JP2019522818A - ポリシロキサン材料を有する波長変換体、その製造方法、およびそれを含有する固体照明装置 - Google Patents
ポリシロキサン材料を有する波長変換体、その製造方法、およびそれを含有する固体照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019522818A JP2019522818A JP2018567952A JP2018567952A JP2019522818A JP 2019522818 A JP2019522818 A JP 2019522818A JP 2018567952 A JP2018567952 A JP 2018567952A JP 2018567952 A JP2018567952 A JP 2018567952A JP 2019522818 A JP2019522818 A JP 2019522818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength converter
- inorganic nanoparticles
- mass
- polysiloxane
- dispersion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 68
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical class O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 3
- 239000006069 physical mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 1
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003205 poly(diphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920002627 poly(phosphazenes) Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004819 silanols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Chemical group 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
・高度に架橋したポリシロキサンを主体とする波長変換体は、スクリーン印刷されたシリコーンを主体とする変換体よりも、直線/シャープなエッジを有するように製造することができる。
・波長変換体は、安価なプロセスを用いて室温(または、硬化プロセスを速めることが望まれるならば、やや高めた温度)で製造することができる。
・成形プロセスが高温または溶媒を必要としないので、このプロセスはほとんど全ての蛍光体に対して適合性があり、青色から赤色まで、さらに組合せ(例えば、クールホワイトブレンドおよびウォームホワイトブレンド)を含む、種々の色が可能である。
・この技術はテープキャスティングおよび打ち抜きと適合性であるため、製造工程が簡素化され、コストが低減する。
・高度に架橋したポリシロキサンマトリックス材料は標準的なシリコーンよりもずっと粘着性が低く、器具設備を汚すことなく変換体素子を打ち抜くことができる。
・この成形方法は、他の方法よりも輝度およびカラーポイントが均一な波長変換体を製造することができる。
・前駆体材料が液状であるため、ナノ粒子、金属アルコキシ前駆体、有機分子、ポリマー等などのいろいろな添加剤を変換体素子中に組み込むことが可能である。
・メトキシメチルシロキサン前駆体は、溶媒の有無にかかわらず、使用可能である。
メチル(−CH3) 2969〜2944cm−1
メトキシ(−O−CH3) 2840cm−1
ケイ素メトキシ(Si−O−CH3) 1193、851cm−1
シロキサン(Si−O−Si) 1034〜1000cm−1
ケイ素メチル(−Si−CH3) 1269cm−1
シラノール(−Si−OH) 919cm−1
(RE1−xCex)3(Al1−yA’y)5O12、
ここでREはY、Lu、Tb、およびGdの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内であり、A’はScおよびGaの少なくとも1種であり、yは0≦y≦1の範囲である。
(RE1−xCex)3(Al5−2yMgySiy)O12、
ここでREはY、Lu、Tb、およびGdの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲であり、yは0≦y≦2の範囲内である。
(RE1−xCex)3Al5−ySiyO12−yNy、
ここでREはY、Lu、Tb、およびGdの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内であり、yは0≦y≦0.5の範囲内である。
(RE1−xCex)2CaMg2Si3O12:Ce3+、
ここでREはY、Lu、Tb、およびGdの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)2Si5N8、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)AlSiN3、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)2Al2Si2N6、
ここでAEはCaおよびSrの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である;
(Sr1−xEux)LiAl3N4、
ここでxは0<x≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)3Ga3N5、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)Si2O2N2、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
(AExEuy)Si12−2x−3yAl2x+3yOyN16−y、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0.2≦x≦2.2の範囲内であり、yは0<y≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)2SiO4、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
(AE1−xEux)3SiO5、
ここでAEはCa、Sr、およびBaの少なくとも1種であり、xは0<x≦0.1の範囲内である。
酸化物: SiO2、ZrO2、TiO2、Al2O3、およびZnO、
窒化物: AlN、Si3N4、およびBN、ならびに
炭素系添加物: カーボンナノチューブおよびグラフェン。
図5は、固体照明装置500が、LEDダイス502の発光面507に接着された、別途形成された波長変換体504を有する、チップレベル変換体としての用途の実施形態を示す。波長変換体504は、本発明に係る蛍光体含有ポリシロキサン変換体を含む。波長変換体504は、接着剤526の薄い層を用いてLEDダイス502の発光面507に接着された平らな小板状である。より詳細には、変換体504は、任意の数の光学用シリコーンでよい薄い(<10μm)接着剤層でLEDダイス502に付着させることができる。これは低融点ガラスまたは水ガラスタイプの材料、例えばA2(SiO2)nO(式中、AはLi、Na、もしくはKのある組合せであり、nはおよそ1〜4の範囲である)またはリン酸モノアルミニウム、MALP、であってもよい。また、ここに開示した高度に架橋したポリシロキサンでLEDダイスに付着させることも可能であり、この場合、液状のシロキサン前駆体をLEDおよび/または波長変換体上に堆積させ、前駆体がLEDと波長変換体との間になるように2つを合わせ、材料を硬化させる。また、SiO2および/またはZrO2などのナノ粒子添加剤が充填された、ここに開示した高度に架橋したポリシロキサンでLEDダイスに付着させることも可能であり、この場合、充填された液状のシロキサン前駆体をLEDおよび/または波長変換体上に堆積させ、前駆体がLEDと波長変換体との間になるように2つを合わせ、材料を硬化させる。
固体照明装置の固体光源が半導体レーザダイオードである場合、蛍光体含有ポリシロキサン波長変換体は好ましくはレーザダイオードから離れた位置に、典型的には追加の光学素子により分離されて、設置される。図6に示されているように、固体照明装置600は、少なくともレーザダイオード602により放出された一次光606が透過する透明な基板610、例えばサファイア、に結合されている波長変換体504を有する。既に記載したように、接着剤層526を使用して変換体504を基板610に結合することができる。レーザダイオード602により放出された一次光606は基板610に衝突し、基板610により伝送され、変換体504に入り、二次光516を生成する。この透過型実施形態において、変換体の入射側に二色性層を組み込むことが好ましい場合が多く、これにより励起放射線は通過するが、下方変換された放射線は反射される。代わりの実施形態において、基板610は反射性、例えば銀反射体であり、一次光606は変換体504の発光面520に直接衝突する。
12 硬化形態中のメトキシメチルシロキサンのATR−FTIR
500 固体照明装置
502 LEDダイス
504 波長変換体
506 一次光
507 発光面
516 二次光
520 発光面
526 接着剤
600 固体照明装置
602 レーザダイオード
606 一次光
610 基板
Claims (29)
- ポリシロキサンマトリックスに分散した発光材料および無機ナノ粒子を有する波長変換体であって、前記無機ナノ粒子が、前記ポリシロキサンマトリックスと前記無機ナノ粒子との合計質量に対して、少なくとも10質量パーセントを占める、波長変換体。
- 前記無機ナノ粒子が前記波長変換体の15〜35質量パーセントを占める、請求項1に記載の波長変換体。
- 前記無機ナノ粒子が前記波長変換体の35〜75質量パーセントを占める、請求項1または2に記載の波長変換体。
- 前記無機ナノ粒子がSiO2、ZrO2、またはこれらの組合せを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 前記波長変換体の有機含有率が25質量パーセント未満である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 前記無機ナノ粒子がAl2O3、TiO2、ZnO、BNまたはこれらの組合せを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 前記無機ナノ粒子の表面が、前記ポリシロキサンマトリックスに化学的に結合した官能基を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 前記波長変換体は、厚さが約10μm〜約500μmの平らな小板の形状を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 前記厚さが25μm〜200μmである、請求項8に記載の波長変換体。
- 前記厚さが25μm〜100μmである、請求項8に記載の波長変換体。
- 400℃で2時間加熱した後に、その機械的完全性を維持する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 前記発光材料が前記波長変換体の15〜80質量%を占める、請求項1〜11のいずれか一項に記載の波長変換体。
- 波長変換体の製造方法であって、
(a)発光材料および無機ナノ粒子を液状メトキシメチルポリシロキサン前駆体と合わせて分散液を形成する工程であって、前記前駆体はメトキシ含有率が10〜50質量パーセント(質量%)であり、前記無機ナノ粒子は前記分散液の少なくとも10質量パーセントを占める、分散液を形成する工程と、
(b)前記分散液をノンスティック表面に適用する工程と、
(c)前記分散液を硬化させて充填ポリマーシートを形成する工程と、
(d)前記シートを切断して所望の形状を有する個々の波長変換体を形成する工程と
を含む製造方法。 - 前記メトキシ含有率が15〜45質量%である、請求項13に記載の方法。
- 前記メトキシ含有率が30〜40質量%である、請求項13に記載の方法。
- 前記無機ナノ粒子が前記分散液の10〜75質量%を占める、請求項13〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無機ナノ粒子が前記分散液の10〜25質量%を占める、請求項13〜15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無機ナノ粒子がZrO2、SiO2またはこれらの組合せである、請求項13〜17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無機ナノ粒子がSiO2である、請求項18に記載の方法。
- 前記分散液をテープキャスティングまたはドクターブレード法により前記ノンスティック表面に適用してテープを形成する、請求項13〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 未硬化テープの厚さが25μm〜500μmである、請求項20に記載の方法。
- 前記シートを切断して前記個々の波長変換体を形成する工程が、前記波長変換体の前記所望の形状を有するダイスで、前記シートを打ち抜くことを含む、請求項13〜21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無機ナノ粒子が疎水性である、請求項13〜22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記波長変換体を、所望の用途の作動温度より少なくとも5℃高い温度でアニールする、請求項13〜23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メトキシメチルポリシロキサン前駆体の粘度が1〜50mPa・sである、請求項13〜24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メトキシメチルポリシロキサン前駆体の粘度が2〜20mPa・sである、請求項13〜25のいずれか一項に記載の方法。
- 半導体光源および波長変換体を含む固体照明装置であって、
前記波長変換体は、ポリシロキサンマトリックスに分散した発光材料および無機のナノ粒子を有し、前記無機のナノ粒子が前記ポリシロキサンマトリックスと前記無機ナノ粒子との合計質量に対して、少なくとも10質量パーセントを占める、
固体照明装置。 - 前記半導体光源が発光ダイオードである、請求項27に記載の固体照明装置。
- 前記半導体光源がレーザダイオードである、請求項27に記載の固体照明装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662356569P | 2016-06-30 | 2016-06-30 | |
US62/356,569 | 2016-06-30 | ||
PCT/EP2017/066345 WO2018002334A1 (en) | 2016-06-30 | 2017-06-30 | Wavelength converter having a polysiloxane material, method of making, and solid state lighting device containing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522818A true JP2019522818A (ja) | 2019-08-15 |
Family
ID=59315596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018567952A Pending JP2019522818A (ja) | 2016-06-30 | 2017-06-30 | ポリシロキサン材料を有する波長変換体、その製造方法、およびそれを含有する固体照明装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10923634B2 (ja) |
JP (1) | JP2019522818A (ja) |
CN (1) | CN109643747B (ja) |
DE (1) | DE112017003257T5 (ja) |
WO (1) | WO2018002334A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018116081A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 波長変換部材の製造方法 |
JP2021533576A (ja) * | 2018-08-17 | 2021-12-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10570333B2 (en) * | 2017-05-23 | 2020-02-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength conversion element, light emitting device and method for producing a wavelength conversion element |
US10727379B2 (en) * | 2018-02-16 | 2020-07-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Methods for producing a conversion element and an optoelectronic component |
US10662310B2 (en) * | 2018-04-24 | 2020-05-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component having a conversation element with a high refractive index |
US10590339B2 (en) * | 2018-05-16 | 2020-03-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a converter element, converter element and light emitting device |
US11349051B2 (en) * | 2019-05-10 | 2022-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device and method of producing an optoelectronic device |
CN113448157B (zh) | 2020-03-24 | 2023-09-05 | 台达电子工业股份有限公司 | 波长转换装置 |
DE102020206897A1 (de) | 2020-06-03 | 2021-12-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
CN116814253B (zh) * | 2023-06-19 | 2024-05-10 | 华北水利水电大学 | 一种疏水改性长余辉荧光粉及其在自发光高强水泥基材料中的应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011137119A (ja) * | 2009-12-31 | 2011-07-14 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体 |
JP2011157461A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Nitto Denko Corp | シリコーン樹脂組成物 |
JP2014168034A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-09-11 | Nitto Denko Corp | 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2500938A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-09-24 | Rohm And Haas Company | Memory devices based on electric field programmable films |
WO2006001874A1 (en) | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Dow Corning Corporation | Linear polysiloxanes, silicone composition, and organic light-emitting diode |
JP2009513021A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 成形された封入材を有する発光デバイスの製造方法 |
JP2009120437A (ja) | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Niigata Univ | シロキサンをグラフト化したシリカ及び高透明シリコーン組成物並びに該組成物で封止した発光半導体装置 |
KR101657729B1 (ko) * | 2009-01-08 | 2016-09-19 | 나노그램 코포레이션 | 폴리실록산 중합체와 무기 나노입자의 복합체 |
US8563648B2 (en) * | 2009-10-28 | 2013-10-22 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coating composition comprising an alkoxysilane, a polysiloxane, and a plurality of particles |
DE102010034913B4 (de) * | 2010-08-20 | 2023-03-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlung emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung des Strahlung emittierenden Bauelements |
EP2804904B1 (en) | 2012-01-16 | 2018-08-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Led containing silicone-grafted core-shell particles in a polymer matrix. |
JP6033557B2 (ja) | 2012-03-06 | 2016-11-30 | 日東電工株式会社 | 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法 |
DE102012205770A1 (de) | 2012-04-10 | 2013-10-10 | Osram Gmbh | Optisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen des optischen Bauelementes, Verfahren zum Betreiben eines optischen Bauelements und Verfahren zum Homogenisieren der Strahlungsdichte elektromagnetischer Strahlung in einem optischen Bauelement |
US9382471B2 (en) | 2012-07-11 | 2016-07-05 | Koninklijke Philips N.V. | Silicone product, a lighting unit comprising the silicone product and method of manufacturing a silicone product |
RU2648084C2 (ru) | 2012-10-25 | 2018-03-22 | Люмиледс Холдинг Б.В | Лиганды на основе полидиметилсилоксана для квантовых точек в кремнийорганических материалах |
US10833231B2 (en) | 2016-04-18 | 2020-11-10 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an optoelectronic component, and optoelectronic component |
-
2017
- 2017-06-30 JP JP2018567952A patent/JP2019522818A/ja active Pending
- 2017-06-30 WO PCT/EP2017/066345 patent/WO2018002334A1/en active Application Filing
- 2017-06-30 CN CN201780041232.3A patent/CN109643747B/zh active Active
- 2017-06-30 DE DE112017003257.1T patent/DE112017003257T5/de active Pending
- 2017-06-30 US US16/313,974 patent/US10923634B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011137119A (ja) * | 2009-12-31 | 2011-07-14 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体封止体 |
JP2011157461A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Nitto Denko Corp | シリコーン樹脂組成物 |
JP2014168034A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-09-11 | Nitto Denko Corp | 蛍光体層被覆led、その製造方法およびled装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018116081A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 波長変換部材の製造方法 |
JP2021533576A (ja) * | 2018-08-17 | 2021-12-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法 |
US11552228B2 (en) | 2018-08-17 | 2023-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190172982A1 (en) | 2019-06-06 |
CN109643747A (zh) | 2019-04-16 |
DE112017003257T5 (de) | 2019-04-18 |
US10923634B2 (en) | 2021-02-16 |
CN109643747B (zh) | 2022-01-11 |
WO2018002334A1 (en) | 2018-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019522818A (ja) | ポリシロキサン材料を有する波長変換体、その製造方法、およびそれを含有する固体照明装置 | |
US9935246B2 (en) | Silazane-containing materials for light emitting diodes | |
KR102419336B1 (ko) | 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법 | |
JP5477374B2 (ja) | 蛍光体部材、蛍光体部材の製造方法、及び照明装置 | |
US10570333B2 (en) | Wavelength conversion element, light emitting device and method for producing a wavelength conversion element | |
KR101749889B1 (ko) | 광학 조성물 | |
EP2712908A2 (en) | Phosphor adhesive sheet, optical semiconductor element-phosphor layer pressure-sensitive adhesive body, and optical semiconductor device | |
EP2328994B1 (en) | Polymeric wavelength converting elements | |
JP2007270004A (ja) | 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた透光性封止材および発光素子 | |
US11430922B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
JPWO2016121855A1 (ja) | 投射型表示装置用カラーホイール及びその製造方法、並びにこれを含む投射型表示装置 | |
US20090206301A1 (en) | Inorganic phosphor bodies for light emitting diodes | |
WO2019158444A1 (en) | Methods for producing a conversion element and an optoelectronic component | |
JP2015528829A (ja) | 光学組成物 | |
JP2021533576A (ja) | 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法 | |
TW201710393A (zh) | 硬化性矽酮樹脂組成物、矽酮樹脂複合體、光半導體發光裝置、照明器具及液晶圖像裝置 | |
JP5059251B1 (ja) | Ledデバイス | |
WO2021160793A1 (en) | Wavelength converter; method of its making and light-emitting device incorporating the element | |
JP7013353B2 (ja) | ガラス繊維含有波長変換シリコーンシート及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP6622178B2 (ja) | 縮合硬化性シリコーン樹脂組成物シート、縮合硬化性シリコーン樹脂組成物シートの製造方法、及び発光装置の製造方法 | |
JP2013144770A (ja) | 熱硬化性シリコーン樹脂組成物、該組成物から成形された成形物、光半導体装置、及び熱硬化性シリコーン樹脂組成物の製造方法 | |
WO2016024604A1 (ja) | 無機微粒子含有ポリシルセスキオキサン組成物およびその製造方法、ならびに発光装置およびその製造方法 | |
JP6435594B2 (ja) | シリコーン樹脂組成物 | |
JP6510468B2 (ja) | 硬化性シリコーン樹脂組成物及び硬化性シリコーン樹脂組成物の調製方法 | |
JP2017211590A (ja) | 蛍光体組成物の製造方法および評価方法、ならびに、測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190201 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190723 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200804 |