JP4449325B2

JP4449325B2 - 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。

Info

Publication number: JP4449325B2
Application number: JP2003112753A
Authority: JP
Inventors: 範行大東
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2003-04-17
Filing date: 2003-04-17
Publication date: 2010-04-14
Anticipated expiration: 2023-04-17
Also published as: JP2004315688A

Description

【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は、回路基板上にＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子のバンプ電極をフリップチップ接続により直接接合する際の半導体用接着フィルム、並びにそれを用いた半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化、薄型化に伴って半導体素子の更なる高密度実装技術の確立が要求されている。半導体装置の実装方法として従来から用いられているリードフレームを用いた方法では、この様な高密度実装の要求には応えることができなかった。また、これらを接着させるダイボンディング材料のうち現在では主に樹脂ペーストを用いる方法が主流となっている。
【０００３】
そこで、半導体素子の大きさとほぼ同じサイズの半導体装置を実装する方法としてフリップチップ実装が提案されている。フリップチップ実装は、近年の電子機器の小型化、高密度化に対して半導体素子を最小の面積で実装できる方法として注目されてきた。このフリップチップ実装に使用される半導体素子のアルミ電極上にはバンプが形成されており、バンプと回路基板上の配線とを電気的に接合する。これらのバンプの組成としては、主に半田が使用されておりこの半田バンプは、蒸着やメッキで、チップの内部配線につながる露出したアルミ端子上に形成する。他にはワイヤーボンディング装置で形成される金スタッドバンプなどがある。
【０００４】
このようなフリップチップ接続された半導体装置は、そのままで使用すると接続部の電極が空気中に露出しており、チップと基板の熱膨張係数の差が大きいため、半田リフローなどの後工程の熱履歴によりバンプの接続部分に大きな応力がかかり、実装信頼性に問題があった。
この問題を解決するため、バンプと基板とを接続した後、接合部分の信頼性を向上させるために、半導体素子と基板の間隙を樹脂ペーストで埋めて硬化させて半導体素子と基板とを固定する方法が採用されている。（例えば、特許文献１、２参照。）
ところが、一般にフリップチップ実装を行うような半導体素子は電極数が多く、また回路設計上の問題から電極は半導体素子の周辺に配置されているため、樹脂ペーストの充填時にこれらの半導体素子の電極間から液状樹脂を毛細管現象で流し込みを行うと、樹脂が十分に行き渡らず未充填部が出来やすく、半導体素子の動作が不安定になるなどの動作不良や耐湿信頼性が低いといった問題があった。更に、チップサイズが小さくなると液状樹脂のはみ出しにより基板を汚染したり、電極間のピッチが狭くなると樹脂の流し込みが困難となる。また、フリップチップ接続した半導体素子１つ１つに樹脂を充填するにはあまりにも時間がかかるため、硬化させる工程も考慮すると生産性にも課題があると言える。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−３３６２４４公報（第２〜４頁）
【特許文献２】
特開２００１−１２７２１５公報（第２〜６頁）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的とするところは、バンプ電極付きの半導体ウェハの電極側に熱圧着でき、ダイシングにより個片の半導体素子に切断分離した後、フリップチップ接続により電極を直接接合し、かつ基板を強固に固定し高い実装信頼性を得ることのできる半導体用接着フィルムとそれらを用いた半導体装置及びその製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］半導体用接着フィルムをバンプ電極付きのウェハのバンプ側に圧着成形し、樹脂の充填と同時にバンプ電極部を表面に出して得られた半導体ウェハをダイシングにより半導体素子個片に切断分離し、該半導体素子の接着フィルムを介してフリップチップ接続により回路基板等に該バンプ電極を直接接合してなり、前記半導体用接着フィルムを前記バンプ電極付きウェハ上に２０〜８０℃で均一に押し広げて圧着成形する工程を有する半導体装置の製造方法に用いる半導体用接着フィルムであって、（Ａ）一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、（Ｄ）フィラーを必須成分とし、２０〜８０℃における動的粘度が１０００〜５００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする絶縁性の半導体用接着フィルム、
【化２】

【０００８】
［２］（Ａ）一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂の数平均分子量が１０，０００〜１００，０００である第［１］項記載記載の半導体用接着フィルム、
［３］半導体用接着フィルムをバンプ電極付きのウェハのバンプ側に圧着成形し、樹脂の充填と同時にバンプ電極部を表面に出して得られた半導体ウェハをダイシングにより半導体素子個片に切断分離し、該半導体素子の接着フィルムを介してフリップチップ接続により回路基板等に該バンプ電極を直接接合してなる半導体装置の製造方法であって、第［１］又は［２］項記載の半導体用接着フィルムを外部端子用バンプ電極付きウェハ上に２０〜８０℃で均一に押し広げて圧着成形する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、
［４］半導体用接着フィルムをバンプ電極付きのウェハのバンプ側に圧着成形し、樹脂の充填と同時にバンプ電極部を表面に出して得られた半導体ウェハをダイシングにより半導体素子個片に切断分離し、該半導体素子の接着フィルムを介してフリップチップ接続により回路基板等に該バンプ電極を直接接合してなる半導体装置の製造方法であって、ウェハの上に第［１］又は［２］項記載の半導体用接着フィルムと剥離用支持基材とを剥離用支持基材が上になるようにして、バンプ端面が該剥離用支持基材に埋設するまで２０〜８０℃の温度及び０．１〜５．０ＭＰａの圧力を掛けてウェハ上に圧着成形したのち、該剥離用支持基材を剥がしてバンプ端面を該接着フィルムから露出させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、
［５］第［３］又は［４］項記載の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置、
である。
【０００９】
【発明実施の形態】
フェノキシ樹脂は、高い凝集力を持った強靭で延性のある熱可塑性樹脂であり、極性のある被着体との濡れ性や結合を高める水酸基を有する。また、フェノキシ樹脂は耐熱性に優れ、接着フィルムを圧着成形させる際にも変質せず、非晶性ポリマーであるので冷却後も結晶化しない。そのため、平滑な塗膜を得ることができ、フィルム化も容易となる。これらの特徴を有するフェノキシ樹脂を用いることにより、硬化後の接着フィルムに高い密着性と高い靭性を付与でき、接着力と接続信頼性に優れる半導体用接着フィルムが得られる。
【００１０】
本発明の半導体用接着フィルムは、構成する樹脂組成物中に一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂を含有することが特徴であり、例えば、有機硬質基板やフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）に接続した場合、耐熱性・耐湿性が優れるため種々の環境下での接続信頼性が得られる。また、フェノキシ樹脂はポリイミドや金属と化学的相互作用を示すため、有機硬質基板、ＦＰＣやソルダーレジストコート基板に対して従来では得られなかった密着性が発現する。
【化３】

【００１１】
一般式（１）以外のフェノキシ樹脂では、耐熱性・耐湿性と密着性の両立が困難で、一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂のみが種々の被着体に対して十分な接続信頼性を得ることが出来る。即ち、一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂のＸのうち、式（３）で表されるフルオレン骨格を有する有機基の割合Ｂが１０ｍｏｌ％以上であることが重要であり、これにより良好な耐熱性・耐湿性が得られるのである。また、一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂の数平均分子量は、１０，０００〜１００，０００であることが好ましい。下限値を下回ると硬化後の樹脂の靭性を損なうため信頼性を低下させる恐れがあり、上限値を超えるとフリップチップボンディング時に流動性を低下させる恐れがあるので好ましくない。
【００１２】
本発明に用いられる式（１）で表されるフェノキシ樹脂以外にも、密着性や接続信頼性を向上させるため、他のエラストマーを併用することが出来る。例えば、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ナイロン、スチレン−イソプレン共重合体、スチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体などを用いることができ、単独あるいは２種以上混合しても良い。
【００１３】
本発明に用いられるエポキシ樹脂は、１分子中に少なくとも２個以上のエポキシ基を有するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、単独でも混合して用いても差し支えない。
【００１４】
本発明に用いるマイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物は、エポキシ樹脂にイミダゾールを付加させたものを約５ミクロンまで微粉化し、その表面のヒドロキシル基をイソシアナートで処理することで得られる。これにより貯蔵安定性・潜在性を高めることができる。ここで用いるエポキシ化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びブロム化ビスフェノールＡ等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ダイマー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル等が挙げられる。
また、イミダゾール誘導体としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチル−５−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【００１５】
本発明に用いる無機フィラーには、窒化アルミ、アルミナ、シリカなどあるが、熱放散性とコスト面からシリカ粒子が好ましく、低放射線性であればより好ましい。フィラー形状には球状と破砕状、フレーク状等の非球状フィラーがある。例えば、球状フィラーを用いた場合その最大粒径が２０μｍ以下であることが好ましい。最大粒径が２０μｍを越えるフィラーを含む接着フィルムで接着させた場合、フィラーの祖粒分が目詰まりを起こしチップと基板の隙間にボイドが発生し、信頼性を招くことから好ましくない。今回、最大粒径１０μｍのシリカフィラーを用いたが特にこれに限定するのもではない。
【００１６】
更に本発明の接着フィルムには、必要に応じてカップリング剤等の添加剤を用いることができる。本発明で使用できるカップリング剤としては、シラン系、チタネート系、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。その中でも、シリコンチップとの界面での密着性が良いシラン系カップリング剤が好ましい。例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。カップリング剤の配合量は、樹脂１００重量部に対し０．５〜１０重量部が好ましい。
【００１７】
また、本発明の半導体用接着フィルムには樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を適宜添加しても良い。
【００１８】
本発明による、式（１）で表されるフェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物とを配合して得られる半導体用接着フィルムは、耐熱性・耐湿性および接着信頼性に優れる。
【００１９】
本発明の半導体用接着フィルムの製造方法としては、まず、前記の各成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及びその他の添加剤を有機溶剤中で混合してワニス状とし、これを塗布してフィルムを形成する。具体的には、例えばＰＥＴ基材を支持体として用い、その支持基材上に、フローコーター、ロールコーター、コンマコーターなどによりフィルムを形成させ、溶剤を加熱乾燥させて接着フィルムを作製する。
【００２０】
本発明の半導体装置は、前記半導体用接着フィルムを用いてバンプ電極付きウェハ上に一括に圧着成形した後、ダイシングにより個片分離した接着剤付き半導体素子を半導体搭載用の有機硬質基板やフレキシブル回路基板等に直接接合してかつ接着フィルムをアンダーフィル材として供給する方法で製造される。従って各半導体チップごとに個別にアンダーフィルが供給される場合に比べて、作業時間は著しく短縮される。また、上記製造方法により接続信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体用接着フィルムを外部端子用バンプ電極付きウェハ上に２０〜８０℃で均一に押し広げて圧着成形する工程を有するものである。上記温度範囲を外れた温度で接着フィルムを圧着成形した場合には、ウェハ上で不均一な部分やバンプ周辺等に樹脂が十分に充填されない恐れがあり、個片化した半導体素子をフリップチップ接続する際に樹脂が均一に流動せず回路段差の埋込が不十分となったり、バンプ電極周辺に空隙が生じたりし接続信頼性を低下させる恐れがあるため好ましくない。また、用いる接着フィルムの動的粘度は、２０〜８０℃で１０００〜５００００Ｐａ・ｓとなることが好ましい。下限値を下回ると、フィルムとして取り扱うことが困難で、特に作業性を低下させる恐れがあるため好ましくない。逆に上限値を越えると、バンプ電極付きウェハ上に一括に圧着成形させる際に、バンプ電極周辺に樹脂が十分に充填されない恐れがあり好ましくない。
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法は、更に、半導体用接着フィルムと剥離用支持基材とを剥離用支持基材が上になるようにして、バンプ端面が該剥離用支持基材に埋設するまで２０〜８０℃の温度及び０．１〜５ＭＰａの圧力を掛けてウェハ上に圧着成形したのち、該剥離用支持基材を剥がしてバンプ端面を該接着フィルムから露出させる工程を有するのが好ましい。この支持基材は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリオレフィン（ＰＯ）といった素材から選ばれるが、特にポリオレフィンが好適に使用される。バンプ端面上に樹脂が残っていると、半導体素子のフリップチップ接続時に樹脂中の無機充填フィラーがパッドとバンプ間に挟まり接続不良となる恐れがあるため好ましくない。上記圧力範囲を外れた圧力で接着フィルムを圧着成形した場合には、ウェハ上で不均一な部分やバンプ周辺等に樹脂が十分に充填されない恐れやウェハの破損を招く恐れがあるため好ましくない。
【００２３】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない
【００２４】
実施例１〜５及び比較例１〜５
実施例１〜５及び比較例１〜５の各成分の配合割合は表１のように調製した。この時使用した原材料を以下に示す。
・式（１）で表されるフルオレン骨格のフェノキシ樹脂（Ｍｗ：５０，０００）（東都化成株式会社製、商品名ＦＸ−２０８Ｓ）
・ビスフェノールＡ型のフェノキシ樹脂（Ｍｗ：４５,０００）（東都化成株式会社製、商品名ＹＰ−５０）
・ビスフェノールＡ型／ビスフェノールＦ型のフェノキシ樹脂（Ｍｗ：４０,０００）（東都化成株式会社製、商品名ＹＰ−７０）
・アクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製、商品名ＳＧ−８０Ｈ）
・コアシェル型アクリルゴム（三菱レーヨン株式会社製、商品名Ｗ−３８０）
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ等量：４０００ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名Ｅｐ１１００Ｌ）
・ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（エポキシ当量：２７０ｇ／ｅｐ、大日本インキ工業株式会社製、商品名ＨＰ−７２００）
・球状シリカフィラー（平均粒径：２μｍ、アドマテック株式会社製、商品名ＳＥ−５１０１）
・カップリング剤１（信越シリコーン株式会社製、商品名ＫＢＭ−４０３Ｅ）
・カップリング剤２（日本ユニカ株式会社製、商品名Ａ−１２８９）
・マイクロカプセル化２−メチルイミダゾール誘導体エポキシ化合物（旭化成エポキシ株式会社製、商品名ＨＸ−３９４１ＨＰ）
表１のように調合し均一分させた後、熱風循環式乾燥機の中で加熱乾燥を行い、離型処理を施したポリオレフィン上に乾燥後の厚さが５０μｍになるように半導体用接着フィルムを得た。
【００２５】
次に、得られた半導体用接着フィルムの硬化物性、諸特性を測定した。
１．動的粘度測定方法
ハーケ・レオメーターにより周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、測定温度領域２０〜１５０℃の条件で行い２５℃、８０℃での動的粘度を読み取った。
２．ガラス転移温度、弾性率測定方法
得られた半導体用接着フィルムを、一般的に使われる恒温槽中で１８０℃、１時間の硬化を行い、幅５．０ｍｍ、厚み５０μｍの測定サンプルを得た後、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）により測定を行った。測定は、引っ張り法、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定温度領域２０℃〜３００℃の条件で行った。弾性率は３０℃、２００℃、での貯蔵弾性率Ｅ′を読み取り、ガラス転移温度はｔａｎδのピークにより算出した。
３．吸水率の測定
得られた半導体用接着フィルムを、一般的に使われる恒温槽中で１８０℃、１時間の硬化を行い、重量で１ｇの測定サンプルを得た。その後、測定サンプルを恒温・恒湿槽中で温度８５℃、湿度８５％で１６８時間吸水処理を行い、吸水処理前重量と吸水処理後の重量変化率を吸水率とした。
４．ラミネート・ダイシング性評価
得られた半導体用接着フィルムを５インチのウェハサイズよりも大きく支持基材（ポリオレフィン）ごと切断し、５インチのバンプ電極付きウェハの電極部側に樹脂フィルムを合わせる。次に離型処理付き支持基材を上に挟み、表１に示した温度、圧力で、加圧時間１０秒で真空中加熱圧着し接着樹脂付きウェハを得る。続いて、ダイシングソー（DISCO製 DAD-2H6M）を用いてスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード２０ｍｍ／ｓｅｃで切断分離した１０ｍｍ×１０ｍｍ角個片の接着フィルム付き半導体素子の樹脂剥がれを観察した。判定はチップ上から樹脂が剥離及び剥がれて飛散したチップ数の割合が１０％以下の時を○、１０％を越える時を×として判定した。
５．フリップチップ接続性：充填性
前記４で作製した樹脂付きチップを用いて評価用基板（ポリイミド二層テープ基板）上に、温度２００℃、時間３０秒、圧力０．５ＭＰａの条件でフリップチップボンダー装置（澁谷工業製ＤＢ２００）にて圧着し、実装試験を行った。この時ボイド・空隙の有無を顕微鏡観察し、さらに断面観察により確認を行った。チップ中央部にボイド・空隙がある場合は×、その他チップ端のボイド・空隙については１ｍｍ以上を×とし、それ以外を○と判定した。
６．フリップチップ接続性：導通テスト
ボイド・空隙試験用に作製したフリップチップパッケージを１５０℃で３０分の熱処理により硬化した後、パッケージを常温（２５℃）、２６０℃の熱板上に２０秒づつ置き繰り返し３回行った。このサンプルを室温及び１５０℃で接続抵抗を測定した。導通不良が１つでも発生したら×、それ以外の時は○と判定した。
７．２４０℃熱時接着強度（ポリイミド）
２．５φｍｍの形状でフィルムを打ち抜き、温度８０℃、圧力１ＭＰａ、時間１．０秒の条件でポリイミドコートした４ｍｍ角チップに仮止めし、続いて同じ性状のチップに温度２００℃、圧力１ＭＰａ、時間１５秒の条件で貼り合わせる。１５０℃で３０分の硬化後、プッシュプルゲージを用い２４０℃、２０秒後での熱時ダイシェア強度を測定した。
【００２６】
比較例６
比較例６の配合割合は表１のように調製した。比較例６のみに使用した原材料を以下に示す。
・ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、日本化薬株式会社製、ＲＥ４０３Ｓ）
・ジエチルジアミノジフェニルメタン
・２−フェニル−４−メチルイミダゾール
・カーボンブラック
これらの原材料を３本ロールにて分散混錬し、真空脱泡処理をしてアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を得た。
【００２７】
次に、得られたアンダーフィル用液状封止樹脂組成物の硬化物性、諸特性を測定した。
１．動的粘度測定方法
２．ガラス転移温度、弾性率測定方法
３．吸水率の測定
５．フリップチップ接続性：充填性
６．フリップチップ接続性：導通テスト
７．２４０℃熱時接着強度（ポリイミド）
は実施例１と同様にして評価を行った。
４．ラミネート・ダイシング性評価
得られたアンダーフィル用液状封止樹脂組成物を、離型処理を施したキャリアフィルム（ＰＥＴ）上にキャスティングし、一般的に使われる恒温槽中で８０℃、１時間のＢ−ステージ化させ均一なフィルム状樹脂組成物を得た。このフィルム状組成物を支持基材（ＰＥＴ）よりも大きく切断し、バンプ電極付きウェハの電極部側に樹脂フィルムを合わせる。次に離型処理付き支持基材を上に挟み、表１に示した温度２５℃、圧力０．０５ＭＰａで、加圧時間１０秒で真空中圧着し接着樹脂付きウェハを得る。続いて、ダイシングソー（DISCO製 DAD-2H6M）を用いてスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、カッティングスピード２０ｍｍ／ｓｅｃで切断分離した１０ｍｍ×１０ｍｍ角個片の接着フィルム付き半導体素子の樹脂剥がれを観察した。判定はチップ上から樹脂が剥離及び剥がれて飛散したチップ数の割合が１０％以下の時を○、１０％を越える時を×として判定した。
【００２８】
各樹脂の評価結果を表１に示した。
【００２９】
【表１】

【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、バンプ電極付きウェハへの樹脂のラミネートにおいてバンプ端面が良好に露出させることが可能で、かつダイシング等のプロセスにも十分耐えることができる。更に、得られた接着剤付き半導体素子はテープ基板又は有機硬質基板に該バンプ電極を直接接合することができ、その固定及び補強を目的としたアンダーフィル樹脂となる。また、実装信頼性に優れたエレクトロニクス材料に最適な接着フィルムを提供することができる。

Claims

半導体用接着フィルムをバンプ電極付きのウェハのバンプ側に圧着成形し、樹脂の充填と同時にバンプ電極部を表面に出して得られた半導体ウェハをダイシングにより半導体素子個片に切断分離し、該半導体素子の接着フィルムを介してフリップチップ接続により回路基板等に該バンプ電極を直接接合してなり、前記半導体用接着フィルムを前記バンプ電極付きウェハ上に２０〜８０℃で均一に押し広げて圧着成形する工程を有する半導体装置の製造方法に用いる半導体用接着フィルムであって、（Ａ）一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、（Ｄ）フィラーを必須成分とし、２０〜８０℃における動的粘度が１０００〜５００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする絶縁性の半導体用接着フィルム。
（Ａ）一般式（１）で表されるフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂の数平均分子量が１０，０００〜１００，０００である請求項１記載の半導体用接着フィルム。
半導体用接着フィルムをバンプ電極付きのウェハのバンプ側に圧着成形し、樹脂の充填と同時にバンプ電極部を表面に出して得られた半導体ウェハをダイシングにより半導体素子個片に切断分離し、該半導体素子の接着フィルムを介してフリップチップ接続により回路基板等に該バンプ電極を直接接合してなる半導体装置の製造方法であって、請求項１又は２記載の半導体用接着フィルムを外部端子用バンプ電極付きウェハ上に２０〜８０℃で均一に押し広げて圧着成形する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体用接着フィルムをバンプ電極付きのウェハのバンプ側に圧着成形し、樹脂の充填と同時にバンプ電極部を表面に出して得られた半導体ウェハをダイシングにより半導体素子個片に切断分離し、該半導体素子の接着フィルムを介してフリップチップ接続により回路基板等に該バンプ電極を直接接合してなる半導体装置の製造方法であって、ウェハの上に請求項１又は２記載の半導体用接着フィルムと剥離用支持基材とを剥離用支持基材が上になるようにして、バンプ端面が該剥離用支持基材に埋設するまで２０〜８０℃の温度及び０．１〜５ＭＰａの圧力を掛けてウェハ上に圧着成形したのち、該剥離用支持基材を剥がしてバンプ端面を該接着フィルムから露出させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項３又は４記載の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。