JP2019507809A - エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の使用、光電子デバイス、およびエポキシ樹脂組成物の製造方法 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の使用、光電子デバイス、およびエポキシ樹脂組成物の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019507809A
JP2019507809A JP2018541405A JP2018541405A JP2019507809A JP 2019507809 A JP2019507809 A JP 2019507809A JP 2018541405 A JP2018541405 A JP 2018541405A JP 2018541405 A JP2018541405 A JP 2018541405A JP 2019507809 A JP2019507809 A JP 2019507809A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
mass
content
inorganic filler
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018541405A
Other languages
English (en)
Inventor
クロース フェーン
クロース フェーン
クリスティーナ キース
クリスティーナ キース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2019507809A publication Critical patent/JP2019507809A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013Fillers, pigments or reinforcing additives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241Titanium dioxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2244Oxides; Hydroxides of metals of zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/005Additives being defined by their particle size in general
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/006Additives being defined by their surface area

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本発明は、上限粒径(dmax)が30μm以下であり、かつ金属または半金属の酸化物または窒化物である少なくとも1種の無機充填剤(F)、少なくとも1種の脂環式エポキシ樹脂、ポリ酪酸ビニル、少なくとも1種のカチオン性促進剤を含み、薄壁構造素子用の一成分系である、エポキシ樹脂組成物に関する。【選択図】 図12

Description

本発明は、エポキシ樹脂組成物、詳細には、一成分エポキシ樹脂組成物に関する。さらに本発明は、エポキシ樹脂組成物の使用に関する。さらに本発明は、光電子デバイスに関する。さらに本発明は、エポキシ樹脂組成物の製造方法に関する。
電子デバイスでは、例えば発光ダイオードおよび光モジュールなどの光電子デバイスでは、エポキシ樹脂、熱可塑性物質、およびシリコーンが、取付けおよびハウジング材料、注型用樹脂、ならびに/または、例えば光変換素子、反射層、および光学フィルタ用のマトリックス材料、ならびにレンズ材料として、しばしば使用される。今日、ポリフタルアミド、シリコーン、成型可能エポキシ樹脂化合物(EMC)を主にベースとするガラス繊維強化熱可塑性物質などの高性能ポリマーは、それらのハウジング材料としての価値が証明されている。しかし、使用される充填剤の加工およびサイズに起因して、これらの材料では200μmよりもかなり薄い壁厚のハウジングを生成することができない。さらに、これらの材料は、シロキサンおよびシリコーンを含有する添加剤および加工助剤に関する懸念があるので、限られた程度でしかクリーンルーム条件下で使用することができない。
本発明により解決されることになる目的は、特性が改善されたエポキシ樹脂組成物を提供することである。詳細には、エポキシ樹脂組成物は、壁厚が80μm以下の光電子デバイス用のハウジングを提供し、または製造するのに使用することができる。さらに、本発明によるエポキシ樹脂組成物は、高い動作温度用に使用することができる。本発明の他の目的は、特性が改善されたエポキシ樹脂組成物を有する光電子デバイスを提供することである。本発明の別の目的は、費用効果の高い、エポキシ樹脂組成物の製造方法を提供することである。
これらの目的は、独立請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物(Epoxy resin system)によって解決される。本発明の、有利な実施形態および他の開発点が、従属請求項の対象である。さらに、これらの目的は、請求項13に記載のエポキシ樹脂組成物の使用によって解決される。さらに、これらの目的は、請求項14に記載の光電子デバイスによって解決される。さらに、これらの目的は、請求項15に記載のエポキシ樹脂組成物の製造方法によって解決される。
少なくとも1つの実施形態では、エポキシ樹脂組成物は、少なくとも1種の無機充填剤、少なくとも1種の脂環式エポキシ樹脂、ポリ酪酸ビニル、および少なくとも1種のカチオン性促進剤を含み、またはこれらからなる。無機充填剤は、特に、金属もしくは半金属の酸化物、または金属もしくは半金属の窒化物である。詳細には、無機充填剤は、上限粒径(dmax)が30μm以下である。エポキシ樹脂組成物は、詳細には、一成分系である。
エポキシ樹脂は、通常、使用できる状態にするために、使用者によって混合される二成分系として提供される。いわゆる「A成分」は、エポキシ樹脂を通常含有し、いわゆる「B成分」は硬化剤であり、所定の混合比で樹脂に添加される。一成分系とは、ここでおよび下記において、エポキシ樹脂組成物が反応性であり、熱硬化し、B成分がないことを意味する。一成分系は、使用できる状態で配送され、貯蔵することができる。B成分は、特に、カルボン酸無水物などの有機物質である。B成分のカルボン酸無水物は、促進剤と共に、通常は、A成分を架橋させる(配合されたエポキシ樹脂に対応する)。この架橋は、熱硬化性エポキシ樹脂成型材料(duromer epoxy resin molding material)を生成する。カルボン酸無水物は、促進剤と共に、硬化剤として記述することができる。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、少なくとも1種の無機充填剤、または数種の無機充填剤の混合物を含む。無機充填剤は、金属の酸化物、半金属の酸化物、金属の窒化物、および半金属の窒化物を含む群から選択される。詳細には、無機充填剤は、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、および酸化ジルコニウムを含む群から選択される。
詳細には、好ましくは非晶質である二酸化ケイ素が、無機充填剤として使用される。CAS番号(化学情報検索サービス機関)が60676−86−0である二酸化ケイ素が好ましい。
少なくとも1つの実施形態によれば、無機充填剤の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して50質量%〜85質量%、好ましくは60質量%〜80質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、無機充填剤の比表面積は、2g/m〜20g/m、詳細には、2g/m〜10/m、好ましくは2g/m〜8g/m、特に好ましくは2.2g/m〜5.5g/mである。
加えて、または代替として、無機充填剤の粒径d50は、0.5μm以上および/または20μm以下であってもよい。詳細には、無機充填剤の粒径d50は、2μm〜10μm、好ましくは2.5μm〜4.4μmである。
代替として、または加えて、無機充填剤の上限粒径dmaxは、30μm以下、または25μm以下、または20μm以下とすることができ、詳細には、16μm以下、例えば12μmとすることができる。
比表面積は、BET等温式を用いて測定することができる。他に明記しない限り、粒径d50は、以下において値d50と定義され、この値は、材料の50%が、体積分率においてこのサイズまたは直径よりも小さく、かつ/または材料の50%が、上記サイズまたは直径よりも大きくなるように定義される。粒径は、動的光散乱(DLS)によって測定することができる。上限粒径dmaxという用語は、ここでは、および下記では、上限粒径として最大直径を有する粒子として充填される無機充填剤について記述するのに使用される。言い換えれば、DLS(動的光散乱)によれば、上限粒径よりも大きい粒径の無機充填剤は、エポキシ樹脂組成物内に存在しない。
少なくとも1つの実施形態によれば、無機充填剤の比表面積は、2g/m〜20g/m、粒径d50は、20μm以下であり、上限粒径dmaxは、30μm以下である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、少なくとも1種の脂環式エポキシ樹脂を含む。CAS番号が2386−87−0であるエポキシ樹脂組成物は、脂環式エポキシ樹脂組成物として好ましくは使用される。
少なくとも1つの実施形態によれば、脂環式エポキシ樹脂は、少なくとも2個のエポキシ官能基を含有する。
少なくとも1つの実施形態によれば、脂環式エポキシ樹脂は、3,4−エポキシシクロヘキシル−メチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、およびポリ[(2−オキシラニル)−1,2−シクロヘキサンジオール]−2−エチル−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオールエーテルを含む化合物の群から選択される。好ましくは、脂環式エポキシ樹脂は、下記の構造(式I)を有する3,4−エポキシシクロヘキシル−メチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレートまたは(ビス(エポキシシクロヘキシル)メチルカルボキシレート)である。
一実施形態では、エポキシ樹脂組成物は、いかなる芳香族エポキシ樹脂も含有しない。好ましくは、エポキシ樹脂組成物は、芳香族化合物を含有しない。芳香族化合物とは、少なくとも1個の芳香環を含有する化合物を意味する。エポキシ樹脂組成物は、芳香族エポキシ樹脂を含まないので、好ましくは芳香族化合物を含まないので、エポキシ樹脂組成物は、さらに著しい光安定性を有する。このことは、例えば発光ダイオード(LED)などの光電子デバイスにおいて、放射線に曝露されたときに黄変を受け難いことを意味する。ビスフェノールAをベースにしたエポキシ樹脂と比較すると、光安定性が増大する。
少なくとも1つの実施形態によれば、脂環式エポキシ樹脂の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して3質量%〜50質量%、好ましくは3質量%〜40質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、二酸化チタン、TiOが、無機充填剤として使用される。詳細には、ルチル型二酸化チタンが使用される。詳細には、二酸化チタンのCAS番号は13463−67−7であり、EINECS番号は236−675−5であり、色指数はCI77891であり、かつ/またはピグメントホワイト6(77891)である。
エポキシ樹脂組成物の少なくとも1つの実施形態によれば、ポリマー添加剤としてポリ酪酸ビニルを含有する。詳細には、CAS番号が68648−78−2であるポリ酪酸ビニルが使用される。
ポリ酪酸ビニルは、種々の分子量で、および種々のアセタール化度で入手可能である(式III)。エポキシ樹脂組成物は、種々の分子量でおよび/または種々のアセタール化度で、いくつかのポリ酪酸ビニルを含むことができる。
式IIIの構造単位中に示される、アセタール基、アセチル基、およびヒドロキシ基の配置は、固定されたものとは見なされない。むしろ、アセタール基、アセチル基、およびヒドロキシ基の統計的分布または配置があってもよい。例えば、構造セクションは、このようなものであってもよい(式V)。
ポリ酪酸ビニルは、脂環式エポキシ樹脂中への十分な溶解性を示す。
少なくとも1つの実施形態によれば、ポリ酪酸ビニルの気体転移温度は、63〜84℃である。ポリ酪酸ビニルは、室温では固体として存在する。
少なくとも1つの実施形態によれば、ポリ酪酸ビニルの平均分子量は、10,000g/mol〜80,000g/mol、好ましくは20,000g/mol〜70000g/mol、例えば30,000g/molまたは600,000g/molである。
そのような平均分子量を有するポリ酪酸ビニルの使用により、従来の脂環式エポキシをベースにしたエポキシ樹脂よりも、脆さが低減され、亀裂しにくく、かつ結合強度が高くなったエポキシ樹脂組成物が入手可能である。
少なくとも1つの実施形態によれば、ポリ酪酸ビニルは、PVB B 30 T、PVB B 30 M、PVB B 30 H、PVB B 30 S、PVB B 30 HH、PVB B 60 T、PVB B 60 M、PVB B 60 H、PVB B 60 S、PVB B 60 HH、およびこれらの組合せからなる群から選択される。これらの化合物は、クラレ社製の種々のポリ酪酸ビニルである。ここで、「30」または「60」は、約30,000g/molまたは60,000g/molの平均分子量を表す。「T、M、H、S、およびHH」は、アセタール化度の表示であり、この順序で増大する。したがって、「T」は、低いアセタール化度を表し、「HH」は、可能な限り最も高いアセタール化度を表す。
使用されるポリ酪酸ビニルの量および種類に起因して、エポキシ樹脂組成物の弾性および熱機械的性質、接着および水分吸収挙動、ならびに環境影響に対する耐性を、目標通りに制御することができる。
エポキシ樹脂組成物の少なくとも1つの実施形態によれば、ポリ酪酸ビニルの含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0.1質量%〜10質量%、好ましくは0.1質量%〜3質量%である。
エポキシ樹脂組成物の少なくとも1つの実施形態によれば、ポリ酪酸ビニルの含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0.1質量%〜10質量%、好ましくは0.1質量%〜3質量%である。
エポキシ樹脂組成物は、カチオン性促進剤を有する。カチオン性促進剤は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0.1質量%〜3質量%、好ましくは0.1質量%〜2質量%の含量で存在していてもよい。促進剤は、温度に曝されると、カチオン性単独重合メカニズムによりエポキシ官能基を架橋させることによって、エポキシ樹脂組成物を硬化させる。
少なくとも1つの実施形態によれば、カチオン性促進剤は、ハロニウムおよび/またはスルホニウム塩であり、好ましくはチオラニウム塩である。カチオン性促進剤は、BF 、PF 、AsF 、および/またはSbF などの錯アニオンを含有していてもよい。詳細には、カチオン性促進剤は、下記の構造式を有するS−ベンジルチオラニウムヘキサフルオロアンチモネートである。
カチオン性促進剤は、Sigma AldrichからPI 55として得ることができる。
エポキシ樹脂組成物の少なくとも1つの実施形態によれば、アルコールも含む。アルコールは、多価であってもよい。アルコールは、脂肪族アルコールまたは脂環式アルコールとすることができる。アルコールは、エタノール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、2−エチル−2−ヒドロキシメチル、1,3−プロパンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリポリエチレングリコール、モノアルキルエーテル、グリセリン、およびイソソルビットからなる群から選択されてもよい。詳細には、アルコールは、1,2−プロパンジオール、ブタンジオール、またはトリメチロールプロパンであってもよい。エポキシ樹脂組成物のレオロジー、機械的、および熱機械的性質、ならびに濡れおよび流動挙動は、アルコールを添加することによって、エポキシ樹脂組成物の所望の適用形態に適合させることができる。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、アルコールを、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して、0.1質量%または3質量%〜3質量%または10質量%、好ましくは0.1質量%〜5質量%含む。
代替として、または追加として、エポキシ樹脂組成物は他のエポキシ樹脂を含有していてもよい。他のエポキシ樹脂は、例えば、エポキシフェノール・ノボラックおよびエポキシレゾール・ノバラックとすることができる。詳細には、CAS番号が28064−14−4であるエポキシフェノール・ノボラックが使用される。エポキシフェノール・ノボラックは、下記の構造式を有していてもよい。
(式中、nは、好ましくは0.2〜1.8である。)
少なくとも1つの実施形態によれば、その他のエポキシ樹脂の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量の、0質量%〜10質量%、好ましくは0質量%〜5質量%である。エポキシフェノール・ノボラック樹脂は、専門家に公知であり、したがって本明細書では説明しない。エポキシフェノール・ノボラック樹脂は、DOW社から、例えばDEN−タイプとして入手可能である。その他のエポキシ樹脂は、例えばHuntsman社から、型表示EPNおよびECNで入手可能である。
少なくとも1つの実施形態では、エポキシ樹脂組成物は、反応性希釈剤、シランカップリング剤、カーボンブラック、二酸化チタン顔料、ヒュームドシリカ、CaCO、脱空気剤、脱気剤、レベリング剤、剥離剤、光安定化剤、有機色素、増白剤、および蛍光顔料であってLED変換用のものからなる群から選択されるその他の材料を含む。さらにエポキシ樹脂組成物は、カーボンブラック、二酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、および/または蛍光体などの顔料を含有することができる。
反応性希釈剤は、エポキシ樹脂、または1個もしくは2個のエポキシ官能基を備えたエポキシ樹脂化合物を含んでいてもよい。詳細には、反応性希釈剤は、脂肪族エポキシ化合物である。反応性希釈剤は、エポキシ樹脂組成物のガラス転移温度および粘度に影響を及ぼす可能性がある。例えば、CAS番号が16096−31−4であるヘキサンジオールジグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテルを、反応性希釈剤として選択することができる。
詳細には、反応性希釈剤の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜10質量%、好ましくは0質量%〜5質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、シランカップリング剤を有することができる。シランカップリング剤は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜5質量%、好ましくは0質量%〜3質量%を含有していてもよい。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、カーボンブラック顔料を含むことができる。詳細には、カーボンブラック顔料の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜2質量%、詳細には0質量%〜1質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、二酸化チタン顔料を含有する。詳細には、二酸化チタン顔料の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜20質量%、好ましくは0質量%〜10質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、ヒュームドシリカを、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して詳細には、0質量%〜3質量%、好ましくは0質量%〜2質量%の含量で含有する。Aerosil R202またはAerosil 200は、発熱性シリカとして使用することができる。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、シリコーン・フリーの脱空気剤および/または脱気剤を有することができる。脱空気剤および/または脱気剤は、有機フッ素化合物、エステル、またはアクリレートを含有していてもよい。例えば、BYK−A555は、脱空気剤および/または脱気剤として使用することができる。脱空気剤および/または脱気剤は、市販品としてEvonikおよびBYK−Chemieから入手可能である。
詳細には、脱空気剤および/または脱気剤の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜1質量%、詳細には、0質量%〜0.5質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、レベリング剤を有する。例えば、Modaflourシリーズの製品をレベリング剤として使用することができる。詳細には、レベリング剤の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜1質量%、好ましくは0質量%〜0.5質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、剥離剤を含有する。長鎖カルボン酸のワックスを、剥離剤として好ましくは使用することができる。12〜30個の炭素原子を持つ炭素鎖またはカルボン酸は、長鎖であると理解される。例えば、市販のカルナウバ・ワックス、またはBaerloher製炭化水素ワックスBaerolub L−KKを、剥離剤として使用することができる。詳細には、剥離剤は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜1質量%、好ましくは0質量%〜0.5質量%で含有する。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、1種または複数の光安定化剤を含有する。商標名Tinnvin、Irgonor、Irgafos、Tinnvin234、Tinnvin123、Irgafos163、またはIrganoxMD1024を持つシリーズの製品を、光安定化剤および/または安定化剤として使用することができる。詳細には、光安定化剤の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜1質量%、好ましくは0質量%〜0.5質量%である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、蛍光増白剤および/または色素を含有していてもよい。例えばエポキシ樹脂組成物は、アントラキノン色素を含有していてもよい。
詳細には、有機色素および/または増白剤の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0質量%〜1質量%、好ましくは0質量%〜0.5質量%である。
例えば、1,3−ジ−第3級ブチル−4−ヒドロキシフェノールを、光安定化剤として使用することができる。光安定化剤は、商標名Tinuvinの下で入手可能でもある。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、蛍光顔料を含有する。希土類がドープされたガーネット、希土類がドープされたアルカリ土類硫化物、希土類がドープされたチオガリウム酸化合物、希土類がドープされたアルミン酸化合物、希土類がドープされたオルトシリケートもしくはクロロシリケートなどのケイ酸化合物、希土類がドープされたアルカリ土類窒化ケイ素、希土類がドープされた酸窒化物、希土類がドープされた酸窒化アルミニウム、希土類がドープされた窒化ケイ素、および/またはサイアロンを、蛍光体として選択することができる。ガーネット、例えばイットリウム・アルミニウム酸化物(YAG)、イットリウム・ガドリニウム・アルミニウム酸化物、ルテニウム・アルミニウム酸化物(LuAG)、ガリウム・アルミニウム酸化物、およびテルビウム・アルミニウム酸化物(TAG)を、蛍光体として使用することができる。蛍光体には、セリウムイオン、ユーロピウムイオン、テルビウムイオン、プラセオジムイオン、サマリウムイオン、またはマンガンイオンをドープすることができる。詳細には、蛍光体は、ある波長の放射線を別の波長の放射線に、特に、より長い波長の放射線に変換するように設計される。これらの蛍光体を、変換体材料と呼ぶこともできる。好ましくは、蛍光顔料または蛍光体の含量は、エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0〜30質量%、好ましくは0質量%〜20質量%である。
詳細には、エポキシ樹脂組成物の成分であるシランカップリング剤、ヒュームドシリカ、脱空気剤、脱気剤、レベリング剤、剥離剤、光安定化剤、有機色素および/または増白剤は、樹脂添加剤として記述することもできる。それぞれの特定の適用例および使用に対して微細に調整するために、これらの樹脂添加剤の含量は、合計で5質量%以下である。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、含量が好ましくは85質量%の脂環式エポキシ樹脂、含量が好ましくは10質量%のエポキシフェノール・ノボラック、含量が好ましくは1質量%のアルコール、含量が好ましくは3質量%のポリ酪酸ビニル、および含量が好ましくは1質量%のカチオン性促進剤を含み、またはこれらからなる。
詳細には、そのような組成を有するエポキシ樹脂組成物の屈折率は、24℃で1.5065であり、粘度は25℃で2900mPa・sである。
少なくとも1つの実施形態では、エポキシ樹脂組成物の組成は、含量が好ましくは95.5質量%の脂環式エポキシ樹脂、含量が好ましくは1質量%のアルコール、含量が好ましくは2質量%のポリ酪酸ビニル、および含量が好ましくは1.5質量%のカチオン性促進剤を含み、またはこれらからなる。そのようなエポキシ樹脂組成物の屈折率は、25℃で1.4960であり、粘度は、25℃で1240mPa・sである。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、好ましくは含量が96.8質量%の脂環式エポキシ樹脂、含量が好ましくは1質量%のアルコール、含量が好ましくは1質量%のポリ酪酸ビニル、および含量が好ましくは1.2質量%のカチオン性促進剤を含む。そのようなエポキシ樹脂組成物の屈折率は、22℃で1.4974、粘度は、25℃で609mPa・sである。
エポキシ樹脂組成物の製造および/またはそれへの樹脂添加剤もしくは顔料などの添加剤の混合は、当業者に公知の方法で実施することができる。第2の方法ステップでは、無機充填剤、好ましくは非晶質二酸化ケイ素、ならびに任意選択でカーボンブラック、二酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、および/または蛍光体などの顔料が、好ましくは添加される。熱硬化は、上述の錯アニオンを含んでいてもよい、カチオン性促進剤としてチオラニウム塩を持つカチオン性メカニズムを使用して、120℃よりも高い温度で行うことができる。
本発明者らは、上述のエポキシ樹脂組成物は有利な特性を有し、かつ一成分系であることを認識した。エポキシ樹脂組成物は、室温で、または特に冷蔵庫で貯蔵することができる。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、4℃〜10℃の温度で、詳細には、少なくとも6カ月間、貯蔵安定性を有する。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、無水物を含まず(無水物フリーであり)、シリコーンを含まず(シリコーンフリーであり)、かつ/またはシロキサンを含まない(シロキサンフリーである)。詳細には、エポキシ樹脂組成物は、クリティカルなクリーンルームの適用例に合わせて、シリコーンおよびシロキサンがない状態で配合することができる。
エポキシ樹脂組成物は、低い熱膨張係数を有しうる。例えば、無機充填剤の充填度が65質量%では、エポキシ樹脂組成物の熱膨張係数(TMA、CTE、熱膨張係数(coefficient of thermal expansion))は、20ppm/Kでありうる。
エポキシ樹脂組成物は、高いガラス転移温度、特に200℃(DMA)を超えるガラス転移温度を有しうる。
エポキシ樹脂組成物は、高い短期間耐熱性を有しうる。このことは、エポキシ樹脂組成物が、通常は260℃、場合によってははんだ付け中に短時間で到達する最高325℃の高温に対して、安定性があることを意味する。加熱速度10K/分で、TGA媒体(TGA、熱重量分析)として合成空気を用いた300℃でのエポキシ樹脂質量の重量損失は、<1%である。
エポキシ樹脂組成物は、詳細には、光学的用途に関して良好な光安定性を持つ黒色および/または白色調節表面として、使用することができる。
少なくとも1つのバージョンによれば、エポキシ樹脂組成物の塩素含量は、<100ppmであり、特に<50ppmであり、好ましくは<20ppmである。
特に、エポキシ樹脂組成物のEHS(環境(Environmental)、健康(Health)、および安全性(Safety))リスク・ポテンシャルは低く、したがって、労働上の安全性および環境において人々にはそれほどクリティカルではないものとして分類することができる。
エポキシ樹脂組成物は、広いレオロジー窓に起因して、詳細には、他の適用例に関して使用することができる。例えばエポキシ樹脂組成物は、ハウジング材料、取付け材料、注型用樹脂、光変換素子、反射層、および光学フィルタ用のマトリックス材料、またはレンズ材料として、使用することができる。詳細には、エポキシ樹脂組成物は、光電子デバイス用の薄壁ハウジングに、特に壁厚が≦80μmのものに使用することができる。さらに、エポキシ樹脂組成物の利点とは、シリコーンおよびエポキシ成型化合物に比べて製造コストが低いことである。
エポキシ樹脂組成物の使用も示される。上述のエポキシ樹脂組成物は、光電子デバイスに、好ましくは使用される。
少なくとも1つの設計によれば、光電子デバイスは、発光ダイオード、光ダイオード、光トランジスタ、光アレイ、光カプラ、SMDデバイス、およびSMD対応デバイスを含む群から選択される。光電子デバイスは、例えば、自動車の分野において、かつ/またはアウトドアの適用例に関して、使用することができる。
光電子デバイスも特定される。好ましくは、光電子デバイスは、上述のエポキシ樹脂組成物を有する。光電子デバイスに関する全ての定義および実施形態は、エポキシ樹脂に関して適用され、その逆も同様である。
少なくとも1つの実施形態によれば、光電子デバイスはエポキシ樹脂組成物を有する。詳細には、エポキシ樹脂組成物は、ハウジング、反射素子、注型剤、変換素子、および/または基板として成形される。
エポキシ樹脂組成物は、光電子デバイスのハウジングとして、好ましくは成形される。ハウジングは、凹部を有していてもよい。半導体チップの積層体または半導体積層体は、この凹部に挿入されうる。半導体チップの半導体積層体は、好ましくはIII−V族化合物半導体材料をベースにする。半導体材料は、好ましくは、窒化物化合物半導体材料、例えばAlIn1−n−mGaN、InGaN、GaNであり、またはリン化物化合物半導体材料、例えばAlIn1−n−mGaPでもある(式中、それぞれ、0≦n≦1であり、0≦m≦1であり、n+m≦1である。)。半導体材料は、AlGa1−xAs(式中、0≦x≦1である。)とすることもできる。半導体積層体は、ドーパントおよび追加の成分を含有することができる。しかし、単純化するために、少量のその他の物質により部分的に置き換えることができ、かつ/または補うことができる場合であっても、半導体積層体の結晶格子の必須成分、即ちAl、As、Ga、In、N、またはPのみが示される。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、反射素子として設計される。エポキシ樹脂組成物は、フッ化カルシウムおよび/または二酸化チタンなどの散乱粒子をさらに含有することができる。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、注型化合物として設計される。注型化合物は、さらに、半導体積層体によって放出される放射線を、異なる波長の放射線に変換するように設計される、ルミネッセント材料を含有してもよい。蛍光体は、エポキシ樹脂組成物に、粒子として均質に埋め込むことができる。
少なくとも1つの実施形態によれば、エポキシ樹脂組成物は、基板として設計される。この基板は、放射線を放出させるための半導体積層体を備えることができる。
エポキシ樹脂組成物の製造方法も、明記される。上述のエポキシ樹脂組成物は、好ましくは、この方法を使用して製造される。エポキシ樹脂組成物の全ての設計および定義は、エポキシ樹脂組成物の製造方法にも適用され、その逆も同様である。
少なくとも1つの実施形態によれば、手順は、以下の手順上のステップを含む。
A)脂環式エポキシ樹脂を用意するステップ、
B)ポリ酪酸ブチルを、50℃〜80℃の温度で添加するステップ、
C)カチオン性促進剤を、45℃の最高温度で添加して、マトリックスを形成するステップ、
D)ステップC)により生成されたマトリックスを、金属または半金属の酸化物または窒化物である少なくとも1種の無機充填剤と混合するステップ、および
E)ステップD)により生成された混合物を、120℃〜190℃の温度で硬化するステップ
詳細には、可能な限り低い熱膨張(CTE)、高い機械的剛性、および高い熱安定性のために可能な限り多くの無機充填剤を実現することができるように、液体樹脂配合物の粘度は可能な限り低く設定される。一方で、無機充填剤は、可能な限り微細であるべきだが、他方で、そうでなければ製造中に十分高い充填レベルを実現できなくなるため、小さ過ぎないものであるべきである。過剰な粘度またはチキソトロピーに起因した樹脂の付着を阻止することもできる。成分の可能な限り高い信頼性および安定性を得るためには、高い充填レベルにすることが望ましい。存在する無機充填剤、詳細には、球状の非晶質二酸化ケイ素充填剤であって、粒径d50が0.5μmまたは2μm〜10μmまたは20μm、好ましくは2〜8μm、および上限粒径が30μm、好ましくは20μmである充填剤で、最大80質量%、好ましくは最大75質量%の高充填レベルを実現することができる。樹脂中の充填剤の量は、詳細には、50〜85質量%、好ましくは60〜80質量%である。充填のレベルに応じて、塗布(application)は、吐出、噴射、または成型(圧縮成型)によって実施することができる。したがって、エポキシ樹脂組成物は、ハウジング材料として、カバー層として、反射層として、アンダーフィル剤として、変換素子として、製造することができる。
ステップE)における硬化は、好ましくは、120℃〜190℃、好ましくは140℃〜180℃、例えば160℃で2時間行うことができる。
新しい一成分エポキシ樹脂組成物は、コスト、加工、および革新的な薄壁LED形態に関する技術的なLED要件を満たすものを提供することができる。硬化した成型材料に対する動的機械調査は、ガラス転移温度>200℃(DMA)を示し、信頼性あるLED製品に関して良好な機械脆性挙動を示し、75質量%の充填レベルで20ppm/K(TMA)の熱膨張係数を有する。
他の利点、有利な実施形態、および他の開発点は、図に関連して以下に記述される実施例から得られる。
図1は、一実施形態による充填剤を示す図である。 図2は、一実施形態によるエポキシ樹脂組成物のFTIRスペクトルを示す図である。 図3は、一実施形態による充填剤のFTIRスペクトルを示す図である。 図4Aは、一実施形態によるエポキシ樹脂組成物のDSC曲線を示す図であり、図4Bは、一実施形態によるエポキシ樹脂組成物のDSC特性を示す図である。 図5Aおよび5Bは、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物のレオロジー測定結果またはデータをそれぞれ含有する図である。 図6Aおよび6Bは、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物のレオロジー測定結果またはデータをそれぞれ含有する図である。 図7A〜7Cは、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物のレオロジー測定結果またはデータをそれぞれ含有する図である。 図8Aおよび8Bは、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物のTMA測定を示す図である。 図9Aおよび9Bは、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物のDMA測定を示す図である。 図10は、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物のTGA測定を示す図である。 図11は、一実施形態による、エポキシ樹脂組成物の物理データを示す図である。 図12A〜12Dは、一実施形態による、光電子デバイスをそれぞれ含有する図である。
実施例および図において、類似の、同一の要素、または同じ効果を発揮する要素は、それぞれ、同じ参照符号を付して提供することができる。表示される要素およびそれらの間の比率は、真の縮尺に合っているものではない。むしろ、層、構成要素、デバイス、および領域などの個々の要素は、より良好な表示可能性および/またはより良好な理解のために、過度に大きく表示することができる。
図1は、3種の無機充填剤F1、F2、およびF3(概して、F)の化学的および物理的性質を示す。詳細には、無機充填剤Fは、二酸化ケイ素である。好ましくは、二酸化ケイ素は非晶質であり、焼成されている。3種の無機充填剤F1〜F3の全ては、CAS番号60676−86−0を有する。詳細には、二酸化ケイ素(非晶質、焼成済み)の純度は99.5%よりも大きい。密度ρ(単位:g/ml)は、3種の無機充填剤の全てに関して2.2g/mlである。詳細には、無機充填剤は粒子状であり、詳細には、粒子形状は球状である。無機充填剤F1〜F3の比表面積Aは、2.2〜5.3g/mである。無機充填剤F1〜F3のd50値は、2.6μm〜4.3μmである。無機充填剤F1〜F3の上限粒径dmaxは、30μm以下であり、詳細には、16μm以下または12μmである。
表に示されるパーセンテージは、例えば、無機充填剤F1の粒子の99.4%の最大上限粒径が12μmであることを意味する。したがって、無機充填剤F2の粒子の100%の最大上限粒径は、12μmである。したがって、無機充填剤F3の粒子の99.8%の上限粒径は、16μmである。無機充填剤F1〜F3の導電率κは、3.1〜6.6μS/cmである。
図2は、エポキシ樹脂組成物1およびエポキシ樹脂組成物2のFTIRスペクトルを示す。透過率T(単位:パーセント)を、波数(単位:cm−1)の関数として示す。
EH1と略されるエポキシ樹脂組成物1は、以下の組成を有する:
1.85質量%の脂環式エポキシ樹脂、
2.10質量%のエポキシフェノール・ノボラック、
3.1質量%のアルコール、
4.3質量%のポリ酪酸ビニル、および
5.1質量%のカチオン性促進剤。
EH2と略されるエポキシ樹脂組成物2は、以下の組成を有する:
1.95.5質量%の脂環式エポキシ樹脂、
2.1質量%のアルコール、
3.2質量%のポリ酪酸ビニル、および
4.1.5質量%のカチオン性促進剤。
EH1(2−1)およびEH2(2−2)に関するFTIRスペクトルは、帯域が1726cm−1で観察されることを示す。この帯域は、脂環式エポキシ樹脂を表す。OH帯域も、3000cm−1よりも大きい範囲に示される。
図3は、一実施形態による3つのFTIRスペクトルを示す。透過率T(単位:%)は、波数(単位:cm−1)の関数として示される。
図1に示される無機充填剤F1〜F3のFTIRスペクトルが示されている。二酸化ケイ素からなる無機充填剤F1〜F3を、加工前に110℃で16時間乾燥したが、3400cm−1または1580cm−1の範囲に特性振動を見出すことができないので、FTIRスペクトル中には微量の水分も示されず、かつヒドロキシル基もない。
図4は、一実施形態による、75質量%の充填剤F3を含むエポキシ樹脂組成物EH2のDSC曲線(DSC、示差走査熱量測定)を示す。熱流Qが、温度T(単位:℃)の関数として示される。DSC曲線から、ピーク温度「T−ピーク」および初期温度「T−開始」は、それぞれ℃を単位として決定される。ピーク温度「T−ピーク」は、最小曲線(4−1)の温度である。初期温度「T−開始」は、外挿により決定される(4−2)。エンタルピーΔH(単位:−J/g)は、DSC曲線の面積から決定することができる。加熱速度は、10K/分であった。
図4Bは、EH1およびEH2のDSC測定結果を示す。エポキシ樹脂組成物EH1およびEH2は、異なる無機充填剤F1、F2、またはF3を対応する含量m(単位:質量%)で有する。内部に混合された充填剤Fの質量mは、70〜75質量%であった。反応エンタルピーΔHは、無機充填剤の充填レベルに応じて、−152J/g〜−172J/gで変わる。ピーク温度T−ピークは、無機充填剤の充填剤含量に応じて、125℃〜144℃で変わる。結果は、独自の昇温に基づく。第2のDSCの実験操作は、残留反応を示さない。Tgは、DSCでは現されず、即ちグラフ上で検出されない。
図5Aおよび5Bは、エポキシ樹脂組成物EH1のレオロジー測定結果を示す。図5Aは、3つの実施例A1〜A3の、剪断速度S(単位:1/秒)に対する、25℃での粘度η(単位:Pas・秒)を示す。実施例A1は、60質量%の無機充填剤F1を含むエポキシ樹脂組成物EH1を示す。実施例A2は、65質量%の無機充填剤F1を含むエポキシ樹脂組成物EH1を示す。実施例A3は、70質量%の無機充填剤F1を含むエポキシ樹脂組成物EH1を示す。
図5Bは、実施例A1〜A3の、対応する温度T(単位:℃)における剪断速度Sの表を示す。図5Bの表は、実施例A1〜A3のチキソトロピー指数Tも示す。図5Aは、一定の剪断速度Sでは、無機充填剤含量が高いエポキシ樹脂組成物EH1ほど、高い粘度を有することを示す。剪断速度が高くなるほど、特に剪断速度>40(1/秒)では、エポキシ樹脂組成物EH1中の無機充填剤F1の含量は、粘度に対して著しい影響を及ぼさない。25℃でのチキソトロピー指数Tは、実施例A1での2から、実施例A3での7.5に増加する。測定は、プレート・コーン(CP25−2)で、一定の剪断速度で行った。図5Bは、実施例A1〜A3の、5(1/秒)の一定の剪断速度Sでの、粘度の温度依存性も示す。温度が高くなるほど、粘度は低くなる。
図6Aおよび6Bは、形態A3〜A7による、エポキシ樹脂組成物EH1およびEH2のレオロジー測定結果を示す。A3は、図5Aおよび5Bの場合と同じものを示す。A4は、ここでは、割合が70質量%の無機充填剤F1を含むエポキシ樹脂組成物EH2を示す。A5は、ここでは、割合が75質量%の無機充填剤F1を含むエポキシ樹脂組成物EH2を示す。A6は、ここでは、含量が75質量%の無機充填剤F2を含むエポキシ樹脂組成物EH2を示す。A7は、ここでは、含量が75質量%の無機充填剤F3を含むエポキシ樹脂組成物EH2を示す。粘度η(単位:Pas・秒)は、剪断速度S(単位:1/秒)の関数として、25℃で測定した。プレート・コーン(CP25−2)を使用した。
図6Bは、それぞれの実験結果を示す。実施例A3は、実施例A4に比べ、25(1/秒)および50(1/秒)で、より高い粘度を示す。5(1/秒)の剪断速度Sで、A4の粘度がA3の場合よりも低い。A3のチキソトロピー指数Tは、A4のTよりも3倍大きい。実施例A4およびA5は、それらの無機充填剤F1の含量が異なる。エポキシ樹脂組成物EH2中の無機充填剤F1の含量が高いほど、チキソトロピー指数Tも高くなる。詳細には、チキソトロピー指数Tは、充填剤の含量が70から75質量%に増加すると、2倍高くなる。
実施例A5〜A7は、異なる無機充填剤F1〜F3を含む、同一のエポキシ樹脂組成物EH2を示し、実施例A5〜A7中の充填剤の含量は一定であり、75質量%である。表は、充填剤の種類がチキソトロピー指数Tに影響を及ぼすことを示す。無機充填剤F3を含むA7は、実施例A5およびA6に比べて最も低いチキソトロピー指数を有する。さらに図6B中の表は、充填剤1〜3が内部に分散されているエポキシ樹脂組成物EH2の、25(1/秒)の一定の剪断速度Sにおける25℃での粘度も示す。
図7Aおよび7Bは、様々な実施例A〜Hのレオロジー測定結果を示す。図7Aは、図1により無機充填剤F3が導入された、エポキシ樹脂組成物EH2およびEH3を示す。エポキシ樹脂組成物EH2は、図2に示される組成を有する。エポキシ樹脂組成物EH3は、下記の組成を有する。
1.96.8質量%の脂環式エポキシ樹脂、
2.1質量%のアルコール、
3.1質量%のポリ酪酸ビニル、および
4.1.2質量%のカチオン性促進剤
充填剤含量m(単位:質量%)は、60質量%〜77質量%で変わる。図7Aによれば、実施例A〜Hは、2質量%〜15質量%の異なる二酸化チタン含量TiOを示す。合計充填レベルGは、75〜80質量%である。25(1/秒)の剪断速度Sにおける、25℃での粘度η(単位:Pas/秒)が示される。図7Bは、ペーストA、G、およびHの粘度の、剪断速度依存性を示す。粘度は、CP25−2プレート・コーンで測定した。図7Cは、ペーストA、G、およびHの、25℃でのチキソトロピー化Tを示す。図7A〜7Cは、異なる石英充填剤およびTiO含量を含むエポキシ樹脂質量のレオロジー挙動を示し、加工中の最適化のヒントと、熱機械的および光学的成型材料挙動を、専門家に提供する。試料Fの粘度は、剪断安定ではない。
図8Aおよび8Bは、様々な実施例の熱機械分析結果(TMA)を示す。図8Bによれば、エポキシ樹脂組成物EH1またはEH2を使用した。無機充填剤F1、F2、またはF3は、充填剤Fとして、60〜80質量%の対応する充填剤含量mで使用した。CTE1値(単位:ppm/K)およびCTE2値(単位:ppm/K)を測定した。図8Aは、75質量%の充填剤F3を含むエポキシ樹脂組成物EH2の寸法変化DC(単位:ppm)を、温度T(単位:℃)の関数として示す。熱機械分析を使用して、ポリマーの膨張挙動を調べて、指定された加熱速度、ここでは3K/分の加熱速度で、ガラス転移温度よりも低い温度での線形熱膨張係数CTE1(単位:ppm/K)、ガラス転移温度よりも高い温度での線形熱膨張係数CTE2(単位:ppm/K)を、決定する。無機充填剤は膨張係数を低下させ、したがって熱膨張挙動は、複合材料中の充填剤含量に起因して、広範な要件に適応させることができる。
図9Aおよび9Bは、動的機械分析結果(DMA)を示す。図9Aは、75質量%の無機充填剤F1、F2、またはF3を含むエポキシ樹脂組成物EH2の貯蔵弾性率SM(単位:MPa)を、温度T(単位:℃)の関数として示す。曲線9−1は、75質量%の無機充填剤F1を含むエポキシ樹脂組成物EH2を示し、曲線9−2は、無機充填剤F2を含み、曲線9−3は、無機充填剤F3を含む。図9Aは、tanδを、温度T(単位:℃)の関数として示す。
図9Bは、対応する実験値を示す。ポリマーの熱機械構造挙動は、動的機械分析を用いて調査する。所与の加熱速度および励起周波数(ここでは、3K/分、1Hz、引張りモード)で、温度の関数として示される貯蔵弾性率ならびにtanδ(tanδは、貯蔵および損失弾性率の比である)は、目標とする適用例でのポリマーの熱機械的使用可能性に関する情報を提供する材料特性である。それにより、tanδmax(構造的アルファ転移)は、ガラス転移温度Tと見なされる。図9Aの曲線および図9Bの実験データは、エポキシ樹脂組成物が高いガラス転移温度Tを有することを示す。さらに、エポキシ樹脂組成物は、温度>200℃で、高い弾性係数および高い剛性を有する。
図10は、一実施形態による種々のエポキシ樹脂組成物の、熱重量分析(TGA)の実験データを示す。所与の温度プログラムによる、例えば空気中で10K/分での、ある温度での重量損失は、ポリマーの温度安定性に関して同等の結論を可能にする。本発明の場合、300℃での重量損失GVT(単位:パーセント)は低く、1%の重量損失での温度TGVT(単位:℃)は、320℃よりも上である。さらに、無機充填剤の種類F1、F2、またはF3は、短期耐熱性に対して著しい影響を及ぼさないことがわかる。
図11は、白色ペーストとしての形態A、G、およびHにおけるエポキシ樹脂組成物の実験データをまとめたものを示す。表は、合計充填剤レベルG(単位:質量%)、3K/分でのTMA結果、CTE1値(単位:ppm/K)、CTE2値(単位:ppm/K)、DMA値(張力T、1Hz、3K/分)、即ち、ガラス転移温度T、tanδmax、−40℃、0℃、20℃、100℃、200℃、および260℃での貯蔵弾性率SM(単位:MPa)、ならびに空気中での10K/分でのTGA値、特にGVT、即ち300℃での重量損失(単位:%)およびTGVT、即ち、1%の重量損失での温度(単位:℃)を示す。約90℃および空気下での、表面エミッタによる60mW/cmでのUVA曝露を3日行った後、黄変またはチョーキングは検出されなかった。樹脂を120℃で1時間、および160℃で2時間硬化させた。
図12A〜12Dは、様々な実施形態における光電子デバイス100を示す。詳細には、光電子デバイスは、本明細書に記述されるエポキシ樹脂組成物を有する。
図12Aによれば、光電子デバイス100は、リードフレーム1を有する。さらに光電子デバイスは、キャリア5を有する。半導体積層体2が、リードフレーム1上に配置される。詳細には、半導体積層体2は、放射線を放出するように設置される。半導体積層体2は、ハウジング3の凹部6内に配置される。凹部6は、注型剤4で満たすことができる。さらに、注型剤4は、蛍光粒子(本明細書には図示せず)などの追加の粒子を含有していてもよい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、ハウジングを形成しまたは成形することもできる。詳細には、ハウジングの壁厚は、≧80μmであり、特に、≧60μmまたは≧70μmである。
図12Bによれば、エポキシ樹脂組成物は、基板7として設計することもできる。半導体積層体2、例えばLEDチップを、基板7上に配置することができる。
図12Cによれば、半導体積層体2は、基板7上に配置することができる。半導体積層体2のすぐ後には、変換素子8を続けることができる。すぐ後に続くとは、詳細には、半導体積層体2と変換素子8との間に他の層または要素が配置されないことを意味する。代替として、変換素子8と半導体積層体2との間に接着剤層があってもよい。変換素子8は、エポキシ樹脂組成物を有することができ、またはそれで形成することができる。さらに、エポキシ樹脂組成物は、蛍光粒子または変換体粒子を含有していてもよい。
図12Dは、一実施形態による光電子デバイス100を示す。図12Dによれば、変換素子8は、半導体積層体2の放射線放出表面上と、半導体積層体2の側面2上との両方に配置される。
図およびその特徴に関して記述される実施例は、他の実施例により互いに組み合わせることもできるが、これはそのような組合せが図に明確に示されていない場合であってもできることである。さらに、図に関連して記述される実施例は、一般記載による追加のまたは代替の特徴を有していてもよい。
本発明は、実施例の記載によって限定されない。むしろ本発明は、新しい特徴のそれぞれ、および特徴の組合せのそれぞれを含み、これらは詳細には、特許請求の範囲における特徴の組合せのそれぞれを含んでいるが、この特徴またはこの組合せ自体が特許請求の範囲または実施例に明確に示されていない場合であっても含んでいる。
本特許出願は、参照によりその開示が本明細書に組み込まれる独国特許出願第10 2016 102 685.9号の優先権を主張するものである。
F 充填剤
F1 充填剤1
F2 充填剤2
F3 充填剤3
ρ 密度
比表面積
50 粒径
max 上限粒径または上限粒径値
κ 導電率
EH エポキシ樹脂
m 充填剤の含量
η 粘度
S 剪断速度
チキソトロピー指数
チキソトロピー
G 合計充填レベル
SM 貯蔵弾性率
GVT 300℃での重量損失
GVT 1%の重量損失での温度
1 リードフレーム
2 半導体積層体
3 ハウジング
4 注型剤
5 キャリア
6 凹部
7 基板
8 変換素子
9 反射素子
100 光電子デバイス

Claims (15)

  1. 金属または半金属の酸化物または窒化物である、上限粒径(dmax)が30μm以下の少なくとも1種の無機充填剤(F)、
    少なくとも1種の脂環式エポキシ樹脂、
    ポリ酪酸ビニル、
    少なくとも1種のカチオン性促進剤
    を含み、一成分系である、エポキシ樹脂組成物。
  2. 前記ポリ酪酸ビニルの平均分子量が、10000g/mol〜80000g/molである、
    請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
  3. 前記無機充填剤(F)の比表面積(A)が2g/cm以上20g/cm以下であり、
    粒径(d50)が20μm以下であり、上限粒径(dmax)が30μm以下である、
    請求項1または2に記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. 前記無機充填剤(F)が、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、および酸化ジルコニウムを含む群から選択される、
    請求項1〜3のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  5. 無水物を含まず、シリコーンを含まず、および/またはシロキサンを含まない、
    請求項1〜4のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  6. 塩素含量が100ppm未満である、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  7. 前記無機充填剤(F)の含量が、前記エポキシ樹脂組成物の全重量に対して50質量%〜85質量%である、
    請求項1〜6のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  8. 前記脂環式エポキシ樹脂の含量が、前記エポキシ樹脂組成物の全重量に対して3質量%〜50質量%である、
    請求項1〜7のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  9. 前記エポキシ樹脂組成物の全重量に対して、
    前記ポリ酪酸ビニルの含量が0.1質量%〜10質量%であり、かつ
    前記カチオン性促進剤の含量が0.1質量%〜3質量%である、
    請求項1〜8のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  10. アルコールおよび他のエポキシ樹脂をさらに含み、
    前記アルコールの含量が、前記エポキシ樹脂組成物の全重量に対して0.1質量%〜3質量%である、
    請求項1〜9のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  11. 前記カチオン性促進剤がチオラニウム塩である、
    請求項1〜10のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  12. 4℃〜10℃の温度で貯蔵安定性を有する、請求項1〜11のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物。
  13. 発光ダイオード、光ダイオード、光トランジスタ、光アレイ、光カプラ、SMDデバイス、およびSMD対応デバイスからなる群から選択される光電子デバイス(100)のための、請求項1〜12のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の使用。
  14. 請求項1〜12のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物を含み、
    前記エポキシ樹脂組成物が、ハウジング(3)、反射素子(9)、注型剤(4)、変換素子(8)、および/または基板(7)として形成される、光電子デバイス(100)。
  15. 請求項1〜12のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の製造方法であって、下記の方法ステップを含む、
    A)脂環式エポキシ樹脂を用意するステップ、
    B)ポリ酪酸ブチルを、50℃〜80℃の温度で添加するステップ、
    C)カチオン性促進剤を、45℃の最高温度で添加して、マトリックスを生成するステップ、
    D)ステップC)により生成された前記マトリックスを、金属または半金属の酸化物または窒化物である少なくとも1種の無機充填剤(F)と混合するステップ、および
    E)ステップD)により生成された混合物を、120℃〜190℃の温度で硬化するステップ
    エポキシ樹脂組成物の製造方法。
JP2018541405A 2016-02-16 2017-02-13 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の使用、光電子デバイス、およびエポキシ樹脂組成物の製造方法 Pending JP2019507809A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016102685.9 2016-02-16
DE102016102685.9A DE102016102685B4 (de) 2016-02-16 2016-02-16 Epoxidharzsystem, Verwendung eines Epoxidharzsystems und Verfahren zur Herstellung eines Epoxidharzsystems
PCT/EP2017/053155 WO2017140621A1 (de) 2016-02-16 2017-02-13 Epoxidharzsystem, verwendung eines epoxidharzsystems, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines epoxidharzsystems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019507809A true JP2019507809A (ja) 2019-03-22

Family

ID=58044062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018541405A Pending JP2019507809A (ja) 2016-02-16 2017-02-13 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の使用、光電子デバイス、およびエポキシ樹脂組成物の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190040250A1 (ja)
JP (1) JP2019507809A (ja)
CN (1) CN108699222B (ja)
DE (1) DE102016102685B4 (ja)
WO (1) WO2017140621A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7452001B2 (ja) 2019-12-24 2024-03-19 味の素株式会社 発光素子パッケージ及びその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101816722B1 (ko) * 2017-04-21 2018-01-11 주식회사 케이오씨솔루션 에폭시 아크릴계 중굴절 광학렌즈용 수지 조성물 및 그 제조방법
CN112920378B (zh) * 2021-01-28 2023-06-13 深圳市宝安区新材料研究院 一种羟基树脂及其制备方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05222271A (ja) * 1991-09-20 1993-08-31 Ciba Geigy Ag 樹脂配合物
JPH07179572A (ja) * 1991-02-18 1995-07-18 Siemens Ag 電子デバイス及びモジュールの被覆又は接着方法
JP2002121358A (ja) * 2000-10-12 2002-04-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置
JP2012067221A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁シート及び積層構造体
WO2013145961A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 昭和電工株式会社 硬化性放熱組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60161423A (ja) * 1984-02-01 1985-08-23 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物
WO2005090478A2 (de) * 2004-03-15 2005-09-29 Siemens Aktiengesellschaft Wärmeleitfähiges material für elektronische und/oder elektronische bauteile sowie verwendung dazu
DE102008028638A1 (de) * 2008-06-18 2009-12-24 Henkel Ag & Co. Kgaa Kleb- und Dichtstoff oder Strukturschaum auf Epoxidbasis enthaltend anorganische Nanopartikel mit Acrylsäureester-haltiger Hülle
CN104893635A (zh) * 2015-04-24 2015-09-09 烟台德邦科技有限公司 一种单组分螺纹锁固环氧预涂胶及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07179572A (ja) * 1991-02-18 1995-07-18 Siemens Ag 電子デバイス及びモジュールの被覆又は接着方法
JPH05222271A (ja) * 1991-09-20 1993-08-31 Ciba Geigy Ag 樹脂配合物
JP2002121358A (ja) * 2000-10-12 2002-04-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置
JP2012067221A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Sekisui Chem Co Ltd 絶縁シート及び積層構造体
WO2013145961A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 昭和電工株式会社 硬化性放熱組成物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
内田 博・新井 良和: "最近の脂環式エポキシ樹脂の技術動向", ネットワークポリマー, vol. 31, no. 4, JPN6020004182, 2010, JP, pages 177 - 190, ISSN: 0004208136 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7452001B2 (ja) 2019-12-24 2024-03-19 味の素株式会社 発光素子パッケージ及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016102685B4 (de) 2024-02-15
WO2017140621A9 (de) 2017-12-14
CN108699222A (zh) 2018-10-23
WO2017140621A1 (de) 2017-08-24
CN108699222B (zh) 2021-07-23
US20190040250A1 (en) 2019-02-07
DE102016102685A1 (de) 2017-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102419336B1 (ko) 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법
JP4876426B2 (ja) 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
TWI534241B (zh) A fluorescent light-filled high-wavelength conversion sheet, a method of manufacturing the same, and a light-emitting semiconductor device
JP6287212B2 (ja) 蛍光体含有樹脂シートおよび発光装置
KR20110068867A (ko) 광반도체 소자 밀봉용 수지 조성물 및 당해 조성물로 밀봉된 광반도체 장치
WO2010001992A1 (ja) 変性樹脂組成物、その製造方法及びそれを含む硬化性樹脂組成物
WO2006090804A1 (ja) 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2007091960A (ja) 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置
JP2019522818A (ja) ポリシロキサン材料を有する波長変換体、その製造方法、およびそれを含有する固体照明装置
JP2010100743A (ja) 蛍光体含有組成物の製造方法
KR20130084253A (ko) 실리콘 수지 조성물, 형광체 함유 파장 변환 필름 및 이들의 경화물
JP2019507809A (ja) エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の使用、光電子デバイス、およびエポキシ樹脂組成物の製造方法
JP4722686B2 (ja) 光半導体素子封止用樹脂組成物の製法およびそれにより得られる光半導体素子封止用樹脂組成物ならびに光半導体装置
JP5253260B2 (ja) Led用蛍光樹脂組成物、それを用いた封止材及び蓄光材料
US8937128B2 (en) Curable reaction resin system
US20100213490A1 (en) Sealing composition for light emitting device and light emitting device including the same
EP3156440A1 (en) Led encapsulant comprising rare earth metal oxide particles
JP7329320B2 (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP6724817B2 (ja) 光半導体用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR101600695B1 (ko) 방열 특성이 우수한 희토류 금속 산화물 입자를 포함하는 led 패키지
WO2017085127A1 (de) Epoxidharzsystem, epoxidharz, verwendung eines epoxidharzsystems, bauelement mit einem epoxidharz und verfahren zur herstellung eines epoxidharzes
JP6435594B2 (ja) シリコーン樹脂組成物
DE102017117550A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP7329319B2 (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物
DE102017117548A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190704

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190709

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190719

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191008

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200212