JP2008502770A - 直鎖ポリシロキサン、シリコーン組成物、及び有機発光ダイオード - Google Patents

Abstract

直鎖ポリシロキサン、及びより詳細にはＮ−カルバゾリルアルキル基及び（ジアリールアミノ）フェニル基を含有する直鎖ポリシロキサン。また、本発明は、直鎖ポリシロキサンを含有するシリコーン組成物、及び直鎖ポリシロキサン又は硬化ポリシロキサンを含有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関する。

Description

［関連出願の相互参照］
該当なし。

［発明の分野］
本発明は、直鎖ポリシロキサンに関し、より詳細にはＮ−カルバゾリルアルキル基と（ジアリールアミノ）フェニル基とを含有する直鎖ポリシロキサンに関する。また、本発明は、直鎖ポリシロキサンを含有するシリコーン組成物、及び直鎖ポリシロキサン又は硬化ポリシロキサンを含有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関する。

[発明の背景]
カルバゾリルアルキル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基を含有する直鎖ポリシロキサンは当該技術分野で既知である。例えば、Strohriegl（Makromol. Chem., Rapid Commun., 1986, 7, 771−775）は、カルバゾール単位がアルキレンスペーサーによってシロキサン骨格から分離された、カルバゾールペンダント基を有する一連のポリシロキサンの調製及び特性化について記載している。

Tiekeによる米国特許第４，９３３，０５３号は、式Ｉを有する５〜１００ｍｏｌ％の繰返し構造単位、及び式ＩＩを有する９５〜０ｍｏｌ％の繰返し構造単位：

（式中、Ｒ^１及びＲ^４は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ、フェニル又はフェノキシであり；Ｒ^２及びＲ^３は、互いに独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ、ハロゲン、シアノ又はニトロであり；Ｒ^５は、無置換又は１つ若しくは２つのヒドロキシル基で置換され得るＣ_１〜Ｃ_１８アルキルであるか、或いはフェニル又はヒドロキシルであり；ｍは３〜１１の整数であり；ｎ及びｐは、互いに独立して、０〜２の整数である）からなる出発ポリマーの陽極酸化によって得ることができる電導性ポリマーを開示している。上記‘０５３号特許は、生成物が特にエレクトロクロミックディスプレイ素子、正極材料又は電導性フィルムとして特に好適であることを教示している。

Leyrer等による欧州特許出願（ＥＰ）第０２２４７８４号のダウエント抄録番号(Derwent Abstract)第１９８７−１５８５３５号は、ポリマー主鎖に結合したカルバゾール側基を有するポリシロキサンを開示している。この抄録は、ポリシロキサンを電子写真記録材料に使用することができ、また、電子写真オフセット印刷版を得るのに使用することができることを教示している。

Kazumasa等による日本国特許出願番号第０２１２７４３２号に対応する日本公開特許公報の英文抄録は、（Ａ）カルバゾール基、ケイ素原子又は加水分解性基に結合したＯＨ基、及びシロキサン結合の形成によって架橋可能なケイ素原子含有基を有するカルバゾール基含有硬化性化合物と、（Ｂ）シラノール縮合触媒とを含有するカルバゾール基含有硬化性組成物を開示している。

（ジフェニルアミノ）フェニル基を含有する直鎖ポリシロキサンも当該技術分野で既知である。例えば、Belfield等(Polym. Prep. 1998, 39(20), 445-446)は、トリフェニルアミン部分又はカルバゾール部分を含有するポリシロキサンの合成を記載している。

上述の参考文献は、カルバゾリルアルキル基又は（ジフェニルアミノ）フェニル基のいずれかを含有する直鎖ポリシロキサンを開示しているものの、カルバゾリルアルキル基と（ジアリールアミノ）フェニル基との両方を含有する本発明の直鎖ポリシロキサンを教示していない。

［発明の要約］
本発明は、式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩを有する１〜２０ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＶを有する単位：

（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；各Ｒ^５は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ、−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−ＳｉＲ^１ _ｎＺ_３−ｎ、又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＲ^４Ｒ^３であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｎは０、１又は２であり；ｐは０又は１である）を含む第１の直鎖ポリシロキサンを対象とする。

また、本発明は、式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式Ｖを有する単位：

（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｐは０又は１であり；ｑは０、１又は２である）を含む第２の直鎖ポリシロキサンを対象とする。

また、本発明は、式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＶＩを有する単位：

（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；各Ｒ^７は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＰｈ_２であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｐは０又は１である）を含む第３の直鎖ポリシロキサンを対象とする。

また、本発明は、第１の直鎖ポリシロキサン及び第２の直鎖ポリシロキサンから選択されるポリシロキサンと、縮合触媒と、有機溶媒とを含むシリコーン組成物を対象とする。

さらに、本発明は、
第１の対向面及び第２の対向面を有する基板と、
前記第１の対向面に積層する第１の電極層と、
前記第１の電極層に積層する発光素子であって、正孔輸送層及び発光／電子輸送層(emissive/electron-transport layer)を含み、前記正孔輸送層及び前記発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、前記正孔輸送層は上述のシリコーン組成物を適用してフィルムを形成し、前記フィルムを硬化することにより調製される硬化ポリシロキサンを含む発光素子と、
前記発光素子に積層する第２の電極層と
を含む有機発光ダイオードを対象とする。

さらに、本発明は、
第１の対向面及び第２の対向面を有する基板と、
前記第１の対向面に積層する第１の電極層と、
前記第１の電極層に積層する発光素子であって、正孔輸送層及び発光／電子輸送層を含み、前記正孔輸送層及び前記発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、前記正孔輸送層は第３の直鎖ポリシロキサンを含む発光素子と、
前記発光素子に積層する第２の電極層と
を含む有機発光ダイオードを対象とする。

本発明の直鎖ポリシロキサンは、エレクトロルミネッセンスを示し、印加電圧をかけると発光する。さらに、加水分解性基を含有する直鎖ポリシロキサンは、硬化して耐久性のある架橋ポリシロキサンを生成することができる。また、エレクトロルミネッセンス効率を増大させ、且つ硬化ポリシロキサンのカラー出力を調節するために、直鎖ポリシロキサンに少量の蛍光色素をドープすることができる。

本発明のシリコーン組成物を、一成分系組成物（one-part composition）として好適に処方することができる。さらに、シリコーン組成物は、水分の非存在下で良好な保存安定性を有する。重要なことは、スピンコーティング、印刷及び噴霧等の従来の高速法によって基板に組成物を適用し得ることである。また、穏やかな温度から中程度の温度の水分に曝すことによってシリコーン組成物を容易に硬化することができる。

本発明の硬化ポリシロキサンは、エレクトロルミネッセンスを示す。さらに、硬化ポリシロキサンは、種々の基板へ下塗剤無しに（primerless：プライマーレスの）良好な接着性を示す。また、硬化ポリシロキサンは、優れた耐久性、耐化学性、及び低温での可撓性も示す。さらに、硬化ポリシロキサンは、高い透明性（典型的には、電磁スペクトルの可視領域において１００ｎｍの厚さの透過率が少なくも９５％）を示す。重要なことは、ポリシロキサンが、ＯＬＥＤデバイス中の電極層及び発光層に悪影響を及ぼす酸性又は塩基性の成分を実質的に含まないことである。

本発明のＯＬＥＤは、磨耗、有機溶媒、水分及び酸素に対して良好な耐性を示す。さらに、ＯＬＥＤは、高い量子効率、低ターンオン電圧及び光安定性を示す。

ＯＬＥＤは、個別の発光デバイスとして、又は発光アレイ若しくはディスプレイ（フラットパネルディスプレイ等）の能動素子として有用である。ＯＬＥＤディスプレイは、多数のデバイス（腕時計、電話、ラップトップコンピュータ、ポケットベル、携帯電話、デジタルビデオカメラ、ＤＶＤプレイヤー、及び計算機等）で有用である。

本発明のこれら及び他の特徴、態様、及び利点は、以下の説明、添付の特許請求の範囲、及び添付の図面を参照してより深く理解されるであろう。

［発明の詳細な説明］
本明細書中で使用される場合、「直鎖ポリシロキサン」という用語は、分子当たり平均して少なくとも９０ｍｏｌ％、或いは少なくとも９５ｍｏｌ％、或いは少なくとも９８ｍｏｌ％の二官能性シロキサン単位（すなわち、Ｄ単位）を含むポリシロキサンを示す。また、シロキサン単位の「ｍｏｌ％」は、ポリシロキサン中のシロキサン単位の総モル数に対するシロキサン単位のモル数の比に１００を掛けたものと定義する。さらに、「脂肪族不飽和を含まないヒドロカルビル基」という用語は、基が脂肪族炭素−炭素二重結合及び脂肪族炭素−炭素三重結合を含まないことを意味する。さらに、「Ｎ−カルバゾリル」、「１０（９Ｈ）−アクリジニル」、及び「１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イル」という用語は、それぞれ下記式：

を有する基を示す。
本発明による第１の直鎖ポリシロキサンは、式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩを有する１〜２０ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＶを有する単位：

（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；各Ｒ^５は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ、−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−ＳｉＲ^１ _ｎＺ_３−ｎ、又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＲ^４Ｒ^３であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｎは０、１又は２であり；ｐは０又は１である。或いは、下付きのｍは、３〜１０、又は３〜６の値を有する。）を含む。

Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^５で示されるヒドロカルビル基は、脂肪族不飽和を含まず、１〜１０個の炭素原子、或いは１〜６個の炭素原子を典型的に有する。少なくとも３個の炭素原子を含有する非環式ヒドロカルビル基は、分枝状又は非分枝状の構造を有することができる。ヒドロカルビル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメチルエチル、ペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル及びオクタデシル等のアルキル；シクロペンチル、シクロヘキシル及びメチルシクロヘキシル等のシクロアルキル；フェニル及びナフチル等のアリール；トリル及びキシリル等のアルカリール；並びにベンジル及びフェネチル等のアラルキルが挙げられるが、これらに限定されない。

Ｒ^３及びＲ^４で示されるアリール基は、６〜１８個の炭素原子、或いは６〜１２個の炭素原子を典型的に有する。Ｒ^３及びＲ^４で示されるアリール基は、同じであっても異なっていてもよい。アリール基の例としては、フェニル、ナフチル、アセナフチル、アントラセニル、アズレニル、フルオレニル、インダセニル、インデニル、ペリレニル、フェナレニル及びフェナントレニルが挙げられるが、これらに限定されない。

Ｙで示される二価の有機基は、１〜１８個の炭素原子、或いは１〜１０個の炭素原子、或いは１〜６個の炭素原子を典型的に有する。炭素及び水素に加えて、二価の基が、ポリシロキサンを調製するのに又はポリシロキサン中の加水分解性基Ｚと反応するのに使用される、以下に記載されるヒドロシリル化反応を阻害しない場合、二価の有機基は、窒素、酸素、及びハロゲン等の他の原子を含有し得る。Ｙで示される二価の有機基の例としては、メチレン、エチレン、プロパン−１，３−ジイル、２−メチルプロパン−１，３−ジイル、ブタン−１，４−ジイル、ブタン−１，３−ジイル、ペンタン−１，５，−ジイル、ペンタン−１，４−ジイル、へキサン−１，６−ジイル、オクタン−１，８−ジイル、デカン−１，１０−ジイル、シクロへキサン−１，４−ジイル及びフェニレン等のヒドロカルビレン；クロロエチレン及びフルオロエチレン等のハロゲン置換ヒドロカルビレン；−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−、及び−ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２−等のアルキレンオキシアルキレン；−Ｏ−；−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−、及び−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２−等のオキシアルキレン；並びに−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（ＣＨ_２）_３−等のカルボニルオキシアルキレンが挙げられるが、これらに限定されない。

本明細書中で使用される場合、「加水分解性基」という用語は、水と反応してケイ素に結合するＯＨ（シラノール）基を形成することができるケイ素に結合する基Ｚを意味する。Ｚで示される加水分解性基の例としては、−Ｃｌ、Ｂｒ、−ＯＲ^６、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＲ^６、ＣＨ_３Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｅｔ（Ｍｅ）Ｃ＝Ｎ−Ｏ−、ＣＨ_３Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ_３）−、及び−ＯＮＨ_２（式中、Ｒ^６は、Ｃ_１〜Ｃ_８のヒドロカルビル又はハロゲン置換ヒドロカルビルであり、両者とも脂肪族不飽和を含まない）が挙げられるが、これらに限定されない。

Ｒ^６で示されるヒドロカルビル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメチルエチル、ペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル及びオクチル等の非分枝状及び分枝状のアルキル；シクロペンチル、シクロヘキシル及びメチルシクロヘキシル等のシクロアルキル；フェニル；トリル及びキシリル等のアルカリール；並びにベンジル及びフェネチル等のアラルキルが挙げられるが、これらに限定されない。ハロゲン置換ヒドロカルビル基の例としては、３，３，３−トリフルオロプロピル、３−クロロプロピル、クロロフェニル及びジクロロフェニルが挙げられるが、これらに限定されない。

式ＩＩＩ：

を有する単位では、式−Ｃ_６Ｈ_４−を有するフェニレン基が、オルト−、メタ−又はパラ−フェニレンであってもよい。

第１の直鎖ポリシロキサンは、上記の式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ及びＩＶを有する単位を含むコポリマーである。ポリシロキサンは、１〜９９ｍｏｌ％、或いは５〜９０ｍｏｌ％、或いは５０〜９０ｍｏｌ％の式Ｉを有する単位；１〜２０ｍｏｌ％、或いは１〜１０ｍｏｌ％、或いは５〜１０ｍｏｌ％の式ＩＩを有する単位；及び１〜９９ｍｏｌ％、或いは５〜７５ｍｏｌ％、或いは５〜５０ｍｏｌ％の式ＩＩＩを有する単位を典型的に含有する。式Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ及びＩＶを有する単位に加えて、第１の直鎖ポリシロキサンは、３０ｍｏｌ％以下、或いは１０ｍｏｌ％以下、或いは５ｍｏｌ％以下の他のシロキサン単位を含有していてもよい。他のシロキサン単位の例としては、下記式：Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２、Ｒ^１ _２ＨＳｉＯ_１／２、及びＲ^１ _２ＳｉＯ_２／２（式中、Ｒ^１は、上記で定義及び例示したとおりである）を有する単位が挙げられるが、これらに限定されない。

低角度レーザー光散乱検出器を使用したゲル浸透クロマトグラフィによって分子量を測定すると、第１の直鎖ポリシロキサンは、１，０００〜１，０００，０００、或いは２，５００〜１５０，０００、或いは１０，０００〜３０，０００の数平均分子量を典型的に有する。

第１の直鎖ポリシロキサンの例としては、下記式：
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７０[（ＡｃＯ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０８[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１２[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０９[Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０１、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．７０[（ＡｃＯ）_２Ｓｉ（Ｍｅ）（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．１[ＨＳｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０９[Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０１、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．５３[（ＭｅＯ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ（Ｍｅ）ＣＨ_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．２５[Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０２、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_５Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７０[（ＭｅＯ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０９[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４Ｏ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０１、及び
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．４０[（ＭｅＯ）_３Ｓｉ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[ＮＡＰｈＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．３９[Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０１
（式中、Ｍｅはメチルであり、Ｅｔはエチルであり、Ｐｈはフェニルであり、ＮＡはナフチルであり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり、ＯＡｃはアセトキシであり、下付き数字はモル分率を表わす）を有するポリシロキサン類が挙げられるが、これらに限定されない。また、前述の式において、単位の順序は特定されない。

第１の直鎖ポリシロキサンは、（ａ）式Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ（Ｒ^１ＨＳｉＯ）_ａＳｉＲ^１ _２Ｒ^２を有する有機水素ポリシロキサンを、（ｂ）式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_ｍ−２−ＣＨ＝ＣＨ_２を有するＮ−アルケニルカルバゾール、（ｃ）式Ｚ_３−ｎＲ^１ _ｎＳｉ−Ｙ_ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２を有するアルケニルシラン、及び式（ｄ）Ｒ^３Ｒ^４Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｙ_Ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２を有するアルケニル官能性トリアリールアミンと、（ｅ）ヒドロシリル化触媒及び任意に（ｆ）有機溶媒の存在下で反応させることにより調製することができる。式中、下付きのａは、有機水素ポリシロキサンが２４０〜２２０，０００の数平均分子量を有するような値を有し；Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｃｚ、Ｙ、Ｚ、ｍ、ｎ及びｐは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである。

（ａ）有機水素ポリシロキサンは、式Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ（Ｒ^１ＨＳｉＯ）_ａＳｉＲ^１ _２Ｒ^２（式中、Ｒ^１及びＲ^２は第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりであり；下付きのａは、有機水素ポリシロキサンが、２４０〜２２０，０００、或いは１，０００〜１５０，０００、或いは１，０００〜７５，０００の数平均分子量を典型的に有するような値を有する）を有する。

（ａ）有機水素ポリシロキサンとして使用するのに好適な有機水素ポリシロキサン類の例としては、トリメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、水素ジメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、トリエチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、水素ジエチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、トリメチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、水素ジメチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、トリエチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、水素ジエチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、トリメチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、水素ジメチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、トリエチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、及び水素ジエチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類が挙げられるが、これらに限定されない。

ポリ（メチル水素）シロキサンの製造で例示される有機水素ポリシロキサンを調製する方法は当該技術分野で既知である。例えば、約５００以下の重合度のポリ（メチル水素）シロキサンを、米国特許第２，４９１，８４３号による適切な有機ハロシランの加水分解及び縮合によって調製することができる。Gupta等（Polym. J., 1993, 29(1), 15-22）によって記載されているように、室温において、塩化メチレン中で開始剤としてトリフルオロメタンスルホン酸を使用した１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの重合によって、１０^５を超える数平均分子量を有するポリ（メチル水素）シロキサンを調製することができる。或いは、Maisonnier等（Polym. Int., 1999, 48, 159-164）によって教示されるように、ドデシルベンゼンスルホン酸及びＢｒｉｊ３５（ポリオキシエチレン（２３）ラウリルエーテル）をそれぞれ乳化剤／開始剤及び共乳化剤として使用した水性エマルジョン中での１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンの重合によって、比較的高分子量（Ｍ_ｎ＝７，０００〜７０，０００）のポリ（メチル水素）シロキサンを調製することができる。さらに、米国特許第５，５５４，７０８号に開示されるように、（ｉ）シラノール未含有ヘキサ有機ジシロキサン、１つ以上のシラノール未含有メチル水素環状シロキサン、及び約１００ｐｐｍ未満の水を含有する反応混合物を形成し、（ｉｉ）この反応混合物を無水トリフルオロメタンスルホン酸触媒と接触させ、（ｉｉｉ）混合物及び触媒を１００℃未満で撹拌して、直鎖トリ有機シロキシでエンドキャップしたメチル水素ポリシロキサンを形成することによって、約２，２００以下の重合度の直鎖トリ有機シロキシでエンドキャップした(triorganosiloxy-endcapped)ポリ（メチル水素）シロキサンを調製することができる。

（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールは、式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_ｍ−２−ＣＨ＝ＣＨ_２（式中、Ｃｚ及びｍは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）を有する少なくとも１つのＮ−アルケニルカルバゾールである。

（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールの例としては、下記式：ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｃｚ、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−Ｃｚ、ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_３−Ｃｚ、ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_５−Ｃｚ、及びＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_８−Ｃｚ（式中、ＣｚはＮ−カルバゾリルである）を有するカルバゾールが挙げられるが、これらに限定されない。

（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールは、単一のＮ−アルケニルカルバゾールであっても、２つ以上の異なるＮ−アルケニルカルバゾールを含む混合物であってもよく、式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_ｍ−２−ＣＨ＝ＣＨ_２（式中、Ｃｚ及びｍは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）をそれぞれ有する。

（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールを調製する方法は、当該技術分野で既知である。例えば、Heller等（Makromol. Chem., 1964, 73, 48）によって記載されているように、式Ｂｒ−（ＣＨ_２）_ｍ−２−ＣＨ＝ＣＨ_２を有するω−アルケニルブロミドをカルバゾールナトリウムと反応させることよってＮ−アルケニルカルバゾールを調製することができる。

（ｃ）アルケニルシランは、式Ｚ_３−ｎＲ^１ _ｎＳｉ−Ｙ_Ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｙ、Ｚ、及びｎは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）を有する少なくとも１つのアルケニルシランである。

（ｃ）アルケニルシランの例としては、下記式：ＣＨ_２＝Ｃ（Ｍｅ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＭｅ）_３、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｓｉ（ＯＡｃ）_３、ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_９−Ｓｉ（ＯＭｅ）_３、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｓｉ（ＯＡｃ）_２（ＯＭｅ）、及びＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＭｅ）_３（式中、Ｍｅはメチルであり、ＯＡｃはアセトキシである）を有するシランが挙げられるが、これらに限定されない。

（ｃ）アルケニルシランは、単一のアルケニルシランであっても、２つ以上の異なるアルケニルシランを含む混合物であってもよく、式Ｚ_３−ｎＲ^１ _ｎＳｉ−Ｙ_Ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｙ、Ｚ、及びｎは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）をそれぞれ有する。

（ｃ）アルケニルシランを調製する方法は当該技術分野で既知である。例えば、直接合成、グリニャール反応、アルケン又はアルキンへの有機ケイ素水素化物の添加、クロロオレフィンと有機ケイ素水素化物との縮合、及びハロアルキルシランの脱ハロゲン化水素反応(dehydrohalogenation)によってアルケニルシランを調製することができる。これら及び他の方法は、W.NollによるChemistry and Technology of Silicones, Academic Press: New York, 1968に記載されている。

（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンは、式Ｒ^３Ｒ^４Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｙ_ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２（式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙ及びｐは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）を有する少なくとも１つのアルケニル官能性トリアリールアミンである。

（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンの例としては、下記式：

を有するアミンが挙げられるが、これらに限定されない。

（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンは、単一のアルケニル官能性トリアリールアミンであっても、２つ以上の異なるアルケニル官能性トリアリールアミンを含む混合物であってもよく、式Ｒ^３Ｒ^４Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｙ_ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２（式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙ及びｐは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）をそれぞれ有する。

（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンとして使用するのに好適なアルケニルアミンを調製する方法は当該技術分野で既知である。例えば、式Ｂｒ−Ｙ_ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２を有するω−アルケニルブロミドを、式Ｒ^３Ｒ^４Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４ＭｇＢｒを有するグリニャール試薬と反応させることによってアルケニル官能性トリアリールアミンを調製することができる。式中、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｙ及びｐは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである。

（ｅ)ヒドロシリル化触媒は、白金族金属（すなわち、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム及びイリジウム）又は白金族金属を含有する化合物を含む既知のヒドロシリル化触媒のいずれかであり得る。好ましくは、ヒドロシリル化反応における高活性に基づき、白金族金属は白金である。

好ましいヒドロシリル化触媒としては、Willingによる米国特許第３，４１９，５９３号（本明細書中で参照により援用される）に開示されている塩化白金酸と特定のビニル含有有機シロキサンとの錯体が挙げられる。この種の好ましい触媒は、塩化白金酸と１，３−ジエテニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンとの反応生成物である。

（ｅ）有機溶媒は、少なくとも１つの有機溶媒である。有機溶媒は、本方法の条件下で（ａ）有機水素ポリシロキサン、（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾール、（ｃ）アルケニルシラン、（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミン又は第１の直鎖ポリシロキサンと反応せず、且つ成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及びカルバゾリル官能性直鎖ポリシロキサンと混和性を示す任意の非プロトン性有機溶媒又は双極性非プロトン性有機溶媒であり得る。

有機溶媒の例としては、ｎ−ペンタン、ヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソオクタン及びドデカン等の飽和脂肪族炭化水素類；シクロペンタン及びシクロヘキサン等の脂環式炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン及びメシチレン等の芳香族炭化水素類；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）及びジオキサン等の環式エーテル類；メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等のケトン類；トリクロロエタン等のハロゲン化アルカン類；並びにブロモベンゼン及びクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等が挙げられるが、これらに限定されない。（ｆ）有機溶媒は、それぞれ上記で定義されるような、単一の有機溶媒であっても、２つ以上の異なる有機溶媒を含む混合物であってもよい。

ヒドロシリル化反応に好適な任意の標準的な反応装置内で反応を行うことができる。好適な反応装置としては、ガラス反応装置及びテフロン（登録商標）加工した（Teflon-lined）ガラス反応装置が挙げられる。好ましくは、反応装置は、撹拌等の混合手段を備えている。また、好ましくは、水分の存在しない窒素又はアルゴン等の不活性雰囲気下で反応を行う。

有機水素ポリシロキサン、Ｎ−アルケニルカルバゾール、アルケニルシラン、アルケニルアミン、ヒドロシリル化触媒及び有機溶媒を、任意の順序で混ぜ合わせることができる。典型的には、（ｅ)ヒドロシリル化触媒の導入前に、（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミン、（ｃ）アルケニルシラン及び（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールを、（ａ）有機水素ポリシロキサン及び任意の（ｆ）有機溶媒に、連続的に添加する。

反応は、０℃〜２５０℃、或いは室温（約２３℃）〜１５０℃の温度で一般に行われる。温度が０℃未満である場合、反応速度は典型的に非常に遅い。

反応時間は、有機水素ポリシロキサン、Ｎ−アルケニルカルバゾール、アルケニルシラン及びアルケニルアミンの構造、並びに温度等のいくつかの要因に依存する。反応時間は、典型的に、室温〜１４０℃の温度で２〜４８時間である。以下の実施例の項に記載の方法を使用した日常的実験によって最適反応時間を決定することができる。

（ａ）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールのモル比は、典型的に０．０１〜１．２、或いは０．５〜０．９５である。（ａ）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｃ）アルケニルシランのモル比は、典型的に０．０１〜０．３、或いは０．０５〜０．２である。（ａ）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンのモル比は、典型的に０．０１〜１．２、或いは０．０５〜０．６である。

（ｅ)ヒドロシリル化触媒の濃度は、（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾール、（ｃ）アルケニルシラン及び（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンとの（ａ）有機水素ポリシロキサンの付加反応を触媒するのに十分な量である。典型的には、（ｄ)ヒドロシリル化触媒の濃度は、（ａ）有機水素ポリシロキサン、（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾール、（ｃ）アルケニルシラン及び（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンの総重量に基づいて、０．１〜１，０００ｐｐｍの白金族金属、或いは１〜５００ｐｐｍの白金族金属、或いは５〜１５０ｐｐｍの白金族金属を得るのに十分な量である。反応速度は、０．１ｐｐｍ未満の白金族金属では非常に遅い。１，０００ｐｐｍを超える白金族金属の使用による反応速度の増大はわずかであり、従って非経済的である。

（ｆ）有機溶媒の濃度は、反応混合物の総重量に基づいて、典型的に０〜６０％（ｗ／ｗ）、或いは３０〜６０％（ｗ／ｗ）、或いは４０〜５０％（ｗ／ｗ）である。

ポリシロキサンの沈殿をもたらすのに十分量のアルコールを添加し、その後反応混合物を濾過してポリシロキサンを得ることにより、第１の直鎖ポリシロキサンを反応混合物から回収することができる。アルコールは、１〜６個の炭素原子、或いは１〜３個の炭素原子を典型的に有する。さらに、アルコールは、直鎖、分枝、又は環状構造を有し得る。アルコール中のヒドロキシル基を、第１級、第２級又は第３級脂肪族炭素原子に結合させることができる。アルコールの例としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、及びシクロヘキサノールが挙げられるが、これらに限定されない。

本発明による第２の直鎖ポリシロキサンは、式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式Ｖを有する単位：

（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｐは０又は１であり；ｑは０、１又は２である）を含む。式Ｉ、ＩＩＩ及びＶにおいて、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｃｚ、Ｙ、Ｚ、ｍ及びｐは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである。

第２の直鎖ポリシロキサンは、上記の式Ｉ、ＩＩＩ及びＶを有する単位を含むコポリマーである。ポリシロキサンは、１〜９９ｍｏｌ％、或いは５〜９０ｍｏｌ％、或いは５０〜９０ｍｏｌ％の式Ｉを有する単位；及び１〜９９ｍｏｌ％、或いは５〜７５ｍｏｌ％、或いは５〜５０ｍｏｌ％の式ＩＩＩを有する単位を含有する。式Ｉ、ＩＩＩ及びＶを有する単位に加えて、第２の直鎖ポリシロキサンは、３０ｍｏｌ％以下、或いは１０ｍｏｌ％以下、或いは５ｍｏｌ％以下の他のシロキサン単位を含有していてもよい。他のシロキサン単位の例としては、下記式：Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２、Ｒ^１ _２ＨＳｉＯ_１／２、及びＲ^１ _２ＳｉＯ_２／２（式中、Ｒ^１は、上記で定義及び例示したとおりである）を有する単位が挙げられるが、これらに限定されない。

低角度レーザー光散乱検出器を使用したゲル浸透クロマトグラフィによって分子量を測定すると、第２の直鎖ポリシロキサンは、１，０００〜１，０００，０００、或いは２，５００〜１５０，０００、或いは１０，０００〜３０，０００の数平均分子量を典型的に有する。

第２の直鎖ポリシロキサンの例としては、下記式：
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７９[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０５[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１５[（ＡｃＯ）_３ＳｉＯ_１／２]_０．０１、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．８０[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０８[（ＭｅＯ）_３ＳｉＯ_１／２]_０．０２、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_５Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７８[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[（ＥｔＯ）_３ＳｉＯ_１／２]_０．０２、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７５[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０７[ＮＡＰｈＮＣ_６Ｈ_４Ｏ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１５[（ＭｅＯ）_３ＳｉＯ_１／２]_０．０３、及び
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．５８[ＨＳｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．１５[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．２５[（ＭｅＯ）_３ＳｉＯ_１／２]_０．０２
（式中、Ｍｅはメチルであり、Ｅｔはエチルであり、Ｐｈはフェニルであり、ＮＡはナフチルであり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり、ＯＡｃはアセトキシであり、下付き数字はモル分率を表わす）を有するポリシロキサン類が挙げられるが、これらに限定されない。また、前述の式において、単位の順序は特定されない。

第２の直鎖ポリシロキサンは、（ａ’）式Ｚ_３−ｑＲ^１ _ｑＳｉＯ（Ｒ^１ＨＳｉＯ）_ａＳｉＲ^１ _ｑＺ_３−ｑを有する有機水素ポリシロキサンを、（ｂ）式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_ｍ−２−ＣＨ＝ＣＨ_２を有するＮ−アルケニルカルバゾール及び（ｄ）式Ｒ^３Ｒ^４Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｙ_Ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２を有するアルケニル官能性トリアリールアミンと、（ｅ）ヒドロシリル化触媒及び任意に（ｆ）有機溶媒の存在下で反応させることにより調製することができる。式中、下付きのａは、有機水素ポリシロキサンが２４０〜２２０，００の数平均分子量を有するような値を有し；ｑは、０、１又は２であり；Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｃｚ、Ｙ、Ｚ、ｍ及びｐは第２の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである。

（ａ’）有機水素ポリシロキサンは、式Ｚ_３−ｑＲ^１ _ｑＳｉＯ（Ｒ^１ＨＳｉＯ）_ａＳｉＲ^１ _ｑＺ_３−ｑ（式中、Ｒ^１、Ｚ及びｑは第２の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりであり；下付きのａは、有機水素ポリシロキサンが、２４０〜２２０，００、或いは１，０００〜１５０，０００、或いは１，０００〜７５，０００の数平均分子量を有するような値を有する）を有する。

（ａ’）有機水素ポリシロキサンとして使用するのに好適な有機水素ポリシロキサン類の例としては、トリメトキシシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、ジメトキシメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、メトキシジメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、トリアセトキシシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、ジアセトキシメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、アセトキシジメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）類、トリメトキシシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、ジメトキシメチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、メトキシジメチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、トリアセトキシシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、ジアセトキシメチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、アセトキシジメチルシロキシ末端ポリ（エチル水素シロキサン）類、トリメトキシシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、ジメトキシメチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、メトキシジメチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、トリアセトキシシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、ジアセトキシメチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類、及びアセトキシジメチルシロキシ末端ポリ（フェニル水素シロキサン）類が挙げられるが、これらに限定されない。

末端に加水分解性基を有する有機水素ポリシロキサンを調製する方法は当該技術分野で既知である。例えば、アルコキシ末端有機水素ポリシロキサンを、式ＸＳｉＲ^１ _ｑＺ_３−ｑ（式中、ＸはＺ又は−ＯＨであり、Ｒ^１、Ｚ、及びｑは第２の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである）を有するシランと反応させることによって有機水素ポリシロキサンを調製することができる。

（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾール、（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミン、（ｅ）ヒドロシリル化触媒、及び（ｆ）有機溶媒は、第１の直鎖ポリシロキサンを調製する方法において上記で記載及び例示したとおりである。

第２の直鎖ポリシロキサンを調製する反応は、第１の直鎖ポリシロキサンの調製について上記した方法で行うことができるが、ただし、（ａ’）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールのモル比が、典型的に０．０１〜１．２、或いは０．６〜１．０であり；（ａ’）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンのモル比が、典型的に０．０１〜１．２、或いは０．０５〜０．７である。さらに、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記したように、反応混合物から第２の直鎖ポリシロキサンを回収することができる。

本発明による第３の直鎖ポリシロキサンは、式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＶＩを有する単位：

（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；各Ｒ^７は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＰｈ_２であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｐは０又は１である）を含む。式Ｉ、ＩＩＩ及びＶＩにおいて、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｃｚ、Ｙ、ｍ及びｐは、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである。

第３の直鎖ポリシロキサンは、上記の式Ｉ、ＩＩＩ及びＶＩを有する単位を含むコポリマーである。ポリシロキサンは、１〜９９ｍｏｌ％、或いは５〜９０ｍｏｌ％、或いは５０〜９０ｍｏｌ％の式Ｉを有する単位；及び１〜９９ｍｏｌ％、或いは５〜７５ｍｏｌ％、或いは５〜５０ｍｏｌ％の式ＩＩＩを有する単位を含有する。式Ｉ、ＩＩＩ、及びＶＩを有する単位に加えて、第３の直鎖ポリシロキサンは、３０ｍｏｌ％以下、或いは１０ｍｏｌ％以下、或いは５ｍｏｌ％以下の他のシロキサン単位を含有していてもよい。他のシロキサン単位の例としては、下記式：Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２、Ｒ^１ _２ＳｉＯ_１／２、及びＲ^１ _２ＳｉＯ_２／２（式中、Ｒ^１は、上記で定義及び例示したとおりである）を有する単位が挙げられるが、これらに限定されない。

低角度レーザー光散乱検出器を使用したゲル浸透クロマトグラフィによって分子量を測定すると、第３の直鎖ポリシロキサンは、１，０００〜１，０００，０００、或いは２，５００〜１５０，０００、或いは１０，０００〜３０，０００の数平均分子量を典型的に有する。

第３の直鎖ポリシロキサンの例としては、下記の平均的な式：
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７９[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０５[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１５[Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０１、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．８０[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０８[（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０２、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_５Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７８[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１[ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２]_０．０２、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．７５[ＨＳｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．０７[ＮＡＰｈＮＣ_６Ｈ_４Ｏ（ＣＨ_２）_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２]_０．１５[（ＰｈＭｅ_２ＳｉＯ_１／２]_０．０３、
[Ｃｚ（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．５８[ＨＳｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．１５[Ｐｈ_２ＮＣ_６Ｈ_４（ＣＨ_２）_３Ｓｉ（Ｅｔ）Ｏ_２／２]_０．２５[（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２]_０．０２
（式中、Ｍｅはメチルであり、Ｅｔはエチルであり、Ｐｈはフェニルであり、ＮＡはナフチルであり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり、下付き数字はモル分率を表わす）を有するポリシロキサン類が挙げられるが、これらに限定されない。また、前述の式において、単位の順序は特定されない。

第３の直鎖ポリシロキサンは、（ａ）式Ｒ^２Ｒ^１ _２ＳｉＯ（Ｒ^１ＨＳｉＯ）_ａＳｉＲ^１ _２Ｒ^２を有する有機水素ポリシロキサンを、（ｂ）式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_ｍ−２−ＣＨ＝ＣＨ_２を有するＮ−アルケニルカルバゾール、及び式（ｄ）Ｒ^３Ｒ^４Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｙ_Ｐ−ＣＲ^２＝ＣＨ_２を有するアルケニル官能性トリアリールアミンと、（ｅ）ヒドロシリル化触媒及び任意に（ｆ）有機溶媒の存在下で反応させることにより調製することができる。式中、下付きのａは、有機水素ポリシロキサンが２４０〜２２０，００の数平均分子量を有するような値を有し；Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｃｚ、Ｙ、ｍ及びｐは、第３の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりである。

（ａ）有機水素ポリシロキサン、（ｂ）Ｎ−カルバゾール、（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミン、（ｄ）ヒドロシリル化触媒及び（ｆ）有機溶媒は、第１の直鎖ポリシロキサンを調製する方法において上記で記載及び例示したとおりである。

第３の直鎖ポリシロキサンを調製する反応は、第１の直鎖ポリシロキサンの調製について上記した方法で行うことができるが、ただし、（ａ）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｂ）Ｎ−アルケニルカルバゾールのモル比が、典型的に０．０１〜１．２、或いは０．６〜１．０であり；（ａ）有機水素ポリシロキサン中のケイ素に結合した水素原子に対する（ｄ）アルケニル官能性トリアリールアミンのモル比が、典型的に０．０１〜１．２、或いは０．０５〜０．７である。さらに、第１の直鎖ポリシロキサンについて上記したように、反応混合物から第３の直鎖ポリシロキサンを回収することができる。

本発明によるシリコーン組成物は、
（Ａ）（ｉ）式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩを有する１〜２０ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＶを有する単位：

を含む少なくとも１つの直鎖ポリシロキサン、（ｉｉ）式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式Ｖを有する単位：

を含む少なくとも１つの直鎖ポリシロキサン、並びに（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）を含む混合物（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；各Ｒ^５は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ、−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−ＳｉＲ^１ _ｎＺ_３−ｎ、又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＲ^４Ｒ^３であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｎは０、１又は２であり；ｐは０又は１であり；ｑは０、１又は２である）から選択されるポリシロキサンと、
（Ｂ）縮合触媒と、
（Ｃ）有機溶媒と
を含む。

成分（Ａ）（ｉ）及び成分（Ａ）（ｉｉ）は、それぞれ上記で記載及び例示される第１の直鎖ポリシロキサン及び第２の直鎖ポリシロキサンである。

成分（Ｂ）は、少なくとも１つの縮合触媒である。縮合触媒は、ケイ素に結合したヒドロキシ（シラノール）基の縮合を促進させ、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成するために典型的に用いられる任意の縮合触媒であり得る。縮合触媒の例としては、錫ジラウレート、錫ジオクトエート、及びテトラブチル錫等の錫（ＩＩ）化合物及び錫（ＩＶ）化合物；並びにチタンテトラブトキシド等のチタン化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

存在する場合、縮合触媒の濃度は、成分（Ａ）の総重量に基づいて、典型的に０．１〜１０％（ｗ／ｗ）、或いは０．５〜５％（ｗ／ｗ）、或いは１〜３％（ｗ／ｗ）である。

成分（Ｃ）は、少なくとも１つの有機溶媒である。有機溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン及びメシチレン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）及びジオキサン等の環状エーテル；メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロペンタノン及びシクロヘキサノン等のケトン；トリクロロエタン等のハロゲン化アルカン；並びにブロモベンゼン及びクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素が挙げられるが、これらに限定されない。成分（Ｃ）は、それぞれ上記で定義されるように、単一の有機溶媒であっても、２つ以上の異なる有機溶媒を含む混合物であってもよい。有機溶媒の濃度は、シリコーン組成物の総重量に基づき、典型的に７０〜９９％（ｗ／ｗ）、或いは８５〜９９％（ｗ／ｗ）である。

シリコーン組成物が、ｑが２の値を有する成分（Ａ）（ｉｉ）を含む場合、上記組成物は、典型的に、式Ｒ^８ _ｗＳｉＺ_４−ｗ（式中、Ｒ^８はＣ_１〜Ｃ_８ヒドロカルビル又はハロゲン置換ヒドロカルビルであり；Ｚは第１の直鎖ポリシロキサンについて上記で定義及び例示したとおりであり；ｗは０又は１である）を有する架橋剤をさらに含む。架橋剤の例としては、ＭｅＳｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＨ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＨ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＨ_３Ｓｉ[Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ_３]_３、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、Ｃ_６Ｈ_５Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_６Ｈ_５Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３、ＣＨ_２＝ＣＨＳｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３、ＣＨ_３Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３）_３、ＣＦ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３）_３、ＣＨ_２＝ＣＨＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３）_３、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３）_３、Ｃ_６Ｈ_５Ｓｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_３）_３、Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_４、Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４及びＳｉ（ＯＣ_３Ｈ_７）_４等のアルコキシシラン類；ＣＨ_３Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_３、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_３及びＣＨ_２＝ＣＨＳｉ（ＯＣＯＣＨ_３）_３等のオルガノアセトキシシラン類；ＣＨ_３Ｓｉ[Ｏ−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３]_３、Ｓｉ[Ｏ−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３]_４及びＣＨ_２＝ＣＨＳｉ[Ｏ−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_３]_３等のオルガノイミノオキシシラン類；ＣＨ_３Ｓｉ[ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_３]_３及びＣ_６Ｈ_５Ｓｉ[ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_３]_３等のオルガノアセトアミドシラン類；ＣＨ_３Ｓｉ[ＮＨ（ｓ−Ｃ_４Ｈ_９）]_３及びＣＨ_３Ｓｉ（ＮＨＣ_６Ｈ_１１）_３等のアミノシラン類；並びにオルガノアミノオキシシラン類が挙げられるが、これらに限定されない。

架橋剤は、それぞれ上記されるように、単一のシランであっても、２つ以上の異なるシランの混合物であってもよい。また、三官能性シラン及び四官能性シランを調製する方法は、当該技術分野で既知であり、多数のこれらのシランは市販されている。

存在する場合、シリコーン組成物中の架橋剤の濃度は、組成物を硬化（架橋）するのに十分な量である。架橋剤の正確な量は、所望の硬化度(extent of cure)に依存し、この硬化度は、第２の直鎖ポリシロキサン中の加水分解性基Ｚのモル数に対する、架橋剤中のケイ素に結合した加水分解性基のモル数の比が増大するにつれて一般に大きくなる。典型的には、架橋剤の濃度は、第２の直鎖ポリシロキサン中の加水分解性基当たり０．９〜１．０個の、ケイ素に結合した加水分解性基を得るのに十分な量である。架橋剤の最適量は、日常的実験によって容易に決定することができる。

本発明のシリコーン組成物は、室温において、記載の割合での成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び任意の成分を混ぜ合わせることによって典型的に調製される。

バッチプロセス又は連続プロセスにおける粉砕、ブレンド及び撹拌等の当該技術分野で既知の技法のいずれかによって混合することができる。成分の粘度及び最終的なシリコーン組成物の粘度に応じて特定のデバイスが決定される。

本発明による第１の有機発光ダイオードは、
第１の対向面及び第２の対向面を有する基板と、
第１の対向面に積層する第１の電極層と、
第１の電極層に積層する発光素子であって、正孔輸送層及び発光／電子輸送層を含み、正孔輸送層及び発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、正孔輸送層は上述のシリコーン組成物を適用してフィルムを形成し、そのフィルムを硬化することにより調製される硬化ポリシロキサンを含む発光素子と、
発光素子に積層する第２の電極層と
を含む。

本明細書中で使用される場合、指定される構成要素に対する第１の電極層、発光素子、及び第２の電極層の位置に関して使用される、「積層」という用語は、図１及び図２に示すように、ＯＬＥＤが第１の電極層の下に基板がある状態で配置される場合、特定の層が構成要素上に直接配置されるか、又はその間の１つ以上の中間層と共に構成要素上に配置されることを意味する。例えば、ＯＬＥＤにおける基板の第１の対向面に対する第１の電極層の位置に関して使用される「積層」という用語は、第１の電極層が表面上に直接配置されるか、又は１つ以上の中間層によって表面から隔てられていることを意味する。

基板は、２つの対向面を有する硬質又は可撓性の材料であり得る。さらに、基板は、電磁スペクトルの可視領域における光に対して透明であっても不透明であってもよい。本明細書中で使用される場合、「透明」という用語は、電磁スペクトルの可視領域（約４００〜約７００ｎｍ）における光に対する特定の構成要素（例えば、基板又は電極層）の透過率が少なくとも３０％、或いは少なくとも６０％、或いは少なくとも８０％であることを意味する。また、本明細書中で使用される場合、「不透明」という用語は、電磁スペクトルの可視領域における光に対する構成要素の透過率が３０％未満であることを意味する。

基板の例としては、シリコン、二酸化ケイ素の表面層を有するシリコン、及びガリウムヒ素等の半導体材料；石英；石英ガラス；酸化アルミニウム；セラミックス；ガラス；金属箔；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン及びポリエチレンテレフタレート等のポリオレフィン類；ポリテトラフルオロエチレン及びポリフッ化ビニル等のフルオロカーボンポリマー類；ナイロン等のポリアミド類；ポリイミド類；ポリ(メチルメタクリレート）等のポリエステル類；エポキシ樹脂類；ポリエーテル類；ポリカーボネート類；ポリスルホン類；並びにポリエーテルスルホン類が挙げられるが、これらに限定されない。

第１の電極層は、ＯＬＥＤにおける陽極又は陰極として機能することができる。第１の電極層は、可視光に対して透明であっても不透明であってもよい。陽極は、仕事関数が大きい（＞４ｅＶ）金属、合金又は金属酸化物（例えば、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、アルミニウムをドープした酸化亜鉛、ニッケル及び金）から選択される。陰極は、仕事関数が小さい（＜４ｅＶ）金属（例えば、Ｃａ、Ｍｇ及びＡｌ）；上記の仕事関数が大きい（＞４ｅＶ）金属、合金若しくは金属酸化物；又は仕事関数が小さい金属と、仕事関数が大きいか若しくは仕事関数が小さい少なくとも１つの他の金属との合金（例えば、Ｍｇ−Ａｌ、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｉｎ−Ｍｇ及びＡｌ−Ｃａ）であり得る。ＯＬＥＤの作製において陽極層及び陰極層を蒸着(depositing)させる方法（例えば、蒸発、同時蒸発、ＤＣマグネトロンスパッタリング、又はＲＦスパッタリング）は当該技術分野で既知である。

発光素子層は第１の電極層に積層する。発光素子は、正孔輸送層及び発光／電子輸送層を含み、正孔輸送層及び発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、正孔輸送層は、本発明のシリコーン組成物を適用してフィルムを形成し、そのフィルムを硬化することにより調製される硬化ポリシロキサンを含む。発光素子の配置は、ＯＬＥＤにおける陽極及び陰極の相対位置に依存する。正孔輸送層は、陽極と発光／電子輸送層との間に位置し、発光／電子輸送層は、正孔輸送層と陰極との間に位置する。正孔輸送層の厚さは、典型的に２〜１００ｎｍ、或いは３０〜５０ｎｍである。発光／電子輸送層の厚さは、典型的に２０〜１００ｎｍ、或いは３０〜７０ｎｍである。

正孔輸送層は、シリコーン組成物を適用してフィルムを形成し、そのフィルムを硬化することにより調製される硬化ポリシロキサンを含み、シリコーン組成物は、上記の成分（Ａ）から成分（Ｃ）までの全てを含む。シリコーン組成物は、フィルムを形成するために、スピンコーティング、浸漬、噴霧、刷毛塗り及び印刷等の従来方法を用いて、ＯＬＥＤの構成に応じて第１の電極層、第１の電極層に積層する層、又は発光／電子輸送層に適用され得る。

水分に曝すことによってフィルムを硬化することができる。硬化ポリシロキサンの形成は、熱の適用及び／又は高湿度への曝露によって促進され得る。硬化ポリシロキサンの形成速度は、温度、湿度、シランの構造、及び加水分解性基の性質等の多くの因子に依存する。例えば、硬化ポリシロキサンは、ほぼ室温（２３℃）〜約１５０℃の温度で、０．５〜７２時間、フィルムを約３０％の相対湿度に曝すことによって典型的に形成される。

発光／電子輸送層は、ＯＬＥＤデバイスにおいて、発光、電子輸送、電子注入／電子輸送、又は発光材料として典型的に使用される任意の低分子量有機化合物又は有機ポリマーであり得る。電子輸送層として使用されるのに好適な低分子量有機化合物は、米国特許第５，９５２，７７８号、米国特許第４，５３９，５０７号、米国特許第４，３５６，４２９号、米国特許第４，７６９，２９２号、米国特許第６，０４８，５７３号、及び米国特許第５，９６９，４７４号に例示されるように当該技術分野で既知である。低分子量化合物の例としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン及びペリレン等の芳香族化合物類；１，４−ジフェニルブタジエン及びテトラフェニルブタジエン等のブタジエン類；クマリン類；アクリジン；トランス−スチルベン等のスチルベン類；並びにトリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）Ａｌｑ_３等のキレート化オキシノイド化合物類が挙げられるが、これらに限定されない。これらの低分子量有機化合物は、真空蒸発及び昇華等の標準的な薄膜形成技法によって蒸着され得る。

発光／電子輸送層として使用するのに好適な有機ポリマーは、米国特許第５，９５２，７７８号、米国特許第５，２４７，１９０号、米国特許第５，８０７，６２７号、米国特許第６，０４８，５７３号、及び米国特許第６，２５５，７７４号に例示されるように当該技術分野において既知である。有機ポリマーの例としては、ポリ（１，４−フェニレンビニレン）等のポリ（フェニレンビニレン）類；ポリ（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ−５−（２−メチルペンチルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メトキシ−５−ペンチルオキシ−１，４−フェニレンビニレン）及びポリ（２−メトキシ−５−ドデシルオキシ−１，４−フェニレンビニレン）等のポリ−（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）類；ポリ（２，５−ジアルキル−１，４−フェニレンビニレン）類；ポリ（フェニレン）；ポリ（２，５−ジアルキル−１，４−フェニレン）類；ポリ（ｐ−フェニレン）；ポリ（３−アルキルチオフェン）類等のポリ（チオフェン）類；ポリ（３−ドデシルチエニレン）等のポリ（アルキルチエニレン）類；ポリ（９，９−ジアルキルフルオリン）類等のポリ（フルオレン）類；並びにポリアニリン類が挙げられるが、これらに限定されない。また、有機ポリマーの例としては、ＬＵＭＡＴＩＯＮ Ｒｅｄ １１００シリーズの発光ポリマー、ＬＵＭＡＴＩＯＮ Ｇｒｅｅｎ １３００シリーズの発光ポリマー、及びＬＵＭＡＴＩＯＮ Ｂｌｕｅ ＢＰ７９の発光ポリマー等のＬＵＭＡＴＩＯＮという商品名でダウ・ケミカルカンパニー(ミシガン州、ミッドランド）から入手可能な、ポリフルオレンをベースとした発光ポリマーも挙げられる。有機ポリマーは、スピンコーティング、浸漬、噴霧、刷毛塗り及び印刷（例えば、ステンシル印刷及びスクリーン印刷）等の従来の溶媒コーティング技法によって適用することができる。

発光／電子輸送層は、蛍光色素をさらに含み得る。ＯＬＥＤデバイスで使用するのに好適な蛍光色素は、米国特許第４，７６９，２９２号に例示されるように当該技術分野で既知である。蛍光色素の例としては、クマリン類；４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）４Ｈ−ピラン等のジシアノメチレンピラン類；ジシアノメチレンチオピラン類；ポリメチン；オキサベンズアントラセン；キサンテン；ピリリウム及びチアピリリウム；カボスチリル；及びペリレン蛍光色素が挙げられるが、これらに限定されない。

第２の電極層は、ＯＬＥＤにおける陽極又は陰極のいずれかとして機能することができる。第２の電極層は、可視領域における光に対して透明であっても不透明であってもよい。陽極材料又は陰極材料及びそれらの形成方法の例は、第１の電極層について上記したとおりである。

本発明のＯＬＥＤは、陽極と正孔輸送層との間に配置された正孔注入層、及び／又は陰極と発光／電子輸送層との間に配置された電子注入層をさらに含み得る。正孔注入層は、５〜２０ｎｍ、或いは７〜１０ｎｍの厚さを典型的に有する。正孔注入層として使用するのに好適な材料の例としては、銅フタロシアニンが挙げられるが、これに限定されない。電子注入層は、０．５〜５ｎｍ、或いは１〜３ｎｍの厚さを典型的に有する。電子注入層として使用するのに好適な材料の例としては、フッ化リチウム及びフッ化セシウム等のアルカリ金属フッ化物；並びに酢酸リチウム及び酢酸セシウム等のアルカリ金属のカルボン酸塩が挙げられるが、これらに限定されない。正孔注入層及び正孔注入層は、従来技術（熱蒸発）によって形成することができる。

本発明による第２の有機発光ダイオードは、
第１の対向面及び第２の対向面を有する基板と、
第１の対向面に積層する第１の電極層と、
第１の電極層に積層する発光素子であって、正孔輸送層及び発光／電子輸送層を含み、正孔輸送層及び発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、正孔輸送層は第３の直鎖ポリシロキサンを含む発光素子と、
発光素子に積層する第２の電極層と
を含む。

第２の有機発光ダイオードにおいて、基板、第１の電極層、発光／電子輸送層、及び第２の電極層は、第１のＯＬＥＤについて上記で記載及び例示したとおりである。正孔輸送層は、上記で記載及び例示される第３の直鎖ポリシロキサンを含む。正孔輸送層は、有機溶媒を利用しても又は利用しなくても、スピンコーティング、浸漬、噴霧、刷毛塗り及び印刷等の従来方法を用いて、ＯＬＥＤの構成に応じて第１の電極層、第１の電極層に積層する層、又は発光／電子輸送層に第３のポリシロキサンを適用してフィルムを形成することによって作製することができる。

図１に示すように、本発明によるＯＬＥＤの第１の実施形態は、第１の対向面１００Ａ及び第２の対向面１００Ｂを有する基板１００と；第１の対向面１００Ａ上の第１の電極層１０２であって、陽極である第１の電極層１０２と；第１の電極層１０２に積層する発光素子１０４であって、正孔輸送層１０６と正孔輸送層１０６上に直接配置される発光／電子輸送層１０８とを含み、正孔輸送層１０６が硬化ポリシロキサン又は直鎖ポリシロキサンを含む発光素子１０４と；発光素子１０４に積層する第２の電極層１１０であって、陰極である第２の電極層１１０とを含む。

図２に示すように、本発明によるＯＬＥＤの第２の実施形態は、第１の対向面２００Ａ及び第２の対向面２００Ｂを有する基板２００と；第１の対向面２００Ａ上の第１の電極層２０２であって、陰極である第１の電極層２０２と；第１の電極層２０２に積層する発光素子２０４であって、発光／電子輸送層２０８と発光／電子輸送層２０６上に直接配置される正孔輸送層２０６とを含み、正孔輸送層２０６が硬化ポリシロキサン又は直鎖ポリシロキサンを含む発光素子２０４と；発光素子２０４に積層する第２の電極層２１０であって、陽極である第２の電極層２１０とを含む。

本発明の直鎖ポリシロキサンは、エレクトロルミネッセンスを示し、印加電圧をかけると発光する。さらに、加水分解性基を含有する直鎖ポリシロキサンは、硬化して耐久性のある架橋ポリシロキサンを生成することができる。また、エレクトロルミネッセンス効率を増大させ、且つ硬化ポリシロキサンのカラー出力を調節するために、直鎖ポリシロキサンに少量の蛍光色素をドープすることができる。

本発明のシリコーン組成物を、一成分系組成物として好適に処方することができる。さらに、シリコーン組成物は、水分の非存在下で良好な保存安定性を有する。重要なことは、スピンコーティング、印刷、及び噴霧等の従来の高速法によって組成物を基板に適用し得ることである。また、穏やかな温度から中程度の温度の水分に曝すことによってシリコーン組成物を容易に硬化することができる。

本発明の硬化ポリシロキサンは、エレクトロルミネッセンスを示す。さらに、硬化ポリシロキサンは、種々の基板へ下塗剤無しに良好な接着性を示す。また、硬化ポリシロキサンは、優れた耐久性、耐化学性、及び低温での可撓性も示す。さらに、硬化ポリシロキサンは、高い透明性（典型的には、電磁スペクトルの可視領域における１００ｎｍの厚さの透過率が少なくも９５％）を示す。重要なことは、ポリシロキサンが、ＯＬＥＤデバイスにおける電極層及び発光層に悪影響を及ぼす酸性又は塩基性の成分を実質的に含まないことである。

本発明のＯＬＥＤは、磨耗、有機溶媒、水分、及び酸素に良好な耐性を示す。さらに、ＯＬＥＤは、高い量子効率、低ターンオン電圧及び光安定性を示す。

ＯＬＥＤは、個別の発光デバイスとして、又は発光アレイ若しくはディスプレイ（フラットパネルディスプレイ等）の能動素子として有用である。ＯＬＥＤディスプレイは、多数のデバイス（腕時計、電話、ラップトップコンピュータ、ポケットベル、携帯電話、デジタルビデオカメラ、ＤＶＤプレイヤー、及び計算機等）に有用である。

以下の実施例は、本発明の直鎖ポリシロキサン、シリコーン組成物、及びＯＬＥＤをより良好に例示するために示すが、本発明を限定すると考えられるものではなく、本発明は添付の特許請求の範囲に叙述される。特に断りのない限り、実施例で報告される全ての部及び割合は重量に対するものである。以下の方法及び材料を実施例で使用した。

＜赤外線スペクトル＞
赤外線スペクトルを、Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ １６００ ＦＴ−ＩＲ分光計で記録した。

＜ＮＭＲスペクトル＞
Ｖａｒｉａｎ Ｍｅｒｃｕｒｙ ４００ＭＨｚ ＮＭＲ分光計を使用して、核磁気共鳴スペクトル（^１Ｈ ＮＭＲ、^１３Ｃ ＮＭＲ、^２９Ｓｉ ＮＭＲ）を得た。

＜ＩＴＯコーティングガラス基板の洗浄方法＞
１０Ω／□の表面抵抗を有するＩＴＯコーティングガラススライド（Merck Display Technology, Inc.（台湾、タイペイ））を、２５ｍｍ四方の基板に切断した。基板を、１％Ａｌｃｏｎｏｘ粉末クリーナー（Alconox, Inc.）から成る溶液を含有する超音波浴槽中に１０分間浸漬し、脱イオン水ですすいだ。次いで、基板を、以下の各溶媒：イソプロピルアルコール、ｎ−ヘキサン、及びトルエン中で超音波撹拌を１０分間行いながら各溶媒中に連続的に浸漬させた。それから、乾燥窒素流下でガラス基板を乾燥させ、使用直前の３分間に、Ｏ２プラズマで処理した。

＜ＯＬＥＤにおけるＳｉＯの蒸着＞
クリスタルバランス膜厚モニタ(crystal balance film thickness monitor)を備えるＢＯＣ Ｅｄｗａｒｄｓ Ａｕｔｏ ３０６高真空蒸着システムを用いて、熱蒸発によって一酸化ケイ素（ＳｉＯ）を蒸着させた。基板を蒸着源の上方に位置する回転式試料ホルダに置き、適切なマスクで覆った。蒸着源は、酸化アルミニウムるつぼ内に有機化合物の試料又はＳｉＯを入れて準備した。その後、るつぼをタングステンワイヤスパイラル内に配置した。真空チャンバ中の圧力を２．０×１０^−４Ｐａ（２．０×１０^−６ｍｂａｒ）に下げた。この圧力で少なくとも３０分間、基板を脱気した。試料ホルダを回転させながら、タングステンフィラメントを介して蒸着源を加熱することによって有機フィルム又はＳｉＯフィルムを蒸着させた。フィルムの蒸着速度（１秒当たり０．１〜０．３ｎｍ）及び厚さを蒸着プロセスの間モニタリングした。

＜ＯＬＥＤにおけるＬｉＦフィルム、Ｃａフィルム及びＡｌフィルムの蒸着＞
クリスタルバランス膜厚モニタを備えるＢＯＣ Ｅｄｗａｒｄｓ ｍｏｄｅｌ Ｅ３０６Ａコーティングシステムを用いて、１０^−４Ｐａ（１０^−６ｍｂａｒ）の初期真空下での熱蒸発によってＬｉＦフィルム、Ｃａフィルム又はアルミニウムフィルムを蒸着させた。酸化アルミニウムるつぼ内に金属を入れて、るつぼをタングステンワイヤスパイラル内に置くか、又はタングステンバスケットに直接金属を入れることで蒸着源を準備した。異なる金属の複数の層が必要な場合は、各金属の蒸着のために回転させることができるタレットに適切な蒸着源を入れた。フィルムの蒸着速度（１秒当たり０．１〜０．３ｎｍ）及び厚さを蒸着プロセスの間モニタリングした。

ダウ・ケミカルカンパニー(ミシガン州、ミッドランド）から入手可能なＬＵＭＡＴＩＯＮ Ｂｌｕｅ ＢＰ７９発光ポリマーは、可視スペクトルの青色領域で発光するポリフルオレンポリマーである。

＜実施例１：Ｎ−（３−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンの調製＞
乾燥トルエン（６０ｍＬ）、３６ｇ（２１３ｍｍｏｌ）のジフェニルアミン、及び１００ｇ（４２４ｍｍｏｌ）の１，３−ジブロモベンゼンを、磁気攪拌機及び温度計を備える乾燥５００ｍＬフラスコ中で、窒素下で混ぜ合わせた。十分に攪拌した溶液に、２４ｇ（２４９ｍｍｏｌ）のｔ−ブトキシドナトリウム、０．４１ｇ（０．４４７ｍｍｏｌ）のトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、及び０．８３ｇ（１．３３３ｍｍｏｌ）のＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）を加えた。この混合物を約８０℃まで加熱し、ガスクロマトグラフィによる分析のために一定分量の混合物を定期的に採取することによって反応の進行をモニタリングした。７時間後に反応混合物を室温まで冷却し、１００ｍＬのエーテルで希釈して濾過した。

濾液を減圧蒸留し、過剰な１，３−ジブロモベンゼンを除去した。残留物を２００ｍＬのヘキサンで希釈して、１００ｇのシリカゲルで処理し、６０℃で１０分間加熱した。この混合物を濾過し、ヘキサンを減圧下での蒸発により除去した。粘性の残留物を一晩室温に維持した後、ヘキサン（２×２５ｍＬ）で洗浄して沈殿物を得た。沈殿物を濾過により回収し、最小限の量のヘキサンで洗浄し、真空で乾燥させてＮ−（３−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンを得た。生成物の同定は、ＩＲ分光分析、^１Ｈ ＮＭＲ分光分析及び^１３Ｃ ＮＭＲ分光分析により確認された。

４０ｇ（０．１２５モル）のＮ−（３−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンから成る１２０ｍＬの乾燥ＴＨＦ溶液を、３ｇ（０．１２５モル）のマグネシウム（削りくず状(turnings)）、１５ｍＬの乾燥ＴＨＦ及び約２０ｍｇのヨウ素から成る攪拌した混合物に、環流下で滴下して加えた。４．５時間後、１５．２ｇ（０．１２５モル）のアリルブロミドを混合物に滴下して加えた。反応を一晩中続けた。この混合物を室温まで冷却させて、１００ｍＬのエーテルで希釈して濾過した。攪拌した濾液を４．０ｍＬの脱イオン水及び１５０ｇのシリカゲルを用いて約６０℃で処理した後、無水硫酸マグネシウムに通して濾過した。溶媒の除去及び減圧蒸留（１５０〜１５５℃／０．６７Ｐａ）により、Ｎ−（３−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンを得た。生成物の同定は、ＩＲ分光分析、^１Ｈ ＮＭＲ分光分析及び^１３Ｃ ＮＭＲ分光分析により確認された。

＜実施例２：Ｎ−（４−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンの調製＞
Ｎ−ブロモスクシンイミド（７４ｇ、０．４１４ｍｏｌ）を、１００ｇ（０．４１０ｍｏｌ）のトリフェニルアミンから成る８００ｍＬの四塩化炭素の攪拌溶液に２．０Ｌ二口フラスコ中、窒素下で加えた。反応混合物を約６５〜７０℃まで加熱し、１５時間穏やかに環流しながら維持した。反応混合物を室温まで冷却した後、スクシンイミドを濾過により除去し、溶媒の大部分を蒸留によって除去した。メタノールを混合物に加えて沈殿物を得て、この沈殿物を最低限の量のクロロホルムで溶解した。溶液を濾過して過剰のスクシンイミドを除去し、メタノールを濾液に加えて沈殿物を得た。その後、この沈殿物をヘキサンとエーテルとの１：１（ｖ／ｖ）混合物に溶解し、攪拌した混合物を１００ｇのシリカゲルで処理した。濾過によってシリカゲルを除去し、メタノールを濾液に加えて沈殿物を得た。真空下で沈殿物を乾燥させて、Ｎ−（４−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンを得た（７７％収量）。化合物の同定は、ＩＲ分光分析、^１Ｈ ＮＭＲ分光分析及び^１３Ｃ ＮＭＲ分光分析により確認された。

５０ｇ（０．１５４モル）のＮ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンの１５０ｍＬの乾燥ＴＨＦ溶液を、３．７ｇ（０．１５４モル）のマグネシウム（削りくず状）、１５ｍＬの乾燥ＴＨＦ及び約１５ｍｇのヨウ素から成る攪拌した混合物に、穏やかな環流下、滴下して加えた。５．５時間後、１９．６ｇ（０．１６２モル）のアリルブロミドをこの混合物に滴下して加えた。反応を一晩中続けた。この混合物を室温まで冷却させて、２００ｍＬのエーテルで希釈して濾過した。攪拌した濾液を５．０ｍＬの脱イオン水及び２００ｇのシリカゲルを用いて処理した後、無水硫酸マグネシウムに通して濾過した。溶媒の除去及び減圧蒸留（１５５〜１６０℃／０．６７Ｐａ）により、Ｎ−（４−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンを得た（７９％収量）。生成物の同定は、ＩＲ、^１Ｈ ＮＭＲ及び^１３Ｃ ＮＭＲにより確認された。

＜実施例３：９−［３−（トリクロロシリル）エチル］−９Ｈ−カルバゾールの調製＞
トリクロロシラン（４．４７ｇ）、５．５２ｇのアリルカルバゾール、及び５．５ｇの無水トルエンを、磁気攪拌棒を備える一口ガラスフラスコ中、窒素下で混ぜ合わせた。この混合物に、０．３１％の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、０．１９％の、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの白金錯体とから成る０．０１５ｇの乾燥トルエン溶液を加えた。この混合物を窒素下、６０℃で１時間加熱した後、乾燥窒素を１０分間流した。その後、混合物を約２２０℃、真空下で蒸留させ、流体として９−［３−（トリクロロシリル）エチル］−９Ｈ−カルバゾールを生成した。これを室温まで冷却させて、透明で無色の結晶を得た。

＜実施例４：直鎖ポリシロキサンの調製＞
アリルカルバゾール（２．３１ｇ）、ｄｐが１１５の０．７ｇのトリメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）、及び０．３５ｇのＮ−（３−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンを混ぜ合わせた。この混合物を十分に混合し、７０℃まで加熱して、０．３１％の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、０．１９％の、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの白金（ＩＶ）錯体とから成る０．０１ｇのトルエン溶液を、この混合物に注射器を使用して添加することにより処理した。この混合物を１３０℃で３時間加熱した後、室温に冷却した。得られた固体を、２０ｍＬのエレクトロニクス用の(electronic grade：電子級)ヘキサンで抽出することで、未反応の出発物質を除去した。その後、固体を３ｍＬのエレクトロニクス用のトルエンに溶解し、２０ｍＬの２−プロパノール（エレクトロニクス用）を加えることで粗ポリシロキサンを沈殿させた。この溶解／沈殿プロセスを３回繰り返し行った。ポリシロキサンをトルエンに溶解することで、固体含有率２１．４％（ｗ／ｗ）を有する溶液を得た。^１３Ｃ ＮＭＲ及び^２９Ｓｉ ＮＭＲで測定すると、ポリシロキサンは、式Ｐｈ_２Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２を有する約５ｍｏｌ％のシロキサン単位、式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２を有する７７ｍｏｌ％の単位、及び式ＨＭｅＳｉＯ_２／２を有する１８ｍｏｌ％の単位を含有していた。

＜実施例５：直鎖ポリシロキサンの調製＞
アリルカルバゾール（２．３ｇ）、ｄｐが１１５の１．４ｇのトリメチルシロキシ末端ポリ（メチル水素シロキサン）、及び１．１ｇのＮ−（４−アリルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミンを混ぜ合わせた。この混合物を十分に混合し、７０℃まで加熱し、０．３１％の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、０．１９％の、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの白金（ＩＶ）錯体とから成る０．０１ｇのトルエン溶液を、この混合物に注射器を使用して添加することにより処理した。この混合物を１３０℃に加熱し、その温度で３時間維持した。混合物を２．３ｇのアリルカルバゾールで処理して、１３０℃でさらに２時間維持した。得られた固体を３０ｍＬのエレクトロニクス用のヘキサンで抽出することで、未反応の出発物質を除去した。その後、固体を６ｍＬのエレクトロニクス用のトルエンに溶解し、３０ｍＬの２−プロパノール（エレクトロニクス用）を加えることで粗ポリシロキサンを沈殿させた。この溶解／沈殿プロセスを３回繰り返し行った後、ポリシロキサンを真空オーブン内で乾燥させた。^１３Ｃ ＮＭＲ及び^２９Ｓｉ ＮＭＲで測定することにより、ポリシロキサンは、式Ｐｈ_２Ｎ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２を有する約７．８ｍｏｌ％のシロキサン単位、式Ｃｚ−（ＣＨ_２）_３−Ｓｉ（Ｍｅ）Ｏ_２／２を有する７８．５ｍｏｌ％の単位、及び式ＨＭｅＳｉＯ_２／２を有する１３．７ｍｏｌ％の単位を含有していた。

＜実施例６：ＯＬＥＤの製造＞
４つのＯＬＥＤ（以下の図を参照のこと）は、次のように作製された。一酸化ケイ素（１００ｎｍ）を、予備洗浄したＩＴＯコーティングガラス基板（２５ｍｍ×２５ｍｍ）の第１の縁に沿って、方形開口（６ｍｍ×２５ｍｍ）を有するマスクを通して熱蒸着した。その後、スライドを高真空チャンバ内でＯ_２プラズマに３分間曝した。３Ｍ Ｓｃｏｔｃｈブランドのテープ（５ｍｍ×２５ｍｍ）の細片を、ＳｉＯ蒸着物(deposit)に対して垂直方向の基板の第２の縁に沿って貼り付けた。ＩＴＯ表面をＯ_２プラズマで３分間処理した後、０．１％の９−［３−（トリクロロシリル）エチル］−９Ｈ−カルバゾールから成るトルエン溶液を、ＣＨＥＭＡＴ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｍｏｄｅｌ ＫＷ−４Ａスピンコーターを用いてＩＴＯ表面上にスピンコーティングした（４，２００ｒｐｍ、２０秒間）。トリクロロシラン層を空気下、１００℃のオーブンで３０分間加熱した後、室温まで冷却した。実施例４の３％の直鎖ポリシロキサンから成るシクロペンタノン溶液を、処理されたＩＴＯ表面上にスピンコーティングし（４，０００ｒｐｍ）、厚さが約４５ｎｍの正孔輸送層を形成した。この複合体を１００℃のオーブンで加熱した後、室温まで冷却した。その後、１．５％のＬＵＭＡＴＩＯＮ Ｂｌｕｅ ＢＰ７９発光ポリマーから成るメシチレン溶液を、正孔輸送層上にスピンコーティングし（２，２５０ｒｐｍ、４０秒間）、厚さが約５０ｎｍの発光／電子輸送層を形成した。この複合体を窒素下、１００℃のオーブンで３０分間加熱した後、室温まで冷却した。テープの細片を基板から除去して陽極（ＩＴＯ）を露出させ、４つの方形開口（３ｍｍ×１６ｍｍ）を有するマスクを通して、発光ポリマー層及びＳｉＯ蒸着物の上面に順次、フッ化リチウム（１ｎｍ）、カルシウム（５０ｎｍ）及びアルミニウム（１５０ｎｍ）を蒸着させることによって４つの陰極を形成した。４つのＯＬＥＤはそれぞれ、青色に発光し、１ｃｄ ｍ^−２でのターンオン電圧が約２．９Ｖ、１０Ｖでの輝度が約１０，０００ｃｄ ｍ^−２、及びピーク発光効率が３．８ｃｄ Ａ^−１であった。

本発明によるＯＬＥＤの第１の実施形態の断面図である。 本発明によるＯＬＥＤの第２の実施形態の断面図である。 実施例６で作製したＯＬＥＤの上面図及び断面図である。

Claims (12)

1. 式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩを有する１〜２０ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＶを有する単位：
   

   

   （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；各Ｒ^５は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ、−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−ＳｉＲ^１ _ｎＺ_３−ｎ、又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＲ^４Ｒ^３であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｎは０、１又は２であり；ｐは０又は１である）を含む直鎖ポリシロキサン。
2. 式Ｉを有する５〜９０ｍｏｌ％の単位、式ＩＩを有する１〜１０ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＩＩを有する５〜７５ｍｏｌ％の単位を含む請求項１に記載の直鎖ポリシロキサン。
3. Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２、Ｒ^１ _２ＨＳｉＯ_１／２、及びＲ^１ _２ＳｉＯ_２／２（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルである）の少なくとも１つから選択される式を有する３０ｍｏｌ％以下の単位をさらに含む請求項１又は２に記載の直鎖ポリシロキサン。
4. 式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式Ｖを有する単位：
   

   

   （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｐは０又は１であり；ｑは０、１又は２である）を含む直鎖ポリシロキサン。
5. 式Ｉを有する５〜９０ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＩＩを有する５〜７５ｍｏｌ％の単位を含む請求項４に記載の直鎖ポリシロキサン。
6. Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２、Ｒ^１ _２ＨＳｉＯ_１／２、及びＲ^１ _２ＳｉＯ_２／２（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルである）の少なくとも１つから選択される式を有する３０ｍｏｌ％以下の単位をさらに含む請求項４又は５に記載の直鎖ポリシロキサン。
7. 式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＶＩを有する単位：
   

   

   （式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；各Ｒ^７は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＰｈ_２であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｐは０又は１である）を含む直鎖ポリシロキサン。
8. 式Ｉを有する５〜９０ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＩＩを有する５〜７５ｍｏｌ％の単位を含む請求項７に記載の直鎖ポリシロキサン。
9. Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２、Ｒ^１ _２ＨＳｉＯ_２／２、及びＲ^１ _２ＳｉＯ_２／２（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルである）の少なくとも１つから選択される式を有する３０ｍｏｌ％以下の単位をさらに含む請求項７又は８に記載の直鎖ポリシロキサン。
10. 第１の対向面及び第２の対向面を有する基板と、
    前記第１の対向面に積層する第１の電極層と、
    前記第１の電極層に積層する発光素子であって、正孔輸送層及び発光／電子輸送層を含み、前記正孔輸送層及び前記発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、前記正孔輸送層は請求項７に記載の直鎖ポリシロキサンを含む発光素子と、
    前記発光素子に積層する第２の電極層と
    を含む有機発光ダイオード。
11. （Ａ）（ｉ）式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩを有する１〜２０ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式ＩＶを有する単位：
    

    

    を含む少なくとも１つの直鎖ポリシロキサン、（ｉｉ）式Ｉを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、式ＩＩＩを有する１〜９９ｍｏｌ％の単位、及び式Ｖを有する単位：
    

    

    を含む少なくとも１つの直鎖ポリシロキサン、並びに（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）を含む混合物（式中、Ｒ^１は脂肪族不飽和を含まないＣ_１〜Ｃ_１０ヒドロカルビルであり；Ｒ^２はＲ^１又は−Ｈであり；Ｒ^３及びＲ^４はアリールであるか、又はそれらが結合する窒素原子と共に、１０（９Ｈ）−アクリジニル若しくは１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンズ［ｂ，ｆ］アゼピン−５−イルであり；各Ｒ^５は、独立して、Ｒ^１、−Ｈ、−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｃｚ、−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−ＳｉＲ^１ _ｎＺ_３−ｎ、又は−ＣＨ_２−ＣＨＲ^２−Ｙ_ｐ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＲ^４Ｒ^３であり、ＣｚはＮ−カルバゾリルであり；Ｙは二価の有機基であり；Ｚは加水分解性基であり；ｍは２〜１０の整数であり；ｎは０、１又は２であり；ｐは０又は１であり；ｑは０、１又は２である）から選択されるポリシロキサンと、
    （Ｂ）縮合触媒と、
    （Ｃ）有機溶媒と
    を含むシリコーン組成物。
12. 第１の対向面及び第２の対向面を有する基板と、
    前記第１の対向面に積層する第１の電極層と、
    前記第１の電極層に積層する発光素子であって、正孔輸送層及び発光／電子輸送層を含み、前記正孔輸送層及び前記発光／電子輸送層は互いの上に直接配置されており、前記正孔輸送層は、請求項１１に記載のシリコーン組成物を適用してフィルムを形成し、前記フィルムを硬化することにより調製される硬化ポリシロキサンを含む発光素子と、
    前記発光素子に積層する第２の電極層と
    を含む有機発光ダイオード。

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