TWI614292B - 電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法 - Google Patents

電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI614292B
TWI614292B TW103111071A TW103111071A TWI614292B TW I614292 B TWI614292 B TW I614292B TW 103111071 A TW103111071 A TW 103111071A TW 103111071 A TW103111071 A TW 103111071A TW I614292 B TWI614292 B TW I614292B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin sheet
resin
group
filler
sealing
Prior art date
Application number
TW103111071A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201508018A (zh
Inventor
Eiji Toyoda
yusaku Shimizu
Chie Iino
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201508018A publication Critical patent/TW201508018A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI614292B publication Critical patent/TWI614292B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)

Abstract

本發明提供一種低吸濕性的電子元件密封用樹脂薄片。
本發明有關於一種電子元件密封用樹脂薄片，其含有填充物，且在85℃、85%RH的環境下放置168小時後的吸水率是0.3重量%以下，前述填充物實質上是以初級粒子的狀態來分散。

Description

電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法 發明領域
本發明有關於電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法。
發明背景
在電子元件封裝體之製作上，代表性的做法是採用將已固定於基板等的1個或複數個電子元件以密封樹脂密封，並依需要將密封體切割，使之成為電子元件單元之封裝體的順序。
存在於密封樹脂中的水分，會因熱硬化時的加熱而水蒸氣化。一旦密封樹脂存在許多水分，會有因為該蒸氣壓而使得密封樹脂產生裂痕的情況。因此，低吸濕性的密封樹脂是有需求的。作為降低吸濕性的方法，有例如摻合二氧化矽的方法等。
在專利文獻1記載著，將含有樹脂、二氧化矽及矽烷偶合劑等的清漆塗布在薄膜上，接著使塗布膜乾燥，藉此來形成樹脂薄片。然而，關於吸濕性，並沒有充分探討。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-19714號公報
發明概要
藉由如專利文獻1之樹脂薄片的製作方法(溶劑塗裝)無法高度填充二氧化矽，因而難以降低吸濕性。
本發明以解決前述課題，並提供低吸濕性的電子元件密封用樹脂薄片為目的。
本發明有關於一種電子元件密封用樹脂薄片，其含有填充物，且在85℃、85%RH的環境下放置168小時後的吸水率為0.3重量%以下，前述填充物實質上是以初級粒子的狀態來分散。本發明電子元件密封用樹脂薄片之吸水率為0.3重量%以下，且為低吸濕性。藉此，可製造耐濕可靠性優異的電子元件封裝體。
前述填充物宜為經過矽烷偶合劑處理者。藉此，容易使填充物以初級粒子的狀態來分散。又，所述填充物的疏水性高，且可使所述填充物實質上以初級粒子的狀態分散，因此可有效降低樹脂薄片的吸濕性。
前述電子元件密封用樹脂薄片中之前述填充物的含量宜為70~90體積%。藉此，可降低吸濕性。
本發明又有關於一種電子元件封裝體之製造方法，包含下述步驟：積層步驟，以覆蓋1個或複數個電子元 件的方式將前述電子元件密封用樹脂薄片積層在前述電子元件上，及密封體形成步驟，使前述電子元件密封用樹脂薄片硬化來形成密封體。
11‧‧‧樹脂薄片
11a‧‧‧支持體
12‧‧‧印刷配線基板
13‧‧‧SAW濾波器
13a‧‧‧突起電極
14‧‧‧中空部分
15‧‧‧密封體
18‧‧‧電子元件封裝體
圖1為示意性顯示關於本發明一種實施形態之樹脂薄片的剖面圖。
圖2A為示意性顯示關於本發明一種實施形態之電子元件封裝體製造方法之一步驟的圖。
圖2B為示意性顯示關於本發明一種實施形態之電子元件封裝體製造方法之一步驟的圖。
圖2C為示意性顯示關於本發明一種實施形態之電子元件封裝體製造方法之一步驟的圖。
用以實施發明之形態
以下將舉實施形態來詳細說明本發明，但本發明並非僅侷限於該等實施形態者。
[電子元件密封用樹脂薄片]
圖1為示意性顯示關於本發明一種實施形態之樹脂薄片11的剖面圖。代表性的樹脂薄片11是以積層在聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等支持體11a上的狀態來提供。此外，為易於進行樹脂薄片11的剝離，可在支持體11a施行脫模處理。
樹脂薄片11在85℃、85%RH的環境下放置168小時後的吸水率為0.3重量%以下，且宜為0.25重量%以 下。因為是0.3重量%以下，故為低吸濕性。因此，可以製造耐濕可靠性優異的電子元件封裝體。吸水率的下限並無特別限定，例如為0.05重量%以上。
在85℃、85%RH的環境下放置168小時後的吸水率，可以記載在實施例的方法來測定。
在樹脂薄片11中，填充物實質上以初級粒子的狀態來分散。因此，可輕易達成前述吸水率。
此外，在本說明書中，所謂填充物實質上以初級粒子的狀態來分散，是說實質上沒有凝集物。具體而言，是說可利用記載在實施例的方法來測定，且記載在實施例之填充物分散性的評價為良好。
在填充物方面並無特別限定，但宜為經過矽烷偶合劑處理(前處理)的填充物。藉此，將容易使填充物以初級粒子的狀態來分散。又，所述填充物的疏水性高(在填充物表面的親水基鍵結有矽烷偶合劑故疏水性高)，且可將所述填充物實質上以初級粒子的狀態來分散，因此可有效降低樹脂薄片11的吸濕性。
作為可用矽烷偶合劑處理的填充物並無特別限定，但宜為無機填充材。作為無機填充材，可舉例如石英玻璃、滑石、二氧化矽(熔融二氧化矽或結晶性二氧化矽等)、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氮化硼等。於此之中，從與矽烷偶合劑之反應性優異的理由來看，宜為二氧化矽、氧化鋁，且以二氧化矽為佳。在二氧化矽方面，從流動性優異的理由來看，宜為熔融二氧化矽，且以球狀熔融 二氧化矽為佳。
填充物之平均初級粒徑宜為1μm以上，且以5μm以上為佳。若為1μm以上，則容易獲得樹脂薄片的可撓性、柔軟性。填充物之平均初級粒徑宜為40μm以下，且以30μm以下為佳。若為40μm以下，則容易使填充物高度填充率化。
此外，平均初級粒徑，例如可藉由下述方法導出：使用從母群任意提取的試料，並使用雷射繞射散射式粒度分布測定裝置來測定。
矽烷偶合劑是在分子中具有水解性基及有機官能基之化合物。
在水解性基方面，可舉例如甲氧基、乙氧基等碳數為1~6的烷氧基；乙醯氧基、2-甲氧基乙氧基等。於此之中，從容易除去因水解產生之醇等揮發成分的理由來看，宜為甲氧基。
在有機官能基方面，可舉乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、胺基、脲基、巰基、硫醚基、異氰酸酯基等。於此之中，從容易與環氧樹脂、酚樹脂反應的理由來看，宜為環氧基。
在矽烷偶合劑方面，可舉例如乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等含有乙烯基的矽烷偶合劑；2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基 三乙氧基矽烷等含有環氧基的矽烷偶合劑；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等含有苯乙烯基的矽烷偶合劑；3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等含有甲基丙烯酸基的矽烷偶合劑；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等含有丙烯醯基的矽烷偶合劑；N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基甲矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等含有胺基的矽烷偶合劑；3-脲基丙基三乙氧基矽烷等含有脲基的矽烷偶合劑；3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等含有巰基的矽烷偶合劑；四硫化雙(三乙氧基甲矽烷基丙基)等含有硫化基的矽烷偶合劑；3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等含有異氰酸酯基的矽烷偶合劑等。
作為以矽烷偶合劑處理填充物的方法並無特別限定，可舉在溶劑中混合填充物與矽烷偶合劑的濕式法、在氣相中處理填充物與矽烷偶合劑的乾式法等。
矽烷偶合劑的處理量並無特別限定，但宜相對於未處理的填充物100重量份，以矽烷偶合劑0.1~1重量份來處理。
樹脂薄片11中之填充物的含量宜為70體積%以 上，且以74體積%以上為佳。若為70體積%以上，則可降低吸濕性。另一方面，填充物的含量宜為90體積%以下，且以85體積%以下為佳。若為90體積%以下，則可獲得良好的柔軟性、流動性、接著性。
填充物的含量亦可以「重量%」作為單位來說明。典型上，針對二氧化矽的含量係以「重量%」為單位來說明。
二氧化矽通常比重為2.2g/cm3，因此二氧化矽含量(重量%)的適宜範圍例如為下者。
即，樹脂薄片11中之二氧化矽的含量宜為81重量%以上，且以84重量%以上為佳。樹脂薄片11中之二氧化矽的含量宜為94重量%以下，且以91重量%以下為佳。
氧化鋁通常比重為3.9g/cm3，因此氧化鋁含量(重量%)的適宜範圍例如為下者。
即，樹脂薄片11中之氧化鋁的含量宜為88重量%以上，且以90重量%以上為佳。樹脂薄片11中之氧化鋁的含量，宜為97重量%以下。且以95重量%以下為佳。
樹脂薄片11宜含有環氧樹脂及酚樹脂。藉此，可獲得良好的熱硬化性。
在環氧樹脂方面，並無特別限定者。例如可使用三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、改質雙酚A型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、改質雙酚F型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、苯氧基樹脂等各種的環氧 樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用、亦可2種以上併用。
從確保環氧樹脂硬化後之靭性及環氧樹脂之反應性的觀點來看，宜為環氧基當量為150~250、軟化點或熔點為50~130℃之在常溫下為固態者，其中，從可靠性的觀點來看，以三苯甲烷型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂為佳。
酚樹脂只要是與環氧樹脂之間會發生硬化反應者，則無特別限定。可使用例如苯酚酚醛樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、甲酚酚醛樹脂、可溶酚醛樹脂等。該等酚樹脂可單獨使用，亦可2種以上併用。
作為酚樹脂，從與環氧樹脂之反應性的觀點來看，宜使用羥基當量是70~250、且軟化點為50~110℃者，於此之中，從硬化反應性高的觀點來看，可適宜的使用苯酚酚醛樹脂。又，從可靠性的觀點來看，可適宜的使用如苯酚芳烷基樹脂或聯苯芳烷基樹脂之類低吸濕性者。
從硬化反應性的觀點來看，環氧樹脂與酚樹脂的摻合比例宜以相對於環氧樹脂中的環氧基1當量，使酚樹脂中羥基的合計為0.7~1.5當量的方式進行摻合，且以0.9~1.2當量為佳。
樹脂薄片11中的環氧樹脂及酚樹脂的合計含量宜為2.0重量%以上，且以3.0重量%以上為佳。若為2.0重量%以上，可獲得對電子元件、基板等良好的接著力。樹脂薄片11中的環氧樹脂及酚樹脂的合計含量宜為20重量% 以下，且以10重量%以下為佳。若為20重量%以下，則可將吸濕性抑制得較低。
樹脂薄片11宜含有熱塑性樹脂。藉此，可獲得在未硬化狀態下的操作性、硬化物的低應力性。
在熱塑性樹脂方面，可舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯平橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等的聚醯胺樹脂；苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PBT或PET等的飽和聚酯樹脂；聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。該等熱塑性樹脂可以單獨、或2種以上併用來使用。於此之中，從低應力性、低吸水性的觀點來看，宜為苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。
樹脂薄片11中之熱塑性樹脂的含量宜為1.0重量%以上，且以1.5重量%以上為佳。若為1.0重量%以上，則可獲得柔軟性、可撓性。樹脂薄片11中之熱塑性樹脂的含量宜為3.5重量%以下，且以3重量%以下為佳。若為3.5重量%以下，則可提高與電子元件或基板的接著性。
樹脂薄片11宜含有硬化促進劑。
在硬化促進劑方面，若為使環氧樹脂與酚樹脂進行硬化者則無特別限定，可舉例如三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸等的有機磷系化合物；2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等的咪唑系化合物 等。於此之中，從硬化反應不會隨捏合時之溫度上昇加劇而可製作良好的樹脂薄片11的理由來看，宜為2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑。
相對於環氧樹脂及酚樹脂之合計100重量份，硬化促進劑的含量宜為0.1~5重量份。
樹脂薄片11宜含有阻燃劑成分。藉此，可降低因部件短路或發熱等起火時的燃燒擴大。在阻燃劑成分方面，可使用例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鐵、氫氧化鈣、氫氧化錫、錯合化金屬氫氧化物等的各種金屬氫氧化物；膦氮烯系阻燃劑等。於此之中，從在阻燃性、硬化後之強度優異的理由來看，宜為膦氮烯系阻燃劑，且宜為式(1)或式(2)所表示之化合物。
Figure TWI614292BD00001
(式中，R1及R2相同或相異，表示1價有機基，其具有烷氧基、苯氧基、胺基、羥基、烯丙基、或選自由該等基所構成群組中之至少1種基。x表示3~25的整數。)
[化2]
Figure TWI614292BD00002
(式中，R3及R5相同或相異，表示1價有機基，其具有烷氧基、苯氧基、胺基、羥基、烯丙基、或選自由該等基所構成群組中之至少1種基。R4表示2價有機基，其具有選自由烷氧基、苯氧基、胺基、羥基及烯丙基所構成群組中之至少1種基。y表示3~25的整數。z表示3~25的整數。)
在R1及R2之烷氧基方面，可舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、三級丁氧基等。於此之中，宜為碳數4~10的烷氧基。
在R1及R2的苯氧基方面，可舉例如式(3)所表示的基。
[化3]
Figure TWI614292BD00003
(式中，R11表示1價有機基，其具有氫、羥基、烷基、烷氧基、縮水甘油基或選自由該等基所構成群組中之至少1種基。)
作為R11的烷基，可舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十八烷基等。作為R11的烷氧基，可舉與R1及R2之烷氧基同樣的基。
在R1及R2方面，從可以獲得良好之阻燃性、硬化後強度的理由來看，宜為苯氧基，且式(3)所表示之基為佳。
x表示3~25的整數，但從可獲得良好之阻燃性、硬化後強度的理由來看，宜為3~10，且以3~4為佳。
在式(2)中，作為R3及R5之烷氧基，可舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、三級丁氧基等。於此之中，宜為碳數4~10的烷氧基。
作為R3及R5之苯氧基，可舉例如前述式(3)所表示之基。
R3及R5中，在具有選自由烷氧基、苯氧基、胺基、羥基及烯丙基所構成群組中之至少1種基的1價有機基方面，並無特別限定。
在R3及R5方面，從可獲得良好的阻燃性、硬化後之強度的理由來看，宜為苯氧基，且以式(3)所表示之基為佳。
作為R4之2價有機基所具有的烷氧基，可舉例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、三級丁氧基等。於此之中，宜為碳數4~10的烷氧基。
作為R4之2價有機基所具有的苯氧基，可舉例如前述式(3)所表示之基。
y表示3~25的整數，但從可以獲得良好的阻燃性、硬化後之強度的理由來看，宜為3~10。
z表示3~25的整數，但從可以獲得良好的阻燃性、硬化後之強度的理由來看，宜為3~10。
從即使少量亦能發揮阻燃效果的觀點來看，膦氮烯系阻燃劑所含之磷元素的含有率宜為12重量%以上。
在有機成分(除去填充物之總成分)100重量%中，阻燃劑成分的含量宜為10重量%以上，且以15重量%以上為佳。若為10重量%以上，則可獲得良好的阻燃性。阻燃劑成分的含量宜為30重量%以下，且以25重量%以下為佳。若為30重量%以下，則硬化物之物性低下(具體而言，是玻璃轉化溫度或高溫樹脂強度等的物性低下)會有減少的傾向。
樹脂薄片11宜含有顏料。在顏料方面並無特別限定，可舉碳黑等。
樹脂薄片11中的顏料含量宜為0.1~2重量%。若為0.1重量%以上，則可獲得良好的標記性。若為2重量%以下，則可獲得足夠的硬化物強度。
此外，在樹脂組成物中，除上述之各成分以外，依需要可適宜摻合其他添加劑。
樹脂薄片11亦可含有脫模劑。脫模劑通常為疏水性、防水性，因此藉由摻合脫模劑可減低吸濕性。
但樹脂薄片11為薄片狀，因此無須如習用之片板狀的密封樹脂一樣摻合脫模劑。又，即便不摻合，亦可達成低吸濕性。因此，樹脂薄片11中脫模劑的含量，例如宜為1重量%以下，不含脫模劑更佳。
樹脂薄片11的製造方法並無特別限定，但宜為調製前述各成分之捏合物，並將獲得之捏合物塑性加工成薄片狀的方法。藉此，填充物可以高度填充，且吸濕性可降低。又，容易使填充物以初級粒子的狀態來分散。
具體上，是將前述各成分(例如填充物、環氧樹脂、酚樹脂、熱塑性樹脂及硬化促進劑等)以混合輥、加壓式捏揉機、擠出機等周知的捏合機來熔融捏合，藉此調製捏合物，並將獲得之捏合物塑性加工成薄片狀。在捏合條件方面，溫度宜為上述各成分的軟化點以上，例如30~150℃，若考慮到環氧樹脂的熱硬化性，則宜為40~140℃，且以60~120℃為佳。時間則為例如1~30分鐘，且宜為 5~15分鐘。
捏合宜在減壓條件下(減壓環境下)進行。減壓條件下的壓力宜為0.1kg/cm2以下，且以0.05kg/cm2以下為佳。減壓下的壓力下限並無特別限定，例如為1×10-4kg/cm2以上。
熔融捏合後的捏合物宜不冷卻而直接在高溫狀態下來塑性加工。在塑性加工方法方面並無特別限制，可舉平板加壓法、T字模擠出法、螺紋模擠出法、輥壓延法、輥捏合法、充氣擠出法、共擠出法、壓光成型法等。在塑性加工溫度方面宜為上述各成分之軟化點以上，且若考慮到環氧樹脂之熱硬化性及成形性，例如為40~150℃，且宜為50~140℃，又以70~120℃為更佳。
樹脂薄片11的厚度並無限定，宜為100μm以上，且以150μm以上為佳。又，樹脂薄片11的厚度宜為2000μm以下，且以1000μm以下為佳。若在上記範圍內，則可良好的密封電子元件。
樹脂薄片11可為單層構造，亦可為積層有2層以上樹脂薄片的多層構造，但從表面積較小、容易行低吸濕化的理由來看，宜為單層構造。
樹脂薄片11之表面積較習用之片板狀密封樹脂小，因此容易降低吸濕性。
樹脂薄片11可使用在SAW(Surface Acoustic Wave)濾波器；壓力感測器、振動感測器等的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)；LSI等的IC(積體電路)、電晶 體等的半導體；電容器；電阻等的電子元件之密封上。於此之中，可適宜使用在必須中空密封之電子元件(具體來說為SAW濾波器、MEMS)的密封上，且特別適宜使用在SAW濾波器的密封上。
在密封方法方面並無特別限定，可舉例如以覆蓋基板上之電子元件的方式將未硬化的樹脂薄片11積層在基板上，接著使樹脂薄片11硬化來密封的方法等。在基板方面並無特別限定，可舉例如印刷配線基板、陶瓷基板、矽基板、金屬基板等。
[電子元件封裝體之製造方法]
圖2A~2C分別是示意性顯示關於本發明一種實施形態之電子元件封裝體製造方法之一步驟的圖。在本實施形態，是將搭載在印刷配線基板12上之SAW濾波器13藉由樹脂薄片11來中空密封而製作電子元件封裝體18。
(SAW濾波器搭載基板準備步驟)
SAW濾波器搭載基板準備步驟，是準備搭載有複數個SAW濾波器13的印刷配線基板12(參考圖2A)。SAW濾波器13可藉由習知方法將形成有預定之梳形電極的壓電結晶體切割作成單片化而形成。可使用倒裝晶片接合器或晶粒接合器等習知的裝置將SAW濾波器13搭載於印刷配線基板12上。SAW濾波器13與印刷配線基板12是藉由突塊等的突起電極13a形成電性連結。又，在SAW濾波器13與印刷配線基板12之間，為了不阻礙表面彈性波在SAW濾波器表面之傳播，便維持著中空部分14。SAW濾波器13與印刷配線基 板12之間的距離可適宜設定，一般為15~50μm左右。
(密封步驟)
在密封步驟，是以覆蓋SAW濾波器13的方式對印刷配線基板12積層樹脂薄片11，並將SAW濾波器13以樹脂薄片11來樹脂密封(參考圖2B)。樹脂薄片11之作用是作為密封樹脂，用以從外界保護SAW濾波器13及附屬於其的要素。
將樹脂薄片11積層在印刷配線基板12上的方法並無特別限定，可利用熱壓或積層機等習知的方法來進行。在熱壓條件方面，溫度例如為40~100℃，且宜為50~90℃；壓力例如為0.1~10MPa，且宜為0.5~8MPa；時間例如為0.3~10分鐘，且宜為0.5~5分鐘。又，若考慮到提升樹脂薄片11對SAW濾波13及印刷配線基板12的密著性及追隨性，宜在減壓條件下(例如0.1~5kPa)行加壓。
(密封體形成步驟)
在密封體形成步驟，是將樹脂薄片11行熱硬化處理來形成密封體15(參考圖2B)。
作為熱硬化處理的條件，加熱溫度宜為100℃以上，且以120℃以上為佳。另一方面，加熱溫度的上限宜為200℃以下，且以180℃以下為佳。加熱時間宜為10分鐘以上，且以30分鐘以上為佳。另一方面，加熱時間的上限宜為180分鐘以下，且以120分鐘以下為佳。又，亦可依需要來加壓，且宜為0.1MPa以上、以0.5MPa以上為佳。另一方面，上限宜為10MPa以下，且以5MPa以下為佳。
(切割步驟)
接下來，亦可進行密封體15的切割(參考圖2C)。藉此，可以獲得以SAW濾波器13為單元的電子元件封裝體18。
(基板安裝步驟)
依需要可進行基板安裝步驟，其係對電子元件封裝體18形成再配線及突塊，並將其安裝在另外之基板(圖無顯示)。在對基板安裝電子元件封裝體18時，可使用倒裝晶片接合器或晶粒接合器等習知的裝置。
實施例
以下舉本發明之適當實施例來詳細說明。但該實施例記載之材料或摻合量等，在無特別限定性的記載之下，並不會將本發明的範圍僅限定在該等所揭。
說明關於使用在實施例的成分。
環氧樹脂1：新日鐵化學(股)製的YSLV-80XY(雙酚F型環氧樹脂、環氧當量200g/eq.軟化點80℃)
環氧樹脂2：日本化藥(股)製的EPPN-501HY(三苯甲烷型環氧樹脂)
環氧樹脂3：三菱化學(股)製的YL980(雙酚A型環氧樹脂)
酚樹脂1：明和化成社製的MEH-7851-SS(具有聯苯基芳烷基骨架的酚樹脂，羥基當量203g/eq.，軟化點67℃)
酚樹脂2：昭和高分子(股)製的ND564
熱塑性樹脂1：Kaneka社製的SIBSTER 072T(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)
熱塑性樹脂2：Nagase ChemteX(股)製的SG-P3
矽烷偶合劑處理填充物：將電氣化學工業社製的FB-9454FC(熔融球狀二氧化矽，平均初級粒徑20μm)以信越化學社製的KBM-403(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)處理過者(以88.0重量份之FB-9454FC對0.3重量份之KBM-403的比例來處理)
未處理填充物：電氣化學工業社製的FB-9454FC(熔融球狀二氧化矽，平均初級粒徑20μm)
矽烷偶合劑：信越化學社製的KBM-403(3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷)
碳黑：三菱化學社製的#20
阻燃劑：伏見製藥所製的FP-100(膦氮烯系阻燃劑：式(4)所表示之化合物)
Figure TWI614292BD00004
(式中，m表示3~4的整數。)
硬化促進劑1：北興化學工業社製的TPP-K(四苯基鏻‧四苯基硼酸鹽)
硬化促進劑2：北興化學工業社製的TPP-MK(四苯基鏻四-對甲苯硼酸鹽)
實施例1~2及比較例2
遵照表1記載之摻合比來摻合各成分，並利用輥捏合機，在60~120℃、10分鐘、減壓條件下(0.01kg/cm2)熔融捏合來調製捏合物。接著，將獲得之捏合物利用平板加壓法形成薄片狀來製作厚度200μm的樹脂薄片。
使用獲得之樹脂薄片來進行下述的評價。結果顯在表1。
[吸水率]
從樹脂薄片切出尺寸20mm×20mm×厚度200μm的樣品，將其在120℃的真空乾燥機中放置3小時使之乾燥。之後，在乾燥器中放涼，並測定樣品的乾燥重量M1。之後，在85℃、85%RH環境下的恆溫恆濕槽中放置168小時，使樣品吸濕後再取出秤量。將秤量值達特定時的重量設為M2。從測得的M1及M2，以下述式為基準算出吸水率。
吸水率(重量%)=[(M2-M1)/M1]×100
[填充物分散性]
將樹脂薄片的剖面(沿厚度方向切斷的剖面)以SEM觀察，確認有無300μm以上之凝集物。
又，從樹脂薄片切出尺寸20mm×20mm×厚度200μm的 樣品，將其在電爐以700℃燒1小時來分解有機成分。針對殘留的無機成分，利用粒度分布測定來確認有無300μm以上之凝集物。
於SEM觀察及粒度分布測定雙方確認沒有300μm以上之凝集物時，判定為￮(良好)。在任一個方法中確認有凝集物時，判定為×(不良)。
比較例1
遵照表1記載的摻合比來摻合各成分，並於其中添加與各成分總量等量之甲基乙基酮來調製清漆。利用逗號刮塗機(comma coater)將獲得之清漆以乾燥後之厚度為50μm的方式塗裝在厚度50μm之聚酯薄膜A(三菱化學聚酯社製、MRF-50)的剝離處理面上，並使之乾燥。接著，將厚度38μm之聚酯薄膜B(三菱化學聚酯社製、MRF-38)的剝離處理面貼合於乾燥後的清漆上，製成薄膜樹脂薄片。
之後，將聚酯薄膜A及聚酯薄膜B適當剝離，同時利用輥積層機積層4片薄膜樹脂薄片，藉此製成厚度200μm的樹脂薄片。
使用獲得之樹脂薄片進行上述評價。結果顯示在表1。
Figure TWI614292BD00005
11‧‧‧樹脂薄片
11a‧‧‧支持體

Claims (4)

  1. 一種電子元件密封用樹脂薄片，其含有填充物，且在85℃、85%RH的環境下放置168小時後的吸水率為0.3重量%以下，前述填充物實質上是以初級粒子的狀態來分散。
  2. 如請求項1之電子元件密封用樹脂薄片，其中前述填充物為經過矽烷偶合劑處理者。
  3. 如請求項1或2之電子元件密封用樹脂薄片，其中前述電子元件密封用樹脂薄片中之前述填充物的含量為70~90體積%。
  4. 一種電子元件封裝體之製造方法，包含下述步驟：積層步驟，以覆蓋1個或複數個電子元件的方式將如請求項1至3中任一項之電子元件密封用樹脂薄片積層在前述電子元件上，及密封體形成步驟，使前述電子元件密封用樹脂薄片硬化來形成密封體。
TW103111071A 2013-03-28 2014-03-25 電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法 TWI614292B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013069876A JP5793160B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201508018A TW201508018A (zh) 2015-03-01
TWI614292B true TWI614292B (zh) 2018-02-11

Family

ID=51623906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103111071A TWI614292B (zh) 2013-03-28 2014-03-25 電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5793160B2 (zh)
KR (1) KR20150136472A (zh)
CN (1) CN105102512A (zh)
SG (1) SG11201507887YA (zh)
TW (1) TWI614292B (zh)
WO (1) WO2014156927A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5976073B2 (ja) * 2014-11-07 2016-08-23 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP6568367B2 (ja) * 2015-02-25 2019-08-28 アイカ工業株式会社 熱硬化性シート組成物
WO2016158760A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 東レ株式会社 電子部品用樹脂シート、保護フィルム付電子部品用樹脂シートならびに半導体装置およびその製造方法
WO2018029744A1 (ja) * 2016-08-08 2018-02-15 東レ株式会社 電子部品用樹脂シート、保護フィルム付電子部品用樹脂シートならびに半導体装置およびその製造方法
CN110289218B (zh) * 2019-06-18 2021-09-28 北京猎户星空科技有限公司 一种集成电路板生产方法及集成电路板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201120128A (en) * 2009-06-22 2011-06-16 Sumitomo Bakelite Co Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1143320A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Toshiba Ceramics Co Ltd シリカフィラーの製造方法ならびにフィラー用組成物およびその製造方法
JP4348775B2 (ja) * 1999-05-28 2009-10-21 住友ベークライト株式会社 エポキシ系樹脂組成物
JP2001114994A (ja) * 1999-08-06 2001-04-24 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物および半導体装置
JP2002053737A (ja) * 2000-08-09 2002-02-19 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP5133598B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 封止用熱硬化型接着シート
JP5882040B2 (ja) * 2011-05-20 2016-03-09 日東電工株式会社 樹脂混練物、樹脂シートおよび樹脂混練物の製造方法
JP2013007028A (ja) * 2011-05-20 2013-01-10 Nitto Denko Corp 封止用シートおよび電子部品装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201120128A (en) * 2009-06-22 2011-06-16 Sumitomo Bakelite Co Semiconductor-encapsulating resin composition and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150136472A (ko) 2015-12-07
SG11201507887YA (en) 2015-11-27
TW201508018A (zh) 2015-03-01
JP5793160B2 (ja) 2015-10-14
JP2014189791A (ja) 2014-10-06
WO2014156927A1 (ja) 2014-10-02
CN105102512A (zh) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6393092B2 (ja) 中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法
JP6259608B2 (ja) 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法
JP6643791B2 (ja) 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法
TWI614292B (zh) 電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法
TW201811973A (zh) 電子元件密封用樹脂薄片及電子元件封裝體之製造方法
TWI664076B (zh) 密封片、密封片之製造方法及電子零件封裝之製造方法
JP6302693B2 (ja) 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法
JP2018198337A (ja) 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法
TWI701276B (zh) 中空型電子裝置密封用薄片及中空型電子裝置封裝之製造方法
US10297470B2 (en) Resin sheet for sealing electronic device and method for manufacturing electronic-device package
TWI625832B (zh) Resin sheet for electronic component sealing and method of manufacturing electronic component package
JP6434181B2 (ja) 中空型電子デバイス封止用シート、及び、中空型電子デバイスパッケージの製造方法
JP6302692B2 (ja) 中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法
TW201519381A (zh) 樹脂薄片及電子裝置封裝之製造方法