JP2002121358A - 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 - Google Patents
熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ付の半導体素子において、半導体素子
から低コストでかつボイドの発生がない半導体装置を製
作できる熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体素子の
組立方法を提供する。 【解決手段】 １）平均粒径が０．５〜１２μｍ 、最
大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー、２）エ
ポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上のエポキ
シ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニルスル
ホンを含む熱硬化性液状封止樹脂組成物において、該熱
硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘度計によ
る回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度比）が
１〜２である熱硬化性液状封止樹脂組成物である。
から低コストでかつボイドの発生がない半導体装置を製
作できる熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体素子の
組立方法を提供する。 【解決手段】 １）平均粒径が０．５〜１２μｍ 、最
大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー、２）エ
ポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上のエポキ
シ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニルスル
ホンを含む熱硬化性液状封止樹脂組成物において、該熱
硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘度計によ
る回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度比）が
１〜２である熱硬化性液状封止樹脂組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ接合方式で
基板と接合する半導体素子の組立に関し、それに用いる
液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体
装置に関するものである。
基板と接合する半導体素子の組立に関し、それに用いる
液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップの高集積化、高密度化とＩＣ
パッケージの小型化という要求からフリップチップ実装
方式が登場した。同実装方式はこれまでのワイヤーボン
ディングによる接続ではなく、ＩＣチップ表面とプリン
ト基板とを金属バンプで電気的に接続することで小型、
薄型化を可能としている。しかしチップ、プリント配線
基板、半田の熱膨張係数が異なるために冷熱衝撃試験時
に熱ストレスが発生する。特にチップ中央から遠いコー
ナー近辺の金属バンプには局所的に熱ストレスが集中す
る。このため接合部位にクラックが生じ、回路の作動信
頼性は大きく低下する。
パッケージの小型化という要求からフリップチップ実装
方式が登場した。同実装方式はこれまでのワイヤーボン
ディングによる接続ではなく、ＩＣチップ表面とプリン
ト基板とを金属バンプで電気的に接続することで小型、
薄型化を可能としている。しかしチップ、プリント配線
基板、半田の熱膨張係数が異なるために冷熱衝撃試験時
に熱ストレスが発生する。特にチップ中央から遠いコー
ナー近辺の金属バンプには局所的に熱ストレスが集中す
る。このため接合部位にクラックが生じ、回路の作動信
頼性は大きく低下する。
【０００３】そこで、熱ストレスを緩和する目的から液
状注入封止アンダーフィル材による封止が行われる。し
かしこの方法はチップとプリント配線基板との隙間にア
ンダーフィル材を注入し、硬化して封止する方法が採ら
れるため工程が煩雑であり、コストもかかる。更にこの
ような半導体素子の場合は、ウエハー作製工程、ウエハ
ー上への電気回路形成工程、個片化工程、バンプ形成工
程、バンプ接合工程、アンダーフィル封止工程が必要で
あり、個々の工程は製造会社又は工場が異なる場合が多
くデリバリーコストがかかるという問題があった。
状注入封止アンダーフィル材による封止が行われる。し
かしこの方法はチップとプリント配線基板との隙間にア
ンダーフィル材を注入し、硬化して封止する方法が採ら
れるため工程が煩雑であり、コストもかかる。更にこの
ような半導体素子の場合は、ウエハー作製工程、ウエハ
ー上への電気回路形成工程、個片化工程、バンプ形成工
程、バンプ接合工程、アンダーフィル封止工程が必要で
あり、個々の工程は製造会社又は工場が異なる場合が多
くデリバリーコストがかかるという問題があった。
【０００４】そこで提案されたのがウエハーに電気回路
を形成し個片化せずバンプを形成し、その後個片化する
方法が考え出された。この方法はウエハー製造から一環
のラインでバンプ付半導体素子を作ることも可能であ
り、大幅に素子のコストが下がる可能性がある。しかし
この方法であっても信頼性を上げるためにはアンダーフ
ィル封止工程が必要であり、コストに反映してしまうと
いう問題が残っていた。
を形成し個片化せずバンプを形成し、その後個片化する
方法が考え出された。この方法はウエハー製造から一環
のラインでバンプ付半導体素子を作ることも可能であ
り、大幅に素子のコストが下がる可能性がある。しかし
この方法であっても信頼性を上げるためにはアンダーフ
ィル封止工程が必要であり、コストに反映してしまうと
いう問題が残っていた。
【０００５】そこでバンプ付半導体素子の前記の問題を
解決するために、１）基板と電気的接合させるためのバ
ンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハー
にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹脂組成物を
塗布する工程、２）該液状封止樹脂組成物をＢ−ステー
ジ化する工程、３）該ウエハーをダイシングし、個片化
する工程、４）個片化した半導体素子と基板とを接合し
同時にＢ−ステージ化された樹脂組成物を加熱流動させ
冷却するこ圧着工程からなる半導体素子の組立方法が提
案された。その目的とするところは製造工程の大幅な短
縮がはかれ、且つ信頼性に優れた半導体素子の組立方法
を提供することに有る。しかし本方法の場合でも、樹脂
の粘性特性、塗布方法によっては塗布むらがおこり、封
止をする際にボイドを巻き込むという問題を残してい
た。
解決するために、１）基板と電気的接合させるためのバ
ンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハー
にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹脂組成物を
塗布する工程、２）該液状封止樹脂組成物をＢ−ステー
ジ化する工程、３）該ウエハーをダイシングし、個片化
する工程、４）個片化した半導体素子と基板とを接合し
同時にＢ−ステージ化された樹脂組成物を加熱流動させ
冷却するこ圧着工程からなる半導体素子の組立方法が提
案された。その目的とするところは製造工程の大幅な短
縮がはかれ、且つ信頼性に優れた半導体素子の組立方法
を提供することに有る。しかし本方法の場合でも、樹脂
の粘性特性、塗布方法によっては塗布むらがおこり、封
止をする際にボイドを巻き込むという問題を残してい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】バンプ付の半導体素子
において、半導体素子から低コストでかつボイドの発生
がない半導体装置を製作できる熱硬化性液状封止樹脂組
成物及び半導体素子の組立方法である。
において、半導体素子から低コストでかつボイドの発生
がない半導体装置を製作できる熱硬化性液状封止樹脂組
成物及び半導体素子の組立方法である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】１）平均粒径が０．５〜
１２μｍ 、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フ
ィラー、２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官
能以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノ
ジフェニルスルホンを含む熱硬化性液状封止樹脂組成物
において、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比
（Ｅ型粘度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐ
ｍでの粘度比）が１〜２である熱硬化性液状封止樹脂組
成物である。更に好ましい形態としては、熱硬化性液状
封止樹脂組成物が反応性フラックスを含み、熱硬化性液
状封止樹脂組成物が可塑性ポリマーを含む熱硬化性液状
封止樹脂組成物である。
１２μｍ 、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フ
ィラー、２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官
能以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノ
ジフェニルスルホンを含む熱硬化性液状封止樹脂組成物
において、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比
（Ｅ型粘度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐ
ｍでの粘度比）が１〜２である熱硬化性液状封止樹脂組
成物である。更に好ましい形態としては、熱硬化性液状
封止樹脂組成物が反応性フラックスを含み、熱硬化性液
状封止樹脂組成物が可塑性ポリマーを含む熱硬化性液状
封止樹脂組成物である。
【０００８】また、１）基板と電気的接合させるための
バンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハ
ー又は該基板上にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封
止樹脂組成物を塗布する工程、２）該熱硬化性液状封止
樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、３）該ウエハー
をダイシングし、半導体素子を個片化する工程、４）個
片化した半導体素子と基板と仮接合し同時にＢ−ステー
ジ化された熱硬化性液状封止樹脂組成物を加熱流動させ
冷却する圧着工程、５）バンプを基板に接合する工程か
らなる半導体素子の組立方法において、該塗布する工程
において熱硬化性液状封止樹脂組成物をウエハーに塗布
する場合、一個の半導体素子のエリアの少なくとも外周
バンプ部分を残して塗布し、かつＢ−ステージ後の塗布
形状が素子の中央部分が凸状になるよう塗布され、もし
くは基板に塗布する場合、塗布形状が素子の中央部分に
対応する基板面が凸状になるよう塗布される半導体素子
の組立方法である。更に好ましい形態としては、塗布す
る工程において、Ｂ−ステージ後の塗布部中心の高さが
半導体素子最外周のバンプ高さ以上で２倍以下であり、
熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程が印刷法に
より行われ、前述の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用い
て塗布される半導体素子の組立方法である。また、前述
の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用いて製作された半導
体装置であり、前述の半導体素子の組立方法を用いて製
作された半導体装置である。
バンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハ
ー又は該基板上にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封
止樹脂組成物を塗布する工程、２）該熱硬化性液状封止
樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、３）該ウエハー
をダイシングし、半導体素子を個片化する工程、４）個
片化した半導体素子と基板と仮接合し同時にＢ−ステー
ジ化された熱硬化性液状封止樹脂組成物を加熱流動させ
冷却する圧着工程、５）バンプを基板に接合する工程か
らなる半導体素子の組立方法において、該塗布する工程
において熱硬化性液状封止樹脂組成物をウエハーに塗布
する場合、一個の半導体素子のエリアの少なくとも外周
バンプ部分を残して塗布し、かつＢ−ステージ後の塗布
形状が素子の中央部分が凸状になるよう塗布され、もし
くは基板に塗布する場合、塗布形状が素子の中央部分に
対応する基板面が凸状になるよう塗布される半導体素子
の組立方法である。更に好ましい形態としては、塗布す
る工程において、Ｂ−ステージ後の塗布部中心の高さが
半導体素子最外周のバンプ高さ以上で２倍以下であり、
熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程が印刷法に
より行われ、前述の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用い
て塗布される半導体素子の組立方法である。また、前述
の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用いて製作された半導
体装置であり、前述の半導体素子の組立方法を用いて製
作された半導体装置である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明で用いる熱硬化性液状封止
樹脂組成物は、 Ｂ−ステージ化可能な樹脂組成物であ
る。ここでいうＢ−ステージ化可能とは、樹脂組成物を
塗布した後低い温度で硬化を進めタックフリーの状態に
することができ、常温で１ヶ月以上ほとんど反応が進行
せず、バンプ接合時の温度で溶融し接着することできる
特性を有するものである。このような特性を有する樹脂
組成物の例として、エポキシ樹脂／ジシアンジアミド
系、エポキシ樹脂／芳香族アミン系等がある。そのメカ
ニズムは活性水素とエポキシ樹脂の反応性を利用したも
のである。例えばエポキシ樹脂／芳香族アミンの場合、
第一級アミンは１２０℃以下で容易に反応するが、次に
残存する第二級アミンを反応させるためには少なくとも
１４０℃以上の熱をかける必要がある。これは立体障害
に伴い反応性が低下するためである。その中で特にエポ
キシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホン系は前記特性を
有する樹脂系として好適である。
樹脂組成物は、 Ｂ−ステージ化可能な樹脂組成物であ
る。ここでいうＢ−ステージ化可能とは、樹脂組成物を
塗布した後低い温度で硬化を進めタックフリーの状態に
することができ、常温で１ヶ月以上ほとんど反応が進行
せず、バンプ接合時の温度で溶融し接着することできる
特性を有するものである。このような特性を有する樹脂
組成物の例として、エポキシ樹脂／ジシアンジアミド
系、エポキシ樹脂／芳香族アミン系等がある。そのメカ
ニズムは活性水素とエポキシ樹脂の反応性を利用したも
のである。例えばエポキシ樹脂／芳香族アミンの場合、
第一級アミンは１２０℃以下で容易に反応するが、次に
残存する第二級アミンを反応させるためには少なくとも
１４０℃以上の熱をかける必要がある。これは立体障害
に伴い反応性が低下するためである。その中で特にエポ
キシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホン系は前記特性を
有する樹脂系として好適である。
【００１０】本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成
物は、半導体素子の封止用途として用いるため高い信頼
性が必要である。特に耐水性、線膨張係数を被着体に近
づけるために無機フィラーを添加することが好ましい。
その形状は接合時に流動性が必要であるため球状が好ま
しい。更にその大きさは平均粒径が０．５μｍから１２
μｍの範囲で且つ最大粒径が２０μｍ以下の球状フィラ
ーであることが好ましい。平均粒径が０．５μｍ未満で
あるとバンプ接合時にＢ−ステージ化された熱硬化性液
状封止樹脂組成物の流動性が不足となり、チップの外へ
の樹脂組成物の浸み出しが不十分となり、接着性不足に
よる信頼性の低下を招く恐れがある。また平均粒径が１
２μｍを超えると熱硬化性液状封止樹脂組成物の塗布時
に最外周以外のバンプ上にフィラーが残存し、バンプ接
合時に接触不良を起こす恐れがある。最大粒径が２０μ
ｍを超えると塗布厚みのばらつきが大きくなりボイドを
巻き込む恐れがある。
物は、半導体素子の封止用途として用いるため高い信頼
性が必要である。特に耐水性、線膨張係数を被着体に近
づけるために無機フィラーを添加することが好ましい。
その形状は接合時に流動性が必要であるため球状が好ま
しい。更にその大きさは平均粒径が０．５μｍから１２
μｍの範囲で且つ最大粒径が２０μｍ以下の球状フィラ
ーであることが好ましい。平均粒径が０．５μｍ未満で
あるとバンプ接合時にＢ−ステージ化された熱硬化性液
状封止樹脂組成物の流動性が不足となり、チップの外へ
の樹脂組成物の浸み出しが不十分となり、接着性不足に
よる信頼性の低下を招く恐れがある。また平均粒径が１
２μｍを超えると熱硬化性液状封止樹脂組成物の塗布時
に最外周以外のバンプ上にフィラーが残存し、バンプ接
合時に接触不良を起こす恐れがある。最大粒径が２０μ
ｍを超えると塗布厚みのばらつきが大きくなりボイドを
巻き込む恐れがある。
【００１１】本発明で用いる無機フィラーの種類は、窒
化アルミ、アルミナ、シリカなどがあるが、熱放散性と
コストの面からシリカ粒子が好ましく、低放射線性であ
ればより好ましい。形状は球状、破砕状、フレーク状等
があるが、フィラーの高充填化により線膨張係数の低減
化が図られる為、球状であることが望ましい。球状無機
フィラーの添加量は、全組成物に対して１０〜８０重量
％が望ましい。１０重量％未満だと、耐湿性や硬化物の
線膨張係数が大きくなりまたフィラーの分散むらも生じ
る。一方、８０重量％を越えると結果として得られる組
成物の粘度が高くなり過ぎ、接合時の流動特性が悪化す
るため好ましくない。
化アルミ、アルミナ、シリカなどがあるが、熱放散性と
コストの面からシリカ粒子が好ましく、低放射線性であ
ればより好ましい。形状は球状、破砕状、フレーク状等
があるが、フィラーの高充填化により線膨張係数の低減
化が図られる為、球状であることが望ましい。球状無機
フィラーの添加量は、全組成物に対して１０〜８０重量
％が望ましい。１０重量％未満だと、耐湿性や硬化物の
線膨張係数が大きくなりまたフィラーの分散むらも生じ
る。一方、８０重量％を越えると結果として得られる組
成物の粘度が高くなり過ぎ、接合時の流動特性が悪化す
るため好ましくない。
【００１２】本発明で用いられるＢ−ステージ化可能な
熱硬化性液状封止樹脂組成物の中で、特にエポキシ樹脂
／ジアミノジフェニルスルホン系が好ましい材料であ
る。しかし、エポキシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホ
ンにフィラーを添加した系で、Ｂ−ステージ化するとダ
イシングの時に樹脂組成物層が剥離したり、欠けたりす
るため、エポキシ樹脂としてはエポキシ当量が２００以
上で且つエポキシ基が２官能以上のものが主成分である
ことが好ましい。エポキシ当量が２００より小さいとＢ
−ステージ化後の樹脂が脆く、ダイシング時に剥離、欠
けが生じてしまうためである。また、半導体の封止に用
いられるためエポキシ樹脂のイオン性不純物、特に加水
分解性塩素は1000ppm以下であることが好ましい。
熱硬化性液状封止樹脂組成物の中で、特にエポキシ樹脂
／ジアミノジフェニルスルホン系が好ましい材料であ
る。しかし、エポキシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホ
ンにフィラーを添加した系で、Ｂ−ステージ化するとダ
イシングの時に樹脂組成物層が剥離したり、欠けたりす
るため、エポキシ樹脂としてはエポキシ当量が２００以
上で且つエポキシ基が２官能以上のものが主成分である
ことが好ましい。エポキシ当量が２００より小さいとＢ
−ステージ化後の樹脂が脆く、ダイシング時に剥離、欠
けが生じてしまうためである。また、半導体の封止に用
いられるためエポキシ樹脂のイオン性不純物、特に加水
分解性塩素は1000ppm以下であることが好ましい。
【００１３】更に、ダイシング時の剥離、欠けを防ぐた
め本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物に可塑性
ポリマーを添加することもできる。添加できる可塑性ポ
リマーとしては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹
脂、ブチラール樹脂、アクリロニトリルーフ゛タシ゛エン共重合体、ブタ
ジエン樹脂等をあげることが出来る。その添加量は熱硬
化性液状封止樹脂組成物に対して１〜３０重量％であ
る。１重量％未満であれば、熱可塑性ポリマーの持つ可
とう性が発現しないという問題があり、３０重量％を越
えるとＢ−ステージ化後の再溶融時の流動性に支障をき
たすという問題がある。
め本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物に可塑性
ポリマーを添加することもできる。添加できる可塑性ポ
リマーとしては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹
脂、ブチラール樹脂、アクリロニトリルーフ゛タシ゛エン共重合体、ブタ
ジエン樹脂等をあげることが出来る。その添加量は熱硬
化性液状封止樹脂組成物に対して１〜３０重量％であ
る。１重量％未満であれば、熱可塑性ポリマーの持つ可
とう性が発現しないという問題があり、３０重量％を越
えるとＢ−ステージ化後の再溶融時の流動性に支障をき
たすという問題がある。
【００１４】本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成
物の粘性挙動としては、チキソ比（東機産業社製、Ｅ型
粘度計（コーンサイズ：３°コーン、28mmφ,25℃、回
転数：0.5rpm、2.5rpm）での粘度比（0.5rpmの粘度／2.
5rpmの粘度）が１〜２であることが必要である。好まし
くは１〜１．５である。２を越えるとＢ−ステージ後の
塗布形状が中央が凸な形状になりにくい。また１を下回
ると、Ｂ−ステージ後に樹脂のだれ、広がりが起こるた
め凸状封止形状が得られず、接合時ボイドを巻き込み易
くなる。
物の粘性挙動としては、チキソ比（東機産業社製、Ｅ型
粘度計（コーンサイズ：３°コーン、28mmφ,25℃、回
転数：0.5rpm、2.5rpm）での粘度比（0.5rpmの粘度／2.
5rpmの粘度）が１〜２であることが必要である。好まし
くは１〜１．５である。２を越えるとＢ−ステージ後の
塗布形状が中央が凸な形状になりにくい。また１を下回
ると、Ｂ−ステージ後に樹脂のだれ、広がりが起こるた
め凸状封止形状が得られず、接合時ボイドを巻き込み易
くなる。
【００１５】本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成
物の製造方法は、まずエポキシ樹脂（固形の場合溶剤で
溶解させる）、ジアミノジフェニルスルホン、フィラー
を秤量し、ロール混練等を用いて均一分散させる。さら
に脱泡して作製する。また熱硬化性液状封止樹脂組成物
には、前記の必須成分の他に必要に応じて他の樹脂や反
応を促進するための触媒、希釈剤、顔料、カップリング
剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤等の添加物を用いて
も差し支えない。
物の製造方法は、まずエポキシ樹脂（固形の場合溶剤で
溶解させる）、ジアミノジフェニルスルホン、フィラー
を秤量し、ロール混練等を用いて均一分散させる。さら
に脱泡して作製する。また熱硬化性液状封止樹脂組成物
には、前記の必須成分の他に必要に応じて他の樹脂や反
応を促進するための触媒、希釈剤、顔料、カップリング
剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤等の添加物を用いて
も差し支えない。
【００１６】熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する方
法としては、ウエハー上に電気回路が形成された多数個
の半導体素子にバンプを形成させた後、熱硬化性液状封
止樹脂組成物を回路形成面のウエハー上または接合する
基板上に塗布する場合とがある。前者の場合、塗布形状
は図１のような形状にする。最外周のバンプを残す理由
は接合時のバンプと基板の接合部位とのアライメントを
決めるためにバンプを残すためである。それ以外のバン
プは封止樹脂で被われても構わない。熱硬化性液状封止
樹脂組成物は素子のほぼ中央、又は素子の中央部に相当
する基板の箇所が凸状になるように塗布される。またＢ
−ステージ後の塗布形状の最大高さは外周バンプの高さ
以上、２倍以下が好ましい。バンプ高さより最大塗布厚
みが低すぎると接合時に樹脂が素子外周部まで流動せず
信頼性が著しく低下する。２倍より高すぎるとバンプと
基板が接続された時位置ずれを起こす可能性がある。ま
たこのような塗布方法の場合、ウエハーにおける各素子
の個片化も全面封止の場合に比べダイシングガイドライ
ンが認識でき、容易に個片化できる。熱硬化性液状封止
樹脂組成物は素子のほぼ中央、又は素子の中央部に相当
する基板の箇所が凸状になるように塗布されるのは、例
えば、塗布形状が凹状になっていると接合後にボイドが
残るためである。
法としては、ウエハー上に電気回路が形成された多数個
の半導体素子にバンプを形成させた後、熱硬化性液状封
止樹脂組成物を回路形成面のウエハー上または接合する
基板上に塗布する場合とがある。前者の場合、塗布形状
は図１のような形状にする。最外周のバンプを残す理由
は接合時のバンプと基板の接合部位とのアライメントを
決めるためにバンプを残すためである。それ以外のバン
プは封止樹脂で被われても構わない。熱硬化性液状封止
樹脂組成物は素子のほぼ中央、又は素子の中央部に相当
する基板の箇所が凸状になるように塗布される。またＢ
−ステージ後の塗布形状の最大高さは外周バンプの高さ
以上、２倍以下が好ましい。バンプ高さより最大塗布厚
みが低すぎると接合時に樹脂が素子外周部まで流動せず
信頼性が著しく低下する。２倍より高すぎるとバンプと
基板が接続された時位置ずれを起こす可能性がある。ま
たこのような塗布方法の場合、ウエハーにおける各素子
の個片化も全面封止の場合に比べダイシングガイドライ
ンが認識でき、容易に個片化できる。熱硬化性液状封止
樹脂組成物は素子のほぼ中央、又は素子の中央部に相当
する基板の箇所が凸状になるように塗布されるのは、例
えば、塗布形状が凹状になっていると接合後にボイドが
残るためである。
【００１７】熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する方
法としては印刷、ディスペンス、転写等従来から知られ
た方法を用いることができる。その中で生産性を考慮す
ると印刷法が好ましい。これは一括して塗布できるから
である。
法としては印刷、ディスペンス、転写等従来から知られ
た方法を用いることができる。その中で生産性を考慮す
ると印刷法が好ましい。これは一括して塗布できるから
である。
【００１８】次に、熱硬化性液状封止樹脂組成物が塗布
されたウエハーを熱処理することにより、熱硬化性液状
封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する。その方法は前述
のとおり硬化温度よりも十分低い温度で熱処理する。次
にダイシング工程は従来より知られている通常の方法に
より行うことができる。
されたウエハーを熱処理することにより、熱硬化性液状
封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する。その方法は前述
のとおり硬化温度よりも十分低い温度で熱処理する。次
にダイシング工程は従来より知られている通常の方法に
より行うことができる。
【００１９】最後に圧着工程について説明する。半田バ
ンプを例にとると１００℃以上の温度と加重を加え半田
ボールを基板に圧接する。その時Ｂ−ステージ化された
樹脂組成物が融解して素子と基板の間隙を充填する。本
発明の場合、Ｂ−ステージ後の形状が凸になっているた
め融解する際樹脂は対抗する面にほぼ点で接することに
なる。その後徐々に樹脂が押し広げられるため巻き込み
によるボイドの発生は全くない。一方、Ｂ−ステージ後
の塗布形状が図４のような場合は中央の凹部と対抗する
面が接するときボイドとなって残ってしまう。
ンプを例にとると１００℃以上の温度と加重を加え半田
ボールを基板に圧接する。その時Ｂ−ステージ化された
樹脂組成物が融解して素子と基板の間隙を充填する。本
発明の場合、Ｂ−ステージ後の形状が凸になっているた
め融解する際樹脂は対抗する面にほぼ点で接することに
なる。その後徐々に樹脂が押し広げられるため巻き込み
によるボイドの発生は全くない。一方、Ｂ−ステージ後
の塗布形状が図４のような場合は中央の凹部と対抗する
面が接するときボイドとなって残ってしまう。
【００２０】次にリフロー炉を通すことにより半田バン
プが基板に接合され、封止も完了する。なお、鉛フリー
半田の様に半田の濡れ不足がおこる場合は予め基板又は
バンプにフラックス処理を行うこともできる。更には、
樹脂組成物中にフラックス材を添加することもできる。
この場合は、組立後の信頼性を高めるためフラックスは
熱硬化性樹脂樹脂と反応する事が好ましい。一般に用い
られているフラックス活性剤は吸湿処理するとイオンに
なりやすく、電気特性の大幅な低下をもたらすため好ま
しくないからである。その例としてはフェノール性水酸
基とカルボン酸を有する化合物、トリメリット酸のよう
なカルボン酸を含む酸無水物、ハイドロキノン骨格を有
する化合物等が挙げられる。また液状封止樹脂組成物が
より十分な特性を発現させるためにオーブン等に入れ後
硬化することも可能である。半導体装置の製作は、本発
明の熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体素子の組立
方法以外は従来の公知の方法を用いることができる。
プが基板に接合され、封止も完了する。なお、鉛フリー
半田の様に半田の濡れ不足がおこる場合は予め基板又は
バンプにフラックス処理を行うこともできる。更には、
樹脂組成物中にフラックス材を添加することもできる。
この場合は、組立後の信頼性を高めるためフラックスは
熱硬化性樹脂樹脂と反応する事が好ましい。一般に用い
られているフラックス活性剤は吸湿処理するとイオンに
なりやすく、電気特性の大幅な低下をもたらすため好ま
しくないからである。その例としてはフェノール性水酸
基とカルボン酸を有する化合物、トリメリット酸のよう
なカルボン酸を含む酸無水物、ハイドロキノン骨格を有
する化合物等が挙げられる。また液状封止樹脂組成物が
より十分な特性を発現させるためにオーブン等に入れ後
硬化することも可能である。半導体装置の製作は、本発
明の熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体素子の組立
方法以外は従来の公知の方法を用いることができる。
【００２１】
【実施例】＜実施例１＞ ・Ｂ−ステージ可能熱硬化性液状封止樹脂組成物の調製 ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量250）1
00重量部を溶剤として30重量部のフ゛チルセロソルフ゛アセテートに溶
解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン19.
1重量部、密着性付与材としてγ-ク゛リシト゛オキシトリメトキシシラン１
重量部、シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤とし
て2フェニル4エチルイミタ゛ソ゛ール0.5重量部、フィラーとして球状シ
リカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径10μｍ）120重量部、
チキソ性付与材として超微細シリカ（アエロジルR-80
5、日本アエロジル社製）５重量部を秤量し、３本ロー
ルにて混練・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状
封止樹脂組成物を作製した。チキソ比は１．３であっ
た。作製した熱硬化性液状封止樹脂組成物を、高さ70μ
ｍ、ピッチ間隔300μm、バンプ配置フルアレイ半田バン
プ（融点183℃の共晶半田）が形成されたウエハー（厚
み350μｍ、個々の素子サイズ10mm角）に印刷にて個々
の素子の中心に外周バンプを封止しないように塗布し
た。尚、印刷版は個々の素子の中心に直径8mmのメッシ
ュを切ったものを用いた。その後80℃、3時間加熱して
Ｂ−ステージ化を行った。Ｂ−ステージ後の塗布厚みは
100μｍであった。塗布形状は中心部が凸状であり、そ
の高さは最外周のパンプの高さの１．４倍であった。次
にダイシングソーを用いてウエハーを素子毎に個片化し
た。カット面付近にＢ−ステージ化した熱硬化性液状封
止樹脂組成物層に剥離、クラックは見られなかった。次
に120℃の温度にて接合部は半田メッキパッドそれ以外
はソルダーレジストである有機基板に素子を圧着した。
樹脂組成物の封止は1〜2秒で完了し、続けてIRリフロー
に通し（最大温度235℃、183℃以上のさらし時間６０
秒）、半田を基板に接合した。内部ボイドを超音波探傷
装置(SAT)で観察したがボイドは全くなかった。また断
面観察による接続性も問題なかった。信頼性試験は試験
片をさらに150℃,１時間後硬化させたものを用いた。更
に、試験片をＢ−ステージ化した後３ヶ月常温にて保存
したものを同様に接合し、初期のものと同様に樹脂組成
物の封止と接合を同時に行うことができた。
00重量部を溶剤として30重量部のフ゛チルセロソルフ゛アセテートに溶
解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン19.
1重量部、密着性付与材としてγ-ク゛リシト゛オキシトリメトキシシラン１
重量部、シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤とし
て2フェニル4エチルイミタ゛ソ゛ール0.5重量部、フィラーとして球状シ
リカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径10μｍ）120重量部、
チキソ性付与材として超微細シリカ（アエロジルR-80
5、日本アエロジル社製）５重量部を秤量し、３本ロー
ルにて混練・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状
封止樹脂組成物を作製した。チキソ比は１．３であっ
た。作製した熱硬化性液状封止樹脂組成物を、高さ70μ
ｍ、ピッチ間隔300μm、バンプ配置フルアレイ半田バン
プ（融点183℃の共晶半田）が形成されたウエハー（厚
み350μｍ、個々の素子サイズ10mm角）に印刷にて個々
の素子の中心に外周バンプを封止しないように塗布し
た。尚、印刷版は個々の素子の中心に直径8mmのメッシ
ュを切ったものを用いた。その後80℃、3時間加熱して
Ｂ−ステージ化を行った。Ｂ−ステージ後の塗布厚みは
100μｍであった。塗布形状は中心部が凸状であり、そ
の高さは最外周のパンプの高さの１．４倍であった。次
にダイシングソーを用いてウエハーを素子毎に個片化し
た。カット面付近にＢ−ステージ化した熱硬化性液状封
止樹脂組成物層に剥離、クラックは見られなかった。次
に120℃の温度にて接合部は半田メッキパッドそれ以外
はソルダーレジストである有機基板に素子を圧着した。
樹脂組成物の封止は1〜2秒で完了し、続けてIRリフロー
に通し（最大温度235℃、183℃以上のさらし時間６０
秒）、半田を基板に接合した。内部ボイドを超音波探傷
装置(SAT)で観察したがボイドは全くなかった。また断
面観察による接続性も問題なかった。信頼性試験は試験
片をさらに150℃,１時間後硬化させたものを用いた。更
に、試験片をＢ−ステージ化した後３ヶ月常温にて保存
したものを同様に接合し、初期のものと同様に樹脂組成
物の封止と接合を同時に行うことができた。
【００２２】＜樹脂組成物特性試験＞ （１）信頼性試験：基板に接合した素子を30℃、60%RH
吸湿処理を一週間行い、IRリフローに通した後、クラッ
ク、剥離を観察した。さらにサーマルサイクルテスト
（-55〜125℃、各さらし３０分）を1000サイクルを行
い、同様にクラック、剥離を観察した。 （２）接着試験：有機基板としてビスマレイミド−トリ
アジン（ＢＴ）レジン製基板上にソルダーレジスト（太
陽インキ社製ＰＳＲ−4000／ＣＡ−40）を形成したもの
を、ウエハー表面にハ゜ッシヘ゛ーション膜用ポリイミド（住友ベ
ークライト社製ＣＲＣ−6050）を塗布し、更に熱硬化性
液状封止樹脂組成物をスヒ゜ンコート法でコートし、80℃、3時
間かけＢ−ステージ化し、60μｍの厚みに塗布し最後に
ダイシングソーにて6×6ｍｍ角にカットした。シリコー
ンチップをポリイミド塗布面と熱硬化性液状封止樹脂組
成物が向き合う形で搭載し、150℃で圧着後更に150℃、
60分で硬化し試験片とした。このものの240℃における
ダイシェア強度をDAGE製ＢＴ100にて測定した（接着強
度１）。また、同試験片に湿度85％温度85℃の吸湿処理
を72時間施し、同様にダイシェア強度を測定し吸湿処理
後の密着性とした（接着強度２）。また、Ｂ−ステージ
化した熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布したチップを
常温にて３ケ月保管し同様の実験を行った。
吸湿処理を一週間行い、IRリフローに通した後、クラッ
ク、剥離を観察した。さらにサーマルサイクルテスト
（-55〜125℃、各さらし３０分）を1000サイクルを行
い、同様にクラック、剥離を観察した。 （２）接着試験：有機基板としてビスマレイミド−トリ
アジン（ＢＴ）レジン製基板上にソルダーレジスト（太
陽インキ社製ＰＳＲ−4000／ＣＡ−40）を形成したもの
を、ウエハー表面にハ゜ッシヘ゛ーション膜用ポリイミド（住友ベ
ークライト社製ＣＲＣ−6050）を塗布し、更に熱硬化性
液状封止樹脂組成物をスヒ゜ンコート法でコートし、80℃、3時
間かけＢ−ステージ化し、60μｍの厚みに塗布し最後に
ダイシングソーにて6×6ｍｍ角にカットした。シリコー
ンチップをポリイミド塗布面と熱硬化性液状封止樹脂組
成物が向き合う形で搭載し、150℃で圧着後更に150℃、
60分で硬化し試験片とした。このものの240℃における
ダイシェア強度をDAGE製ＢＴ100にて測定した（接着強
度１）。また、同試験片に湿度85％温度85℃の吸湿処理
を72時間施し、同様にダイシェア強度を測定し吸湿処理
後の密着性とした（接着強度２）。また、Ｂ−ステージ
化した熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布したチップを
常温にて３ケ月保管し同様の実験を行った。
【００２３】＜実施例２＞ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（エポキシ当量250）100重量部を溶剤として30重量
部のフ゛チルセロソルフ゛アセテートに溶解させたワニス100部、ジアミ
ノジフェニルスルホン19.1重量部、密着性付与材として
γ-ク゛リシト゛オキシトリメトキシシラン１重量部シリコーン系消泡剤１
重量部、硬化促進剤として2フェニル4エチルイミタ゛ソ゛ール0.5重量
部、フィラーとして球状シリカ（平均粒径0.8μｍ、最
大粒径20μｍ）120重量部、さらに可とう性付与材とし
て両末端カルボン酸であるフ゛タシ゛エンアクリロニトリルコホ゜リマー(CTBN
1300X9：宇部興産製)15部を秤量し３本ロールにて混練
・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組
成物を作製した。チキソ比は１．６であった。実施例１
と同様に接続試験を行い、さらに信頼性試験、接着試験
を行った。
樹脂（エポキシ当量250）100重量部を溶剤として30重量
部のフ゛チルセロソルフ゛アセテートに溶解させたワニス100部、ジアミ
ノジフェニルスルホン19.1重量部、密着性付与材として
γ-ク゛リシト゛オキシトリメトキシシラン１重量部シリコーン系消泡剤１
重量部、硬化促進剤として2フェニル4エチルイミタ゛ソ゛ール0.5重量
部、フィラーとして球状シリカ（平均粒径0.8μｍ、最
大粒径20μｍ）120重量部、さらに可とう性付与材とし
て両末端カルボン酸であるフ゛タシ゛エンアクリロニトリルコホ゜リマー(CTBN
1300X9：宇部興産製)15部を秤量し３本ロールにて混練
・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組
成物を作製した。チキソ比は１．６であった。実施例１
と同様に接続試験を行い、さらに信頼性試験、接着試験
を行った。
【００２４】＜実施例３＞ ・Ｂ−ステージ可能熱硬化性液状封止樹脂組成物の調製 ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量200）1
00重量部を溶剤として60重量部のフ゛チルセロソルフ゛アセテートに溶
解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン16
重量部、密着性付与材としてγ-ク゛リシト゛オキシトリメトキシシラン１
重量部、シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤とし
て2フェニル4エチルイミタ゛ソ゛ール0.5重量部、フィラーとして球状シ
リカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径10μｍ）120重量部、
チキソ性付与材としてアエロジルR-805（日本アエロジ
ル社製）３重量部、フラックス材として2,5-シ゛ヒト゛ロキシ安
息香酸１０重量部をを秤量し３本ロールにて混練・分散
後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組成物を
調製した。チキソ比は１．６であった。次に試験片作成
として、融点183℃の錫-亜鉛系共晶半田の代わりに錫-
銀-銅系鉛フリー半田を用いて実施例１と同様の試験を
行った。ただし、接続、半田クラック性試験の際のIRリ
フロー条件は、最大温度250℃、210℃以上のさらし温度
６０秒とした。
00重量部を溶剤として60重量部のフ゛チルセロソルフ゛アセテートに溶
解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン16
重量部、密着性付与材としてγ-ク゛リシト゛オキシトリメトキシシラン１
重量部、シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤とし
て2フェニル4エチルイミタ゛ソ゛ール0.5重量部、フィラーとして球状シ
リカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径10μｍ）120重量部、
チキソ性付与材としてアエロジルR-805（日本アエロジ
ル社製）３重量部、フラックス材として2,5-シ゛ヒト゛ロキシ安
息香酸１０重量部をを秤量し３本ロールにて混練・分散
後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組成物を
調製した。チキソ比は１．６であった。次に試験片作成
として、融点183℃の錫-亜鉛系共晶半田の代わりに錫-
銀-銅系鉛フリー半田を用いて実施例１と同様の試験を
行った。ただし、接続、半田クラック性試験の際のIRリ
フロー条件は、最大温度250℃、210℃以上のさらし温度
６０秒とした。
【００２５】＜比較例１＞実施例１における超微細シリ
カの添加量を15重量部に変更した以外は実施例１と同様
に熱硬化性液状封止樹脂組成物を調整した。チキソ比は
2.4であった。これを用いて実施例１と同様に印刷法に
て半導体素子に塗布した。Ｂ−ステージ化後の熱硬化性
液状封止樹脂組成物の塗布形状はほぼ平坦であり、局所
的にくぼみが生じていた。これを実施例１と同様に接続
試験を行ったところ、SATによる観察により基板と熱硬
化性液状封止樹脂組成物との界面にボイドがみられた。
さらに、実施例１と同様に信頼性試験、接着試験を行っ
た。
カの添加量を15重量部に変更した以外は実施例１と同様
に熱硬化性液状封止樹脂組成物を調整した。チキソ比は
2.4であった。これを用いて実施例１と同様に印刷法に
て半導体素子に塗布した。Ｂ−ステージ化後の熱硬化性
液状封止樹脂組成物の塗布形状はほぼ平坦であり、局所
的にくぼみが生じていた。これを実施例１と同様に接続
試験を行ったところ、SATによる観察により基板と熱硬
化性液状封止樹脂組成物との界面にボイドがみられた。
さらに、実施例１と同様に信頼性試験、接着試験を行っ
た。
【００２６】＜比較例２＞実施例１における超微細シリ
カ粉の添加量を０重量部とした以外は実施例１と同様に
熱硬化性液状封止樹脂組成物を調整した。チキソ比は
０．９であった。実施例１と同様に印刷を行いＢ−ステ
ージ化を行ったが、樹脂が素子最外周まで流れてしま
い、塗布厚みも不均一で外周バンプ高さより低くなって
しまった。実施例１と同様の試験を行った。
カ粉の添加量を０重量部とした以外は実施例１と同様に
熱硬化性液状封止樹脂組成物を調整した。チキソ比は
０．９であった。実施例１と同様に印刷を行いＢ−ステ
ージ化を行ったが、樹脂が素子最外周まで流れてしま
い、塗布厚みも不均一で外周バンプ高さより低くなって
しまった。実施例１と同様の試験を行った。
【００２７】試験の評価結果を表１に示す。
【表１】 ダイシング性：実施例に示したウエハーをダイシングし
たときのＢ−ステージ化した熱硬化性液状封止樹脂組成
物層の状態 接続性：光学顕微鏡を用いた断面観察 接続後内部ボイド：SATによる観察 半田クラック性試験：30℃,60%RH１週間吸湿処理後、IR
リフローを通した（一回）後の外観 ＋T/C試験：半田クラック性試験の条件に更に、-55〜12
5℃、各さらし時間３０分を1000サイクル処理した後の
外観 接着強度１：硬化直後の熱時強度（単位：kgf/6x6mmチ
ップ） 接着強度２：８５℃、８５％RH、72時間処理後の熱時強
度（単位：kgf/6x6mmチップ） 接着強度３：Ｂ−ステージ化後常温（２５℃）で３ヶ月
保管した後の接着強度１の試験 接着強度４： Ｂ−ステージ化後常温（２５℃）で３ヶ
月保管した後の接着強度２の試験
たときのＢ−ステージ化した熱硬化性液状封止樹脂組成
物層の状態 接続性：光学顕微鏡を用いた断面観察 接続後内部ボイド：SATによる観察 半田クラック性試験：30℃,60%RH１週間吸湿処理後、IR
リフローを通した（一回）後の外観 ＋T/C試験：半田クラック性試験の条件に更に、-55〜12
5℃、各さらし時間３０分を1000サイクル処理した後の
外観 接着強度１：硬化直後の熱時強度（単位：kgf/6x6mmチ
ップ） 接着強度２：８５℃、８５％RH、72時間処理後の熱時強
度（単位：kgf/6x6mmチップ） 接着強度３：Ｂ−ステージ化後常温（２５℃）で３ヶ月
保管した後の接着強度１の試験 接着強度４： Ｂ−ステージ化後常温（２５℃）で３ヶ
月保管した後の接着強度２の試験
【００２８】
【発明の効果】本発明の熱硬化性液状封止樹脂組成物、
半導体素子の組立方法に従うと、熱硬化性樹脂によるウ
エハーレベルパッケージの接続封止に際し、ボイドのな
い封止が可能となり、これを用いた半導体装置の信頼性
も大幅に向上する。
半導体素子の組立方法に従うと、熱硬化性樹脂によるウ
エハーレベルパッケージの接続封止に際し、ボイドのな
い封止が可能となり、これを用いた半導体装置の信頼性
も大幅に向上する。
【図１】半導体素子の個片化後の塗布形状を表す。（半
導体素子上に塗布）
導体素子上に塗布）
【図２】個片化後の塗布形状を表す。（基板上に塗布）
【図３】半導体素子の組立工程を表し、（１）バンピン
グウェハー、（２）個片化、（３）基板への塗布、Ｂ−
ステージ化、（４）接合前、（５）封止、接合後を表
す。
グウェハー、（２）個片化、（３）基板への塗布、Ｂ−
ステージ化、（４）接合前、（５）封止、接合後を表
す。
【図４】熱硬化性液状封止樹脂組成物が山状に塗布され
なかった場合の形状不良の一例を表し、（１）バンピン
グウェハー、（２）ウエハーへの塗布、Ｂ−ステージ
化、（３）個片化、（４）接合前、（５）封止、接合後
を表す。
なかった場合の形状不良の一例を表し、（１）バンピン
グウェハー、（２）ウエハーへの塗布、Ｂ−ステージ
化、（３）個片化、（４）接合前、（５）封止、接合後
を表す。
１；半導体素子 ２；バンプ ３；熱硬化性液状封止樹脂組成物 ４；基板 ５；接合部位 ６；ウエハー ７；ボイド ８；バンプ高さ ９；最大塗布高さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｅ 21/60 ３１１ 21/60 ３１１Ｓ 23/29 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 AC032 AC072 BE062 CD001 CH082 CK022 CL002 CM042 CP032 DE146 DF016 DJ016 EE058 EL138 EV217 FA086 FD016 FD147 FD158 GJ02 GQ01 4J036 AA01 DA05 DB05 DB15 DB22 DD05 FA01 FB01 FB05 FB10 FB12 FB14 FB16 JA07 4M109 AA01 BA03 CA12 DB17 EA02 EB06 EB07 EB08 EB13 EB18 EC20 GA10 5F044 RR17 RR18 RR19 5F061 AA01 BA03 CA12 FA06
Claims (9)
- 【請求項１】 １）平均粒径が０．５μｍから１２μｍ
、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー、
２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上の
エポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニ
ルスルホンを含む熱硬化性液状封止樹脂組成物におい
て、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘
度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘
度比）が１〜２であることを特徴とする熱硬化性液状封
止樹脂組成物。 - 【請求項２】 熱硬化性液状封止樹脂組成物が反応性フ
ラックスを含む請求項１記載の熱硬化性液状封止樹脂組
成物。 - 【請求項３】 熱硬化性液状封止樹脂組成物が可塑性ポ
リマーを含む請求項１記載の熱硬化性液状封止樹脂組成
物。 - 【請求項４】 １）基板と電気的接合させるためのバン
プを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハー又
は該基板上にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹
脂組成物を塗布する工程、２）該熱硬化性液状封止樹脂
組成物をＢ−ステージ化する工程、３）該ウエハーをダ
イシングし、半導体素子を個片化する工程、４）個片化
した半導体素子と基板とを仮接合し同時にＢ−ステージ
化された熱硬化性液状封止樹脂組成物を加熱流動させ冷
却する圧着工程、５）バンプを基板に接合する工程から
なる半導体素子の組立方法において、該塗布する工程に
おいて熱硬化性液状封止樹脂組成物をウエハーに塗布す
る場合、一個の半導体素子のエリアの少なくとも外周バ
ンプ部分を残して塗布し、かつＢ−ステージ後の塗布形
状が素子の中央部分が凸状になるよう塗布され、もしく
は基板に塗布する場合、塗布形状が素子の中央部分に対
応する基板面が凸状になるよう塗布されることを特徴と
する半導体素子の組立方法。 - 【請求項５】 塗布する工程において、熱硬化性液状封
止樹脂組成物のＢ−ステージ後の塗布部中心の高さが、
半導体素子最外周のバンプ高さ以上で２倍以下である請
求項４記載の半導体素子の組立方法。 - 【請求項６】 熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する
工程が印刷法により行われる請求項４記載の半導体素子
の組立方法。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化
性液状封止樹脂組成物を用いて塗布される請求項４記載
の半導体素子の組立方法。 - 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化
性液状封止樹脂組成物を用いて製作された半導体装置。 - 【請求項９】 請求項４〜７のいずれかに記載の半導体
素子の組立方法を用いて製作された半導体装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2000311621A JP4206631B2 (ja) | 2000-10-12 | 2000-10-12 | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 |
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-
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- 2000-10-12 JP JP2000311621A patent/JP4206631B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| A977 | Report on retrieval |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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