KR102524169B1 - 필러 함유 필름 - Google Patents

필러 함유 필름 Download PDF

Info

Publication number
KR102524169B1
KR102524169B1 KR1020217033006A KR20217033006A KR102524169B1 KR 102524169 B1 KR102524169 B1 KR 102524169B1 KR 1020217033006 A KR1020217033006 A KR 1020217033006A KR 20217033006 A KR20217033006 A KR 20217033006A KR 102524169 B1 KR102524169 B1 KR 102524169B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
filler
layer
resin layer
containing film
fillers
Prior art date
Application number
KR1020217033006A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210127811A (ko
Inventor
레이지 츠카오
마코토 마츠바라
Original Assignee
데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 filed Critical 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
Priority claimed from PCT/JP2017/037137 external-priority patent/WO2018079303A1/ja
Publication of KR20210127811A publication Critical patent/KR20210127811A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102524169B1 publication Critical patent/KR102524169B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/24—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using solvents or swelling agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/42—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising condensation resins of aldehydes, e.g. with phenols, ureas or melamines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/03—3 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/02—Synthetic macromolecular particles
    • B32B2264/0207—Particles made of materials belonging to B32B25/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/02—Synthetic macromolecular particles
    • B32B2264/0214—Particles made of materials belonging to B32B27/00
    • B32B2264/0228—Vinyl resin particles, e.g. polyvinyl acetate, polyvinyl alcohol polymers or ethylene-vinyl acetate copolymers
    • B32B2264/0235—Aromatic vinyl resin, e.g. styrenic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/02—Synthetic macromolecular particles
    • B32B2264/0214—Particles made of materials belonging to B32B27/00
    • B32B2264/025—Acrylic resin particles, e.g. polymethyl methacrylate or ethylene-acrylate copolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/102—Oxide or hydroxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/105—Metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/12—Mixture of at least two particles made of different materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2270/00—Resin or rubber layer containing a blend of at least two different polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/706—Anisotropic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/124—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present on both sides of the carrier, e.g. double-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29357—Cobalt [Co] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29391—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/3223—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a pin of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)

Abstract

이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10A) 은, 수지층 (2) 과, 수지층 (2) 에 단층으로 분산되어 있는 필러 (1A) 로 이루어지는 제 1 필러층과, 제 1 필러층과 상이한 깊이로 수지층 (2) 에 단층으로 분산되어 있는 필러 (1B) 로 이루어지는 제 2 필러층을 갖는 필러 분산층 (3) 을 구비한다. 제 1 필러층의 필러 (1A) 는, 수지층 (2) 의 일방의 표면 (2a) 으로부터 노출되거나, 또는 그 표면 (2a) 에 근접되어 있고, 제 2 필러층의 필러 (1B) 는, 수지층 (2) 의 타방의 표면 (2b) 으로부터 노출되거나, 또는 그 표면 (2b) 에 근접되어 있다.

Description

필러 함유 필름 {FILLER-CONTAINING FILM}
본 발명은 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 관한 것이다.
필러가 수지층에 분산되어 있는 필러 함유 필름은, 광택 제거 필름, 콘덴서용 필름, 광학 필름, 라벨용 필름, 내전방지용 필름, 이방성 도전 필름 등 다종다양한 용도에서 사용되고 있다 (특허문헌 1, 특허문헌 2, 특허문헌 3, 특허문헌 4).
필러 함유 필름의 일 양태로는, 예를 들어, IC 칩 등의 전자 부품의 실장에 이방성 도전 필름이 널리 사용되고 있다. 이방성 도전 필름을 고실장 밀도에 대응시키는 관점에서, 이방성 도전 필름에서는, 그 절연성 수지층에 도전 입자를 고밀도로 분산시키는 것이 실시되고 있다. 그러나, 도전 입자의 개수 밀도를 지나치게 높이면, 이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품끼리의 접속 구조체에 있어서 쇼트가 발생하기 쉬워진다.
이에 대해, 이방성 도전 필름의 제조에 있어서, 그라비아 코터 등의 표면에 규칙적인 홈을 갖는 도공 롤을 사용하여 도전 입자를 포함하는 수지액을 절연성 수지층 또는 박리 필름에 도포하고, 도전 입자를 절연성 수지층에 단층으로 규칙 배열시키는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 5). 또, 전사형을 사용하여 소정의 배치에 분산시킨 도전 입자를 제 1 절연성 수지층과 제 2 절연성 수지층에 각각 전사하고, 도전 입자가 전사한 제 1 절연성 수지층과 제 2 절연성 수지층을 첩합 (貼合) 하고, 이방성 도전 필름의 상이한 깊이에 도전 입자가 규칙 배열한 제 1 도전 입자층과 제 2 도전 입자층을 형성하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 6).
일본 공개특허공보 2006-15680호 일본 공개특허공보 2015-138904호 일본 공개특허공보 2013-103368호 일본 공개특허공보 2014-183266호 일본 공개특허공보 2016-31888호 일본 공개특허공보 2015-201435호
특허문헌 5 에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법에 의하면, 도전 입자가 규칙 배열하므로, 도전 입자의 개수 밀도를 높여도, 도전 입자가 랜덤하게 배치되는 경우에 비하여 쇼트가 일어나기 쉬움이 저감한다. 그러나, 이방성 도전 필름의 편면에 도전 입자가 단층으로 배치되기 때문에, 개수 밀도를 높인 경우에 쇼트가 야기되지 않도록 도전 입자를 정확 (精確) 하게 배열시키는 것에는 한계가 있다.
특허문헌 6 에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법에 의하면, 제 1 절연성 수지층 및 제 2 절연성 수지층의 각각에 도전 입자를 유지시키기 때문에, 이방성 도전 필름 전체적으로의 도전 입자의 개수 밀도를 높이고, 게다가 쇼트의 발생을 억제할 수 있다. 그러나, 여기에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법에 따라서, 제 1 절연성 수지층 및 제 2 절연성 수지층에 경화성 수지를 사용하고, 그 경화에 의해 도전 입자를 이들 수지층에 유지시키고, 제 1 절연성 수지층과 제 2 절연성 수지층을 첩합하면, 이방성 도전 필름의 표면의 택성이 저하될 우려가 있고, 전자 부품에 이방성 도전 필름을 붙이는 임시 부착이나, 전자 부품에 이방성 도전 필름을 저온 압착하여 부품에 고정하는 임시 압착을 실시할 때의 작업성이 저하된다.
이에 반해, 본 발명은, 이방성 도전 필름을 비롯한 필러 함유 필름에 있어서, 상이한 깊이에 제 1 필러층과 제 2 필러층을 가짐으로써, 필러의 개수 밀도를 높여 기능성을 향상시킬 (예를 들어, 고밀도 실장에 대응시킬) 수 있도록 하는 것을 과제로 한다. 구체적으로는, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우에는, 전자 부품끼리의 접속 구조체에 있어서 쇼트의 발생을 억제하고, 접속 신뢰성을 향상시키고, 또한, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 임시 부착이나 임시 압착에 있어서의 작업성을 향상시키기 위해서 필름 표면에 택성을 갖게 하는 것을 과제로 한다.
본 발명자는, 수지층의 상이한 깊이에 제 1 필러층과 제 2 필러층이 형성되어 있음으로써 필러의 개수 밀도를 높이면서, 특히 필러 함유 필름의 일 양태인 이방성 도전 필름으로 한 경우에 쇼트의 발생을 억제한 필러 함유 필름을 제조할 때에, 수지층의 표리 양면에 필러를 밀어넣음으로써, 제 1 필러층을 수지층의 일방의 표면으로부터 노출되도록 또는 그 표면 근방에 형성함과 함께, 제 2 필러층을 수지층의 타방의 표면으로부터 노출되도록 또는 그 표면 근방에 형성하면, 이방성 도전 접속하는 전자 부품의 단자에 도전 입자가 포착되기 쉬워져 접속 신뢰성이 향상되고, 또, 필름 표면의 택성도 확보하기 쉬운 것을 알아내어, 본 발명을 생각하기에 이르렀다. 이와 같이, 양면에 필러를 구비함으로써, 필러 함유 필름의 성능의 부여나 향상, 품질의 안정 및 비용 삭감에 기여할 수 있다.
즉, 본 발명은, 수지층과, 그 수지층에 단층으로 분산되어 있는 필러로 이루어지는 제 1 필러층과, 제 1 필러층과 상이한 깊이로 그 수지층에 단층으로 분산되어 있는 필러로 이루어지는 제 2 필러층을 갖는 필러 분산층을 구비한 필러 함유 필름으로서,
제 1 필러층의 필러는 수지층의 일방의 표면으로부터 노출되거나, 또는 그 일방의 표면에 근접되어 있고,
제 2 필러층의 필러는 수지층의 타방의 표면으로부터 노출되거나, 또는 그 타방의 표면에 근접되어 있는 필러 함유 필름을 제공한다. 특히 본 발명은, 필러 함유 필름의 바람직한 일 양태로서, 필러가 도전 입자이고, 수지층이 절연성 수지층이고, 이방성 도전 필름으로서 사용되는 필러 함유 필름을 제공한다.
또, 본 발명은, 상기 서술한 필러 함유 필름의 제조 방법으로서,
수지층의 일방의 표면에 필러를 소정의 분산 상태로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣고, 수지층의 타방의 표면에도 다른 필러를 소정의 분산 상태로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣는 것을 특징으로 하는 제조 방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 상기 서술한 필러 함유 필름이 물품에 첩착 (貼着) 되어 있는 필름 첩착체, 상기 서술한 필러 함유 필름을 통해서 제 1 물품과 제 2 물품이 접속되어 있는 접속 구조체, 특히, 이방성 도전 필름으로서 사용되는 필러 함유 필름을 통해서 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속되어 있는 접속 구조체를 제공한다. 또한, 본 발명은, 상기 서술한 필러 함유 필름을 통해서 제 1 물품과 제 2 물품을 압착하는 접속 구조체의 제조 방법, 그리고, 제 1 물품, 제 2 물품을 각각 제 1 전자 부품, 제 2 전자 부품으로 하고, 이방성 도전 필름으로서 사용되는 필러 함유 필름을 통해서 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 열 압착함으로써 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속된 접속 구조체의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 필러 함유 필름의 일 양태인 이방성 도전 필름에 의하면, 필러가 수지층의 표리 각각의 표면으로부터 노출되거나 또는 표면에 근접하여 존재하므로, 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우에, 이방성 도전 접속하는 전자 부품의 단자에 도전 입자가 포착되기 쉬워진다. 따라서, 접속 신뢰성이 향상된다.
또, 필름 전체의 필러의 개수 밀도에 비하여 제 1 필러층의 개수 밀도 및 제 2 필러층의 개수 밀도의 각각은 낮다. 따라서, 필름 전체에서는 필러가 고밀도로 존재해도, 그것에 의해 필름 표면의 택성이 저하될 우려를 회피할 수 있다. 또한, 본 발명의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 의하면, 수지층에 필러를 고정시키기 위해서 수지층을 경화시키는 것이 필수는 아니기 때문에, 그것에 의해서도 필름 표면에 택성을 확보할 수 있다. 택성의 개선 이외에도, 필러 함유 필름의 편면의 표면 뿐만 아니라, 양면에 필러를 구비함으로써, 편면의 표면에만 필러를 구비한 경우와는 상이한 기능성의 부여를 기대할 수 있다.
게다가, 필름 전체의 필러의 개수 밀도에 비하여 제 1 필러층의 개수 밀도 및 제 2 필러층의 개수 밀도가 각각 낮아짐으로써, 개개의 필러층에 있어서의 필러의 배치를 정확하게 제어하는 것이 용이해지고, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 전체적으로의 필러의 배치 피치를 좁혀도 필러를 소정의 배치에 정확하게 배치할 수 있다. 따라서, 상기 서술한 포착성의 향상과 더불어 파인 피치의 접속에도 적합한 것이 되고, 예를 들어, 단자 폭 6 ㎛ ∼ 50 ㎛, 단자간 스페이스 6 ㎛ ∼ 50 ㎛ 의 전자 부품의 접속에 사용할 수 있다. 또, 유효 접속 단자 폭 (접속시에 대향한 1 쌍의 단자의 폭 중, 평면에서 보았을 때 서로 겹쳐 있는 부분의 폭) 이 3 ㎛ 이상, 최단 단자간 거리가 3 ㎛ 이상이면, 쇼트를 일으키는 일 없이 전자 부품을 접속할 수 있다. 또, 다른 양태로는 예를 들어 광학 필름이 있지만, 필러의 수지층에 있어서의 두께 방향 및 평면에서 보았을 때에 있어서의 비접촉으로 독립된 개수 비율을 조정함으로써, 필러의 광학적 성능을 조정할 수 있다. 광택 제거 필름 등 외관에 직결하는 것에도 동일한 것을 말할 수 있다. 이것을 양면에서 조정할 수 있기 때문에, 성능이나 품질의 향상 및 비용 삭감에 기여하기 쉬워진다.
도 1a 는, 실시예의 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10A) 의 필러 (도전 입자) 의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 1b 는, 실시예의 필러 함유 필름 (10A) 의 단면도이다.
도 2 는, 제 1 필러층의 필러와 제 2 필러층의 필러의 매립률이 대략 100 ％ 이고, 필러가 수지층 표면으로부터 노출되어 있는 필러 함유 필름의 단면도이다.
도 3 은, 제 1 필러층의 필러와 제 2 필러층의 필러의 매립률이 대략 100 ％ 이고, 수지층의 표면이 평탄하게 되도록 필러가 수지층에 매립되어 있는 필러 함유 필름의 단면도이다.
도 4 는, 필러의 매립률이 100 ％ 를 약간 초과하고, 필러의 바로 위의 수지층의 표면에 패임이 있는 필러 함유 필름의 단면도이다.
도 5a 는, 실시예의 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10B) 의 필러 (도전 입자) 의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 5b 는, 실시예의 필러 함유 필름 (10B) 의 단면도이다.
도 6 은, 필러 함유 필름 (10A) 으로 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때의 단면도이다.
도 7a 는, 실시예의 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10C) 의 필러 (도전 입자) 의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 7b 는, 실시예의 필러 함유 필름 (10C) 의 단면도이다.
도 8a 는, 실시예의 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10D) 의 필러 (도전 입자) 의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 8b 는, 실시예의 필러 함유 필름 (10D) 의 단면도이다.
도 9 는, 이방성 도전 접속의 전후의 필러 유닛 (1C) 의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 10 은, 필러 함유 필름 (10D) 을 사용하여 전자 부품을 이방성 도전 접속한 접속 구조체의 단면도이다.
도 11a 는, 제 2 수지층을 갖는 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10E) 의 단면도이다.
도 11b 는, 제 2 수지층을 갖는 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10F) 의 단면도이다.
도 11c 는, 제 2 수지층을 갖는 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10G) 의 단면도이다.
도 12 는, 제 2 수지층을 갖는 필러 함유 필름 (그 일 양태인 이방성 도전 필름) (10) 의 제조 방법의 공정 설명도이다.
이하, 본 발명의 필러 함유 필름을, 그 일 양태인 이방성 도전 필름을 주로 하여, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도 중, 동일 부호는, 동일 또는 동등한 구성 요소를 나타내고 있다.
＜필러 함유 필름의 전체 구성＞
도 1a 는, 본 발명의 일 실시예의 필러 함유 필름 (10A) 의 필러 배치를 설명하는 평면도이며, 도 1b 는 그 X-X 단면도이다.
필러 함유 필름 (10A) 은, 수지층 (2) 과, 그 수지층 (2) 의 일방의 표면 (2a) 으로부터 필름 두께 방향으로 소정의 깊이로 단층으로 분산되어 있는 필러 (1A) 로 이루어지는 제 1 필러층과, 제 1 필러층과 상이한 깊이로 단층으로 분산되어 있는 필러 (1B) 로 이루어지는 제 2 필러층으로 형성된 필러 분산층 (3) 으로 이루어진다. 제 1 필러층의 필러 (1A) 는, 수지층 (2) 의 일방의 표면 (2a) 측에 편재하고, 그 표면 (2a) 으로부터 노출되어 있고, 제 2 필러층의 필러 (1B) 는, 수지층 (2) 의 타방의 표면 (2b) 측에 편재하고, 그 표면 (2b) 으로부터 노출되어 있다. 또한, 도에서는, 제 1 필러층의 필러 (1A) 를 농색으로 표시하고, 제 2 필러층의 필러 (1B) 를 백색으로 표시하고 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 필러의 분산 상태에는, 특별히 언급하지 않는 한, 필러 (1A, 1B) 가 랜덤하게 분산되어 있는 상태도 규칙적인 배치로 분산되어 있는 상태도 포함된다.
또, 본 실시예의 필러 함유 필름 (10A) 에서는, 필름의 긴쪽 방향으로, 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 개수 밀도 및 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 개수 밀도의 일방이 점차 증가하고, 타방이 점차 감소하고 있고, 제 1 필러층과 제 2 필러층을 합친 필러 (1A, 1B) 의 개수 밀도의 필름 전체에 있어서의 균일성이 우수하다.
＜필러＞
필러 (1A, 1B) 는, 필러 함유 필름의 용도에 따라, 공지된 무기계 필러 (금속, 금속 산화물, 금속 질화물 등), 유기계 필러 (수지 입자, 고무 입자 등), 유기계 재료와 무기계 재료가 혼재한 필러 (예를 들어, 코어가 수지 재료로 형성되고, 표면이 금속 도금되어 있는 입자 (금속 피복 수지 입자), 도전 입자의 표면에 절연성 미립자를 부착시킨 것, 도전 입자의 표면을 절연 처리한 것 등) 로부터, 경도, 광학적 성능 등의 용도에 요구되는 성능에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 광학 필름이나 광택 제거 필름에서는, 실리카 필러, 산화티탄 필러, 스티렌 필러, 아크릴 필러, 멜라민 필러나 각종 티탄산 염 등을 사용할 수 있다. 콘덴서용 필름에서는, 산화티탄, 티탄산마그네슘, 티탄산아연, 티탄산비스무트, 산화란탄, 티탄산칼슘, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 티탄산지르콘산납 및 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 접착 필름에서는 폴리머계의 고무 입자, 실리콘 고무 입자 등을 함유시킬 수 있다. 이방성 도전 필름에서는 도전 입자를 함유시킨다. 도전 입자로는, 니켈, 코발트, 은, 동, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 땜납 등의 합금 입자, 금속 피복 수지 입자, 표면에 절연성 미립자가 부착되어 있는 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 2 종 이상을 병용할 수도 있다. 그 중에서도, 금속 피복 수지 입자가, 접속된 후에 수지 입자가 반발함으로써 단자와의 접촉이 유지되기 쉬워지고, 도통 성능이 안정되는 점에서 바람직하다. 또, 도전 입자의 표면에는 공지된 기술에 의해, 도통 특성에 지장을 초래하지 않는 절연 처리가 실시되어 있어도 된다. 상기 서술한 용도별로 예시한 필러는, 당해 용도에 한정되는 것이 아니라, 필요에 따라 다른 용도의 필러 함유 필름이 함유해도 된다. 또, 각 용도의 필러 함유 필름에서는, 필요에 따라 2 종 이상의 필러를 병용할 수 있다.
필러의 형상은, 필러 함유 필름의 용도에 따라, 구형, 타원구, 주상 (柱狀), 침상 (針狀), 그들의 조합 등에서 적절히 선택하여 정해진다. 필러 배치의 확인이 용이해지고, 균등한 상태를 유지하기 쉬운 점에서, 구형이 바람직하다. 특히, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 필러인 도전 입자가, 거의 진구 (眞球) 인 것이 바람직하다. 도전 입자로서 거의 진구인 것을 사용함으로써, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2014-60150호에 기재된 바와 같이 전사형을 사용하여 도전 입자를 배열시킨 이방성 도전 필름을 제조함에 있어서, 전사형 상에서 도전 입자가 매끄럽게 구르므로, 도전 입자를 전사형 상의 소정의 위치에 고정밀도로 충전할 수 있다. 따라서, 도전 입자를 정확하게 배치할 수 있다.
필러 (1A, 1B) 의 입자경 (粒子徑) (DA, DB) 은, 배선 높이의 편차에 대응할 수 있도록 하고, 또, 도통 저항의 상승을 억제하고, 또한 쇼트의 발생을 억제하기 위해서, 바람직하게는 1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하이다.
제 1 필러층의 필러 (1A) 의 입자경과 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 입자경은, 동일해도 되고 상이해도 된다. 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 도전 입자인 쌍방의 필러 (1A, 1B) 의 이방성 도전 접속 후의 편평률 등의 압축 상태, 특히 도전 입자가 금속 피복 수지 입자인 경우에 그들의 압축 상태를 동일하게 하여, 도통 성능을 안정시키는 점에서는 동일하게 하는 것이 바람직하다. 또, 필러 (1A) 와 필러 (1B) 의 재질이나 경도 (예를 들어, 압축 탄성률 등) 는, 동일해도 되고 상이해도 된다.
또한, 필러 (1A, 1B) 의 입자경은, 일반적인 입도 분포 측정 장치에 의해 측정할 수 있고, 또, 평균 입자경도 입도 분포 측정 장치를 사용하여 구할 수 있다. 측정 장치로는, 일례로서 FPIA-3000 (말번사) 을 들 수 있다. 필름 중의 필러경 (徑) 은, 금속 현미경에 의한 관찰이나 SEM 등의 전자 현미경 관찰로부터 구할 수 있다. 이 경우, 필러경을 측정하는 샘플 수를 200 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 필러의 형상이 구형이 아닌 경우, 필러 함유 필름의 평면 화상 또는 단면 화상에 기초하여 최대 길이 또는 구형을 모방한 형상의 직경을 필러의 입자경으로 할 수 있다.
＜필름 두께 방향의 필러의 위치＞
필러 (1A, 1B) 의 필름 두께 방향의 위치에 관하여, 도 1b 에는 수지층 (2) 의 일방의 표면 (2a) 으로부터 제 1 필러층의 필러 (1A) 가 노출되고, 타방의 표면 (2b) 으로부터 제 2 필러층의 필러 (1B) 가 노출되어 있는 양태를 나타냈지만, 본 발명은, 제 1 필러층의 필러 (1A) 가 수지층 (2) 의 일방의 표면 (2a) 으로부터 노출되어 있거나, 또는 필러 (1A) 가 수지층 (2) 내에 완전히 매립되어 있지만 이 수지층 (2) 의 표면 (2a) 에 근접한 위치에 있고, 또, 제 2 필러층의 필러 (1B) 가 수지층 (2) 의 타방의 표면 (2b) 으로부터 노출되어 있거나, 또는 제 2 필러층의 필러 (1B) 가 수지층 (2) 내에 완전히 매립되어 있지만, 수지층 (2) 의 표면 (2b) 에 근접한 위치에 있는 양태를 포함한다. 여기서, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 에 완전히 매립되어 있지만, 그 표면 (2a, 2b) 의 근방에 위치한다는 것은, 일례로서 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 으로부터 노출되지 않고, 또한 후술하는 매립률이 110 ％ 이하, 바람직하게는 105 ％ 이하인 경우를 말한다. 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 으로부터 노출되어 있으면, 필러 (1A, 1B) 의 입자경은, 동일해도 되고 상이해도 된다. 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 필러 (1A, 1B) 의 포착성이 현저하게 향상되므로 바람직하다. 또, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 내에 매립되고, 또한 그 표면 (2a, 2b) 에 근접되어 있으면, 필러 (1A, 1B) 의 포착성이 손상되는 일 없이, 필러 함유 필름의 택성이 향상되므로 바람직하다. 특히, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 에 대하여 0.1 ㎛ 미만으로 근접되어 있으면, 택성이 손상되는 일 없이 필러 (1A, 1B) 의 포착성이 향상되므로 바람직하다. 또, 필러의 개수 밀도가 5000 개/㎟ 이상 혹은 면적 점유율 2 ％ 이상의 필러층은, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 내에 매립되고, 또한 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 과 거의 면일 (面一) 인 것이 바람직하다. 이에 따라, 필러가 수지층으로부터 노출되어 있는 경우에 비하여 필러 함유 필름의 택성이 저하되지 않고, 또한 매립률이 100 ％ 를 초과하여 필러가 완전히 매립되어 있는 경우에 비하여, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 필러가 수지 유동의 영향을 받기 어려워져, 포착성이 향상된다. 이에 반해, 제 1 필러층 및 제 2 필러층 중 어느 일방에서도 수지층 (2) 으로부터 노출되지 않고, 또한 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 의 근방에도 위치하지 않으면 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 필러가 수지 유동의 영향을 받기 쉬워져, 포착성의 저하가 우려된다. 혹은, 필러 근방의 수지 배제가 균일하게는 되기 어려워짐으로써, 필러의 압입에 악영향을 미치는 것도 우려된다. 이것은 이방성 도전 필름 이외의 필러 함유 필름에 있어서도, 동일한 것을 말할 수 있다.
제 1 필러층 내에서 인접하는 필러 (1A) 끼리의 중간부에 있어서의 수지층 (2) 의 표면 (2a) 의 접평면으로부터 필러 (1A) 의 최심부까지의 거리 (이하, 매립량이라고 한다) (L1) 와 필러 (1A) 의 입자경 (DA) 의 비율 (L1/DA) 인 매립률은, 바람직하게는 30 ％ 이상 110 ％ 이하, 보다 바람직하게는 30 ％ 이상 105 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ％ 초과 100 ％ 이하, 특히 바람직하게는 60 ％ 이상 100 ％ 이하이다. 마찬가지로, 제 2 필러층의 필러 (1B) 에 대해서도, 인접하는 필러 (1B) 끼리의 중간부에 있어서의 수지층 (2) 의 표면 (2b) 의 접평면으로부터 필러 (1B) 의 최심부까지의 거리 (매립량) (L2) 와 필러 (1B) 의 입자경 (DB) 의 비율 (L2/DB) 인 매립률은, 바람직하게는 30 ％ 이상 110 ％ 이하, 보다 바람직하게는 30 ％ 이상 105 ％ 이하, 더욱 바람직하게는 30 ％ 초과 100 ％ 이하, 특히 바람직하게는 60 ％ 이상 100 ％ 이하이다. 매립률 (L1/DA), (L2/DB) 를 30 ％ 이상으로 함으로써, 필러 (1A, 1B) 를 수지층 (2) 에 의해 소정의 규칙적인 배치 혹은 소정의 배열로 유지하는 것이 용이해지고, 또, 110 ％ 이하, 바람직하게는 105 ％ 이하로 함으로써, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 수지의 유동에 의해 단자간의 도전 입자인 필러가 소용없이 흐르게 되는 것이 잘 일어나지 않게 된다. 또, 필러 함유 필름에 있어서, 필러의 수지층 (2) 에 있어서의 매립률을 고르게 함으로써, 그 특성이 향상되는 효과를 기대할 수 있다. 일례로서, 광학 필름의 성능이 필러에 의존하는 경우, 평면에서 보았을 때에 있어서의 분산성 (독립성) 과 매립 상태에 일정 이상의 규칙성이 있으면, 단순하게 혼련하고 있는 바인더를 도포하는 등 하여 얻은 것보다, 성능의 향상이나 품질의 안정성이 얻어지는 것으로 추찰된다.
제 1 필러층의 필러 (1A) 의 매립률과, 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 매립률은 동일해도 되고 상이해도 된다.
여기서, 필러경 (DA, DB) 은, 각각 제 1 필러층의 필러 (1A), 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 필러경의 평균이다.
또, 본 발명에 있어서, 매립률 (L1/DA), (L2/DB) 의 수치는, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 포함되는 전체 필러 (예를 들어 도전 입자) 수의 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상, 보다 바람직하게는 96 ％ 이상이, 당해 매립률 (L1/DA), (L2/DB) 의 수치가 되어 있는 것을 말한다. 매립률 (L1/DA), (L2/DB) 은, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름으로부터 면적 30 ㎟ 이상의 영역을 임의로 10 개 지점 이상 빼내고, 그 필름 단면의 일부를 SEM 화상 관찰하고, 합계 50 개 이상의 필러를 계측함으로써 구할 수 있다. 보다 정밀도를 올리기 위해서, 200 개 이상의 필러를 계측하여 구해도 된다.
수지층 (2) 에 있어서의 필러 (1A, 1B) 의 특히 바람직한 매립 양태의 예로서, 도 1b 에 나타낸 바와 같이, 필러 (1A, 1B) 의 쌍방 모두 매립률이 60 ％ 이상 100 ％ 이하이고, 필러 (1A, 1B) 가 각각 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 으로부터 노출되고, 노출되어 있는 필러 (1A, 1B) 의 주위의 수지층 (2) 에 패임 (2x) 이 형성되어 있는 양태나, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 필러 (1A, 1B) 의 양방 모두 매립률이 대략 100 ％ 이고, 수지층 (2) 의 표리에서 필러 (1A, 1B) 가 각각 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 과 면일이고, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 으로부터 노출되고, 노출되어 있는 필러 (1A, 1B) 의 주위의 수지층 (2) 에 패임 (2x) 이 형성되어 있는 양태를 들 수 있다. 패임 (2x) 이 형성되어 있음으로써, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 필러 (1A, 1B) 가 단자간에서 협지 (挾持) 될 때에 발생하는 필러 (1A, 1B) 의 편평화에 대하여 수지로부터 받는 저항이, 패임 (2x) 이 없는 경우에 비하여 저감하고, 단자에 있어서의 필러의 포착성이 향상된다. 필러 함유 필름이라고 해도, 단순하게 혼련하고 있는 바인더를 도포하는 등 하여 얻은 것보다, 상기 서술한 바와 같이 필러와 수지 상태에 특이성이 있기 때문에, 성능이나 품질에 특징이 발생하는 것을 기대할 수 있다.
한편, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품끼리를 접속할 때에, 공기가 말려들어가지 않도록 하는 점에서는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자인 필러 (1A, 1B) 의 매립률이 대략 100 ％ 이고, 또한 필러 분산층 (3) 의 표면이 평탄하게 되도록 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 에 매립되어 있는 것이 바람직하다.
또, 매립률이 100 ％ 를 초과하는 경우에, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 필러 (1A, 1B) 에 근접한 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 의 필러 (1A, 1B) 의 바로 위의 영역에 패임 (2y) 이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 패임 (2y) 이 형성되어 있음으로써, 패임 (2y) 이 없는 경우에 비하여, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시의 압력이 도전 입자인 필러 (1A, 1B) 에 집중하기 쉬워져, 단자에 있어서의 필러 (1A, 1B) 의 포착성이 향상된다. 필러 함유 필름이라고 해도, 단순히 혼련하고 있는 바인더를 도포하는 등 하여 얻은 것보다, 상기 서술한 바와 같이 필러와 수지 상태에 특이성이 있기 때문에, 성능이나 품질에 특징이 발생하는 것을 기대할 수 있다.
＜필러의 배열＞
도 1a 에 나타낸 필러 함유 필름 (10A) 에 있어서, 제 1 필러층의 필러 (1A) 와 제 2 필러층의 필러 (1B) 는 각각 정방 격자로 배열하고 있다. 이와 같이 본 발명의 필러 함유 필름에 있어서, 필러 (1A, 1B) 는 규칙적으로 배열하고 있는 것이 바람직하다. 규칙적인 배열로는, 도 1a 에 나타낸 정방 격자 외에, 장방 격자, 사방 격자, 6 방 격자 등의 격자 배열을 들 수 있다. 격자 배열 이외의 규칙적인 배열로는, 필러가 소정 간격으로 직선상으로 늘어선 입자열이 소정의 간격으로 병렬하고 있는 것을 들 수 있다. 필러 (1A, 1B) 를 격자상 등의 규칙적인 배열로 함으로써, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 각 필러 (1A, 1B) 에 압력을 균등하게 가하고, 도통 저항의 편차를 저감시킬 수 있다.
제 1 필러층에 있어서의 필러 (1A) 의 배열과, 제 2 필러층에 있어서의 필러 (1B) 의 배열은, 동일하게 해도 되고, 상이하게 해도 된다. 동일하게 하는 경우, 예를 들어 도 5a, 도 5b 에 나타낸 필러 함유 필름 (10B) 과 같이 필러 함유 필름의 평면에서 보아 제 1 필러층의 필러 (1A) 와 제 2 필러층의 필러 (1B) 가 겹치지 않도록 해도 되고, 제 1 필러층의 필러 (1A) 와 제 2 필러층의 필러 (1B) 가 접촉 또는 근접하여 이루어지는 필러 유닛이 형성되도록 해도 된다. 그 경우, 필러 유닛끼리는 접촉하지 않고 규칙적으로 배열하고 있는 것이 바람직하다. 그에 따라 쇼트의 발생을 억제할 수 있다.
예를 들어, 제 1 필러층과 제 2 필러층에 있어서 필러 (1A, 1B) 의 배열 자체는 동일하지만, 일방의 필러 (1A) 의 배열이 타방의 필러 (1B) 의 배열에 대하여 필름 면방향으로 소정 거리 어긋나 있고, 필러 함유 필름의 평면에서 보아 제 1 필러층의 필러 (1A) 와 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 일부가 겹쳐 있는 필러 유닛을 구성할 수 있다. 이 경우, 도 1a 에 나타낸 필러 함유 필름 (10A) 의 일 양태인 이방성 도전 필름과 같이, 필러 (1A) 와 필러 (1B) 가 부분적으로 겹친 필러 유닛 (1C) 이 형성되도록 하면, 필러 함유 필름은 이방성 도전 필름 때문에, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 필러 (1A 및 1B) 중 어느 것이 단자에 포착되기 쉬워지는 효과를 기대할 수 있다. 즉, 도 1a 에 나타낸 필러 함유 필름 (10A) 의 일 양태인 이방성 도전 필름을 사용하여 제 1 전자 부품 (30) 의 단자 (20) 와 제 2 전자 부품 (31) 의 단자 (21) 를 이방성 도전 접속하는 경우에 있어서 도 6 에 나타내는 바와 같이 단자 (20, 21) 의 에지에 필러 (1A) 가 위치하면, 필러 함유 필름 (이방성 도전 필름) 의 평면에서 보아 필러 (1A) 와 겹치는 위치에 필러 (1B) 가 존재하기 때문에, 가열 가압시에 필러 (1A 또는 1B) 가 위치 어긋나도, 인접하는 필러 (1A, 1B) 중 어느 것에서는, 단자 (20, 21) 가 접속되고, 단자에 있어서의 필러의 포착성을 높일 수 있다. 또 이 경우, 가열 가압시의 수지 유동이 발생하면 필러 (1A 와 1B) 의 거리가 멀어지므로 쇼트가 발생하는 리스크도 저감한다. 또한, 이와 같이, 필러 (1A 와 1B) 를 부분적으로 겹치는 것은, 필러 함유 필름의 일 양태인 이방성 도전 필름 전체에 있어서의 필러경이나 개수 밀도, 필러간의 거리, 접속하는 단자 사이즈나 단자간 거리 등을 바탕으로, 필러 (1A 와 1B) 를 부분적으로 겹쳐도 설계상 쇼트가 발생하지 않는 것을 전제로 하지만, 필러 (1A 와 1B) 를 부분적으로 겹치면, 쇼트 억제의 효과를 만족하면서 포착성 향상의 효과도 만족하기 쉬워지므로 바람직하다. 또, 인접하는 필러 (1A, 1B) 가, 각각 수지층 (2) 의 표리의 면 (2a, 2b) 과 거의 면일이 되어 있는 경우, 혹은 그 표리의 면 (2a, 2b) 으로부터 노출되어 있는 경우에는, 이들 효과가 더욱 커지므로 바람직하다. 또한, 이와 같이 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 상기 서술한 필러 함유 필름에 있어서, 만일 제 1 필러층의 필러 (1A) 와 제 2 필러층의 필러 (1B) 가 필름 두께 방향으로 완전히 겹쳐 있어도, 이방성 도전 접속에 사용하면, 이방성 도전 접속시의 가열 가압에 의해 수지의 용융이나 유동이 발생하는 경우도 있어, 겹쳐 있던 필러 (1A, 1B) 의 위치는 어긋나므로, 실용상 문제는 없다. 이방성 도전 필름 이외의 양태에 있어서도, 동일한 것을 말할 수 있다.
한편, 제 1 필러층에 있어서의 필러 (1A) 의 배열과, 제 2 필러층에 있어서의 필러 (1B) 의 배열을 상이하게 하는 경우에는, 예를 들어, 쌍방의 배열의 형상이 비슷한 것 등과 같이, 배열에 공통점이 있는 것이 바람직하다. 이것은, 이방성 도전 필름에 한정되지는 않는다.
또, 필러 (1A) 의 배열과 필러 (1B) 의 배열을 각각 규칙적인 배열의 일부로 하고, 필러 (1A) 의 배열과 필러 (1B) 의 배열을 맞추어 격자상 등의 규칙적인 배열이 형성되도록 해도 된다. 예를 들어, 필러 (1A) 의 배열과 필러 (1B) 의 배열을 아울러 6 방 격자로 하는 경우에 필러 (1A) 의 배열은, 6 방 격자에 포함되는 6 각형의 배열을 갖고, 필러 (1B) 의 배열은 그 6 각형의 중심이 되는 배열로 한다. 또한, 이 경우의 규칙적인 배열은 6 방 격자에 한정되지는 않는다. 또, 필러 (1A) 의 배열과 필러 (1B) 의 배열이, 쌍방을 맞추어 형성되는 규칙적인 배열의 어느 부분을 이루는지에 대해서도 한정되지 않는다. 필러 (1A) 의 배열과 필러 (1B) 의 배열을 맞추어 형성되는 규칙적인 배열은, 정확한 격자 배열에 대하여 비뚤어져 있어도 되고, 예를 들어, 본래 직선이 되는 격자축이 지그재그로 되어도 된다. 이와 같이 간단하게는 재현이 곤란한 배열 조건으로 함으로써, 로트 관리가 가능해지고, 필러 함유 필름 및 그것을 사용한 접속 구조체에 트레이서빌리티 (추적을 가능하게 하는 성질) 를 부여하는 것도 가능해진다. 이것은, 필러 함유 필름이나 그것을 사용한 접속 구조체의 위조 방지, 진짜 가짜 판정, 부정 이용 방지 등에도 유효하게 된다. 또 일반적으로, 이방성 도전 접속에 있어서는, 직선적으로 배열하고 있는 도전 입자의 상당 수가 단자의 에지 부분에서 포착되지 않는다는 사태가 일어날 수 있지만, 배열이 지그재그로 되어 있음으로써, 그러한 사태를 회피할 수 있다. 따라서, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착수를 일정한 범위로 유지하기 쉬워지므로 바람직하다. 또 이와 같은 변형이 반복되고 있음으로써, 배열 형상의 적부를 추출 검사 등으로 용이하게 판단할 수 있다.
또한, 상기 서술한 바와 같은 필러가 비뚤어진 배열은, 1 개의 전사형을 사용하여 형성하는 것도 가능하지만, 필러 (1A) 용의 전사형과 필러 (1B) 용의 전사형의 2 개의 전사형을 조합하여 형성해도 된다. 필러 (1A) 용의 전사형과 필러 (1B) 용의 전사형의 2 개의 전사형을 사용하여 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 전체적으로의 필러 (예를 들어 도전 입자) 의 배열을 형성함으로써, 여러 가지 배열을 형성하는 것이 가능해지고, 설계 변경에도 단기간에 따르기 쉬워져, 제조 비용의 삭감에 기여할 수 있고, 나아가서는, 필러의 배열이 상이한 각종 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름을 제조하기 위한 제조 장치의 보유, 부품 관리, 메인터넌스 등에 필요로 하는 비용을 포함한 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 제조에 관련된 토털 비용을 삭감하는 것이 가능해진다. 본 발명은, 이상과 같이 필러 (1A) 용의 전사형과 필러 (1B) 용의 전사형의 2 종류의 전사형을 사용하여 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 전체의 평면에서 보았을 때에 있어서의 필러 (예를 들어 도전 입자) 의 배열 상태를 설계하는 필러 배열 상태의 설계 방법이나, 그 설계 방법에 따라서 2 종의 전사형을 사용하는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 제조 방법을 취할 수 있다.
또한, 필러 (1A) 및 필러 (1B) 는, 필러 함유 필름의 의도한 발명의 효과가 얻어지는 범위에 있어서, 그 배열 상태에 누락이 존재하고 있어도 된다. 필름의 소정의 방향으로 규칙적으로 존재하는 것으로 확인할 수 있다. 또, 필러의 누락을 필름의 긴쪽 방향으로 반복 존재시키는 것, 혹은 필러가 누락되어 있는 지점을 필름의 긴쪽 방향으로 점차 증가 또는 감소시킴으로써, 상기 서술한 변형과 동일한 효과가 얻어진다. 즉, 로트 관리가 가능해져, 필러 함유 필름 및 그것을 사용한 접속 구조체에 트레이서빌리티 (추적을 가능하게 하는 성질) 를 부여하는 것도 가능해진다. 이것은, 필러 함유 필름이나 그것을 사용한 접속 구조체의 위조 방지, 진짜 가짜 판정, 부정 이용 방지 등에도 유효해진다.
제 1 필러층 및 제 2 필러층의 각각에 있어서, 필러 (1A, 1B) 의 배열의 격자축 또는 배열축은, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10A) 의 긴쪽 방향에 대하여 평행이어도 되고, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10A) 의 긴쪽 방향과 교차해도 된다. 예를 들어 이방성 도전 필름으로 한 경우에 있어서는, 접속하는 단자 폭, 단자 피치 등에 따라 정할 수 있기 때문에, 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 파인 피치용의 이방성 도전 필름으로 하는 경우, 도 1a 에 나타낸 바와 같이 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 격자축 (A) 을 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10A) 의 긴쪽 방향에 대하여 사행시키고, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10A) 에서 접속하는 단자 (20) 의 긴쪽 방향 (필름의 짧은쪽 방향) 과 격자축 (A) 이 이루는 각도 (θ) 를 바람직하게는 6° ∼ 84°, 보다 바람직하게는 11° ∼ 74° 로 한다. 이방성 도전 필름 이외의 용도이더라도, 이와 같이 경사시킴으로써 포착 상태를 안정적으로 할 수 있는 효과가 기대된다.
필러 (1A, 1B) 의 입자간 거리는, 필러 (예를 들어 도전 입자) 유닛 (1C) 의 형성의 유무, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름으로 접속하는 단자의 크기, 단자 피치 등에 따라 적절히 정한다. 예를 들어, 제 1 필러층 내에서 이웃하는 필러 (1A) 끼리의 최근접 입자간 거리 (L3) 및 제 2 필러층 내에서 이웃하는 필러 (1B) 끼리의 최근접 입자간 거리 (L4) (도 1a) 는, 이방성 도전 필름의 경우에는, 그 이웃하는 도전 입자인 필러 (1A 및 1B) 가 하나의 필러 유닛 (도전 입자 유닛) 에 속하지 않는 경우, 필러 (1A, 1B) 의 입자경 (DA, DB) 의 1.5 배 이상인 것이 쇼트 억제의 관점에서 바람직하고, 또, 66 배 이하로 하는 것이 단자에 있어서의 필러의 포착수를 최저한 확보하고, 안정적인 도통을 얻는 데 있어서 바람직하다. 특히, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 필름을 파인 피치의 COG (Chip On Glass) 에 대응시키는 경우, 최근접 입자간 거리 (L3, L4) 는 입자경의 1.5 ∼ 5 배로 하는 것이 바람직하고, 피치가 비교적 큰 FOG (Film On Glass) 에 대응시키는 경우에는 입자경의 10 ∼ 66 배로 하는 것이 바람직하다. 이방성 도전 필름 이외에서는, 그 특성에 따라 적절히 조정하면 된다.
또한, 후술하는 바와 같이 제 1 필러층 내의 복수의 필러 (1A) 로 필러 유닛 (1C) 을 형성하는 경우나, 제 2 필러층 내의 복수의 필러 (1B) 로 필러 유닛 (1C) 을 형성하는 경우에는, 필러 함유 필름의 일 양태인 이방성 도전 필름의 경우에 있어서, 1 개의 필러 유닛 (1C) 내에서의 제 1 필러층의 필러 (1A) 끼리의 거리는 필러 (1A) 의 입자경 (DA) 의 1/4 배 이하로 하는 것이 바람직하고, 필러 (1A) 끼리가 접해 있어도 된다. 마찬가지로, 1 개의 필러 유닛 (1C) 내에서의 제 2 필러층의 필러 (1B) 끼리의 거리는 필러 (1B) 의 입자경 (DB) 의 1/4 배 이하로 하는 것이 바람직하고, 필러 (1B) 끼리가 접해 있어도 된다. 이방성 도전 필름 이외에서는, 그 특성에 따라 적절히 조정하면 된다.
＜필러의 개수 밀도＞
본 발명의 필러 함유 필름 전체의 필러의 개수 밀도는, 그 용도나 요구되는 특성과 필러 (1A, 1B) 의 입자경, 배열 등에 따라 적절히 조정되므로 특별히 한정되지는 않지만, 하기의 이방성 도전 필름의 경우를 적용할 수 있다. 필러 함유 필름으로서의 제조 조건은, 이방성 도전 필름의 경우와 대체로 동일해지기 때문에, 필러의 개수 밀도의 조건도 대체로 동일해지는 것으로 생각해도 상관없다. 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 필름으로 접속하는 전자 부품에 있어서의 단자의 피치, 이방성 도전 필름에 있어서의 필러 (도전 입자) (1A, 1B) 의 입자경, 배열 등에 따라 적절히 조정된다. 예를 들어 개수 밀도의 상한에 관해서는, 쇼트 억제를 위해서 70000 개/㎟ 이하가 바람직하고, 50000 개/㎟ 이하가 보다 바람직하고, 35000 개/㎟ 이하가 보다 더 바람직하다. 한편, 개수 밀도의 하한에 관해서는, 비용 억제를 위해서 필러 (도전 입자) 를 삭감하고 또한 도통 성능을 만족시키기 위해서도, 100 개/㎟ 이상이 바람직하고, 150 개/㎟ 이상이 보다 바람직하고, 400 개/㎟ 이상이 보다 더 바람직하다. 특히, 이방성 도전 필름으로 접속하는 전자 부품의 최소의 단자의 접속 면적이 2000 μ㎡ 이하의 파인 피치 용도로 하는 경우에는, 10000 개/㎟ 이상이 바람직하다. 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 설계상의 개수 밀도와 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 설계상의 개수 밀도는 동일해도 되고, 상이해도 된다.
필러 함유 필름의 제조에 있어서, 필러를 필러 함유 필름의 긴쪽 방향으로 부착시켜 가는 경우에, 필러의 누락이나 분포의 불균일성이 불가피적으로 증가해 가는 경향이 있을 때에는, 필러 함유 필름의 긴쪽 방향으로, 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 개수 밀도 및 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 개수 밀도의 일방이 점차 증가하고, 타방이 점차 감소하고 있는 것, 즉, 개수 밀도의 증가 또는 감소의 방향이 제 1 필러층과 제 2 필러층에서 반대향으로 되어 있는 것이 바람직하다. 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 전체에 있어서의 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 개수 밀도의 평균을 동일하게 한 경우에는, 상기 서술한 바와 같이 필러의 개수 밀도를 점차 증가 또는 감소시킴으로써, 필러 함유 필름의 일단 (10Ap) 과 타단 (10Aq) 에서는, 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 개수 밀도와 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 개수 밀도의 대소 관계가 역전하고, 필러 함유 필름 전체에 있어서의 필러의 개수 밀도의 균일성은 향상된다. 이것은 이방성 도전 필름과 같이, 전체면에 있어서의 필러의 개수 밀도의 균일성이 강하게 요구되는 경우에, 제조 난이도가 저하되기 때문에, 그 효과를 기대할 수 있다. 또 이방성 도전 필름에서도 그 이외의 용도이더라도 마찬가지로, 비용 삭감의 효과를 기대할 수 있다.
이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 긴쪽 방향의 제 1 필러층 또는 제 2 필러층에 있어서의 필러의 개수 밀도는, 필러 함유 필름의 긴쪽 방향으로 필름 전체 길이의 20 ％ 이상 또는 3 m 이상이 되는 영역 내에 있어서, 필러의 개수 밀도의 측정 영역으로서 1 변이 100 ㎛ 이상인 사각형 영역을 필러 함유 필름의 긴쪽 방향의 상이한 위치에 복수 지점 (바람직하게는 5 개 지점 이상, 보다 바람직하게는 10 개 지점 이상) 을 설정하고, 측정 영역의 합계 면적을 바람직하게는 2 ㎟ 이상으로 하고, 각 측정 영역의 필러의 개수 밀도를 금속 현미경을 사용하여 측정하고, 그것들을 평균하거나, 혹은, 상기 서술한 필름 전체 길이의 20 ％ 이상 또는 3 m 이상의 영역 내의 화상을 촬영하고, 화상 해석 소프트 (예를 들어, WinROOF, 미타니 상사 주식회사 등) 에 의해 필러의 개수 밀도를 측정함으로써 구할 수 있고 또, 필러의 개수 밀도가 점차 증가 또는 감소하고 있는 것은, 각 측정 영역에서 계측된 필러의 개수 밀도가, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 긴쪽 방향에 대하여, 단조롭게 증가 또는 감소하고 있는 것에 따라 확인할 수 있다. 또한, 면적 100 ㎛ × 100 ㎛ 영역은, 범프간 스페이스 50 ㎛ 이하의 접속 대상물에 있어서, 1 개 이상의 범프가 존재하는 영역이 된다. 또한, 측정 영역은 필러의 개수 밀도에 의해, 그 측정 영역의 1 변의 상한을 적절히 조정해도 된다. 현저하게 조밀 혹은 성긴 경우에는, 예를 들어 필러 개수가 합계 면적의 총수로 200 개 이상, 바람직하게는 1000 개 이상이 되도록 조정해도 된다.
필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 필름을, 그 이방성 도전 필름으로 접속하는 전자 부품의 최소의 단자의 접속 면적이 2000 μ㎡ 이하인 파인 피치 용도로 할 때에, 필러 함유 필름 (이방성 도전 필름) 의 일단 (10Ap) 에 있어서의, 제 1 필러층과 제 2 필러층을 합친 필러 (1A, 1B) 의 개수 밀도 (NpAB) 와, 타단 (10Aq) 에 있어서의 제 1 필러층과 제 2 필러층을 합친 필러 (1A, 1B) 의 개수 밀도 (NqAB) 의 차 (NpAB ― NqAB) 가, 그들의 평균 ((NpAB ＋ NqAB)/2) 에 대하여 바람직하게는 ±2 ％ 이내, 보다 바람직하게는 ±1.5 ％ 이내, 보다 더 바람직하게는 ±1 ％ 이내이며, 최소의 단자의 접속 면적이 2000 μ㎡ 를 초과하는 노멀 피치의 경우에는, (NpAB ― NqAB) 는 ((NpAB ＋ NqAB)/2) 에 대하여 바람직하게는 ±20 ％ 이내, 보다 바람직하게는 ±10 ％ 이내이다.
제 1 필러층과 제 2 필러층에서 설계상의 필러의 배열과 개수 밀도를 동일하게 하는 경우, 수지층 (2) 에 제 1 필러층과 제 2 필러층을 형성하는 공정으로는, 후술하는 바와 같이 제 1 필러층이 되는 필러 (1A) 를 수지층 (2) 에 부착시킬 때와, 제 2 필러층이 되는 필러 (1B) 를 수지층 (2) 에 부착시킬 때에서 수지층 (2) 의 주행 방향을 역전시키고, 동일 공정을 반복하는 것이 제조상 바람직하다. 이와 같이 주행 방향을 역전시키는 것은, 필러의 부착에 사용하는 전사형에 만일 결함이 있었을 경우에, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 상의 결함의 위치가 필름의 표리에서 겹치지 않고, 필름 전체적으로는 불량이 되는 리스크를 회피할 수 있는 점에서도 바람직하다.
한편, 제 1 필러층과 제 2 필러층의 필러 (1A, 1B) 의 개수 밀도를 상이하게 하는 경우, 이들 중 개수 밀도가 높은 필러층을 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 외계면에 보다 근접한 위치로 하는 것이, 단자에 있어서의 필러의 포착성을 높이는 점에서 바람직하다. 또, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 외표면에 필러층을 노출시키는 경우, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 택성의 저감을 억제하는 점에서, 노출시키는 필러층은 개수 밀도가 낮은 것 (개수 밀도가 낮은 측) 으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 필러 함유 필름에서는, 요구되는 특성에 의해, 적절히 제 1 필러층과 제 2 필러층의 필러 (1A, 1B) 의 개수 밀도를 상이하게 할 수 있다.
＜수지층＞
(수지층의 점도)
수지층 (2) 의 최저 용융 점도는, 특별히 제한은 없고, 필러 함유 필름의 용도나, 필러 함유 필름의 제조 방법 등에 따라 적절히 정할 수 있다. 예를 들어, 상기 서술한 패임 (2x, 2y) 을 형성할 수 있는 한, 필러 함유 필름의 제조 방법에 따라서는 1000 ㎩·s 정도로 할 수도 있다. 한편, 필러 함유 필름의 제조 방법으로서, 필러를 수지층의 표면에 소정의 배치로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣는 방법을 실시할 때, 수지층이 필름 성형을 가능하게 하는 점에서 수지의 최저 용융 점도를 1100 ㎩·s 이상으로 하는 것이 바람직하다. 패임 (2x, 2y) 은 양면에 있어도 되고, 편면 (즉, 필러 (1A, 1B) 중 어느 일방) 만이어도 된다.
또, 후술하는 필러 함유 필름의 제조 방법에서 설명하는 바와 같이, 도 1b 에 나타내는 바와 같이 수지층 (2) 에 밀어넣은 필러 (1A, 1B) 의 노출 부분의 주위에 패임 (2x) 을 형성하거나, 도 4 에 나타내는 바와 같이 수지층 (2) 에 밀어넣은 필러 (1A, 1B) 의 바로 위에 패임 (2y) 을 형성하거나 하는 점에서, 바람직하게는 1500 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 2000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 3000 ∼ 15000 ㎩·s, 보다 더 바람직하게는 3000 ∼ 10000 ㎩·s 이다. 이 최저 용융 점도는, 일례로서 회전식 레오미터 (TA instruments 사 제조) 를 사용하여, 측정 압력 5 g 으로 일정하게 유지하고, 직경 8 ㎜ 의 측정 플레이트를 사용하여 구할 수 있고, 보다 구체적으로는, 온도 범위 30 ∼ 200 ℃ 에 있어서, 승온 속도 10 ℃/분, 측정 주파수 10 ㎐, 상기 측정 플레이트에 대한 하중 변동 5 g 으로 함으로써 구할 수 있다.
수지층 (2) 의 최저 용융 점도를 1500 ㎩·s 이상의 고점도로 함으로써, 필러 함유 필름의 물품에 대한 압착에 필러의 소용없는 이동을 억제할 수 있고, 특히, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로 하는 경우에는, 이방성 도전 접속시에 단자간에서 협지되어야 할 도전 입자가 수지 유동에 의해 흐르게 되어 버리는 것을 방지할 수 있다.
또, 수지층 (2) 에 필러 (1A, 1B) 를 밀어넣음으로써 필러 함유 필름 (10A) 의 필러 분산층 (3) 을 형성하는 경우에 있어서, 필러 (1A, 1B) 를 밀어넣을 때의 수지층 (2) 은, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 으로부터 노출되도록 필러 (1A, 1B) 를 수지층 (2) 에 밀어넣었을 때에, 수지층 (2) 이 소성 변형하여 필러 (1A, 1B) 의 주위의 수지층 (2) 에 패임 (2x) (도 1b) 이 형성되는 고점도인 점성체로 하거나, 혹은, 필러 (1A, 1B) 가 수지층 (2) 으로부터 노출되는 일 없이 수지층 (2) 에 파묻히도록 필러 (1A, 1B) 를 밀어넣었을 때에, 필러 (1A, 1B) 의 바로 위의 수지층 (2) 의 표면에 패임 (2y) (도 4) 이 형성되는 고점도인 점성체로 한다. 그 때문에, 수지층 (2) 의 60 ℃ 에 있어서의 점도는, 하한은 바람직하게는 3000 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 ㎩·s 이상이며, 상한은, 바람직하게는 20000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 ㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 ㎩·s 이하이다. 이 측정은 최저 용융 점도와 동일한 측정 방법으로 실시하고, 온도가 60 ℃ 의 값을 추출하여 구할 수 있다.
수지층 (2) 에 필러 (1A, 1B) 를 밀어넣을 때의 그 수지층 (2) 의 구체적인 점도는, 형성하는 패임 (2x, 2y) 의 형상이나 깊이 등에 따라, 하한은 바람직하게는 3000 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 4000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 4500 ㎩·s 이상이며, 상한은, 바람직하게는 20000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 15000 ㎩·s 이하, 더욱 바람직하게는 10000 ㎩·s 이하이다. 또, 이와 같은 점도를 바람직하게는 40 ∼ 80 ℃, 보다 바람직하게는 50 ∼ 60 ℃ 에서 얻어지도록 한다.
상기 서술한 바와 같이, 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 필러 (1A, 1B) 의 주위에 패임 (2x) (도 1b) 이 형성되어 있음으로써, 필러 함유 필름의 물품에 대한 압착시에 발생하는 필러 (1A, 1B) 의 편평화에 대하여 수지로부터 받는 저항이, 패임 (2x) 이 없는 경우에 비하여 저감한다. 이 때문에, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로 한 경우에는, 이방성 도전 접속시에 단자로 도전 입자가 협지되기 쉬워짐으로써 도통 성능이 향상되고, 또 포착성이 향상된다. 특히 이방성 도전 필름에서는, 수지층 (2) 의 양면에 도전 입자인 필러 (1A, 1B) 가 존재하기 때문에, 수지로부터 받는 저항을 저감시키기 위해서도, 이와 같은 패임 (2x) 이, 어느 일방의 면에 있는 것이 바람직하고, 양면에 있는 것이 보다 바람직하다.
또, 수지층 (2) 으로부터 노출되는 일 없이 파묻혀 있는 필러 (1A, 1B) 의 바로 위의 수지층 (2) 의 표면에 패임 (2y) (도 4) 이 형성되어 있음으로써, 패임 (2y) 이 없는 경우에 비하여 필러 함유 필름의 물품에 대한 압착시의 압력이 필러 (1A, 1B) 에 집중하기 쉬워진다. 이 때문에, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로 한 경우에는, 이방성 도전 접속시에 단자로 도전 입자가 협지되기 쉬워짐으로써 포착성이 향상되고, 도통 성능이 향상된다. 특히 이방성 도전 필름에서는, 상기와 동일한 이유에서 이와 같은 패임 (2y) 이, 어느 일방의 면에 있는 것이 바람직하고, 양면에 있는 것이 보다 바람직하다. 2x 와 2y 가 편면씩 존재하고 있어도 되고, 혼재하고 있어도 된다.
＜패임에 대신하는 “경사” 혹은 “기복”＞
도 1b, 도 4 에 나타내는 바와 같은 필러 함유 필름의 「패임」 (2x, 2y) 은, 「경사」 혹은 「기복」 이라는 관점에서 설명할 수도 있다. 이하에, 도면을 참조하면서 설명한다.
이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10A) 은 필러 분산층 (3) 으로 구성 되어 있다 (도 1b). 필러 분산층 (3) 에서는, 수지층 (2) 의 편면에 필러 (1A, 1B) 가 노출된 상태로 규칙적으로 분산되어 있다. 필름의 평면에서 보았을 때 필러 (1A, 1B) 는 서로 접촉하고 있지 않고, 필름 두께 방향으로도 필러 (1A, 1B) 가 서로 겹치는 일 없이 규칙적으로 분산하고, 필러 (1A, 1B) 의 필름 두께 방향의 위치가 가지런해진 단층의 필러층을 구성하고 있다.
개개의 필러 (1A, 1B) 의 주위의 수지층 (2) 의 표면 (2a, 2b) 에는, 인접하는 필러간의 중앙부에 있어서의 수지층 (2) 의 접평면 (2p) 에 대하여 경사 (2x) 가 형성되어 있다. 또한 후술하는 바와 같이, 본 발명의 필러 함유 필름에서는, 수지층 (2) 에 매립된 필러 (1A, 1B) 의 바로 위의 수지층의 표면에 기복 (2y) 이 형성되어 있어도 된다 (도 4).
본 발명에 있어서, 「경사」 란, 필러 (1A, 1B) 의 근방에서 수지층의 표면의 평탄성이 손상되고, 상기 접평면 (2p) 에 대하여 수지층의 일부가 결여되어 수지량이 저감되어 있는 상태를 의미한다. 바꿔 말하면, 경사에서는, 필러 주위의 수지층의 표면이 접평면에 대하여 결여되어 있게 된다. 한편, 「기복」 이란, 필러의 바로 위의 수지층의 표면에 굴곡이 있고, 굴곡과 같이 고저차가 있는 부분이 존재함으로써 수지가 저감되어 있는 상태를 의미한다. 바꿔 말하면, 필러 바로 위의 수지층의 수지량이, 필러 바로 위의 수지층의 표면이 접평면에 있다고 했을 때에 비해 적어진다. 이것들은, 필러의 바로 위에 상당하는 부위와 필러간의 평탄한 표면 부분 (도 1b, 도 4) 을 대비하여 인식할 수 있다. 또한, 기복의 개시점이 경사로서 존재하는 경우도 있다.
상기 서술한 바와 같이, 수지층 (2) 으로부터 노출되어 있는 필러 (1A, 1B) 의 주위에 경사 (2x) (도 1b) 가 형성되어 있음으로써, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성하는 경우, 이방성 도전 접속시에 필러 (1A, 1B) 가 단자간에서 협지될 때에 발생하는 필러 (1A, 1B) 의 편평화에 대하여 수지로부터 받는 저항이, 경사 (2x) 가 없는 경우에 비하여 저감하기 때문에, 단자에 있어서의 필러가 협지되기 쉬워짐으로써 도통 성능이 향상되고, 또 포착성이 향상된다. 이 경사는, 필러의 외형을 따라 있는 것이 바람직하다. 접속에 있어서의 효과가 보다 발현하기 쉬워지는 것 이외에, 필러를 인식하기 쉬워짐으로써, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 제조에 있어서의 검사 등이 실시하기 쉬워지기 때문이다. 또, 이 경사 및 기복은 수지층에 히트 프레스 하는 등에 의해, 그 일부가 소실되어 버리는 경우가 있지만, 본 발명은 이것을 포함한다. 이 경우, 필러는 수지층의 표면에 1 점에서 노출되는 경우가 있다. 또한, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성하는 경우, 접속하는 전자 부품이 다양하고, 이들에 맞추어 튜닝하는 이상, 각종 요건을 만족할 수 있도록 설계의 자유도가 높은 것이 요망되므로, 경사 혹은 기복을 저감시켜도 부분적으로 소실시켜도 사용할 수 있다.
또, 수지층 (2) 으로부터 노출되는 일 없이 파묻혀 있는 필러 (1A, 1B) 의 바로 위의 수지층 (2) 의 표면에 기복 (2y) (도 4) 이 형성되어 있음으로써, 경사의 경우와 마찬가지로, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성하는 경우, 이방성 도전 접속시에 단자로부터의 압압력이 필러에 가해지기 쉬워진다. 또, 기복이 있음으로써 수지가 평탄하게 퇴적되어 있는 경우보다 필러의 바로 위의 수지량이 저감하고 있기 때문에, 접속시의 필러 바로 위의 수지의 배제가 발생하기 쉬워지고, 단자와 필러가 접촉하기 쉬워지기 때문에, 단자에 있어서의 필러의 포착성이 향상되고, 도통 신뢰성이 향상된다.
상기 서술한 필러의 노출 부분의 주위의 수지층 (2) 의 경사 (2x) (도 1b) 나, 필러의 바로 위의 수지층의 기복 (2y) (도 4) 의 효과를 얻기 쉽게 하는 점에서 필러 (1A, 1B) 의 노출 부분의 주위의 경사 (2x) 의 최대 깊이 (Le) 와 필러 (1A, 1B) 의 입자경 (DA, DB) 의 비 (Le/DA), (Le/DB) 는, 바람직하게는 50 ％ 미만, 보다 바람직하게는 30 ％ 미만, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 25 ％ 이고, 필러 (1A, 1B) 의 노출 부분의 주위의 경사 (2x) 의 최대 직경 (Ld) 과 필러 (1A, 1B) 의 입자경 (DA, DB) 의 비 (Ld/DA), (Ld/DB) 는, 바람직하게는 100 ％ 이상, 보다 바람직하게는 100 ∼ 150 ％ 이며, 필러 (1A, 1B) 의 바로 위의 수지에 있어서의 기복 (2y) 의 최대 깊이 (Lf) 와 필러 (1A, 1B) 의 입자경 (DA, DB) 의 비 (Lf/DA), (Lf/DB) 는, 0 보다 크고, 바람직하게는 10 ％ 미만, 보다 바람직하게는 5 ％ 이하이다.
또한, 필러 (1A, 1B) 의 노출 부분의 지름 (Lc) 은, 필러 (1A, 1B) 의 입자경 (DA, DB) 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 입자경 (DA, DB) 의 10 ∼ 90 ％ 이다. 또, 필러 (1A, 1B) 의 정부 (頂部) 의 1 점에서 노출되도록 해도 되고, DA, DB 가 수지층 (2) 내에 완전히 파묻혀, 지름 (Lc) 이 제로가 되도록 해도 된다.
이와 같은 본 발명에 있어서, 수지층 (2) 의 표면의 경사 (2x), 기복 (2y) 의 존재는, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 단면을 주사형 전자 현미경으로 관찰함으로써 확인할 수 있고, 면 시야 관찰에 있어서도 확인할 수 있다. 광학 현미경, 금속 현미경으로도 경사 (2x), 기복 (2y) 의 관찰은 가능하다. 또, 경사 (2x), 기복 (2y) 의 크기는 화상 관찰시의 초점 조정 등으로 확인할 수도 있다. 상기 서술한 바와 같이 히트 프레스에 의해 경사 혹은 기복을 감소시킨 후이더라도, 동일하다. 흔적이 남는 경우가 있기 때문이다.
(수지층의 층 두께)
본 발명의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에서는, 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 와 전체 필러 (1A, 1B) 의 평균 입자경 (DA, DB) 의 비 (La/DA), (La/DB) 는, 바람직하게는 0.3 이상, 보다 바람직하게는 0.6 ∼ 10, 더욱 바람직하게는 0.6 ∼ 8, 특히 바람직하게는 0.6 ∼ 6 이다. 평균 입자경 (DA, DB) 으로는, 제 1 필러층의 필러 (1A) 와 제 2 필러층의 필러 (1B) 의 각각의 평균 입자경이 상이한 경우에, 이들의 평균으로 해도 된다. 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 가 지나치게 커 이 비가 10 을 상회하면, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 접속시에 도전 입자인 필러 (1A, 1B) 가 위치 어긋나기 쉬워지고, 단자에 있어서의 필러 (1A, 1B) 의 포착성이 저하된다. 반대로 수지층 (2) 의 층 두께 (La) 가 지나치게 작아 이 비가 0.3 미만이 되면, 수지층 (2) 에서 필러 (1A, 1B) 를 소정의 배열로 유지하는 것이 곤란해진다.
(수지층의 조성)
수지층 (2) 은, 필러 함유 필름의 용도에 따라 도전성이어도 절연성이어도 되고, 또, 가역성이어도 경화성이어도 되지만, 바람직하게는 절연성의 경화성 수지 조성물로부터 형성할 수 있고, 예를 들어, 열 중합성 화합물과 열 중합 개시제를 함유하는 절연성의 열 중합성 조성물로부터 형성할 수 있다. 열 중합성 조성물에는 필요에 따라 광 중합 개시제를 함유시켜도 된다. 이들은, 공지된 수지나 화합물을 사용할 수 있다. 이하, 필러 함유 필름의 일 양태인 이방성 도전 필름을 예로 들어, 절연성 수지의 경우를 설명한다.
열 중합 개시제와 광 중합 개시제를 병용하는 경우에, 열 중합성 화합물로서 광 중합성 화합물로서도 기능하는 것을 사용해도 되고, 열 중합성 화합물과는 별도로 광 중합성 화합물을 함유시켜도 된다. 바람직하게는, 열 중합성 화합물과는 별도로 광 중합성 화합물을 함유시킨다. 예를 들어, 열 중합 개시제로서 카티온계 경화 개시제, 열 중합성 화합물로서 에폭시 수지를 사용하고, 광 중합 개시제로서 광 라디칼 중합 개시제, 광 중합성 화합물로서 아크릴레이트 화합물을 사용한다.
광 중합 개시제로서, 파장이 상이한 광에 반응하는 복수 종류를 함유시켜도 된다. 이에 따라, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성한 경우, 이방성 도전 필름의 제조시에 있어서의, 절연성 수지층을 구성하는 수지의 광 경화와, 이방성 도전 접속시에 전자 부품끼리를 접착하기 위한 수지의 광 경화에서 사용하는 파장을 구분해서 사용할 수 있다.
필러 함유 필름의 일 양태에 있어서의 이방성 도전 필름의 제조시의 광 경화에서는, 수지층에 포함되는 광 중합성 화합물의 전부 또는 일부를 광 경화시킬 수 있다. 이 광 경화에 의해, 수지층 (2) 에 있어서의 필러 (1A, 1B) 의 배치가 유지 내지 고정화되고, 쇼트의 억제와 포착성의 향상이 기대된다. 또, 이 광 경화에 의해, 이방성 도전 필름의 제조 공정에 있어서의 수지층의 점도를 적절히 조정해도 된다.
수지층에 있어서의 광 중합성 화합물의 배합량은 30 질량％ 이하가 바람직하고, 10 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 2 ％ 질량 미만이 보다 더 바람직하다. 광 중합성 화합물이 지나치게 많으면 접속시의 압입에 가해지는 추력이 증가하기 때문이다. 특히 이방성 도전 접속의 경우에는, 이와 같이 하는 것이 바람직하다. 수지 유동과, 수지에 유지되는 도전 입자의 압입을 양립시키기 때문이다.
열 중합성 조성물의 예로는, (메트)아크릴레이트 화합물과 열 라디칼 중합 개시제를 포함하는 열 라디칼 중합성 아크릴레이트계 조성물, 에폭시 화합물과 열 카티온 중합 개시제를 포함하는 열 카티온 중합성 에폭시계 조성물 등을 들 수 있다. 열 카티온 중합 개시제를 포함하는 열 카티온 중합성 에폭시계 조성물 대신에, 열 아니온 중합 개시제를 포함하는 열 아니온 중합성 에폭시계 조성물을 사용해도 된다. 또, 특별히 지장을 초래하지 않으면, 복수 종의 열 중합성 조성물을 병용해도 된다. 병용 예로는, 열 카티온 중합성 조성물과 열 라디칼 중합성 조성물의 병용 등을 들 수 있다.
여기서, (메트)아크릴레이트 화합물로는, 종래 공지된 열 중합형 (메트)아크릴레이트 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 단관능 (메트)아크릴레이트계 모노머, 2 관능 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용할 수 있다.
열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 유기 과산화물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 특히, 기포의 원인이 되는 질소를 발생하지 않는 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다.
열 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적으면 경화 불량이 되고, 지나치게 많으면 제품 라이프의 저하가 되므로, (메트)아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
에폭시 화합물로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 그들의 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 이들의 2 종 이상을 병용할 수 있다. 또, 에폭시 화합물에 더하여 옥세탄 화합물을 병용해도 된다.
열 카티온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 열 카티온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있으며, 예를 들어, 열에 의해 산을 발생하는 요오드늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 페로센류 등을 사용할 수 있고, 특히, 온도에 대하여 양호한 잠재성을 나타내는 방향족 술포늄염을 바람직하게 사용할 수 있다.
열 카티온 중합 개시제의 사용량은, 지나치게 적어도 경화 불량이 되는 경향이 있고, 지나치게 많아도 제품 라이프가 저하되는 경향이 있으므로, 에폭시 화합물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
열 중합성 조성물은, 막 형성 수지나 실란 커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 막 형성 수지로는, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있으며, 이들의 2 종 이상을 병용할 수 있다. 이들 중에서도, 성막성, 가공성, 접속 신뢰성의 관점에서, 페녹시 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 중량 평균 분자량은 10000 인 것이 바람직하다. 또, 실란 커플링제로는, 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴계 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 실란 커플링제는, 주로 알콕시실란 유도체이다.
열 중합성 조성물에는, 용융 점도 조정을 위해서, 상기 서술한 필러 (1A, 1B) 와는 별도로 절연성 필러를 함유시켜도 된다. 이것은 실리카 분말이나 알루미나 분말 등을 들 수 있다. 절연성 필러 입경 20 ∼ 1000 ㎚ 의 미소한 필러가 바람직하고, 또, 배합량은 에폭시 화합물 등의 열 중합성 화합물 (광 중합성 화합물) 100 질량부에 대하여 5 ∼ 50 질량부로 하는 것이 바람직하다. 필러 (1A, 1B) 와는 별도로 함유시키는 절연성 필러는, 필러 함유 필름의 용도가 이방성 도전 필름의 경우에 바람직하게 사용되지만, 용도에 따라서는 절연성이 아니어도 되고, 예를 들어 도전성의 미소한 필러를 함유시켜도 된다. 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 구성하는 경우, 필러 분산층을 형성하는 수지층에는, 필요에 따라, 필러 (1A, 1B) 와는 상이한 보다 미소한 절연성 필러 (소위 나노 필러) 를 적절히 함유시킬 수 있다.
본 발명의 필러 함유 필름에는, 상기 서술한 절연성 또는 도전성의 필러와는 별도로 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제 (안료, 염료), 유기 용제, 이온 캡처제 등을 함유시켜도 된다.
＜필러 함유 필름의 변형 양태＞
(필러 유닛)
본 발명의 필러 함유 필름은, 필러의 배열에 관한 것으로, 여러 가지 양태를 취할 수 있다.
예를 들어, 도 7a, 도 7b 에 나타내는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10C) 과 같이, 제 1 필러층의 복수 개의 필러 (1A) 로 필러 유닛 (1C1) 이 형성되고, 제 2 필러층의 복수 개의 필러 (1B) 로 필러 유닛 (1C2) 이 형성되고, 필러 유닛 (1C1, 1C2) 끼리가 접촉하지 않고, 필러 함유 필름의 평면에서 보아도 겹쳐 있지 않고, 필러 유닛 (1C1, 1C2) 이 격자상으로 배열한 것을 들 수 있다. 이 경우, 제 1 필러층의 필러 유닛 (1C1) 의 1 개당 필러 (1A) 의 개수는, 예를 들어 2 ∼ 9 개, 특히 2 ∼ 4 개로 할 수 있다. 필러 유닛 내에서 필러 (1A) 는, 일렬로 늘어서 있어도 되고, 괴상 (塊狀) 으로 집합하고 있어도 된다. 제 2 필러층의 필러 유닛 (1C2) 의 1 개당 필러 (1B) 의 개수도 마찬가지로, 예를 들어 2 ∼ 9 개, 특히 2 ∼ 4 개로 할 수 있다. 필러 유닛 내에서 필러 (1B) 는 일렬로 늘어서 있어도 되고, 괴상으로 집합하고 있어도 된다. 이것은 이방성 도전 필름의 경우에는, 단자 레이아웃에 따라 쇼트 리스크가 낮아지도록 필러 유닛을 배치시킴으로써 적용시킬 수도 있다. 이방성 도전 필름 이외의 용도에서는, 목적에 따라 적절히 조정하면 된다.
이방성 도전 필름의 경우에는, 필러 (도전 입자) 의 포착성을 향상시킴과 함께 쇼트를 억제하는 점에서는, 바람직하게는, 제 1 필러층의 필러 유닛 (1C1) 과 제 2 필러층의 필러 유닛 (1C2) 을 각각 일렬로 늘어놓은 필러로 구성하고, 그들의 긴쪽 방향을 비평행으로 하는 것이 바람직하고, 특히, 도 7a, 도 7b 에 나타낸 바와 같이, 직교시키는 것이 바람직하다.
또, 도 8a, 도 8b 에 나타내는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10D) 과 같이, 서로 접촉 또는 근접한 제 1 필러층의 복수 개의 필러 (1A) 와, 서로 접촉 또는 근접한 제 2 필러층의 복수 개의 필러 (1B) 를 접촉 또는 근접시켜 필러 유닛 (1C) 을 형성해도 된다. 이 필러 유닛 (1C) 끼리도 서로 접촉하는 일 없이, 필러 유닛 (1C) 을 규칙 배열시키는 것이 바람직하다. 또, 필러 유닛 (1C) 의 1 개당 제 1 필러층의 필러 (1A) 의 개수는 2 ∼ 9 개, 특히 2 ∼ 4 개로 하고, 제 2 필러층의 필러 (1B) 는 2 ∼ 9 개, 특히 2 ∼ 4 개로 하는 것이 바람직하다. 이것도 상기와 마찬가지로, 이방성 도전 필름의 경우에는, 단자 레이아웃에 따라 쇼트 리스크가 낮아지도록 필러 유닛을 배치시킴으로써 적용시킬 수도 있다. 이방성 도전 필름 이외의 용도에서는, 목적에 따라 적절히 조정하면 된다.
이방성 도전 필름의 경우에는, 이와 같이 복수 개의 필러 (도전 입자) (1A, 1B) 로 형성한 필러 유닛 (1C) 을 갖는 필러 함유 필름 (10D) 을 이방성 도전 접속에 사용하고, 필름 두께 방향으로 압압 (押壓) 하면, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 서로 접촉하고 있던 필러 (도전 입자) (1A, 1B) 를 방사상으로 퍼지게 하여, 필러 (도전 입자) (1A, 1B) 끼리를 이간시킬 수 있다. 이 경우, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 필러 (도전 입자) (1A, 1B) 가 대향하는 단자 (20, 21) 로 압압되지 않는 단자간 영역에 있어서도, 이방성 도전 접속 전에 필러 유닛 (1C) 을 형성하고 있던 필러 (1A, 1B) 는 이간한다. 따라서, 이 필러 함유 필름 (10D) 에 의하면, 인접하는 단자간의 쇼트를 억제할 수 있다. 한편, 이방성 도전 접속 전에 대향하는 단자 (20, 21) 의 에지 부분에 필러 (도전 입자) (1A, 1B) 가 위치한 경우에도, 이방성 도전 접속에 의해 필러 (1A 및 1B) 의 적어도 일방은 단자 (20, 21) 에 포착된다. 따라서, 이 필러 함유 필름 (10D) 에 의하면, 도전 입자의 포착 효율이 향상된다. 이방성 도전 필름 이외의 용도에도, 목적에 따라 이와 같은 필러 유닛 (1C) 을 형성해도 된다. 압착 롤러로 압압하는 경우에, 적용하는 것이 바람직한 것으로 생각된다. 필름의 두께 방향 이외의 방향으로도 가압의 하중이 가해지기 쉽기 때문이다.
(일방의 필러층의 배치의 누락을 타방의 필러층으로 보충하는 양태)
제 1 필러층 및 제 2 필러층의 일방의 필러층을, 설계상, 소정의 배열 및 소정의 개수 밀도로 형성하고, 그 후 전체 영역에 대해서 필러의 배열과 개수 밀도를 확인하고, 그 일방의 도전 입자층의 입자 배치에 맞추도록, 또한 필요에 따라 일방의 필러층의 입자 배치에 있어서의 누락을 보충하도록, 타방의 필러층을 형성하고, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 전체적으로, 필러를 소정의 배치로 함으로써 누락을 해소해도 된다. 따라서 나중에 형성되는 필러층은, 필러 함유 필름의 긴쪽 방향으로 개수 밀도가 변화하고 있어도 된다. 이와 같이 함으로써, 필러 함유 필름의 수율이 향상되고, 비용 삭감의 효과를 기대할 수 있다.
(제 2 수지층의 적층)
도 11a 에 나타낸 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10E) 과 같이, 필러 분산층 (3) 의 일방의 표면에, 필러 분산층 (3) 을 형성하는 수지층 (2) 보다 바람직하게는 최저 용융 점도가 낮은 제 2 수지층 (4) 을 적층해도 된다. 또, 제 1 필러층과 제 2 필러층의 수지층 (2) 에 있어서의 매립률이 상이하고, 제 1 필러층이 제 2 필러층보다 수지층으로부터 노출되어 있는 경우에, 도 11b 에 나타낸 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10F) 과 같이 수지층 (2) 으로부터의 돌출량이 큰 제 1 필러층 측에 제 2 수지층 (4) 을 적층해도 되고, 도 11c 에 나타낸 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10G) 과 같이, 필러층이 돌출되어 있지 않은 수지층 (2) 의 표면에 제 2 수지층 (4) 을 적층해도 된다. 제 2 수지층 (4) 의 적층에 의해, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름을 사용하여 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때에, 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간을 충전하고, 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 2 수지층 (4) 을 적층하는 경우, 제 2 수지층 (4) 이 툴로 가압하는 전자 부품에 붙어지도록 하는 (수지층 (2) 이 스테이지에 재치 (載置) 되는 전자 부품에 붙어지도록 하는) 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 필러의 본의 아닌 이동을 피할 수 있고, 포착성을 향상시킬 수 있다.
수지층 (2) 과 제 2 수지층 (4) 의 최저 용융 점도는, 차가 있을수록 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간이 제 2 수지층 (4) 으로 충전되기 쉬워져, 전자 부품끼리의 접착성을 향상시키는 효과를 기대할 수 있다. 또, 이 차가 있을수록 필러 분산층 (3) 중에 존재하는 수지층 (2) 의 이동량이 상대적으로 작아지기 때문에, 단자에 있어서의 필러의 포착성이 향상되기 쉬워진다. 실용상에서는, 수지층 (2) 과 제 2 수지층 (4) 의 최저 용융 점도비는, 바람직하게는 2 이상, 보다 바람직하게는 5 이상, 더욱 바람직하게는 8 이상이다. 한편, 이 비가 지나치게 크면, 장척 (長尺) 의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름을 권장체 (券裝體) 로 한 경우에, 수지의 비어져나옴이나 블로킹의 우려가 있으므로, 실용상은 15 이하가 바람직하다. 제 2 수지층 (4) 의 바람직한 최저 용융 점도는, 보다 구체적으로는, 상기 서술한 비를 만족하고, 또한 3000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 2000 ㎩·s 이하이며, 특히 100 ∼ 2000 ㎩·s 이다.
또한, 제 2 수지층 (4) 은, 수지층과 동일한 수지 조성물에 있어서, 점도를 조정함으로써 형성할 수 있다.
제 2 수지층 (4) 의 층 두께는, 바람직하게는 4 ∼ 20 ㎛ 이다. 혹은, 필러경에 대하여, 1 ∼ 8 배이다.
또, 수지층 (2) 과 제 2 수지층 (4) 을 합친 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10E, 10F, 10G) 전체의 최저 용융 점도는, 실용상은 8000 ㎩·s 이하, 바람직하게는 200 ∼ 7000 ㎩·s 이하, 특히 바람직하게는 200 ∼ 4000 ㎩·s 이다.
(제 3 수지층의 적층)
제 2 수지층 (4) 과 수지층 (2) 을 사이에 끼워 반대측에 제 3 수지층이 형성되어 있어도 된다. 제 3 수지층을 택층으로서 기능시킬 수 있다.
제 3 수지층의 수지 조성, 점도 및 두께는 제 2 수지층과 동일해도 되고, 상이해도 된다. 수지층 (2) 과 제 2 수지층 (4) 과 제 3 수지층을 합친 이방성 도전 필름의 최저 용융 점도는 특별히 제한은 없지만, 실용상은 8000 ㎩·s 이하, 바람직하게는 200 ∼ 7000 ㎩·s 이하, 특히 바람직하게는 200 ∼ 4000 ㎩·s 이다.
(그 밖의 적층 양태)
필러 함유 필름의 용도에 따라서는, 복수의 필러 분산층 (3) 을 적층해도 되고, 적층한 필러 분산층간에, 제 2 수지층과 같이 필러를 함유하고 있지 않은 층을 개재하고 있어도 되고, 최외층에 제 2 수지층이나 제 3 수지층을 형성해도 된다.
＜필러 함유 필름의 제조 방법＞
수지층으로서, 필러 분산층 (3) 의 단층을 갖는 본 발명의 필러 함유 필름은, 예를 들어, 수지층 (2) 의 일방의 표면에 필러 (1A) 를 소정의 분산으로 유지 (바람직하게는 소정의 배열로 유지) 시키고, 그 필러 (1A) 를 평판 또는 롤러 등으로 수지층 (2) 에 밀어넣고, 수지층 (2) 의 타방의 표면에도, 동일하게 필러 (1B) 를 소정의 분산으로 유지 (바람직하게는 소정의 배열로 유지) 시키고 밀어넣음으로써 얻을 수 있다. 또, 수지층의 양면에 필러를 소정의 분산 상태로 유지시킬 때에, 도공 롤을 사용하여 부착시키거나, 전사형을 사용하여 부착시키거나, 다양한 수법으로 부착시키는 것이 가능하지만, 수지층의 일방의 표면에 있어서 필러를 유지시키는 방향과, 타방의 표면에 있어서 필러를 유지시키는 방향을 반전 (180 도) 시키는 것이 바람직하다. 이에 따라 필름의 표면에 있어서의 필러의 분산 상태의 불균일성과, 이면에 있어서의 필러의 분산 상태의 불균일성을, 표리 일체로 보았을 때에 완화하는 것이 가능해진다.
또, 필러 분산층 (3) 에 제 2 수지층 (4) 이 적층되어 있는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름은, 예를 들어 도 12 에 나타내는 바와 같이 하여 얻을 수 있다. 즉, 수지층 (2) 의 일방의 표면에 필러 (1A) 를 부착시키고 (동 (同) 도 a), 밀어넣고 (동 도 b), 이어서, 그 필러 (1A) 를 밀어넣은 면에 제 2 수지층 (4) 을 적층한다 (동 도 c). 제 2 수지층 (4) 과 반대측의 수지층 (2) 의 표면에 필러 (1B) 를 부착시키고 (동 도 d), 그 필러 (1B) 를 수지층 (2) 에 밀어넣는다 (동 도 e). 이렇게 하여, 필러 분산층 (3) 에 제 2 수지층 (4) 이 적층되어 있는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 (10) 을 얻을 수 있다. 이 경우, 수지층 (2) 의 일방의 표면으로부터 밀어넣는 필러 (1A) 의 배치와, 타방의 면으로부터 밀어넣는 필러 (1B) 의 배치를 적절히 설정함으로써, 평면에서 보아 이들 필러 (1A, 1B) 가 접촉 또는 근접한 필러 유닛 (1C) 을 형성한다.
수지층이 필러 분산층 (3) 의 단층으로 형성되어 있는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 대해서도, 필러 분산층 (3) 에 제 2 수지층 (4) 이 적층되어 있는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 대해서도, 나아가서는 제 3 수지층이 적층되어 있는 양태에 대해서도, 수지층 (2) 에 필러 (1A, 1B) 를 부착시키는 수법 혹은 필러 (1A, 1B) 가 분산된 수지층 (2) 을 형성하는 방법으로는, 전사형을 사용하여 수지층에 필러를 전사하는 방법, 수지층에 필러를 산포하는 방법, 특허문헌 1 에 기재된 방법과 동일하게 그라비아 코터 등의 표면에 규칙적인 홈을 갖는 도공 롤을 사용하여 필러를 포함하는 수지액을 수지층 또는 박리 필름에 도포하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 도공 롤을 사용하여 필러를 포함하는 수지액을 박리 필름에 도포하는 방법에서는, 그것에 의해 형성되는 수지층을 수지층 (2) 으로 할 수 있다. 특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 전술한 바와 같이, 전사형을 사용하는 방법에 비하여 필러를 정확하게 규칙 배열시킬 수 없는 것이 추찰되지만, 본 발명에 있어서 제 1 필러층을 형성하는 필러 (1A) 와 제 2 필러층을 형성하는 필러 (1B) 의, 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향에 있어서의 부착 방향을 반전시키면, 도전 입자층의 형성에 있어서, 필러의 누락이나 개수 밀도가 불균일한 지점이 형성되는 경우에도, 제 1 필러층 및 제 2 필러층의 쌍방에서 필러의 누락이나 개수 밀도가 불균일한 부분이 겹치는 경우는 거의 없기 때문에, 개개의 필러층에 있어서의 필러의 누락이나 개수 밀도의 불균일성이 도통 특성에 미치는 영향을 저감시킬 수 있다.
상기 서술한 방법 중, 필러의 배열의 정밀도를 향상시키는 점에서는, 전사형을 사용하는 것이 바람직하다. 전사형으로는, 예를 들어, 실리콘, 각종 세라믹스, 유리, 스테인리스 스틸 등의 금속 등의 무기 재료나, 각종 수지 등의 유기 재료 등에 대하여, 포토리소그래프법 등의 공지된 개구 형성 방법에 의해 개구를 형성한 것을 사용할 수 있다. 또, 전사형은, 판상, 롤상 등의 형상을 취할 수 있다.
일반적으로, 전사형을 사용하여 도전 입자 등의 필러를 수지층에 부착시키는 공정에서는, 장척의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름을 제조하기 위해서, 수지층의 일단으로부터 타단의 방향으로 순차 도전 입자를 부착시켜 가지만, 필러의 부착 공정의 계속에 수반하여, 형 (型) 의 눈막힘 의해 필러가 수지층에 부착되지 않고, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 있어서 필러의 누락이 되는 지점이 증가하는 경향이 있다. 그 때문에, 제 1 필러층이 되는 필러를 수지층의 일단으로부터 타단을 향해서 부착시키는 경우, 제 2 필러층이 되는 필러는, 수지층의 타단으로부터 일단을 향해서 부착시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 부착 방향을 반전시킴으로써, 제 1 필러층에서 도전 입자의 누락의 존재 확률이 높은 영역은, 제 2 필러층에서는 필러의 누락의 존재 확률이 낮은 영역이 되어, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 전체적으로 필러의 개수 밀도를 균일화할 수 있고, 이방성 도전 접속에 있어서 필러의 성능에 영향을 미치는 과도한 누락 (이방성 도전 필름의 경우에는, 접속 불량) 을 없앨 수 있다. 또, 장척의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름은 일반적으로 권장체로서 제조되므로, 제 1 필러층과 제 2 필러층의 부착 방향을 반전시켜 제조하는 경우, 먼저, 장척의 수지층의 일단으로부터 타단을 향하여 제 1 필러층이 되는 필러를 부착시키면서 수지층을 권장체로 하고, 다음으로 그 권장체를 되감으면서, 제 2 필러층이 되는 필러를, 제 1 필러층의 부착 방향과는 반전한 방향에서 수지층에 부착시키고, 그 수지층을 권장체로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제 1 필러층을 형성한 수지층의 권장체를 되감고, 재차 제 1 필러층과 동일한 부착 방향에서, 제 2 필러층이 되는 필러를 수지층에 부착시키는 것보다도 공정을 간략화할 수 있으므로, 비용 삭감의 효과가 기대된다. 또한, 부착 방향을 반전시킬 때에, 필요에 따라 눈막힌 전사형을 새로운 것으로 교환해도 되고, 청소해도 된다. 필러의 누락을 어느 정도 허용할 수 있는 제품의 경우, 전사형의 교환이나 청소의 빈도를 줄일 수 있기 때문에, 이 점에서도 비용 삭감의 효과가 기대된다.
도공 롤을 사용하여 도전 입자를 포함하는 수지액을 수지층 또는 박리 필름에 도포하는 방법에 있어서도, 도포의 계속에 수반하여 도공 롤 표면의 홈이 눈막혀 버리므로 필러는 그 필름 타단으로부터 일단을 향해서 도포하는 것이 바람직하다.
또, 수지층에 필러를 산포하는 방법에 있어서도, 필러의 누락이 주기적으로 반복되는 경우가 있다. 그러한 경우도 제 1 필러층이 되는 필러를 수지층에 부착시킬 때와, 제 2 필러층이 되는 필러를 수지층에 부착시킬 때에서는, 수지층의 주행 방향을 반전시키는 것이, 필러의 누락의 발생 부위가 수지층의 표리에서 겹치지 않도록 하는 점에서 바람직하다.
상기 서술한 어느 제법으로 제조하는 경우에도, 장척의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름을 제조하는 경우에는, 필러의 누락이 되는 지점이 불가피적으로 형성되는 것이 예상되지만, 제 1 필러층과 제 2 필러층의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 긴쪽 방향에 있어서의 필러의 부착 방향을 반전시킴으로써, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름 상에서 누락이 되는 지점을 1 개 지점에 집중시키지 않고, 누락이 되는 지점을 분산시킬 수 있다. 따라서, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 수율의 향상이나 제조 비용의 삭감에 기여할 수 있다.
또한, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 있어서의 제 1 필러층의 부착 방향과, 제 2 필러층의 부착 방향을 반전시키는 것은, 제 1 필러층에 있어서의 필러의 배열 패턴이나 개수 밀도와, 제 2 필러층에 있어서의 필러의 배열 패턴이나 개수 밀도가 동일한 경우에도, 상이한 경우에도 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름에 있어서의 필러의 개수 밀도의 편차를 저감시키는 데 있어서 유효하다. 예를 들어, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 설계상은, 제 1 필러층과 제 2 필러층에서 필러의 배열을 동일하게 하고, 각각 개수 밀도를, 예를 들어 400 개/㎟ 로 한 경우, 상기 서술한 제법에 의하면 실제로 제조되는 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 긴쪽 방향의 일단과 타단의 개수 밀도의 차의 절대값이 바람직하게는 160 개/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 80 개/㎟ 이하가 되고, 마찬가지로 제 1 필러층과 제 2 필러층의 도전 입자의 개수 밀도를 각각 65000 개/㎟ 로 한 경우, 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향의 일단과 타단의 개수 밀도의 차의 절대값이 바람직하게는 26000 개/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 13000 개/㎟ 이하가 된다. 즉, 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 긴쪽 방향의 일단과 타단의 개수 밀도의 차의 절대값은 제 1 필러층과 제 2 필러층을 합친 도전 입자의 개수 밀도의 평균인 800 ∼ 130000 개/㎟ 의 바람직하게는 ±20 ％ 의 범위 내, 보다 바람직하게는 ±10 ％ 의 범위 내가 된다. 또한, 본 발명은 개수 밀도가 400 개/㎟ 보다 적은 경우를 제외하는 것은 아니다. 또, 이방성 도전 필름을 예로 설명하고 있지만, 이것에 한정되는 것도 아니다. 예를 들어 광학 필름에 있어서도, 개수 밀도를 균일하게 함으로써, 그 성능을 안정화할 수 있는 것은 용이하게 추찰할 수 있다. 광택 제거 필름 등 외관에 직결하는 것에도 동일한 것을 말할 수 있다.
수지층 (2) 에 부착시킨 필러 (1A, 1B) 의 매립량은, 필러 (1A, 1B) 의 압입시의 압압력, 온도 등에 의해 조정할 수 있고, 또, 패임 (2x, 2y) 의 유무, 형상 및 깊이는, 압입시의 수지층 (2) 의 점도, 압입 속도, 온도 등에 의해 조정할 수 있다. 매립률을 100 ％ 초과로 하는 압입 방법으로는, 필러의 배열에 대응한 볼록부를 갖는 누름판으로 밀어넣는 방법을 들 수 있다.
장척으로 형성한 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름은, 적절히 컷하고, 권장체로서 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름의 제품이 된다. 따라서, 본 발명의 이방성 도전 필름 등의 필러 함유 필름은, 예를 들어, 5 ∼ 5000 m 의 길이를 갖고, 권장체로 할 수 있다.
필러 함유 필름에 포함되는 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품의 접속을 경제적으로 실시하려면, 이방성 도전 필름은 어느 정도의 장척인 것이 바람직하다. 그래서 이방성 도전 필름은 길이를, 바람직하게는 5 m 이상, 보다 바람직하게는 10 m 이상, 더욱 바람직하게는 25 m 이상으로 제조한다. 한편, 이방성 도전 필름을 과도하게 길게 하면, 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품의 제조를 실시하는 경우에 사용하는 종전의 접속 장치를 사용할 수 없게 되고, 취급성도 떨어진다. 그래서, 이방성 도전 필름은 길이를 바람직하게는 5000 m 이하, 보다 바람직하게는 1000 m 이하, 더욱 바람직하게는 500 m 이하로 제조한다. 이방성 도전 필름의 이와 같은 장척체는, 권심에 감긴 권장체로 하는 것이 취급성이 우수한 점에서 바람직하다.
＜필러 함유 필름의 사용 방법＞
본 발명의 필러 함유 필름은, 종전의 필러 함유 필름과 마찬가지로 사용할 수 있고, 필러 함유 필름을 첩합할 수 있으면 물품에 특별히 제한은 없다. 필러 함유 필름의 용도에 따른 각종 물품에 압착에 의해, 바람직하게는 열 압착에 의해 첩착할 수 있다. 이 첩합시에는 광 조사를 이용해도 되고, 열과 광을 병용해도 된다. 예를 들어, 필러 함유 필름의 수지층이, 그 필러 함유 필름을 첩합하는 물품에 대하여 충분한 점착성을 갖는 경우, 필러 함유 필름의 수지층을 물품에 가볍게 누름으로써 필러 함유 필름이 하나의 물품의 표면에 첩착한 필름 첩착체를 얻을 수 있다. 이 경우에, 물품의 표면은 평면에 한정되지 않고, 요철이 있어도 되고, 전체적으로 굴곡져 있어도 된다. 물품이 필름상 또는 평판상인 경우에는, 압착 롤러를 사용하여 필러 함유 필름을 그들의 물품에 첩합해도 된다. 이에 따라, 필러 함유 필름의 필러와 물품을 직접적으로 접합시킬 수도 있다.
또, 대향하는 2 개의 물품의 사이에 필러 함유 필름을 개재시키고, 열 압착 롤러나 압착 툴로 대향하는 2 개의 물품을 접합하고, 그 물품간에서 필러가 협지되도록 해도 된다. 또, 필러와 물품을 직접 접촉시키지 않도록 하여 필러 함유 필름을 물품으로 끼워넣도록 해도 된다.
특히, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로 하는 경우, 열 압착 툴을 사용하여, 그 이방성 도전 필름을 통해서 IC 칩, IC 모듈, FPC 등의 제 1 전자 부품과, FPC, 유리 기판, 플라스틱 기판, 리지드 기판, 세라믹 기판 등의 제 2 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때에 바람직하게 사용할 수 있다. 이방성 도전 필름을 사용하여 IC 칩이나 웨이퍼를 스택하여 다층화해도 된다. 또한, 본 발명의 이방성 도전 필름으로 접속하는 전자 부품은, 상기 서술한 전자 부품에 한정되는 것은 아니다. 최근, 다양화하고 있는 각종 전자 부품에 사용할 수 있다.
따라서, 본 발명은, 본 발명의 필러 함유 필름을 각종 물품에 압착에 의해 첩착한 접속 구조체나, 그 제조 방법을 포함한다. 특히, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로 하는 경우에는, 그 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품끼리를 이방성 도전 접속하는 접속 구조체의 제조 방법이나, 그것에 의해 얻어진 접속 구조체, 즉, 본 발명의 이방성 도전 필름에 의해 전자 부품끼리가 이방성 도전 접속되어 있는 접속 구조체도 포함한다.
이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품의 접속 방법으로는, 이방성 도전 필름이 도전 입자 분산층의 단층으로 이루어지는 경우, 각종 기판 등의 제 2 전자 부품에 대하여, 이방성 도전 필름의 도전 입자가 표면에 매립되어 있는 측으로부터 임시 부착하여 임시 압착하고, 임시 압착한 이방성 도전 필름의 도전 입자가 표면에 매립되어 있지 않은 측에 IC 칩 등의 제 1 전자 부품을 맞추어, 열 압착함으로써 제조할 수 있다. 이방성 도전 필름의 절연성 수지층에 열 중합 개시제와 열 중합성 화합물 뿐만 아니라, 광 중합 개시제와 광 중합성 화합물 (열 중합성 화합물과 동일해도 된다) 이 포함되어 있는 경우, 광과 열을 병용한 압착 방법이어도 된다. 이와 같이 하면, 도전 입자의 본의 아닌 이동은 최소한으로 억제할 수 있다. 또, 도전 입자가 매립되어 있지 않은 측을 제 2 전자 부품에 임시 부착하여 사용해도 된다. 또한, 제 2 전자 부품이 아니라, 제 1 전자 부품에 이방성 도전 필름을 임시 부착할 수도 있다.
또, 이방성 도전 필름이, 도전 입자 분산층과 제 2 절연성 수지층의 적층체로 형성되어 있는 경우, 도전 입자 분산층을 각종 기판 등의 제 2 전자 부품에 임시 부착하여 임시 압착하고, 임시 압착한 이방성 도전 필름의 제 2 절연성 수지층 측에 IC 칩 등의 제 1 전자 부품을 얼라인먼트하여 재치하고, 열 압착한다. 이방성 도전 필름의 제 2 절연성 수지층측을 제 1 전자 부품에 임시 부착해도 된다. 또, 도전 입자 분산층측을 제 1 전자 부품에 임시 부착하여 사용할 수도 있다.
실시예
이하, 본 발명의 필러 함유 필름의 일 양태인 이방성 도전 필름에 대해서, 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
(1) 이방성 도전 필름의 제조
(1-1) 실시예 1A, 1B ∼ 실시예 8
표 1 에 나타낸 배합으로, (i) 도전 입자 분산층을 형성하는 고점도의 제 1 절연성 수지층 (이하, A 층이라고도 한다), (ii) 제 1 절연성 수지층보다 저점도의 제 2 절연성 수지층 (이하, N 층이라고도 한다), 및 (iii) 택층을 형성하는 제 3 절연성 수지층을 형성하는 수지 조성물을 조제하였다.
제 1 절연성 수지층 (A 층) 을 형성하는 수지 조성물을 바 코터로 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하고, 80 ℃ 의 오븐에서 5 분간 건조시켜, PET 필름 상에 표 2 에 나타내는 두께의 절연성 수지층을 형성하였다. 동일하게 하여, 제 2 절연성 수지층 (N 층) 및 제 3 절연성 수지층 (택층) 을, 각각 표 3 에 나타내는 두께로 PET 필름 상에 형성하였다.
Figure 112021117182894-pat00001
한편, 제 1 도전 입자층의 도전 입자 (평균 입자경 3 ㎛) 가 평면에서 보아 도 1a 에 나타내는 정방 격자 배열이고, 도전 입자의 면밀도가, 표 2 에 나타내는 바와 같이 FOG 용으로 800 개/㎟ (실시예 1A, 1B), 또는 표 3 에 나타내는 바와 같이 COG 용으로 10000, 20000 또는 30000 개/㎟ (실시예 2 ∼ 8) 가 되도록 금형을 제조하였다. 즉, 금형의 볼록부 패턴이 정방 격자 배열이고, 격자축과 이방성 도전 필름의 짧은쪽 방향이 이루는 각도 (θ) 가 15° 가 되는 금형을 제조하고, 공지된 투명성 수지의 펠릿을 용융시킨 상태에서 그 금형에 흘려 넣고, 식혀서 굳힘으로써, 오목부가 도 1a 에 나타내는 배열 패턴의 수지형을 롤상으로 형성하였다.
이 수지형의 오목부에 도전 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 평균 입자경 3 ㎛) 를 충전하고, 그 위에 상기 서술한 제 1 절연성 수지층 (A 층) 을 덮고, 가압 롤을 사용하여 60 ℃, 0.5 ㎫ 로 압압함으로써,제 1 절연성 수지층의 일단으로부터 타단을 향하여 길이 300 m 에 걸쳐서 도전 입자를 첩착시켰다. 그리고, 형 (型) 으로부터 제 1 절연성 수지층 (A 층) 을 박리하고, 제 1 절연성 수지층 (A 층) 상의 도전 입자를, 가압 롤 (압압 조건：70 ℃, 0.5 ㎫) 에 의해 그 제 1 절연성 수지층 (A 층) 에 밀어넣고, 제 1 도전 입자층을 형성하였다. 압입률은 100 ％ 로 하고, 도전 입자와 제 1 절연성 수지층 (A 층) 의 표면이 면일이 되도록 하였다. 밀어넣어진 도전 입자의 주위에는, 인접하는 도전 입자간의 중앙부에 있어서의 제 1 절연성 수지층의 접평면에 대하여 패임이 형성되어 있었다.
다음으로, 제 1 절연성 수지층 (A 층) 의 도전 입자를 밀어넣은 면에 제 2 절연성 수지층 (N 층) 을 가열 가압 (45 ℃, 0.5 ㎫) 에 의해 첩합하고, 그 반대측의 면에 상기 서술과 동일하게 하여 도전 입자를 길이 300 m 에 걸쳐서 부착시키고, 도전 입자를 밀어넣음으로써 제 2 도전 입자층을 형성하고, 도전 입자 분산층을 얻었다. 이 경우, 먼저 밀어넣은 도전 입자 (제 1 도전 입자층) 와 나중에 밀어넣은 도전 입자 (제 2 도전 입자층) 가 필름 짧은쪽 방향으로 3 ㎛ 어긋나도록 하였다. 도전 입자를 부착시키는 제 1 절연성 수지층의 주행 방향을 제 1 도전 입자층을 형성하는 경우와 반전시켰다. 또, 제 2 도전 입자층을 형성하는 경우도, 압입률은 100 ％ 로 하고, 도전 입자와 제 1 절연성 수지층 (A 층) 의 표면이 면일이 되도록 하였다. 밀어넣어진 도전 입자의 주위에는, 인접하는 도전 입자간의 중앙부에 있어서의 제 1 절연성 수지층의 접평면에 대하여 패임이 형성되어 있었다.
실시예 1A, 2, 3, 4, 6, 7, 8 에서는, 상기 서술한 바와 같이 하여 얻은 도전 입자 분산층을 이방성 도전 필름으로 하였다. 실시예 1B 에서는, 제 1 도전 입자층이 되는 도전 입자를 제 1 절연성 수지층에 부착시킬 때의 필름의 주행 방향과, 제 2 도전 입자층이 되는 도전 입자를 제 1 절연성 수지층에 부착시킬 때의 필름의 주행 방향을 동일하게 하였다.
실시예 5 에서는, 도전 입자 분산층의 제 2 절연성 수지층 (N 층) 과 반대측의 면에, 제 3 절연성 수지층 (택층) 을 가열 가압 (45 ℃, 0.5 ㎫) 에 의해 첩합하였다.
각 실시예의 이방성 도전 필름의 일단으로부터 타단에 걸친 길이 300 m 의 영역 내에, 도전 입자의 개수 밀도의 측정 영역으로서 1 변이 200 ㎛ 인 사각형 영역을 긴쪽 방향으로 상이한 위치에서 10 개 지점 설정하고, 이 측정 영역에서 제 1 도전 입자층 및 제 2 도전 입자층을 금속 현미경으로 관찰하고, 각각의 도전 입자층에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도를 구하고, 상기 일단으로부터 타단에 걸친 도전 입자의 개수 밀도의 변동 경향 (증가 또는 감소의 경향) 을 조사하였다. 결과를 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
(1-2) 비교예 1 ∼ 3
실시예 1 과 동일하게, 표 1 에 나타낸 수지 조성의 제 1 절연성 수지층 (A 층), 제 2 절연성 수지층 (N 층), 제 3 절연성 수지층 (택층) 을 형성하였다.
단, 비교예 1 에서는, 제 1 절연성 수지층 (A 층) 을 형성하는 수지 조성물에 도전 입자를 균일하게 분산시키고, 그것을 PET 필름에 도포하고, 건조시킴으로써, 도전 입자가 면밀도 40000 개/㎟ 로 단분산되어 있는 도전 입자 분산층을 형성하였다.
비교예 2 에서는, 도전 입자층으로서, 제 2 절연성 수지층 (N 층) 측이 되는 제 1 도전 입자층만을 면밀도 40000 개/㎟ 로 형성하는 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 3 에서는, 도전 입자층으로서, 제 2 절연성 수지층 (N 층) 의 반대측이 되는 제 2 도전 입자층만을 면밀도 40000 개/㎟ 로 형성하는 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 1 ∼ 3 의 이방성 도전 필름에 대해서도, 그 일단으로부터 타단에 걸친 도전 입자의 개수 밀도의 변동 경향 (증가 또는 감소의 경향) 을 조사하였다. 결과를 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
(2) 평가
(1) 에서 제조한 실시예 및 비교예의 이방성 도전 필름에 대하여, 접속에 충분한 면적으로 절단하고, 이하와 같이 하여 (a) 초기 도통 저항, (b) 신뢰성 시험 후의 도통 저항, (c) 입자 포착성, (d) 쇼트율, (e) 임시 압착성을 측정 내지 평가하였다. 결과를 표 2 및 표 3 에 나타낸다.
이 경우, 평가에 제공하는 시료로서, 실시예 1A 및 실시예 1B (FOG 용 이방성 도전 필름) 에서는 길이 300 m 의 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향의 일단 및 타단을 사용하고, 실시예 2 ∼ 8 및 비교예 1 ∼ 3 (COG 용 이방성 도전 필름) 에서는 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향의 중간 부분 (일단으로부터 150 m 의 부분) 을 사용하였다.
(a) 초기 도통 저항
(a1) FOG 용 이방성 도전 필름의 도통 특성의 평가 (실시예 1A, 1B)
이방성 도전 필름의 시료를 도통 특성의 평가용 FPC 와 유리 기판의 사이에 끼우고, 툴 폭 1.5 ㎜, 가열 가압 (200 ℃, 5 ㎫, 5 초) 하고, 각 평가용 접속물을 얻고, 얻어진 평가용 접속물의 도통 저항을 측정하였다. 초기 도통 저항은 실용상 1 Ω 이하가 바람직하다. 거기서 초기 도통 1 Ω 이하를 OK, 1 Ω 를 초과하는 경우를 NG 로 하였다.
여기서, 평가용 FPC 와 유리 기판은, 그들의 단자 패턴이 대응하고 있고, 사이즈는 다음과 같다. 또, 평가용 FPC 와 유리 기판을 접속할 때는 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향과 단자의 짧은쪽 방향을 맞추었다.
도통 특성의 평가용 FPC
단자 피치 50 ㎛
단자 폭：단자간 스페이스 = 1：1
폴리이미드 필름 두께/동박 두께 (PI/Cu) = 38/8, Sn plating
유리 기판
전극 ITO coating
*두께 0.7 ㎜
(a2) COG 용 이방성 도전 필름의 도통 특성의 평가 (실시예 2 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 3)
이방성 도전 필름의 시료를 도통 특성의 평가용 IC 와 유리 기판의 사이에 끼우고, 가열 가압 (180 ℃, 80 ㎫, 5 초) 하여 각 평가용 접속물을 얻고, 얻어진 평가용 접속물의 도통 저항을 측정하였다. 초기 도통 저항은 실용상 1 Ω 이하가 바람직하다. 그래서, 초기 도통 저항 1 Ω 이하를 OK, 1 Ω 를 초과하는 경우를 NG 라고 평가하였다.
여기서, 평가용 IC 와 유리 기판은, 그들의 단자 패턴이 대응하고 있고, 사이즈는 다음과 같다. 또, 평가용 IC 와 유리 기판을 접속할 때에는, 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향과 범프의 짧은쪽 방향을 맞추었다.
도통 특성의 평가용 IC
외형 1.8 × 20.0 ㎜
두께 0.5 ㎜
범프 사양 사이즈 30 × 85 ㎛, 범프간 거리 50 ㎛, 범프 높이 15 ㎛
유리 기판
유리 재질 코닝사 제조 1737F
*외형 30 × 50 ㎜
두께 0.5 ㎜
전극 ITO 배선
(b) 신뢰성 시험 후의 도통 저항
(a) 에서 제조한 평가용 접속물을, 온도 85 ℃, 습도 85 ％RH 의 항온조에 500 시간 둔 후의 도통 저항을, 초기 도통 저항과 동일하게 측정하였다. 신뢰성 시험 후의 도통 저항은 실용상 6 Ω 이하가 바람직하다. 그래서, 6 Ω 이하를 OK, 6 Ω 를 초과하는 경우를 NG 로 하였다.
(c) 입자 포착성
(c1) FOG 용 이방성 도전 필름의 입자 포착성의 평가 (실시예 1A, 1B)
도통 특성 평가용의 접속물에 있어서, 접속 부분의 FPC 단자 중 25 × 400 ㎛ 영역의 100 개에 대해서, 도전 입자의 포착수를 계측하고, 최저 포착수를 구하고, 다음의 기준으로 평가하였다.
A (양호)：3 개 이상
B (실용상 문제 없음)：3 개 미만
(c2) COG 용 이방성 도전 필름의 입자 포착성의 평가 (실시예 2 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 3)
입자 포착성의 평가용 IC 를 사용하고, 이 평가용 IC 와, 단자 패턴이 대응하는 유리 기판을, 얼라인먼트를 6 ㎛ 어긋나게 하여 가열 가압 (180 ℃, 80 ㎫, 5 초) 하고, 평가용 IC 의 범프와 기판의 단자가 겹치는 6 ㎛ × 66.6 ㎛ 영역의 100 개에 대해서 도전 입자의 포착수를 계측하고, 최저 포착수를 구하고, 다음의 기준으로 평가하였다. 실용상, B 평가 이상인 것이 바람직하다.
입자 포착성의 평가용 IC
외형 1.6 × 29.8 ㎜
두께 0.3 ㎜
범프 사양 사이즈 12 × 66.6 ㎛, 범프 피치 22 ㎛, 범프 높이 12 ㎛
입자 포착성 평가 기준
A (양호)：5 개 이상
B (실용상 문제 없음)：3 개 이상 5 개 미만
C (불량)：3 개 미만
(d) 쇼트율
(d1) FOG 용 이방성 도전 필름의 쇼트율의 평가 (실시예 1A, 1B)
도통 특성의 평가용 FPC 와 동일한 FPC 를 논알칼리 글래스 (두께 0.7 ㎜) 에 가열 가압 (200 ℃, 5 ㎫, 5 초) 하고, 얻어진 평가용 접속물의 쇼트 수를 계측하고, 계측된 쇼트 수와 평가용 접속물의 갭 수로부터 쇼트 발생율을 구하고 다음의 기준으로 평가하였다.
A (양호)：50 ppm 미만
B (실용상 문제 없음)：50 ppm 이상 200 ppm 미만
C (불량)：200 ppm 이상
(d2) COG 용 이방성 도전 필름의 쇼트율의 평가 (실시예 2 ∼ 8, 비교예 1 ∼ 3)
쇼트율의 평가용 IC 를 사용하고, (a) 초기 도통 저항의 평가와 동일하게 하여 평가용 접속물을 얻고, 얻어진 평가용 접속물의 쇼트 수를 계측하고, 계측된 쇼트 수와 평가용 접속물의 갭 수로부터 쇼트 발생율을 구하고, 다음의 기준으로 평가하였다.
쇼트율의 평가용 IC (7.5 ㎛ 스페이스의 빗살 TEG (test element group))
외형 15 × 13 ㎜
두께 0.5 ㎜
범프 사양 사이즈 25 × 140 ㎛, 범프간 거리 7.5 ㎛, 범프 높이 15 ㎛
쇼트율 평가 기준
*A：50 ppm 미만
B：50 ppm 이상 200 ppm 미만
C：200 ppm 이상
(e) 임시 압착성
압착 툴을 사용하여, PET 필름이 부착된 이방성 도전 필름 (폭 1.5 ㎜, 길이 50 ㎜) 을 ITO 유리에 온도 60 ℃ 또는 70 ℃, 압착 압력 1 ㎫, 압착 시간 1 초로 꽉 누름으로써 임시 압착하였다. 이 경우, 압착 툴과 PET 필름의 사이에는 완충재로서 실리콘 러버 350 ㎛ 두께를 개재시켰다. 이렇게 하여 이방성 도전 필름을 ITO 유리에 꽉 누른 임시 압착 샘플 100 개에 대해서 PET 필름을 떼었다. 그 때, 임시 압착의 성공 여부를, PET 필름과 함께 이방성 도전 필름이 ITO 유리로부터 1 개도 박리되지 않은 경우를 OK, 1 개라도 박리된 경우를 NG 라고 편의적으로 판정하였다.
A：60 ℃ 이상에서 OK
B：70 ℃ 이상에서 OK
C：70 ℃ 이상에서 NG
Figure 112021117182894-pat00002
Figure 112021117182894-pat00003
표 2 에 나타내는 바와 같이, 절연성 수지층의 표리의 표면에 각각 도전 입자가 매립률 100 ％ 로 매립되어 있고, 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향의 일단으로부터 타단에 걸쳐 도전 입자의 개수 밀도의 증감 경향이 제 1 도전 입자층과 제 2 도전 입자층에서 반대 방향인 실시예 1A 에서는, 이방성 도전 필름의 일단에 있어서도 타단에 있어서도 도통 저항, 도통 저항의 신뢰성, 입자 포착률, 쇼트율, 임시 압착성 중 어느 것에 있어서도 양호한 평가가 얻어졌다. 이에 반해, 이 개수 밀도의 증감 경향이 제 1 도전 입자층과 제 2 도전 입자층이 갖추어져 있는 실시예 1B 에서는, 제 1 도전 입자층과 제 2 도전 입자층을 합친 도전 입자의 개수 밀도가 낮아지는 필름 일단에서는 입자 포착성이 떨어지는 부분이 있고, 개수 밀도가 높아지는 필름 타단에서는, 입자 포착성을 포함하여 양호한 평가가 얻어졌다. 또한, 이 평가에서는 충분한 접속 면적이기 때문에, 3 개 미만의 B 평가이더라도 실용상 문제는 없는 것으로 판단하고 있다.
표 3 에 나타내는 바와 같이, 실시예 2 ∼ 8 의 이방성 도전 필름도, 절연성 수지층의 표리의 표면에 각각 도전 입자가 매립률 100 ％ 로 매립되어 있고, 이방성 도전 필름의 긴쪽 방향에 있어서의 도전 입자의 개수 밀도의 증감 경향이, 제 1 도전 입자층과 제 2 도전 입자층에서 반대 방향이며, 어느 평가 항목에 있어서도 양호하였다. 특히, 실시예 2 와 실시예 5 로부터, 본 발명의 이방성 도전 필름은 택층을 형성하지 않아도 임시 부착성이 좋고, 작업성이 우수하고, 또한, 입자 포착성도 우수한 것을 알 수 있다.
또, 비교예 1 로부터, 도전 입자 분산층에 도전 입자가 단분산되어 있으면, 입자 포착성도 쇼트율도 떨어지는 것을 알 수 있다. 비교예 2 로부터, 도전 입자층이 제 2 절연성 수지층 (N 층) 측에만 형성되어 있으면 입자 포착성이 떨어지는 것을 알 수 있고, 비교예 3 으로부터, 도전 입자층이 제 2 절연성 수지층 (N 층) 과 반대측에만 형성되어 있으면, 임시 압착성이 떨어지는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 3 에서는, 임시 압착 온도를 75 ℃ 로 하면, 임시 압착 샘플을 500 개로 해도 ITO 유리로부터 이방성 도전 필름이 박리한 것은 없었기 때문에, 비교예 3 은 임시 압착 온도의 설정에 따라서는 실제 사용에 제공할 수 있는 것으로 인정된다.
(3) 전사율
실시예 1 의 이방성 도전 필름에 대해서, 제 1 도전 입자층의 형성시 (1 회째) 의 도전 입자의 전사율과 제 2 도전 입자층의 형성시 (2 회째) 의 도전 입자의 전사율을 각각 계측하였다.
여기서 전사율은, 수지형에 충전한 도전 입자수에 대한, 제 1 절연성 수지층에 전사한 도전 입자수의 비율이다.
전사율의 계측은, 이방성 도전 필름의 길이 0 m, 50 m, 100 m, 200 m, 300 m 에 위치하는 면적 1 ㎟ 에 존재하는 제 1 도전 입자층 또는 제 2 도전 입자층의 도전 입자수를 금속 현미경을 사용하여 계측하고 그 평균을 산출하였다. 또한, 제 1 도전 입자층 (1 회째) 은 이방성 도전 필름의 0 m 측으로부터 300 m 측의 방향으로 도전 입자를 전사해 가고, 제 2 도전 입자층 (2 회째) 은 이방성 도전 필름의 300 m 측으로부터 0 m 측의 방향으로 전사해 감으로써 형성하였다.
그 결과, 제 1 도전 입자층에서도 제 2 도전 입자층에서도, 전사 개시점부터 100 m 까지는 전사율은 99.9 ％ 를 초과하고 있었지만, 전사의 진행에 수반하여 전사율이 저하되었다. 그러나, 제 1 도전 입자층과 제 2 도전 입자층을 합친 전사율은, 전사 개시점부터 300 m 까지 중 어느 것에 있어서도 99.9 ％ 를 초과하였다.

*1A, 1B：필러
1C, 1C1, 1C2：필러 유닛
2：수지층
2a, 2b：수지층의 표면
2x：패임
2y：패임
3：필러 분산층
4：제 2 수지층
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G：실시예의 필러 함유 필름
10Ap：필러 함유 필름의 일단
10Aq：필러 함유 필름의 타단
20, 21：단자
30：제 1 전자 부품
31：제 2 전자 부품
A：필러의 배열의 격자축
DA, DB：입자경
La：수지층의 층 두께
L1, L2：매립량
L3：제 1 필러층 내의 필러간의 최근접 입자간 거리
L4：제 2 필러층 내의 필러간의 최근접 입자간 거리
Lc：필러의 노출 부분의 직경
Ld：패임 (경사) 의 최대 직경
Le：패임 (경사) 의 최대 깊이
Lf：패임 (기복) 의 최대 깊이
θ：단자의 긴쪽 방향과 도전 입자의 배열의 격자축이 이루는 각도

Claims (22)

  1. 수지층과, 그 수지층에 단층으로 분산되어 있는 필러로 이루어지는 제 1 필러층과, 제 1 필러층과 상이한 깊이로 그 수지층에 단층으로 분산되어 있는 필러로 이루어지는 제 2 필러층을 갖는 필러 분산층을 구비한 필러 함유 필름으로서,
    제 1 필러층의 필러는 그 수지층의 일방의 표면으로부터 노출되거나, 또는 그 수지층의 일방의 표면으로부터 상기 제 1 필러층의 필러의 최심부까지의 거리 (L1) 와 상기 제 1 필러층의 필러의 입자경 (DA) 의 비율 (L1/DA) 이 110 % 이하가 되도록 그 수지층에 매립되어 있고,
    제 2 필러층의 필러는 그 수지층의 타방의 표면으로부터 노출되거나, 또는 그 수지층의 타방의 표면으로부터 상기 제 2 필러층의 필러의 최심부까지의 거리 (L2) 와 상기 제 2 필러층의 필러의 입자경 (DB) 의 비율 (L2/DB) 이 110 % 이하가 되도록 그 수지층에 매립되어 있으며,
    상기 필러 분산층에는 제 1 필러층의 필러끼리 또는 제 2 필러층의 필러끼리 중 적어도 어느 일방은 서로 접촉한 상태로 일렬로 늘어서 있거나 또는 서로 접촉한 상태로 괴상 (塊狀) 으로 집합하여 필러 유닛이 형성되어 그 수지층에 매립되어 있고, 필러 유닛끼리가 접촉하지 않고, 필러 유닛이 규칙적으로 배열하고 있는, 필러 함유 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    수지층의 층 두께 (La) 와 필러의 평균 입자경 (D) 의 비 (La/D) 가 0.6 ∼ 10 인, 필러 함유 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 필러층의 필러끼리 또는 제 2 필러층의 필러끼리 중 어느 일방은 괴상으로 집합하고, 괴상으로 집합하고 있지 않은 제 1 필러층 또는 제 2 필러층 중 어느 일방에 있어서의 필러 유닛 내에서, 복수개의 필러들은 일렬로 늘어서 있는, 필러 함유 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    필러 유닛의 필러의 개수는, 2 ∼ 9 개인, 필러 함유 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 1 필러층의 필러와 제 2 필러층의 필러가 접촉하여 이루어지는 필러 유닛이 형성되어 있고, 필러 유닛끼리가 접촉하지 않고, 필러 유닛이 규칙적으로 배열하고 있는, 필러 함유 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    평면에서 보았을 때, 제 1 필러층의 필러 유닛의 긴쪽 방향과 제 2 필러층의 필러 유닛의 긴쪽 방향이 비평행인, 필러 함유 필름.
  7. 제 1 항에 있어서,
    필러 분산층과, 제 2 수지층이 적층하고 있고, 제 2 수지층은 필러 분산층을 형성하는 수지층에 비하여 최저 용융 점도가 낮은, 필러 함유 필름.
  8. 제 1 항에 있어서,
    필러 근방의 수지층의 표면이, 인접하는 필러간의 중앙부에 있어서의 수지층의 접평면에 대하여 경사 혹은 기복을 갖고, 그 경사에서는, 필러의 주위의 수지층의 표면이 상기 접평면에 대하여 결여되어 있고, 그 기복에서는, 필러 바로 위의 수지층의 수지량이, 그 필러 바로 위의 수지층의 표면이 상기 접평면에 있다고 했을 때에 비하여 적어져 있는, 필러 함유 필름.
  9. 제 1 항에 있어서,
    필러가 도전 입자이고, 수지층이 절연성 수지층이고, 이방성 도전 필름으로서 사용되는, 필러 함유 필름.
  10. 제 1 항에 있어서,
    2 종류 이상의 필러들로 이루어진, 필러 함유 필름.
  11. 제 1 항에 있어서,
    필러가 무기계 필러, 유기계 필러, 유기계 재료와 무기계 재료가 혼재된 필러 중 어느 일방으로 이루어지는, 필러 함유 필름.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 필러층의 필러끼리 또는 제 2 필러층의 필러끼리 중 어느 일방은 일렬로 늘어서 있거나 또는 괴상으로 집합하고,
    제 1 필러층의 필러와 제 2 필러층의 필러가 접촉하여 이루어지는 필러 유닛은 적어도 하나 형성되어 있는, 필러 함유 필름.
  13. 제 1 항에 있어서,
    제 1 필러층과 제 2 필러층에 형성된 필러 유닛 전부가 일렬로 늘어서 있거나 또는 괴상의 집합인, 필러 함유 필름.
  14. 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 필러 함유 필름의 제조 방법으로서,
    수지층의 일방의 표면에 필러를 소정의 분산 상태로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣고, 수지층의 타방의 표면에도 다른 필러를 소정의 분산 상태로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  15. 필러가 도전 입자이고, 수지층이 절연성 수지층이고, 이방성 도전 필름으로서 사용되는 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 필러 함유 필름의 제조 방법으로서,
    수지층의 일방의 표면에 필러를 소정의 분산 상태로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣고, 수지층의 타방의 표면에도 다른 필러를 소정의 분산 상태로 유지시키고, 그 필러를 수지층에 밀어넣는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    수지층의 양면에 필러를 소정의 분산 상태로 유지시킬 때에, 수지층의 일방의 표면에 있어서 필러를 유지시키는 방향과, 타방의 표면에 있어서 필러를 유지시키는 방향을 반전시키는, 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    수지층의 양면에 필러를 소정의 분산 상태로 유지시킬 때에, 수지층의 일방의 표면에 있어서 필러를 유지시키는 방향과, 타방의 표면에 있어서 필러를 유지시키는 방향을 반전시키는, 제조 방법.
  18. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 필러 함유 필름이 물품에 첩착 (貼着) 하고 있는, 필름 첩착체.
  19. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 필러 함유 필름을 통해서 제 1 물품과 제 2 물품이 접속되어 있는, 접속 구조체.
  20. 제 19 항에 있어서,
    필러가 도전 입자이고, 수지층이 절연성 수지층이고, 이방성 도전 필름으로서 사용되는 필러 함유 필름을 통해서 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속되어 있는, 접속 구조체.
  21. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 필러 함유 필름을 통해서 제 1 물품과 제 2 물품을 압착하는, 접속 구조체의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    제 1 물품, 제 2 물품을 각각 제 1 전자 부품, 제 2 전자 부품으로 하고, 필러가 도전 입자이고, 수지층이 절연성 수지층이고, 이방성 도전 필름으로서 사용되는 필러 함유 필름을 통해서 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 열 압착함으로써 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 이방성 도전 접속된 접속 구조체를 제조하는, 접속 구조체의 제조 방법.
KR1020217033006A 2016-10-31 2017-10-13 필러 함유 필름 KR102524169B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-213298 2016-10-31
JP2016213298 2016-10-31
JP2017159828A JP7035370B2 (ja) 2016-10-31 2017-08-22 フィラー含有フィルム
JPJP-P-2017-159828 2017-08-22
PCT/JP2017/037137 WO2018079303A1 (ja) 2016-10-31 2017-10-13 フィラー含有フィルム
KR1020197000759A KR102314818B1 (ko) 2016-10-31 2017-10-13 필러 함유 필름

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197000759A Division KR102314818B1 (ko) 2016-10-31 2017-10-13 필러 함유 필름

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210127811A KR20210127811A (ko) 2021-10-22
KR102524169B1 true KR102524169B1 (ko) 2023-04-20

Family

ID=62149239

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217033006A KR102524169B1 (ko) 2016-10-31 2017-10-13 필러 함유 필름
KR1020197000759A KR102314818B1 (ko) 2016-10-31 2017-10-13 필러 함유 필름

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197000759A KR102314818B1 (ko) 2016-10-31 2017-10-13 필러 함유 필름

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10899949B2 (ko)
JP (1) JP7035370B2 (ko)
KR (2) KR102524169B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018147073A1 (ja) * 2017-02-13 2018-08-16 株式会社三井ハイテック 固定子積層鉄心の製造方法及び固定子積層鉄心
JP7160302B2 (ja) * 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7046351B2 (ja) 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
WO2019235560A1 (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 デクセリアルズ株式会社 フィラー含有フィルム
CN113811583A (zh) * 2019-05-20 2021-12-17 拓自达电线株式会社 导电性接合片

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015151874A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
WO2016080379A1 (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08124435A (ja) 1994-10-25 1996-05-17 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電フィルムの製造方法
US20010008169A1 (en) * 1998-06-30 2001-07-19 3M Innovative Properties Company Fine pitch anisotropic conductive adhesive
JP2006015680A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Oike Ind Co Ltd 艶消しフィルム
US20060280912A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Rong-Chang Liang Non-random array anisotropic conductive film (ACF) and manufacturing processes
JP4880533B2 (ja) 2007-07-03 2012-02-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
KR101156177B1 (ko) * 2010-06-16 2012-06-18 한국생산기술연구원 전도성 입자 수용홈이 형성된 이방 도전성 필름, 전도성 입자 수용홈이 형성된 에폭시 수지를 사용한 플립 칩 접합방법 및 이를 이용한 플립 칩 패키지
US20120037399A1 (en) 2010-08-16 2012-02-16 Core Precision Material Corporation Anisotropic conductive film and method of fabricating the same
JP2013103368A (ja) 2011-11-11 2013-05-30 Sekisui Chem Co Ltd 多層フィルム
CN109334132B (zh) 2012-08-24 2022-02-25 迪睿合电子材料有限公司 各向异性导电膜及其制造方法
JP6221285B2 (ja) 2013-03-21 2017-11-01 日立化成株式会社 回路部材の接続方法
JP6264897B2 (ja) 2014-01-23 2018-01-24 トヨタ自動車株式会社 高誘電率フィルム及びフィルムコンデンサ
JP6535989B2 (ja) 2014-07-30 2019-07-03 日立化成株式会社 異方導電性フィルムの製造方法及び接続構造体
US11685137B2 (en) 2015-10-07 2023-06-27 Dexerials Corporation Anisotropic conductive film and connection structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015151874A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
WO2016080379A1 (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
KR102314818B1 (ko) 2021-10-19
KR20190016571A (ko) 2019-02-18
KR20210127811A (ko) 2021-10-22
US10899949B2 (en) 2021-01-26
JP2018078096A (ja) 2018-05-17
US20190276709A1 (en) 2019-09-12
JP7035370B2 (ja) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102524169B1 (ko) 필러 함유 필름
JP7307377B2 (ja) フィラー含有フィルム
KR102011650B1 (ko) 이방성 도전 필름 및 접속 구조체
JP7315878B2 (ja) フィラー含有フィルム
KR102519781B1 (ko) 이방성 도전 필름
KR102250339B1 (ko) 이방성 도전 필름
KR102652055B1 (ko) 필러 함유 필름
JP7081097B2 (ja) フィラー含有フィルム
JP7332956B2 (ja) フィラー含有フィルム
KR102478199B1 (ko) 필러 함유 필름
JP7352114B2 (ja) フィラー含有フィルム
WO2017191776A1 (ja) 異方性導電フィルムの製造方法、及び異方性導電フィルム
WO2020071271A1 (ja) 異方性導電フィルム、接続構造体、接続構造体の製造方法
CN112740483A (zh) 各向异性导电薄膜、连接结构体、连接结构体的制备方法
JP7319578B2 (ja) フィラー含有フィルム
TWI835252B (zh) 含填料膜
JP6889020B2 (ja) 異方性導電フィルムの製造方法、及び異方性導電フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant