进一步优选为4500Pa・s以上，上限优选为20000Pa・s以下、更优选为15000Pa・s以下、进一步优选为10000Pa・s以下。另外，这样的粘度是在优选40~80℃、更优选50~60℃下得到的。

如上所述，通过在从树脂层2露出的填料1的周围形成倾斜2b(图1B)，对于含填料膜向物品压接时产生的填料1的扁平化，从树脂层2受到的阻力与没有倾斜2b的情形相比减少。因此，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，各向异性导电连接时端子中的导电粒子的夹持变得容易，由此导通性能提高、另外端子中的导电粒子的捕捉性提高。

倾斜2b优选沿着填料的露出部分的外形。这是由于，除了连接中的倾斜的效果更容易体现以外，也容易识别填料，由此含填料膜的制造中的产品检查等容易进行。

另外，通过在不从树脂层2露出而埋入的填料1的正上方的树脂层2的表面形成起伏2c(图4、图6)，与倾斜的情形同样，向物品压接时容易对填料施加来自物品的按压力。另外，通过具有起伏的凹陷，与填料正上方的树脂平坦的情形相比，填料正上方的树脂量减少，因此压接时填料正上方的树脂容易被排除，物品与填料的连接状态变得良好。特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，各向异性导电连接时端子与导电粒子容易接触，因此端子中的导电粒子的捕捉性提高、导通可靠性提高。

倾斜2b和起伏2c有时会因对树脂层进行热压等而消失其一部分，本发明包括这种情况。另外，填料有时会在树脂层的表面在一点处露出，在该一点的周围存在倾斜或起伏，本发明也包括这种情况。这些方案根据含填料膜的用途或要热压接的物品适当选择。即，本发明的含填料膜的设计自由度高，根据需要可以减小倾斜或起伏的程度、或者使倾斜或起伏中的一部分消失后使用。

(树脂层的层厚)

本发明的含填料膜中，树脂层2的层厚La与填料1的粒径D之比(La/D)优选0.6~10。在此，填料的粒径D是指其平均粒径。若树脂层2的层厚La过大，则含填料膜向物品压接时填料容易位置偏移。因此，在将含填料膜作为光学膜的情况下，光学特性会产生偏差。另外，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，与电子部件进行了各向异性导电连接的端子中的导电粒子的捕捉性下降。若La/D超过10则该倾向显著。因此La/D更优选8以下、进一步更优选6以下。反之，若树脂层2的层厚La过小而使La/D小于0.6，则难以通过树脂层2将填料1维持于规定的粒子分散状态或者规定的排列。特别是，在含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，要连接的端子为高密度COG时，绝缘性树脂层2的层厚La与导电粒子的粒径D之比(La/D)优选为0.6～3，更优选为0.8～2。另一方面，在含填料膜为各向异性导电膜的情况下，由于要连接的电子部件的凸点布局等而认为发生短路的风险低时，关于比(La/D)的下限，也可设为0.25以上。

(树脂层的组成)

在本发明中，树脂层2可以由热塑性树脂组合物、高粘度粘着性树脂组合物或固化性树脂组合物形成。构成树脂层2的树脂组合物根据含填料膜的用途适当选择，另外，是否将树脂层2设为绝缘性也根据含填料膜的用途来决定。

在此，固化性树脂组合物例如可以由含有热聚合性化合物和热聚合引发剂的热聚合性组合物形成。热聚合性组合物中根据需要也可以含有光聚合引发剂。

在并用热聚合引发剂和光聚合引发剂的情况下，可以使用既作为热聚合性化合物也作为光聚合性化合物发挥功能的化合物，也可在热聚合性化合物之外还含有光聚合性化合物。优选在热聚合性化合物之外还含有光聚合性化合物。例如，作为热聚合引发剂使用阳离子系固化引发剂、作为热聚合性化合物使用环氧树脂，作为光聚合引发剂使用光自由基聚合引发剂、作为光聚合性化合物使用丙烯酸酯化合物。

作为光聚合引发剂，也可以含有与波长不同的光反应的多种。由此，在含填料膜的制造时，用于将树脂层膜化的树脂的光固化和含填料膜压接于物品时的树脂的光固化中使用的波长可以分开使用。

在含填料膜的制造时进行光固化的情况下，可以使树脂层所含的光聚合性化合物的全部或一部分光固化。通过该光固化，树脂层2中的填料1的配置保持乃至固定化。因此，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，可见短路的抑制和端子中的导电粒子的捕捉性的提高。另外，通过该光固化，也可适当调整含填料膜的制造工序中的树脂层的粘度。

树脂层中的光聚合性化合物的掺混量优选30质量%以下、更优选10质量%以下、进一步优选小于2质量%。这是由于：若光聚合性化合物过多，则将含填料膜压接于物品时压入所耗费的推力增加。

作为热聚合性组合物的例子，可以列举：含有(甲基)丙烯酸酯化合物和热自由基聚合引发剂的热自由基聚合性丙烯酸酯系组合物，含有环氧化合物和热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧系组合物等。也可使用含有热阴离子聚合引发剂的热阴离子聚合性环氧系组合物，以代替含有热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧系组合物。另外，只要不产生特别的障碍，则可并用多种聚合性化合物。作为并用例，可以列举热阳离子聚合性化合物和热自由基聚合性化合物的并用等。

在此，作为(甲基)丙烯酸酯化合物，可以使用以往公知的热聚合型(甲基)丙烯酸酯单体。例如，可以使用单官能(甲基)丙烯酸酯系单体、二官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯系单体。

作为热自由基聚合引发剂，例如可以列举有机过氧化物、偶氮系化合物等。特别是，可以优选使用不会发生导致气泡的氮的有机过氧化物。

关于热自由基聚合引发剂的使用量，若过少则固化不良、若过多则产品寿命降低，因此相对于100质量份的(甲基)丙烯酸酯化合物，优选为2~60质量份、更优选为5~40质量份。

作为环氧化合物，可以列举：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、它们的改性环氧树脂、脂环式环氧树脂等，可以并用它们的2种以上。另外，除了环氧化合物以外还可并用氧杂环丁烷化合物。

作为热阳离子聚合引发剂，可以采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂而公知的化合物，例如，通过热而产生酸的碘鎓盐、锍盐、鏻盐、二茂铁类等，特别是，可以优选使用对温度显示良好的潜伏性的芳香族锍盐。

关于热阳离子聚合引发剂的使用量，过少则有固化不良的倾向、过多则有产品寿命降低的倾向，因此相对于100质量份的环氧化合物，优选为2~60质量份、更优选为5~40质量份。

作为热阴离子聚合引发剂，可以使用通常所用的公知的固化剂。例如，有机酸二酰肼、双氰胺、胺化合物、聚酰胺胺化合物、氰酸酯化合物、酚树脂、酸酐、羧酸、叔胺化合物、咪唑、路易斯酸、布朗斯特酸盐、聚硫醇系固化剂、脲树脂、蜜胺树脂、异氰酸酯化合物、封端异氰酸酯化合物等，可以从它们中单独使用1种、或组合2种以上使用。这些之中，优选使用以咪唑改性体为核、在其表面包覆聚氨酯而形成的微胶囊型潜伏性固化剂。

热聚合性组合物优选含有成膜树脂或硅烷偶联剂。作为成膜树脂，可以列举：苯氧树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等，可以并用它们的2种以上。这些之中，从制膜性、加工性、连接可靠性的角度考虑，可以优选使用苯氧树脂。重均分子量优选为10000以上。另外，作为硅烷偶联剂，可以列举环氧系硅烷偶联剂、丙烯酸系硅烷偶联剂等。这些硅烷偶联剂主要是烷氧基硅烷衍生物。

在热聚合性组合物中，为了调整熔融粘度，除上述的填料1外还可含有绝缘性填料。这可以列举二氧化硅粉、氧化铝粉等。绝缘性填料优选粒径为20~1000nm的微小填料，另外，掺混量相对于100质量份的环氧化合物等热聚合性化合物(光聚合性化合物)优选设为5~50质量份。除填料1外含有的绝缘性填料在含填料膜的用途为各向异性导电膜的情况下优选使用，但根据用途也可以不是绝缘性的，例如也可以含有导电性的微小填料。在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，在形成填料分散层的树脂层中根据需要可以适当含有与填料1不同的更微小的绝缘性填料(所谓纳米填料)。

本发明的含填料膜中，除上述的绝缘性或导电性的填料外还可含有填充剂、软化剂、促进剂、抗老化剂、着色剂(颜料、染料)、有机溶剂、离子捕捉剂等。

(树脂层的厚度方向上的填料的位置)

本发明的含填料膜中，如上所述，树脂层2的厚度方向上的填料1的位置可以是填料1从树脂层2露出、也可不露出而埋入树脂层2内，但填料的最深部距相邻填料间的中央部的切面2p的距离(以下称为埋入量)Lb与填料的粒径D之比(Lb/D)(以下称为埋入率)优选为60%以上且105%以下。

通过将埋入率(Lb/D)设为60%以上，填料1通过树脂层2维持在规定的粒子分散状态或者规定的排列，另外，通过设为105%以下，可以减少含填料膜与物品压接时以使填料不必要地移动的方式起作用的树脂层的树脂量。

需要说明的是，在本发明中，埋入率(Lb/D)的数值是指，含填料膜中所含的全部填料数的80%以上、优选90%以上、更优选96%以上成为该埋入率(Lb/D)的数值。因此，埋入率为60%以上且105%以下是指，含填料膜中所含的全部填料数的80%以上、优选90%以上、更优选96%以上的埋入率为60%以上且105%以下。

如此，通过使全部填料的埋入率(Lb/D)一致，将含填料膜压接于物品时的按压负荷(加重)均匀地施加给填料。因此，将含填料膜压接于物品并贴合而成的膜粘贴体可以确保光学特性、机械特性等品质的均匀性。另外，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，各向异性导电连接时端子中的导电粒子的捕捉状态变得良好、导通的可靠性提高。

埋入率(Lb/D)可以通过从含填料膜中任意抽取10处以上的面积为30mm²以上的区域，在SEM图像中观察该膜截面的一部分，测量合计50个以上的填料来求出。为了进一步提高精度，也可以测量200个以上的填料来求出。

另外，埋入率(Lb/D)的测量也可以通过在平面视野图像中进行焦点调整，对一定程度的个数一并求出。或者，埋入率(Lb/D)的测量也可使用激光式辨别位移传感器(Keyence制造等)。

(埋入率为60%以上且小于100%的方案)

作为埋入率(Lb/D)为60%以上且105%以下的填料1的更具体的埋入方案，首先，可以列举：如图1B所示的含填料膜10A那样，填料1以从树脂层2露出的方式以埋入率60%以上且小于100%埋入的方案。该含填料膜10A中，树脂层2的表面中与从该树脂层2露出的填料1相接的部分及其附近相对于相邻填料间的中央部的树脂层的表面2a的切面2p具有凹陷的倾斜2b，该凹陷形成大致沿着填料的外形的棱线。

这样的倾斜2b或者起伏2c(图4、图6)，在通过将填料1压入树脂层2来制造含填料膜的情况下，将压入填料1时的树脂层2的粘度的下限设为优选3000Pa・s以上、更优选4000Pa・s以上、进一步优选4500Pa・s以上，上限设为优选20000Pa・s以下、更优选15000Pa・s以下、进一步优选10000Pa・s以下。另外，这样的粘度在优选40~80℃、更优选50~60℃下得到。

(埋入率为100%的方案)

其次，本发明的含填料膜中，作为埋入率(Lb/D)为100%的方案，可以列举：如图2所示的含填料膜10B那样，填料1周围具有与图1B所示的含填料膜10A同样的形成大致沿着填料外形的棱线的倾斜2b、且从树脂层2露出的填料1的露出直径Lc比填料1的粒径D小的方案；如图3A所示的含填料膜10C那样，填料1的露出部分周围的倾斜2b在填料1附近陡峭地显现、且填料1的露出直径Lc与填料的粒径D大致相等的方案；如图4所示的含填料膜10D那样，树脂层2的表面有浅的起伏2c、且填料1在其顶部1a的这一点从树脂层2露出的方案。

需要说明的是，也可与填料的露出部分周围的树脂层2的倾斜2b、或填料正上方的树脂层2的起伏2c相邻而形成微小的突出部分2q。其一例见图3B的含填料膜10C’。

这些含填料膜10B、10C、10C’、10D的埋入率为100%，因此填料1的顶部1a与树脂层2的表面2a在一个面上对齐。若填料1的顶部1a与树脂层2的表面2a在一个面上对齐，则与如图1B所示填料1从树脂层2突出的情况相比，在含填料膜与物品的热压接时在各填料周边膜厚方向的树脂量难以变得不均匀，具有可以减少因树脂流动引起的填料移动的效果。需要说明的是，即使埋入率不是严格的100%，若埋入树脂层2的填料1的顶部与树脂层2的表面以成为一个面的程度对齐，则也可得到该效果。换言之，在埋入率(Lb/D)大致为80~105%、特别是90~100%的情况下，埋入树脂层2的填料1的顶部与树脂层2的表面可称为一个面，可以减少因树脂流动引起的填料的移动。

这些含填料膜10B、10C、10C’、10D中，就10D而言，因为填料1周围的树脂量难以变得不均匀，所以可以消除因树脂流动引起的填料的移动，另外，即使是顶部1a这一点，填料1也会从树脂层2露出，因此填料与物品容易接合，在含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，可以期待端子中的导电粒子1的捕捉性也好、还不易发生导电粒子的轻微移动的效果。因此，该方案特别是在细间距或凸点间间隔窄的情况下有效。

需要说明的是，如后所述，倾斜2b、起伏2c的形状或深度不同的含填料膜10B(图2)、10C(图3A)、10D(图4)可以通过改变压入填料1时的树脂层2的粘度等来制造。

(埋入率超过100%的方案)

本发明的含填料膜中，在埋入率超过100%的情况下，可以列举：如图5所示的含填料膜10E那样，填料1露出、在其露出部分周围的树脂层2中有相对于切面2p的倾斜2b的方案；或者，如图6所示的含填料膜10F那样，在填料1正上方的树脂层2的表面有相对于切面2p的起伏2c的方案。

需要说明的是，在填料1的露出部分周围的树脂层2中有倾斜2b的含填料膜10E(图5)和在填料1正上方的树脂层2中有起伏2c的含填料膜10F(图6)可以通过改变制造它们之际压入填料1时的树脂层2的粘度等来制造。

若压接图5所示的含填料膜10E和物品，则填料1由物品直接按压，因此物品与填料容易接合，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，端子中的导电粒子的捕捉性提高。另外，若压接图6所示的含填料膜10F和物品，则填料1不直接按压物品，而是经由树脂层2进行按压，但按压方向上存在的树脂量与图8的状态(即，填料1以超过100%的埋入率埋入，填料1不从树脂层2露出，且树脂层2的表面为平坦的状态)相比要少，所以容易对填料施加按压力。因此，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，在各向异性导电连接时会阻碍端子间的导电粒子1因树脂流动而不必要地移动。

从容易得到上述的填料的露出部分周围的树脂层2的倾斜2b(图1B、图2、图3A、图3B、图5)、或填料正上方的树脂层2的起伏2c(图4、图6)的效果的角度考虑，填料1的露出部分周围的倾斜2b的最大深度Le与填料1的粒径D之比(Le/D)优选小于50%、更优选小于30%、进一步优选为20~25%，填料1的露出部分周围的倾斜2b的最大直径Ld与填料1的粒径D之比(Ld/D)优选为100%以上、更优选为100~150%，填料1正上方的树脂中的起伏2c的最大深度Lf与填料1的粒径D之比(Lf/D)大于0、优选小于10%、更优选为5%以下。

需要说明的是，填料1的露出直径(即，露出部分的直径)Lc可设为填料1的粒径D以下，优选为填料的粒径D的10~90%。如图4所示，可以设为在填料1的顶部的一点露出，也可设为填料1完全埋入树脂层2内，露出直径Lc为0。

另一方面，若存在埋入树脂层2的填料1的顶部与树脂层2的表面为大致一个面、且倾斜2b或起伏2c所产生的凹陷深度(凹陷的最深部距相邻填料间的中央部的切面的距离)为粒径的10%以上的填料(以下，只称为“与树脂层一个面且凹陷深度为10%以上的填料”)局部集中的区域，则即使含填料膜的性能或品质没有问题，外观有时也会受损。另外，若使这样的区域的倾斜2b或起伏2c朝向物品而将含填料膜与物品贴合，则倾斜2b或起伏2c有时会导致贴合后的鼓起等。例如，在含填料膜为各向异性导电膜的情况下，若与绝缘性树脂层2为一个面且倾斜或起伏所产生的凹陷深度为10%以上的导电粒子集中存在于一个凸点，则与凸点连接后有时会产生鼓起，产生导通性的降低。因此，在距与树脂层2为一个面且凹陷深度为10%以上的任意填料为填料粒径的200倍以内的区域，相对于总填料数，与树脂层为一个面且凹陷深度为10%以上的填料数的比例优选为50%以内、更优选为40%以内、进一步优选为30%以内。相对于此，在该比例超过50%的区域，优选在含填料膜的表面进行撒树脂等以使倾斜2b或起伏2c所产生的凹陷变浅。这种情况下，撒的树脂优选粘度低于形成树脂层2的树脂，另外，希望要撒的树脂的浓度被稀释至撒后可确认树脂层2的凹陷的程度。通过如此地使倾斜2b或起伏2c所产生的凹陷变浅，可以改善上述的外观或鼓起的问题。

需要说明的是，如图7所示，在埋入率(Lb/D)小于60%的含填料膜10G中，填料1容易在树脂层2上滚动，因此在含填料膜与物品的压接时会使填料与物品的连接状态变得良好，所以特别是在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，从提高各向异性导电连接时的端子中的导电粒子的捕捉率的角度考虑，优选将埋入率(Lb/D)设为60%以上。

另外，在埋入率(Lb/D)超过100%的方案中，在如图8所示的比较例的含填料膜10X那样树脂层2的表面平坦的情况下，在含填料膜与物品的热压接时，介于填料1和端子之间的树脂量变得过多，另外，填料1不是直接按压物品、而是经由树脂层按压物品，填料因树脂流动而变得容易流动。

本发明中，树脂层2表面的倾斜2b、起伏2c的存在可以通过用扫描型电子显微镜观察含填料膜的截面来确认，也可在平面视野观察中确认。也可用光学显微镜、金属显微镜观察倾斜2b、起伏2c。另外，倾斜2b、起伏2c的大小可以通过图像观察时的焦点调整等确认。如上所述，即使在通过热压使倾斜或起伏减少以后，也可按照与上述同样的方法确认残留的倾斜或起伏。

<含填料膜的变形方案>

(第二树脂层)

本发明的含填料膜也可以如图9所示的含填料膜10H那样，在填料分散层3的树脂层2的形成有倾斜2b的面上层叠优选最低熔融粘度低于该树脂层2的第二树脂层4。第二树脂层和后述的第三树脂层成为其树脂层本身不含分散于填料分散层3中的填料1的层。另外，也可以如图10所示的含填料膜10I那样，在填料分散层3的树脂层2的未形成倾斜2b的面上层叠最低熔融粘度低于该树脂层2的第二树脂层4。形成起伏2c以代替倾斜2b的情形也同样。

第二树脂层4也可根据含填料膜的用途制成绝缘性或导电性。若层叠第二树脂层4，则在经由含填料膜热压接相向的两个物品的情况下，可以提高它们的粘接性，特别是，将含填料膜作为具有绝缘性树脂层作为第二树脂层的各向异性导电膜、且将电子部件进行各向异性导电连接时，可以用第二树脂层填充由电子部件的电极或凸点形成的空间，提高电子部件彼此的粘接性。

在使用具有第二树脂层4的含填料膜将相向的物品彼此连接的情况下，优选无论第二树脂层4是否位于倾斜2b的形成面上，均使第二树脂层4位于用热压接工具进行加压的物品侧；在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，优选使第二树脂层4位于用热压接工具进行加压的IC芯片等第一电子部件侧(换言之，树脂层2位于担载于载台的基板等的第二电子部件侧)。通过如此操作，可以避免填料的非本意的移动，在各向异性导电膜中可以提高各向异性导电连接时的导电粒子的捕捉性。即使倾斜2b为起伏2c也同样。需要说明的是，在使用各向异性导电膜连接第一电子部件和第二电子部件的情况下，通常是将IC芯片等第一电子部件设为按压夹具侧、将基板等第二电子部件设为载台侧，将各向异性导电膜与第二电子部件临时压接后，将第一电子部件与第二电子部件正式压接，但根据第二电子部件的压接区域的尺寸等，在将各向异性导电膜临时粘贴于第一电子部件之后，将第一电子部件和第二电子部件正式压接。

树脂层2与第二树脂层4的最低熔融粘度越存在差异，经由含填料膜连接的两个物品间的空间越容易被第二树脂层4填充。因此，在将第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接的情况下，由电子部件的电极或凸点形成的空间容易被第二绝缘性树脂层4填充，可期待提高电子部件彼此的粘接性的效果。另外，越存在该差异，导电粒子分散层中保持导电粒子的绝缘性树脂层2的移动量相对于第二树脂层4就相对越小，因此端子中的导电粒子的捕捉性容易提高。

树脂层2与第二树脂层4的最低熔融粘度比在实用上还取决于树脂层2与第二树脂层4的层厚的比率，但优选为2以上、更优选为5以上、进一步优选为8以上。另一方面，若该比过大，则在将长条的含填料膜制成卷装体的情况下，有产生树脂的溢出或粘连的担忧，因此在实用上优选为15以下。更具体而言，第二树脂层4的优选的最低熔融粘度满足上述比率，并且为3000Pa・s以下，更优选为2000Pa・s以下，特别优选为100~2000Pa・s。

需要说明的是，第二树脂层4可以通过在与树脂层2同样的树脂组合物中调整粘度而形成。

第二树脂层4的厚度可以根据含填料膜的用途适当设定。由于该厚度具有会受到要热压接的物品或热压接条件影响的部分，因此没有特别限定，从不过度增加第二树脂层4的层叠工序的难度的角度考虑，通常优选设为填料粒径的0.2~50倍。另外，在将含填料膜作为各向异性导电膜10H、10I的情况下，第二树脂层4的层厚优选为4~20μm，另外优选为导电粒子直径的1~8倍。

另外，将树脂层2与第二树脂层4合在一起的含填料膜10H、10I整体的最低熔融粘度根据含填料膜的用途、或树脂层2与第二树脂层4的厚度的比率等来确定，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，实用上设为8000Pa・s以下，为了容易对凸点间进行填充，可以设为200～7000Pa・s，优选为200～4000Pa・s。

(第三树脂层)

本发明的含填料膜中，也可以与第二树脂层4夹持树脂层2而在相反侧设置第三树脂层。第三树脂层也可根据含填料膜的用途制成绝缘性或导电性。例如，在将含填料膜作为具有绝缘性的第三树脂层的各向异性导电膜的情况下，可以使该第三树脂层作为粘性层发挥作用。在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，与第二树脂层同样，第三树脂层也可以是为了填充由电子部件的电极或凸点形成的空间而设置。

第三树脂层的树脂组成、粘度和厚度可以和第二树脂层同样或不同。将树脂层2、第二树脂层4和第三树脂层叠在一起的含填料膜的最低熔融粘度没有特别限制，可以设为8000Pa・s以下，也可以是200~7000Pa・s，还可以设为200~4000Pa・s。

(其他的层叠方案)

根据含填料膜的用途，可以层叠填料分散层，也可以如第二树脂层那样使不含填料的层介于层叠的填料分散层之间，并且可以在最外层设置第二树脂层或第三树脂层。

＜含填料膜的制造方法＞

本发明的含填料膜的制造方法具有形成在树脂层中分散有填料的填料分散层的工序。形成该填料分散层的工序具有：使填料以特定的面积占有率保持在树脂层表面的工序；以及将树脂层所保持的填料压入该树脂层的工序。

其中，在使填料保持在树脂层表面的工序中，将树脂层表面所保持的填料的粒径的CV值设为20%以下。另外，将填料保持在树脂层表面，使填料在树脂层表面分散、并且通过下式算出的填料的面积占有率为0.3%以上。

面积占有率(%)=[俯视下的填料的个数密度]×[1个填料的俯视面积的平均值]×100

另一方面，在将树脂层所保持的填料压入该树脂层的工序中，以填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏的方式，将树脂层表面所保持的填料压入树脂层。

要压入填料的树脂层只要可以形成上述的倾斜2b或者起伏2c即可，没有特别限定，优选将最低熔融粘度设为1100Pa・s以上、将60℃下的粘度设为3000Pa・s以上。其中，最低熔融粘度优选1500Pa・s以上、更优选2000Pa・s以上、进一步优选3000～15000Pa・s、特别优选为3000～10000Pa・s，60℃下的粘度的下限优选3000Pa・s以上、更优选4000Pa・s以上、进一步优选为4500Pa・s以上，上限优选20000Pa・s以下、更优选15000Pa・s以下、进一步优选为10000Pa・s以下。

在含填料膜由填料分散层3的单层形成的情况下，本发明的含填料膜例如可以通过以规定的排列将填料1保持在树脂层2的表面、再用平板或辊将该填料1压入树脂层来制造。需要说明的是，在制造埋入率超过100%的含填料膜的情况下，也可使用具有与填料的排列对应的凸部的压板进行压入。

在此，树脂层2中的填料1的埋入量可以通过压入填料1时的按压力、温度等来调整。另外，倾斜2b、起伏2c的形状和深度可以通过压入时的树脂层2的粘度、压入速度、温度等来调整。

作为将填料1保持于树脂层2的方法，可以采用公知的方法。例如，在树脂层2上直接撒填料1；或者，将填料1以单层附着在可以双轴拉伸的膜上，将该膜双轴拉伸，并对该经拉伸的膜按压树脂层2而将填料转印到树脂层2，由此将填料1保持于树脂层2。另外，通过在转印模中填充填料、并将该填料转印到树脂层2，也可以将填料1保持于树脂层2。

在使用转印模将填料1保持于树脂层2的情况下，作为转印模，例如可以使用：通过光刻法等公知的开口形成方法对硅、各种陶瓷、玻璃、不锈钢等金属等的无机材料或各种树脂等的有机材料等形成了开口的转印模；应用了印刷法的转印模。另外，转印模可以形成板状、辊状等形状。需要说明的是，本发明不限于上述方法。

另外，可以在压入有填料的树脂层的该压入侧的表面、或其相反面上层叠粘度低于树脂层的第二树脂层。

为了通过工业生产线经济地进行含填料膜与物品的压接，含填料膜优选制造成一定程度的长条。因此含填料膜的长度制造成优选5m以上、更优选10m以上、进一步优选25m以上。另一方面，若含填料膜过长，则难以使用现有的压接装置，操作性也差。因此，关于含填料膜，其长度制造成优选5000m以下、更优选1000m以下、进一步优选500m以下。另外，从操作性优异的角度考虑，这种长条的含填料膜优选制成卷绕于卷芯的卷装体。

＜含填料膜的使用方法＞

本发明的含填料膜可以和以往的含填料膜同样贴合在物品上使用，只要可以贴合含填料膜即可，对物品没有特别限定。可以根据含填料膜的用途通过压接、优选通过热压接而粘贴于各种物品。该贴合时可利用光照射，也可并用热和光。例如，在含填料膜的树脂层对要贴合该含填料膜的物品具有充分的粘着性的情况下，通过将含填料膜的树脂层轻轻压到物品上，即可得到含填料膜粘贴于一个物品表面而成的膜粘贴体。这种情况下，物品的表面不限于平面，可以有凹凸，也可以作为整体是弯曲的。在物品为膜状或平板状的情况下，也可以使用压接辊将含填料膜贴合于物品。由此，还可以将含填料膜的填料与物品直接接合。

另外，也可以使含填料膜介于相向的第一物品和第二物品之间，利用热压接辊或压接工具将相向的2个物品连接，使填料夹持在该物品间。另外，也可以不使填料与物品直接接触，而是通过物品夹入含填料膜。

另外，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，可以使用热压接工具将各向异性导电膜用于IC芯片、IC模块、FPC等第一电子部件与FPC、玻璃基板、塑料基板、刚性基板、陶瓷基板等第二电子部件的各向异性导电连接。也可使用本发明的各向异性导电膜堆叠IC芯片或晶片进行多层化。需要说明的是，用本发明的各向异性导电膜连接的电子部件不限于上述的电子部件。近年来，可用于多样化的各种电子部件。

因此，本发明包含：本发明的含填料膜通过热压接被粘贴于各种物品而得到的粘贴体、粘贴体的制造方法。特别是，在将含填料膜作为各向异性导电膜的情况下，还包含使用各向异性导电膜将第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接的连接结构体的制造方法、由此得到的连接结构体，即，第一电子部件和第二电子部件通过本发明的各向异性导电膜进行各向异性导电连接而得到的连接结构体。

作为使用了各向异性导电膜的电子部件的连接方法，在各向异性导电膜由导电粒子分散层3的单层构成的情况下，对于各种基板等第二电子部件，从各向异性导电膜的导电粒子1埋入表面的一侧临时粘贴并临时压接，在经临时压接的各向异性导电膜的导电粒子1未埋入表面的一侧组合IC芯片等第一电子部件并进行热压接，由此可以制造。在各向异性导电膜的绝缘性树脂层不仅含有热聚合引发剂和热聚合性化合物、还含有光聚合引发剂和光聚合性化合物(也可以与热聚合性化合物相同)的情况下，也可以是并用光和热的压接方法。只要如此操作，即可将导电粒子的非本意的移动抑制在最小限度。另外，也可将未埋入导电粒子的一侧临时粘贴于第二电子部件进行使用。尚需说明的是，也可以将各向异性导电膜临时粘贴于第一电子部件、而不是第二电子部件。

另外，在各向异性导电膜由导电粒子分散层3和第二绝缘性树脂层4的层叠体形成的情况下，将导电粒子分散层3临时粘贴于各种基板等第二电子部件并临时压接，将经临时压接的各向异性导电膜的第二绝缘性树脂层4侧对准IC芯片等第一电子部件并载置，进行热压接。也可以将各向异性导电膜的第二绝缘性树脂层4侧临时粘贴于第一电子部件。另外，也可以将导电粒子分散层3侧临时粘贴于第一电子部件进行使用。

实施例

以下，通过实施例，对作为本发明的含填料膜的一个方案的各向异性导电膜进行具体说明。

实施例1～11、比较例1～2

(1)各向异性导电膜的制造

按照表1所示的掺混，分别调制要形成绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层的树脂组合物。

使用刮棒涂布机在膜厚为50μm的PET膜上涂布要形成绝缘性树脂层的树脂组合物，在80℃的烘箱中干燥5分钟，于PET膜上形成表2所示厚度的绝缘性树脂层。同样操作，以表2所示的厚度于PET膜上形成第二绝缘性树脂层。

[表1]

另一方面，制作模具，使导电粒子1在俯视下为图1A所示的正方格子排列中粒子间距离与导电粒子的粒径相等，且导电粒子的个数密度达到28000个/mm²。即，制作模具，所述模具的凸部图案为正方格子排列、且格子轴上的凸部的间距是平均导电粒子直径(3μm)的2倍、格子轴与各向异性导电膜的短边方向(端子的长边方向)所成的角度θ为15°，将公知的透明性树脂的颗粒在熔融状态下注入该模具中，进行冷却而凝固，由此形成凹陷为图1A所示的排列图案的树脂模。

作为导电粒子，准备金属包覆的树脂粒子(积水化学工业株式会社、AUL703、平均粒径为3μm)，将该导电粒子填充在树脂模的凹陷中，在其上包覆上述的绝缘性树脂层，通过在60℃、0.5MPa下按压使之粘贴。然后，从模上剥离绝缘性树脂层，通过加压(按压条件：60~70℃、0.5MPa)将绝缘性树脂层上的导电粒子压入绝缘性树脂层中，制作由导电粒子分散层的单层构成的各向异性导电膜(实施例6~11和比较例2)。导电粒子的埋入状态由压入条件控制。需要说明的是，使用的金属包覆树脂粒子的CV值在使用FPIA-3000(Malvern公司)以粒子个数1000个以上进行测定时为20%以下。

如此操作而制造的各向异性导电膜中的导电粒子的面积占有率如下：

28000个/mm²×(1.5×1.5×3.14×10^-6)×100=19.8%。

另外，在同样制作的导电粒子分散层上层叠第二绝缘性树脂层，由此制作双层型的各向异性导电膜(实施例1~5、比较例1)。

(2)埋入状态

用穿过导电粒子的切割线切断各实施例1~11和比较例1~2的各向异性导电膜，用金属显微镜观察其截面。另外，对于导电粒子在各向异性导电膜的表面露出、或者导电粒子位于各向异性导电膜的膜表面附近的实施例4~11、比较例2，用金属显微镜观察其膜表面。图11A显示实施例4的上表面照片，图11B显示实施例8的上表面照片。

在实施例1～6、9～11和比较例1中，导电粒子从绝缘性树脂层露出。其中，在实施例1～6、9～11中，在其导电粒子周围的绝缘性树脂层表面观察到倾斜2b，观察到其周围的表面部分(图11A的虚线的外侧部分)平坦。另一方面，在比较例1中，在导电粒子周围没有观察到倾斜。

在实施例8中，导电粒子完全埋入绝缘性树脂层，导电粒子没有从绝缘性树脂层露出，但在导电粒子正上方的绝缘性树脂层表面观察到起伏2c，而且观察到其周围的表面部分(图11B的虚线的外侧部分)平坦。在比较例2中，埋入率略大于100%，导电粒子没有从树脂层露出，但树脂层的表面平坦，且在导电粒子正上方的树脂层表面也没有观察到起伏。

需要说明的是，实施例7的各向异性导电膜是实施例6的倾斜2b和实施例8的起伏2c混合存在的例子。在从绝缘性树脂层露出的导电粒子周围的绝缘性树脂层表面观察到倾斜2b，而且观察到其周围的表面部分平坦。另一方面，在完全埋入绝缘性树脂层的导电粒子的正上方的绝缘性树脂层表面观察到起伏2c，观察到其周围的表面部分平坦。

(3)评价

对于(1)中制作的实施例和比较例的各向异性导电膜，如下操作，测定或评价(a)初期导通电阻、(b)导通可靠性、(c)粒子捕捉性。结果见表2。

(a)初期导通电阻

将各实施例和比较例的各向异性导电膜以足以连接的面积截断，夹在导通特性评价用IC与玻璃基板之间，进行加热加压(180℃、60MPa、5秒)，获得各评价用连接物，利用四端子法测定所得的评价用连接物的导通电阻。初期导通电阻在实用上优选为B评价以上，更优选为A评价。即使是C评价，只要为2Ω以下，则实用上没有问题。

在此，就评价用IC与玻璃基板而言，它们的端子图案对应，尺寸如下。另外，在连接评价用IC和玻璃基板时，将各向异性导电膜的长边方向和凸点的短边方向重合。

导通特性的评价用IC

外形：1.8×20.0mm；

厚度：0.5mm；

凸点规格：尺寸30×85μm、凸点间距离50μm、凸点高度15μm。

玻璃基板(ITO布线)

玻璃材质：Corning公司制造的1737F；

外形：30×50mm；

厚度：0.5mm；

电极：ITO布线。

初期导通电阻评价标准

A：0.3Ω以下；

B：超过0.3Ω且小于1Ω；

C：1Ω以上。

(b)导通可靠性

与初期导通电阻同样地测定将(a)中制作的评价用连接物在温度85℃、湿度85%RH的恒温槽中放置500小时后的导通电阻。导通可靠性在实用上优选为B评价以上，更优选为A评价。即使是C评价，只要为6Ω以下，则实用上没有问题。

导通可靠性评价标准

A：2.5Ω以下；

B：超过2.5Ω且小于5Ω；

C：5Ω以上。

(c)粒子捕捉性

使用粒子捕捉性的评价用IC，将该评价用IC与端子图案所对应的玻璃基板(ITO布线)的对准偏移6μm，进行加热加压(180℃、60MPa、5秒)，对于评价用IC的凸点与基板的端子重叠的100个6μm×66.6μm的区域测量导电粒子的捕捉数，求出最低捕捉数，按照以下标准进行评价。实用上优选为B评价以上。

粒子捕捉性的评价用IC

外形：1.6×29.8mm；

厚度：0.3mm；

凸点规格：尺寸12×66.6μm、凸点间距22μm(L/S=12μm/10μm)、凸点高度12μm。

粒子捕捉性评价标准

A：5个以上；

B：3个以上且小于(少于)5个；

C：小于3个。

[表2]

由表2可知：在导电粒子的埋入率为60~105%、导电粒子从绝缘性树脂层露出、且具有倾斜2b的实施例1~7、9及导电粒子完全埋入绝缘性树脂层、且具有起伏2c的实施例8中，初期导通电阻和导通可靠性均为A评价，粒子捕捉性的评价也良好；而在即使埋入率处于该范围、且导电粒子从绝缘性树脂层露出但不具有倾斜2b的比较例1和导电粒子以约100%的埋入率完全埋入绝缘性树脂层、且没有起伏2c的比较例2中，粒子捕捉性为C评价，连接时无法保持导电粒子，无法应对细间距连接。由此可以推测：若绝缘性树脂层2的表面在导电粒子1的周围或正上方平坦，则各向异性导电连接时导电粒子容易受到树脂流动的影响，而且导电粒子向端子的压入也不足。

另外，还明确了：在上述实施例1～7、9中绝缘性树脂层的最低熔融粘度为2000Pa・s以上、60℃的熔融粘度为3000Pa・s以上，但在比较例1、2中最低熔融粘度为1000Pa・s、60℃的熔融粘度为1500Pa・s，通过调整导电粒子的压入条件，压入时的粘度降低，因此没有形成倾斜2b、起伏2c。

由实施例4、5和实施例6、9可知：在将各向异性导电膜形成导电粒子分散层和第二绝缘性树脂层的双层型的情况下、以及形成导电粒子分散层的单层的情况下，粒子捕捉性的评价在实用上均为良好。

由实施例3和实施例4、5可知：在将各向异性导电膜形成导电粒子分散层和第二绝缘性树脂层的双层型的情况下，在绝缘性树脂层的压入有导电粒子的面上层叠第二绝缘性树脂层的情况、以及在其相反侧层叠第二绝缘性树脂层的情况，粒子捕捉性的评价在实用上均为良好。

需要说明的是，对实施例4、5的各向异性导电膜的导电粒子露出的表面喷雾经稀释的相同的树脂组合物，使其表面略平坦，对所得的产品进行同样的评价时，得到了大致同等的结果。

在所有实施例的测定了初期导通的评价物中，进行与日本特开2016-085983号公报的实施例中记载的短路数的测定方法同样的操作以确认100个凸点间的短路数时，结果并未短路。另外，对于所有实施例的各向异性导电膜，按照日本特开2016-085982号公报中记载的实施例的短路发生率的测定方法求出短路发生率时，结果均小于50ppm，确认到实用上没有问题。需要说明的是，在为将导电粒子混炼在绝缘性树脂中使其无规地分散的各向异性导电膜的情况下，得到了较此更大的位数的短路发生率。这在参照专利文献2的比较例2或专利文献3的比较例2等时可以得到确认。

需要说明的是，关于倾斜和起伏混合存在的实施例7的各向异性导电膜，得到了与实施例6、8同等的结果。由此可知：通过在导电粒子的附近存在倾斜或起伏，而使其效果得到发挥。另外，在实施例6～8中得到了同等的效果，这表示在各向异性导电膜的制造条件下可取得较宽的余地。由此可期望各向异性导电膜的制造成本降低或设计变更迅速等各种效果，并且工业价值很高。

实验例1～4

(各向异性导电膜的制作)

对于用于COG连接的各向异性导电膜，为了研究绝缘性树脂层的树脂组成对成膜能力和导通特性的影响，以表3所示的掺混调制了要形成绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层的树脂组合物。这种情况下，根据绝缘性树脂组合物的调制条件调整树脂组合物的最低熔融粘度。使用所得的树脂组合物，进行与实施例1同样的操作以形成绝缘性树脂层，通过将导电粒子压入该绝缘性树脂层来制作由导电粒子分散层的单层构成的各向异性导电膜，再于该绝缘性树脂层的压入有导电粒子的一侧层叠第二绝缘性树脂层，制作表4所示的各向异性导电膜。这种情况下，导电粒子的配置与实施例1相同。另外，通过适当调整导电粒子的压入条件，导电粒子成为表4所示的埋入状态。

在该各向异性导电膜的制作工序中，将导电粒子压入绝缘性树脂层后，在实验例4中没有维持膜形状(膜形状评价：NG)，而在除此以外的实验例中维持了膜形状(膜形状评价：OK)。因此，对于除实验例4以外的实验例的各向异性导电膜，用金属显微镜观察并测量导电粒子的埋入状态，再进行以后的评价。

需要说明的是，在除实验例4以外的各实验例中，观察倾斜、或者倾斜和起伏这两者，表4中显示了各实验例的每一个中最明确地观察到了倾斜的实验例的测量值。观察到的埋入状态满足上述的优选范围。

[表3]

[表4]

(评价)

(a)初期导通电阻和导通可靠性

进行与实施例1同样的操作，分别按3个等级评价初期导通电阻和导通可靠性。这种情况的评价标准也和实施例1同样。结果见表4。

(b)粒子捕捉性

进行与实施例1同样的操作，评价了粒子捕捉性。

其结果，实验例1～3均为B评价以上。

(c)短路发生率

进行与实施例1同样的操作，评价了短路发生率。

其结果，实验例1～3均小于50ppm，确认在实用上没有问题。

由表4可知：若绝缘性树脂层的最低熔融粘度低于约1000Pa・s，则难以形成导电粒子附近的绝缘性树脂层具有倾斜的膜。另一方面可知：若绝缘性树脂层的最低熔融粘度为1500Pa・s以上，则通过调整导电粒子埋入时的条件，可以在导电粒子附近的绝缘性树脂层的表面形成倾斜，如此操作而得到的各向异性导电膜在用于COG时导通特性良好。

实验例5～8

(各向异性导电膜的制作)

对于用于FOG连接的各向异性导电膜，为了研究绝缘性树脂层的树脂组成对成膜能力和导通特性的影响，以表5所示的掺混调制要形成绝缘性树脂层和第二绝缘性树脂层的树脂组合物。这种情况下，导电粒子的配置设为个数密度15000个/mm²的六方格子排列，并使其格子轴之一相对于各向异性导电膜的长边方向倾斜15°。另外，根据绝缘性树脂组合物的调制条件调整树脂组合物的最低熔融粘度。使用所得的树脂组合物，进行与实施例1同样的操作以形成绝缘性树脂层，通过将导电粒子压入其绝缘性树脂层来制作由导电粒子分散层的单层构成的各向异性导电膜，再于该绝缘性树脂层的压入有导电粒子的一侧层叠第二绝缘性树脂层，制作了表6所示的各向异性导电膜。这种情况下，通过适当调整导电粒子的压入条件，导电粒子成为表6所示的埋入状态。

在该各向异性导电膜的制作工序中，将导电粒子压入绝缘性树脂层后，在实验例8中没有维持膜形状(膜形状评价：NG)，而在除此以外的实验例中维持了膜形状(膜形状评价：OK)。因此，对于除实验例8以外的实验例的各向异性导电膜，用金属显微镜观察并测量导电粒子的埋入状态，再进行以后的评价。

需要说明的是，在除实验例8以外的各实验例中，观察倾斜、或者倾斜和起伏这两者，表6中显示了各实验例的每一个中最明确地观察到了倾斜的实验例的测量值。观察到的埋入状态满足上述的优选范围。

[表5]

[表6]

(评价)

(a)初期导通电阻和导通可靠性

如下操作，评价(i)初期导通电阻和(ii)导通可靠性。结果见表6。

(i)初期导通电阻

将各实验例中得到的各向异性导电膜以足以连接的面积裁断，夹在导通特性的评价用FPC与无碱玻璃基板之间，在热压接工具的工具宽度为1.5mm下进行加热加压(180℃、4.5MPa、5秒)，得到各评价用连接物。利用四端子法测定所得的评价用连接物的导通电阻，按照以下标准评价其测定值。

导通特性的评价用FPC：

端子间距：20μm；

端子宽度/端子间间隔：8.5μm/11.5μm；

聚酰亚胺膜厚(PI)/铜箔厚(Cu)=38/8、镀Sn。

无碱玻璃基板：

电极：ITO布线；

厚度：0.7mm。

初期导通电阻的评价标准

OK：小于2.0Ω；

NG：2.0Ω以上。

(ii)导通可靠性

将(i)中制作的评价用连接物在温度85℃、湿度85%RH的恒温槽中放置500小时，与初期导通电阻同样地测定其放置后的导通电阻，按以下标准评价其测定值。

导通可靠性的评价标准

OK：小于5.0Ω；

NG：5.0Ω以上。

(b)粒子捕捉性

对于(i)中制作的评价用连接物的100个端子，测量导电粒子的捕捉数，求出最低捕捉数。如果最低捕捉数为10个以上，则实用上没有问题。

实验例5～7的最低捕捉数均为10个以上。

(c)短路发生率

测量(i)中制作的评价用连接物的短路数，由测量的短路数和评价用连接物的间隙数求出短路发生率。实验例5~7的短路发生率均小于50ppm，确认在实用上没有问题。

由表6可知：若绝缘性树脂层的最低熔融粘度低于约1000Pa・s，则难以在导电粒子附近的绝缘性树脂层的表面形成具有倾斜的膜。另一方面可知：若绝缘性树脂层的最低熔融粘度为1500Pa・s以上，则通过调整导电粒子埋入时的条件可以在导电粒子附近的绝缘性树脂层的表面形成倾斜，如此操作而得到的各向异性导电膜在用于FOG时导通特性良好。

符号说明

1：填料、导电粒子；

1a：填料的顶部；

2：树脂层、绝缘性树脂层；

2a：树脂层的表面；

2b：倾斜；

2c：起伏；

2f：平坦的表面部分；

2p：切面；

2q：突出部分；

3：填料分散层、导电粒子分散层；

4：第二树脂层、第二绝缘性树脂层；

10A、10B、10C、10C’、10D、10E、10F、10G、10H、10I：含填料膜、实施例的各向异性导电膜；

20：端子；

A：格子轴；

D：导电粒子直径、填料的粒径；

La：树脂层的层厚；

Lb：埋入量(填料的最深部距相邻填料间中央部的切面的距离)；

Lc：露出直径；

Ld：倾斜的最大直径；

Le：倾斜的最大深度；

Lf：起伏的最大深度；

θ：端子的长边方向与导电粒子的排列的格子轴所成的角度。

Claims (55)

1.含填料膜，其是具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜，

填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，

在该倾斜中，填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，

在该起伏中，填料正上方的树脂层的树脂量与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比要少，

填料粒径的CV值为20％以下，且该倾斜或起伏部分消失。

2.含填料膜，其是具有在树脂层中分散有填料的填料分散层的含填料膜，

填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，

在该倾斜中，填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，

在该起伏中，填料正上方的树脂层的树脂量与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比要少，

填料粒径的CV值为20％以下，且该倾斜或起伏部分消失，

通过下式算出的填料的面积占有率为0.3％以上且35％以下：

面积占有率(％)＝[俯视下填料的个数密度]×[1个填料的俯视面积的平均值]×100。

3.权利要求1或2所述的含填料膜，其中，可设为长度为5m以上的长条的膜形态，也可以设为卷绕在卷绕芯上的卷装体。

4.权利要求1或2所述的含填料膜，其中，在与填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。

5.权利要求1或2所述的含填料膜，其中，在填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面上层叠有第二树脂层。

6.含导电粒子膜，其是具有在树脂层中分散有导电粒子的导电粒子分散层的含导电粒子膜，

导电粒子的个数密度为30个/mm²以上，

导电粒子附近的树脂层的表面相对于相邻导电粒子间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，

在该倾斜中，导电粒子周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，

在该起伏中，导电粒子正上方的树脂层的树脂量与该导电粒子正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比要少，

导电粒子的粒径为1μm～30μm，其CV值为20％以下，

通过下式算出的导电粒子的面积占有率为0.3％以上且35％以下：

面积占有率(％)＝[俯视下的导电粒子的个数密度]×[1个导电粒子的俯视面积的平均值]×100。

7.权利要求6所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子相互不接触地配置。

8.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，该倾斜或起伏部分消失。

9.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子的个数密度是作为测定区域任意设定5处以上的一边为100μm以上的矩形区域，且将测定区域的总计面积设为2mm²以上时的个数密度。

10.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子为金属粒子或金属包覆树脂粒子。

11.权利要求10所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子具有经绝缘包覆的表面。

12.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子的最深部距上述切面的距离Lb与导电粒子的粒径D之比Lb/D为60％以上且105％以下。

13.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子从树脂层露出。

14.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，导电粒子没有从树脂层露出而是埋入树脂层内。

15.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，上述倾斜或起伏距上述切面的深度Le与导电粒子的粒径D之比Le/D小于50％。

16.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，上述倾斜或起伏的最大直径Ld与导电粒子的粒径D之比Ld/D为100％以上。

17.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，树脂层的层厚La与导电粒子的粒径D之比La/D为0.6～10。

18.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，最接近导电粒子间距离为导电粒子粒径的0.5倍以上。

19.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，在与导电粒子分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。

20.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，在导电粒子分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面上层叠有第二树脂层。

21.权利要求19或20所述的含导电粒子膜，其中，第二树脂层的最低熔融粘度较导电粒子分散层的树脂层的最低熔融粘度低。

22.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，该含导电粒子膜被用作各向异性导电膜，其中，导电粒子分散层的树脂层为绝缘性树脂层。

23.权利要求6或7所述的含导电粒子膜，其中，可设为长度为5m以上的长条的膜形态，也可以设为卷绕在卷绕芯上的卷装体。

24.膜粘贴体，其中，在物品上粘贴有权利要求1或2所述的含填料膜。

25.膜粘贴体，其中，在物品上粘贴有权利要求6～22中任一项所述的含导电粒子膜。

26.连接结构体，其中，第一物品和第二物品经由权利要求1或2所述的含填料膜进行连接。

27.连接结构体，其中，第一物品和第二物品经由权利要求6～22中任一项所述的含导电粒子膜进行连接。

28.连接结构体，其中，在权利要求1或2所述的含填料膜的填料为导电粒子的情况下，第一物品和第二物品经由该含填料膜进行连接。

29.连接结构体，其中，第一电子部件和第二电子部件经由权利要求6～22中任一项所述的含导电粒子膜进行各向异性导电连接。

30.连接结构体的制造方法，其中，将第一物品和第二物品经由权利要求1或2所述的含填料膜进行压接。

31.连接结构体的制造方法，其中，将第一物品和第二物品经由权利要求6～22中任一项所述的含导电粒子膜进行压接。

32.连接结构体的制造方法，其中，在权利要求1或2所述的含填料膜的填料为导电粒子的情况下，将第一物品和第二物品经由该含填料膜进行压接，由此将第一物品和第二物品进行连接。

33.连接结构体的制造方法，其中，将第一电子部件和第二电子部件经由权利要求6～22中任一项所述的含导电粒子膜进行压接，由此将第一电子部件和第二电子部件进行各向异性导电连接。

34.含导电粒子膜的制造方法，其是具有形成在树脂层中分散有导电粒子的导电粒子分散层的工序的含导电粒子膜的制造方法，其中，

形成导电粒子分散层的工序具有：使1～30μm粒径的CV值为20％以下的导电粒子以30个/mm²以上的个数密度保持在树脂层表面的工序；和

将树脂层表面所保持的导电粒子压入该树脂层的工序，

在使导电粒子保持在树脂层表面的工序中，导电粒子在树脂层表面形成分散的状态，在将导电粒子压入树脂层的工序中，导电粒子附近的树脂层的表面相对于相邻导电粒子间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，调整压入导电粒子时的树脂层的粘度、压入速度或温度，使在该倾斜中导电粒子周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损、而在该起伏中导电粒子正上方的树脂层的树脂量与该导电粒子正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比变少，

在使导电粒子保持在树脂层表面的工序中，使该树脂层表面的通过下式算出的导电粒子的面积占有率为0.3％以上且35％以下：

面积占有率(％)＝[俯视下的导电粒子的个数密度]×[1个导电粒子的俯视面积的平均值]×100。

35.权利要求34所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，该倾斜或起伏部分消失。

36.权利要求34或35所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，在将导电粒子压入树脂层的工序中，调整压入时的按压力、树脂层的粘度、压入速度或温度，使导电粒子的最深部距上述切面的距离Lb与导电粒子的粒径D之比例Lb/D为60％以上且105％以下。

37.权利要求34或35所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，在使导电粒子保持在树脂层表面的工序中，使导电粒子以所定的排列保持在树脂层的表面，

在将导电粒子压入树脂层的工序中，用平板或辊将导电粒子压入树脂层。

38.权利要求34或35所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，在使导电粒子保持在树脂层表面的工序中，将导电粒子填充在转印模中，并将该导电粒子转印至树脂层，由此使导电粒子以规定的配置保持在树脂层的表面。

39.权利要求34或35所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，使用绝缘性树脂层作为导电粒子分散层的树脂层。

40.权利要求34或35所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，在与导电粒子分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。

41.权利要求34或35所述的含导电粒子膜的制造方法，其中，在导电粒子分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面上层叠有第二树脂层。

42.含填料膜的制造方法，其是具有形成在树脂层中分散有填料的填料分散层的工序的含填料膜的制造方法，其中，

形成填料分散层的工序具有：使粒径的CV值为20％以下的填料保持在树脂层表面的工序；和

将树脂层表面所保持的填料压入该树脂层的工序，

在使填料保持在树脂层表面的工序中，填料在树脂层表面形成分散的状态，在将填料压入树脂层的工序中，调整压入填料时的树脂层的粘度、压入速度或温度，使在填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，在该倾斜中，填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损，在该起伏中，填料正上方的树脂层的树脂量与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比要少，且该倾斜或起伏部分消失。

43.权利要求42所述的含填料膜的制造方法，其中，在将填料压入树脂层的工序中，调整压入时的按压力、树脂层的粘度、压入速度或温度，使填料的最深部距上述切面的距离Lb与填料的粒径D之比例Lb/D为60％以上且105％以下。

44.权利要求42或43所述的含填料膜的制造方法，其中，在使填料保持在树脂层表面的工序中，使填料以所定的排列保持在树脂层的表面，

在将填料压入树脂层的工序中，用平板或辊将填料压入树脂层。

45.权利要求42或43所述的含填料膜的制造方法，其中，在使填料保持在树脂层表面的工序中，将填料填充在转印模中，并将该填料转印至树脂层，由此使填料以规定的配置保持在树脂层的表面。

46.权利要求42或43所述的含填料膜的制造方法，其中，使用绝缘性树脂层作为填料分散层的树脂层。

47.权利要求42或43所述的含填料膜的制造方法，其中，在与填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。

48.权利要求42或43所述的含填料膜的制造方法，其中，在填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面上层叠有第二树脂层。

49.含填料膜的制造方法，其是具有形成在树脂层中分散有填料的填料分散层的工序的含填料膜的制造方法，其中，

形成填料分散层的工序具有：使粒径的CV值为20％以下的填料保持在树脂层表面的工序；和

将树脂层表面所保持的填料压入该树脂层的工序，

在使填料保持在树脂层表面的工序中，填料在树脂层表面形成分散的状态，在将填料压入树脂层的工序中，填料附近的树脂层的表面相对于相邻填料间的中央部的树脂层的切面具有倾斜或起伏，调整压入填料时的树脂层的粘度、压入速度或温度，使在该倾斜中填料周围的树脂层的表面相对于上述切面缺损、而在该起伏中填料正上方的树脂层的树脂量与该填料正上方的树脂层的表面位于上述切面时相比变少，且该倾斜或起伏部分消失，

在使填料保持在树脂层表面的工序中，使该树脂层表面的通过下式算出的填料的面积占有率为0.3％以上且35％以下：

面积占有率(％)＝[俯视下填料的个数密度]×[1个填料的俯视面积的平均值]×100。

50.权利要求49所述的含填料膜的制造方法，其中，在将填料压入树脂层的工序中，调整压入时的按压力、树脂层的粘度、压入速度或温度，使填料的最深部距上述切面的距离Lb与填料的粒径D之比例Lb/D为60％以上且105％以下。

51.权利要求49或50所述的含填料膜的制造方法，其中，在使填料保持在树脂层表面的工序中，使填料以所定的排列保持在树脂层的表面，

在将填料压入树脂层的工序中，用平板或辊将填料压入树脂层。

52.权利要求49或50所述的含填料膜的制造方法，其中，在使填料保持在树脂层表面的工序中，将填料填充在转印模中，并将该填料转印至树脂层，由此使填料以规定的配置保持在树脂层的表面。

53.权利要求49或50所述的含填料膜的制造方法，其中，使用绝缘性树脂层作为填料分散层的树脂层。

54.权利要求49或50所述的含填料膜的制造方法，其中，在与填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面相反侧的表面上层叠有第二树脂层。

55.权利要求49或50所述的含填料膜的制造方法，其中，在填料分散层的树脂层的形成有倾斜或起伏的表面上层叠有第二树脂层。