KR20210015864A - 접속체, 접속체의 제조 방법, 접속 방법 - Google Patents

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료타 아이자키
고스케 아사바
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

범프 사이즈가 협소화되는 중에도, 도전 입자를 포착하여 도통 신뢰성을 확보할 수 있는 접속체, 접속체의 제조 방법, 및 접속 방법을 제공한다. 제 1 전극 단자 (21) 를 갖는 제 1 부품 (20) 과 제 2 전극 단자 (31) 를 갖는 제 2 부품 (30) 이, 개개로 독립된 필러 (12) 가 바인더 수지층 (11) 에 배열된 필러 배열층 (13) 을 갖는 필러 함유 필름 (10) 을 개재하여 접속된 접속체 (40) 에 있어서, 제 1 전극 단자 (21) 및 제 2 전극 단자 (31) 가 대향하는 최대의 유효 단자 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고, 단자 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상이다.

Description

접속체, 접속체의 제조 방법, 접속 방법
본 기술은 필러가 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 개재하여 접속된 접속체, 접속체의 제조 방법, 및 접속 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2018년 6월 6일에 출원된 일본 특허출원 2018-109089 및 일본에 있어서 2019년 6월 6일에 출원된 일본 특허출원 2019-106259 를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이고, 이들 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.
종래, 필러가 수지층에 함유된 필러 함유 필름이 사용되고, 그 중에서도 필러로서 도전 입자를 사용하여, IC 칩이나 플렉시블 기판 등의 전자 부품을 기판에 실장할 때에 사용하는 이방성 도전 필름으로 하는 구성이 알려져 있다.
최근에는, 휴대 전화, 노트북 컴퓨터 등의 소형 전자 기기에 있어서 배선의 고밀도화가 요구되고 있으며, 이 고밀도화에 이방성 도전 필름을 대응시키는 수법으로서, 이방성 도전 필름의 절연 접착제층에 필러로서 도전 입자를 매트릭스상으로 균등 배치나 규칙 배치하는 기술이 알려져 있다.
일본 공개특허공보 2016-66573호 일본 특허 제6187665호
이하, 필러 함유 필름의 일례로서, 이방성 도전 필름으로 설명한다. 이방성 도전 필름의 경우에는, 필러를 도전 입자로서 설명한다. 도전 입자는 이방성 도전 필름 이외의 용도인 경우에는 필러 (배열되어 있는 필러) 의 의미로 사용한다. 이방성 도전 필름, 이방성 도전 접속에 있어서의 포착은, 필러가 전자 부품의 전극 등에 협지되는 것을 가리키는 것이다. 이와 같은 이방성 도전 필름으로 접속하는 전자 부품에 있어서, 범프 사이즈는 최근 소면적화가 진행되고 있지만, 더욱 작아지면, 범프로 포착할 수 있는 도전 입자의 수도 더욱 적어질 수 밖에 없게 된다. 또, 이방성 도전 필름 이외의 용도인 경우에도, 필요하게 되는 부위에 협지 (상기의 포착과 동일한 취지) 되는 필러의 수는 최소인 1 개가 요구되는 것도 예상된다.
본 기술은, 이방성 접속에 있어서는, 범프 사이즈가 극소화되는 중에서도, 도전 입자를 최저한 포착할 수 있는 접속체, 접속체의 제조 방법, 및 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이방성 접속 이외의 용도이어도, 수지층에 구비한 필러를 정밀하게 협지한 접속체, 접속체의 제조 방법, 및 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 서술한 과제를 해결하기 위해서, 본 기술에 관련된 접속체는, 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품이, 개개로 독립된 필러가 바인더 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 개재하여 접속되고, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에서 상기 필러가 협지된 접속체에 있어서, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고, 접속부 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 상기 유효 접속부 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상이다.
또, 본 기술에 관련된 접속체의 제조 방법은, 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품 사이에, 개개로 독립된 필러가 바인더 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 배치하는 배치 공정과, 상기 제 1 부품 또는 상기 제 2 부품을 압압 (押壓) 하여, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에서 상기 필러를 협지하는 압압 공정을 구비하고, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고, 접속부 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 상기 유효 접속부 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상이다.
또, 본 기술에 관련된 접속 방법은, 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품 사이에, 개개로 독립된 필러가 바인더 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 배치하는 배치 공정과, 상기 제 1 부품 또는 상기 제 2 부품을 압압하여, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에서 상기 필러를 협지하는 압압 공정을 구비하고, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고, 접속부 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 상기 유효 접속부 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상이다.
본 기술에 의하면, 접속부 면적이 극소화된 접속 부품을 사용한 접속체에 있어서도 필러를 정렬 배치한 정렬형의 필러 함유 필름을 사용함으로써, 최소한의 필러를 포착 가능해진다.
도 1 은, 필러 함유 필름의 일례로서 나타내는 이방성 도전 필름의 도전 입자 배열층을 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 필러 함유 필름의 일례로서 나타내는 이방성 도전 필름, 및 이것을 사용하여 접속되는 제 1 전자 부품, 제 2 전자 부품을 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 이방성 도전 필름의 변형예를 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 이방성 도전 필름을 개재하여 제 1, 제 2 전자 부품을 압착하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 이방성 도전 필름을 개재하여 제 1, 제 2 전자 부품이 접속된 접속체를 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 접착 강도 시험의 샘플의 사시도이다.
도 7 은, 접착 강도 시험 방법의 설명도이다.
이하, 본 기술이 적용된 접속체, 접속체의 제조 방법, 접속 방법에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 본 기술은, 이하의 실시형태에만 한정되는 것은 아니며, 본 기술의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지 변경이 가능한 것은 물론이다. 또, 도면은 모식적인 것이고, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 한다. 또, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
본 발명이 적용된 접속체는, 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품이, 개개로 독립된 필러가 절연성 수지에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 개재하여 접속되어 있다.
도 1 은, 본 발명이 적용된 필러 함유 필름 (1) 의 필러 배열 구성을 나타내는 평면도이다. 필러 함유 필름 (1) 은, 수지층에 필러 (2) 가 배열된 필러 배열층 (3) 을 갖고, 필러 (2) 로서 도전 입자 (12) 를 사용한 이방성 도전 필름이나, 이방성 접속을 목적으로 하지 않는 도전 필름으로서 구성할 수 있다. 또, 필러의 재질에 따라서는, 도통·도전 이외의 용도에도 사용할 수 있다. 이하에서는, 필러 함유 필름 (1) 의 바람직한 적용예인 이방성 도전 필름 (10) 을 예로 설명한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10) 은, 제 1 부품의 일례인 IC 칩 등의 제 1 전자 부품 (20) 과, 제 2 부품의 일례인 제 1 전자 부품 (20) 이 실장되는 기판 등의 제 2 전자 부품 (30) 을 이방성 접속하기 위해서 사용할 수 있다.
이방성 도전 필름 (10) 은, 바인더 수지층 (11) 에 도전 입자 (12) 가 개개로 독립적으로 배열된 도전 입자 배열층 (13) 을 갖는다. 또, 이방성 도전 필름 (10) 은, 평면에서 보았을 때, 개개로 독립된 도전 입자 (12) 가 바인더 수지층 (11) 에 규칙적으로 배열되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도전 입자 (12) 가 의도적으로 접촉 혹은 근사함으로써 유닛을 구성하고 있는 경우에는, 유닛이 개개로 독립되어 있는 상태를 가지고 도전 입자 (12) 가 개개로 독립되어 있다고 간주할 수 있다. 이 경우, 유닛을 구성하고 있는 개개의 도전 입자 (12) 에 의해 입자의 개수를 카운트한다.
이방성 도전 필름 (10) 의 경화형 (접속시에, 경화 혹은 중합 반응시키는 방식) 으로는, 열 경화형, 광 경화형, 광열 병용 경화형 등을 들 수 있고, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 이하에서는, 열 경화형의 이방성 도전 필름 (10) 을 예로 들어 설명한다. 또, 열 경화형으로는, 예를 들어, 카티온 경화형, 아니온 경화형, 라디칼 경화형 (라디칼 중합 반응을 편의적으로 이와 같이 표기한다), 또는 이들을 병용할 수 있다. 또, 열가소성 수지를 사용하여, 경화 반응 (중합 반응) 을 이용하지 않는 핫멜트형도 있다. 이 경우, 접속에 열을 이용하기 때문에 열 경화형과 동일하게 사용할 수 있다.
상기 어느 경화형에 한정되지 않고, 이방성 도전 필름은, 바인더 수지로서, 막형성 수지와, 경화성 수지 혹은 중합성 수지 (에폭시 수지나 라디칼 중합성 수지) 와, 경화 반응 개시제 (중합 반응 개시제) 를 함유한다. 또한, 이방성 도전 필름은, 필요에 따라 엘라스토머 (고무) 를 함유시켜도 된다. 핫멜트형의 경우에는, 막형성 수지와 열가소성 수지, 또한 필요에 따라 엘라스토머 (고무) 를 함유시켜도 된다. 이것은 공지된 것을 사용할 수 있고, 일례로서, 일본 공개특허공보 2014-060025호에 기재된 것을 들 수 있다.
[바인더]
막형성 수지는, 예를 들어 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000 ∼ 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막형성 수지로는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 여러 가지 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 막형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지를 바람직하게 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 신닛테츠 스미킨 화학 (주) 의 상품명 「YP-50」 등을 들 수 있다.
에폭시 수지는, 3 차원 망목 구조를 형성하여, 양호한 내열성, 접착성을 부여하는 것이고, 고형 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 여기서, 고형 에폭시 수지란, 상온에서 고체인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 액상 에폭시 수지란, 상온에서 액상인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 상온이란, JIS Z 8703 에서 규정되는 5 ∼ 35 ℃ 의 온도 범위를 의미한다.
고형 에폭시 수지로는, 액상 에폭시 수지와 상용하여, 상온에서 고체상이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
액상 에폭시 수지로는, 상온에서 액상이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특히, 필름의 택성, 유연성 등의 관점에서, 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 미츠비시 화학 (주) 의 상품명 「EP828」 등을 들 수 있다.
아니온 중합 개시제로는, 통상 사용되는 공지된 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 유기산 디하이드라지드, 디시안디아미드, 아민 화합물, 폴리아미드아민 화합물, 시아네이트에스테르 화합물, 페놀 수지, 산 무수물, 카르복실산, 3 급 아민 화합물, 이미다졸, 루이스산, 브렌스테드산염, 폴리메르캅탄계 경화제, 우레아 수지, 멜라민 수지, 이소시아네이트 화합물, 블록 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이미다졸 변성체를 핵으로 하고 그 표면을 폴리우레탄으로 피복하여 이루어지는 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 아사히 화성 이 머티리얼즈 (주) 의 상품명 「노바큐어 3941」 등을 들 수 있다.
또, 바인더로서, 필요에 따라, 실란 커플링제, 응력 완화제, 미소 필러 등을 배합해도 된다. 실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴옥시계, 아미노계, 비닐계, 메르캅토·술파이드계, 우레이도계 등을 들 수 있다. 또, 응력 완화제로는, 수첨 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수첨 스티렌-이소프렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 무기 필러로는, 실리카, 탤크, 산화티탄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다.
미소 필러는, 배열되어 있는 도전 입자 (12) (필러 (2)) 와는 별도로, 바인더 수지층 (11) 의 점도 조정 등, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 와 상이한 기능을 부여할 목적으로 혼재시키는 것이고, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 와 형성 소재가 상이한 여러 가지 미소 고형물을 사용할 수 있다. 예를 들어, 필러 (2) 가 도전 입자 (12) 인 경우에, 미소 필러로서, 점도 조정제, 틱소트로픽제, 중합 개시제, 커플링제, 난연화제 등을 함유할 수 있다. 이와 같은 필러의 일례로는, 무기 필러나 유기 필러를 예시할 수 있다. 무기 필러로는, 실리카, 알루미나, 탤크, 산화티탄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다. 유기 필러로는, 고무 입자나 수지 입자 등을 들 수 있다.
미소 필러의 크기는, 배열되어 있는 도전 입자 (12) (필러 (2)) 보다 작은 것이 바람직하고, 입자경으로 배열에 영향을 미치지 않기 위해서는 80 ％ 이하가 바람직하고, 50 ％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 ％ 이하가 더욱 더 바람직하다. 점도 조정제로서 함유시키는 미소 필러는, 평균 입자경을 바람직하게는 1 ㎛ 미만, 보다 바람직하게는 5 ㎚ ∼ 0.3 ㎛ 로 할 수 있다. 이 입자경은, 금속 현미경이나 전자 현미경 등에 의한 관찰에 의한 계측이나, 공지된 화상형 입도 분포 장치 (예를 들어, FPIA-3000, 말번사) 등으로 구할 수 있다.
미소 필러의 함유량에 관해서는, 상기 서술한 특허문헌 2 에 기재되어 있는 바와 같이 절연성 수지층에 미소 필러를 혼련하고, 도전 입자를 절연성 수지층에 압입함으로써 이방성 도전 필름을 제조하는 경우에, 도전 입자의 압입이 저해되지 않는 한 특별히 제한은 없지만, 도전 입자의 배치의 정밀성을 확보하는 점에서는, 미소 필러를 3 질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 이방성 도전 접속에 있어서의 압입을 2 단계로 실시하는 것이 필요하게 될 정도로 미소 필러를 고농도로 바인더 수지층에 함유시킬 수 있다. 한편, 전자 부품의 접속을 위해서 필름에 필요한 유동성을 확보하는 점에서는, 미소 필러의 함유량은 바인더 수지층에 대하여 50 질량％ 이하가 바람직하고, 40 질량％ 이하가 보다 바람직하고, 35 질량％ 이하가 더욱 바람직하다.
또, 이방성 도전 필름 (10) 의 최저 용융 점도는, 도전 입자 (12) (필러) 를 바인더 수지층에 압입하면 특별히 제한은 없지만, 이방성 도전 필름 (10) 을 전자 부품 (물품) 에 열압착할 때의 도전 입자 (12) 의 불필요한 유동을 억제하기 위해, 바람직하게는 1500 ㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 2000 ㎩·s 이상, 더욱 바람직하게는 3000 ∼ 15000 ㎩·s, 특히 3000 ∼ 10000 ㎩·s 이다. 최저 용융 점도의 적성화는, 도전 입자 (12) 의 압축 변형 특성에도 의존하지만, 최저 용융 점도가 지나치게 높으면, 열압착시에 도전 입자 (12) 와 전극 사이의 바인더를 충분히 배제할 수 없기 때문에, 접속 저항이 상승하는 경향이 있다. 특히, 돌기를 갖는 도전 입자 (12) 는, 열압착시에 도전 입자와 전극 사이의 바인더를 충분히 배제하는 것이 곤란해진다. 한편, 최저 용융 점도가 지나치게 낮으면, 열압착시의 가중에 의한 이방성 도전 필름 (10) 의 변형이 커지기 때문에, 가압 해방시에 이방성 도전 필름 (10) 의 복원력이 접속부 계면 등에 박리 방향의 힘으로서 가해진다. 이 때문에, 열압착 직후에 접속 저항이 상승하거나, 접속부에 기포가 발생하거나 하는 경우가 있다.
이 최저 용융 점도는, 일례로서 회전식 레오미터 (TA instrument 사 제조) 를 사용하고, 측정 압력 5 g 으로 일정하게 유지하고, 직경 8 ㎜ 의 측정 플레이트를 사용하여 구할 수 있고, 보다 구체적으로는, 온도 범위 30 ∼ 200 ℃ 에 있어서, 승온 속도 10 ℃／분, 측정 주파수 10 ㎐, 상기 측정 플레이트에 대한 하중 변동 5 g 으로 함으로써 구할 수 있다. 또한, 최저 용융 점도의 조정은, 용융 점도 조정제로서 함유시키는 미소 고형물의 종류나 배합량, 수지 조성물의 조정 조건의 변경 등에 의해 실시할 수 있다.
[도전 입자]
도전 입자 (12) 로는, 종래, 이방성 도전 필름에 사용되고 있는 공지된 도전 입자를 사용할 수 있고, 예를 들어, 금, 은, 구리, 니켈, 코발트, 팔라듐 등의 금속 입자나 땜납 입자, 금속 피복 수지 입자, 도전 입자의 표면에 절연성 미립자를 부착시킨 것, 도전 입자의 표면을 절연 처리한 것 등을 사용할 수 있고, 혹은 이들을 병용해도 된다. 금속 피복 수지 입자는, 공지된 수법으로, 도통 특성에 지장을 초래하지 않는 절연 처리가 실시되어 있어도 된다.
도전 입자 (12) 의 평균 입자경은, 전자 부품의 범프 높이의 편차에 대한 대응, 도통 저항의 상승의 억제, 인접하는 범프간 쇼트의 발생의 억제 등의 관점에서 적절히 결정할 수 있고, 예를 들어, 하한은 지나치게 작으면 범프나 전극에 의한 협지의 균일성이 곤란해지므로 1 ㎛ 이상, 바람직하게는 2.5 ㎛ 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 지나치게 크면 입자경의 편차가 커지므로 바람직하게는 50 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 30 ㎛ 이하, 더욱 더 바람직하게는 20 ㎛ 이하이다. 또한, 도전 입자의 표면에 절연성 미립자를 부착시킨 것에 있어서의 평균 입자경은, 표면에 부착시킨 절연성 미립자를 포함하지 않는 입자경을 말한다. 또, 필러 함유 필름 (1) 에 있어서의 필러 (2) 도 동일하고, 필러 표면을 피복하고 있는 미립자가 존재하는 경우, 그 미립자의 크기는 포함하지 않는 입자경을 말한다.
그 중에서도, 최근의 전자 부품의 범프 면적의 협소화의 진행에 수반하여, 범프 상에 있어서의 입자 포착성을 유지, 향상시키는 관점에서, 평균 입자경은, 범프의 도전 입자 (12) 를 협지하는 면의 최소 길이 (원형의 경우에는 직경) 의 90 ％ 이하인 것이 바람직하고, 85 ％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 안정성의 관점에서 50 ％ 이하인 것이 더욱 더 바람직하다. 예를 들어, 도전 입자 (12) 를 협지하는 면이 사각형상이고 단자폭 3.6 ㎛ 인 범프에 대해서는, 도전 입자 (12) 는, 평균 입자경이 3.2 ㎛ (단자폭의 88 ％) 이하로 하는 것이 바람직하고, 평균 입자경이 3.0 ㎛ (단자폭의 83 ％) 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
이방성 도전 필름 (10) 은, 도전 입자 (12) 의 입자간 거리를, 이방성 도전 필름 (10) 으로 접속하는 단자의 크기, 형상, 단자 피치에 따라 적절히 정할 수 있다. 예를 들어, 이방성 도전 필름 (10) 을 파인 피치의 COG (Chip On Glass) 에 대응시키는 경우, 쇼트의 발생을 방지하는 점에서 최근접 입자간 거리를 도전 입자경 D 의 0.5 배 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.7 배보다 크게 하는 것이 보다 바람직하다. 한편, 최근접 입자간 거리의 상한은 이방성 도전 필름 (10) 의 목적에 따라 결정할 수 있고, 예를 들어, 이방성 도전 필름 (10) 의 제조상의 난이도의 점에서는, 최근접 입자간 거리를 도전 입자경 D 의 바람직하게는 100 배 이하, 보다 바람직하게는 50 배 이하로 할 수 있다. 또, 이방성 도전 접속시의 단자에 있어서의 도전 입자 (12) 의 포착성의 점에서는, 최근접 입자간 거리를 도전 입자경 D 의 4 배 이하로 하는 것이 바람직하고, 3 배 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 필러 함유 필름 (1) 은, 이방성 도전 필름 (10) 이외의 용도에 있어서도, 필러간의 거리를 접속하는 물품에 따라 적절히 정할 수 있다.
또, 필러 함유 필름 (1) 을 이방성 도전 필름 (10) 으로 하는 경우에, 도전 입자 (12) 의 개수 밀도는 30 개/㎟ 이상이면 되고, 150 개/㎟ 이상 70000 개/㎟ 이하가 바람직하다. 특히 파인 피치 용도의 경우에는 바람직하게는 6000 개/㎟ 이상 42000 개/㎟ 이하, 보다 바람직하게는 10000 개/㎟ 이상 40000 개/㎟ 이하, 더욱 더 바람직하게는 15000 개/㎟ 이상 35000 개/㎟ 이하이다. 또, 도전 입자의 입자경이 10 ㎛ 이상인 경우, 도전 입자의 개수 밀도는 30 개/㎟ 이상 6000 개/㎟ 이하가 바람직하다. 필러 함유 필름 (1) 의 용도가 이방성 도전 필름 이외이어도, 개수 밀도는 대체로 동일한 범위를 취할 수 있고, 하한은 10 개/㎟ 이상, 바람직하게는 30 개/㎟ 이상으로 할 수 있고, 상한은 100000 개/㎟ 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 70000 개/㎟ 이하로 할 수 있다.
또, 본 발명의 이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 에서는, 다음 식으로 산출되는 도전 입자 (12) (필러 (2)) 의 면적 점유율을, 도전 입자 (12) 의 함유 효과를 발현시키는 점에서 0.3 ％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 이방성 도전 필름 (10) 을 물품에 압착하기 위해서 압압 지그에 필요하게 되는 추력을 억제하는 점에서 도전 입자 (12) 의 면적 점유율을 35 ％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 30 ％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 도전 입자의 면적 점유율이 상정한 최대의 35 ％ 일 때, 그 역수는 2.86 이 된다. S2/S1 ≥ 3 이상이란, 도전 입자의 면적 점유율이 최대의 35 ％ 인 경우에, 도전 입자가 협지됨으로써 도전 입자의 면적이 5 ％ 정도 증대된 (2.86 × 1.05 = 3) 것을 상정한 것이 된다. 협지에 있어서 필러 면적의 증가를 고려하지 않으면, S2/S1 ≥ 2.86 이상으로 해도 된다. 또, 상한은 이론상 333 이 되지만, 실용상 55 이하가 바람직하고, 40 이하가 보다 바람직하고, 38 이하가 더욱 더 바람직하다.
면적 점유율 (％) = [평면에서 보았을 때의 도전 입자 (12) (필러 (2)) 의 개수 밀도] × [도전 입자 (12) (필러 (2)) 1 개의 평면에서 본 면적의 평균] × 100
여기서, 도전 입자 (12) 의 개수 밀도의 측정 영역으로는, 1 변이 100 ㎛ 이상인 사각형 영역을 임의로 복수 지점 (바람직하게는 5 지점 이상, 보다 바람직하게는 10 지점 이상) 설정하고, 측정 영역의 합계 면적을 2 ㎟ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 개개의 영역의 크기나 수는, 개수 밀도의 상태에 따라 적절히 조정하면 된다. 예를 들어, 파인 피치 용도의 이방성 도전 필름의 비교적 개수 밀도가 큰 경우의 일례로서, 이방성 도전 필름 (10) 으로부터 임의로 선택한 면적 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 영역의 200 지점 (2 ㎟) 에 대해, 금속 현미경 등에 의한 관측 화상을 사용하여 개수 밀도를 측정하고, 그것을 평균을 냄으로써 상기 서술한 식 중의 「평면에서 보았을 때의 도전 입자 (12) 의 개수 밀도」 를 얻을 수 있다. 면적 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 영역은, 범프간 스페이스 50 ㎛ 이하의 접속 대상물에 있어서, 1 개 이상의 범프가 존재하는 영역이 된다. 또한, 본 발명은 최소 포착수가 적어도 되고 (도전 입자 (12) 의 포착수가 최소 1 개로 예상되고 있다), 도전 입자 (12) 의 평면에서 본 개수 밀도나 면적 점유율은, 반드시 높게 있을 필요는 없다. 이 경우, 이방성 도전 필름 (10) 그 자체를 이동하는 등을 하여, 도전 입자 (12) 가 존재하는 위치를, 적절히 조정하는 등을 하면 된다.
도전 입자 (12) 의 개수 밀도나 입자간 거리 등은, 상기 서술한 바와 같이 금속 현미경을 사용하여 관찰하여 구하는 것 외에, 화상 해석 소프트 (예를 들어, WinROOF, 미타니 상사 주식회사나, A 조우쿤 (등록상표) (아사히 화성 엔지니어링 주식회사) 등) 에 의해 관찰 화상을 계측하여 구해도 된다. 관찰 방법이나 계측 수법은, 상기에 한정되는 것은 아니다.
또, 1 개의 도전 입자 (12) 의 평면에서 본 면적의 평균은, 필름면의 금속 현미경이나 SEM 등의 전자 현미경 등에 의한 관측 화상의 계측에 의해 구할 수 있다. 화상 해석 소프트를 사용해도 된다. 관찰 방법이나 계측 수법은, 상기에 한정되는 것은 아니다.
면적 점유율은, 이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 을 전자 부품 (물품) 에 압착하기 위해서 압압 지그에 필요하게 되는 추력의 지표가 되고, 바람직하게는 35 ％ 이하, 보다 바람직하게는 30 ％ 이하, 하한은 0.3 ％ 이상이다. 이것은 상기 서술한 이유 외에, 이하의 실제적인 이유가 있다. 즉, 종래, 이방성 도전 필름에서는 파인 피치에 대응시키기 위해서, 쇼트를 발생시키지 않는 한 도전 입자의 입자간 거리를 좁혀, 개수 밀도가 높아져 왔다. 그러나, 그와 같이 개수 밀도를 높이면, 전자 부품의 단자 개수가 증가하여, 전자 부품 1 개당 접속 총면적이 커짐에 따라, 이방성 도전 필름을 전자 부품에 압착하기 위해서 압압 지그에 필요하게 되는 추력이 커져, 종전의 압압 지그로는 압압이 불충분해진다는 문제가 일어나는 것이 염려된다. 이와 같은 압압 지그에 필요하게 되는 추력의 문제는, 이방성 도전 필름에 한정되지 않고 필러 함유 필름 전반에 공통되고, 또, 압압 대상물인 필러나, 필러의 협지 방법에도 관계된다. 이에 대해, 면적 점유율을 상기 서술한 바와 같이 바람직하게는 35 ％ 이하, 보다 바람직하게는 30 ％ 이하로 함으로써 필러 함유 필름을 물품에 압착하기 위해서 압압 지그에 필요하게 되는 추력을 낮게 억제하는 것이 가능해진다.
여기서, 입자경 3 ㎛ 의 도전 입자 (12) 는, 제 1 전자 부품 (20) 의 범프 (21) 에 대한 투영면에 있어서의 면적이 7.065 ㎛2 (πr2 ; r = 1.5 ㎛) 가 된다. 또한, 투영면에 있어서의 면적은, 이것보다 커도 된다. 그리고, 후술하는 바와 같이, 본 발명이 적용된 접속체 (40) 에 있어서는, 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고, 범프 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 범프 면적 S2 의 비율 S2/S1 을 3 이상으로 함으로써, 극소화된 범프 면적에 있어서도 도전 입자 (12) 를 포착할 수 있게 된다.
여기서, 유효 접속부 면적 S2 를 4000 ㎛2 이하로 한 것은, 치수의 1 변이 60 ㎛ 강 (强) 의 정방형을 상정하였다 (이 치수에 한정되는 것은 아닌 것은 말할 필요도 없다). 이것은, 예를 들어 일반적인 이방성 도전 필름의 도전 입자의 최대경으로 되어 있는 입자경 30 ㎛ 정도의 도전 입자가, 입자간 중심 거리를 입자경의 2 배로 한 격자 형상으로 배치되었을 경우에, 1 변에 1 개의 도전 입자가 존재할 수 있는 치수 (즉, 최소 1 개의 이론 포착수) 를 잠정적으로 상정한 것이 된다. 범프 면적의 극소화에 대응시키기 위해서는, 이것보다 큰 면적은 고려하지 않는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명에 의하면, 접속부 면적에 포착 (협지) 되는 필러를, 접속체에 따라 요청되는 필요한 최소 개수로 포착 (협지) 할 수 있다. 또, 본 발명은, 전자 부품 이외의 용도에도 적용 가능하다. 필러를 협지하는 것은 널리 실시되고 있으며, 그 협지 상태를 정밀하게 실시함으로써, 여러 가지 요청에 부응할 수 있는 것이 예상된다. 본 발명은 그 요청을 상정한 것이 된다. 또한, 필러의 협지면은 평활해도 되지만, 단부 (段部) 나 볼록 형상을 가지고 있어도 된다.
[입자 규칙 배열]
도전 입자 (12) 는, 필름의 평면에서 보았을 때 소정 배열을 반복하는 규칙적인 배치를 하고 있는 것이 바람직하다. 도전 입자 (12) 의 배열은, 예를 들어, 필름의 평면에서 보았을 때 도 1 에 나타낸 바와 같이 정방 격자 배열로 할 수 있다. 이 밖에, 도전 입자 (12) 의 규칙적인 배열의 양태로는, 장방 격자, 사방 격자, 6 방 격자, 3 각 격자 등의 격자 배열을 들 수 있다. 도전 입자 (12) 의 배열은, 상이한 형상의 격자가 복수 조합된 것이어도 된다. 도전 입자 (12) 의 배열의 양태로는, 도전 입자 (12) 가 소정 간격으로 직선상으로 늘어선 입자열을 소정의 간격으로 병렬시켜도 된다. 도전 입자 (12) 가 소정 간격으로 직선상으로 늘어선 입자열을 소정의 간격으로 병렬시켜도 된다. 도전 입자 (12) 가 조밀하게 배치되어 있는 영역과 성기게 배치되어 있는 영역이 규칙적으로 반복되어 있어도 된다. 도전 입자 (12) 는 개개로 독립적으로 이간되어 있는 것이 단자에 있어서의 포착 안정성과 쇼트 억제의 양립을 위해서 바람직하다. 또, 도전 입자가 복수개 연결 혹은 근접하여 유닛이 되고, 이 유닛이 규칙 배열되어 있는 양태도 본 발명은 포함한다. 도전 입자 (12) 가 규칙적인 배열을 하고 있는지의 여부는, 예를 들어 필름의 길이 방향 (권장체 (卷奬體) 로 했을 경우의 권취 방향) 에 도전 입자 (12) 의 소정의 배치가 반복되어 있는지의 여부를 관찰함으로써 판별할 수 있다.
도전 입자 (12) 를 규칙적으로 배열시키는 경우에, 그 배열의 격자축 또는 배열축은, 이방성 도전 필름 (10) 의 길이 방향 및 길이 방향과 직행하는 방향의 적어도 일방에 대해 평행이어도 되고, 교차하고 있어도 되고, 이방성 도전 필름 (10) 을 압착하는 전자 부품 (물품) 에 따라 정할 수 있다.
또한, 유닛으로 되어 있어도, 입자 포착수는, 포착되어 있는 입자 개수를 계측하여 구한다. 또, 포착은, 평면에서 보았을 때, 도전 입자 (필러) 1 개의 면적의 반 이상이 단자부 (접속부) 에 중첩되어 있거나, 혹은 편평화되어 있는 등 포착되어 있다고 간주되는 것은, 포착수 1 개로 카운트해도 된다. 또, 단자부 (접속부) 와 중첩되어 있는 면적의 비율이 60 ％ 이었다고 가정하고 0.6 개 포착하고 있다고 카운트해도 된다. 이것은 목적에 따라 선택할 수 있다. 이방성 도전 필름 (10) 의 경우에는, 단자부의 통전이 목적이기 때문에, 통전하고 있는 입자수를 포착수로 카운트하는 편이 적절하다고 생각되므로, 전자로 카운트한다.
또, 도전 입자 (12) 의 빠짐이 필름의 소정의 방향으로 규칙적으로 존재하는 양태이어도 된다. 도전 입자 (12) 의 빠짐을 필름의 길이 방향으로 반복해서 존재시키는 것, 혹은 도전 입자 (12) 가 빠져 있는 지점을 필름의 길이 방향으로 점차 증가 또는 감소시킴으로써, 로트 관리가 가능해져, 이방성 도전 필름 (10) 및 그것을 사용한 접속체 (40) 에 트레이서빌리티 (추적을 가능하게 하는 성질) 를 부여하는 것도 가능해진다. 이것은, 이방성 도전 필름 (10) 이나 그것을 사용한 접속 구조체의 위조 방지, 진짜와 가짜 판정, 부정 이용 방지 등에도 유효해진다. 이것은 이방성 도전 필름 이외의 용도이어도 동일한 것을 말할 수 있다.
도전 입자 (12) 를 격자상 등의 규칙적인 배열로 함으로써, 이방성 도전 필름 (10) 을 압착할 때에 각 도전 입자 (12) 에 압력을 균등하게 가하여, 접속 상태의 편차를 저감시킬 수 있다.
따라서, 이방성 도전 필름 (10) 은, 평면에서 보았을 때 도전 입자 (12) 를 규칙 배열함으로써, 전자 부품을 접속했을 경우에 도통 저항의 편차를 저감시킬 수 있고, 또, 포착 안정성의 향상 및 단자간 쇼트의 억제를 도모할 수 있다.
이방성 도전 필름 (10) 은, 규칙적으로 배열된 도전 입자 (12) 의 배열의 격자축 또는 배열축은, 필름의 길이 방향이나 길이 방향과 직행하는 방향에 대해 평행이어도 되고, 필름의 길이 방향과 교차해도 되고, 접속 대상이 되는 전자 부품의 단자폭, 단자 피치 등에 따라 정할 수 있다.
[절연성 수지층]
도 3 에 나타내는 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10) 은, 도전 입자 (12) 를 규칙 배열시킨 도전 입자 배열층 (13) 상에 절연성 접착제층 (14) 이 적층되어 있어도 된다. 절연성 접착제층 (14) 의 적층에 의해, 이방성 도전 필름을 사용하여 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때, 전자 부품의 전극이나 범프에 의해 형성되는 공간을 충전하여, 접착성을 향상시킬 수 있다.
절연성 접착제층 (14) 으로는, 이방성 도전 필름에 있어서 절연성 수지 바인더로서 종래 사용되고 있는 공지된 재료를 사용할 수 있다. 또, 절연성 접착제층 (14) 은, 상기 서술한 도전 입자 배열층 (13) 의 바인더 수지층 (11) 과 동일한 수지를 사용하여 점도를 보다 낮게 조정한 것으로 해도 된다.
도전 입자 배열층 (13) 과 절연성 접착제층 (14) 이 적층된 이방성 도전 필름 (10) 은, 절연성 접착제층 (14) 이 IC 칩 등의 압착 툴에 의해 가열 압압되는 제 1 전자 부품측이 되고, 도전 입자 배열층 (13) 이 기판 등의 제 2 전자 부품측이 되도록 첩착 (貼着) 되는 것이 바람직하다. 이로써, 압착 툴에 의한 가열 압압시에 있어서, 도전 입자 (12) 의 유동을 억제하여, 전자 부품의 단자 상에 있어서의 입자 포착성을 향상시킬 수 있다.
[필름 두께]
또한, 본 발명의 필러 함유 필름 (1) 에 있어서, 바인더 수지를 함유하는 층의 두께는, 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 열압착할 때의 필러 (2) 의 불필요한 유동을 억제하는 점, 그리고 필러 함유 필름 (1) 을 권장체로 했을 경우의 수지층의 비어져나옴이나 블로킹의 억제 및 단위 중량당 필름 길이를 길게 하는 점, 필러 함유 필름 (1) 의 취급성, 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 열압착할 때에 필요한 점착성이나 접착력의 관점에서 적절히 설정할 수 있다.
필러 함유 필름 (1) 은 단층이어도 되고, 2 층 구성의 이방성 도전 필름 (10) 과 같이 저점도의 바인더 수지층이 필러 (2) 를 함유한 고점도의 바인더 수지층에 적층되어 있어도 된다.
어느 경우에도, 필러 함유 필름 (1) (필러가 함유된 층) 의 두께는 필러 (2) 의 입자경에 대하여, 필러 (2) 의 압입을 안정적으로 실시하는 데에 있어서, 바람직하게는 0.3 배 이상, 보다 바람직하게는 0.6 배 이상, 더욱 바람직하게는 0.8 배 이상, 특히 바람직하게는 1 배 이상이다. 또, 바인더 수지층의 층두께의 상한에 대해서는 특별히 제한은 없고, 바인더 수지층의 층두께는 필러 함유 필름 (1) 을 열압착하는 물품에 따라 적절히 조정하면 되지만, 바인더 수지층의 층두께가 지나치게 두꺼워지면 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 열압착할 때에 필러 (2) 가 수지 유동의 영향을 불필요하게 받기 쉬워지고, 또, 바인더 수지층에 포함되어 있는 미소 고형물의 절대량이 많아짐으로써 물품의 열압착이 저해될 우려가 있다. 그 때문에, 바인더 수지층의 층두께는, 필러 (2) 의 입자경의 바람직하게는 20 배 이하, 보다 바람직하게는 15 배 이하이다.
한편, 필러 함유 필름 (1) 을, 필러 (2) 가 배열된 바인더 수지층과 필러 (2) 가 함유되어 있지 않은 저점도 수지층 (절연성 접착제층) 의 적층체로 하는 경우, 저점도 수지층의 층두께는, 필러 함유 필름 (1) 의 용도에 따라 적절히 조정하면 되지만, 지나치게 얇아지면 층두께의 편차가 상대적으로 커지므로, 필러 (2) 의 입자경의 바람직하게는 0.2 배 이상, 보다 바람직하게는 1 배 이상이다. 또, 저점도 수지층의 층두께의 상한에 대해서는, 지나치게 두꺼워지면 필러 (2) 가 배열된 바인더 수지층과의 적층의 곤란성이 늘어나므로, 바람직하게는 50 배 이하, 보다 바람직하게는 15 배 이하, 더욱 더 바람직하게는 8 배 이하이다.
또, 필러 함유 필름 (1) 을, 필러 (2) 가 매립된 바인더 수지층과 필러 (2) 가 함유되어 있지 않은 저점도 수지층 (절연성 접착제층) 의 적층체로 하는 경우에, 이들 수지층의 총두께는, 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 열압착할 때의 필러 (2) 의 불필요한 유동의 억제의 점, 필러 함유 필름 (1) 을 권장체로 했을 경우의 수지의 비어져나옴이나 블로킹의 억제의 점, 필러 함유 필름 (1) 의 단위 중량당 필름 길이를 길게 하는 점 등에서, 필러 함유 필름 (1) 에 있어서의 수지층의 총두께는 얇은 편이 바람직하다. 그러나, 지나치게 얇아지면 필러 함유 필름 (1) 의 취급성이 떨어진다. 또, 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 잘 첩착할 수 없게 되는 경우가 있고, 따라서 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 열압착할 때의 가압착에 있어서 필요한 점착력을 얻을 수 없을 우려가 있고, 본압착에 있어서도 수지량의 부족에 의해 필요한 접착력을 얻을 수 없을 우려가 있다. 그 때문에, 필러 함유 필름 (1) 에 있어서의 수지층의 총두께는, 필러 (2) 의 입자경에 대하여 바람직하게는 0.6 배 이상, 보다 바람직하게는 0.8 배 이상, 더욱 바람직하게는 1 배 이상, 특히 바람직하게는 1.2 배 이상이다.
한편, 필러 함유 필름 (1) 을, 필러가 매립된 바인더 수지층과 필러 (2) 가 함유되어 있지 않은 저점도 수지층 (절연성 접착제층) 의 적층체로 하는 경우의, 이들 수지층의 총두께의 상한에 대해서는 특별히 제한은 없고, 필러 함유 필름 (1) 을 열압착하는 물품에 따라 적절히 조정하면 되지만, 수지층의 총두께가 지나치게 두꺼워지면 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 열압착할 때에 필러 (2) 가 수지 유동의 영향을 불필요하게 받기 쉬워지고, 또, 수지층에 포함되어 있는 미소 고형물의 절대량이 많아짐으로써 물품의 열압착이 저해될 우려가 있으므로, 수지층의 총두께는, 필러 (2) 의 입자경의 바람직하게는 50 배 이하, 보다 바람직하게는 15 배 이하, 더욱 더 바람직하게는 8 배 이하이고, 또한 4 배 이하, 바람직하게는 3 배 이하로 함으로써, 수지 유동이 필러 (2) 의 배치에 미치는 영향을 최소한으로 할 수 있다고 생각된다.
필러 함유 필름 (1) 을 이방성 도전 필름 (10) 으로서 구성하고, 수지층으로서 바인더 수지층 (11) 과 저점도 수지층 (절연성 접착제층 (14)) 을 형성하는 경우에도, 수지층의 총두께는 상기 서술한 범위로 할 수 있다. 도전 입자 (12) 는 바인더 수지층 (11) 에 매립되어 있어도 되고, 노출되어 있어도 된다. 특히, 접속하는 전자 부품에 있어서 범프를 저배화 (低背化) 시키는 점에서는, 수지층의 총두께를 상기 서술보다 얇게 하는 것이 바람직하다. 바인더 수지층 (11) 과 저점도 수지층 (절연성 접착제층 (14)) 의 총두께의 하한에 대해서는, 도전 입자경의 바람직하게는 0.6 배 이상, 보다 바람직하게는 0.8 배 이상, 더욱 더 바람직하게는 1 배 이상이다. 얇아짐으로써, 도전 입자 (12) 와 통전 지점의 접촉이 용이해진다. 총두께의 상한에 대해서는 지나치게 높으면 압입의 추력이 지나치게 높아지기 때문에 4 배 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 3 배 이하, 보다 바람직하게는 2 배 이하, 더욱 더 바람직하게는 1.8 배 이하, 특히 더 바람직하게는 1.5 배 이하로 할 수 있다. 바인더 수지층 (11) 과 저점도 수지층 (절연성 접착제층 (14)) 의 두께의 비율에 대해서는, 도전 입자경과 범프 높이나 요구되는 접착력 등의 관계로부터 적절히 조정하면 된다.
[제 1 전자 부품, 제 2 전자 부품]
본 발명의 필러 함유 필름은, 종전의 필러 함유 필름과 동일하게 물품에 첩합 (貼合) 하여 사용할 수 있고, 첩합 물품에 특별히 제한은 없다. 예를 들어, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름 (10) 으로서 구성하고, 이방성 도전 필름 (10) 에 의해 제 1 전자 부품 (20) 및 제 2 전자 부품 (30) 을 서로 이방성 접속하는 경우, 제 1, 제 2 전자 부품 (20, 30) 은, 특별히 제한은 없고, 접속체에 따라 적절히 선택할 수 있다. 제 1 전자 부품 (20) 은, 예를 들어 PN 접합을 이용한 반도체 소자 (태양 전지 등의 발전 소자, CCD 등의 촬상 소자, 발광 소자, 페르체 소자), 그 밖의 각종 반도체 소자, IC 칩, IC 모듈, FPC 등을 예시할 수 있고, 또 형상도 특별히 한정되지 않는다. 그 밖에도, 제 1 전자 부품 (20) 으로는, 테이프 캐리어 패키지 기판 등을 예시할 수 있다. 또, 제 2 전자 부품 (30) 은, FPC, 유리 기판, 플라스틱 기판, 리지드 기판, 세라믹 기판 등을 들 수 있다. 또한, 본 발명의 필러 함유 필름 (1) 은, 이방성 도전 접속 용도 이외의 전자 부품에도 사용할 수 있다.
제 1 전자 부품 (20) 에는 돌기 전극이 되는 범프 (21) 가 형성되고, 제 2 전자 부품 (30) 에는 단자 전극 (31) 이 형성되고, 이들 범프 (21) 및 단자 전극 (31) 은, 이방성 도전 필름 (10) 의 도전 입자 (12) 를 개재하여 도통이 도모된다.
또한, 이방성 도전 필름 (10) 을 사용하여 IC 칩이나 웨이퍼를 스택하여 다층화해도 된다. 또한, 이방성 도전 필름 (10) 으로 접속하는 전자 부품은, 상기 서술한 전자 부품의 예시에 한정되는 것은 아니다. 최근, 다양화되고 있는 여러 가지 전자 부품에 사용할 수 있다. 본 발명은 여러 가지 물품에 본 발명의 필러 함유 필름 (1) 을 첩합한 필름 첩착체를 포함하고, 특히, 제 1 전자 부품 (20) 과 제 2 전자 부품 (30) 을, 이방성 도전 필름 (10) 을 개재하여 접속한 접속체를 포함한다.
또, 본 발명의 필러 함유 필름 (1) 이 사용되는 물품은 전자 부품에만 한정되는 것은 아니다. 또, 필러 함유 필름 (1) (이방성 도전 필름 (10)) 을 첩합하는 면은, 평활해도 되고, 단부나 볼록 형상을 가지고 있어도 된다. 필러의 협지 상태를 정밀하게 하는 것이 본 발명의 취지이고, 본 발명의 용도는, 이방성 도전 접속에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 필러 함유 필름 (1) 을 물품에 첩합하는 방법은, 필러 함유 필름 (1) 의 용도에 따라 압착, 바람직하게는 열압착으로 할 수 있고, 첩합시에 광 조사를 이용해도 된다.
여기서, 최근의 각종 전자 기기의 소형화에 수반하여, 제 1, 제 2 전자 부품 (20) 의 범프 사이즈 및 단자 전극 사이즈도 협소화되고, 예를 들어 범프 면적이 수십 ㎛2 ∼ 수천 ㎛2 까지 극소화된 전자 부품도 제안되어 있다. 또, 범프 면적의 극소화에 수반하여, 전자 부품 자체의 소형화도 진행되게 된다. 한편, 전자 부품의 실장시에는 비교적 대형화도 진행되는 경우도 있다. 이것은, 복수의 전자 부품으로 분할 가능한 비교적 외형 사이즈가 큰 전자 부품으로서 실장을 일괄적으로 실시할 수 있다. 또, 웨이퍼와 같이 비교적 큰 실장체로서 접속하고, 그 후에 소편화 (小片化) 할 수도 있다. 즉, 본 발명의 접속에 사용하는 부품으로는, 비교적 소형의 것에도 적용할 수 있지만, 비교적 대형의 것이어도 적용 가능하다. 예를 들어 대형 TV 등에 사용하는 경우에는, 이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 을 1 변에 1 m 이상, 예를 들어 4.5 m 이상 첩착하는 경우도 있다. 이 경우, 필러 함유 필름을 이방성 도전 필름으로서 사용하는 것 외에, 필러를 스페이서로 한 스페이서 필름 등으로서 사용해도 된다.
어느 쪽이든, 이와 같은 극소화된 범프 면적에 있어서도 도전 입자 (12) 를 확실하게 포착하여, 도통성을 확보하는 것이 필요해진다. 이러한 점에서, 본 발명이 적용된 이방성 도전 필름 (10) 을 사용한 접속체 (40) 에 있어서는, 도전 입자 (12) 가 평면에서 보았을 때 규칙적으로 배열되어 있기 때문에, 범프 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 범프 면적 S2 의 비율 S2/S1 을 3 이상으로 함으로써, 범프 면적이 극소화되었을 경우에 있어서도 도전 입자 (12) 를 포착하여, 도통성을 확보할 수 있다.
입자 면적 S1 이란, 접속 전에 있어서의 범프 투영면에 있어서의 도전 입자 (12) (필러 (2)) 의 면적을 말하고, 도전 입자 1 개당 면적 (πr2 ; r = 입자 반경) 에 범프의 입자 포착수를 적산함으로써 구할 수 있다. 입자 면적 S1 은, 이방성 도전 필름 (10) 이나 접속체 (40) 의 범프에 포착되어 있지 않은 도전 입자 (12) 를 관찰, 실측함으로써 구할 수 있다. 또, 도전 입자 1 개당 면적은, 접속체 (40) 의 범프에 포착되어 편평하게 압축된 도전 입자의 범프 투영 면적과 압축률로부터 계산에 의해 구해도 된다. 또한, 입자 면적 S1 대신에, 접속체 (40) 의 범프에 포착되어 편평하게 압축된 도전 입자의 범프 투영 면적에 범프의 입자 포착수를 적산하여 얻은 값을 사용하면, 편평률 (압축의 용이함) 등 파라미터가 늘어남으로써 복잡하게 되기 때문에, 상기 서술한 입자 면적 S1 을 사용하는 것이 간편하다. 상기 서술한 바와 같이, 협지됨으로써 입자 면적이 협지 전보다도 증가한 값을 사용함으로써, 포착수가 적은 경우에는 보다 정확하게 되지만, 이것은 협지된 입자의 편평 상태에 따라 적절히 구분하여 사용하면 된다.
또한, 필러 함유 필름 (1) 은, 이방성 도전 필름 (10) 이나 도전 필름 이외의 용도에 있어서는, 필러 (2) 로서, 필러 함유 필름 (1) 의 용도에 따라, 공지된 무기계 필러 (금속 입자, 금속 산화물 입자, 금속 질화물 입자 등), 유기계 필러 (수지 입자, 고무 입자 등), 유기계 재료와 무기계 재료가 혼재된 필러 (도전 입자에 있어서의, 예를 들어, 코어가 수지 재료로 형성되고, 표면이 금속 도금되어 있는 입자 (금속 피복 수지 입자), 도전 입자의 표면에 절연성 미립자를 부착시킨 것, 도전 입자의 표면을 절연 처리한 것 등에 상당하는 것) 로부터, 경도, 광학적 성능 등의 용도에 요구되는 성능에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 광학 필름이나 광택 제거 필름에서는, 실리카 필러, 산화티탄 필러, 스티렌 필러, 아크릴 필러, 멜라민 필러나 여러 가지 티탄산염 등을 사용할 수 있다. 콘덴서용 필름에서는, 산화티탄, 티탄산마그네슘, 티탄산아연, 티탄산비스무트, 산화란탄, 티탄산칼슘, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 티탄산지르콘산납 및 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 접착 필름에서는 폴리머계의 고무 입자, 실리콘 고무 입자 등을 함유시킬 수 있다.
[이방성 도전 필름의 제조 방법]
이와 같은 이방성 도전 필름 (10) 의 제조 방법은, 예를 들어, 도전 입자 (12) 의 배열 패턴에 따른 오목부가 형성된 형을 준비하고, 당해 형의 오목부에 도전 입자 (12) 를 충전하며, 그 위에, 박리 필름 상에 형성한 바인더 수지층 (11) 을 첩합하여 도전 입자 (12) 를 압입한다. 이로써 바인더 수지층 (11) 에 도전 입자 (12) 를 소정의 패턴으로 전착시킴으로써 도전 입자 배열층 (13) 이 형성된 이방성 도전 필름 (10) 을 형성할 수 있다. 이방성 도전 필름 (10) 은, 필요에 따라, 도전 입자 배열층 (13) 에 박리 필름에 지지된 절연성 접착제층 (14) 을 첩합하여, 2 층 구조를 갖는 이방성 도전 필름으로 해도 된다. 또, 이방성 도전 필름 (10) 은, 도전 입자 배열층 (13) 과 절연성 접착제층 (14) 을 조합하여 3 층 이상으로 해도 된다.
또, 도전 입자를 소정의 배열로 배치하는 방법으로는, 전사형을 사용하는 방법 대신에, 2 축 연신 필름을 사용하는 방법 등을 사용해도 된다.
[권장체]
이방성 도전 필름 (10) 은, 릴에 감겨진 필름 권장체로 하는 것이 바람직하다. 필름 권장체로서 이방성 도전 필름 (10) 을 공급함으로써, 이방성 도전 필름 (10) 의 취급성이 우수하고, 또, 전자 부품의 이방성 도전 접속을 연속적으로 실시할 수 있어, 접속체의 비용 삭감에 기여할 수 있다.
필름 권장체의 길이는, 특별히 제한은 없지만, 출하물의 취급성의 점에서, 5000 m 이하인 것이 바람직하고, 1000 m 이하인 것이 보다 바람직하고, 500 m 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, 하한에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 접속에 대해 양산 검토를 실시하는 데에 있어서는, 5 m 이상 있는 것이 바람직하다.
필름 권장체는, 전체 길이보다 짧은 이방성 도전 필름을 이음 테이프로 연결한 것이어도 된다. 연결 지점은 복수 지점 존재해도 되고, 규칙적으로 존재해도 되고, 랜덤하게 존재해도 된다. 또, 필름의 폭은 특별히 제한은 없지만, 일례로서 0.3 ㎜ 이상 400 ㎜ 이하, 실용상 0.5 ㎜ 이상 5 ㎜ 이하이다. 0.3 ㎜ 이상이 현 시점에서의 필름의 슬릿폭의 한계로 되어 있는 수치이고, 슬릿폭의 실용상의 실적은 0.5 ㎜ 이상이다. 또, 일반적인 이방성 도전 필름에 있어서의 슬릿폭보다 넓은, 비교적 큰 전자 부품 (전극 배선과 실장부가 일면에 형성된 기판이나 절삭 전의 웨이퍼 등) 에 그대로 첩부 (貼付) 하여 사용되는 경우에는, 400 ㎜ 정도의 필름폭이 필요하게 되는 경우가 있다.
[접속체]
이방성 도전 필름 (10) 은, 상기 서술한 제 1 전자 부품 (20) 과 제 2 전자 부품 (30) 을 열 또는 광에 의해 이방성 도전 접속함으로써 제조되는 접속체 (40) 의 제조에 바람직하게 사용된다.
또, IC 칩이나 IC 모듈을 스택하여 제 1 전자 부품 (20) 끼리를 이방성 도전 접속할 수도 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 접속 구조체 및 그 제조 방법도 본 발명의 일부이다.
이방성 도전 필름 (10) 을 사용한 전자 부품의 접속 방법으로는, 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10) 의 도전 입자 배열층 (13) 을, 스테이지에 재치 (載置) 한 배선 기판 등의 제 2 전자 부품 (30) 에 가부착하고, 이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 가부착된 이방성 도전 필름 (10) 에 대해, IC 칩 등의 제 1 전자 부품 (20) 을 탑재하고, 제 1 전자 부품 (20) 측으로부터 압착 툴을 사용하여 열압착한다. 또, 이방성 도전 필름 (10) 을 광 경화형, 혹은 열·광 병용형으로서 구성한 경우에는, 제 1, 제 2 전자 부품 (20, 30) 의 접속을, 광 경화 혹은 열 및 광을 이용하여 실시한다.
또한, 일반적인 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 이방성 도전 접속에서는, 제 1 전자 부품이 압착 툴측, 제 2 전자 부품이 압착 툴과 대향하는 스테이지에 재치되는 측이 된다. 또, 제 2 전자 부품에 미리 이방성 도전 필름을 첩착시키는 것이 일반적이지만, 제 1 전자 부품에 미리 첩착시켜도 된다. 이것은, 접속 방법에 의해 적절히 조정할 수 있다. 또, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품의 개수는 1 대 1 로 한정되는 것은 아니다. 1 개의 제 2 전자 부품에 제 1 전자 부품이 복수개 탑재되어 있어도 되고, 또 1 개의 제 1 전자 부품을 복수개의 제 2 전자 부품 상에 탑재하고 있어도 된다.
도 5 에 나타내는 예에 있어서는, 범프 (21) 와 단자 전극 (31) 사이에서 도전성 입자 (12) 를 협지함으로써 제 1 전자 부품 (20) 과 제 2 전자 부품 (30) 이 전기적으로 접속되고, 이 상태에서 압착 툴에 의해 가열된 바인더 수지층 (11) 이 경화되어, 접속체 (40) 가 형성된다. 접속체 (40) 는, 범프 (21) 와 단자 전극 (31) 사이에 없는 도전성 입자 (12) 가 전기적으로 절연된 상태를 유지하도록 존재하고 있다. 이로써, 범프 (21) 와 단자 전극 (31) 사이에서만 전기적 도통이 도모된다.
이 때, 본 발명이 적용된 이방성 도전 필름 (10) 은, 도전 입자 (12) 가 평면에서 보았을 때 규칙적으로 배열되어 있기 때문에, 제 1 전자 부품 (20) 의 범프 면적이 수십 ㎛2 ∼ 수천 ㎛2 까지 극소화되었을 경우에 있어서도, 범프 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 범프 면적 S2 의 비율 S2/S1 을 3 이상으로 함으로써, 범프 면적이 극소화되었을 경우에 있어서도 도전 입자 (12) 를 포착하여, 도통성을 확보할 수 있다.
여기서, 이방성 도전 필름 (10) 은 도전 입자 (12) 의 입자경 이상으로 바인더 수지층 (11) 의 두께가 크므로, 실제로 도전 입자를 포착시키기 위해서는, 접속시에 바인더 수지를 가압에 의해 유동시킴과 함께, 수지 유동의 영향에 의한 도전 입자 (12) 의 이동을 억제할 필요가 있다. 그러기 위해서는, 바인더 수지층 (11) 의 두께를 보다 도전 입자 (12) 의 입자경에 근사시키는 것이나, 도전 입자 (12) 가 부주의하게 움직이지 않게, 수지 유동을 억제하도록 하여 도전 입자 (12) 를 끼워 넣고 (예를 들어, 저압으로 가압착할 때, 도전 입자 (12) 까지 압착 툴을 압입하고, 그 상태를 유지하여 본압착 (도전 입자 (12) 의 압입) 을 실시한다), 수지 유동의 영향을 억제한다는 방법을 생각할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 도전 입자 (12) 를 배열한 이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 의 성능을 보다 고도로 발휘하는 것이 가능해진다. 특히, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 가 바인더 수지층 (11) 에 미리 배치되어 있는 경우에 유용하다.
또한, 배선 기판 등의 제 2 전자 부품 (30) 의 접속 영역의 사이즈 등에 의해 이방성 도전 필름 (10) 을 제 2 전자 부품 (30) 에 가부착하는 것이 어려운 경우에는, 이방성 도전 필름 (10) 을, IC 칩이나 FPC 등의 제 1 전자 부품 (20) 의 범프 형성면에 가부착하고, 그 후, 제 1 전자 부품 (20) 과 제 2 전자 부품 (30) 을 접속해도 된다.
또, 상기 서술한 접속 공정에서는, 제 1 전자 부품 (20) 과 제 2 전자 부품 (30) 을 이방성 도전 필름 (10) 을 개재하여 1 회의 열압착 공정에 의해 접속했지만, 본 발명이 적용된 접속 공정에서는, 제 1 전자 부품 (20) 또는 제 2 전자 부품을 압압하여 범프 (21) 및 단자 전극 (31) 사이에 도전성 입자 배열층 (13) 을 협지하는 가고정 공정과, 가고정 공정으로부터 추가로 제 1 전자 부품 (20) 또는 제 2 전자 부품을 압압하여 도전 입자 (12) 를 개재하여 범프 (21) 및 단자 전극 (31) 을 전기적으로 접속하는 본압착 공정에 의해 실시해도 된다.
가고정 공정을 형성함으로써, 도전 입자의 유동을 억제하여, 초기의 입자 배열을 유지한 상태에서 압입할 수 있다. 따라서, 면적이 극소화된 범프에 있어서도, 도전 입자를 포착할 수 있어, 도통성을 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 를 함유 (배치) 한 필름을, 전자 부품 (물품) 사이에 개재시켜 접속하기 때문에, 실제상은, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 는 편평화되는 등을 하여, 입자 (필러) 면적이 약간이라도 증가되는 것이 예상된다 (충분히 필러수가 있는 경우 등에는, 간이적으로 면적이 증가하지 않는 전제로 해도 된다). 또, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 를 유지하는 절연성 수지의 유동도 고려할 필요가 있다. 접속체의 제조 방법에 있어서는, 도전 입자 (12) (필러 (2)) 의 면적 증가와 절연성 수지의 유동을 고려하여, 도전 입자 (12) 필러의 위치나 전자 부품 (물품) 의 위치 조정, 및 접속 조건 (온도, 시간, 압력 등) 을 감안하는 것이 요구된다.
또한, 제 1 전자 부품 (20) 은, 범프 면적의 극소화나 대형의 부품에 일괄 실장하는 것을 감안하면, 전자 부품의 탑재에 필요한 얼라인먼트의 정밀도는 종래보다 높은 수준이 요구되는 것이 예상되고, 또한 이방성 도전 필름 (10) 상에 탑재했을 때나 압착 툴에 압압될 때에 가해지는 외력에 의한 약간의 위치 어긋남도 접속체의 제품 품질이나 재현도, 수율에 영향을 미칠 우려가 높다. 그래서, 이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 을 열압착하는 물품에 대해, 열압착 전의 가압착을 가능하게 하는 점착력을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이방성 도전 필름 (10) 의 점착력은, JIS Z 0237 에 준하여 측정할 수 있고, 또, JIS Z 3284-3 또는 ASTM D 2979-01 에 준하여 프로브법에 의해 택력으로서 측정할 수도 있다. 이방성 도전 필름 (10) 이 수지층으로서 절연성 수지층과 저점도 수지층을 갖는 경우에도, 절연성 수지층만을 갖는 경우에도, 이방성 도전 필름 (10) 의 표리 각 면의 프로브법에 의한 택력은, 예를 들어, 프로브의 가압 속도를 30 ㎜/min, 가압력을 196.25 gf, 가압 시간을 1.0 sec, 박리 속도를 120 ㎜/min, 측정 온도 23 ℃ ± 5 ℃ 로 계측했을 때, 표리의 면 중 적어도 일방을 1.0 ㎪ (0.1 N/㎠) 이상으로 할 수 있고, 1.5 ㎪ (0.15 N/㎠) 이상으로 하는 것이 바람직하고, 3 ㎪ (0.3 N/㎠) 보다 높은 것이 보다 바람직하다. 측정은, 이방성 도전 필름 (10) 의 일방의 면을 순수 유리 (예를 들어 두께 0.3 ㎜) 에 첩부함으로써 타방의 면의 택력을 측정해도 된다. 또한, 측정은, 이방성 도전 필름 (10) 을, 순수 유리가 아니라, 유연성이 있는 열가소성 수지 필름 (예를 들어, 두께 20 ㎛ 이하의 이형 처리되어 있지 않은 PET 필름, 실리콘 러버 등) 에 첩부하여 측정해도 된다. 이방성 도전 필름 (10) 의 첩부하는 면을 반전시킴으로써, 이방성 도전 필름 (10) 의 표리의 면의 택력을 동일 조건으로 측정할 수 있다.
특히, 이방성 도전 필름 (10) 이 표리 양면에 박리 기재를 가질 때에는, 먼저 전자 부품에 첩부한 면과 반대측의 면이 상기 서술한 택력을 나타내도록 이방성 도전 필름 (10) 의 표리를 사용하는 것이 바람직하고, 권장체로 한 이방성 도전 필름 (10) 과 같이, 이방성 도전 필름 (10) 이 그 편면에 박리 기재를 가질 때에는, 박리 기재측의 면이 상기 서술한 택력을 나타내는 것이 바람직하다. 또, 이방성 도전 필름 (10) 이 절연성 수지층과 저점도 수지층을 가질 때에는, 저점도 수지층의 표면이 상기 서술한 택력을 갖는 것이 바람직하다. 한편, 이방성 도전 필름 (10) 이 표리 양면에 박리 기재를 가질 때의 먼저 전자 부품에 첩부한 면이나, 이방성 도전 필름 (10) 이 그 편면에 박리 기재를 가질 때의 박리 기재가 없는 쪽의 면이나, 이방성 도전 필름 (10) 이 절연성 수지층과 저점도 수지층을 가질 때의 절연성 수지층측의 면은, 반드시 상기 서술한 택력을 갖지 않아도 되지만, 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이 이방성 도전 필름 (10) 의 표리의 면에서 바람직한 택력이 상이한 것은 다음의 이유에 의한다. 즉, 일반적으로, 이방성 도전 필름은, 그 사용시에 박리 기재와 반대측의 면을 기판 등의 제 2 전자 부품에 첩부하고, 이어서 박리 기재를 박리하며, 박리 기재를 박리한 면 (즉, 박리 기재측의 면) 에 IC 칩 등의 제 1 전자 부품을 탑재하고, 스테이지 상에 재치된 제 2 전자 부품에 대해 제 1 전자 부품을 열압착 툴에 의해 가열 압압하는 것이 실시된다. 이 제 1 전자 부품의 탑재시에 탑재 부품을 정확하게 고정시킬 수 있는 점착 성능을 확보할 필요가 있기 때문이다.
또한, 탑재 부품이 작을 때, 탑재시에는 경미한 어긋남도 허용할 수 없지만, 탑재에 필요한 점착력은 보다 큰 탑재 부품에 대해 상대적으로 저하되어도 허용할 수 있는 것으로 추찰된다. 그 때문에, 필요한 점착력은 탑재 부품에 따라 정해도 된다.
이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 의 점착력은, 일본 공개특허공보 2017-48358호에 기재된 접착 강도 시험에 준하여 구할 수도 있다. 이 접착 강도 시험에 있어서, 예를 들어, 2 장의 유리판으로 이방성 도전 필름 (10) 을 사이에 두고, 일방의 유리판을 고정시키고, 타방의 유리판을 박리 속도 10 ㎜/min, 시험 온도 50 ℃ 에서 박리해 가는 경우에, 고정시키는 유리판과 이방성 도전 필름 (10) 의 접착 상태를 강하게 해 둠으로써, 박리해 가는 유리판과, 그 유리판과 첩합되어 있는 이방성 도전 필름 (10) 의 면의 점착력을 측정하는 것이 가능해진다. 이렇게 하여 측정되는 접착 강도 (점착력) 를, 바람직하게는 1 N/㎠ (10 ㎪) 이상, 보다 바람직하게는 10 N/㎠ (100 ㎪) 이상으로 할 수 있다. 이것은, 이방성 도전 필름 (10) 의 박리되는 방향에 존재하는 면과, 박리하는 물품간의 점착력이 된다.
이 밖에, 이방성 도전 필름 (10) 의 점착력은, 시험편의 일단을 균일하게 접착하고 (첩합하고), 타단을 끌어올림으로써 시험편을 박리시키는 시험에 의해 구할 수도 있다. 이 시험 방법에 의해 계측되는 점착력이, 상기의 접착 강도 시험과 동등 (1 N/㎠ (10 ㎪) 이상) 한 결과가 되어도 된다. 상기 서술한 접착 강도 시험에 의한 점착력이 충분히 크면 (예를 들어 10 N/㎠ (100 ㎪) 이상), 이 시험 방법에서의 점착력은 상기 서술한 접착 강도 시험에 의한 점착력의 10 ％ 이상이면 된다.
이방성 도전 필름 (10) 이 상기 서술한 점착력을 가짐으로써, 열압착하는 물품이, 예를 들어, 일반적인 IC 칩보다 작은 최대 치수 0.8 ㎜ 미만의 전자 부품이어도 가압착에 있어서의 위치 어긋남의 문제를 없애, 대형 TV 와 동일한 정도의 최대 치수 450 ㎝ 정도의 전자 부품이어도 첩착을 안정시킬 수 있다.
이와 같은 점착성은, 바인더 수지층이나 저점도 수지층을 구성하는 수지 조성을 적절히 조정하는 등에 의해 부여할 수 있다.
실험예
이어서, 본 발명의 실험예에 대해 설명한다. 본 실험예에서는, 도전 입자 (12) 가 평면에서 보았을 때 규칙적으로 배열된 이방성 도전 필름 (10) 을 형성하고, 이것을 사용하여 평가용 플렉시블 기판과 평가용 유리 기판을 이방성 도전 접속하였다. 이 때, 범프 및 전극 단자가 대향하는 유효 단자 면적 S2 를 협소화시켜 갔을 때의 도전 입자의 포착수에 대해 측정하고, 또 이론값과 비교하여 평가하였다. 범프에 포착된 도전 입자의 수는, 유리 기판의 이면에 나타나는 범프에 눌러 찌부러진 도전 입자의 압흔수를 카운트함으로써 구하였다. 또한, 본 발명은 이하에 설명하는 실험예에 한정되는 것은 아니다.
[이방성 도전 필름]
본 실험예에 사용한 이방성 도전 필름은, 표 1 에 나타내는 배합으로 도전 입자 배열층 (13) 을 조제하였다. 그리고, 도전 입자 배열층 (13) 을 형성하는 수지 조성물을 바 코터로 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하고, 80 ℃ 의 오븐에서 5 분간 건조시켜, PET 필름 상에 바인더 수지층 (11) 을 형성하였다. 동일하게 하여, 절연성 접착제층 (14) 을, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제하고, PET 필름 상에 형성하였다.
Figure pct00001
또, 도전 입자 (12) 가 평면에서 보았을 때 도 1 에 나타내는 6 방 격자 배열이고 입자간 거리가 도전 입자의 입자경 (9 ㎛) 과 동일해지고, 도전 입자 (12) 의 개수 밀도가 8000 개/㎟ 가 되도록, 금형을 제조하였다.
도전 입자로서, 금속 피복 수지 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 평균 입자경 3 ㎛) 의 표면에, 일본 공개특허공보 2014-132567호의 기재에 준하여 절연성 미립자 (평균 입자경 0.3 ㎛) 를 부착시킨 것을 준비하고, 이 도전 입자를 수지형의 오목부에 충전하고, 그 위에 상기 서술한 바인더 수지층 (11) 을 씌우고, 60 ℃, 0.5 ㎫ 로 압압함으로써 첩착시켰다. 그리고, 형으로부터 바인더 수지층 (11) 을 박리하고, 바인더 수지층 (11) 상의 도전 입자를, 가압 (압압 조건 : 60 ∼ 70 ℃, 0.5 ㎫) 함으로써 바인더 수지층 (11) 에 압입하여, 도전 입자 배열층 (13) 을 제조하였다.
또, 도전 입자 배열층 (13) 에, 절연성 접착제층 (14) 을 적층함으로써 2 층 타입의 이방성 도전 필름을 제조하였다.
[필름 표면의 점착성]
(1) 가부착 시험
후술하는 제 1 ∼ 제 6 실험예에서 제조한 각 이방성 도전 필름의 도전 입자의 압입측 표면 또는 그 반대측의 표면을 평가용 논알칼리 유리에 첩부하고, 50 ㎛ 두께의 완충재 (폴리테트라플루오로에틸렌) 를 사용하여, 이방성 도전 필름폭 1.5 ㎜, 길이 50 ㎜, 압착 온도 70 ℃, 압착 압력 1 ㎫, 압착 시간 1 초로 가부착하였다. 그리고, 첩착면과 반대측에 형성한 PET 필름을 핀셋으로 벗길 때, PET 필름과 함께 이방성 도전 필름이 유리 기판으로부터 벗겨지는지의 여부를 관찰하였다. 이것을 100 회 실시하고, 다음의 기준으로 평가하며, 평가 결과를 표 2 에 나타냈다.
평가 기준
OK : 100 회 모두에 있어서 이방성 도전 필름이 유리 기판으로부터 벗겨지지 않는다
NG : 100 회 중 1 회 이상 이방성 도전 필름이 유리 기판으로부터 벗겨졌다
또한, 각 실험예에 관련된 이방성 도전 필름은, 평면에 재치하고 손가락으로 감촉을 확인한 결과, 절연성 접착제층 (14) 측의 점착력이 도전 입자 배열층 (13) 측의 점착력에 비해 컸다.
(2) 접착 강도 (점착력 1)
일본 공개특허공보 2017-48358호에 기재된 접착 강도 시험에 준하여, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 2 장의 슬라이드 유리 (26 ㎜ × 76 ㎜ × 1 ㎜) (마츠나미 글라스 공업 주식회사) (50, 51) 를 엇갈리게 겹치고, 그 사이에 제조한 각 이방성 도전 필름 (10) 을 사이에 두었다. 이 경우, 도 3 에 도시한 필름 구성에 있어서, 각 이방성 도전 필름 (10) 은 원형 (직경 10 ㎜) 으로 타발한 것을 사용하고, 도전 입자 배열층 (13) 측의 면을 하측의 슬라이드 유리 (50) 와 중첩하였다. 그리고 하측의 슬라이드 유리 (50) 를 실장시의 가부착의 일반적인 스테이지 온도인 40 ∼ 50 ℃ 로 가온한 핫 플레이트에 재치하고, 손가락으로 눌러 30 초간 가열하여 첩합하여, 하측의 슬라이드 유리 (50) 와 이방성 도전 필름 (10) 의 하측의 면을 소위, 가부착 상태로 하였다. 그 후, 각 이방성 도전 필름 (10) 의 절연성 수지층 (14) 측의 면에 상측의 슬라이드 유리 (51) 를 재치하고 첩합하였다. 이방성 도전 필름 (10) 은 하측의 슬라이드 유리 (50) 에 첩착되어 있는 상태에서 측정하고 있으므로, 그 이방성 도전 필름 (10) 의 절연성 수지층 (14) 측의 면과 상측의 슬라이드 유리 (51) 사이의 점착력을 측정하게 된다.
시마즈 제작소 제조 AGS-X 시리즈를 사용하여, 하측의 슬라이드 유리 (50) 를 지그로 고정시키고, 온도 50 ℃ 에서, 도 7 에 나타내는 바와 같이 상측의 슬라이드 유리 (51) 의 양단부를 지그로 연직 방향으로 10 ㎜/min 으로 끌어올리고, 하측의 슬라이드 유리 (50) 와 상측의 슬라이드 유리 (51) 가 분리되었을 때의 힘을 측정하고, 그 값을 이방성 도전 필름 (10) 의 면적으로 나누어, 절연성 접착층 (14) 측의 면의 접착 강도 (점착력 1) 로 하였다. 또, 각 실험예에 있어서, 접착 강도 (점착력 1) 를 2 회씩 구하고, 그 최저값을 표 2 에 나타냈다.
(3) 프로브법에 의한 택력 (점착력 2)
택 시험기 (TACII, 주식회사 레스카) 를 사용하여 다음과 같이 택력을 22 ℃ 의 분위기하에서 측정하였다. 먼저, 각 실험예에서 제조한 각 이방성 도전 필름 (10) (1 ㎝ × 1 ㎝) 을 순수 유리 (두께 0.3 ㎜) 와 첩합하였다. 이 경우, 도 3 에 도시한 필름 구성에 있어서, 하측의 면을 순수 유리와 첩합하고, 상측의 면을 택력의 측정면으로 하며, 순수 유리를 시료대의 실리콘 러버의 받침대 상에 두었다. 다음으로 택 시험기의 원주상의 직경 5 ㎜ 의 프로브 (스테인리스 제조 경면 마무리) 를 측정면의 상방에 세트하고, 가압 속도 30 ㎜/min 으로 프로브를 측정면에 접촉시키고, 가압력 196.25 gf, 가압 시간 1.0 sec 로 가압하고, 박리 속도 120 ㎜/min 으로 측정면으로부터 2 ㎜ 박리했을 때에 프로브가 측정면의 점착력에 의해 받는 저항을 하중값으로서 측정하고, 프로브를 측정면으로부터 박리할 때의 최대 하중을 택력으로 하였다. 각 실시예 및 비교예에 있어서 택력을 2 회씩 측정하고, 그 최저값을 표 2 에 나타냈다.
Figure pct00002
[평가용 플렉시블 기판/평가용 유리 기판]
본 실험예에 사용한 평가용 플렉시블 기판의 구성은 이하와 같다. 외형 ; 28.5 × 42.75 ㎜, 두께 ; 0.05 ㎜, 범프 사양 ; Sn 도금, 범프간 거리 ; 175 ㎛. 범프 높이 : 8 ㎛.
본 실험예에 사용한 평가용 유리 기판의 구성은 이하와 같다. 외형 ; 28.5 × 42.75 ㎜, 두께 ; 0.3 ㎜, 전극 ; Al/Mo/ITO 배선.
평가용 플렉시블 기판과 유리 기판은, 그들 범프 및 단자 패턴이 대응하고 있다. 또, 평가용 플렉시블 기판과 유리 기판을 접속할 때에는, 이방성 도전 필름의 길이 방향과 범프의 폭 방향을 맞추었다.
[접속 공정]
각 실험예의 이방성 도전 필름을, 접속에 충분한 면적으로 재단하여, 평가용 플렉시블 기판과 유리 기판 사이에 끼우고, 폭 1.5 ㎜ 의 툴로 가열 가압 (170 ℃, 6 ㎫, 5 초) 하여 각 평가용 접속체를 제조하였다.
또한, 실험예 1, 2 에서는, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 얼라인먼트를 정확하게 취하고 정대 (正對) 시켜, 이방성 접속을 실시한 접속체를 제조하고, 입자 포착수를 구하고, 이하의 식으로부터 구한 이론값과 비교하여 평가하였다.
이론값 = 입자 개수 밀도 × 유효 단자 면적 S
또한, 범프 및 단자의 폭 X (25 ㎛) 및 길이 Y (1500 ㎛) 로부터 구해지는 유효 단자 면적 S 는 37500 ㎛2 로 하였다.
[실험예 1]
실험예 1 에서는, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제한 바인더 수지층 (두께 : 6 ㎛) 및 절연성 접착제층 (두께 : 4 ㎛) 으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용하였다. 또, 실험예 1 에 관련된 도전 입자 배열층의 최저 용융 점도 (회전식 레오미터 (TA instrument 사 제조), 측정 압력 5 g, 온도 범위 30 ∼ 200 ℃, 승온 속도 10 ℃／분, 측정 주파수 10 ㎐, 측정 플레이트 직경 8 ㎜, 측정 플레이트에 대한 하중 변동 5 g) 는, 절연성 접착제층의 최저 용융 점도의 3 배 이상이었다. 또 실험예 1 에서는, 도전 입자로서, 금속 피복 수지 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 평균 입자경 3 ㎛) 를 바인더 수지층에 6 방 격자 배열로 규칙 배열하였다. 입자 개수 밀도는 8000 개/㎟ 로 하였다. 실험예 1 에 있어서의 입자 포착수는, 이론값이 300 개이고, 실측에 의해 얻어진 포착수는 168 개였다.
[실험예 2]
실험예 2 에서는, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제한 바인더 수지층 (두께 : 5 ㎛) 및 절연성 접착제층 (두께 : 5 ㎛) 으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용하였다. 또, 실험예 2 에 관련된 도전 입자 배열층과 절연성 접착제층의 각 최저 용융 점도차는 실험예 1 과 동일하다. 또 실험예 2 에서는, 도전 입자로서, 실험예 1 과 동일한 금속 피복 수지 입자를 바인더 수지층에 분산시켜 배합하였다. 입자 개수 밀도는 10000 개/㎟ 로 하였다. 실험예 2 에 있어서의 입자 포착수는, 이론값이 375 개이고, 실측에 의해 얻어진 포착수는 150 개였다.
Figure pct00003
표 3 에 나타내는 바와 같이, 정렬형의 이방성 도전 필름을 사용한 실험예 1 과 분산형의 이방성 도전 필름을 사용한 실험예 2 를 비교하면, 실험예 1 쪽이, 입자 개수 밀도는 실험예 2 보다 작음에도 불구하고, 실측에 의한 입자 포착수는 많았다. 이것으로부터, 정렬형의 이방성 도전 필름을 사용한 이방성 접속은, 분산형의 이방성 도전 필름보다 입자 포착 성능이 우수한 것을 알 수 있다.
이하의 실험예 3 - 6 에서는, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 얼라인먼트를 어긋나게 하여 정대시켜 유효 단자 면적 S2 를 조정하고, 이방성 접속을 실시한 접속체를 제조하였다. 얻어진 접속체에 있어서의 입자 포착수를 실측에 의해 구하고, 도전 입자가 포착된 단자의 투영면에 있어서의 접속 전의 도전 입자 1 개당 면적에 범프의 입자 포착수를 적산한 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 : S2/S1 을 구하였다.
이와 같이, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 얼라인먼트를 어긋하게 하고 있는 것은, 필요한 단자 면적을 갖는 평가용 플렉시블 기판 및 유리 기판의 샘플을 제조하는 대신의 수단이고, 굳이 얼라인먼트를 어긋나게 함으로써 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 중첩 면적을, 범프 및 단자가 정대되는 유효한 단자 면적 S2 로 간주하는 것으로 한 것이다.
[실험예 3]
실험예 3 에서는, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제한 바인더 수지층 (두께 : 6 ㎛) 및 절연성 접착제층 (두께 : 4 ㎛) 으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용하였다. 또, 실험예 3 에 관련된 도전 입자 배열층과 절연성 접착제층의 각 최저 용융 점도차는 실험예 1 과 동일하다. 또 실험예 3 에서는, 도전 입자로서, 금속 피복 수지 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 평균 입자경 : 3 ㎛, 입자 면적 S1 : 7.065 ㎛2) 를 바인더 수지층에 6 방 격자 배열로 규칙 배열하였다. 입자 개수 밀도는 8000 개/㎟ 로 하였다.
실험예 3 에서는, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 중첩 면적을 단자폭 X : 3.6 ㎛, 길이 Y : 11.5 ㎛ 로 하고, 유효 단자 면적 S2 : 41 ㎛2 로 하였다.
실험예 3 에 있어서의 입자 포착수의 이론값 (= 입자 개수 밀도 × 유효 단자 면적 S2) 은 0.3 개이다. 실측에 의해 얻어진 입자 포착수는 1 이고, 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 : S2/S1 = 5.8 (41 ㎛2/(7.065 ㎛2 × 1)) 이었다. 즉, 이론상 1 개 미만의 포착수이어도, 접속 조건을 조정함으로써 도전 입자를 포착시키는 것이 가능하게 되는 것을 알 수 있다.
본 발명에 있어서, 유효 접속 면적은 50 ㎛2 이하, 상세하게 서술하면 40 ㎛2 정도에서도 적용할 수 있는 것을 알 수 있다.
[실험예 4]
실험예 4 에서는, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제한 바인더 수지층 (두께 : 6 ㎛) 및 절연성 접착제층 (두께 : 6 ㎛) 으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용하였다. 이방성 도전 필름에 관한 그 밖의 조건은 실험예 3 과 동일하다.
실험예 4 에서는, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 중첩 면적을 단자폭 X : 15.8 ㎛, 길이 Y : 33.8 ㎛ 로 하고, 유효 단자 면적 S2 : 534 ㎛2 로 하였다.
실험예 4 에 있어서의 입자 포착수의 이론값 (= 입자 개수 밀도 × 유효 단자 면적 S2) 은 4.3 개이다. 실측에 의해 얻어진 입자 포착수는 2 이고, 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 : S2/S1 = 37.8 (534 ㎛2/(7.065 ㎛2 × 2)) 이었다.
본 발명에 있어서, 유효 접속 면적은 80 ㎛2 이하, 상세하게 서술하면 75 ㎛2 정도에서도 적용할 수 있는 것을 알 수 있다.
[실험예 5]
실험예 5 에서는, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제한 바인더 수지층 (두께 : 6 ㎛) 및 절연성 접착제층 (두께 : 4 ㎛) 으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용하였다. 이방성 도전 필름에 관한 그 밖의 조건은 실험예 3 과 동일하다.
실험예 5 에서는, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 중첩 면적을 단자폭 X : 39.9 ㎛, 길이 Y : 27.2 ㎛ 로 하고, 유효 단자 면적 S2 : 1085 ㎛2 로 하였다.
본 발명에 있어서, 유효 접속 면적은 1100 ㎛2 이하, 상세하게 서술하면 1080 ㎛2 정도에서도 적용할 수 있는 것을 알 수 있다.
실험예 5 에 있어서의 입자 포착수의 이론값 (= 입자 개수 밀도 × 유효 단자 면적 S2) 은 8.7 개이다. 실측에 의해 얻어진 입자 포착수는 3 이고, 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 : S2/S1 = 51.2 (1085 ㎛2/(7.065 ㎛2 × 3)) 이었다.
[실험예 6]
실험예 6 에서는, 표 1 에 나타내는 배합으로 조제한 바인더 수지층 (두께 : 6 ㎛) 및 절연성 접착제층 (두께 : 4 ㎛) 으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용하였다. 이방성 도전 필름에 관한 그 밖의 조건은 실험예 3 과 동일하다.
실험예 6 에서는, 평가용 플렉시블 기판의 범프와 유리 기판의 단자의 중첩 면적을 단자폭 X : 88.9 ㎛, 길이 Y : 42.5 ㎛ 로 하고, 유효 단자 면적 S2 : 3778 ㎛2 로 하였다.
실험예 6 에 있어서의 입자 포착수의 이론값 (= 입자 개수 밀도 × 유효 단자 면적 S2) 은 30.3 개이다. 실측에 의해 얻어진 입자 포착수는 14 이고, 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 : S2/S1 = 38.2 (3778 ㎛2/(7.065 ㎛2 × 14)) 이었다.
Figure pct00004
표 4 에 나타내는 바와 같이, 가장 유효 단자 면적을 극소화한 실험예 3 (유효 단자 면적 : 42 ㎛2) 에 있어서, 입자경 3 ㎛ 의 도전 입자를 1 개 포착하였다. 실험예 3 의 입자 면적 S1 에 대한 유효 단자 면적 S2 의 비율 : S2/S1 = 5.8 이고, 이것으로부터, S2/S1 = 3 이상으로 함으로써, 범프 면적이 극소화된 전자 부품을 사용한 접속체에 있어서도 정렬형의 이방성 도전 필름을 사용함으로써, 도전 입자를 포착 가능하게 되는 것을 알 수 있다. 또한, 실험예 4 를 참조하면, 이론 포착수가 5 개 이하이어도, 실측 포착수 2 개를 확보할 수 있는 것을 알 수 있다.
실험예 3 으로부터도 알 수 있는 바와 같이, 이론 포착수가 1 개 미만이어도, 도전 입자를 협지하는 것은 가능하다는 것을 알 수 있다. 실험예 4 로부터 알 수 있는 바와 같이, 2 개의 포착수를 확보하기 위해서는, 이론 포착수가 5 개 이하이어도 되는 것을 알 수 있다. 이들은 바인더나 접속 부재의 조합, 접속 조건에 따라 변동되기 때문에, 반드시 보증할 수 있는 것은 아니지만, 포착수 2 개 이하의 접속이 가능한 것은 알 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10) 은 도전 입자 (12) 의 입자경 이상으로 바인더 수지층 (11) 의 두께가 크므로, 실제로 도전 입자를 포착시키기 위해서는, 접속시에 바인더 수지를 가압에 의해 유동시킴과 함께, 수지 유동의 영향에 의한 도전 입자 (12) 의 이동을 억제할 필요가 있다. 그러기 위해서는, 바인더 수지층 (11) 의 두께를 보다 도전 입자 (12) 의 입자경에 근사시키는 것이나, 도전 입자 (12) 가 부주의하게 움직이지 않게, 수지 유동을 억제하도록 하여 도전 입자 (12) 를 끼워 넣고 (예를 들어, 저압으로 가압착할 때, 도전 입자 (12) 까지 압착 툴을 압입하고, 그 상태를 유지하여 본압착 (도전 입자 (12) 의 압입) 을 실시한다), 수지 유동의 영향을 억제한다는 방법을 생각할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 도전 입자 (12) 를 배열한 이방성 도전 필름 (10) (필러 함유 필름 (1)) 의 성능을 보다 고도로 발휘하는 것이 가능해지는 것으로 예상할 수 있다.
실측 포착수를 충분히 얻고자 하는 경우, 이론 포착수는 3 이상을 상정하는 것이 현실적이다 (실험예 5 ∼ 6 을 참조). 그러나, 이론 포착수가 1 미만이어도 포착 (협지) 을 1 개로 할 수 있었다. 이것으로부터, 상기 서술한 바와 같이 접속 조건의 조정이나, 도전 입자 (필러) 의 위치를 얼라인먼트함으로써, 보다 현실적인 조건으로 할 수 있다고 생각되고, 본 발명은 이것을 포함하는 것이다. 실시예에 있어서는 이방성 도전 접속 및 접속체로 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 필러가 배열된 필러 함유 필름에 있어서도, 동일한 효과가 얻어지는 것으로 예상할 수 있다. 이와 같은 접속체는, 필러가 분산되어 있는 것과는 상이한 산업상의 편리성이 얻어지는 것으로 추측할 수 있다. 정밀한 필러의 배치가 없으면, 필러의 위치를 양호한 재현성으로 얼라인먼트하는 것만으로도, 불필요한 수고가 드는 것은 용이하게 추측할 수 있기 때문이다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상적인 지식을 갖는 자이면, 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
1 필러 함유 필름
2 필러
3 필러 배열층
10 이방성 도전 필름
11 바인더 수지층
12 도전 입자
13 도전 입자 배열층
14 절연성 접착제층
20 제 1 전자 부품
21 범프
30 제 2 전자 부품
31 단자 전극
40 접속체

Claims (10)

  1. 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품이, 개개로 독립된 필러가 바인더 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 개재하여 접속되고, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에서 상기 필러가 협지된 접속체에 있어서,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고,
    접속부 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 상기 유효 접속부 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상인, 접속체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부는 전극 단자이고,
    상기 필러는 도전 입자인, 접속체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에 포착된 상기 필러가 3 개 미만인, 접속체.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에 포착된 상기 필러가 3 개 이하인, 접속체.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 또는 상기 제 2 접속부는, 모두 전극 단자이고, 적어도 일방이 돌기 전극인, 접속체.
  6. 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품 사이에, 개개로 독립된 필러가 바인더 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 배치하는 배치 공정과,
    상기 제 1 부품 또는 상기 제 2 부품을 압압하여, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에서 상기 필러를 협지하는 압압 공정을 구비하고,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고,
    접속부 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 상기 유효 접속부 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상인, 접속체의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부는 전극 단자이고,
    상기 필러는 도전 입자인, 접속체의 제조 방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에 포착된 상기 필러가 3 개 미만인, 접속체의 제조 방법.
  9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부 또는 상기 제 2 접속부는, 모두 전극 단자이고, 적어도 일방이 돌기 전극인, 접속체의 제조 방법.
  10. 제 1 접속부를 갖는 제 1 부품과 제 2 접속부를 갖는 제 2 부품 사이에, 개개로 독립된 필러가 바인더 수지층에 배열된 필러 배열층을 갖는 필러 함유 필름을 배치하는 배치 공정과,
    상기 제 1 부품 또는 상기 제 2 부품을 압압하여, 상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부에서 상기 필러를 협지하는 압압 공정을 구비하고,
    상기 제 1 접속부 및 상기 제 2 접속부가 대향하는 최대의 유효 접속부 면적 S2 가 4000 ㎛2 이하이고,
    접속부 투영면에 있어서의 입자 면적 S1 에 대한 상기 유효 접속부 면적 S2 의 비율 S2/S1 이 3 이상인, 접속 방법.
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