TWI845515B - 連接體、連接體之製造方法、連接方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種即便於凸塊尺寸狹小化之情況下亦能夠捕捉導電粒子並確保導通可靠性的連接體、連接體之製造方法、及連接方法。 本發明之連接體40中，具有第1電極端子21之第1零件20與具有第2電極端子31之第2零件30隔著具有填料排列層13之含填料膜10而連接，該填料排列層13係於黏合劑樹脂層11中排列有各自獨立之填料12者，且第1電極端子21及第2電極端子31對向之最大之有效端子面積S2為4000 μm² 以下，端子投影面中之有效端子面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上。

Description

連接體、連接體之製造方法、連接方法

本技術係關於一種隔著具有填料排列層之含填料膜而連接的連接體、連接體之製造方法、及連接方法，該填料排列層係於樹脂層中排列有填料者。本申請案係以2018年6月6日於日本所申請之日本專利申請編號特願2018-109089及2019年6月6日於日本所申請之日本專利申請編號特願2019-106259為基礎主張優先權，該等申請藉由參照而援用於本申請案中。

以往，使用樹脂層中含有填料之含填料膜，其中尤以作為如下各向異性導電膜之結構廣為人知：使用導電粒子作為填料，且於將IC晶片或可撓性基板等電子零件安裝於基板時使用。

近年來，於行動電話、筆記型電腦等小型電子機器中要求配線之高密度化，作為使各向異性導電膜與該高密度化相對應之方法，已知有於各向異性導電膜之絕緣接著劑層矩陣狀地均等配置或規律配置導電粒子作為填料之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2016-66573號公報 [專利文獻2]日本專利第6187665號公報

[發明所欲解決之課題]

以下，作為含填料膜之一例，以各向異性導電膜進行說明。於各向異性導電膜之情形時，將填料作為導電粒子進行說明。關於導電粒子，於除各向異性導電膜以外之用途之情形時，係以填料（排列之填料）之含義而使用。各向異性導電膜、各向異性導電連接中之捕捉係指填料被電子零件之電極等夾持。於由此種各向異性導電膜連接之電子零件中，凸塊尺寸近年來正推進小面積化，但若進一步變小，則利用凸塊能夠捕捉到之導電粒子之數量亦不得不進一步變少。又，預想：即便於除各向異性導電膜以外之用途之情形時，需要之部位所夾持（與上述捕捉為相同涵義）之填料之數量亦要求最小即1個。

本技術之目的在於提供一種連接體、連接體之製造方法、及連接方法，該連接體於各向異性連接中即便凸塊尺寸極小化之情況下亦能夠最低限度地捕捉導電粒子。本技術之目的在於提供一種連接體、連接體之製造方法、及連接方法，該連接體即便於除各向異性連接以外之用途中亦會精密地夾持樹脂層中具備之填料。 [解決課題之技術手段]

為了解決上述問題，本技術之連接體中，具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件隔著具有填料排列層之含填料膜而連接，該填料排列層係於黏合劑樹脂層中排列有各自獨立之填料者，且由上述第1連接部及上述第2連接部夾持上述填料，且上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為4000 μm² 以下，連接部投影面中之上述有效連接部面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上。

又，本技術之連接體之製造方法具備：配置步驟，其係於具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件之間配置具有填料排列層之含填料膜，該填料排列層係於黏合劑樹脂層中排列有各自獨立之填料者；及按壓步驟，其係按壓上述第1零件或上述第2零件，利用上述第1連接部及上述第2連接部夾持上述填料；且上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為4000 μm² 以下，連接部投影面中之上述有效連接部面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上。

又，本技術之連接方法具備：配置步驟，其係於具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件之間配置具有填料排列層之含填料膜，該填料排列層係於黏合劑樹脂層中排列有各自獨立之填料者；及按壓步驟，其係按壓上述第1零件或上述第2零件，利用上述第1連接部及上述第2連接部夾持上述填料；且上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為4000 μm² 以下，連接部投影面中之上述有效連接部面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上。 [發明之效果]

根據本技術，即便於使用連接部面積被極小化之連接零件之連接體中，藉由使用排列配置填料之排列型之含填料膜，亦能夠捕捉最小限度之填料。

以下，針對本技術所應用之連接體、連接體之製造方法、連接方法，一面參照圖式一面詳細地進行說明。再者，當然，本技術並不僅限定於以下實施形態，可於不脫離本技術之主旨之範圍內進行各種變更。又，圖式係示意性者，有時各尺寸之比率等與現實不同。具體尺寸等應參酌以下說明進行判斷。又，當然，於圖式相互間亦包含相互之尺寸之關係或比率不同之部分。

適用本發明之連接體中，具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件隔著具有填料排列層之含填料膜而連接，該填料排列層係於絕緣性樹脂中排列有各自獨立之填料者。

圖1係表示適用本發明之含填料膜1之填料排列構成之俯視圖。含填料膜1具有於樹脂層排列有填料2之填料排列層3，能夠以使用導電粒子12作為填料2之各向異性導電膜、或不以各向異性連接為目的之導電膜之形式而構成。又，根據填料之材質，亦可使用於除導通、導電以外之用途。以下，以作為含填料膜1之較佳之應用例之各向異性導電膜10為例進行說明。

如圖2所示，各向異性導電膜10可用於將作為第1零件之一例之IC晶片等第1電子零件20與作為第2零件之一例之供第1電子零件20安裝之基板等第2電子零件30各向異性連接。

各向異性導電膜10具有導電粒子12於黏合劑樹脂層11各自獨立排列之導電粒子排列層13。又，各向異性導電膜10較佳為於俯視下各自獨立之導電粒子12於黏合劑樹脂層11規律性地排列。再者，於藉由有意識地使導電粒子12接觸或者近似而構成單元之情形時，以單元各自獨立之狀態視為導電粒子12各自獨立。於此情形時，根據構成單元之各導電粒子12對粒子之個數進行計數。

作為各向異性導電膜10之硬化型（於連接時，使之硬化或者聚合反應之方式），可列舉熱硬化型、光硬化型、光熱併用硬化型等，可視用途適當選擇。以下，列舉熱硬化型之各向異性導電膜10為例進行說明。又，作為熱硬化型，例如陽離子硬化型、陰離子硬化型、自由基硬化型（為方便起見，將自由基聚合反應以此方式而表示），或可將該等併用。又，亦有使用熱塑性樹脂且不利用硬化反應（聚合反應）之熱熔型。於此情形時，由於連接時會利用熱，因此可與熱硬化型相同地使用。

不限於上述任一硬化型，各向異性導電膜含有膜形成樹脂、硬化性樹脂或者聚合性樹脂（環氧樹脂或自由基聚合性樹脂）、及硬化反應起始劑（聚合反應起始劑）作為黏合劑樹脂。進而，亦可使各向異性導電膜視需要而含有彈性體（橡膠）。於熱熔型之情形時，亦可使之含有膜形成樹脂、熱塑性樹脂、及進而視需要之彈性體（橡膠）。其可使用公知者，作為一例，可列舉日本特開2014-060025號公報中記載者。

[黏合劑] 膜形成樹脂例如相當於平均分子量為10000以上之高分子量樹脂，就膜形成性之觀點而言，較佳為10000〜80000左右之平均分子量。作為膜形成樹脂，可列舉苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯（polyurethane）樹脂、聚酯胺酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、丁醛樹脂等各種樹脂，該等可單獨使用，亦可將2種類以上組合使用。該等之中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言，較佳為良好地使用苯氧基樹脂。作為市場中能夠取得之具體例，可列舉新日鐵住金化學（股）之商品名「YP-50」等。

環氧樹脂係形成立體網狀結構且賦予良好之耐熱性、接著性者，較佳為將固形環氧樹脂與液狀環氧樹脂併用。此處，固形環氧樹脂係意指於常溫為固體之環氧樹脂。又，液狀環氧樹脂係意指於常溫為液狀之環氧樹脂。又，常溫係意指JIS Z 8703中所規定之5〜35℃之溫度範圍。

作為固形環氧樹脂，只要與液狀環氧樹脂相溶且於常溫為固體狀，則無特別限定，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、多官能型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、酚醛清漆苯酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等，可自該等之中將1種單獨使用、或將2種以上組合使用。

作為液狀環氧樹脂，只要於常溫為液狀，則無特別限定，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆苯酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等，可自該等之中將1種單獨使用、或將2種以上組合使用。尤其是就膜之黏性、柔軟性等之觀點而言，較佳為使用雙酚A型環氧樹脂。作為市場中能夠取得之具體例，可列舉三菱化學（股）之商品名「EP828」等。

作為陰離子聚合起始劑，可使用通常所使用之公知之硬化劑。例如可列舉有機酸二醯肼、雙氰胺、胺化合物、聚醯胺胺化合物、氰酸酯化合物、酚樹脂、酸酐、羧酸、三級胺化合物、咪唑、路易斯酸、布氏酸鹽、聚硫醇系硬化劑、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、異氰酸酯化合物、嵌段異氰酸酯化合物等，可自該等之中將1種單獨使用、或將2種以上組合使用。該等之中，較佳為使用以咪唑改質體為核並利用聚胺酯被覆其表面而成之微膠囊型潛伏性硬化劑。作為市場中能夠取得之具體例，可列舉ASAHI KASEI E-materials（股）之商品名「Novacure 3941」等。

又，作為黏合劑，可視需要摻合矽烷偶合劑、應力緩和劑、微小填料等。作為矽烷偶合劑，可列舉環氧系、甲基丙烯醯氧基系、胺基系、乙烯基系、巰基-硫醚系、脲基系等。又，作為應力緩和劑，可列舉氫化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、氫化苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚物等。又，作為無機填料，可列舉二氧化矽、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等。

微小填料與排列之導電粒子12（填料2）不同，係為了賦予黏合劑樹脂層11之黏度調整等與導電粒子12（填料2）不同之功能而混合存在者，可使用形成素材與導電粒子12（填料2）不同之各種微小固形物。例如，於填料2為導電粒子12之情形時，可含有黏度調整劑、觸變劑、聚合起始劑、偶合劑、難燃化劑等作為微小填料。作為此種填料之一例，可例示無機填料或有機填料。作為無機填料，可列舉二氧化矽、氧化鋁、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等。作為有機填料，可列舉橡膠粒子或樹脂粒子等。

微小填料之大小較佳為小於排列之導電粒子12（填料2），為了不使粒徑對排列產生影響，較佳為80%以下，更佳為50%以下，進而更佳為10%以下。關於作為黏度調整劑而含有之微小填料，可將平均粒徑較佳為設為未達1 μm，更佳為設為5 nm〜0.3 μm。該粒徑可根據藉由金屬顯微鏡或電子顯微鏡等之觀察而進行之測量、或公知之圖像型粒度分佈裝置（例如FPIA-3000，Malvern公司）等而求出。

關於微小填料之含量，於如上述專利文獻2中所記載般藉由於絕緣性樹脂層中混練微小填料並將導電粒子壓入絕緣性樹脂層而製造各向異性導電膜之情形時，只要不阻礙導電粒子之壓入，則無特別限制，就確保導電粒子之配置之精密性之方面而言，較佳為將微小填料設為3質量%以上，更佳為設為5質量%以上，可使黏合劑樹脂層以高濃度含有微小填料至必須以兩個階段進行各向異性導電連接中之壓入之程度。另一方面，為了電子零件之連接，就確保膜所需要之流動性之方面而言，微小填料之含量較佳為相對於黏合劑樹脂層為50質量%以下，更佳為40質量%以下，進而較佳為35質量%以下。

又，關於各向異性導電膜10之最低熔融黏度，只要能夠將導電粒子12（填料）壓入黏合劑樹脂層，則無特別限制，為了抑制將各向異性導電膜10熱壓於電子零件（物品）時的導電粒子12之不必要之流動，較佳為1500 Pa・s以上，更佳為2000 Pa・s以上，進而較佳為3000〜15000 Pa・s，尤其是3000〜10000 Pa・s。最低熔融黏度之適度化亦依存於導電粒子12之壓縮變形特性，但若最低熔融黏度過高，則於熱壓時，導電粒子12與電極之間之黏合劑無法充分地排除，因此存在連接電阻上升之傾向。尤其是具有突起之導電粒子12於熱壓時難以充分地排除導電粒子與電極之間之黏合劑。另一方面，若最低熔融黏度過低，則會因熱壓時之加重而使各向異性導電膜10之變形變大，因此於加壓解除時各向異性導電膜10之回復力會以剝離方向之力之形式施加於連接部界面等。因此，存在如下情況：於剛熱壓後，連接電阻上升、或於連接部產生氣泡。

關於該最低熔融黏度，作為一例，可使用旋轉式流變儀（TA instrument公司製造）以測定壓力5 g保持固定，並使用直徑8 mm之測定板而求出，更具體而言，可藉由於溫度範圍30〜200℃中設為升溫速度10℃/分、測定頻率10 Hz、相對於上述測定板之荷重變動5 g而求出。再者，最低熔融黏度之調整可藉由作為熔融黏度調整劑而含有之微小固形物之種類或摻合量、樹脂組成物之調整條件之變更等而進行。

[導電粒子] 作為導電粒子12，可使用以往於各向異性導電膜中所使用之公知之導電粒子，例如可使用金、銀、銅、鎳、鈷、鈀等金屬粒子或焊料粒子、金屬被覆樹脂粒子、使絕緣性微粒子附著於導電粒子之表面而成者、對導電粒子之表面進行過絕緣處理者等，或亦可將該等併用。金屬被覆樹脂粒子亦可利用公知之方法實施不對導通特性帶來阻礙之絕緣處理。

關於導電粒子12之平均粒徑，可根據與電子零件之凸塊高度之不均相對應、抑制導通電阻之上升、抑制鄰接之凸塊間產生短路等觀點適當決定，例如若下限過小則藉由凸塊或電極之夾持之均一性變得困難，因此為1 μm以上，較佳為2.5 μm以上。上限並無特別限定，但由於若過大則粒徑之不均變大，因此較佳為50 μm以下，更佳為30 μm以下，進而更佳為20 μm以下。再者，於導電粒子之表面附著有絕緣性微粒子者之平均粒徑係指不含附著於表面之絕緣性微粒子之粒徑。又，含填料膜1中之填料2亦相同，於存在被覆填料表面之微粒子之情形時，係指不含該微粒子之大小之粒徑。

其中，隨著近年來之電子零件的凸塊面積之狹小化之進行，就維持並提昇凸塊上之粒子捕捉性之觀點而言，平均粒徑較佳為凸塊之夾持導電粒子12之面的最小長度（圓形之情形時為直徑）之90%以下，更佳為85%以下，就穩定性之觀點而言，進而更佳為50%以下。例如，相對於夾持導電粒子12之面為矩形狀且端子寬3.6 μm之凸塊，導電粒子12較佳為平均粒徑設為3.2 μm（端子寬之88%）以下，進而較佳為平均粒徑設為3.0 μm（端子寬之83%）以下。

關於各向異性導電膜10，可根據利用各向異性導電膜10連接之端子之大小、形狀、端子間距而適當決定導電粒子12之粒子間距離。例如於使各向異性導電膜10與微間距之COG（Chip On Glass）相對應之情形時，就防止短路之產生之方面而言，較佳為將最鄰近之粒子間距離設為導電粒子徑D之0.5倍以上，更佳為設為大於0.7倍。另一方面，最鄰近之粒子間距離之上限可根據各向異性導電膜10之目的而決定，例如就各向異性導電膜10之製造上之難易度之方面而言，可將最鄰近之粒子間距離設為導電粒子徑D之較佳為100倍以下，更佳為50倍以下。又，就各向異性導電連接時之端子中的導電粒子12之捕捉性之方面而言，較佳為將最鄰近之粒子間距離設為導電粒子徑D之4倍以下，更佳為設為3倍以下。再者，含填料膜1於除各向異性導電膜10以外之用途中亦可視連接填料間之距離之物品而適當決定。

又，於將含填料膜1製成各向異性導電膜10之情形時，導電粒子12之個數密度只要為30個/mm² 以上即可，較佳為150個/mm² 以上且70000個/mm² 以下。尤其是於微間距用途之情形時，較佳為6000個/mm² 以上且42000個/mm² 以下，更佳為10000個/mm² 以上且40000個/mm² 以下，進而更佳為15000個/mm² 以上且35000個/mm² 以下。又，於導電粒子之粒徑為10 μm以上之情形時，導電粒子之個數密度較佳為30個/mm² 以上且6000個/mm² 以下。即便於含填料膜1之用途為除各向異性導電膜以外之情形時，個數密度亦可採用大致相同之範圍，下限可設為10個/mm² 以上，較佳為30個/mm² 以上，上限可設為100000個/mm² 以下，較佳為可設為70000個/mm² 以下。

又，關於本發明之各向異性導電膜10（含填料膜1），就表現出導電粒子12之含有效果之方面而言，較佳為將利用下式所算出之導電粒子12（填料2）之面積佔有率設為0.3%以上。另一方面，就抑制為了將各向異性導電膜10壓接於物品，按壓治具所需要之推力之方面而言，較佳為將導電粒子12之面積佔有率設為35%以下，更佳為設為30%以下。於導電粒子之面積佔有率為假定最大之35%時，其倒數成為2.86。S2/S1≧3以上係假定於指導電粒子之面積佔有率為最大之35%之情形時，藉由夾持導電粒子，導電粒子之面積增大了5%左右（2.86×1.05＝3）。若不考慮夾持中填料面積之增加，則亦可設為S2/S1≧2.86以上。又，上限理論上成為333，但實用上較佳為55以下，更佳為40以下，進而更佳為38以下。 面積佔有率（%）＝[俯視下之導電粒子12（填料2）之個數密度]×[1個導電粒子12（填料2）之俯視面積之平均]×100

此處，作為導電粒子12之個數密度之測定區域，較佳為任意地設定多處（較佳為5處以上，更佳為10處以上）1邊為100 μm以上之矩形區域，並將測定區域之合計面積設為2 mm² 以上。各區域之大小或數量只要根據個數密度之狀態適當調整即可。例如，作為微間距用途之各向異性導電膜之個數密度相對較大之情形之一例，可藉由針對自各向異性導電膜10任意地選擇之200處面積100 μm×100 μm之區域（2 mm² ）使用藉由金屬顯微鏡等而得之觀測圖像對個數密度進行測定並將其平均而獲得上述式中之「俯視下之導電粒子12之個數密度」。面積100 μm×100 μm之區域成為於凸塊間間隔50 μm以下之連接對象物中存在1個以上凸塊之區域。再者，本發明之最小捕捉數量亦可較少（預想導電粒子12之捕捉數量最小為1個），導電粒子12之俯視個數密度或面積佔有率並不一定要高。於此情形時，移動各向異性導電膜10本身等，對導電粒子12所存在之位置適當調整等即可。

關於導電粒子12之個數密度或粒子間距離等，除如上述般使用金屬顯微鏡進行觀察而求出以外，亦可藉由圖像解析軟體（例如，WinROOF，三谷商事股份有限公司，或Azokun（註冊商標）（Asahi Kasei Engineering股份有限公司）等）對觀察圖像進行測量而求出。觀察方法或測量方法並不限於上述方法。

又，1個導電粒子12之俯視面積之平均可藉由膜面之利用金屬顯微鏡或SEM等電子顯微鏡等之觀測圖像之測量而求出。亦可使用圖像解析軟體。觀察方法或測量方法並不限於上述方法。

面積佔有率成為按壓治具為了將各向異性導電膜10（含填料膜1）壓接於電子零件（物品）上需要之推力之指標，較佳為35%以下，更佳為30%以下，下限為0.3%以上。其除上述原因以外，還存在以下實際原因。即，以往，於各向異性導電膜中，為了與微間距相對應，於不產生短路之前提下減小導電粒子之粒子間距離，提高個數密度。然而，若如此提高個數密度，則電子零件之端子個數增加，每1個電子零件之連接總面積變大，隨之，為了將各向異性導電膜壓接於電子零件，按壓治具所需要之推力變大，從而擔憂以前之按壓治具產生按壓變得不充分之問題。此種按壓治具所需要之推力之問題並不限於各向異性導電膜，普遍存在於所有含填料膜中，又，亦與作為按壓對象物之填料、或填料之夾持方法有關。相對於此，可藉由如上述般將面積佔有率較佳地設為35%以下、更佳地設為30%以下而將按壓治具為了將含填料膜壓接於物品上而需要之推力抑制得較低。

此處，粒徑3 μm之導電粒子12於第1電子零件20之凸塊21之投影面中之面積成為7.065 μm2（πr² ；r＝1.5 μm）。再者，投影面中之面積亦可大於此。並且，如下文所述，於適用本發明之連接體40中，藉由將第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2設為4000 μm² 以下且將凸塊投影面中之凸塊面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1設為3以上，即便於極小化之凸塊面積中亦能夠捕捉導電粒子12。

此處，將有效連接部面積S2設為4000 μm² 以下，係假定尺寸之1邊為60 μm餘之正方形（不言而喻，並不限定於該尺寸）。其例如於將視為通常之各向異性導電膜之導電粒子之最大徑之粒徑30 μm左右之導電粒子配置成粒子間中心距離設為粒徑之2倍之格子形狀之情形時，暫時假定於1邊可存在1個導電粒子之尺寸（即，最小1個理論捕捉數量）。為了應對凸塊面積之極小化，較佳為不考慮較其大之面積。

如此，根據本發明，能夠以根據連接體所要求之需要之最小個數捕捉（夾持）連接部面積中所捕捉（夾持）之填料。又，本發明亦能夠應用於除電子零件以外之用途中。預想：藉由廣泛地進行夾持填料，且使該夾持狀態精密地進行，可應對各種要求。本發明成為假定了其要求者。再者，填料之夾持面可平滑，亦可具有階部或凸形狀。

[粒子規律排列] 導電粒子12較佳為於膜之俯視下重複特定排列之規律性配置。導電粒子12之排列例如可為於膜之俯視下如圖1所示般之正方晶格排列。並且，作為導電粒子12之規律之排列之態樣，可列舉長方晶格、斜方晶格、六方晶格、3角晶格等晶格排列。導電粒子12之排列亦可為多個不同形狀之晶格組合而成者。作為導電粒子12之排列之態樣，亦可使導電粒子12以特定間隔使直線狀地排列之粒子行以特定之間隔並列。亦可使密集地配置導電粒子12之區域與稀疏地配置導電粒子12之區域規律性地重複。為了同時實現端子之捕捉穩定性及抑制短路，導電粒子12較佳為各自獨立地相隔。又，本發明亦包括多個導電粒子連結或者鄰近而成為單元且該單元規律地排列之態樣。導電粒子12是否規律地排列例如可藉由觀察導電粒子12之特定之配置於膜之長邊方向（製成卷裝體之情形時之捲取方向）上是否重複而進行判別。

於使導電粒子12規律性地排列之情形時，該排列之晶格軸或排列軸可相對於各向異性導電膜10之長邊方向及與長邊方向正交之方向之至少一者平行或交叉，可視壓接各向異性導電膜10之電子零件（物品）決定。

再者，即便成為單元，粒子捕捉數量亦係測量所捕捉到之粒子個數而求出。又，關於捕捉，於俯視下，1個導電粒子（填料）之面積之一半以上與端子部（連接部）重疊、或者扁平化等被視為被捕捉者可計為捕捉數量1個。又，假定與端子部（連接部）重疊之面積之比率為60%，亦可計為捕捉0.6個。其可視目的進行選擇。於各向異性導電膜10之情形時，目的為端子部之通電，因此認為以通電之粒子數量為捕捉數量進行計數較合適，因而以前者進行計數。

又，亦可為如下態樣：導電粒子12之脫落於膜之特定之方向上規律性地存在。藉由使導電粒子12之脫落於膜之長邊方向上重複存在、或使導電粒子12之脫落之部位於膜之長邊方向上逐漸增加或減少，能夠進行批量管理，亦能夠對各向異性導電膜10及使用其之連接體40賦予追蹤能力（能夠追蹤之性質）。此對於各向異性導電膜10或使用其之連接構造體之防偽造、真偽判定、防非法利用等均有效。可以說，當用於各向異性導電膜以外之用途時，亦同樣如此。

藉由使導電粒子12為格子狀等規律性之排列，於壓接各向異性導電膜10時能夠使壓力均等地施加於各導電粒子12，並且減小連接狀態之不均。

因此，各向異性導電膜10藉由於俯視下使導電粒子12規律地排列，於連接電子零件之情形時能夠減小導通電阻之不均，又，能夠提昇捕捉穩定性及抑制端子間短路。

關於各向異性導電膜10，規律性地排列之導電粒子12之排列之晶格軸或排列軸可相對於膜之長邊方向或與長邊方向正交之方向平行，亦可與膜之長邊方向交叉，可視成為連接對象之電子零件之端子寬、端子間距等決定。

[絕緣性樹脂層] 如圖3所示，各向異性導電膜10可於使導電粒子12規律排列之導電粒子排列層13上積層絕緣性接著劑層14。藉由絕緣性接著劑層14之積層，於使用各向異性導電膜將電子零件各向異性導電連接時，能夠填充由電子零件之電極或凸塊所形成之空間，從而提昇接著性。

作為絕緣性接著劑層14，於各向異性導電膜中可使用以往所使用之公知之材料作為絕緣性樹脂黏合劑。又，絕緣性接著劑層14亦可使用與上述導電粒子排列層13之黏合劑樹脂層11相同之樹脂，將黏度調整得更低。

積層有導電粒子排列層13及絕緣性接著劑層14之各向異性導電膜10較佳為，以將絕緣性接著劑層14設為IC晶片等藉由壓接工具加熱按壓之第1電子零件側且將導電粒子排列層13設為基板等第2電子零件側之方式進行貼合。藉此，於藉由壓接工具進行加熱按壓時，能夠抑制導電粒子12之流動，從而可提昇電子零件之端子上之粒子捕捉性。

[膜厚] 再者，於本發明之含填料膜1中，關於含有黏合劑樹脂之層的厚度，可自抑制將含填料膜1熱壓於物品時之填料2之不必要之流動之方面、以及抑制將含填料膜1製成卷裝體之情形時之樹脂層之溢出或黏連（blocking）及延長每單位重量之膜長之方面、含填料膜1之操作性、及將含填料膜1熱壓於物品時所需要之黏著性或接著力之觀點適當設定。

含填料膜1可為單層，亦可如2層構成之各向異性導電膜10般，低黏度之黏合劑樹脂層積層於含有填料2之高黏度之黏合劑樹脂層。

於任一情形時，關於含填料膜1（含有填料之層）的厚度，就穩定地進行填料2之壓入之方面而言，相對於填料2之粒徑較佳為0.3倍以上，更佳為0.6倍以上，進而較佳為0.8倍以上，特佳為1倍以上。又，關於黏合劑樹脂層之層厚之上限，並無特別限制，黏合劑樹脂層之層厚只要根據熱壓含填料膜1之物品適當調整即可，但若黏合劑樹脂層之層厚變得過厚，則於將含填料膜1熱壓於物品時，填料2容易不必要地受到樹脂流動之影響，又，黏合劑樹脂層中所含有之微小固形物之絕對量增多，因此有阻礙物品之熱壓之虞。因此，黏合劑樹脂層之層厚為填料2之粒徑之較佳為20倍以下，更佳為15倍以下。

另一方面，於將含填料膜1製成排列有填料2之黏合劑樹脂層與不含填料2之低黏度樹脂層（絕緣性接著劑層）的積層體之情形時，低黏度樹脂層之層厚只要視含填料膜1之用途適當調整即可，但若變得過薄，則層厚之不均相對地變大，因此較佳為填料2之粒徑之0.2倍以上，更佳為1倍以上。又，關於低黏度樹脂層之層厚之上限，若變得過厚，則與排列有填料2之黏合劑樹脂層之積層之困難性增加，因此較佳為50倍以下，更佳為15倍以下，進而更佳為8倍以下。

又，於將含填料膜1製成嵌入有填料2之黏合劑樹脂層與不含填料2之低黏度樹脂層（絕緣性接著劑層）的積層體之情形時，關於該等樹脂層之總厚，就抑制將含填料膜1熱壓於物品時之填料2之不必要之流動之方面、抑制將含填料膜1製成卷裝體之情形時之樹脂之溢出或黏連之方面、延長含填料膜1之每單位重量之膜長之方面等而言，含填料膜1中之樹脂層之總厚較佳為較薄。然而，若變得過薄，則含填料膜1之操作性較差。又，存在難以將含填料膜1貼合於物品之情況，因此有無法獲得將含填料膜1熱壓於物品時之暫時壓接中所需要之黏著力之虞，且於正式壓接中亦有因樹脂量之不足而無法獲得需要之接著力之虞。因此，含填料膜1中之樹脂層之總厚相對於填料2之粒徑較佳為0.6倍以上，更佳為0.8倍以上，進而較佳為1倍以上，特佳為1.2倍以上。

另一方面，關於將含填料膜1製成嵌入有填料之黏合劑樹脂層與不含填料2之低黏度樹脂層（絕緣性接著劑層）的積層體之情形時之該等樹脂層之總厚之上限，並無特別限制，只要根據熱壓含填料膜1之物品適當調整即可，但若樹脂層之總厚變得過厚，則於將含填料膜1熱壓於物品時填料2容易不必要地受到樹脂流動之影響，又，樹脂層所含有之微小固形物之絕對量變多，藉此有阻礙物品之熱壓之虞，因此認為藉由將樹脂層之總厚設為填料2之粒徑之較佳為50倍以下、更佳為15倍以下、進而更佳為8倍以下、進而4倍以下、較佳為3倍以下，能夠使樹脂流動對填料2之配置產生之影響為最小限度。

於以各向異性導電膜10之形式構成含填料膜1且設置黏合劑樹脂層11及低黏度樹脂層（絕緣性接著劑層14）作為樹脂層之情形時，樹脂層之總厚亦可設為上述範圍。導電粒子12可嵌入至黏合劑樹脂層11，亦可露出。尤其是就於連接之電子零件中使凸塊低高度化之方面而言，較佳為使樹脂層之層厚薄於上述厚度。關於黏合劑樹脂層11與低黏度樹脂層（絕緣性接著劑層14）之總厚之下限，為導電粒子徑之較佳為0.6倍以上，更佳為0.8倍以上，進而更佳為1倍以上。藉由變薄，導電粒子12與通電部位容易接觸。關於總厚之上限，若過高，則壓入之推力會變得過高，因此可設為4倍以下，較佳為可設為3倍以下，更佳為2倍以下，進而更佳為1.8倍以下，尤其更佳為1.5倍以下。關於黏合劑樹脂層11與低黏度樹脂層（絕緣性接著劑層14）的厚度之比率，只要根據導電粒子徑與凸塊高度或所求出之接著力等之關係適當調整即可。

[第1電子零件、第2電子零件] 本發明之含填料膜可與以前之含填料膜相同地貼合於物品而使用，對貼合之物品無特別限制。例如，於以各向異性導電膜10之形式構成含填料膜且藉由各向異性導電膜10將第1電子零件20及第2電子零件30相互各向異性連接之情形時，第1、第2電子零件20、30並無特別限制，可根據連接體適當選擇。第1電子零件20例如可例示利用PN接合之半導體元件（太陽電池等發電元件、CCD等攝像元件、發光元件、帕耳帖（Peltier）元件）、其他各種半導體元件、IC晶片、IC模組、FPC等，又，形狀亦不特別限定。除此以外，作為第1電子零件20，可例示膠帶載體封裝基板等。又，第2電子零件30可列舉FPC、玻璃基板、塑膠基板、剛性基板、陶瓷基板等。再者，本發明之含填料膜1亦可用於除各向異性導電連接用途以外之電子零件中。

於第1電子零件20形成有成為突起電極之凸塊21，於第2電子零件30形成有端子電極31，該等凸塊21及端子電極31係經由各向異性導電膜10之導電粒子12實現導通。

再者，亦可使用各向異性導電膜10將IC晶片或晶圓堆疊而多層化。再者，利用各向異性導電膜10連接之電子零件並不限定於上述電子零件之例示。近年來，可使用於多樣化之各種電子零件。本發明包括將本發明之含填料膜1貼合於各種物品之膜貼合體，尤其是包括隔著各向異性導電膜10將第1電子零件20與第2電子零件30連接而成之連接體。

又，使用本發明之含填料膜1之物品並不僅限定於電子零件。又，貼合含填料膜1（各向異性導電膜10）之面可平滑，亦可具有階部或凸形狀。本發明之主旨在於使填料之夾持狀態精密，且本發明之用途不必限定於各向異性導電連接。

將本發明之含填料膜1貼合於物品之方法可根據含填料膜1之用途採用壓接，較佳為熱壓，亦可於貼合時利用光照射。

此處，隨著近年來之各種電子機器之小型化，第1、第2電子零件20之凸塊尺寸及端子電極尺寸亦被狹小化，例如亦提出有凸塊面積被極小化至數十μm² 〜數千μm² 之電子零件。又，隨著凸塊面積之極小化，電子零件本身之小型化亦在進行。另一方面，亦存在安裝電子零件時進行相對大型化之情況。其作為能夠分割成複數個電子零件之外形尺寸相對較大之電子零件，能夠一併進行安裝。又，亦可如晶圓般作為相對較大之安裝體進行連接，其後進行小片化。即，作為本發明之連接所使用之零件，亦可應用於相對小型者，但即便為相對大型者亦能夠應用。例如於用於大型TV等之情形時，亦存在於1邊貼合各向異性導電膜10（含填料膜1）1 m以上，例如4.5 m以上之情況。於此情形時，除將含填料膜作為各向異性導電膜使用以外，亦可作為將填料作為間隔物之間隔物膜等而使用。

不論如何，於此種經極小化之凸塊面積中均需要確實地捕捉導電粒子12，確保導通性。就該方面而言，於應用本發明之使用各向異性導電膜10之連接體40中，由於導電粒子12於俯視下規律性地排列，因此藉由將凸塊投影面中之凸塊面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1設為3以上，即便於凸塊面積被極小化之情形時，亦能夠捕捉導電粒子12，從而確保導通性。

粒子面積S1係指連接前之凸塊投影面中之導電粒子12（填料2）之面積，可藉由將凸塊之粒子捕捉數量乘以每1個導電粒子之面積（πr² ；r＝粒子半徑）而求出。粒子面積S1可藉由觀察未被各向異性導電膜10或連接體40之凸塊捕捉之導電粒子12並進行實測而求出。又，每1個導電粒子之面積亦可根據被連接體40之凸塊捕捉並被壓縮成扁平之導電粒子之凸塊投影面積及壓縮率藉由計算而求出。再者，若使用將凸塊之粒子捕捉數量乘以被連接體40之凸塊捕捉且壓縮成扁平之導電粒子之凸塊投影面積而得之值代替粒子面積S1，則會因扁平率（壓縮容易度）等參數增加而變得複雜，因此使用上述粒子面積S1較簡便。如上所述，藉由使用利用夾持而使粒子面積較夾持前增加之值，於捕捉數量較少之情形時更準確，其只要根據所夾持之粒子之扁平狀態適當區分使用即可。

再者，關於含填料膜1，於各向異性導電膜10或除導電膜以外之用途中，作為填料2，可視含填料膜1之用途自公知之無機系填料（金屬粒子、金屬氧化物粒子、金屬氮化物粒子等）、有機系填料（樹脂粒子、橡膠粒子等）、有機系材料與無機系材料混合存在之填料（相當於導電粒子中之例如芯由樹脂材料形成且表面進行金屬鍍覆之粒子（金屬被覆樹脂粒子）、於導電粒子之表面附著有絕緣性微粒子者、對導電粒子之表面進行過絕緣處理者等）中根據硬度、光學性能等用途所要求之性能進行適當選擇。例如，光學膜或消光膜中可使用二氧化矽填料、氧化鈦填料、苯乙烯填料、丙烯酸填料、三聚氰胺填料或各種鈦酸鹽等。電容器（condenser）用膜中可使用氧化鈦、鈦酸鎂、鈦酸鋅、鈦酸鉍、氧化鑭、鈦酸鈣、鈦酸鍶、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鈦酸鋯酸鉛及該等之混合物等。接著膜中，可使之含有聚合物系之橡膠粒子、聚矽氧橡膠粒子等。

[各向異性導電膜之製造方法] 關於此種各向異性導電膜10之製造方法，例如準備形成有與導電粒子12之排列圖案相應之凹部之模具，於該模具之凹部填充導電粒子12，並於其上貼合形成於剝離膜上之黏合劑樹脂層11而將導電粒子12壓入。藉此使導電粒子12以特定之圖案轉接著於黏合劑樹脂層11，藉此能夠形成設置有導電粒子排列層13之各向異性導電膜10。各向異性導電膜10亦可視需要於導電粒子排列層13貼合由剝離膜支持之絕緣性接著劑層14，製成具有2層構造之各向異性導電膜。又，各向異性導電膜10亦可將導電粒子排列層13與絕緣性接著劑層14進行組合，製成3層以上。

又，作為將導電粒子配置成特定之排列之方法，亦可使用利用雙軸延伸膜之方法等代替使用轉印模具之方法。

[卷裝體] 各向異性導電膜10較佳為製成捲繞在卷軸上之膜卷裝體。藉由以膜卷裝體之形式供給各向異性導電膜10，各向異性導電膜10之操作性優異，又，能夠連續地進行電子零件之各向異性導電連接，能夠有助於削減連接體之成本。

膜卷裝體之長度並無特別限制，就出貨品之操作性之方面而言，較佳為5000 m以下，更佳為1000 m以下，進而較佳為500 m以下。又，關於下限亦無特別限制，就關於連接方面而進行量產研究而言，較佳為5 m以上。

膜卷裝體亦可為利用連接膠帶將短於總長之各向異性導電膜10連結而成者。連結部位可存在多處，可規律性地存在，亦可無規地存在。又，膜之寬度並無特別限制，作為一例，為0.3 mm以上且400 mm以下，實用上為0.5 mm以上且5 mm以下。0.3 mm以上係被視為目前之膜之狹縫寬度之極限之數值，狹縫寬度之實用上之實績為0.5 mm以上。又，存在如下情況：於較通常之各向異性導電膜之狹縫寬度更寬之相對較大之電子零件（於一面設置有電極配線及安裝部之基板或切削前之晶圓等）上直接貼附而使用之情形時，需要400 mm左右之膜寬。

[連接體] 各向異性導電膜10可較佳地用於製造藉由利用熱或光將上述第1電子零件20與第2電子零件30各向異性導電連接而製造之連接體40。

又，亦可將IC晶片或IC模組堆疊而使第1電子零件20彼此各向異性導電連接。以此方式而獲得之連接構造體及其製造方法亦為本發明之一部分。

作為使用各向異性導電膜10之電子零件之連接方法，例如如圖2所示，將各向異性導電膜10之導電粒子排列層13暫時貼附於載置於載台之配線基板等第2電子零件30，繼而如圖4所示，對暫時貼附之各向異性導電膜10搭載IC晶片等第1電子零件20，並自第1電子零件20側使用壓接工具進行熱壓。又，於以光硬化型、或熱-光併用型之形式構成各向異性導電膜10之情形時，利用光硬化或熱及光進行第1、第2電子零件20、30之連接。

再者，於通常之第1電子零件與第2電子零件之各向異性導電連接中，第1電子零件成為壓接工具側，第2電子零件成為載置於與壓接工具對向之載台之側。又，通常係預先將各向異性導電膜貼合於第2電子零件，但亦可預先貼合於第1電子零件。其可根據連接之方式適當調整。又，第1電子零件與第2電子零件之個數並不限定於1對1。可多個第1電子零件搭載於1個第2電子零件，又，亦可將1個第1電子零件搭載於多個第2電子零件上。

於圖5所示之例中，於凸塊21與端子電極31之間夾持導電性粒子12，藉此第1電子零件20與第2電子零件30電性連接，於該狀態下藉由壓接工具使已被加熱之黏合劑樹脂層11硬化，而形成連接體40。連接體40係為了維持不處於凸塊21與端子電極31之間之導電性粒子12電絕緣之狀態而存在。藉此，僅於凸塊21與端子電極31之間實現電導通。

此時，關於應用本發明之各向異性導電膜10，由於導電粒子12於俯視下規律性地排列，故而即便第1電子零件20之凸塊面積被極小化至數十μm² 〜數千μm² 之情形時，藉由使凸塊投影面中之凸塊面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上，於凸塊面積被極小化之情形時，亦能夠捕捉導電粒子12，從而確保導通性。

此處，各向異性導電膜10由於黏合劑樹脂層11之厚度較大，達到導電粒子12之粒徑以上，故而於實際捕捉導電粒子時，需要於連接時藉由加壓使黏合劑樹脂流動並且抑制因樹脂流動之影響而引起之導電粒子12之移動。因此，可考慮如下方法：使黏合劑樹脂層11之厚度與導電粒子12之粒徑更近似；或為了不使導電粒子12不經意地移動，以抑制樹脂流動之方式夾住導電粒子12（例如於以低壓進行暫時壓接時，壓入壓接工具直至導電粒子12，並保持該狀態進行正式壓接（導電粒子12之壓入））從而抑制樹脂流動之影響等。藉由如此能夠進一步高度地發揮排列有導電粒子12之各向異性導電膜10（含填料膜1）之性能。尤其是於在黏合劑樹脂層11預先配置有導電粒子12（填料2）之情形時有用。

再者，於因配線基板等第2電子零件30之連接區域之尺寸等而難以將各向異性導電膜10暫時貼附於第2電子零件30之情形時，亦可將各向異性導電膜10暫時貼附於IC晶片或FPC等第1電子零件20之凸塊形成面，其後，使第1電子零件20與第2電子零件30連接。

又，上述連接步驟係隔著各向異性導電膜10將第1電子零件20與第2電子零件30藉由一次熱壓步驟而連接，但應用本發明之連接步驟亦可藉由按壓第1電子零件20或第2電子零件而使導電性粒子排列層13夾持於凸塊21及端子電極31之間的暫時固定步驟、及自暫時固定步驟進一步按壓第1電子零件20或第2電子零件而隔著導電粒子12將凸塊21及端子電極31電性連接的正式壓接步驟而進行。

藉由設置暫時固定步驟，能夠抑制導電粒子之流動，從而於維持初期之粒子排列之狀態下壓入。因此，即便於面積被極小化之凸塊中，亦能夠捕捉導電粒子，從而能夠維持導通性。

再者，本發明中，由於係使含有（配置）導電粒子12（填料2）之膜介存於電子零件（物品）間進行連接，因此預想實際上導電粒子12（填料2）會被扁平化等，粒子（填料）面積儘管微小但會增加（於充分地具有填料數之情形等時，可簡單地以面積不增加為前提）。又，亦需要考慮保持導電粒子12（填料2）之絕緣性樹脂之流動。於連接體之製造方法中，要求考慮導電粒子12（填料2）之面積增加及絕緣性樹脂之流動，並斟酌導電粒子12（填料2）之位置或電子零件（物品）之位置調整、及連接條件（溫度、時間、壓力等）。

再者，關於第1電子零件20，鑒於凸塊面積之極小化或一併安裝於大型之零件，預想電子零件之搭載所需要之對準之精度會要求高於以往之水準，且很擔憂於搭載於各向異性導電膜10上時或受壓接工具按壓時因所施加之外力而引起之略微之位置偏移亦會對連接體之製品品質或再現度、良率產生影響。因此，較佳為對熱壓各向異性導電膜10（含填料膜1）之物品具有能夠進行熱壓前之暫時壓接之黏著力。各向異性導電膜10之黏著力可依據JIS Z 0237進行測定，又，亦可依據JIS Z 3284-3或ASTM D 2979-01藉由探針法以黏性力之形式進行測定。於各向異性導電膜10具有絕緣性樹脂層及低黏度樹脂層作為樹脂層之情形時、或於僅具有絕緣性樹脂層之情形時，關於各向異性導電膜10之正面及背面各面之藉由探針法而得之黏性力，例如於將探針之壓抵速度設為30 mm/min、將加壓力設為196.25 gf、將加壓時間設為1.0 sec、將剝離速度設為120 mm/min、以測定溫度23℃±5℃進行測量時，均可使正面及背面之面之至少一者為1.0 kPa（0.1 N/cm² ）以上，較佳為1.5 kPa（0.15 N/cm² ）以上，更佳為高於3 kPa（0.3 N/cm² ）。測定亦可藉由將各向異性導電膜10之一面貼附於毛坯玻璃（例如厚度0.3 mm）而對另一面之黏性力進行測定。再者，測定亦可將各向異性導電膜10貼附於具有柔軟性之熱塑性樹脂膜（例如厚度20 μm以下之未經脫模處理之PET膜、矽橡膠等）而非毛坯玻璃進行測定。可藉由使各向異性導電膜10之貼附之面翻轉，以相同條件對各向異性導電膜10之正面及背面之面之黏性力進行測定。

尤其是於各向異性導電膜10於正面及背面兩面具有剝離基材時，較佳為以與先貼附於電子零件之面相反之側之面表現上述黏性力之方式使用各向異性導電膜10之正面及背面，如製成卷裝體之各向異性導電膜10般，於各向異性導電膜10於其單面具有剝離基材時，較佳為剝離基材側之面表現上述黏性力。又，於各向異性導電膜10具有絕緣性樹脂層及低黏度樹脂層時，較佳為低黏度樹脂層之表面具有上述黏性力。另一方面，於各向異性導電膜10於正面及背面兩面具有剝離基材時之先貼附於電子零件之面、或於各向異性導電膜10於其單面具有剝離基材時之無剝離基材之側之面、或於各向異性導電膜10具有絕緣性樹脂層及低黏度樹脂層時之絕緣性樹脂層側之面可不必一定具有上述黏性力，但較理想為具有上述黏性力。因此，於各向異性導電膜10之正面及背面之面，較佳之黏性力不同係由於如下原因。即，其原因在於：通常而言，各向異性導電膜於其使用時將與剝離基材相反之側之面貼附於基板等第2電子零件，繼而，將剝離基材剝離，並於已將剝離基材剝離之面（即，剝離基材側之面）搭載IC晶片等第1電子零件，藉由熱壓工具對載置於載台上之第2電子零件加熱按壓第1電子零件。需要確保於該第1電子零件之搭載時能夠精確地固定搭載零件之黏著性能。

再者，於搭載零件較小時，於搭載時連輕微之偏移亦無法容許，但推測搭載所需要之黏著力對更大之搭載零件可容許相對地降低。因此，需要之黏著力可視搭載零件而決定。

各向異性導電膜10（含填料膜1）之黏著力亦可依據日本特開2017-48358號公報中記載之接著強度試驗而求出。於該接著強度試驗中，例如於利用2張玻璃板夾持各向異性導電膜10並將一玻璃板固定且將另一玻璃板以剝離速度10 mm/min、試驗溫度50℃進行剝離之情形時，可藉由增強固定之玻璃板與各向異性導電膜10之接著狀態對剝離之玻璃板與和該玻璃板貼合之各向異性導電膜10之面之黏著力進行測定。可使以此方式所測得之接著強度（黏著力）較佳為1 N/cm² （10 kPa）以上，更佳為10 N/cm² （100 kPa）以上。其成為各向異性導電膜10之剝離之方向上存在之面與剝離之物品間之黏著力。

除此以外，各向異性導電膜10之黏著力亦可藉由如下試驗而求出：藉由對齊試片之一端進行接著（貼合）並提拉另一端而使試片剝離。藉由該試驗方法所測量出之黏著力可成為與上述接著強度試驗同等（1 N/cm² （10 kPa）以上）之結果。若藉由上述接著強度試驗而得之黏著力充分地大（例如10 N/cm² （100 kPa）以上），則該試驗方法之黏著力只要為藉由上述接著強度試驗而得之黏著力之10%以上即可。

藉由使各向異性導電膜10具有上述黏著力，即便熱壓之物品例如為小於通常之IC晶片之最大尺寸未達0.8 mm之電子零件，亦可消除暫時壓接中之位置偏移之問題，即便為與大型TV相同程度之最大尺寸450 cm左右之電子零件，亦能夠使貼合穩定。

此種黏著性可藉由適當調整構成黏合劑樹脂層或低黏度樹脂層之樹脂組成等而賦予。 [實驗例]

繼而，針對本發明之實驗例進行說明。本實驗例係形成俯視下規律性地排列有導電粒子12之各向異性導電膜10並使用其將評價用可撓性基板與評價用玻璃基板各向異性導電連接。此時，對使凸塊及電極端子對向之有效端子面積S2狹小化時之導電粒子之捕捉數量進行測定，又，與理論值進行比較並進行評價。被凸塊捕捉之導電粒子之數量係藉由對玻璃基板之背面出現之被凸塊擠壓之導電粒子之壓痕數進行計數而求出。再者，本發明並不限定於以下說明之實驗例。

[各向異性導電膜] 關於本實驗例中所使用之各向異性導電膜，以表1所示之成分製備導電粒子排列層13。繼而，利用棒式塗佈機將形成導電粒子排列層13之樹脂組成物塗佈於膜厚度50μm之PET膜上，並利用80℃之烘箱使之乾燥5分鐘，於PET膜上形成黏合劑樹脂層11。以相同之方式以表1所示之成分製備絕緣性接著劑層14，並於PET膜上形成。

[表1]

又，以導電粒子12於俯視下以圖1所示之六方晶格排列且粒子間距離與導電粒子之粒徑（9 μm）相等且導電粒子12之個數密度成為8000個/mm² 之方式製作模具。

準備依據日本特開2014-132567號公報之記載使絕緣性微粒子（平均粒徑0.3 μm）附著於金屬被覆樹脂粒子（積水化學工業（股）、AUL703、平均粒徑3 μm）之表面而成者作為導電粒子，將該導電粒子填充於樹脂模具之凹坑中，並於其上覆蓋上述黏合劑樹脂層11，於60℃以0.5 MPa進行按壓，藉此使之貼合。繼而，將黏合劑樹脂層11自模具剝離，並對黏合劑樹脂層11上之導電粒子進行加壓（按壓條件：60〜70℃，0.5 MPa），藉此壓入至黏合劑樹脂層11，而製作導電粒子排列層13。

又，藉由於導電粒子排列層13積層絕緣性接著劑層14而製作2層型之各向異性導電膜。

[膜表面之黏著性] （1）暫時貼附試驗 將下文所述之第1〜第6實驗例中所製作之各個各向異性導電膜之導電粒子之壓入側表面或其相反側之表面貼附於評價用無鹼玻璃，使用50 μm厚之緩衝材（聚四氟乙烯），以各向異性導電膜寬度1.5 mm、長度50 mm、壓接溫度70℃、壓接壓力1 MPa、壓接時間1秒進行暫時貼附。繼而，於將貼合面與設置於相反側之PET膜用鑷子進行剝離時，觀察各向異性導電膜是否與PET膜一起自玻璃基板剝落。將其進行100次，利用以下基準進行評價，並將評價結果示於表2。

評價基準 OK：於全部100次中，各向異性導電膜未自玻璃基板剝落 NG：100次中，各向異性導電膜有1次以上自玻璃基板剝落

再者，關於各實驗例之各向異性導電膜，載置於平面並用手指確認觸感，結果絕緣性接著劑層14側之黏著力大於導電粒子排列層13側之黏著力。

（2）接著強度（黏著力1） 依據日本特開2017-48358號公報中記載之接著強度試驗，如圖6所示，將2張載玻片（26 mm×76 mm×1 mm）（Matsunami Glass Industry股份有限公司）50、51相互交叉地重疊，並將所製作之各個各向異性導電膜10夾於其間。於此情形時，於圖3所圖示之膜構成中，各個各向異性導電膜10係使用沖裁成圓形（直徑10 mm）者，將導電粒子排列層13側之面與下側之載玻片50重疊。繼而，將下側之載玻片50載置於加溫至安裝時之暫時貼附之通常之載台溫度即40〜50℃之加熱板，用手指按壓並加熱30秒鐘進行貼合，使下側之載玻片50與各向異性導電膜10之下側之面為所謂之暫時貼附狀態。其後，於各個各向異性導電膜10之絕緣性樹脂層14側之面載置上側之載玻片51並進行貼合。由於各向異性導電膜10係以與下側之載玻片50貼合之狀態進行測定，故而對該各向異性導電膜10之絕緣性樹脂層14側之面與上側之載玻片51間之黏著力進行測定。

使用島津製作所製造之AGS-X Series，利用治具固定下側之載玻片50，以溫度50℃如圖7所示般利用治具以10 mm/min向鉛垂方向提拉上側之載玻片51之兩端部，對下側之載玻片50與上側之載玻片51分離時之力進行測定，用其值除以各向異性導電膜10之面積，作為絕緣性接著層14側之面之接著強度（黏著力1）。又，於各實驗例中，求出接著強度（黏著力1）各2次，將其最低值示於表2。

（3）藉由探針法而得之黏性力（接著力2） 使用黏性試驗機（TACII，RHESCA股份有限公司）如以下般於22℃之環境下對黏性力進行測定。首先，將各實驗例中所製作之各個各向異性導電膜10（1 cm×1 cm）與毛坯玻璃（厚度0.3 mm）貼合。於此情形時，於圖3所圖示之膜構成中，將下側之面與毛坯玻璃貼合，將上側之面作為黏性力之測定面，將毛坯玻璃放置於試樣台之矽橡膠之承受台上。繼而，將黏性試驗機之圓柱狀之直徑5 mm之探針（不鏽鋼製鏡面拋光）設置於測定面之上方，以壓抵速度30 mm/min使探針與測定面接觸，以加壓力196.25 gf、加壓時間1.0 sec進行加壓，以剝離速度120 mm/min自測定面剝離2 mm，測定此時探針因測定面之黏著力而受到之電阻作為荷重值，將自測定面剝離探針時之最大荷重作為黏性力。於各實施例及比較例中，測定黏性力各2次，將其最低值示於表2。

[表2]

[評價用可撓性基板/評價用玻璃基板] 本實驗例中使用之評價用可撓性基板之構成如下。外形：28.5×42.75 mm，厚度：0.05 mm，凸塊規格：Sn鍍覆，凸塊間距離：175 μm。凸塊高度：8 μm。

本實驗例中所使用之評價用玻璃基板之構成如下。外形：28.5×42.75 mm，厚度：0.3 mm，電極：Al/Mo/ITO配線。

關於評價用可撓性基板與玻璃基板，該等之凸塊及端子圖案對應。又，於將評價用可撓性基板與玻璃基板連接時，使各向異性導電膜之長邊方向與凸塊之短邊方向一致。

[連接步驟] 將各實驗例之各向異性導電膜以足以連接之面積進行裁斷，並夾持於評價用可撓性基板與玻璃基板之間，利用寬度1.5 mm之工具進行加熱加壓（170℃，6 MPa，5秒），製作各評價用連接體。

再者，實驗例1、2中，將評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子精確地對準並使其正對，而製作進行各向異性連接之連接體，求出粒子捕捉數量，與根據以下式所求出之理論值進行比較並進行評價。 理論值＝粒子個數密度×有效端子面積S

再者，根據凸塊及端子之寬度X（25 μm）及長度Y（1500 μm）所求出之有效端子面積S為37500 μm² 。

[實驗例1] 實驗例1中，使用由以表1所示之成分所製備之黏合劑樹脂層（厚度：6 μm）及絕緣性接著劑層（厚度：4 μm）所構成之2層型之各向異性導電膜。又，實驗例1之導電粒子排列層之最低熔融黏度（旋轉式流變儀（TA instrument公司製造），測定壓力5 g，溫度範圍30〜200℃，升溫速度10℃/分，測定頻率10 Hz，測定板直徑8 mm，相對於測定板之荷重變動5 g）為絕緣性接著劑層之最低熔融黏度之3倍以上。又，實驗例1中，於黏合劑樹脂層以六方晶格排列規律排列有金屬被覆樹脂粒子（積水化學工業（股），AUL703，平均粒徑3 μm）作為導電粒子。粒子個數密度設為8000個/mm² 。關於實驗例1中之粒子捕捉數量，理論值為300個，藉由實測所獲得之捕捉數量為168個。

[實驗例2] 實驗例2中，使用由以表1所示之成分所製備之黏合劑樹脂層（厚度：5 μm）及絕緣性接著劑層（厚度：5 μm）所構成之2層型之各向異性導電膜。又，實驗例2之導電粒子排列層與絕緣性接著劑層之各最低熔融黏度差與實驗例1相同。又，實驗例2中，將作為導電粒子之與實驗例1相同之金屬被覆樹脂粒子分散於黏合劑樹脂層進行摻合。粒子個數密度設為10000個/mm² 。關於實驗例2中之粒子捕捉數量，理論值為375個，藉由實測所獲得之捕捉數量為150個。

[表3]

如表3所示，若將使用排列型之各向異性導電膜之實驗例1與使用分散型之各向異性導電膜之實驗例2進行比較，則實驗例1儘管粒子個數密度小於實驗例2，但藉由實測而得之粒子捕捉數量較多。根據此種情況，可知：使用排列型之各向異性導電膜之各向異性連接之粒子捕捉性能強於分散型之各向異性導電膜。

以下實驗例3-6中，錯開評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之對準使其正對而調整有效端子面積S2，製作進行各向異性連接之連接體。藉由實測求出所獲得之連接體中之粒子捕捉數量，並求出有效端子面積S2相對於將凸塊之粒子捕捉數量乘以捕捉到導電粒子之端子之投影面中之連接前之每1個導電粒子之面積而得之粒子面積S1的比率：S2/S1。

如此，錯開評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之對準係製作具有需要之端子面積之評價用可撓性基板及玻璃基板之樣品之代替方法，藉由特意錯開對準，將評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之重疊面積視為凸塊及端子正對之有效之端子面積S2。

[實驗例3] 實驗例3中，使用由以表1所示之成分所製備之黏合劑樹脂層（厚度：6 μm）及絕緣性接著劑層（厚度：4 μm）所構成之2層型之各向異性導電膜。又，實驗例3之導電粒子排列層與絕緣性接著劑層之各最低熔融黏度差與實驗例1相同。又，實驗例3中，於黏合劑樹脂層以六方晶格排列規律排列有金屬被覆樹脂粒子（積水化學工業（股），AUL703，平均粒徑：3 μm，粒子面積S1：7.065 μm² ）作為導電粒子。粒子個數密度設為8000個/mm² 。

實驗例3中，將評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之重疊面積設為端子寬度X：3.6 μm、長度Y：11.5 μm，設為有效端子面積S2：41 μm² 。

實驗例3中之粒子捕捉數量之理論值（＝粒子個數密度×有效端子面積S2）為0.3個。藉由實測所獲得之粒子捕捉數量為1，有效端子面積S2相對於粒子面積S1之比率：S2/S1＝5.8（41 μm² /（7.065 μm² ×1））。即，可知：即便為理論上未達1個之捕捉數量，藉由調整連接條件亦能夠使其捕捉導電粒子。

可知：於本發明中，即便有效連接面積為50 μm² 以下，詳細而言，即便為40 μm² 左右亦能夠應用。

[實驗例4] 實驗例4中，使用由以表1所示之成分所製備之黏合劑樹脂層（厚度：6 μm）及絕緣性接著劑層（厚度：6 μm）所構成之2層型之各向異性導電膜。與各向異性導電膜相關之其他條件與實驗例3相同。

實驗例4中，將評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之重疊面積設為端子寬度X：15.8 μm、長度Y：33.8 μm，且設為有效端子面積S2：534 μm² 。

實驗例4之粒子捕捉數量之理論值（＝粒子個數密度×有效端子面積S2）為4.3個。藉由實測所獲得之粒子捕捉數量為2，且有效端子面積S2相對於粒子面積S1之比率：S2/S1＝37.8（534 μm² /（7.065 μm² ×2））。

可知：於本發明中，即便有效連接面積為80 μm² 以下，詳細而言，即便為75 μm² 左右，亦能夠應用。

[實驗例5] 實驗例5中，使用由以表1所示之成分所製備之黏合劑樹脂層（厚度：6 μm）及絕緣性接著劑層（厚度：4 μm）所構成之2層型之各向異性導電膜。與各向異性導電膜相關之其他條件與實驗例3相同。

實驗例5中，將評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之重疊面積設為端子寬度X：39.9 μm、長度Y：27.2 μm，且設為有效端子面積S2：1085 μm² 。

可知：於本發明中，即便有效連接面積為1100 μm² 以下，詳細而言，即便為1080 μm² 左右亦能夠應用。

實驗例5之粒子捕捉數量之理論值（＝粒子個數密度×有效端子面積S2）為8.7個。藉由實測所獲得之粒子捕捉數量為3，且有效端子面積S2相對於粒子面積S1之比率：S2/S1＝51.2（1085 μm² /（7.065 μm² ×3））。

[實驗例6] 實驗例6中，使用由以表1所示之成分所製備之黏合劑樹脂層（厚度：6 μm）及絕緣性接著劑層（厚度：4 μm）所構成之2層型之各向異性導電膜。與各向異性導電膜相關之其他條件與實驗例3相同。

實驗例6中，將評價用可撓性基板之凸塊與玻璃基板之端子之重疊面積設為端子寬度X：88.9 μm、長度Y：42.5 μm，且設為有效端子面積S2：3778 μm² 。

實驗例6之粒子捕捉數量之理論值（＝粒子個數密度×有效端子面積S2）為30.3個。藉由實測所獲得之粒子捕捉數量為14，且有效端子面積S2相對於粒子面積S1之比率：S2/S1＝38.2（3778 μm² /（7.065 μm² ×14））。

[表4]

如表4所示，於將有效端子面積最極小化之實驗例3（有效端子面積：42 μm² ）中，捕捉到1個粒徑3 μm之導電粒子。實驗例3之有效端子面積S2相對於粒子面積S1之比率：S2/S1＝5.8，根據此種情況，S2/S1＝3以上，藉此可知：於使用凸塊面積被極小化之電子零件之連接體中，藉由使用排列型之各向異性導電膜，亦能夠捕捉導電粒子。再者，若參照實驗例4，則可知：即便理論捕捉數量為5個以下，亦能夠確保2個實測捕捉數量。

根據實驗例3亦可知：即便理論捕捉數量未達1個，亦能夠夾持導電粒子。根據實驗例4可知：為了確保2個捕捉數量，理論捕捉數量亦可為5個以下。該等由於會因黏合劑或連接構件之組合、連接條件而變動，故而未必能夠保證，但可知捕捉數量為2個以下能夠連接。

如上所述，各向異性導電膜10由於黏合劑樹脂層11之厚度較大，達到導電粒子12之粒徑以上，因此於實際捕捉導電粒子時，於連接時需要藉由加壓使黏合劑樹脂流動，並且抑制由樹脂流動之影響而引起之導電粒子12之移動。因此，可考慮如下方法：使黏合劑樹脂層11之厚度與導電粒子12之粒徑更近似；或為了不使導電粒子12不經意地移動，以抑制樹脂流動之方式夾住導電粒子12（例如於以低壓進行暫時壓接時，壓入壓接工具直至導電粒子12，保持該狀態進行正式壓接（導電粒子12之壓入））從而抑制樹脂流動之影響等。藉由如此，可預想能夠更高度地發揮排列有導電粒子12之各向異性導電膜10（含填料膜1）之性能。

於欲充分地獲得實測捕捉數量之情形時，理論捕捉數量假定為3以上較現實（參照實驗例5〜6）。然而，即便理論捕捉數量未達1，亦可將捕捉（夾持）定為1個。根據此種情況，認為藉由如上所述般調整連接條件、或將導電粒子（填料）之位置對準能夠以更現實之條件實現，本發明包含該種情況。於實施例中以各向異性導電連接及連接體進行了說明，但本發明並不限定於此，預想於填料排列之含填料膜中亦可獲得相同之效果。可推測此種連接體可獲得與填料分散者不同之產業上之方便性。其原因在於：若無精密之填料之配置，則可容易地推測出：僅再現性良好地對準填料之位置亦會耗費無益之工夫。

以上，針對本發明之較佳之實施形態詳細地進行了說明，但本發明並不限定於相關之例。可知：只要為具有本發明所屬之技術領域中之通常之知識者，則於申請專利範圍中所記載之技術思想之範疇內可想到各種變化例或修正例，關於該等，亦當然可理解為屬於本發明之技術範圍。

1:含填料膜 2:填料 3:填料排列層 10:各向異性導電膜 11:黏合劑樹脂層 12:導電粒子 13:導電粒子排列層 14:絕緣性接著劑層 20:第1電子零件 21:凸塊 30:第2電子零件 31:端子電極 40:連接體

圖1係表示作為含填料膜之一例而表示之各向異性導電膜之導電粒子排列層的俯視圖。 圖2係表示作為含填料膜之一例而表示之各向異性導電膜、及使用其進行連接之第1電子零件、第2電子零件的剖視圖。 圖3係表示各向異性導電膜之變化例之剖視圖。 圖4係表示隔著各向異性導電膜將第1、第2電子零件進行壓接之步驟的剖視圖。 圖5係表示隔著各向異性導電膜連接第1、第2電子零件之連接體之剖視圖。 圖6係接著強度試驗之樣品之立體圖。 圖7係接著強度試驗方法之說明圖。

1:含填料膜

2:填料

3:填料排列層

10:各向異性導電膜

12:導電粒子

13:導電粒子排列層

Claims (12)

1. 一種連接體，其中，具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件隔著具有填料排列層之含填料膜而連接，上述填料排列層係於黏合劑樹脂層中排列有各自獨立之填料者，且由上述第1連接部及上述第2連接部夾持上述填料，且上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為4000μm²以下，連接部投影面中之上述有效連接部面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上，被上述第1連接部及上述第2連接部捕捉之上述填料為3個以下。
2. 如請求項1所述之連接體，其中，上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為1085μm²以下。
3. 如請求項1或2所述之連接體，其中，上述第1連接部及上述第2連接部為電極端子，且上述填料為導電粒子。
4. 如請求項1或2所述之連接體，其中，被上述第1連接部及上述第2連接部捕捉之上述填料未達3個。
5. 如請求項1或2所述之連接體，其中，上述第1連接部或上述第2連接部均為電極端子，且至少一者為突起電極。
6. 一種連接體之製造方法，其具備：配置步驟，其係於具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件之間配置具有填料排列層之含填料膜，該填料排列層係於黏合劑樹脂層中排列有各自獨立之填料者；及按壓步驟，其係按壓上述第1零件或上述第2零件，利用上述第1連接部及上 述第2連接部夾持上述填料；且上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為4000μm²以下，連接部投影面中之上述有效連接部面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1為3以上，被上述第1連接部及上述第2連接部捕捉之上述填料為3個以下。
7. 如請求項6所述之連接體之製造方法，其中，上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為1085μm²以下。
8. 如請求項6或7所述之連接體之製造方法，其中，上述第1連接部及上述第2連接部為電極端子，且上述填料為導電粒子。
9. 如請求項6或7所述之連接體之製造方法，其中，被上述第1連接部及上述第2連接部捕捉之上述填料未達3個。
10. 如請求項6或7所述之連接體之製造方法，其中，上述第1連接部或上述第2連接部均為電極端子，且至少一者為突起電極。
11. 一種連接方法，其具備：配置步驟，其係於具有第1連接部之第1零件與具有第2連接部之第2零件之間配置具有填料排列層之含填料膜，該填料排列層係於黏合劑樹脂層中排列有各自獨立之填料者；及按壓步驟，其係按壓上述第1零件或上述第2零件，利用上述第1連接部及上述第2連接部夾持上述填料；且上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為4000μm²以下，連接部投影面中之上述有效連接部面積S2相對於粒子面積S1之比率S2/S1 為3以上，被上述第1連接部及上述第2連接部捕捉之上述填料為3個以下。
12. 如請求項11所述之連接方法，其中，上述第1連接部及上述第2連接部對向之最大之有效連接部面積S2為1085μm²以下。