CN1968993A - 线型聚硅氧烷、聚硅氧烷组合物和有机发光二极管 - Google Patents

线型聚硅氧烷、聚硅氧烷组合物和有机发光二极管 Download PDF

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Abstract

线型聚硅氧烷，和更特别地含有N－咔唑基烷基和(二芳基氨基)苯基的线型聚硅氧烷。本发明还涉及含有线型聚硅氧烷的聚硅氧烷组合物，和包含线型聚硅氧烷或者固化的聚硅氧烷的有机发光二极管。

Description

线型聚硅氧烷、聚硅氧烷组合物和有机发光二极管
相关申请的交叉参考
[0001]无
发明领域
[0002]本发明涉及线型聚硅氧烷，更特别地涉及含有N-咔唑基烷基和(二芳基氨基)苯基的线型聚硅氧烷。本发明还涉及含有线型聚硅氧烷的聚硅氧烷组合物，以及含有线型聚硅氧烷或者固化的聚硅氧烷的有机发光二极管(OLED)。
发明背景
[0003]含有咔唑基烷基或(二苯基氨基)苯基的线型聚硅氧烷是本领域已知的。例如，Strohriegl(Makromol.Chem.，RapidCommun.，1986，7，771-775)公开了具有侧挂咔唑基的一系列聚硅氧烷的制备和表征，其中咔唑单元通过亚烷基间隔基与硅氧烷主链隔开。
[0004]Tieke的美国专利No.4933053公开了可通过阳极氧化起始聚合物获得的导电聚合物，其由5-100mol％通式I的重复结构单元和95-0mol％通式II的重复结构单元组成：
其中R1和R4彼此独立地为C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、苯基或苯氧基，R2和R3彼此独立地为C1-C4烷基、C1-C4烷氧基、卤素、氰基或硝基，R5为未取代或者被一个或两个羟基取代的C1-C18烷基，或者是苯基或羟基，m是整数3-11，n和p彼此独立地为整数0-2。′053专利教导该产物特别适合作为电致变色显示元件、作为正电极材料或者作为导电膜。
[0005]Leyrer等人的欧洲专利申请No.EP0224784的德温特摘要(Derwent Abstract)No.1987-158535公开了具有连接到聚合物主链上的侧咔唑基的聚硅氧烷。该摘要教导了可在电子照相记录材料中使用该聚硅氧烷并用于提供电子照相胶版印刷板。
[0006]与Kazumasa等人的日本专利申请No.02127432相对应的日本公开专利摘要公开了含有咔唑基的可固化组合物，其含有(A)可通过形成硅氧烷键而交联的，具有咔唑基、键合到硅原子上的OH基或可水解基团以及含有硅原子的基团的含咔唑基的可固化化合物，和(B)硅烷醇缩合催化剂。
[0007]含有(二苯基氨基)苯基的线型聚硅氧烷也是本领域已知的。例如，Belfield等人(Polym.Prep.1998，39(20)，445-446)公开了含有三苯胺部分或者咔唑部分的聚硅氧烷的合成。
[0008]尽管前述参考文献公开了含有咔唑基烷基或者(二苯基氨基)苯基的线型聚硅氧烷，但它们没有教导同时含有咔唑基烷基和(二芳基氨基)苯基的本发明的线型聚硅氧烷。
发明概述
[0009]本发明涉及第一种线型聚硅氧烷，其包括1-99mol％具有通式I的单元，1-20mol％具有通式II的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式IV的单元：
        R1 2R5SiO1/2                (IV)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；每一R5独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz、-CH2-CHR2-Yp-SiR1 nZ3-n或者-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NR4R3，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；n为0、1或2；和p为0或1。
[0010]本发明还涉及第二种线型聚硅氧烷，其包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式V的单元：
Figure A20058001975200081
        Z3-qR1 qSiO1/2              (V)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；p为0或1；和q为0、1或2。
[0011]本发明还涉及第三种线型聚硅氧烷，其包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式VI的单元：
        R1 2R7SiO1/2                (VI)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；Cz是N-咔唑基；每一R7独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz或-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NPh2，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；m是整数2-10；和p为0或1。
[0012]本发明还涉及聚硅氧烷组合物，其包括选自第一种和第二种线型聚硅氧烷的聚硅氧烷，缩合催化剂和有机溶剂。
[0013]本发明进一步涉及有机发光二极管，其包括：
具有第一相对表面和第二相对表面的基底；
层叠在第一相对表面上的第一电极层；
层叠在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括：
空穴传输层，和
发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括通过施加前述聚硅氧烷组合物形成膜并固化该膜而制备的固化聚硅氧烷；和
层叠在发光元件上的第二电极层。
[0014]本发明进一步涉及有机发光二极管，其包括：
具有第一相对表面和第二相对表面的基底；
层叠在第一相对表面上的第一电极层；
层叠在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括：
空穴传输层，和
发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括第三种线型聚硅氧烷；和
层叠在发光元件上的第二电极层。
[0015]本发明的线型聚硅氧烷显示出电致发光性，当置于外加电压下时发光。此外，可固化含有可水解基团的线型聚硅氧烷，产生耐用的交联的聚硅氧烷。而且，可用少量荧光染料掺杂该线型聚硅氧烷，以提高电致发光效率并控制固化的聚硅氧烷的颜色输出。
[0016]本发明的聚硅氧烷组合物可方便地配制为单部分组合物。此外，在不存在湿气的情况下，该聚硅氧烷组合物具有良好的储存稳定性。重要的是，可通过常规的高速方法，例如旋涂、印刷和喷涂，施加该组合物到基底上。而且，可通过在温和到适中的温度下，暴露于湿气下，来容易地固化该聚硅氧烷组合物。
[0017]本发明的固化的聚硅氧烷显示出电致发光性。此外，该固化的聚硅氧烷对各种基底具有良好的无底漆粘合性。该固化的聚硅氧烷还显示出优良的耐用性、耐化学性和低温挠性。另外，该固化的聚硅氧烷显示出高的透明度，典型地在100nm的厚度下、在电磁光谱的可见光区域内至少95％的透光率。重要的是，该聚硅氧烷基本上不含酸性或碱性组分，所述酸性或碱性组分对OLED器件内的电极和发光层有害。
[0018]本发明的OLED对磨耗、有机溶剂、湿气和氧气显示出良好的耐性。此外，OLED显示出高的量子效率、低的接通电压和光稳定性。
[0019]OLED可用作离散的发光器件或者用作发光阵列或显示器(例如平板显示器)的有源元件。OLED显示器可用于许多器件中，其中包括手表、电话、膝上型计算机、寻呼机、移动电话、数码照相机、DVD唱盘和计算器。
[0020]参考下述说明、所附权利要求和附图，将更好地理解本发明的这些和其它特征、方面以及优点。
附图简述
[0021]图1示出了本发明的OLED的第一个实施方案的截面视图。
[0022]图2示出了本发明的OLED的第二个实施方案的截面视图。
发明详述
[0023]此处所使用的术语“线型聚硅氧烷”是指每一分子平均含有至少90mol％，或者至少95mol％，或者至少98mol％双官能的硅氧烷单元(即D单元)的聚硅氧烷。此外，硅氧烷单元的“mol％”定义为所述硅氧烷单元的摩尔数与在聚硅氧烷内硅氧烷单元的全部摩尔数之比乘以100。此外，术语“不含脂族不饱和的烃基”是指该基团不含脂族碳-碳双键和脂族碳-碳三键。再者，术语“N-咔唑基”、“10(9H)-吖啶基”和“10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基”分别是指具有下式的基团：
Figure A20058001975200111
[0024]本发明的第一种线型聚硅氧烷包括1-99mol％具有通式I的单元，1-20mol％具有通式II的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式IV的单元：
Figure A20058001975200112
        R1 2R5SiO1/2                (IV)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；每一R5独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz、-CH2-CHR2-Yp-SiR1 nZ3-n或者-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NR4R3，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；n为0、1或2；和p为0或1。或者，下标m的数值为3-10，或者3-6。
[0025]R1、R2和R5表示的烃基不含脂族不饱和，且典型地具有1-10个碳原子，或者1-6个碳原子。含有至少3个碳原子的无环烃基具有支化或者未支化的结构。烃基的实例包括但不限于：烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基十五烷基、十六烷基、十七烷基和十八烷基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；芳基，例如苯基和萘基；烷芳基，例如甲苯基和二甲苯基；和芳烷基，例如苄基和苯乙基。
[0026]R3和R4表示的芳基典型地具有6-18个碳原子，或者6-12个碳原子。R3和R4表示的芳基可以相同或者不同。芳基的实例包括但不限于：苯基、萘基、二氢苊基(acenaphthyl)、蒽基、薁基(azulenyl)、芴基、引达省基(indacenyl)、茚基、芘基(perylenyl)、非那希基(phenalenyl)和菲基。
[0027]Y表示的二价有机基团典型地具有1-18个碳原子，或者1-10个碳原子，或者1-6个碳原子。除了碳和氢以外，二价有机基团还可含有其它原子，例如氮、氧和卤素，条件是该二价基团没有抑制制备聚硅氧烷所使用的如下所述的氢化硅烷化反应或者与聚硅氧烷内的可水解基团Z反应。Y表示的二价有机基团的实例包括但不限于：亚烃基，例如亚甲基、亚乙基、丙-1，3-二基、2-甲基丙-1，3-二基、丁-1，4-二基、丁-1，3-二基、戊-1，5-二基、戊-1，4-二基、己-1，6-二基、辛-1，8-二基、癸-1，10-二基、环己-1，4-二基和亚苯基；卤素取代的亚烃基，例如氯代亚乙基和氟代亚乙基；亚烷基氧基亚烷基，例如-CH2OCH2CH2CH2-、-CH2CH2OCH2CH2-、-CH2CH2OCH(CH3)CH2-和-CH2OCH2CH2OCH2CH2-、-O-；氧基亚烷基，例如-OCH2CH2-、-OCH2CH2CH2-和OCH2CH(CH3)CH2-；羰基氧基亚烷基，例如-C(＝O)O-(CH2)3-。
[0028]此处所使用的术语“可水解基团”是指与硅键合的基团Z可与水反应，形成与硅键合的-OH(硅烷醇)基。Z表示的可水解基团的实例包括但不限于：-Cl、Br、-OR6、-OCH2CH2OR6、CH3C(＝O)O-、Et(Me)C＝N-O-、CH3C(＝O)N(CH3)-和-ONH2，其中R6是不含脂族不饱和的C1-C8烃基或者卤素取代的烃基。
[0029]R6表示的烃基的实例包括但不限于：未支化和支化的烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基和辛基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；苯基；烷芳基，例如甲苯基和二甲苯基；和芳烷基，例如苄基和苯乙基。卤素取代的烃基的实例包括但不限于：3，3，3-三氟丙基、3-氯丙基、氯代苯基和二氯苯基。
[0030]在具有通式III的单元中，
Figure A20058001975200131
具有通式-C6H4-的亚苯基可以是邻-、间-或对亚苯基。
[0031]第一种线型聚硅氧烷是含具有通式I、II、III和IV的单元的共聚物。该聚硅氧烷典型地含有1-99mol％，或者5-90mol％，或者50-90mol％具有通式I的单元；1-20mol％，或者1-10mol％，或者5-10mol％具有通式II的单元；和1-99mol％，或者5-75mol％，或者5-50mol％具有通式III的单元。除了具有通式I、II、III和IV的单元以外，第一种线型聚硅氧烷还可含有最多30mol％，或者最多10mol％，或者最多5mol％的其它硅氧烷单元。其它硅氧烷单元的实例包括但不限于具有下式的单元：R1HSiO2/2、R1 2HSiO1/2和R1 2SiO2/2，其中R1如上定义和例举。
[0032]第一种线型聚硅氧烷的数均分子量典型地为1,000-1,000,000，或者2,500-150,000，或者10,000-30,000，其中通过凝胶渗透色谱法，使用小角激光散射检测仪测定分子量。
[0033]第一种线型聚硅氧烷的实例包括但不限于具有下通式的聚硅氧烷：
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.70[(AcO)3Si(CH2)2Si(Me)O2/2]0.08[HSi(Me)O2/2]0.12[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.09[Me3SiO1/2]0.01，
[Cz(CH2)3Si(Et)O2/2]0.70[(AcO)2Si(Me)(CH2)2Si(Et)O2/2]0.1[HSi(Et)O2/2HS]0.1[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.09[Me3SiO1/2]0.01，
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.53[(MeO)3Si(CH2)3C(O)OCH(Me)CH2Si(Me)O2/2]0.1[HSi(Me)O2/2]0.1[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.25[Me3SiO1/2]0.02，
[Cz(CH2)5Si(Me)O2/2]0.70[(MeO)3Si(CH2)3Si(Me)O2/2]0.1[HSi(Me)O2/2]0.09[Ph2NC6H4O(CH2)2Si(Me)O2/2]0.1[Me3SiO2/2]0.01，和
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.40[(MeO)3Si(CH2)3Si(Me)O2/2]0.1[HSi(Me)O2/2]0.1[NAPhNC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.39[Me3SiO1/2]0.01，其中Me是甲基，Et是乙基，Ph是苯基，NA是萘基，Cz是N-咔唑基，OAc是乙酰氧基，和数字下标表示摩尔分数。此外，在前式中，没有指明单元序列。
[0034]可通过在(e)氢化硅烷化催化剂和任选地(f)有机溶剂存在下，使(a)通式为R2R1 2SiO(R1HSiO)aSiR1 2R2的有机基氢聚硅氧烷与(b)通式为Cz-(CH2)m-2-CH＝CH2的N-链烯基咔唑，(c)通式为Z3-nR1 nSi-Yp-CR2＝CH2的链烯基硅烷和(d)通式为R3R4N-C6H4-Yp-CR2＝CH2的链烯基官能的三芳基胺反应，来制备第一种线型聚硅氧烷，其中下标a的数值使得该有机基氢聚硅氧烷的数均分子量为240-220,000；和R1、R2、R3、R4、Cz、Y、Z、m、n和p与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0035]有机基氢聚硅氧烷(a)的通式为R2R1 2SiO(R1HSiO)aSiR1 2R2，其中R1和R2与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样，下标a的数值使得该有机基氢聚硅氧烷的数均分子量典型地为240-220,000，或者1,000-150,000，或者1,000-75,000。
[0036]适合于用作有机基氢聚硅氧烷(a)的有机基氢聚硅氧烷的实例包括但不限于：三甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、三乙基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、氢二乙基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、三乙基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、氢二乙基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)、氢二甲基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)、三乙基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)和氢二乙基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)。
[0037]以生产聚(甲基氢)硅氧烷作为例子，制备有机基氢聚硅氧烷的方法是本领域公知的。例如，可根据美国专利No.2491843，通过水解和缩合合适的有机基卤代硅烷，制备聚合度为最多约500的聚(甲基氢)硅氧烷。可通过在环境温度下，在二氯甲烷内使用三氟甲磺酸作为引发剂，聚合1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷，来制备数均分子量大于105的聚(甲基氢)硅氧烷，如Gupta等人所述(Polym.J.，1993，29(1)，15-22)。或者，可通过分别使用十二烷基苯磺酸和Brij 35[聚氧亚乙基(23)月桂基醚]作为乳化剂/引发剂和共乳化剂，在含水乳液中聚合1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷，来制备相对高分子量(Mn＝7,000-70,000)的聚(甲基氢)硅氧烷，如Maisonnier等人所教导的(Polym，Int.，1999，48，159-164)。此外，可通过(i)形成含有不含硅烷醇的六有机基二硅氧烷、一种或多种不含硅烷醇的甲基氢环状硅氧烷和小于约100ppm水的反应混合物；(ii)使该反应混合物与无水三氟甲磺酸催化剂接触，和(iii)在低于100℃下搅拌该混合物和催化剂，形成线型三有机基甲硅烷氧基封端的甲基氢聚硅氧烷，来制备聚合度为最多约2200的线型三有机基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢)硅氧烷，如在美国专利No.5554708中所述。
[0038]N-链烯基咔唑(b)是通式为Cz-(CH2)m-2-CH＝CH2的至少一种N-链烯基咔唑，其中Cz和m与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0039]N-链烯基咔唑的实例包括但不限于：具有下述通式的咔唑：CH2＝CH-Cz、CH2＝CH-CH2-Cz、CH2＝CH-(CH2)3-Cz、CH2＝CH-(CH2)5-Cz和CH2＝CH-(CH2)8-Cz，其中Cz是N-咔唑基。
[0040]N-链烯基咔唑(b)可以是单一的N-链烯基咔唑或者含两种或更多种不同N-链烯基咔唑的混合物，其中各自的通式为Cz-(CH2)m-2-CH=CH2，其中Cz和m与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0041]制备N-链烯基咔唑的方法是本领域公知的。例如，可通过使通式为Br-(CH2)m-2-CH＝CH2的ω-链烯基溴与咔唑钠反应，来制备N-链烯基咔唑，如Heller等人(Makromol.Chem.，1964，73，48)中所述。
[0042]链烯基硅烷(c)是通式为Z3-nR1 nSi-Yp-CR2＝CH2的至少一种链烯基硅烷，其中R1、R2、Y、Z和n与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0043]链烯基硅烷的实例包括但不限于：具有下述通式的硅烷：CH2＝C(Me)-C(＝O)-OCH2CH2CH2Si(OMe)3、CH2＝CH-Si(OAc)3、CH2＝CH-(CH2)9-Si(OMe)3、CH2＝CH-Si(OAc)2(OMe)和CH2＝CH-CH2-Si(OMe)3，其中Me是甲基和OAc是乙酰氧基。
[0044]链烯基硅烷(c)可以是单一的链烯基硅烷或者含两种或更多种不同链烯基硅烷的混合物，其中各自的通式为Z3-nR1 nSi-Yp-CR2＝CH2，其中R1、R2、Y、Z和n与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0045]制备链烯基硅烷的方法是本领域公知的。例如，可通过直接合成、格氏反应、有机基氢化硅加成到链烯烃或炔烃上，氯代烯烃与有机基氢化硅缩合，和卤代烷基硅烷的脱氢卤化反应，来制备链烯基硅烷。W.Noll在Chemistry and Technology of Silicones，AcademicPress：New York，1968中公开了这些和其它方法。
[0046]链烯基官能的三芳基胺(d)是通式为R3R4N-C6H4-Yp-CR2＝CH2的至少一种链烯基官能的三芳基胺，其中R2、R3、R4、Y和p与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0047]链烯基官能的三芳基胺的实例包括但不限于具有下述通式的胺：
Figure A20058001975200171
[0048]链烯基官能的三芳基胺(d)可以是单一的链烯基官能的三芳基胺或者含两种或更多种不同链烯基官能的三芳基胺的混合物，各自的通式为R3R4N-C6H4-Yp-CR2＝CH2，其中R2、R3、R4、Y和p与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0049]适合于用作链烯基官能的三芳基胺(d)的链烯基胺的制备方法是本领域公知的方法。例如，可通过使通式为Br-Yp-CR2＝CH2的ω-链烯基溴与通式为R3R4N-C6H4MgBr的格氏试剂反应，来制备链烯基官能的三芳基胺，其中R2、R3、R4、Y和p与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0050]氢化硅烷化催化剂(e)可以是任何公知的氢化硅烷化催化剂，其包括铂族金属(即铂、铑、钌、钯、锇和铱)或者含有铂族金属的化合物。基于在氢化硅烷化反应中铂的高活性，因此优选铂族金属是铂。
[0051]优选的氢化硅烷化催化剂包括氯铂酸和一些含乙烯基的有机基硅氧烷的络合物，如Willing在美国专利No.3419593中所公开的，在此通过参考将其引入。优选的这类催化剂是氯铂酸和1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷的反应产物。
[0052]有机溶剂(e)是至少一种有机溶剂。该有机溶剂可以是任何非质子或双极性非质子有机溶剂，它在本发明方法的条件下，不与有机基氢聚硅氧烷(a)、N-链烯基咔唑(b)、链烯基硅烷(c)、链烯基官能的三芳基胺(d)或者第一种线型聚硅氧烷反应且与组分(a)、(b)、(c)和咔唑基官能的线型聚硅氧烷混溶。
[0053]有机溶剂的实例包括但不限于：饱和脂族烃，例如正戊烷、己烷、正庚烷、异辛烷和十二烷；脂环族烃，例如环戊烷和环己烷；芳烃，例如苯、甲苯、二甲苯和；环醚，例如四氢呋喃(THF)和二烷；酮，例如甲基异丁基酮(MIBK)；卤代烷烃，例如三氯乙烷；和卤代芳烃，例如溴苯和氯苯。有机溶剂(f)可以是单一的有机溶剂或者含两种或更多种不同有机溶剂的混合物，其中各自如上所定义。
[0054]可在适合于氢化硅烷化反应的任何标准反应器内进行反应。合适的反应器包括玻璃和特氟隆衬里的玻璃反应器。优选地，反应器配有搅动设备，例如搅拌设备。此外，优选地，在惰性氛围下，例如氮气或者氩气下，在不存在湿气下进行反应。
[0055]可以任何顺序结合有机基氢聚硅氧烷、N-链烯基咔唑、链烯基硅烷、链烯基胺、氢化硅烷化催化剂和有机溶剂。典型地，链烯基官能的三芳基胺(d)、链烯基硅烷(c)和N-链烯基咔唑(b)按序添加到有机基氢聚硅氧烷(a)和任选地有机溶剂(f)中，之后引入氢化硅烷化催化剂(e)。
[0056]典型地在0-250℃，或者室温(～23℃)-150℃的温度下进行反应。当温度小于0℃时，反应速度典型地非常缓慢。
[0057]反应时间取决于数个因素，例如有机基氢聚硅氧烷、N-链烯基咔唑、链烯基硅烷和链烯基胺的结构，以及温度。在从室温到140℃的温度下，反应时间典型地为2-48小时。可通过常规实验，使用以下实施例部分列出的方法，确定最佳反应时间。
[0058]N-链烯基咔唑(b)与在有机基氢聚硅氧烷(a)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-1.2，或者0.5-0.95。链烯基硅烷(c)与在有机基氢聚硅氧烷(a)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-0.3，或者0.05-0.2。链烯基官能的三芳基胺(d)与在有机基氢聚硅氧烷(a)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-1.2，或者0.05-0.6。
[0059]氢化硅烷化催化剂(e)的浓度足以催化有机基氢聚硅氧烷(a)与N-链烯基咔唑(b)、链烯基硅烷(c)和链烯基官能的三芳基胺(d)的加成反应。典型地，基于有机基氢聚硅氧烷(a)、N-链烯基咔唑(b)、链烯基硅烷(c)和链烯基官能的三芳基胺(d)的结合重量，氢化硅烷化催化剂(e)的浓度足以提供0.1-1000ppm的铂族金属，或者1-500ppm的铂族金属，或者5-150ppm的铂族金属。铂族金属低于0.1ppm，则反应速度非常缓慢，使用大于1000ppm的铂族金属导致反应速度没有显著增加，因此不经济。
[0060]基于反应混合物的总重量，有机溶剂(f)的浓度典型地为0-60％(w/w)，或者30-60(w/w)，或者40-50(w/w)。
[0061]可通过添加足量醇进行聚硅氧烷的沉淀，然后过滤反应混合物，获得聚硅氧烷，来回收第一种线型聚硅氧烷。醇典型地具有1-6个碳原子，或者1-3个碳原子。此外，醇可具有线型、支链或环状结构。醇内的羟基可与伯、仲或叔脂族碳原子相连。醇的实例包括但不限于：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丁醇、1-戊醇和环己醇。
[0062]本发明的第二种线型聚硅氧烷包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式V的单元：
        Z3-qR1 qSiO1/2              (V)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；p为0或1；和q为0、1或2。在通式I、III和V中，R1、R2、R3、R4、Cz、Y、Z、m和p与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0063]第二种线型聚硅氧烷是含具有上通式I、III和V的单元的共聚物。该聚硅氧烷典型地含有1-99mol％，或者5-90mol％，或者50-90mol％具有通式I的单元；1-99mol％，或者5-75mol％，或者5-50mol％具有通式III的单元。除了具有通式I、III和V的单元以外，第二种线型聚硅氧烷还可含有最多30mol％，或者最多10mol％，或者最多5mol％的其它硅氧烷单元。其它硅氧烷单元的实例包括但不限于具有下式的单元：R1HSiO2/2、R1 2HSiO1/2和R1 2SiO2/2，其中R1如上定义和例举。
[0064]第二种线型聚硅氧烷的数均分子量典型地为1,000-1,000,000，或者2,500-150,000，或者10,000-30,000，其中通过凝胶渗透色谱法，使用小角激光散射检测仪测定分子量。
[0065]第二种线型聚硅氧烷的实例包括但不限于具有下通式的聚硅氧烷：
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.79[HSi(Me)O2/2]0.05[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.15[(AcO)3SiO1/2]0.01，
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.80[HSi(Me)O2/2]0.1[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.08[(MeO)3SiO1/2]0.02，
[Cz(CH2)5Si(Me)O2/2]0.78[HSi(Me)O2/2]0.1[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.1[(EtO)3SiO1/2]0.02，
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.75[HSi(Me)O2/2]0.07[NAPhNC6H4O(CH2)2Si(Me)O2/2]0.15[(MeO)3SiO1/2]0.03，和
[Cz(CH2)3Si(Et)O2/2]0.58[HSi(Et)O2/2]0.15[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Et)O2/2]0.25[(MeO)3SiO1/2]0.02，其中Me是甲基，Et是乙基，Ph是苯基，NA是萘基，Cz是N-咔唑基，OAc是乙酰氧基，和数字下标表示摩尔分数。此外，在前式中，没有指明单元序列。
[0066]通过在(e)氢化硅烷化催化剂和任选地(f)有机溶剂存在下，使(a′)通式为Z3-qR1 qSiO(R1HSiO)aSiR1 qZ3-q的有机基氢聚硅氧烷与(b)通式为Cz-(CH2)m-2-CH＝CH2的N-链烯基咔唑，和(d)通式为R3R4N-C6H4-Yp-CR2＝CH2的链烯基官能的三芳基胺反应，来制备第二种线型聚硅氧烷，其中下标a的数值使得该有机基氢聚硅氧烷的数均分子量为240-220,000，q是0、1或2，和R1、R2、R3、R4、Cz、Y、Z、m和p与以上对于第二种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0067]有机基氢聚硅氧烷(a′)的通式为Z3-qR1 qSiO(R1HSiO)aSiR1 qZ3-q，其中R1、Z和q与以上对于第二种线型聚硅氧烷定义和例举的一样，且下标a的数值使得该有机基氢聚硅氧烷的数均分子量典型地为240-220,000，或者1,000-150,000，或者1,000-75,000。
[0068]适合于用作有机基氢聚硅氧烷(a′)的有机基氢聚硅氧烷的实例包括但不限于：三甲氧基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、二甲氧基甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、甲氧基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、三乙酰氧基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、二乙酰氧基甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、乙酰氧基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)、三甲氧基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、二甲氧基甲基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、甲氧基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、三乙酰氧基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、二乙酰氧基甲基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、乙酰氧基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(乙基氢硅氧烷)、三甲氧基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)、二甲氧基甲基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)、甲氧基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)、三乙酰氧基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)、二乙酰氧基甲基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)和乙酰氧基二甲基甲硅烷氧基封端的聚(苯基氢硅氧烷)。
[0069]制备具有可水解端基的有机基氢聚硅氧烷的方法是本领域公知的。例如，通过使烷氧基封端的有机基氢聚硅氧烷与通式为XSiR1 qZ3-q的硅烷反应，来制备有机基氢聚硅氧烷，其中X为Z或-OH，和R1、Z和q与以上对于第二种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0070]N-链烯基咔唑(b)、链烯基官能的三芳基胺(d)、氢化硅烷化催化剂(e)和有机溶剂(f)与以上制备第一种线型聚硅氧烷的方法中所描述和例举的一样。
[0071]按照以上制备第一种线型聚硅氧烷所述的方式进行制备第二种线型聚硅氧烷的反应，所不同的是，N-链烯基咔唑(b)与在有机基氢聚硅氧烷(a′)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-1.2，或者0.6-1.0；和链烯基官能的三芳基胺(d)与在有机基氢聚硅氧烷(a′)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-1.2，或者0.05-0.7。此外，可与以上对于第一种线型聚硅氧烷所述的一样从反应混合物中回收第二种线型聚硅氧烷。
[0072]本发明的第三种线型聚硅氧烷包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式VI的单元：
          R1 2R7SiO1/2              (VI)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；Cz是N-咔唑基；每一R7独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz或-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NPh2，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；m是整数2-10；和p为0或1。在通式I、III和VI中，R1、R2、R3、R4、Cz、Y、m和p与以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0073]第三种线型聚硅氧烷是含具有上式I、III和VI的单元的共聚物。该聚硅氧烷典型地含有1-99mol％，或者5-90mol％，或者50-90mol％具有通式I的单元；和1-99mol％，或者5-75mol％，或者5-50mol％具有通式III的单元。除了具有通式I、III和VI的单元以外，第三种线型聚硅氧烷还可含有最多30mol％，或者最多10mol％，或者最多5mol％的其它硅氧烷单元。其它硅氧烷单元的实例包括但不限于具有下式的单元：R1HSiO2/2、R1 2HSiO1/2和R1 2SiO2/2，其中R1如上定义和例举。
[0074]第三种线型聚硅氧烷的数均分子量典型地为1,000-1,000,000，或者2,500-150,000，或者10,000-30,000，其中通过凝胶渗透色谱法，使用小角激光散射检测仪测定分子量。
[0075]第三种线型聚硅氧烷的实例包括但不限于具有下通式的聚硅氧烷：
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.79[HSi(Me)O2/2]0.05[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.15[Me3SiO1/2]0.01，
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.80[HSi(Me)O2/2]0.1[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.08[Me3SiO1/2]0.02，
[Cz(CH2)5Si(Me)O2/2]0.78[HSi(Me)O2/2]0.1[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Me)O2/2]0.1[HMe2SiO1/2]0.02，
[Cz(CH2)3Si(Me)O2/2]0.75[HSi(Me)O2/2]0.07[NAPhNC6H4O(CH2)2Si(Me)O2/2]0.15[PhMe2SiO1/2]0.03，
[Cz(CH2)3Si(Et)O2/2]0.58[HSi(Et)O2/2]0.15[Ph2NC6H4(CH2)3Si(Et)O2/2]0.25[Me3SiO1/2]0.02，其中Me是甲基，Et是乙基，Ph是苯基，NA是萘基，Cz是N-咔唑基，和数字下标表示摩尔分数。此外，在前式中，没有指明单元序列。
[0076]可通过在(e)氢化硅烷化催化剂和任选地(f)有机溶剂存在下，使(a)通式为R2R1 2SiO(R1HSiO)aSiR1 2R2的有机基氢聚硅氧烷与(b)通式为Cz-(CH2)m-2-CH＝CH2的N-链烯基咔唑，和(d)通式为R3R4N-C6H4-Yp-CR2＝CH2的链烯基官能的三芳基胺反应，来制备第三种线型聚硅氧烷，其中下标a的数值使得该有机基氢聚硅氧烷的数均分子量为240-220,00；和R1、R2、R3、R4、Cz、Y、m和p与以上对于第三种线型聚硅氧烷定义和例举的一样。
[0077]有机基氢聚硅氧烷(a)、N-链烯基咔唑(b)、链烯基官能的三芳基胺(d)、氢化硅烷化催化剂(e)和有机溶剂(f)与以上制备第一种线型聚硅氧烷的方法中所描述和例举的一样。
[0078]按照以上制备第一种线型聚硅氧烷所述的方式进行制备第三种线型聚硅氧烷的反应，所不同的是，N-链烯基咔唑(b)与在有机基氢聚硅氧烷(a)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-1.2，或者0.6-1.0；和链烯基官能的三芳基胺(d)与在有机基氢聚硅氧烷(a)内的与硅键合的氢原子的摩尔比典型地为0.01-1.2，或者0.05-0.7。此外，可与以上对于第一种线型聚硅氧烷所述的一样从反应混合物中回收第三种线型聚硅氧烷。
[0079]本发明的聚硅氧烷组合物包含：
(A)选自下述的聚硅氧烷：(i)包括1-99mol％具有通式I的单元，1-20mol％具有通式II的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式IV的单元的至少一种线型聚硅氧烷：
           R1 2R5SiO1/2                (IV)，
(ii)包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式V的单元的至少一种线型聚硅氧烷：
Figure A20058001975200242
           Z3-qR1 qSiO1/2              (V)，
和(iii)包括(i)和(ii)的混合物，其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；每一R5独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz、-CH2-CHR2-Yp-SiR1 nZ3-n或者-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NR4R3，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；n为0、1或2；和p为0或1，和q为0、1或2；
(B)缩合催化剂；和
(C)有机溶剂。
[0080]组分(A)(i)和组分(A)(ii)分别是以上描述和例举的第一种线型聚硅氧烷和第二种线型聚硅氧烷。
[0081]组分(B)是至少一种缩合催化剂，该缩合催化剂可以是典型地促进与硅键合的羟基(硅烷醇基)缩合形成Si-O-Si键所使用的任何缩合催化剂。缩合催化剂的实例包括但不限于：锡(II)和锡(IV)化合物，例如二月桂酸锡、二辛酸锡和四丁基锡；和钛化合物，例如四丁醇钛。
[0082]当存在时，缩合催化剂的浓度基于组分(A)的总重量典型地为0.1-10％(w/w)，或者0.5-5％(w/w)，或者1-3％(w/w)。
[0083]组分(C)是至少一种有机溶剂。有机溶剂的实例包括但不限于：芳烃，例如苯、甲苯、二甲苯和；环醚，例如四氢呋喃(THF)和二烷；酮，例如甲基异丁基酮(MIBK)、环戊酮和环己酮；卤代烷烃，例如三氯乙烷；和卤代芳烃，例如溴苯和氯苯。组分(C)可以是单一的有机溶剂或者含两种或更多种不同有机溶剂的混合物，其中各自如上所定义。基于聚硅氧烷组合物的总重量，有机溶剂的浓度典型地为70-99％(w/w)，或者85-99％(w/w)。
[0084]当聚硅氧烷组合物包含组分(A)(ii)时，其中q的数值为2，该组合物典型地进一步包括通式为R8 wSiZ4-w的交联剂，其中R8是C1-C8烃基或者卤素取代的烃基，Z如以上对于第一种线型聚硅氧烷定义和例举的一样，和w为0或1。交联剂的实例包括但不限于：烷氧基硅烷，例如MeSi(OCH3)3、CH3Si(OCH2CH3)3、CH3Si(OCH2CH2CH3)3、CH3Si[O(CH2)3CH3]3、CH3CH2Si(OCH2CH3)3、C6H5Si(OCH3)3、C6H5CH2Si(OCH3)3、C6H5Si(OCH2CH3)3、CH2＝CHSi(OCH3)3、CH2＝CHCH2Si(OCH3)3、CF3CH2CH2Si(OCH3)3、CH3Si(OCH2CH2OCH3)3、CF3CH2CH2Si(OCH2CH2OCH3)3、CH2＝CHSi(OCH2CH2OCH3)3、CH2＝CHCH2Si(OCH2CH2OCH3)3、C6H5Si(OCH2CH2OCH3)3、Si(OCH3)4、Si(OC2H5)4和Si(OC3H7)4；有机基乙酰氧基硅烷，例如CH3Si(OCOCH3)3、CH3CH2Si(OCOCH3)3和CH2＝CHSi(OCOCH3)3；有机基亚氨基氧基硅烷，例如CH3Si[O-N＝C(CH3)CH2CH3]3、Si[O-N＝C(CH3)CH2CH3]4和CH2＝CHSi[O-N＝C(CH3)CH2CH3]3；有机基乙酰胺基硅烷，例如CH3Si[NHC(＝O)CH3]3和C6H5Si[NHC(＝O)CH3]3；氨基硅烷，例如CH3[nhS(s-C4H9)]3和CH3Si(NHC6H11)3；和有机基氨基氧基硅烷。
[0085]交联剂可以是单一的硅烷或者两种或更多种不同硅烷的混合物，其中各自如上所定义。此外，制备三和四官能的硅烷的方法是本领域公知的；许多这些硅烷可商购。
[0086]当存在交联剂时，在聚硅氧烷组合物内的交联剂的浓度足以固化(交联)组合物。交联剂的确切量取决于所需的固化程度，它通常随着交联剂内与硅键合的可水解基团的摩尔数与第二种线型聚硅氧烷内可水解基团Z的摩尔数之比增加而增加。典型地，交联剂的浓度足以提供0.9-1.0个与硅键合的可水解基团/个第二种线型聚硅氧烷内的可水解基团。交联剂的最佳量可通过常规实验容易地确定。
[0087]典型地通过在环境温度下、以所述的比例结合组分(A)、(B)、(C)和任何任选的成分，来制备本发明的聚硅氧烷组合物。
[0088]可通过本领域已知的任何技术，例如研磨、共混和搅拌，或者以间歇或者连续工艺，来实现混合。特定的设备由各组分的粘度和最终的聚硅氧烷组合物的粘度来决定。
[0089]本发明的第一种有机发光二极管包括：
具有第一相对表面和第二相对表面的基底；
层叠在第一相对表面上的第一电极层；
层叠在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括：
空穴传输层，和
发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括通过施加前述聚硅氧烷组合物形成膜并固化该膜而制备的固化的聚硅氧烷；和
层叠在发光元件上的第二电极层。
[0090]此处关于相对于所指组件的第一电极层、发光元件和第二电极层的位置所使用的术语“层叠在...上”是指特定的层直接位于组件上或者位于在其间具有一层或多层中间层的组件之上，条件是如图1和2所示，OLED与在第一电极层下方的基底一起取向。例如，关于相对于OLED内基底的第一相对表面的第一电极层的位置所使用的术语“层叠在...上”是指第一电极层直接位于该表面上或者通过一层或多层中间层与该表面隔开。
[0091]基底可以是具有两个相对表面的刚性或者挠性材料。此外，基底可透过或不透过电磁光谱内的可见光区域内的光。此处所使用的术语“透过”是指对于电磁光谱中可见光区域内的光来说(～400到～700nm)，特定组件(例如，基底或电极层)的透光率为至少30％，或者至少60％，或者至少80％。此外，此处所使用的术语“不透过”是指对于电磁光谱中可见光区域内的光来说，组件的透光率小于30％。
[0092]基底的实例包括但不限于：半导体材料，例如硅、具有二氧化硅表面层的硅，和砷化镓；石英；熔凝石英；氧化铝；陶瓷；玻璃；金属箔；聚烯烃，例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二酯；氟烃聚合物，例如聚四氟乙烯和聚氟乙烯；聚酰胺，例如尼龙；聚酰亚胺；聚酯，例如聚(甲基丙烯酸甲酯)；环氧树脂；聚醚；聚碳酸酯；聚砜；和聚醚砜。
[0093]第一电极层在OLED内可充当阳极或阴极。第一电极层可透过或不透过可见光。阳极典型地选自高功焓(＞4eV)的金属、合金或金属氧化物，例如氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌、镍和金。阴极可以是低功焓(＜4eV)的金属，例如Ca、Mg和Al；如上所述的高功焓(＞4eV)的金属、合金或金属氧化物；或者低功焓的金属和至少一种具有高或低功焓的其它金属的合金，例如Mg-Al、Ag-Mg、Al-Li、In-Mg和Al-Ca。在OLED的制造中，沉积阳极和阴极层的方法，例如蒸发、共蒸发、DC磁控管溅射或者RF溅射，是本领域公知的。
[0094]发光元件层层叠在第一电极层上。发光元件包括空穴传输层和发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括通过施加本发明的聚硅氧烷组合物形成膜并固化该膜而制备的固化的聚硅氧烷。发光元件的取向取决于在OLED内阳极和阴极的相对位置。空穴传输层位于阳极和发射/电子传输层之间，而发射/电子传输层位于空穴传输层和阴极之间。空穴传输层的厚度典型地为2-100nm，或者30-50nm。发射/电子传输层的厚度典型地为20-100nm，或者30-70nm。
[0095]空穴传输层包括通过施加聚硅氧烷组合物形成膜并固化该膜而制备的固化的聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷组合物包含如上所述的组分(A)到(C)。取决于OLED的结构，可使用诸如旋涂、浸涂、喷涂、刷涂和印刷的常规方法，将聚硅氧烷组合物施加到第一电极层、层叠在第一电极层上的层、或者发射/电子传输层上，以形成膜。
[0096]通过将膜暴露于湿气下，来固化该膜。可通过施加热和/或暴露于高湿度下，来加速形成固化的聚硅氧烷。固化的聚硅氧烷的形成速度取决于许多因素，其中包括温度、湿度、硅烷的结构和可水解基团的性质。例如，典型地通过在约室温(23℃)到约150℃的温度下，将膜暴露于约30％的相对湿度下0.5-72小时的时间段，来形成固化的聚硅氧烷。
[0097]发射/电子传输层可以是在OLED器件内典型地用作发射、电子迁移、电子注入/电子迁移或发光材料的任何低分子量的有机化合物或者有机聚合物。适合于用作电子传输层的低分子量有机化合物是本领域公知的，如美国专利No.5952778、美国专利No.4539507、美国专利No.4356429、美国专利No.4769292、美国专利No.6048573和美国专利No.5969474中所例举的。低分子量化合物的实例包括但不限于：芳族化合物，例如蒽、萘、菲、芘、和苝；丁二烯，例如1，4-二苯基丁二烯和四苯基丁二烯；香豆素；吖啶；茋例如反式-茋；和螯合的8-羟基喹啉盐(oxinoid)化合物，例如三(8-羟基喹啉基)铝(III)，Alq3。可通过标准薄膜制备技术，其中包括真空蒸发和升华，来沉积这些低分子量有机化合物。
[0098]适合于用作发射/电子传输层的有机聚合物是本领域公知的，如在美国专利No.5952778、美国专利No.5247190、美国专利No.5807627、美国专利No.6048573和美国专利No.6255774中所例举的。有机聚合物的实例包括但不限于：聚(亚苯基亚乙烯基)，例如聚(1，4-亚苯基亚乙烯基)；聚(2，5-二烷氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基)，例如聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基)(MEHPPV)、聚(2-甲氧基-5-(2-甲基戊氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基)、聚(2-甲氧基-5-戊氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基)和聚(2-甲氧基-5-十二烷氧基-1，4-亚苯基亚乙烯基)；聚(2，5-二烷基-1，4-亚苯基亚乙烯基)；聚(亚苯基)；聚(2，5-二烷基-1，4-亚苯基)；聚(对亚苯基)；聚(噻吩)，例如聚(3-烷基噻吩)；聚(烷基亚噻吩基)，例如聚(3-十二烷基亚噻吩基)；聚(芴)，例如聚(9，9-二烷基芴)；和聚苯胺。有机聚合物的实例还包括以商品名LUMATION获自Dow Chemical Company(Midland，MI)的聚芴基发光聚合物，例如LUMATION Red 1100系列发光聚合物，LUMATIONGreen 1300系列发光聚合物，和LUMATION Blue BP79发光聚合物。可通过常规的溶剂涂布技术，例如旋涂、浸涂、喷涂、刷涂和印刷(例如镂花印刷和筛网印刷)，来施涂有机聚合物。
[0099]发射/电子传输层可进一步包括荧光染料。适合于在OLED器件中使用的荧光染料是本领域公知的，如在美国专利No.4769292中所述。荧光染料的实例包括但不限于：香豆素；二氰基亚甲基吡喃，例如4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)4H-吡喃；二氰基亚甲基噻喃；甲川；氧杂苯并蒽；呫吨；吡喃鎓和噻喃鎓；喹诺酮；和苝荧光染料。
[0100]第二电极层可在OLED内充当阳极或者阴极。第二电极层可透过或不透过可见光区域内的光。阳极和阴极材料的实例及其形成方法与以上对于第一电极层所述的一样。
[0101]本发明的OLED可进一步包括在阳极和空穴传输层之间布置的空穴注入层，和/或在阴极和发射/电子迁移之间布置布置的电子注入层。空穴注入层的厚度典型地为5-20nm，或者7-10nm。适合于用作空穴注入层的材料的实例包括但不限于酞菁铜。电子注入层的厚度典型地为0.5-5nm，或者1-3nm。适合于用作电子注入层的材料的实例包括但不限于：碱金属氟化物，例如氟化锂和氟化铯；和碱金属羧酸盐，例如乙酸锂和乙酸铯。可通过常规技术，例如热蒸发，来形成空穴注入层和空穴注入层。
[0102]本发明的第二种有机发光二极管包括：
具有第一相对表面和第二相对表面的基底；
层叠在第一相对表面上的第一电极层；
层叠在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括：
空穴传输层，和
发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括第三种线型聚硅氧烷；和
层叠在发光元件上的第二电极层。
[0103]在第二种有机发光二极管中，基底、第一电极层、发射/电子传输层和第二电极层与以上对于第一种OLED所述和例举的一样。空穴传输层包括以上所述和例举的第三种线型聚硅氧烷。取决于OLED的结构，可在有或无有机溶剂辅助下，通过使用常规方法，例如旋涂、浸涂、喷涂、刷涂和印刷，施加第三种聚硅氧烷到第一电极层、层叠在第一电极层上的层或者发射/电子传输层上，形成膜，从而形成空穴传输层。
[0104]如图1所示，本发明的OLED的第一个实施方案包括具有第一相对表面100A和第二相对表面100B的基底100，在第一相对表面100A上的第一电极层102(其中第一电极层102是阳极)，层叠在第一电极层102上的发光元件104(其中发光元件104包括空穴传输层106和直接位于空穴传输层106上的发射/电子传输层108，其中空穴传输层106包括固化的聚硅氧烷或者线型聚硅氧烷)，和层叠在发光元件104上的第二电极层110(其中第二电极层110是阴极)。
[0105]如图2所示，本发明的OLED的第二个实施方案包括具有第一相对表面200A和第二相对表面200B的基底200，在第一相对表面200A上的第一电极层202(其中第一电极层202是阴极)，层叠在第一电极层202上的发光元件204(其中发光元件204包括发射/电子传输层208和直接位于发射/电子传输层208上的空穴传输层206，其中空穴传输层206包括固化的聚硅氧烷或者线型聚硅氧烷)，和层叠在发光元件204上的第二电极层210(其中第二电极层210是阳极)。
[0106]本发明的线型聚硅氧烷显示出电致发光性，当置于外加电压下时发光。此外，可固化含有可水解基团的线型聚硅氧烷，产生耐用的交联的聚硅氧烷。而且，可用少量荧光染料掺杂该线型聚硅氧烷，以提高电致发光效率并控制固化的聚硅氧烷的颜色输出。
[0107]本发明的聚硅氧烷组合物可方便地配制为单部分组合物。此外，在不存在湿气的情况下，该聚硅氧烷组合物具有良好的储存稳定性。重要的是，可通过常规的高速方法，例如旋涂、印刷和喷涂，施加该组合物到基底上。而且，可通过在温和到适中的温度下，暴露于湿气下，容易地固化该聚硅氧烷组合物。
[0108]本发明的固化的聚硅氧烷显示出电致发光性。此外，该固化的聚硅氧烷对各种基底具有良好的无底漆粘合性。该固化的聚硅氧烷还显示出优良的耐用性、耐化学性和低温挠性。另外，该固化的聚硅氧烷显示出高的透明度，典型地在100nm的厚度下，在电磁光谱的可见光区域内至少95％的透光率。重要的是，该聚硅氧烷基本上不含酸性或碱性组分，所述酸性或碱性组分对OLED器件内的电极和发光层有害。
[0109]本发明的OLED对磨耗、有机溶剂、湿气和氧气显示出良好的耐性。此外，OLED显示出高的量子效率、低的接通电压和光稳定性。
[0110]OLED可用作离散的发光器件或者用作发光阵列或显示器例如平板显示器的有源元件。OLED显示器可用于许多器件中，其中包括手表、电话、膝上型计算机、寻呼机、移动电话、数码照相机、DVD唱盘和计算器。
实施例
[0111]列出下述实施例，更好地阐述本发明的线型聚硅氧烷、聚硅氧烷组合物和OLED，但不将其视为限制所附权利要求书描绘的本发明的范围。除非另有说明，在实施例中报道的所有份数和百分数以重量计。在实施例中使用下述方法和材料：
红外光谱
[0112]在Perkin Elmer Instruments 1600 FT-IR分光计上记录红外光谱。
NMR光谱
[0113]使用Varian Mercury 400MHz NMR分光计，获得核磁共振光谱(1H NMR，13C NMR和29Si NMR)。
清洁ITO-涂布的玻璃基底的方法
[0114]将表面电阻为10Ω/□的ITO-涂布的玻璃载片(MerckDisplay Technology，Inc.，Taipei，Taiwan)切割成25mm的正方形基底。将该基底浸渍在超声浴内10分钟，所述超声浴含有由在水中1％Alconox粉末清洁剂(Alconox，Inc.)组成的溶液，然后用去离子水漂洗。然后按序在下述每一溶剂中、在超声搅拌下浸渍基底共10分钟：异丙醇、正己烷和甲苯。然后在干燥氮气物流下干燥玻璃基底，并就在使用之前立即用氧气等离子体处理3分钟。
在OLED内沉积SiO
[0115]使用配有晶体平衡膜厚度监控仪的BOC Edwards Auto 306高真空沉积体系，通过热蒸发，沉积一氧化硅(SiO)。将基底置于位于源上方并用合适掩膜覆盖的旋转样品保持器内。通过将有机化合物或者SiO的样品置于氧化铝坩埚内，从而制备该源。然后将坩埚置于钨螺旋箍筋内。降低真空腔室内的压力到2.0×10-6mbar，在这一压力下对基底除气至少30分钟。借助钨丝，通过加热源，同时旋转样品保持器，从而沉积有机或者SiO膜。在沉积工艺过程中监控膜的沉积速度(0.1-0.3nm/s)和厚度。
在OLED内LiF、Ca和Al膜的沉积
[0116]在10-6mbar的起始真空下，使用配有晶体平衡膜厚度监控仪的BOC Edwards E306A型涂布体系，通过热蒸发，沉积LiF、Ca和Al膜。通过将金属置于氧化铝坩埚内并将该坩埚置于钨螺旋箍筋内，或者通过将该金属直接置于钨篮内，从而制备源。当要求多层不同金属时，将合适的源置于可旋转的转台上以供沉积每一金属。在沉积工艺过程中监控膜的沉积速度(0.1-0.3nm/s)和厚度。
[0117]获自The Dow Chemical Company(Midland，MI)的LUMATIONBlue BP79发光聚合物是发射可见光谱中蓝色区域内的光的聚芴聚合物。
实施例1：制备N-(3-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺
[0118]在氮气下，在配有磁搅拌器和温度计的干燥的500ml烧瓶内，结合干燥甲苯(60ml)、36g(213mmol)二苯胺和100g(424mmol)1，3-二溴苯。向该充分搅拌的溶液中添加24g(249mmol)叔丁醇钠、0.41g(0.447mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(0)和0.83g(1.333mmol)BINAP[2，2′-双(二苯基膦基)-1，1′-联萘基]。加热该混合物到约80℃，并通过定期引出等量混合物以供气相色谱分析，从而监控反应的进程。在7小时之后，冷却反应混合物到室温，用100ml乙醚稀释并过滤。
[0119]减压蒸馏该滤液，以除去过量的1，3-二溴苯。用200ml己烷稀释残渣，用100g硅胶处理，并在60℃下加热10分钟。过滤该混合物并通过减压蒸发除去己烷。在室温下保持粘稠的残渣过夜，然后用己烷(2×25ml)洗涤，形成沉淀物。通过过滤收集沉淀物，用最小量的己烷洗涤，并真空干燥，得到N-(3-溴苯基)-N，N-二苯胺。产物通过IR、1H NMR和13C NMR光谱鉴定。
[0120]在回流下，将由40g(0.125mol)N-(3-溴苯基)-N，N-二苯胺在120ml干燥THF内组成的溶液逐滴加入到由3g(0.125mol)镁切屑、15ml干燥THF和约20mg碘组成的搅拌混合物中。在4.5小时之后，将15.2g(0.125mol)烯丙基溴逐滴加入到该混合物中。继续反应过夜。使该混合物冷却到室温，用100ml乙醚稀释并过滤。在约60℃下，用4.0ml去离子水和150g硅胶处理搅拌的滤液，然后通过无水硫酸镁过滤。除去溶剂并减压蒸馏(150-155℃/0.67Pa)得到N-(3-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺。产物通过IR、1H NMR和13C NMR光谱鉴定。
实施例2：制备N-(4-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺
[0121]在氮气下，在2.0L两颈烧瓶内，将N-溴琥珀酰亚胺(74g，0.414mol)加入到由100g(0.410mol)三苯胺在800ml四氯化碳组成的搅拌溶液中。加热该反应混合物到约65-70℃，并在温和回流下维持15小时。在冷却反应混合物到室温之后，通过过滤除去琥珀酰亚胺，并通过蒸馏除去大多数溶剂。将甲醇加入到该混合物中，形成沉淀物，将所述沉淀物溶解在最小体积的氯仿内。过滤该溶液，除去过量的琥珀酰亚胺，并将甲醇加入到滤液中，形成沉淀物。然后将沉淀物溶解在1∶1(v/v)的己烷和乙醚的混合物中，并用100g硅胶处理该搅拌的混合物。通过过滤除去硅胶，并将甲醇加入到滤液中，形成沉淀物。真空干燥沉淀物，得到N-(4-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺(产率77％)。产物通过IR、1H NMR和13C NMR光谱鉴定。
[0122]在温和回流下，将50g(0.154mol)N-(4-溴苯基)-N，N-二苯胺在150ml干燥THF内的溶液逐滴加入到由3.7g(0.154mol)镁切屑、15ml干燥THF和约15mg碘组成的搅拌混合物中。在5.5小时之后，将19.6g(0.162mol)烯丙基溴逐滴加入到该混合物中。继续反应过夜。使该混合物冷却到室温，用200ml乙醚稀释并过滤。用5.0ml去离子水和200g硅胶处理搅拌的滤液，并通过无水硫酸镁过滤。除去溶剂并减压蒸馏(155-160℃/0.67Pa)得到N-(4-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺(79％产率)。产物通过IR、1H NMR和13C NMR光谱鉴定。
实施例3：制备9-[3-(三氯甲硅烷基)乙基]-9H-咔唑
[0123]在配有磁搅拌棒的单颈玻璃烧瓶内，在氮气下结合三氯硅烷(4.47g)、5.52g烯丙基咔唑和5.5g无水甲苯。向该混合物中添加0.015g由0.31％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷和0.19％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷在干燥甲苯内的铂络合物组成的溶液。在氮气下，在60℃下加热该混合物1小时，然后用干燥氮气冲洗10分钟。然后在约220℃下真空蒸馏该混合物，产生9-[3-(三氯甲硅烷基)乙基]-9H-咔唑作为流体，所述流体一旦冷却到室温，则形成透明无色的晶体。
实施例4：制备线型聚硅氧烷
[0124]结合烯丙基咔唑(2.31g)、0.7g dp为115的三甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)和0.35g N-(3-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺。充分混合该混合物，加热到70℃，并用0.01g由0.31％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷组成的溶液处理，且使用注射器，将0.19％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷在甲苯内的铂(IV)络合物加入到该混合物中。在130℃下加热该混合物3小时，然后使之冷却到室温。用20ml电子等级己烷提取所得固体，以除去未反应的起始材料。然后将该固体溶解在3ml电子等级的甲苯内，并通过添加20ml2-丙醇(电子等级)，沉淀粗聚硅氧烷。重复这一溶解/沉淀工艺3次。将聚硅氧烷溶解在甲苯内，得到固体含量为21.4％(w/w)的溶液。该聚硅氧烷含有约5mol％通式为Ph2N-C6H4-CH2CH2CH2Si(Me)O2/2的硅氧烷单元，77mol％通式为Cz-(CH2)3-Si(Me)O2/2的单元和18mol％通式为HMeSiO2/2的单元，这通过13C NMR和29Si NMR来测定。
实施例5：制备线型聚硅氧烷
[0125]结合烯丙基咔唑(2.3g)、1.4g dp为115的三甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氢硅氧烷)和1.1g N-(4-烯丙基苯基)-N，N-二苯胺。充分混合该混合物，加热到70℃，并用0.01g由0.31％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷组成的溶液处理，且使用注射器，将0.19％1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷在甲苯内的铂(IV)络合物加入到该混合物中。在130℃下加热该混合物并维持在该温度下3小时。用2.3g烯丙基咔唑处理该混合物，并在130℃下维持另外2小时。用30ml电子等级己烷提取所得固体，以除去未反应的起始材料。然后将该固体溶解在6ml电子等级的甲苯内，并通过添加30ml 2-丙醇(电子等级)，沉淀粗聚硅氧烷。重复这一溶解/沉淀工艺3次，之后，在真空烘箱内干燥聚硅氧烷。该聚硅氧烷含有约7.8mol％通式为Ph2N-C6H4-CH2CH2CH2Si(Me)O2/2的硅氧烷单元，78.5mol％通式为Cz-(CH2)3-Si(Me)O2/2的单元和13.7mol％通式为HMeSiO2/2的单元，这通过13C NMR和29Si NMR来测定。
实施例6：制备OLED
[0126]如下所述制造四个OLED(参见下图)：通过具有矩形孔隙的掩膜(6mm×25mm)，沿着预清洁的ITO-涂布的玻璃基底(25mm×25mm)的第一边缘热沉积一氧化硅(100nm)。然后在高真空腔室内，将载片暴露于O2等离子体下3分钟。沿着与SiO沉积物垂直的基底的第二边缘，施加3M Scotch牌胶带条(5mm×25mm)。在用O2等离子体处理ITO表面3分钟之后，使用CHEMAT Technology Model KW-4A旋涂器，在ITO表面上旋涂(4200rpm，20s)由0.1％9-[3-(三氯甲硅烷基)乙基]-9H-咔唑在甲苯内组成的溶液。在烘箱内，在空气中，在100℃下加热三氯硅烷层30分钟，然后使之冷却到室温。在处理过的ITO表面上旋涂(4000rpm)由3％实施例4的线型聚硅氧烷在环戊酮内组成的溶液，形成厚度为约45nm的空穴传输层。在烘箱内，在100℃下加热该复合材料，然后使之冷却到室温。然后在空穴传输层上旋涂(2250rpm，40s)由1.5％LUMATION Blue BP79发光聚合物在内组成的溶液，形成厚度为约50nm的发射/电子传输层。在烘箱内，在氮气下，在100℃下加热该复合材料30分钟，然后使之冷却到室温。从基底上除去胶带条，暴露阳极(ITO)，并通过在发光聚合物层顶部按序沉积氟化锂(1nm)、钙(50nm)和铝(150nm)，并通过具有四个矩形孔隙的掩膜(3mm×16mm)沉积SiO，形成四个阴极。四个OLED中的每一个发射蓝色光且在1cd m-2下的接通电压为约2.9V，在10V下的亮度为约10000cd m-2，且峰值发光效率为3.8cd A-1。
Figure A20058001975200371

Claims (12)

1.一种线型聚硅氧烷，其包括1-99mol％具有通式I的单元，1-20mol％具有通式II的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式IV的单元：
Figure A2005800197520002C1
                  R1 2R5SiO1/2             (IV)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；每一R5独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz、-CH2-CHR2-Yp-SiR1 nZ3-n或者-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NR4R3，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；n为0、1或2；和p为0或1。
2.权利要求1的线型聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷包括5-90mol％具有通式I的单元，1-10mol％具有通式II的单元，和5-75mol％具有通式III的单元。
3.权利要求1或2的线型聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷进一步包括最多30mol％具有选自下述至少一个通式的单元：R1HSiO2/2、R1 2HSiO1/2和R1 2SiO2/2，其中R1是C1-C10不合脂族不饱和的烃基。
4.一种线型聚硅氧烷，其包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式V的单元：
Figure A2005800197520002C2
              Z3-qR1 qSiO1/2                (V)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H，R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；p为0或1；和q为0、1或2。
5.权利要求4的线型聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷包括5-90mol％具有通式I的单元，和5-75mol％具有通式III的单元。
6.权利要求4或5的线型聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷进-步包括最多30mol％具有选自下述至少一个通式的单元：R1HSiO2/2、R1 2HSiO1/2和R1 2SiO2/2，其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基。
7.一种线型聚硅氧烷，其包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式VI的单元：
                R1 2R7SiO1/2                 (VI)，
其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；Cz是N-咔唑基；每一R7独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz或-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NPh2，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；m是整数2-10；和p为0或1。
8.权利要求7的线型聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷包括5-90mol％具有通式I的单元，和5-75mol％具有通式III的单元。
9.权利要求7或8的线型聚硅氧烷，其中该聚硅氧烷进一步包括最多30mol％具有选自下述至少一个通式的单元：R1HSiO2/2、R1 2HSiO2/2和R1 2SiO2/2，其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基。
10.一种有机发光二极管，其包括：
具有第一相对表面和第二相对表面的基底；
层叠在第一相对表面上的第一电极层；
层叠在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括：
空穴传输层，和
发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括权利要求7的线型聚硅氧烷；和
层叠在发光元件上的第二电极层。
11.一种聚硅氧烷组合物，其包含：
(A)选自下述的聚硅氧烷：(i)包括1-99mol％具有通式I的单元，1-20mol％具有通式II的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式IV的单元的至少一种线型聚硅氧烷：
          R1 2R5SiO1/2                     (IV)，
(ii)包括1-99mol％具有通式I的单元，1-99mol％具有通式III的单元，和具有通式V的单元的至少一种线型聚硅氧烷：
          Z3-qR1 qSiO1/2                   (V)，
和(iii)包括(i)和(ii)的混合物，其中R1是C1-C10不含脂族不饱和的烃基；R2是R1或者-H；R3和R4是芳基或者与它们连接到其上的氮原子一起为10(9H)-吖啶基或者10，11-二氢-5H-二苯并[b，f]氮杂-5-基；每一R5独立地为R1、-H、-(CH2)m-Cz、-CH2-CHR2-Yp-SiR1 nZ3-n或者-CH2-CHR2-Yp-C6H4-NR4R3，Cz是N-咔唑基；Y是二价有机基团；Z是可水解基团；m是整数2-10；n为0、1或2；和p为0或1，和q为0、1或2；
(B)缩合催化剂；和
(C)有机溶剂。
12，一种有机发光二极管，其包括：
具有第一相对表面和第二相对表面的基底；
层叠在第一相对表面上的第一电极层；
层叠在第一电极层上的发光元件，该发光元件包括：
空穴传输层，和
发射/电子传输层，其中空穴传输层和发射/电子传输层直接位于彼此之上，且空穴传输层包括通过施加权利要求11的聚硅氧烷组合物形成膜并固化该膜而制备的固化的聚硅氧烷；和
层叠在发光元件上的第二电极层。
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