JP7420883B2 - 導電フィルム、接続体の製造方法及び接続体 - Google Patents

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Description

本技術は、例えばＩＣ(Integrated Circuit)チップとフレキシブル配線板とを接続させ
る導電材料、及び接続体の製造方法に関する。
従来、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting
Diode）ディスプレイなどのアクティブマトリックス型の表示装置では、ガラス等の絶縁
基板上に、互いに交差する複数本の走査信号ライン及び画像信号ラインをマトリックス状
に配置形成するとともに、それら走査信号ライン及び画像信号ラインの各交点に薄膜トラ
ンジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）を配置形成している。
ＴＦＴのソース電極やドレイン電極などの電極用金属配線膜は、生産コストが高いＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）に代わって、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が用いられている。
ＩＺＯ配線は、表面が平滑であり、表面に酸化物層（不動態）が形成されている。また、
例えばアルミニウム配線では、腐食を防止するために表面にＴｉＯ２などの酸化物層の保
護層が形成されることがある。もしくは、Ａｌ／Ｔｉ配線を使う場合もあるが、これもア
ルミニウム配線と同様になることがある。
しかしながら、酸化物層は硬いため、例えばドライバＩＣを異方性導電接着剤にて接続
させる場合、接続抵抗値が上昇する傾向にある。
そこで、例えば、特許文献１には、導電粒子の圧縮回復率を低くし、導電粒子の反発力
を低く抑えることにより、電極及び回路接続材料間での剥離を抑制し、良好な接続信頼性
を得ることが提案されている。
特開２０１６－１５６２号公報
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、導電粒子の圧縮回復率が低いため、
配線との接触面積が小さくなる傾向にあり、導通抵抗値が高くなる傾向にある。このため
、特許文献１に記載された方法では、高圧条件で圧着しなければ、高い接続信頼性を得る
ことができず、実装部品へのダメージが懸念される。
本技術は、前述した課題を解決するものであり、低圧条件の圧着でも高い接続信頼性を
得ることができる導電材料、及び接続体の製造方法を提供する。
本件発明者らは、鋭意検討した結果、適度に高い圧縮回復率と酸化物層を突き破る硬度
を有する樹脂コア導電粒子を用いることにより、低圧条件の圧着でも高い接続信頼性が得
られるとの知見に基づき、本技術を完成するに至った。
すなわち、本技術に係る導電フィルムは、平均分子量が１００００～８００００である膜形成樹脂を有する縁性接着剤と、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値である圧縮回復率が５７％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である樹脂コア導電粒子とを含有し、前記樹脂コア導電粒子が、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となり、モース硬度が７より大きい絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子を被覆する導電層とを有する。
また、本技術に係る接続体の製造方法は、平均分子量が１００００～８００００である膜形成樹脂を有する絶縁性接着剤と、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値である圧縮回復率が５７％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である樹脂コア導電粒子とを含有する導電フィルムを介して第１の電子部品と第２の電子部品とを配置する配置工程と、圧着ツールにより前記第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させるとともに、前記導電フィルムを硬化させる硬化工程とを有し、前記樹脂コア導電粒子が、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となり、モース硬度が７より大きい絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子を被覆する導電層とを有する。
また、本技術に係る接続体は、第１の電子部品と、第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とが接着された接着膜とを備え、前記接着膜は、平均分子量が１００００～８００００である膜形成樹脂を有する絶縁性接着剤と、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値である圧縮回復率が５７％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である樹脂コア導電粒子とを含有する導電フィルムが硬化してなり、前記樹脂コア導電粒子が、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となり、モース硬度が７より大きい絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子を被覆する導電層とを有する
本技術によれば、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ること可能
となり、また、配線との接触面積を増大させることができるため、高い接続信頼性を得る
ことができる。
図１は、本実施の形態に係る接続体の製造方法を模式的に示す断面図であり、図１（Ａ）は、配置工程（Ｓ１）を示し、図１（Ｂ）は、硬化工程（Ｓ２）を示す。
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する
。
１．導電材料
２．接続体の製造方法
３．実施例
＜１．導電材料＞
本実施の形態に係る導電材料は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２
０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有す
る。これにより、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ること可能と
なり、樹脂コア導電粒子と配線との接触面積を増大させることができるため、高い接続信
頼性を得ることができる。これは、高い圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値によ
り配線が押し潰されて変形し、追従性が向上するため、配線との接触面積が増大するとと
もに、高い２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値により酸化物層を突き破ることが可能であるから
だと考えられる。
導電材料としては、フィルム状、ペースト状などの形状が挙げられ、例えば、異方性導
電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：A
nisotropic Conductive Paste）などが挙げられる。また、導電材料の硬化型としては、
熱硬化型、光硬化型、光熱併用硬化型などが挙げられ、用途に応じて適宜選択することが
できる。
以下、樹脂コア導電粒子を含有する導電粒子含有層と、樹脂コア導電粒子を含有しない
導電粒子非含有層とが積層された２層構造の熱硬化型の異方性導電フィルムを例に挙げて
説明する。また、熱硬化型の異方性導電フィルムとしては、例えば、カチオン硬化型、ア
ニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用することができるが、ここでは、アニ
オン硬化型の異方性導電フィルムについて説明する。
具体例として示す異方性導電フィルムは、樹脂コア導電粒子と、絶縁性接着剤として、
膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する導電粒子含有層と、絶
縁性接着剤として、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する導
電粒子非含有層とを備える。
［樹脂コア導電粒子］
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率は、２０％以上であり、より好ましくは４５％以上であ
り、さらに好ましくは６０％以上であり、圧縮回復率の上限は９０％程度である。圧縮回
復率が一定以上に高ければ、接続後に樹脂コア導電粒子と、これを挟持しているバンプ、
配線電極との接触状態が良好に保たれ易くなる。但し、圧縮硬さＫ値との組み合わせによ
っては、接続に高い圧力が必要となる。
また、樹脂コア導電粒子の２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値は、４０００Ｎ／ｍｍ２以上で
あり、より好ましくは８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、さらに好ましくは１００００Ｎ／
ｍｍ２以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値の上限は、好ましくは２２０００Ｎ／ｍ
ｍ２未満であり、より好ましくは２００００Ｎ／ｍｍ２以下である。圧縮硬さＫ値が一定
以上に高ければ、接続時に樹脂コア導電粒子が配線電極表面の絶縁層を突き破り抵抗値が
得られ易くなる。但し、圧縮回復率との組み合わせによっては、接続に高い圧力が必要と
なる。
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値の好ましい組み合わせ
は、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２
以上、圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ
２以上、圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が８０００Ｎ／ｍ
ｍ２以上、又は、圧縮回復率が６０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が８００
０Ｎ／ｍｍ２以上である。これにより、例えば１３０ＭＰａ程度の圧力条件の圧着におい
て、信頼性試験後の抵抗値の上昇を抑制し、高い接続信頼性を得ることができる。圧力は
、電子部品の薄型化や屈曲化（フレキシブル化）の要請などの事情により、低圧化される
ことが望まれている。また、連続して接続する（接続体を生産する）場合、圧力が常に一
定ではないことが予想されるため、圧力条件が変動しても良好な接続状態が得られること
が望ましい。例えば１３０ＭＰａから８０ＭＰａの範囲において使用できることが好まし
く、１３０ＭＰａから５０ＭＰａの範囲において使用できることがより好ましい。特に、
８０ＭＰａから５０ＭＰａの範囲において使用できれば、上述の電子部品の薄型化やフレ
キシブル性の要請に応え易くなる。これは必ずしも連続的に接続する際に、上述の範囲で
変動してよいことを示すものではなく、この範囲で接続できれば連続接続時の変動に対し
てある程度許容できることを述べているにすぎない。この許容できる程度は、接続条件や
電子部品の条件、連続接続の装置の条件など、組み合わせによって変動するため、適宜調
整すればよい。
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率は、次のように測定することできる。微小圧縮試験機を
用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で樹脂コア導電粒子を圧
縮し、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２と
し、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１
／Ｌ２×１００（％）の値を圧縮回復率とすることができる。
また、樹脂コア導電粒子の２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値（２０％Ｋ値）は、次のように
測定することできる。微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）
の平滑圧子端面で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、及び最大試験荷重１０ｇｆの条件下で樹脂
コア導電粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得
られた測定値から、２０％Ｋ値を下記式により求めることができる。なお、微小圧縮試験
機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ－１００」等が用いられ
る。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ－３／２・Ｒ－１／２
Ｆ：導電粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電粒子の半径（ｍｍ）
樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子を被覆する導電層とを備える。ま
た、樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数配置され、突起を
形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを
備えることが好ましい。これにより、樹脂コア導電粒子が電極表面の酸化物層を突き破っ
て十分に食い込み、優れた導通信頼性を得ることができる。
第１の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数付着
され、突起の芯材となる絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子を被覆する導電層と
を備える。第１の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を付着
させた後、導電層を形成する方法により得ることができる。樹脂コア粒子の表面上に絶縁
性粒子を付着させる方法としては、例えば、樹脂コア粒子の分散液中に、絶縁性粒子を添
加し、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を、例えば、ファンデルワールス力により集積さ
せ、付着させることなどが挙げられる。また、導電層を形成する方法としては、例えば、
無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法などが挙げられ
る。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっきによる方法が好ましい。
第２の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数付着
され、突起の芯材となる絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子の表面を被覆する第
１の導電層と、導電層を被覆する第２の導電層とを備える。すなわち、第２の構成例は、
第１の構成例の導電層を２層構造としたものである。導電層を２層構造とすることにより
、最外殻を構成する第２の導電層の密着性を向上させ、導通抵抗を低下させることができ
る。第２の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を付着させた
後、第１の導電層を形成した後、第２の導電層を形成する方法により得ることができる。
樹脂コア粒子の表面上に絶縁性粒子を付着させる方法としては、例えば、樹脂コア粒子の
分散液中に、絶縁性粒子を添加し、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を、例えば、ファン
デルワールス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、第１の導電層
及び第２の導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっ
きによる方法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が
簡便である無電解めっきによる方法が好ましい。
第３の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面を被覆する
第１の導電層と、第１の導電層の表面に複数付着され、突起の芯材となる絶縁性粒子と、
第１の導電層及び絶縁性粒子の表面を被覆する第２の導電層とを備える。すなわち、第３
の構成例は、第１の導電層の表面に絶縁性粒子を付着させ、さらに第２の導電層を形成し
たものである。これにより、圧着時に絶縁性粒子が樹脂コア粒子に食い込むのを防止し、
突起が電極表面の酸化物層を容易に突き破ることができる。第３の構成例の樹脂コア導電
粒子は、樹脂コア粒子の表面に第１の導電層を形成した後、絶縁性粒子を付着させ、第２
の導電層を形成する方法により得ることができる。第１の導電層の表面上に絶縁性粒子を
付着させる方法としては、例えば、第１の導電層が形成された樹脂コア粒子の分散液中に
、絶縁性粒子を添加し、第１の導電層の表面に絶縁性粒子を、例えば、ファンデルワール
ス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、第１の導電層及び第２の
導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方
法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である
無電解めっきによる方法が好ましい。
樹脂コア粒子としては、ベンゾグアナミン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、シリコ
ーン樹脂、ポリブタジエン樹脂などが挙げられ、また、これらの樹脂を構成するモノマー
に基づく繰り返し単位の少なくとも２種以上を組み合わせた構造を有する共重合体が挙げ
られる。これらの中でも、ジビニルベンゼン、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、及びスチレンを組合せて得られる共重合体を用いることが好ましい。
絶縁性粒子は、樹脂コア粒子の表面に複数付着され、電極表面の酸化物層を突き破るた
めの突起の芯材となる。絶縁性粒子は、モース硬度が７より大きく、９以上であることが
好ましい。絶縁性粒子の硬度が高いことにより、突起が電極表面の酸化物層を突き破るこ
とができる。また、突起の芯材が絶縁性粒子であることにより、導電粒子を使用したとき
に比べマイグレーションの要因が少なくなる。
絶縁性粒子としては、ジルコニア（モース硬度８～９）、アルミナ（モース硬度９）、
炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）などが挙げられ
、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中で
も、経済性の観点からアルミナを用いることが好ましい。
また、絶縁性粒子の平均粒子径は、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ま
しくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また、樹脂コア粒子２０の表面に形成され
た突起の個数は、好ましくは１～５００、より好ましくは３０～２００である。このよう
な平均粒子径の絶縁性粒子２０を用いて、樹脂コア粒子２０の表面に所定数の突起を形成
することにより、突起が電極表面の酸化物を突き破り、電極間の接続抵抗を効果的に低く
することができる。
導電層は、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子を被覆し、複数の絶縁性粒子により隆起された
突起を有する。導電層は、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。ニッケル合
金としては、Ｎｉ－Ｗ－Ｂ、Ｎｉ－Ｗ－Ｐ、Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ－Ｂ、Ｎｉ－Ｐなどが挙げら
れる。これらの中でも、低抵抗であるＮｉ－Ｗ－Ｂを用いることが好ましい。
また、導電層の厚みは、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは８０
ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。導電層３０の厚みが小さすぎると導電性粒子として機能
させるのが困難となり、厚みが大きすぎると突起の高さがなくなってしまう。
樹脂コア導電粒子の平均粒子径は、１～３０μｍであってもよく、２～１０μｍである
ことが好ましい。本明細書において、平均粒子径とは、レーザー回折・散乱法によって求
めた粒度分布における積算値５０％での粒径（Ｄ５０）を意味する。また、画像型粒度分
布測定装置（例として、ＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社））によりＮ＝１０００以上
で測定して求めたものであってもよい。
［絶縁性接着剤］
膜形成樹脂は、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム
形成性の観点から、１００００～８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜
形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げ
られ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの
中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を好適に用いることが好ま
しい。
エポキシ樹脂は、３次元網目構造を形成し、良好な耐熱性、接着性を付与するものであ
り、固形エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを併用することが好ましい。ここで、固形エ
ポキシ樹脂とは、常温で固体であるエポキシ樹脂を意味する。また、液状エポキシ樹脂と
は、常温で液状であるエポキシ樹脂を意味する。また、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で
規定される５～３５℃の温度範囲を意味する。
固形エポキシ樹脂としては、液状エポキシ樹脂と相溶し、常温で固体状であれば特に限
定されず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙られ、これらの
中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも
、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例と
しては、新日鉄住金化学（株）の商品名「ＹＤ－０１４」などを挙げることができる。
液状エポキシ樹脂としては、常温で液状であれば特に限定されず、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂
、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以
上を組み合わせて用いることができる。特に、フィルムのタック性、柔軟性などの観点か
ら、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例
としては、三菱化学（株）の商品名「ＥＰ８２８」などを挙げることができる。
アニオン重合開始剤としては、通常用いられる公知の硬化剤を使用することができる。
例えば、有機酸ジヒドラジド、ジシアンジアミド、アミン化合物、ポリアミドアミン化合
物、シアナートエステル化合物、フェノール樹脂、酸無水物、カルボン酸、三級アミン化
合物、イミダゾール、ルイス酸、ブレンステッド酸塩、ポリメルカプタン系硬化剤、ユリ
ア樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート化合物、ブロックイソシアネート化合物などが挙
げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる
。これらの中でも、イミダゾール変性体を核としその表面をポリウレタンで被覆してなる
マイクロカプセル型潜在性硬化剤を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例とし
ては、旭化成イーマテリアルズ（株）の商品名「ノバキュア３９４１ＨＰ」などを挙げる
ことができる。
また、絶縁性接着剤として、必要に応じて、応力緩和剤、シランカップリング剤、無機
フィラー等を配合してもよい。応力緩和剤としては、水添スチレン－ブタジエンブロック
共重合体、水添スチレン－イソプレンブロック共重合体等を挙げることができる。また、
シランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、
メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。また、無機フィラーと
しては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を挙げるこ
とができる。
また、絶縁性接着剤中の樹脂コア導電粒子の分散方式は、塗布前の絶縁性接着剤に混ぜ
込むことで混練りさせてもよく、型を使用するなどしてフィルム状にした絶縁性接着剤に
導電粒子を個々に離間させてもよい。またこの場合、導電粒子を規則的に配列させてもよ
い。導電粒子を規則的に配列させる場合、フィルムの長手方向に繰り返し単位を有してい
ることが好ましい。
このような導電材料によれば、樹脂コア導電粒子の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮
硬さＫ値が大きいことにより、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破
ること可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。
＜２．接続体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続体の製造方法は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上で
あり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子と
を含有する導電材料を介して第１の電子部品と第２の電子部品とを配置する配置工程と、
圧着ツールにより第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させるとともに、導電材料
を硬化させる硬化工程とを有する。ここで導電材料がフィルム体でない場合は、フィルム
状に塗布してもよく、接続箇所にピンポイントに導電材料を設けてもよい。
また、本実施の形態に係る接続体は、第１の電子部品と、第２の電子部品と、第１の電
子部品と第２の電子部品とが接着された接着膜とを備え、接着膜は、絶縁性接着剤と、圧
縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上で
ある樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料が硬化してなる。ここで導電材料がフィルム
体でない場合であっても、導電材料は圧着により層状（フィルム状）となる。
本実施の形態によれば、低圧条件の圧着でも高圧条件の圧着と同様に樹脂コア導電粒子
が酸化物層を突き破ることが可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。
以下、前述の熱硬化型の異方性導電フィルムを用いた接続体の製造方法について説明す
る。図１は、本実施の形態に係る接続体の製造方法を模式的に示す断面図であり、図１（
Ａ）は、配置工程（Ｓ１）を示し、図１（Ｂ）は、硬化工程（Ｓ２）を示す。なお、異方
性導電フィルムは、前述と同様のため、ここでは説明を省略する。
［配置工程（Ｓ１）］
図１（Ａ）に示すように、配置工程（Ｓ１）では、第１の電子部品１０上に異方性導電
フィルム２０を配置する。
第１の電子部品１０は、第１の端子列１１を備え、第１の端子列１１上に酸化物層が形
成されている。酸化物層は、配線の腐食を防止する保護層として機能し、例えばＴｉＯ２
、ＳｎＯ２、ＳｉＯ２などが挙げられる。
第１の電子部品１０は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第
１の電子部品１０としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル、有機Ｅ
Ｌ（ＯＬＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用途、タッチパネル用途な
どの透明基板、プリント配線板（ＰＷＢ）などが挙げられる。プリント配線板の材質は、
特に限定されず、例えば、ＦＲ－４基材などのガラエポでもよく、熱可塑性樹脂などのプ
ラスチック、セラミックなども用いることができる。特に、第１の電子部品１０が、ＰＥ
Ｔ（Poly Ethylene Terephthalate）基板などの低弾性率のプラスチック基板である場合
、圧着時の圧力を高くすることなく、基材変形の影響を軽減して低抵抗を実現できるため
、非常に有効である。なお、プラスチック基板の弾性率は、接続体に求められるフレキシ
ビリティや、屈曲性と後述する駆動回路素子３等の電子部品との接続強度との関係等の要
素を考慮して求められるが、一般に２０００ＭＰａ～４１００ＭＰａとされる。また、透
明基板は、透明性の高いものであれば特に限定はなく、ガラス基板、プラスチック基板な
どが挙げられる。耐熱性の観点からは、セラミック基板が好適に用いられる。
異方性導電フィルム２０は、前述した異方性導電フィルムと同様であるため、ここでは
詳細な説明を省略する。異方性導電フィルム２０の厚みは、接続する対象によって適宜調
整することができるため特に制限はないが、取り扱いを容易にするためには下限を１０μ
ｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましい。上限は、巻装体にした場合のはみ出し
防止の観点から、６０μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。また、導電粒
子含有層及び導電粒子非含有層からなる２層型の異方性導電フィルムを用いてもよい（３
層型以上の多層であってもよい）。上述の異方性導電フィルム２０の厚みは、多層の場合
は全体の合計の厚みを指す。
［硬化工程（Ｓ２）］
図１（Ｂ）に示すように、硬化工程（Ｓ２）では、異方性導電フィルム２０上に第２の
電子部品３０を配置し、熱圧着ツール４０により第２の電子部品３０を第１の電子部品１
０に熱圧着させる。
第２の電子部品３０は、第１の端子列１１に対向する第２の端子列３１を備える。第２
の電子部品３０は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第２の電
子部品３０としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、フレキシブル基板（ＦＰＣ
：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板、ＩＣをＦ
ＰＣに実装したＣＯＦ（Chip On Film）などが挙げられる。
硬化工程（Ｓ２）では、圧着ツール４０を用いて、一例として４０ＭＰａ～１５０ＭＰ
ａの圧力、好ましくは５０ＭＰａ～１３０ＭＰａの圧力、低圧としてはより好ましくは５
０ＭＰａ～８０ＭＰａの圧力で押圧する。また、硬化工程（Ｓ２）では、圧着ツール４０
を用いて、好ましくは２５０℃以下の温度、より好ましくは２３０℃以下の温度、さらに
好ましくは２２０℃以下の温度で押圧する。これにより、圧着ツール４０の熱により樹脂
が溶融し、圧着ツール４０により第２の電子部品が十分に押し込まれ、樹脂コア導電粒子
２１が端子間に挟持された状態で樹脂が熱硬化するため、優れた導通性を得ることができ
る。尚、４０ＭＰａ～１５０ＭＰａとは４０ＭＰａ以上、１５０ＭＰａ以下を指す。他の
表記においても同様の趣旨である。
また、硬化工程（Ｓ２）では、圧着ツール４０と第２の電子部品３０との間に緩衝材を
使用してもよい。緩衝材としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：polytetraf
luoroethylene）、シリコンラバーなどを用いることができる。
このような接続体の製造方法によれば、樹脂コア導電粒子２１の圧縮回復率及び２０％
圧縮時の圧縮硬さＫ値が大きいことにより、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化
物層を突き破ること可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。
＜３．実施例＞
以下、本技術の実施例について説明する。本実施例では、異方性導電接着剤の一形態と
して異方性導電フィルムを作製し、接続体を作製した。そして、接続体の初期の導通抵抗
、及び信頼性試験後の導通抵抗を測定した。なお、本技術は、これらの実施例に限定され
るものではない。
［異方性導電フィルムの作製］
表１に示す樹脂コア導電粒子を含有する導電粒子含有層と導電粒子非含有層とが積層さ
れた２層構造の異方性導電フィルムを作製した。先ず、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日
鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱ケミカル（株））３０
質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ－０１４、新日鐵化学（株））１０質量部、マイクロカ
プセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ、旭化成イーマテリアルズ（株））３０質
量部、樹脂コア導電粒子を配合して、厚み８μｍの導電粒子含有層を得た。樹脂コア導電
粒子は、フィルム乾燥後に個数密度が約５００００個／ｍｍ２になるように調整して配合
した。個数密度は、金属顕微鏡により１００μｍ×１００μｍの領域を、任意に抜き取っ
た１０箇所以上で観察することで計測し、求めた。
次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ樹脂
（ＥＰ８２８、三菱ケミカル（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ－０１４、新
日鐵化学（株））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ
、旭化成イーマテリアルズ（株））３０質量部を配合して、厚み６μｍの導電粒子非含有
層を得た。
そして、導電粒子含有層と導電粒子非含有層とを貼り合わせて、厚み１４μｍの２層構
造の異方性導電フィルムを得た。
［接続体の作製］
以下の方法により接続体を製造し、以下に示す評価を行った。ガラス基板として、Ｔｉ
／Ａｌ膜がパターニングされた平均厚み０．３ｍｍのＴｉ／Ａｌ配線板を用いた。電子部
品として、ＩＣチップ（１．８×２０ｍｍ、ｔ（厚み）＝０．５ｍｍ、Ａｕ－ｐｌａｔｅ
ｄ ｂｕｍｐ ３０μｍ×８５μｍ、ｈ（高さ）＝９μｍ）を用いた。
異方性導電フィルムを所定幅にスリットして、Ｔｉ／Ａｌ配線板に張り付けた。その上
にＩＣチップを仮固定した後、緩衝材として平均厚み５０μｍのテトラフルオロエチレン
が被覆されたヒートツールを用いて、温度２２０℃、圧力１３０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの
圧着条件１、温度２２０℃、圧力８０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件２、温度２２０℃
、圧力５０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件３で圧着を行い、接続体を完成させた。
［導通抵抗の測定］
ＩＣチップとＴｉ／Ａｌ配線板との接続状態について、デジタルマルチメータを使用し
て、初期及び信頼性試験後における導通抵抗（Ω）を測定した。導通抵抗値の測定は、ベ
アチップのバンプに接続されたフレキシブル配線板の配線にデジタルマルチメータを接続
し、５０Ｖの電圧測定でいわゆる４端子法にて導通抵抗値を測定した。信頼性試験は、温
度８５℃、湿度８５％、時間５００ｈｒの条件とした。
［導通抵抗の評価］
初期の導通抵抗値は、１Ω未満を「Ａ」、１Ω以上２Ω未満を「Ｂ」、２Ω以上を「Ｃ
」と評価した。また、信頼性試験後の導通抵抗値は、２Ω未満を「Ａ」、２Ω以上５Ω未
満を「Ｂ」、５Ω以上を「Ｃ」と評価した。実用上はＢ以上であればよく、Ａであれば好
ましい。
また、初期の導通抵抗値に対する信頼性試験後の導通抵抗値の上昇率を算出した（（信
頼性試験後の導通抵抗値／初期の導通抵抗値）×１００）。抵抗値上昇率は２００％以下
であることが好ましいが、初期導通抵抗評価、及び信頼性試験後導通抵抗評価がＡ評価で
あれば、抵抗値上昇率が２００％を超えても問題ない。信頼性試験後導通抵抗値が２Ω未
満における抵抗値の変動のためである。初期導通抵抗評価、及び信頼性試験後導通抵抗評
価が異なる圧力条件でＡ評価であり、且つ抵抗値上昇率が２００％以下であれば、圧力変
動の影響にも耐えられることから好ましく、５０ＭＰａおよび８０ＭＰａが満足されてい
れば低圧で使用できる点でより好ましく、全ての圧力条件で満足されていれば更により好
ましい。また、初期導通抵抗評価、及び信頼性試験後導通抵抗評価がＡ評価であり、且つ
抵抗値上昇率が１６０％以下であれば、抵抗値の変動はより狭い範囲で安定していること
になるため、より好ましい。抵抗値上昇率が１６０％以下であることは、初期抵抗値が１
Ω弱であっても、信頼性試験抵抗値が２Ω未満に十分な余裕をもてることを表す。圧力条
件による違いについては、上記同様のため省略する。
［実験例１］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６４％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が１２６００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した
。
樹脂コア導電粒子は、次のようにして作製した。ジビニルベンゼン、スチレン、ブチル
メタクリレートの混合比を調整した溶液に重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを
投入して高速で均一攪拌しながら加熱を行い、重合反応を行うことにより微粒子分散液を
得た。微粒子分散液をろ過し、減圧乾燥することにより微粒子の凝集体であるブロック体
を得た。そして、ブロック体を粉砕（解砕）することにより、平均粒子径３．０μｍのジ
ビニルベンゼン系樹脂粒子を得た。
また、絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を使
用した。また、導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチル
アミンボラン０．２５ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッ
ケルめっき液（ｐＨ８．５）を含むニッケルメッキ液を使用した。
先ず、パラジウム触媒液を５ｗｔ％含むアルカリ溶液１００質量部に対し、樹脂コア粒
子１０質量部を超音波分散器で分散させた後、溶液をろ過し、樹脂コア粒子を取り出した
。次いで、樹脂コア粒子１０質量部をジメチルアミンボラン１ｗｔ％溶液１００質量部に
添加し、樹脂コア粒子の表面を活性化させた。そして、樹脂コア粒子を十分に水洗した後
、蒸留水５００質量部に加え、分散させることにより、パラジウムが付着された樹脂コア
粒子を含む分散液を得た。
次に、絶縁性粒子１ｇを３分間かけて分散液に添加し、絶縁性粒子が付着された粒子を
含むスラリーを得た。そして、スラリーを６０℃で撹拌しながら、スラリー中にニッケル
メッキ液を徐々に滴下し、無電解ニッケルメッキを行った。水素の発泡が停止するのを確
認した後、粒子をろ過し、水洗し、アルコール置換した後に真空乾燥し、アルミナで形成
された突起と、Ｎｉ－Ｂメッキの導電層とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところ、導電層の厚みは約１００ｎｍであった
。
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値は、樹脂コア粒子を作
製する際のジビニルベンゼン、スチレン、ブチルメタクリレートの混合比を調整すること
により、所定値を得た。
そして、異方性導電フィルムを用いて温度２２０℃、圧力１３０ＭＰａ、時間５ｓｅｃ
の圧着条件１、温度２２０℃、圧力８０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件２、温度２２０
℃、圧力５０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件３で接続体を製造した。
［実験例２］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が７２％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が１００００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した
以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例３］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６７％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が９７００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以
外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例４］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が５７％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が９０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以
外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例５］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６５％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が４８００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以
外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例６］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が１５％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が２２０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した
以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例７］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が２５％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が１４０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した
以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例８］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が２４％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が１１０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した
以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例９］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が４０％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が６０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以
外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例１０］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が３７％、２０％圧縮時の圧縮硬さ
Ｋ値が１０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以
外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
Figure 0007420883000001
実験例１０のように、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２未満である樹
脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条件、圧力８０ＭＰａの条件、及び圧力
１３０ＭＰａの条件での初期及び信頼性試験後の導通抵抗評価がＣであった。
実験例６のように、２０％圧縮回復率が２０％未満であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ
値が２００００Ｎ／ｍｍ２を超える樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条
件及び圧力８０ＭＰａの条件での初期及び信頼性試験後の導通抵抗評価がＣであったもの
の、圧力１３０ＭＰａの条件での初期及び信頼性試験後の導通抵抗評価がＢであった。
実験例９のように、２０％圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ
値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条
件での初期の導通抵抗評価がＣであったものの、圧力８０ＭＰａの条件及び圧力１３０Ｍ
Ｐａの条件での信頼性試験後の導通抵抗評価がＢであった。
実験例７、８のように、２０％圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬
さＫ値が１００００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰ
ａの条件での初期の導通抵抗評価がＣであったものの、圧力８０ＭＰａの条件での信頼性
試験後の導通抵抗評価がＢであり、圧力１３０ＭＰａの条件での信頼性試験後の導通抵抗
評価がＡであった。
実験例１～５のように、２０％圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬
さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａ
の条件、圧力８０ＭＰａの条件、及び圧力１３０ＭＰａの条件での信頼性試験後の導通抵
抗評価がＡであった。
また、表１から、１３０ＭＰａおよび８０ＭＰａの圧力条件の実験例１から５及び７か
ら９が実用上問題ないことが分かった。特に、実験例１～５が良好であり、接続時の圧力
範囲が広いことから、実仕様に適していることが分かった。また、１３０ＭＰａ、８０Ｍ
Ｐａ、５０ＭＰａの圧力条件の全てで良好であることからも、実験例１～５が実仕様に適
していることが分かった。特に、実験例１及び２は、全ての圧力条件で初期および信頼性
試験後の導通抵抗評価がＡであり、且つ抵抗値上昇率が１６０％以下と安定していること
から、より優れた効果を示している。
実装部品へのダメージが懸念されるため、低圧条件で圧着して高い接続信頼性を得るこ
とが要求される。５０ＭＰａの信頼性試験後の実験例１～５の抵抗値は、「実験例１＜実
験例２＜実験例３＜実験例４＜実験例５」の関係となり、最も高い実験例５でも０．７Ω
未満であった。尚、実験例１は実験例５の約５０％の抵抗値であった。実験例３は抵抗値
上昇率が２００％を超えているが、これは抵抗値が十分に小さい上でのことであり、Ａ評
価である２Ω未満（正確には０．７Ω未満）と良好であるため問題はない。実験例１と実
験２に関しては、抵抗値上昇率も比較的低く、比較的低圧な５０ＭＰａでも良好な実装状
態が得られていることが分かった。
［粒子分散方式］
次に、実験例１、２で用いた樹脂コア導電粒子を用いて、ランダム系又は配列系の粒子
分散方式の違いによる粒子捕捉性及び接続信頼性について検討した。接続信頼性について
は、上述と同様に、接続体の初期の導通抵抗、及び信頼性試験後の導通抵抗を測定した。
［粒子捕捉性（捕捉率、粒子捕捉効率）］
下記式により捕捉率を算出した。
［（接続後のバンプ１個に捕捉されている粒子個数（個）／バンプ１個の面積（ｍｍ２
）） ／ （接続前の異方性導電フィルムの個数密度（個／ｍｍ２））］×１００
接続後のバンプに捕捉されている粒子個数は、ガラス基板側から金属顕微鏡で観察した
圧痕を、金属顕微鏡により観察し、計測して求めた。尚、捕捉数を確認したバンプは１２
０個（Ｎ＝１２０）とし、捕捉率の平均値を粒子捕捉効率とした（小数点以下は四捨五入
した）。
［実験例１１］
表２に示すように、実験例１と同様の、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６４％、２０
％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１２６００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いた。樹脂コア
導電粒子を配線基板上に所定の配列パターンに整列させた後、絶縁性樹脂層が設けられた
フィルムによって樹脂コア導電粒子を転写することにより導電粒子含有層を形成した。配
列パターンは、導電粒子をフィルム面視野で六方格子に配置した形状であり、粒子個数密
度を２８０００個／ｍｍ２とした。これ以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例１２］
表２に示すように、実験例２と同様の、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が７２％、２０
％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１００００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いた。樹脂コア
導電粒子を配線基板上に所定の配列パターンに整列させた後、絶縁性樹脂層が設けられた
フィルムによって樹脂コア導電粒子を転写することにより導電粒子含有層を形成した。配
列パターンは、導電粒子をフィルム面視野で六方格子に配置した形状であり、粒子個数密
度を２８０００個／ｍｍ２とした。これ以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
Figure 0007420883000002
表２に示すように、粒子分散方式がランダムの場合の粒子捕捉効率は、実験例１が２６
％、実験例２が２８％であった。また、粒子分散方式が配列の場合の粒子捕捉効率は、実
験例１１が５２％、実験例１２が５１％であった。即ち、粒子分散方式が配列であるほう
が、接続時の導電粒子の粒子捕捉効率が高いことが分かった。
また、実験例１、２、１１、１２より、粒子分散方式がランダム系であっても配列系と
同等の接続信頼性が得られることが分かった。すなわち、粒子分散方式としてランダム系
を採用することにより、材料コストを抑えることが可能であることが分かった。
１０ 第１の電子部品、１１ 第１の端子列、２０ 異方性導電接着フィルム、２１
樹脂コア導電粒子、３０ 第２の電子部品、３１ 第２の端子列、４０ 圧着ツール

Claims (10)

  1. 平均分子量が１００００～８００００である膜形成樹脂を有する絶縁性接着剤と、
    初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値である圧縮回復率が５７％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である樹脂コア導電粒子とを含有し、
    前記樹脂コア導電粒子が、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となり、モース硬度が７より大きい絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子を被覆する導電層とを有する導電フィルム。
  2. 前記樹脂コア導電粒子の圧縮回復率が６４％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１００００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である請求項１記載の導電フィルム。
  3. 前記絶縁性粒子のモース硬度が、９以上である請求項１又は２記載の導電フィルム。
  4. 前記導電層の厚みが、８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１記載の導電フィルム。
  5. 前記導電層がニッケル又はニッケル合金である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導電フィルム。
  6. 前記樹脂コア導電粒子を含む導電粒子含有層と、前記樹脂コア導電粒子を含まない導電粒子非含有層とを備える請求項１乃至５のいずれか１項に記載の導電フィルム。
  7. 前記樹脂コア導電粒子が、面視野で配列されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の導電フィルム。
  8. 平均分子量が１００００～８００００である膜形成樹脂を有する絶縁性接着剤と、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値である圧縮回復率が５７％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である樹脂コア導電粒子とを含有する導電フィルムを介して第１の電子部品と第２の電子部品とを配置する配置工程と、
    圧着ツールにより前記第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させるとともに、前記導電フィルムを硬化させる硬化工程とを有し、
    前記樹脂コア導電粒子が、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となり、モース硬度が７より大きい絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子を被覆する導電層とを有する接続体の製造方法。
  9. 前記硬化工程では、４０ＭＰａ～１５０ＭＰａの条件で前記第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させる請求項８記載の接続体の製造方法。
  10. 第１の電子部品と、第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とが接着された接着膜とを備え、
    前記接着膜は、平均分子量が１００００～８００００である膜形成樹脂を有する絶縁性接着剤と、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値である圧縮回復率が５７％以上７２％以下であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２以上１２６００Ｎ／ｍｍ２以下である樹脂コア導電粒子とを含有する導電フィルムが硬化してなり、
    前記樹脂コア導電粒子が、樹脂コア粒子と、前記樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となり、モース硬度が７より大きい絶縁性粒子と、前記樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子を被覆する導電層とを有する接続体。
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