KR102517498B1 - 도전 재료, 및 접속체의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

저압 조건의 압착에서도 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있는 이방성 도전 접착제, 및 접속체의 제조 방법을 제공한다. 이방성 도전 접착제는, 절연성 접착제와, 20 ％ 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유한다.
이로써, 저압 조건의 압착에서도 고압 조건의 압착과 동일하게 도전 입자가 산화물층을 뚫는 것이 가능해져, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.

Description

도전 재료, 및 접속체의 제조 방법
본 기술은, 예를 들어 IC (Integrated Circuit) 칩과 플렉시블 배선판을 접속시키는 도전 재료, 및 접속체의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2018년 3월 30일에 출원된 일본 특허출원 번호 특원 2018-067630호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것으로, 이 출원은 참조됨으로써 본 출원에 원용된다.
종래, 예를 들어 LCD (Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 등의 액티브 매트릭스형 표시 장치에서는, 유리 등의 절연 기판 상에, 서로 교차하는 복수 개의 주사 신호 라인 및 화상 신호 라인을 매트릭스상으로 배치 형성함과 함께, 이들 주사 신호 라인 및 화상 신호 라인의 각 교점에 박막 트랜지스터 (이하, 「TFT」로 기재한다) 를 배치 형성하고 있다.
TFT 의 소스 전극이나 드레인 전극 등의 전극용 금속 배선막은, 생산 코스트가 높은 ITO (Indium Tin Oxide) 를 대신하여, IZO (Indium Zinc Oxide) 가 사용되고 있다. IZO 배선은, 표면이 평활하고, 표면에 산화물층 (부동태) 이 형성되어 있다. 또, 예를 들어 알루미늄 배선에서는, 부식을 방지하기 위해서 표면에 TiO2 등의 산화물층의 보호층이 형성되는 경우가 있다. 혹은, Al/Ti 배선을 사용하는 경우도 있지만, 이것도 알루미늄 배선과 동일하게 되는 경우가 있다.
그러나, 산화물층은 단단하기 때문에, 예를 들어 드라이버 IC 를 이방성 도전 접착제로 접속시키는 경우, 접속 저항값이 상승하는 경향이 있다.
그래서, 예를 들어 특허문헌 1 에는, 도전 입자의 압축 회복률을 낮게 하여, 도전 입자의 반발력을 낮게 억제함으로써, 전극 및 회로 접속 재료 사이에서의 박리를 억제하여, 양호한 접속 신뢰성을 얻는 것이 제안되어 있다.
일본 공개특허공보 2016-1562호
그러나 특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 도전 입자의 압축 회복률이 낮기 때문에, 배선과의 접촉 면적이 작아지는 경향이 있고, 도통 저항값이 높아지는 경향이 있다. 이 때문에, 특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 고압 조건으로 압착하지 않으면, 높은 접속 신뢰성을 얻지 못하여, 실장 부품에 대한 데미지가 우려된다.
본 기술은 전술한 과제를 해결하는 것으로, 저압 조건의 압착에서도 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있는 도전 재료, 및 접속체의 제조 방법을 제공한다.
본건 발명자들은 예의 검토한 결과, 적당히 높은 압축 회복률과 산화물층을 뚫는 경도를 갖는 수지 코어 도전 입자를 사용함으로써, 저압 조건의 압착에서도 높은 접속 신뢰성이 얻어진다는 지견에 근거하여, 본 기술을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 기술에 관련된 도전 재료는, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유한다.
또, 본 기술에 관련된 접속체의 제조 방법은, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 재료를 개재하여 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과, 압착 툴에 의해 상기 제 2 전자 부품을 상기 제 1 전자 부품에 압착시키는 것과 함께, 상기 도전 재료를 경화시키는 경화 공정을 갖는다.
또, 본 기술에 관련된 접속체는, 제 1 전자 부품과, 제 2 전자 부품과, 상기 제 1 전자 부품과 상기 제 2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하고, 상기 접착막은, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 재료가 경화되어 이루어진다.
본 기술에 의하면, 저압 조건의 압착에서도 수지 코어 도전 입자가 산화물층을 뚫는 것이 가능해지고, 또, 배선과의 접촉 면적을 증대시킬 수 있기 때문에, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 접속체의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도로, 도 1(A) 는 배치 공정 (S1) 을 나타내고, 도 1(B) 는 경화 공정 (S2) 을 나타낸다.
이하, 본 기술의 실시형태에 대해, 도면을 참조하면서 하기 순서로 상세하게 설명한다.
1. 도전 재료
2. 접속체의 제조 방법
3. 실시예
<1. 도전 재료>
본 실시형태에 관련된 도전 재료는, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유한다. 이로써, 저압 조건의 압착에서도 수지 코어 도전 입자가 산화물층을 뚫는 것이 가능해지고, 수지 코어 도전 입자와 배선의 접촉 면적을 증대시킬 수 있기 때문에, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다. 이것은, 높은 압축 회복률 및 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값에 의해 배선이 눌려 찌부러져서 변형되어, 추종성이 향상되기 때문에, 배선과의 접촉 면적이 증대됨과 함께, 높은 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값에 의해 산화물층을 뚫는 것이 가능하기 때문이라고 생각된다.
도전 재료로는, 필름상, 페이스트상 등의 형상을 들 수 있고, 예를 들어, 이방성 도전 필름 (ACF : Anisotropic Conductive Film), 이방성 도전 페이스트 (ACP : Anisotropic Conductive Paste) 등을 들 수 있다. 또, 도전 재료의 경화형으로는, 열 경화형, 광 경화형, 광열 병용 경화형 등을 들 수 있으며, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다.
이하, 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층과, 수지 코어 도전 입자를 함유하지 않는 도전 입자 비함유층이 적층된 2 층 구조의 열 경화형의 이방성 도전 필름을 예로 들어 설명한다. 또, 열 경화형의 이방성 도전 필름으로는, 예를 들어, 카티온 경화형, 아니온 경화형, 라디칼 경화형 또는 이들을 병용할 수 있지만, 여기서는 아니온 경화형의 이방성 도전 필름에 대해 설명한다.
구체예로서 나타내는 이방성 도전 필름은, 수지 코어 도전 입자와, 절연성 접착제로서, 막형성 수지와, 에폭시 수지와, 아니온 중합 개시제를 함유하는 도전 입자 함유층과, 절연성 접착제로서, 막형성 수지와, 에폭시 수지와, 아니온 중합 개시제를 함유하는 도전 입자 비함유층을 구비한다.
[수지 코어 도전 입자]
수지 코어 도전 입자의 압축 회복률은, 20 ％ 이상이고, 보다 바람직하게는 45 ％ 이상이고, 더욱 바람직하게는 60 ％ 이상이며, 압축 회복률의 상한은 90 ％ 정도이다. 압축 회복률이 일정 이상으로 높으면, 접속 후에 수지 코어 도전 입자와, 이것을 협지 (挾持) 하고 있는 범프, 배선 전극과의 접촉 상태가 양호하게 유지되기 쉬워진다. 단, 압축 경도 K 값과의 조합에 따라서는, 접속에 높은 압력이 필요해진다.
또, 수지 코어 도전 입자의 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값은, 4000 N/㎟ 이상이고, 보다 바람직하게는 8000 N/㎟ 이상이고, 더욱 바람직하게는 10000 N/㎟ 이상이며, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값의 상한은, 바람직하게는 22000 N/㎟ 미만이고, 보다 바람직하게는 20000 N/㎟ 이하이다. 압축 경도 K 값이 일정 이상으로 높으면, 접속시에 수지 코어 도전 입자가 배선 전극 표면의 절연층을 뚫어 저항값이 얻어지기 쉬워진다. 단, 압축 회복률과의 조합에 따라서는, 접속에 높은 압력이 필요해진다.
수지 코어 도전 입자의 압축 회복률 및 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값의 바람직한 조합은, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상, 압축 회복률이 45 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상, 압축 회복률이 45 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 8000 N/㎟ 이상, 또는, 압축 회복률이 60 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 8000 N/㎟ 이상이다. 이로써, 예를 들어 130 ㎫ 정도의 압력 조건의 압착에 있어서, 신뢰성 시험 후의 저항값의 상승을 억제하여, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다. 압력은, 전자 부품의 박형화나 굴곡화 (플렉시블화) 의 요청 등의 사정에 의해, 저압화되는 것이 요망되고 있다. 또, 연속적으로 접속하는 (접속체를 생산하는) 경우, 압력이 항상 일정하지는 않은 것이 예상되기 때문에, 압력 조건이 변동해도 양호한 접속 상태가 얻어지는 것이 바람직하다. 예를 들어 130 ㎫ 내지 80 ㎫ 의 범위에 있어서 사용할 수 있는 것이 바람직하고, 130 ㎫ 내지 50 ㎫ 의 범위에 있어서 사용할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 특히, 80 ㎫ 내지 50 ㎫ 의 범위에 있어서 사용할 수 있으면, 상기 서술한 전자 부품의 박형화나 플렉시블성의 요청에 부응하기 쉬워진다. 이것은 반드시 연속적으로 접속할 때에, 상기 서술한 범위에서 변동하면 되는 것을 나타내는 것은 아니며, 이 범위에서 접속할 수 있다면 연속 접속시의 변동에 대해 어느 정도 허용할 수 있음을 서술하고 있는 데 불과하다. 이 허용할 수 있는 정도는, 접속 조건이나 전자 부품의 조건, 연속 접속의 장치의 조건 등, 조합에 따라 변동되기 때문에, 적절히 조정하면 된다.
수지 코어 도전 입자의 압축 회복률은, 다음과 같이 측정할 수 있다. 미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥 (직경 50 ㎛, 다이아몬드제) 의 평활 압자 단면으로 수지 코어 도전 입자를 압축하여, 초기 하중시 (하중 0.4 mN) 부터 하중 반전시 (하중 5 mN) 까지의 변위를 L2 로 하고, 하중 반전시부터 최종 하중시 (하중 0.4 mN) 까지의 변위를 L1 로 했을 때의, L1/L2 × 100 (％) 의 값을 압축 회복률로 할 수 있다.
또, 수지 코어 도전 입자의 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값 (20 ％ K 값) 은, 다음과 같이 측정할 수 있다. 미소 압축 시험기를 사용하여, 원기둥 (직경 50 ㎛, 다이아몬드제) 의 평활 압자 단면으로, 압축 속도 2.6 mN/초, 및 최대 시험 하중 10 gf 의 조건하에서 수지 코어 도전 입자를 압축한다. 이 때의 하중값 (N) 및 압축 변위 (㎜) 를 측정한다. 얻어진 측정값으로부터, 20 ％ K 값을 하기 식에 의해 구할 수 있다. 또한, 미소 압축 시험기로서, 예를 들어, 피셔사 제조의 「피셔스코프 H-100」등이 사용된다. K 값 (N/㎟) = (3/21/2)·F·S-3/2·R-1/2
F : 도전 입자가 20 ％ 압축 변형되었을 때의 하중값 (N)
S : 도전 입자가 20 ％ 압축 변형되었을 때의 압축 변위 (㎜)
R : 도전 입자의 반경 (㎜)
수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자와, 수지 코어 입자를 피복하는 도전층을 구비한다. 또, 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자와, 수지 코어 입자의 표면에 복수 배치되어, 돌기를 형성하는 절연성 입자와, 수지 코어 입자 및 상기 절연성 입자의 표면에 배치되는 도전층을 구비하는 것이 바람직하다. 이로써, 수지 코어 도전 입자가 전극 표면의 산화물층을 뚫고 충분히 파고 들어가, 우수한 도통 신뢰성을 얻을 수 있다.
제 1 구성예의 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자와, 수지 코어 입자의 표면에 복수 부착되어, 돌기의 심재 (芯材) 가 되는 절연성 입자와, 수지 코어 입자 및 절연성 입자를 피복하는 도전층을 구비한다. 제 1 구성예의 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자의 표면에 절연성 입자를 부착시킨 후, 도전층을 형성하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 수지 코어 입자의 표면 상에 절연성 입자를 부착시키는 방법으로는, 예를 들어, 수지 코어 입자의 분산액 중에, 절연성 입자를 첨가하여, 수지 코어 입자의 표면에 절연성 입자를, 예를 들어 반데르발스 힘에 의해 집적시키고, 부착시키는 것 등을 들 수 있다. 또, 도전층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전층의 형성이 간편한 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다.
제 2 구성예의 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자와, 수지 코어 입자의 표면에 복수 부착되어, 돌기의 심재가 되는 절연성 입자와, 수지 코어 입자 및 절연성 입자의 표면을 피복하는 제 1 도전층과, 도전층을 피복하는 제 2 도전층을 구비한다. 즉, 제 2 구성예는, 제 1 구성예의 도전층을 2 층 구조로 한 것이다. 도전층을 2 층 구조로 함으로써, 최외각을 구성하는 제 2 도전층의 밀착성을 향상시키고, 도통 저항을 저하시킬 수 있다. 제 2 구성예의 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자의 표면에 절연성 입자를 부착시킨 후, 제 1 도전층을 형성한 후, 제 2 도전층을 형성하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 수지 코어 입자의 표면 상에 절연성 입자를 부착시키는 방법으로는, 예를 들어, 수지 코어 입자의 분산액 중에, 절연성 입자를 첨가하여, 수지 코어 입자의 표면에 절연성 입자를, 예를 들어, 반데르발스 힘에 의해 집적시키고, 부착시키는 것 등을 들 수 있다. 또, 제 1 도전층 및 제 2 도전층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전층의 형성이 간편한 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다.
제 3 구성예의 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자와, 수지 코어 입자의 표면을 피복하는 제 1 도전층과, 제 1 도전층의 표면에 복수 부착되어, 돌기의 심재가 되는 절연성 입자와, 제 1 도전층 및 절연성 입자의 표면을 피복하는 제 2 도전층을 구비한다. 즉, 제 3 구성예는, 제 1 도전층의 표면에 절연성 입자를 부착시켜, 추가로 제 2 도전층을 형성한 것이다. 이로써, 압착시에 절연성 입자가 수지 코어 입자에 파고 드는 것을 방지하고, 돌기가 전극 표면의 산화물층을 용이하게 뚫을 수 있다. 제 3 구성예의 수지 코어 도전 입자는, 수지 코어 입자의 표면에 제 1 도전층을 형성한 후, 절연성 입자를 부착시키고, 제 2 도전층을 형성하는 방법에 의해 얻을 수 있다. 제 1 도전층의 표면 상에 절연성 입자를 부착시키는 방법으로는, 예를 들어, 제 1 도전층이 형성된 수지 코어 입자의 분산액 중에, 절연성 입자를 첨가하고, 제 1 도전층의 표면에 절연성 입자를, 예를 들어 반데르발스 힘에 의해 집적시키고, 부착시키는 것 등을 들 수 있다. 또, 제 1 도전층 및 제 2 도전층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전층의 형성이 간편한 무전해 도금에 의한 방법이 바람직하다.
수지 코어 입자로는, 벤조구아나민 수지, 아크릴 수지, 스티렌 수지, 실리콘 수지, 폴리부타디엔 수지 등을 들 수 있고, 또, 이들 수지를 구성하는 모노머에 기초한 반복 단위의 적어도 2 종 이상을 조합한 구조를 갖는 공중합체를 들 수 있다. 이들 중에서도, 디비닐벤젠, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 및 스티렌을 조합하여 얻어지는 공중합체를 사용하는 것이 바람직하다.
절연성 입자는, 수지 코어 입자의 표면에 복수 부착되어, 전극 표면의 산화물층을 뚫기 위한 돌기의 심재가 된다. 절연성 입자는, 모스 경도가 7 보다 크고, 9 이상인 것이 바람직하다. 절연성 입자의 경도가 높음으로써, 돌기가 전극 표면의 산화물층을 뚫을 수 있다. 또, 돌기의 심재가 절연성 입자임으로써, 도전 입자를 사용했을 때와 비교하여 마이그레이션의 요인이 적어진다.
절연성 입자로는, 지르코니아 (모스 경도 8 ∼ 9), 알루미나 (모스 경도 9), 탄화텅스텐 (모스 경도 9) 및 다이아몬드 (모스 경도 10) 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 경제성의 관점에서 알루미나를 사용하는 것이 바람직하다.
또, 절연성 입자의 평균 입자경은, 바람직하게는 50 ㎚ 이상 250 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이상 200 ㎚ 이하이다. 또, 수지 코어 입자 (20) 의 표면에 형성된 돌기의 개수는, 바람직하게는 1 ∼ 500, 보다 바람직하게는 30 ∼ 200 이다. 이와 같은 평균 입자경의 절연성 입자 (20) 를 사용하여, 수지 코어 입자 (20) 의 표면에 소정 수의 돌기를 형성함으로써, 돌기가 전극 표면의 산화물을 뚫고, 전극간의 접속 저항을 효과적으로 낮게 할 수 있다.
도전층은, 수지 코어 입자 및 절연성 입자를 피복하여, 복수의 절연성 입자에 의해 융기된 돌기를 갖는다. 도전층은, 니켈 또는 니켈 합금인 것이 바람직하다. 니켈 합금으로는, Ni-W-B, Ni-W-P, Ni-W, Ni-B, Ni-P 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 저저항인 Ni-W-B 를 사용하는 것이 바람직하다.
또, 도전층의 두께는, 바람직하게는 50 ㎚ 이상 250 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 80 ㎚ 이상 150 ㎚ 이하이다. 도전층 (30) 의 두께가 지나치게 작으면 도전성 입자로서 기능시키는 것이 곤란해지고, 두께가 지나치게 크면 돌기의 높이가 없어진다.
수지 코어 도전 입자의 평균 입자경은, 1 ∼ 30 ㎛ 여도 되고, 2 ∼ 10 ㎛ 인 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 평균 입자경이란, 레이저 회절·산란법에 의해 구한 입도 분포에 있어서의 적산값 50 ％ 에서의 입경 (D50) 을 의미한다. 또, 화상형 입도 분포 측정 장치 (예로서, FPIA-3000 (말번사)) 에 의해 N = 1000 이상으로 측정하여 구한 것이어도 된다.
[절연성 접착제]
막형성 수지는, 예를 들어 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000 ∼ 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막형성 수지로는, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 여러 가지 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이들 중에서도, 막형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지를 적절하게 사용하는 것이 바람직하다.
에폭시 수지는, 3 차원 망목 구조를 형성하여, 양호한 내열성, 접착성을 부여하는 것으로, 고형 에폭시 수지와 액상 에폭시 수지를 병용하는 것이 바람직하다. 여기서, 고형 에폭시 수지란, 상온에서 고체인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 액상 에폭시 수지란, 상온에서 액상인 에폭시 수지를 의미한다. 또, 상온이란, JIS Z 8703 에서 규정되는 5 ∼ 35 ℃ 의 온도 범위를 의미한다.
고형 에폭시 수지로는, 액상 에폭시 수지와 상용 (相溶) 되고, 상온에서 고체상이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 신닛테츠 스미킨 화학(주) 의 상품명 「YD-014」등을 들 수 있다.
액상 에폭시 수지로는, 상온에서 액상이면 특별히 한정되지 않고, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 특히, 필름의 택성, 유연성 등의 관점에서, 비스페놀 A 형 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 미츠비시 화학(주) 의 상품명 「EP828」등을 들 수 있다.
아니온 중합 개시제로는, 통상 사용되는 공지된 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 유기산 디하이드라지드, 디시안디아미드, 아민 화합물, 폴리아미드아민 화합물, 시아네이트에스테르 화합물, 페놀 수지, 산 무수물, 카르복실산, 3 급 아민 화합물, 이미다졸, 루이스산, 브뢴스테드산, 폴리메르캅탄계 경화제, 우레아 수지, 멜라민 수지, 이소시아네이트 화합물, 블록이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있고, 이들 중에서 1 종을 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 이미다졸 변성체를 핵으로 하고 그 표면을 폴리우레탄으로 피복하여 이루어지는 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 시장에서 입수 가능한 구체예로는, 아사히 카세이 이마테리알즈(주) 의 상품명 「노바큐어 3941HP」등을 들 수 있다.
또, 절연성 접착제로서, 필요에 따라, 응력 완화제, 실란 커플링제, 무기 필러 등을 배합해도 된다. 응력 완화제로는, 수소 첨가 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수소 첨가 스티렌-이소프렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 실란 커플링제로는, 에폭시계, 메타크릴록시계, 아미노계, 비닐계, 메르캅토·술파이드계, 우레이드계 등을 들 수 있다. 또, 무기 필러로는, 실리카, 탤크, 산화티탄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다.
또, 절연성 접착제 중의 수지 코어 도전 입자의 분산 방식은, 도포 전의 절연성 접착제에 섞어 넣음으로써 혼합 반죽시켜도 되고, 틀을 사용하거나 하여 필름상으로 한 절연성 접착제에 도전 입자를 개개로 이간시켜도 된다. 또 이 경우, 도전 입자를 규칙적으로 배열시켜도 된다. 도전 입자를 규칙적으로 배열시키는 경우, 필름의 길이 방향에 반복 단위를 가지고 있는 것이 바람직하다.
이와 같은 도전 재료에 의하면, 수지 코어 도전 입자의 압축 회복률 및 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 큰 것에 의해, 저압 조건의 압착에서도 수지 코어 도전 입자가 산화물층을 뚫는 것이 가능해져, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
<2. 접속체의 제조 방법>
본 실시형태에 관련된 접속체의 제조 방법은, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 재료를 개재하여 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과, 압착 툴에 의해 제 2 전자 부품을 상기 제 1 전자 부품에 압착시키는 것과 함께, 도전 재료를 경화시키는 경화 공정을 갖는다. 여기서 도전 재료가 필름체가 아닌 경우에는, 필름상으로 도포해도 되고, 접속 지점에 핀 포인트로 도전 재료를 형성해도 된다.
또, 본 실시형태에 관련된 접속체는, 제 1 전자 부품과, 제 2 전자 부품과, 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하고, 접착막은, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 재료가 경화되어 이루어진다. 여기서 도전 재료가 필름체가 아닌 경우라도, 도전 재료는 압착에 의해 층상 (필름상) 이 된다.
본 실시형태에 의하면, 저압 조건의 압착에서도 고압 조건의 압착과 동일하게 수지 코어 도전 입자가 산화물층을 뚫는 것이 가능해져, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
이하, 전술한 열 경화형의 이방성 도전 필름을 사용한 접속체의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태에 관련된 접속체의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도로, 도 1(A) 는 배치 공정 (S1) 을 나타내고, 도 1(B) 는 경화 공정 (S2) 을 나타낸다. 또한, 이방성 도전 필름은, 전술한 것과 동일하기 때문에, 여기서는 설명을 생략한다.
[배치 공정 (S1)]
도 1(A) 에 나타내는 바와 같이, 배치 공정 (S1) 에서는, 제 1 전자 부품 (10) 상에 이방성 도전 필름 (20) 을 배치한다.
제 1 전자 부품 (10) 은, 제 1 단자열 (11) 을 구비하고, 제 1 단자열 (11) 상에 산화물층이 형성되어 있다. 산화물층은, 배선의 부식을 방지하는 보호층으로서 기능하고, 예를 들어 TiO2, SnO2, SiO2 등을 들 수 있다.
제 1 전자 부품 (10) 은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 제 1 전자 부품 (10) 으로는, 예를 들어, LCD (Liquid Crystal Display) 패널, 유기 EL (OLED) 등의 플랫 패널 디스플레이 (FPD) 용도, 터치 패널 용도 등의 투명 기판, 프린트 배선판 (PWB) 등을 들 수 있다. 프린트 배선판의 재질은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, FR-4 기재 등의 에폭시 글라스여도 되고, 열가소성 수지 등의 플라스틱, 세라믹 등도 사용할 수 있다. 특히, 제 1 전자 부품 (10) 이, PET (Poly Ethylene Terephthalate) 기판 등의 저탄성률 플라스틱 기판인 경우, 압착시의 압력을 높게 하지 않고서, 기재 변형의 영향을 경감하여 저저항을 실현할 수 있기 때문에, 매우 유효하다. 또한, 플라스틱 기판의 탄성률은, 접속체에 요구되는 플렉서빌러티나, 굴곡성과 후술하는 구동 회로 소자 (3) 등의 전자 부품과의 접속 강도와의 관계 등의 요소를 고려하여 구해지지만, 일반적으로 2000 ㎫ ∼ 4100 ㎫ 로 된다. 또, 투명 기판은, 투명성이 높은 것이면 특별히 한정은 없고, 유리 기판, 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 내열성의 관점에서는, 세라믹 기판이 바람직하게 사용된다.
이방성 도전 필름 (20) 은, 전술한 이방성 도전 필름과 동일하기 때문에, 여기서는 상세한 설명을 생략한다. 이방성 도전 필름 (20) 의 두께는, 접속하는 대상에 따라서 적절히 조정할 수 있기 때문에 특별히 제한은 없지만, 취급을 용이하게 하기 위해서는 하한을 10 ㎛ 이상이 바람직하고, 15 ㎛ 이상이 보다 바람직하다. 상한은, 권장체 (卷裝體) 로 한 경우의 비어져나옴 방지의 관점에서, 60 ㎛ 이하가 바람직하고, 50 ㎛ 이하가 보다 바람직하다. 또, 도전 입자 함유층 및 도전 입자 비함유층으로 이루어지는 2 층형의 이방성 도전 필름을 사용해도 된다 (3 층형 이상의 다층이어도 된다). 상기 서술한 이방성 도전 필름 (20) 의 두께는, 다층인 경우에는 전체의 합계의 두께를 가리킨다.
[경화 공정 (S2)]
도 1(B) 에 나타내는 바와 같이, 경화 공정 (S2) 에서는, 이방성 도전 필름 (20) 상에 제 2 전자 부품 (30) 을 배치하고, 열압착 툴 (40) 에 의해 제 2 전자 부품 (30) 을 제 1 전자 부품 (10) 에 열압착시킨다.
제 2 전자 부품 (30) 은, 제 1 단자열 (11) 에 대향하는 제 2 단자열 (31) 을 구비한다. 제 2 전자 부품 (30) 은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 제 2 전자 부품 (30) 으로는, 예를 들어, IC (Integrated Circuit), 플렉시블 기판 (FPC : Flexible Printed Circuits), 테이프 캐리어 패키지 (TCP) 기판, IC 를 FPC 에 실장한 COF (Chip On Film) 등을 들 수 있다.
경화 공정 (S2) 에서는, 압착 툴 (40) 을 사용하여, 일례로서 40 ㎫ ∼ 150 ㎫ 의 압력, 바람직하게는 50 ㎫ ∼ 130 ㎫ 의 압력, 저압으로는 보다 바람직하게는 50 ㎫ ∼ 80 ㎫ 의 압력으로 가압한다. 또, 경화 공정 (S2) 에서는, 압착 툴 (40) 을 사용하여, 바람직하게는 250 ℃ 이하의 온도, 보다 바람직하게는 230 ℃ 이하의 온도, 더욱 바람직하게는 220 ℃ 이하의 온도에서 가압한다. 이로써, 압착 툴 (40) 의 열에 의해 수지가 용융되고, 압착 툴 (40) 에 의해 제 2 전자 부품이 충분히 밀어 넣어지고, 수지 코어 도전 입자 (21) 가 단자 사이에 협지된 상태로 수지가 열 경화되기 때문에, 우수한 도통성을 얻을 수 있다. 또한, 40 ㎫ ∼ 150 ㎫ 란, 40 ㎫ 이상, 150 ㎫ 이하를 가리킨다. 다른 표기에 있어서도 동일한 취지이다.
또, 경화 공정 (S2) 에서는, 압착 툴 (40) 과 제 2 전자 부품 (30) 의 사이에 완충재를 사용해도 된다. 완충재로는, 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE : polytetrafluoroethylene), 실리콘 러버 등을 사용할 수 있다.
이와 같은 접속체의 제조 방법에 의하면, 수지 코어 도전 입자 (21) 의 압축 회복률 및 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 큰 것에 의해, 저압 조건의 압착에서도 수지 코어 도전 입자가 산화물층을 뚫는 것이 가능해져, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
<3. 실시예>
실시예
이하, 본 기술의 실시예에 대해 설명한다. 본 실시예에서는, 이방성 도전 접착제의 일 형태로서 이방성 도전 필름을 제조하여, 접속체를 제조하였다. 그리고, 접속체의 초기의 도통 저항 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항을 측정하였다. 또한, 본 기술은, 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[이방성 도전 필름의 제조]
표 1 에 나타내는 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층과 도전 입자 비함유층이 적층된 2 층 구조의 이방성 도전 필름을 제조하였다. 먼저, 페녹시 수지 (YP50, 신닛테츠 화학(주)) 20 질량부, 액상 에폭시 수지 (EP828, 미츠비시 케미컬(주)) 30 질량부, 고형 에폭시 수지 (YD-014, 신닛테츠 화학(주)) 10 질량부, 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제 (노바큐어 3941H, 아사히 카세이 이마테리알즈(주)) 30 질량부, 수지 코어 도전 입자를 배합하여, 두께 8 ㎛ 의 도전 입자 함유층을 얻었다. 수지 코어 도전 입자는, 필름 건조 후에 개수 밀도가 약 50000 개/㎟ 가 되도록 조정하여 배합하였다. 개수 밀도는, 금속 현미경에 의해 100 ㎛ × 100 ㎛ 의 영역을, 임의로 골라낸 10 군데 이상에서 관찰함으로써 계측하여, 구했다.
다음으로, 페녹시 수지 (YP50, 신닛테츠 화학(주)) 20 질량부, 액상 에폭시 수지 (EP828, 미츠비시 케미컬(주)) 30 질량부, 고형 에폭시 수지 (YD-014, 신닛테츠 화학(주)) 10 질량부, 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제 (노바큐어 3941H, 아사히 카세이 이마테리알즈(주)) 30 질량부를 배합하여, 두께 6 ㎛ 의 도전 입자 비함유층을 얻었다.
그리고, 도전 입자 함유층과 도전 입자 비함유층을 첩합하여, 두께 14 ㎛ 의 2 층 구조의 이방성 도전 필름을 얻었다.
[접속체의 제조]
이하의 방법에 의해 접속체를 제조하여, 이하에 나타내는 평가를 실시하였다. 유리 기판으로서, Ti/Al 막이 패터닝된 평균 두께 0.3 ㎜ 의 Ti/Al 배선판을 사용하였다. 전자 부품으로서 IC 칩 (1.8 × 20 ㎜, t (두께) = 0.5 ㎜, Au-plated bump 30 ㎛ × 85 ㎛, h (높이) = 9 ㎛) 을 사용하였다.
이방성 도전 필름을 소정 폭으로 슬릿하여, Ti/Al 배선판에 부착하였다. 그 위에 IC 칩을 임시 고정한 후, 완충재로서 평균 두께 50 ㎛ 의 테트라플루오로에틸렌이 피복된 히트 툴을 사용하여, 온도 220 ℃, 압력 130 ㎫, 시간 5 sec 의 압착 조건 1, 온도 220 ℃, 압력 80 ㎫, 시간 5 sec 의 압착 조건 2, 온도 220 ℃, 압력 50 ㎫, 시간 5 sec 의 압착 조건 3 으로 압착을 실시하여, 접속체를 완성시켰다.
[도통 저항의 측정]
IC 칩과 Ti/Al 배선판의 접속 상태에 대해, 디지털 멀티미터를 사용하여, 초기 및 신뢰성 시험 후에 있어서의 도통 저항 (Ω) 을 측정하였다. 도통 저항값의 측정은, 베어 칩의 범프에 접속된 플렉시블 배선판의 배선에 디지털 멀티미터를 접속하고, 50 V 의 전압 측정으로 이른바 4 단자법에 의해 도통 저항값을 측정하였다. 신뢰성 시험은, 온도 85 ℃, 습도 85 ％, 시간 500 hr 의 조건으로 하였다.
[도통 저항의 평가]
초기의 도통 저항값은, 1 Ω 미만을 「A」, 1 Ω 이상 2 Ω 미만을 「B」, 2 Ω 이상을 「C」로 평가하였다. 또, 신뢰성 시험 후의 도통 저항값은, 2 Ω 미만을 「A」, 2 Ω 이상 5 Ω 미만을 「B」, 5 Ω 이상을 「C」로 평가하였다. 실용상에서는 B 이상이면 되고, A 이면 바람직하다.
또, 초기의 도통 저항값에 대한 신뢰성 시험 후의 도통 저항값의 상승률을 산출하였다 ((신뢰성 시험 후의 도통 저항값/초기의 도통 저항값) × 100). 저항값 상승률은 200 ％ 이하인 것이 바람직하지만, 초기 도통 저항 평가 및 신뢰성 시험 후 도통 저항 평가가 A 평가이면, 저항값 상승률이 200 ％ 를 초과해도 문제없다. 신뢰성 시험 후 도통 저항값이 2 Ω 미만에 있어서의 저항값의 변동 때문이다. 초기 도통 저항 평가 및 신뢰성 시험 후 도통 저항 평가가 상이한 압력 조건에서 A 평가이고, 또한 저항값 상승률이 200 ％ 이하이면, 압력 변동의 영향에도 견딜 수 있는 점에서 바람직하며, 50 ㎫ 및 80 ㎫ 가 만족되어 있으면 저압에서 사용할 수 있는 점에서 보다 바람직하고, 모든 압력 조건에서 만족되어 있으면 보다 더 바람직하다. 또, 초기 도통 저항 평가 및 신뢰성 시험 후 도통 저항 평가가 A 평가이고, 또한 저항값 상승률이 160 ％ 이하이면, 저항값의 변동은 보다 좁은 범위에서 안정되어 있는 것이 되므로, 보다 바람직하다. 저항값 상승률이 160 ％ 이하인 것은, 초기 저항값이 1 Ω 에 약간 미만이어도, 신뢰성 시험 저항값이 2 Ω 미만으로 충분한 여유를 가질 수 있는 것을 나타낸다. 압력 조건에 따른 차이에 대해서는, 상기와 동일하기 때문에 생략한다.
[실험예 1]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 64 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 12600 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
수지 코어 도전 입자는, 다음과 같이 하여 제조하였다. 디비닐벤젠, 스티렌, 부틸메타크릴레이트의 혼합비를 조정한 용액에 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드를 투입하고 고속으로 균일 교반하면서 가열을 실시하여, 중합 반응을 실시함으로써 미립자 분산액을 얻었다. 미립자 분산액을 여과하고, 감압 건조함으로써 미립자의 응집체인 블록체를 얻었다. 그리고, 블록체를 분쇄 (해쇄) 함으로써, 평균 입자경 3.0 ㎛ 의 디비닐벤젠계 수지 입자를 얻었다.
또, 절연성 입자로서 평균 입자경이 150 ㎚ 인 알루미나 (Al2O3) 를 사용하였다. 또, 도전층용의 도금액으로서, 황산니켈 0.23 ㏖/ℓ, 디메틸아민보란 0.25 ㏖/ℓ, 및 시트르산나트륨 0.5 ㏖/ℓ 를 함유하는 니켈 도금액 (pH 8.5) 을 포함하는 니켈 도금액을 사용하였다.
먼저, 팔라듐 촉매액을 5 wt％ 함유하는 알칼리 용액 100 질량부에 대해, 수지 코어 입자 10 질량부를 초음파 분산기로 분산시킨 후, 용액을 여과하고, 수지 코어 입자를 취출하였다. 이어서, 수지 코어 입자 10 질량부를 디메틸아민보란 1 wt％ 용액 100 질량부에 첨가하여, 수지 코어 입자의 표면을 활성화시켰다. 그리고, 수지 코어 입자를 충분히 수세한 후, 증류수 500 질량부에 첨가하고, 분산시킴으로써, 팔라듐이 부착된 수지 코어 입자를 함유하는 분산액을 얻었다.
다음으로, 절연성 입자 1 g 을 3 분에 걸쳐서 분산액에 첨가하고, 절연성 입자가 부착된 입자를 함유하는 슬러리를 얻었다. 그리고, 슬러리를 60 ℃ 에서 교반하면서, 슬러리 중에 니켈 도금액을 서서히 적하하여, 무전해 니켈 도금을 실시하였다. 수소의 발포가 정지한 것을 확인한 후, 입자를 여과하고, 수세하여, 알코올 치환한 후에 진공 건조시켜, 알루미나로 형성된 돌기와, Ni-B 도금의 도전층을 갖는 도전성 입자를 얻었다. 이 도전성 입자를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 관찰한 결과, 도전층의 두께는 약 100 ㎚ 였다.
수지 코어 도전 입자의 압축 회복률 및 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값은, 수지 코어 입자를 제조할 때의 디비닐벤젠, 스티렌, 부틸메타크릴레이트의 혼합비를 조정함으로써, 소정치를 얻었다.
그리고, 이방성 도전 필름을 사용하여 온도 220 ℃, 압력 130 ㎫, 시간 5 sec 의 압착 조건 1, 온도 220 ℃, 압력 80 ㎫, 시간 5 sec 의 압착 조건 2, 온도 220 ℃, 압력 50 ㎫, 시간 5 sec 의 압착 조건 3 으로 접속체를 제조하였다.
[실험예 2]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 72 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 10000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 3]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 67 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 9700 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 4]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 57 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 9000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 5]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 65 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4800 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 6]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 15 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 22000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 7]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 25 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 14000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 8]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 24 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 11000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 9]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 40 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 6000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 10]
표 1 에 나타내는 바와 같이, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 37 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 1000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하여 이방성 도전 필름을 제조한 것 이외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
Figure 112020086005667-pct00001
실험예 10 과 같이, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 미만인 수지 코어 도전 입자를 사용한 경우, 압력 50 ㎫ 의 조건, 압력 80 ㎫ 의 조건, 및 압력 130 ㎫ 의 조건에서의 초기 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 C 였다.
실험예 6 과 같이, 20 ％ 압축 회복률이 20 ％ 미만이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 20000 N/㎟ 를 초과하는 수지 코어 도전 입자를 사용한 경우, 압력 50 ㎫ 의 조건 및 압력 80 ㎫ 의 조건에서의 초기 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 C 였지만, 압력 130 ㎫ 의 조건에서의 초기 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 B 였다.
실험예 9 와 같이, 20 ％ 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 사용한 경우, 압력 50 ㎫ 의 조건에서의 초기의 도통 저항 평가가 C 였지만, 압력 80 ㎫ 의 조건 및 압력 130 ㎫ 의 조건에서의 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 B 였다.
실험예 7, 8 과 같이, 20 ％ 압축 회복률이 20 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 10000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 사용한 경우, 압력 50 ㎫ 의 조건에서의 초기의 도통 저항 평가가 C 였지만, 압력 80 ㎫ 의 조건에서의 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 B 이고, 압력 130 ㎫ 의 조건에서의 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 A 였다.
실험예 1 ∼ 5 와 같이, 20 ％ 압축 회복률이 45 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 4000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 사용한 경우, 압력 50 ㎫ 의 조건, 압력 80 ㎫ 의 조건, 및 압력 130 ㎫ 의 조건에서의 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 A 였다.
또, 표 1 로부터, 130 ㎫ 및 80 ㎫ 의 압력 조건의 실험예 1 내지 5 및 7 내지 9 가 실용상 문제없음을 알 수 있었다. 특히, 실험예 1 ∼ 5 가 양호하고, 접속시의 압력 범위가 넓은 점에서, 실사양에 적절하다는 것을 알 수 있었다. 또, 130 ㎫, 80 ㎫, 50 ㎫ 의 압력 조건 모두에서 양호한 점에서도, 실험예 1 ∼ 5 가 실사양에 적절하다는 것을 알 수 있었다. 특히, 실험예 1 및 2 는, 모든 압력 조건에서 초기 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항 평가가 A 이고, 또한 저항값 상승률이 160 ％ 이하로 안정되어 있는 점에서, 보다 우수한 효과를 나타내고 있다.
실장 부품에 대한 데미지가 우려되기 때문에, 저압 조건에서 압착하여 높은 접속 신뢰성을 얻는 것이 요구된다. 50 ㎫ 의 신뢰성 시험 후의 실험예 1 ∼ 5 의 저항값은, 「실험예 1 ＜ 실험예 2 ＜ 실험예 3 ＜ 실험예 4 ＜ 실험예 5」의 관계가 되고, 가장 높은 실험예 5 에서도 0.7 Ω 미만이었다. 또한, 실험예 1 은 실험예 5 의 약 50 ％ 의 저항값이었다. 실험예 3 은 저항값 상승률이 200 ％ 를 초과하였지만, 이것은 저항값이 충분히 작은 다음의 것으로서, A 평가인 2 Ω 미만 (정확하게는 0.7 Ω 미만) 으로 양호하기 때문에 문제는 없다. 실험예 1 과 실험 2 에 관해서는, 저항값 상승률도 비교적 낮고, 비교적 저압인 50 ㎫ 에서도 양호한 실장 상태가 얻어지고 있는 것을 알 수 있었다.
[입자 분산 방식]
다음으로, 실험예 1, 2 에서 사용한 수지 코어 도전 입자를 사용하여, 랜덤계 또는 배열계의 입자 분산 방식의 차이에 따른 입자 포착성 및 접속 신뢰성에 대해 검토하였다. 접속 신뢰성에 대해서는, 상기 서술한 바와 동일하게, 접속체의 초기의 도통 저항 및 신뢰성 시험 후의 도통 저항을 측정하였다.
[입자 포착성 (포착률, 입자 포착 효율)]
하기 식에 의해 포착률을 산출하였다.
[(접속 후의 범프 1 개에 포착되어 있는 입자 개수 (개)/범프 1 개의 면적 (㎟))/(접속 전의 이방성 도전 필름의 개수 밀도 (개/㎟))] × 100
접속 후의 범프에 포착되어 있는 입자 개수는, 유리 기판측으로부터 금속 현미경으로 관찰한 압흔을, 금속 현미경에 의해 관찰하고, 계측하여 구했다. 또한, 포착수를 확인한 범프는 120 개 (N = 120) 로 하여, 포착률의 평균치를 입자 포착 효율로 하였다 (소수점 이하는 사사오입하였다).
[실험예 11]
표 2 에 나타내는 바와 같이, 실험예 1 과 동일한, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 64 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 12600 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하였다. 수지 코어 도전 입자를 배선 기판 상에 소정의 배열 패턴으로 정렬시킨 후, 절연성 수지층이 형성된 필름에 의해 수지 코어 도전 입자를 전사함으로써 도전 입자 함유층을 형성하였다. 배열 패턴은, 도전 입자를 필름면 시야로 육방 격자로 배치한 형상이고, 입자 개수 밀도를 28000 개/㎟ 로 하였다. 이것 외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
[실험예 12]
표 2 에 나타내는 바와 같이, 실험예 2 와 동일한, 평균 입경이 3 ㎛, 압축 회복률이 72 ％, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 10000 N/㎟ 인 수지 코어 도전 입자를 사용하였다. 수지 코어 도전 입자를 배선 기판 상에 소정의 배열 패턴으로 정렬시킨 후, 절연성 수지층이 형성된 필름에 의해 수지 코어 도전 입자를 전사함으로써 도전 입자 함유층을 형성하였다. 배열 패턴은, 도전 입자를 필름면 시야로 육방 격자로 배치한 형상이고, 입자 개수 밀도를 28000 개/㎟ 로 하였다. 이것 외에는, 실험예 1 과 동일하게 접속체를 제조하였다.
Figure 112020086005667-pct00002
표 2 에 나타내는 바와 같이, 입자 분산 방식이 랜덤인 경우의 입자 포착 효율은, 실험예 1 이 26 ％, 실험예 2 가 28 ％ 였다. 또, 입자 분산 방식이 배열인 경우의 입자 포착 효율은, 실험예 11 이 52 ％, 실험예 12 가 51 ％ 였다. 즉, 입자 분산 방식이 배열인 편이, 접속시의 도전 입자의 입자 포착 효율이 높은 것을 알 수 있었다.
또, 실험예 1, 2, 11, 12 로부터, 입자 분산 방식이 랜덤계여도 배열계와 동등한 접속 신뢰성이 얻어지는 것을 알 수 있었다. 즉, 입자 분산 방식으로서 랜덤계를 채용함으로써, 재료 비용을 억제하는 것이 가능하다는 것을 알 수 있었다.
10 : 제 1 전자 부품
11 : 제 1 단자열
20 : 이방성 도전 접착 필름
21 : 수지 코어 도전 입자
30 : 제 2 전자 부품
31 : 제 2 단자열
40 : 압착 툴

Claims (9)

  1. 도전 재료로서,
    절연성 접착제와,
    압축 회복률이 45 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 9000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하고,
    상기 수지 코어 도전 입자가, 수지 코어 입자와, 절연성 입자와, 상기 수지 코어 입자 및 상기 절연성 입자 중 적어도 하나를 피복하는 도전층을 갖고,
    상기 도전 재료가 필름상인, 도전 재료.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 코어 도전 입자의 압축 회복률이 60 ％ 이상인, 도전 재료.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수지 코어 도전 입자의 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 20000 N/㎟ 이하인, 도전 재료.
  6. 제 1 항, 제 3 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연성 접착제가, 막형성 수지와, 에폭시 수지와, 아니온 중합 개시제를 함유하는, 도전 재료.
  7. 절연성 접착제와, 압축 회복률이 45 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 9000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 재료를 개재하여 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 배치하는 배치 공정과,
    압착 툴에 의해 상기 제 2 전자 부품을 상기 제 1 전자 부품에 압착시키는 것과 함께, 상기 도전 재료를 경화시키는 경화 공정을 갖고,
    상기 수지 코어 도전 입자가, 수지 코어 입자와, 절연성 입자와, 상기 수지 코어 입자 및 상기 절연성 입자 중 적어도 하나를 피복하는 도전층을 갖고,
    상기 도전 재료가 필름상인, 접속체의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 경화 공정에서는, 40 ㎫ ∼ 150 ㎫ 의 조건으로 상기 제 2 전자 부품을 상기 제 1 전자 부품에 압착시키는, 접속체의 제조 방법.
  9. 제 1 전자 부품과, 제 2 전자 부품과, 상기 제 1 전자 부품과 상기 제 2 전자 부품이 접착된 접착막을 구비하고,
    상기 접착막은, 절연성 접착제와, 압축 회복률이 45 ％ 이상이고, 20 ％ 압축시의 압축 경도 K 값이 9000 N/㎟ 이상인 수지 코어 도전 입자를 함유하는 도전 재료가 경화되어 이루어지고,
    상기 수지 코어 도전 입자가, 수지 코어 입자와, 절연성 입자와, 상기 수지 코어 입자 및 상기 절연성 입자 중 적어도 하나를 피복하는 도전층을 갖고,
    상기 도전 재료가 필름상인 접속체.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102546836B1 (ko) * 2020-12-17 2023-06-30 덕산네오룩스 주식회사 고강도 비드, 이를 이용한 도전입자
KR102548160B1 (ko) * 2020-12-17 2023-06-28 덕산네오룩스 주식회사 고강도 비드, 이를 이용한 도전입자
KR102546837B1 (ko) * 2020-12-17 2023-06-29 덕산네오룩스 주식회사 고강도 비드, 이를 이용한 도전입자
CN116171311A (zh) 2021-08-06 2023-05-26 凡纳克株式会社 连接体的制造方法及连接体

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017069191A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100667374B1 (ko) * 2004-12-16 2007-01-10 제일모직주식회사 이방전도성 접속부재용 고분자 수지 미립자, 전도성 미립자 및 이를 포함한 이방 전도성 접속재료
JP5896732B2 (ja) 2011-01-06 2016-03-30 積水化学工業株式会社 異方性導電材料及び接続構造体
KR101454194B1 (ko) * 2011-01-25 2014-10-27 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이 도전성 미립자, 수지입자 및 그것을 사용한 이방성 도전재료
JP5216165B1 (ja) * 2011-07-28 2013-06-19 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP5737278B2 (ja) * 2011-12-21 2015-06-17 日立化成株式会社 回路接続材料、接続体、及び接続体を製造する方法
JP6057521B2 (ja) 2012-03-05 2017-01-11 デクセリアルズ株式会社 異方性導電材料を用いた接続方法及び異方性導電接合体
KR20200033983A (ko) * 2012-07-05 2020-03-30 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 수지 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
JP6212366B2 (ja) * 2013-08-09 2017-10-11 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6429228B2 (ja) * 2014-04-24 2018-11-28 タツタ電線株式会社 金属被覆樹脂粒子及びそれを用いた導電性接着剤
JP6337630B2 (ja) 2014-06-12 2018-06-06 日立化成株式会社 回路接続材料及び回路接続構造体
KR102445646B1 (ko) * 2016-05-02 2022-09-21 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 이방성 도전 필름의 제조 방법 및 이방성 도전 필름
WO2018181694A1 (ja) 2017-03-30 2018-10-04 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017069191A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

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