JP2007051184A - 熱硬化型エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【効果】 本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性、更には耐熱性、耐熱衝撃性に優れた硬化物を与え、更にこの硬化後は内部応力が小さいため半導体装置の反りが低減し、特に大型のダイサイズや基板サイズの半導体装置の封止材として有効である。また、この封止材を用いた半導体装置は非常に信頼性の高いものである。
【選択図】 なし
Description
しかしながら、アンダーフィル材を注入したのち一般的に熱硬化型樹脂型のアンダーフィル材を用いると高い温度150℃/10分以上の加熱硬化が必要になる。最近では、低温80℃/10分のアンダーフィル材も紹介されている(特開2003−246828号)が樹脂を注入する工程および、樹脂を硬化させる工程が必要になり、著しく生産性を落とす要因となっているのが現状である。
また、一旦実装した電子部品の不良が発生した場合、電子部品のリペアーが必須となっており、特開2003−246828号では、比較的低温180℃から250℃で取り外しが可能であるといわれている。
[(A)液状エポキシ樹脂]
(i)一般の液状エポキシ樹脂
本発明に用いられる(A)成分の液状エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであれば、分子構造、分子量等は特に限定されないが、特にビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種単独で又は2種以上混合して用いることができる。この中でも室温(例えば25℃)で液状のエポキシ樹脂が望ましい。
上記一般式(2)のエポキシ樹脂の例としては、日本化薬社製MRGE等が挙げられる。
本発明の組成物には、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はアルケニル基含有フェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式(2)
HaRbSiO(4-a-b)/2 (2)
(式中、Rは置換又は非置換の一価炭化水素基、aは0.01〜0.1、bは1.8〜2.2、1.81≦a+b≦2.3である。)
で示される1分子中の珪素原子の数が20〜400であり、かつ珪素原子に直接結合した水素原子(SiH基)の数が1〜5、好ましくは2〜4、特には2個であるオルガノポリシロキサンのSiH基との付加反応により得られる共重合体からなるシリコーンエポキシ変性樹脂を配合する。
R10としては、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜8程度の非置換又はハロゲン置換1価炭化水素基であることが好ましく、具体的には、前記したRにおいて例示したものと同様のものが挙げられる。また、mは19〜99の整数であることが好ましい。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、液状エポキシ樹脂を硬化させるために硬化剤を添加する。
本発明の硬化剤としては、上記エポキシ樹脂を硬化し得るものであれば特に限定されず、硬化性エポキシ樹脂組成物に用いられる硬化剤全般を使用することができるが、例えば、液状エポキシ樹脂中のエポキシ基と反応可能な官能基(例えばフェノール型水酸基、アミノ基、酸無水物基など)を2個以上(但し、酸無水物基は1個以上)有する化合物が挙げられ、分子構造、分子量等は特に限定されず、公知のものを使用することができるが、特にフェノール系硬化剤が好ましく用いられる。
かかるアルケニル基含有フェノール系硬化剤の例としては、アリル基含有フェノール樹脂が挙げられ、具体的には本州化学工業製DAL−BPAが挙げられる。
更に、本発明の組成物には、(A)成分の液状エポキシ樹脂を硬化させるため、あるいは液状エポキシ樹脂と、(B)成分である硬化剤との硬化反応を促進するために、硬化促進剤を配合する。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものならば特に限定されないが、特にイミダゾール化合物、有機リン系化合物等から選ばれる1種又は2種以上の硬化促進触媒を含むものをそのまま添加するか、又は内部に上記した硬化促進剤を内包するマイクロカプセル型硬化促進剤あるいはそれらの混合物として使用することが好ましい。
2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2,4−ジメチルイミダゾール、1,2−ジエチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−へプタデシルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1)’]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1)’]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1)’]−エチル−S−トリアジンイソシアヌール酸付加物、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−アリール−4,5−ジフェニルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられる。
(式中、R9は水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基である。)
上記R9のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が挙げられ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられ、好ましくは水素原子又はメチル基である。
本発明では、膨張係数を小さくする目的から従来より知られている各種の無機質充填剤を添加する。具体的に無機質充填剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、窒化アルミニウム、窒化珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート、アルミニウム等が使用される。なかでも真球状の溶融シリカが低粘度化が可能なために望ましい。
前記表面処理は、前記無機充填材の分散性を向上させるために行われる。前記無機充填材の平均粒径が0.01μm未満であるとエポキシ樹脂組成物の粘度が高く恐れがあり、作業性が著しく悪くなる恐れがある。また、0.10μmを越えると硬化前の封止物の形状維持が困難となるという問題がある。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、応力を低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹脂などを配合してもよい。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じ、接着性向上用炭素官能性シラン、カーボンブラック等の顔料、染料、酸化防止剤、表面処理剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等)、その他の添加剤を配合することができる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、例えば、液状エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機質充填剤、変性シリコーン樹脂、必要に応じて任意成分を同時あるいは別々に、必要により加熱処理を加えながら攪拌、溶解、混合、分散させる。これらの操作に用いる装置は特に限定されないが、攪拌、加熱装置を備えたライカイ機、3本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、これら装置を適宜組み合わせてもよい。
表1で示す各成分を3本ロールで均一に混練りすることにより8種の液状エポキシ樹脂組成物を得た。これらの液状エポキシ樹脂組成物を用いて、以下に示す試験を行った。その結果を表1に示す。
各組成物について、JIS Z−8803に準じ、測定温度:25℃、E型粘度計を用いて2分後の値を測定した。
上記(a)の粘度の測定においてローシェアとハイシェアの比が10倍になるようにして測定した両者の粘度の比の値を示した。
組成物のゲル化時間を200℃の熱板上で測定した。
5mm×5mm×15mmの『常温→200〜260℃(ハンダ溶融温度範囲内)/30秒以上5分以下→常温』で硬化させた硬化物試験片を用いて、TMA(熱機械分析装置)により毎分5℃で昇温してTgを測定した。また、測定されたTgにより以下の温度範囲の膨張係数を測定した。
Tgが30〜100℃の場合は、CTE1は−30〜0℃、CTE2は150〜180℃の温度範囲のときの膨張係数
Tgが100℃以上の場合は、CTE1は50〜80℃、CTE2は200〜230℃の温度範囲のときの膨張係数
セイコー社製DMA(DMS−120)により、30℃及び200℃での硬化物の弾性率を測定し、200℃の弾性率に対する30℃の弾性率の比として示した。
ハンダバンプの付いた半導体素子(10*10mm)を接合させるBT基板(接合パッド;ハンダ)上に樹脂組成物を塗布し、フリップチップボンダーで仮接合したのち、Max温度240℃+/-5℃、最低温度195℃で1分〜2分のプロファイルに設定したIRリフローオーブンで硬化させ、半導体素子とBT基板の隙間に樹脂が中心部に流れているか確認した。外周より3mm以上中心に流れていたものをNGとした。
ソルダーレジストAUS308をコートしたBT基板上に上面の直径2mm、下面の直径5mm、高さ3mmの円錐台形状の試験片を載せ、Max温度240℃+/-5℃、最低温度195℃で1分〜2分のプロファイルに設定したIRリフローオーブンで硬化させた。硬化後、得られた試験片の剪断接着力を測定した。いずれの場合も試験片の個数は5個で行い、その平均値を接着力として表記した。
ハンダバンプの付いた半導体素子半導体素子を接合させるBT基板(接合パッド;ハンダ)上に樹脂組成物を塗布し、フリップチップボンダーで仮接合したのち、Max温度240℃+/-5℃、最低温度195℃で1分〜2分のプロファイルに設定したIRリフローオーブンで硬化させ、ハンダ接合性(抵抗値)を測定し、導通の有無を確認した。
ハンダバンプの付いた半導体素子半導体素子を接合させるBT基板(接合パッド;ハンダ)上に樹脂組成物を塗布し、フリップチップボンダーで仮接合したのち、Max温度240℃+/−5℃、最低温度195℃で1分〜2分のプロファイルに設定したIRリフローオーブンで硬化させ、それを260℃に設定したホットプレートに置き、半導体素子が5MPa以下で外せるか確認した。外せるものをOK、外せないものをNGとした。
○MH700:メチルテトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化製)
共重合体:
○2PHZ−PW:2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、(四国化成社製)
○硬化剤A:DAL−BPA(本州化学工業社製) 粘度(25℃)=16Pa・s 水酸基当量=154
○硬化剤B:DL92(明和化成製) 常温で固体 水酸基当量=107
○SE8FC:平均粒径8μm、最大粒径24μm以下の球状シリカ(龍森製)
○表面処理無機充填材シリカM ヘキサメチルシラザン:SE31(商品名、信越化学工業社製)で表面処理したフュームドシリカ:アエロジル130(商品名、日本アエロジル社製、平均粒径:0.15μm)
2 エポキシ樹脂組成物
3 パッド
4 CPS
5 ハンダバンプ
Claims (11)
- 基板上に電気的接合させる為のハンダバンプを有する半導体部品を表面実装する際に、ハンダバンプ材料の融点において、硬化しない状態が少なくとも30秒以上あり、かつ半導体部品パッケージの外周の全部または一部に塗布した形状を維持したまま、半導体パッケージと電気回路基板の間には浸透することなく、表面実装時にハンダ接続の後に熱硬化できることを特徴とする熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
- ハンダバンプ材料が、融点が200〜240℃である鉛フリーハンダである請求項1に記載の熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
- ハンダバンプ材料が、共晶ハンダである請求項1に記載の熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
- ハンダバンプ材料の融点において、硬化しない状態が30秒以上5分未満であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
- 上記熱硬化型エポキシ樹脂組成物が
(A)液状エポキシ樹脂
(B)硬化剤
(C)硬化促進剤
(D)無機質充填剤
を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の組成物。 - 硬化前におけるチキソトロピー指数が1.1〜4.0であることを特徴とする請求項5に記載の熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
- 上記熱硬化型エポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度(Tg)が30〜120℃の範囲であり、かつ150℃以上の動的粘弾性率に対する30℃以下の動的粘弾性率の比が100以上であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の組成物。
- 硬化促進剤が、イミダゾール化合物又は有機リン化合物、内部にイミダゾール化合物又は有機リン化合物を内包するマイクロカプセル、あるいはこれらの混合物であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項にの組成物。
- 硬化促進剤が、内部にイミダゾール化合物又は有機リン化合物を内包する平均粒径0.5〜10μmのマイクロカプセルであって、ハンダバンプ材料の融点以上の温度で溶融あるいは軟化することを特徴とする請求項9に記載の組成物。
- 請求項1〜10のいずれか1項記載の組成物の硬化物で封止された半導体装置。
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---|---|
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008239822A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及び電子デバイス |
JP2009094493A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-30 | Toray Ind Inc | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
JP2010528134A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 接着剤 |
JP2010192525A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Namics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010195998A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
JP2013253195A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物 |
TWI427132B (zh) * | 2007-09-19 | 2014-02-21 | Toray Industries | 電子構件用黏著劑組成物及使用它之電子構件用黏著劑片 |
JP2015108155A (ja) * | 2015-02-20 | 2015-06-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物、並びにそれを用いた実装部品構造体及び実装部品の表面実装方法 |
WO2015163080A1 (ja) * | 2014-04-22 | 2015-10-29 | 積水化学工業株式会社 | 貫通電極付き半導体チップ用接着フィルム |
WO2019167460A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
US11171018B2 (en) | 2019-10-11 | 2021-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device and encapsulant |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08198938A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物 |
JPH08198937A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物 |
WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
JPH10321666A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nec Corp | フリップチップ実装型半導体素子の樹脂封止構造 |
JP2002121358A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-04-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 |
JP2002293880A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2003128875A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-05-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003142972A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 電子部品装置の製造方法 |
JP2004027005A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005036069A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 |
JP2005105243A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-04-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 |
-
2005
- 2005-08-16 JP JP2005235779A patent/JP4786964B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08198938A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-08-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物 |
JPH08198937A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物 |
WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
JPH10321666A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nec Corp | フリップチップ実装型半導体素子の樹脂封止構造 |
JP2002121358A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-04-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 |
JP2002293880A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP2003128875A (ja) * | 2001-08-16 | 2003-05-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003142972A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 電子部品装置の製造方法 |
JP2004027005A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2005036069A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 |
JP2005105243A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-04-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008239822A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱硬化性樹脂組成物及び電子デバイス |
JP2010528134A (ja) * | 2007-05-22 | 2010-08-19 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 接着剤 |
TWI427132B (zh) * | 2007-09-19 | 2014-02-21 | Toray Industries | 電子構件用黏著劑組成物及使用它之電子構件用黏著劑片 |
JP2009094493A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-30 | Toray Ind Inc | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
JP2010192525A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Namics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010195998A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
JP2013253195A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Namics Corp | エポキシ樹脂組成物 |
US10131826B2 (en) | 2014-04-22 | 2018-11-20 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Adhesive film for semiconductor chip with through electrode |
WO2015163080A1 (ja) * | 2014-04-22 | 2015-10-29 | 積水化学工業株式会社 | 貫通電極付き半導体チップ用接着フィルム |
KR20160145552A (ko) | 2014-04-22 | 2016-12-20 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 관통 전극이 형성된 반도체 칩용 접착 필름 |
JP2015108155A (ja) * | 2015-02-20 | 2015-06-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物、並びにそれを用いた実装部品構造体及び実装部品の表面実装方法 |
WO2019167460A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
CN111801781A (zh) * | 2018-03-01 | 2020-10-20 | 日立化成株式会社 | 半导体用粘接剂及使用了其的半导体装置的制造方法 |
KR20200125956A (ko) * | 2018-03-01 | 2020-11-05 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체용 접착제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
JPWO2019167460A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2021-02-25 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体用接着剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
TWI782177B (zh) * | 2018-03-01 | 2022-11-01 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 半導體用接著劑及使用其的半導體裝置的製造方法 |
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KR102570823B1 (ko) * | 2018-03-01 | 2023-08-25 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 반도체용 접착제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
CN111801781B (zh) * | 2018-03-01 | 2024-02-20 | 株式会社力森诺科 | 半导体用粘接剂及使用了其的半导体装置的制造方法 |
US11171018B2 (en) | 2019-10-11 | 2021-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device and encapsulant |
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Publication number | Publication date |
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