TW201920397A - 中空型電子裝置密封用薄片及中空型電子裝置封裝之製造方法 - Google Patents

中空型電子裝置密封用薄片及中空型電子裝置封裝之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一種中空型電子裝置密封用薄片，其係將中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的離子交換水中之氯化物離子濃度、鈉離子濃度、磷酸離子濃度、及硫酸離子濃度當中的至少1個係低於一定值。

Description

中空型電子裝置密封用薄片及中空型電子裝置封裝之製造方法
本發明係關於中空型電子裝置密封用薄片及中空型電子裝置封裝之製造方法。
以往，在將電子裝置與基板之間成為中空結構的中空型電子裝置進行樹脂密封而製作中空型電子裝置封裝時，有時使用薄片狀者作為密封樹脂(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-19714號公報
於中空型電子裝置封裝中，會有因來自密封所使用之薄片狀的密封樹脂之各種離子性雜質而使中空型電子裝 置受到影響的情況。尤其，於中空型電子裝置封裝中，若離子性雜質從薄片狀的密封樹脂滲出則容易積存於中空空間，恐有受其之影響而使作為中空型電子裝置的特性(例如，作為壓力感測器、振動感測器等使用時之感測特性、作為SAW過濾器等使用時之過濾特性等)無法充分發揮之虞。因此，期望有離子性雜質之含量少的密封樹脂。
本發明係鑑於上述課題而完成者，其目的為提供一種離子性雜質之滲出量少的中空型電子裝置密封用薄片、及離子性雜質之滲出量少的中空型電子裝置封裝之製造方法。
本發明者們發現藉由採用下述的構成，可解決前述課題，因而完成本發明。
亦即，本發明係一種中空型電子裝置密封用薄片，其特徵為滿足下述(a)~下述(d)中至少1個。
(a)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之氯化物離子濃度，以質量基準計為低於30ppm、(b)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之鈉離子濃度，以質量基準計為低於10ppm、 (c)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之磷酸離子濃度，以質量基準計為低於30ppm、(d)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之硫酸離子濃度，以質量基準計為低於5ppm。
依據本發明之中空型電子裝置密封用薄片，則滿足上述(a)~上述(d)中至少1個。因而，離子性雜質(氯化物離子、鈉離子、磷酸離子(PO4 3-)、及硫酸離子(SO4 2-)中至少1個)之滲出量減少。其結果，使用該中空型電子裝置密封用薄片所製造的中空型電子裝置封裝，係可抑制特性降低，而可提昇製品信賴性。
於前述構成中，在厚度250μm時之熱硬化後的透濕度為溫度85℃、濕度85%、168小時之條件下，較佳為500g/m2．24小時以下。
本發明者們，探究出即使在浸漬於離子交換水時之離子性雜質的滲出量少，若透過中空型電子裝置密封用薄片而到達中空部分的水分多，仍恐有離子性雜質融入此水分中等而流入電子裝置側，使離子性雜質蓄積於電子裝置上之虞。因此，若前述中空型電子裝置密封用薄片在厚度成為250μm時之熱硬化後的透濕度，於溫度85℃、濕度85%、168小時之條件下，為500g/m2．24小時以下，則水分難以從 外部侵入到中空部分。其結果，可抑制離子性雜質融入來自外部的水分而到達電子裝置上。
如此一來，除使中空型電子裝置密封用薄片之離子性雜質的滲出量減少以外，亦可藉由降低透濕度，而更提昇使用該中空電子裝置密封用薄片所製造的中空型電子裝置封裝之製品信賴性。另外，將透濕度的評估條件設為溫度85℃、濕度85%、168小時的原因在於，符合在半導體封裝之耐焊錫信賴性試驗(MSL試驗)中最為嚴苛的吸濕條件之Level 1條件。
另外，於厚度非250μm時，係藉由下述式1換算，而作為在溫度85℃、濕度85%、168小時的條件下之厚度成為250μm時的透濕度。
(式1)A-(250-D)×0.101
(A：透濕度、D：樣品厚度(μm))
於前述構成中，相對於中空型電子裝置密封用薄片全體，較佳為包含70~90體積%之無機質填充劑。若無機質填充劑之含量相對於中空型電子裝置密封用薄片全體為70體積%以上，則可容易降低透濕度。另一方面，若無機質填充劑之含量相對於中空型電子裝置密封用薄片全體為90體積%以下，則柔軟性、流動性、接著性更良好。
於前述構成中，較佳為含有離子捕捉劑。若含有離子捕捉劑，則可更加抑制離子性雜質到達電子裝置。
於前述構成中，前述離子捕捉劑，較佳為水滑石 系化合物。水滑石系化合物，係不含有銻等之重金屬而具有離子捕捉性。
此外，本發明之中空型電子裝置封裝之製造方法，其特徵為包含：以被覆搭載於基板上之1或複數個中空型電子裝置的方式，將前述記載之中空型電子裝置密封用樹脂薄片層合於前述中空型電子裝置上之層合步驟，以及使前述中空型電子裝置密封用樹脂薄片硬化而形成密封體之密封體形成步驟。
使用前述記載之中空型電子裝置密封用樹脂薄片所製造的中空型電子裝置封裝，係離子性雜質之滲出量少。因而，使用該中空型電子裝置密封用樹脂薄片所製造的中空型電子裝置封裝，係可抑制特性降低，而可提昇製品信賴性。
依據本發明，可提供一種離子性雜質之滲出量少的中空型電子裝置密封用薄片、及離子性雜質之滲出量少的中空型電子裝置封裝之製造方法。
11‧‧‧中空型電子裝置密封用薄片(密封薄片)
11a‧‧‧支撐體
13‧‧‧SAW過濾器
15‧‧‧密封體
18‧‧‧中空型電子裝置封裝
[第1圖]係模式性顯示本發明之一實施形態之中空型電子裝置密封用薄片的剖面圖。
[第2圖A]係模式性顯示本發明之一實施形態之中空型電子裝置封裝的製造方法之一步驟的圖。
[第2圖B]係模式性顯示本發明之一實施形態之中空型電子裝置封裝的製造方法之一步驟的圖。
[第2圖C]係模式性顯示本發明之一實施形態之中空型電子裝置封裝的製造方法之一步驟的圖。
以下，針對本發明之實施形態，一邊參照圖面一邊進行說明。但，本發明並不僅限定於此等實施形態。
[中空型電子裝置密封用薄片]
第1圖係模式性顯示本發明之一實施形態之中空型電子裝置密封用薄片的剖面圖。中空型電子裝置密封用薄片11(以下，亦稱為「密封用薄片11」)，係代表性地以層合於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等之支撐體11a上的狀態提供。另外，於支撐體11a，係可為了容易進行密封用薄片11之剝離，而實施脫模處理。
密封用薄片11，係滿足下述(a)~下述(d)中至少1個。
(a)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之氯化物離子濃度，以質量基準計為低於30ppm、(b)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前 述離子交換水中之鈉離子濃度，以質量基準計為低於10ppm、(c)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之磷酸離子濃度，以質量基準計為低於30ppm、(d)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之硫酸離子濃度，以質量基準計為低於5ppm。
密封用薄片11，係由於滿足上述(a)~上述(d)中至少1個，因此離子性雜質(氯化物離子、鈉離子、磷酸離子、及硫酸離子中至少1個)之滲出量減少。其結果，使用該中空型電子裝置密封用薄片11所製造的中空型電子裝置封裝，係可抑制特性降低，而可提昇製品信賴性。用以滿足上述(a)~上述(d)中至少1個的方法，可例舉例如：於製造密封用薄片11時，選擇離子性雜質之含量少的材料，或含有能夠捕捉上述離子性雜質的離子捕捉劑之方法。
前述氯化物離子濃度較佳為低於20ppm。此外，前述氯化物離子濃度雖越小越好，但例如為1ppm以上。
前述鈉離子濃度較佳為低於7ppm。此外，前述鈉離子濃度雖越小越好，但例如為0.1ppm以上。
前述磷酸離子濃度較佳為低於20ppm。此外，前述磷酸離子濃度雖越小越好，但例如為1ppm以上。
前述硫酸離子濃度較佳為低於3ppm。此外，前述硫酸離子濃度雖越小越好，但例如為0.1ppm以上。
密封用薄片11，在厚度成為250μm時之熱硬化後的透濕度，於溫度85℃、濕度85%、168小時之條件下，以500g/m2．24小時以下為佳，較佳為400g/m2．24小時以下，更佳為300g/m2．24小時以下。此外，前述透濕度雖越小越好，但例如為1g/m2．24小時以上。密封用薄片11在厚度成為250μm時之熱硬化後的透濕度，於溫度85℃、濕度85%、168小時之條件下，若為500g/m2．24小時以下，則水分難以從外部侵入到中空部分。其結果，可抑制離子性雜質融入來自外部的水分而到達電子裝置上。
如此一來，除使中空型電子裝置密封用薄片之離子性雜質的滲出量減少以外，亦可藉由降低透濕度，而更提昇使用該中空型電子裝置密封用薄片所製造的中空型電子裝置封裝之製品信賴性。
接著，針對密封用薄片11之組成進行說明。
密封用薄片11，較佳為包含環氧樹脂、及酚樹脂。藉此，可得到良好的熱硬化性。
環氧樹脂並無特別限定。可使用例如：三苯基甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改質雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改質雙酚F型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯氧基樹脂等之各種環氧樹脂。此等環氧樹脂係可單獨使用，亦可併用2種以上。
就確保環氧樹脂之硬化後的韌性及環氧樹脂的反應性之觀點而言，以環氧當量150~250，軟化點或熔點為50~130℃之在常溫下為固體者為佳，其中，就信賴性之觀點而言，更佳為三苯基甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。
酚樹脂係只要在與環氧樹脂之間產生硬化反應者則無特別限定。例如，使用酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、可溶酚醛樹脂等。此等酚樹脂係可單獨使用，亦可併用2種以上。
酚樹脂，就與環氧樹脂之反應性的觀點而言，以使用羥基當量為70~250，軟化點為50~110℃者為佳，其中就硬化反應性高的觀點而言，可適當使用酚酚醛清漆樹脂。此外，就信賴性的觀點而言，亦可適當使用如同酚芳烷基樹脂或聯苯芳烷基樹脂之類的低吸濕性者。
環氧樹脂與酚樹脂之摻合比例，就硬化反應性的觀點而言，較佳為相對於環氧樹脂中之環氧基1當量，以使酚樹脂中之羥基的合計成為0.7~1.5當量的方式摻合，更佳為0.9~1.2當量。
密封用薄片11中之環氧樹脂及酚樹脂的合計含量，較佳為2.0重量%以上，更佳為3.0重量%以上。若為2.0重量%以上，則良好地得到對於電子裝置、基板等之接著力。密封用薄片11中之環氧樹脂及酚樹脂的合計含量，較佳為20重量%以下，更佳為10重量%以下。若為20重量%以 下，則可減低吸濕性。
密封用薄片11，較佳為包含熱塑性樹脂。藉此，可得到未硬化時之處理性、或硬化物之低應力性。
熱塑性樹脂係可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-耐隆或6,6-耐隆等之聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等之飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。此等熱塑性樹脂係可單獨，或將2種以上合併使用。其中，就低應力性、低吸水性的觀點而言，較佳為苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。
密封用薄片11中之熱塑性樹脂的含量，較佳為1.0重量%以上，更佳為1.5重量%以上。若為1.0重量%以上，則可得到柔軟性、可撓性。密封用薄片11中之熱塑性樹脂的含量，較佳為3.5重量%以下，更佳為3重量%以下。若為3.5重量%以下，則與電子裝置或基板之接著性良好。
密封用薄片11，較佳為包含無機質填充劑。
無機質填充劑並無特別限定，可使用以往周知的各種填充劑，可列舉例如：石英玻璃、滑石、二氧化矽(熔融二氧化矽或結晶性二氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼之粉末。此等係可單獨使用，亦可併用2種以上。其中，就可良好地減低線膨脹係數的理由而言，較佳為二氧化矽、氧化鋁，更佳為二氧化矽。
二氧化矽，較佳為二氧化矽粉末，更佳為熔融二氧化矽粉末。熔融二氧化矽粉末，雖可列舉球狀熔融二氧化矽粉末、破碎熔融二氧化矽粉末，但就流動性的觀點而言，較佳為球狀熔融二氧化矽粉末。其中，以平均粒徑為10~30μm之範圍者為佳，以15~25μm之範圍者為更佳。
另外，平均粒徑，例如，可藉由使用從母體所任意萃取出的試料，並使用雷射繞射散亂式粒度分布測定裝置進行測定而導出。
密封用薄片11中之無機質填充劑的含量，較佳為相對於密封用薄片11全體，為70~90體積%，更佳為74~85體積%。若前述無機質填充劑的含量，相對於密封用薄片11全體為70體積%以上，則可容易地降低透濕度。另一方面，若前述無機質填充劑的含量相對於密封用薄片11全體為90體積%以下，則柔軟性、流動性、接著性更良好。
無機質填充劑的含量，亦可以「重量%」為單位進行說明。代表性地針對二氧化矽之含量，以「重量%」為單位進行說明。
二氧化矽，由於通常比重為2.2g/cm3，因此二氧化矽的含量(重量%)之適當範圍係如以下所述。
亦即，密封用薄片11中之二氧化矽的含量，較佳為81重量%以上，更佳為84重量%以上。密封用薄片11中之二氧化矽的含量，較佳為94重量%以下，更佳為91重量%以下。
氧化鋁，由於通常比重為3.9g/cm3，因此氧化鋁 的含量(重量%)之適當範圍係如以下所述。
亦即，密封用薄片11中之氧化鋁的含量，較佳為88重量%以上，更佳為90重量%以上。密封用薄片11中之氧化鋁的含量，較佳為97重量%以下，更佳為95重量%以下。
密封用薄片11，較佳為包含離子捕捉劑。若含有離子捕捉劑，則可更加抑制離子性雜質到達電子裝置。
前述離子捕捉劑，可列舉例如：水滑石類化合物、氫氧化鉍、五氧化二銻等。此等係可單獨或2種以上合併使用。其中，就不含有重金屬而具有離子捕捉性的觀點而言，較佳使用水滑石類化合物。
前述離子捕捉劑之平均粒徑，就流動性的觀點而言，較佳為0.1~50μm之範圍內。另外，平均粒徑，例如，可藉由使用從母體所任意萃取出的試料，並使用雷射繞射散亂式粒度分布測定裝置進行測定而導出。
前述離子捕捉劑之含有比例，較佳為相對於密封用薄片11全體設定為0.01~2重量%之範圍，特佳為0.01~1重量%。藉由將離子捕捉劑之含有比例設為相對於密封用薄片11全體為0.01重量%以上，可得到充分的離子捕捉性。此外，藉由將離子捕捉劑之含有比例設為相對於密封用薄片11全體為2重量%以下，可抑制成形時之封裝污染。
密封用薄片11，較佳為包含硬化促進劑。
硬化促進劑，係只要使環氧樹脂與酚樹脂之硬化進行者便無特別限定，可列舉例如：三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸鹽等之有機磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥甲基咪 唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等之咪唑系化合物等。其中，基於即使隨著混練時之溫度上昇硬化反應亦不急遽進行，而可良好地製作密封用薄片11的理由，較佳為2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑。
硬化促進劑之含量，較佳為相對於環氧樹脂及酚樹脂之合計100重量份為0.1~5重量份。
密封用薄片11，較佳為包含難燃劑成分。藉此，可減低因零件短路或發熱等而起火時之燃燒擴大。難燃劑組成分，係可使用例如：氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、複合化金屬氫氧化物等之各種金屬氫氧化物；磷腈系難燃劑等。
就即使少量亦發揮難燃效果的觀點而言，磷腈系難燃劑所含有之磷元素的含有率，較佳為12重量%以上。
密封用薄片11中之難燃劑成分的含量，於全有機成分(無機填料除外)中，較佳為10重量%以上，更佳為15重量%以上。若為10重量%以上，則可良好地得到難燃性。密封用薄片11中之熱塑性樹脂的含量，較佳為30重量%以下，更佳為25重量%以下。若為30重量%以下，則有硬化物之物性降低(具體而言，係玻璃轉移溫度或高溫樹脂強度等之物性的降低)少的傾向。
密封用薄片11，較佳為包含矽烷偶合劑。矽烷偶合劑並無特別限定，可列舉3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷等。
密封用薄片11中之矽烷偶合劑的含量，較佳為 0.1~3重量%。若為0.1重量%以上，則可充分得到硬化物的強度而降低吸水率。若為3重量%以下，則可降低排氣量。
密封用薄片11，較佳為包含顏料。顏料並無特別限定，可列舉碳黑等。
密封用薄片11中之顏料的含量，較佳為0.1~2重量%。若為0.1重量%以上，則在以雷射標記等進行標記時得到良好的標記性。若為2重量%以下，則可充分得到硬化物強度。
另外，於樹脂組成物中，除上述各成分以外，可因應需要而適當摻合其他的添加劑。
密封用薄片11，雖可為單層結構，亦可為層合了2以上之密封用薄片的多層結構，但基於無層間剝離之虞，且薄片厚的均勻性高，容易降低透濕度的理由，較佳為單層結構。
密封用薄片11的厚度雖無特別限定，但就作為密封用薄片使用的觀點而言，例如為50μm~2000μm。
密封用薄片11之製造方法並無特別限定。可列舉例如：調製用以形成密封用薄片11的樹脂組成物之混練物，將所得到的混練物塑性加工成薄片狀的方法、或將於溶劑中溶解或分散有用以形成密封用薄片11的樹脂組成物者(清漆)塗佈於間隔物等，然後使其乾燥而得到的方法。採用將混練物塑性加工成薄片狀的方法時，由於可不使用溶劑而製作密封用薄片11，因此可抑制中空型電子裝置(例如， SAW過濾器13)因揮發的溶劑而受到影響。
具體而言，藉由將後述之各成分以混合輥、加壓式捏合機、擠出機等之周知的混練機進行熔融混練而調製混練物，將所得到的混練物塑性加工成薄片狀。混練條件方面，溫度較佳為上述各成分之軟化點以上，例如為30~150℃，若考慮環氧樹脂之熱硬化性，則較佳為40~140℃，更佳為60~120℃。時間，例如為1~30分鐘，較佳為5~15分鐘。
混練，較佳為在減壓條件下(減壓環境下)進行。藉此，可脫氣，並且可防止氣體侵入混練物。減壓條件下之壓力，較佳為0.1kg/cm2以下，更佳為0.05kg/cm2以下。減壓下之壓力的下限雖無特別限定，但例如1×10-4kg/cm2以上。
熔融混練後之混練物，較佳為不進行冷卻而以高溫狀態直接進行塑性加工。塑性加工方法並無特別限制，可列舉平板沖壓法、T模擠出法、螺紋模擠出法、輥軋壓延法、輥軋混練法、充氣擠出法、共擠出法、壓延成形法等等。塑性加工溫度方面，較佳為上述各成分之軟化點以上，若考慮環氧樹脂之熱硬化性及成形性，則例如為40~150℃，較佳為50~140℃，更佳為70~120℃。
密封用薄片11，係使用於需要中空密封的電子裝置(例如，SAW(Surface Acoustic Wave)過濾器；壓力感測器、振動感測器等之MEMS(Micro Electro Mechanical Systems))之密封。其中，可特別適合使用於SAW過濾器之密封。
密封方法並無特別限定，可利用以往周知的方法進行密封。可列舉例如，以被覆基板上之中空型電子裝置的方式將未硬化之密封用薄片11層合(載置)於基板上，接著，使密封用薄片11硬化而進行密封的方法等。基板並無特別限定，可列舉例如：印刷配線基板、陶瓷基板、矽基板、金屬基板等。
[中空型電子裝置封裝之製造方法]
第2圖A~第2圖C係分別模式性顯示本發明之一實施形態之中空型電子裝置封裝的製造方法之一步驟的圖。於本實施形態中，藉由密封用薄片11將搭載於印刷配基板12上之作為中空型電子裝置的SAW過濾器13進行中空密封，而製作中空型電子裝置封裝。
(SAW過濾器搭載基板準備步驟)
於SAW過濾器搭載基板準備步驟中，係準備搭載有複數之SAW過濾器13的印刷配線基板12(參照第2圖A)。SAW過濾器13，係可藉由將形成有特定的梳形電極之壓電結晶以周知的方法進行切割並予以個片化而形成。為了將SAW過濾器13搭載於印刷配線基板12，可使用倒裝晶片接合器或晶粒接合器等之周知的裝置。SAW過濾器13與印刷配線基板12，係透過凸緣等之突起電極13a而電連接。此外，SAW過濾器13與印刷配線基板12之間，係以不阻礙在SAW過濾器表面之表面彈性波的傳送之方式來維持中空部分 14。SAW過濾器13與印刷配線基板12之間的距離係可適當設定，一般而言為15~50μm左右。
(密封步驟)
於密封步驟中，以被覆SAW過濾器13的方式將密封用薄片11層合於印刷配線基板12，以密封用薄片11將SAW過濾器13進行樹脂密封(參照第2圖B)。密封用薄片11，係發揮用以保護SAW過濾器13及其附帶要素以免外部環境污染之密封樹脂的功能。
將密封用薄片11層合於印刷配線基板12上的方法並無特別限定，可藉由熱加壓或層壓等周知的方法而進行。熱加壓條件方面，溫度例如為40~100℃，較佳為50~90℃，壓力例如為0.1~10MPa，較佳為0.5~8MPa，時間例如為0.3~10分鐘，較佳為0.5~5分鐘。藉此，可得到電子裝置埋入熱硬化性密封用薄片16的電子裝置封裝。此外，若考慮密封用薄片11對於SAW過濾器13及印刷配線基板12之密著性及追隨性的提昇，則較佳為於減壓條件下(例如0.1~5kPa)中進行加壓。
(密封體形成步驟)
於密封體形成步驟中，將密封用薄片11進行熱硬化處理而形成密封體15(參照第2圖B)。
熱硬化處理之條件方面，加熱溫度較佳為100℃以上，更佳為120℃以上。另一方面，加熱溫度之上限較佳為 200℃以下，更佳為180℃以下。加熱時間，較佳為10分鐘以上，更佳為30分鐘以上。另一方面，加熱時間之上限較佳為180分鐘以下，更佳為120分鐘以下。此外，亦可因應需要而進行加壓，較佳為0.1MPa以上，更佳為0.5MPa以上。另一方面，上限較佳為10MPa以下，更佳為5MPa以下。
(切割步驟)
接著，可進行密封體15之切割(參照第2圖C)。藉此，可得到SAW過濾器13單元之電子裝置封裝18。
(基板安裝步驟)
可因應需要，進行基板安裝步驟，該步驟係對於電子裝置封裝18形成再配線及凸緣，而將其安裝於另外的基板(未圖示)。為了將電子裝置封裝18安裝於基板，可使用倒裝晶片接合器或晶粒接合器等之周知的裝置。
[實施例]
以下，例示性地詳細說明此發明之較佳的實施例。但，此實施例記載的材料或摻合量等，只要無特別限定性的記載，則非為僅將本發明之範圍限定於此等的要旨者。
針對實施例所使用的成分進行說明。
環氧樹脂：新日鐵化學(股)製之YSLV-80XY(雙酚F型環氧樹脂、環氧當量200g/eq.軟化點80℃)
酚樹脂：明和化成公司製之MEH-7851-SS(具有聯苯芳 烷基骨架之酚樹脂、羥基當量203g/eq.軟化點67℃)
熱塑性樹脂：kaneka公司製之SIBSTER 072T(苯乙基-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)
離子捕捉劑：協和化學工業公司製之DHT-4A
無機充填劑：電氣化學工業公司製之FB-9454FC(熔融球狀二氧化矽、平均粒徑20μm)
矽烷偶合劑：信越化學公司製之KBM-403(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)
碳黑：三菱化學公司製之# 20
難燃劑：伏見製藥所製之FP-100(磷腈系難燃劑：以式(4)所表示之化合物)
(式中、m係表示3~4之整數)。
硬化促進劑：四國化成工業公司製之2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑)
實施例1~2
依照表1記載之摻合比，摻合各成分，藉由輥軋混練機 在60~120℃、10分鐘、減壓條件下(0.01kg/cm2)進行熔融混練，而調製出混練物。接著，將所得到的混練物，藉由平板沖壓法，形成為薄片狀，而製作出表1所示之厚度的密封用薄片。
實施例3
依照表1記載的摻合，於溶劑(以重量比計，甲基乙基酮(MEK)：甲苯=1：1)中摻合各成分，而得到非溶劑成分濃度90%之塗佈液。
以使乾燥後的厚度成為50μm的方式，藉由缺角輪塗佈機，將所得到的塗佈液塗佈成厚度50μm之聚酯薄膜A(三菱化學聚酯公司製、MRF-50)之剝離處理面上，使其乾燥。接著，將厚度38μm之聚酯薄膜B(三菱化學聚酯公司製、MRF-38)之剝離處理面貼合於乾燥後的清漆上，而調製出薄膜密封用薄片。
然後，一邊將聚酯薄膜A及聚酯薄膜B適當剝離，一邊藉由輥式層壓機，將5片薄膜密封用薄片進行層合，藉此而製作出厚度250μm之密封用薄片。
比較例1
依照表1記載之摻合比，摻合各成分，於其中添加與各成分之總量同量的甲基乙基酮，調製出清漆。以使乾燥後的厚度成為50μm的方式，藉由缺角輪塗佈機，將所得到的清漆塗佈於厚度50μm之聚酯薄膜A(三菱化學聚酯公司製、 MRF-50)之剝離處理面上，使其乾燥。接著，將厚度38μm之聚酯薄膜B(三菱化學聚酯公司製、MRF-38)之剝離處理面貼合於乾燥後的清漆上，而調製出薄膜密封用薄片。
然後，一邊將聚酯薄膜A及聚酯薄膜B適當剝離，一邊藉由輥式層壓機，將5片薄膜密封用薄片進行層合，藉此而製作出厚度250μm之密封用薄片。
使用所得到的密封用薄片進行下述的評估。將結果顯示於表1。
[離子性雜質萃取濃度之測定]
將實施例、及比較例之密封用薄片分別切取重量5g，裝入直徑58mm、高度37mm之圓柱狀的封閉式Teflon(註冊商標)製容器中，添加離子交換水50ml。其後，在121℃、2氣壓下放置20小時。取出薄膜之後，使用DIONEX公司製、DX320及DX500，測定出離子交換水中之氯化物離子濃度、鈉離子濃度、磷酸離子濃度、及硫酸離子濃度。將結果顯示於表1。
[透濕度之測定]
使實施例、比較例所製成的密封用薄片熱硬化。熱硬化條件係以150℃進行加熱60分鐘。其後，依據JIS Z 0208(圓筒平板法(cup method))之規定，測定出實施例、比較例所製成的密封用薄片(熱硬化後)之透濕度。
測定條件係如下所述。將結果顯示於表1。
(測定條件)
溫度85℃、濕度85%、168小時、密封用薄片的厚度：250μm

Claims (5)

  1. 一種中空型電子裝置密封用薄片，其包含環氧樹脂、酚樹脂、熱塑性樹脂及無機質填充劑，前述環氧樹脂及前述酚樹脂的合計含量為10重量%以下；其中，成為厚度250μm時之熱硬化後的透濕度，係在溫度85℃、濕度85%、168小時的條件下，為500g/m 2．24小時以下；其特徵為滿足下述(a)~下述(d)中至少1個，(a)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之氯化物離子濃度，以質量基準計為低於30ppm；(b)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之鈉離子濃度，以質量基準計為低於10ppm；(c)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之磷酸離子濃度，以質量基準計為低於30ppm；(d)將重量5g之中空型電子裝置密封用薄片浸漬於離子交換水50ml中，在121℃、2氣壓下放置20小時之後的前述離子交換水中之硫酸離子濃度，以質量基準計為低於5ppm。
  2. 如請求項1所記載之中空型電子裝置密封用薄片，其 中相對於中空型電子裝置密封用薄片全體，含有70~90體積%之無機質填充劑。
  3. 如請求項1所記載之中空型電子裝置密封用薄片，其係含有離子捕捉劑。
  4. 如請求項3所記載之中空型電子裝置密封用薄片，其中前述離子捕捉劑係水滑石系化合物。
  5. 一種中空型電子裝置封裝之製造方法，其特徵為包含：以被覆搭載於基板上之1或複數個中空型電子裝置的方式，將如請求項1~4中任一項所記載之中空型電子裝置密封用樹脂薄片層合於前述中空型電子裝置上之層合步驟，以及使前述中空型電子裝置密封用樹脂薄片硬化而形成密封體之密封體形成步驟。
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