CN113078486B - 各向异性导电膜的制造方法 - Google Patents

各向异性导电膜的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113078486B
CN113078486B CN202110420313.2A CN202110420313A CN113078486B CN 113078486 B CN113078486 B CN 113078486B CN 202110420313 A CN202110420313 A CN 202110420313A CN 113078486 B CN113078486 B CN 113078486B
Authority
CN
China
Prior art keywords
particles
insulating
conductive
conductive particles
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110420313.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113078486A (zh
Inventor
三宅健
塚尾怜司
深谷达朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017160657A external-priority patent/JP6935702B2/ja
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to CN202110420313.2A priority Critical patent/CN113078486B/zh
Publication of CN113078486A publication Critical patent/CN113078486A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113078486B publication Critical patent/CN113078486B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/271—Manufacture and pre-treatment of the layer connector preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/292—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/29286—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种各向异性导电膜，其能够减少进行了各向异性导电连接的连接结构体的导通电阻，并且能够确实地抑制短路发生，所述各向异性导电膜具有在绝缘性树脂层(5)中分散有带有绝缘粒子的导电粒子(3)的结构，所述带有绝缘粒子的导电粒子(3)中，在导电粒子(1)的表面附着有绝缘粒子(2)。关于各向异性导电膜中的带有绝缘粒子的导电粒子(3)，与导电粒子(1)在膜厚方向上接触的绝缘粒子(2)的个数比与导电粒子(1)在膜面方向上接触的绝缘粒子(2)的个数少。在各向异性导电性膜的表背面中的一方的膜面的俯视观察时与导电粒子重合的绝缘粒子的个数优选比在另一方的膜面的俯视观察时与导电粒子重合的绝缘粒子的个数少。

Description

各向异性导电膜的制造方法
本申请是原申请、申请日为2017年10月18日，申请号为201780062727.4，发明名称为“各向异性导电膜”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及各向异性导电膜。
背景技术
各向异性导电膜广泛用于IC芯片等电子部件的安装。从使各向异性导电膜应对高安装密度的观点出发，对于各向异性导电膜，进行了使导电粒子高密度地分散于其绝缘性树脂层中的操作。然而，提高导电粒子的密度会成为短路的发生要因。
对此，提出了使用使绝缘粒子附着于导电粒子表面的带有绝缘粒子的导电粒子来代替以往的导电粒子的方案(专利文献1)。通过使用混合器将该带有绝缘粒子的导电粒子与粘合剂树脂混炼并进行膜化，从而能够得到各向异性导电膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－132567号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，若如专利文献1记载的那样使用混合器将带有绝缘粒子的导电粒子与粘合剂树脂混炼，则绝缘粒子会从导电粒子单独分离，有时无法得到带有绝缘粒子的导电粒子原本的绝缘性。因此，对于使用使带有绝缘粒子的导电粒子高密度地分散于粘合剂树脂而得到的各向异性导电膜来进行各向异性导电连接的电子部件的连接结构体而言，有发生短路的担忧。
此外，对于使用了该各向异性导电膜的各向异性导电连接，当带有绝缘粒子的导电粒子被按压于电子部件的端子时，不仅是导电粒子，绝缘粒子也被按压于端子，因此还存在连接结构体的导通电阻容易变高这样的问题。
对此，本发明的课题在于，提供一种使用了带有绝缘粒子的导电粒子的各向异性导电膜，其能够减少进行了各向异性导电连接的连接结构体的导通电阻，并且能够确实地抑制短路发生。
用于解决课题的方案
本发明人发现了在使用绝缘粒子大致均等地附着于导电粒子的整个表面的带有绝缘粒子的导电粒子来制造各向异性导电膜时，对于带有绝缘粒子的导电粒子，若制成维持在导电粒子的膜面方向附着的绝缘粒子数但减少在导电粒子的膜厚方向附着的绝缘粒子数，则在使用各向异性导电膜的各向异性导电连接中，导电粒子变得容易不隔着绝缘粒子地被直接按压于端子面，因此能够减少连接结构体的导通电阻，此外，发现了在相邻的端子间通过绝缘粒子的存在而不易发生短路，从而想到了本发明。
即，本发明提供一种各向异性导电膜，其是在绝缘性树脂层中分散有带有绝缘粒子的导电粒子的各向异性导电膜，所述带有绝缘粒子的导电粒子在导电粒子的表面附着有绝缘粒子，在带有绝缘粒子的导电粒子中，与导电粒子在膜厚方向上接触的绝缘粒子数比与导电粒子在膜面方向上接触的绝缘粒子数少。
此外，本发明提供使用上述各向异性导电膜将电子部件彼此进行各向异性导电连接的连接结构体的制造方法、由此得到的连接结构体。
发明效果
根据本发明的各向异性导电膜，与绝缘粒子大致均等地附着于导电粒子的整个表面的当初的带有绝缘粒子的导电粒子相比，与导电粒子在膜厚方向上接触的绝缘粒子数比与导电粒子在膜面方向上接触的绝缘粒子数少。因此，若使用该各向异性导电膜将电子部件的端子进行各向异性导电连接，则相比于维持有当初的带有绝缘粒子的导电粒子的状态的情况，端子与导电粒子的直接接触面积增加，因此在连接结构体中能够减少导通电阻。此外，根据该各向异性导电膜，关于在膜面方向上与导电粒子接触的绝缘粒子数，由于维持着当初的带有绝缘粒子的导电粒子的状态，因此在连接结构体中能够抑制相邻的端子间的短路。
附图说明
[图1A]图1A为显示实施例的各向异性导电膜10A的导电粒子配置的平面图。
[图1B]图1B为实施例的各向异性导电膜10A的截面图。
[图2]图2为在膜厚方向或在膜面方向上与导电粒子表面接触的绝缘粒子的个数的测量方法的说明图。
[图3A]图3A为带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层的凹陷的说明图。
[图3B]图3B为带有绝缘粒子的导电粒子上的绝缘性树脂层的凹陷的说明图。
[图4A]图4A为说明实施例的各向异性导电膜10A的制造方法的截面图。
[图4B]图4B为说明实施例的各向异性导电膜10A的制造方法的截面图。
[图4C]图4C为说明实施例的各向异性导电膜10A的制造方法的截面图。
[图4D]图4D为说明实施例的各向异性导电膜10A的制造方法的截面图。
[图4E]图4E为说明实施例的各向异性导电膜10A的制造方法的截面图。
[图4F]图4F为说明实施例的各向异性导电膜10A的制造方法的截面图。
[图5]图5为实施例的各向异性导电膜10B的截面图。
[图6]图6为实施例的各向异性导电膜10C的截面图。
[图7]图7为实施例的各向异性导电膜10D的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本发明的各向异性导电膜的一个例子。需说明的是，各图中，相同符号表示相同或同等的构成要素。
＜各向异性导电膜的整体构成＞
图1A为说明本发明的一个实施例的各向异性导电膜10A的导电粒子的配置的平面图，图1B为其X－X截面图。
该各向异性导电膜10A中，具有带有绝缘粒子的导电粒子3埋入于绝缘性树脂层5的一面的结构，所述带有绝缘粒子的导电粒子3在导电粒子1的表面接触或附着有绝缘粒子2。对膜进行俯视观察时，带有绝缘粒子的导电粒子3互不接触而分散，在膜厚方向上，带有绝缘粒子的导电粒子3也相互不重合而分散。此外，带有绝缘粒子的导电粒子3的膜厚方向(图1B的纸面的纵向)的位置对齐，带有绝缘粒子的导电粒子3在膜面方向(图1B的纸面的横向)上形成单层。
本发明的各向异性导电膜10A中，特征在于带有绝缘粒子的导电粒子3中的绝缘粒子2的配置，如下详述那样，与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数比与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数少。
＜带有绝缘粒子的导电粒子＞
本发明的各向异性导电膜10A中，就带有绝缘粒子的导电粒子3中的绝缘粒子2而言，处于导电粒子1的膜厚方向的个数比处于导电粒子的膜面方向的个数少，但作为本发明的各向异性导电膜10A的制造原料而使用的带有绝缘粒子的导电粒子3，可使用绝缘粒子2大致均等地附着于导电粒子1的整个表面的粒子。
作为这样的带有绝缘粒子的导电粒子，可使用特开2009-280790号公报、特开2014-132567号公报等中记载的例子。
从抑制配线高度存在偏差时的导通电阻的升高、且抑制短路发生的观点出发，导电粒子1的粒径优选为1μm以上30μm以下，更优选为2.5μm以上13μm以下，进一步优选为3μm以上10μm以下。
绝缘粒子2的粒径比导电粒子1的粒径小。绝缘粒子2的具体粒径可根据导电粒子1的粒径、各向异性导电膜的用途等来确定，通常优选为0.005μm以上5μm以下，更优选为0.01μm以上2.5μm以下，进一步优选为1μm以下，尤其为0.5μm以下。由此，无需将各向异性导电连接时所需的压力、温度过度升高。作为一个例子，如果绝缘粒子的粒径相对于导电粒子的粒径过小，则难以赋予绝缘性，因此下限优选设为0.4％以上，更优选设为0.6％以上，进一步优选为0.8％以上。此外，如果上限过大，则有对导电粒子的附着、必要的个数不够的担忧，因此优选为18％以下，更优选为12％以下，进一步更优选为6％以下。
关于导电粒子1、绝缘粒子2以及带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径的测定，可以通过将这些粒子散布于玻璃上，并利用光学显微镜、金属显微镜、透射型电子显微镜(TEM)、或扫描型电子显微镜(SEM)等进行观察来求出。膜中的这些粒径也可以通过扫描型电子显微镜等进行观察来求出。粒径的测量中，希望将所测定的样品数设为300以上。利用透射型电子显微镜能够正确测定比较小的绝缘粒子单体的粒径，扫描型电子显微镜则尤其适合求出带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径。
单体的导电粒子的平均粒径也可以通过一般的粒度分布测定装置来测定。可以是图像型也可以是激光型。作为图像型的测定装置，作为一个例子可例举湿法流动式粒径·形状分析装置FPIA－3000(Malvern公司)。测定带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D的样品数(导电粒子个数)优选为1000个以上。各向异性导电膜中的带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D可由SEM等电子显微镜观察来求出。该情况下，测定带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D的样品数(导电粒子个数)希望设为300个以上。
作为各向异性导电膜10A的制造原料而使用的带有绝缘粒子的导电粒子3中，导电粒子1的整个表面中由绝缘粒子2被覆的比例(被覆率)优选为20～97％，更优选为40～95％。如果被覆率过少，则变得容易发生短路，过大则会产生因凸起而进行的导电粒子的捕捉受阻的担忧。
需说明的是，被覆率是占据于带有绝缘粒子的导电粒子的表面整体的绝缘粒子的被覆面积(投影面积)的比例。作为其具体的求取方法，可通过使用扫描型电子显微镜观察100个带有绝缘粒子的导电粒子3，并将各观察图像中的被覆率进行平均来获得。作为被覆率的简便的求取方法，也可以在各观察图像中测量每一个带有绝缘粒子的导电粒子的绝缘粒子的个数，由该数值以及1个带有绝缘粒子的导电粒子的投影面积和1个绝缘粒子的投影面积算出被覆率。其中，在绝缘粒子的观察图像与导电粒子的圆形的观察图像部分重合的情况下，该部分重合的绝缘粒子也可以按照0.5个来计算。
另一方面，关于实际构成各向异性导电膜10A的带有绝缘粒子的导电粒子3，与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数比与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数少。其中，与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数是指，如图2所示的、各向异性导电膜10A中的带有绝缘粒子的导电粒子3的膜厚方向的截面中，将带有绝缘粒子的导电粒子3以穿过导电粒子1的中心且相对于膜厚方向倾斜正45°的直线以及倾斜负45°的直线分割成4个区域A1、A2、A3、A4时，在导电粒子1的上下方的区域(沿着膜面的区域)A1、A2中所存在的绝缘粒子2的个数。此外，与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数是指，在上述4个区域A1、A2、A3、A4中的位于导电粒子1的左右的区域(沿着膜厚方向的区域)A3、A4中所存在的绝缘粒子2的个数。因此，如果将存在于区域A1、A2、A3、A4中的绝缘粒子2的个数设为NA1、NA2、NA3、NA4，则在本发明中，(NA3+NA4)＞(NA1+NA2)。需说明的是，关于膜厚方向的截面，优选同一个膜中存在多个不同的方向(确认不同方向的截面观察)，更优选包含形成90°的2个截面。
需说明的是，当求出存在于区域A1、A2、A3、A4中的绝缘粒子2的个数时，对于跨在导电粒子1的上下区域A1、A2和左右区域A3、A4双方的绝缘粒子2，根据较多地归于哪个区域来确定归属。
此外，本发明中，不必所有的带有绝缘粒子的导电粒子3都满足上述的不等式。各个带有绝缘粒子的导电粒子3中，存在于区域A1、A2、A3、A4中的绝缘粒子2的个数可以存在偏差，也可以存在上述不等式不成立的带有绝缘粒子的导电粒子3，但是，若针对各向异性导电膜中所含的所有带有绝缘粒子的导电粒子3进行平均，则上述不等式成立，NA3、NA4大于NA1、NA2。
需说明的是，针对各向异性导电膜中所含的所有带有绝缘粒子的导电粒子3确认上述不等式的成立，并不现实。因此，在如下所示那样测量存在于区域A1、A2、A3、A4中的绝缘粒子2的个数后上述不等式成立时，可以视为就所有带有绝缘粒子的导电粒子的平均而言上述不等式的关系是成立的。
即，对于各个带有绝缘粒子的导电粒子3，通过使用扫描型电子显微镜观察各向异性导电膜10A的截面来测量存在于区域A1、A2、A3、A4中的绝缘粒子2的个数时，使1边为100μm以上的矩形的测量区域相互分开，设定多处(优选5处以上，更优选10处以上)而使合计面积为1mm2以上，观察从各测量区域选取的100个带有绝缘粒子的导电粒子3，针对各个带有绝缘粒子的导电粒子3求出存在于区域A1和A2中的绝缘粒子2的个数以及存在于区域A3和A4中的绝缘粒子2的个数，作为100个带有绝缘粒子的导电粒子的平均来求出与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数(NA1+NA2)和与导电粒子1在在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数(NA3+NA4)，调查上述不等式是否成立。测量区域可根据导电粒子的大小来适当地调整。
此外，作为简便地确认与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数(NA1+NA2)比与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数(NA3+NA4)少的方法，也可以确认，在面积1mm2以上的测量区域，在各向异性导电膜的表背面中的任一方的膜面的俯视观察时与导电粒子1重合的绝缘粒子2的个数比在表背面中的另一方的膜面的俯视观察时与导电粒子1重合的绝缘粒子2的个数少。如后所述，在本发明的各向异性导电膜的制造工序中，将带有绝缘粒子的导电粒子压入绝缘性树脂层时会成为：
NA3，NA4≧NA2＞NA1
因此，通过确认NA2＞NA1，能够确认与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数(NA1+NA2)比与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数(NA3+NA4)少。
需说明的是，这样的根据区域A1、A2、A3、A4的绝缘粒子2的个数差如后所述是在各向异性导电膜10A的制造方法中为了将带有绝缘粒子的导电粒子3配置成预定排列而使用转印模具的情况下产生的。即，这样的绝缘粒子2的个数差因如下原因而产生：将带有绝缘粒子的导电粒子3从转印模具转印到绝缘性树脂层时，与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2(区域A1的绝缘粒子2)由于与转印模具摩擦或由于与加压构件的摩擦，容易从导电粒子1脱离而残留于该转印模具；以及，与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2有时会移动至与导电粒子1在膜面方向上接触的位置，但与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2即便使带有绝缘粒子的导电粒子3从转印模具转印至绝缘性树脂层，也不易产生从导电粒子1的脱离、移动。
＜带有绝缘粒子的导电粒子的分散状态＞
本发明中的带有绝缘粒子的导电粒子的分散状态中，包括带有绝缘粒子的导电粒子3无序分散的状态，也包括以有序的配置分散的状态。在该分散状态中，优选带有绝缘粒子的导电粒子以相互非接触的方式配置，其个数比例优选为95％以上，更优选为98％以上，进一步优选为99.5％以上。关于该个数比例，在分散状态中的有序配置中，将使之有意地接触的带有绝缘粒子的导电粒子作为1个来计数。与后述的在膜的俯视观察时的带有绝缘粒子的导电粒子的占有面积率的求取方法同样，可以按照N＝200以上来求出。无论那种情况，从捕捉稳定性的观点出发，优选膜厚方向的位置对齐。其中，所谓膜厚方向的导电粒子1的位置对齐，并不限于在膜厚方向的单一深度对齐，也包含导电粒子分别存在于绝缘性树脂层5的表背面的界面或其附近的情形。
本发明中，如上所述，带有绝缘粒子的导电粒子3优选在膜的俯视观察时有序地排列，例如，如图1A所示，可设为正方格子排列。除此之外，作为带有绝缘粒子的导电粒子的有序的排列情形，可举出矩形格子、斜方格子、六方格子等格子排列。有序的排列不限于格子排列，例如也可以使带有绝缘粒子的导电粒子以预定间隔排列成直线状的粒子列按照预定间隔并排。通过将带有绝缘粒子的导电粒子3以相互非接触的方式配置，形成格子状等有序的排列，从而能够在各向异性导电连接时对各带有绝缘粒子的导电粒子3均等地施加压力，减少导通电阻的偏差。有序的排列例如可以通过预定的粒子配置沿着膜的长边方向重复的情况来确认。
关于带有绝缘粒子的导电粒子的排列的格子轴或排列轴，可以与各向异性导电膜的长边方向平行，也可以与各向异性导电膜的长边方向交叉，可根据连接的端子宽度、端子间距等来确定。例如，制成细间距用的各向异性导电膜时，如图1A所示，优选使带有绝缘粒子的导电粒子3的格子轴A相对于各向异性导电膜10A的长边方向倾斜，使由各向异性导电膜10A连接的端子20的长边方向(膜的短边方向)与格子轴A所形成的角度θ为6°～84°，优选为11°～74°。
带有绝缘粒子的导电粒子3的粒子间距离根据由各向异性导电膜连接的端子的大小、端子间距来适当地确定。例如，使各向异性导电膜应对细间距的玻璃覆晶(Chip OnGlass，COG)时，从防止短路发生的观点出发，优选使最近接的带有绝缘粒子的导电粒子3的导电粒子1间距离大于带有绝缘粒子的导电粒子的粒径的0.5倍，更优选大于0.7倍。另一方面，从带有绝缘粒子的导电粒子3的捕捉性的观点出发，优选使最近接的带有绝缘粒子的导电粒子3的导电粒子1间距离为带有绝缘粒子的导电粒子的粒径的4倍以下，更优选为3倍以下。
此外，以带有绝缘粒子的导电粒子的面积占有率为35％以下，优选为0.3～30％的方式进行设置。其中，面积占有率如下算出。
[俯视观察时的带有绝缘粒子的导电粒子的个数密度]×[1个带有绝缘粒子的导电粒子的俯视观察面积的平均]×100
式中，关于带有绝缘粒子的导电粒子的个数密度的测定区域，优选在各向异性导电膜10A中任意地设定多处(优选5处以上、更优选10处以上)1边为100μm以上的矩形区域，使测定区域的合计面积为2mm2以上。各区域的大小、数量根据个数密度的状态适当调整即可。作为细间距用途的个数密度比较大的情况的一例，针对从各向异性导电膜10A任意地选择的200处面积100μm×100μm的区域(2mm2)，使用由金属显微镜等形成的观测图像来测定个数密度，并将其平均，从而能够得到上述式的“俯视观察时的带有绝缘粒子的导电粒子的个数密度”。面积100μm×100μm的区域为在凸起间间隔50μm以下的连接对象物中存在1个以上的凸起的区域。
个数密度优选为150～70000个/mm2，尤其在细间距用途时，优选为6000～42000个/mm2，更优选为10000～40000个/mm2，进一步优选为15000～35000个/mm2。需说明的是，不排除小于150个/mm2。
关于带有绝缘粒子的导电粒子的个数密度，除了如上所述使用金属显微镜来求出以外，还可以利用图像解析软件(例如，WinROOF，三谷商事株式会社等)对于带有绝缘粒子的导电粒子的显微镜图像进行测量。
此外，每1个带有绝缘粒子的导电粒子的膜俯视观察面积的平均可通过从膜面的基于金属显微镜等的观测图像进行测量来求出。也可以如上所述使用图像解析软件。优选为N＝300以上。
带有绝缘粒子的导电粒子的膜俯视观察时的面积占有率为按压夹具为了将各向异性导电膜热压接于电子部件而需要的推力的指标。以往，为了使各向异性导电膜应对细间距，在不发生短路的范围内减少导电粒子的粒子间距离，提高个数密度，但如果如此提高个数密度，则按压夹具为了将各向异性导电膜热压接于电子部件而需要的推力过度变大，利用以往的按压夹具时发生按压变得不充分这样的问题。相对于此，通过使面积占有率为上述范围，从而能够将按压夹具为了将各向异性导电膜热压接于电子部件而需要的推力抑制得低。
＜绝缘性树脂层＞
(绝缘性树脂层的最低熔融粘度)
本发明的各向异性导电膜中，绝缘性树脂层5的最低熔融粘度没有特别制限，可根据各向异性导电膜的使用对象、各向异性导电膜的制造方法等来适当确定。例如，只要能够形成后述的凹陷5b(图3A)、5c(图3B)，根据各向异性导电膜的制造方法，也可以设为1000Pa·s左右。另一方面，作为各向异性导电膜的制造方法，进行使带有绝缘粒子的导电粒子以预定的配置保持于绝缘性树脂层的表面，并将该带有绝缘粒子的导电粒子压入绝缘性树脂层中的方法时，从绝缘性树脂层能够形成膜的观点出发，优选将绝缘性树脂的最低熔融粘度设为1100Pa·s以上。
此外，如后述的各向异性导电膜的制造方法中所说明那样，从如图3A所示那样在压入绝缘性树脂层5的带有绝缘粒子的导电粒子3的露出部分的周围形成凹陷5b，或如图3B所示那样在压入绝缘性树脂层5的带有绝缘粒子的导电粒子3的正上方形成凹陷5c的观点出发，优选为1500Pa·s以上、更优选为2000Pa·s以上、进一步优选为3000～15000Pa·s、更进一步优选为3000～10000Pa·s。对于该最低熔融粘度，作为一个例子，可使用旋转式流变仪(TA instruments公司制)，以测定压力5g保持固定，使用直径8mm的测定板来求出，更具体而言，通过在温度范围30～200℃设为升温速度10℃/分钟、测定频率10Hz、对所述测定板的载荷变动5g来求出。
通过将绝缘性树脂层5的最低熔融粘度设为1500Pa·s以上的高粘度，从而能够抑制将各向异性导电膜向物品压接时导电粒子的无益的移动，尤其，能够防止在各向异性导电连接时应被夹持于端子间的导电粒子因树脂流动而流失。
此外，在向绝缘性树脂层5中压入带有绝缘粒子的导电粒子3的情况下，将压入带有绝缘粒子的导电粒子3时的绝缘性树脂层5成为高粘度的粘性体，以使得按照带有绝缘粒子的导电粒子3从绝缘性树脂层5露出的方式将带有绝缘粒子的导电粒子3压入绝缘性树脂层5时，绝缘性树脂层5塑性变形而在带有绝缘粒子的导电粒子3的周围的绝缘性树脂层5形成凹陷5b(图3A)，或者，按照带有绝缘粒子的导电粒子3不从绝缘性树脂层5露出而埋入于绝缘性树脂层5中的方式压入带有绝缘粒子的导电粒子3时，在带有绝缘粒子的导电粒子3的正上方的绝缘性树脂层5的表面形成凹陷5c(图3B)。因此，绝缘性树脂层5在60℃时的粘度的下限优选为3000Pa·s以上、更优选为4000Pa·s以上、进一步优选为4500Pa·s以上，上限优选为20000Pa·s以下、更优选为15000Pa·s以下、进一步优选为10000Pa·s以下。关于其测定，可通过与最低熔融粘度同样的测定方法进行，选取温度60℃时的值来求出。
关于向绝缘性树脂层5中压入带有绝缘粒子的导电粒子3时的该绝缘性树脂层5的具体粘度，根据所形成的凹陷5b、5c的形状、深度等，下限优选为3000Pa·s以上、更优选为4000Pa·s以上、进一步优选4500Pa·s以上，上限优选为20000Pa·s以下、更优选为15000Pa·s以下、进一步优选为10000Pa·s以下。此外，优选以40～80℃、更优选以50～60℃得到这样的粘度。
如上所述，通过在从绝缘性树脂层5露出的带有绝缘粒子的导电粒子3的周围形成有凹陷5b(图3A)，从而与没有凹陷5b时相比，面对将各向异性导电膜向物品压接时产生的带有绝缘粒子的导电粒子3的扁平化，受到来自绝缘性树脂的阻抗减少。因此，在各向异性导电连接时导电粒子容易被端子夹持，从而提高导通性能，此外提高捕捉性。
此外，通过在不从绝缘性树脂层5露出而埋入其中的带有绝缘粒子的导电粒子3的正上方的绝缘性树脂层5的表面形成有凹陷5c(图3B)，从而与没有凹陷5c时相比，将各向异性导电膜向物品压接时的压力变得容易集中于带有绝缘粒子的导电粒子3。因此，在各向异性导电连接时导电粒子容易被端子夹持，从而提高捕捉性，此外提高导通性能。
需说明的是，后述的各向异性导电膜的制造方法中，将向绝缘性树脂层5中压入带有绝缘粒子的导电粒子3时的埋入率设为100％以下，使带有绝缘粒子的导电粒子3从绝缘性树脂层5露出的情况下，如果绝缘性树脂层5的60℃的粘度为上述范围，则在压入带有绝缘粒子的导电粒子3的绝缘性树脂层5中，有时会在带有绝缘粒子的导电粒子3的周围形成凹陷5b(图3A)。此时，也有仅露出绝缘粒子的情况。此外，将埋入率设为超过100％，使带有绝缘粒子的导电粒子3不从绝缘性树脂层5露出而埋入于绝缘性树脂层5中的情况下，有时会在带有绝缘粒子的导电粒子3的正上方的绝缘性树脂层5的表面形成凹陷5c(图3B)。需说明的是，关于埋入率的含义，在后段的带有绝缘粒子的导电粒子的埋入状态的说明中详述。
这样的凹陷5b、5c根据将带有绝缘粒子的导电粒子3压入绝缘性树脂层5中时的绝缘性树脂层5的粘度、压入速度、温度等而形成。凹陷5b、5c的有无并不会格外影响本发明的效果，但存在凹陷深度大的凹陷5b、5c(例如，凹陷的最深部的深度为带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D的10％以上)局部集中的区域时，如果使那样的区域面向基板进行贴合，则根据基板的材质、表面状态等有时在该区域在各向异性导电连接后会产生上浮等，即使没有实用上的问题外观也会差。对此，优选将存在这样的区域的各向异性导电膜的表面加热按压至不影响各向异性导电连接的程度、或进行树脂散布等来使凹陷5b、5c变浅或变平坦。该情况下，散布的树脂优选与形成绝缘性树脂层5的树脂相比为低粘度。散布的树脂的浓度可以被稀释至散布后能够确认绝缘性树脂层5的凹陷的程度。
＜代替凹陷的“倾斜”或“起伏”＞
如图3A、3B所示那样的各向异性导电膜的“凹陷”5b、5c也可以从“倾斜”或“起伏”这样的观点来说明。以下，边参照附图边说明。
各向异性导电膜10A具有导电粒子分散层，即，在绝缘性树脂层5的一面以露出的状态有序地分散有带有绝缘粒子的导电粒子3的层(图3A、图3B)。在膜的俯视观察时带有绝缘粒子的导电粒子3互不接触，带有绝缘粒子的导电粒子3在膜厚方向也互不重合而有序地分散，构成带有绝缘粒子的导电粒子3在膜厚方向的位置对齐的单层的导电粒子层。
在各个带有绝缘粒子的导电粒子3附近的绝缘性树脂层5的表面5a，相对于相邻的带有绝缘粒子的导电粒子间的中央部的绝缘性树脂层5的切平面5p，形成有倾斜5b。需说明的是，如后所述，本发明的各向异性导电膜中，在埋入于绝缘性树脂层5中的带有绝缘粒子的导电粒子3的正上方的绝缘性树脂层5的表面也可以形成有起伏5c(图3B)。
本发明中，“倾斜”是指，绝缘性树脂层表面的平坦性在带有绝缘粒子的导电粒子3的附近受损，相对于所述切平面5p，绝缘性树脂层的一部分缺失而树脂量减少的状态。换言之，在倾斜处，带有绝缘粒子的导电粒子附近的绝缘性树脂层的表面相对于切平面缺失。另一方面，“起伏”是指，带有绝缘粒子的导电粒子的正上方的绝缘性树脂层的表面存在波浪，由于存在如波浪那样有高低差的部分而树脂减少的状态。换言之，带有绝缘粒子的导电粒子正上方的绝缘性树脂层的树脂量，与带有绝缘粒子的导电粒子正上方的绝缘性树脂层的表面处于切平面时相比变少。因此，在波浪中有时会仅露出绝缘粒子。这些可以通过对比相当于带有绝缘粒子的导电粒子的正上方的部位与导电粒子间的平坦的表面部分(图3A、3B)来识别。需说明的是，有时起伏的起始点也会以倾斜的方式存在。
如上所述，通过在从绝缘性树脂层5露出的带有绝缘粒子的导电粒子3周围形成有倾斜5b(图3A)，从而与没有倾斜5b的情况下相比，在各向异性导电连接时，面对带有绝缘粒子的导电粒子3被夹持于端子间时所产生的带有绝缘粒子的导电粒子3的扁平化，受到来自绝缘性树脂的阻抗减少，因此端子中的带有绝缘粒子的导电粒子的夹持变得容易，导通性能提高，此外捕捉性也提高。该倾斜优选追随带有绝缘粒子的导电粒子的外形。这是因为，除了更容易表达连接时的效果以外，也容易识别带有绝缘粒子的导电粒子，从而容易进行各向异性导电膜制造中的检查等。此外，该倾斜以及起伏有时会通过对绝缘性树脂层进行热压等而使得其一部分消失，但本发明包含这种情况。该情况下，带有绝缘粒子的导电粒子有时在绝缘性树脂层的表面的1点露出。需说明的是，对于各向异性导电膜而言，所连接的电子部件是多样的，既然根据它们来进行调整，那么期望设计的自由度高以满足各种要件，因此可以减少倾斜或起伏来使用，也可以部分地使其消失来使用。
此外，通过在不从绝缘性树脂层5露出而埋入的带有绝缘粒子的导电粒子3的正上方的绝缘性树脂层5的表面形成有起伏5c(图3B)，从而与倾斜的情况同样地，在各向异性连接时，来自端子的按压力容易施加于带有绝缘粒子的导电粒子。此外，通过存在起伏，从而与树脂平坦地堆积的情况相比，带有绝缘粒子的导电粒子的正上方的树脂量减少，因此容易产生连接时的带有绝缘粒子的导电粒子正上方的树脂的排除，端子与带有绝缘粒子的导电粒子容易接触，因此端子中的带有绝缘粒子的导电粒子的捕捉性提高，导通可靠性提高。
(绝缘性树脂层厚度方向上的带有绝缘粒子的导电粒子的位置)
考虑到“倾斜”或“起伏”这样的观点时，绝缘性树脂层5的厚度方向上的带有绝缘粒子的导电粒子3的位置与前述同样，带有绝缘粒子的导电粒子3可以从绝缘性树脂层5露出，也可以不露出而埋入绝缘性树脂层5内，但为了得到发明的效果，从相邻的带有绝缘粒子的导电粒子间的中央部的切平面5p起至带有绝缘粒子的导电粒子的最深部的距离(以下，称为埋入量)Lb与带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D之比(Lb/D)(以下称为埋入率)优选为30％以上105％以下、更优选设为60％以上105％以下。
如果将埋入率(Lb/D)设为30％以上且小于60％，则带有绝缘粒子的导电粒子从保持带有绝缘粒子的导电粒子的较高粘度的绝缘性树脂层露出的比率变高，因此低温低压安装变得更容易。通过设为60％以上，从而容易通过绝缘性树脂层5将带有绝缘粒子的导电粒子3维持为预定的粒子分散状态或预定的排列。此外，制造(向膜中压入)时的带有绝缘粒子的导电粒子与树脂的接触面积变大，因此可期待容易得到发明的效果。此外，通过设为105％以下，能够减少各向异性导电连接时以使端子间的导电粒子无益地流动的方式起作用的绝缘性树脂层的树脂量。
需说明的是，埋入率(Lb/D)的数值是指，各向异性导电膜中所含的全部带有绝缘粒子的导电粒子数的80％以上、优选90％以上、更优选96％以上成为该埋入率(Lb/D)的数值的情况。因此，埋入率30％以上105％以下是指各向异性导电膜中所含的全部带有绝缘粒子的导电粒子数的80％以上、优选90％以上、更优选96％以上的埋入率为30％以上105％以下。这样，通过全部带有绝缘粒子的导电粒子的埋入率(Lb/D)对齐，从而按压的加重会均匀地施加于带有绝缘粒子的导电粒子，因此端子中的带有绝缘粒子的导电粒子的捕捉状态变得良好，导通稳定性提高。
埋入率(Lb/D)可以通过从各向异性导电膜任意地选取10处以上面积30mm2以上的区域，对其膜截面的一部分用SEM图像进行观察，测量合计50个以上的带有绝缘粒子的导电粒子来求出。为了更加提高精度，也可以测量200个以上的带有绝缘粒子的导电粒子来求出。
此外，埋入率(Lb/D)的测量可通过在平面视野图像中进行焦点调整，从而对于某种程度的个数一并求出。或者，也可以使用激光式判别位移传感器((株)keyence制等)来进行埋入率(Lb/D)的测量。
从容易得到上述带有绝缘粒子的导电粒子的周围的绝缘性树脂层5的倾斜5b(图3A)、带有绝缘粒子的导电粒子的正上方的绝缘性树脂层的起伏5c(图3B)的效果的观点出发，倾斜5b的最大深度Le与带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D之比(Le/D)优选小于50％、更优选小于30％、进一步优选为20～25％，倾斜5b、起伏5c的最大直径Ld与带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D之比(Ld/D)优选为100％以上、更优选为100～150％，起伏5c的最大深度Lf与带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D之比(Lf/D)大于0、优选小于10％、更优选为5％以下。
需说明的是，倾斜5b或起伏5c中的带有绝缘粒子的导电粒子3的露出(正上方)部分的直径Lc可设为带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D以下，优选为粒径D的10～90％。需说明的是，可以使带有绝缘粒子的导电粒子3在顶部的1点露出，也可以使带有绝缘粒子的导电粒子3完全埋入绝缘性树脂层5内，使直径Lc为零。
这样的本发明中，绝缘性树脂层5表面的倾斜5b、起伏5c的存在可通过用扫描型电子显微镜观察各向异性导电膜的截面来确认，在平面视野观察中也能够确认。用光学显微镜、金属显微镜也能够观察倾斜5b、起伏5c。此外，倾斜5b、起伏5c的大小也可通过图像观察时进行焦点调整等来确认。即使在如上所述通过热压使倾斜或起伏减少之后，也是同样的。因为有时会留痕迹。
(绝缘性树脂层的组成)
绝缘性树脂层5优选由固化性树脂组合物形成，例如，可由含有热聚合性化合物和热聚合引发剂的热聚合性组合物形成。热聚合性组合物中可根据需要含有光聚合引发剂。
在并用热聚合引发剂和光聚合引发剂的情况下，可使用既可以作为热聚合性化合物起作用也可以作为光聚合性化合物起作用的物质，也可以除热聚合性化合物之外另行含有光聚合性化合物。优选地，除热聚合性化合物之外另行含有光聚合性化合物。例如，可使用阳离子系固化引发剂作为热聚合引发剂，使用环氧树脂作为热聚合性化合物，使用光自由基引发剂作为光聚合引发剂，使用丙烯酸酯化合物作为光聚合性化合物。
作为光聚合引发剂，也可以含有对波长不同的光反应的多种引发剂。由此，能够在制造各向异性导电膜时的构成绝缘性树脂层的树脂的光固化中、和在各向异性导电连接时用于将电子部件彼此粘接的树脂的光固化中，将波长分开使用。
制造各向异性导电膜时的光固化中，可以使绝缘性树脂层中所含的光聚合性化合物的全部或一部分光固化。通过该光固化，绝缘性树脂层5中的带有绝缘粒子的导电粒子3的配置被保持或固定化，可期望短路的抑制和导电粒子捕捉的提高。此外，通过该光固化，也可以适当地调整各向异性导电膜的制造工序中的绝缘性树脂层的粘度。
绝缘性树脂层中的光聚合性化合物的配合量优选为30质量％以下，更优选为10质量％以下，更优选小于2质量％。这是因为，如果光聚合性化合物过多，则连接时的压入所需的推力增加。
作为热聚合性组合物的例子，可举出含有(甲基)丙烯酸酯化合物和热自由基聚合引发剂的热自由基聚合性丙烯酸酯系组合物、含有环氧化合物和热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧系组合物等。也可以使用含有热阴离子聚合引发剂的热阴离子聚合性环氧系组合物来代替含有热阳离子聚合引发剂的热阳离子聚合性环氧系组合物。此外，只要不造成特别的影响，则也可以并用多种聚合性组合物。作为并用例，可举出阳离子聚合性化合物和自由基聚合性化合物的并用等。
其中，作为(甲基)丙烯酸酯化合物，可使用以往公知的热聚合型(甲基)丙烯酸酯单体。例如，可使用单官能(甲基)丙烯酸酯系单体、二官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯系单体。
作为热自由基聚合引发剂，可举出例如有机过氧化物、偶氮系化合物等。尤其可优选使用不产生成为气泡原因的氮气的有机过氧化物。
热自由基聚合引发剂的使用量，如果过少则变得固化不良，如果过多则产品寿命降低，因此相对于(甲基)丙烯酸酯化合物100质量份，优选为2～60质量份、更优选为5～40质量份。
作为环氧化合物，可举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、它们的改性环氧树脂、脂环式环氧树脂等，也可以将它们的2种以上并用。此外，除环氧化合物以外，也可以并用氧杂环丁烷化合物。
作为热阳离子聚合引发剂，可采用作为环氧化合物的热阳离子聚合引发剂而公知的引发剂，例如，可使用因热而产生酸的碘盐、硫/>盐、磷/>盐、二茂铁类等，尤其可优选使用对温度显示良好的潜伏性的芳香族硫/>盐。
热阳离子聚合引发剂的使用量，如果过少则有固化不良的倾向，如果过多则有降低产品寿命的倾向，因此相对于环氧化合物100质量份，优选为2～60质量份、更优选为5～40质量份。
热聚合性组合物优选含有膜形成树脂、硅烷偶联剂。作为膜形成树脂，可举出苯氧树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚烯烃树脂等，可以将它们的2种以上并用。其中，从制膜性、加工性、连接可靠性的观点出发，可优选使用苯氧树脂。重均分子量优选为10000以上。此外，作为硅烷偶联剂，可举出环氧系硅烷偶联剂、丙烯酸系硅烷偶联剂等。这些硅烷偶联剂主要为烷氧基硅烷衍生物。
热聚合性组合物中，为了调整熔融粘度，也可以除上述带有绝缘粒子的导电粒子3之外另行含有绝缘性填料。其可举出二氧化硅粉、氧化铝粉等。优选绝缘性填料粒径20～1000nm的微小的填料，此外，配合量优选相对于环氧化合物等热聚合性化合物(光聚合性化合物)100质量份设为5～50质量份。
本发明的各向异性导电膜中，也可以除上述绝缘性填料之外另行含有填充剂、软化剂、促进剂、抗老化剂、着色剂(颜料、染料)、有机溶剂、离子捕捉剂等。
(绝缘性树脂层的层厚)
本发明的各向异性导电膜中，基于后述理由可将绝缘性树脂层5的层厚La与带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D之比(La/D)的下限设为0.3以上，将上限设为10以下。因此，该比优选为0.3～10，更优选为0.6～8，进一步优选为0.6～6。其中，带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D指其平均粒径。如果绝缘性树脂层5的层厚La过大，则在各向异性导电连接时带有绝缘粒子的导电粒子3会容易因树脂流动而错位，端子中的带有绝缘粒子的导电粒子3的捕捉性降低。该倾向在上述比(La/D)超过10时会显著，因此更优选为8以下，进一步优选为6以下。相反地，如果绝缘性树脂层5的层厚La过小而该比(La/D)小于0.3，则难以通过绝缘性树脂层5将带有绝缘粒子的导电粒子3维持为预定的粒子分散状态或预定排列，因此比(La/D)优选为0.3以上，从通过绝缘性树脂层5来确实地维持预定的粒子分散状态或预定排列的观点出发，更优选为0.6以上。此外，当连接的端子为高密度COG的情况下，绝缘性树脂层5的层厚La与带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D之比(La/D)优选为0.8～2。
＜绝缘性树脂层中的带有绝缘粒子的导电粒子的埋入状态＞
关于绝缘性树脂层5中的带有绝缘粒子的导电粒子3的埋入状态，优选将埋入率设为30％以上105％以下。通过设为埋入率30％以上、优选60％以上，从而能够通过绝缘性树脂层5将带有绝缘粒子的导电粒子3维持为预定的粒子分散状态或预定排列。此外，通过设为埋入率105％以下，从而能够减少在各向异性导电连接时以使带有绝缘粒子的导电粒子无益地流动的方式作用的绝缘性树脂层的树脂量。
其中，所谓埋入率，是指在带有绝缘粒子的导电粒子3所埋入的绝缘性树脂层5的表面5a(绝缘性树脂层5中，带有绝缘粒子的导电粒子3偏集一方的表面)与埋入绝缘性树脂层5中的带有绝缘粒子的导电粒子3相对于所述表面5a的最深部之间的距离设为埋入量Lb时，埋入量Lb相对于带有绝缘粒子的导电粒子3的粒径D的比率(Lb/D)(图1B)。
需说明的是，本发明中，关于埋入率(Lb/D)的数值，是指各向异性导电膜中所含的全部带有绝缘粒子的导电粒子数的80％以上、优选90％以上、更优选96％以上处于该埋入率(Lb/D)的数值。因此，埋入率为30％以上105％以下是指，各向异性导电膜中所含的全部带有绝缘粒子的导电粒子数的80％以上、优选90％以上、更优选96％以上的埋入率为30％以上105％以下。这样，通过全部带有绝缘粒子的导电粒子的埋入率(Lb/D)对齐，从而按压的加重均匀地施加于导电粒子，因此端子中的导电粒子的捕捉状态变得良好，导通稳定性提高。
埋入率(Lb/D)可通过从各向异性导电膜任意地选取10处以上面积30mm2以上的区域，通过SEM图像观察其膜截面的一部分，测量合计50个以上的导电粒子来求出。为了更加提高精度，也可以测量200个以上的导电粒子来求出。
此外，埋入率(Lb/D)的测量也可通过对平面视野图像进行焦点调整，从而针对某种程度的个数一并求出。或者，埋入率(Lb/D)的测量中也可以使用激光式判别位移传感器((株)Keyence制等)。
＜各向异性导电膜的制造方法＞
图1A、图1B中所示的各向异性导电膜10A的制造方法的一个例子中，在转印模具30的凹部31中填充带有绝缘粒子的导电粒子3(图4A)。该凹部31形成为与各向异性导电膜中的带有绝缘粒子的导电粒子3同样的排列。
作为这样的转印模具30，例如可使用对于硅、各种陶瓷、玻璃、不锈钢等金属等无机材料、各种树脂等有机材料等，通过光刻法等公知的开口形成方法而形成了凹部31的模具。此外，转印模具可以为板状、辊状等形状。
另一方面，将绝缘性树脂层5以膜状形成于剥离膜7上，然后将绝缘性树脂层5覆盖在填充于转印模具30中的带有绝缘粒子的导电粒子3上(图4C)。或者，也可以在带有绝缘粒子的导电粒子3上覆盖绝缘性树脂层5之前，使填充于转印模具30中的带有绝缘粒子的导电粒子3与平板32接触等，从而使绝缘粒子2从导电粒子1脱离(图4B)，然后，覆盖绝缘性树脂层5(图4C)。接着，从转印模具30剥离绝缘性树脂层5，得到转印有带有绝缘粒子的导电粒子3的绝缘性树脂层5(图4D)。在该带有绝缘粒子的导电粒子3的转印工序中，由于转印模具30和绝缘粒子2相摩擦，因此与转印模具30的凹部31底面接触的绝缘粒子2(成为区域A1的绝缘粒子2的粒子)容易从带有绝缘粒子的导电粒子3脱离。此外，在转印模具30内的带有绝缘粒子的导电粒子3上覆盖绝缘性树脂层5时，对于与绝缘性树脂层5最初接触的绝缘粒子2会施加很大的力，因此该区域的绝缘粒子2(成为区域A2的绝缘粒子2的粒子)有时也会脱离。因此，有时会在膜上存在(分散地存在)绝缘粒子2。
另一方面，膜面方向的绝缘粒子2在从转印模具30剥离绝缘性树脂层5之后也不会从绝缘性树脂层5脱离，被维持在绝缘性树脂层5中。
因此，转印至绝缘性树脂层5后的带有绝缘粒子的导电粒子3中，与转印前相比，构成带有绝缘粒子的导电粒子3的绝缘粒子2中，与导电粒子1在膜厚方向上接触的绝缘粒子2的个数比与导电粒子1在膜面方向上接触的绝缘粒子2的个数减少。
接下来，根据需要，将转印至绝缘性树脂层5的带有绝缘粒子的导电粒子3用平板或辊33压入(图4E)。在该压入时，形成带有绝缘粒子的导电粒子3的绝缘粒子2中处于平板或辊33侧的绝缘粒子2(成为区域A1的绝缘粒子2)因与平板或辊33的接触而比较会从导电粒子1脱离。
用平板或辊33压入转印至绝缘性树脂层5的带有绝缘粒子的导电粒子3时的压入量Lb优选按照埋入率(Lb/D)优选成为30％以上105％以下、更优选成为60％以上105％以下的方式进行调整，此外，优选根据压入时按压夹具所需的推力等来确定。
这样，能够得到带有绝缘粒子的导电粒子3中的绝缘粒子2的个数中，在各向异性导电膜的膜厚方向上与导电粒子1接触的绝缘粒子2的个数得以减少的各向异性导电膜10A(图4F)。
此外，上述的各向异性导电膜10A的制造方法中，从当初的带有绝缘粒子的导电粒子3脱离的绝缘粒子2的个数可通过绝缘性树脂层5的温度及粘度、以及埋入率(Lb/D)等来调整。
＜各向异性导电膜的变形情形＞
关于本发明的各向异性导电膜，也可以如图5所示的各向异性导电膜10B那样，将最低熔融粘度比绝缘性树脂层5低的低粘度绝缘性树脂层6层叠于埋入有带有绝缘粒子的导电粒子3的绝缘性树脂层5。通过层叠低粘度绝缘性树脂层6，从而在使用各向异性导电膜将电子部件进行各向异性导电连接时，能够填充因电子部件的电极、凸起而形成的空间，提高粘接性。
绝缘性树脂层5与低粘度绝缘性树脂层6的最低熔融粘度比优选为2以上、更优选5以上、进一步优选为8以上、实用上为15以下。低粘度绝缘性树脂层6的更具体的最低熔融粘度为3000Pa·s以下、更优选为2000Pa·s以下，特别优选为1000～2000Pa·s。这样通过使低粘度绝缘性树脂层6为低粘度，从而因电子部件的电极、凸起而形成的空间容易被低粘度绝缘性树脂层填充，因此绝缘性树脂层5的移动量相对变少，端子间的带有绝缘粒子的导电粒子3不易因树脂流动而流失。因此，能够在各向异性导电连接时不损失带有绝缘粒子的导电粒子3的捕捉性，提高电子部件彼此的粘接性。
此外，将绝缘性树脂层5和低粘度绝缘性树脂层6合在一起的各向异性导电膜10B整体的最低熔融粘度优选为200～4000Pa·s。
需说明的是，低粘度绝缘性树脂层6可通过对于与绝缘性树脂层5同样的树脂组合物进行粘度调整来形成。
此外，各向异性导电膜10B中，低粘度绝缘性树脂层6的层厚优选为4～20μm。或者，相对于带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D，优选为1～8倍。
本发明中，也可以将从转印模具30剥离绝缘性树脂层5后、压入带有绝缘粒子的导电粒子3之前的导电膜设为各向异性导电膜10C(图6)，也可以将在所述各向异性导电膜10C下层叠低粘度绝缘性树脂层6所得到的导电膜设为各向异性导电膜10D(图7)。该情况下，带有绝缘粒子的导电粒子可以存在于绝缘性树脂层与低粘度绝缘性树脂层之间。此外，优选使低粘度绝缘性树脂层侧膜面的俯视观察时的导电粒子上的绝缘粒子数比绝缘性树脂层侧膜面的俯视观察时的导电粒子上的绝缘粒子数少。进一步，根据需要，也可以在低粘度绝缘性树脂层6的相反侧的绝缘性树脂层5上进一步层叠低粘度绝缘性树脂层。
此外，也可以在膜厚方向的不同位置设置多层带有绝缘粒子的导电粒子3。这些变形情形可以适当组合。
＜用各向异性导电膜连接的电子部件＞
本发明的各向异性导电膜在将IC芯片、IC组件、FPC等第1电子部件与FPC、玻璃基板、塑料基板、刚性基板、陶瓷基板等第2电子部件进行各向异性导电连接时可以优选使用。也可以将IC芯片、晶片堆叠而进行多层化。需说明的是，用本发明的各向异性导电膜连接的电子部件不限于上述电子部件。可用于近年来多样化的各种电子部件中。
＜使用各向异性导电膜的连接方法及连接结构体＞
本发明提供一种使用本发明的各向异性导电膜将电子部件彼此进行各向异性导电连接的连接结构体的制造方法、以及通过该制造方法得到的连接结构体，即，提供一种相对的电子部件的端子彼此通过带有绝缘粒子的导电粒子和绝缘性树脂层进行了各向异性导电连接的连接结构体，其在未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子中，包含具有朝向端子彼此相对的方向的绝缘粒子缺少区域的带有绝缘粒子的导电粒子。
该连接结构体中，被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子中，也包含具有朝向端子彼此相对的方向的绝缘粒子缺少区域的带有绝缘粒子的导电粒子。该连接结构体中，端子彼此相对的方向对应于连接结构体的制造中使用的本发明的各向异性导电膜的膜厚方向，端子的连接面方向对应于各向异性导电膜的膜面方向。此外，所谓绝缘粒子缺少区域，是指带有绝缘粒子的导电粒子的表面的一部分与其外侧的环状部分相比绝缘粒子的面密度低的区域。因此，该连接结构体中，被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子对应于前述各向异性导电膜中绝缘粒子数减少了的区域A1或A2，可以说是在端子彼此相对的方向上与导电粒子接触的绝缘粒子数比在端子的连接面方向(与端子彼此相对的方向正交的方向)上与导电粒子接触的绝缘粒子数少的带有绝缘粒子的导电粒子。对于这样的带有绝缘粒子的导电粒子，可推测上述未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子的绝缘粒子缺少区域的朝向，通过绝缘性树脂被保持至即将被端子夹持之前，并且在被端子夹持后该朝向也得以保持。被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子由于绝缘粒子缺少区域与相对的端子的至少一方接触，因此在导通稳定性方面优选，更优选绝缘粒子缺少区域与相对的端子的双方接触。
此外，该连接结构体中，绝缘粒子缺少区域朝向端子彼此相对的方向的带有绝缘粒子的导电粒子，如上所述，对应于各向异性导电膜中具有绝缘粒子数减少了的区域A1或A2的带有绝缘粒子的导电粒子，因此满足各向异性导电膜中的前述(NA3+NA4)＞(NA1+NA2)的关系。
如果概念性地说明连接结构体中的绝缘粒子缺少区域的带有绝缘粒子的导电粒子，则将带有绝缘粒子的导电粒子设为球的情况下，可以说是：对应于中心角45°的球表面的一部分区域的绝缘粒子的面密度低于对应于其外侧的中心角45°～135°的环状区域时的、对应于该中心角45°的球表面的一部分区域。
该连接结构体中，未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子包含：相对的电子部件的连接面中，在电子部件的端子列的非形成区域被夹持的、相对的电子部件间的带有绝缘粒子的导电粒子。此时的带有绝缘粒子的导电粒子，例如在将相对的电子部件设为第1电子部件和第2电子部件的情况下，是指通过第1电子部件中的端子列的非形成区域和第2电子部件中的端子列的非形成区域在电子部件相对的方向上被夹持的带有绝缘粒子的导电粒子。
此外，该连接结构体中，未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子包含：在电子部件上以预定的端子间间隔形成有端子列时的、处于相对的电子部件的端子间间隔彼此之间的带有绝缘粒子的导电粒子。
换言之，所谓未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子，是指连接结构体中，对连接没有贡献的大多数带有绝缘粒子的导电粒子。
一般而言，在连接结构体中，未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子中包含因各向异性导电连接时的加热加压而相对于加热加压前的状态进行了移动的导电粒子，也存在改变了朝向的导电粒子。朝向变化的程度根据该带有绝缘粒子的导电粒子相对于端子的位置、绝缘性树脂层的粘度、加热加压条件等而不同，但连接结构体的带有绝缘粒子的导电粒子中也包含维持了加热加压前的朝向的导电粒子。因此，如果在连接结构体的制造中使用的各向异性导电膜为本发明的各向异性导电膜，则未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子的至少一部分包含绝缘粒子缺少区域朝向相对的端子的相对方向的导电粒子，可知晓是本发明的连接结构体。尤其是，连接结构体中如果导电粒子缺少区域朝向相对的端子的相对方向的带有绝缘粒子的导电粒子聚集存在于某一区域，则可容易地知晓该连接结构体是本发明的连接结构体。
各向异性导电膜虽然有时被裁切成与电子部件的一方的外形几乎相同大小来使用，但一般而言，被裁切成大于电子部件的一方的外形来使用。也就是说，有时包括对连接没有贡献(充分远离工具)的区域。因此，有时还会在相对的电子部件间的外侧的各向异性导电膜中存在朝向端子彼此相对的方向的绝缘粒子缺少区域，由此也可以确认本发明的连接结构体的特征。
此外，连接结构体的制造中所用的各向异性导电膜中，带有绝缘粒子的导电粒子有序排列的情况下，连接结构体中，有时会发现未被相对的端子夹持的带有绝缘粒子的导电粒子也维持了排列的规律性。该情况下，对于发现了此排列的规律性的带有绝缘粒子的导电粒子，能够容易地确认绝缘粒子缺少区域朝向端子彼此相对的方向。此外，对于在其制造中所用的各向异性导电膜，能够容易地确认(NA3+NA4)＞(NA1+NA2)。
需说明的是，即使是本发明的连接结构体的制造过程中的结构体，即，即使是将本发明的各向异性导电膜贴附于一方电子部件但未连接另一方的电子部件的状态的结构体(连接工序中的中间品，换言之为贴附有各向异性导电膜的电子部件)，该各向异性导电膜中的带有绝缘粒子的导电粒子也具有与上述连接结构体中的带有绝缘粒子的导电粒子同样的特征。
作为使用了各向异性导电膜的电子部件的连接方法，在各向异性导电膜的树脂层由绝缘性树脂层5的单层形成的情况下，可通过对于各种基板等第2电子部件，从各向异性导电膜的在表面埋入有带有绝缘粒子的导电粒子3的一侧进行临时压接，在临时压接后的各向异性导电膜的在表面没有埋入带有绝缘粒子的导电粒子3的一侧上对准IC芯片等第1电子部件，进行热压接来制造。在各向异性导电膜的绝缘性树脂层中不仅含有热聚合引发剂和热聚合性化合物，还含有光聚合引发剂和光聚合性化合物(也可以与热聚合性化合物相同)的情况下，也可以是将光和热并用的压接方法。如果这样操作，则能够将带有绝缘粒子的导电粒子的无益的移动抑制为最小限度。此外，也可以将没有埋入带有绝缘粒子的导电粒子3的一侧临时贴附于第2电子部件来使用。需说明的是，不仅是第2电子部件，也可以将各向异性导电膜临时贴附于第1电子部件来使用。
此外，当各向异性导电膜的树脂层由绝缘性树脂层5和低粘度绝缘性树脂层6的层叠体形成的情况下，将绝缘性树脂层5临时贴附于各种基板等第2电子部件进行临时压接，将IC芯片等第1电子部件定位并载置于临时压接后的各向异性导电膜的低粘度绝缘性树脂层6上，进行热压接。也可以将各向异性导电膜的低粘度绝缘性树脂层6侧临时贴附于第1电子部件来使用。
实施例
以下，通过实施例具体说明本发明。
实施例1～10
(1)各向异性导电膜的制造
按照表1所示的配比，分别调制形成绝缘性树脂层以及低粘度绝缘性树脂层的树脂组合物。
将形成绝缘性树脂层的树脂组合物用棒涂机涂布于膜厚50μm的PET膜上，用80℃的烘箱干燥5分钟，在PET膜上形成表2所示厚度的绝缘性树脂层。以同样的方式，分别按照表2所示厚度在PET膜上形成低粘度绝缘性树脂层。
另一方面，按照使带有绝缘粒子的导电粒子在俯视观察时呈图1A所示的正方格子排列，粒子间距离成为与带有绝缘粒子的导电粒子的粒径相等，成为个数密度28000个/mm2的方式制作模具。即，制作模具的凸部图案(个数密度28000个/mm2)为正方格子排列，格子轴上的凸部的间距为平均粒径的2倍，且格子轴与各向异性导电膜的短边方向所形成的角度θ为15°的模具，并将公知的透明性树脂的粒料以熔融的状态注入该模具中，使其冷却固化，从而形成凹部呈图1A所示排列图案的树脂模具。
此外，制作使模具的凸部图案(个数密度28000个/mm2)无序化的模具，使用该模具来形成凹部呈无序图案的树脂模具。此时，将相邻的带有绝缘粒子的导电粒子的导电粒子间的距离设定为导电粒子的平均直径的0.5倍以上。
作为带有绝缘粒子的导电粒子，准备依据日本特开2014－132567号公报的记载使绝缘性微粒子(平均粒径0.3μm)附着于金属被覆树脂粒子(积水化学工业(株)、AUL703、平均粒径3μm)的表面而得到的导电粒子，将该带有绝缘粒子的导电粒子填充于树脂模具的凹部，在其上覆盖上述的绝缘性树脂层。
实施例1～2中，以60℃、0.5MPa按压该绝缘性树脂层，从树脂模具剥离绝缘性树脂层从而使带有绝缘粒子的导电粒子转粘至绝缘性树脂层。此时的带有绝缘粒子的导电粒子在绝缘性树脂层中的埋入率(Lb/D)在通过SEM的截面观察中为30％。此外，在带有绝缘粒子的导电粒子转粘后的绝缘性树脂层的表面的该带有绝缘粒子的导电粒子周围没有凹陷(参照图2)。实施例7～10中，与实施例1～2同样地使带有绝缘粒子的导电粒子转粘至绝缘性树脂层，但为了使转粘后的带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层形成凹陷，使将带有绝缘粒子的导电粒子按压于绝缘性树脂层时的温度低于60℃。
接下来，实施例3～10中，通过按压绝缘性树脂层上的带有绝缘粒子的导电粒子从而将带有绝缘粒子的导电粒子以压入率(Lb/D)100％压入绝缘性树脂层中。该压入时的温度和压力设为与使带有绝缘粒子的导电粒子从树脂模具转粘至绝缘性树脂层时的前述温度和压力同样。其结果是，实施例3～6中，在压入后的带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层没有凹陷，实施例7～10中，在压入后的带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层形成有凹陷(参照图3A)。
实施例1、2(埋入率30％)、以及实施例3、4(埋入率100％)中，在绝缘性树脂层的、带有绝缘粒子的导电粒子的转粘面层叠低粘度绝缘性树脂层，将其作为各向异性导电膜(参照图5)。
另一方面，实施例5～10(埋入率100％)中，没有层叠低粘度绝缘性树脂层。其中，在实施例7～10中，在将带有绝缘粒子的导电粒子压入于绝缘性树脂层中的状态下，在带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层形成有凹陷，但实施例9、10中，对于具有凹陷的绝缘性树脂层，通过按照不影响各向异性导电连接的条件进行加热按压而使凹陷消失。
比较例1～4
比较例1～4中，使用在金属被覆树脂粒子(积水化学工业(株)、AUL703、平均粒径3μm)的整面实施了绝缘涂层的绝缘涂层导电粒子(涂层膜厚0.1～0.5μm)来代替上述实施例的带有绝缘粒子的导电粒子，按照绝缘涂层导电粒子成为表2所示的排列或配置的方式填充于上述树脂模具中，使绝缘涂层导电粒子转粘至绝缘性树脂层(压入率30％)，进而，比较例3、4中，将转粘至绝缘性树脂层的绝缘涂层导电粒子以成为压入率100％的方式压入绝缘性树脂层中。然后，在绝缘涂层导电粒子的转粘面或压入面层叠低粘度绝缘性树脂层。
[表1]
(质量％)
[表2]
(2)粒子的配置状态
(2-1)独立粒子个数比例
使用扫描型电子显微镜(SEM)，针对各实施例和比较例的各向异性导电膜的表背的各膜面(在层叠了低粘度绝缘性树脂层的情况下，针对低粘度绝缘性树脂层侧表面和其相反面)，观察100个带有绝缘粒子的导电粒子或绝缘涂层导电粒子，测量没有相互接触的带有绝缘粒子的导电粒子或绝缘涂层导电粒子的个数，求出该个数相对于总数的比例(即，独立粒子个数比例)。其结果是，各实施例和比较例中，独立粒子个数比例超过了99％。
(2-2)绝缘粒子被覆率
对于在实施例的各向异性导电膜的制造中使用的带有绝缘粒子的导电粒子(埋入绝缘性树脂层之前的带有绝缘粒子的导电粒子)，求出绝缘粒子被覆率。绝缘粒子被覆率如下算出：使用扫描型电子显微镜(SEM)观察100个带有绝缘粒子的导电粒子，针对各带有绝缘粒子的导电粒子测量相对于每1个导电粒子的绝缘粒子个数，由所测量的个数、1个带有绝缘粒子的导电粒子的俯视观察时的面积、以及1个绝缘粒子的俯视观察时的面积来算出。其结果是，对于各向异性导电膜的制造中使用的带有绝缘粒子的导电粒子，绝缘粒子被覆率为67％。
(2-3)各向异性导电膜制作后的绝缘粒子的被覆状态
对于在实施例的各向异性导电膜中分散的带有绝缘粒子的导电粒子中的绝缘粒子的被覆状态，通过扫描型电子显微镜(SEM)进行截面观察来求出。该截面观察中，测量100个带有绝缘粒子的导电粒子，调查图2所示的区域A1、A2、A3、A4中的绝缘粒子的个数、NA1、NA2、NA3、NA4的大小关系。其结果是，各实施例中，区域A3与区域A4中的绝缘粒子个数没有明显的差异。此外，实施例3～10中，与实施例1相比，处于区域A1的绝缘粒子的个数比处于区域A2的绝缘粒子的个数显著减少。
(3)评价
将各实施例和比较例的各向异性导电膜按照充分可连接和评价的面积裁切后，使用所裁切的各向异性导电膜，如下说明那样，测定或评价(a)初期导通电阻、(b)导通可靠性、(c)短路发生率、(d)导电粒子捕捉性。将结果示于表2。
(a)初期导通电阻
将各实施例和比较例的各向异性导电膜夹在导通特性评价用IC与玻璃基板之间，进行加热加压(180℃、60MPa、5秒)而得到各评价用连接物，测定所得评价用连接物的导通电阻，按照下述基准评价所测定的初期导通电阻。
A：0.3Ω以下
B：超过0.3Ω且为0.4Ω以下
C：超过0.4Ω
只要是B评价，实用上就没有问题。如果是A评价则更优选。
其中，对于评价用IC和玻璃基板，与其端子图案对应，尺寸如下。此外，将评价用IC和玻璃基板连接时，将各向异性导电膜的长边方向与凸起的短边方向对齐。
导通特性的评价用IC
外形1.8×20.0mm
厚度0.5mm
凸起规格尺寸30×85μm、凸起间距离50μm、凸起高度15μm
玻璃基板
玻璃材质康宁公司制1737F
外径30×50mm
厚度0.5mm
电极ITO配线
(b)导通可靠性
与初期导通电阻同样地测定将(a)中制作的评价用连接物置于温度85℃、湿度85％RH的恒温槽中500小时后的导通电阻，按照下述基准测定导通电阻。
S：3.0Ω以下
A：超过3.0Ω且为4.0Ω以下
B：超过4.0Ω且为6.0Ω以下
C：超过6.0Ω
只要是B评价，实用上就没有问题。如果是A评价以上则更优选。
(c)短路发生率
将各实施例和比较例的各向异性导电膜夹入绝缘性试验评价用IC(7.5μm间隔的梳齿测试元件组(test element group，TEG))与端子图案所对应的玻璃基板之间，与初期导通电阻同样地进行加热加压而得到评价用连接物，用数字万用表(数字万用表7561、横河meter&instruments(株))测定所得评价用连接物的短路发生率。以下示出该绝缘性试验评价用IC的规格。
绝缘性试验评价用IC
外形1.5×13mm
厚度0.5mm
凸起规格金镀层、尺寸25×140μm、凸起间距离7.5μm、凸起高度15μm按照下述基准评价所测定的短路发生率。
A：小于50ppm
B：50ppm以上200ppm以下
C：超过200ppm
只要是B评价，实用上就没有问题。
(d)导电粒子捕捉性
使用导电粒子捕捉性的评价用IC，对于该评价用IC和端子图案所对应的ITO涂层基板，使定位错开6μm进行加热加压(180℃、60MPa、5秒)，针对评价用IC的凸起与基板的端子重合的100个6μm×66.6μm的区域测量导电粒子的捕捉数，求出最低捕捉数，按照下述基准进行评价。
导电粒子捕捉性的评价用IC
外形1.6×29.8mm
厚度0.3mm
凸起规格尺寸12×66.6μm、凸起间距22μm(L/S＝12μm/10μm)、凸起高度12μm
导电粒子捕捉性评价基准
OK：3个以上
NG：小于3个
根据表2可知，实施例1～10的各向异性导电膜中，带有绝缘粒子的导电粒子中的绝缘粒子的个数密度为区域A2、A1低于区域A3、A4，尤其是，在各向异性导电膜的制造时将带有绝缘粒子的导电粒子压入了绝缘性树脂层中的实施例3～10中，区域A1的绝缘粒子的个数密度比区域A2显著低。其结果是，与导电粒子在膜厚方向上接触的区域A2、A1的绝缘粒子2的个数密度比与导电粒子1在膜面方向上接触的区域A3、A4的绝缘粒子2的个数更低，实施例3、4的导通可靠性比实施例1、2优异。相对于此，使用树脂涂层导电粒子的比较例1～4的导通可靠性差。
此外，表2的结果中，根据实施例1与2的对比、实施例3与4的对比、实施例5与6的对比、实施例7与8的对比、实施例9与10的对比、比较例1与2的对比、比较例3与4的对比可知，在使带有绝缘粒子的导电粒子排列成正方格子时与无序地配置时之间、在使绝缘涂层导电粒子排列成正方格子时与无序地配置之间，对于导通电阻、短路发生率、导电粒子捕捉性未确认到差异，但在捕捉性的评价中，使带有绝缘粒子的导电粒子或绝缘涂层导电粒子配列成正方格子时与无序地配置时相比更容易确认压痕。
需说明的是，在带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层没有凹陷的实施例5、6、在带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层存在凹陷的实施例7、8、将该凹陷加热按压而消除了的实施例9、10中，初期导通电阻、导通可靠性、短路发生率和导电粒子捕捉性的评价均为良好。由此可知，本实施例中，无论有无凹陷，带有绝缘粒子的导电粒子都没有因树脂流动而无益地移动。
符号说明
1：导电粒子，2：绝缘粒子，3：带有绝缘粒子的导电粒子，5：绝缘性树脂层，5a：绝缘性树脂层的表面，5b：凹陷(倾斜)，5c：凹陷(起伏)，5p切平面，6：低粘度绝缘性树脂层，7：剥离膜，10A、10B、10C、10D：各向异性导电膜，30：转印模具，31：凹部，32：平板，33：平板或辊，A：格子轴，A1、A2、A3、A4：区域，D：带有绝缘粒子的导电粒子的粒径La：绝缘性树脂层的层厚，Lb：从与带有绝缘粒子的导电粒子接近的面起至带有绝缘粒子的导电粒子的最深部为止的距离，Lc：倾斜或起伏中的带有绝缘粒子的导电粒子的露出(正上方)部分的直径，Ld：带有绝缘粒子的导电粒子周围或正上方的绝缘性树脂层的倾斜或起伏的最大直径，Le：带有绝缘粒子的导电粒子周围的绝缘性树脂层中的倾斜的最大深度，Lf：带有绝缘粒子的导电粒子的正上方的绝缘性树脂层中的起伏的最大深度，NA1、NA2、NA3、NA4：存在于区域中的绝缘粒子的个数，θ：端子的长边方向与格子轴所形成的角度。

Claims (12)

1.一种各向异性导电膜的制造方法，具备如下工序：
在转印模具的凹部填充带有绝缘粒子的导电粒子的工序、
在填充于所述转印模具中的所述带有绝缘粒子的导电粒子上，覆盖以膜状形成于剥离膜上的绝缘性树脂层、
从所述转印模具剥离所述绝缘性树脂层，得到转印有所述带有绝缘粒子的导电粒子的所述绝缘性树脂层，
其中，与所述转印模具的凹部的底面接触的绝缘粒子通过与转印模具相摩擦而从带有绝缘粒子的导电粒子脱离，且通过在填充于所述转印模具的凹部的带有绝缘粒子的导电粒子上覆盖绝缘性树脂层，对于与绝缘性树脂层最初接触的绝缘粒子施加很大的力而使所述绝缘粒子脱离，
所述转印后，构成所述带有绝缘粒子的导电粒子的绝缘粒子中，与导电粒子在膜厚方向上接触的所述绝缘粒子数比与所述导电粒子在膜面方向上接触的所述绝缘粒子数少。
2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述各向异性导电膜中的所述带有绝缘粒子的导电粒子的膜厚方向的截面中，将所述带有绝缘粒子的导电粒子以穿过所述导电粒子的中心且相对于膜厚方向倾斜正45°的直线以及倾斜负45°的直线分割成4个区域A1、A2、A3、A4时，所述导电粒子的上下的区域为A1、A2，所述导电粒子的左右的区域为A3、A4，将存在于所述区域A1、A2、A3、A4中的所述绝缘粒子的个数设为NA1、NA2、NA3、NA4，
NA3，NA4≧NA2＞NA1。
3.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述绝缘粒子的粒径为所述导电粒子的粒径的0.4％以上18％以下。
4.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述导电粒子的整个表面中由所述绝缘粒子被覆的比例、即被覆率为20～97％。
5.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述导电粒子的整个表面中由所述绝缘粒子被覆的比例，即被覆率为40～95％。
6.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，进一步具有如下的工序：
在覆盖所述绝缘性树脂层的工序之前，使填充于所述转印模具中的所述带有绝缘粒子的导电粒子与平板接触。
7.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，进一步具有用平板或辊将转印至所述绝缘性树脂层的所述带有绝缘粒子的导电粒子压入的工序。
8.根据权利要求7所述的各向异性导电膜的制造方法，
在所述压入的工序中，将压入量以埋入率Lb/D成为30％以上105％以下的方式进行调整，所述埋入率Lb/D为从与所述带有绝缘粒子的导电粒子接近的面起至所述带有绝缘粒子的导电粒子的最深部为止的距离Lb与所述带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D的比。
9.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述绝缘性树脂层的层厚La与带有绝缘粒子的导电粒子的粒径D之比、即La/D为0.8～2。
10.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述转印模具的凹部规则排列。
11.根据权利要求1所述的各向异性导电膜的制造方法，所述转印模具的凹部无序分散。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的各向异性导电膜的制造方法，将最低熔融粘度比上述绝缘性树脂层低的低粘度绝缘性树脂层层叠于所述绝缘性树脂层。
CN202110420313.2A 2016-10-24 2017-10-18 各向异性导电膜的制造方法 Active CN113078486B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110420313.2A CN113078486B (zh) 2016-10-24 2017-10-18 各向异性导电膜的制造方法

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-208086 2016-10-24
JP2016208086 2016-10-24
JP2017-160657 2017-08-23
JP2017160657A JP6935702B2 (ja) 2016-10-24 2017-08-23 異方性導電フィルム
CN201780062727.4A CN109845040B (zh) 2016-10-24 2017-10-18 各向异性导电膜
PCT/JP2017/037664 WO2018079365A1 (ja) 2016-10-24 2017-10-18 異方性導電フィルム
CN202110420313.2A CN113078486B (zh) 2016-10-24 2017-10-18 各向异性导电膜的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780062727.4A Division CN109845040B (zh) 2016-10-24 2017-10-18 各向异性导电膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113078486A CN113078486A (zh) 2021-07-06
CN113078486B true CN113078486B (zh) 2023-10-20

Family

ID=62023498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110420313.2A Active CN113078486B (zh) 2016-10-24 2017-10-18 各向异性导电膜的制造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7248923B2 (zh)
CN (1) CN113078486B (zh)
WO (1) WO2018079365A1 (zh)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999460A (en) * 1989-08-10 1991-03-12 Casio Computer Co., Ltd. Conductive connecting structure
KR20080058610A (ko) * 2006-12-22 2008-06-26 제일모직주식회사 절연성 도전 입자 및 이를 이용한 이방 도전성 필름
JP2008186761A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法および粒子保持膜の製造方法ならびに異方性導電膜
CN101432931A (zh) * 2006-04-27 2009-05-13 旭化成电子材料元件株式会社 导电颗粒配置薄片及各向异性导电膜
WO2010001900A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 日立化成工業株式会社 回路接続材料及び回路接続構造体
JP2010033793A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法
JP2011187332A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Sekisui Chem Co Ltd 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2012160546A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
CN103426499A (zh) * 2012-05-16 2013-12-04 日立化成株式会社 导电粒子、各向异性导电粘接剂膜和连接结构体
CN104541416A (zh) * 2012-08-24 2015-04-22 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜的制造方法和各向异性导电膜
CN104541417A (zh) * 2012-08-29 2015-04-22 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜及其制备方法
JP2015201435A (ja) * 2014-03-31 2015-11-12 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
CN105359342A (zh) * 2013-07-31 2016-02-24 迪睿合株式会社 各向异性导电膜及其制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371570A (ja) * 1989-08-10 1991-03-27 Casio Comput Co Ltd 導電用結合剤および導電接続構造
JP2895872B2 (ja) * 1989-09-26 1999-05-24 触媒化成工業株式会社 異方導電性材料、異方導電性接着剤およびその異方導電性接着剤を使用した電極間を電気的に接続する方法並びにその方法により形成される電気回路基板
JPH0613432A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Citizen Watch Co Ltd 半導体集積回路装置の接続方法
KR100597391B1 (ko) * 2004-05-12 2006-07-06 제일모직주식회사 절연 전도성 미립자 및 이를 함유하는 이방 전도성 접착필름
JP5484265B2 (ja) * 2010-09-02 2014-05-07 積水化学工業株式会社 導電性粒子、絶縁粒子付き導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP5672022B2 (ja) * 2011-01-25 2015-02-18 日立化成株式会社 絶縁被覆導電粒子、異方導電性材料及び接続構造体
JP2015195198A (ja) * 2014-03-20 2015-11-05 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
JP6458503B2 (ja) * 2015-01-13 2019-01-30 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体
JP6935702B2 (ja) * 2016-10-24 2021-09-15 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999460A (en) * 1989-08-10 1991-03-12 Casio Computer Co., Ltd. Conductive connecting structure
CN101432931A (zh) * 2006-04-27 2009-05-13 旭化成电子材料元件株式会社 导电颗粒配置薄片及各向异性导电膜
KR20080058610A (ko) * 2006-12-22 2008-06-26 제일모직주식회사 절연성 도전 입자 및 이를 이용한 이방 도전성 필름
JP2008186761A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法および粒子保持膜の製造方法ならびに異方性導電膜
CN102047347A (zh) * 2008-07-01 2011-05-04 日立化成工业株式会社 电路连接材料和电路连接结构体
WO2010001900A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 日立化成工業株式会社 回路接続材料及び回路接続構造体
JP2010033793A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Tokai Rubber Ind Ltd 粒子転写膜の製造方法
JP2011187332A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Sekisui Chem Co Ltd 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2012160546A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
CN103426499A (zh) * 2012-05-16 2013-12-04 日立化成株式会社 导电粒子、各向异性导电粘接剂膜和连接结构体
CN104541416A (zh) * 2012-08-24 2015-04-22 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜的制造方法和各向异性导电膜
CN104541417A (zh) * 2012-08-29 2015-04-22 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜及其制备方法
CN105359342A (zh) * 2013-07-31 2016-02-24 迪睿合株式会社 各向异性导电膜及其制造方法
JP2015201435A (ja) * 2014-03-31 2015-11-12 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021193670A (ja) 2021-12-23
CN113078486A (zh) 2021-07-06
WO2018079365A1 (ja) 2018-05-03
JP7248923B2 (ja) 2023-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109845040B (zh) 各向异性导电膜
KR102513747B1 (ko) 필러 함유 필름
JP6187665B1 (ja) 異方性導電フィルム
KR102524169B1 (ko) 필러 함유 필름
WO2017141863A1 (ja) 異方性導電フィルム、その製造方法及び接続構造体
CN109964371B (zh) 各向异性导电膜
CN109983629B (zh) 各向异性导电膜
TWI806494B (zh) 異向性導電膜、連接構造體、連接構造體之製造方法及捲裝體
CN109843992B (zh) 含填料膜
KR102652055B1 (ko) 필러 함유 필름
CN109804002B (zh) 含填料膜
JP7352114B2 (ja) フィラー含有フィルム
CN113078486B (zh) 各向异性导电膜的制造方法
CN112740483A (zh) 各向异性导电薄膜、连接结构体、连接结构体的制备方法
JP7319578B2 (ja) フィラー含有フィルム
TW201921803A (zh) 異向性導電膜
CN116253914A (zh) 含填料膜
TWI835252B (zh) 含填料膜

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant